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KR100497246B1 - 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법 - Google Patents

발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법 Download PDF

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KR100497246B1
KR100497246B1 KR10-2003-0020433A KR20030020433A KR100497246B1 KR 100497246 B1 KR100497246 B1 KR 100497246B1 KR 20030020433 A KR20030020433 A KR 20030020433A KR 100497246 B1 KR100497246 B1 KR 100497246B1
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Abstract

유기 전계발광 표시 장치의 화소 회로에 구동 트랜지스터, 제1 내지 제4 스위칭 소자, 그리고 유기 전계발광 소자가 형성되어 있다. 구동 트랜지스터는 발광 소자를 구동하기 위한 전류를 출력하며, 제1 스위칭 소자는 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 데이터선으로부터의 데이터 전류를 구동 트랜지스터로 전달한다. 제2 스위칭 소자는 제1 제어 신호에 응답하여 구동 트랜지스터를 다이오드 형태로 연결하며, 제3 스위칭 소자는 제2 제어 신호에 응답하여 동작한다. 제4 스위칭 소자는 제3 제어 신호에 응답하여 구동 트랜지스터로부터의 구동 전류를 유기 전계발광 소자로 전달하며, 유기 전계발광 소자는 구동 전류에 따라 빛을 발광한다. 제3 스위칭 소자가 온 상태일 때, 구동 트랜지스터의 게이트와 소스 사이에 제1 저장 소자가 형성된다. 그리고 제3 스위칭 소자가 오프 상태일 때 구동 트랜지스터의 게이트와 소스 사이에 제2 저장 소자가 형성된다. 먼저, 데이터 전류에 대응하는 제1 전압이 제1 저장 소자에 인가된 후, 제1 트랜지스터의 문턱 전압에 대응하는 제2 전압이 제2 저장 소자에 인가된다. 다음, 제1 및 제2 전압에 의해 제1 저장 소자에 저장된 제3 전압이 구동 트랜지스터에 인가되어 구동 전류가 생성된다.

Description

발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법 {LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE AND DISPLAY PANEL AND DRIVING METHOD THEREOF}
본 발명은 발광 표시 장치와 그 표시 패널 및 그 구동 방법에 관한 것으로, 특히 유기 전계발광(electroluminescent, 이하 EL이라 함) 표시 장치에 관한 것이다.
일반적으로 유기 EL 표시 장치는 형광성 유기 화합물을 전기적으로 여기시켜 발광시키는 표시 장치로서, N×M개의 유기 발광셀들을 전압 구동 혹은 전류 구동하여 영상을 표현할 수 있도록 되어 있다. 이러한 유기 발광셀은 도 1에 나타낸 바와 같이 애노드(ITO), 유기 박막, 캐소드 레이어(metal)의 구조를 가지고 있다. 유기 박막은 전자와 정공의 균형을 좋게 하여 발광 효율을 향상시키기 위해 발광층(emitting layer, EML), 전자 수송층(electron transport layer, ETL) 및 정공 수송층(hole transport layer, HTL)을 포함한 다층 구조로 이루어지고, 또한 별도의 전자 주입층(electron injecting layer, EIL)과 정공 주입층(hole injecting layer, HIL)을 포함하고 있다.
이와 같이 이루어지는 유기 발광셀을 구동하는 방식에는 단순 매트릭스(passive matrix) 방식과 박막 트랜지스터(thin film transistor, TFT) 또는 MOSFET를 이용한 능동 구동(active matrix) 방식이 있다. 단순 매트릭스 방식은 양극과 음극을 직교하도록 형성하고 라인을 선택하여 구동하는데 비해, 능동 구동 방식은 박막 트랜지스터와 커패시터를 각 ITO(indium tin oxide) 화소 전극에 접속하여 커패시터 용량에 의해 전압을 유지하도록 하는 구동 방식이다. 이때, 커패시터에 전압을 유지시키기 위해 인가되는 신호의 형태에 따라 능동 구동 방식은 전압 기입(voltage programming) 방식과 전류 기입(current programming) 방식으로 나누어진다.
아래에서는 도 2 및 도 3을 참조하여 종래 기술에 따른 전압 및 전류 기입 방식의 유기 EL 표시 장치에 대하여 설명한다.
도 2는 유기 EL 소자를 구동하기 위한 종래의 전압 기입 방식의 화소 회로로서, N×M개의 화소 중 하나를 대표적으로 도시한 것이다. 도 2를 참조하면, 유기 EL 소자(OLED)에 트랜지스터(M1)가 연결되어 발광을 위한 전류를 공급한다. 트랜지스터(M1)의 전류량은 스위칭 트랜지스터(M2)를 통해 인가되는 데이터 전압에 의해 제어되도록 되어 있다. 이때, 인가된 전압을 일정 기간 유지하기 위한 커패시터(C1)가 트랜지스터(M1)의 소스와 게이트 사이에 연결되어 있다. 트랜지스터(M2)의 게이트에는 주사선(Sn)이 연결되어 있으며, 소스 측에는 데이터선(Dm)이 연결되어 있다.
이와 같은 구조의 화소의 동작을 살펴보면, 스위칭 트랜지스터(M2)의 게이트에 인가되는 선택 신호에 의해 트랜지스터(M2)가 턴온 되면, 데이터선(Dm)으로부터의 데이터 전압이 트랜지스터(M1)의 게이트에 인가된다. 그러면 커패시터(C1)에 의해 게이트와 소스 사이에 충전된 전압(VGS)에 대응하여 트랜지스터(M2)에 전류(IOLED)가 흐르고, 이 전류(IOLED)에 대응하여 유기 EL 소자(OLED)가 발광한다.
이때, 유기 EL 소자(OLED)에 흐르는 전류는 다음의 수학식 1과 같다.
여기서, IOLED는 유기 EL 소자(OLED)에 흐르는 전류, VGS는 트랜지스터(M1)의 소스와 게이트 사이의 전압, VTH는 트랜지스터(M1)의 문턱전압, VDATA는 데이터 전압, β는 상수 값을 나타낸다.
수학식 1에 나타낸 바와 같이, 도 2에 도시한 화소 회로에 의하면 인가되는 데이터 전압에 대응하는 전류가 유기 EL 소자(OELD)에 공급되고, 공급된 전류에 대응하여 유기 EL 소자가 발광하게 된다. 이때, 인가되는 데이터 전압은 계조를 표현하기 위하여 일정 범위에서 다단계의 값을 갖는다.
그런데 이와 같은 종래의 전압 기입 방식의 화소 회로에서는 제조 공정의 불균일성에 의해 생기는 박막 트랜지스터의 문턱 전압(VTH) 및 전자 이동도(electron mobility)의 편차로 인해 고계조를 얻기 어렵다는 문제점이 있다. 예를 들어, 3V로 화소의 박막 트랜지스터를 구동하는 경우 8비트(256) 계조를 표현하기 위해서는 12mV(=3V/256) 간격으로 박막 트랜지스터의 게이트에 전압을 인가해야 하는데, 만일 제조 공정의 분균일로 인한 박막 트랜지스터의 문턱 전압의 편차가 100㎷인 경우에는 고계조를 표현하기 어려워진다. 또한 이동도의 편차로 인해 수학식 1에서의 β값이 달라지므로 더욱 고계조를 표현하기 어렵게 된다.
이에 반해 전류 기입 방식의 화소 회로는 화소 회로에 전류를 공급하는 전류원이 패널 전체를 통해 균일하다고 하면 각 화소내의 구동 트랜지스터가 불균일한 전압-전류 특성을 갖는다 하더라도 균일한 디스플레이 특성을 얻을 수 있다.
도 3은 유기 EL 소자를 구동하기 위한 종래의 전류 기입 방식의 화소 회로로서, N×M개의 화소 중 하나를 대표적으로 도시한 것이다. 도 3을 참조하면, 유기EL 소자(OLED)에 트랜지스터(M1)가 연결되어 발광을 위한 전류를 공급하며, 트랜지스터(M1)의 전류량은 트랜지스터(M2)를 통해 인가되는 데이터 전류에 의해 제어되도록 되어있다.
먼저, 주사선(Sn)으로부터의 선택 신호에 의해 트랜지스터(M2, M3)가 턴온되면, 트랜지스터(M1)는 다이오드 연결 상태가 되고 데이터선(Dm)으로부터의 데이터 전류(IDATA)에 대응하는 전압이 커패시터(C1)에 저장된다. 다음, 주사선(Sn)으로부터의 선택 신호가 하이 레벨이 되어 트랜지스터(M2, M3)가 턴오프되고, 주사선(En)으로부터의 발광 신호가 로우 레벨이 되어 트랜지스터(M4)가 턴온된다. 그러면 전원 전압(VDD)으로부터 전원이 공급되고 커패시터(C1)에 저장된 전압에 대응하는 전류가 유기 EL 소자(OLED)로 흘러 발광이 이루어진다. 이때, 유기 EL 소자(OLED)에 흐르는 전류는 수학식 2와 같다.
여기서, VGS는 트랜지스터(M1)의 소스와 게이트 사이의 전압, VTH는 트랜지스터(M1)의 문턱전압, 는 상수 값을 나타낸다.
수학식 2에서 나타낸 바와 같이 종래의 전류 픽셀회로에 의하면, 유기 EL 소자에 흐르는 전류(IOLED)는 데이터 전류(IDATA)와 동일하므로 기입 전류원이 패널 전체를 통해 균일하다고 하면 균일한 특성을 얻을 수 있게 된다. 그런데 유기 EL 소자에 흐르는 전류(IOLED)는 미세 전류이므로, 미세 전류(IDATA)로서 화소 회로를 제어해야 하므로 데이터선을 충전하는데 시간이 많이 걸린다는 문제점이 있다. 예를 들어, 데이터선 부하 커패시턴스가 30㎊이라 가정할 경우에 수십㎁에서 수백㎁ 정도의 데이터 전류로 데이터선의 부하를 충전하려면 수㎳의 시간이 필요하다. 이는 수십㎲ 수준인 라인 시간(line time)을 고려 해볼 때 충전 시간이 충분하지 못하다는 문제점이 있다.
본 발명이 이루고자 하는 기술적 과제는 트랜지스터의 문턱 전압이나 이동도를 보상할 수 있으며 데이터선을 충분히 충전시킬 수 있는 발광 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명에 따른 발광 표시 장치에는, 화상 신호를 나타내는 데이터 전류를 전달하는 복수의 데이터선, 선택 신호를 전달하는 복수의 주사선, 그리고 데이터선과 주사선에 의해 정의되는 복수의 화소에 각각 형성되는 복수의 화소 회로가 형성되어 있다. 화소 회로는 발광 소자, 제1 트랜지스터, 제1 내지 제3 스위칭 소자, 제1 및 제2 저장 소자를 포함한다. 제1 트랜지스터는 발광 소자를 발광시키기 위한 구동 전류를 공급하며 제1 및 제2 주 전극과 제어 전극을 가지며, 제1 스위칭 소자는 제1 제어 신호에 응답하여 제1 트랜지스터를 다이오드 형태로 연결시킨다. 제2 스위칭 소자는 주사선으로부터의 제1 선택 신호에 응답하여 데이터선으로부터의 데이터 신호를 전달하며, 제3 스위칭 소자는 제3 제어 신호에 응답하여 제1 트랜지스터로부터의 구동 전류를 발광 소자로 전달한다. 제1 저장 소자는 제2 제어 신호에 응답하여 제2 스위칭 소자로부터의 데이터 전류에 대응하는 제1 전압을 저장하고, 제2 저장 소자는 제2 제어 신호의 디스에이블 레벨에 응답하여 제1 트랜지스터의 문턱 전압에 대응하는 제2 전압을 저장한다. 그리고 제1 저장 소자에 제1 전압이 인가된 후 제2 저장 소자에 제2 전압이 인가되며, 제1 및 제2 저장 소자의 커플링에 의해 제1 저장 소자에 저장된 제3 전압이 제1 트랜지스터에 인가되어 구동 전류가 출력된다.
화소 회로는 제2 제어 신호에 응답하여 턴온되며 제1 트랜지스터의 제어 전극에 제1단이 연결되는 제4 스위칭 소자를 더 포함하는 것이 바람직하다. 이때, 제4 스위칭 소자가 턴온되어 제1 기억 소자가 형성되며 제4 스위칭 소자가 턴오프되어 제2 기억 소자가 형성된다.
그리고 제2 저장 소자는 제1 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 연결되는 제1 커패시터에 의해 형성되며, 제1 저장 소자는 제1 트랜지스터의 제1 주 전극과 제4 스위칭 소자의 제2단 사이에 연결되는 제2 커패시터와 제1 커패시터의 병렬 연결에 의해 형성될 수 있다.
또는, 제1 저장 소자는 제4 스위칭 소자의 제2단과 제1 트랜지스터의 제1 주 전극 사이에 연결되는 제1 커패시터에 의해 형성되며, 제2 저장 소자는 제4 스위칭 소자의 제2단과 제1 트랜지스터의 제어 전극 사이에 연결되는 제2 커패시터와 제1 커패시터의 직렬 연결에 의해 형성될 수 있다.
그리고 제1 제어 신호는 제1 선택 신호 및 제1 선택 신호 이후에 인에이블 구간을 가지는 다음 주사선으로부터의 제2 선택 신호로 형성될 수 있다. 이때, 제1 스위칭 소자는, 제1 선택 신호에 응답하여 제1 트랜지스터를 다이오드 형태로 연결시키는 제2 트랜지스터 및 제2 선택 신호에 응답하여 제1 트랜지스터를 다이오드 형태로 연결시키는 제3 트랜지스터를 포함하는 것이 바람직하다.
제2 제어 신호는 제1 선택 신호 및 제3 제어 신호로 형성될 수 있다. 이때, 화소 회로는 제4 스위칭 소자에 병렬로 연결되는 제5 스위칭 소자를 더 포함하고, 제4 및 제5 스위칭 소자는 각각 제1 선택 신호 및 제3 제어 신호에 응답하여 턴온되는 것이 바람직하다.
본 발명에 따르면, 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 데이터선으로부터의 데이터 전류를 전달하는 스위칭 소자, 데이터 전류에 대응하여 구동 전류를 출력하는 트랜지스터, 그리고 트랜지스터로부터의 구동 전류에 대응하여 빛을 발광하는 발광 소자를 포함하는 화소 회로가 형성되어 있는 발광 표시 장치를 구동하는 방법이 제공된다. 먼저, 스위칭 소자로부터의 데이터 전류에 대응하는 제1 전압을 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 형성되는 제1 저장 소자에 인가하고, 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 형성되는 제2 저장 소자에 트랜지스터의 문턱 전압에 대응하는 제2 전압을 인가한다. 다음, 제1 및 제2 저장 소자를 커플링하여 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이의 전압을 제3 전압으로 하고, 트랜지스터로부터의 구동 전류를 발광 소자로 전달한다. 이때, 트랜지스터로부터의 구동 전류는 제3 전압에 대응하여 결정된다.
본 발명에 따른 발광 표시 장치의 표시 패널에는 화상 신호를 나타내는 데이터 전류를 전달하는 복수의 데이터선, 선택 신호를 전달하는 복수의 주사선, 그리고 데이터선과 주사선에 의해 정의되는 복수의 화소에 각각 형성되는 복수의 화소 회로가 형성되어 있다. 화소 회로는 발광 소자, 제1 트랜지스터, 제1 내지 제4 스위칭 소자, 제1 및 제2 저장 소자를 포함한다. 제1 트랜지스터는 발광 소자를 구동하기 위한 전류를 출력하며, 제1 스위칭 소자는 주사선으로부터의 제1 선택 신호에 응답하여 데이터선으로부터의 데이터 전류를 제1 트랜지스터로 전달한다. 제2 스위칭 소자는 제1 제어 신호에 응답하여 제1 트랜지스터를 다이오드 형태로 연결하며, 제3 스위칭 소자는 제2 제어 신호에 응답하여 동작한다. 제4 스위칭 소자는 제3 제어 신호에 응답하여 트랜지스터로부터의 구동 전류를 발광 소자로 전달한다. 제1 저장 소자는 제3 스위칭 소자가 온 상태일 때 제1 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 형성되며, 제2 저장 소자는 제3 스위칭 소자가 오프 상태일 때 제1 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 형성된다. 이 표시 패널은 데이터 전류에 대응하는 제1 전압이 제1 저장 소자에 인가되는 제1 구간, 제1 트랜지스터의 문턱 전압에 대응하는 제2 전압이 제2 저장 소자에 인가되는 제2 구간, 그리고 제1 및 제2 전압에 의해 제1 저장 소자에 저장된 제3 전압에 의해 구동 전류가 생성되는 제3 구간 순으로 구동된다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
도면에서 본 발명을 명확하게 설명하기 위해서 설명과 관계없는 부분은 생략하였다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 어떤 부분이 다른 부분과 연결되어 있다고 할 때, 이는 직접적으로 연결되어 있는 경우뿐 아니라 그 중간에 다른 소자를 사이에 두고 전기적으로 연결되어 있는 경우도 포함한다.
이제 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치 및 그 화소 회로와 구동 방법에 대하여 도면을 참고로 하여 상세하게 설명한다.
먼저, 도 4를 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치에 대하여 자세하게 설명한다. 도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 4에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치는 유기 EL 표시 패널(10), 주사 구동부(20) 및 데이터 구동부(30)를 포함한다.
유기 EL 표시 패널(10)은 행 방향으로 뻗어 있는 복수의 데이터선(D1-DM), 열 방향으로 뻗어 있는 복수의 주사선(S1-SN, E1-EN) 및 복수의 화소 회로(11)를 포함한다. 데이터선(D1-DM)은 화상 신호를 나타내는 데이터 신호를 화소 회로(11)로 전달하며, 주사선(S1-SN)은 선택 신호를 화소 회로(11)로 전달한다. 화소 회로(11)는 이웃한 두 데이터선(D1-DM)과 이웃한 두 주사선(S1-SN)에 의해 정의되는 화소 영역에 형성되어 있다. 또한 주사선(E1-EN)은 화소 회로(11)의 발광을 제어하는 발광 신호를 전달한다.
주사 구동부(20)는 주사선(S1-SN, E1-EN)에 각각 선택 신호와 발광 신호를 순차적으로 인가하며, 데이터 구동부(30)는 데이터선(D1-DM)에 화상 신호를 나타내는 데이터 전류를 인가한다.
주사 구동부(20) 및/또는 데이터 구동부(30)는 표시 패널(10)에 전기적으로 연결될 수 있으며 또는 표시 패널(10)에 접착되어 전기적으로 연결되어 있는 테이프 캐리어 패키지(tape carrier package, TCP)에 칩 등의 형태로 장착될 수 있다. 또는 표시 패널(10)에 접착되어 전기적으로 연결되어 있는 가요성 인쇄 회로(flexible printed circuit, FPC) 또는 필름(film) 등에 칩 등의 형태로 장착될 수도 있으며, 이를 CoF(chip on flexible board, chip on film) 방식이라 한다. 이와는 달리 주사 구동부(20) 및/또는 데이터 구동부(30)는 표시 패널의 유리 기판 위에 직접 장착될 수도 있으며, 또는 유리 기판 위에 주사선, 데이터선 및 박막 트랜지스터와 동일한 층들로 형성되어 있는 구동 회로와 대체될 수도 직접 장착될 수도 있다. 이를 CoG(chip on glass) 방식이라 한다.
아래에서는 도 5 및 도 6을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치의 화소 회로(11)에 대하여 상세하게 설명한다. 도 5는 본 발명의 제1 실시예에 따른 화소 회로의 등가 회로도이며, 도 6은 도 5의 화소 회로를 구동하기 위한 구동 파형도이다. 그리고 도 5에서는 설명의 편의상 m번째 데이터선(Dm)과 n번째 주사선(Sn)에 연결된 화소 회로만을 도시하였다.
도 5에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 화소 회로(11)는 유기 EL 소자(OLED), 트랜지스터(M1-M7) 및 커패시터(C1, C2)를 포함하며, 트랜지스터(M1-M7)는 PMOS 트랜지스터로 형성되어 있다. 이러한 트랜지스터는 표시 패널(10)의 유리 기판 위에 형성되는 게이트 전극, 드레인 전극 및 소스 전극을 각각 제어 전극 및 2개의 주(main) 전극으로 가지는 박막 트랜지스터인 것이 바람직하다.
트랜지스터(M1)는 전원 전압(VDD)에 소스가 연결되고 트랜지스터(M5)에 게이트가 연결되어 있으며, 트랜지스터(M1)의 게이트와 드레인 사이에는 트랜지스터(M3)가 연결되어 있다. 트랜지스터(M1)는 게이트와 소스 사이에 걸리는 전압(VGS)에 대응하는 전류(IOLED)를 출력한다. 트랜지스터(M3)는 (n+1)번째 행에 위치한 화소 회로에 연결된 주사선(Sn+1)으로부터의 선택 신호(SEn+1)에 응답하여 트랜지스터(M1)를 다이오드 형태로 연결시킨다. 그리고 트랜지스터(M7)는 데이터선(Dm)과 트랜지스터(M1)의 게이트 사이에 연결되며, 주사선(Sn)으로부터의 선택 신호(SEn)에 응답하여 트랜지스터(M1)를 다이오드 형태로 연결시킨다. 이때, 트랜지스터(M7)는 트랜지스터(M3)와 마찬가지로 트랜지스터(M1)의 게이트와 드레인 사이에 연결될 수도 있다.
커패시터(C1)는 전원 전압(VDD)과 트랜지스터(M1)의 게이트 사이에 연결되며, 커패시터(C2)는 전원 전압(VDD)과 트랜지스터(M5)의 제1단 사이에 연결된다. 이러한 커패시터(C1, C2)는 트랜지스터의 게이트와 소스 사이의 전압을 저장하는 저장 소자로서 작용한다. 트랜지스터(M5)의 제2단은 트랜지스터(M1)의 게이트에 연결되며, 트랜지스터(M6)는 트랜지스터(M5)에 병렬 연결되어 있다. 트랜지스터(M5)는 주사선(Sn)으로부터의 선택 신호(SEn)에 응답하여 커패시터(C1, C2)를 병렬 연결시키며, 트랜지스터(M6)는 주사선(En)으로부터의 발광 신호(EMn)에 응답하여 커패시터(C1, C2)를 병렬 연결시킨다.
트랜지스터(M2)는 주사선(Sn)으로부터의 선택 신호(SEn)에 응답하여 데이터선(Dm)으로부터의 데이터 전류(IDATA)를 트랜지스터(M1)로 전달한다. 트랜지스터(M4)는 트랜지스터(M1)의 드레인과 유기 EL 소자(OLED) 사이에 연결되어, 주사선(En)으로부터의 발광 신호(EMn)에 응답하여 트랜지스터(M1)의 전류(IOLED )를 유기 EL 소자(OLED)로 전달한다. 유기 EL 소자(OLED)는 트랜지스터(M4)와 기준 전압 사이에 연결되며 인가되는 전류(IOLED)의 양에 대응하는 빛을 발광한다.
다음, 도 6을 참조하여 본 발명의 제1 실시예에 따른 화소 회로의 동작에 대하여 상세하게 설명한다.
도 6을 보면, 먼저 구간(T1)에서는 로우 레벨의 선택 신호(SEn)에 의해 트랜지스터(M5)가 턴온되어 커패시터(C1, C2)는 트랜지스터(M1)의 게이트와 소스 사이에서 병렬 연결된다. 그리고 트랜지스터(M2, M7)가 턴온되어 트랜지스터(M1)는 다이오드 형태로 연결되며, 트랜지스터(M2)가 턴온되어 데이터선(Dm)으로부터의 데이터 전류(IDATA)가 트랜지스터(M1)에 흐르게 된다. 트랜지스터(M1)에는 데이터 전류(IDATA)가 흐르므로 데이터 전류(IDATA)는 수학식 3과 같이 나타낼 수 있으며, 수학식 3으로부터 구간(T1)에서의 게이트-소스 전압(VGS(T1))은 수학식 4로 주어진다.
여기서, β는 상수값이며, VTH는 트랜지스터(M1)의 문턱 전압이다.
따라서 커패시터(C1, C2)에는 데이터 전류(IDATA)에 해당하는 전압(VGS(T1))이 저장된다. 그리고 하이 레벨의 발광 신호(EMm)에 의해 트랜지스터(M4)가 턴오프되어, 유기 EL 소자(OLED)로의 전류가 차단되어 있다.
다음, 구간(T2)에서는 하이 레벨의 선택 신호(SEn)에 응답하여 트랜지스터(M2, M5, M7)가 턴오프되고, 로우 레벨의 선택 신호(SEn+1)에 응답하여 트랜지스터(M3)가 턴온된다. 하이 레벨의 발광 신호(EMm)에 의해 트랜지스터(M6)는 턴오프되어 있다. 턴오프된 트랜지스터(M5, M6)에 의해 커패시터(C2)는 수학식 4에 나타낸 전압이 저장된 상태에서 플로팅된다. 턴오프된 트랜지스터(M2)에 의해 데이터 전류(IDATA)가 차단되어 있고 턴온된 트랜지스터(M3)에 의해 트랜지스터(M1)는 다이오드 연결 상태로 유지되므로, 커패시터(C1)에는 트랜지스터(M1)의 문턱 전압(VTH)이 저장된다.
다음, 구간(T3)에서는 하이 레벨의 선택 신호(SEn+1)에 응답하여 트랜지스터(M3)가 턴오프되고 로우 레벨의 발광 신호에 응답하여 트랜지스터(M4, M6)가 턴온된다. 트랜지스터(M6)가 턴온되면 커패시터(C1, C2)는 병렬 연결되고, 커패시터(C1, C2)의 커플링에 의해 구간(T3)에서의 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압(VGS(T3))은 수학식 5와 같이 된다.
여기서, C1 및 C2는 각각 커패시터(C1, C2)의 커패시턴스이다.
따라서 트랜지스터(M1)에 흐르는 전류(IOLED)는 수학식 6과 같이 되며, 이 전류(IOLED)가 턴온된 트랜지스터(M4)에 의해 유기 EL 소자(OLED)에 공급되어 발광이 이루어진다. 즉, 구간(T3)에서는 커패시터(C1, C2)의 커플링에 의해 전압이 분배되고 유기 EL 소자(OLED)의 발광이 이루어진다.
수학식 6에 나타낸 바와 같이, 유기 EL 소자(OLED)에 공급되는 전류(IOLED)는 트랜지스터(M1)의 문턱 전압(VTH)이나 이동도에 관계없이 결정되므로, 문턱 전압의 편차나 이동도의 편차가 보상될 수 있다. 또한 유기 EL 소자(OLED)에 공급되는 전류(IOLED)는 데이터 전류(IDATA)에 비해 C2/(C1+C2 )의 제곱 배만큼 작은 값이다. 예를 들어 C1가 C2의 M배(C2=M*C1)라면, 전류(IOLED )에 대해 (M+1)2배만큼 큰 데이터 전류(IDATA)로서 유기 EL 소자(OLED)에 흐르는 미세 전류를 제어할 수 있으므로, 고계조를 표현할 수 있다. 그리고 데이터선(D1-Dm)에 큰 데이터 전류(IDATA )를 공급하므로 데이터선의 충전 시간을 충분히 확보할 수 있다. 또한, 트랜지스터(M1-M7)가 모두 동일 타입의 트랜지스터이므로 표시 패널(10)의 유리 기판 위에 박막 트랜지스터를 형성하는 공정을 간단하게 할 수 있다.
본 발명의 제1 실시예에서는 트랜지스터(M1-M7)를 PMOS 트랜지스터로 구현하였지만, 이를 NMOS 트랜지스터로 구현할 수 있다. 트랜지스터(M1-M5)를 NMOS 트랜지스터로 구현하는 경우에는, 도 5의 화소 회로에서 트랜지스터(M1)의 소스를 전원 전압(VDD) 대신에 기준 전압에 연결하고, 유기 EL 소자(OLED)의 캐소드를 트랜지스터(M4)에 연결하고 애노드를 전원 전압(VDD)에 연결한다. 그리고 선택 신호(SEn, SEn+1) 및 발광 신호(EMn)는 도 6의 구동 파형에 대하여 반전된 형태를 가진다. 트랜지스터(M1-M5)를 NMOS 트랜지스터로 구현하는 경우에 대한 자세한 설명은 제1 실시예의 설명으로부터 용이하게 알 수 있으므로 생략한다. 또한, 트랜지스터(M1-M7)를 PMOS와 NMOS의 조합, 또는 유사한 기능을 하는 다른 스위칭 소자로 구현할 수도 있다.
그리고 본 발명의 제1 실시예에서는 7개의 트랜지스터(M1-M7)를 사용하여 화소 회로를 구현하였지만, 제어 신호를 전달하는 주사선을 추가하여 트랜지스터의 개수를 줄일 수도 있다. 아래에서는 이러한 실시예에 대하여 도 7 내지 도 12를 참조하여 상세하게 설명한다.
도 7은 본 발명의 제2 실시예에 따른 화소 회로의 등가 회로도이며, 도 8은 도 7의 화소 회로를 구동하기 위한 구동 파형도이다.
도 7에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 화소 회로는 도 5의 화소 회로에서 트랜지스터(M6, M7)가 제거되고 주사선(Xn, Yn)이 추가되어 있다. 그리고 트랜지스터(M3)의 게이트는 주사선(Xn)에 연결되며 주사선(Xn)으로부터의 제어 신호(CS1n)에 응답하여 트랜지스터(M1)를 다이오드 형태로 연결시킨다. 트랜지스터(M5)의 게이트는 주사선(Yn)에 연결되며 주사선(Yn)으로부터의 제어 신호(CS2 n)에 응답하여 커패시터(C1, C2)를 병렬 연결시킨다.
도 8을 보면, 먼저 로우 레벨의 제어 신호(CS1n, CS2n)에 의해 트랜지스터(M3, M5)가 턴온되어, 트랜지스터(M1)는 다이오드 형태로 연결되고 커패시터(C1, C2)는 병렬 연결된다. 그리고 로우 레벨의 선택 신호(SEn)에 의해 트랜지스터(M2)가 턴온되어, 데이터선(Dm)으로부터의 데이터 전류(IDATA)가 트랜지스터(M1)에 흐르게 된다. 따라서 제1 실시예에서의 구간(T1)과 같이 게이트-소스 전압(VGS(T1))은 수학식 4와 같이 되며, 이 전압(VGS(T1))이 커패시터(C1, C2)에 저장된다.
다음, 구간(T2)에서는 하이 레벨의 제어 신호(CS2n)에 의해 트랜지스터(M5)가 턴오프되어 커패시터(C2)는 전압이 충전된 상태에서 플로팅된다. 하이 레벨의 선택 신호(SEn)에 의해 트랜지스터(M2)가 턴오프되어 데이터 전류(IDATA)가 차단된다. 따라서 제1 실시예의 구간(T2)에서와 같이 커패시터(C1)에는 트랜지스터(M1)의 문턱 전압(VTH)이 저장된다.
구간(T3)에서는 하이 레벨의 제어 신호(CS1n)에 의해 트랜지스터(M3)가 턴오프되고 로우 레벨의 제어 신호(CS2n)에 응답하여 트랜지스터(M5)가 턴온된다. 트랜지스터(M5)가 턴온되면 커패시터(C1, C2)는 병렬 연결되고, 구간(T3)에서의 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압(VGS(T3))은 제1 실시예의 구간(T3)에서와 같이 수학식 5로 주어진다.
이와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 화소 회로는 제1 실시예와 동일하게 동작하지만, 제1 실시예에 비해 트랜지스터의 개수를 줄일 수 있다.
그리고 본 발명의 제2 실시예에서는 제1 실시예에 비해 트랜지스터의 개수를 2개 줄이고 주사선의 개수를 2개 증가시켰다. 이와는 달리 트랜지스터의 개수를 1개 줄이고 주사선의 개수를 1개 증가시킬 수도 있다.
예를 들어, 도 5의 화소 회로에서 트랜지스터(M6)를 제거하고, 도 7에서와 같이 트랜지스터(M5)의 게이트를 제어 신호(CS2n)를 전달하는 주사선(Yn)에 연결할 수 있다. 그러면 제어 신호(CS2n)가 로우 레벨인 구간(T1, T3)에서 트랜지스터(M5)가 턴온되어 커패시터(C1, C2)가 병렬 연결되므로, 이러한 실시예도 제1 실시예와 동작이 동일하게 된다.
또한, 도 5의 화소 회로에서 트랜지스터(M7)를 제거하고, 도 7에서와 같이 트랜지스터(M3)의 게이트를 제어 신호(CS1n)를 전달하는 주사선(Xn)에 연결할 수 있다. 그러면 제어 신호(CS1n)가 로우 레벨인 구간(T1, T2)에서 트랜지스터(M3)가 턴온되어 트랜지스터(M1)가 다이오드 형태로 연결되므로, 이러한 실시예도 제1 실시예와 동작이 동일하게 된다.
이상, 본 발명의 제1 및 제2 실시예에서는 커패시터(C1, C2)를 전원 전압(VDD)에 병렬로 연결하였지만, 이와는 달리 커패시터(C1, C2)를 전원 전압(VDD)에 직렬로 연결할 수도 있다. 아래에서는 이러한 실시예에 대하여 도 9를 참조하여 상세하게 설명한다.
도 9는 본 발명의 제3 실시예에 따른 화소 회로의 등가 회로도이다.
도 9에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 제3 실시예에 따른 화소 회로는 커패시터(C1, C2) 및 트랜지스터(M5)의 연결 상태를 제외하면 제2 실시예와 동일한 구조를 가진다. 자세하게 설명하면, 커패시터(C1, C2)는 전원 전압(VDD)과 트랜지스터(M3) 사이에 직렬로 연결되며, 트랜지스터(M5)는 커패시터(C1, C2)의 접점과 트랜지스터(M1)의 게이트 사이에 연결되어 있다.
제5 실시예에 따른 화소 회로는 제2 실시예와 동일한 구동 파형에 의해 구동되며, 자세한 동작에 대하여 도 8 및 도 9를 참조하여 설명한다.
먼저, 구간(T1)에서는 로우 레벨의 제어 신호(CS1n)에 의해 트랜지스터(M3)가 턴온되어 트랜지스터(M1)는 다이오드 형태로 연결된다. 로우 레벨의 제어 신호(CS1n)에 의해 트랜지스터(M5)가 턴온되어 커패시터(C2)의 전압은 0V로 된다. 그리고 트랜지스터(M2)가 로우 레벨의 선택 신호(SEn)에 응답하여, 데이터선(Dm)으로부터의 데이터 전류(IDATA)가 트랜지스터(M1)에 흐르게 된다. 데이터 전류(IDATA )에 따라 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압(VGS(T1))은 수학식 3 및 4와 같이 된다. 또한 하이 레벨의 발광 신호(EMn)에 의해 트랜지스터(M4)가 턴오프되어 유기 EL 소자(OLED)로의 전류가 차단되어 있다.
구간(T2)에서는 제어 신호(CS2n)가 하이 레벨로 되어 트랜지스터(M5)가 턴오프되고, 선택 신호(SEn)가 하이 레벨로 되어 트랜지스터(M2)가 턴오프된다. 그리고 턴온된 트랜지스터(M3)에 의해 트랜지스터(M1)는 다이오드 형태로 연결되어 있으므로, 직렬 연결된 커패시터(C1, C2)의 양단에는 트랜지스터(M1)의 문턱 전압(VTH)이 인가된다. 따라서 수학식 4에 나타낸 전압(VGS(T1))을 충전하고 있던 커패시터(C1)의 전압(VC1)은 커패시터(C1, C2)의 커플링에 의해 수학식 7과 같이 된다.
다음, 구간(T3)에서는 하이 레벨의 제어 신호(CS1n)에 응답하여 트랜지스터(M3)가 턴오프되고, 로우 레벨의 제어 신호(CS2n) 및 발광 신호(EMn)에 의해 트랜지스터(M5, M4)가 턴온된다. 트랜지스터(M3)가 턴오프되고 트랜지스터(M5)가 턴온되면, 커패시터(C1)의 전압(VC1)이 구간(T3)에서의 트랜지스터(M1)의 게이트-소스 전압(VGS(T3))으로 된다. 따라서 트랜지스터(M1)에 흐르는 전류(IOLED)는 수학식 8과 같이 되고, 이 전류(IOLED)가 트랜지스터(M4)에 의해 유기 EL 소자(OLED)에 공급되어 발광이 이루어진다.
이와 같이 본 발명의 제3 실시예에서도 제1 실시예와 마찬가지로 유기 EL 소자(OLED)에 공급되는 전류(IOLED)는 트랜지스터(M1)의 문턱 전압(VTH)이나 이동도에 관계없이 결정된다. 또한 전류(IOLED)에 대해 (C1+C2)/C1 의 제곱 배만큼 큰 데이터 전류(IDATA)로서 유기 EL 소자(OLED)에 흐르는 미세 전류를 제어할 수 있으므로, 고계조를 표현할 수 있다. 그리고 데이터선(D1-DM)에 큰 데이터 전류(IDATA )를 공급하므로 데이터선의 충전 시간을 충분히 확보할 수 있다.
본 발명의 제3 실시예에서는 트랜지스터(M1-M5)를 PMOS 트랜지스터로 구현하였지만, NMOS 또는 PMOS와 NMOS의 조합으로 화소 회로를 구현할 수 있으며, 또한 유사한 기능을 하는 다른 스위칭 소자를 사용하여 화소 회로를 구현할 수도 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리범위에 속하는 것이다.
이와 같이 본 발명에 의하면, 큰 데이터 전류로서 유기 EL 소자에 흐르는 전류를 제어할 수 있으므로, 한 라인 시간동안 데이터선을 충분히 충전할 수 있다. 또한, 유기 EL 소자에 흐르는 전류는 트랜지스터의 문턱 전압 편차나 이동도의 편차가 보상되며, 고해상도와 대면적의 발광 표시 장치가 구현될 수 있다.
도 1은 유기 전계발광 소자의 개념도이다.
도 2는 종래의 전압 기입 방식의 화소 회로의 등가 회로도이다.
도 3은 종래의 전류 기입 방식의 화소 회로의 등가 회로도이다.
도 4는 본 발명의 실시예에 따른 유기 EL 표시 장치의 개략적인 평면도이다.
도 5, 도 7 및 도 9는 각각 본 발명의 제1, 제2 및 제3 실시예에 따른 화소 회로의 등가 회로도이다.
도 6 및 도 8은 각각 도 5 및 도 7의 화소 회로를 구동하기 위한 구동 파형도이다.

Claims (20)

  1. 화상 신호를 나타내는 데이터 전류를 전달하는 복수의 데이터선, 선택 신호를 전달하는 복수의 주사선, 그리고 상기 데이터선과 상기 주사선에 의해 정의되는 복수의 화소에 각각 형성되는 복수의 화소 회로가 형성되어 있는 발광 표시 장치에 있어서,
    상기 화소 회로는,
    인가되는 전류에 대응하여 빛을 발광하는 발광 소자,
    상기 발광 소자를 발광시키기 위한 구동 전류를 공급하며 제1 및 제2 주 전극(main electrode)과 제어 전극을 가지는 제1 트랜지스터,
    제1 제어 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 형태로 연결시키는 제1 스위칭 소자,
    상기 주사선으로부터의 제1 선택 신호에 응답하여 상기 데이터선으로부터의 데이터 신호를 전달하는 제2 스위칭 소자,
    제2 제어 신호에 응답하여 상기 제2 스위칭 소자로부터의 상기 데이터 전류에 대응하는 제1 전압을 저장하는 제1 저장 소자,
    상기 제2 제어 신호의 디스에이블 레벨에 응답하여 상기 제1 트랜지스터의 문턱 전압에 대응하는 제2 전압을 저장하는 제2 저장 소자, 그리고
    제3 제어 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터로부터의 상기 구동 전류를 상기 발광 소자로 전달하는 제3 스위칭 소자
    를 포함하며,
    상기 제1 저장 소자에 상기 제1 전압이 인가된 후 상기 제2 저장 소자에 상기 제2 전압이 인가되며, 상기 제1 및 제2 저장 소자의 커플링에 의해 상기 제1 저장 소자에 저장된 제3 전압이 상기 제1 트랜지스터에 인가되어 상기 구동 전류가 출력되는 발광 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 제어 신호와 상기 제1 선택 신호가 인에이블되어 상기 제1 저장 소자에 상기 제1 전압이 저장되는 제1 구간,
    상기 제1 제어 신호가 인에이블되고 상기 제2 제어 신호 및 상기 제1 선택 신호가 디스에이블되어 상기 제2 저장 소자에 상기 제2 전압이 저장되는 제2 구간, 그리고
    상기 제1 제어 신호가 디스에이블되고 상기 제3 제어 신호가 인에이블되어 상기 제3 전압에 대응하는 상기 구동 전류가 상기 발광 소자에 공급되는 제3 구간
    순으로 동작하는 발광 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 화소 회로는 상기 제2 제어 신호에 응답하여 턴온되며 상기 제1 트랜지스터의 제어 전극에 제1단이 연결되는 제4 스위칭 소자를 더 포함하며,
    상기 제4 스위칭 소자가 턴온되어 상기 제1 기억 소자가 형성되며 상기 제4 스위칭 소자가 턴오프되어 상기 제2 기억 소자가 형성되는 발광 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 저장 소자는 상기 제1 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 연결되는 제1 커패시터에 의해 형성되며, 상기 제1 저장 소자는 상기 제1 트랜지스터의 제1 주 전극과 상기 제4 스위칭 소자의 제2단 사이에 연결되는 제2 커패시터와 상기 제1 커패시터의 병렬 연결에 의해 형성되는 발광 표시 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 제1 저장 소자는 상기 제4 스위칭 소자의 제2단과 상기 제1 트랜지스터의 제1 주 전극 사이에 연결되는 제1 커패시터에 의해 형성되며,
    상기 제2 저장 소자는 상기 제4 스위칭 소자의 제2단과 상기 제1 트랜지스터의 제어 전극 사이에 연결되는 제2 커패시터와 상기 제1 커패시터의 직렬 연결에 의해 형성되는 발광 표시 장치.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 제1 제어 신호는 상기 제1 선택 신호 및 상기 제1 선택 신호 이후에 인에이블 구간을 가지는 다음 주사선으로부터의 제2 선택 신호로 형성되며,
    상기 제1 스위칭 소자는, 상기 제1 선택 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 형태로 연결시키는 제2 트랜지스터 및 상기 제2 선택 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 형태로 연결시키는 제3 트랜지스터를 포함하는 발광 표시 장치.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 제2 제어 신호는 상기 제1 선택 신호 및 상기 제3 제어 신호로 형성되며,
    상기 화소 회로는 상기 제4 스위칭 소자에 병렬로 연결되는 제5 스위칭 소자를 더 포함하며, 상기 제4 및 제5 스위칭 소자는 각각 상기 제1 선택 신호 및 상기 제3 제어 신호에 응답하여 턴온되는 발광 표시 장치.
  8. 제3항에 있어서,
    상기 제1 제어 신호는 상기 제1 선택 신호 및 상기 제1 선택 신호 이후에 인에이블 구간을 가지는 다음 주사선으로부터의 제2 선택 신호로 형성되며, 상기 제2 제어 신호는 상기 제1 선택 신호 및 상기 제3 제어 신호로 형성되고,
    상기 제1 스위칭 소자는, 상기 제1 선택 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 형태로 연결시키는 제2 트랜지스터 및 상기 제2 선택 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 형태로 연결시키는 제3 트랜지스터를 포함하며,
    상기 화소 회로는 상기 제4 스위칭 소자에 병렬로 연결되는 제5 스위칭 소자를 더 포함하며, 상기 제4 및 제5 스위칭 소자는 각각 상기 제1 선택 신호 및 상기 제3 제어 신호에 응답하여 턴온되는 발광 표시 장치.
  9. 주사선으로부터의 선택 신호에 응답하여 데이터선으로부터의 데이터 전류를 전달하는 스위칭 소자, 상기 데이터 전류에 대응하여 구동 전류를 출력하며 제1 및 제2 주 전극과 제어 전극을 가지는 트랜지스터, 그리고 상기 트랜지스터로부터의 구동 전류에 대응하여 빛을 발광하는 발광 소자를 포함하는 화소 회로가 형성되어 있는 발광 표시 장치를 구동하는 방법에 있어서,
    상기 스위칭 소자로부터의 데이터 전류에 대응하는 제1 전압을 상기 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 형성되는 제1 저장 소자에 인가하는 제1 단계,
    상기 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 형성되는 제2 저장 소자에 상기 트랜지스터의 문턱 전압에 대응하는 제2 전압을 인가하는 제2 단계, 그리고
    상기 제1 및 제2 저장 소자를 커플링하여 상기 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이의 전압을 제3 전압으로 하고, 상기 트랜지스터로부터의 구동 전류를 상기 발광 소자로 전달하는 제3 단계
    를 포함하며,
    상기 트랜지스터로부터의 구동 전류는 상기 제3 전압에 대응하여 결정되는 발광 표시 장치의 구동 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 제1 단계에서 상기 제1 저장 소자는 상기 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 병렬로 연결되는 제1 및 제2 커패시터를 포함하며,
    상기 제2 단계에서 상기 제2 저장 소자는 상기 제1 커패시터를 포함하며,
    상기 제3 단계에서 상기 제3 전압은 상기 제1 및 제2 커패시터의 병렬 연결에 의해 결정되는 발광 표시 장치의 구동 방법.
  11. 제9항에 있어서,
    상기 제1 단계에서 상기 제1 저장 소자는 상기 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 연결되는 제1 커패시터를 포함하며,
    상기 제2 단계에서 상기 제2 저장 소자는 상기 제1 커패시터 및 상기 제1 커패시터와 상기 트랜지스터의 제어 전극 사이에 연결되는 제2 커패시터를 포함하며,
    상기 제3 단계에서 상기 제3 전압은 상기 제1 커패시터에 의해 결정되는 발광 표시 장치의 구동 방법.
  12. 제9항에 있어서,
    상기 제1 단계는 제1 제어 신호에 응답하여 상기 트랜지스터가 다이오드 형태로 연결되는 단계, 제2 제어 신호의 제1 레벨에 응답하여 상기 제1 저장 소자가 형성되는 단계, 상기 주사선으로부터의 제1 선택 신호에 응답하여 상기 데이터 전류가 제공되는 단계, 그리고 상기 제1 전압을 상기 제1 저장 소자에 인가하는 단계를 포함하며,
    상기 제2 단계는 상기 제2 제어 신호의 제2 레벨에 응답하여 상기 제2 저장 소자가 형성되는 단계, 그리고 상기 제2 전압이 상기 제2 저장 소자에 인가되는 단계를 포함하며,
    상기 제3 단계는 상기 제어 신호의 제2 레벨에 응답하여 상기 제3 전압을 저장하는 상기 제1 저장 소자가 형성되는 단계, 그리고 제3 제어 신호에 응답하여 상기 구동 전류가 상기 발광 소자로 전달되는 단계를 포함하는 발광 소자의 구동 방법.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제1 단계에서 상기 제1 제어 신호는 상기 제1 선택 신호로 형성되며,
    상기 제2 단계에서 상기 제1 제어 신호는 상기 제1 선택 신호 이후에 인에이블 구간을 가지는 다음 주사선으로부터의 제2 선택 신호로 형성되는 발광 표시 장치의 구동 방법.
  14. 제12항에 있어서,
    상기 제1 단계에서 상기 제2 제어 신호의 제1 레벨은 상기 제1 선택 신호로 형성되며,
    상기 제3 단계에서 상기 제2 제어 신호의 제1 레벨은 상기 제3 제어 신호로 형성되는 발광 표시 장치의 구동 방법.
  15. 제12항에 있어서,
    상기 제1 단계에서 상기 제2 제어 신호의 제1 레벨 및 상기 제1 제어 신호는 상기 제1 선택 신호로 형성되며,
    상기 제2 단계에서 상기 제1 제어 신호는 상기 제1 선택 신호 이후에 인에이블 구간을 가지는 다음 주사선으로부터의 제2 선택 신호로 형성되며,
    상기 제3 단계에서 상기 제2 제어 신호의 제1 레벨은 상기 제3 제어 신호로 형성되는 발광 표시 장치의 구동 방법.
  16. 화상 신호를 나타내는 데이터 전류를 전달하는 복수의 데이터선, 선택 신호를 전달하는 복수의 주사선, 그리고 상기 데이터선과 상기 주사선에 의해 정의되는 복수의 화소에 각각 형성되는 복수의 화소 회로가 형성되어 있는 발광 표시 장치의 표시 패널에 있어서,
    상기 화소 회로는,
    인가되는 전류에 대응하여 빛을 발광하는 발광 소자,
    발광 소자를 구동하기 위한 전류를 출력하는 제1 트랜지스터,
    상기 주사선으로부터의 제1 선택 신호에 응답하여 상기 데이터선으로부터의 데이터 전류를 상기 제1 트랜지스터로 전달하는 제1 스위칭 소자,
    제1 제어 신호에 응답하여 상기 제1 트랜지스터를 다이오드 형태로 연결하는 제2 스위칭 소자,
    제2 제어 신호에 응답하여 동작하는 제3 스위칭 소자,
    제3 제어 신호에 응답하여 상기 트랜지스터로부터의 구동 전류를 상기 발광 소자로 전달하는 제4 스위칭 소자,
    상기 제3 스위칭 소자가 온 상태일 때 상기 제1 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 형성되는 제1 저장 소자, 그리고
    상기 제3 스위칭 소자가 오프 상태일 때 상기 제1 트랜지스터의 제어 전극과 제1 주 전극 사이에 형성되는 제2 저장 소자
    를 포함하며,
    상기 데이터 전류에 대응하는 제1 전압이 상기 제1 저장 소자에 인가되는 제1 구간, 상기 제1 트랜지스터의 문턱 전압에 대응하는 제2 전압이 상기 제2 저장 소자에 인가되는 제2 구간, 그리고 상기 제1 및 제2 전압에 의해 상기 제1 저장 소자에 저장된 제3 전압에 의해 상기 구동 전류가 생성되는 제3 구간 순으로 구동되는 표시 패널.
  17. 제16항에 있어서,
    상기 제1 구간은 상기 제1 선택 신호와 상기 제1 및 제2 제어 신호의 인에이블 레벨 및 상기 제3 제어 신호의 디스에이블 레벨에 의해 동작하며,
    상기 제2 구간은 상기 제1 제어 신호의 인에이블 레벨 및 상기 제1 선택 신호 및 상기 제1 및 제3 제어 신호의 디스에이블 레벨에 의해 동작하며,
    상기 제3 구간은 상기 제2 및 제3 제어 신호의 인에이블 레벨 및 상기 제1 선택 신호와 상기 제1 제어 신호의 디스에이블 레벨에 의해 동작하는 발광 표시 장치의 표시 패널.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 구간에서의 상기 제1 제어 신호의 인에이블 레벨은 각각 상기 제1 선택 신호 및 상기 제1 선택 신호 이후에 인에이블 구간을 가지는 다음 주사선으로부터의 제2 선택 신호로 형성되며,
    상기 제2 스위칭 소자는 상기 제1 및 제2 선택 신호에 각각 응답하는 2개의 트랜지스터를 포함하는 발광 표시 장치의 표시 패널.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 제1 및 제3 구간에서의 상기 제2 제어 신호의 인에이블 레벨은 각각 상기 제1 선택 신호 및 상기 제3 제어 신호로 형성되며,
    상기 제3 스위칭 소자는 상기 제1 선택 신호 및 상기 제3 제어 신호에 각각 응답하는 2개의 트랜지스터를 포함하는 발광 표시 장치의 표시 패널.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 제1 및 제2 구간에서의 상기 제1 제어 신호의 인에이블 레벨은 각각 상기 제1 선택 신호 및 상기 제1 선택 신호 이후에 인에이블 구간을 가지는 다음 주사선으로부터의 제2 선택 신호로 형성되며, 상기 제1 및 제3 구간에서의 상기 제2 제어 신호의 인에이블 레벨은 각각 상기 제1 선택 신호 및 상기 제3 제어 신호로 형성되고,
    상기 제2 스위칭 소자는 상기 제1 및 제2 선택 신호에 각각 응답하는 2개의 트랜지스터를 포함하며, 상기 제3 스위칭 소자는 상기 제1 선택 신호 및 상기 제3 제어 신호에 각각 응답하는 2개의 트랜지스터를 포함하는 발광 표시 장치의 표시 패널.
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JP2003337968A JP4153855B2 (ja) 2003-04-01 2003-09-29 発光表示装置，発光表示装置の駆動方法，発光表示装置の表示パネル
DE60305872T DE60305872T2 (de) 2003-04-01 2003-11-13 Lichtemittierende Anzeige, Anzeigetafel und Verfahren zu deren Ansteuerung
EP03090383A EP1465141B1 (en) 2003-04-01 2003-11-13 Light emitting display, display panel, and driving method thereof
CNB200310118858XA CN1313997C (zh) 2003-04-01 2003-11-28 有机场致发光显示器、显示面板及其驱动方法
US10/729,504 US7187351B2 (en) 2003-04-01 2003-12-04 Light emitting display, display panel, and driving method thereof

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Cited By (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11984064B2 (en) 2020-08-12 2024-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display apparatus, its operating method, and electronic device

Families Citing this family (55)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100502912B1 (ko) 2003-04-01 2005-07-21 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시 장치 및 그 표시 패널과 구동 방법
EP1610292B1 (en) * 2004-06-25 2016-06-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device, driving method thereof and electronic device
KR100604057B1 (ko) 2004-09-24 2006-07-24 삼성에스디아이 주식회사 화소 및 이를 이용한 발광 표시장치
CN100371976C (zh) * 2004-11-15 2008-02-27 友达光电股份有限公司 像素及具有该像素的显示器
KR101066490B1 (ko) 2004-12-08 2011-09-21 엘지디스플레이 주식회사 발광 표시장치와 그의 구동방법
KR100613088B1 (ko) * 2004-12-24 2006-08-16 삼성에스디아이 주식회사 데이터 집적회로 및 이를 이용한 발광 표시장치
KR100700846B1 (ko) * 2004-12-24 2007-03-27 삼성에스디아이 주식회사 데이터 집적회로 및 이를 이용한 발광 표시장치
KR100602363B1 (ko) * 2005-01-10 2006-07-18 삼성에스디아이 주식회사 발광제어구동부 및 그를 이용한 발광 표시장치
KR101152120B1 (ko) * 2005-03-16 2012-06-15 삼성전자주식회사 표시 장치 및 그 구동 방법
KR100782455B1 (ko) * 2005-04-29 2007-12-05 삼성에스디아이 주식회사 발광제어 구동장치 및 이를 구비하는 유기전계발광표시장치
WO2006137295A1 (ja) 2005-06-23 2006-12-28 Sharp Kabushiki Kaisha 表示装置およびその駆動方法
EP1901356A4 (en) * 2005-07-04 2012-03-07 Nat University Corp Tohoku Unversity TEST CIRCUIT, WAFER, MEASURING DEVICE, COMPONENT MANUFACTURING METHOD AND DISPLAY EQUIPMENT
KR100698700B1 (ko) 2005-08-01 2007-03-23 삼성에스디아이 주식회사 발광 표시장치
EP1764770A3 (en) 2005-09-16 2012-03-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and driving method of display device
JP4753373B2 (ja) 2005-09-16 2011-08-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置及び表示装置の駆動方法
JP5057731B2 (ja) * 2005-09-16 2012-10-24 株式会社半導体エネルギー研究所 表示装置、モジュール、及び電子機器
JP2007108381A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Sony Corp 表示装置および表示装置の駆動方法
KR101214205B1 (ko) * 2005-12-02 2012-12-21 재단법인서울대학교산학협력재단 표시 장치 및 그 구동 방법
KR101157265B1 (ko) * 2005-12-30 2012-06-15 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광표시장치
KR101006381B1 (ko) * 2006-02-22 2011-01-10 삼성전자주식회사 발광장치 및 그 제어방법
KR101197768B1 (ko) * 2006-05-18 2012-11-06 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치의 화소 회로
KR20070111638A (ko) * 2006-05-18 2007-11-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기전계발광표시장치의 화소 회로
JP4240059B2 (ja) * 2006-05-22 2009-03-18 ソニー株式会社 表示装置及びその駆動方法
JP4203770B2 (ja) * 2006-05-29 2009-01-07 ソニー株式会社 画像表示装置
JP2007316454A (ja) 2006-05-29 2007-12-06 Sony Corp 画像表示装置
JP4882536B2 (ja) * 2006-06-19 2012-02-22 セイコーエプソン株式会社 電子回路及び電子機器
KR100812003B1 (ko) 2006-08-08 2008-03-10 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치
JP2008046377A (ja) * 2006-08-17 2008-02-28 Sony Corp 表示装置
KR100805597B1 (ko) * 2006-08-30 2008-02-20 삼성에스디아이 주식회사 화소 및 이를 이용한 유기전계발광 표시장치 및 그의구동방법
TW200826055A (en) * 2006-12-06 2008-06-16 Gigno Technology Co Ltd Display apparatus and manufacturing method thereof
KR100833760B1 (ko) * 2007-01-16 2008-05-29 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시 장치
KR100846984B1 (ko) 2007-02-27 2008-07-17 삼성에스디아이 주식회사 유기전계발광 표시장치 및 그의 제조방법
US20080218495A1 (en) * 2007-03-08 2008-09-11 Wintek Corporation Circuit capable of selectively operating in either an inspecting mode or a driving mode for a display
JP2008241782A (ja) * 2007-03-26 2008-10-09 Sony Corp 表示装置及びその駆動方法と電子機器
US20080238892A1 (en) * 2007-03-28 2008-10-02 Himax Technologies Limited Pixel circuit
JP2008257086A (ja) 2007-04-09 2008-10-23 Sony Corp 表示装置、表示装置の製造方法および電子機器
JP2008287141A (ja) * 2007-05-21 2008-11-27 Sony Corp 表示装置及びその駆動方法と電子機器
US8421717B2 (en) 2007-12-19 2013-04-16 Panasonic Corporation Active matrix type display apparatus
JP2009237558A (ja) 2008-03-05 2009-10-15 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置の駆動方法
KR101269000B1 (ko) * 2008-12-24 2013-05-29 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광 디스플레이 장치 및 그 구동방법
KR101388286B1 (ko) * 2009-11-24 2014-04-22 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 그 구동방법
JP6050054B2 (ja) * 2011-09-09 2016-12-21 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
CN202422687U (zh) 2012-01-04 2012-09-05 京东方科技集团股份有限公司 一种像素单元驱动电路、像素单元和显示装置
US9036766B2 (en) 2012-02-29 2015-05-19 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
US10043794B2 (en) 2012-03-22 2018-08-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and electronic device
CN103226931B (zh) * 2013-04-27 2015-09-09 京东方科技集团股份有限公司 像素电路和有机发光显示器
JP2015025978A (ja) * 2013-07-26 2015-02-05 株式会社ジャパンディスプレイ 駆動回路、表示装置、及び駆動方法
JP6116706B2 (ja) * 2013-12-19 2017-04-19 シャープ株式会社 表示装置およびその駆動方法
CN104036731B (zh) * 2014-06-13 2016-03-23 京东方科技集团股份有限公司 像素电路和显示装置
US9640114B2 (en) * 2014-06-19 2017-05-02 Stmicroelectronics International N.V. Device comprising a matrix of active OLED pixels with brightness adjustment, and corresponding method
KR102244816B1 (ko) * 2014-08-25 2021-04-28 삼성디스플레이 주식회사 화소 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치용 기판
US11107429B2 (en) 2017-03-27 2021-08-31 Sharp Kabushiki Kaisha Active matrix substrate, liquid crystal display device, and organic EL display device
JP6732822B2 (ja) * 2018-02-22 2020-07-29 株式会社Ｊｏｌｅｄ 画素回路および表示装置
CN112349250B (zh) * 2020-11-20 2022-02-25 武汉天马微电子有限公司 一种显示面板以及驱动方法
CN114664254B (zh) * 2022-03-31 2023-08-01 武汉天马微电子有限公司 显示面板及其驱动方法、显示装置

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5952789A (en) * 1997-04-14 1999-09-14 Sarnoff Corporation Active matrix organic light emitting diode (amoled) display pixel structure and data load/illuminate circuit therefor
US6229506B1 (en) * 1997-04-23 2001-05-08 Sarnoff Corporation Active matrix light emitting diode pixel structure and concomitant method
KR100296113B1 (ko) * 1999-06-03 2001-07-12 구본준, 론 위라하디락사 전기발광소자
JP4092857B2 (ja) * 1999-06-17 2008-05-28 ソニー株式会社 画像表示装置
JP2001147659A (ja) * 1999-11-18 2001-05-29 Sony Corp 表示装置
TW493153B (en) * 2000-05-22 2002-07-01 Koninkl Philips Electronics Nv Display device
JP4123711B2 (ja) * 2000-07-24 2008-07-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学パネルの駆動方法、電気光学装置、および電子機器
KR100370286B1 (ko) * 2000-12-29 2003-01-29 삼성에스디아이 주식회사 전압구동 유기발광소자의 픽셀회로
JP3593982B2 (ja) * 2001-01-15 2004-11-24 ソニー株式会社 アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置、並びにそれらの駆動方法
TWI248319B (en) * 2001-02-08 2006-01-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and electronic equipment using the same
JP2002323873A (ja) * 2001-02-21 2002-11-08 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及び電子機器
CN1265339C (zh) * 2001-03-21 2006-07-19 佳能株式会社 有源矩阵型发光元件的驱动电路
JP3608614B2 (ja) * 2001-03-28 2005-01-12 株式会社日立製作所 表示装置
JP3610923B2 (ja) * 2001-05-30 2005-01-19 ソニー株式会社 アクティブマトリクス型表示装置およびアクティブマトリクス型有機エレクトロルミネッセンス表示装置、並びにそれらの駆動方法
JP2003005710A (ja) * 2001-06-25 2003-01-08 Nec Corp 電流駆動回路及び画像表示装置
TW554558B (en) * 2001-07-16 2003-09-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device
US6847171B2 (en) * 2001-12-21 2005-01-25 Seiko Epson Corporation Organic electroluminescent device compensated pixel driver circuit
TW588468B (en) * 2002-09-19 2004-05-21 Ind Tech Res Inst Pixel structure of active matrix organic light-emitting diode

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11984064B2 (en) 2020-08-12 2024-05-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display apparatus, its operating method, and electronic device

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