Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

KR100502912B1 - 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법 - Google Patents

발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR100502912B1
KR100502912B1 KR10-2003-0020432A KR20030020432A KR100502912B1 KR 100502912 B1 KR100502912 B1 KR 100502912B1 KR 20030020432 A KR20030020432 A KR 20030020432A KR 100502912 B1 KR100502912 B1 KR 100502912B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
transistor
control signal
signal
selection signal
control
Prior art date
Application number
KR10-2003-0020432A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040085653A (ko
Inventor
권오경
Original Assignee
삼성에스디아이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성에스디아이 주식회사 filed Critical 삼성에스디아이 주식회사
Priority to KR10-2003-0020432A priority Critical patent/KR100502912B1/ko
Priority to JP2003282534A priority patent/JP4153842B2/ja
Priority to EP03090385A priority patent/EP1465143B1/en
Priority to DE60308641T priority patent/DE60308641T2/de
Priority to AT03090385T priority patent/ATE341069T1/de
Priority to CNB200310118840XA priority patent/CN100369096C/zh
Priority to US10/729,256 priority patent/US6919871B2/en
Publication of KR20040085653A publication Critical patent/KR20040085653A/ko
Priority to US11/140,013 priority patent/US7573441B2/en
Priority to US11/139,148 priority patent/US7518580B2/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100502912B1 publication Critical patent/KR100502912B1/ko
Priority to US12/495,710 priority patent/US8289240B2/en
Priority to US12/495,715 priority patent/US8217863B2/en
Priority to US12/495,713 priority patent/US20090267935A1/en

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G09G3/3241—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element the current through the light-emitting element being set using a data current provided by the data driver, e.g. by using a two-transistor current mirror
    • G09G3/325—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element the current through the light-emitting element being set using a data current provided by the data driver, e.g. by using a two-transistor current mirror the data current flowing through the driving transistor during a setting phase, e.g. by using a switch for connecting the driving transistor to the data driver
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0852—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor being a dynamic memory with more than one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0861—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor with additional control of the display period without amending the charge stored in a pixel memory, e.g. by means of additional select electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0243—Details of the generation of driving signals
    • G09G2310/0251—Precharge or discharge of pixel before applying new pixel voltage
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2310/00—Command of the display device
    • G09G2310/02—Addressing, scanning or driving the display screen or processing steps related thereto
    • G09G2310/0262—The addressing of the pixel, in a display other than an active matrix LCD, involving the control of two or more scan electrodes or two or more data electrodes, e.g. pixel voltage dependent on signals of two data electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0223—Compensation for problems related to R-C delay and attenuation in electrodes of matrix panels, e.g. in gate electrodes or on-substrate video signal electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/02—Improving the quality of display appearance
    • G09G2320/0233—Improving the luminance or brightness uniformity across the screen

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)
  • Control Of El Displays (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Shift Register Type Memory (AREA)
  • Illuminated Signs And Luminous Advertising (AREA)

Abstract

유기 전계발광 표시 장치의 화소 회로에 트랜지스터와 제1 내지 제3 스위칭 소자가 형성되어 있다. 트랜지스터는 유기 전계발광 소자를 발광시키기 위한 구동 전류를 공급하며 제1 및 제2 주 전극과 제어 전극을 가진다. 제1 스위칭 소자는 제1 제어 신호에 응답하여 트랜지스터를 다이오드 형태로 연결시키며, 제1 저장 소자는 제2 제어 신호에 응답하여 트랜지스터의 문턱 전압에 대응하는 제1 전압을 저장한다. 제2 스위칭 소자는 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 데이터선으로부터의 데이터 신호를 전달하며, 제2 저장 소자는 제1 스위칭 소자로부터의 데이터 전류에 대응하는 제2 전압을 저장한다. 제3 스위칭 소자는 제3 제어 신호에 응답하여 트랜지스터로부터의 구동 전류를 유기 전계발광 소자로 전달한다. 그리고 제1 및 제2 전압을 각각 저장하고 있는 제1 및 제2 저장 소자의 커플링에 의해 결정된 제3 전압이 제1 트랜지스터에 인가되어 구동 전류가 유기 전계발광 소자에 공급된다.

Description

발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법 {LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND DISPLAY PANEL AND DRIVING METHOD THEREOF}
본 발명은 발광 표시 장치와 그 표시 패널 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 특히 유기 전계발광(electroluminescent, 이하 EL이라 함) 표시 장치에 관한 것이다.
일반적으로 유기 EL 표시 장치는 형광성 유기 화합물을 전기적으로 여기시켜 발광시키는 표시 장치로서, N×M개의 유기 발광셀들을 전압 구동 혹은 전류 구동하여 영상을 표현할 수 있도록 되어 있다. 이러한 유기 발광셀은 도 1에 나타낸 바와 같이 애노드(ITO), 유기 박막, 캐소드 레이어(metal)의 구조를 가지고 있다. 유기 박막은 전자와 정공의 균형을 좋게 하여 발광 효율을 향상시키기 위해 발광층(emitting layer, EML), 전자 수송층(electron transport layer, ETL) 및 정공 수송층(hole transport layer, HTL)을 포함한 다층 구조로 이루어지고, 또한 별도의 전자 주입층(electron injecting layer, EIL)과 정공 주입층(hole injecting layer, HIL)을 포함하고 있다.
이와 같이 이루어지는 유기 발광셀을 구동하는 방식에는 단순 매트릭스(passive matrix) 방식과 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT) 또는 MOSFET를 이용한 능동 구동(active matrix) 방식이 있다. 단순 매트릭스 방식은 양극과 음극을 직교하도록 형성하고 라인을 선택하여 구동하는데 비해, 능동 구동 방식은 박막 트랜지스터와 커패시터를 각 ITO(indium tin oxide) 화소 전극에 접속하여 커패시터 용량에 의해 전압을 유지하도록 하는 구동 방식이다. 이때, 커패시터에 전압을 유지시키기 위해 인가되는 신호의 형태에 따라 능동 구동 방식은 전압 기입(voltage programming) 방식과 전류 기입(current programming) 방식으로 나누어진다.
아래에서는 도 2 및 도 3을 참조하여 종래 기술에 따른 전압 및 전류 기입 방식의 유기 EL 표시 장치에 대하여 설명한다.
도 2는 유기 EL 소자를 구동하기 위한 종래의 전압 기입 방식의 화소 회로로서, N×M개의 화소 중 하나를 대표적으로 도시한 것이다. 도 2를 참조하면, 유기 EL 소자(OLED)에 트랜지스터(M1)가 연결되어 발광을 위한 전류를 공급한다. 트랜지스터(M1)의 전류량은 스위칭 트랜지스터(M2)를 통해 인가되는 데이터 전압에 의해 제어되도록 되어 있다. 이때, 인가된 전압을 일정 기간 유지하기 위한 커패시터(C1)가 트랜지스터(M1)의 소스와 게이트 사이에 연결되어 있다. 트랜지스터(M2)의 게이트에는 주사선(Sn)이 연결되어 있으며, 소스 측에는 데이터선(Dm)이 연결되어 있다.
이와 같은 구조의 화소의 동작을 살펴보면, 스위칭 트랜지스터(M2)의 게이트에 인가되는 선택 신호에 의해 트랜지스터(M2)가 턴온 되면, 데이터선(Dm)으로부터의 데이터 전압이 트랜지스터(M1)의 게이트에 인가된다. 그러면 커패시터(C1)에 의해 게이트와 소스 사이에 충전된 전압(VGS)에 대응하여 트랜지스터(M2)에 전류(IOLED)가 흐르고, 이 전류(IOLED)에 대응하여 유기 EL 소자(OLED)가 발광한다.
이때, 유기 EL 소자(OLED)에 흐르는 전류는 다음의 수학식 1과 같다.
여기서, IOLED는 유기 EL 소자(OLED)에 흐르는 전류, VGS는 트랜지스터(M1)의 소스와 게이트 사이의 전압, VTH는 트랜지스터(M1)의 문턱 전압, VDATA는 데이터 전압, β는 상수 값을 나타낸다.
수학식 1에 나타낸 바와 같이, 도 2에 도시한 화소 회로에 의하면 인가되는 데이터 전압에 대응하는 전류가 유기 EL 소자(OELD)에 공급되고, 공급된 전류에 대응하여 유기 EL 소자가 발광하게 된다. 이때, 인가되는 데이터 전압은 계조를 표현하기 위하여 일정 범위에서 다단계의 값을 갖는다.
그런데 이와 같은 종래의 전압 기입 방식의 화소 회로에서는 제조 공정의 불균일성에 의해 생기는 박막 트랜지스터의 문턱 전압(VTH) 및 전자 이동도(electron mobility)의 편차로 인해 고계조를 얻기 어렵다는 문제점이 있다. 예를 들어, 3V로 화소의 박막 트랜지스터를 구동하는 경우 8비트(256) 계조를 표현하기 위해서는 12mV(=3V/256) 간격으로 박막 트랜지스터의 게이트에 전압을 인가해야 하는데, 만일 제조 공정의 분균일로 인한 박막 트랜지스터의 문턱 전압의 편차가 100㎷인 경우에는 고계조를 표현하기 어려워진다. 또한 이동도의 편차로 인해 수학식 1에서의 β값이 달라지므로 더욱 고계조를 표현하기 어렵게 된다.
이에 반해 전류 기입 방식의 화소 회로는 화소 회로에 전류를 공급하는 전류원이 패널 전체를 통해 균일하다고 하면 각 화소내의 구동 트랜지스터가 불균일한 전압-전류 특성을 갖는다 하더라도 균일한 디스플레이 특성을 얻을 수 있다.
도 3은 유기 EL 소자를 구동하기 위한 종래의 전류 기입 방식의 화소 회로로서, N×M개의 화소 중 하나를 대표적으로 도시한 것이다. 도 3을 참조하면, 유기EL 소자(OLED)에 트랜지스터(M1)가 연결되어 발광을 위한 전류를 공급하며, 트랜지스터(M1)의 전류량은 트랜지스터(M2)를 통해 인가되는 데이터 전류에 의해 제어되도록 되어있다.
먼저, 주사선(Sn)으로부터의 선택 신호에 의해 트랜지스터(M2, M3)가 턴온되면, 트랜지스터(M1)는 다이오드 연결 상태가 되고 데이터선(Dm)으로부터의 데이터 전류(IDATA)에 대응하는 전압이 커패시터(C1)에 저장된다. 다음, 주사선(Sn)으로부터의 선택 신호가 하이 레벨이 되어 트랜지스터(M2, M3)가 턴오프되고, 주사선(En)으로부터의 발광 신호가 로우 레벨이 되어 트랜지스터(M4)가 턴온된다. 그러면 전원 전압(VDD)으로부터 전원이 공급되고 커패시터(C1)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 유기 EL 소자(OLED)로 흘러 발광이 이루어진다. 이때, 유기 EL 소자(OLED)에 흐르는 전류는 수학식 2와 같다.
여기서, VGS는 트랜지스터(M1)의 소스와 게이트 사이의 전압, VTH는 트랜지스터(M1)의 문턱전압, β는 상수 값을 나타낸다.
수학식 2에서 나타낸 바와 같이 종래의 전류 픽셀회로에 의하면, 유기 EL 소자에 흐르는 전류(IOLED)는 데이터 전류(IDATA)와 동일하므로 기입 전류원이 패널 전체를 통해 균일하다고 하면 균일한 특성을 얻을 수 있게 된다. 그런데 유기 EL 소자에 흐르는 전류(IOLED)는 미세 전류이므로, 미세 전류(IDATA)로서 화소 회로를 제어해야 하므로 데이터선을 충전하는데 시간이 많이 걸린다는 문제점이 있다. 예를 들어, 데이터선 부하 커패시턴스가 30㎊이라 가정할 경우에 수십㎁에서 수백㎁ 정도의 데이터 전류로 데이터선의 부하를 충전하려면 수㎳의 시간이 필요하다. 이는 수십㎲ 수준인 라인 시간(line time)을 고려 해볼 때 충전 시간이 충분하지 못하다는 문제점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 트랜지스터의 문턱 전압이나 이동도를 보상할 수 있으며 데이터선을 충분히 충전시킬 수 있는 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 첫 번째 특징에 따른 발광 표시 장치는 표시 패널을 포함하며, 표시 패널에는 화상 신호를 나타내는 데이터 전류를 전달하는 복수의 데이터선, 선택 신호를 전달하는 복수의 주사선, 그리고 데이터선과 주사선에 의해 정의되는 복수의 화소에 각각 형성되는 복수의 화소 회로가 형성되어 있다. 화소 회로는, 발광 소자, 제1 트랜지스터, 제1 내지 제3 스위칭 소자, 제1 및 제2 저장 소자를 포함한다. 발광 소자는 인가되는 전류에 대응하여 빛을 발광하며, 제1 트랜지스터는 발광 소자를 발광시키기 위한 구동 전류를 공급하며 제1 및 제2 주 전극과 제어 전극을 가진다. 제1 스위칭 소자는 제1 제어 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 형태로 연결시키며, 제1 저장 소자는 제2 제어 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터의 문턱 전압에 대응하는 제1 전압을 저장한다. 제2 스위칭 소자는 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 데이터선으로부터의 데이터 신호를 전달하며, 제2 저장 소자는 상기 제1 스위칭 소자로부터의 데이터 전류에 대응하는 제2 전압을 저장한다. 제3 스위칭 소자는 제3 제어 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터로부터의 구동 전류를 발광 소자로 전달한다. 상기 제1 및 제2 전압을 각각 저장하고 있는 제1 및 제2 저장 소자의 커플링에 의해 결정된 제3 전압이 상기 제1 트랜지스터에 인가되어 상기 구동 전류가 발광 소자에 공급된다.
이때, 제2 제어 신호, 선택 신호 및 제3 제어 신호 순으로 인에이블되는 것이 바람직하다.
상기 화소 회로는 제2 제어 신호에 응답하여 턴온되며 제1단이 제1 트랜지스터의 제어 전극에 연결되는 제4 스위칭 소자를 더 포함하는 것이 바람직하다. 제2 저장 소자는 제1 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 연결되는 제1 커패시터에 의해 형성되며, 제1 저장 소자는 제1 트랜지스터의 제1 주 전극과 제4 스위칭 소자의 제2단 사이에 연결되는 제2 커패시터와 제1 커패시터의 병렬 연결에 의해 형성된다.
제2 제어 신호는 상기 주사선으로부터의 상기 선택 신호일 수 있다. 이때, 제4 스위칭 소자는 상기 선택 신호의 디스에이블 구간에서 응답한다.
그리고 제1 제어 신호는 이전 주사선으로부터의 선택 신호 및 현재 주사선으로부터의 선택 신호로 이루어질 수 있다. 이때, 상기 제1 스위칭 소자는, 이전 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 형태로 연결시키는 제2 트랜지스터 및 현재 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 형태로 연결시키는 제3 트랜지스터를 포함한다.
또한, 제2 제어 신호는 이전 주사선으로부터의 선택 신호 및 상기 제3 제어 신호로 이루어질 수 있다. 이때, 화소 회로는 상기 제4 스위칭 소자에 병렬로 연결되는 제5 스위칭 소자를 더 포함하며, 제4 및 제5 스위칭 소자는 각각 이전 주사선으로부터의 선택 신호 및 제3 제어 신호에 응답하여 턴온된다.
본 발명의 두 번째 특징에 따른 발광 표시 장치의 표시 패널은 복수의 화소 회로를 포함한다. 화소 회로는, 제1 트랜지스터, 제1 내지 제4 스위칭 소자, 발광 소자, 제1 및 제2 저장 소자를 포함한다. 제1 트랜지스터는 제1 전압을 공급하는 제1 전원에 제1 주 전극이 연결되며, 제1 스위칭 소자는 제1 트랜지스터의 제2 주 전극과 데이터선에 사이에 연결되며 주사선으로부터의 제1 선택 신호에 의해 제어된다. 제2 스위칭 소자는 제1 트랜지스터를 다이오드 형태로 연결시키도록 제1 제어 신호에 의해 제어되며, 제3 스위칭 소자는 제1 트랜지스터의 제어 전극에 제1단이 연결되며 제2 제어 신호에 의해 제어된다. 제4 스위칭 소자는 제1 트랜지스터의 제2 주 전극에 제1단이 연결되며 제3 제어 신호에 의해 제어되며, 발광 소자는 인가되는 전류에 대응하여 빛을 발광하며 제4 스위칭 소자의 제2단과 제2 전압을 공급하는 제2 전원 사이에 연결된다. 제1 저장 소자는 제3 스위칭 소자가 온 상태일 때 제1 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 연결되며, 제2 저장 소자는 제3 스위칭 소자가 오프 상태일 때 제1 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 연결된다.
본 발명의 세 번째 및 네 번째 특징에 따르면, 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 데이터선으로부터의 데이터 전류를 전달하는 스위칭 소자, 데이터 전류에 대응하여 구동 전류를 출력하며 제1 및 제2 주 전극과 제어 전극을 가지는 트랜지스터, 그리고 상기 트랜지스터로부터의 구동 전류에 대응하여 빛을 발광하는 발광 소자를 포함하는 화소 회로가 형성되어 있는 발광 표시 장치를 구동하는 방법이 제공된다.
본 발명의 세 번째 특징에 따른 구동 방법에 의하면, 먼저 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 형성되는 제1 저장 소자에 트랜지스터의 문턱 전압에 대응하는 제1 전압을 저장한다. 그리고 스위칭 소자로부터의 데이터 전류에 대응하는 제2 전압이 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 형성되는 제2 저장 소자에 저장된다. 다음, 제1 및 제2 저장 소자를 커플링하여 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이의 전압을 제3 전압으로 하고, 트랜지스터로부터의 구동 전류를 발광 소자로 전달한다. 이때, 트랜지스터로부터의 구동 전류는 제3 전압에 대응하여 결정된다.
본 발명의 네 번째 특징에 따른 구동 방법에 의하면, 먼저 제1 제어 신호에 응답하여 상기 트랜지스터가 다이오드 형태로 연결되며, 제2 제어 신호의 제1 레벨에 응답하여 상기 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 제1 저장 소자가 연결되어 상기 제1 저장 소자에 상기 트랜지스터의 문턱 전압에 대응하는 제1 전압이 저장된다. 그리고 제2 제어 신호의 제2 레벨에 응답하여 상기 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 제2 저장 소자가 연결되고, 주사선으로부터의 제1 선택 신호에 응답하여 상기 제2 저장 소자에 데이터 전류에 대응하는 제2 전압이 저장된다. 다음, 제2 제어 신호의 제1 레벨에 응답하여 상기 제1 및 제2 저장 소자가 커플링되어 상기 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이의 전압이 제3 전압으로 되며, 상기 트랜지스터에는 제3 전압에 대응하는 구동 전류가 흐르고, 제3 제어 신호에 응답하여 구동 전류가 발광 소자로 공급된다.
본 발명의 다섯 번째 특징에 따르면, 제1 선택 신호에 응답하여 화상 신호를 나타내는 데이터 전류를 트랜지스터로 전달하여 발광 소자를 구동하는 방법이 제공된다. 먼저, 제1 및 제2 스위칭 소자에 각각 인가되는 제1 및 제2 제어 신호를 인에이블 레벨로 하여 상기 트랜지스터의 문턱 전압에 대응하는 제1 전압을 저장하고, 제3 스위칭 소자에 인가되는 제3 제어 신호를 디스에이블 레벨로 하여 상기 트랜지스터와 발광 소자를 전기적으로 차단하고, 제4 스위칭 소자에 인가되는 제1 선택 신호를 디스에이블 레벨로 하여 데이터 전류를 차단한다. 그리고 제1 선택 신호를 인에이블 레벨로 하여 데이터 전류를 공급하고, 제1 및 제2 제어 신호를 각각 인에이블 및 디스에이블 레벨로 하여 데이터 전류에 대응하는 제2 전압을 저장한다. 다음, 제1 선택 신호를 디스에이블 레벨로 하여 데이터 전류를 차단하고, 제1 및 제2 제어 신호를 각각 디스에이블 및 인에이블로 하여 제3 전압을 상기 트랜지스터의 주 전극과 게이트 전극에 인가하고, 제3 제어 신호를 인에이블로 하여 상기 트랜지스터로부터의 전류를 발광 소자로 전달한다. 이때, 제3 전압은 제1 및 제2 전압에 의해 결정된다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다.
이제 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치 및 그 화소 회로와 구동 방법에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.
먼저, 도 4를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치에 대하여 자세하게 설명한다. 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치는 유기 EL 표시 패널(10), 주사 구동부(20) 및 데이터 구동부(30)를 포함한다.
유기 EL 표시 패널(10)은 행 방향으로 뻗어 있는 복수의 데이터선(D1-DN), 열 방향으로 뻗어 있는 복수의 주사선(S1-SM, E1-EM, X1 -XM, Y1-YM) 및 복수의 화소 회로(11)를 포함한다. 데이터선(D1-DN)은 화상 신호를 나타내는 데이터 신호를 화소 회로(11)로 전달하며, 주사선(S1-SM)은 선택 신호를 화소 회로(11)로 전달한다. 화소 회로(11)는 이웃한 두 데이터선(D1-DN)과 이웃한 두 주사선(S1-S M)에 의해 정의되는 화소 영역에 형성되어 있다. 또한 주사선(E1-EM)은 화소 회로(11)의 발광을 제어하는 발광 신호를 전달하며, 주사선(X1-XM, Y1-YM)은 각각 화소 회로(11)의 동작을 제어하기 위한 제어 신호를 전달한다.
주사 구동부(20)는 주사선(S1-SM, E1-EM)에 각각 선택 신호와 발광 신호를 순차적으로 인가하며, 또한 주사선(X1-XM, Y1-YM)에 제어 신호를 순차적으로 인가한다. 데이터 구동부(30)는 데이터선(D1-DN)에 화상 신호를 나타내는 데이터 전류를 인가한다.
주사 구동부(20) 및/또는 데이터 구동부(30)는 표시 패널(10)에 전기적으로 연결될 수 있으며 또는 표시 패널(10)에 접착되어 전기적으로 연결되어 있는 테이프 캐리어 패키지(tape carrier package, TCP)에 칩 등의 형태로 장착될 수 있다. 또는 표시 패널(10)에 접착되어 전기적으로 연결되어 있는 가요성 인쇄 회로(flexible printed circuit, FPC) 또는 필름(film) 등에 칩 등의 형태로 장착될 수도 있으며, 이를 CoF(chip on flexible board, chip on film) 방식이라 한다. 이와는 달리 주사 구동부(20) 및/또는 데이터 구동부(30)는 표시 패널의 유리 기판 위에 직접 장착될 수도 있으며, 또는 유리 기판 위에 주사선, 데이터선 및 박막 트랜지스터와 동일한 층들로 형성되어 있는 구동 회로와 대체될 수도 직접 장착될 수도 있다. 이를 CoG(chip on glass) 방식이라 한다.
아래에서는 도 5 및 도 6을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치의 화소 회로(11)에 대하여 상세하게 설명한다. 도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 화소 회로의 등가 회로도이며, 도 6은 도 5의 화소 회로를 구동하기 위한 구동 파형도이다. 그리고 도 5에서는 설명의 편의상 m번째 데이터선(Dm)과 n번째 주사선(Sn)에 연결된 화소 회로만을 도시하였다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 화소 회로(11)는 유기 EL 소자(OLED), 트랜지스터(M1-M5) 및 커패시터(C1, C2)를 포함하며, 트랜지스터(M1-M5)는 PMOS 트랜지스터로 형성되어 있다. 이러한 트랜지스터는 표시 패널(10)의 유리 기판 위에 형성되는 게이트 전극, 드레인 전극 및 소스 전극을 각각 제어 전극 및 2개의 주(main) 전극으로 가지는 박막 트랜지스터인 것이 바람직하다.
트랜지스터(M1)는 전원 전압(VDD)에 소스가 연결되고 트랜지스터(M5)에 게이트가 연결되어 있으며, 트랜지스터(M1)의 게이트와 드레인 사이에는 트랜지스터(M3)가 연결되어 있다. 트랜지스터(M1)는 게이트와 소스 사이에 걸리는 전압(VGS)에 대응하는 전류(IOLED)를 출력한다. 트랜지스터(M3)는 주사선(X n)으로부터의 제어 신호(CS1n)에 응답하여 트랜지스터(M1)를 다이오드 형태로 연결시킨다. 커패시터(C1)는 전원 전압(VDD)과 트랜지스터(M1)의 게이트 사이에 연결되며, 커패시터(C2)는 전원 전압(VDD)과 트랜지스터(M5)의 제1단 사이에 연결된다. 이러한 커패시터(C1, C2)는 트랜지스터의 게이트와 소스 사이의 전압을 저장하는 저장 소자로서 작용한다. 트랜지스터(M5)의 제2단은 트랜지스터(M1)의 게이트에 연결되며, 트랜지스터(M5)는 주사선(Yn)으로부터의 제어 신호(CS2n)에 응답하여 커패시터(C1, C2)를 커플링시킨다.
트랜지스터(M2)는 주사선(Sn)으로부터의 선택 신호(SEn)에 응답하여 데이터선(Dm)으로부터의 데이터 전류(IDATA)를 트랜지스터(M1)로 전달한다. 트랜지스터(M4)는 트랜지스터(M1)의 드레인과 유기 EL 소자(OLED) 사이에 연결되어, 주사선(En)으로부터의 발광 신호(EMn)에 응답하여 트랜지스터(M1)의 전류(IOLED )를 유기 EL 소자(OLED)로 전달한다. 유기 EL 소자(OLED)는 트랜지스터(M4)와 기준 전압 사이에 연결되며 인가되는 전류(IOLED)의 양에 대응하는 빛을 발광한다.
다음, 도 6을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 화소 회로의 동작에 대하여 상세하게 설명한다.
도 6을 보면, 먼저 구간(T1)에서는 로우 레벨의 제어 신호(CS2n)에 의해 트랜지스터(M5)가 턴온되어 커패시터(C1, C2)는 트랜지스터(M1)의 게이트와 소스 사이에서 병렬 연결된다. 그리고 로우 레벨의 제어 신호(CS1n)에 의해 트랜지스터(M3)가 턴온되어 트랜지스터(M1)는 다이오드 형태로 연결되며, 다이오드 형태로 연결된 트랜지스터(M1)에 의해 병렬 연결된 커패시터(C1, C2)에는 트랜지스터(M1)의 문턱 전압(VTH)이 저장된다. 또한 하이 레벨의 발광 신호(EMn)에 의해 트랜지스터(M4)가 턴오프되어 유기 EL 소자(OLED)로의 전류가 차단되어 있다. 즉, 구간(T1)에서는 커패시터(C1, C2)에 트랜지스터(M1)의 문턱 전압(VTH)이 샘플링된다.
구간(T2)에서는 제어 신호(CS2n)가 하이 레벨로 되어 트랜지스터(M5)가 턴오프되고, 선택 신호(SEn)가 로우 레벨로 되어 트랜지스터(M2)가 턴온된다. 턴오프된 트랜지스터(M5)에 의해 커패시터(C2)는 전압이 충전된 상태에서 플로팅된다. 그리고 턴온된 트랜지스터(M2)에 의해 데이터선(Dm)으로부터의 데이터 전류(IDATA)가 트랜지스터(M1)에 흐르게 된다. 그러면 데이터 전류(IDATA)에 대응하여 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압(VGS(T2))이 결정되고, 게이트-소스 전압(VGS(T2))이 커패시터(C1)에 저장된다. 트랜지스터(M1)에는 데이터 전류(IDATA )가 흐르므로 데이터 전류(IDATA)는 수학식 3과 같이 나타낼 수 있으며, 수학식 3으로부터 구간(T2)에서의 게이트-소스 전압(VGS(T2))은 수학식 4로 주어진다. 즉, 구간(T2)에서는 데이터 전류(IDATA)에 해당하는 게이트-소스 전압이 화소 회로의 커패시터(C1)에 기입된다.
여기서, β는 상수값이다.
다음, 구간(T3)에서는 하이 레벨의 제어 신호(CS1n) 및 선택 신호(SEn)에 응답하여 트랜지스터(M3, M2)가 턴오프되고, 로우 레벨의 제어 신호(CS2n) 및 발광 신호(EMn)에 의해 트랜지스터(M5, M4)가 턴온된다. 트랜지스터(M5)가 턴온되면 커패시터(C1, C2)의 커플링에 의해 구간(T3)에서의 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압(VGS(T3))은 수학식 5와 같이 된다.
여기서, C1 및 C2는 각각 커패시터(C1, C2)의 커패시턴스이다.
따라서 트랜지스터(M1)에 흐르는 전류(IOLED)는 수학식 6과 같이 되며, 이 전류(IOLED)가 턴온된 트랜지스터(M4)에 의해 유기 EL 소자(OLED)에 공급되어 발광이 이루어진다. 즉, 구간(T3)에서는 커패시터(C1, C2)의 커플링에 의해 전압이 분배되고 유기 EL 소자(OLED)의 발광이 이루어진다.
수학식 6에 나타낸 바와 같이, 유기 EL 소자(OLED)에 공급되는 전류(IOLED)는 트랜지스터(M1)의 문턱 전압(VTH)이나 이동도에 관계없이 결정되므로, 문턱전압의 편차나 이동도의 편차가 보상될 수 있다. 또한 유기 EL 소자(OLED)에 공급되는 전류(IOLED)는 데이터 전류(IDATA)에 비해 C1/(C1+C2 )의 제곱 배만큼 작은 값이다. 예를 들어 C2가 C1의 M배(C2=M*C1)라면, 전류(IOLED )에 대해 (M+1)2배만큼 큰 데이터 전류(IDATA)로서 유기 EL 소자(OLED)에 흐르는 미세 전류를 제어할 수 있으므로, 고계조를 표현할 수 있다. 그리고 데이터선(D1-Dm)에 큰 데이터 전류(IDATA )를 공급하므로 데이터선의 충전 시간을 충분히 확보할 수 있다.
본 발명의 제1 실시예에서는 트랜지스터(M1-M5)를 PMOS 트랜지스터로 구현하였지만, 이를 NMOS 트랜지스터로 구현할 수 있다. 아래에서는 이러한 실시예에 대하여 도 7 및 도 8을 참조하여 설명한다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 화소 회로의 등가 회로도이며, 도 8은 도 7의 화소 회로를 구동하기 위한 구동 파형도이다.
도 7에 나타낸 화소 회로에서는 트랜지스터(M1-M5)가 NMOS 트랜지스터로 형성되어 있으며, 그 연결 구조는 도 5의 화소 회로와 대칭을 이룬다. 자세하게 설명하면, 트랜지스터(M1)는 기준 전압에 소스가 연결되고 트랜지스터(M5)에 게이트가 연결되어 있으며, 트랜지스터(M1)의 게이트와 드레인 사이에는 트랜지스터(M3)가 연결되어 있다. 커패시터(C1)는 기준 전압과 트랜지스터(M1)의 게이트 사이에 연결되며, 커패시터(C2)는 기준 전압과 트랜지스터(M5)의 제1단 사이에 연결된다. 트랜지스터(M5)의 제2단은 트랜지스터(M1)의 게이트에 연결되며, 트랜지스터(M3, M5)의 게이트에는 각각 주사선(Xn, Yn)으로부터의 제어 신호(CS1n, CS2 n)가 인가된다. 트랜지스터(M2)는 주사선(Sn)으로부터의 선택 신호(SEn)에 응답하여 데이터선(Dm)으로부터의 데이터 전류(IDATA)를 트랜지스터(M1)로 전달한다. 트랜지스터(M4)는 트랜지스터(M1)의 드레인과 유기 EL 소자(OLED) 사이에 연결되며, 그 게이트에 주사선(En)으로부터의 발광 신호(EMn)가 인가된다. 유기 EL 소자(OLED)는 트랜지스터(M4)와 전원 전압(VDD) 사이에 연결된다.
도 7의 화소 회로는 NMOS 트랜지스터로 형성되어 있으므로, 도 8에 나타낸 바와 같이 도 7의 화소 회로를 구동하기 위한 구동 파형은 도 6의 구동 파형에 대해 반전된 형태를 가진다. 본 발명의 제2 실시예에 따른 화소 회로의 자세한 동작은 도 7 및 도 8과 제1 실시예의 설명으로부터 용이하게 알 수 있으므로 자세한 설명을 생략한다.
본 발명의 제1 및 제2 실시예에 의하면, 트랜지스터(M1-M5)가 모두 동일 타입의 트랜지스터이므로 표시 패널(10)의 유리 기판 위에 박막 트랜지스터를 형성하는 공정을 간단하게 할 수 있다.
본 발명의 제1 및 제2 실시예에서는 트랜지스터(M1-M5)를 PMOS 또는 NMOS 트랜지스터로 구현하였지만, 이에 한정되지 않고 PMOS와 NMOS의 조합, 또는 유사한 기능을 하는 다른 스위칭 소자로 구현할 수 있다.
그리고 본 발명의 제1 및 제2 실시예에서는 두 개의 제어 신호(CS1n, CS2n)를 사용하여 화소 회로를 제어하였지만, 하나의 제어 신호만을 사용하여 화소 회로를 제어할 수 있다. 아래에서는 이러한 실시예에 대하여 도 9 내지 도 12를 참조하여 상세하게 설명한다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 화소 회로의 등가 회로도이며, 도 10은 도 9의 화소 회로를 구동하기 위한 구동 파형도이다.
도 9에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 화소 회로는 트랜지스터(M2, M5)를 제외하면 제1 실시예와 동일한 구조를 가진다. 트랜지스터(M2)는 NMOS 트랜지스터로 형성되어 있으며, 트랜지스터(M2, M5)의 게이트는 주사선(Sn)에 공통으로 연결되어 있다. 즉, 트랜지스터(M5)는 주사선(Sn)으로부터의 선택 신호(SEn)에 의해 구동된다.
도 10을 보면, 구간(T1)에서는 로우 레벨의 제어 신호(CS1n) 및 선택 신호(SEn)에 의해 트랜지스터(M3, M5)가 턴온된다. 턴온된 트랜지스터(M3)에 의해 트랜지스터(M1)는 다이오드 형태로 연결되어, 커패시터(C1, C2)에는 트랜지스터(M1)의 문턱 전압(VTH)이 저장된다. 또한 하이 레벨의 발광 신호(EMn)에 의해 트랜지스터(M4)가 턴오프되어 유기 EL 소자(OLED)로의 전류가 차단되어 있다.
구간(T2)에서는 선택 신호(SEn)가 하이 레벨로 되어 트랜지스터(M2)가 턴온되고 트랜지스터(M5)가 턴오프된다. 그러면 커패시터(C1)에는 수학식 4에 나타낸 전압(VGS(T2))이 충전된다. 이때, 선택 신호(SEn)에 의해 트랜지스터(M2)가 턴온되는 순간 커패시터(C2)에 충전된 전압이 바뀔 수 있으므로, 이를 방지하기 위해 트랜지스터(M2)가 턴온되기 전에 트랜지스터(M3)를 턴오프시킨 후 트랜지스터(M2)가 턴온된 후에 다시 트랜지스터(M3)를 턴온시킨다. 즉, 선택 신호(SEn)가 하이 레벨로 되기 전에 제어 신호(CS1n)를 잠깐동안 하이 레벨로 반전시킨다.
본 발명의 제3 실시예에서의 나머지 동작은 제1 실시예와 동일하므로 자세한 설명은 생략한다. 이러한 제3 실시예에 의하면, 제어 신호(CS2n)를 공급하는 주사선(Y1-YN)을 없앨 수 있으므로 화소의 개구율을 높일 수 있다.
그리고 본 발명의 제3 실시예에서는 트랜지스터(M1, M3-M5)를 PMOS 트랜지스터로 구현하고 트랜지스터(M2)를 NMOS 트랜지스터로 구현하였지만, 이와는 반대로 구현할 수도 있다. 아래에서는 이러한 실시예에 대하여 도 11 및 도 12를 참조하여 설명한다.
도 11은 본 발명의 제4 실시예에 따른 화소 회로의 등가 회로도이며, 도 12는 도 11의 화소 회로를 구동하기 위한 구동 파형도이다.
도 11에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제4 실시예에 따른 화소 회로는 트랜지스터(M2)가 PMOS 트랜지스터로 구현되고 트랜지스터(M1, M3-M5)가 NMOS 트랜지스터로 구현되어 있으며, 그 연결 구조는 도 9의 화소 회로와 대칭을 이룬다. 또한 도 12에 나타낸 바와 같이 도 11의 화소 회로를 구동하기 위한 구동 파형은 도 10의 구동 파형에 대해 반전된 형태를 가진다. 제4 실시예에 따른 화소 회로의 연결 구조 및 동작에 대해서는 제3 실시예의 설명으로부터 용이하게 알 수 있으므로 자세한 설명을 생략한다.
본 발명의 제1 내지 제4 실시예에서는 커패시터(C1, C2)를 전원 전압(VDD)에 병렬로 연결하였지만, 이와는 달리 커패시터(C1, C2)를 전원 전압(VDD)에 직렬로 연결할 수도 있다. 아래에서는 이러한 실시예에 대하여 도 13 및 도 14를 참조하여 상세하게 설명한다.
도 13은 본 발명의 제5 실시예에 따른 화소 회로의 등가 회로도이다.
도 13에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제5 실시예에 따른 화소 회로는 커패시터(C1, C2) 및 트랜지스터(M5)의 연결 상태를 제외하면 제1 실시예와 동일한 구조를 가진다. 자세하게 설명하면, 커패시터(C1, C2)는 전원 전압(VDD)과 트랜지스터(M3) 사이에 직렬로 연결되며, 트랜지스터(M5)는 커패시터(C1, C2)의 접점과 트랜지스터(M1)의 게이트 사이에 연결되어 있다.
제5 실시예에 따른 화소 회로는 제1 실시예와 동일한 구동 파형에 의해 구동되며, 자세한 동작에 대하여 도 6 및 도 13을 참조하여 설명한다.
먼저, 구간(T1)에서는 로우 레벨의 제어 신호(CS1n)에 의해 트랜지스터(M3)가 턴온되어 트랜지스터(M1)는 다이오드 형태로 연결된다. 다이오드 형태로 연결된 트랜지스터(M1)에 의해 커패시터(C1)에는 트랜지스터(M1)의 문턱 전압(VTH)이 저장되고, 커패시터(C2)의 전압은 0V로 된다. 또한 하이 레벨의 발광 신호(EMn)에 의해 트랜지스터(M4)가 턴오프되어 유기 EL 소자(OLED)로의 전류가 차단되어 있다.
구간(T2)에서는 제어 신호(CS2n)가 하이 레벨로 되어 트랜지스터(M5)가 턴오프되고, 선택 신호(SEn)가 로우 레벨로 되어 트랜지스터(M2)가 턴온된다. 턴온된 트랜지스터(M2)에 의해 데이터선(Dm)으로부터의 데이터 전류(IDATA)가 트랜지스터(M1)에 흐르게 되어, 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압(VGS(T2))이 수학식 4와 같이 된다. 따라서 문턱 전압(VTH)을 충전하고 있던 커패시터(C1)의 전압(VC1)은 커패시터(C1, C2)의 커플링에 의해 수학식 7과 같이 된다.
다음, 구간(T3)에서는 하이 레벨의 제어 신호(CS1n) 및 선택 신호(SEn)에 응답하여 트랜지스터(M3, M2)가 턴오프되고, 로우 레벨의 제어 신호(CS2n) 및 발광 신호(EMn)에 의해 트랜지스터(M5, M4)가 턴온된다. 트랜지스터(M3)가 턴오프되고 트랜지스터(M5)가 턴온되면, 커패시터(C1)의 전압(VC1)이 구간(T3)에서의 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압(VGS(T3))으로 된다. 따라서 트랜지스터(M1)에 흐르는 전류(IOLED)는 수학식 8과 같이 되고, 이 전류(IOLED)가 트랜지스터(M4)에 의해 유기 EL 소자(OLED)에 공급되어 발광이 이루어진다.
본 발명의 제5 실시예에서도 제1 실시예와 마찬가지로 유기 EL 소자(OLED)에 공급되는 전류(IOLED)는 트랜지스터(M1)의 문턱 전압(VTH)이나 이동도에 관계없이 결정된다. 또한 전류(IOLED)에 대해 (C1+C2)/C2의 제곱 배만큼 큰 데이터 전류(IDATA)로서 유기 EL 소자(OLED)에 흐르는 미세 전류를 제어할 수 있으므로, 고계조를 표현할 수 있다. 그리고 데이터선(D1-DM)에 큰 데이터 전류(IDATA)를 공급하므로 데이터선의 충전 시간을 충분히 확보할 수 있다.
본 발명의 제5 실시예에서는 트랜지스터(M1-M5)를 PMOS 트랜지스터로 구현하였지만, 이를 NMOS 트랜지스터로 구현할 수도 있다. 아래에서는 이러한 실시예에 대하여 도 14를 참조하여 설명한다.
도 14는 본 발명의 제6 실시예에 따른 화소 회로의 등가 회로도이다.
도 14에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제6 실시예에 따른 화소 회로는 트랜지스터(M1-M5)가 NMOS 트랜지스터로 구현되어 있으며, 그 연결 구조는 도 13의 화소 회로와 대칭을 이룬다. 도 14의 화소 회로를 구동하기 위한 구동 파형은 도 13의 화소 회로를 구동하기 위한 구동 파형의 반전된 형태를 가지며, 도 8의 구동 파형과 동일하다. 이러한 제6 실시예에 따른 화소 회로의 연결 구조 및 동작에 대해서는 제5 실시예의 설명으로부터 용이하게 알 수 있으므로 자세한 설명을 생략한다.
본 발명의 제1 내지 제6 실시예에서는 두 개의 제어 신호 또는 하나의 제어 신호를 사용하여 화소 회로를 제어하였지만, 이와는 달리 제어 신호를 사용하지 않고 이전 주사선의 선택 신호를 사용하여 화소 회로를 제어할 수도 있다. 아래에서는 이러한 실시예에 대하여 도 15 및 도 16을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 15는 본 발명의 제7 실시예에 따른 화소 회로의 등가 회로도이며, 도 16은 도 15의 화소 회로를 구동하기 위한 구동 파형도이다.
도 15에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제7 실시예에 따른 화소 회로는 트랜지스터(M3, M5, M6, M7)를 제외하면 제1 실시예와 동일한 구조를 가진다. 자세하게 설명하면, 트랜지스터(M3)는 직전 주사선(Sn-1)으로부터의 선택 신호(SEn-1)에 응답하여 트랜지스터(M1)를 다이오드 형태로 연결하며, 트랜지스터(M7)는 현재 주사선(Sn)으로부터의 선택 신호(SEn)에 응답하여 트랜지스터(M1)를 다이오드 형태로 연결한다. 도 15에서 트랜지스터(M7)는 데이터선(Dm)과 트랜지스터(M1)의 게이트 사이에 연결되어 있지만, 트랜지스터(M1)의 게이트와 드레인 사이에 연결될 수도 있다. 그리고 트랜지스터(M5, M6)는 커패시터(C2)와 트랜지스터(M1)의 게이트 사이에 병렬로 연결된다. 트랜지스터(M5)는 직전 주사선(Sn-1)으로부터의 선택 신호(SEn-1)에 응답하고, 트랜지스터(M6)는 주사선(En)으로부터의 발광 신호(EM n)에 응답한다.
다음, 도 16을 참조하여 도 15의 화소 회로의 동작에 대하여 상세하게 설명한다.
도 16을 보면, 먼저 구간(T1)에서는 로우 레벨의 선택 신호(SEn-1)에 의해 트랜지스터(M3, M5)가 턴온된다. 턴온된 트랜지스터(M5)에 의해 커패시터(C1, C2)는 트랜지스터(M1)의 게이트와 소스 사이에서 병렬 연결된다. 그리고 턴온된 트랜지스터(M3)에 의해 트랜지스터(M1)는 다이오드 형태로 연결되어, 병렬 연결된 커패시터(C1, C2)에는 트랜지스터(M1)의 문턱 전압(VTH)이 저장된다. 그리고 하이 레벨의 선택 신호(SEn) 및 발광 신호(EMn)에 의해 트랜지스터(M2, M7, M4, M6)는 턴오프되어 있다.
구간(T2)에서는 선택 신호(SEn-1)가 하이 레벨이 되어 트랜지스터(M3)가 턴오프되지만, 로우 레벨의 선택 신호(SEn)에 의해 트랜지스터(M7)가 턴온되어 트랜지스터(M1)는 다이오드 형태로 연결된 상태로 유지된다. 선택 신호(SEn-1)에 의해 트랜지스터(M5)가 턴오프되어 커패시터(C2)는 전압이 저장된 상태에서 플로팅된다. 그리고 선택 신호(SEn)에 의해 트랜지스터(M2)가 턴온되어 데이터선(Dm)으로부터의 데이터 전류(IDATA)가 트랜지스터(M1)에 흐르게 된다. 그러면 데이터 전류(IDATA)에 대응하여 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압(VGS(T2))이 결정되고, 게이트-소스 전압(VGS(T2))은 제1 실시예에서와 동일하게 수학식 4로 주어진다.
다음, 구간(T3)에서는 선택 신호(SEn)가 하이 레벨로 되어 트랜지스터(M2, M7)가 턴오프되고, 로우 레벨의 발광 신호(EMn)에 의해 트랜지스터(M4, M6)가 턴온된다. 트랜지스터(M6)가 턴온되면 커패시터(C1, C2)의 커플링에 의해 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압(VGS(T3))은 제1 실시예에서와 동일하게 수학식 5로 주어진다. 따라서 수학식 6에 나타낸 전류(IOLED)가 턴온된 트랜지스터(M4)에 의해 유기 EL 소자(OLED)에 공급되어 발광이 이루어진다.
본 발명의 제7 실시예에서는 제어 신호(CS1n, CS2n)를 제거하였지만, 이와는 달리 제어 신호(CS1n, CS2n) 중 하나를 제거할 수도 있다. 자세하게 설명하면, 본 발명의 제7 실시예에서 제어 신호(CS1n)를 추가로 사용하는 경우에는, 도 15의 화소 회로에서 트랜지스터(M7)를 빼고 트랜지스터(M3)를 선택 신호(SEn-1) 대신에 제어 신호(CS1n)로 구동하면 된다. 그리고 본 발명의 제7 실시예에서 제어 신호(CS2n)를 추가로 사용하는 경우에는, 도 15의 화소 회로에서 트랜지스터(M6)를 빼고 트랜지스터(M5)를 선택 신호(SEn-1)와 발광 신호(EMn) 대신에 제어 신호(CS2n )로 구동할 수 있다. 이와 같이 하면, 도 15에 비해 배선의 수는 증가하지만 트랜지스터의 개수를 줄일 수 있다.
이상, 본 발명의 제1 내지 제7 실시예에서는 PMOS 및/또는 NMOS 트랜지스터를 사용하여 화소 회로를 구현하였지만, 이에 한정되지 않고 PMOS, NMOS 또는 PMOS와 NMOS의 조합으로 화소 회로를 구현할 수 있으며, 또한 유사한 기능을 하는 다른 스위칭 소자를 사용하여 화소 회로를 구현할 수도 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
이와 같이 본 발명에 의하면, 큰 데이터 전류로서 유기 EL 소자에 흐르는 전류를 제어할 수 있으므로, 한 라인 시간동안 데이터선을 충분히 충전할 수 있다. 또한, 유기 EL 소자에 흐르는 전류는 트랜지스터의 문턱 전압 편차나 이동도의 편차가 보상되며, 고해상도와 대면적의 발광 표시 장치가 구현될 수 있다.
도 1은 유기 전계발광 소자의 개념도이다.
도 2는 종래의 전압 기입 방식의 화소 회로의 등가 회로도이다.
도 3은 종래의 전류 기입 방식의 화소 회로의 등가 회로도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 5, 도 7, 도 9, 도 11, 도 13, 도 14 및 도 15는 각각 본 발명의 제1 내지 제7 실시예에 따른 화소 회로의 등가 회로도이다.
도 6, 도 8, 도 10, 도 12 및 도 16은 각각 도 5, 도 7, 도 9, 도 11 및 도 15의 화소 회로를 구동하기 위한 구동 파형도이다.

Claims (40)

  1. 화상 신호를 나타내는 데이터 전류를 전달하는 복수의 데이터선, 선택 신호를 전달하는 복수의 주사선, 그리고 상기 데이터선과 상기 주사선에 의해 정의되는 복수의 화소에 각각 형성되는 복수의 화소 회로가 형성되어 있는 표시 패널을 포함하는 발광 표시 장치에 있어서,
    상기 화소 회로는,
    인가되는 전류에 대응하여 빛을 발광하는 발광 소자,
    상기 발광 소자를 발광시키기 위한 구동 전류를 공급하며 제1 및 제2 주 전극(main electrode)과 제어 전극을 가지는 제1 트랜지스터,
    제1 제어 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 형태로 연결시키는 제1 스위칭 소자,
    제2 제어 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터의 문턱 전압에 대응하는 제1 전압을 저장하는 제1 저장 소자,
    상기 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 상기 데이터선으로부터의 데이터 신호를 전달하는 제2 스위칭 소자,
    상기 제1 스위칭 소자로부터의 상기 데이터 전류에 대응하는 제2 전압을 저장하는 제2 저장 소자, 그리고
    제3 제어 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터로부터의 상기 구동 전류를 상기 발광 소자로 전달하는 제3 스위칭 소자
    를 포함하며,
    상기 제1 및 제2 전압을 각각 저장하고 있는 상기 제1 및 제2 저장 소자의 커플링에 의해 결정된 제3 전압이 상기 제1 트랜지스터에 인가되어 상기 구동 전류가 상기 발광 소자에 공급되는 발광 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 제어 신호, 상기 선택 신호 및 상기 제3 제어 신호 순으로 인에이블되는 발광 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 스위칭 소자 및 상기 제1 트랜지스터는 동일 전도 타입의 트랜지스터인 발광 표시 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 스위칭 소자 중 적어도 하나의 스위칭 소자는 상기 제1 트랜지스터와 반대되는 전도 타입의 트랜지스터인 발광 표시 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 화소 회로는 상기 제2 제어 신호에 응답하여 턴온되며 제1단이 상기 제1 트랜지스터의 제어 전극에 연결되는 제4 스위칭 소자를 더 포함하며,
    상기 제2 저장 소자는 상기 제1 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 연결되는 제1 커패시터에 의해 형성되며, 상기 제1 저장 소자는 상기 제1 트랜지스터의 제1 주 전극과 상기 제4 스위칭 소자의 제2단 사이에 연결되는 제2 커패시터와 상기 제1 커패시터의 병렬 연결에 의해 형성되는 발광 표시 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2 제어 신호는 상기 주사선으로부터의 상기 선택 신호이며,
    상기 제4 스위칭 소자는 상기 선택 신호의 디스에이블 구간에서 응답하는 발광 표시 장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 제1 제어 신호는 이전 주사선으로부터의 선택 신호 및 현재 주사선으로부터의 선택 신호를 포함하는 발광 표시 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 제1 스위칭 소자는, 상기 이전 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 형태로 연결시키는 제2 트랜지스터 및 상기 현재 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 형태로 연결시키는 제3 트랜지스터를 포함하는 발광 표시 장치.
  9. 제5항에 있어서,
    상기 제2 제어 신호는 상기 이전 주사선으로부터의 선택 신호 및 상기 제3 제어 신호를 포함하는 발광 표시 장치.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 화소 회로는 상기 제4 스위칭 소자에 병렬로 연결되는 제5 스위칭 소자를 더 포함하며,
    상기 제4 및 제5 스위칭 소자는 각각 상기 이전 주사선으로부터의 선택 신호 및 상기 제3 제어 신호에 응답하여 턴온되는 발광 표시 장치.
  11. 제5항에 있어서,
    상기 제1 제어 신호는 이전 주사선으로부터의 선택 신호 및 현재 주사선으로부터의 선택 신호를 포함하며, 상기 제2 제어 신호는 상기 이전 주사선으로부터의 선택 신호 및 상기 제3 제어 신호를 포함하는 발광 표시 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 화소 회로는 상기 제1 트랜지스터의 제어 전극에 제1단이 연결되며 상기 제2 제어 신호에 응답하는 제4 스위칭 소자를 더 포함하며,
    상기 제1 저장 소자는 상기 제4 스위칭 소자의 제2단과 상기 제1 트랜지스터의 제1 주 전극 사이에 연결되는 제1 커패시터에 의해 형성되며,
    상기 제2 저장 소자는 상기 제4 스위칭 소자의 제2단과 상기 제1 트랜지스터의 제어 전극 사이에 연결되는 제2 커패시터와 상기 제1 커패시터의 직렬 연결에 의해 형성되는 발광 표시 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 선택 신호, 상기 제1 내지 제3 제어 신호를 공급하는 제1 구동 회로, 그리고 상기 데이터 전류를 공급하는 제2 구동 회로를 더 포함하며,
    상기 제1 및 제2 구동 회로는 상기 표시 패널에 연결되어 있거나, 상기 표시 패널의 기판 위에 집적 회로 칩의 형태로 장착되어 있거나, 상기 기판 위에 상기 주사선, 상기 데이터선 및 상기 제1 스위칭 소자와 동일한 층들로 직접 형성되어 있는 발광 표시 장치.
  14. 화상 신호를 나타내는 데이터 전류를 전달하는 복수의 데이터선, 선택 신호를 전달하는 복수의 주사선, 그리고 상기 데이터선과 상기 주사선에 의해 정의되는 복수의 화소에 각각 형성되는 복수의 화소 회로가 형성되어 있는 발광 표시 장치의 표시 패널에 있어서,
    상기 화소 회로는,
    제1 전압을 공급하는 제1 전원에 제1 주 전극이 연결되는 제1 트랜지스터,
    상기 제1 트랜지스터의 제2 주 전극과 상기 데이터선에 사이에 연결되며 상기 주사선으로부터의 제1 선택 신호에 의해 제어되는 제1 스위칭 소자,
    상기 제1 트랜지스터를 다이오드 형태로 연결시키도록 제1 제어 신호에 의해 제어되는 제2 스위칭 소자,
    상기 제1 트랜지스터의 제어 전극에 제1단이 연결되며 제2 제어 신호에 의해 제어되는 제3 스위칭 소자,
    상기 제1 트랜지스터의 제2 주 전극에 제1단이 연결되며 제3 제어 신호에 의해 제어되는 제4 스위칭 소자,
    인가되는 전류에 대응하여 빛을 발광하며 상기 제4 스위칭 소자의 제2단과 제2 전압을 공급하는 제2 전원 사이에 연결되는 발광 소자,
    상기 제3 스위칭 소자가 온 상태일 때 상기 제1 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 연결되는 제1 저장 소자, 그리고
    상기 제3 스위칭 소자가 오프 상태일 때 상기 제1 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 연결되는 제2 저장 소자
    를 포함하는 표시 패널.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 제2 저장 소자는 상기 제1 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 연결되는 제1 커패시터를 포함하며,
    상기 제1 저장 소자는 상기 제1 트랜지스터의 제1 주 전극과 상기 제3 스위칭 소자의 제2단 사이에 연결되는 제2 커패시터와 상기 제1 커패시터의 병렬 연결에 의해 형성되는 표시 패널.
  16. 제15항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 제어 신호는 각각 제1 내지 제3 신호선에 의해 공급되며, 상기 표시 패널은 상기 제1 내지 제3 신호선을 더 포함하는 표시 패널.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 화소 회로는 제1, 제2 및 제3 구간 순으로 구동되며,
    상기 제1 구간에서는 상기 제1 및 제2 제어 신호가 인에이블 구간을 가지며,
    상기 제2 구간에서는 상기 제1 제어 신호 및 상기 제1 선택 신호가 인에이블 구간을 가지며,
    상기 제3 구간에서는 상기 제2 및 제3 제어 신호가 인에이블 구간을 가지는 표시 패널.
  18. 제15항에 있어서,
    상기 제2 제어 신호는 상기 주사선으로부터의 상기 제1 선택 신호이며, 상기 제3 스위칭 소자는 상기 선택 신호의 디스에이블 구간에서 턴온되는 표시 패널.
  19. 제18항에 있어서,
    상기 화소 회로는 제1, 제2 및 제3 구간 순으로 구동되며,
    상기 제1 구간에서는 상기 제1 제어 신호가 인에이블 구간을 가지며,
    상기 제2 구간에서는 상기 제1 제어 신호 및 상기 제1 선택 신호가 인에이블 구간을 가지며,
    상기 제3 구간에서는 상기 제3 제어 신호가 인에이블 구간을 가지는 표시 패널.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제1 제어 신호는 상기 제1 선택 신호가 인에이블되는 시점에 디스에이블 구간을 가지는 표시 패널.
  21. 제15항에 있어서,
    상기 제1 제어 신호는, 상기 제1 선택 신호 및 상기 제1 선택 신호보다 먼저 인에이블 구간을 가지는 이전 주사선으로부터의 제2 선택 신호를 포함하며,
    상기 제2 스위칭 소자는, 상기 제2 및 제1 선택 신호에 각각 응답하여 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 형태로 연결시키는 제2 및 제3 트랜지스터를 포함하는 표시 패널.
  22. 제15항에 있어서,
    상기 제2 제어 신호는, 상기 제1 선택 신호보다 먼저 인에이블 구간을 가지는 이전 주사선으로부터의 제2 선택 신호와 상기 제3 제어 신호를 포함하며,
    상기 제3 스위칭 소자는, 상기 제1 트랜지스터의 제어 전극과 상기 제2 커패시터 사이에 연결되며 상기 제2 선택 신호 및 상기 제3 제어 신호에 각각 응답하는 제2 및 제3 트랜지스터를 포함하는 표시 패널.
  23. 제15항에 있어서,
    상기 제1 제어 신호는 상기 제1 선택 신호 및 상기 제1 선택 신호보다 먼저 인에이블 구간을 가지는 이전 주사선으로부터의 제2 선택 신호를 포함하며, 상기 제2 제어 신호는 상기 제2 선택 신호와 상기 제3 제어 신호를 포함하며,
    상기 제2 스위칭 소자는, 상기 제2 및 제1 선택 신호에 각각 응답하여 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 형태로 연결시키는 제2 및 제3 트랜지스터를 포함하며, 상기 제3 스위칭 소자는, 상기 제1 트랜지스터의 제어 전극과 상기 제2 커패시터 사이에 연결되며 상기 제2 선택 신호 및 상기 제3 제어 신호에 각각 응답하는 제4 및 제5 트랜지스터를 포함하는 표시 패널.
  24. 제14항에 있어서,
    상기 제1 저장 소자는 상기 제1 트랜지스터의 제1 주 전극과 상기 제3 스위칭 소자의 제2단 사이에 연결되는 제1 커패시터를 포함하며,
    상기 제2 저장 소자는 상기 제1 트랜지스터의 제어 전극과 상기 제3 스위칭 소자의 제2단 사이에 연결되는 제2 커패시터와 상기 제1 커패시터의 직렬 연결에 의해 형성되는 표시 패널.
  25. 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 데이터선으로부터의 데이터 전류를 전달하는 스위칭 소자, 상기 데이터 전류에 대응하여 구동 전류를 출력하며 제1 및 제2 주 전극과 제어 전극을 가지는 트랜지스터, 그리고 상기 트랜지스터로부터의 구동 전류에 대응하여 빛을 발광하는 발광 소자를 포함하는 화소 회로가 형성되어 있는 발광 표시 장치를 구동하는 방법에 있어서,
    상기 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 형성되는 제1 저장 소자에 상기 트랜지스터의 문턱 전압에 대응하는 제1 전압을 저장하는 제1 단계,
    상기 스위칭 소자로부터의 데이터 전류에 대응하는 제2 전압을 상기 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 형성되는 제2 저장 소자에 저장하는 제2 단계, 그리고
    상기 제1 및 제2 저장 소자를 커플링하여 상기 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이의 전압을 제3 전압으로 하고, 상기 트랜지스터로부터의 구동 전류를 상기 발광 소자로 전달하는 제3 단계
    를 포함하며,
    상기 트랜지스터로부터의 구동 전류는 상기 제3 전압에 대응하여 결정되는 발광 표시 장치의 구동 방법.
  26. 제25항에 있어서,
    상기 제1 단계에서 상기 제1 저장 소자는 상기 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 병렬로 연결되는 제1 및 제2 커패시터를 포함하며,
    상기 제2 단계에서 상기 제2 저장 소자는 상기 제1 커패시터를 포함하며,
    상기 제3 단계에서 상기 제3 전압은 상기 제1 및 제2 커패시터의 병렬 연결에 의해 결정되는 발광 표시 장치의 구동 방법.
  27. 제25항에 있어서,
    상기 제1 단계에서 상기 제1 저장 소자는 상기 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 연결되는 제1 커패시터를 포함하며,
    상기 제2 단계에서 상기 제2 저장 소자는 상기 제1 커패시터 및 상기 제1 커패시터와 상기 트랜지스터의 제어 전극 사이에 연결되는 제2 커패시터를 포함하며,
    상기 제3 단계에서 상기 제3 전압은 상기 제1 커패시터에 의해 결정되는 발광 표시 장치의 구동 방법.
  28. 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 데이터선으로부터의 데이터 전류를 전달하는 스위칭 소자, 상기 데이터 전류에 대응하여 구동 전류를 출력하며 제1 및 제2 주 전극과 제어 전극을 가지는 트랜지스터, 그리고 상기 트랜지스터로부터의 구동 전류에 대응하여 빛을 발광하는 발광 소자를 포함하는 화소 회로가 형성되어 있는 발광 표시 장치를 구동하는 방법에 있어서,
    제1 제어 신호에 응답하여 상기 트랜지스터가 다이오드 형태로 연결되며, 제2 제어 신호의 제1 레벨에 응답하여 상기 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 제1 저장 소자가 연결되어 상기 제1 저장 소자에 상기 트랜지스터의 문턱 전압에 대응하는 제1 전압이 저장되는 제1 단계,
    상기 제1 제어 신호에 의해 트랜지스터는 다이오드 형태로 연결되어 있으며, 상기 제2 제어 신호의 제2 레벨에 응답하여 상기 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 제2 저장 소자가 연결되고, 상기 주사선으로부터의 제1 선택 신호에 응답하여 상기 제2 저장 소자에 상기 데이터 전류에 대응하는 제2 전압이 저장되는 제2 단계, 그리고
    상기 제2 제어 신호의 제1 레벨에 응답하여 상기 제1 및 제2 저장 소자가 커플링되어 상기 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이의 전압이 제3 전압으로 되며, 상기 트랜지스터에는 상기 제3 전압에 대응하는 구동 전류가 흐르고, 제3 제어 신호에 응답하여 상기 구동 전류가 상기 발광 소자로 공급되는 제3 단계
    를 포함하는 발광 표시 장치의 구동 방법.
  29. 제28항에 있어서,
    상기 제3 단계에서 상기 제2 제어 신호의 제1 레벨에 응답하여 상기 제1 저장 소자가 상기 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 연결되는 발광 표시 장치의 구동 방법.
  30. 제28항에 있어서,
    상기 제1 내지 제3 제어 신호는 상기 주사선과는 별도의 제1 내지 제3 신호선에 의해 각각 전달되는 발광 표시 장치의 구동 방법.
  31. 제28항에 있어서,
    상기 제2 제어 신호는 상기 제1 선택 신호이며, 상기 제2 제어 신호의 제1 레벨은 상기 제1 선택 신호의 디스에이블 레벨인 발광 표시 장치의 구동 방법.
  32. 제31항에 있어서,
    상기 제1 제어 신호는 상기 제1 선택 신호가 인에이블 레벨로 되는 순간에 디스에이블 구간을 가지는 발광 표시 장치의 구동 방법.
  33. 제28항에 있어서,
    상기 제1 제어 신호는 상기 제1 선택 신호 및 상기 제1 선택 신호보다 먼저 인에이블 구간을 가지는 이전 주사선으로부터의 제2 선택 신호를 포함하며,
    상기 트랜지스터는 상기 제1 및 제2 단계에서 각각 상기 제2 및 제1 선택 신호에 의해 다이오드 형태로 연결되는 발광 표시 장치의 구동 방법.
  34. 제28항에 있어서,
    상기 제2 제어 신호는 상기 제1 선택 신호보다 먼저 인에이블 구간을 가지는 이전 주사선으로부터의 제2 선택 신호 및 상기 제3 제어 신호를 포함하며,
    상기 제1 및 제3 단계에서의 상기 제2 제어 신호의 제1 레벨은 각각 상기 제2 선택 신호 및 상기 제3 제어 신호에 의해 결정되는 발광 표시 장치의 구동 방법.
  35. 제28항에 있어서,
    상기 제1 제어 신호는 상기 제1 선택 신호 및 상기 제1 선택 신호보다 먼저 인에이블 구간을 가지는 이전 주사선으로부터의 제2 선택 신호를 포함하며,
    상기 제2 제어 신호는 상기 제2 선택 신호 및 상기 제3 제어 신호를 포함하며,
    상기 트랜지스터는 상기 제1 및 제2 단계에서 각각 상기 제2 및 제1 선택 신호에 의해 다이오드 형태로 연결되며,
    상기 제1 및 제3 단계에서의 상기 제2 제어 신호의 제1 레벨은 각각 상기 제2 선택 신호 및 상기 제3 제어 신호에 의해 결정되는 발광 표시 장치의 구동 방법.
  36. 제1 선택 신호에 응답하여 화상 신호를 나타내는 데이터 전류를 트랜지스터로 전달하여 발광 소자를 구동하는 방법에 있어서,
    제1 및 제2 스위칭 소자에 각각 인가되는 제1 및 제2 제어 신호를 인에이블 레벨로 하여 상기 트랜지스터의 문턱 전압에 대응하는 제1 전압을 저장하고, 제3 스위칭 소자에 인가되는 제3 제어 신호를 디스에이블 레벨로 하여 상기 트랜지스터와 상기 발광 소자를 전기적으로 차단하고, 제4 스위칭 소자에 인가되는 상기 제1 선택 신호를 디스에이블 레벨로 하여 상기 데이터 전류를 차단하는 제1 단계,
    상기 제1 선택 신호를 인에이블 레벨로 하여 상기 데이터 전류를 공급하고, 상기 제1 및 제2 제어 신호를 각각 인에이블 및 디스에이블 레벨로 하여 상기 데이터 전류에 대응하는 제2 전압을 저장하는 제2 단계, 그리고
    상기 제1 선택 신호를 디스에이블 레벨로 하여 상기 데이터 전류를 차단하고, 상기 제1 및 제2 제어 신호를 각각 디스에이블 및 인에이블로 하여 제3 전압을 상기 트랜지스터의 주 전극과 게이트 전극에 인가하고, 상기 제3 제어 신호를 인에이블로 하여 상기 트랜지스터로부터의 전류를 상기 발광 소자로 전달하는 제3 단계
    를 포함하며,
    상기 제3 전압은 상기 제1 및 제2 전압에 의해 결정되는 발광 표시 장치의 구동 방법.
  37. 제36항에 있어서,
    상기 제2 제어 신호는 상기 제1 선택 신호에 의해 결정되며, 상기 제2 제어 신호는 상기 제1 선택 신호와 반대 레벨을 가지는 발광 표시 장치의 구동 방법.
  38. 제36항에 있어서,
    상기 제1 제어 신호는 상기 제1 선택 신호 및 상기 제1 선택 신호보다 먼저 인에이블 레벨로 되며 상기 제1 제어 신호가 인에이블 레벨로 된 이후에는 디스에이블 레벨로 되는 제2 선택 신호에 의해 결정되는 발광 표시 장치의 구동 방법.
  39. 제36항에 있어서,
    상기 제2 제어 신호는 상기 제1 선택 신호보다 먼저 인에이블 레벨로 되며 상기 제1 제어 신호가 인에이블 레벨로 된 이후에는 디스에이블 레벨로 되는 제2 선택 신호 및 상기 제3 제어 신호에 의해 결정되는 발광 표시 장치의 구동 방법.
  40. 제36항에 있어서,
    상기 제1 제어 신호는 상기 제1 선택 신호 및 상기 제1 선택 신호보다 먼저 인에이블 레벨로 되며 상기 제1 제어 신호가 인에이블 레벨로 된 이후에는 디스에이블 레벨로 되는 제2 선택 신호에 의해 결정되며,
    상기 제2 제어 신호는 상기 제2 선택 신호 및 상기 제3 제어 신호에 의해 결정되는 발광 표시 장치의 구동 방법.
KR10-2003-0020432A 2003-04-01 2003-04-01 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법 KR100502912B1 (ko)

Priority Applications (12)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0020432A KR100502912B1 (ko) 2003-04-01 2003-04-01 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
JP2003282534A JP4153842B2 (ja) 2003-04-01 2003-07-30 発光表示装置とその駆動方法及び表示パネル
EP03090385A EP1465143B1 (en) 2003-04-01 2003-11-13 Light emitting display, display panel, and driving method thereof
DE60308641T DE60308641T2 (de) 2003-04-01 2003-11-13 Lichtemittierende Anzeige, Anzeigetafel und Verfahren zu ihrer Ansteuerung
AT03090385T ATE341069T1 (de) 2003-04-01 2003-11-13 Lichtemittierende anzeige, anzeigetafel und verfahren zu ihrer ansteuerung
CNB200310118840XA CN100369096C (zh) 2003-04-01 2003-11-28 发光显示器、显示屏及其驱动方法
US10/729,256 US6919871B2 (en) 2003-04-01 2003-12-04 Light emitting display, display panel, and driving method thereof
US11/140,013 US7573441B2 (en) 2003-04-01 2005-05-27 Light emitting display, display panel, and driving method thereof
US11/139,148 US7518580B2 (en) 2003-04-01 2005-05-27 Light emitting display, display panel, and driving method thereof
US12/495,710 US8289240B2 (en) 2003-04-01 2009-06-30 Light emitting display, display panel, and driving method thereof
US12/495,715 US8217863B2 (en) 2003-04-01 2009-06-30 Light emitting display, display panel, and driving method thereof
US12/495,713 US20090267935A1 (en) 2003-04-01 2009-06-30 Light emitting display, display panel, and driving method thereof

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2003-0020432A KR100502912B1 (ko) 2003-04-01 2003-04-01 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040085653A KR20040085653A (ko) 2004-10-08
KR100502912B1 true KR100502912B1 (ko) 2005-07-21

Family

ID=32844897

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2003-0020432A KR100502912B1 (ko) 2003-04-01 2003-04-01 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법

Country Status (7)

Country Link
US (6) US6919871B2 (ko)
EP (1) EP1465143B1 (ko)
JP (1) JP4153842B2 (ko)
KR (1) KR100502912B1 (ko)
CN (1) CN100369096C (ko)
AT (1) ATE341069T1 (ko)
DE (1) DE60308641T2 (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100906140B1 (ko) 2008-02-21 2009-07-07 한국전자통신연구원 능동형 유기발광다이오드 픽셀회로 및 그의 구동방법
US10692428B2 (en) 2017-04-04 2020-06-23 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of driving the same

Families Citing this family (201)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7569849B2 (en) 2001-02-16 2009-08-04 Ignis Innovation Inc. Pixel driver circuit and pixel circuit having the pixel driver circuit
CA2419704A1 (en) 2003-02-24 2004-08-24 Ignis Innovation Inc. Method of manufacturing a pixel with organic light-emitting diode
KR100502912B1 (ko) * 2003-04-01 2005-07-21 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
JP3987004B2 (ja) * 2003-06-09 2007-10-03 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 駆動回路およびこれを有する表示システム
CA2443206A1 (en) 2003-09-23 2005-03-23 Ignis Innovation Inc. Amoled display backplanes - pixel driver circuits, array architecture, and external compensation
KR100536235B1 (ko) * 2003-11-24 2005-12-12 삼성에스디아이 주식회사 화상 표시 장치 및 그 구동 방법
JP4107240B2 (ja) * 2004-01-21 2008-06-25 セイコーエプソン株式会社 駆動回路、電気光学装置及び電気光学装置の駆動方法、並びに電子機器
GB2411758A (en) * 2004-03-04 2005-09-07 Seiko Epson Corp Pixel circuit
TWI324332B (en) * 2004-03-30 2010-05-01 Au Optronics Corp Display array and display panel
CA2472671A1 (en) 2004-06-29 2005-12-29 Ignis Innovation Inc. Voltage-programming scheme for current-driven amoled displays
JP4327042B2 (ja) 2004-08-05 2009-09-09 シャープ株式会社 表示装置およびその駆動方法
KR101087417B1 (ko) * 2004-08-13 2011-11-25 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광표시장치의 구동회로
KR100673759B1 (ko) * 2004-08-30 2007-01-24 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시장치
KR100590042B1 (ko) * 2004-08-30 2006-06-14 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치, 그 구동방법 및 신호구동장치
KR100592636B1 (ko) * 2004-10-08 2006-06-26 삼성에스디아이 주식회사 발광표시장치
KR100606416B1 (ko) * 2004-11-17 2006-07-31 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광 다이오드의 구동 장치 및 구동방법
KR100602352B1 (ko) * 2004-11-22 2006-07-18 삼성에스디아이 주식회사 화소 및 이를 이용한 발광 표시장치
WO2006059813A1 (en) * 2004-12-03 2006-06-08 Seoul National University Industry Foundation Picture element structure of current programming method type active matrix organic emitting diode display and driving method of data line
CA2490858A1 (en) 2004-12-07 2006-06-07 Ignis Innovation Inc. Driving method for compensated voltage-programming of amoled displays
US8576217B2 (en) 2011-05-20 2013-11-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US9275579B2 (en) 2004-12-15 2016-03-01 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
EP2383720B1 (en) 2004-12-15 2018-02-14 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and driving a light emitting device display
US9280933B2 (en) 2004-12-15 2016-03-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US10013907B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
US10012678B2 (en) 2004-12-15 2018-07-03 Ignis Innovation Inc. Method and system for programming, calibrating and/or compensating, and driving an LED display
US9799246B2 (en) 2011-05-20 2017-10-24 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of threshold and mobility parameters in AMOLED displays
US20140111567A1 (en) 2005-04-12 2014-04-24 Ignis Innovation Inc. System and method for compensation of non-uniformities in light emitting device displays
US9171500B2 (en) 2011-05-20 2015-10-27 Ignis Innovation Inc. System and methods for extraction of parasitic parameters in AMOLED displays
KR100602363B1 (ko) 2005-01-10 2006-07-18 삼성에스디아이 주식회사 발광제어구동부 및 그를 이용한 발광 표시장치
CA2495726A1 (en) * 2005-01-28 2006-07-28 Ignis Innovation Inc. Locally referenced voltage programmed pixel for amoled displays
KR101152119B1 (ko) 2005-02-07 2012-06-15 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
CA2496642A1 (en) 2005-02-10 2006-08-10 Ignis Innovation Inc. Fast settling time driving method for organic light-emitting diode (oled) displays based on current programming
KR100685818B1 (ko) * 2005-02-18 2007-02-22 삼성에스디아이 주식회사 시분할제어 유기전계발광장치
US7907137B2 (en) * 2005-03-31 2011-03-15 Casio Computer Co., Ltd. Display drive apparatus, display apparatus and drive control method thereof
TW200701167A (en) 2005-04-15 2007-01-01 Seiko Epson Corp Electronic circuit, and driving method, electrooptical device, and electronic apparatus thereof
JP2006300980A (ja) * 2005-04-15 2006-11-02 Seiko Epson Corp 電子回路、その駆動方法、電気光学装置、及び電子機器
US7872620B2 (en) * 2005-04-29 2011-01-18 Seoul National University Industry Foundation Pixel structure using voltage programming-type for active matrix organic light emitting device
US7852298B2 (en) 2005-06-08 2010-12-14 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving a light emitting device display
JP3972076B2 (ja) * 2005-07-04 2007-09-05 国立大学法人東北大学 テスト用回路、ウェハ、測定装置、デバイス製造方法、及び表示装置
US8629819B2 (en) * 2005-07-14 2014-01-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and driving method thereof
US20070018917A1 (en) * 2005-07-15 2007-01-25 Seiko Epson Corporation Electronic device, method of driving the same, electro-optical device, and electronic apparatus
KR100698700B1 (ko) * 2005-08-01 2007-03-23 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시장치
KR100635509B1 (ko) * 2005-08-16 2006-10-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 표시장치
US7623097B2 (en) * 2005-08-17 2009-11-24 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Emission control driver and organic light emitting display device having the same and a logical or circuit for an emission control driver for outputting an emission control signal
KR100624137B1 (ko) * 2005-08-22 2006-09-13 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치의 화소회로 및 그의 구동방법
KR100627417B1 (ko) * 2005-08-26 2006-09-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 구동 방법
CA2518276A1 (en) 2005-09-13 2007-03-13 Ignis Innovation Inc. Compensation technique for luminance degradation in electro-luminance devices
JP5041772B2 (ja) * 2005-09-15 2012-10-03 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置
KR101298969B1 (ko) * 2005-09-15 2013-08-23 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 이의 구동 방법
KR100666640B1 (ko) * 2005-09-15 2007-01-09 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 표시장치
EP1764770A3 (en) 2005-09-16 2012-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of display device
JP5057731B2 (ja) * 2005-09-16 2012-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、モジュール、及び電子機器
JP4753373B2 (ja) 2005-09-16 2011-08-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び表示装置の駆動方法
EP1777689B1 (en) * 2005-10-18 2016-08-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device, and display device and electronic equipment each having the same
JP5013697B2 (ja) * 2005-10-19 2012-08-29 三洋電機株式会社 表示装置
JP5160748B2 (ja) 2005-11-09 2013-03-13 三星ディスプレイ株式會社 発光表示装置
US20070126663A1 (en) * 2005-12-07 2007-06-07 Gyu Hyun Kim Pixel driving circuit with threshold voltage compensation circuit
KR20090006057A (ko) 2006-01-09 2009-01-14 이그니스 이노베이션 인크. 능동 매트릭스 디스플레이 회로 구동 방법 및 시스템
US9269322B2 (en) 2006-01-09 2016-02-23 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
US9489891B2 (en) 2006-01-09 2016-11-08 Ignis Innovation Inc. Method and system for driving an active matrix display circuit
KR100732853B1 (ko) * 2006-02-28 2007-06-27 삼성에스디아이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치
KR100719662B1 (ko) * 2006-02-28 2007-05-17 삼성에스디아이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기 발광 표시장치와 그의 구동방법
EP3133590A1 (en) 2006-04-19 2017-02-22 Ignis Innovation Inc. Stable driving scheme for active matrix displays
KR20070111638A (ko) * 2006-05-18 2007-11-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광표시장치의 화소 회로
KR101197768B1 (ko) 2006-05-18 2012-11-06 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치의 화소 회로
JP4882536B2 (ja) * 2006-06-19 2012-02-22 セイコーエプソン株式会社 電子回路及び電子機器
KR101279115B1 (ko) * 2006-06-27 2013-06-26 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치의 화소 회로
JP4207988B2 (ja) * 2006-07-03 2009-01-14 セイコーエプソン株式会社 発光装置、画素回路の駆動方法および駆動回路
CA2556961A1 (en) 2006-08-15 2008-02-15 Ignis Innovation Inc. Oled compensation technique based on oled capacitance
TW200811812A (en) * 2006-08-16 2008-03-01 Tpo Displays Corp System for displaying image and driving method for organic light-emitting element
TWI442368B (zh) * 2006-10-26 2014-06-21 Semiconductor Energy Lab 電子裝置，顯示裝置，和半導體裝置，以及其驅動方法
TW200822787A (en) 2006-11-02 2008-05-16 Chunghwa Picture Tubes Ltd Organic light emitting diode driving device
US7782278B2 (en) * 2006-12-14 2010-08-24 Himax Technologies Limited Intra-pixel convolution for AMOLED
JP2008151963A (ja) * 2006-12-15 2008-07-03 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及び半導体装置の駆動方法
KR100821055B1 (ko) * 2006-12-27 2008-04-08 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치와 그의 구동방법
KR100833760B1 (ko) * 2007-01-16 2008-05-29 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
JP4508205B2 (ja) * 2007-03-26 2010-07-21 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器
JP2008250093A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Sony Corp 表示装置およびその駆動方法
JP2008256916A (ja) * 2007-04-04 2008-10-23 Sony Corp 有機エレクトロルミネッセンス発光部の駆動方法
KR100840100B1 (ko) * 2007-07-04 2008-06-20 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그의 제조방법
TW200918993A (en) * 2007-10-23 2009-05-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd Active device array for reducing delay of scan signal and flat panel display using the same
KR100911976B1 (ko) 2007-11-23 2009-08-13 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광 표시장치
JP5119889B2 (ja) * 2007-11-26 2013-01-16 ソニー株式会社 表示装置及びその駆動方法と電子機器
JP5575475B2 (ja) * 2007-12-19 2014-08-20 パナソニック株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
CN101939776A (zh) * 2008-03-06 2011-01-05 富士电机控股株式会社 有源矩阵型显示设备
JP5466694B2 (ja) 2008-04-18 2014-04-09 イグニス・イノベーション・インコーポレイテッド 発光デバイス・ディスプレイのためのシステムおよび駆動方法
TWI368805B (en) * 2008-04-30 2012-07-21 Au Optronics Corp Liquid crystal display panel and pixel structure thereof
CA2637343A1 (en) 2008-07-29 2010-01-29 Ignis Innovation Inc. Improving the display source driver
US9370075B2 (en) 2008-12-09 2016-06-14 Ignis Innovation Inc. System and method for fast compensation programming of pixels in a display
JP2010145578A (ja) * 2008-12-17 2010-07-01 Sony Corp 表示装置、表示装置の駆動方法および電子機器
US9311859B2 (en) 2009-11-30 2016-04-12 Ignis Innovation Inc. Resetting cycle for aging compensation in AMOLED displays
US10319307B2 (en) 2009-06-16 2019-06-11 Ignis Innovation Inc. Display system with compensation techniques and/or shared level resources
CA2669367A1 (en) 2009-06-16 2010-12-16 Ignis Innovation Inc Compensation technique for color shift in displays
CA2688870A1 (en) 2009-11-30 2011-05-30 Ignis Innovation Inc. Methode and techniques for improving display uniformity
US9384698B2 (en) 2009-11-30 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. System and methods for aging compensation in AMOLED displays
BR112012000498A2 (pt) * 2009-07-10 2020-08-11 Sharp Kabushiki Kaisha dispositivo de exibição
US8497828B2 (en) 2009-11-12 2013-07-30 Ignis Innovation Inc. Sharing switch TFTS in pixel circuits
US10996258B2 (en) 2009-11-30 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Defect detection and correction of pixel circuits for AMOLED displays
US8803417B2 (en) 2009-12-01 2014-08-12 Ignis Innovation Inc. High resolution pixel architecture
CA2687631A1 (en) 2009-12-06 2011-06-06 Ignis Innovation Inc Low power driving scheme for display applications
US9984617B2 (en) * 2010-01-20 2018-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device including light emitting element
US20140313111A1 (en) 2010-02-04 2014-10-23 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
CA2692097A1 (en) 2010-02-04 2011-08-04 Ignis Innovation Inc. Extracting correlation curves for light emitting device
US10176736B2 (en) 2010-02-04 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10089921B2 (en) 2010-02-04 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US9881532B2 (en) 2010-02-04 2018-01-30 Ignis Innovation Inc. System and method for extracting correlation curves for an organic light emitting device
US10163401B2 (en) 2010-02-04 2018-12-25 Ignis Innovation Inc. System and methods for extracting correlation curves for an organic light emitting device
KR101125571B1 (ko) * 2010-02-05 2012-03-22 삼성모바일디스플레이주식회사 화소, 이를 이용한 표시 장치 및 그 구동 방법
CA2696778A1 (en) 2010-03-17 2011-09-17 Ignis Innovation Inc. Lifetime, uniformity, parameter extraction methods
KR101682690B1 (ko) * 2010-07-20 2016-12-07 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
KR101681210B1 (ko) * 2010-07-27 2016-12-13 삼성디스플레이 주식회사 유기 전계발광 표시장치
KR101681097B1 (ko) * 2010-07-27 2016-12-02 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
KR101296908B1 (ko) * 2010-08-26 2013-08-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치와 이를 이용한 입체영상 표시장치
KR101719187B1 (ko) * 2010-09-14 2017-03-24 삼성디스플레이 주식회사 발광제어 구동부 및 그를 이용한 유기전계발광 표시장치
KR101479297B1 (ko) * 2010-09-14 2015-01-05 삼성디스플레이 주식회사 주사 구동부 및 그를 이용한 유기전계발광 표시장치
US8907991B2 (en) 2010-12-02 2014-12-09 Ignis Innovation Inc. System and methods for thermal compensation in AMOLED displays
KR20120065139A (ko) * 2010-12-10 2012-06-20 삼성모바일디스플레이주식회사 표시 장치를 위한 화소, 이를 이용한 표시 장치 및 그 구동 방법
KR101323493B1 (ko) * 2010-12-22 2013-10-31 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시소자
JP5982147B2 (ja) 2011-04-01 2016-08-31 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US8922464B2 (en) 2011-05-11 2014-12-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Active matrix display device and driving method thereof
CN103688302B (zh) 2011-05-17 2016-06-29 伊格尼斯创新公司 用于显示系统的使用动态功率控制的系统和方法
US20140368491A1 (en) 2013-03-08 2014-12-18 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for amoled displays
US9606607B2 (en) 2011-05-17 2017-03-28 Ignis Innovation Inc. Systems and methods for display systems with dynamic power control
US9351368B2 (en) 2013-03-08 2016-05-24 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9886899B2 (en) 2011-05-17 2018-02-06 Ignis Innovation Inc. Pixel Circuits for AMOLED displays
US9530349B2 (en) 2011-05-20 2016-12-27 Ignis Innovations Inc. Charged-based compensation and parameter extraction in AMOLED displays
US9466240B2 (en) 2011-05-26 2016-10-11 Ignis Innovation Inc. Adaptive feedback system for compensating for aging pixel areas with enhanced estimation speed
JP2014517940A (ja) 2011-05-27 2014-07-24 イグニス・イノベイション・インコーポレーテッド Ａｍｏｌｅｄディスプレイにおけるエージング補償ためのシステムおよび方法
EP2715711A4 (en) 2011-05-28 2014-12-24 Ignis Innovation Inc SYSTEM AND METHOD FOR FAST COMPENSATION PROGRAMMING OF PIXELS ON A DISPLAY
KR101813192B1 (ko) * 2011-05-31 2017-12-29 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 포함하는 표시장치, 및 그 구동방법
US9070775B2 (en) 2011-08-03 2015-06-30 Ignis Innovations Inc. Thin film transistor
US8901579B2 (en) 2011-08-03 2014-12-02 Ignis Innovation Inc. Organic light emitting diode and method of manufacturing
US8710505B2 (en) 2011-08-05 2014-04-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
KR101960971B1 (ko) * 2011-08-05 2019-03-21 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
CN103069477B (zh) * 2011-08-09 2016-03-09 株式会社日本有机雷特显示器 图像显示装置
JP6050054B2 (ja) 2011-09-09 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
US9095031B2 (en) * 2011-11-01 2015-07-28 Boe Technology Group Co., Ltd. Organic light emitting diode driving circuit, display panel, display and driving method
WO2013065596A1 (ja) * 2011-11-02 2013-05-10 シャープ株式会社 画素回路、それを備える表示装置、および画素回路の制御方法
US9734762B2 (en) 2011-11-02 2017-08-15 Sharp Kabushiki Kaisha Color display device with pixel circuits including two capacitors
WO2013065595A1 (ja) * 2011-11-02 2013-05-10 シャープ株式会社 画素回路、それを備える表示装置、および画素回路の制御方法
KR101549284B1 (ko) * 2011-11-08 2015-09-02 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치
US10089924B2 (en) 2011-11-29 2018-10-02 Ignis Innovation Inc. Structural and low-frequency non-uniformity compensation
US9385169B2 (en) 2011-11-29 2016-07-05 Ignis Innovation Inc. Multi-functional active matrix organic light-emitting diode display
US9324268B2 (en) 2013-03-15 2016-04-26 Ignis Innovation Inc. Amoled displays with multiple readout circuits
US8937632B2 (en) 2012-02-03 2015-01-20 Ignis Innovation Inc. Driving system for active-matrix displays
US10043794B2 (en) 2012-03-22 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
CN102655703B (zh) * 2012-03-23 2014-09-24 华映视讯（吴江）有限公司 有机发光二极管的驱动电路
US9747834B2 (en) 2012-05-11 2017-08-29 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits including feedback capacitors and reset capacitors, and display systems therefore
US8922544B2 (en) 2012-05-23 2014-12-30 Ignis Innovation Inc. Display systems with compensation for line propagation delay
KR101486538B1 (ko) * 2012-08-17 2015-01-26 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 다이오드 표시장치 및 그 구동 방법
CN103489399B (zh) * 2012-11-21 2015-09-02 友达光电股份有限公司 电激发光像素电路
US9336717B2 (en) 2012-12-11 2016-05-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
US9786223B2 (en) 2012-12-11 2017-10-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
KR101992405B1 (ko) * 2012-12-13 2019-06-25 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
US9171504B2 (en) 2013-01-14 2015-10-27 Ignis Innovation Inc. Driving scheme for emissive displays providing compensation for driving transistor variations
US9830857B2 (en) 2013-01-14 2017-11-28 Ignis Innovation Inc. Cleaning common unwanted signals from pixel measurements in emissive displays
US9721505B2 (en) 2013-03-08 2017-08-01 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for AMOLED displays
CA2894717A1 (en) 2015-06-19 2016-12-19 Ignis Innovation Inc. Optoelectronic device characterization in array with shared sense line
EP2779147B1 (en) 2013-03-14 2016-03-02 Ignis Innovation Inc. Re-interpolation with edge detection for extracting an aging pattern for AMOLED displays
DE112014001402T5 (de) 2013-03-15 2016-01-28 Ignis Innovation Inc. Dynamische Anpassung von Berührungsauflösungen einer Amoled-Anzeige
CN105144361B (zh) 2013-04-22 2019-09-27 伊格尼斯创新公司 用于oled显示面板的检测系统
CN103226931B (zh) * 2013-04-27 2015-09-09 京东方科技集团股份有限公司 像素电路和有机发光显示器
CN103927969B (zh) * 2013-06-28 2016-06-22 上海天马微电子有限公司 一种像素补偿电路及显示器
CN105474296B (zh) 2013-08-12 2017-08-18 伊格尼斯创新公司 一种使用图像数据来驱动显示器的方法及装置
US9818765B2 (en) 2013-08-26 2017-11-14 Apple Inc. Displays with silicon and semiconducting oxide thin-film transistors
KR20150040447A (ko) * 2013-10-07 2015-04-15 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치
US9741282B2 (en) 2013-12-06 2017-08-22 Ignis Innovation Inc. OLED display system and method
US9761170B2 (en) 2013-12-06 2017-09-12 Ignis Innovation Inc. Correction for localized phenomena in an image array
US9502653B2 (en) 2013-12-25 2016-11-22 Ignis Innovation Inc. Electrode contacts
US10997901B2 (en) 2014-02-28 2021-05-04 Ignis Innovation Inc. Display system
US10176752B2 (en) 2014-03-24 2019-01-08 Ignis Innovation Inc. Integrated gate driver
US10192479B2 (en) 2014-04-08 2019-01-29 Ignis Innovation Inc. Display system using system level resources to calculate compensation parameters for a display module in a portable device
CN105225636B (zh) * 2014-06-13 2017-05-31 京东方科技集团股份有限公司 像素驱动电路、驱动方法、阵列基板及显示装置
CN104361857A (zh) * 2014-11-04 2015-02-18 深圳市华星光电技术有限公司 有机发光显示器像素驱动电路
CA2872563A1 (en) 2014-11-28 2016-05-28 Ignis Innovation Inc. High pixel density array architecture
CA2873476A1 (en) 2014-12-08 2016-06-08 Ignis Innovation Inc. Smart-pixel display architecture
KR102382026B1 (ko) * 2015-01-19 2022-04-04 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CA2879462A1 (en) 2015-01-23 2016-07-23 Ignis Innovation Inc. Compensation for color variation in emissive devices
CA2886862A1 (en) 2015-04-01 2016-10-01 Ignis Innovation Inc. Adjusting display brightness for avoiding overheating and/or accelerated aging
CA2889870A1 (en) 2015-05-04 2016-11-04 Ignis Innovation Inc. Optical feedback system
CA2892714A1 (en) 2015-05-27 2016-11-27 Ignis Innovation Inc Memory bandwidth reduction in compensation system
US10373554B2 (en) 2015-07-24 2019-08-06 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CA2898282A1 (en) 2015-07-24 2017-01-24 Ignis Innovation Inc. Hybrid calibration of current sources for current biased voltage progra mmed (cbvp) displays
US10657895B2 (en) 2015-07-24 2020-05-19 Ignis Innovation Inc. Pixels and reference circuits and timing techniques
CA2900170A1 (en) 2015-08-07 2017-02-07 Gholamreza Chaji Calibration of pixel based on improved reference values
CA2908285A1 (en) 2015-10-14 2017-04-14 Ignis Innovation Inc. Driver with multiple color pixel structure
CA2909813A1 (en) 2015-10-26 2017-04-26 Ignis Innovation Inc High ppi pattern orientation
US9818344B2 (en) 2015-12-04 2017-11-14 Apple Inc. Display with light-emitting diodes
KR102458968B1 (ko) * 2016-05-18 2022-10-27 삼성디스플레이 주식회사 표시장치
US10586491B2 (en) 2016-12-06 2020-03-10 Ignis Innovation Inc. Pixel circuits for mitigation of hysteresis
CN106782313B (zh) * 2016-12-15 2019-04-12 上海天马有机发光显示技术有限公司 有机发光像素驱动电路、驱动方法及有机发光显示面板
US10714018B2 (en) 2017-05-17 2020-07-14 Ignis Innovation Inc. System and method for loading image correction data for displays
US11025899B2 (en) 2017-08-11 2021-06-01 Ignis Innovation Inc. Optical correction systems and methods for correcting non-uniformity of emissive display devices
JP6540868B2 (ja) * 2017-11-20 2019-07-10 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電子機器
US10755641B2 (en) * 2017-11-20 2020-08-25 Seiko Epson Corporation Electro-optical device and electronic apparatus
US10971078B2 (en) 2018-02-12 2021-04-06 Ignis Innovation Inc. Pixel measurement through data line
KR102482335B1 (ko) * 2018-10-04 2022-12-29 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 이용한 표시 패널의 구동 방법
CN109243397B (zh) * 2018-11-12 2021-03-19 惠科股份有限公司 显示控制装置以及显示设备
KR102583819B1 (ko) * 2018-12-18 2023-10-04 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이를 이용한 표시 패널의 구동 방법
CN110197644A (zh) * 2019-06-10 2019-09-03 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 像素驱动电路
CN112908267B (zh) * 2021-02-02 2022-05-20 成都京东方光电科技有限公司 像素电路及驱动方法、显示装置

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2743762B2 (ja) * 1992-09-30 1998-04-22 三菱電機株式会社 大電流回路基板
US5714968A (en) * 1994-08-09 1998-02-03 Nec Corporation Current-dependent light-emitting element drive circuit for use in active matrix display device
US6229506B1 (en) * 1997-04-23 2001-05-08 Sarnoff Corporation Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method
JPH11242207A (ja) * 1997-12-26 1999-09-07 Sony Corp 電圧発生回路、光学空間変調素子、画像表示装置並びに画素の駆動方法
US6348906B1 (en) * 1998-09-03 2002-02-19 Sarnoff Corporation Line scanning circuit for a dual-mode display
WO2001006484A1 (fr) * 1999-07-14 2001-01-25 Sony Corporation Circuit d'attaque et affichage le comprenant, circuit de pixels et procede d'attaque
KR100327374B1 (ko) * 2000-03-06 2002-03-06 구자홍 액티브 구동 회로
GB0008019D0 (en) * 2000-03-31 2000-05-17 Koninkl Philips Electronics Nv Display device having current-addressed pixels
WO2002047062A1 (fr) * 2000-12-08 2002-06-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif d'affichage electroluminescent
KR100370286B1 (ko) * 2000-12-29 2003-01-29 삼성에스디아이 주식회사 전압구동 유기발광소자의 픽셀회로
JP4498669B2 (ja) * 2001-10-30 2010-07-07 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、及びそれらを具備する電子機器
JP2003177709A (ja) 2001-12-13 2003-06-27 Seiko Epson Corp 発光素子用の画素回路
KR100870004B1 (ko) 2002-03-08 2008-11-21 삼성전자주식회사 유기 전계발광 표시 장치와 그 구동 방법
TW588468B (en) * 2002-09-19 2004-05-21 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active matrix organic light-emitting diode
KR100490622B1 (ko) * 2003-01-21 2005-05-17 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계발광 표시장치 및 그 구동방법과 픽셀회로
JP4197287B2 (ja) 2003-03-28 2008-12-17 シャープ株式会社 表示装置
KR100502912B1 (ko) * 2003-04-01 2005-07-21 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
KR100497246B1 (ko) 2003-04-01 2005-06-23 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
KR20070111638A (ko) * 2006-05-18 2007-11-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광표시장치의 화소 회로

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100906140B1 (ko) 2008-02-21 2009-07-07 한국전자통신연구원 능동형 유기발광다이오드 픽셀회로 및 그의 구동방법
US10692428B2 (en) 2017-04-04 2020-06-23 Samsung Display Co., Ltd. Organic light-emitting display device and method of driving the same

Also Published As

Publication number Publication date
US20050265071A1 (en) 2005-12-01
CN100369096C (zh) 2008-02-13
KR20040085653A (ko) 2004-10-08
US6919871B2 (en) 2005-07-19
EP1465143A3 (en) 2004-12-22
CN1534568A (zh) 2004-10-06
US8217863B2 (en) 2012-07-10
US7518580B2 (en) 2009-04-14
ATE341069T1 (de) 2006-10-15
JP2004310006A (ja) 2004-11-04
JP4153842B2 (ja) 2008-09-24
US20090267935A1 (en) 2009-10-29
EP1465143A2 (en) 2004-10-06
US20090267936A1 (en) 2009-10-29
US7573441B2 (en) 2009-08-11
US20050206593A1 (en) 2005-09-22
US20040196239A1 (en) 2004-10-07
DE60308641D1 (de) 2006-11-09
EP1465143B1 (en) 2006-09-27
US20090262105A1 (en) 2009-10-22
DE60308641T2 (de) 2007-08-23
US8289240B2 (en) 2012-10-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100502912B1 (ko) 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
KR100497246B1 (ko) 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
KR100497247B1 (ko) 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
KR100536235B1 (ko) 화상 표시 장치 및 그 구동 방법
KR100515299B1 (ko) 화상 표시 장치와 그 표시 패널 및 구동 방법
KR100599726B1 (ko) 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
KR100560479B1 (ko) 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
KR100578813B1 (ko) 발광 표시 장치 및 그 구동 방법
KR101030004B1 (ko) 화소 회로 및 이를 이용한 유기전계발광 표시 장치
US20070076496A1 (en) Image display device and driving method thereof
KR100445435B1 (ko) 유기 전계발광 표시장치 및 그의 구동방법
KR100502926B1 (ko) 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
KR100536237B1 (ko) 발광 표시 장치 및 그 구동 방법
KR100570782B1 (ko) 발광 표시 장치
KR100515307B1 (ko) 화상 표시 장치 및 그 구동 방법
KR100648690B1 (ko) 발광 표시 장치
KR100590066B1 (ko) 발광 표시 장치 및 그 표시 패널
KR100627305B1 (ko) 발광 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130628

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140701

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150701

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160629

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170704

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180702

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190701

Year of fee payment: 15