JPS5852267A - 不飽和スルホンの製造方法 - Google Patents
不飽和スルホンの製造方法Info
- Publication number
- JPS5852267A JPS5852267A JP14922781A JP14922781A JPS5852267A JP S5852267 A JPS5852267 A JP S5852267A JP 14922781 A JP14922781 A JP 14922781A JP 14922781 A JP14922781 A JP 14922781A JP S5852267 A JPS5852267 A JP S5852267A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- formula
- terpene
- general formula
- allyl chloride
- sulfone
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、アリルクロライド誘導体のスルホニル化によ
る不飽和スルホンの製造方法に関するものである。
る不飽和スルホンの製造方法に関するものである。
本発明によって得られる第一級スルホン類はビタミンに
類、ビタミンE類、ユビキノン類、抗−潰瘍性治療剤な
どの医薬あるいは香料やフェロモンなどの分子内にポリ
プレニル単位な有する種々の化合物を製造するための重
要な中間体となる。
類、ビタミンE類、ユビキノン類、抗−潰瘍性治療剤な
どの医薬あるいは香料やフェロモンなどの分子内にポリ
プレニル単位な有する種々の化合物を製造するための重
要な中間体となる。
従来これらの分子内にポリプレニル単位を有する化合物
の製造にはその原料となるゲラニオール、リナロール等
のテルペンアルコールの誘導体の末端イソプロピリデン
基の化学修飾によ(式中Xはctt、0Lso2@aH
,so、[相]等を表わす。) で表わされる中間体を合成することが重要な問題となっ
ていた。
の製造にはその原料となるゲラニオール、リナロール等
のテルペンアルコールの誘導体の末端イソプロピリデン
基の化学修飾によ(式中Xはctt、0Lso2@aH
,so、[相]等を表わす。) で表わされる中間体を合成することが重要な問題となっ
ていた。
このため、種々の化学修飾手法が発表されているが実用
的には必ずしも充分とはいえない。
的には必ずしも充分とはいえない。
例えば
1)−重項酸素反応によるアリルアルコール類の合成〔
アール、ダブリュー、ディニー等、オルガニック、リア
クション、20 155(1975)) 2)二酸化セレンによるアルデヒドの合成法〔エル、テ
、イー、アルドマン等、シンセシス、129(1974
)) 3)ベンゼンスルフィン酸クロライドを付加させ、酸化
転位させる方法〔特開昭54−9211〕 4)過酸によるエポキシ化、続いて塩基による開環異性
化、さらにハロゲン化・、スルホン化合物な得る方法〔
特開昭55−84908、特開昭54−765073 などが知られているが、これらの反応に反応収率が低い
こと、工程数が多いこと、あるいは大量合成に不利であ
るなどの1問題点を有している。
アール、ダブリュー、ディニー等、オルガニック、リア
クション、20 155(1975)) 2)二酸化セレンによるアルデヒドの合成法〔エル、テ
、イー、アルドマン等、シンセシス、129(1974
)) 3)ベンゼンスルフィン酸クロライドを付加させ、酸化
転位させる方法〔特開昭54−9211〕 4)過酸によるエポキシ化、続いて塩基による開環異性
化、さらにハロゲン化・、スルホン化合物な得る方法〔
特開昭55−84908、特開昭54−765073 などが知られているが、これらの反応に反応収率が低い
こと、工程数が多いこと、あるいは大量合成に不利であ
るなどの1問題点を有している。
本発明者らはこれらの問題点を解決するために、鋭意研
究な重ねた結果、一般式(6)で表わされるテルペン化
合物を特殊な塩素化剤である塩素化イソシアヌール酸で
塩素化することにより、容易に前述の一般式(1)のア
リルクロライド誘導体に転化せしめることが出来ること
を見出した。
究な重ねた結果、一般式(6)で表わされるテルペン化
合物を特殊な塩素化剤である塩素化イソシアヌール酸で
塩素化することにより、容易に前述の一般式(1)のア
リルクロライド誘導体に転化せしめることが出来ること
を見出した。
一般式 (5)R△人
発明者らは、更に一般式(1)の化合物のスルホン化に
ついて、検討し、一段の反応で一般式(8)の化合物を
得ることに成功し、本発明を完成させた。
ついて、検討し、一段の反応で一般式(8)の化合物を
得ることに成功し、本発明を完成させた。
本発明によりポリプレニル単位合成の従来手法がいかに
短絡されることを示すと次の通りである。
短絡されることを示すと次の通りである。
ポリプレニル化手法
従来方法 本発明を利用する方法
以下に本発明の新規スルホン化法について更に詳細に述
べる。
以下に本発明の新規スルホン化法について更に詳細に述
べる。
まず原料となる了りルクロライド誇導体を具体的に示せ
ば、末端にインプロピリデン基を有する (1)ミルセン、オシメン等のテルペン系炭化水素 (ii) ’y’ 5ニオール、ネロール、シトロネロ
ール、リナロール等のテルペンアルコール (in)ゲラニルアセテート、ネリルアセテート、ファ
ルネシルアセテート等のテルペンアルコールのエステル
類 OV)ケラニルベンジルエーテル、ケラニルエチルエー
テル等のテルペンアルコールのエーテル類 (■)末端にインプロピリデン基をもつ以下の構等を塩
素化して見られた一般式(1)の化合物を例示できる。
ば、末端にインプロピリデン基を有する (1)ミルセン、オシメン等のテルペン系炭化水素 (ii) ’y’ 5ニオール、ネロール、シトロネロ
ール、リナロール等のテルペンアルコール (in)ゲラニルアセテート、ネリルアセテート、ファ
ルネシルアセテート等のテルペンアルコールのエステル
類 OV)ケラニルベンジルエーテル、ケラニルエチルエー
テル等のテルペンアルコールのエーテル類 (■)末端にインプロピリデン基をもつ以下の構等を塩
素化して見られた一般式(1)の化合物を例示できる。
(zはメトキシメチル等保護基)本発明で用いられるス
ルホン化剤は一般式(2)で示され、それらの無水物、
2水塩、4水塩のいずれも使用できる。
ルホン化剤は一般式(2)で示され、それらの無水物、
2水塩、4水塩のいずれも使用できる。
具体的にHP−)ルエンスルフィ/li!ナトリウム4
水塩、ベンゼンスルフィシ酸ナトリウム2水塩等を例示
できる。
水塩、ベンゼンスルフィシ酸ナトリウム2水塩等を例示
できる。
原料アリルクロライド銹導体に対するスルホン化剤の使
用ftr1当モル以上であれば、その転化率はほぼ10
0%となるが、経済的見地から、アリルクロライド銹導
体1モルに対し、スルホン化剤が、tO〜12モル量程
度が好ましい。
用ftr1当モル以上であれば、その転化率はほぼ10
0%となるが、経済的見地から、アリルクロライド銹導
体1モルに対し、スルホン化剤が、tO〜12モル量程
度が好ましい。
本発明に従うスルホン化反応は、窒素ガスのような不活
性ガス気流下、ジメチルホルムアミド等の溶媒による希
釈下で行なうことが好ましい。
性ガス気流下、ジメチルホルムアミド等の溶媒による希
釈下で行なうことが好ましい。
反応は50℃から150℃までの広い温度範囲で行うこ
とができるが、80℃〜140℃の範囲がより好ましい
。
とができるが、80℃〜140℃の範囲がより好ましい
。
低い温度では一般式(6)のアリルタイプの第二級スル
ホン化合物を多く生成する。
ホン化合物を多く生成する。
5o2R’
一般式(6)の化合物は高温で処理することにより、目
的の一般式(3)で示す第一級スルホンに転化せしめる
ことが出来る。
的の一般式(3)で示す第一級スルホンに転化せしめる
ことが出来る。
反貯終了ih冷却し、水とエーテルを加え、エーテル層
なさらに水洗し、過剰スルホン化剤を除いた後、無水硫
酸す) IJウムで脱水乾燥し、濃縮することにより生
成スルホンが得られる。
なさらに水洗し、過剰スルホン化剤を除いた後、無水硫
酸す) IJウムで脱水乾燥し、濃縮することにより生
成スルホンが得られる。
さらに必要に応じ、シリカゲルカラムを使用することに
より、生成した第一級スルホンと第二級スルホンを分離
することができる。
より、生成した第一級スルホンと第二級スルホンを分離
することができる。
以下に実施例を挙げて本発明方法をさらに具体的に説明
するが、これによって本発明が何ら限定されるものでは
ない。
するが、これによって本発明が何ら限定されるものでは
ない。
実施例1
酢酸ゲラニル59.2 Or (CL 2モル)をnヘ
キサン809に溶解し、−10−0’Cに保ちながらト
リクロールイソシアヌール酸粉末(8駁化学製ハイライ
ト90F、トリクロールイソシアヌール酸含119F1
%以上) 19. Of (α24当t)を30分かけ
て徐々に添′加した。
キサン809に溶解し、−10−0’Cに保ちながらト
リクロールイソシアヌール酸粉末(8駁化学製ハイライ
ト90F、トリクロールイソシアヌール酸含119F1
%以上) 19. Of (α24当t)を30分かけ
て徐々に添′加した。
1時間−5〜0℃に保持し食後、少量の反応液を採取し
、ガスクロマトグラフィーによる分析を行なった所、若
干の未反応酢酸ゲラニルが検出された。五〇2(α04
当t)のトリクロールイソシアヌール酸粉末を加え、更
に−5−0℃に2時間保持した。ガスクロマトグラフィ
ーによる分析でμ灰石終了時未反応酢酸ゲラニルは検出
されなかった。
、ガスクロマトグラフィーによる分析を行なった所、若
干の未反応酢酸ゲラニルが検出された。五〇2(α04
当t)のトリクロールイソシアヌール酸粉末を加え、更
に−5−0℃に2時間保持した。ガスクロマトグラフィ
ーによる分析でμ灰石終了時未反応酢酸ゲラニルは検出
されなかった。
反応液を濾過し、未反応トリクロールイソ7アヌール酸
及び副生シアヌール酸を白色固体として戸別した。白色
固体をnヘキサン20M!で洗浄し、F液と洗液を合せ
、50111tの蒸留水で2回洗浄、N−チオ硫酸ソー
ダ水溶液50−11%Na 2(1!OB水溶液50d
で各1回洗浄し、最後に50dの蒸留水で2回洗浄した
。
及び副生シアヌール酸を白色固体として戸別した。白色
固体をnヘキサン20M!で洗浄し、F液と洗液を合せ
、50111tの蒸留水で2回洗浄、N−チオ硫酸ソー
ダ水溶液50−11%Na 2(1!OB水溶液50d
で各1回洗浄し、最後に50dの蒸留水で2回洗浄した
。
えられたnヘキサン溶液に無水硫酸ソーダ152を投入
し一晩装置乾燥した。無水硫酸ソーダを戸別し、nヘキ
サンを減圧留去し、淡黄色油状物43.559をえた。
し一晩装置乾燥した。無水硫酸ソーダを戸別し、nヘキ
サンを減圧留去し、淡黄色油状物43.559をえた。
ガスクロマ・トゲラフイーによる純度分析な行った所目
的としたアリルクロライド体の純度u 90.1%であ
った。
的としたアリルクロライド体の純度u 90.1%であ
った。
得られた淡黄色油状物5.15 f (アリルクロライ
ド体含有量0102モル)、Pトルエンスルフィン酸ソ
ーダ4水塩(0,05モル)とDM?30′yな窒素ガ
ス気流中下110’C7時間加熱した。
ド体含有量0102モル)、Pトルエンスルフィン酸ソ
ーダ4水塩(0,05モル)とDM?30′yな窒素ガ
ス気流中下110’C7時間加熱した。
冷却後、反応液にエーテル200m、水100ゴを加え
、エーテル層と水層に分離した。
、エーテル層と水層に分離した。
水層を10ローのエーテルで抽出し、抽出エーテルを先
のエーテル層と一諸にし、水50dで3回洗浄した。見
られたニーデル層に無水硫酸ソーダ15rを加え、−晩
装置乾燥した。
のエーテル層と一諸にし、水50dで3回洗浄した。見
られたニーデル層に無水硫酸ソーダ15rを加え、−晩
装置乾燥した。
無水硫酸ソーダを戸別し、エーテルを減圧留去した。黄
色油状物7.099をえた。
色油状物7.099をえた。
ガスクロマトグラフィーによる分析を実施し、以下の結
果をえた。
果をえた。
第−級スルホン [L0155モAr−76,5%第
二級スルホ/ α0027モル 1五5%更に
油状物よりシリカゲルカラムでi−級スルホンを単離精
製し、赤外線吸収、質量測定、H唱S −NMR測定 C−NMR測定結果から1−アセトオ
キシ−47−ジ4チル−8−トシル−λ6−オクタジエ
ンであることを確認した。
二級スルホ/ α0027モル 1五5%更に
油状物よりシリカゲルカラムでi−級スルホンを単離精
製し、赤外線吸収、質量測定、H唱S −NMR測定 C−NMR測定結果から1−アセトオ
キシ−47−ジ4チル−8−トシル−λ6−オクタジエ
ンであることを確認した。
実施例2
ゲラニルベンジルエーテルを塩素化し、シリカゲルカラ
ムを用いて単離精製したアリルクロライド体2.79f
を用い実施例と同様に130℃、5時間灰石させた。
ムを用いて単離精製したアリルクロライド体2.79f
を用い実施例と同様に130℃、5時間灰石させた。
反屯液なガスクロマトグラフィーで分析し、以下の結果
なえ次。
なえ次。
第一級スルホン 収率 72.0%第二級スルホン
収率 211% 実施例1と同様に第一級スルホンな単離精製し、構造を
確認した。
収率 211% 実施例1と同様に第一級スルホンな単離精製し、構造を
確認した。
特許出願人 日産化学工業株式会社
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 末端にインプロピリデン基を有するテルペン系炭化水素
、テルペン系、アルコール、テルペン系アルコールのエ
ステルもしくハエーテルナ塩素化してえられた一般式(
1)で表わされるアリルクロライド誘導体と一般式(2
)で表わされるスルホン化剤とを反応させることな特徴
とする一般式(8)で表わされる不飽和スルホンの製造
方法。 しL 一般式 (2) R’ SOzNa(式中R′はア
リール基)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14922781A JPS5852267A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 不飽和スルホンの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP14922781A JPS5852267A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 不飽和スルホンの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS5852267A true JPS5852267A (ja) | 1983-03-28 |
Family
ID=15470639
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP14922781A Pending JPS5852267A (ja) | 1981-09-21 | 1981-09-21 | 不飽和スルホンの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS5852267A (ja) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63227564A (ja) * | 1987-03-17 | 1988-09-21 | Kuraray Co Ltd | アリルスルホンの製造法 |
JPS63250364A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-18 | Kuraray Co Ltd | ゲラニルフエニルスルホンの製造方法 |
JPS63250363A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-18 | Kuraray Co Ltd | シクロゲラニルフエニルスルホンの製造方法 |
US6208396B1 (en) | 1996-10-25 | 2001-03-27 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Normally white mode twisted nematic liquid crystal display device having improved viewing angle characteristics |
-
1981
- 1981-09-21 JP JP14922781A patent/JPS5852267A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63227564A (ja) * | 1987-03-17 | 1988-09-21 | Kuraray Co Ltd | アリルスルホンの製造法 |
JPS63250364A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-18 | Kuraray Co Ltd | ゲラニルフエニルスルホンの製造方法 |
JPS63250363A (ja) * | 1987-04-06 | 1988-10-18 | Kuraray Co Ltd | シクロゲラニルフエニルスルホンの製造方法 |
US6208396B1 (en) | 1996-10-25 | 2001-03-27 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Normally white mode twisted nematic liquid crystal display device having improved viewing angle characteristics |
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