JP2008109144A - 回路基板の製造方法および回路基板の検査方法 - Google Patents

Abstract

【課題】応力に基づく歪に対し耐久性が高く、接続信頼性の極めて高いスルホールを備えた回路基板、回路基板の製造方法、回路基板の製造装置および検査方法を経済的に提供すること。
【解決手段】
絶縁基板を、該絶縁基板に対し貫通孔が形成されるよう処理する工程と、処理された絶縁基板を、貫通孔に少なくとも可視光を通過させる絶縁材が充填されるよう処理する工程と、絶縁基板を、絶縁材を有するべき領域が含まれるように研磨する工程と、研磨された絶縁基板に対し、貫通孔を有するべき面から光を照射して絶縁材が充填されているか否かを判定する工程と、貫通孔に絶縁材が充填されていると判定された場合、絶縁材を除去する工程と、絶縁材が除去された貫通孔に金属を充填する工程とを具備する。
【選択図】図１

Description

本発明は、回路基板、回路基板の製造方法、回路基板の製造装置および回路基板の検査方法に係り、特に、回路基板の対向する両面に形成された回路配線がスルホールにより電気的に接続される構造を備えた回路基板、回路基板の製造方法、回路基板の製造装置および回路基板の検査方法に関する。

近年、半導体装置の高集積化が著しく進行し、半導体装置における実装技術に対しても高密度化が求められている。

半導体装置の高密度実装技術としては、ワイヤーボンディング技術やＴＡＢ技術等が代表的に挙げられるが、コンピュータ機器等の半導体装置に対し最も高密度化が可能な実装技術として、フリップチップ実装技術が多く用いられている。

フリップチップ実装技術は、図２６に示す様に、米国特許第３４０１１２６号公報、米国特許第３４２９０４０号公報が開示されて以来、広く公知の技術になっている。

ところが、上述したように、半導体チップをフリップチップ実装した場合には、接続部分が半導体チップの下方に配置される実装構造上の特徴から、その接続部分を顕微鏡等を用いて直接検査することが困難であった。このため、Ｘ線透過法や超音波印加法等を用いた非破壊検査法が多く提案されてきたが、これを実施するための装置が大規模なものとなり製造コストを増加させる原因となっていた。

そこで、フリップチップ実装する半導体チップを回路基板上に実装する前に予め検査するＫＧＤ（Known Good Die）技術が開発され、実装時の接続の信頼性は極めて向上するようになってきた。

ＫＧＤ技術として、一般的には、検査ボードによるプロービング方法が用いられるが、微細なバンプが半導体チップ上に、エリア状に配置されるようになってくると、それに対応して、検査ボード上に配置するプローブにも微細なエリア状に配置されたレイアウトが必要となっていた。

検査ボードとしての回路基板の微細化を進める上での最大の問題は、層間接続に用いるスルホール径をいかに小さくするかである。大きなスルホール径を用いた層間接続は、大きな層間接続面積を必要とするばかりでなく、他層における配線禁止領域の発生や接続部のインピーダンス不整合による信号反射の発生等、電気特性の面でも悪影響を与える。

一般的に、層間接続に用いるスルホール径を小さくする方法としては、感光性樹脂を用いたビアホールによる層間接続方式を回路基板に応用したビルドアップ配線基板が挙げられる。これは、図２７（ａ）に示す様に、従来のプリント配線基板をコアとして、感光性樹脂の塗布、露光、現像によりビアホールを形成し、めっき技術により、配線を順次、必要な所まで積み上げていくものである。

さらに、図２７（ｂ）に示したように、めっきにより形成される金属柱を用い層間接続を行うビアポスト型ビルドアップ配線基板も開発されている。この方式によれば、高解像度のドライフィルムを使用することにより、ビアホールよりも接続面積を小さくすることが可能である。

ところが、これらの方法はいずれも基板の片面に配線層を形成するもので、検査ボードとしての回路基板の両面に配線層を形成するためには、図２８に示すように、基板の主面と裏面とを電気的に貫通して接続するスルホールを形成する必要がある。

このスルホールを形成する方法として、一般的には、“特集「プリント配線板用めっき」プリント配線基板製造におけるめっき”（サーキットテクノロジー、Vol.18、NO.5、 pp351‐356 、1996）に記載されているように、無電解めっき後、電気めっきで銅を厚く形成することによりスルホールを形成する方法がある。

スルホールの壁面を金属化する無電解めっき法は、複雑な形状品に対しても金属膜が得られ、電気めっきのように通電するための特別な冶具や設備を必要としない。さらに、無電解めっき法は、導体および不導体でも前処理を施せばめっきが可能な技術である。

一方、無電解めっき法で金属化されたスルホールの壁面の金属を厚くする電気めっき法は、めっき槽の中央部の陰極に回路基板を固定するとともに、両側に陽極を配置し、電気分解反応で陰極の回路基板に金属を析出させる技術である。さらに、陽極にはめっきする金属と同種の金属を板あるいはボールを配置し、めっき液中の金属イオンの補給源とするのが一般的である。但し、陽極における金属の溶解反応が遅いときには、陽極にカーボンや白金などの不溶解性材料を使用することも可能となっている。この場合、めっき液中の金属イオンはめっきする金属塩の水溶液で補充する。

さらに、電気めっき装置は、めっき槽の材質、深さ、幅、容量、陽極および陰極の形状と配置、陰極に接続された回路基板の揺動、めっき液の撹拌条件、温度、電流密度および不純物などが均一な電着性に影響を与えるため、シールド板または補助電極などを用いた電気めっきが行われ、近年では、信頼性の高いスルホールめっきが実現される様になってきた。

また、図２７（ｂ）に示す金属柱を用いて接続を行うビアポスト型ビルドアップ配線基板では、Proceeding of 1996 ISHM Symposium, pp243-248, 1996にも記載されている噴流式電気めっき装置を用いることを行われている（図１３参照）。

この電気めっき装置によれば、電気めっきの均一な電着性に影響する装置の各パラメータも最適化できるため、近年の高密度・高速実装を目的としたＭＣＭ（Multichip Module）基板も高精度に形成することが可能となっている。

ところが、検査ボードとなる回路基板には電子機器より発生する熱に起因する温度上昇および冷却による温度低下の繰り返しによる熱ストレスによりスルホールめっき部分にクラックが発生する。これは、回路基板の基材となる材料の熱膨張係数とスルホールにめっきされる金属との熱膨張係数とが異なるため発生するもので、スルホールの内部における膜剥れクラックや基板の表面とスルホール部分の境界部分とに生じる歪クラックなどがある。

そこで、スルホール部の熱ストレス信頼性を向上させるため、めっき金属被膜の信頼性を向上させることが行われ、めっき条件管理、めっき被膜管理および工程能力管理などが行われてきた。しかしながら、この方法は、めっきに際するプロセス管理を行うことにより信頼性を向上させるもので、必ずしも十分な信頼性を向上させるものではなかった。

また、一方では、ＫＧＤを実施するため、微細なエリアバンプ電極を検査ボードに位置合せすることも困難となっていた。

そこで、ガラス基板の両面に検査配線を形成した検査ボードを用いることにより、ガラス基板を透過してプロービング時の半導体チップと検査ボードとの位置合わせを容易に行う方法が適用されるようになってきたが、無機セラミック材料であるガラス基板の両面を微細なスルホールを通して電気的に接続することは極めて困難なものであり、また、レーザなどを用いてガラス基板を微細加工することもコスト的に極めて高いという問題があった。

そこで、日刊工業新聞（１９９６年７月１７日６ページ）に記載されている様に、ガラス基板のスルホール壁面に金属を密着接合することにより、ガラス基板に低コストで貫通スルホールを形成する提案が行われた。これは、多層配線基板のスルホール内部の壁面と電極間との隙間を高圧鋳造法で完全になくすもので、スルホール形成したガラス基板を焼結後、電極となる溶融アルミニウムをスルホール内部に１平方ミリメートル当り１〜１５ｋｇの圧力を加えながら注入することにより、アルミニウム電極とスルホール内部壁面を完全に密着させるものである。これにより熱膨張係数と熱収縮による応力歪をガラス基板に分散させクラックを防止することが可能になって、多層配線基板における電極の接続信頼性を格段に向上させることができるようになったが、溶融温度が３３８０℃と高いタングステン、アルミニウム、銅および錫などを用いているため、使用できるガラス基板に制限があり耐熱性の低いガラス基板には使用できない問題があった。

一方、スルホール内部を金属導体により低温で充填する方法として、有機樹脂バインダーを含有したペーストを真空充填する方法があるが、アスペクト比１０を超える極めて高いアスペクト比のスルホールに適応することは技術的に困難であるばかりでなく、充填材として有機樹脂をバインダーとした材料を用いているため接続信頼性も充分なものではなかった。

また、ガラス基板に微細な貫通孔を形成する方法として、例えば“化学切削用感光性ガラス”（実務表面技術、pp.552~558、vol.35、 No.11、1988）に記載されている様に、感光性ガラスを用いるものがある。このガラスは、紫外線照射による紫外線エネルギーによりＣｅ³⁺から光電子が放出され、１部はガラス構造中の空孔に捕らえられるが、１部は感光性イオンに捕らえられて中性化するか金属原子となり、４５０℃〜６００℃の温度で熱処理を施すことにより金属コロイドが生成するものである。さらに、金属コロイドを結晶核にしてメタケイ酸リチウム（Ｌｉ₂Ｏ‐ＳｉＯ₂）が析出するが、この結晶は薄いフッ酸に対する溶解度が結晶化前ガラスの５０倍にもなるため、エッチングにより紫外線照射したＬｉ₂Ｏ‐ＳｉＯ₂結晶の部分だけが溶解されて正確な化学切削をおこなうことができる。こうして、微細貫通孔をガラス基板に形成できるが、ガラス基板は、エッチングするときのフッ酸により表面と裏面が侵食され、５μｍ〜６μｍにも達する凹凸が形成されるため、すりガラスのように不透明なものとなる。従って、透過性を保持するには表面および裏面を研磨剤により研磨する必要があった。

ところが、粒径２μｍ〜３μｍのアルミナの研磨剤や酸化セリウムの研磨剤を使用すると、エッチングにより形成した貫通孔に研磨剤が侵入し、研磨後に洗浄したとしてもこれを除去できないという問題があった。これは、貫通孔内部にも凹凸が形成され、この部分に研磨剤が残留するためである。また、ガラス基板の表面を平坦化する研磨加工は、例えば、高出力レーザを用いて貫通孔を形成する場合に発生するガラス基板表面の“ばり”を研磨で除去する場合にも必要なものなので、この場合にも、エッチングにより形成した貫通孔に研磨剤が侵入し、研磨後に洗浄したとしてもこれを除去できないという問題があった。

さらに、スルホールを形成する際には、必要な部分に貫通孔が形成されているか否かを検査することが求められており、貫通孔が数十個程度と少ない場合には目視による検査も可能であるが、１０００個を超える貫通孔が形成されている場合には、目視による検査は事実上、不可能であるという問題があった。また、貫通孔に金属が完全充填されてスルホールが電気的に接続されているか否かを検査する場合にも同様の問題があった。

本発明は、上記従来の問題に鑑みてなされたもので、応力に基づく歪に対し耐久性が高く、接続信頼性の極めて高いスルホールを備えた回路基板を経済的に提供することを目的とする。

また、本発明は、融点の低い絶縁基板を用いた場合にも、応力に基づく歪に対し耐久性が高く、接続信頼性の極めて高いスルホールを備えた回路基板を経済的にかつ確実に得ることができる回路基板の製造方法を提供することを目的とする。

さらに、本発明は、融点の低い絶縁基板を用いた場合にも、応力に基づく歪に対し耐久性が高く、接続信頼性の極めて高いスルホールを備えた回路基板を経済的にかつ確実に得ることができる回路基板の製造装置を提供することを目的とする。

また、本発明は、スルホールを備えた回路基板を経済的にかつ確実に得ることができる回路基板の検査方法を提供することを目的とする。

本発明に係る回路基板は、第１の金属柱と、前記第１の金属柱の側面を覆う第２の金属柱と、前記第２の金属柱の側面を覆う絶縁基板とを具備したことを特徴としている。

本発明に係る回路基板によれば、絶縁基板に対し、第１の金属柱と、該第１の金属柱の側面を覆う第２の金属柱から構成されるスルーホールを設けたことにより、上記金属柱と絶縁基板との密着性を向上させるとともに、スルーホールに生じた歪みを絶縁基板に逃がすことができるので、応力に基づく歪に対し耐久性が高く、接続信頼性の極めて高いスルホールを設けた回路基板を経済的に実現することが可能となる。

また、本発明に係る回路基板の製造方法は、絶縁基板に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔の形成された絶縁基板を、第１の金属をイオンとして含有する第１の溶液に浸漬し、前記貫通孔による連通が保たれるように前記絶縁基板上に前記第１の金属を析出させる工程と、前記第１の金属が析出した絶縁基板を、前記第１の金属が前記貫通孔のみに残留するよう処理する工程と、前記処理された絶縁基板を、第２の金属をイオンとして含有する第２の溶液に浸漬し、前記第１の金属上に前記絶縁基板より突出するまで前記第２の金属を析出させる工程と、前記絶縁基板より突出した第２の金属を除去する工程とを具備したことを特徴としている。

本発明にかかる回路基板の製造方法によれば、貫通孔の形成された絶縁基板を、第１の金属をイオンとして含有する第１の溶液に浸漬し、貫通孔による連通が保たれるように絶縁基板上に第１の金属を析出させ、第１の金属が析出した絶縁基板を、第１の金属が貫通孔のみに残留するよう処理した後、処理された絶縁基板を、第２の金属をイオンとして含有する第２の溶液に浸漬し、第１の金属上に絶縁基板より突出するまで第２の金属を析出させて、絶縁基板より突出した第２の金属を除去することにより、融点の低い絶縁基板を用いた場合にも、スルーホールとして機能する第１および第２の金属と絶縁基板との密着性を向上させつつ、貫通孔に第１および第２の金属を完全に充填させることができるので、スルーホールに生じた歪みを絶縁基板に逃がすことができ、応力に基づく歪に対し耐久性が高く、また接続信頼性の極めて高いスルホールを設けた回路基板を経済的に製造することが可能となる。

さらに、本発明に係る回路基板の製造方法は、絶縁基板に貫通孔を形成する工程と、前記貫通孔を、該貫通孔による連通が保たれるよう第１の金属で覆う工程と、第２の金属がイオンとして含有される溶液を、第１および第２の領域に分割するよう前記溶液中に前記絶縁基板を配置する工程と、前記第１の領域から前記第２の領域に向け前記溶液の流れを形成し、前記第１および第２の領域において前記溶液にかかる第１および第２の圧力を測定しつつ、前記第１の金属を前記第２の金属で覆う工程と、少なくとも前記測定された第１の圧力と第２の圧力とが異なるまで、前記溶液中に前記絶縁基板を配置しつづける工程とを具備したことを特徴としている。

本発明に係る回路基板の製造方法によれば、絶縁基板に設けた貫通孔を、その連通が保たれるよう第１の金属で覆った後、第２の金属がイオンとして含有される溶液が第１および第２の領域に分割されるよう該溶液中に絶縁基板を配置して第１の領域から第２の領域に向け溶液の流れを形成し、第１および第２の領域において溶液にかかる第１および第２の圧力を測定しつつ、少なくとも測定された第１の圧力と第２の圧力とが異なるまで、溶液中に絶縁基板を配置しつづけることにより、融点の低い絶縁基板を用いた場合にも、スルーホールとして機能する第１および第２の金属と絶縁基板との密着性を向上させつつ、第２の金属が第１の金属を覆うように貫通孔を完全に充填することができるので、スルーホールに生じた歪みを絶縁基板に逃がすことができ、応力に基づく歪に対し耐久性が高く、また接続信頼性の極めて高いスルホールを設けた回路基板を経済的に製造することが可能となる。

また、本発明に係る回路基板の製造装置は、電解液を保持する電解槽と、前記電解槽に保持された電解液を第１および第２の領域に分割するよう、前記電解槽に絶縁基板を配置する手段と、前記絶縁基板により分割される第１の領域から前記第２の領域に向かって前記溶液の流れを形成する手段と、前記第１および第２の領域における溶液の圧力を検出する手段と、前記検出された第１および第２の領域における溶液の圧力が異なるか否かを判定する手段とを具備したことを特徴としている。

本発明に係る回路基板の製造装置によれば、電解槽に保持された電解液を第１および第２の領域に分割するよう電解槽に絶縁基板を配置する手段と、絶縁基板により分割される第１の領域から第２の領域に向かって溶液の流れを形成する手段と、絶縁基板により分割された第１および第２の領域における溶液の圧力を検出する手段と、検出された第１および第２の領域における溶液の圧力が異なるか否かを判定する手段とを設けたことにより、絶縁基板に設けた貫通孔に対して第１の領域から第２の領域に向け溶液の流れを形成し、第１および第２の領域において溶液にかかる第１および第２の圧力を測定しつつ、少なくとも測定された第１の圧力と第２の圧力とが異なるまで、溶液中に絶縁基板を配置しつづけることができるので、融点の低い絶縁基板を用いた場合にも、スルーホールとして機能する第１および第２の金属と絶縁基板との密着性を向上させつつ、第２の金属が第１の金属を覆うように貫通孔を完全に充填することが可能となる。したがって、スルーホールに生じた歪みを絶縁基板に逃がすことができ、応力に基づく歪に対し耐久性が高く、また接続信頼性の極めて高いスルホールを設けた回路基板の製造装置を経済的に実現することができる。さらに、本発明に係る回路基板の製造方法は、絶縁基板を、該絶縁基板に対し貫通孔が形成されるよう処理する工程と、前記処理された絶縁基板を、前記貫通孔に少なくとも可視光を通過させる絶縁材が充填されるよう処理する工程と、前記絶縁基板を、前記絶縁材を有するべき領域が含まれるように研磨する工程と、前記研磨された絶縁基板に対し光を照射して前記絶縁材が充填されているか否かを判定する工程と、前記貫通孔に前記絶縁材が充填されていると判定された場合、前記絶縁材を除去する工程と、前記絶縁材が除去された貫通孔に金属を充填する工程とを具備したことを特徴としている。

本発明に係る回路基板の製造方法によれば、貫通孔が形成されるよう処理された絶縁基板を、貫通孔に少なくとも可視光を通過させる絶縁材が充填されるよう処理し、絶縁基板を、絶縁材を有するべき領域が含まれるように研磨した後、絶縁基板に対し貫通孔を有するべき面から光を照射して絶縁材が充填されているか否かを判定し、貫通孔に絶縁材が充填されていると判定された場合に、絶縁材を除去して貫通孔に金属を充填することにより、貫通孔に対する研磨剤の残留を防止するとともに、貫通孔の形成が確実に確認されるので、融点の低い絶縁基板を用いた場合にも、スルーホールに生じた歪みを絶縁基板に逃がすことができ、応力に基づく歪に対し耐久性が高く、また接続信頼性の極めて高いスルホールを設けた回路基板を経済的に製造することが可能となる。

また、本発明に係る回路基板の製造方法は、少なくとも可視光を通過させる絶縁基板を、該絶縁基板に対し貫通孔が形成されるよう処理する工程と、前記処理された絶縁基板を、前記貫通孔に少なくとも可視光を通過させる絶縁材が充填されるよう処理する工程と、前記処理された絶縁基板を、前記絶縁材を有するべき領域が含まれるように研磨する工程と、前記研磨された絶縁基板に対して光を照射し、前記絶縁基板に対し貫通孔が形成されるべき領域として予め取得された第１のデータと、前記光に対する前記絶縁基板および前記絶縁材前記の吸収率の差として予め取得された第２のデータとを比較して、前記絶縁材が充填されているか否かを判定する工程と、前記貫通孔に前記絶縁材が充填されていると判定された場合、前記絶縁基板を、前記貫通孔より前記絶縁材が除去されるように処理する工程と、前記処理された絶縁基板を、前記貫通孔に金属が充填されるように処理する工程と、前記処理された絶縁基板に対して前記光を照射し、前記第１のデータ、前記第２のデータ、および前記光に対する前記絶縁基板と前記金属との吸収率の差と該吸収率の差が生じる位置を備え、予め取得された第３のデータとを比較して、前記金属が充填されているか否かを判定する工程とを具備したことを特徴としている。

本発明に係る回路基板の製造方法によれば、上記第１のデータと第２のデータとを比較して、形成されるべき貫通孔に絶縁材が充填されているか否かを判定し、貫通孔に前記絶縁材が充填されていると判定された場合、絶縁基板を、貫通孔より絶縁材が除去されるように処理し、貫通孔に金属が充填されるように処理した後、絶縁基板に対して貫通孔を有するべき面から前記光を照射して、第１のデータ、第２のデータおよび上記第３のデータを比較して、貫通孔に金属が充填されているか否かを判定することにより、貫通孔に対する研磨剤の残留が防止されるとともに貫通孔の形成が確実に確認され、かつ貫通孔への金属の充填が確実に確認されるので、融点の低い絶縁基板を用いた場合にも、スルーホールに生じた歪みを絶縁基板に逃がすことができ、応力に基づく歪に対し耐久性が高く、また接続信頼性の極めて高いスルホールを設けた回路基板を経済的かつ確実に製造することが可能となる。

また、本発明に係る回路基板の検査方法は、貫通孔に少なくとも可視光を通過させる絶縁材が充填されるように処理された絶縁基板に対し光を照射する工程と、前記絶縁基板に対する前記光の吸収率の差に基づいて、前記貫通孔に樹脂が充填されているか否かを判定する工程とを具備したことを特徴としている。

本発明に係る回路基板の検査方法によれば、貫通孔に少なくとも可視光を通過させる絶縁材が充填されるように処理された絶縁基板に対し光を照射し、絶縁基板に対する光の吸収率の差に基づいて、貫通孔に樹脂が充填されているか否かを判定することにより、貫通孔の形成が容易かつ確実に確認されるので、スルホールを設けた回路基板を経済的に製造することが可能となる。

本発明において、絶縁基板としては、各種セラミック基板を用いることができ、さらに透過性を有するガラス基板を用いることができる。このようなガラス基板を構成するガラスとしては、例えば、ＳｉＯ₂ ‐ＬｉＯ₂ ‐Ａｌ₂ Ｏ₃ 系ガラスやＣｅＯ₂ を含有したガラス等を挙げることができる。

また、第１および第２の金属柱は、スルーホールとして機能するのであれば、その形態は特に限定されないが、第１および第２の金属柱の形状を、例えば、絶縁基板の中央部における開口径が基板の両面における開口径に比較して小さい値を有する、換言すれば、絶縁基板の中央において括れる鼓型の形状にすることにより、第１および第２の金属柱に生じた歪みをより効果的に絶縁基板に逃がすよう構成することができる。

さらに、第１の金属柱を形成する金属としては、絶縁基板と親和性の高い物質を用いることが望ましく、例えば、ニッケル、銅、クロム、鉄、錫および鉛から選択される金属またはこれらの合金を挙げることができる。また、第１の金属柱の側面を覆う第２の金属柱を構成する金属としては、第１の金属柱に上記ニッケル、銅、クロム、鉄、錫および鉛から選択される金属またはこれらの合金を用いた場合、特に、パラジウム、銀、金および白金から選択される金属またはこれらの合金を適用することが望ましい。さらに、第１の金属柱にボロンが含有されたニッケル合金やリンが含有されたニッケル合金を用いた場合には、第２の金属柱に対し、例えば、銀合金を好適に用いることができる。

こうして、例えば、貫通孔の壁面に絶縁基板と親和性の高いパラジウム、銀、金および白金から選択される金属またはこれらの合金である第１の金属を形成するとともに、第１の金属上に熱サイクルによるストレスに対して耐性を有するニッケル、銅、クロム、鉄、錫および鉛から選択される金属またはこれらの合金である第２の金属を堆積して、絶縁基板の主面と裏面とを貫通する貫通孔を完全に充填することにより、第１の金属を接着層とした、第１および第２の金属からなる充填構造が容易に実現され、熱ストレスに対して強固なスルホールを形成することができる。特に、上述したように、貫通孔の形状を、絶縁基板の中央部における開口径が絶縁基板の両面における開口径に比較して小さい鼓型とすることにより、スルホールの内部に発生する応力歪を絶縁基板の両面に向かって段階的に緩和することが可能となり、スルホールを構成する金属全体のクラックを確実に防止することが可能になる。

さらに、絶縁基板として、例えば、透過性を有するＳｉＯ₂ ‐ＬｉＯ₂ ‐Ａｌ₂ Ｏ₃ 系ガラスを適用し、第１の金属として銀合金、第２の金属としてボロンが含有されたニッケル合金またはリンが含有されたニッケル合金を用いた場合には、透過性を有する絶縁基板とスルホールを構成する金属との密着強度を高くすることができ、接続信頼性の高いスルホールを、透過性が要求されるＫＧＤ検査ボードに対しても実現することができる。

また、本発明において、絶縁基板上に第１の金属を析出させる方法としては、例えば、銀鏡反応等を適用することができる。また、貫通孔の壁面を除いて、絶縁基板に付着した第１の金属を除去する方法としては、例えば、研磨法またはラビング法を用いることができ、第１の金属上に、第２の金属を絶縁基板より突出するまで析出させる方法としては、例えば、ジメチルアミノボランまたは次亜リン酸ナトリウムのいずれか一方を還元剤とする溶液中でニッケル合金を析出させる無電解めっき法を適用することができる。また、絶縁基板より突出した第２の金属を除去する方法としては、例えば、絶縁基板を機械的に研磨する方法を挙げることができる。

こうして、第１の金属上に第２の金属を堆積させ、第１の金属と第２の金属とにより貫通孔を完全に充填するので、第１の金属を接着層とした第１および第２の金属による充填構造が実現され、熱ストレスに対して強固なスルホールを容易に形成することが可能になる。さらに、第１および第２の金属は、回路基板の面と同一の平面を構成するよう貫通孔に完全に充填されているため、貫通孔の壁面に第２の金属のみを形成する構造と比較して、絶縁基板の両面に形成する回路配線とスルホールとの接触面積を大きくすることができ、接続抵抗を低くすることができる。

また、絶縁基板に貫通孔を形成する方法としては、例えば、レーザを用いる方法等、特に限定されることはない。なお、感光性金属として金、銀および銅から選択される少なくとも１種類の金属と、増感剤としてのＣｅＯ₂ とを少量含有したＳｉＯ₂ ‐ＬｉΟ₂ ‐Ａｌ₂ Ｏ₃ 系の感光性ガラスを用いた場合には、貫通孔は、ガラスマスクを通じて紫外線を照射した後、フッ酸を用いて溶解除去された現像部分として得ることができる。

さらに、本発明において、第２の金属イオンの含有された電解液中に第１の金属により被覆された貫通孔を備えた基板を配置して、貫通孔の内部を第１および第２の金属により充填する方法としては、該貫通孔を確実に金属により充填できることから、該電解液を絶縁基板により２つの領域に分割し、第１の領域における電解液を加圧することにより、電解液を絶縁基板の貫通孔の内部を通過させて第２の領域に移動させ、このとき、貫通孔の壁面に形成された第１の金属上に選択的に第２の金属を析出させる無電解めっき法を適用することが望ましい。こうして、貫通孔に金属が完全に充填された、熱ストレスに強固なスルホールを、透過性の要求されるガラス基板に対しても容易に実現できるとともに、これまで検出が困難であったスルホールにおけるめっきの完了時点も容易に決定することができる。したがって、壁面のみを金属化したスルホールと比較して、スルホールの形状を応力歪に強固な形状に制御できるため、接続信頼性の高い回路基板を実現することができる。

また、第２の金属イオンの含有された電解液中に、第１の金属により被覆された貫通孔を備えた絶縁基板を配置して、貫通孔の内部を第１および第２の金属で充填する方法は、該電解液を絶縁基板により２つの領域に分割し、第１の領域における電解液を加圧することにより、電解液を絶縁基板の貫通孔の内部を通過させて第２の領域に移動させ、該貫通孔の壁面に形成された第１の金属上にのみ選択的に第２の金属を析出させる無電解めっき法であるため、スルホール内部におけるめっき液の交換を容易に実現でき、局所的なめっき液の濃度低下を防止でき、形状等がほぼ正確に制御されたスルホールを実現できる。これは、第１の領域から第２の領域に向かって、めっき液を、該めっき液が貫通孔の内部を通過するように循環させているため、貫通孔が金属により完全に充填されて、第１の領域と第２の領域とにおける圧力の間に、一定の差が発生するまでめっき液が貫通孔を通過して、一定の圧力差が生じた時点をめっきの完了時点として認めることができるからであり、金属により完全に充填された、熱ストレスに強固なスルホールを、ガラス基板等の絶縁基板に対して容易に形成することができる。

ここで、電解液を保持する電解槽は、処理対象となる基板の種類、形状および枚数等に鑑みて適宜設計すればよく、内部に保持する電解液により腐食等がないものであれば、特に限定されるものではない。また、電解槽に保持された電解液を第１および第２の領域に分割するよう、電解槽に絶縁基板を配置する手段としては、例えば、電解槽の内部に絶縁基板を固定するフック等を設けて絶縁基板を支持するとともに、絶縁基板の周囲をＯリング等の部材により完全に封止することで容易に実現することができるが、特に限定はされない。

さらに、絶縁基板により分割される第１の領域から第２の領域に向かって電解液の流れを形成する手段としては、通常の水流ポンプ等を適用することができ、第２の領域から第１の領域に向かって電解液を循環させることで連続的な運転を実現することができる。このとき、必要に応じて電解液を交換できることはいうまでもない。また、第１および第２の領域における溶液の圧力を検出する手段としては、例えば、通常の圧力計を用いればよく、検出された第１および第２の領域における溶液の圧力が異なるか否かの判定は、ＣＰＵ等を搭載した一般的な制御系を適用して実行することができる。

また、本発明においては、絶縁基板に設けた貫通孔の内部に、透過性を有する絶縁材を完全に充填して絶縁基板を研磨して該絶縁基板面を平坦化し、該絶縁基板に検査光を照射することにより貫通孔を通過する光の吸収率を光学的に検出するので、貫通孔の形成後に実施された研磨工程における貫通孔の内部への研磨剤の残留が、絶縁材により防止されるばかりでなく、所定の部分に貫通孔が形成されているか否かの検査も容易に実現でき、透過性を示すガラス基板等においてもスルホールを容易に構成することができる。

例えば、絶縁基板を、３５０ｎｍ以上の波長の光に対して透過率８５％以上を示すガラス基板とし、貫通孔に充填する絶縁材を、３５０ｎｍ以上の波長の光に対して透過率８０％以下を示す波長吸収帯を有する熱硬化性樹脂とした場合には、光の吸収率を光学的に検出する波長帯を３５０ｎｍ以上とすればよい。また、絶縁基板の研磨は、例えば、液体研磨剤を用いる湿式研磨法や、液体研磨剤を用いない乾式研磨法を単独で、あるいは組み合わせて適用することができる。また、絶縁材の除去は、該絶縁材を溶解する溶媒に絶縁材を溶解させることにより実施することができるが、絶縁材の充填された貫通孔の部分と貫通孔の形成されていない部分とを、物性的に光学吸収の少ない３５０ｎｍ以上の波長の光を用い、該光の透過率の相異を効果的に利用して検出することが可能となるので、貫通孔の欠陥を容易に検出することが可能となる。さらに、絶縁材を溶解させる溶媒を、絶縁材に含有される溶媒の組成と異ならせることにより、熱硬化により溶媒溶解度の低くなった樹脂等であってもこれを容易に除去することが可能となる。また、湿式研磨法または乾式研磨法の少なくともいずれかの方法を研磨に用いているため、絶縁基板の表面のミクロな凹凸まで完全に除去でき、絶縁基板としてガラス基板を用いた場合にも、透過性の高いガラス基板を得ることが可能になる。また、絶縁材として液体熱硬化性樹脂を貫通孔に充填することにより、アスペクト比の高い貫通孔の内部に、毛細管現象を利用して絶縁材を完全に充填し、かつその硬化を容易に達成することが可能となる。

さらに、貫通孔を光学的に検査するに際し、例えば、貫通孔が形成されるべき位置のパターンを第１のデータとし、一方、絶縁基板を構成する物質および貫通孔に充填される絶縁材の検査光に対する吸収率差を第２データとして予め取得しておき、第１のデータと第２のデータとを比較するように構成すれば、絶縁基板上の貫通孔が形成されていない位置を容易に検出することができる。また、金属により充填されたスルホールを光学的に検査するに際しては、貫通孔に充填された金属および絶縁基板を構成する物質の検査光に対する吸収率差と、該吸収率差が生じる位置とを第３のデータとして取得しておき、第３のデータを、第１のデータおよび第２のデータと比較するように構成すれば、貫通孔に金属が完全充填されていない位置を容易に検出することができる。したがって、絶縁基板上に形成されるべき貫通孔および金属が充填されるべきスルホールの欠陥を容易かつ自動的に検出することができる。

本発明に係る回路基板によれば、絶縁基板に対し、第１の金属柱と、該第１の金属柱の側面を覆う第２の金属柱から構成されるスルーホールを設けたことにより、上記金属柱と絶縁基板との密着性を向上させるとともに、スルーホールに生じた歪みを絶縁基板に逃がすことができるので、応力に基づく歪に対し耐久性が高く、接続信頼性の極めて高いスルホールを設けた回路基板を提供することが可能となる。また、熱ストレスに対して耐久性を備え、接続抵抗の低いスルホールを有するとともに、配線密度が高密度化され、小型化の達成された回路基板を提供することができる。さらに、絶縁基板として、ガラス基板を用いた場合には、透過性が要求されるＫＧＤ検査ボードを高い信頼性で実現することが可能になる。

また、本発明にかかる回路基板の製造方法によれば、貫通孔の形成された絶縁基板を、第１の金属をイオンとして含有する第１の溶液に浸漬し、貫通孔による連通が保たれるように絶縁基板上に第１の金属を析出させ、第１の金属が析出した絶縁基板を、第１の金属が貫通孔のみに残留するよう処理した後、処理された絶縁基板を、第２の金属をイオンとして含有する第２の溶液に浸漬し、第１の金属上に絶縁基板より突出するまで第２の金属を析出させて、絶縁基板より突出した第２の金属を除去することにより、融点の低い絶縁基板を用いた場合にも、スルーホールとして機能する第１および第２の金属と絶縁基板との密着性を向上させつつ、貫通孔に第１および第２の金属を完全に充填させることができるので、スルーホールに生じた歪みを絶縁基板に逃がすことができ、応力に基づく歪に対し耐久性が高く、また接続信頼性の極めて高いスルホールを設けた回路基板の製造方法を提供することができる。また、熱ストレスに対して耐久性を備え、接続抵抗の低いスルホールを有するとともに、配線密度が高密度化され、小型化の達成された回路基板の製造方法を提供することができる。さらに、絶縁基板として、ガラス基板を用いた場合には、透過性が要求されるＫＧＤ検査ボードを高い信頼性で製造することが可能になる。

さらに、本発明に係る回路基板の製造方法によれば、絶縁基板に設けた貫通孔を、その連通が保たれるよう第１の金属で覆った後、第２の金属がイオンとして含有される溶液が第１および第２の領域に分割されるよう該溶液中に絶縁基板を配置して第１の領域から第２の領域に向け溶液の流れを形成し、第１および第２の領域において溶液にかかる第１および第２の圧力を測定しつつ、少なくとも測定された第１の圧力と第２の圧力とが異なるまで、溶液中に絶縁基板を配置しつづけることにより、融点の低い絶縁基板を用いた場合にも、スルーホールとして機能する第１および第２の金属と絶縁基板との密着性を向上させつつ、第２の金属が第１の金属を覆うように貫通孔を完全に充填することができるので、スルーホールに生じた歪みを絶縁基板に逃がすことができ、応力に基づく歪に対し耐久性が高く、また接続信頼性の極めて高いスルホールを設けた回路基板の製造方法を提供することができる。また、第１の圧力と第２の圧力とが異なる時点を確認することにより、絶縁基板の貫通孔に対する第１および第２の金属の充填乾完了時点を検出することができるので、第１および第２の金属により貫通孔を完全に充填することができる。また、熱ストレスに対して耐久性を備え、接続抵抗の低いスルホールを有するとともに、配線密度が高密度化され、小型化の達成された回路基板の製造方法を提供することができる。さらに、絶縁基板として、ガラス基板を用いた場合には、透過性が要求されるＫＧＤ検査ボードを高い信頼性で製造することが可能になる。

また、本発明に係る回路基板の製造装置によれば、電解槽に保持された電解液を第１および第２の領域に分割するよう電解槽に絶縁基板を配置する手段と、絶縁基板により分割される第１の領域から第２の領域に向かって溶液の流れを形成する手段と、絶縁基板により分割された第１および第２の領域における溶液の圧力を検出する手段と、検出された第１および第２の領域における溶液の圧力が異なるか否かを判定する手段とを設けたことにより、絶縁基板に設けた貫通孔に対して第１の領域から第２の領域に向け溶液の流れを形成し、第１および第２の領域において溶液にかかる第１および第２の圧力を測定しつつ、少なくとも測定された第１の圧力と第２の圧力とが異なるまで、溶液中に絶縁基板を配置しつづけることができるので、融点の低い絶縁基板を用いた場合にも、スルーホールとして機能する第１および第２の金属と絶縁基板との密着性を向上させつつ、第２の金属が第１の金属を覆うように貫通孔を完全に充填することが可能となる。したがって、スルーホールに生じた歪みを絶縁基板に逃がすことができ、応力に基づく歪に対し耐久性が高く、また接続信頼性の極めて高いスルホールを設けた回路基板の製造装置を経済的に実現することができる。また、熱ストレスに対して耐久性を備え、接続抵抗の低いスルホールを有するとともに、配線密度が高密度化され、小型化の達成された回路基板の製造装置を提供することができる。さらに、絶縁基板として、ガラス基板を用いた場合には、透過性が要求されるＫＧＤ検査ボードを高い信頼性で製造することが可能になる。

また、本発明に係る回路基板の製造方法によれば、貫通孔が形成されるよう処理された絶縁基板を、貫通孔に少なくとも可視光を通過させる絶縁材が充填されるよう処理し、絶縁基板を、絶縁材を有するべき領域が含まれるように研磨した後、絶縁基板に対し光を照射して絶縁材が充填されているか否かを判定し、貫通孔に絶縁材が充填されていると判定された場合に、絶縁材を除去して貫通孔に金属を充填することにより、貫通孔に対する研磨剤の残留を防止するとともに、貫通孔の形成が確実に確認されるので、融点の低い絶縁基板を用いた場合にも、スルーホールに生じた歪みを絶縁基板に逃がすことができ、応力に基づく歪に対し耐久性が高く、また接続信頼性の極めて高いスルホールを設けた回路基板を経済的に製造することが可能となる。また、熱ストレスに対して耐久性を備え、接続抵抗の低いスルホールを有するとともに、配線密度が高密度化され、小型化の達成された回路基板の製造方法を提供することができる。さらに、絶縁基板として、ガラス基板を用いた場合には、透過性が要求されるＫＧＤ検査ボードを高い信頼性で製造することが可能になる。

さらに、本発明に係る回路基板の製造方法によれば、第１のデータと第２のデータとを比較して、形成されるべき貫通孔に絶縁材が充填されているか否かを判定し、貫通孔に前記絶縁材が充填されていると判定された場合、絶縁基板を、貫通孔より絶縁材が除去されるように処理し、貫通孔に金属が充填されるように処理した後、絶縁基板に対して光を照射して、第１のデータ、第２のデータおよび第３のデータを比較して、貫通孔に金属が充填されているか否かを判定することにより、貫通孔に対する研磨剤の残留が防止されるとともに貫通孔の形成が確実に確認され、かつ貫通孔への金属の充填が確実に確認されるので、融点の低い絶縁基板を用いた場合にも、スルーホールに生じた歪みを絶縁基板に逃がすことができ、応力に基づく歪に対し耐久性が高く、また接続信頼性の極めて高いスルホールを設けた回路基板を経済的かつ確実に製造することが可能となる。また、熱ストレスに対して耐久性を備え、接続抵抗の低いスルホールを有するとともに、配線密度が高密度化され、小型化の達成された回路基板の製造方法を提供することができる。さらに、絶縁基板として、ガラス基板を用いた場合には、透過性が要求されるＫＧＤ検査ボードを高い信頼性で製造することが可能になる。

また、本発明に係る回路基板の検査方法によれば、貫通孔に少なくとも可視光を通過させる絶縁材が充填されるように処理された絶縁基板に対し光を照射し、絶縁基板に対する光の吸収率の差に基づいて、貫通孔に樹脂が充填されているか否かを判定することにより、絶縁基板に形成されるべき貫通孔の存在が容易かつ確実に確認されるので、スルホールを設けた回路基板を経済的に製造することが可能となる。

以下、図面を参照して本発明に係る実施の形態を詳細に説明する。

（実施の形態１）図１は、本発明に係る回路基板の断面図、図２は、図１に係る回路基板の一部を拡大した図である。

ここで、図３を用いて、図１および図２に示した回路基板を製造する工程を説明する。

はじめに、ウエハ径で５インチφ、厚み０．５ｍｍの感光性ガラス９を用意した（図３（ａ））。感光性ガラス９は公知のもので、詳細は、例えば“化学切削用感光性ガラス”実務表面技術（pp552 ‐558 、Vol.35、 NΟ.11 、1988）に記載されている。感光性ガラス９からは、紫外線照射による紫外線のエネルギーによりＣｅ³⁺から光電子が放出され、その一部はガラス構造中の空孔に捕らえられるが、他の一部は感光性イオンに捕らえられて中性化するか、あるは金属原子となり、４５０℃〜６００℃の温度で熱処理を施すことにより金属コロイドを生成する。また、金属コロイドを結晶核にして、メタケイ酸リチウム（Ｌｉ₂ Ｏ−ＳｉＯ₂ ）が析出するが、この結晶は、薄いフッ酸に対する溶解度が、結晶化前の感光性ガラス９の５０倍にもなるため、エッチングにより、紫外線照射したＬｉ₂ Ｏ−ＳｉＯ₂ 結晶だけが溶解されて正確な化学切削を行うことができるものである。

次いで、感光性ガラス９に対して、紫外線照射および熱処理を行った。紫外線照射は、水銀ランプによる露光装置を用い、ＣｅＯ₂ を含有した感光性ガラス９は 320μｍ付近に最大感度を有しているため、この吸収波長領域で露光を行った。マスク６の材質としては石英ガラスを用いた。マスク６には、１５０μｍピッチで４０μｍφのスルホールが形成できる長方形パターンが４８０ポイント×３２０ポイントで形成してある。この様に露光することで、感光性ガラス９の内部に潜像を形成した（図３（ｂ））。さらに、熱処理により、感光した潜像部分を結晶化させ、酸に溶けやすくした。なお、熱処理は、炉内温度分布の良好な熱処理炉を使用して６００℃にて行った。このとき、結晶化させるときの前処理として、未露光部にも再度紫外線７を照射した（図３（ｃ））。

次いで、結晶化した部分を酸で溶解して除去した。エッチングには、フッ酸の薄い溶液を使用した。なお、エッチング方法については種々の方法が考えられるが、エッチング速度および加工精度から、シャワー式のエッチング方法が最も良好な結果を示した。また、フッ酸濃度としては、４％〜５％の範囲が最もエッチングに適していた。以上のように操作することで、感光性ガラス９に４０μｍφの貫通孔２を形成した（図３（ｄ））。

ここで、感光性ガラス９の表面は、フッ酸によるミクロな腐食が発生してすりガラス状態になっているため、透過性を向上させるため、１μｍ〜３μｍ以下の研磨剤による研磨を行うことが好ましい。研磨剤としては、酸化セリウム、酸化アルミニウムおよびダイヤモンドなどを用いることができる。なお、貫通孔２は、感光性ガラス９の両面からエッチングにより形成されるため、感光性ガラス９の中央部では、感光性ガラス９の表面の４０μｍφよりも狭い３０μｍφとなっていた。このとき、感光性ガラス９の加工精度は孔公差±０．０１、平面度０．００３％であった。

次いで、貫通孔２が形成された感光性ガラス９に第１の金属３を形成した（図４（ｅ））。ここで、第１の金属３としては、ガラス材料と密着性の高いパラジウム、銀、金および白金から選択される金属またはこれらの合金であれば特に限定されるものではないが、本実施の形態においては銀とした。

銀を感光性ガラス９上に析出させるためには、表面の濡れ性を向上させる、例えば、非アニオン系の洗剤に予め浸漬された感光性ガラス９を、硝酸銀溶液の中に浸漬した後、ホルムアルデヒドを添加することにより、貫通孔２の壁面を含めた感光性ガラス９の全体に銀を析出させた。この現象は、銀鏡反応として公知のものであり、溶解度の低い塩化銀の析出を防止するため塩素は含有されてはならない。この方法により、貫通孔２を含めた感光性ガラス９の表面全体に、銀を２μｍ〜３μｍ析出させた。次いで、ガラス基板の主面および裏面を、１μｍ〜２μｍの研磨剤による乾式研磨法または１μｍ〜２μｍの布で編んである乾布によるラビング法により研磨して、貫通孔２の壁面を除いて銀を機械的に除去した（図４（ｆ））。以上のようにして、感光性ガラス９の貫通孔２の壁面のみ選択的に銀を形成することができるが、銀の密着強度を向上させるため、銀鏡反応／ラビング法による銀析出を少なくとも３回繰り返して行い、銀の密着強度を向上させると共に銀の析出膜厚を厚くすることも可能である。なお、この銀析出反応を繰り返した場合には、各ステップごとに、銀鏡反応／ラビング処理を行う前工程において、例えば、感光性ガラス９を非アニオン系溶液に浸漬することも可能である。非アニオン系溶液による処理を行うことで、感光性ガラス９への銀の析出は著しく向上する。また、尚、この前処理に用いる溶液は、非アニオン系洗剤に限定されるものではなく、ガラス基板と銀溶液との濡れ性を向上させるものであれば何ら問題はない。

次いで、貫通孔２の壁面のみに、選択的に第１の金属３として銀が形成された感光性ガラス９に第２の金属４を形成した。第２の金属４としては、第１の金属３である銀と密着性の高いニッケル、銅、クロム、鉄、錫および鉛から選択される金属またはこれらの合金であれば特に限定されるものではないが、本実施の形態においてはニッケルとした。

第２の金属４であるニッケルを、第１の金属３の析出被膜の上に析出させて貫通孔２を充填するには、貫通孔２の壁面にのみ銀が析出されている感光性ガラス９を、例えば、下記の「組成１」で構成される無電解ニッケルめっき液に５〜６時間浸漬させ、８５℃〜９０℃でニッケルを感光性ガラス９の表面に突出するまで析出させる。特に、組成１からなるめっき液では、還元剤として作用する次亜リン酸ナトリウムのため、リンが５ｗｔ％〜１０ｗｔ％含有された、均一性、耐蝕性および耐摩耗性に優れたニッケル被膜を貫通孔２に対し充填することができる。無電解めっきを行うためのめっき装置は特に限定されるものではないが、アスペクト比の高い貫通孔２の内部におけるめっき液の交換を容易にするため、めっき液の攪拌、感光性ガラス９の揺動、２．０ｐａ程度の超音波印加を行いながら無電解めっきする機構を備えためっき装置を用いることが望ましい。このようなめっき装置を適用することで、貫通孔２の内部に対するニッケルの充填効果が向上する。さらに、感光性ガラス９とめっき装置との位置関係も特に限定されるものではないが、めっき装置に対して感光性ガラス９を縦置きにすると、１回当たりの処理枚数を増加させることができる。

（組成１）
硫酸ニッケル ２０〜３０ ｇ／Ｌ
次亜リン酸ナトリウム ２５〜３５ ｇ／Ｌ
グリコール酸 ２５〜３５ ｇ／Ｌ
酢酸ナトリウム １５〜２５ ｇ／Ｌ
安定剤（チオ尿素） ３〜５ ｐｐｍ
鉛 １〜２ ｍｇ／Ｌ
また、無電解ニッケルめっき液として、下記の「組成２」で構成される溶液を準備し、該溶液に感光性ガラス９を５〜６時間浸漬させ、６０℃〜７０℃にてニッケルめっきを行うことも可能である。組成２から構成されるめっき液では、還元剤として作用するジメチルアミノボランからボロンが１ｗｔ％程度含有されたニッケル被膜が析出するため、導電性の高いニッケルを貫通孔２に充填することができる。このときも、アスペクト比の高い貫通孔２の内部におけるめっき液交換を容易にするため、めっき液の攪拌、感光性ガラス９の揺動、２．０Ｐａ程度の超音波印加を行いながら無電解めっきする機構を備えためっき装置を用いて無電解めっきを行うと、貫通孔がニッケルにより完全充填される。

（組成２）
酢酸ニッケル ３０ ｇ／Ｌ
ジメチルアミノボラン ２．５ｇ／Ｌ
乳酸 ２５ ｇ／Ｌ
クエン酸ナトリウム ２５ ｇ／Ｌ
チオグリコール酸 １．５ｇ／Ｌ
以上のように、無電解めっきを行うことにより、感光性ガラス９に形成された貫通孔２中に、完全にニッケルを充填することができる。なお、貫通孔２中に、完全にニッケルを充填させるため、析出したニッケルが感光性ガラス９の面から少なくとも 0.1μｍは突出するまでめっきを行うことが好ましい。

次いで、貫通孔２より突出した第２の金属（ニッケル膜）を、感光性ガラス９の面と同一平面を構成するように機械的に研磨した（図４（ｇ））。研磨は、貫通孔２より突出した第２の金属（ニッケル膜）を、感光性ガラス９の面と同一平面を構成するように、マクロ研磨により感光性ガラス９の面から突出する量が±５μｍ程度になるまで均一化した後、ミクロ研磨により研磨した。なお、ミクロ研磨を行ったときの凹凸の公差は、回路基板面に形成する回路配線の接触抵抗上、±３μｍ以下の精度に保つことが好ましい。

ここで、マクロ研磨は、例えば、５μｍ〜１０μｍ程度の粒径を有する酸化セリウム、または＃１０００程度の耐水研磨紙を用い、ミクロ研磨は、０．３μｍ程度の粒径を有する酸化セリウム、酸化アルミナまたはダイヤモンドを用いて行うことが好ましい。このとき、液体状の研磨ペーストを研磨剤とする湿式研磨法を用いると、感光性ガラス９、第１の金属３および第２の金属４の間に、研磨速度差が発生するため、ミクロ研磨には、ダイヤモンド等が埋め込まれたデイスク盤を用いて研磨する乾式研磨を適用することが好ましい。

以上のように、貫通孔２に第１の金属３および第２の金属４が完全充填された感光性ガラス９を得ることができた。

次いで、回路配線５を感光性ガラス９上に形成した（図４（ｈ））。回路配線を構成する金属は特に限定されるものではないが、例えば、回路配線５に透過性を持たせたい場合には、インジウム・スズ酸化膜（ＩＴＯ膜）を用いることが好ましい。このとき、図５（ｂ）に示したように、回路配線５は、貫通孔２を、第１の金属３および第２の金属４金属により完全に充填しているため、図５（ａ）に示したように、スルホール１１の部分にランド１０を設ける必要がなく、従来のレイアウトに比較して、約１．５倍の密度で回路配線５をレイアウトすることが可能となった。

ここで、回路配線５となるＩＴＯは、例えば、以下のようにして形成することができる。すなわち、スパッタ法などを用いて、感光性ガラス９の表面上にＩＴＯ膜を形成した後、ＯＦＰＲ−８００（東京応化社製）等のレジストを被覆してパターンニングを行い、感光したＩＴＯをエッチングにより除去するとともにレジストをアセトンで除去する。さらに、感光性ガラス９の表面に形成されたＩＴＯのパターンを、例えば、ポリイミド膜（ＵＲ−３１４０）にて全面被覆する。

次いで、感光性ガラス９の裏面側に対しても、上記操作を施して、ＩＴＯのパターンを、例えば、ポリイミド膜（ＵＲ−３１４０）にて全面被覆する。こうして、回路配線５を備えた回路基板１が作製される。

尚、本実施の形態では、ＩＴＯ膜を回路配線に用いる金属として適用したが、回路配線を構成する金属として、ニッケル、クロム、銅および錫から選択される金属も用いることができ、その材質は特に限定されるものではない。こうして、図１および図２に示した回路基板１を構成した。

次いで、回路基板１の接続信頼性を評価したところ以下の結果を得た。なお、感光性ガラス９に４０μｍφの貫通孔を４８０ポイント×３２０ポイント形成し、銀およびニッケルを用いて該貫通孔を充填した試料を比較のために準備した。また、この貫通孔の密度は、図１および図２に示した回路基板１と全く同様である。さらに、評価の基準は、回路基板に温度サイクルを負荷し、４８０ポイント×３２０ポイントに渡り形成した貫通孔の中で１箇所でもスルホールの接続部分がオープンになった場合を不良とした。図６には、縦軸に累積不良率、横軸に温度サイクルが示されている。また、サンプル数は各々１０００個、温度サイクルの条件は、−５５℃（３０ｍｉｎ）〜２５℃（５ｍｉｎ）〜１２５℃（３０ｍｉｎ）〜２５℃（５ｍｉｎ）
である。

図６に示したように、スルホールとなる貫通孔に金属を完全に充填せず、貫通孔の壁面のみにニッケル皮膜を形成した従来品では、点線で示したように、１５００サイクルで接続不良が発生し、３０００サイクルにおいては接続不良が１００％に達した。また、スルホールとなる貫通孔に金属を完全に充填せず、貫通孔の壁面のみに銅皮膜を形成した場合でも、上記ニッケル皮膜を形成したときと同様に１５００サイクルで接続不良が発生し、３０００サイクルで１００％の不良率に達して、金属による相異はみられなかった。

ところが、図１および図２に示した回路基板１においては、３５００サイクルまで接続不良は発生せず、接続信頼性が極めて向上することが確認された。なお、この接続信頼性は、第１の金属にガラス材料と親和性の高いパラジウム、銀、金および白金から選択される金属またはこれらの金属合金、第１の金属上に配置する第２の金属として、ニッケル、銅、クロム、鉄、錫および鉛から選択される金属またはこれらの金属合金を用いた場合においても、金属または金属の組合わせに関わらず３５００サイクルまで接続不良は確認されなかった。

また、回路基板１におけるスルホールの接続不良は、上記従来品において確認されたスルホールの金属の剥離破壊とは全く異なるモードであり、接続不良の解析からも接続信頼性が極めて向上していることが確認された。これは、回路基板１においては、スルホールの構造が従来品とは異なり、金属で完全に充填されている構造をとっているため、応力による歪を充填された金属全体で緩和して貫通孔の壁面における金属に生じるクラックを防止し、また、スルホールの形状が鼓型を有して応力による歪を回路基板の面に向かって段階的に緩和しているためと考えられる。

また、回路基板１では、スルホールは金属により完全に充填されているため、接続抵抗は０．０５ｍΩであり、一方、上記従来品におけるスルホールでは同一組成のニッケル合金を用いた場合でも接続抵抗が０．５ｍΩであったことと比較すると、スルホールにおける接続抵抗は約１０倍低くなっていることが確認された。これは、スルホールの断面が従来品とは異なり、約２倍以上の面積をもって回路配線と接続されているためと考えられる。

さらに、回路基板１を用いて、ＫＧＤ検査ボードを作製した。その結果、従来までの不透明なガラスエポキシ材料から構成される検査ボードを用いた場合と比較して、位置合せがガラス基板を通して行えたため、該位置合せを極めて容易に実施することができた。

具体的には、１０００個の半導体チップを検査するのに、従来は３時間要していた検査時間を１時間にまで短縮することができ、約１／３の検査時間でＫＧＤを完了することができた。

さらに、従来品では、貫通孔のスルホールを避けて検査パッドを配置するレイアウトをとらなければならず、回路配線および検査ボードの高密度化は限界に達していたが、回路基板１においては、スルホールの貫通孔の部分も検査パッドとすることが可能になったため、従来品と比較して約１．５倍の高密度化が可能になり、検査ボードの面積も２／３まで縮小することができた。

また、回路基板１においては、スルホールが金属により完全に充填されているため、図７に示すように、回路基板１の裏面を液体窒素などの冷媒に接触させることが可能となり、半導体チップ１２からの発熱を効果的に放熱する構成をとることが可能になった。これは、高速動作を行うＣＰＵを所定の動作クロック以上の環境で検査するとき発生する熱を効果的に低減することができることから、その効果は極めて高いものと考えられる。このとき、冷媒は液体窒素に限定されるものではなく、冷却用純水などを用いることも可能であり、いずれにしても冷却効果は著しく向上した。また、回路基板１においては、スルホールの形状が鼓型となっているため、貫通孔に充填した金属が圧力に対して耐性を有しているためである。なお、このとき、気密性は−７６ｍｍＨｇまで可能であった。

さらに、回路基板１の貫通孔２に対する第１の金属３および第２の金属４の密着性を評価した。なお、比較のために、溶融金属により貫通孔を充填した以外は回路基板１と同一に構成された試料を比較のために準備した。また、評価の基準は、気密性試験を行い、−５０ｍｍＨｇでスルーホールの気密性が保たれなかった場合を不良とした。

評価の結果、回路基板１は、比較のために準備した従来品と比べ、回路基板１の貫通孔２に対する第１の金属３および第２の金属４の密着性が大きく向上していることが確認された。

以上から明らかなように、回路基板１は、熱サイクルに対してもスルーホールにクラック等の損傷を生じず、優れた耐性を有する信頼性の高い構造であり、回路基板上の回路配線の密度を従来品と比較して著しく向上できるものであることが確認された。また、貫通孔に対する第１の金属および第２の金属の密着性が大きく向上していることから、貫通孔を覆う金属の剥離がほぼ防止されることが確認された。

（実施の形態２）はじめに、ウエハ径で５インチφ、厚み０．５ｍｍの感光性ガラス９を用意した（図８（ａ））。 次いで、感光性ガラス９に対して、紫外線照射および熱処理を行った。紫外線照射は、水銀ランプによる露光装置を用い、ＣｅＯ₂ を含有した感光性ガラス９は３２０μｍ付近に最大感度を有しているため、この吸収波長領域で露光を行った。マスク６の材質としては石英ガラスを用いた。マスク６には１５０μｍピッチで４０μｍφのスルホールが形成できる長方形パターンが４８０ポイント×３２０ポイントで形成してある。この様に露光することで、感光性ガラス９の内部に潜像を形成した（図８（ｂ））。さらに、熱処理により、感光した潜像部分を結晶化させ、酸に溶けやすくした。なお、熱処理は、炉内温度分布の良好な熱処理炉を使用して６００℃にて行った。このとき、結晶化させるときの前処理として、未露光部にも再度紫外線７を照射した（図８（ｃ））。

次いで、結晶化した部分を酸で溶解して除去した。エッチングには、フッ酸の薄い溶液を使用した。なお、エッチング方法については種々の方法が考えられるが、エッチング速度および加工精度から、シャワー式のエッチング方法が最も良好な結果を示した。また、フッ酸濃度としては、４％〜５％の範囲が最もエッチングに適していた。以上のように操作することで、感光性ガラス９に４０μｍφの貫通孔２を形成した（図８（ｄ））。

ここで、感光性ガラス９の表面は、フッ酸によるミクロな腐食が発生してすりガラス状態になっているため、透過性を向上させるため、１μｍ〜３μｍ以下の研磨剤による研磨を行うことが好ましい。研磨剤としては、酸化セリウム、酸化アルミニウムおよびダイヤモンドなどを用いることができる。なお、貫通孔２は、感光性ガラス９の両面からエッチングにより形成されるため、感光性ガラス９の中央部では、感光性ガラス９の表面の４０μｍφよりも狭い３０μｍφとなっていた。このとき、感光性ガラス９の加工精度は孔公差±０．０１％、平面度０．００３％であった。

次いで、貫通孔２が形成された感光性ガラス９に第１の金属３を形成した（図９（ｅ））。ここで、第１の金属３としては、ガラス材料と密着性の高いパラジウム、銀、金および白金から選択される金属またはこれらの合金であれば特に限定されるものではないが、本実施の形態においては銀とした。

銀を感光性ガラス９上に析出させるためには、表面の濡れ性を向上させる、例えば、非アニオン系の洗剤に予め浸漬された感光性ガラス９を、硝酸銀溶液の中に浸漬した後、ホルムアルデヒドを添加することにより、貫通孔２の壁面を含めた感光性ガラス９の全体に銀を析出させた。この現象は、銀鏡反応として公知のものであり、溶解度の低い塩化銀の析出を防止するため塩素は含有されてはならない。この方法により、貫通孔２を含めた感光性ガラス９の表面全体に、銀を２μｍ〜３μｍ析出させた。次いで、ガラス基板の主面および裏面を、１μｍ〜２μｍの研磨剤による乾式研磨法または１μｍ〜２μｍの布で編んである乾布によるラビング法により研磨して、貫通孔２の壁面を除いて銀を機械的に除去した（図４（ｆ））。このとき、銀が貫通孔２の内部に入り込んだとしても、後工程の無電解めっきの核として機能するため何ら問題はない。以上のようにして、感光性ガラス９の貫通孔２の壁面のみ選択的に銀を形成することができたが、銀の密着強度を向上させるため、銀鏡反応／ラビング法による銀析出を少なくとも３回繰り返して行い、銀の密着強度を向上させると共に銀の析出膜厚を厚くすることも可能である。なお、この銀析出反応を繰り返した場合には、各ステップごとに、銀鏡反応／ラビング処理を行う前工程において、例えば、感光性ガラス９を非アニオン系溶液に浸漬することも可能である。非アニオン系溶液による処理を行うことで、感光性ガラス９への銀の析出は著しく向上する。また、尚、この前処理に用いる溶液は、非アニオン系洗剤に限定されるものではなく、ガラス基板と銀溶液との濡れ性を向上させるものであれば何ら問題はない。

次いで、貫通孔２の壁面のみに、選択的に第１の金属３として銀が形成された感光性ガラス９に第２の金属４を形成した。第２の金属４としては、第１の金属３である銀と密着性の高いニッケル、銅、クロム、鉄、錫および鉛から選択される金属またはこれらの合金であれば特に限定されるものではないが、本実施の形態においてはニッケルとした。第２の金属４であるニッケルを、第１の金属３の析出被膜の上に析出させて貫通孔２を充填するには、貫通孔２の壁面にのみ銀が析出されている感光性ガラス９を、例えば、上記の「組成１」で構成される無電解ニッケルめっき液に５〜６時間浸漬させ、８５℃〜９０℃でニッケルを感光性ガラス９の表面に突出するまで析出させる。特に、組成１からなるめっき液では、還元剤として作用する次亜リン酸ナトリウムのため、リンが５ｗｔ％〜１０ｗｔ％含有された、均一性、耐蝕性および耐摩耗性に優れたニッケル被膜を貫通孔２に対し充填することができる。

また、無電解ニッケルめっき液として、上記「組成２」で構成される溶液を準備し、該溶液に感光性ガラス９を５〜６時間浸漬させ、６０℃〜７０℃にてニッケルめっきを行うことも可能である。組成２から構成されるめっき液では、還元剤として作用するジメチルアミノボランからボロンが１ｗｔ％程度含有されたニッケル被膜が析出するため、導電性の高いニッケルを貫通孔２に充填することができる。

ここで、無電解めっき法を実行する回路基板の製造装置は、以下のように構成されている。すなわち、図１０および図１１に示したように、該回路基板の製造装置は、めっき液２５を保持するめっき液槽２６、めっき液２５を流通させるための流路配管２７、めっき液を循環させるポンプ２８、めっき液を循環させる循環装置２９および流路制御装置３０を備えている。さらに、めっき液槽２６には、第１の溶液領域３１および第２の溶液領域３２における圧力を計測をする圧力センサ３３と圧力計３４および感光性ガラス９を保持するための保持機構３５を備えている。保持機構３５は、めっき液槽２６内の一定位置で感光性ガラス９を保持することにより、第１の溶液領域３１と第２の溶液領域３２にめっき液２５を分離するためのもので、第１の溶液領域３１におけるめっき液と第２の溶液領域３２におけるめっき液とが相互に入り込まない様にシールされている。シーリングする機構は特に限定されるものではないが、本実施例ではバイトンＯリング、またはシリコンＯリング等のＯリングを用いて隙間が発生しないようにした。さらに、めっき液槽２６、流路配管２７およびポンプ２８の内部等の、めっき液２５が接触する部分はフッ素樹脂類、ポリオレフィン類、ポリアミド類、ポリエステル類、ポリエーテル類および塩化ビニル類等から構成されている。また、ポンプ２８本体は、耐食性に優れたマグネットポンプを用いており、回転数をインバータで制御している。

また、感光性ガラス９は、めっき液槽２６の内部に水平配置されており、感光性ガラス９を設置した後、ポンプ２８を稼動させて、めっき液槽２６内部のめっき液２５の水面を上昇させる。感光性ガラス９に接触しためっき液２５は、第１の溶液領域３１から、感光性ガラス９の貫通孔２の内部を通過して第２の溶液領域３２に移動する。さらに、めっき液２５は、第２の溶液領域３２からオーバーフローして外部に流出するようになっており、流出しためっき液２５は装置内部で循環する構成となっている。また、第１の溶液領域３１と第２の溶液領域３２の圧力差を計測する圧力計３４では、得られた信号がデジタル信号化されるようになっている。この変換された圧力信号を流路制御装置３０が検出して、循環装置２９を制御することで無電解めっきを完了させる。

上記回路基板の製造装置では、アスペクト比の高い貫通孔２の内部をめっき液２５が常時移動するため、金属イオン濃度は、無電解めっき膜を析出させるに適した濃度に制御されている。したがって、図１２に示したに、これまでアスペクト比の高い貫通孔の内部で発生していた、めっき液の循環が不充分なことによる金属イオンの濃度低下を防止することができ、欠陥のない均一なスルホールを形成することができる。

なお、貫通孔内部におけるめっき液交換を完全に行うため、めっき液槽２６全体または感光性ガラス９のみに選択的に２．０Ｐａ程度の超音波を印加することも可能である。さらに、第１の溶液領域３１および第２の溶液領域３２に圧力センサ３３を配置して、相互の溶液領域に圧力差が発生した時点をめっき完了点として流路制御する流路制御装置３０を備えているため、貫通孔２の全体が金属で完全充填されて第１の溶液領域３１から第２の溶液領域３２にめっき液２５が移動しなくなることにより、圧力差が発生する点をめっきの完了点とすることができる。これにより、無電解めっきの完了点を検出することができないため発生していたスルホールの欠陥を容易に防止することができ、接続信頼性の高いスルホールを形成することが可能となった。

以上のように、無電解めっきを行うことにより、感光性ガラス９に形成された貫通孔２中に、完全にニッケルを充填することができた。なお、貫通孔２中に、完全にニッケルを充填させるため、浸漬時間をめっき圧力差の発生した時点から約１０分程度延長させ、析出したニッケルが感光性ガラス９の面から少なくとも１μｍは突出するまでめっきを行うことが好ましい。

次いで、貫通孔２より突出した第２の金属（ニッケル膜）を、感光性ガラス９の面と同一平面を構成するように機械的に研磨した（図９（ｇ））。研磨は、貫通孔２より突出した第２の金属（ニッケル膜）を、感光性ガラス９の面と同一平面を構成するように、マクロ研磨により感光性ガラス９の面から突出する量が±5μｍ程度になるまで均一化した後、ミクロ研磨により研磨した。なお、ミクロ研磨を行ったときの凹凸の公差は、回路基板面に形成する回路配線の接触抵抗上、± 3μｍ以下の精度に保つことが好ましい。

ここで、マクロ研磨は、例えば、５μｍ〜１０μｍ程度の粒径を有する酸化セリウム、または＃１０００程度の耐水研磨紙を用い、ミクロ研磨は、０．３μｍ程度の粒径を有する酸化セリウム、酸化アルミナまたはダイヤモンドを用いて行うことが好ましい。このとき、液体状の研磨ペーストを研磨剤とする湿式研磨法を用いると、感光性ガラス９、第１の金属３および第２の金属４の間に、研磨速度差が発生するため、ミクロ研磨には、ダイヤモンド等が埋め込まれたデイスク盤を用いて研磨する乾式研磨を適用することが好ましい。

以上のように、貫通孔２に第１の金属３および第２の金属４が完全充填された感光性ガラス９を得ることができた。

次いで、回路回路５を感光性ガラス９上に形成した（図９（ｈ））。回路配線を構成する金属は特に限定されるものではないが、ここでは、実施の形態１と同様にして実施した。このとき、貫通孔２は金属により完全に充填されているため、従来品のように、スルホールの部分でランドを設ける必要がなく、従来品と比較して約１．５倍の密度で回路配線をレイアウトすることができた。なお、本実施の形態では、ＩＴＯ膜を回路配線を構成する金属として適用したが、回路配線を構成する金属として、例えば、ニッケル、クロム、銅および錫から選択される金属も用いることができ、その材質は特に限定されるものではない。

次いで、回路基板１の接続信頼性を評価したところ以下の結果を得た。なお、感光性ガラス９に４０μｍφの貫通孔を４８０ポイント×３２０ポイント形成し、銀およびニッケルを、図１３および図１４に示した従来のめっき装置を用いて該貫通孔に対し充填した試料を比較のために準備した。なお、図１３に示しためっき装置では電気めっき方式を採用しており、一方、図１４に示しためっき装置では無電解めっきを採用してはいるものの、めっき液を、感光性ガラス９を用いて異なる領域に分割していない構成をとっている。また、評価は、上記実施の形態１と同様の基準で行った。

図１５に示したように、スルホールとなる貫通孔に金属を完全に充填せず、貫通孔の壁面のみにニッケル皮膜を形成した上記試料（従来品）では、点線で示したように、１５００サイクルで接続不良が発生し、３０００サイクルにおいては接続不良が１００％に達した。また、スルホールとなる貫通孔に金属を完全に充填せず、貫通孔の壁面のみに銅皮膜を形成した場合でも、上記ニッケル皮膜を形成したときと同様に１５００サイクルで接続不良が発生し、３０００サイクルで１００％の不良率に達して、金属による相異はみられなかった。

ところが、本実施の形態により得られた回路基板１においては、３５００サイクルまで接続不良は発生せず、接続信頼性が極めて向上することが確認された。なお、この接続信頼性は、第１の金属にガラス材料と親和性の高いパラジウム、銀、金および白金から選択される金属またはこれらの金属合金、第１の金属上に配置する第２の金属として、ニッケル、銅、クロム、鉄、錫および鉛から選択される金属またはこれらの金属合金を用いた場合においても、金属または金属の組合わせに関わらず３５００サイクルまで接続不良は確認されなかった。

また、回路基板１におけるスルホールの接続不良は、上記従来品において確認されたスルホールの金属の剥離破壊とは全く異なるモードであり、接続不良の解析からも接続信頼性が極めて向上していることが確認された。これは、回路基板１においては、スルホールの構造が従来品とは異なり、金属で完全に充填されている構造をとっているため、応力による歪を充填された金属全体で緩和して貫通孔の壁面における金属に生じるクラックを防止し、また、スルホールの形状が鼓型を有して応力による歪を回路基板の面に向かって段階的に緩和しているためと考えられる。

また、回路基板１では、スルホールは金属により完全に充填されているため、接続抵抗は０．０５ｍΩであり、一方、上記従来品におけるスルホールでは同一組成のニッケル合金を用いた場合でも接続抵抗が０．５ｍΩであったことと比較すると、スルホールにおける接続抵抗は約１０倍低くなっていることが確認された。これは、スルホールの断面が従来品とは異なり、約２倍以上の面積をもって回路配線と接続されているためと考えられる。

さらに、回路基板１を用いて、ＫＧＤ検査ボードを作製した。その結果、従来までの不透明なガラスエポキシ材料から構成される検査ボードを用いた場合と比較して、位置合せがガラス基板を通して行えたため、該位置合せを極めて容易に実施することができた。

具体的には、１０００個の半導体チップを検査するのに、従来は３時間要していた検査時間を１時間にまで短縮することができ、約１／３の検査時間でＫＧＤを完了することができた。

さらに、従来品では、貫通孔のスルホールを避けて検査パッドを配置するレイアウトをとらなければならず、回路配線および検査ボードの高密度化は限界に達していたが、回路基板１においては、スルホールの貫通孔の部分も検査パッドとすることが可能になったため、従来品と比較して約１．５倍の高密度化が可能になり、検査ボードの面積も２／３まで縮小することができた。

また、回路基板１においては、スルホールが金属により完全に充填されているため、図７に示すように、回路基板１の裏面を液体窒素などの冷媒に接触させることが可能となり、半導体チップ１２からの発熱を効果的に放熱する構成をとることが可能になった。これは、高速動作を行うＣＰＵを所定の動作クロック以上の環境で検査するとき発生する熱を効果的に低減することができることから、その効果は極めて高いものと考えられる。このとき、冷媒は液体窒素に限定されるものではなく、冷却用純水などを用いることも可能であり、いずれにしても冷却効果は著しく向上した。また、回路基板１においては、スルホールの形状が鼓型となっているため、貫通孔に充填した金属が圧力に対して耐性を有しているためである。なお、このとき、気密性は−７６ｍｍＨｇまで可能であった。

以上から明らかなように、回路基板１は、熱サイクルに対してもスルーホールにクラック等の損傷を生じず、優れた耐性を有する信頼性の高い構造であり、回路基板上の回路配線の密度を従来品と比較して著しく向上できるものであることが確認された。

（実施の形態３）はじめに、ウエハ径で５インチφ、厚み０．５ｍｍの感光性ガラス９を用意した（図１６（ａ））。 次いで、感光性ガラス９に対して、紫外線照射および熱処理を行った。紫外線照射は、水銀ランプによる露光装置を用い、ＣｅＯ₂ を含有した感光性ガラス９は３２０μｍ付近に最大感度を有しているため、この吸収波長領域で露光を行った。マスク６の材質としては石英ガラスを用いた。マスク６には１５０μｍピッチで４０μｍφのスルホールが形成できる長方形パターンが４８０ポイント×３２０ポイントで形成してある。この様に露光することで、感光性ガラス９の内部に潜像を形成した（図１６（ｂ））。さらに、熱処理により、感光した潜像部分を結晶化させ、酸に溶けやすくした。なお、熱処理は、炉内温度分布の良好な熱処理炉を使用して６００℃にて行った。このとき、結晶化させるときの前処理として、未露光部にも再度紫外線７を照射した（図１６（ｃ））。

次いで、結晶化した部分を酸で溶解して除去した。エッチングには、フッ酸の薄い溶液を使用した。なお、エッチング方法については種々の方法が考えられるが、エッチング速度および加工精度から、シャワー式のエッチング方法が最も良好な結果を示した。また、フッ酸濃度としては、４％〜５％の範囲が最もエッチングに適していた。以上のように操作することで、感光性ガラス９に４０μｍφの貫通孔２を形成した（図１６（ｄ））。ここで、感光性ガラス９の表面には、図１９（ａ）に示したように、フッ酸によるミクロな腐食による凹凸４７が発生しており、すりガラス状態になっていた。

次いで、貫通孔２の内部に絶縁材４８を充填した（図１７（ｅ））。絶縁材４８は、透過性を有していれば特に限定されるものではないが、研磨精度を向上させるため、熱硬化性とともに溶解性を向上させる光反応性を有するものであることが好ましい。このため、本実施の形態では、絶縁材４８として、ポジ型レジストであるＯＦＰＲ−８００（東京応化社製）を用いた。

また、絶縁材４８の貫通孔２への充填は、貫通孔２のアスペクト比が高いため毛細管現象により実施した。具体的には、図２０に示したように、ポジ型レジストＯＦＰＲ−８００の溶液４９中に感光性ガラス９の裏面を接触させる様に配置して感光性ガラス９の表面まで溶液４９を上昇させる。したがって、溶液４９の粘度は低粘度であることがより好ましい。本実施例では、２０ｃｐ〜５０ｃｐの粘度を有する溶液４９を用いたが、いずれの場合でも貫通孔２への絶縁材４８の充填は良好に行われた。このとき、感光性ガラス９の表面に付着する溶液４９は、特に除去しないでそのまま研磨工程において除去するようにした。また、貫通孔２に充填されている溶液４９を硬化させるため、オーブンにて、９０℃で３０ｍｉｎにわたりベークした。

次いで、図１９（ａ）に示したように、不透明となっている感光性ガラス９を研磨して透明にした。感光性ガラス９の研磨は、液体研磨剤を使用する湿式研磨法または液体研磨剤を使用しない乾式研磨法のうち少なくとも１つの研磨法を適用して実施することが好ましい。本実施の形態では、例えば、湿式研磨法および乾式研磨法の２つの方法を用いて研磨した。なお、液体研磨剤としては、１μｍ〜３μｍ以上の粒径を有する酸化セリウム、酸化アルミニウムおよびダイヤモンド等を含有した研磨剤を用いることができ、これらの研磨剤を、例えば、ナイロンで編んであるバフクロス上に塗布して、図２１に示したように研磨した。こうして、感光性ガラス９の表面の凹凸は２μｍ〜３μｍ程度にまで平坦化できた。

さらに、液体研磨剤が塗布してある研磨盤５１を、例えば１μｍ〜２μｍのダイヤモンドが一様に配置してある研磨盤に交換して乾式研磨した。これにより、感光性ガラス９の表面の凹凸は１μｍ〜２μｍ程度にまで平坦化でき、極めて透過性の高い感光性ガラスを得ることができた。

次いで、スルホールとなる部分に貫通孔２が形成されているか否かを光学的に検査した（図１７（ｆ））。このときの検査は、感光性ガラス９と絶縁材４８との検査光に対する吸収率差を検出する方法で行った。

ここで、感光性ガラス９および絶縁材４８の光学特性を、各々図２２および図２３に示す。図２２および図２３から明らかなように、感光性ガラス９は、波長２５０ｎｍ付近では透過率０％に対して、波長３５０ｎｍ付近では約１００％の透過率を示す。一方、絶縁材４８では、波長２５０ｎｍ付近で、透過率が上昇する小さなピークを示すが、概ね透過率は０％に近く、波長２７０ｎｍ以上で透過率が大きく上昇する傾向を示す。ところが、図２３から明らかなように、絶縁材４８の透過率は３５０ｎｍ付近で５０％程度であり、５００ｎｍ以上でも最大の９０％を示すのみである。

したがって、波長３５０ｎｍ以上の検査光を、波長を段階的に変化させながら感光性ガラス９に全面にわたり照射することにより、貫通孔２において、絶縁材４８が充填されている部分のみ透過率が減少するので、貫通孔２が形成されているか否かを確実に検出できるものである。そして、感光性ガラス９に対して、４００ｎｍの波長を有する検査光を照射した結果、感光性ガラス９の部分では１００％の透過率を示したのに対して、絶縁材４８の部分では５０％程度の透過率を示した。さらに、これらの透過率を吸収率に変換した後、これらの吸収率の差を第２データとし、該第２のデータと、予め貫通孔２の形成されるべき位置として取得していた第１データとを比較したところ、第１データおよび第２データは完全な一致を示し、貫通孔２が高精度に形成されていることが確認された。

また、貫通孔２が形成された位置を予めメタルマスクで覆い、貫通孔が形成されていない感光性ガラス９を比較サンプルとして、上記と同様の方法で検査した結果、図２４に示すように、貫通孔の欠陥部分５４が１００％の精度で検出され、検査方法の妥当性が確認された。

次いで、感光性ガラス９を絶縁材４８（OFPR-800）の現像液であるＮＭＤ−３（東京応化社製）に浸漬して貫通孔２より除去した（図１７（ｇ））。このとき、絶縁材４８には紫外線が照射されているため、通常の露光部分と同様に、現像液に対して容易に溶解するものである。なお、キシレンやエチルセロソルブアセテート等の残留溶媒に起因して貫通孔２の壁面に多少残る絶縁材は、はくり−１０（東京応化社製）やアセトン等を用いて完全に除去することが可能である。

なお、貫通孔２は、感光性ガラス９の両面からエッチングにより形成されるため、感光性ガラス９の中央部では、感光性ガラス９の表面の４０μｍφよりも狭い３０μｍφとなっていた。このとき、感光性ガラス９の加工精度は孔公差±０．０１％、平面度０．００３％であった。

次いで、貫通孔２が形成された感光性ガラス９に第１の金属３を形成した（図１７（ｈ））。ここで、第１の金属３としては、ガラス材料と密着性の高いパラジウム、銀、金および白金から選択される金属またはこれらの合金であれば特に限定されるものではないが、本実施の形態においては銀とした。

銀を感光性ガラス９上に析出させるためには、表面の濡れ性を向上させる、例えば、非アニオン系の洗剤に予め浸漬された感光性ガラス９を、硝酸銀溶液の中に浸漬した後、ホルムアルデヒドを添加することにより、貫通孔２の壁面を含めた感光性ガラス９の全体に銀を析出させた。この現象は、銀鏡反応として公知のものであり、溶解度の低い塩化銀の析出を防止するため塩素は含有されてはならない。この方法により、貫通孔２を含めた感光性ガラス９の表面全体に、銀を２μｍ〜３μｍ析出させた。次いで、ガラス基板の主面および裏面を、１μｍ〜２μｍの研磨剤による乾式研磨法または１μｍ〜２μｍの布で編んである乾布によるラビング法により研磨して、貫通孔２の壁面を除いて銀を機械的に除去した（図１７（ｉ））。このとき、銀が貫通孔２の内部に入り込んだとしても、後工程の無電解めっきの核として機能するため何ら問題はない。以上のようにして、感光性ガラス９の貫通孔２の壁面のみ選択的に銀を形成することができたが、銀の密着強度を向上させるため、銀鏡反応／ラビング法による銀析出を少なくとも３回繰り返して行い、銀の密着強度を向上させると共に銀の析出膜厚を厚くすることも可能である。なお、この銀析出反応を繰り返した場合には、各ステップごとに、銀鏡反応／ラビング処理を行う前工程において、例えば、感光性ガラス９を非アニオン系溶液に浸漬することも可能である。非アニオン系溶液による処理を行うことで、感光性ガラス９への銀の析出は著しく向上する。また、尚、この前処理に用いる溶液は、非アニオン系洗剤に限定されるものではなく、ガラス基板と銀溶液との濡れ性を向上させるものであれば何ら問題はない。

次いで、貫通孔２の壁面のみに、選択的に第１の金属３として銀が形成された感光性ガラス９に第２の金属４を形成した。第２の金属４としては、第１の金属３である銀と密着性の高いニッケル、銅、クロム、鉄、錫および鉛から選択される金属またはこれらの合金であれば特に限定されるものではないが、本実施の形態においてはニッケルとした。

第２の金属４であるニッケルを、第１の金属３の析出被膜の上に析出させて貫通孔２を充填するには、貫通孔２の壁面にのみ銀が析出されている感光性ガラス９を、例えば、上記の「組成１」で構成される無電解ニッケルめっき液に５〜６時間浸漬させ、８５℃〜９０℃でニッケルを感光性ガラス９の表面に３〜５μｍ程度突出するまで析出させる。特に、組成１からなるめっき液では、還元剤として作用する次亜リン酸ナトリウムのため、リンが５ｗｔ％〜１０ｗｔ％含有された、均一性、耐蝕性および耐摩耗性に優れたニッケル被膜を貫通孔２に対し充填することができる。また、無電解ニッケルめっき液として、上記「組成２」で構成される溶液を準備し、該溶液に感光性ガラス９を５〜６時間浸漬させ、６０℃〜７０℃にてニッケルめっきを行うことも可能である。組成２から構成されるめっき液では、還元剤として作用するジメチルアミノボランからボロンが１ｗｔ％程度含有されたニッケル被膜が析出するため、導電性の高いニッケルを貫通孔２に充填することができる。なお、ニッケルを貫通孔２に関前に充填するため、該ニッケルを感光性ガラス９の表面に１μｍ程度突出するまで析出させるとよい。

無電解めっきを行うためのめっき装置は特に限定されるものではないが、アスペクト比の高い貫通孔２の内部におけるめっき液の交換を容易にするため、めっき液の攪拌、感光性ガラス９の揺動、２．０Ｐａ程度の超音波印加を行いながら無電解めっきする機構を備えためっき装置を用いることが望ましい。また、実施の形態２において示した回路基板の製造装置を適用することも可能である。このようなめっき装置を適用することで、貫通孔２の内部に対するニッケルの充填効果が向上する。さらに、感光性ガラス９とめっき装置との位置関係も特に限定されるものではないが、めっき装置に対して感光性ガラス９を縦置きにすると、１回当たりの処理枚数を増加させることができる。なお、この場合、実施の形態２に示した回路基板の製造装置を適用した場合には、第１、第２、……第ｎ領域というようにめっき液が分割されるように感光性ガラスを配置する。

次いで、貫通孔２より突出した第２の金属（ニッケル膜）を、感光性ガラス９の面と同一平面を構成するように機械的に研磨した（図１８（ｊ））。研磨は、貫通孔２より突出した第２の金属（ニッケル膜）を、感光性ガラス９の面と同一平面を構成するように、マクロ研磨により感光性ガラス９の面から突出する量が±２μｍ程度になるまで均一化した後、ミクロ研磨により研磨した。なお、ミクロ研磨を行ったときの凹凸の公差は、回路基板面に形成する回路配線の接触抵抗上、±０．５μｍ以下の精度に保つことが好ましい。

ここで、マクロ研磨は、例えば、２μｍ〜３μｍ程度の粒径を有する酸化セリウム、または＃２０００程度の耐水研磨紙を用い、ミクロ研磨は、０．３μｍ程度の粒径を有する酸化セリウム、酸化アルミナまたはダイヤモンドを用いて行うことが好ましい。このとき、液体状の研磨ペーストを研磨剤とする湿式研磨法を用いると、感光性ガラス９、第１の金属３および第２の金属４の間に、研磨速度差が発生するため、ミクロ研磨には、ダイヤモンド等が埋め込まれたデイスク盤を用いて研磨する乾式研磨を適用することが好ましい。

以上のように、貫通孔２に第１の金属３および第２の金属４が完全充填された感光性ガラス９を得ることができた。

次いで、貫通孔２に金属が充填されていることを光学的に検査した（図１８（ｋ））。このときの検査方法は、感光性ガラス９と貫通孔２に充填した金属における、検査光の吸収率差を検出するものである。なお、感光性ガラス９の光学特性は上述した通りである。ここで、感光性ガラス９に４００ｎｍの波長を有する検査光を照射した結果、感光性ガラスにおいては約１００％の透過率を示したのに対し、充填された金属部においては検査光は遮断され０％の透過率であった。

これらの結果をもとに、貫通孔２を充填した金属および感光性ガラス９の検査光に対する吸収率差とその位置とを第３データとし、上記第１および第２データと比較したところ、第３データは第１データおよび第２データと完全な一致を示し、金属充填されたスルホールが高精度に形成されていることが確認された。

また、比較のために、スルホールとなるべき貫通孔のうち、任意の１０個を予め絶縁材で覆い、一部に金属が充填されていない感光性ガラスをサンプルとして、上記方法により検査した結果、図２５に示すように、貫通孔の欠陥５７が１００％の精度で検出され検査方法の妥当性が確認された。

以上のように、貫通孔２に第１の金属３および第２の金属４が完全充填された透過性の高い感光性ガラス９を得ることができた。

次いで、回路配線５を感光性ガラス９上に形成した（図１８（ｌ））。回路配線を構成する金属は特に限定されるものではないが、ここでは、実施の形態１と同様にして実施した。このとき、貫通孔２は金属により完全に充填されているため、従来品のように、スルホールの部分でランドを設ける必要がなく、従来品と比較して約１．５倍の密度で回路配線をレイアウトすることができた。なお、本実施の形態では、ＩＴＯ膜を回路配線を構成する金属として適用したが、回路配線を構成する金属として、例えば、ニッケル、クロム、銅および錫から選択される金属も用いることができ、その材質は特に限定されるものではない。

さらに、回路基板１を用いて、ＫＧＤ検査ボードを作製した。その結果、従来までの不透明なガラスエポキシ材料から構成される検査ボードを用いた場合と比較して、位置合せがガラス基板を通して行えたため、該位置合せを極めて容易に実施することができた。

具体的には、１０００個の半導体チップを検査するのに、従来は３時間要していた検査時間を１時間にまで短縮することができ、約１／３の検査時間でＫＧＤを完了することができた。

さらに、従来品では、貫通孔のスルホールを避けて検査パッドを配置するレイアウトをとらなければならず、回路配線および検査ボードの高密度化に限界があるとともに、スルーホールおよび回路配線が透過率の向上を妨げていたが、回路基板１においては、スルホールの貫通孔の部分も検査パッドとすることが可能になったため、従来品と比較して約１．５倍の高密度化が可能になり、検査ボードの面積も２／３まで縮小することができた。また、透過率も向上したため、検査効率も大幅に向上した。

次いで、回路基板１の接続信頼性を評価したところ以下の結果を得た。なお、感光性ガラス９に４０μｍφの貫通孔を４８０ポイント×３２０ポイント形成し、銀およびニッケルを用いて該貫通孔を充填した試料を比較のために準備した。また、評価は、上記実施の形態１と同様の基準で行った。

この結果、スルホールとなる貫通孔に金属を完全に充填せず、貫通孔の壁面のみにニッケル皮膜を形成した上記試料（従来品）では、１５００サイクルで接続不良が発生し、３０００サイクルにおいては接続不良が１００％に達した。また、スルホールとなる貫通孔に金属を完全に充填せず、貫通孔の壁面のみに銅皮膜を形成した場合でも、上記ニッケル皮膜を形成したときと同様に１５００サイクルで接続不良が発生し、３０００サイクルで１００％の不良率に達して、金属による相異はみられなかった。

ところが、本実施の形態により得られた回路基板１においては、３５００サイクルまで接続不良は発生せず、接続信頼性が極めて向上することが確認された。なお、この接続信頼性は、第１の金属にガラス材料と親和性の高いパラジウム、銀、金および白金から選択される金属またはこれらの金属合金、第１の金属上に配置する第２の金属として、ニッケル、銅、クロム、鉄、錫および鉛から選択される金属またはこれらの金属合金を用いた場合においても、金属または金属の組合わせに関わらず３５００サイクルまで接続不良は確認されなかった。

また、回路基板１におけるスルホールの接続不良は、上記従来品において確認されたスルホールの金属の剥離破壊とは全く異なるモードであり、接続不良の解析からも接続信頼性が極めて向上していることが確認された。これは、回路基板１においては、スルホールの構造が従来品とは異なり、金属で完全に充填されている構造をとっているため、応力による歪を充填された金属全体で緩和して貫通孔の壁面における金属に生じるクラックを防止し、また、スルホールの形状が鼓型を有して応力による歪を回路基板の面に向かって段階的に緩和しているためと考えられる。

また、回路基板１では、スルホールは金属により完全に充填されているため、接続抵抗は０．０５ｍΩであり、一方、上記従来品におけるスルホールでは同一組成のニッケル合金を用いた場合でも接続抵抗が０．５ｍΩであったことと比較すると、スルホールにおける接続抵抗は約１０倍低くなっていることが確認された。これは、スルホールの断面が従来品とは異なり、約２倍以上の面積をもって回路配線と接続されているためと考えられる。

また、回路基板１においては、スルホールが金属により完全に充填されているため、図７に示すように、回路基板１の裏面を液体窒素などの冷媒に接触させることが可能となり、半導体チップ１２からの発熱を効果的に放熱する構成をとることが可能になった。これは、高速動作を行うＣＰＵを所定の動作クロック以上の環境で検査するとき発生する熱を効果的に低減することができることから、その効果は極めて高いものと考えられる。このとき、冷媒は液体窒素に限定されるものではなく、冷却用純水などを用いることも可能であり、いずれにしても冷却効果は著しく向上した。

以上から明らかなように、回路基板１は、熱サイクルに対してもスルーホールにクラック等の損傷を生じず、優れた耐性を有する信頼性の高い構造であり、回路基板に構成された回路配線の密度および光の透過率を従来品と比較して著しく向上できるものであることが確認された。

なお、本発明は、上記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々に変更可能である。例えば、回路配線を構成する金属は、ＩＴＯに限定されるものではなく、ＮｉやＣｕ等を用いてもよく、更に、貫通孔の数や寸法も限定されるものではない。また、上記実施の形態では、感光性ガラスを用いているが、図１９（ｂ）に示したように、レーザ加工による穴開けで、ばり５９が発生する基板についても適応可能なもので、基板の材質や穴開け方法などは限定されるものではない。

回路基板の断面を示した図。 回路基板の断面を拡大して示した図。 回路基板の製造工程を示した図。 回路基板の製造工程を示した図。 回路配線を形成した回路基板を示した図。 サイクル数と不良率との関係を示した図。 半導体装置を搭載した回路基板を示した図。 回路基板の製造工程を示した図。 回路基板の製造工程を示した図。 回路基板の製造装置を示した図。 回路基板の製造装置の一部を拡大して示した図。 回路基板の製造方法における作用を示した図。 一般的なめっき装置を示した図。 一般的なめっき方法を示した図。 サイクル数と不良率との関係を示した図。 回路基板の製造工程を示した図。 回路基板の製造工程を示した図。 回路基板の製造工程を示した図。 貫通孔が形成された絶縁基板（感光性ガラス）の表面の状態を示した図。 貫通孔に溶液を充填する状態を示した図。 絶縁基板の研磨方法を示した図。 感光性ガラスにおける検査光の透過率を示した図。 絶縁材における検査光の透過率を示した図。 検査光による検査状況を示した図。 検査光による検査状況を示した図。 フリップチップ実装を説明した図。 ビルドアップ配線基板を示した図。 スルーホールを説明した図。

符号の説明

１……回路基板 ２……貫通孔 ３……第１の金属 ４……第２の金属
５……回路配線 ６……マスク ７……紫外線 ８……露光部分
９……感光性ガラス １０……ランド １１……スルホール
１２……半導体チップ １３……バンプ電極 １４……冷却器
１５……冷媒 １６……ソルダーレジスト １７……ボンディングパッド
１８……バリアメタル １９……スルホール
２０……ブラインドスルホール ２１……ビアホール
２２……多層配線絶縁層 ２３……スタッガードビア
２４……スタックトビア ２５……めっき液 ２６……めっき液槽
２７……流路配管 ２８……ポンプ ２９……循環装置
３０……流路制御装置 ３１……第1 の溶液領域
３２……第2 の溶液領域 ３３……圧力センサ ３４……圧力計
３５……保持機構 ３６……めっき液の流れ ３７……噴出装置
３８……吸入装置 ３９……基板 ４０……バンプ
４１……めっき液槽 ４２……アノード板
４３……アノードピン ４４……カソード板 ４５……カソードピン
４６……めっき液の流れ ４７……凹凸 ４８……絶縁材
４９……溶液 ５０……毛細管現象 ５１……研磨盤
５２……研磨バフ ５３……研磨剤 ５４……検査光
５５……第２データ ５６……第１データ ５７……欠陥
５８……第３データ ５９……ばり

Claims (3)

1. 絶縁基板を、該絶縁基板に対し貫通孔が形成されるよう処理する工程と、
   前記処理された絶縁基板を、前記貫通孔に少なくとも可視光を通過させる絶縁材が充填されるよう処理する工程と、
   前記絶縁基板を、前記絶縁材を有するべき領域が含まれるように研磨する工程と、
   前記研磨された絶縁基板に対し、前記貫通孔を有するべき面から光を照射して前記絶縁材が充填されているか否かを判定する工程と、
   前記貫通孔に前記絶縁材が充填されていると判定された場合、前記絶縁材を除去する工程と、
   前記絶縁材が除去された貫通孔に金属を充填する工程と
   を具備したことを特徴とする回路基板の製造方法。
2. 少なくとも可視光を通過させる絶縁基板を、該絶縁基板に対し貫通孔が形成されるよう処理する工程と、
   前記処理された絶縁基板を、前記貫通孔に少なくとも可視光を通過させる絶縁材が充填されるよう処理する工程と、
   前記処理された絶縁基板を、前記絶縁材を有するべき領域が含まれるように研磨する工程と、
   前記研磨された絶縁基板に対して光を照射し、前記絶縁基板に対し貫通孔が形成されるべき領域として予め取得された第１のデータと、前記光に対する前記絶縁基板および前記絶縁材前記の吸収率の差として予め取得された第２のデータとを比較して、前記絶縁材が充填されているか否かを判定する工程と、
   前記貫通孔に前記絶縁材が充填されていると判定された場合、前記絶縁基板を、前記貫通孔より前記絶縁材が除去されるように処理する工程と、
   前記処理された絶縁基板を、前記貫通孔に金属が充填されるように処理する工程と、
   前記処理された絶縁基板に対して前記光を照射し、前記第１のデータ、前記第２のデータ、および前記光に対する前記絶縁基板と前記金属との吸収率の差と該吸収率の差が生じる位置を備え、予め取得された第３のデータとを比較して、前記金属が充填されているか否かを判定する工程と
   を具備したことを特徴とする回路基板の製造方法。
3. 貫通孔に少なくとも可視光を通過させる絶縁材が充填されるように処理された絶縁基板に対し光を照射する工程と、
   前記絶縁基板に対する前記光の吸収率の差に基づいて、前記貫通孔に樹脂が充填されているか否かを判定する工程と
   を具備したことを特徴とする回路基板の検査方法。

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