JP2020173465A - 露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、遮光装置、及び露光方法 - Google Patents

Abstract

【課題】繋ぎ合わせの自由度が十分な露光方法の提供。【解決手段】マスクＭのパターンを基板Ｐに投影する複数の投影光学ユニットを備え、マスクＭと基板ＰとをＸ方向に相対移動させて、マスクＭのパターンを基板Ｐに露光する露光方法は、投影光学ユニットによって基板Ｐ上に投影される投影領域の−Ｙ側の端部を第１の傾斜角度で遮光した状態で、基板Ｐ上のＡ領域にパターンＡを投影する第１露光工程と、基板Ｐを移動させるステップ移動工程と、投影領域の＋Ｙ側の端部を第２の傾斜角度で遮光した状態で、Ａ領域と少なくとも一部が重なるＢ領域にパターンＢを投影する第２露光工程と、を含む。【選択図】図１１

Description

本発明は、露光装置、フラットパネルディスプレイの製造方法、デバイス製造方法、遮光装置、及び露光方法に係り、更に詳しくは、物体上に投影光学系を介して所定パターンを形成する露光装置及び方法、物体上に投影光学系を介して所定パターンを形成する露光装置に用いられる遮光装置、並びに前記露光装置又は方法を用いたフラットパネルディスプレイ又はデバイスの製造方法に関する。

従来、液晶表示素子（液晶パネル）、半導体素子等の電子デバイス（マイクロデバイス）を製造するリソグラフィ工程では、マスク又はレチクル（以下、「マスク」と総称する）と、ガラスプレート又はウエハ等（以下、「基板」と総称する）とを所定の走査方向に沿って同期移動させつつ、マスクに形成されたパターンを、エネルギビームを用いて基板上に転写するステップ・アンド・スキャン方式の露光装置（いわゆるスキャニング・ステッパ（スキャナとも呼ばれる））などが用いられている。

この種の露光装置を用いて基板上にパターンを形成する方法としては、マスクに形成されたパターン（マスクパターン）の周期性を利用して、マスクパターンを基板上で継ぎ合わせる、いわゆる繋ぎ露光が知られている（特許文献１参照）。

従来の露光装置で上記繋ぎ露光を行う場合、上記繋ぎ合わせの自由度が十分ではなかった。

特開２００４−３３５８６４号公報

第１の実施形態では、所定パターンを物体に投影する投影光学系に対して、前記物体を第１方向に相対移動させて露光する露光装置であって、前記投影光学系を介して前記物体上に投影される投影領域のうち、前記第１方向の位置に応じて、前記物体上の照明量が前記第１方向に交差する前記第２方向に沿って変化する所定領域を遮光する遮光部と、前記遮光部を、前記照明量を変化させるように駆動する駆動部と、を備える露光装置が、提供される。

第２の実施形態では、第１の実施形態に係る露光装置を用いて、前記基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法。が、提供される。

第３の実施形態では、第１の実施形態に係る露光装置を用いて、前記基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。

第４の実施形態では、所定パターンを物体に投影する投影光学系に対して前記物体を第１方向に相対移動させて走査露光する露光装置に用いられる遮光装置であって、前記投影光学系を介して前記物体上に投影される投影領域のうち、前記第１方向の位置に応じて、前記物体上の照明量が前記第１方向に交差する前記第２方向に沿って変化する所定領域を遮光する遮光部と、前記遮光部を、前記照明量を変化させるように駆動する駆動部と、を備える遮光装置が、提供される。

第５の実施形態では、所定パターンを物体に投影する投影光学系に対して前記物体を第１方向に相対移動させて走査露光する露光方法であって、前記投影光学系を介して前記物体上に投影される投影領域のうち、前記第１方向の位置に応じて、前記物体上の照明量が前記第１方向に交差する前記第２方向に沿って変化する所定領域を、遮光部によって遮光することと、前記遮光部を、前記照明量を変化させるように駆動することと、を含む露光方法が、提供される。

第６の実施形態では、所定パターンを物体に投影する投影光学系に対して前記物体を第１方向に相対移動させて走査露光する露光方法であって、前記投影光学系を介して前記物体上に投影される投影領域のうち、前記第１方向の位置に応じて、前記物体上の照明量が前記第１方向に交差する前記第２方向に沿って変化する所定領域を、遮光部によって遮光することと、前記遮光部を、前記照明量を変化させるように駆動することと、を含む露光方法が、提供される。

第７の実施形態では、第６の実施形態に係る露光方法を用いて前記基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むフラットパネルディスプレイの製造方法が、提供される。

第８の実施形態では、第６の実施形態に係る露光方法を用いて前記基板を露光することと、露光された前記基板を現像することと、を含むデバイス製造方法が、提供される。

一実施形態に係る露光装置の構成を概略的に示す図である。 図１の露光装置が有する照明光学系、及び投影光学系の構造を説明するための図である。 図３（ａ）は、投影光学系が有する視野絞りと遮光板の配置を示す平面図、図３（ｂ）は、視野絞りと遮光板との光軸方向の位置関係を示す図である。 図４（ａ）は、遮光板の第１の傾斜配置を示す図であり、図４（ｂ）は、遮光板の第２の傾斜配置を示す図である。 図５（ａ）は、遮光板を用いて投影領域の中央に継ぎ部を形成する場合を示す図であり、図５（ｂ）は、遮光板を用いて投影領域の端部近傍に継ぎ部を形成する場合を示す図である。 図６（ａ）は、２枚の遮光板を用いて継ぎ部を形成する場合を示す図であり、図６（ｂ）は、１枚の遮光板で図６（ａ）と同様の継ぎ部を形成する場合を示す図である。 図７（ａ）は、従来の遮光板を示す図であり、図７（ｂ）は実施形態の遮光板を示す図であり、図７（ｃ）は、実施形態の遮光板を複数備えた場合を示す図である。 図８（ａ）〜図８（ｄ）は、視野絞りと遮光板とによって形成される開口の態様（第１のモード〜第４のモード）を説明するための図である。 基板上に生成される投影領域を示す平面図である。 繋ぎ露光の概念図である。 図１１（ａ）は、第１の露光方法に係る基板とマスクとの関係を示す図であり、図１１（ｂ）は、第１の露光方法でＡ領域を走査露光する際の図であり、図１１（ｃ）は、第１の露光方法でＢ領域を走査露光する際の図である。 図１２（ａ）は、第２の露光方法に係る基板とマスクとの関係を示す図であり、図１２（ｂ）は、第２の露光方法でＡ領域を走査露光する際の図であり、図１２（ｃ）は、第２の露光方法でＢ領域を走査露光する際の図である。 図１３（ａ）は、第３の露光方法に係る基板とマスクとの関係を示す図であり、図１３（ｂ）は、第３の露光方法でＡ領域を走査露光する際の図である。 図１４（ａ）は、第３の露光方法でＢ領域を走査露光する際の図であり、図１４（ｂ）は、第３の露光方法でＣ領域を走査露光する際の図である。 図１５（ａ）は、第４の露光方法に係る基板とマスクとの関係を示す図であり、図１５（ｂ）は、第４の露光方法でＡ領域を走査露光する際の図である。 第４の露光方法でＢ領域を走査露光する際の図である。 図１７（ａ）は、第５の露光方法に係る基板とマスクとの関係を示す図であり、図１７（ｂ）は、第５の露光方法でＡ１領域を走査露光する際の図である。 図１８（ａ）は、第５の露光方法でＢ１領域を走査露光する際の図であり、図１８（ｂ）は、第５の露光方法でＡ２領域を走査露光する際の図である。 第５の露光方法でＢ２領域を走査露光する際の図である。 繋ぎ露光を行う際のフローチャートである。 遮光板の駆動機構の変形例（その１）を示す図である。 遮光板の駆動機構の変形例（その２）を示す図である。 図２３（ａ）及び図２３（ｂ）は、遮光板の駆動機構の変形例（その３）を示す図（その１及びその２）である。 図２４（ａ）は、遮光板の変形例を示す図であり、図２４（ｂ）〜図２４（ｅ）は、図２４（ａ）の遮光板の動作を示す図（その１〜その４）である。 遮光板の駆動機構の詳細を示す図である。 光学フィルタを用いた繋ぎ露光を説明するための図である。

以下、一実施形態について、図１〜図２０を用いて説明する。図１は、一実施形態に係る露光装置ＥＸの構成を示す斜視図である。図１において、露光装置ＥＸは、マスクＭを支持するマスクステージＭＳＴと、感光基板Ｐ（以下、単に「基板Ｐ」と称する）を支持する基板ステージＰＳＴと、マスクＭを露光光ＥＬで照明する照明光学系ＩＬと、マスクＭに形成されたパターンの投影像（以下、パターン像と呼ぶ）を基板Ｐに転写し、このパターン像に対応する潜像としての転写パターンを基板Ｐ上に形成する投影光学系ＰＬと、露光装置ＥＸの動作を統括制御する制御装置ＣＯＮＴ（図１では不図示。図２参照）とを備えている。基板Ｐは、ガラス基板に感光剤（フォトレジスト）を塗布したものであり、転写パターンは、この感光剤中に形成される。投影光学系ＰＬは並設された複数（図１では７つ）の投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇにより構成され、本実施形態における露光装置ＥＸは、この投影光学系ＰＬに対してマスクＭと基板Ｐとを同期移動（同期走査）しつつマスクＭを露光光ＥＬで照明し、マスクＭのパターン像を基板Ｐに転写する。

ここで、以下の説明において、マスクＭと基板Ｐとの同期移動方向（走査方向）をＸ軸方向、水平面内において走査方向と直交する方向をＹ軸方向（非走査方向）、Ｘ軸方向及びＹ軸方向に直交する方向をＺ軸方向とする。また、Ｘ軸、Ｙ軸、及びＺ軸の軸線まわり方向を、それぞれθＸ、θＹ、及びθＺ方向とする。

本実施形態のマスクステージ装置は、マスクＭを支持するマスクステージＭＳＴと、Ｘ軸方向に長いストロークを有するリニアガイド（不図示）と、リニアモータ、ボイスコイルモータ（ＶＣＭ）等により構成されるマスクステージ駆動部ＭＳＴＤとを備える。マスクステージ駆動部ＭＳＴＤは、制御装置ＣＯＮＴ（図２参照）の制御の下、マスクＭと基板Ｐとを同期移動させる際に、マスクＭを有するマスクステージＭＳＴをＸ軸方向に長いストロークで駆動可能であるとともに、Ｘ軸方向及びＹ軸方向を含む水平面内におけるマスクＭの位置を微調整するために、マスクステージＭＳＴをＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向及びθＺ方向に駆動可能である。また、マスクステージＭＳＴの水平面内の位置は、レーザ干渉計を用いて測定され、例えば０．５〜１ｎｍ程度の分解能で常時検出される。このレーザ干渉計の計測値は、制御装置ＣＯＮＴに送られ、マスクステージＭＳＴのＸ軸方向、Ｙ軸方向、Ｚ軸方向及びθＺ方向の位置を制御する。

マスクＭを透過した露光光ＥＬは、投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇにそれぞれ入射する。投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇは定盤１５０に支持され、露光光ＥＬによるマスクＭ上の照射領域に対応するパターン像を基板Ｐに結像させる。投影光学モジュールＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬｅ、ＰＬｇと、投影光学モジュールＰＬｂ、ＰＬｄ、ＰＬｆとは、それぞれＹ軸方向に所定間隔で配置されている。また、投影光学モジュールＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬｅ、ＰＬｇの列と、投影光学モジュールＰＬｂ、ＰＬｄ、ＰＬｆの列とは、Ｘ軸方向に離れて配置されており、全体でＹ軸方向に沿って千鳥状に配置されている。投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇのそれぞれは、複数の光学素子（レンズ等）を有している。各投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇを透過した露光光ＥＬは、基板Ｐ上の異なる投影領域５０ａ〜５０ｇごとにマスクＭ上の照射領域に対応したパターン像を結像する。

基板ステージＰＳＴは基板ホルダＰＨを有しており、この基板ホルダＰＨを介して基板Ｐを保持する。基板ステージＰＳＴは、マスクステージＭＳＴと同様に、Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向に移動可能であり、更に、θＸ、θＹ、及びθＺ方向にも移動可能である。基板ステージＰＳＴは、制御装置ＣＯＮＴ（図２参照）の制御の下、リニアモータ等により構成される基板ステージ駆動部ＰＳＴＤにより駆動される。

また、−Ｘ側の投影光学モジュールＰＬａ、ＰＬｃ、ＰＬｅ、ＰＬｇの列と、＋Ｘ側の投影光学モジュールＰＬｂ、ＰＬｄ、ＰＬｆの列との間には、マスクＭのパターン面及び基板Ｐの露光面のＺ軸方向における位置を検出するフォーカス検出系１１０が配置されている。フォーカス検出系１１０は、斜入射方式の焦点検出系を複数配置して構成される。フォーカス検出系１１０の検出結果は、制御装置ＣＯＮＴ（図２参照）に出力され、制御装置ＣＯＮＴは、フォーカス検出系１１０の検出結果に基づいて、マスクＭのパターン面と基板Ｐの露光面とが所定の間隔および平行度をなすように制御する。

制御装置ＣＯＮＴは、記憶部１２０（それぞれ図２参照）と接続されており、記憶部１２０に記憶されているレシピ情報等に基づいて、マスクステージＭＳＴ及び基板ステージＰＳＴの位置をモニタしながら、基板ステージ駆動部ＰＳＴＤ及びマスクステージ駆動部ＭＳＴＤを制御することにより、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に同期移動させる。

図２は、照明光学系ＩＬ及び投影光学系ＰＬの構成を示す図である。図２に示されるように、照明光学系ＩＬは、超高圧水銀ランプ等からなる光源１と、光源１から射出された光を集光する楕円鏡１ａと、この楕円鏡１ａによって集光された光のうち露光に必要な波長の光を反射し、その他の波長の光を透過させるダイクロイックミラー２と、ダイクロイックミラー２で反射した光のうち更に露光に必要な波長（通常は、ｇ、ｈ、ｉ線のうち少なくとも１つの帯域）のみ含んだ光を露光光として通過させる波長選択フィルタ３と、波長選択フィルタ３からの露光光を複数本（本実施形態では７本）に分岐して、反射ミラー５を介して各照明系モジュールＩＭａ〜ＩＭｇに入射させるライトガイド４とを備えている。ここで、照明光学系ＩＬを構成する照明系モジュールＩＭとして、本実施形態では、７つの投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇに対応して７つの照明系モジュールＩＭａ〜ＩＭｇが設けられている。ただし、図２においては、便宜上、投影光学モジュールＰＬｆに対応する照明系モジュールＩＭｆのみが示されている。照明系モジュールＩＭａ〜ＩＭｇのそれぞれは、Ｘ軸方向とＹ軸方向とに所定の間隔を持って、投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇのそれぞれに対応して配置されている。そして、照明系モジュールＩＭａ〜ＩＭｇのそれぞれから射出した露光光ＥＬは、投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇに対応させてマスクＭ上の異なる照射領域をそれぞれ照明する。

照明系モジュールＩＭａ〜ＩＭｇのそれぞれは、照明シャッタ６と、リレーレンズ７と、オプティカルインテグレータとしてのフライアイレンズ８と、コンデンサレンズ９とを備えている。照明シャッタ６は、ライトガイド４の光路下流側に、光路に対して挿脱自在に配置されている。照明シャッタ６は、光路内に配置されたときに露光光を遮光し、光路から退避したときにその遮光を解除する。照明シャッタ６には、シャッタ駆動部６ａが接続されている。シャッタ駆動部６ａは制御装置ＣＯＮＴによって制御される。

また、照明系モジュールＩＭａ〜ＩＭｇのそれぞれは、光量調整機構１０を有している。光量調整機構１０は、光路毎に露光光の照度を設定することによって露光量を調整するものであって、ハーフミラー１１と、ディテクタ１２と、フィルタ１３と、フィルタ駆動部１４とを備えている。ハーフミラー１１は、フィルタ１３とリレーレンズ７との間の光路中に配置され、フィルタ１３を透過した露光光の一部をディテクタ１２へ入射させる。ディテクタ１２は、入射した露光光の照度を独立して検出し、検出した照度信号を制御装置ＣＯＮＴへ出力する。フィルタ１３は、透過率がＸ軸方向に沿って所定範囲で線形に漸次変化するように形成されており、各光路中の照明シャッタ６とハーフミラー１１との間に配置されている。フィルタ駆動部１４は、制御装置ＣＯＮＴの指示に基づいてフィルタ１３をＸ軸方向に沿って移動することにより、光路ごとに露光量を調整する。

光量調整機構１０を透過した光束はリレーレンズ７を介してフライアイレンズ８に達する。フライアイレンズ８は射出面側に二次光源を形成し、この二次光源からの露光光ＥＬは、コンデンサレンズ９を通過し、直角プリズム１６と、レンズ系１７と、凹面鏡１８とを備えた反射屈折型光学系１５を通過した後、マスクＭ上の照射領域を均一に照明する。なお、反射屈折型光学系１５を省略しても良い。すなわち、コンデンサレンズ９を通過した光束をマスクＭに直接照射しても良い。これによって、照明光学系ＩＬ、ひいては露光装置ＥＸを小型化できる。

投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇのそれぞれは、像シフト機構１９と、フォーカス位置調整機構３１と、２組の反射屈折型光学系２１、２２と、視野絞り２０と、倍率調整機構２３とを備えている。像シフト機構１９は、２枚の平行平面板ガラスをそれぞれθＹ方向もしくはθＸ方向に回転させることで、マスクＭのパターン像をＸ軸方向もしくはＹ軸方向にシフトさせる。また、フォーカス位置調整機構３１は、１対の楔プリズムを備え、光路中の楔プリズムの厚さの総和を変化させることによりパターン像の像面位置を変化させ、少なくとも一方の楔プリズムを光軸回りに回転させることによりパターン像の像面の傾斜角度を変化させる。マスクＭを透過した露光光ＥＬは像シフト機構１９、フォーカス位置調整機構３１を透過した後、１組目の反射屈折型光学系２１に入射する。反射屈折型光学系２１は、マスクＭのパターンの中間像を形成するものであって、直角プリズム２４とレンズ系２５と凹面鏡２６とを備えている。直角プリズム２４はθＺ方向に回転自在となっており、マスクＭのパターン像を回転可能となっている。

視野絞り２０は、反射屈折型光学系２１が形成する中間像の像面もしくはその近傍に配置されている。視野絞り２０は、基板Ｐ上での投影領域を設定する。視野絞り２０を透過した露光光ＥＬは、２組目の反射屈折型光学系２２に入射する。反射屈折型光学系２２は、反射屈折型光学系２１と同様に、直角プリズム２７とレンズ系２８と凹面鏡２９とを備えている。直角プリズム２７もθＺ方向に回転自在となっており、マスクＭのパターン像を回転可能となっている。

反射屈折型光学系２２から射出した露光光ＥＬは、倍率調整機構２３を通過し、基板Ｐ上にマスクＭのパターン像を正立等倍で結像する。倍率調整機構２３は、第１平凸レンズ、両凸レンズおよび第２平凸レンズをＺ軸に沿ってこの順に有しており、両凸レンズをＺ軸方向に移動させることにより、マスクＭのパターン像の倍率を変化させる。

図３（ａ）は、各投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇが備える視野絞り２０を示す図である。視野絞り２０は、マスクＭ及び基板Ｐに対して略共役な位置に配置されている。各投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇは、それぞれ視野絞り２０を有しており、各投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇの基板Ｐ上における投影領域５０ａ〜５０ｇは、それぞれ対応する視野絞り２０に形成された開口Ｋによって設定される。本実施形態において、各開口Ｋは、Ｙ軸方向に平行な２辺を有する等脚台形状、もしくはＹ軸方向に平行な２辺とＸ軸方向に平行な１辺とを有する台形状に形成されており、投影領域５０ａ〜５０ｇは、それぞれ対応する開口Ｋと共役関係となる台形形状に設定される。

なお、図３（ａ）では、視野絞り２０は、台形状の開口が形成された平面視矩形の板状部材として図示されているが、実際には、図３（ｂ）に示されるように、開口ＫのＹ軸方向の幅を設定するエッジ（端部）を含む絞り部材２０ｙと、開口ＫのＸ軸方向の幅を設定するエッジ（端部）を含む絞り部材２０ｘとが別部材とされている。そして、上記絞り部材２０ｙ、２０ｘのうち、絞り部材２０ｙが、マスクＭ及び基板Ｐに対する共役面ＣＰ上に配置されており、絞り部材２０ｘは、共役面ＣＰよりも幾分露光光ＥＬの入射側（＋Ｚ側）に配置されている。

図３（ａ）に戻り、投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｇのうち、投影光学モジュールＰＬｆは、遮光板３０を有している。遮光板３０は、平面視（Ｚ軸方向から見て）で略長方形の板部材であって、図３（ｂ）に示されるように、投影光学モジュールＰＬｆが備える視野絞り２０に対して露光光ＥＬの出射側（−Ｚ側）に配置されている。

図３（ａ）に戻り、遮光板３０は、後述する駆動機構８０（図８（ａ）など参照）によって、＋Ｙ側の長辺が、視野絞り２０の開口Ｋを形成する＋Ｙ側の端部（斜辺）と略平行になる第１の傾斜配置（図４（ａ）参照）と、−Ｙ側の長辺が、視野絞り２０の開口Ｋを形成する−Ｙ側の端部（斜辺）と略平行となる第２の傾斜配置（図４（ｂ）参照）との間で駆動可能となっている。このように、遮光部材３０は、第１の傾斜配置（第１の傾斜角度）と第２の傾斜配置（第２の傾斜角度）との間を移動することにより、投影光学モジュールＰＬｆによって生成される投影領域５０ｆの形状を変更することが可能となっている。なお、第１の傾斜角度及び第２の傾斜角度は、台形状の投影領域の傾斜角度によって定められる。例えば、図４（ａ）に示される第１の傾斜角度は、遮光板３０のＹ軸方向に対する傾斜角度が、台形状の投影領域５０ｆの＋Ｙ軸方向の端辺の傾斜角度と平行である。また、図４（ｂ）に示される第２の傾斜角度は、遮光板３０のＹ軸方向に対する傾斜角度が、台形状の投影領域５０ｆの−Ｙ軸方向の端辺の傾斜角度と平行である。すなわち、投影領域の形状を踏まえて、遮光板３０の傾斜角度（第１の傾斜角度及び第２の傾斜角度）は任意に定めることができる。

また、遮光板３０は、駆動機構８０（図８（ａ）など参照）によってＹ軸方向に直進移動可能とされており、投影光学モジュールＰＬｆによって生成される投影領域５０ｆのＹ軸方向の幅を設定変更することができる。また、遮光板３０は、Ｙ軸方向に直進移動することによって、開口Ｋと重ならない位置、すなわち開口Ｋが視野絞り２０のみによって設定される位置に移動することも可能である。

ここで、従来の遮光板を用いた実施例と遮光板３０を用いた本実施形態との相違について説明する。

図５（ａ）〜図６（ｂ）には、繋ぎ露光を行う際の投影領域と遮光部との位置関係を示した図が記載されている。図５（ａ）〜図６（ｂ）における紙面右側には、上記実施形態で用いられる複数の投影光学モジュールによって基板上に投影される投影領域の一部（投影領域５０ｅ〜５０ｇ）と、露光光を遮光することによって投影領域を規定する遮光板３０とが示されている。また、図５（ａ）〜図６（ｂ）における紙面左側には、投影領域を一列に配置した形態が示されている。

図５（ａ）に示されるように、投影領域５０ｅのＸ軸方向の投影幅がＹ軸方向においてほぼ一定である領域、すなわち台形状の投影領域５０ｅの中心部においてパターン継ぎを行う場合、遮光板３０を投影領域５０ｅの中心部に配置することによって、Ｙ軸方向に沿って投影幅が変化する露光量の傾斜部Ｇ（継ぎ部）を形成することができる。

しかしながら、図５（ｂ）に示されるように、投影領域５０ｅのＸ軸方向の投影幅がＹ軸方向に沿って変化する領域、すなわち台形状の投影領域のうちの端部領域においてパターン継ぎを行う場合、投影領域５０ｅを規定する遮光部３０だけで露光量の傾斜部Ｇを形成しようとすると、傾斜部Ｇで露光量が多くなり過ぎて、パターン継ぎを行うことができない。

そこで、図６（ａ）に示されるように、投影領域５０ｅの遮光板３０に加えて、投影領域５０ｆに同様の遮光板３０Ａを配置すれば、露光量の傾斜部Ｇを形成することができ、パターン継ぎを行うことができる。遮光板３０Ａは、遮光板３０と傾斜角度が等しくなるように配置される。なお、遮光板３０と遮光板３０Ａとは、別部材であっても良いし、共通の部材により形成されていても良い。

さらに、図６（ａ）に示されるように、遮光板３０Ａを配置しなくても、図６（ｂ）に示されるように、遮光板３０の傾斜角度を変更することによって、投影領域５０ｅを規定する１つの遮光板３０のみで傾斜部Ｇを形成することができる。遮光板３０の傾斜角度を、投影領域５０ｅの端部領域の角度と平行となるように変更する。つまり、遮光板３０の傾斜角度を、投影領域５０ｆの端部領域の角度と平行となるように変更する。これにより、投影領域５０ｅの端部領域と投影領域５０ｆの端部領域とのパターン継ぎを行うことができる。投影領域５０ｆの端部領域が、あたかも＋Ｙ方向に移動されたように、パターン継ぎが行われる。これによって、遮光板を増やす必要がないとともに、図６（ａ）の場合と比較して、投影領域５０ｅの遮光板と投影領域５０ｆの遮光板とを同期させる必要がないので、露光装置を簡素化できる。

また、従来の遮光板を用いた実施例と遮光板３０を用いた本実施形態との相違については、次のように説明することもできる。

図７（ａ）に示されるように、従来の実施例では、投影領域５０ｆに対する傾斜配置が一方向にのみ傾斜した遮光板を用いていたため、Ｙ軸方向に関するＴ領域及びα領域、β領域でのみ１回の走査移動で露光できるＹ軸方向の走査幅を設定することが可能であった。例えば、Ｔ領域及びβ領域内で繋ぎ露光を行う際には、遮光板をＹ軸方向に移動させることで走査幅を設定することができ、α領域又はγ領域で繋ぎ露光を行う際には、照明系モジュールＩＭｆまたは照明系モジュールＩＭｇの照明シャッタ６（図２参照）で露光光を遮光することによって走査幅を設定することができた。しかしながら、領域Ｕ内に遮光板を配置した場合、露光量が均一にならず、繋ぎ露光を行える領域に制限があった。

これに対して、遮光板３０を用いた本実施形態では、図７（ｂ）に示されるように遮光板３０を第１の傾斜配置及び第２の傾斜配置の間で移動させることができるため、Ｕ領域内に遮光板３０を配置した場合であっても、露光量を均一にして、繋ぎ露光を行うことができる。例えば、Ｔ領域内で繋ぎ露光を行う際には、遮光板３０を第１の傾斜配置で用い、Ｕ領域内で繋ぎ露光を行う際には、遮光板３０を第２の傾斜配置に移動させて用いることができる。

また、図７（ｃ）に示されるように、遮光板３０を投影領域５０ｆに加えて、投影領域５０ｅ及び投影領域５０ｇを遮光できるように配置すれば、Ｓ領域においても繋ぎ露光を行うことができる。すなわち、本実施形態の遮光板３０を用いれば、Ｙ軸方向のあらゆる領域で繋ぎ露光を行うことができる。

次に、駆動機構８０を用いて、本実施形態の遮光板３０を第１の傾斜配置又は第２の傾斜配置に移動させることによって、開口Ｋを設定変更する手法について説明する。

図８（ａ）に示されるように、駆動機構８０は、一対のアクチュエータ８２、８４を、開口Ｋを挟んで（開口Ｋの−Ｘ側、＋Ｘ側に）備えている。アクチュエータ８２は、モータ（サーボモータ）８２ａと、該モータ８２ａによって駆動されるネジ８２ｂと、該ネジ８２ｂに螺合する円筒状のナット８２ｃとを備えた、いわゆる送りネジ装置であり、ナット８２ｃをＹ軸方向に関して開口Ｋよりも長いストロークで往復駆動することができる。遮光板３０の−Ｘ側の端部近傍には、平面視Ｕ字状の切り欠き３０ａが形成されており、該切り欠き３０ａ内にナット８２ｃが挿入されている。アクチュエータ８４も、アクチュエータ８２と同様な構成（モータ８４ａ、ネジ８４ｂ、ナット８４ｃ）の送りネジ装置であるが、ナット８４ｃが遮光板３０の＋Ｘ側の端部近傍に、遮光板３０に対してθＺ方向に回転自在に取り付けられている点が異なる。駆動機構８０が有する一対のアクチュエータ８２、８４は、それぞれ独立に制御装置ＣＯＮＴ（図２参照）により制御される。

駆動機構８０は、図８（ａ）に示されるように、遮光板３０の＋Ｙ側のエッジ（端部）が、視野絞り２０（図８（ａ）では不図示。図３（ａ）参照）の開口Ｋを形成するエッジ（端部）のうち、＋Ｙ側のエッジと平行となる位置に遮光板３０を位置決めし、遮光板３０の−Ｙ側に露光光の光路を形成することによって、基板Ｐ（図１参照）上に生成される投影領域５０ｆを、平面視で台形（等脚台形）とすることができる。遮光板３０の位置、及び角度は、不図示の計測装置（位置計測装置、光量計測装置など）の出力、あるいはアクチュエータ８２、８４に対する入力信号に基づいて計測される。この際、開口Ｋのうち、遮光板３０よりも＋Ｙ側の領域は、露光光が通過しないように、可動式のブラインド装置６０によって遮光される。以下、図８（ａ）に示されるように、遮光板３０の−Ｙ側に露光光の光路が形成され、且つ該光路を通過した露光光によって基板Ｐ上に平面視台形の投影領域５０ｆが生成される状態を、遮光板３０の第１のモードと称して説明する。

また、駆動機構８０は、図８（ａ）に示される状態から、一対のアクチュエータ８２、８４それぞれのナット８２ｃ、８４ｃを同じストローク（移動量）でＹ軸方向に駆動することによって、開口Ｋの面積、すなわち基板Ｐ（図１参照）上に生成される投影領域５０ｆ（平面視で台形）の幅（面積）を設定変更することができる。この際、遮光板３０の位置に応じてブラインド装置６０もＹ軸方向に駆動される。

なお、上述したブラインド装置６０は、遮光板３０を備えていない投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｅ、ＰＬｇ（図１参照）それぞれにも対応して備えられており、該投影光学モジュールＰＬａ〜ＰＬｅ、ＰＬｇそれぞれが備える視野絞り２０に形成された開口Ｋ（図３（ａ）参照）を開放すること、及び遮蔽することが任意に選択可能となっている。なお、本実施形態において、ブラインド装置６０は、照明光学系ＩＬ（図１参照）が有しているが、これに限定されず、露光光ＥＬの光路上であれば、他の位置に配置されていても良い。

また、駆動機構８０は、上記第１のモード（一例として図８（ａ）参照）から、図８（ｂ）に示されるように、アクチュエータ８２のナット８２ｃがアクチュエータ８４のナット８４ｃよりも＋Ｙ側に位置するようにナット８２ｃ、８４ｃそれぞれのＹ位置を制御することによって、遮光板３０の−Ｙ側のエッジ（端部）が、視野絞り２０（図８（ｂ）では不図示。図３（ａ）参照）の開口Ｋを形成するエッジ（端部）のうち、−Ｙ側のエッジと平行となる位置に遮光板３０を位置決めすることができる。これによって、基板Ｐ（図１参照）上に生成される投影領域５０ｆを平面視で平行四辺形とすることができる。以下、図８（ｂ）に示されるように、遮光板３０の−Ｙ側に露光光の光路が形成され、且つ該光路を通過した露光光によって基板Ｐ上に平面視平行四辺形の投影領域５０ｆが生成される状態を、遮光板３０の第２のモードと称して説明する。本第２のモードにおいても、一対のナット８２ｃ、８４ｃをＹ軸方向に同期駆動することによって、開口Ｋの面積、すなわち基板Ｐ（図１参照）上に生成される投影領域５０ｆ（平面視で平行四辺形）の幅（面積）を設定変更することができる。また、開口Ｋにおける遮光板３０よりも＋Ｙ側の領域は、遮光板３０の位置に応じてブラインド装置６０によって適宜遮光される。

また、駆動機構８０は、上記第２のモード（一例として図８（ｂ）参照）から、図８（ｃ）に示されるように、ブラインド装置６０の位置を遮光板３０の−Ｙ側に移動させることによって、遮光板３０の＋Ｙ側に露光光の光路を形成することができる。遮光板３０の＋Ｙ側のエッジ（端部）は、視野絞り２０（図８（ｃ）では不図示。図３（ａ）参照）の開口Ｋを形成するエッジ（端部）のうち、−Ｙ側のエッジと平行であるため、上記光路を通過した露光光によって基板Ｐ上に生成される投影領域５０ｆは、平面視で台形（等脚台形）となる。以下、図８（ｃ）に示されるように、遮光板３０の＋Ｙ側に露光光の光路が形成され、且つ該光路を通過した露光光によって基板Ｐ上に平面視台形の投影領域５０ｆが生成される状態を、遮光板３０の第３のモードと称して説明する。本第３のモードにおいても、一対のナット８２ｃ、８４ｃをＹ軸方向に同期駆動することによって、開口Ｋの面積、すなわち基板Ｐ（図１参照）上に生成される投影領域５０ｆ（平面視で台形）の幅（面積）を設定変更することができる。また、開口Ｋにおける遮光板３０よりも−Ｙ側の領域は、遮光板３０の位置に応じてブラインド装置６０によって適宜遮光される。

また、駆動機構８０は、上記第３のモード（一例として図８（ｃ）参照）から、図８（ｄ）に示されるように、ナット８４ｃがナット８２ｃよりも＋Ｙ側に位置するようにナット８２ｃ、８４ｃのＹ位置を制御することによって、遮光板３０の＋Ｙ側のエッジ（端部）が、視野絞り２０（図８（ｂ）では不図示。図３（ａ）参照）の開口Ｋを形成するエッジ（端部）のうち、＋Ｙ側のエッジと平行となる位置に遮光板３０を位置決めすることができる。これによって、基板Ｐ（図１参照）上に生成される投影領域５０ｆを平面視で平行四辺形とすることができる。以下、図８（ｄ）に示されるように、遮光板３０の＋Ｙ側に露光光の光路が形成され、且つ該光路を通過した露光光によって基板Ｐ上に平面視平行四辺形の投影領域５０ｆが生成される状態を遮光板３０の第４のモードと称して説明する。本第４のモードにおいても、一対のナット８２ｃ、８４ｃをＹ軸方向に同期駆動することによって、開口Ｋの面積、すなわち基板Ｐ（図１参照）上に生成される投影領域５０ｆ（平面視で平行四辺形）の幅（面積）を設定変更することができる。また、開口Ｋにおける遮光板３０よりも−Ｙ側の領域は、遮光板３０の位置に応じてブラインド装置６０によって適宜遮光される。

このように、本実施形態では、遮光板３０に対して開口Ｋの−Ｙ方向（第１及び第２のモード）、及び＋Ｙ方向（第３及び第４のモード）の双方向に露光光の光路を形成することができ、且つ第１〜第４のモードそれぞれにおいて、開口Ｋの幅を任意に調節することができる。すなわち、視野絞り２０、遮光板３０、駆動機構８０、及びブラインド装置６０は、投影光学モジュールＰＬｆが基板Ｐ上に生成する投影領域５０ｆの形状、及び位置を任意に変化させる可変視野絞り装置を構成している。

図９は、基板Ｐ上に生成される投影領域５０ａ〜５０ｇを示す平面図である。投影領域５０ａ〜５０ｇは、Ｙ軸方向に隣り合う投影領域の端部同士、すなわち端部５１ａと５１ｂ、端部５１ｃと５１ｄ、端部５１ｅと５１ｆ、端部５１ｇと５１ｈ、端部５１ｉと５１ｊ、端部５１ｋと５１ｌが、Ｙ軸方向に重なり合うように（Ｙ軸方向の位置が重複するように）設定されている。このため、投影領域５０ａ〜５０ｇに対して基板ＰをＸ軸方向へ走査しながら露光（走査露光）を行うことで、重複して露光（二重露光）される重複領域５２ａ〜５２ｆ（図９において二点差線で挟まれた領域）が形成される。

また、図９において破線で示されるように、遮光板３０は、上記第１及び第２の位置、並びにＹ軸方向への移動によって、投影領域５０ｆの実効的な大きさを適宜設定する。これによって、遮光板３０は、基板ＰをＸ軸方向へ走査して走査露光を行う場合、投影領域５０ｆを介して転写されるマスクＭのパターン像のＹ軸方向の幅、及び形状を適宜設定することができ、そのパターン像に対応する潜像として基板Ｐ上に形成される転写パターンのＹ軸方向のパターン幅、及びパターン形状を適宜設定することができる。

次に、露光装置ＥＸ（図１参照）を用いて複数回の走査露光を行い、マスクＭのパターン像に対応する複数の転写パターンを基板Ｐ上で継ぎ合わせる繋ぎ露光方法について説明する。以下の説明では、図１０に示されるように、マスクＭ上に形成されているパターンＰＰＡのうち、Ｙ軸方向に長さＬＡを有する部分パターンＰＡと、Ｙ軸方向に長さＬＢを有する部分パターンＰＢとの２つの領域のパターン像を、２回の走査露光（第１及び第２走査露光）に分けて基板Ｐ上に順次転写し、これらのパターン像に対応する転写パターンＭＡ、ＭＢを基板Ｐ上で継ぎ合わせてパターン合成を行うものとする。その際、部分パターンＰＡ、ＰＢのそれぞれの境界部４５、４６に対応する転写パターンＭＡ、ＭＢの境界部を、重複して露光することで継ぎ部ＭＣを形成する。これによって、基板Ｐ上の全体の転写パターンＭＰＡは、部分パターンＰＡの転写パターンＭＡと、部分パターンＰＢの転写パターンＭＢとが継ぎ合わされたものとなる。

ここで、本実施形態では、投影光学モジュールＰＬｆによって基板Ｐ上に生成される投影領域５０ｆのＹ軸方向に関する位置、及び幅を、上記第１〜第４の４つのモードを用いて適宜設定変更することができる。これによって、第１走査露光で転写パターンＭＡにおける継ぎ部を、投影光学モジュールＰＬｆを用いて形成する場合に、部分パターンＰＡのＹ軸方向に長さＬＡ、及びその端部形状を任意に設定すること、又は第２走査露光で転写パターンＭＢおける継ぎ部を、投影光学モジュールＰＬｆを用いて形成する場合に、部分パターンＰＢのＹ軸方向の長さＬＢ、及びその端部形状を任意に設定することができる。

ここで、実際には、露光装置ＥＸを用いて１枚のマザーガラス基板から製品としての液晶パネルを複数枚製造する場合、液晶パネルのサイズ、枚数などは、様々な種類のものが要求される。例えば一枚のガラス基板上に、互いに異なるサイズの製品（液晶パネル等の回路パターン）を作成することが要求される。従って、実際には、繋ぎ露光の回数（継ぎ部ＭＣの数）、転写パターンＭＡ、ＭＢの長さなどには、設計に応じて様々な態様が要求される。以下、本実施形態の遮光板３０を用いて繋ぎ露光を行う際の露光方法について具体的に説明する。なお、以下の第１の露光方法及び第２の露光方法では、投影光学系モジュールが７本の場合について説明し、第３〜第５の露光方法では、投影光学系モジュールが１１本の場合について説明するが、投影光学系モジュールの本数は、適宜変更可能なものであり、繋ぎ露光の概念、方法などに関しては、投影光学系モジュールの本数にかかわらず、図６に説明した例と同一である。

図１１（ａ）には、第１の露光方法に係る基板ＰとマスクＭとが図示されている。第１の露光方法では、１枚の基板Ｐから２枚のパネルＰＮ１、ＰＮ２を製造する。パネルＰＮ１、ＰＮ２のサイズは同一であり、使用されるマスクパターンも同一である。第１の露光方法では、図１０に説明した場合と同様であり、２回の露光動作（１回の繋ぎ露光動作）で、各パネルＰＮ１、ＰＮ２への露光動作を完了することができる。

第１の露光方法では、図１１（ｂ）に示されるように、遮光板３０を第２の傾斜配置に移動させるとともに、＋Ｙ軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０を移動させる。この状態で、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向（第１方向）に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＡ領域のパターンを基板Ｐに形成する第１の走査露光が行われる。次に、基板Ｐを基板ステージ駆動部ＰＳＴＤによってＹ軸方向（第２方向）に移動させるステップ移動が行われる。そして、図１１（ｃ）に示されるように、遮光板３０を第１の傾斜配置に移動させるとともに、−Ｙ軸方向側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０をＹ軸方向に沿って移動させる。この際、基板Ｐ上の各パネル領域において、Ａ領域に対応する転写パターンとＢ領域に対応する転写パターンとの間には、継ぎ部が形成されることになる。この継ぎ部において、露光量が均一になるように遮光板３０及びブラインド装置６０の位置決めが行われる。その後、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＢ領域のパターンを基板Ｐに形成する第２の走査露光が行われる。これによって、マスクＭのパターン領域ＰＰＡ（図１０参照）よりも大きなサイズのパネルを基板Ｐに形成することができる。

図１２（ａ）には、第２の露光方法に係る基板ＰとマスクＭとが図示されている。第２の露光方法では、１枚の基板Ｐから２枚のパネルＰＮ１、ＰＮ２を製造する。パネルＰＮ１、ＰＮ２のサイズは同一であり、使用されるマスクパターンも同一である。第２の露光方法では、第１の露光方法よりも大きなパネルを製造することができる。また、第１の露光方法と同様に、２回の露光動作（１回の繋ぎ露光動作）で、各パネルＰＮ１、ＰＮ２への露光動作を完了することができる。

第２の露光方法では、図１２（ｂ）に示されるように、投影光学モジュールＰＬｆ（図１参照）によって生成される投影領域５０ｆを規定する遮光板３０を第２の傾斜配置に移動させるとともに、＋Ｙ軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０を移動させる。この状態で、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＡ領域のパターンを基板Ｐに形成する第１の走査露光が行われる。次に、基板Ｐを基板ステージ駆動部ＰＳＴＤによってＹ軸方向に移動させるステップ移動が行われる。そして、図１２（ｃ）に示されるように、投影光学モジュールＰＬｂ（図１参照）によって生成される投影領域５０ｂを規定する遮光板３０を第１の傾斜配置に移動させるとともに、−Ｙ軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０を移動させる。この際、基板Ｐ上の各パネル領域において、Ａ領域に対応する転写パターンとＢ領域に対応する転写パターンとの間には、継ぎ部が形成されることになる。この継ぎ部において、露光量が均一になるように遮光板３０及びブラインド装置６０の位置決めが行われる。その後、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＢ領域のパターンを基板Ｐに形成する第２の走査露光が行われる。これによって、マスクＭのパターン領域ＰＰＡよりも大きなサイズのパネルを基板Ｐに形成することができる。

図１３（ａ）には、第３の露光方法に係る基板ＰとマスクＭとが図示されている。第３の露光方法では、１枚の基板Ｐから２枚のパネルＰＮ１、ＰＮ２を製造する。パネルＰＮ１、ＰＮ２のサイズは同一であり、使用されるマスクパターンも同一である。第３の露光方法では、パネルＰＮ１、ＰＮ２のＹ軸方向の長さが、マスクＭのＹ軸方向の長さのほぼ２倍であり、図１０に説明した場合と異なり、２回の露光動作（１回の繋ぎ露光動作）では、各パネルＰＮ１、ＰＮ２への露光動作が完了しない。そこで、マスクＭ上に、Ａ領域、Ｂ領域、及びＣ領域を設定し、１枚のパネル（製品）につき、合計で３回の露光動作（２回の繋ぎ露光動作）を行う。

第３の露光方法では、図１３（ｂ）に示されるように、投影光学モジュールＰＬ_１０によって生成される投影領域５０_１０を規定する遮光板３０を第１の傾斜配置に移動させるとともに、＋Ｙ軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０を移動させる。この状態で、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＡ領域のパターンを基板Ｐに形成する第１の走査露光が行われる。次に、基板Ｐを基板ステージ駆動部ＰＳＴＤによってＹ軸方向に移動させる第１のステップ移動が行われる。そして、図１４（ａ）に示されるように、投影光学モジュールＰＬ_１０によって生成される投影領域５０_１０を規定する遮光板３０を第２の傾斜配置に移動させるとともに、＋Ｙ軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０を移動させる。この際、基板Ｐ上の各パネル領域において、Ａ領域に対応する転写パターンとＢ領域に対応する転写パターンとの間には、継ぎ部が形成されることになる。この継ぎ部において、露光量が均一になるように遮光板３０及びブラインド装置６０の位置決めが行われる。その後、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＢ領域のパターンを基板Ｐに形成する第２の走査露光が行われる。さらに、基板Ｐを基板ステージ駆動部ＰＳＴＤによってＹ軸方向に移動させる第２のステップ移動が行われる。そして、図１４（ｂ）に示されるように、投影光学モジュールＰＬ_４によって生成される投影領域５０_４を規定する遮光板３０を第１の傾斜配置に移動させるとともに、−Ｙ軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０を移動させる。この際、基板Ｐ上の各パネル領域において、Ｂ領域に対応する転写パターンとＣ領域に対応する転写パターンとの間には、継ぎ部が形成されることになる。この継ぎ部において、露光量が均一になるように遮光板３０及びブラインド装置６０の位置決めが行われる。その後、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＣ領域のパターンを基板Ｐに形成する第３の走査露光が行われる。これによって、マスクＭのパターン領域ＰＰＡよりも大きなサイズのパネルを基板Ｐに形成することができる。

また、図１５（ａ）には、第４の露光方法に係る基板ＰとマスクＭとが図示されている。第４の露光方法では、１枚の基板Ｐから３枚のパネルＰＮ１〜ＰＮ３を製造する。パネルＰＮ１〜ＰＮ３のサイズは同一であり、使用されるマスクパターンも同一である。第４の露光方法では、パネルＰＮ１〜ＰＮ３のＹ軸方向の長さが、マスクＭのＹ軸方向の長さの１．３倍程度であり、上記第３の露光方法とは異なり、２回の露光動作（１回の繋ぎ露光動作）で各パネルＰＮ１〜３への露光動作が完了する。第４の露光方法では、マスクＭ上に、Ａ領域、及びＢ領域の２つの領域を設定し、１枚のパネル（製品）につき、合計で２回の露光動作（１回の繋ぎ露光動作）を行う。

第４の露光方法では、図１５（ｂ）に示されるように、投影光学モジュールＰＬ_１０によって生成される投影領域５０_１０を規定する遮光板３０を第１の傾斜配置に移動させるとともに、＋Ｙ軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０を移動させる。この状態で、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＡ領域のパターンを基板Ｐに形成する第１の走査露光が行われる。次に、基板Ｐを基板ステージ駆動部ＰＳＴＤによってＹ軸方向に移動させるステップ移動が行われる。そして、図１６に示されるように、投影光学モジュールＰＬ_７によって生成される投影領域５０_７を規定する遮光板３０を第２の傾斜配置に移動させるとともに、−Ｙ軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０を移動させる。この際、基板Ｐ上の各パネル領域において、Ａ領域に対応する転写パターンとＢ領域に対応する転写パターンとの間には、継ぎ部が形成されることになる。この継ぎ部において、露光量が均一になるように遮光板３０及びブラインド装置６０の位置決めが行われる。その後、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＢ領域のパターンを基板Ｐに形成する第２の走査露光が行われる。これによって、マスクＭのパターン領域ＰＰＡ（図１０参照）よりも大きなサイズのパネルを基板Ｐに形成することができる。

また、図１７（ａ）には、第５の露光方法に係る基板ＰとマスクＭとが図示されている。第５の露光方法では、１枚の基板Ｐから３枚のパネルＰＮ１〜ＰＮ３を製造する。パネルＰＮ１は、パネルＰＮ２、ＰＮ３に比べてサイズが小さく、Ｙ軸方向の長さも短い。また、パネルＰＮ１の露光には、マスクＭ上に形成されたマスクパターンＭＰ１を用い、パネルＰＮ２、ＰＮ３の露光には、上記マスクパターンＭＰ１とは異なるマスクパターンＭＰ２を用いる。

第５の露光方法では、図１７（ｂ）に示されるように、投影光学モジュールＰＬ_１０によって生成される投影領域５０_１０を規定する遮光板３０を第２の傾斜配置に移動させるとともに、＋Ｙ軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０を移動させる。この状態で、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＡ１領域のパターンを基板Ｐに形成する第１の走査露光が行われる。次に、基板Ｐを基板ステージ駆動部ＰＳＴＤによってＹ軸方向に移動させる第１のステップ移動が行われる。そして、図１８（ａ）に示されるように、投影光学モジュールＰＬ_７によって生成される投影領域５０_７を規定する遮光板３０を第２の傾斜配置に移動させるとともに、−Ｙ軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０を移動させる。この際、基板Ｐ上の各パネル領域において、Ａ１領域に対応する転写パターンとＢ１領域に対応する転写パターンとの間には、継ぎ部が形成されることになる。この継ぎ部において、露光量が均一になるように遮光板３０及びブラインド装置６０の位置決めが行われる。その後、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＢ１領域のパターンを基板Ｐに形成する第２の走査露光が行われる。これによって、マスクパターンＭＰ１を基板Ｐに転写することができ、基板ＰにパネルＰＮ１を形成することができる。

さらに、基板Ｐ上にパネルＰＮ２を形成するために、基板Ｐを基板ステージ駆動部ＰＳＴＤによってＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させる第２のステップ移動が行われる。また、第２のステップ移動では、マスクパターンＭＰ２を基板Ｐに転写するために、マスクＭをマスクステージ駆動部ＭＳＴＤによって移動させる。そして、図１８（ｂ）に示されるように、投影光学モジュールＰＬ_１０によって生成される投影領域５０_１０を規定する遮光板３０を第１の傾斜配置に移動させるとともに、＋Ｙ軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０を移動させる。この状態で、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＡ２領域のパターンを基板Ｐに形成する第３の走査露光が行われる。次に、基板Ｐを基板ステージ駆動部ＰＳＴＤによってＹ軸方向に移動させる第３のステップ移動が行われる。そして、図１９に示されるように、投影光学モジュールＰＬ_７によって生成される投影領域５０_７を規定する遮光板３０を第２の傾斜配置に移動させるとともに、−Ｙ軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０を移動させる。この際、基板Ｐ上の各パネル領域において、Ａ２領域に対応する転写パターンとＢ２領域に対応する転写パターンとの間には、継ぎ部が形成されることになる。この継ぎ部において、露光量が均一になるように遮光板３０及びブラインド装置６０の位置決めが行われる。その後、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＢ２領域のパターンを基板Ｐに形成する第４の走査露光が行われる。これによって、マスクパターンＭＰ２を基板Ｐに転写することができ、基板ＰにパネルＰＮ２を形成することができる。

以下、不図示であるが同様にして、基板Ｐ上にパネルＰＮ３を形成するために、基板Ｐを基板ステージ駆動部ＰＳＴＤによってＸ軸方向及びＹ軸方向に移動させる第４のステップ移動が行われる。そして、投影光学モジュールＰＬ_１０によって生成される投影領域５０_１０を規定する遮光板３０を第１の傾斜配置に移動させるとともに、＋Ｙ軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０を移動させる。この状態で、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＡ２領域のパターンを基板Ｐに形成する第５の走査露光が行われる。次に、基板Ｐを基板ステージ駆動部ＰＳＴＤによってＹ軸方向に移動させる第５のステップ移動が行われる。そして、投影光学モジュールＰＬ_７によって生成される投影領域５０_７を規定する遮光板３０を第２の傾斜配置に移動させるとともに、−Ｙ軸側に露光光の光路が形成されるように遮光板３０を移動させる。この際、基板Ｐ上の各パネル領域において、Ａ２領域に対応する転写パターンとＢ２領域に対応する転写パターンとの間には、継ぎ部が形成されることになる。この継ぎ部において、露光量が均一になるように遮光板３０及びブラインド装置６０の位置決めが行われる。その後、マスクＭと基板ＰとをＸ軸方向に沿って相対移動させることにより、マスクパターンのうちのＢ２領域のパターンを基板Ｐに形成する第６の走査露光が行われる。これによって、マスクパターンＭＰ３を基板Ｐに転写することができ、基板ＰにパネルＰＮ３を形成することができる。以上により、基板Ｐ上に、パネルＰＮ１、パネルＰＮ２、パネルＰＮ３を形成することができる。

なお、上記第１〜第５の露光方法は、一例であって、これら以外にも、露光装置ＥＸにおいて行われる繋ぎ露光には、様々な態様が考えられる。従って、要求されるパネルのサイズに応じて、その都度、マスクパターンをどのように複数の領域に分割して繋ぎ露光を行うかその都度設計しなければならない。

ただし、マスクパターンの分割箇所の設計には、各種の制約がある。すなわち、露光装置ＥＸでは、マスクステージＭＳＴ（マスクＭ）と各投影光学系モジュールとのステップ（Ｙ軸）方向の相対位置が不変であることから、各転写パターンのＹ軸方向の長さは、各投影光学系モジュールによって形成される投影領域の長さの整数倍がベースとなり、その合計長さを遮光板３０で調整するようになっている。これに対し、遮光板３０を有する投影光学モジュールは、一部のみ（本実施形態では、投影光学系モジュールＰＬｆ）であり、投影領域のＹ軸方向の合計長さを設計する上で制約となる。また、パネルの製造工程において、各パネルには、繰り返しパターンが形成される液晶表示面とは別に、周辺部に各パネルと駆動回路とを接続するための引き出し線（タブ領域と称される）が形成される。このタブ領域に形成される引き出し線は、繰り返しのパターンではないので、繋ぎ露光を行う際の制約となる。また、スループットの観点から、繋ぎ露光の回数は、少ないことが好ましく、この点もマスクパターンを複数の領域に分割する際の制約となる。また、マスクサイズにも、マスクステージＭＳＴの大きさにより物理的な制限があるので、この点もマスクパターンを複数の領域に分割する際の制約となる。

これに対し、本実施形態の露光装置ＥＸでは、上記視野絞り２０、遮光板３０、駆動機構８０、及びブラインド装置６０により構成される可変絞り装置によって、繋ぎ露光を行う際に継ぎ部を形成する一対の投影領域のうち、一方の投影領域（本実施形態では、投影領域５０ｆ）の長さ、及び端部形状を、遮光板３０を上記第１〜第４のモードの何れかを用いることによって、任意に調整することができる。従って、繋ぎ露光で製品を製造する際の設計（マスク上に形成された回路パターンのどの部分を繋ぎ露光を用いてガラス基板上に形成するのか、その繋ぎ露光処理が施される回路パターン上の位置や、更には互いに大きさの異なる複数種類の回路パターンをガラス基板上に露光する際に用いられるマスク上における当該複数種類の回路パターンの配置等）の自由度が向上し、上記各種の制約を緩和することが可能となる。一例をあげると、仮に遮光板３０の傾斜方向が固定であるとした場合、図４（ａ）あるいは図４（ｃ）に示されるような台形状の開口Ｋを形成可能なように遮光板３０を配置すると、図４（ｂ）あるいは図４（ｄ）に示されるように、平行四辺形状、且つスリット状の開口Ｋを形成することができない（遮光板３０の斜辺と開口Ｋを形成する端部（斜辺）とが交差する）ので、設計上の制約となるが、本実施形態では、上述の設計の自由度が向上する。

本実施形態の露光装置ＥＸを用いて繋ぎ露光を行う際には、要求される製品の設計（上記第１の露光方法〜第５の露光方法参照）に応じて、遮光板３０の位置、及び傾き（上記第１〜第４のモードの何れか）を決定する。例えば、図２０に示されるように、ステップＳ１０では、パネル（製品）サイズ、マスクサイズ、タブ領域の幅（位置）、遮光板３０の位置（本実施形態では、投影領域５０ｆに対応する位置）、最善の走査露光の回数などの諸条件に応じて、マスクＭ上に複数の領域（上記第１の露光方法のＡ及びＢ領域、第３の露光方法のＡ〜Ｃ領域など）を設定する。また、ステップＳ１２において、上記ステップＳ１０で決定されたマスクＭ上の領域のＹ軸方向の長さに応じた遮光板３０のＹ軸方向の位置を決定する。

そして、ステップＳ１４で、ステップＳ１２で決定された遮光板３０の位置が、所望の繋ぎ露光の条件を満たすか否かを判定する。例えば、現状の遮光板３０の傾斜方向で繋ぎ露光を行った場合に、基板Ｐ上に形成される継ぎ部ＭＣ（図１０参照）の総露光量が所望の露光条件を満たすか否かを判定する。ステップＳ１４の判定でＹｅｓ判定である場合には、ステップＳ１６に進み、繋ぎ露光を行う。また、ステップＳ１４でＮｏ判定の場合には、ステップＳ１８に進み、遮光板３０のモード切り替え（第１モードと第２モードとの切り替え、又は第３モードと第４モードとの切り替え）を繋ぎ露光の工程に追加した後（実際に遮光板３０のモード切り替えを行うのは、基板ＰのＹステップ動作中）、ステップＳ１６に進み、繋ぎ露光を行う。

なお、あらかじめ、パネル（製品）サイズ、マスクサイズ、タブ領域の幅（位置）、走査露光の回数等を踏まえて、繋ぎ露光を行う際の露光条件がわかっていれば、遮光板３０の位置を第１の走査露光と第２の走査露光とで切り替え可能に構成しても良い。これによって、上述したステップ（ステップＳ１４、Ｓ１８）を省略することができるので、露光処理を簡素化できる。

以上説明したように、本実施形態では、開口Ｋを形成するＹ軸方向に離間した一対のエッジのうちの一方（＋Ｙ側又は−Ｙ側）と、遮光板３０のＹ軸方向に関する一対のエッジのうちの一方（＋Ｙ側又は−Ｙ側）とによって、遮光板３０の一側又は他側（＋Ｙ側又は−Ｙ側）に露光光の光路が形成され、且つ該光路を通過した露光光によって、基板Ｐ上には、平面視台形又は平行四辺形の投影領域５０ｆが生成される。そして、上記平面視台形又は平行四辺形の投影領域５０ｆのＹ軸方向に関する幅は、遮光板３０のＹ位置によって、適宜設定変更することができる。

このように、遮光板３０のモードを切り替えることによって、投影領域５０ｆの位置及び形状を変化させることができるので、投影領域５０ｆを含む複数の投影光学モジュールによって基板Ｐ上に形成される投影領域のＹ軸方向の長さ、及びその端部形状（傾斜方向）を任意に設定することができる。したがって、繋ぎ露光によって基板Ｐ上に形成される転写パターンＭＰＡ、又はＭＰＢ（図１０参照）の幅の設計の自由度が向上し、１枚のマザーガラス基板上に任意の幅の液晶パネルを形成することが可能となる。

なお、以上説明した一実施形態の構成は、一例であって、適宜変更が可能である。すなわち、上記実施形態において、遮光板３０（可変視野絞り装置）は、１つのみ設けられたが、これに限られず、複数設けられても良い。また、遮光板３０（可変視野絞り装置）が設けられる投影光学モジュールの数、及び位置は、特に限定されない。この場合、繋ぎ露光によって基板Ｐ上に形成される転写パターンＭＰＡ、又はＭＰＢ（図１０参照）の幅の設計の自由度が更に向上する。

また、遮光板３０を駆動するための機構も、適宜変更が可能である。すなわち、図２１に示される変形例のように、１つの開口Ｋ（視野絞り２０（図３参照））に対して、２枚の遮光板３０を設けても良い。２枚の遮光板３０を独立に駆動するための駆動機構８０Ａは、上記実施形態と同様に一対のアクチュエータ８２Ａ、８４Ｂを有しており、該一対のアクチュエータ８２Ａ、８４Ａそれぞれのナット８２ｃ、８４ｃに遮光板３０が固定されている。上記実施形態では、１枚の遮光板３０を回転駆動することによって、その角度が変更したが、本変形例では、２枚の遮光板３０それぞれの端部が開口Ｋを形成するＹ軸方向に離間した一対のエッジと平行となるように取り付け角度が予め設定されており、視野絞り２０の一対の端部のいずれかと、２枚の遮光板３０の、合計で４つの端部のいずれかを組み合わせることによって、上記実施形態と同様に第１〜第４のモードを実現することができる。なお、図２１は、模式図であり、図２５には、本変形例の詳細が示されている。図２５に示される駆動機構では、Ｙ軸方向に延びる一対のアーム８８に沿って、各遮光板３０が所定の可動範囲（図２５の破線矢印参照）内で独立に往復駆動される。このようなアーム８８を往復駆動するタイプの駆動機構は、上記実施形態の遮光板３０の駆動機構として用いることも可能である。

また、図２２に示される変形例の駆動機構８０Ｂのように、アクチュエータ８４Ｂのナット８４ｃが遮光板３０を回転駆動するための回転モータ８４ｄを有していても良い。回転モータ８４ｄは、遮光板３０を回転駆動し、ナット８４ｃに固定された一対のストッパ８４ｅに当接させることによって、遮光板３０の位置決めを行う。本変形例では、上記実施形態の駆動機構８０（図４（ａ）など参照）がリニアアクチュエータを一対有していたのに対し、リニアアクチュエータが１つのみで良く、構成が簡単である。

また、図２３（ａ）に示される変形例の駆動機構８０Ｃのように、遮光板３０がアクチュエータ８４Ｃのナット８４ｃに対して軸８４ｆを介して回転自在に支持されていても良い。駆動機構８０Ｃは、開口Ｋに対する位置が固定の一対のピン８４ｈを有しており、該一対のピン８４ｈの一方に遮光板３０を当接させた状態でナット８４ｃをＹ軸方向に移動させることによって、遮光板３０を回転させる（図２３（ｂ）参照）。また、ナット８４ｃは、遮光板３０を一対のストッパ８４ｅのいずれかに押圧する板ばね８４ｇを有しており、遮光板３０は、常に一対のストッパ８４ｅのいずれかに当接した状態が保たれる。本変形例では、遮光板３０を回転駆動するアクチュエータが不要であり、駆動機構８０Ｃの構成が簡単である。

また、上記実施形態の遮光板３０は、平面視矩形（長方形）に形成され、回転によって角度が変更されたが、遮光板の形状は、これに限定されない。すなわち、図２４（ａ）に示される変形例の遮光板１３０のように、＋Ｘ側に開口する平面視Ｕ字状（逆Ｃ字状）に形成されていても良い。遮光板１３０は、Ｙ軸方向に延びる板状部材から成り、＋Ｙ側の端部が視野絞り２０（図３参照）の開口Ｋを形成する端部のうち、＋Ｙ側の端部と平行に形成されている。また、遮光板１３０は、−Ｙ側の端部が視野絞り２０の開口Ｋを形成する端部のうち、−Ｙ側の端部と平行に形成されている。また、遮光板１３０の＋Ｘ側に開口した切り欠き１３２を形成するＹ軸方向に離間した一対の端部のうち、＋Ｙ側の端部は、視野絞り２０の開口Ｋを形成する端部のうち、＋Ｙ側の端部と平行（すなわち遮光板１３０の＋Ｙ側の端部と平行）に形成されている。また、切り欠き１３２を形成するＹ軸方向に離間した一対の端部のうち、−Ｙ側の端部は、視野絞り２０の開口Ｋを形成する端部のうち、−Ｙ側の端部と平行（すなわち遮光板１３０の−Ｙ側の端部と平行）に形成されている。

図２４（ａ）に示される変形例に係る遮光板１３０は、アクチュエータ８６によってＹ軸方向に駆動される。これによって、図２４（ｂ）〜図２４（ｅ）に示されるように、上記実施形態と同様に、第１〜第４のモードを実現できる。なお、上記実施形態と同様に、開口Ｋのうち、露光光の光路を形成しない部分は、可動のブラインド装置６０によって遮光される。本変形例によれば、１つのアクチュエータ８６によって遮光板１３０を直進駆動するだけで第１〜第４モードを実現できるので、構成が簡単である。

また、上記実施形態では、視野絞り２０と、板状部材から成る遮光板３０との協働によって露光光の光路（開口Ｋ）が形成されたが、視野絞り２０と協働して露光光の光路を形成する部材は、これに限られない。すなわち、図２６に示されるように、光学フィルタ２３０ａ、２３０ｂを用いて開口Ｋの一部を遮光しても良い。光学フィルタ２３０ａは、光の透過率が＋Ｙ側の端部から−Ｙ側に向けて低くなるように設定されている。光学フィルタ２３０ｂは、光学フィルタ２３０ａに対して紙面左右対称に構成されている。光学フィルタ２３０ａ、２３０ｂは、それぞれ独立にＹ軸方向の駆動可能になっており、露光光の遮光範囲、及び露光光の光路の位置を任意に設定できるようになっている。本変形例によっても、上記実施形態と同様の繋ぎ露光を行うことができる。なお、光学フィルタ２３０ａ、２３０ｂにおける遮光部（フィルタ部）を形成する微小なドットが基板Ｐ上に転写されないように、光学フィルタ２３０ａ、２３０ｂは、マスクＭ及び基板Ｐに対する共役面から光軸方向に幾分ずれた位置に配置すると良い。

また、上記実施形態（及びその変形例）では、遮光板３０を駆動する駆動機構として送りネジ装置を用いる場合を説明したが、駆動機構の構成は、これに限定されない。すなわち、遮光板３０を駆動するためのアクチュエータとして、公知のシャフトモータなどを用いても良い。シャフトモータは、ひとつの固定子に対して複数の可動子を独立に駆動することができるので、図２１に示される変形例のように、一対の遮光板３０を独立に位置制御するタイプに好適である。また、アクチュエータとしては、リニアモータのような電磁モータ、あるいは超音波モータ、エアシリンダのような機械アクチュエータを用いても良い。

また、図２１に示される変形例では、一対の遮光板３０それぞれが独立したアクチュエータによって駆動されたが、アクチュエータの一部は共通であっても良い。すなわち、一対の遮光板３０が共通の第１ステージ（粗動ステージ）上に載置され、且つ該第１ステージ上に一対の遮光板３０それぞれの位置を独立に制御可能な第２ステージ（微動ステージ）が載置されるような構成であっても良い。

また、遮光板３０を駆動するためのアクチュエータは、上記実施形態では、Ｙ軸方向に沿って配置されたが、これに限られず、その他の方向（Ｘ軸方向、Ｚ軸方向など）に沿って配置されても良い。

また、遮光板３０、及びその駆動機構８０は、基板Ｐ上に生成される投影領域（露光領域）を規定するために設けられたが、これに限られず、照明光学系ＩＬのブラインド装置に上記実施形態と同様の構成の遮光板、及びその駆動機構を設けても良い。

また、遮光板３０は、投影光学系ＰＬを構成する投影光学モジュールに設けられたが、露光光ＥＬの光路上であれば配置位置は特に限定されず、照明光学系ＩＬなどに設けても良い。

また、上記実施形態において、遮光板３０、及びその駆動機構８０は、露光装置ＥＸの一部を構成する装置であったが、これに限られず、遮光板３０、及び駆動機構８０（ドライバなどのソフトウェアを含む）を、遮光装置（可変視野絞り装置）として既存の露光装置に追加的に設けることも可能である。

また、上記実施形態では、遮光板３０を含む可変視野絞り装置によって、基板Ｐ上に形成される投影領域の位置及び形状を変更したが、これに限られず、マスクＭと投影光学系ＰＬとをＹ軸方向に相対移動可能に構成し、該マスクＭと投影光学系ＰＬとのＹ軸方向への相対移動によって、投影領域の位置及び形状を変更しても良い。

また、照明光は、ＡｒＦエキシマレーザ光（波長１９３ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザ光（波長２４８ｎｍ）などの紫外光や、Ｆ_２レーザ光（波長１５７ｎｍ）などの真空紫外光であっても良い。また、照明光としては、例えばＤＦＢ半導体レーザ又はファイバーレーザから発振される赤外域、又は可視域の単一波長レーザ光を、例えばエルビウム（又はエルビウムとイッテルビウムの両方）がドープされたファイバーアンプで増幅し、非線形光学結晶を用いて紫外光に波長変換した高調波を用いても良い。また、固体レーザ（波長：３５５ｎｍ、２６６ｎｍ）などを使用しても良い。

また、投影光学系ＰＬが複数本の投影光学モジュールを備えたマルチレンズ方式の投影光学系である場合について説明したが、投影光学モジュールの本数はこれに限らず、１本以上あれば良い。また、投影光学系ＰＬとしては、拡大系、又は縮小系であっても良い。

また、露光装置の用途としては角型のガラスプレートに液晶表示素子パターンを転写する液晶用の露光装置に限定されることなく、例えば有機ＥＬ（Electro-Luminescence）パネル製造用の露光装置、半導体製造用の露光装置、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン及びＤＮＡチップなどを製造するための露光装置にも広く適用できる。また、半導体素子などのマイクロデバイスだけでなく、光露光装置、ＥＵＶ露光装置、Ｘ線露光装置、及び電子線露光装置などで使用されるマスク又はレチクルを製造するために、ガラス基板又はシリコンウエハなどに回路パターンを転写する露光装置にも適用できる。

また、露光対象となる物体はガラスプレートに限られず、例えばウエハ、セラミック基板、フィルム部材、あるいはマスクブランクスなど、他の物体でも良い。また、露光対象物がフラットパネルディスプレイ用の基板である場合、その基板の厚さは特に限定されず、例えばフィルム状（可撓性を有するシート状の部材）のものも含まれる。なお、本実施形態の露光装置は、一辺の長さ、又は対角長が５００ｍｍ以上の基板が露光対象物である場合に特に有効である。

液晶表示素子（あるいは半導体素子）などの電子デバイスは、デバイスの機能・性能設計を行うステップ、この設計ステップに基づいたマスク（あるいはレチクル）を製作するステップ、ガラス基板（あるいはウエハ）を製作するステップ、上述した各実施形態の露光装置、及びその露光方法によりマスク（レチクル）のパターンをガラス基板に転写するリソグラフィステップ、露光されたガラス基板を現像する現像ステップ、レジストが残存している部分以外の部分の露出部材をエッチングにより取り去るエッチングステップ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くレジスト除去ステップ、デバイス組み立てステップ、検査ステップ等を経て製造される。この場合、リソグラフィステップで、上記実施形態の露光装置を用いて前述の露光方法が実行され、ガラス基板上にデバイスパターンが形成されるので、高集積度のデバイスを生産性良く製造することができる。

なお、これまでの記載で引用した露光装置などに関する全ての公報（国際公開を含む）の開示を援用して本明細書の記載の一部とする。

以上説明したように、本発明の露光装置及び方法は、マスクのパターンを基板に露光するのに適している。また、本発明のフラットパネルディスプレイの製造方法及びデバイス製造方法は、それぞれフラットパネルディスプレイ、及びマイクロデバイスの製造に適している。また、本発明の遮光装置は、マスクのパターンを基板に露光するのに適している。

２０…視野絞り、３０…遮光板、５０…投影領域、８０…駆動機構、ＣＯＮＴ…制御装置、ＥＸ…露光装置、Ｋ…開口、Ｐ…基板、ＰＬａ〜ＰＬｇ…投影光学モジュール。

Claims (1)

1. 所定パターンを物体に投影する投影光学系に対して、前記物体を第１方向に相対移動させて露光する露光装置であって、
   前記投影光学系を介して前記物体上に投影される投影領域のうち、前記第１方向の位置に応じて、前記物体上の照明量が前記第１方向に交差する前記第２方向に沿って変化する所定領域を遮光する遮光部と、
   前記遮光部を、前記照明量を変化させるように駆動する駆動部と、を備える露光装置。

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