JP5499792B2 - センサ用出力集積回路およびセンサ装置 - Google Patents

Description

本発明は、センサからの検出信号に基づき、出力端子間をオン・オフするスイッチング素子を備えるセンサ用出力ＩＣおよびセンサ装置に関するものである。

図６は、センサからの検出信号に基づき、各種の動作を行う一般的なセンサシステムの概略構成を示している。図示のように、センサシステム１００は、センサ装置１１０に電源１１１および負荷１１２が接続された構成である。電源１１１は、センサ装置１１０の電力供給端子１１３・１１３に接続され、センサ装置１１０に電力を供給する。また、負荷１１２は、電力の供給により、センサ１２０（後述）の検出信号に基づく各種の動作を行うものであり、直列に接続された電源１１１および負荷１１２が、出力端子１１４・１１４に接続される。

なお、図示の例では、電力供給端子１１３および出力端子１１４の−側が共通の接地端子ＧＮＤとなっている。以下では、電力供給端子１１３および出力端子１１４の＋側を、それぞれ電力供給端子Ｖccおよび出力端子ＯＵＴと記述する。

センサ装置１１０は、センサ１２０およびセンサ用出力ＩＣ（Integrated Circuit）１２１を備える構成である。センサ１２０は、物理的または化学的な情報を検出するものであり、例えば近接センサ、光電センサなどが挙げられる。センサ１２０が検出した検出信号が、センサ用出力ＩＣ１２１に入力される。

センサ用出力ＩＣ１２１は、出力端子１２２・１２２がセンサ装置１１０の出力端子ＯＵＴ・ＧＮＤにそれぞれ接続される。センサ用出力ＩＣ１２１は、センサ１２０からの検出信号に基づき、出力端子１２２・１２２間をオン・オフするスイッチング素子１２３を備える。これにより、電源１１１から負荷１１２への電力供給がオン・オフされる。従って、センサ１２０の検出に基づき、負荷１１２の動作を制御することができる。

図６に示すセンサシステム１００において、負荷１１２を短絡させた場合、スイッチング素子１２３は、オン状態になると過大な電流が流れて、故障する虞がある。このため、従来から、センサ装置１１０には、負荷１１２を短絡させてもスイッチング素子１２３を故障から保護する負荷短絡保護機能が設けられている。

例えば、特許文献１には、スイッチング素子１２３に第１の所定期間に連続して所定値以上の過電流が流れていることを検出すると、スイッチング素子１２３を第２の所定期間強制的にオフする短絡保護回路が開示されている。第１および第２の所定期間を経過したか否かを判断するため、同文献ではタイマ回路を利用しており、その他、ロジック回路のクロック周波数を分周したものを利用することが知られている。

特開平２−１５６７２１号公報（１９９０年６月１５日公開）

しかしながら、上記タイマ回路を利用する場合、容量、抵抗などを有する回路素子をセンサ用出力ＩＣ１２１の外部に設ける必要があるため、センサ装置１１０は、回路規模および製造コストが増大することになる。また、上記ロジック回路を利用する場合、上記ロジック回路をセンサ用出力ＩＣ１２１の内部に設ける必要があるため、センサ用出力ＩＣ１２１の製造プロセスが高価なものに限定され、製造コストが増大することになる。このように、従来の短絡保護回路は、センサ装置１１０のさらなる小型化および低価格化を図る上で問題となっている。

本発明は、上記の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、センサ装置の回路規模および製造コストを従来よりも抑制しつつ、負荷短絡保護機能を実現するセンサ用出力ＩＣなどを提供することにある。

本発明に係るセンサ用出力ＩＣは、センサからの検出信号に基づき、出力端子間をオン・オフするためのスイッチング素子を備えるセンサ用出力ＩＣにおいて、上記課題を解決するために、該センサ用出力ＩＣ内の温度が所定値以上になると、上記スイッチング素子をオフ状態に維持する温度制限回路を備えることを特徴としている。

負荷が短絡されている場合、スイッチング素子は、オン状態になると過大な電流が流れて発熱し、センサ用出力ＩＣ内の温度が上昇する。そこで、本発明では、温度制限回路は、上記温度が所定値以上になると、上記スイッチング素子をオフ状態に維持する。これにより、スイッチング素子の発熱が停止するので、スイッチング素子を故障から保護することができる。

ところで、ＩＣに組み込まれるトランジスタなどの半導体素子は温度特性を有するものが多い。従って、温度制限回路は、温度特性を有する半導体素子を利用することにより、上記温度が所定値以上であるか否かを検出することができ、上述の動作を行うことができる。これにより、負荷短絡保護機能を実現するために、センサ用出力ＩＣは、外部に部品を接続したり、内部にロジック回路を設けたりする必要が無くなるので、回路規模および製造コストを従来よりも抑制することができる。

なお、センサは、センサ用出力ＩＣの外部に設けられてもよいし、センサ用出力ＩＣに組み込まれてもよい。

本発明に係るセンサ用出力ＩＣでは、上記スイッチング素子は、駆動用電流が供給されるとオン状態になる一方、上記駆動用電流の供給が停止されるとオフ状態になるものであり、上記検出信号に基づき、上記スイッチング素子に上記駆動用電流を供給するか、或いは上記駆動用電流の供給を停止する駆動回路をさらに備えており、上記温度制限回路は、上記温度が所定値以上になると、上記駆動回路の動作を停止するように制御してもよい。

この場合、温度制限回路は、上記温度が所定値以上になると、駆動回路の動作を停止する。これにより、検出信号に関係なく、駆動回路からスイッチング素子に駆動用電流が供給されなくなるので、上記スイッチング素子がオフ状態に維持され、上述と同様の効果を奏することができる。

ところで、負荷を短絡させたことにより上記スイッチング素子が故障に至る原因としては、上述のような発熱によるものと、電流集中によるものとが挙げられる。上記発熱による故障は、時間の経過と共に上記スイッチング素子の温度が上昇することにより発生する。一方、上記電流集中による故障は、上記スイッチング素子に流せる電流の最大値を超えることにより瞬時に発生する。

従って、上記スイッチング素子にてオン状態の場合に流れる電流を制限する回路を設けて、上記スイッチング素子を上記電流集中による故障から保護することが望ましい。具体的には、本発明に係るセンサ用出力ＩＣでは、上記スイッチング素子は、オン状態の場合に流れる電流が、上記スイッチング素子に印加される駆動用電圧によって決まるものであり、上記駆動用電圧を所定値以下に制限する電圧制限回路をさらに備えることが望ましい。

この場合、電圧制限回路が駆動用電圧を制限することにより、オン状態の場合にスイッチング素子に流れる電流を制限することができる。従って、上記スイッチング素子を故障から確実に保護することができる。

本発明に係るセンサ用出力ＩＣでは、上記温度制限回路は、検出した温度が上記所定値よりも低い別の所定値になると、上記駆動回路の動作を再開するように制御することが望ましい。この場合、上記温度が上記所定値以下となり、さらに上記別の所定値以下となるまで、上記駆動回路の動作が停止したままとなり、上記スイッチング素子のオフ状態が維持されるので、上記スイッチング素子を十分に冷却することができる。従って、上記スイッチング素子を故障から確実に保護することができる。

本発明に係るセンサ用出力ＩＣでは、上記温度制限回路は、上記スイッチング素子に隣接して配置することが望ましい。この場合、温度制限回路が検出する温度は、スイッチング素子の温度に近くなるので、スイッチング素子に過大な電流が流れて発熱してから、上記温度が所定値以上になったことを検出するまでの期間を短縮することができる。従って、上記スイッチング素子を故障から確実に保護することができる。

なお、上記スイッチング素子の例としては、トランジスタが挙げられる。

また、センサと、上記構成のセンサ用出力ＩＣとを備えるセンサ装置であれば、上述と同様の効果を奏することができる。

以上のように、本発明に係るセンサ用出力ＩＣは、温度特性を有する半導体素子を利用して、センサ用出力ＩＣ内の温度が所定値以上になると、スイッチング素子をオフ状態に維持することにより、スイッチング素子を故障から保護するので、外部に部品を接続したり、内部にロジック回路を設けたりする必要が無くなり、回路規模および製造コストを従来よりも抑制できるという効果を奏する。

本発明の一実施形態であるセンサ用出力ＩＣの概略構成を示すブロック図である。 上記センサ用出力ＩＣにおいて、負荷が短絡された場合に出力用トランジスタに流れる電流と、上記センサ用出力ＩＣの温度との時間変化を示すグラフである。 上記センサ用出力ＩＣにおける出力用トランジスタおよび温度制限回路の位置関係を示す平面図である。 上記センサ用出力ＩＣの一実施例を示す回路図である。 上記センサ用出力ＩＣの他の実施例を示す回路図である。 一般的なセンサシステムの概略構成を示すブロック図である。

以下、本発明の一実施形態について、図１〜図３を参照して説明する。なお、センサシステムの概略構成は、図６に示す従来のセンサシステム１００の概略構成と同様であるので、その説明を省略する。

図１は、本実施形態のセンサ用出力ＩＣ１０の概略構成を示している。図示のように、センサ用出力ＩＣ１０は、出力用トランジスタ（Ｑ１）１１、抵抗（Ｒ１）１２、温度制限回路１３、駆動回路１４、および電圧制限回路１５を備える構成である。

出力用トランジスタ１１は、図６に示すスイッチング素子１２３として機能するものである。図示の例では、出力用トランジスタ１１は、ＮＰＮ型であり、コレクタ端子が出力端子ＯＵＴに接続され、ベース端子が駆動回路１４および電圧制限回路１５に接続され、かつ、エミッタ端子が抵抗１２を介して接地端子ＧＮＤに接続されている。出力用トランジスタ１１は、駆動回路１４からの電気信号により、オン・オフ動作を行う。

温度制限回路１３は、出力用トランジスタ１１付近の温度が第１の所定値以上になると、駆動回路１４の動作を停止するように指示する。さらに、温度制限回路１３は、上記温度が、第１の所定値よりも低い第２の所定値以下になると、駆動回路１４の動作を再開するように指示するヒステリシス機能を有する。

駆動回路１４は、出力用トランジスタ１１をオフ状態からオン状態に駆動するための駆動用電流の供給を、センサ１２０からの検出信号に基づき制御するものである。具体的には、駆動回路１４は、上記検出信号により出力用トランジスタ１１をオン状態にする場合、出力用トランジスタ１１のベース端子に所定の駆動用電流を供給する。一方、駆動回路１４は、上記検出信号により出力用トランジスタ１１をオフ状態にする場合、上記駆動用電流の供給を停止する。

さらに、駆動回路１４は、上記温度制限回路１３からの指示により、動作を停止したり再開したりする。駆動回路１４が動作を停止すると、上記検出信号に関係なく、上記駆動用電流の出力用トランジスタ１１への供給が停止されるので、出力用トランジスタ１１はオフ状態となる。

電圧制限回路１５は、出力用トランジスタ１１のベース端子の電位（ベース電位）Ｖ_Ｂを所定値以下に制限するものである。出力用トランジスタ１１は、ベース−エミッタ間電圧Ｖ_ＢＥ（Ｑ１）が閾値よりも低いとオフ状態となり、ベース−エミッタ間電圧Ｖ_ＢＥ（Ｑ１）が閾値以上になるとオン状態となる。オン状態のとき、出力用トランジスタ１１のベース電位Ｖ_Ｂおよび電流Ｉoutは次式を満たす。
Ｖ_Ｂ＝Ｖ_ＢＥ（Ｑ１）＋Ｉout×Ｒ１ ・・・（式１）。

出力用トランジスタ１１は、流れる電流Ｉoutが変化してもベース−エミッタ間電圧Ｖ_ＢＥ（Ｑ１）がさほど変化しない。これにより、出力用トランジスタ１１を流れる電流Ｉoutは、ベース電位Ｖ_Ｂ、すなわち、接地端子ＧＮＤと出力用トランジスタ１１のベース端子との間の電圧（駆動用電圧）Ｖ_Ｂによって決まることになる。

従って、負荷が短絡された場合など、出力用トランジスタ１１に過剰な電流が流れるような状況では、電圧制限回路１５によってベース電位Ｖ_Ｂを所定値以下に制限することにより、出力用トランジスタ１１を流れる電流Ｉoutを制限することができる。これにより、出力用トランジスタ１１を電流集中による故障から保護することができる。

上記構成のセンサ用出力ＩＣ１０において、負荷が短絡された場合、出力用トランジスタ１１は、オン状態になると過大な電流が流れて発熱し、センサ用出力ＩＣ１０内の温度が上昇する。このとき、温度制限回路１３は、上記温度が所定値以上になると、駆動回路１４の動作を停止する。これにより、検出信号に関係なく、駆動回路１４から出力用トランジスタ１１に駆動用電流が供給されなくなるので、出力用トランジスタ１１がオフ状態に維持される。これにより、出力用トランジスタ１１の発熱が停止するので、出力用トランジスタ１１を故障から保護することができる。

また、温度制限回路１３は、温度特性を有する半導体素子を利用して、上記温度が所定値以上であるか否かを検出することができ、上述の動作を行うことができる。これにより、負荷短絡保護機能を実現するために、センサ用出力ＩＣ１０は、外部に部品を接続したり、内部にロジック回路を設けたりする必要が無くなるので、回路規模および製造コストを従来よりも抑制することができる。

また、温度制限回路１３は、上述のヒステリシス機能を有するので、出力用トランジスタ１１を十分に冷却することができる。従って、出力用トランジスタ１１を故障から確実に保護することができる。

図２は、上記構成のセンサ用出力ＩＣ１０において、負荷が短絡された場合に出力用トランジスタ１１に流れる電流Ｉoutと、センサ用出力ＩＣ１０の温度との時間変化を示すグラフである。なお、図示の例では、出力用トランジスタ１１がオン状態となるような検出信号がセンサ１２０から入力されているとする。

図２に示すように、出力用トランジスタ１１がオン状態となり、出力用トランジスタ１１に電流Ｉoutが流れて、センサ用出力ＩＣ１０のチップ温度が上昇する。このとき、電流Ｉoutは、電圧制限回路１５によって制限値に制限される。

そして、上記チップ温度が第１の所定値に達すると、出力用トランジスタ１１がオフ状態となる。これにより、上記チップ温度が徐々に低下する。そして、上記チップ温度が第２の所定値に達すると、駆動回路１４の動作が再開されて、出力用トランジスタ１１がオン状態となり、上記の動作を繰り返す。

図３は、センサ用出力ＩＣ１０における出力用トランジスタ１１および温度制限回路１３の配置例を示している。図示のように、温度制限回路１３は、出力用トランジスタ１１に隣接して配置されることが望ましい。この場合、温度制限回路１３が検出する温度は、出力用トランジスタ１１の温度に近くなるので、出力用トランジスタ１１に過大な電流が流れて発熱してから、上記温度が所定値以上になったことを検出するまでの期間を短縮することができる。従って、出力用トランジスタ１１を故障から確実に保護することができる。なお、温度制限回路１３では、上記温度の検出に利用される素子（後述のトランジスタＱ２１および抵抗Ｒ２１）を出力用トランジスタ１１に近い側に設けることがさらに望ましい。

図４は、図１に示すセンサ用出力ＩＣ１０の回路の一例を示している。まず、センサ用出力ＩＣ１０における駆動回路１４の回路例について説明する。図示のように、駆動回路１４は、定電流源ＣＣ１１、ＮＰＮ型のトランジスタＱ１１・Ｑ１２、および抵抗Ｒ１１を備える構成である。

トランジスタＱ１１は、コレクタ端子が、電力供給線Ｖccに接続され、ベース端子にセンサ１２０からの検出信号が入力され、エミッタ端子が抵抗Ｒ１１を介して出力用トランジスタ１１のベース端子に接続される。また、トランジスタＱ１２は、コレクタ端子が定電流源ＣＣ１１およびトランジスタＱ１１のベース端子に接続され、ベース端子がトランジスタＱ１１のエミッタ端子に接続され、エミッタ端子が出力用トランジスタ１１のベース端子に接続される。

従って、上記検出信号により定電流源ＣＣ１１からの電流がトランジスタＱ１１・Ｑ１２に供給されると、トランジスタＱ１１がオン状態となって、出力用トランジスタ１１のベース端子に駆動用電流Ｉ１１が供給される。このとき、Ｉ１１＝Ｖ_ＢＥ（Ｑ１２）／Ｒ１１となる。ここで、Ｖ_ＢＥ（Ｑ１２）は、トランジスタＱ１２のベース−エミッタ間電圧を意味する。一方、上記検出信号により定電流源ＣＣ１１からの電流がトランジスタＱ１１・Ｑ１２に供給されなくなると、トランジスタＱ１１がオフ状態となって、駆動用電流Ｉ１１の供給が停止される。

次に、センサ用出力ＩＣ１０における温度制限回路１３の回路例について説明する。温度制限回路１３は、図４に示すように、定電流源ＣＣ２１・ＣＣ２２・ＣＣ２３・ＣＣ２４、ＮＰＮ型のトランジスタＱ２１・Ｑ２２・Ｑ２３・Ｑ２４、抵抗Ｒ２１、およびダイオードＤ２１を備える構成である。

図４に示す回路例では、トランジスタＱ２１および抵抗Ｒ２１が、センサ用出力ＩＣ１２１内の温度が所定値以上になったことを検出することになる。本実施例では、トランジスタＱ２１のベース−エミッタ間電圧Ｖ_ＢＥが負の温度特性を有し、抵抗Ｒ２１が正の温度特性を有するとする。

定電流源Ｃ２１は、トランジスタＱ２１のベース端子に接続され、定電流源Ｃ２２は、トランジスタＱ２１のコレクタ端子とトランジスタＱ２２・Ｑ２３のベース端子とに接続される。また、定電流源Ｃ２３は、トランジスタＱ２２のコレクタ端子に接続され、ダイオードＤ２１を介してトランジスタＱ２１のベース端子に接続される。
また、定電流源Ｃ２４は、トランジスタＱ２３のコレクタ端子とトランジスタＱ２４のベース端子とに接続される。

トランジスタＱ２１は、ベース端子が抵抗Ｒ２１を介して接地線ＧＮＤに接続される。また、トランジスタＱ２４は、コレクタ端子が駆動回路１４のトランジスタＱ１１のベース端子に接続される。なお、全てのトランジスタＱ２１〜Ｑ２４は、エミッタ端子が接地線ＧＮＤに接続される。

従って、出力端子ＯＵＴが、電力供給端子Ｖccと短絡され、出力用トランジスタ１１に大電流が流れると、出力用トランジスタ１１が発熱し、センサ用出力ＩＣ１２１内の温度が上昇する。このとき、Ｖ_ＢＥ（Ｑ２１）が小さくなり、Ｒ２１が大きくなる。なお、定電流源ＣＣ２１〜ＣＣ２４からの電流は、温度にほとんど依存しないとする。

そして、上記温度が第１の所定値以上になると、トランジスタＱ２１がオン状態となる。すると、定電流源ＣＣ２２からの電流がトランジスタＱ２１の方に流れるので、トランジスタＱ２２・Ｑ２３がオフ状態となる。これにより、定電流源ＣＣ２４からの電流がトランジスタＱ２４の方に流れるので、トランジスタＱ２４がオン状態となる。これにより、駆動回路１４の定電流源ＣＣ１１からの電流が、トランジスタＱ２４の方に流れるので、トランジスタＱ１１がオフ状態となる。その結果、出力用トランジスタ１１は、ベース端子に駆動用電流Ｉ１１が供給されなくなるので、オフ状態となる。

また、トランジスタＱ２２がオフ状態となることにより、定電流源ＣＣ２３からの電流がダイオードＤ２１を介してトランジスタＱ２１のベース端子および抵抗Ｒ２１に供給される。すなわち、トランジスタＱ２１のベース端子および抵抗Ｒ２１に供給される電流が増加することになる。これにより、出力用トランジスタ１１がオフ状態となり、センサ用出力ＩＣ１２１内の温度が低下して第１の所定値以下となっても、上記電流の増加によりトランジスタＱ２１はオン状態を維持する。

そして、センサ用出力ＩＣ１２１内の温度がさらに低下して第２の所定値以下となると、トランジスタＱ２１がオフ状態となる。すると、定電流源ＣＣ２２からの電流がトランジスタＱ２２・Ｑ２３の方に流れるので、トランジスタＱ２２・Ｑ２３がオン状態となり、これにより、定電流源ＣＣ２４からの電流がトランジスタＱ２３の方に流れるので、トランジスタＱ２４がオフ状態となる。これにより、駆動回路１４は、定電流源ＣＣ１１からの電流がトランジスタＱ２４の方に流れなくなるので、上記検出信号に基づく動作を再開する。

また、トランジスタＱ２２がオン状態となることにより、定電流源ＣＣ２３からの電流がトランジスタＱ２２の方へ流れるので、トランジスタＱ２１のベース端子および抵抗Ｒ２１に供給される電流が元に戻る。

上記構成の温度制限回路１３には、Ｉ２１＝ΔＶ_ＢＥ／Ｒ２１で決まる電流源が用いられる。ここで、ΔＶ_ＢＥは、トランジスタの面積により決まるＶ_ＢＥの差電圧を意味する。この電流源は、温度特性が比較的フラットである点と、トランジスタのＶ_ＢＥが負の温度特性であるので温度上昇を検出し易い点とを特徴としているので、本願発明の温度制限回路として望ましい。

次に、センサ用出力ＩＣ１０における電圧制限回路１５の回路例について説明する。図４に示すように、電圧制限回路１５は、定電流源ＣＣ３１、ＮＰＮ型のトランジスタＱ３１・Ｑ３２・Ｑ３４、ＰＮＰ型のトランジスタＱ３３、および抵抗Ｒ３１・Ｒ３２を備える構成である。

トランジスタＱ３１・３２および抵抗Ｒ３１は、出力用トランジスタ１１のベース端子と接地線ＧＮＤとの間に設けられたカレントミラー回路を構成している。また、トランジスタＱ３２のコレクタ端子は、定電流源ＣＣ３１およびトランジスタＱ３３のベース端子に接続される。

また、トランジスタＱ３３は、エミッタ端子が出力用トランジスタ１１のベース端子に接続され、コレクタ端子が、トランジスタＱ３４のベース端子に接続されると共に、抵抗Ｒ３２を介して接地線ＧＮＤに接続される。また、トランジスタＱ３４は、コレクタ端子が出力用トランジスタ１１のベース端子に接続され、エミッタ端子が接地線ＧＮＤに接続される。

従って、出力用トランジスタ１１がオン状態となり、出力用トランジスタ１１および抵抗１２に流れる電流が大きくなると、出力用トランジスタ１１のベース電位Ｖ_Ｂが大きくなり、トランジスタＱ３１・Ｑ３２に流れる電流が大きくなる。そして、出力用トランジスタ１１のベース電位Ｖ_Ｂが所定値以上となった場合、定電流源ＣＣ３１からの電流Ｉ３１以上の電流がトランジスタＱ３２に流れて、トランジスタＱ３３がオン状態となり、トランジスタＱ３４がオン状態となる。これにより、駆動回路１４のトランジスタＱ１１および抵抗Ｒ１１を流れる電流Ｉ１１がトランジスタＱ３４の方へ流れることになる。従って、ベース電位Ｖ_Ｂが所定値までに制限されるので、該所定値によって決まる電流値に、出力用トランジスタ１１のコレクタ電流Ｉoutを制限することができる。

また、トランジスタＱ３４がオン状態である場合、次式を満たすことになる。
Ｖ_ＢＥ（Ｑ３４）＝｛（Ｖ_Ｂ−Ｖ_ＢＥ（Ｑ３１））／Ｒ３１‐Ｉ３１｝×ｈ_ＦＥ（Ｑ３３）×Ｒ３２ ・・・（式２）。

ここで、ｈ_ＦＥは電流増幅率を意味する。ｈ_ＦＥ≒∞とすると、出力用トランジスタ１１のベース電位Ｖ_Ｂは、Ｖ_Ｂ＝Ｉ３１×Ｒ３１＋Ｖ_ＢＥ（Ｑ３１）を満たすことになり、平衡を保つことになる。従って、出力用トランジスタ１１のベース電位Ｖ_Ｂが一定に維持されるので、コレクタ電流Ｉoutを一定に維持されることができる。

図５は、図１に示すセンサ用出力ＩＣ１０の回路の他の例を示している。なお、図５に示す回路例は、図４に示す回路例に比べて、電圧制限回路１５の構成が異なるのみであり、その他の構成は同じである。

上述の実施例では、出力用トランジスタ１１を流れる電流Ｉoutは、上記の式（１）に基づき、出力用トランジスタ１１のベース電位Ｖ_Ｂによって検出しているが、本実施例では、出力用トランジスタ１１のエミッタ端子における電位（エミッタ電位）Ｖ_Ｅによって検出している。換言すれば、本実施例では、抵抗１２における電圧Ｖ_Ｅによって、出力用トランジスタ１１から抵抗１２に流れる電流Ｉoutを検出している。なお、上記実施形態および上記実施例で説明した構成と同様の機能を有する構成には同一の符号を付して、その説明を省略する。

図５に示す電圧制限回路１５は、図４に示す電圧制限回路１５に比べて、抵抗Ｒ３１の接続先が変更されている点と、定電流源ＣＣ４１、およびダイオードＤ４１・Ｄ４２が追加されている点とが異なり、その他の構成は同様である。定電流源ＣＣ４１は、ダイオードＤ４１・Ｄ４２を介して出力用トランジスタ１１のエミッタ端子に接続される。そして、ダイオードＤ４１・４２の間の接続点に、抵抗Ｒ３１が接続される。

従って、出力用トランジスタ１１および抵抗１２に流れる電流が大きくなると、出力用トランジスタ１１のエミッタ電位Ｖ_Ｅが大きくなる。これにより、ダイオードＤ４１・４２の間の接続点における電位Ｖ４１も大きくなり、トランジスタＱ３１・Ｑ３２に流れる電流が大きくなる。そして、出力用トランジスタ１１のエミッタ電位Ｖ_Ｅが所定値以上となった場合、定電流源ＣＣ３１からの電流Ｉ３１以上の電流がトランジスタＱ３２に流れて、トランジスタＱ３３がオン状態となり、トランジスタＱ３４がオン状態となる。従って、上述の実施例と同様に、ベース電位Ｖ_Ｂが制限されることになる。

以上のように、電圧制限回路１５の回路構成は種々のものが考えられる。同様に、温度制限回路１３および駆動回路１４の回路構成も種々のものが考えられる。

本発明は上述した実施形態に限定されるものではなく、請求項に示した範囲で種々の変更が可能である。すなわち、請求項に示した範囲で適宜変更した技術的手段を組み合わせて得られる実施形態についても本発明の技術的範囲に含まれる。

例えば、上記実施形態および上記実施例では、センサ１２０は、センサ用出力ＩＣ１０の外部に設けられているが、一体に設けてもよい。

以上のように、本発明に係るセンサ用出力ＩＣは、温度特性を有する半導体素子を利用して、センサ用出力ＩＣ内の温度が所定値以上になると、スイッチング素子をオフ状態に維持することにより、スイッチング素子を故障から保護するので、近接センサ、光電センサなどの任意のセンサに対して適用することができる。

１０ センサ用出力ＩＣ
１１ 出力用トランジスタ（スイッチング素子）
１２ 抵抗
１３ 温度制限回路
１４ 駆動回路
１５ 電圧制限回路

Claims (5)

1. センサから入力される検出信号に基づき、出力端子間をオン・オフさせるものであって、駆動用電流が供給されるとオン状態になる一方、上記駆動用電流の供給が停止されるとオフ状態になるスイッチング素子と、
   上記検出信号に基づき、上記スイッチング素子に上記駆動用電流を供給するか、或いは上記駆動用電流の供給を停止する駆動回路と、
   該センサ用出力集積回路内の温度が所定値以上になると、上記スイッチング素子をオフ状態に維持する温度制限回路と、を備え、
   上記温度制限回路は、上記温度が第１の所定値以上になると、上記駆動回路の動作を停止し、上記温度が上記第１の所定値よりも低い別の第２の所定値になると、上記駆動回路の動作を再開するように制御し、
   上記温度制限回路は、
   該センサ用出力集積回路内の温度が上記第１の所定値以上になるのを検出するための抵抗を介して、接地線に接続される第１の定電流源と、
   該センサ用出力集積回路内の温度が上記第１の所定値以上になるのを検出するための、上記抵抗と上記第１の定電流源との間にベース端子が接続される第１のトランジスタと、
   上記第１のトランジスタのコレクタ端子と第２のトランジスタおよび第３のトランジスタそれぞれのベース端子とに接続される第２の定電流源と、
   上記第２のトランジスタのコレクタ端子に接続され、ダイオードを介して上記第１のトランジスタのベース端子に接続される第３の定電流源と、
   上記第３のトランジスタのコレクタ端子と、該コレクタ端子が上記駆動回路の動作を制御するように、上記駆動回路に接続される第４のトランジスタのベース端子とに接続される第４の定電流源と、を備え、
   上記第１のトランジスタから上記第４のトランジスタまでのエミッタ端子が上記接地線に接続され、
   上記温度が上記第１の所定値以上になると、上記第１のトランジスタがオン状態となることにより、上記第２の定電流源からの電流が上記第１のトランジスタに流れるので、上記第２のトランジスタおよび上記第３のトランジスタがオフ状態となり、これにより、上記第４の定電流源からの電流が上記第４のトランジスタに流れるので、上記第４のトランジスタがオン状態となり、
   上記第４のトランジスタがオン状態となることにより、上記駆動回路の動作をオフさせ、上記第３の定電流源からの電流がダイオードを介して、上記第１のトランジスタのベース端子および上記抵抗に供給され、上記温度が上記第２の所定値になるまで上記第１のトランジスタがオン状態に維持することを特徴とする、センサ用出力集積回路。
2. 上記スイッチング素子は、オン状態の場合に流れる電流が、上記スイッチング素子に印加される駆動用電圧によって決まるものであり、
   上記駆動用電圧を所定値以下に制限する電圧制限回路をさらに備えることを特徴とする請求項１に記載のセンサ用出力集積回路。
3. 上記温度制限回路は、上記スイッチング素子に隣接して配置することを特徴とする請求項１または２に記載のセンサ用出力集積回路。
4. 上記スイッチング素子はトランジスタであることを特徴とする請求項１から３までの何れか１項に記載のセンサ用出力集積回路。
5. センサと、請求項１から４までの何れか１項に記載のセンサ用出力集積回路とを備えるセンサ装置。
   

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