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JPH02196477A - 光半導体装置の製造方法 - Google Patents

光半導体装置の製造方法

Info

Publication number
JPH02196477A
JPH02196477A JP1016731A JP1673189A JPH02196477A JP H02196477 A JPH02196477 A JP H02196477A JP 1016731 A JP1016731 A JP 1016731A JP 1673189 A JP1673189 A JP 1673189A JP H02196477 A JPH02196477 A JP H02196477A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
heat sink
light emitting
array
dicing
emitting elements
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP1016731A
Other languages
English (en)
Inventor
Tsuneo Mizuno
水野　恒生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp filed Critical NEC Corp
Priority to JP1016731A priority Critical patent/JPH02196477A/ja
Publication of JPH02196477A publication Critical patent/JPH02196477A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/0201—Separation of the wafer into individual elements, e.g. by dicing, cleaving, etching or directly during growth
    • H01S5/0202—Cleaving
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
    • H01S5/00—Semiconductor lasers
    • H01S5/02—Structural details or components not essential to laser action
    • H01S5/024—Arrangements for thermal management

Landscapes

  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は光半導体装置の製造方法に関する。
〔従来の技術〕
従来、光半導体装置は、発光領域を内包する多層構造か
ら成る発光素子を形成した後、バラバラに分離された、
個々のヒートシンク上に、発光素子を各々マウントして
製造していた。
〔発明が解決しようとする課題〕
上述した従来の光半導体装置の製造方法は、バラバラに
分離された個々のヒートシンクに個々の発光素子をそれ
ぞれマウントするため、自動マウンター等により、量産
を図る場合、その装置が複雑になり、工数がかかり、さ
らに不良の発生率が上がるという欠点がある。
本発明はこのような問題点を解決し生産性の良い製造方
法を提供することを目的としている。
〔課題を解決するための手段〕
本発明の製造方法は、シリコンのヒートシンクをダイシ
ング実施後、メタルの蒸着を行ないヒートシンクアレイ
を形成しておき、そのウェハー状態（ヒートシンクアレ
イ）のままで、前もって作っておいた発光素子を各ヒー
トシンクにマウントする。この後、プローブ付のテスタ
ーにて各発光素子の電気的特性選別を行ない、ブレーキ
ングにより個々のディスクに分けて各ディスクをステム
に搭載して光半導体装置とする。
〔実施例〕
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は本発明の一実施例を示す図で、第２図は第１図
の部分的拡大図である。まず、半導体基板上に半導体層
を複数層成長して発光領域を内包する多層構造から成る
発光素子を前もって形成しておく。シリコンウェハーも
前もってダイシング及びメタライズ、ソルダ４の蒸着を
行なって、ダイシング溝３で分離されたヒートシンクア
レイを形成しておく。次にウェハー形状のヒートシンク
アレイの個々のシリコン・ヒートシンク１上に発光素子
２を軽く圧着、加熱し、マウントを実施する。これをブ
レーキングして個々のディスクに分けてその各々を１つ
づつステムに搭載して光半導体装置とする。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は、発光素子をウェハー形
状のヒートシンクアレイの各シリコン・ヒートシンク上
にマウントする事により、個々のマウント作業、及び素
子の電気特性選別の実施に際し、個々のヒートシンクを
１つづつ取扱うのでなく、ヒートシンクアレイとして一
括して扱うので大幅な工数削減が計れ、不良発生率の低
下、及び自動マウンター設備の設計の簡易化等の効果が
ある。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例の概略図、第２図は、第１
図の部分的拡大図である。 １・・・シリコン・ヒートシンク、２・・・発光素子、
３・・・ダイシング溝、４・・・ソルダ。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. シリコンウェハーをダイシング、メタライズして、溝で
    各ヒートシンクが分離・配列しているヒートシンクアレ
    イとし、このヒートシンクアレイの各ヒートシンクに、
    発光領域を内包する多層構造から成る発光素子をマウン
    トした後、分割し、ステムに搭載する事を特徴とする光
    半導体装置の製造方法。
JP1016731A 1989-01-25 1989-01-25 光半導体装置の製造方法 Pending JPH02196477A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0588406A1 (en) * 1992-09-07 1994-03-23 Koninklijke Philips Electronics N.V. Method of manufacturing a block-shaped support body for a semiconductor component
WO2001026153A1 (en) * 1999-10-05 2001-04-12 Drukker International B.V. Method of bonding a plurality of thermally conductive elements to a substrate
US7842553B2 (en) * 2002-12-09 2010-11-30 Intel Corporation Cooling micro-channels
US8581291B2 (en) 2008-12-08 2013-11-12 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method for manufacturing the same

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US8906716B2 (en) 2008-12-08 2014-12-09 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device and method for manufacturing the same
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