Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

JP6272459B2 - 半導体モジュール - Google Patents

半導体モジュール Download PDF

Info

Publication number
JP6272459B2
JP6272459B2 JP2016511296A JP2016511296A JP6272459B2 JP 6272459 B2 JP6272459 B2 JP 6272459B2 JP 2016511296 A JP2016511296 A JP 2016511296A JP 2016511296 A JP2016511296 A JP 2016511296A JP 6272459 B2 JP6272459 B2 JP 6272459B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
conductive member
semiconductor element
semiconductor module
bonding
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
JP2016511296A
Other languages
English (en)
Other versions
JPWO2015151285A1 (ja
Inventor
昌和 谷
昌和 谷
善行 出口
善行 出口
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Publication of JPWO2015151285A1 publication Critical patent/JPWO2015151285A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6272459B2 publication Critical patent/JP6272459B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L24/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/36—Selection of materials, or shaping, to facilitate cooling or heating, e.g. heatsinks
    • H01L23/367—Cooling facilitated by shape of device
    • H01L23/3675—Cooling facilitated by shape of device characterised by the shape of the housing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/495—Lead-frames or other flat leads
    • H01L23/49517—Additional leads
    • H01L23/4952—Additional leads the additional leads being a bump or a wire
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L24/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/46—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37025—Plural core members
    • H01L2224/37028—Side-to-side arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/37124—Aluminium [Al] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37099—Material
    • H01L2224/371—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof
    • H01L2224/37138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron [B], silicon [Si], germanium [Ge], arsenic [As], antimony [Sb], tellurium [Te] and polonium [Po], and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/37147—Copper [Cu] as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40135—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/40137—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • H01L2224/40139—Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate with an intermediate bond, e.g. continuous strap daisy chain
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
    • H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/401—Disposition
    • H01L2224/40151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/40221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/40245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/842—Applying energy for connecting
    • H01L2224/84201—Compression bonding
    • H01L2224/84205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/848—Bonding techniques
    • H01L2224/84801—Soldering or alloying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/848—Bonding techniques
    • H01L2224/84801—Soldering or alloying
    • H01L2224/8482—Diffusion bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/848—Bonding techniques
    • H01L2224/8484—Sintering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/84—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a strap connector
    • H01L2224/848—Bonding techniques
    • H01L2224/8485—Bonding techniques using a polymer adhesive, e.g. an adhesive based on silicone, epoxy, polyimide, polyester
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/1026—Compound semiconductors
    • H01L2924/1027—IV
    • H01L2924/10272—Silicon Carbide [SiC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
    • H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1304—Transistor
    • H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
    • H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Description

本発明は、電気配線部である導電部材を用いた半導体モジュールに関し、特に、電流容量の増大と信頼性向上の両立を実現するための半導体モジュールに関する。
電流をスイッチング制御するＩＧＢＴあるいはＭＯＳ−ＦＥＴから構成される半導体モジュールは、インバータ、充電器などの電力変換装置の主要構成部品である。車両の電動化が進む中で、電力変換装置の高出力化が求められており、半導体モジュールの電流容量は、増大する傾向にある。
さらに、ＳｉＣ等の半導体素子の進化に伴い、半導体素子は、２００℃付近の高温環境下でも動作可能になってきている。しかしながら、その一方で、冷熱サイクル等における構造信頼性については、従来と比べて非常に厳しくなっている。したがって、半導体モジュールは、高出力化による電流容量増大と、高温環境で長期間に渡り正常動作できる信頼性確保の両立が求められる。
大電流容量化のためには、通電部材の電気抵抗値の低減が必須である。さらに、低温から高温の環境において信頼性を確保するためには、半導体モジュール内部の構成部材の接合部における冷熱ストレスの低減、およびこの接合部における残留応力の低減、が必要不可欠である。
そして、従来の半導体モジュールでは、電流容量を増大させるために、半導体素子の電極と主端子を構成するバスバを、直接接合しているものがある（例えば、特許文献１参照）。
特開２００５−５５９３号公報
しかしながら、従来技術には、以下のような課題がある。
この特許文献１に開示された従来のバスバは、導電率が高い金属製のプレート（例えば、銅プレート）が使用されている。一般的に、バスバは、電流容量に応じた銅材を用いることになるが、大出力用となると、断面積が増大し、剛性となる場合が多い。
しかしながら、この特許文献１における配線構造では、半導体素子とバスバとの熱膨張差が大きいため、それらの接合面において歪みが発生し、冷熱ストレスが発生する。その結果、半導体素子とバスバの接合面において、剥離やチップクラック等が発生するといった問題が生じる。
また、半導体モジュールにおける構成部材の寸法公差を吸収できず、半導体素子とバスバの接合面に残留応力が発生する。この残留応力も、上述した剥離やチップクラック等の不具合の原因となり、信頼性に関する問題が生じる。また、バスバは、高周波成分の電気抵抗値が高く、大電流容量化には限界がある。
本発明は、前記のような課題を解決するためになされたものであり、半導体装置の電流容量の増大と、半導体モジュールの信頼性向上の両立を図ることのできる半導体モジュールを得ることを目的とする。
本発明に係る半導体モジュールは、基板もしくはバスバに配置された半導体素子を他の電子部品と電気的に接続させるために用いられる導電部材が、半導体素子との接合部における、導電部材と半導体素子との線膨張係数差による冷熱ストレスを低減し、接続対象の寸法公差を吸収できる柔軟性を有する構造を備え、基板もしくはバスバに配置されるとともに、半導体素子と絶縁されている冷却面構造部を有し、導電部材は、細線の集合体または板金の集合体で構成されており、冷却面構造部を経由して半導体素子と他の電子部品とに電気的に接続されており、冷却面構造部は、残留応力による導電部材の剥離を抑制したうえで、放熱性を向上させる構造を有するものである。
本発明によれば、半導体素子の配線に、金属細線をより線にした導電部材、編組線からなる導電部材、あるいは板金を積層した導電部材を使用している。この構成により、高周波成分の抵抗値を低減させて、電気配線の大電流容量化を図りつつ、導電部材と半導体素子との線膨張係数差による冷熱ストレスに起因した不具合を防止し、半導体モジュールの寸法公差が原因で発生する残留応力を低減することができる。この結果、半導体装置の電流容量の増大と、半導体モジュールの信頼性向上の両立を図ることのできる半導体モジュールを得ることができる。
本発明の実施の形態１における半導体モジュールの断面図である。 本発明の実施の形態４における半導体モジュールの断面図である。 本発明の実施の形態５における半導体モジュールの断面図である。
以下、本発明の半導体モジュールの好適な実施の形態につき、図面を用いて説明する。なお、各図において同一または相当する部分に付いては、同一符号を付して説明する。
実施の形態１．
図１は、本発明の実施の形態１における半導体モジュールの断面図である。本実施の形態１における半導体モジュール９は、基板１（あるいはバスバ）に配置されている半導体素子３、主端子を構成する導電部材２、放熱板７から構成されている。導電部材２は、半導体素子３の上側電極５−１と、スイッチング回路を構成する電子部品の端子８とに接合されている。
ここで、導電部材２は、導電率が高い銅、アルミニウム等の金属細線をより線にした構造となっている。そして、より線の直径、本数を調節することで、電気配線部の大電流容量化が可能となる。接合方法は、超音波接合、はんだ接合、Ａｇシンター接合、導電接着剤による接合、拡散接合、ろう付けはもちろんのこと、その他の接合方法でも問題ない。
本実施の形態１では、金属細線をより線とした導電部材２が柔軟性を有しているため、半導体素子３の熱膨張に追従して導電部材２が変形する。このため、導電部材２と半導体素子３との接合面４で歪みが発生せず、導電部材２と半導体素子３との線膨張係数差による冷熱ストレスが発生しない。
さらに、図１に例示しているように、半導体素子３の上側電極５−１と電子部品の端子８の高さ方向に段差がある場合にも、導電部材２が柔軟性を有するため、段差の寸法公差を吸収することが可能となる。この結果、接合面４および接合面１０における残留応力をなくすことができる。
また、高周波電流は、表皮効果によって導電部材２の表面近くを流れる。このため、高周波成分の電気抵抗は、高くなる傾向にある。これに対して、本実施の形態１では、導電部材２が細線あるいは板金の集合体で構成されているため、従来のバスバと比べて表面積を増大させることが可能となる。この結果、高周波成分の電気抵抗を低減させることができ、大電流容量化が可能となる。
以上のように、実施の形態１によれば、導電率が高い金属細線をより線にした構造の導電部材を採用している。この結果、柔軟性を有し、かつ表面積を増大させた導電部材を適用することができ、電気配線部における大電流容量化を図るとともに、冷熱ストレスによる接合部の剥離を防止し、半導体モジュールの信頼性向上を実現できる。
実施の形態２．
先の実施の形態１では、柔軟性を有し、かつ表面積を増大させる目的を達成するための導電部材２として、導電率が高い金属細線をより線にした構造を採用する場合について説明した。これに対して、本実施の形態２では、同様の目的を達成するために、実施の形態１とは異なる構造の導電性部材を採用する場合について説明する。
本実施の形態２に係る導電部材２は、金属細線を網目状に編み込んだ構造（以下、編組線）を採用している。このような構造の導電部材２の断面形状は、板形状、楕円形状、円形状である。
このような構造によっても、先の実施の形態１と同様に、柔軟性を有し、かつ表面積を増大させる目的を達成することができる。その結果、電気配線部における大電流容量化と、冷熱ストレスによる剥離の防止の両立を図ることが可能となる。
以上のように、実施の形態２によれば、金属細線を網目状に編み込んだ構造の導電部材を採用している。この結果、柔軟性を有し、かつ表面積を増大させた導電部材を適用することができ、電気配線部における大電流容量化を図るとともに、冷熱ストレスによる接合部の剥離を防止し、半導体モジュールの信頼性向上を実現できる。
実施の形態３．
先の実施の形態１では、柔軟性を有し、かつ表面積を増大させる目的を達成するための導電部材２として、導電率が高い金属細線をより線にした構造を採用する場合について説明した。また、先の実施の形態２では、同様の目的を達成するための導電部材２として、編組線を採用する場合について説明した。これに対して、本実施の形態３では、同様の目的を達成するために、実施の形態１、２とは異なる構造の導電性部材を採用する場合について説明する。
本実施の形態３に係る導電部材２は、板金を積層して構成されており、導電部材２が半導体素子３に対して板金の層間と併せて接合する構造を採用している。このような構造の導電部材２の板金同士は、接合面４、１０を除いて、板金の層間が固定されていない。そして、板金の積層数を増やすことで、電気配線における電流容量を増大することができる。
このような構造によって、導電部材２を構成する板金は、柔軟性を有し、半導体素子３の電極５−１の熱膨張に追従して変形することができる。このため、接合面４において歪みがなく、冷熱ストレスが発生しない。したがって、このような構造によっても、先の実施の形態１、２と同様に、電気配線部における大電流容量化と、冷熱ストレスによる剥離の防止の両立を図ること可能となる。
以上のように、実施の形態３によれば、板金を積層した構造の導電部材を採用している。この結果、柔軟性を有し、かつ表面積を増大させた導電部材を適用することができ、電気配線部における大電流容量化を図るとともに、冷熱ストレスによる接合部の剥離を防止し、半導体モジュールの信頼性向上を実現できる。
実施の形態４．
本実施の形態４では、先の図１の構成に対して、残留応力の発生を抑制するとともに、放熱性を向上させることのできる構成をさらに備えている半導体モジュールについて説明する。図２は、本発明の実施の形態４における半導体モジュールの断面図である。先の実施の形態１における図１の構成と比較すると、図２の構成は、冷却面６（冷却面構造部に相当）を備えている点が異なっている。そこで、この異なる構成を中心に、以下に説明する。
本実施の形態４における導電部材２は、半導体素子３の上側電極５−１と、導電部材２の冷却面６と、電子部品の端子８とに接続されている。ここで、導電部材２としては、実施の形態１で説明した金属細線をより線とした導電部材、実施の形態２で説明した金属細線を網目状に編み込んだ導電部材、そして実施の形態３で説明した板金を積層した導電部材のいずれも適用可能である。
本実施の形態４で新たに追加された冷却面６は、半導体素子の上側電極５−１に対して絶縁されており、積極的に冷却されている基板１、または放熱板７に接合されている。このような構造を有することにより、導電部材２は、半導体素子３と冷却面６の高さ方向の寸法公差を吸収することができる。このため、接合時に残留応力が発生しない。
さらに、冷却面６を備えることで、導電部材２を介して半導体素子３を冷却することができる。したがって、放熱面積が増大することとなり、残留応力による導電部材２の剥離を抑制したうえで、放熱性を向上させることができる。
以上のように、実施の形態４によれば、先の実施の形態１〜３と同様の効果を得ることができる。さらに、冷却面を備えた構成とすることで、残留応力の発生を抑制できるとともに、放熱性を向上させた半導体モジュールを実現できる。
実施の形態５．
本実施の形態５では、基板１上に半導体素子３が複数配置されている際に、同一の導電部材２を用いて接続する構成について説明する。図３は、本発明の実施の形態５における半導体モジュールの断面図である。先の実施の形態１における図１の構成と比較すると、図３の構成は、基板１上に２つの半導体素子３が搭載されており、それら２つの半導体素子３が、１本の導電部材２により、共通して接続されている点が異なっている。そこで、この異なる構成を中心に、以下に説明する。
本実施の形態５における半導体モジュール９は、基板１に２個以上の半導体素子３が配置されており（ただし、図３では、半導体素子３が２個の場合を例示）、同一の導電部材２を用いて、２個以上の半導体素子３を電気的に接続している。
また、導電部材２と、それぞれの半導体素子３の上側電極５−１との接合面４は、超音波接合されている。超音波接合装置は、導電部材２に対して超音波振動を与えることで、接合面において摩擦熱を発生させ、導電部材２とそれぞれの半導体素子３を接合する。
導電部材２としては、実施の形態１で説明した金属細線をより線とした導電部材、実施の形態２で説明した金属細線を網目状に編み込んだ導電部材、そして実施の形態３で説明した板金を積層した導電部材のいずれも適用可能である。また、図３では図示されていないが、先の実施の形態４における図２で説明したような冷却面６を設けて導電部材２を接合させることで、半導体素子３の放熱性を向上させることも可能である。
以上のように、実施の形態５によれば、本発明の導電部材を用いて、複数の半導体素子を接続することによっても、先の実施の形態１〜４と同様の効果を得ることができる。
なお、導電部材２と接合面４（１１）との接合に、超音波接合を採用する場合における、本願発明に係る導電部材２のメリットについて、従来技術との比較に基づいて説明する。半導体素子３の電極５−１に対して、金属のプレートであるバスバを超音波接合する従来の半導体モジュールでは、接合する際に、バスバの面内方向における超音波振動が、もう一方の半導体素子３の電極５−３と、バスバとの接合面１１に伝播し、接合面１１における剥離が問題となっていた。
これに対して、上述した実施の形態１〜５に係る半導体モジュール９では、バスバの代わりに、柔軟性を揺する導電部材２が用いられている。従って、半導体素子３の電極５−１に対して導電部材２を超音波接合する際に、柔軟性を有する導電部材２によって超音波振動を吸収することができる。このため、半導体素子３の電極５−３と導電部材２との接合面１１における剥離を防止することができる。

Claims (5)

  1. 基板もしくはバスバに配置された半導体素子を他の電子部品と電気的に接続させるために用いられる導電部材が、半導体素子との接合部における、導電部材と半導体素子との線膨張係数差による冷熱ストレスを低減し、接続対象の寸法公差を吸収できる柔軟性を有する構造を備え、
    前記基板もしくは前記バスバに配置されるとともに、前記半導体素子と絶縁されている冷却面構造部を有し、
    前記導電部材は、細線の集合体または板金の集合体で構成されており、前記冷却面構造部を経由して前記半導体素子と他の電子部品とに電気的に接続されており、
    前記冷却面構造部は、残留応力による前記導電部材の剥離を抑制したうえで、放熱性を向上させる構造を有する
    半導体モジュール。
  2. 請求項１に記載の半導体モジュールにおいて、
    前記導電部材は、金属線をより線にした構造を備える
    半導体モジュール。
  3. 請求項１に記載の半導体モジュールにおいて、
    前記導電部材は、金属細線を網目状に編み込んだ構造を備える
    半導体モジュール。
  4. 請求項１に記載の半導体モジュールにおいて、
    前記導電部材は、板金を積層した構造を備える
    半導体モジュール。
  5. 請求項１から４のいずれか１項に記載の半導体モジュールにおいて、
    前記導電部材は、前記半導体素子に対する接合方法として、超音波接合、はんだ接合、Ａｇシンター接合、導電接着剤による接合、拡散接合、ろう付けによる接合のいずれかが用いられている
    半導体モジュール。
JP2016511296A 2014-04-04 2014-04-04 半導体モジュール Active JP6272459B2 (ja)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
PCT/JP2014/060009 WO2015151285A1 (ja) 2014-04-04 2014-04-04 半導体モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2015151285A1 JPWO2015151285A1 (ja) 2017-04-13
JP6272459B2 true JP6272459B2 (ja) 2018-01-31

Family

ID=54239645

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2016511296A Active JP6272459B2 (ja) 2014-04-04 2014-04-04 半導体モジュール

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9853009B2 (ja)
EP (2) EP3477690B1 (ja)
JP (1) JP6272459B2 (ja)
CN (1) CN106133896B (ja)
WO (1) WO2015151285A1 (ja)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2021130290A1 (en) * 2019-12-28 2021-07-01 Danfoss Silicon Power Gmbh Power module with improved electrical characteristics

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0064856B1 (en) * 1981-05-12 1986-12-30 LUCAS INDUSTRIES public limited company A multi-phase bridge arrangement
JP3292614B2 (ja) 1995-01-17 2002-06-17 東芝アイティー・コントロールシステム株式会社 パワーモジュール素子
TW448524B (en) * 1997-01-17 2001-08-01 Seiko Epson Corp Electronic component, semiconductor device, manufacturing method therefor, circuit board and electronic equipment
JPH10340985A (ja) 1997-06-05 1998-12-22 Toshiba Corp 半導体装置および半導体装置の製造方法
JP2001036001A (ja) * 1999-07-21 2001-02-09 Toyota Central Res & Dev Lab Inc 電力半導体モジュール
JP2004319740A (ja) * 2003-04-16 2004-11-11 Fuji Electric Holdings Co Ltd パワー半導体装置およびその製造方法
JP4164409B2 (ja) * 2003-06-13 2008-10-15 三菱電機株式会社 半導体パワーモジュール
JP2005093306A (ja) 2003-09-19 2005-04-07 Hmy Ltd 可撓性接続端子
DE102009020733B4 (de) * 2009-05-11 2011-12-08 Danfoss Silicon Power Gmbh Verfahren zur Kontaktsinterung von bandförmigen Kontaktelementen
JP2011204968A (ja) 2010-03-26 2011-10-13 Panasonic Corp 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP2013026445A (ja) 2011-07-21 2013-02-04 Toyota Industries Corp 下部金属と上部金属との接続構造
US8823175B2 (en) * 2012-05-15 2014-09-02 Infineon Technologies Ag Reliable area joints for power semiconductors
DE102012208251A1 (de) * 2012-05-16 2013-11-21 Robert Bosch Gmbh Elektrische Kontaktierung für Halbleiter
JP2013251500A (ja) 2012-06-04 2013-12-12 Renesas Electronics Corp 半導体装置及びその製造方法
WO2015045648A1 (ja) * 2013-09-30 2015-04-02 富士電機株式会社 半導体装置、半導体装置の組み立て方法、半導体装置用部品及び単位モジュール

Also Published As

Publication number Publication date
US9853009B2 (en) 2017-12-26
EP3477690B1 (en) 2024-01-24
CN106133896B (zh) 2018-12-04
EP3477690A1 (en) 2019-05-01
US20170084568A1 (en) 2017-03-23
CN106133896A (zh) 2016-11-16
EP3128541A1 (en) 2017-02-08
WO2015151285A1 (ja) 2015-10-08
JPWO2015151285A1 (ja) 2017-04-13
EP3128541A4 (en) 2018-03-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4973059B2 (ja) 半導体装置及び電力変換装置
US10763346B2 (en) Semiconductor device and power conversion apparatus
JPWO2019098368A1 (ja) 半導体装置
JP2011216822A (ja) パワー半導体モジュール
JP6261642B2 (ja) 電力半導体装置
JP6945418B2 (ja) 半導体装置および半導体装置の製造方法
CN110771027B (zh) 功率半导体装置及使用该装置的电力转换装置
JP5217015B2 (ja) 電力変換装置及びその製造方法
JP4096741B2 (ja) 半導体装置
JP2007012831A (ja) パワー半導体装置
JP6407300B2 (ja) 半導体モジュールおよび半導体モジュール用の導電部材
JP4645406B2 (ja) 半導体装置
JP6881304B2 (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法
JP6272459B2 (ja) 半導体モジュール
JP5840102B2 (ja) 電力用半導体装置
JP2016174034A (ja) 半導体パワーモジュール
JP2015149363A (ja) 半導体モジュール
JP5418654B2 (ja) 半導体装置
JP6011410B2 (ja) 半導体装置用接合体、パワーモジュール用基板及びパワーモジュール
JP2014041876A (ja) 電力用半導体装置
JP6274019B2 (ja) 半導体装置及びその製造方法
JP5444486B2 (ja) インバータ装置
JP5525856B2 (ja) 半導体モジュール
JP5151837B2 (ja) 半導体装置の製造方法
JP2014033125A (ja) 半導体装置及び半導体装置の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20161108

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20170509

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20170629

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20171205

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20171228

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6272459

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250