JPS5961116A - チツプ型固体電解コンデンサの製造方法 - Google Patents
チツプ型固体電解コンデンサの製造方法Info
- Publication number
- JPS5961116A JPS5961116A JP17120382A JP17120382A JPS5961116A JP S5961116 A JPS5961116 A JP S5961116A JP 17120382 A JP17120382 A JP 17120382A JP 17120382 A JP17120382 A JP 17120382A JP S5961116 A JPS5961116 A JP S5961116A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- solid electrolytic
- type solid
- chip
- capacitor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Thermistors And Varistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（ａ） 発明の技術分野
本発明はチップ型固体電解コンデンサの製造方法、特（
こ陽極用リード端子を必要としないで構成されたコンデ
ンサの量産的方法ｌこ関する。
こ陽極用リード端子を必要としないで構成されたコンデ
ンサの量産的方法ｌこ関する。
（ｂン 技術の背景
混成集！ｌ！回路基板やプリント板Ｃこ搭載されるチッ
プ型固体電解コン，デンサは、弁作用を有する陽極体ｌ
こ接続さ九たリード端子（リード線）を有する構造のも
のが一般的であった。
プ型固体電解コン，デンサは、弁作用を有する陽極体ｌ
こ接続さ九たリード端子（リード線）を有する構造のも
のが一般的であった。
しかし、かかるコンデンサは陰極とリード端子とをはん
だ付は等の手段ｌこて所定の回路パターンｌこ接続する
ための手段、例えばリード端子に適当な曲げ加工を施し
て該リード端子の接続部が陰極面と一致するように１．
たり、前記基板等のコンデンサ搭載面ζこ直状リード端
子が接続されるパッドを予め形成する等の手段を必要と
した。のみならず、陽極体ｔこタンタルを用いたコンデ
ンサはその製造工程で必要となるタンタル細を介しては
んだ付は可能なリード端子を陽極体に縦ぐ必要があり、
アルミニウムを陽極体としたコンデンサ６旧オんだ付け
ＨＪ能なリード端子を陽極体に直接接続できる反面、＃
接続した部分をテフロン等で保護したのち陽極体の波面
等を施す必要があった。従って、これらのコンデンサに
対し所定面へ搭載する、及び作成する際の前記欠点を改
善したいという要望力、ユーザ及びメーカの双方にあっ
た。
だ付は等の手段ｌこて所定の回路パターンｌこ接続する
ための手段、例えばリード端子に適当な曲げ加工を施し
て該リード端子の接続部が陰極面と一致するように１．
たり、前記基板等のコンデンサ搭載面ζこ直状リード端
子が接続されるパッドを予め形成する等の手段を必要と
した。のみならず、陽極体ｔこタンタルを用いたコンデ
ンサはその製造工程で必要となるタンタル細を介しては
んだ付は可能なリード端子を陽極体に縦ぐ必要があり、
アルミニウムを陽極体としたコンデンサ６旧オんだ付け
ＨＪ能なリード端子を陽極体に直接接続できる反面、＃
接続した部分をテフロン等で保護したのち陽極体の波面
等を施す必要があった。従って、これらのコンデンサに
対し所定面へ搭載する、及び作成する際の前記欠点を改
善したいという要望力、ユーザ及びメーカの双方にあっ
た。
そこで、本出願人は陽極と陰極とをほぼ同一面ｌこ形成
し、前記リード端子が不要となる構造のチップ型固体電
解コンデンサを昭和５７年５月２８日に出願（出願番号
；特願昭ｆｉ７−０９０６９３）した。
し、前記リード端子が不要となる構造のチップ型固体電
解コンデンサを昭和５７年５月２８日に出願（出願番号
；特願昭ｆｉ７−０９０６９３）した。
第１図は前記出願したチップ型固体電解コンデンサの代
表的構造例を示す断面図であり、コンデンサｌは弁作用
金属ζこてなる柱状陽極体２の中間部ｌこ鉢巻き環状テ
フロン３を固着し、テフロン３で仕切られた一方の陽極
体表面に誘電体層４を設け、その表面に半導体層５を設
け、その表面ζこグラファイト層６と銀層７とはんだ層
８とでなる導体層（陰極層）９が設けられている。そし
て、テフロン３で仕切られた他方の陽極体表面には半導
体層５′を設け、その表面ζこグラファイト層６′と銀
層７′とはんだ層８′にてなる導体層（陽極層）９′が
設けらｎている。
表的構造例を示す断面図であり、コンデンサｌは弁作用
金属ζこてなる柱状陽極体２の中間部ｌこ鉢巻き環状テ
フロン３を固着し、テフロン３で仕切られた一方の陽極
体表面に誘電体層４を設け、その表面に半導体層５を設
け、その表面ζこグラファイト層６と銀層７とはんだ層
８とでなる導体層（陰極層）９が設けられている。そし
て、テフロン３で仕切られた他方の陽極体表面には半導
体層５′を設け、その表面ζこグラファイト層６′と銀
層７′とはんだ層８′にてなる導体層（陽極層）９′が
設けらｎている。
（ｅＪ 発明の目的
本発明の目的は、第１図に示す如（＋１−ド端子を具備
しない構造のチップ型固体電解コンデンサを、高卵率に
生産する方法を提供することである。
しない構造のチップ型固体電解コンデンサを、高卵率に
生産する方法を提供することである。
（１）発明の構成
上記目的は、弁作用を有する金属板の不要部分を除去し
て複数の櫛歯体がそれぞれ一端で連結された櫛形状に形
成し、該櫛歯体の各中間部に電気的絶縁性樹脂の鉢巻き
環状体を被着して櫛歯体先端部と櫛歯体根本部に仕切り
、少なくとも該先端部表面には銹箱；体層と半導体層と
−ｊ７体層とを積層形成し、該根本部の連結部で切断し
たことを特徴とするチップ型固体電解コンデンサの製造
方法により達成さｎ、る。
て複数の櫛歯体がそれぞれ一端で連結された櫛形状に形
成し、該櫛歯体の各中間部に電気的絶縁性樹脂の鉢巻き
環状体を被着して櫛歯体先端部と櫛歯体根本部に仕切り
、少なくとも該先端部表面には銹箱；体層と半導体層と
−ｊ７体層とを積層形成し、該根本部の連結部で切断し
たことを特徴とするチップ型固体電解コンデンサの製造
方法により達成さｎ、る。
（ｅ） 発明の実施列
以下、図面を用いて本発明方法を説明する。
第２図は第１図に示したコンデンサとともに本発明方法
の対称ζなるコンデンサの構成例を示す側断面図であり
、第１図と共通部分には同一符号を記入したものである
。
の対称ζなるコンデンサの構成例を示す側断面図であり
、第１図と共通部分には同一符号を記入したものである
。
第２図（イ）において、コンデンサ１１は環状テフロン
３で仕切られた陽極体２の一方の表面に誘電体層４と半
導体層５と導体Ｗ４９を積層形成し、他方の表面Ｃ・こ
は導体Ｍ９’を形成して構成されたものである。
３で仕切られた陽極体２の一方の表面に誘電体層４と半
導体層５と導体Ｗ４９を積層形成し、他方の表面Ｃ・こ
は導体Ｍ９’を形成して構成されたものである。
第２図（ロ）において、コンデンサ２１は１対のコンテ
ンツ゛の陽極体を直結した無極性構造であり、環状テフ
ロン３で仕切られた陽極体２の一方の表面に誘電体層４
と半導体層５と導体層９を積層形成し、他方の表面に誘
電体層４′と半導体層５′と導体Ｍ ９ ／を形成して
構成されたものである。
ンツ゛の陽極体を直結した無極性構造であり、環状テフ
ロン３で仕切られた陽極体２の一方の表面に誘電体層４
と半導体層５と導体層９を積層形成し、他方の表面に誘
電体層４′と半導体層５′と導体Ｍ ９ ／を形成して
構成されたものである。
なお、第１図及び第２図において導体層９と９′は、グ
ラファイト層と＠層とはんだ層を積層形成されているが
、はんだ層を除く２層構呼のものもある。
ラファイト層と＠層とはんだ層を積層形成されているが
、はんだ層を除く２層構呼のものもある。
第３図１は本発明方法の主要工程を＋ｌｒｔ次示した平
面図であり、本発明方法になるコンデンサはまずＷ、３
図（イ）に示す如く、弁作用を有する所要厚さの帯状金
属板の不要部分をプレス加工等にて除去し、複数個の櫛
歯状陽析体３２の各一端が連結部材３！に連結された櫛
状体３１を作成する。
面図であり、本発明方法になるコンデンサはまずＷ、３
図（イ）に示す如く、弁作用を有する所要厚さの帯状金
属板の不要部分をプレス加工等にて除去し、複数個の櫛
歯状陽析体３２の各一端が連結部材３！に連結された櫛
状体３１を作成する。
次いで第３図（ロ）ｌこ示す如く、各陽極体３２の中間
部にζ誘電体層及び半導体層を形成させる等の後工程に
耐える撥水（、耐熱性、耐酸性を有するテフロン等の電
気的絶縁性樹脂の鉢巻き環状体い状テフロン）３４を別
途形成品の嵌着、又は樹脂液を塗付・乾燥（例えば２時
間の自然乾燥）したの含焼付け（例えば２００℃で３０
分間）で被着する。
部にζ誘電体層及び半導体層を形成させる等の後工程に
耐える撥水（、耐熱性、耐酸性を有するテフロン等の電
気的絶縁性樹脂の鉢巻き環状体い状テフロン）３４を別
途形成品の嵌着、又は樹脂液を塗付・乾燥（例えば２時
間の自然乾燥）したの含焼付け（例えば２００℃で３０
分間）で被着する。
次いで、所要（こより誘電体層が形成される陽極体３２
表面をエツチング手段で波面させたのち第３図（ハ）に
示す如く、テフロン３４で仕切らｎた各陽極体３２の先
端部及び根本部に、誘電体層と半導体層の所υ層を所定
′ｔＬｌこ浸漬して及び該浸漬したのち熱分解させる従
来手段で形成し、該所要層の表面に導体層３５と３６を
所定液（こ浸ｍする従ぞ 来手段で被着される。なおそれぞ扛の前記Ｄ１足液、即
ち弱酸系化成液や硝酸マンガン液やコロイダルグラファ
イト液及び溶融はんた液等に、連結をれた複数個の陽極
体３２を各層形成部位まで同時浸漬ζせるには、陽極体
３２が垂下するように櫛状体３１の連結部材３３を保持
し、該保持する機構を適宜艙だけ上丁動さゼて行なう。
表面をエツチング手段で波面させたのち第３図（ハ）に
示す如く、テフロン３４で仕切らｎた各陽極体３２の先
端部及び根本部に、誘電体層と半導体層の所υ層を所定
′ｔＬｌこ浸漬して及び該浸漬したのち熱分解させる従
来手段で形成し、該所要層の表面に導体層３５と３６を
所定液（こ浸ｍする従ぞ 来手段で被着される。なおそれぞ扛の前記Ｄ１足液、即
ち弱酸系化成液や硝酸マンガン液やコロイダルグラファ
イト液及び溶融はんた液等に、連結をれた複数個の陽極
体３２を各層形成部位まで同時浸漬ζせるには、陽極体
３２が垂下するように櫛状体３１の連結部材３３を保持
し、該保持する機構を適宜艙だけ上丁動さゼて行なう。
次いて、第３図に）Ｉこ示す如く各陽極体（３２）の連
結部（根本部中間）を切断し、チップ型固体ｉＩｃＭコ
ンデンサ３７が完成する。
結部（根本部中間）を切断し、チップ型固体ｉＩｃＭコ
ンデンサ３７が完成する。
なお、導体層３５と３６はグラファイト層に銀層を積層
１−また構成を基本とし、必要（こ応じて銀層の表面に
はんだ層が積層される。ただし、微細な間隙や孔にも浸
透して付着することを特命とするグラファイト層は、半
導体層の微細凹凸を埋め、高い導電性とはんだ付は性を
有する鋼層の密着性を確保する中間層である。従って、
陽極体３２の表面に直接被着される導体層３６は銀層の
み、又は銀層にはんだ層を積層して構成にすることがで
きる。
１−また構成を基本とし、必要（こ応じて銀層の表面に
はんだ層が積層される。ただし、微細な間隙や孔にも浸
透して付着することを特命とするグラファイト層は、半
導体層の微細凹凸を埋め、高い導電性とはんだ付は性を
有する鋼層の密着性を確保する中間層である。従って、
陽極体３２の表面に直接被着される導体層３６は銀層の
み、又は銀層にはんだ層を積層して構成にすることがで
きる。
また、導体／ＦＪ３５と３６の双方下方（こ形成される
誘電体層と半導体層は、環状テフロン３４を挾んでそれ
ぞれ同時形成させることができる。しかし、前記銀層は
高導電性であり導体層３５と３６の双方へ同時形成しｆ
こコンデンサに等体層間り）絶縁性がやや低下し、静電
容置が０．５〜０．７μＦて埃δが５％以下である該コ
ンデンサの漏れ電流は約１μＡであった。そこで、導体
層３５と３６そｎぞれの銀層を別工程で形成させたとこ
ろ、前記コンデンサの漏れ電流は約０．５μＡ）こ向上
した。
誘電体層と半導体層は、環状テフロン３４を挾んでそれ
ぞれ同時形成させることができる。しかし、前記銀層は
高導電性であり導体層３５と３６の双方へ同時形成しｆ
こコンデンサに等体層間り）絶縁性がやや低下し、静電
容置が０．５〜０．７μＦて埃δが５％以下である該コ
ンデンサの漏れ電流は約１μＡであった。そこで、導体
層３５と３６そｎぞれの銀層を別工程で形成させたとこ
ろ、前記コンデンサの漏れ電流は約０．５μＡ）こ向上
した。
さらに捷た、環状テフロン３４は陽極体３２の表面に誘
電体層を形成しその表面に半導体層を形成する工程にお
いて微細なりラックの発生することがあり、該クラック
がコロイダルグラファイト液に浸漬されるようにして導
体Ｗ１３５及び３６のグラファイト層を形成させると、
浸透性の良い該グラファイト液が該クラックに浸入し、
コンデンサ不良率の一要因（こなった。そこで第３図と
同等部分には同一符号を用いた＠４しｌの工程説明図に
示す方法、即ちまず第４図（イ）に示す如く、環状テフ
ロン３８ （第３図のテフロン３４の厚さ方向内側部分
に相当）で仕切られた陽極体３２の先端部表面に、誘電
体層３９（第１図の誘電体層４に相当）と半導体層４０
（第１図の半導体層５に相当）をｆｖＩｖｉ形成し、Ｉ
’！３ 橋体３２の根本部表面には半導体／？！４０’
（第１図の半導体層５′に相当）を形成させる。ただし
、テフロン３８のＩ’ｆさは防電体層３９．４二半導体
層４０の積層厚さと同等以上にする。次いで第４図（ロ
）（こ示す如く、テフロン３８の表面ｔこテフロン３８
と同質のテフロン液を塗付・乾燥させて環状テフロン３
８′（第３図のテフロン３４の）ワさ方向外側に相当）
を積層形成したのち、第４図（ハ）に示す如く半導体層
４０及び４０′の表面に、グラファイト液へ浸漬・焼付
けして、グラファイト層４１と４１′（第１図のグラフ
ァイト層６と６′に相当）を被着形成し、その表面それ
ぞれに銀層４２及び４２′（第１図の銀層６と６′に相
）被着させる。ただし、テフロン３８′の厚さはグラフ
ァイト層４１と銀層４２を含んで構成する導体層（３５
）の積層厚さと同等以上である。そして、テフロン３８
と３８′の２層構成にされたコンデンサは、半導体Ｍ３
９と３９′の被着により形成されたテフロン３８の欠陥
をテフロン３８′が補修するため、第３図に示す如く１
体形成されたテフロン３４ｉこてなるコンデンサｆこ比
べて不良率が低下（例えば不良率２〜３チ→１チ以下）
する。
電体層を形成しその表面に半導体層を形成する工程にお
いて微細なりラックの発生することがあり、該クラック
がコロイダルグラファイト液に浸漬されるようにして導
体Ｗ１３５及び３６のグラファイト層を形成させると、
浸透性の良い該グラファイト液が該クラックに浸入し、
コンデンサ不良率の一要因（こなった。そこで第３図と
同等部分には同一符号を用いた＠４しｌの工程説明図に
示す方法、即ちまず第４図（イ）に示す如く、環状テフ
ロン３８ （第３図のテフロン３４の厚さ方向内側部分
に相当）で仕切られた陽極体３２の先端部表面に、誘電
体層３９（第１図の誘電体層４に相当）と半導体層４０
（第１図の半導体層５に相当）をｆｖＩｖｉ形成し、Ｉ
’！３ 橋体３２の根本部表面には半導体／？！４０’
（第１図の半導体層５′に相当）を形成させる。ただし
、テフロン３８のＩ’ｆさは防電体層３９．４二半導体
層４０の積層厚さと同等以上にする。次いで第４図（ロ
）（こ示す如く、テフロン３８の表面ｔこテフロン３８
と同質のテフロン液を塗付・乾燥させて環状テフロン３
８′（第３図のテフロン３４の）ワさ方向外側に相当）
を積層形成したのち、第４図（ハ）に示す如く半導体層
４０及び４０′の表面に、グラファイト液へ浸漬・焼付
けして、グラファイト層４１と４１′（第１図のグラフ
ァイト層６と６′に相当）を被着形成し、その表面それ
ぞれに銀層４２及び４２′（第１図の銀層６と６′に相
）被着させる。ただし、テフロン３８′の厚さはグラフ
ァイト層４１と銀層４２を含んで構成する導体層（３５
）の積層厚さと同等以上である。そして、テフロン３８
と３８′の２層構成にされたコンデンサは、半導体Ｍ３
９と３９′の被着により形成されたテフロン３８の欠陥
をテフロン３８′が補修するため、第３図に示す如く１
体形成されたテフロン３４ｉこてなるコンデンサｆこ比
べて不良率が低下（例えば不良率２〜３チ→１チ以下）
する。
さらにまた、第３図に示した導体層３５と３６を構成す
る一方の銀層にニッケル等の磁性粉を混入、即ち何れか
一方の６層形成用銀塗料に磁性粉を混入し該双方の銀層
を別工程で塗付することにより、導体層３５と３６の一
方を磁気的ｆこ自動判別できるコンデンサが得らｎる。
る一方の銀層にニッケル等の磁性粉を混入、即ち何れか
一方の６層形成用銀塗料に磁性粉を混入し該双方の銀層
を別工程で塗付することにより、導体層３５と３６の一
方を磁気的ｆこ自動判別できるコンデンサが得らｎる。
（ｆ） 発明の詳細
な説明した如く本発明方法によれば、複数個の閤析体の
該陽極体の一連が連結される連結部材とを帯状金属板か
ら形成し、各陽極体表面に各種の所要層をパ、ｙチプロ
セスにて形成したのち、各陽極体連結部を切断してチッ
プ型固体電解コンデンサが完成さｎる。従って、個片Ｉ
こされた陽極体を使用する従来のチップ型固体電解コン
デンサ・バッチプロセスにおいて、帯状の連結部劇に陽
極体を接続するための線材及び該線材（陽極用リード線
を有するコンデンサは該リード、ｌｉ！ｉｔ）を該連結
部材へ接続する作業が不要となり、プリント板回路等に
接続される１対の導体層をほぼ同一面に配設したコンデ
ンサのＷ１産化を実坊した効果は極めて大きい。
該陽極体の一連が連結される連結部材とを帯状金属板か
ら形成し、各陽極体表面に各種の所要層をパ、ｙチプロ
セスにて形成したのち、各陽極体連結部を切断してチッ
プ型固体電解コンデンサが完成さｎる。従って、個片Ｉ
こされた陽極体を使用する従来のチップ型固体電解コン
デンサ・バッチプロセスにおいて、帯状の連結部劇に陽
極体を接続するための線材及び該線材（陽極用リード線
を有するコンデンサは該リード、ｌｉ！ｉｔ）を該連結
部材へ接続する作業が不要となり、プリント板回路等に
接続される１対の導体層をほぼ同一面に配設したコンデ
ンサのＷ１産化を実坊した効果は極めて大きい。
第１図は々１部排続される１対の２を体層をほぼ同一面
（こ形成したチップ型固体電解コンデンサの構成例を示
す９１＋断面図、第２図は前記コンデンサとともに本発
明方法の対称となるチップ型固体ＫＭコンデンサの構成
２例を示ず側断面図、第３図は本発明方法の主要工程を
説明するための平面図、第４図はコンデンサを構成する
半導体層の形成により第３３図の環状テフロンに生じた
欠陥を補修する一実施例の主要工程を説明するための側
断面図である。 なお図中において、１，１１．’２１．３７はチップ型
固体電解コンデンサ、２は陽極体、３，３４．３８．３
８′は環状テフロン（環状体）、４゜３９は誘電体層、
５．５’、４０．４０’にＪ半導体層、６．６’、４１
．４１’はグラファイト層、７．７’、４２．４２’は
銀層、８，８′ははんだ層、９．９’、３５．３６は導
体層、３１は櫛状体、３２は陽極体（櫛歯体）、３３は
連結部材を示す・
（こ形成したチップ型固体電解コンデンサの構成例を示
す９１＋断面図、第２図は前記コンデンサとともに本発
明方法の対称となるチップ型固体ＫＭコンデンサの構成
２例を示ず側断面図、第３図は本発明方法の主要工程を
説明するための平面図、第４図はコンデンサを構成する
半導体層の形成により第３３図の環状テフロンに生じた
欠陥を補修する一実施例の主要工程を説明するための側
断面図である。 なお図中において、１，１１．’２１．３７はチップ型
固体電解コンデンサ、２は陽極体、３，３４．３８．３
８′は環状テフロン（環状体）、４゜３９は誘電体層、
５．５’、４０．４０’にＪ半導体層、６．６’、４１
．４１’はグラファイト層、７．７’、４２．４２’は
銀層、８，８′ははんだ層、９．９’、３５．３６は導
体層、３１は櫛状体、３２は陽極体（櫛歯体）、３３は
連結部材を示す・
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ＋１） 弁作用を有する金属板の不要部分を除去して
複数の櫛歯体がそれぞれ一端で連結部ｎた櫛形状に形成
し、該櫛歯体の各中間部（ζ電気的絶縁性樹脂の鉢巻き
環状体を被着して櫛歯体先端部と＠歯体根本部９こ仕切
り、少なくとも該先端部表面にＣＩ誘電体層と半導体層
と導体層とを積層形成し、該根本部の連結部で切断した
ことを特徴とするチップ型固体電解コンデンサの製造方
法。 （２） 前記先端部と前記根本部それぞれに形成する
前記誘電体層、半導体層、導体層は同種層を同一工程で
形成させることを特徴とする前記ＱＦ？’ｒ請求の範囲
第（１）項ζこ記載したチップ型固体電解コンデンサの
＃遣方法。 （３） 前記根本部ζこ形成する導体、ｌ１ＩＪはニ
ッケル等の磁性粉末を混入して、導電性ペーストを塗着
・焼付けてなることを特徴とする特許 第（１１項Ｃこ記載したチップ型固体電解コンデンサの
製造方法。 （４）前記導体層はグラファイト層ｔこ導電層を積層し
てなり、該グラファイト層の形成に先立ち前記環状体の
表面ｌこ前記電気的絶縁性樹脂の層を形成させたことを
特徴とする前記特Ｆｒｔ＊求の範囲第（１）項ζこ記載
したチップ型固体電解コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17120382A JPS5961116A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | チツプ型固体電解コンデンサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17120382A JPS5961116A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | チツプ型固体電解コンデンサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5961116A true JPS5961116A (ja) | 1984-04-07 |
Family
ID=15918927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17120382A Pending JPS5961116A (ja) | 1982-09-30 | 1982-09-30 | チツプ型固体電解コンデンサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5961116A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63232413A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | 日通工株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH0233426U (ja) * | 1988-08-25 | 1990-03-02 | ||
| JPH0282023U (ja) * | 1988-12-15 | 1990-06-25 | ||
| JP2011018712A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
-
1982
- 1982-09-30 JP JP17120382A patent/JPS5961116A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63232413A (ja) * | 1987-03-20 | 1988-09-28 | 日通工株式会社 | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
| JPH0233426U (ja) * | 1988-08-25 | 1990-03-02 | ||
| JPH0282023U (ja) * | 1988-12-15 | 1990-06-25 | ||
| JP2011018712A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-01-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 固体電解コンデンサ及びその製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US3612963A (en) | Multilayer ceramic capacitor and process | |
| US4090288A (en) | Solid electrolyte capacitor with metal loaded resin end caps | |
| US20100302704A1 (en) | Laminated electronic component and manufacturing method therefor | |
| US4494299A (en) | Method of manufacturing solid electrolytic capacitors | |
| JP2700978B2 (ja) | 電子部品及びその製造方法 | |
| JPS5961116A (ja) | チツプ型固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JP2000182883A (ja) | 積層セラミック電子部品の製造方法 | |
| US4356608A (en) | Method for the manufacture of layer capacitors | |
| JPH0696986A (ja) | 積層セラミックコンデンサ並びにその製造方法 | |
| US3646404A (en) | Solid-state electrolytic capacitor and method of making same | |
| US20050229388A1 (en) | Multi-layer ceramic chip varistor device surface insulation method | |
| JPH0122975B2 (ja) | ||
| JPS6014416A (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JPS6032348B2 (ja) | 電子部品の製造方法 | |
| JPS5846161B2 (ja) | 耐熱性絶縁体基板の導電端子 | |
| JP2641010B2 (ja) | チップ状電子部品 | |
| JPH0119249B2 (ja) | ||
| JPS6132808B2 (ja) | ||
| JPS6132807B2 (ja) | ||
| JPH04329616A (ja) | 積層形電子部品 | |
| JPS6017902Y2 (ja) | 固体電解コンデンサ | |
| JPS5963716A (ja) | 固体電解コンデンサの製造方法 | |
| JPH0314040Y2 (ja) | ||
| JP2778441B2 (ja) | チップ型固体電解コンデンサおよびその製造方法 | |
| JPS5839051A (ja) | 絶縁基板に誘電体を形成する方法 |