JP2010135693A5 - - Google Patents

Claims (15)

1. 第１主面と、前記第１主面の反対面である第２主面と、を有する発光層と、
   前記発光層の前記第２主面上に形成された第１電極及び第２電極と、
   前記第１主面上に設けられ、前記発光層から放出される光を吸収して異なる波長の光を放出する蛍光体を含む蛍光層と、
   前記第１電極に設けられた第１金属ポストと、
   前記第２電極に設けられた第２金属ポストと、
   前記第２主面上に設けられ、前記第１金属ポストの端部及び前記第２金属ポストの端部を露出させて前記第１金属ポスト及び前記第２金属ポストを封止するとともに、前記発光層の端部を覆う封止層と、
   を備えたことを特徴とする光半導体装置。
2. 前記発光層は、基板の上にエピタキシャル成長された後に前記基板から分離された半導体積層体を含むことを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
3. 前記第１金属ポストの端部に設けられた第１金属層と、
   前記第２金属ポストの端部に設けられた第２金属層と、
   をさらに備え、
   前記第１金属層及び前記第２金属層は、はんだバンプであることを特徴とする請求項１記載の光半導体装置。
4. ｎ型半導体からなる第１クラッド層と、
   前記第１クラッド層の形状の一部が除かれた形状のｐ型半導体からなる第２クラッド層と、
   前記第１及び第２クラッド層に挟持された前記第２クラッド層と同形状の活性層と、
   前記第１クラッド層の前記活性層が設けられた側と反対側の面に形成され、前記活性層から放出される光を吸収して異なる波長の光を放出する蛍光体を含む蛍光層と、
   前記第１クラッド層の前記活性層が設けられた面側の前記活性層及び前記第２クラッド層が除かれた領域に形成された第１電極と、
   前記第２クラッド層の前記活性層が設けられた側と反対側の面に形成された第２電極と、
   前記第１電極上に設けられた第１金属ポストと、
   前記第２電極上に設けられた第２金属ポストと、
   前記第１及び第２クラッド層の前記第１及び第２金属ポストが設けられている側に設けられ、前記第１及び第２金属ポストの端部を露出させて前記第１及び第２金属ポストを封止する封止層と、
   を備えたことを特徴とする光半導体装置。
5. 前記第１クラッド層、前記活性層、及び前記第２クラッド層は、基板の上にエピタキシャル成長された後された後に前記基板から分離された半導体積層体に含まれることを特徴とする請求項４記載の光半導体装置。
6. 前記蛍光層は、少なくとも組成の異なる２種類の蛍光体を含有していることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載の光半導体装置。
7. 前記蛍光層は、少なくとも組成の異なる２種類の蛍光層が積層されて形成されていることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の光半導体装置。
8. 透光性を有する透光基材の表面に、発光層から放出される光を吸収して異なる波長の光を放出する蛍光体を含む蛍光層を形成して、蛍光基材を製造する工程と、
   発光層と、前記発光層の第１の主面側に形成され前記発光層を発光させる電流を流す正極及び負極の複数の組と、を有する発光基材の前記発光層の前記第１の主面とは反対側の第２の主面側に、前記蛍光層に対向させて前記蛍光基材を接着する工程と、
   前記正極及び負極の組ごとに個片化を行う工程と、
   を備えたことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
9. 前記発光層は、基板の上にエピタキシャル成長された半導体層であり、
   前記接着する工程の前に、前記正極及び負極の複数の組が形成された前記発光層を前記基板から分離する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項８記載の光半導体装置の製造方法。
10. 基板の上に複数の発光層が形成され、前記複数の発光層のそれぞれの上に第１電極及び第２電極が形成された前記基板上に、前記複数の発光層を覆う導電性膜を形成する工程と、
    前記導電性膜上に、前記発光層ごとの前記第１電極及び前記第２電極上を開口する犠牲層を形成する工程と、
    前記導電性膜を陰極として電気メッキ法により前記発光層ごとの前記第１電極及び前記第２電極上にメッキ層を形成する工程と、
    前記メッキ層を形成した前記基板から前記犠牲層及び前記導電性膜を除去する工程と、
    前記犠牲層及び前記導電性膜を除去した前記基板上に、前記発光層ごとの前記メッキ層を封止する封止層を形成する工程と、
    前記封止層から前記発光層ごとの前記メッキ層の端部を露出させる工程と、
    透光性を有する透光基材上に、前記発光層から放出される光を吸収して異なる波長の光を放出する蛍光体を含む蛍光層を形成する工程と、
    前記蛍光層を形成した前記透光基材を前記複数の発光層に前記蛍光層を対向させて接合する工程と、
    前記発光層ごとに個片化を行う工程と、
    を備えたことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
11. 前記発光層は、前記基板の上にエピタキシャル成長された半導体層であり、
    前記封止層を形成する工程の後であって、前記接合する工程の前に、前記発光層を前記基板から分離する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１０記載の光半導体装置の製造方法。
12. 発光層と、前記発光層の第１の主面側に形成され前記発光層を発光させる電流を流す正極及び負極の複数の組と、を有する発光基材の前記発光層の前記第１の主面とは反対側の第２の主面側に、前記発光層から放出される光を吸収して異なる波長の光を放出する蛍光体を含む蛍光層を形成する工程と、
    前記正極及び負極ごとに個片化を行う工程と、
    を備えたことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
13. 前記発光層は、前記基板の上にエピタキシャル成長された半導体層であり、
    前記蛍光層を形成する工程の前に、前記発光層を前記基板から分離する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１２記載の光半導体装置の製造方法。
14. 基板の上に複数の発光層が形成され、前記複数の発光層のそれぞれの上に第１電極及び第２電極が形成された前記基板上に、前記複数の発光層を覆う導電性膜を形成する工程と、
    前記導電性膜上に、前記発光層ごとの前記第１電極及び前記第２電極上を開口する犠牲層を形成する工程と、
    前記導電性膜を陰極として電気メッキ法により前記発光層ごとの前記第１電極及び前記第２電極上にメッキ層を形成する工程と、
    前記メッキ層を形成した前記基板から前記犠牲層及び前記導電性膜を除去する工程と、
    前記犠牲層及び前記導電性膜を除去した前記基板上に、前記発光層ごとの前記メッキ層を封止する封止層を形成する工程と、
    前記封止層から前記発光層ごとの前記メッキ層の端部を露出させる工程と、
    前記複数の発光層上に、前記発光層から放出される光を吸収して異なる波長の光を放出する蛍光体を含む蛍光層を形成する工程と、
    前記蛍光層上に、透光性を有する透光層を形成する工程と、
    前記発光層ごとに個片化を行う工程と、
    を備えたことを特徴とする光半導体装置の製造方法。
15. 前記発光層は、前記基板の上にエピタキシャル成長された半導体層であり、
    前記封止層を形成する工程の後であって、前記蛍光層を形成する工程の前に、前記発光層を前記基板から分離する工程をさらに備えたことを特徴とする請求項１４記載の光半導体装置の製造方法。