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JP6280828B2 - 回路付サスペンション基板 - Google Patents

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JP6280828B2 JP2014139678A JP2014139678A JP6280828B2 JP 6280828 B2 JP6280828 B2 JP 6280828B2 JP 2014139678 A JP2014139678 A JP 2014139678A JP 2014139678 A JP2014139678 A JP 2014139678A JP 6280828 B2 JP6280828 B2 JP 6280828B2
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Description

本発明は、回路付サスペンション基板、詳しくは、ハードディスクドライブに用いられる回路付サスペンション基板に関する。
ハードディスクドライブに用いられる回路付サスペンション基板として、近年、磁気ヘッドの位置および角度を調整するために、磁気ヘッドとともにピエゾ素子が実装される回路付サスペンション基板が知られている。
このような回路付サスペンション基板では、ピエゾ素子に接続されるピエゾ端子が形成されている。そして、ピエゾ端子を介してピエゾ素子に給電されると、ピエゾ素子の伸縮により、回路付サスペンション基板が揺動する。これによって、回路付サスペンション基板では、ハードディスクに対する磁気ヘッドの位置および角度の精度を向上させている(例えば、特許文献1参照)。
特開2012−99204号公報
しかるに、上記特許文献1に記載の回路付サスペンション基板では、回路付サスペンション基板の揺動により、ピエゾ端子とピエゾ素子との間に歪みが発生し、これらの間の接続信頼性が低下するおそれがある。
そこで、本発明の目的は、電子素子と端子部との間の接続信頼性を向上させることができる回路付サスペンション基板を提供することにある。
本発明の回路付サスペンション基板は、厚み方向に貫通する支持開口部を有する金属支持基板と、金属支持基板の上面に形成され、厚み方向に投影したときに支持開口部内に収まるように厚み方向に貫通する絶縁開口部を有するベース絶縁層と、ベース絶縁層の上面に形成される配線部と、電子素子に接続されるように絶縁開口部内に配置され、配線部に接続される端子部とを有する導体層と、を備える。ベース絶縁層は、ベース絶縁層が厚み方向と直交する方向に切り欠かれ、かつ、絶縁開口部と連続する切欠部を有する。端子部は、切欠部によって開放される端子遊端部を備える。
このような回路付サスペンション基板によれば、切欠部は、ベース絶縁層が厚み方向と直交する方向に切り欠かれることにより形成され、かつ、絶縁開口部と連続する。そして、端子部の端子遊端部は、切欠部によってベース絶縁層から開放される。
そのため、端子部における電子素子との接合面積を、端子遊端部の分だけ増加させることができる。
その結果、電子素子と端子部との間の接続信頼性を向上させることができる。
また、本発明の回路付サスペンション基板では、電子素子は、圧電素子であり、端子部は、圧電素子の伸縮により変位することが好適である。
このような回路付サスペンション基板によれば、圧電素子の伸縮によって回路付サスペンション基板が揺動することにより、電子素子と端子部との間で歪みが発生しても、電子素子と端子部との接合面積を増加させることができるので、電子素子と端子部との間の接続信頼性を向上させることができる。
また、本発明の回路付サスペンション基板では、切欠部は、ベース絶縁層における、配線部と端子部との接続方向、および、厚み方向の両方向に直交する幅方向の少なくとも一方側が切り欠かれることにより形成されることが好適である。
圧電素子の伸縮によって回路付サスペンション基板が幅方向に揺動する際には、電子素子と端子部との間において幅方向に歪みが発生する。
しかるに、このような回路付サスペンション基板によれば、切欠部は、ベース絶縁層における幅方向が切り欠かれることにより形成されているので、そのような幅方向に発生する歪みを、切欠部において緩和することができる。
また、本発明の回路付サスペンション基板では、切欠部は、ベース絶縁層における、配線部と端子部との接続方向の少なくとも一方側が切り欠かれることにより形成されることが好適である。
圧電素子の伸縮によって回路付サスペンション基板が幅方向に揺動する際には、電子素子と端子部との間において幅方向に歪みが発生する。
しかるに、このような回路付サスペンション基板によれば、切欠部は、ベース絶縁層における、配線部と端子部との接続方向の少なくとも一方側が切り欠かれることにより形成されるため、圧電素子の歪みが少ない部分に切欠部を配置できる。
そのため、切欠部によりベース絶縁層から開放される端子遊端部の電子素子に対する接続信頼性の向上を図ることができる。
また、本発明の回路付サスペンション基板では、端子遊端部は、切欠部に向かって突出する突出部であることが好適である。
このような回路付サスペンション基板によれば、端子部において、突出部が突出している分だけ端子部の接合面積をさらに増加させることができる。
そのため、端子部の接続信頼性を一層向上させることができる。
また、本発明の回路付サスペンション基板では、ベース絶縁層の上面に、導体層を被覆するように形成されるカバー絶縁層をさらに備え、端子遊端部の端縁は、厚み方向に投影したときに、絶縁開口部から切欠部に向かう一方向において、カバー絶縁層の端縁よりも一方向側に配置されることが好適である。
カバー絶縁層の端縁が、絶縁開口部から切欠部に向かう一方向において、端子遊端部の端縁よりも一方向側に配置される場合には、カバー絶縁層の端縁が端子遊端部の端縁を超えているため、カバー絶縁層が端子部から剥離しやすくなる。
しかるに、このような回路付サスペンション基板によれば、端子遊端部の端縁は、厚み方向に投影したときに、絶縁開口部から切欠部に向かう一方向において、カバー絶縁層の端縁よりも一方向側に配置されるため、カバー絶縁層の端縁を端子部に密着させることができ、カバー絶縁層が端子部から剥離することを抑制できる。
本発明の回路付サスペンション基板によれば、電子素子と端子部との間の接続信頼性を向上させることができる。
図1は、本発明の回路付サスペンション基板の第1実施形態を示す平面図である。 図2は、図1に示す回路付サスペンション基板のジンバル部の平面図である。 図3は、図2に示す回路付サスペンション基板のA−A線に沿う断面図である。 図4は、図2に示す回路付サスペンション基板のB−B線に沿う断面図である。 図5A〜図5Dは、回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための工程図であって、図5Aは、金属支持基板を用意する工程図5Bは、ベース絶縁層を形成する工程、図5Cは、導体層を形成する工程、図5Dは、カバー絶縁層を形成する工程を示す。 図6E〜図6Gは、図5Dに引き続き、回路付サスペンション基板の製造方法を説明するための工程図であって、図6Eは、金属支持基板を外形加工する工程、図6Fは、ベース絶縁層を部分的に除去する工程、図6Gは、めっき層を形成する工程を示す。 図7は、図2に示す回路付サスペンション基板を揺動させた状態を示す平面図である。 図8A〜図8Dは、本発明の回路付サスペンション基板の変形例を示す平面図であって、図8Aは、本発明の回路付サスペンション基板の第2実施形態のピエゾ端子および後側ステージ絶縁層を示す平面図である。図8Bは、本発明の回路付サスペンション基板の第3実施形態のピエゾ端子および後側ステージ絶縁層を示す平面図である。図8Cは、本発明の回路付サスペンション基板の第4実施形態のピエゾ端子および後側ステージ絶縁層を示す平面図である。図8Dは、本発明の回路付サスペンション基板の第5実施形態のピエゾ端子および後側ステージ絶縁層を示す平面図である。 図9Aおよび図9Bは、本発明の回路付サスペンション基板の変形例を示す平面図であって、図9Aは、本発明の回路付サスペンション基板の第6実施形態のピエゾ端子および後側ステージ絶縁層を示す平面図である。図9Bは、本発明の回路付サスペンション基板の第7実施形態のピエゾ端子および後側ステージ絶縁層を示す平面図である。
1.回路付サスペンション基板の全体構成
図1において、紙面左右方向は、先後方向(第1方向)であって、紙面左側が先側(第1方向一方側)、紙面右側が後側(第1方向他方側)である。また、紙面上下方向は、左右方向(幅方向、第2方向)であって、紙面上側が左側(幅方向一方側、第2方向一方側)、紙面下側が右側(幅方向他方側、第2方向他方側)である。また、紙面紙厚方向は、上下方向(厚み方向、第3方向)であって、紙面手前側が上側(厚み方向一方側、第3方向一方側)、紙面奥側が下側(厚み方向他方側、第3方向他方側)である。具体的には、各図の方向矢印に準拠する。
なお、図1においては、ベース絶縁層9、および、カバー絶縁層11を省略している。また、図2においては、ベース絶縁層9を図示し、カバー絶縁層11を省略している。
回路付サスペンション基板1は、図3に示すように、磁気ヘッド3を搭載するスライダ4、および、電子素子および圧電素子の一例としてのピエゾ素子5を実装して、ハードディスクドライブ(図示せず)に搭載される。
図1および図2に示すように、回路付サスペンション基板1は、先後方向に延びる平帯形状に形成されている。回路付サスペンション基板1では、金属支持基板8に導体層10が支持されている。
金属支持基板8は、先後方向に延びる平帯形状に形成されており、本体部13と、本体部13の先側に形成されるジンバル部14とを一体的に備えている。
本体部13は、先後方向に延びる平面視略矩形状に形成されている。本体部13は、回路付サスペンション基板1がハードディスクドライブに搭載されるときに、ハードディスクドライブのロードビーム(図示せず)に支持される。
ジンバル部14は、本体部13の先端から先側に延びるように形成されている。また、ジンバル部14には、ジンバル部14を上下方向に貫通する平面視略矩形状の基板開口部16が形成されている。
ジンバル部14は、基板開口部16の左右方向外側に仕切られる1対のアウトリガー部17と、アウトリガー部17に連結されるタング部18とを備えている。
アウトリガー部17は、本体部13の左右方向両端部から先側に向かって直線状に延びるように1対として形成されている。
タング部18は、1対のアウトリガー部17の左右方向内側に設けられ、1対のアウトリガー部17のそれぞれの先端部から左右方向内側斜め後方に向かって延びる1対の第1連結部19を介して、1対のアウトリガー部17のそれぞれに連結されている。
タング部18は、左右方向両側に向かって開く平面視略H字状に形成されている。すなわち、タング部18は、先後方向中央部の左右方向両端部が切り欠かれ(開口され)ている。
具体的には、タング部18は、左右方向に長く延びる平面視略矩形状の基部21と、基部21の先側に間隔を隔てて配置され、左右方向に長く延びる平面視略矩形状のステージ22と、基部21およびステージ22の左右方向中央を接続し、先後方向に延びる平面視略矩形状の中央部23とを一体的に備えている。
タング部18において、切り欠かれた部分には、支持開口部の一例としての1対の連通空間24が仕切られている。
各連通空間24は、基部21と、ステージ22と、中央部23とによって仕切られている。
1対の連通空間24は、中央部23の左右方向両側に仕切られており、1対の連通空間24は、金属支持基板8を上下方向に貫通するようにして形成されている。
基部21は、その左右方向両端部が1対の第1連結部19の左右方向内側端部に接続されている。
ステージ22の左右方向中央および先後方向中央には、図2に示すように、スライダ4(図3参照)が実装される実装領域25が区画されている。
また、ステージ22は、図1および図2に示すように、可撓性を有する第2連結部27によって、1対のアウトリガー部17のそれぞれに接続されている。
第2連結部27は、1対のアウトリガー部17のそれぞれの先端とステージ22の左右方向両端のそれぞれとを湾曲状に連結する1対の湾曲部28と、1対のアウトリガー部17のそれぞれの先端とステージ22の先端とを連結するE字部29とを備えている。
1対の湾曲部28のそれぞれは、1対のアウトリガー部17のそれぞれの先端から左右方向内側斜め先側に向かって湾曲状に延び、ステージ22の左右方向両端のそれぞれに至っている。
E字部29は、平面視略E字状をなし、具体的には、1対のアウトリガー部17のそれぞれの先端から先側に向かって延び、その後、左右方向内側に屈曲し、左右方向内側に延びて合一となった後、後側に屈曲して、ステージ22の先端の左右方向中央に至っている。
中央部23は、左右方向に湾曲可能な幅狭に形成されている。
導体層10は、外部側端子31と、ヘッド側端子32と、端子部の一例としてのピエゾ端子34と、配線部の一例としての配線35とを備えている。
外部側端子31は、図1に示すように、本体部13の後端部に設けられ、先後方向に互いに間隔を隔てて複数(6つ)配置されている。外部側端子31は、信号端子31Aと、電源端子31Bとを備えている。
信号端子31Aは、外部側端子31の複数(6つ)の内の先後方向中央の4つであり、リード・ライト基板(図示せず)に電気的に接続される。
電源端子31Bは、外部側端子31の複数(6つ)の内の先側の1つ、および、後側の1つであり、電源(図示せず)に電気的に接続される。
ヘッド側端子32は、図1および図2に示すように、ステージ22の先端部に設けられ、左右方向に互いに間隔を隔てて複数(4つ)配置されている。
ピエゾ端子34は、連通空間24において、複数(4つ)配置されている。具体的には、ピエゾ端子34は、基部21の先端縁よりも先側における連通空間24において、中央部23を跨いで左右方向に間隔を隔てて配置される1対の後側ピエゾ端子34Aと、後側ピエゾ端子34Aよりも先側であって、ステージ22の後端縁よりも後側における連通空間24において、中央部23を跨いで左右方向に間隔を隔てて配置される1対の先側ピエゾ端子34Bとを備えている。
配線35は、図1に示すように、本体部13において、左右方向に互いに間隔を隔てて複数(6つ)形成されている。配線35は、信号配線35Aと、電源配線35Bとを備えている。
信号配線35Aは、複数(6つ)の配線35のうち、左右方向内側の4つであり、信号端子31Aと、ヘッド側端子32とに電気的に接続されている。信号配線35Aは、磁気ヘッド3(図3参照)、および、リード・ライト基板(図示せず)間に電気信号を伝達する。
具体的には、信号配線35Aは、本体部13の後端部において、信号端子31Aから先側に向かって延び、本体部13の先後方向途中において、左右方向両側に向かって2束に分岐状に屈曲した後、左右方向両端部において先側に屈曲し、本体部13の先端部に向けて、左右方向外端縁に沿って延び、図2に示すように、ジンバル部14において、基板開口部16を通過しながら、基部21の後側で集束状に至り、中央部23に沿って先側へ延び、その後、ステージ22の後端部において、左右方向両側に向かって再度、2束に分岐状に屈曲した後、ステージ22の左右方向両端部に沿いながら先側に向かって延び、ステージ22の先端部において、折り返されて、ヘッド側端子32に至るように形成されている。
電源配線35Bは、図1に示すように、複数(6つ)の配線35のうち、信号配線35Aよりも先後方向両外側の2つであり、電源端子31Bと、後側ピエゾ端子34Aとに電気的に接続されている。電源配線35Bは、ピエゾ素子5(図3参照)、および、電源(図示せず)間に電気信号を伝達する。
具体的には、電源配線35Bは、本体部13の後端部において、電源端子31Bから先側に向かって、信号配線35Aに沿って基部21まで延び、図2に示すように、基部21において、左右方向両側に向かって分岐状に屈曲した後、先側に向かって屈曲し、後側ピエゾ端子34Aに至るように形成されている。後側ピエゾ端子34Aと電源配線35Bとの接続方向は、先後方向に沿っている。
また、配線35は、ジンバル部14において、左右方向に互いに間隔を隔てて複数(2つ)形成されるグランド配線35Cを備えている。
グランド配線35Cは、先側ピエゾ端子34Bを接地するために設けられている。
具体的には、グランド配線35Cは、先側ピエゾ端子34Bから先側に向かって延び、ステージ22における信号配線35Aの後側において、下側に屈曲(図3参照)し、金属支持基板8と接触している。先側ピエゾ端子34Bとグランド配線35Cとの接続方向は、先後方向に沿っている。
2.回路付サスペンション基板の層構造
回路付サスペンション基板1は、図3および図4に示すように、金属支持基板8、金属支持基板8の上に形成されるベース絶縁層9、ベース絶縁層9の上に形成される導体層10、および、ベース絶縁層9の上に、導体層10を被覆するように形成されるカバー絶縁層11を備えている。
金属支持基板8は、回路付サスペンション基板1の外形形状(図1参照)に対応する形状に形成されている。
金属支持基板8は、例えば、ステンレス、42アロイ、アルミニウム、銅−ベリリウム、りん青銅などの金属材料から形成されている。好ましくは、ステンレスから形成されている。
金属支持基板8の厚みは、例えば、10μm以上、好ましくは、12μm以上であり、例えば、35μm以下、好ましくは、30μm以下である。
ベース絶縁層9は、金属支持基板8の本体部13およびジンバル部14(図1参照)にわたって形成されており、具体的には、上記した導体層10に対応するパターンに形成されている。また、ベース絶縁層9は、第2連結部27(図2参照)を形成するパターンとしても形成されている。
ベース絶縁層9は、例えば、ポリイミド樹脂、ポリアミドイミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリエーテルスルホン樹脂、ポリエチレンテレフタレート樹脂、ポリエチレンナフタレート樹脂、ポリ塩化ビニル樹脂などの合成樹脂などの絶縁材料から形成されている。好ましくは、ポリイミド樹脂から形成されている。
ベース絶縁層9の厚み(最大厚み)は、例えば、1μm以上、好ましくは、3μm以上であり、例えば、35μm以下、好ましくは、33μm以下である。
導体層10は、上記したように、外部側端子31(図1参照)、ヘッド側端子32(図1参照)、ピエゾ端子34、および、配線35を備えるパターンとして形成されている。
導体層10は、例えば、銅、ニッケル、金、はんだ、または、これらの合金などの導体材料から形成されている。好ましくは、銅から形成されている。
導体層10の厚みは、例えば、3μm以上、好ましくは、5μm以上であり、例えば、50μm以下、好ましくは、20μm以下である。
配線35の幅は、例えば、5μm以上、好ましくは、8μm以上であり、例えば、200μm以下、好ましくは、100μm以下である。
また、複数の配線35間の間隔は、例えば、5μm以上、好ましくは、8μm以上であり、例えば、1000μm以下、好ましくは、100μm以下である。
また、外部側端子31、および、ヘッド側端子32の幅および長さ(先後方向長さ)は、例えば、20μm以上、好ましくは、30μm以上であり、例えば、1000μm以下、好ましくは、800μm以下である。
また、複数の外部側端子31間の間隔、および、複数のヘッド側端子32間の間隔は、例えば、20μm以上、好ましくは、30μm以上であり、例えば、1000μm以下、好ましくは、800μm以下である。
カバー絶縁層11は、本体部13およびジンバル部14(図1参照)にわたって形成され、ベース絶縁層9の上に、平面視において導体層10を含むパターンに形成されている。
具体的には、カバー絶縁層11は、配線35、ピエゾ端子34の上面を被覆し、外部側端子31、および、ヘッド側端子32の上面を露出するパターンに形成されている(図1参照)。なお、ピエゾ端子34においては、後述するように、その上面の一部がカバー絶縁層11から露出している。
カバー絶縁層11は、ベース絶縁層9を形成する絶縁材料と同一の絶縁材料から形成されている。カバー絶縁層11の厚みは、例えば、1μm以上、好ましくは、3μm以上であり、例えば、40μm以下、好ましくは、10μm以下である。
また、複数の端子、具体的には、外部側端子31、ヘッド側端子32、ピエゾ端子34の表面には、めっき層36が形成されている。めっき層36は、例えば、無電解めっき、電解めっきなどから形成されている。めっき層36は、例えば、ニッケル、金などの金属材料から形成されており、好ましくは、金から形成されている。このめっき層36の厚みは、例えば、0.01μm以上、好ましくは、0.05μm以上であり、例えば、5μm以下、好ましくは、4.5μm以下である。
3.ベース絶縁層、ピエゾ端子およびカバー絶縁層の詳細
(1)ベース絶縁層の詳細
ベース絶縁層9は、図2に示すように、金属支持基板8の上面に、上記した導体層10に対応するパターンに形成されている。具体的には、ベース絶縁層9は、本体部13に対応する本体部絶縁層37と、ジンバル部14に対応するジンバル部絶縁層38とを備えている。
本体部絶縁層37は、本体部13において、外部側端子31(図1参照)と、配線35とに対応するように形成されている。
ジンバル部絶縁層38は、基板開口部16に対応する基板開口部絶縁層39と、タング部18に対応するタング部絶縁層40とを備えている。
基板開口部絶縁層39は、基板開口部16における導体層10に対応して形成されている。具体的には、基板開口部絶縁層39は、基板開口部16を通過する配線35に対応して、後側において左右方向両側に分岐されており、基部21よりも後側で合一となり、基部21の先後方向途中まで延びる平面視略Y字状に形成されている。
タング部絶縁層40は、タング部18に対応して、平面視略H字状に形成されており、基板開口部絶縁層39と連続され、左右方向に長く延びる平面視略矩形状の基部絶縁層41と、基部絶縁層41の先側に間隔を隔てて配置され、左右方向に長く延びる平面視略矩形状のステージ絶縁層42と、基部絶縁層41およびステージ絶縁層42の左右方向中央を接続し、先後方向に長い平面視略矩形状の中央部絶縁層43とを一体的に備えている。
基部絶縁層41は、タング部18の基部21における導体層10に対応して形成されている。基部絶縁層41は、タング部18の基部21の先側において、基板開口部絶縁層39から連続して、左右方向両外側に延びている。基部絶縁層41は、基部21の先端縁よりも先方まで延びるように形成されている。基部絶縁層41は、後側基部絶縁層46と、1対の先側基部絶縁層47とを備えている。
後側基部絶縁層46は、基部絶縁層41の後側部分を形成しており、平面視略矩形状に形成されている。後側基部絶縁層46は、基板開口部絶縁層39から連続して、中央部絶縁層43に対して左右方向両外側に延びている。後側基部絶縁層46の後端部は、基部21上に形成され、後側基部絶縁層46の先後方向中央部および先端部は、基部21よりも先側に突出している。
1対の先側基部絶縁層47のそれぞれは、基部絶縁層41の先側部分を形成しており、平面視略矩形状に形成されている。1対の先側基部絶縁層47は、後側基部絶縁層46の中央部を除く左側部分および右側部分から連続して、先側に延びている。1対の先側基部絶縁層47は、後述する中央部絶縁層43を跨いで、左右方向に間隔を隔てて配置されている。1対の先側基部絶縁層47のそれぞれには、基部開口部51と基部切欠部52とが形成されている。
これによって、1対の先側基部絶縁層47のそれぞれは、左右方向内側が開放された平面視略コ字形状に形成されている。
基部開口部51は、1対の先側基部絶縁層47のそれぞれの外縁よりもやや小さい平面視矩形状に形成されており、1対の先側基部絶縁層47のそれぞれの先端部、後端部および左右方向外側端部が残り、左右方向内側端部が後述する基部切欠部52によって開放されるように、1対の先側基部絶縁層47のそれぞれのほぼ全域に配置されている。基部開口部51は、1対の先側基部絶縁層47のそれぞれを上下方向に沿って貫通している。基部開口部51は、図3に示すように、上下方向に投影したときに、1対の連通空間24内に収まっている。
これによって、ピエゾ端子34の上面および下面が後側基部絶縁層46から露出されている。
基部切欠部52は、図2に示すように、1対の先側基部絶縁層47のそれぞれにおいて、左右方向内側部分に配置されている。基部切欠部52は、1対の先側基部絶縁層47のそれぞれの左右方向内側部分が左右方向に切り欠かれることにより形成されており、かつ、基部開口部51と連通している。すなわち、基部切欠部52は、基部開口部51から連続して形成されている。
これにより、ピエゾ端子34の左右方向内側端面が後側基部絶縁層46から露出されている。
なお、基部開口部51および基部切欠部52の先後方向長さは、例えば、20μm以上、好ましくは、30μm以上であり、例えば、500μm以下、好ましくは、400μm以下である。
また、基部開口部51および基部切欠部52を合わせた幅は、例えば、20μm以上、好ましくは、30μm以上であり、例えば、500μm以下、好ましくは、400μm以下である。
ステージ絶縁層42は、タング部18のステージ22における導体層10に対応して形成されている。ステージ絶縁層42は、タング部18のステージ22の先側から、ステージ22の後端縁よりも後方まで延びるように形成されている。ステージ絶縁層42は、先側ステージ絶縁層55と、1対の後側ステージ絶縁層56とを備えている。
先側ステージ絶縁層55は、ステージ絶縁層42の先側部分を形成しており、平面視略矩形状に形成されている。先側ステージ絶縁層55は、タング部18のステージ22に対応して、その中央部から左右方向両外側に延びている。
1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれは、ステージ絶縁層42の後側部分を形成しており、平面視略矩形状に形成されている。1対の後側ステージ絶縁層56は、先側ステージ絶縁層55の中央部を除く左側部分および右側部分から連続して、後側に延びている。1対の後側ステージ絶縁層56は、後述する中央部絶縁層43を跨いで、左右方向に間隔を隔てて配置されている。1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれには、ステージ開口部61とステージ切欠部62とが形成されている。
これによって、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれは、左右方向内側が開放された平面視略コ字形状に形成されている。
ステージ開口部61は、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれの外縁よりもやや小さい平面視矩形状に形成されており、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれの先端部、後端部および左右方向外側端部が残り、左右方向内側端部が後述するステージ切欠部62によって開放されるように、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれのほぼ全域に配置されている。ステージ開口部61は、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれを上下方向に沿って貫通している。ステージ開口部61は、図3に示すように、上下方向に投影したときに、1対の連通空間24内に収まっている。
これによって、ピエゾ端子34の上面および下面が後側ステージ絶縁層56から露出されている。
ステージ切欠部62は、図2に示すように、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれにおいて、左右方向内側部分に配置されている。ステージ切欠部62は、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれの左右方向内側部分が左右方向に沿って切り欠かれることにより形成されており、かつ、ステージ開口部61と連通している。すなわち、ステージ切欠部62は、ステージ開口部61から連続して形成されている。
これにより、ピエゾ端子34の左右方向内側端面が後側ステージ絶縁層56から露出している。
ステージ開口部61およびステージ切欠部62の先後方向長さは、例えば、10μm以上、好ましくは、20μm以上であり、例えば、500μm以下、好ましくは、400μm以下である。
また、ステージ開口部61およびステージ切欠部62を合わせた幅は、例えば、10μm以上、好ましくは、20μm以上であり、例えば、500μm以下、好ましくは、400μm以下である。
なお、基部開口部51およびステージ開口部61が絶縁開口部の一例を構成し、基部切欠部52およびステージ切欠部62が切欠部の一例を構成している。
さらに、ステージ絶縁層42には、図3に示すように、複数(2つ)の接地開口部44が形成されている。
接地開口部44は、上下方向に投影したときに、ステージ22の後端部と重なる部分において、ステージ絶縁層42を上下方向に貫通するように形成されている。
接地開口部44の幅および長さ(先後方向長さ)は、例えば、5μm以上、好ましくは、10μm以上であり、例えば、100μm以下、好ましくは、90μm以下である。
中央部絶縁層43は、図2に示すように、タング部18の中央部23における導体層10に対応して形成されている。中央部絶縁層43は、タング部18の中央部23よりも幅狭の平面視略矩形状に形成されており、基部絶縁層41の後側基部絶縁層46の左右方向中央部分と、ステージ絶縁層42の先側ステージ絶縁層55の左右方向中央部分とに連続している。
(2)ピエゾ端子の詳細
ピエゾ端子34は、上記したように、1対の後側ピエゾ端子34Aと、1対の先側ピエゾ端子34Bとを備えている。
1対の後側ピエゾ端子34Aのそれぞれは、1対の先側基部絶縁層47のそれぞれにおける基部開口部51内に充填されている。1対の後側ピエゾ端子34Aのそれぞれは、第1後側ピエゾ端子部71と第2後側ピエゾ端子部72とを備えている。
第1後側ピエゾ端子部71は、平面視略矩形状に形成されており、1対の先側基部絶縁層47のそれぞれの基部開口部51から下面が露出するように基部開口部51内に配置されている。なお、第1後側ピエゾ端子部71の上面は、後述するようにカバー絶縁層11によって被覆されている。
第2後側ピエゾ端子部72は、第1後側ピエゾ端子部71に対して左右方向内側に配置され、第1後側ピエゾ端子部71と連続しており、第1後側ピエゾ端子部71から、基部切欠部52に向かって突出している。つまり、第2後側ピエゾ端子部72は、後側ピエゾ端子34Aの左右方向内側の遊端部である。詳しくは、第2後側ピエゾ端子部72は、第1後側ピエゾ端子部71の左右方向内側端縁において、先後方向中央部分から左右方向内側に向かって平面視略円弧形状に膨出している。
第2後側ピエゾ端子部72は、基部切欠部52によって、上面、下面および側面が露出するように、換言すれば、基部切欠部52によって、上面、下面および側面が先側基部絶縁層47から開放されている。
1対の先側ピエゾ端子34Bのそれぞれは、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれにおけるステージ開口部61内に充填されている。1対の先側ピエゾ端子34Bのそれぞれは、第1先側ピエゾ端子部81と第2先側ピエゾ端子部82とを備えている。
第1先側ピエゾ端子部81は、平面視略矩形状に形成されており、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれのステージ開口部61内から、下面が露出するようにステージ開口部61内に配置されている。なお、第1先側ピエゾ端子部81の上面は、後述するようにカバー絶縁層11によって被覆されている。
第2先側ピエゾ端子部82は、第1先側ピエゾ端子部81に対して左右方向内側に配置され、第1先側ピエゾ端子部81と連続しており、第1先側ピエゾ端子部81から、ステージ切欠部62に向かって突出している。つまり、第2先側ピエゾ端子部82は、先側ピエゾ端子34Bの左右方向内側の遊端部である。詳しくは、第2先側ピエゾ端子部82は、第1先側ピエゾ端子部81の左右方向内側端縁において、先後方向中央部分から左右方向内側に向かって平面視略円弧形状に膨出している。
第2先側ピエゾ端子部82は、ステージ切欠部62によって、上面、下面および側面が露出するように、換言すれば、ステージ切欠部62によって、上面、下面および側面が後側ステージ絶縁層56から開放されている。
なお、第2後側ピエゾ端子部72および第2先側ピエゾ端子部82が、端子遊端部および突出部の一例を構成している。
ピエゾ端子34は、左右方向に投影したときに、図3に示すように、先後方向両端部がベース絶縁層9の上面に乗り上がり、先後方向中央部が窪む逆ハット形状に形成されている。また、ピエゾ端子34は、先後方向に投影したときに、図4に示すように、左右方向一端部から途中部までが平坦であって、左右方向他端部がベース絶縁層9の上面に乗り上がる略Z字形状に形成されている。詳しくは、ピエゾ端子34において、先後方向に投影したときに、第1後側ピエゾ端子部71および第1先側ピエゾ端子部81は、直線状に形成されている。
ピエゾ端子34の下面は、その周縁部に形成されるベース絶縁層9の下面と、左右方向、および、先後方向において、すなわち、面方向において面一に形成されている。
ピエゾ端子34の先後方向長さは、例えば、10μm以上、好ましくは、20μm以上であり、例えば、500μm以下、好ましくは、400μm以下である。
ピエゾ端子34の幅は、例えば、10μm以上、好ましくは、20μm以上であり、例えば、500μm以下、好ましくは、400μm以下である。
(3)カバー絶縁層の詳細
ピエゾ端子34は、一部を除いて、その上面がカバー絶縁層11によって被覆されている。具体的には、ピエゾ端子34の第1後側ピエゾ端子部71および第1先側ピエゾ端子部81は、その上面がカバー絶縁層11によって被覆されている。また、ピエゾ端子34の第2後側ピエゾ端子部72および第2先側ピエゾ端子部82は、その上面はカバー絶縁層11が被覆されずに露出している。
すなわち、上下方向に投影したときに、左右方向において、ピエゾ端子34の第2後側ピエゾ端子部72および第2先側ピエゾ端子部82の端縁は、カバー絶縁層11の端縁よりも左右方向内側に配置されている。
左右方向における、ピエゾ端子34の第2後側ピエゾ端子部72の端縁からカバー絶縁層11の端縁までの長さ、および、ピエゾ端子34の第2先側ピエゾ端子部82の端縁からカバー絶縁層11の端縁までの長さは、例えば、1μm以上、好ましくは、5μm以上であり、例えば、250μm以下、好ましくは、200μm以下である。
また、左右方向における、ピエゾ端子34の第2後側ピエゾ端子部72の端縁からカバー絶縁層11の端縁までの長さ、および、ピエゾ端子34の第2先側ピエゾ端子部82の端縁からカバー絶縁層11の端縁までの長さの、ピエゾ端子34の長さに対する割合は、例えば、1%以上、好ましくは、5%以上であり、例えば、50%以下、好ましくは、40%以下である。
4.回路付サスペンション基板の製造方法
次に、この回路付サスペンション基板1の製造方法について、図5A〜図6Gを参照して説明する。なお、図5A〜図6Gでは、紙面左側に回路付サスペンション基板1のA−A線に沿う断面図を示し、紙面右側に回路付サスペンション基板1のB−B線に沿う断面図を示す。
この方法では、図5Aに示すように、まず、金属支持基板8を用意する。
次いで、図5Bに示すように、ベース絶縁層9を金属支持基板8の上に形成する。
具体的には、ベース絶縁層9を、本体部絶縁層37、および、ジンバル部絶縁層38に対応するパターンとして、金属支持基板8の上に形成する。ジンバル部絶縁層38に対応するパターンとしては、ベース絶縁層9を、1対の先側基部絶縁層47のそれぞれ、および、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれに凹部65を備えるように形成する。また、ベース絶縁層9を、ステージ絶縁層42に接地開口部44を備えるように形成する。
凹部65は、ベース絶縁層9の上面から下側に向かって窪むように形成される。詳しくは、凹部65は、先後方向においては、ベース絶縁層9の上面から先側に向かうにつれて下側に向かうように傾斜した後、先側に向かって延び、その後、先側に向かうにつれて上側に向かうように傾斜し、ベース絶縁層9の上面に連続している。また、凹部65は、左右方向においては、ベース絶縁層9の上面から左右方向内側に向かうにつれて下側に向かうように傾斜した後、先側に向かって平坦に延びている。すなわち、凹部65は、先後方向においては、略コ字形状に窪んでおり、先後方向においては、略L字形状に窪んでいる。
凹部65のベース絶縁層9の上面からの深さ(上下方向高さ)の、ベース絶縁層9の厚みに対する割合は、例えば、5%以上、好ましくは、10%以上であり、例えば、95%以下、好ましくは、90%以下である。具体的には、凹部65のベース絶縁層9の上面からの深さ(上下方向高さ)は、例えば、0.1μm以上、好ましくは、0.5μm以上であり、例えば、32μm以下、好ましくは、30μm以下である。
また、凹部65の先後方向長さは、基部開口部51、基部切欠部52、ステージ開口部61内およびステージ切欠部62の先後方向長さと同一である。また、凹部65の幅は、基部開口部51と基部切欠部52とを合わせた長さ、または、ステージ開口部61とステージ切欠部62とを合わせた幅と同一である。
凹部65、および、接地開口部44が形成されるベース絶縁層9を形成するには、感光性の絶縁材料のワニスを金属支持基板8の上に塗布して乾燥させて、ベース皮膜を形成する。
その後、ベース皮膜を、図示しない階調露光フォトマスクを介して露光する(階調露光)。階調露光フォトマスクは、遮光部分、光半透過部分および光全透過部分をパターンで備えており、ベース絶縁層9(凹部65および接地開口部44を形成する部分を除く。)を形成する部分には光全透過部分を、凹部65を形成する部分には光半透過部分を、ベース絶縁層9を形成しない部分、および、接地開口部44を形成する部分には遮光部分を、ベース皮膜に対して、対向配置する。
その後、ベース皮膜を現像し、必要により加熱硬化させることにより、凹部65、および、接地開口部44を備えるベース絶縁層9を、上記したパターンで形成する。
次いで、図5Cに示すように、導体層10を、ベース絶縁層9の上面に、アディティブ法またはサブトラクティブ法などのパターン形成法、好ましくは、アディティブ法によって形成する。
つまり、図1が参照されるように、導体層10を、ベース絶縁層9の上面に、外部側端子31、ヘッド側端子32、ピエゾ端子34、および、配線35を備えるように形成する。なお、ピエゾ端子34は、凹部65内に落ち込むように充填され、グランド配線35Cにおける先側ピエゾ端子34Bと反対側の端部は、接地開口部44内に落ち込むように充填される。
次いで、図5Dに示すように、カバー絶縁層11を、ベース絶縁層9の上面に形成する。カバー絶縁層11を形成するには、感光性の絶縁材料のワニスを塗布して乾燥させて、カバー皮膜を形成した後、カバー皮膜を露光し、続いて、現像して、加熱硬化することにより、上記したパターンで形成する。なお、カバー絶縁層11は、ピエゾ端子34においては、第1後側ピエゾ端子部71および第1先側ピエゾ端子部81を左右方向内側端縁近傍を除いて被覆し、第2後側ピエゾ端子部72および第2先側ピエゾ端子部82を露出するように形成されている。これによって、カバー絶縁層11の端縁は、ピエゾ端子34において、第1後側ピエゾ端子部71および第1先側ピエゾ端子部81の左右方向内側端縁近傍に密着されている。
次いで、図6Eに示すように、金属支持基板8を、例えば、エッチングなどによって、基板開口部16(図1参照)および連通空間24を形成するとともに、基部絶縁層41の先側基部絶縁層47の下面、および、ステージ絶縁層42の後側ステージ絶縁層56の下面が露出されるように、外形加工する。
次いで、図6Fに示すように、ベース絶縁層9において、凹部65の底壁、つまり、基部絶縁層41の先側基部絶縁層47、および、ステージ絶縁層42の後側ステージ絶縁層56を部分的に除去する。具体的には、エッチング、好ましくは、ウェットエッチングなどによって、除去する。
これにより、ピエゾ端子34の下面を露出させる。また、基部絶縁層41の先側基部絶縁層47、および、ステージ絶縁層42の後側ステージ絶縁層56において、凹部65の下面が貫通されることにより、基部開口部51(図1参照)、基部切欠部52(図1参照)、ステージ開口部61およびステージ切欠部62(図1参照)が形成される。
次いで、図6Gに示すように、基部開口部51(図1参照)、基部切欠部52(図1参照)、ステージ開口部61およびステージ切欠部62(図1参照)から露出するピエゾ端子34に対して、めっき層36を形成する。
このようにして、回路付サスペンション基板1が得られる。この回路付サスペンション基板1は、その後、出荷され、スライダ4、および、ピエゾ素子5が実装されるまでの間、保管される。
そして、この回路付サスペンション基板1をハードディスクドライブに実装するために、回路付サスペンション基板1には、図3に示すように、スライダ4およびピエゾ素子5が実装される。
スライダ4は、接着剤層66を介して実装領域25に実装される。そして、スライダ4の図示しない端子は、はんだ等を介してヘッド側端子32に接続される。
ピエゾ素子5は、先後方向に伸縮可能なアクチュエータであって、先後方向に延びる平面視略矩形状に形成されている。ピエゾ素子5は、電気が供給され、その電圧が制御されることによって伸縮するように構成されている。
そして、1対のピエゾ素子5が、中央部23を挟むように左右方向に間隔を隔てて配置され、各ピエゾ素子5の端子80が、後側ピエゾ端子34Aおよび先側ピエゾ端子34Bに導体性接続部材70を介して固定され、これらに電気的に接続される。導体性接続部材70は、導電性接着剤またははんだからなり、後側ピエゾ端子34Aおよび先側ピエゾ端子34Bの下面および側面に接着するとともにピエゾ素子5の上面に接着している。
5.回路付サスペンション基板の揺動動作
次に、図7を参照して、ピエゾ素子5の伸縮によるスライダ4(回路付サスペンション基板1)の揺動について説明する。
まず、ピエゾ素子5は、先側ピエゾ端子34Bが金属支持基板8に接地された状態で、電気が後側ピエゾ端子34Aを介して供給され、電圧が制御されることによって、一方が収縮する。すると、一方のピエゾ素子5を固定する一方の後側ピエゾ端子34Aと、一方の先側ピエゾ端子34Bとが相対的に近接する。つまり、ステージ絶縁層42に支持される一方の先側ピエゾ端子34Bが、基部絶縁層41に支持される一方の後側ピエゾ端子34Aに対して後側に移動する。
これと同時に、電気がピエゾ端子34を介して他方のピエゾ素子5に供給され、電圧が制御されることによって、他方のピエゾ素子5が伸長する。すると、他方のピエゾ素子5を固定する他方の後側ピエゾ端子34Aと、他方の先側ピエゾ端子34Bとが相対的に離間する。つまり、ステージ絶縁層42に支持される他方の先側ピエゾ端子34Bが、基部絶縁層41に支持される後側ピエゾ端子34Aに対して、先側に移動する。
これにより、中央部23の先端および先後方向途中が、左右方向一方側(図7においては左側)に湾曲しながら、ステージ22が、中央部23の後端を支点として、左右方向一方側に向かって揺動する。これとともに、スライダ4(回路付サスペンション基板1の先側部分)が左右方向一方側に向かって揺動する。
なお、ピエゾ素子5の一方を伸長させ、他方を収縮させれば、スライダ4(回路付サスペンション基板1の先側部分)が上記と逆向き(幅方向他方側、図8においては右側)に揺動する。
このように、各ピエゾ素子5が伸縮することにより、磁気ヘッド3の位置、および、角度が精密に調整される。このとき、各ピエゾ素子5の伸縮により、その端子と接続されるピエゾ端子34は、わずかに変位する。
6.作用効果
この回路付サスペンション基板1によれば、図2に示すように、基部切欠部52は、基部絶縁層41の左右方向内側端部が、基部開口部51と連通するように左右方向に沿って切り欠かれることにより形成される。また、ステージ切欠部62は、ステージ絶縁層42の左右方向内側端部が、ステージ開口部61と連通するように左右方向に沿って切り欠かれることにより形成される。そして、第2後側ピエゾ端子部72は、基部切欠部52によって基部絶縁層41から開放され、第2先側ピエゾ端子部82は、ステージ切欠部62によってステージ絶縁層42から開放される。
そのため、ピエゾ素子5とピエゾ端子34との接合面積を、第2後側ピエゾ端子部72および第2先側ピエゾ端子部82の分だけ増加させることができる。
その結果、ピエゾ素子5とピエゾ端子34との間の接続信頼性を向上させることができる。
また、この回路付サスペンション基板1によれば、図2に示すように、ピエゾ端子34は、ピエゾ素子5の伸縮により変位する。
そして、ピエゾ素子5の伸縮により回路付サスペンション基板1が揺動することにより、ピエゾ素子5とピエゾ端子34との間に歪みが発生しても、ピエゾ素子5とピエゾ端子34との間の接続信頼性が向上させることができる。
また、この回路付サスペンション基板1によれば、図2に示すように、タング部絶縁層40の基部切欠部52およびステージ切欠部62のそれぞれは、タング部絶縁層40の左右方向内側部分が切り欠かれることにより形成されている。
ピエゾ素子5の伸縮によって回路付サスペンション基板1が左右方向に揺動する際には、ピエゾ素子5とピエゾ端子34との間において左右方向に歪みが発生する。
しかるに、回路付サスペンション基板1では、基部切欠部52およびステージ切欠部62は、ベース絶縁層9における左右方向が切り欠かれることにより形成されているので、そのような左右方向に発生する歪みを、基部切欠部52およびステージ切欠部62において緩和することができる。
また、この回路付サスペンション基板1によれば、図2に示すように、ピエゾ端子34は、基部切欠部52およびステージ切欠部62に向かって突出する第2後側ピエゾ端子部72および第2先側ピエゾ端子部82を備えている。
そのため、ピエゾ端子34において、第2後側ピエゾ端子部72および第2先側ピエゾ端子部82が、基部切欠部52およびステージ切欠部62に向かって突出している分だけピエゾ端子34の接合面積を増加させることができる。
そのため、ピエゾ端子34の接続信頼性を一層向上させることができる。
また、この回路付サスペンション基板1によれば、図4に示すように、上下方向に投影したときに、左右方向において、ピエゾ端子34の第2後側ピエゾ端子部72および第2先側ピエゾ端子部82の端縁は、カバー絶縁層11の端縁よりも左右方向内側に配置されている。
カバー絶縁層11の端縁が、左右方向において、ピエゾ端子34の第2後側ピエゾ端子部72および第2先側ピエゾ端子部82の端縁よりも左右方向内側に配置される場合には、カバー絶縁層11の端縁がピエゾ端子34の第2後側ピエゾ端子部72および第2先側ピエゾ端子部82の端縁を超えているため、カバー絶縁層11がピエゾ端子34から剥離しやすくなる。
しかるに、この回路付サスペンション基板1では、ピエゾ端子34の第2後側ピエゾ端子部72および第2先側ピエゾ端子部82の端縁は、上下方向に投影したときに、左右方向において、カバー絶縁層11の端縁よりも左右方向内側に配置されるため、カバー絶縁層11の端縁をピエゾ端子34に密着させることができ、カバー絶縁層11がピエゾ端子34から剥離することを抑制できる。
7.変形例
図8A〜図9Bを参照して、回路付サスペンション基板の各変形例を説明する。なお、各変形例において、上記した実施形態と同様の部材には同様の符号を付し、その説明を省略する。また、以下の説明では、1対の後側ステージ絶縁層56に形成される開口部、切欠部およびピエゾ端子の形状は、同様の構成で1対の先側基部絶縁層47に形成されるため、1対の後側ステージ絶縁層56について説明することにより、1対の先側基部絶縁層47についての説明を省略する。
(1)第2実施形態
上記した第1実施形態では、図2に示すように、タング部絶縁層40においては、基部切欠部52およびステージ切欠部62は、左右方向内側に配置される。
対して、第2実施形態では、切欠部92が左右方向外側に配置される。
詳しくは、図8Aに示すように、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれは、左右方向内側端部が中央部絶縁層43に連続している。1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれには、開口部91と切欠部92とが形成されている。
開口部91は、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれにおいて、左右方向中央部に配置されている。開口部91は、平面視矩形状に形成されており、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれを上下方向に沿って貫通している。
切欠部92は、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれにおいて、左右方向外側部分に配置されている。切欠部92は、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれの左右方向外側部分が左右方向に沿って切り欠かれることにより形成され、かつ、開口部91と連通している。
これによって、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれは、左右方向外側が開放された平面視略コ字形状に形成されている。
1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれにおいて、ピエゾ端子34は、開口部91内に充填されている。
ピエゾ端子34は、第1端子部101と、端子遊端部および突出部の一例としての第2端子部102とを備えている。
第1端子部101は、平面視略矩形状に形成されており、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれの開口部91から下面が露出するように開口部91内に配置されている。
第2端子部102は、第1端子部101に対して左右方向外側に配置され、第1端子部101と連続しており、第1端子部101から、切欠部92に向かって突出している。つまり、第2端子部102は、ピエゾ端子34の左右方向外側の遊端部である。詳しくは、第2端子部102は、第1端子部101の左右方向外側端縁において、先後方向中央部分から左右方向外側に向かって平面視略円弧形状に膨出している。
第2端子部102は、切欠部92によって、上面、下面および側面が露出するように、換言すれば、切欠部92によって、上面、下面および側面が後側ステージ絶縁層56から開放されている。
第2実施形態の回路付サスペンション基板1によれば、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれにおいて、切欠部92が左右方向外側に配置されている。そして、切欠部92は、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれの左右方向外側部分が左右方向に沿って切り欠かれることにより形成されている。
ピエゾ素子5の伸縮によって回路付サスペンション基板1が左右方向に揺動する際には、ピエゾ素子5とピエゾ端子34との間において、特に、左右方向外側に歪みが発生する。
しかるに、この回路付サスペンション基板1では、切欠部92は、ベース絶縁層9における左右方向外側が切り欠かれることにより形成されているので、そのような左右方向外側に発生する歪みを、基部切欠部52およびステージ切欠部62において緩和することができる。
(2)第3実施形態
上記した第1実施形態では、図2に示すように、基部切欠部52およびステージ切欠部62は、左右方向内側に配置される。
対して、第3実施形態では、開口部111の左右方向両外側に1対の切欠部112が配置される。
詳しくは、図8Bに示すように、タング部絶縁層40の1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれには、開口部111と1対の切欠部112とが形成されている。
開口部111は、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれにおいて、左右方向中央部分に配置されている。開口部111は、平面視矩形状に形成されており、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれを上下方向に沿って貫通している。
1対の切欠部112は、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれにおいて、左右方向における開口部111の両端に隣接するように配置されている。1対の切欠部112のそれぞれは、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれの左右方向両端部が左右方向に切り欠かれることにより形成されており、かつ、開口部111と連通している。
これによって、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれは、先後方向に間隔を隔てて配置される先側部分と後側部分とから形成される。
1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれにおいて、ピエゾ端子34は、開口部111内に充填されている。
ピエゾ端子34は、第1端子部121と端子遊端部および突出部の一例としての1対の第2端子部122とを備えている。
第1端子部121は、平面視略矩形状に形成されており、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれ開口部111から下面が露出するように開口部111内に配置されている。
1対の第2端子部122のそれぞれは、第1端子部121に対して左右方向両側に配置され、第1端子部121と連続しており、第1端子部121から、1対の切欠部112のそれぞれに向かって突出している。つまり、1対の第2端子部122のそれぞれは、ピエゾ端子34の左右方向両側の遊端部である。詳しくは、1対の第2端子部122のそれぞれは、第1端子部121の左右方向両側端縁において、先後方向中央部分から左右方向内側および外側に向かって平面視略円弧形状に膨出している。
1対の第2端子部122のそれぞれは、1対の切欠部112のそれぞれによって、上面、下面および側面が露出するように、換言すれば、1対の切欠部112のそれぞれによって、上面、下面および側面が後側ステージ絶縁層56から開放されている。
第3実施形態の回路付サスペンション基板1によれば、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれにおいて、1対の切欠部112が、左右方向における開口部111の両端に配置される。
ピエゾ素子5の伸縮によって回路付サスペンション基板1が左右方向に揺動する際には、ピエゾ素子5とピエゾ端子34との間において、左右方向両側に歪みが発生する。
しかるに、この回路付サスペンション基板1では、1対の切欠部112は、左右方向における開口部111の両端に配置されるので、そのような左右方向両側に発生する歪みを、1対の切欠部112において緩和することができる。
また、1対の切欠部112のそれぞれは、1対の第2端子部122のそれぞれを後側ステージ絶縁層56から開放する。
そのため、ピエゾ端子34の接合面積を一層増加させることができる。
(3)第4実施形態
上記した第1実施形態では、図2に示すように、基部切欠部52およびステージ切欠部62は、左右方向内側に配置される。
対して、第4実施形態では、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれにおいて、切欠部132が後側に配置される。
詳しくは、図8Cに示すように、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれは、左右方向内側端部が中央部絶縁層43に連続している。1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれには、開口部131と切欠部132とが形成されている。
開口部131は、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれにおいて、左右方向中央部に配置されている。開口部131は、平面視矩形状に形成されており、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれを上下方向に沿って貫通している。
切欠部132は、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれにおいて、後側部分に配置されている。切欠部132は、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれの後側部分が先後方向に沿って切り欠かれることにより形成されており、かつ、開口部131と連通している。
これによって、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれは、後側が開放された平面視略コ字形状に形成されている。なお、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれの後側部分は、左右方向両端部を残して、左右方向中央部が開放されている。
1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれにおいて、ピエゾ端子34は、開口部131内に充填されている。
ピエゾ端子34は、第1端子部141と端子遊端部および突出部の一例としての第2端子部142とを備えている。
第1端子部141は、平面視略矩形状に形成されており、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれの開口部131から下面が露出するように開口部131内に配置されている。
第2端子部142は、第1端子部141に対して後側に配置され、第1端子部141と連続しており、第1端子部141から、切欠部132に向かって突出している。つまり、第2端子部142は、ピエゾ端子34の後側の遊端部である。詳しくは、第2端子部142は、第1端子部141の後側端縁において、左右方向中央部分から後側に向かって平面視略円弧形状に膨出している。
第2端子部142は、切欠部132によって、上面、下面および側面が露出するように、換言すれば、切欠部132によって、上面、下面および側面が後側ステージ絶縁層56からから開放されている。
第4実施形態の回路付サスペンション基板1によれば、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれにおいて、切欠部132が後側に配置されている。そして、切欠部132は、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれの後側部分が左右方向に沿って切り欠かれることにより形成されている。
ピエゾ素子5の伸縮によって回路付サスペンション基板1が左右方向に揺動する際には、ピエゾ素子5とピエゾ端子34との間において、左右方向両側に歪みが発生する。
しかるに、この回路付サスペンション基板1では、切欠部132は、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれの後側部分が左右方向に沿って切り欠かれることにより形成されるため、歪みが少ない部分に切欠部132が配置される。
そのため、切欠部132により後側ステージ絶縁層56から開放される第2端子部142のピエゾ素子5に対する接続信頼性の向上を図ることができる。
(4)第5実施形態
上記した第1実施形態では、図2に示すように、ピエゾ端子34の第2先側ピエゾ端子部82は、先後方向中央部分から左右方向内側に向かって膨出している。
対して、第5実施形態では、ピエゾ端子34の第2端子部162は、先後方向の全領域から左右方向内側に向かって膨出している。
詳しくは、第2端子部162は、ステージ開口部61内に配置される第1端子部161の左右方向内側端縁において、先後方向の全領域から、左右方向内側に向かって平面視略円弧形状に膨出している。
第2端子部162は、ステージ切欠部62によって、上面、下面および側面が露出するように、換言すれば、ステージ切欠部62によって、上面、下面および側面が後側ステージ絶縁層56から開放されている。
第5実施形態の回路付サスペンション基板1によれば、第2端子部162は、第1端子部161の先後方向の全領域から平面視略円弧形状に膨出している。
そのため、ピエゾ端子34の接合面積を一層増加させることができる。
(5)第6実施形態
上記した第1実施形態では、図2に示すように、ピエゾ端子34の第2先側ピエゾ端子部82は、先後方向中央部分から左右方向内側に向かって膨出している。
対して、第2実施形態では、ピエゾ端子34では、第2先側ピエゾ端子部82は形成されていない。
詳しくは、図9Aに示すように、ピエゾ端子34は、第1先側ピエゾ端子部81のみを備えている。第1先側ピエゾ端子部81の左右方向内側端縁は、先後方向に沿って直線状に延びている。なお、第1先側ピエゾ端子部81の左右方向内側端縁が、端子遊端部の一例である。
第6実施形態の回路付サスペンション基板1によれば、ピエゾ端子34を簡易かつ確実に形成できる。
そのため、ピエゾ端子34の接合面積を一層増加させることができる。
(6)第7実施形態
上記した第1実施形態では、図2に示すように、ピエゾ端子34は、平面視略矩形状に形成されている。
対して、第7実施形態では、ピエゾ端子34が平面視略円板形状に形成されている。
詳しくは、図9Bに示すように、タング部絶縁層40の1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれは、平面視略円板形状に形成されている。そして、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれには、開口部181と切欠部182とが形成されている。
開口部181は、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれにおいて、左右方向中央部に配置されている。開口部181は、平面視略円形状に形成されており、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれを上下方向に沿って貫通している。
切欠部182は、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれにおいて、左右方向内側部分に配置されている。切欠部182は、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれの左右方向内側部分が左右方向に沿って切り欠かれることにより形成されており、かつ、開口部181と連通している。
1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれにおいて、ピエゾ端子34は、開口部181内に充填されている。
ピエゾ端子34は、平面視略円形状に形成され、第1端子部191と、端子遊端部および突出部の一例としての第2端子部192とを備えている。
第1端子部191は、平面視略円板形状に形成されており、1対の後側ステージ絶縁層56のそれぞれの開口部181から下面が露出するように開口部181内に配置されている。
第2端子部192は、第1端子部191に対して左右方向内側に配置され、第1端子部191と連続しており、第1端子部191から、切欠部182に向かって突出している。つまり、第2端子部192は、ピエゾ端子34の左右方向内側の遊端部である。詳しくは、第2端子部192は、第1端子部191の左右方向内側端縁において、先後方向中央部分から左右方向内側に向かって平面視略円弧形状に膨出している。
第2端子部192は、切欠部182によって、上面、下面および側面が露出するように、換言すれば、切欠部182によって、上面、下面および側面が後側ステージ絶縁層56から開放されている。
第7実施形態の回路付サスペンション基板1によれば、ピエゾ端子34は、平面視略円形状に形成されている。
そのため、ピエゾ端子34をピエゾ素子5に安定して接続できる。
なお、切欠部182は、A1のように左右方向外側部分に配置されてもよく、A2のように後側に配置されてもよく、また、先側に配置されてもよい。
また、ピエゾ端子34では、第1端子部191のみが形成され、第2端子部192が形成されなくてもよい。この場合、第1端子部191の左右方向内側端縁が、端子遊端部の一例である。
1 回路付サスペンション基板
5 ピエゾ素子
8 金属支持基板
9 ベース絶縁層
10 導体層
11 カバー絶縁層
34 ピエゾ端子
35 配線
51 基部開口部
52 基部切欠部
61 ステージ開口部
62 ステージ切欠部
72 第2後側ピエゾ端子部
82 第2先側ピエゾ端子部
91 開口部
92 切欠部
102 第2端子部
111 開口部
112 切欠部
122 第2端子部
131 開口部
132 切欠部
142 第2端子部
162 第2端子部
181 開口部
182 切欠部
192 第2端子部

Claims (6)

  1. 厚み方向に貫通する支持開口部を有する金属支持基板と、
    前記金属支持基板の上面に形成され、前記厚み方向に投影したときに前記支持開口部内に収まるように前記厚み方向に貫通する絶縁開口部を有するベース絶縁層と、
    前記ベース絶縁層の上面に形成される配線部と、電子素子に接続されるように前記絶縁開口部内に配置され、前記配線部に接続される端子部とを有する導体層と、
    を備え、
    前記ベース絶縁層は、前記ベース絶縁層が前記厚み方向と直交する方向に切り欠かれ、かつ、前記絶縁開口部と連続する切欠部を有し、
    前記端子部は、前記切欠部によって開放される端子遊端部を備えることを特徴とする、回路付サスペンション基板。
  2. 前記電子素子は、圧電素子であり、
    前記端子部は、前記圧電素子の伸縮により変位することを特徴とする、請求項1に記載の回路付サスペンション基板。
  3. 前記切欠部は、前記ベース絶縁層における、前記配線部と前記端子部との接続方向、および、前記厚み方向の両方向に直交する幅方向の少なくとも一方側が切り欠かれることにより形成されることを特徴とする、請求項1または2に記載の回路付サスペンション基板。
  4. 前記切欠部は、前記ベース絶縁層における、前記配線部と前記端子部との接続方向の少なくとも一方側が切り欠かれることにより形成されることを特徴とする、請求項1ないし3のいずれか一項に記載の回路付サスペンション基板。
  5. 前記端子遊端部は、前記切欠部に向かって突出する突出部であることを特徴とする、請求項1ないし4のいずれか一項に記載の回路付サスペンション基板。
  6. 前記ベース絶縁層の上面に、前記導体層を被覆するように形成されるカバー絶縁層をさらに備え、
    前記端子遊端部の端縁は、前記厚み方向に投影したときに、前記絶縁開口部から前記切欠部に向かう一方向において、前記カバー絶縁層の端縁よりも前記一方向側に配置されることを特徴とする請求項1ないし5のいずれか一項に記載の回路付サスペンション基板。
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