JPH0534729B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPH0534729B2 JPH0534729B2 JP62053301A JP5330187A JPH0534729B2 JP H0534729 B2 JPH0534729 B2 JP H0534729B2 JP 62053301 A JP62053301 A JP 62053301A JP 5330187 A JP5330187 A JP 5330187A JP H0534729 B2 JPH0534729 B2 JP H0534729B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- recording layer
- magnetic recording
- recording medium
- forming
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 claims description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical group [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 4
- QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N methane;molecular fluorine Chemical group C.FF QLOAVXSYZAJECW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WZKSXHQDXQKIQJ-UHFFFAOYSA-N F[C](F)F Chemical group F[C](F)F WZKSXHQDXQKIQJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000001183 hydrocarbyl group Chemical group 0.000 claims 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 claims 1
- 239000002120 nanofilm Substances 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 125000001153 fluoro group Chemical group F* 0.000 description 3
- 239000000314 lubricant Substances 0.000 description 3
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001566 austenite Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical group 0.000 description 2
- 239000006247 magnetic powder Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 2
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 2
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N Butyraldehyde Chemical compound CCCC=O ZTQSAGDEMFDKMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Chemical compound CC(C)CC(C)=O NTIZESTWPVYFNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N Methyl isobutyl ketone Natural products CCC(C)C(C)=O UIHCLUNTQKBZGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910018106 Ni—C Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N buta-1,3-diyne Chemical group C#CC#C LLCSWKVOHICRDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000004132 cross linking Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 150000005671 trienes Chemical class 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y30/00—Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
- B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
- B05D1/18—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping
- B05D1/185—Processes for applying liquids or other fluent materials performed by dipping applying monomolecular layers
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/64—Record carriers characterised by the selection of the material comprising only the magnetic material without bonding agent
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/725—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing a lubricant, e.g. organic compounds
- G11B5/7253—Fluorocarbon lubricant
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Composite Materials (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Of Magnetic Record Carriers (AREA)
- Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、磁気等の記録媒体およびその製造方
法に関するものである。さらに詳しくは、磁気テ
ープ、磁気デイスク、磁気カード、光磁気デイス
ク等の磁気記録媒体の記録層の保護膜形成方法お
よびその方法を用いて製造される磁気記録媒体に
関するものである。
法に関するものである。さらに詳しくは、磁気テ
ープ、磁気デイスク、磁気カード、光磁気デイス
ク等の磁気記録媒体の記録層の保護膜形成方法お
よびその方法を用いて製造される磁気記録媒体に
関するものである。
従来の技術
従来より、磁気記録媒体には、大きく別けて塗
布型と蒸着型がある。
布型と蒸着型がある。
塗布型の磁気記録媒体では、一般にFe2O3やCo
を添加したγ−Fe2O3等の磁性粉末をポリビニー
ル、ブチラール、トリエン、メチルイソブチルケ
トン等の混合分散して塗料化し、媒体基体表面に
４〜5μｍの厚みで塗布する方法である。
を添加したγ−Fe2O3等の磁性粉末をポリビニー
ル、ブチラール、トリエン、メチルイソブチルケ
トン等の混合分散して塗料化し、媒体基体表面に
４〜5μｍの厚みで塗布する方法である。
発明が解決しようとする問題点
この方法では製造が容易な半面、磁性粉末を小
さくすることに限界があり、高密度記録用として
は性能が不十分であつた。
さくすることに限界があり、高密度記録用として
は性能が不十分であつた。
一方、蒸着型の磁気記録媒体では、記録密度は
塗布型に比べ良くなるが、磁性金属層が表面に出
ているため耐久性に問題がある。そこで、1000〜
2000Åの金属を電子ビームやスパツタ法で蒸着し
た上へ、オーバーコートを行い、さらに磁気記録
媒体表面に潤滑性を与えるために滑剤を塗布して
いるが、まだ十分な耐久性が得られていない現状
である。さらに、オーバーコートや滑剤の塗布を
薄く均一に行えないため、記録用の磁気ヘツドと
記録層のギヤツプが大きくなり、蒸着型本来の高
密度記録が十分発揮できない状況である。
塗布型に比べ良くなるが、磁性金属層が表面に出
ているため耐久性に問題がある。そこで、1000〜
2000Åの金属を電子ビームやスパツタ法で蒸着し
た上へ、オーバーコートを行い、さらに磁気記録
媒体表面に潤滑性を与えるために滑剤を塗布して
いるが、まだ十分な耐久性が得られていない現状
である。さらに、オーバーコートや滑剤の塗布を
薄く均一に行えないため、記録用の磁気ヘツドと
記録層のギヤツプが大きくなり、蒸着型本来の高
密度記録が十分発揮できない状況である。
以上述べてきた従来法の欠点に鑑み、本発明の
目的は、オーバーコートや滑剤をより薄く均一に
且つピンホール無く行う方法を提供し、蒸着型磁
気記録媒体の信頼性を向上させると共に高密度記
録を実現することにある。
目的は、オーバーコートや滑剤をより薄く均一に
且つピンホール無く行う方法を提供し、蒸着型磁
気記録媒体の信頼性を向上させると共に高密度記
録を実現することにある。
問題点を解決するための手段
本発明は、媒体基体上に形成された記録層の上
にフツ化炭素鎖と炭化水素鎖を含み化学式CF3−
（CF2）n−（CH2）o−SiCl3（ｍ、ｎは整数）で表わ
されるシラン界面活性剤よりなる化学吸着単分子
保護膜がトリフツ化炭素基（−CF3）を表面に並
べた状態で重合形成されている記録媒体、及び媒
体基体表面に記録層を形成する工程と、フツ化炭
素鎖と炭化水素鎖を含み、化学式CF3−（CF2）n−
（CH2）o−SiCl3（ｍ、ｎは整数）で表わされるシ
ラン界面活性剤を化学吸着させてトリフツ化炭素
基（−CF3）を表面に並べた状態の単分子膜状の
保護膜を形成する工程を含む記録媒体の製造方法
を提供するものである。
にフツ化炭素鎖と炭化水素鎖を含み化学式CF3−
（CF2）n−（CH2）o−SiCl3（ｍ、ｎは整数）で表わ
されるシラン界面活性剤よりなる化学吸着単分子
保護膜がトリフツ化炭素基（−CF3）を表面に並
べた状態で重合形成されている記録媒体、及び媒
体基体表面に記録層を形成する工程と、フツ化炭
素鎖と炭化水素鎖を含み、化学式CF3−（CF2）n−
（CH2）o−SiCl3（ｍ、ｎは整数）で表わされるシ
ラン界面活性剤を化学吸着させてトリフツ化炭素
基（−CF3）を表面に並べた状態の単分子膜状の
保護膜を形成する工程を含む記録媒体の製造方法
を提供するものである。
作 用
本発明によれば、形成される化学吸着単分子膜
は（フツ素原子）トリフツ化炭素基（−CF3）を
表面に並べた状態で形成され、ヘツドの滑り性の
向上すなわち耐磨耗性の向上に大きく寄与し、か
つピンホールもなく均一かつ薄い膜が形成でき、
高性能磁気記録媒体の実現に好適となるものであ
る。
は（フツ素原子）トリフツ化炭素基（−CF3）を
表面に並べた状態で形成され、ヘツドの滑り性の
向上すなわち耐磨耗性の向上に大きく寄与し、か
つピンホールもなく均一かつ薄い膜が形成でき、
高性能磁気記録媒体の実現に好適となるものであ
る。
実施例
以下、実施例を第１，２図を用いて説明する。
例えば、第１図に示すように、磁気記録用デイス
ク基板（媒体基体）１上にスパツタ蒸着等により
形成された磁気記録層（Fe−Ni、Ni−C2……等
の磁性金属や磁性金属酸化膜）２が形成された
後、全面化学吸着法によりフツ素原子を含むシラ
ン界面活性剤を吸着させてシラン界面活性剤より
なる単分子の保護膜３を形成する。例えば、シラ
ン界面活性剤としてCF3−（CF2）n−（CH2）o−
SiCl3（ｍ、ｎ：整数、５〜15が程度が最も扱いや
すい）を用い、２×10-3〜5.0×10-2Mol／程度
の濃度で溶した80％ｎ−ヘキサン、12％四塩化炭
素、８％クロロホルム溶液を調整し、前記磁気記
録層の形成された媒体基体を浸漬すると、磁気記
録層として蒸着された金属表面はナチユラルオキ
サイドが形成されているので表面でCF3− の結合が生成され、フツ素原子を含むシラン界面
活性剤による単分子膜４よりなる滑性の優れた保
護膜３がトリフツ化炭素基（−CF3）５が表面に
並んだ状態で一層（20〜30Åの厚み）形成される
（第２図）。
例えば、第１図に示すように、磁気記録用デイス
ク基板（媒体基体）１上にスパツタ蒸着等により
形成された磁気記録層（Fe−Ni、Ni−C2……等
の磁性金属や磁性金属酸化膜）２が形成された
後、全面化学吸着法によりフツ素原子を含むシラ
ン界面活性剤を吸着させてシラン界面活性剤より
なる単分子の保護膜３を形成する。例えば、シラ
ン界面活性剤としてCF3−（CF2）n−（CH2）o−
SiCl3（ｍ、ｎ：整数、５〜15が程度が最も扱いや
すい）を用い、２×10-3〜5.0×10-2Mol／程度
の濃度で溶した80％ｎ−ヘキサン、12％四塩化炭
素、８％クロロホルム溶液を調整し、前記磁気記
録層の形成された媒体基体を浸漬すると、磁気記
録層として蒸着された金属表面はナチユラルオキ
サイドが形成されているので表面でCF3− の結合が生成され、フツ素原子を含むシラン界面
活性剤による単分子膜４よりなる滑性の優れた保
護膜３がトリフツ化炭素基（−CF3）５が表面に
並んだ状態で一層（20〜30Åの厚み）形成される
（第２図）。
なお、上記実施例では、磁気デイスクを例にし
て説明したが、磁気テープ、磁気カード、さらに
媒体基体にPMMA等の透明体を用いれば光磁気
記録媒体へ応用できることは言うまでもない。
て説明したが、磁気テープ、磁気カード、さらに
媒体基体にPMMA等の透明体を用いれば光磁気
記録媒体へ応用できることは言うまでもない。
また、本発明は、磁気記録媒体の保護膜形成以
外にも、光記録媒体や半導体素子の保護膜として
も応用可能である。
外にも、光記録媒体や半導体素子の保護膜として
も応用可能である。
以上述べてきた実施例は、基体として磁気記録
媒体を用いて説明してきたが、光デイスク、レコ
ード等耐磨耗性を向上したり、表面保護を目的と
する全てのものに使用できることは明らかであ
る。
媒体を用いて説明してきたが、光デイスク、レコ
ード等耐磨耗性を向上したり、表面保護を目的と
する全てのものに使用できることは明らかであ
る。
なお、化学吸着用の材料として、ジアセチレン
系の誘導体〔例えばCF3−（CF2）n−（CH2）o−Ｃ
≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−（CH2）l−SiCl3（ｎ、ｍ、ｌ：整
数）等〕を用いた場合には、紫外線照射により架
橋を生成させ面方向の導電性を持たすことがで
き、基体表面の帯電を防止することも可能であ
る。
系の誘導体〔例えばCF3−（CF2）n−（CH2）o−Ｃ
≡Ｃ−Ｃ≡Ｃ−（CH2）l−SiCl3（ｎ、ｍ、ｌ：整
数）等〕を用いた場合には、紫外線照射により架
橋を生成させ面方向の導電性を持たすことがで
き、基体表面の帯電を防止することも可能であ
る。
発明の効果
以上述べてきた本発明により、磁気記録媒体等
の表面に高密度の有機薄膜をピンホール無く、均
一厚みで、非常に薄く形成できる。従つて、基体
が磁気記録媒体等の場合、記録再生ヘツドの効率
が向上し、ノイズも減少でき、効果大なるもので
ある。すなわち、本発明の方法により基体表面に
超薄膜をコートすることにより、ピンホールフリ
ーで均一膜厚の有機薄膜が得られる。
の表面に高密度の有機薄膜をピンホール無く、均
一厚みで、非常に薄く形成できる。従つて、基体
が磁気記録媒体等の場合、記録再生ヘツドの効率
が向上し、ノイズも減少でき、効果大なるもので
ある。すなわち、本発明の方法により基体表面に
超薄膜をコートすることにより、ピンホールフリ
ーで均一膜厚の有機薄膜が得られる。
なお、形成された単分子膜は、第２図に示した
ごとくトリフツ化炭素基（−CF3）を表面に並べ
た状態で形成されるので滑性が極めて高く、ヘツ
ドの滑り性の向上すなわち、耐磨耗性向上に効果
大なるものである。
ごとくトリフツ化炭素基（−CF3）を表面に並べ
た状態で形成されるので滑性が極めて高く、ヘツ
ドの滑り性の向上すなわち、耐磨耗性向上に効果
大なるものである。
第１図、第２図は本発明の方法を説明するため
の磁気記録媒体断面図を示し、第１図は概念図、
第２図は第１図中○印Ａ部を分子レベルまで拡大
した断面図である。 １……媒体基体、２……磁気記録層、３……保
護膜、５……トリフツ化炭素基（−CF3）。
の磁気記録媒体断面図を示し、第１図は概念図、
第２図は第１図中○印Ａ部を分子レベルまで拡大
した断面図である。 １……媒体基体、２……磁気記録層、３……保
護膜、５……トリフツ化炭素基（−CF3）。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 媒体基体上に形成された記録層の上にフツ化
炭素鎖と炭化水素鎖を含み化学式CF3−（CF2）n−
（CH2）o−SiCl3（ｍ、ｎは整数）で表わされるシ
ラン界面活性剤よりなる化学吸着単分子保護膜が
トリフツ化炭素基（−CF3）を表面に並べた状態
で重合形成されていることを特徴とした記録媒
体。 ２ 媒体基体表面に記録層を形成する工程と、フ
ツ化炭素鎖と炭化水素鎖を含み化学式CF3−
（CF2）n−（CH2）o−SiCl3（ｍ、ｎは整数）で表わ
されるシラン界面活性剤を化学吸着させてトリフ
ツ化炭素基（−CF3）を表面に並べた状態の単分
子膜状の保護膜を形成する工程を含むことを特徴
とした記録媒体の製造方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62053301A JPS63220420A (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | 記録媒体およびその製造方法 |
| DE8888301375T DE3866262D1 (de) | 1987-03-09 | 1988-02-18 | Aufzeichnungstraeger und verfahren zu seiner herstellung. |
| EP88301375A EP0282188B1 (en) | 1987-03-09 | 1988-02-18 | Recording medium and method of producing the same |
| US07/159,291 US4902585A (en) | 1987-03-09 | 1988-02-23 | Recording medium and method of producing the same |
| KR1019880002231A KR920005000B1 (ko) | 1987-03-09 | 1988-03-04 | 기록매체 및 그의 제조방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62053301A JPS63220420A (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | 記録媒体およびその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63220420A JPS63220420A (ja) | 1988-09-13 |
| JPH0534729B2 true JPH0534729B2 (ja) | 1993-05-24 |
Family
ID=12938902
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62053301A Granted JPS63220420A (ja) | 1987-03-09 | 1987-03-09 | 記録媒体およびその製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4902585A (ja) |
| EP (1) | EP0282188B1 (ja) |
| JP (1) | JPS63220420A (ja) |
| KR (1) | KR920005000B1 (ja) |
| DE (1) | DE3866262D1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016061726A (ja) * | 2014-09-19 | 2016-04-25 | 株式会社イシダ | 組合せ計量機 |
Families Citing this family (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01194124A (ja) * | 1988-01-29 | 1989-08-04 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体保護膜の形成方法 |
| US5328768A (en) † | 1990-04-03 | 1994-07-12 | Ppg Industries, Inc. | Durable water repellant glass surface |
| JP2912694B2 (ja) * | 1990-09-07 | 1999-06-28 | 松下電器産業株式会社 | 記録再生装置 |
| JPH0798026B2 (ja) * | 1991-02-06 | 1995-10-25 | 松下電器産業株式会社 | 調理器具およびその製造方法 |
| DE69123228T2 (de) * | 1990-12-21 | 1997-03-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka | Verfahren zur Herstellung einer chemisch adsorbierten Schicht |
| US6503567B2 (en) | 1990-12-25 | 2003-01-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Transparent substrate and method of manufacturing the same |
| DE69120788T2 (de) * | 1990-12-25 | 1996-11-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka | Nichtverunreinigender, absorbierter Film und Verfahren zu seiner Herstellung |
| EP0492545B1 (en) * | 1990-12-25 | 1998-03-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Transparent substrate with monomolecular film thereon and method of manufacturing the same |
| DE69129145T2 (de) | 1990-12-25 | 1998-07-16 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Transparentes Substrat mit aufgebrachtem monomolekularem Film und Verfahren zu seiner Herstellung |
| CA2059733C (en) * | 1991-01-23 | 1999-10-05 | Kazufumi Ogawa | Water- and oil-repelling film and method of manufacturing the same |
| KR0138251B1 (ko) * | 1991-02-05 | 1998-05-15 | 다니이 아끼오 | 자기기록매체 및 그 제조방법 |
| JPH04298817A (ja) * | 1991-02-05 | 1992-10-22 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 磁気記録媒体 |
| CA2060294C (en) * | 1991-02-06 | 2000-01-18 | Kazufumi Ogawa | Chemically absorbed film and method of manufacturing the same |
| DE69228143T2 (de) * | 1991-04-30 | 1999-05-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd., Kadoma, Osaka | Hydrophiler chemisch adsorbierter Film und Verfahren zu dessen Herstellung |
| EP0511548B1 (en) * | 1991-04-30 | 1997-07-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Chemically adsorbed film and method of manufacturing the same |
| JP2741804B2 (ja) * | 1991-06-14 | 1998-04-22 | 松下電器産業株式会社 | コンデンサ及びその製造方法 |
| US5372851A (en) * | 1991-12-16 | 1994-12-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a chemically adsorbed film |
| US5296263A (en) * | 1992-01-07 | 1994-03-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of manufacturing a recording medium |
| JP2741823B2 (ja) * | 1992-05-27 | 1998-04-22 | 松下電器産業株式会社 | 表面処理剤及びその使用方法 |
| US5435839A (en) * | 1992-12-24 | 1995-07-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Finishing agents and method of manufacturing the same |
| EP0606174A1 (fr) * | 1993-01-05 | 1994-07-13 | Elf Atochem S.A. | Solide muni d'une couche hydrophobe et oléophobe et procédé d'application de ladite couche |
| US5737229A (en) * | 1995-11-07 | 1998-04-07 | The Ohio State University | Method of texturing a magnetic recording medium for optimum skewness and kurtosis to reduce friction with a magnetic head |
| US5851674A (en) * | 1997-07-30 | 1998-12-22 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Antisoiling coatings for antireflective surfaces and methods of preparation |
| US6277485B1 (en) | 1998-01-27 | 2001-08-21 | 3M Innovative Properties Company | Antisoiling coatings for antireflective surfaces and methods of preparation |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57150137A (en) * | 1981-03-10 | 1982-09-16 | Hitachi Maxell Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS6180522A (ja) * | 1984-09-26 | 1986-04-24 | Nec Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS61122925A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 記録媒体の製造方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5249804A (en) * | 1975-10-18 | 1977-04-21 | Hitachi Maxell Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS5249803A (en) * | 1975-10-18 | 1977-04-21 | Hitachi Maxell Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS5249805A (en) * | 1975-10-18 | 1977-04-21 | Hitachi Maxell Ltd | Magnetic recording medium |
| US4120995A (en) * | 1977-10-18 | 1978-10-17 | International Business Machines Corporation | Process for bonding a durable low surface energy coating |
| JPS5625232A (en) * | 1979-08-06 | 1981-03-11 | Sony Corp | Magnetic recording medium |
| EP0123707B1 (de) * | 1983-05-02 | 1987-10-21 | Ibm Deutschland Gmbh | Anordnung aus einer mit einem Schmierstoff versehenen Magnetplatte und einem Magnetkopf und Verfahren zum Herstellen der Anordnung |
| JPS6061916A (ja) * | 1983-09-16 | 1985-04-09 | Victor Co Of Japan Ltd | 磁気記録媒体 |
| US4529659A (en) * | 1983-11-05 | 1985-07-16 | Nippon Telegraph & Telephone Public Corporation | Magnetic recording member and process for manufacturing the same |
| US4696845A (en) * | 1984-08-27 | 1987-09-29 | Nec Corporation | Magnetic storage medium with lubricating coating |
-
1987
- 1987-03-09 JP JP62053301A patent/JPS63220420A/ja active Granted
-
1988
- 1988-02-18 EP EP88301375A patent/EP0282188B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-02-18 DE DE8888301375T patent/DE3866262D1/de not_active Expired - Lifetime
- 1988-02-23 US US07/159,291 patent/US4902585A/en not_active Expired - Lifetime
- 1988-03-04 KR KR1019880002231A patent/KR920005000B1/ko not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57150137A (en) * | 1981-03-10 | 1982-09-16 | Hitachi Maxell Ltd | Magnetic recording medium |
| JPS6180522A (ja) * | 1984-09-26 | 1986-04-24 | Nec Corp | 磁気記録媒体 |
| JPS61122925A (ja) * | 1984-11-19 | 1986-06-10 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 記録媒体の製造方法 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2016061726A (ja) * | 2014-09-19 | 2016-04-25 | 株式会社イシダ | 組合せ計量機 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63220420A (ja) | 1988-09-13 |
| DE3866262D1 (de) | 1992-01-02 |
| KR880011740A (ko) | 1988-10-31 |
| US4902585A (en) | 1990-02-20 |
| EP0282188B1 (en) | 1991-11-21 |
| KR920005000B1 (ko) | 1992-06-22 |
| EP0282188A1 (en) | 1988-09-14 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH0534729B2 (ja) | ||
| JPH022221B2 (ja) | ||
| JP2912694B2 (ja) | 記録再生装置 | |
| US4992300A (en) | Manufacturing method for a recording medium or a recording head | |
| EP0182367B1 (en) | Magnetic recording medium and production of the same | |
| CN1522435A (zh) | 适用于磁性材料的超薄型保护涂层 | |
| US5104709A (en) | Magnetic recording medium which includes a protective layer, an adhesion strengthening substance and a lubricant layer | |
| JPH0516087B2 (ja) | ||
| JPS6234324A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0785461A (ja) | 磁気記録媒体とその製造方法 | |
| JP2532577B2 (ja) | 記録媒体の製造方法 | |
| JPH0612568B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2626051B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2004054991A (ja) | 磁気記録媒体及びその製造方法、磁気記憶装置 | |
| JPH02179917A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2513688B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2808738B2 (ja) | 薄膜磁気記録媒体 | |
| JP2003223710A (ja) | 磁気記録媒体、潤滑膜及び磁気記録装置 | |
| JPH10208228A (ja) | 磁気記録媒体及びそれを用いた磁気記憶装置 | |
| JPH0610854B2 (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JP2005129207A (ja) | 磁気記録媒体およびその製造方法 | |
| JPS61236017A (ja) | 金属薄膜型磁気記録媒体 | |
| JPH0836744A (ja) | 磁気記録媒体 | |
| JPH0540933A (ja) | 磁気デイスク及びその製造方法 | |
| JPH07201038A (ja) | メモリ装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |