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JP2007521635A - 半導体デバイスの製造 - Google Patents

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JP2007521635A JP2005509088A JP2005509088A JP2007521635A JP 2007521635 A JP2007521635 A JP 2007521635A JP 2005509088 A JP2005509088 A JP 2005509088A JP 2005509088 A JP2005509088 A JP 2005509088A JP 2007521635 A JP2007521635 A JP 2007521635A
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Abstract

基板上に半導体デバイスを製造する方法であり、半導体デバイスは、ウェーハを有する。本発明による方法は、（ａ）熱伝導性の金属からなる種層をウェーハに付加するステップと、（ｂ）熱伝導性の金属からなる比較的に厚い層を種層上に電気メッキするステップと、（ｃ）基板を除去するステップとを含む。また、それに対応する半導体デバイスが開示される。
【選択図】 図８

Description

発明の分野
本発明は、半導体デバイスの製造に関し、限定はしないが、とりわけ、半導体デバイス上にヒートシンクをメッキすることに関する。
発明の背景
半導体デバイスが、発達するにつれて、それらの動作速度は、大きく増加し、外形寸法は、減少した。これは、半導体デバイスにおける発熱という大きな問題をもたらしている。このために、ヒートシンクが、半導体デバイスから熱を放散させるのを助けるのに使用されている。そのようなヒートシンクは、通常、半導体デバイスとは別個に製造され、そして、通常、封止する直前に半導体デバイスに接着される。
とりわけ、配線として使用するために、半導体デバイスを製造中にその半導体デバイスの表面に銅を電気メッキするための多くの提案が、なされてきた。
現在のほとんどの半導体デバイスは、シリコン（Ｓｉ）、ガリウムヒ素（ＧａＡｓ）、およびリン化インジウム（ＩｎＰ）に基づいた半導体材料から製造される。そのような電子デバイスおよび光電子デバイスと比較すれば、ＧａＮデバイスは、多くの利点を有する。ＧａＮが有する本質的な大きな利点が、表１にまとめられている。
Figure 2007521635
表１から、ＧａＮが、与えられた半導体の中で最も大きなバンドギャップ（３．４ｅＶ）を有することがわかる。そのために、ＧａＮは、ワイドバンドギャップ半導体と呼ばれる。その結果として、ＧａＮから製造された電子デバイスは、ＳｉおよびＧａＡｓおよびＩｎＰデバイスよりもきわめて大きな電力で動作する。
半導体レーザの場合、ＧａＮレーザは、比較的に短い波長を有する。そのようなレーザが、光データ記憶装置に使用されるならば、より短い波長は、より大きな容量をもたらす。ＧａＡｓレーザは、約６７０ＭＢ／ディスクの容量を備えるＣＤ−ＲＯＭの製造に使用される。ＡｌＧａＩｎＰレーザ（同様に、ＧａＡｓに基づいた）は、約４．７ＧＢ／ディスクの容量を備える最新のＤＶＤプレイヤーに使用される。次世代ＤＶＤプレイヤーにおけるＧａＮレーザは、２６ＧＢ／ディスクの容量を有するかもしれない。
ＧａＮデバイスは、ＧａＮウェーハから製造され、そのＧａＮウェーハは、典型的には、サファイア基板上に堆積された複数のＧａＮ関連エピタキシャル層である。サファイア基板は、通常、直径が２インチであり、エピタキシャル層のための成長テンプレートの役割をなす。ＧａＮ関連材料（エピタキシャル膜）とサファイアとの格子不整合のために、欠陥が、エピタキシャル層内に生成される。そのような欠陥は、ＧａＮレーザおよびＧａＮトランジスタに深刻な問題を発生させ、そして、それほどではないにせよ、ＧａＮＬＥＤにも問題を発生させる。
エピタキシャルウェーハを成長させる２つの主たる方法が、存在し、分子線エピタキシャル成長法（ＭＢＥ）、および有機金属気相成長法（ＭＯＣＶＤ）である。これらの両方は、広く使用されている。
一般的な製造プロセスは、通常、フォトリソグラフィー、エッチング、誘電体膜の堆積、メタライゼーション、ボンディングパッドの形成、ウェーハの検査／試験、ウェーハ薄型化、ウェーハダイシング、パッケージへのチップボンディング、ワイヤボンディング、および信頼性試験からなる主たるステップを含む。
ＬＥＤを製造するプロセスが、ウェーハの全体的な規模で完了すると、ウェーハを個々のＬＥＤチップまたはダイスに分割しなければならない。サファイア基板上で成長させたＧａＮウェーハの場合、サファイアはきわめて硬いので、この「ダイシング」処理は、大きな問題である。サファイアは、最初に、約４００ミクロンから約１００ミクロンまでの範囲に均一に薄型化されなければならない。そして、薄型化されたウェーハは、ダイヤモンドスクライバーによってダイシングされ、ダイヤモンドソーによって切断され、あるいは、レーザで溝を刻まれた後にダイヤモンドスクライバーによってスクライブされる。このようなプロセスは、スループットを制限し、歩留まりの問題を発生させ、かつ、高価なダイヤモンドスクライバー／ソーを浪費する。
サファイア基板上で成長させた良く知られているＬＥＤチップは、チップの上面に２つのワイヤボンディングを必要とする。これは、サファイアが電気的絶縁体であり１００ミクロンの厚さを介しての電流伝導が不可能なために、必要なものである。それぞれのワイヤボンディングパッドは、ウェーハ面積の約１０〜１５％を占めるので、第２のワイヤボンディングは、導電性の基板上で成長させた単一ワイヤボンディングＬＥＤと比較すれば、ウェーハ１枚当たりのチップ数を約１０〜１５％だけ減少させる。ほぼすべての非ＧａＮＬＥＤは、導電性の基板上において成長させられ、１つのワイヤボンディングを使用する。パッケージング会社にとって、２ワイヤボンディングは、パッケージング歩留まりを減少させ、１ワイヤボンディングプロセスの変更を必要とし、チップの有効面積を減少させ、ワイヤボンディングプロセスを複雑化し、そのために、パッケージング歩留まりを低下させる。
サファイアは、良好な熱導体ではない。例えば、３００Ｋ（室温）におけるそれの熱伝導率は、４０Ｗ／Ｋｍである。これは、３８０Ｗ／Ｋｍである銅の熱伝導率よりもきわめて小さい。ＬＥＤチップが、サファイア界面においてそれのパッケージにボンディングされる場合、デバイスの能動領域において生成する熱は、３〜４ミクロンのＧａＮおよび１００ミクロンのサファイアを通って流れ、パッケージ／ヒートシンクまで到達しなければならない。その結果として、チップは、熱くなり、性能および信頼性の両方に悪影響を及ぼす。
サファイア上に形成されたＧａＮＬＥＤの場合、光が生成される能動領域は、サファイア基板からの距離が約３〜４ミクロンである。
発明の概要
本発明の好ましい形態によれば、デバイス層を備えるウェーハを有する半導体デバイスを基板上に製造する方法が、提供され、この方法は、
（ａ）基板の反対側にありかつデバイス層に近いウェーハの表面上に熱伝導性の材料からなる層を電気メッキするステップと、
（ｂ）基板を除去するステップと、
を含む。
半導体デバイスは、シリコンベースデバイスであってもよい。
別の形態によれば、能動層を備えるウェーハを有する発光デバイスを基板上に製造する方法が、提供され、この方法は、
（ａ）基板の反対側にありかつ能動層に近いウェーハの表面上に熱伝導性の材料からなる層を電気メッキするステップと、
（ｂ）基板を除去するステップと、
を含む。
いずれの形態においても、熱伝導性の層は、ヒートシンクとして存在してもよく、３ミクロンから３００ミクロンまでの範囲にある厚さを有してもよく、好ましくは、５０ミクロンから２００ミクロンまでの範囲にある厚さを有してもよい。
さらなる形態においては、本発明は、ウェーハを有する半導体デバイスを基板上に製造する方法を提供し、この方法は、
（ａ）熱伝導性の金属からなる種層を基板の反対側にあるウェーハの第１の表面に付加するステップと、
（ｂ）熱伝導性の金属からなる比較的に厚い層を種層上に電気メッキするステップと、
（ｃ）基板を除去するステップと、
を含む。
種層が付加される前に、ウェーハは、接着層によってコーティングされてもよい。比較的に厚い層を電気メッキする前に、種層は、フォトレジストパターンによって、パターンを形成されてもよく、比較的に厚い層は、フォトレジスト間において電気メッキされる。
種層は、パターンを形成されることなく電気メッキされ、その後に、パターンの形成が実行されてもよい。パターンの形成は、フォトレジストパターン形成およびその後のウェットエッチングによるものであってもよい。あるいは、パターンの形成は、比較的に厚い層のレーザビームマイクロマシニングによるものであってもよい。
接着性を改善するために、ステップ（ｂ）とステップ（ｃ）との間において、ウェーハをアニーリングする付加的なステップが実行されてもよい。
好ましくは、フォトレジストは、少なくとも１５ミクロンから５００ミクロンまでの高さを有し、より好ましくは、５０ミクロンから２００ミクロンまでの高さを有し、また、３ミクロンから５００ミクロンの範囲にある厚さを有する。より好ましくは、フォトレジストは、２００ミクロンから２，０００ミクロンまでの範囲にある間隔を有し、好ましくは、３００ミクロンの間隔を有する。
比較的に厚い層は、フォトレジストの高さよりも大きくない高さを有してもよい。あるいは、熱伝導性の金属からなる層は、フォトレジストよりも大きな高さにまで電気メッキされ、その後に、薄型化されてもよい。薄型化は、ポリシングまたはウェットエッチングによるものであってもよい。
ステップ（ｃ）の後に、第２のオーミック接触層を比較的に厚い層の反対側にあるウェーハの第２の表面上に形成する付加的なステップを含んでもよい。その接触層は、第２のオーミック接触層であってもよい。第２のオーミック接触層は、不透明、透明、および半透明のいずれかであってもよく、また、何も加工がなされていないか、またはパターンが形成されているかのいずれかであってもよい。オーミック接触層の形成およびその後のプロセスステップが実行されてもよい。その後のプロセスステップは、ワイヤボンディングパッドを堆積することを含んでもよい。第２のオーミック接触層が、第２の表面上に堆積される前に、ウェーハ層の露出した第２の表面が、洗浄され、かつ、エッチングされてもよい。第２のオーミック接触層は、ウェーハの第２の表面の領域全体を被覆しなくてもよい。
半導体デバイスは、ウェーハ上で試験されてもよく、その後に、ウェーハは、個々のデバイスに分離されてもよい。
半導体デバイスは、ラッピング、ポリシング、およびダイシングの中の１つ以上を伴うことなく製造されてもよい。
ウェーハは、エピタキシャル層を含んでもよく、また、基板の反対側にあるエピタキシャル層上に第１のオーミック接触層を含んでもよい。第１のオーミック接触層は、エピタキシャル層のｐ型層上に存在してもよく、第２のオーミック接触層は、エピタキシャル層のｎ型層上に形成されてもよい。
ステップ（ｃ）の後に、誘電体膜が、エピタキシャル層上に堆積されてもよい。そして、孔が、誘電体膜に空けられ、第２のオーミック接触層およびボンディングパッドが、エピタキシャル層上に堆積されてもよい。あるいは、ステップ（ｃ）の後に、熱伝導性の金属（または、その他の材料）をエピタキシャル層上に電気メッキすることが実行されてもよい。
本発明は、また、上述した方法によって製造される半導体デバイスに関する。また、本発明は、好ましい態様において、上述した方法によって製造される発光ダイオードまたはレーザダイオードを提供する。
さらなる態様において、本発明は、エピタキシャル層、エピタキシャル層の第１の表面上に存在する第１のオーミック接触層、第１のオーミック接触層上に存在する熱伝導性の金属からなる比較的に厚い層、およびエピタキシャル層の第２の表面上に存在する第２のオーミック接触層を備える半導体デバイスを提供し、その比較的に厚い層は、電気メッキによって付加される。
第１のオーミック接触層と比較的に厚い層との間に、接着層が、第１のオーミック接触層上に存在してもよい。
比較的に厚い層は、少なくとも５０マイクロメーターの厚さを有してもよく、第２のオーミック接触層は、３ナノメーターから５００ナノメーターまでの範囲にある薄い層であってもよい。第２のオーミック接触層は、透明、半透明、または、不透明であってもよく、また、ボンディングパッドを含んでもよい。
本発明のすべての形態において、熱伝導性の金属は、銅であってもよい。
熱伝導性の金属からなる種層が、接着層に付加されてもよい。
半導体デバイスは、発光ダイオード、レーザダイオード、およびトランジスタデバイスのいずれかであってもよい。
さらに別の形態においては、エピタキシャル層、エピタキシャル層の第１の表面上に存在する第１のオーミック接触層、第１のオーミック接触層上に存在する接着層、および接着層上に存在する熱伝導性の金属からなる種層を備える半導体デバイスが、提供される。
熱伝導性の金属からなる比較的に厚い層を種層上にさらに含んでもよい。
第２のオーミック接触層が、エピタキシャル層の第２の表面上に提供されてもよく、その第２のオーミック接触層は、３ナノメーターから５００ナノメーターまでの範囲にある薄い層である。第２のオーミック接触層は、ボンディングパッドを備えてもよく、また、不透明、透明、および半透明のいずれかであってもよい。
熱伝導性の金属は、銅からなり、そして、エピタキシャル層は、ＧａＮ関連層からなってもよい。
半導体デバイスは、発光デバイスであってもよい。
最後から２番目の形態においては、本発明は、半導体デバイスを製造する方法を提供し、この方法は、
（ａ）複数のＧａＮ関連エピタキシャル層を備えるウェーハを備える基板上において、第１のオーミック接触層をウェーハの第１の表面上に形成するステップと、
（ｂ）ウェーハから基板を除去するステップと、
（ｃ）第２のオーミック接触層をウェーハの第２の表面上に形成するステップであり、第２のオーミック接触層は、その上に形成されたボンディングパッドを有する、前記第２のオーミック接触層を形成するステップと、
を含む。
第２のオーミック接触層は、発光のためのものであってもよく、不透明、透明、または、半透明であってもよい。第２のオーミック接触層は、何も加工がなされていないか、またはパターンが形成されているかのいずれかであってもよい。
最後の形態においては、本発明は、上述した方法によって製造された半導体デバイスを提供する。
半導体デバイスは、発光ダイオードまたはレーザダイオードであってもよい。
本発明をより良く理解できるように、また、容易に実施できるように、ここで、添付の図面（正確な縮尺率ではない）を参照して、限定するものではない単なる例として本発明の好ましい実施形態を説明する。
好ましい実施形態の詳細説明
以下の説明において、括弧で囲まれた参照番号は、図８のプロセスステップを意味する。
図１を参照すると、プロセスの第１のステップ、すなわち、ウェーハ１０のｐ型表面上にメタライゼーションするステップが示される。
ウェーハ１０は、基板１２とその上の複数のエピタキシャル層１４の積層体とを備えるエピタキシャルウェーハである。基板１２は、例えば、サファイア、ＧａＡｓ、ＩｎＰ、Ｓｉ、などであってもよい。以下においては、サファイア基板１２上に１つ以上のＧａＮ層１４を有するＧａＮサンプルが、例として使用される。エピタキシャル層１４（しばしば、エピ層と呼ばれる）は、複数の層が積層されたものであり、下方部分１６（これは、最初に、基板上に成長させられる）は、通常、ｎ型層であり、上方部分１８は、多くの場合、ｐ型層である。
ＧａＮ層１４上には、複数の金属層を有するオーミック接触層２０が、存在する。オーミック接触層２０には、接着層２２、および例えば銅のような熱伝導性の金属からなる薄い銅種層２４（図２）が、付加される（ステップ８８）。熱伝導性の金属は、好ましくは、導電性のあるものでもある。積層された接着層は、形成された後、アニーリングされてもよい。
オーミック接触層２０は、半導体表面に堆積されかつアニーリングされた複数の層が積層されたものであってもよい。それは、元々のウェーハの一部分でなくてもよい。ＧａＮ、ＧａＡ、およびＩｎＰデバイスの場合、エピタキシャルウェーハは、多くの場合、ｎ型半導体とｐ型半導体との間にサンドイッチ状に挟まれた能動領域を含む。ほとんどの場合、最上層は、ｐ型である。シリコンデバイスの場合、エピタキシャル層が、使用されるのではなく、ウェーハそのものが、使用されてもよい。
図３に示されるように、一般的なフォトリソグラフィーを用いて（８９）、薄い銅種層２４は、比較的に厚いフォトレジスト２６によって、パターンを形成される。好ましくは、フォトレジストパターン２６は、３〜５００マイクロメーターの範囲にある高さ、好ましくは、１５〜５００マイクロメーターの範囲にある高さを有し、また、約３〜５００マイクロメーターの厚さを備える。好ましくは、それらのフォトレジストパターン２６は、最終的なチップの設計に応じて、２００〜２，０００ミクロンの範囲にある間隔、好ましくは、３００ミクロンの間隔によって、お互いから分離される。実際のパターンは、デバイス設計に依存する。
そして、銅からなるパターン形成層２８が、層２４上においてフォトレジスト２６間に電気メッキされ（９０）、基板の一部分を構成するヒートシンクを形成する。好ましくは、銅層２８は、フォトレジスト２６の高さよりも大きくない高さを有し、したがって、フォトレジスト２６と同じかまたはそれよりも小さい高さを有する。しかしながら、銅層２８は、フォトレジスト２６の高さよりも大きな高さを有してもよい。そのような場合には、銅層２８は、その後に、フォトレジスト２８の高さよりも大きくない高さとなるように薄型化されてもよい。薄型化は、ポリシングまたはウェットエッチングによるものであってもよい。フォトレジスト２６は、銅メッキの後に、除去されてもよく、あるいは、除去されなくてもよい。除去は、例えば、レジストストリッパー溶液内の樹脂のような一般的なかつ良く知られている方法によるものであってもよく、あるいは、プラズマエッチングによるものであってもよい。
デバイス設計に応じて、その後に、エピタキシャル層１４の処理が、例えば、洗浄（８０）、リソグラフィー（８１）、エッチング（８２）、デバイスアイソレーション（８３）、パッシベーション（８４）、メタライゼーション（８５）、熱処理（８６）、などのような一般的なプロセス技術を用いてなされる（図４）。そして、ウェーハ１０は、接着性を改善するために、アニーリングされる（８７）。
エピタキシャル層１４は、通常、元々の基板１２上に存在するｎ型層１６、および元々の上面１８上に存在するｐ型層からなり、そのｐ型層は、この時点において、オーミック層２０、接着層２２、および銅種層２４、そして、電気メッキされた厚い銅層２８によって被覆されている。
そして、図５において、元々の基板層１２が、例えば、Ｋｅｌｌｙの方法（Ｍ．Ｋ．Ｋｅｌｌｙ，Ｏ．Ａｍｂａｃｈｅｒ，Ｒ．Ｄｉｍｉｔｒｏｖ，Ｒ．Ｈａｎｄｓｃｈｕｈ，ａｎｄ Ｍ．Ｓｔｕｔｚｍａｎｎ，ｐｈｙｓ．ｓｔａｔ．ｓｏｌ．（ａ）１５９，Ｒ３（１９９７））を用いて、除去される（９１）。また、基板は、ポリシングまたはウェットエッチングによって除去されてもよい。
図６は、最後から２番目のステップであり、とりわけ、発光ダイオードに関連するものであり、透明なオーミック接触層３０が、発光のためのエピタキシャル層１４の下に付加される。また、ボンディングパッド３２が、付加される。オーミック接触層３０は、好ましくは、透明かまたは半透明である。より好ましくは、オーミック接触層３０は、３〜５０ｎｍの範囲にある厚さを有してもよい。
オーミック接触層３０を付加する前に、良く知られている予備プロセスが実行されてもよい。これらは、例えば、フォトリソグラフィー（９２、９３）、ドライエッチング（９４、９５）、およびフォトリソグラフィー（９６）であってもよい。
オーミック接触層３０の堆積の後に、アニーリング（９８）が実行されてもよい。
そして、チップ／ダイは、良く知られている標準的な方法によって試験される（９９）。そして、チップ／ダイは、基板をラッピング／ポリシングすることなく、かつ、ダイシングすることなく、個々のデバイス／チップ１および２に分離されてもよい（１００）（図７）。その後に、パッケージングが、標準的な良く知られている方法によってなされる。
好ましくは、エピタキシャル層１４の上面は、能動領域からの距離が約０．１〜２．０ミクロンの範囲にあり、好ましくは、約０．３ミクロンである。シリコンベース半導体の場合、好ましくは、半導体の上面は、デバイス層からの距離が０．１〜２．０ミクロンの範囲にあり、好ましくは、約０．３ミクロンである。この構造における能動層／デバイス層は、比較的に厚い銅パッド２８に近いので、熱除去の速度が、改善される。
それに加えて、あるいは、それの代わりに、比較的に厚い層２８が、チップを機械的に支持するのに使用されてもよい。さらに、それは、能動領域／デバイス層から熱を除去する経路を提供するのに使用されてもよく、また、電気的な接続のために使用されてもよい。
メッキするステップは、ウェーハレベルで実行されてもよく（すなわち、ダイシング処理の前に）、また、一度にいくつかのウェーハに実行されてもよい。
ＧａＮレーザダイオードの製造は、ＧａＮＬＥＤの製造に類似するが、より多くのステップを必要とするかもしれない。１つの相違点は、ＧａＮレーザダイオードは製造中に鏡面形成を必要とすることである。サファイアを基板として使用する場合、サファイアを基板として使用しない方法と比較すれば、鏡面形成は、きわめて難しいことであり、鏡面の品質は、一般的には、より劣悪なものとなる。
サファイアが、除去されると、レーザは、より良好な性能を有する。典型的なＧａＮレーザエピタキシャルウェーハ構造の例が、表２に示される。
Figure 2007521635
市販されている標準的なＧａＮＬＥＤの場合、半導体において生成される光の約５％が、放射される。非ＧａＮＬＥＤ（とりわけ、ＧａＮではなくＡｌＧａＩｎＰに基づいた赤色ＬＥＤ）におけるチップからより多くの光を取り出すために、様々な方法が、開発されてきた。
金属でありかつ比較的に平坦な第１のオーミック接触層２０は、きわめて光沢があり、そのために、光をよく反射する。そのために、第１のオーミック接触層２０は、それのエピタキシャル層１４との接合部において、反射面または鏡面でもあり、光出力を改善する。
銅について説明したが、導電性および／または熱伝導性があれば、あるいは、半導体デバイスを機械的に支持するならば、その他のどのようなメッキ可能な材料が、使用されてもよい。
本発明の好ましい形態が、上で説明されたが、この技術に精通する者には、設計、構造、または、処理における多くの変形または変更が本発明から逸脱することなく実施されてもよいことがわかる。
製造プロセスの第１のステージにおける半導体デバイスの概略図である。 製造プロセスの第２のステージにおける図１の半導体デバイスの概略図である。 製造プロセスの第３のステージにおける図１の半導体デバイスの概略図である。 製造プロセスの第４のステージにおける図１の半導体デバイスの概略図である。 製造プロセスの第５のステージにおける図１の半導体デバイスの概略図である。 製造プロセスの第６のステージにおける図１の半導体デバイスの概略図である。 製造プロセスの第７のステージにおける図１の半導体デバイスの概略図である。 プロセスのフローチャートである。

Claims (53)

  1. ウェーハを有する半導体デバイスを基板上に製造する方法であって、
    （ａ）熱伝導性の金属からなる種層をウェーハの第１の表面に付加するステップと、
    （ｂ）熱伝導性の金属からなる比較的に厚い層を種層上に電気メッキするステップと、
    （ｃ）基板を除去するステップと、
    を含む方法。
  2. 種層を付加する前に、第１の表面が、接着層によってコーティングされる、請求項１に記載の方法。
  3. 電気メッキするステップ（ｂ）の前に、種層が、フォトレジストパターンによって、パターンを形成される、請求項１または２に記載の方法。
  4. 比較的に厚い層の電気メッキが、フォトレジストパターン間においてなされる、請求項３に記載の方法。
  5. 接着性を改善するために、ステップ（ｂ）とステップ（ｃ）との間において、ウェーハをアニーリングする付加的なステップが実行される、請求項１〜４のいずれか一項に記載の方法。
  6. フォトレジストパターンが、１５〜５００マイクロメーターの範囲にある高さを有する、請求項３または４に記載の方法。
  7. フォトレジストパターンが、３〜５００マイクロメーターの範囲にある厚さを有する、請求項３に記載の方法。
  8. フォトレジストパターンが、２００〜２，０００ミクロンの範囲にある間隔を有する、請求項３、４、６および７のいずれか一項に記載の方法。
  9. 種層が、パターンを形成されることなく、ステップ（ｂ）において電気メッキされ、その後に、パターンの形成が実行される、請求項１〜８のいずれか一項に記載の方法。
  10. パターンの形成が、フォトレジストパターン形成およびその後のウェットエッチングによるものである、請求項９に記載の方法。
  11. パターンの形成が、比較的に厚い層のレーザビームマイクロマシニングによるものである、請求項９に記載の方法。
  12. 比較的に厚い層が、フォトレジストの高さよりも大きくない高さを有する、請求項３〜１１のいずれか一項に記載の方法。
  13. 熱伝導性の金属からなる比較的に厚い層が、フォトレジストよりも大きな高さにまで電気メッキされ、その後に、薄型化される、請求項３〜１１のいずれか一項に記載の方法。
  14. 薄型化が、ポリシングまたはウェットエッチングによるものである、請求項１３に記載の方法。
  15. ステップ（ｃ）の後に、第２のオーミック接触層をウェーハの第２の表面上に形成する付加的なステップを含み、第２のオーミック接触層が、不透明、透明、および半透明からなるグループの中から選択される、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
  16. 第２のオーミック接触層が、何も加工がなされていないか、またはパターンが形成されているかのいずれかである、請求項１５に記載の方法。
  17. ボンディングパッドが、第２のオーミック接触層上に形成される、請求項１５または１６に記載の方法。
  18. ステップ（ｃ）の後に、オーミック接触層の形成およびその後のプロセスステップが実行され、前記その後のプロセスステップが、ワイヤボンディングパッドを堆積する工程を含む、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
  19. オーミック接触層が、堆積される前に、露出した第２の表面が、洗浄され、かつ、エッチングされる、請求項１８に記載の方法。
  20. 第２のオーミック接触層が、第２の表面の領域全体を被覆しない、請求項１５〜１９のいずれか一項に記載の方法。
  21. 第２のオーミック接触層を形成した後に、ウェーハ上の半導体デバイスを試験することを含む、請求項１５〜２０のいずれか一項に記載の方法。
  22. ウェーハを個々のデバイスに分離するステップを含む、請求項１５〜２１のいずれか一項に記載の方法。
  23. 半導体デバイスが、ラッピング、ポリシング、およびダイシングからなるグループの中から選択される１つ以上を伴うことなく製造される、請求項１〜２２のいずれか一項に記載の方法。
  24. ウェーハが、エピタキシャル層を含み、また、基板の反対側にあるエピタキシャル層の第１の表面上に第１のオーミック接触層を含み、第１のオーミック接触層が、エピタキシャル層のｐ型層上に存在する、請求項１〜２３のいずれか一項に記載の方法。
  25. 第２のオーミック接触層が、エピタキシャル層のｎ型層上に形成される、請求項２２に記載の方法。
  26. ステップ（ｃ）の後に、誘電体膜が、エピタキシャル層上に堆積され、孔が、誘電体膜に空けられ、第２のオーミック接触層およびボンディングパッドが、エピタキシャル層上に堆積される、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
  27. ステップ（ｃ）の後に、熱伝導性の金属をエピタキシャル層上に電気メッキすることが実行される、請求項１〜１４のいずれか一項に記載の方法。
  28. 熱伝導性の金属が、銅からなり、エピタキシャル層が、複数のＧａＮ関連層からなる、請求項２４〜２７のいずれか一項に記載の方法。
  29. エピタキシャル層、エピタキシャル層の第１の表面上に存在する第１のオーミック接触層、第１のオーミック接触層上に存在する熱伝導性の金属からなる比較的に厚い層、およびエピタキシャル層の第２の表面上に存在する第２のオーミック接触層を備え、前記比較的に厚い層が、電気メッキによって付加された、半導体デバイス。
  30. 第１のオーミック接触層と比較的に厚い層との間に、接着層が、第１のオーミック接触層上に存在する、請求項２９に記載の半導体デバイス。
  31. 熱伝導性の金属からなる種層が、接着層に付加された、請求項３０に記載の半導体デバイス。
  32. 比較的に厚い層が、少なくとも５０マイクロメーターの厚さを有する、請求項２９〜３１のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
  33. 第２のオーミック接触層が、３ナノメーターから５００ナノメーターまでの範囲にある薄い層である、請求項２９〜３２のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
  34. 第２のオーミック接触層が、不透明、透明、および半透明からなるグループの中から選択される、請求項２９〜３３のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
  35. 第２のオーミック接触層が、ボンディングパッドを含む、請求項２９〜３４のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
  36. 熱伝導性の金属が、銅であり、エピタキシャル層が、複数のＧａＮ関連エピタキシャル層を備える、請求項２９〜３５のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
  37. 半導体デバイスが、発光デバイスおよびトランジスタデバイスからなるグループの中から選択される、請求項２９〜３６のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
  38. エピタキシャル層、エピタキシャル層の第１の表面上に存在する第１のオーミック接触層、第１のオーミック接触層上に存在する接着層、および接着層上に存在する熱伝導性の金属からなる種層を備える半導体デバイス。
  39. 熱伝導性の金属からなる比較的に厚い層を種層上にさらに含み、前記比較的に厚い層が、ヒートシンクの役割をなす請求項３８に記載の半導体デバイス。
  40. 第２のオーミック接触層をエピタキシャル層の第２の表面上にさらに含み、前記第２のオーミック接触層が、３ナノメーターから５００ナノメーターまでの範囲にある薄い層である、請求項３８または３９に記載の半導体デバイス。
  41. 第２のオーミック接触層が、ボンディングパッドを備え、かつ、不透明、透明、および半透明からなるグループの中から選択される、請求項３８〜４０のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
  42. 熱伝導性の金属が、銅からなり、エピタキシャル層が、ＧａＮ関連層からなる、請求項３８〜４１のいずれか一項に記載の半導体デバイス。
  43. 半導体デバイスを製造する方法であって、
    （ａ）複数のＧａＮ関連エピタキシャル層を備えるウェーハを備える基板上において、第１のオーミック接触層をウェーハの第１の表面上に形成するステップと、
    （ｂ）ウェーハから基板を除去するステップと、
    （ｃ）第２のオーミック接触層をウェーハの第２の表面上に形成するステップであり、第２のオーミック接触層が、その上に形成されたボンディングパッドを有する、前記第２のオーミック接触層を形成するステップと、
    を含む方法。
  44. 第２のオーミック接触層が、不透明、透明、および半透明からなるグループから選択される、請求項４３に記載の方法。
  45. 第２のオーミック接触層が、何も加工がなされていないか、またはパターンが形成されているかのいずれかである、請求項４３または４４のいずれかに記載の方法。
  46. 請求項４３〜４５のいずれか一項に記載の方法によって製造された半導体デバイス。
  47. 半導体デバイスが、発光デバイスかまたはトランジスタデバイスのいずれかである、請求項４６に記載の半導体デバイス。
  48. デバイス層を備えるウェーハを有する半導体デバイスを基板上に製造する方法であって、
    （ａ）基板の反対側にありかつデバイス層に近いウェーハの表面上に熱伝導性の材料からなる層を電気メッキするステップと、
    （ｂ）基板を除去するステップと、
    を含む方法。
  49. 半導体デバイスが、シリコンベースデバイスである、請求項４８に記載の方法。
  50. 能動層を備えるウェーハを有する発光デバイスを基板上に製造する方法であって、
    （ａ）基板の反対側にありかつ能動層に近いウェーハの表面上に熱伝導性の材料からなる層を電気メッキするステップと、
    （ｂ）基板を除去するステップと、
    を含む方法。
  51. 熱伝導性の層が、ヒートシンクとして存在する、請求項４８〜５０のいずれか一項に記載の方法。
  52. 熱伝導性の層が、３ミクロンから３００ミクロンまでの範囲にある厚さを有する、請求項５１に記載の方法。
  53. 熱伝導性の層が、５０ミクロンから２００ミクロンまでの厚さを有する、請求項５１または５２のいずれかに記載の方法。
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Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007529099A (ja) * 2003-09-19 2007-10-18 ティンギ テクノロジーズ プライベート リミテッド 半導体デバイス上における伝導性金属層の製造
JP2007521635A (ja) 2003-09-19 2007-08-02 ティンギ テクノロジーズ プライベート リミテッド 半導体デバイスの製造
JP2007535804A (ja) 2004-03-15 2007-12-06 ティンギ テクノロジーズ プライベート リミテッド 半導体デバイスの製造
KR20070028364A (ko) * 2004-04-07 2007-03-12 팅기 테크놀러지스 프라이빗 리미티드 반도체 발광 다이오드상의 반사층 제조
US7186580B2 (en) 2005-01-11 2007-03-06 Semileds Corporation Light emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening
US8680534B2 (en) 2005-01-11 2014-03-25 Semileds Corporation Vertical light emitting diodes (LED) having metal substrate and spin coated phosphor layer for producing white light
US7413918B2 (en) 2005-01-11 2008-08-19 Semileds Corporation Method of making a light emitting diode
US8802465B2 (en) 2005-01-11 2014-08-12 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method for handling a semiconductor wafer assembly
US7378288B2 (en) 2005-01-11 2008-05-27 Semileds Corporation Systems and methods for producing light emitting diode array
US8318519B2 (en) * 2005-01-11 2012-11-27 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. Method for handling a semiconductor wafer assembly
JP4804028B2 (ja) * 2005-04-25 2011-10-26 東京応化工業株式会社 ナノ構造体の製造方法
KR100975711B1 (ko) * 2005-09-13 2010-08-12 쇼와 덴코 가부시키가이샤 질화물 반도체 발광 장치 및 그 제조 방법
US7939845B2 (en) * 2005-09-20 2011-05-10 Showa Denko K.K. Nitride semiconductor light-emitting device and production method thereof
SG130975A1 (en) 2005-09-29 2007-04-26 Tinggi Tech Private Ltd Fabrication of semiconductor devices for light emission
SG131803A1 (en) 2005-10-19 2007-05-28 Tinggi Tech Private Ltd Fabrication of transistors
SG133432A1 (en) 2005-12-20 2007-07-30 Tinggi Tech Private Ltd Localized annealing during semiconductor device fabrication
CN100468797C (zh) * 2005-12-29 2009-03-11 联胜光电股份有限公司 集成散热片的半导体器件及其制造方法
SG140473A1 (en) 2006-08-16 2008-03-28 Tinggi Tech Private Ltd Improvements in external light efficiency of light emitting diodes
SG140512A1 (en) * 2006-09-04 2008-03-28 Tinggi Tech Private Ltd Electrical current distribution in light emitting devices
JP5278317B2 (ja) * 2007-06-29 2013-09-04 豊田合成株式会社 発光ダイオードの製造方法
US20090236680A1 (en) * 2008-03-20 2009-09-24 Infineon Technologies Austria Ag Semiconductor device with a semiconductor body and method for its production
KR101198758B1 (ko) * 2009-11-25 2012-11-12 엘지이노텍 주식회사 수직구조 반도체 발광소자 및 그 제조방법
CN103367552B (zh) * 2012-03-27 2016-03-30 比亚迪股份有限公司 一种半导体发光器件的制作方法
CN103094437B (zh) * 2013-01-31 2016-01-20 圆融光电科技有限公司 一种大功率led芯片的制作方法
CN112002999B (zh) * 2020-08-03 2023-05-23 首都师范大学 一种THz天线的简易制作方法
TWI741791B (zh) * 2020-09-16 2021-10-01 南亞科技股份有限公司 晶圓檢驗方法及系統

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5074876U (ja) * 1973-11-14 1975-06-30
JPS5255480A (en) * 1975-10-31 1977-05-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd Production of semiconductor light emitting element
JPH0319369A (ja) * 1989-06-16 1991-01-28 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH0478186A (ja) * 1990-07-19 1992-03-12 Nec Corp 半導体レーザ
JP2001274507A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Pioneer Electronic Corp 窒化物半導体レーザ及びその製造方法
JP2004179365A (ja) * 2002-11-27 2004-06-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
JP2005012188A (ja) * 2003-05-22 2005-01-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体素子の製造方法
JP2005522873A (ja) * 2002-04-09 2005-07-28 オリオール， インク． 縦方向構造を有するｌｅｄの製作方法

Family Cites Families (124)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3848490A (en) 1973-11-02 1974-11-19 Gerber Garment Technology Inc Method and apparatus for controlling a cutting tool
US3897627A (en) 1974-06-28 1975-08-05 Rca Corp Method for manufacturing semiconductor devices
CA1027257A (en) 1974-10-29 1978-02-28 James A. Benjamin Overlay metallization field effect transistor
JPS59112667A (ja) 1982-12-17 1984-06-29 Fujitsu Ltd 発光ダイオ−ド
JPS6395661A (ja) 1986-10-13 1988-04-26 Toshiba Corp 半導体素子電極
US5192987A (en) 1991-05-17 1993-03-09 Apa Optics, Inc. High electron mobility transistor with GaN/Alx Ga1-x N heterojunctions
JP2778349B2 (ja) 1992-04-10 1998-07-23 日亜化学工業株式会社 窒化ガリウム系化合物半導体の電極
US5405804A (en) 1993-01-22 1995-04-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing a semiconductor device by laser annealing a metal layer through an insulator
US5376580A (en) 1993-03-19 1994-12-27 Hewlett-Packard Company Wafer bonding of light emitting diode layers
US5654228A (en) 1995-03-17 1997-08-05 Motorola VCSEL having a self-aligned heat sink and method of making
JP3511970B2 (ja) 1995-06-15 2004-03-29 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体発光素子
KR0159388B1 (ko) 1995-09-30 1999-02-01 배순훈 평탄화 방법
US5811927A (en) 1996-06-21 1998-09-22 Motorola, Inc. Method for affixing spacers within a flat panel display
JP3087829B2 (ja) 1996-10-14 2000-09-11 日亜化学工業株式会社 窒化物半導体素子の製造方法
US6210479B1 (en) 1999-02-26 2001-04-03 International Business Machines Corporation Product and process for forming a semiconductor structure on a host substrate
US6784463B2 (en) 1997-06-03 2004-08-31 Lumileds Lighting U.S., Llc III-Phospide and III-Arsenide flip chip light-emitting devices
US6559038B2 (en) 1997-11-18 2003-05-06 Technologies And Devices International, Inc. Method for growing p-n heterojunction-based structures utilizing HVPE techniques
KR19990052640A (ko) 1997-12-23 1999-07-15 김효근 오믹접촉 형성을 이용한 다이오드용 금속박막및 그의 제조방법
US6071795A (en) 1998-01-23 2000-06-06 The Regents Of The University Of California Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing
US6091085A (en) 1998-02-19 2000-07-18 Agilent Technologies, Inc. GaN LEDs with improved output coupling efficiency
JP3144377B2 (ja) 1998-03-13 2001-03-12 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
EA200001096A1 (ru) * 1998-04-22 2001-04-23 Джинвек, Инк. Способ обогащения раствора аденовируса, способ точного подсчета числа аденовирусных частиц в образце раствора (варианты) и способ очистки аденовируса из клеток, инфицированных аденовирусом
DE19921987B4 (de) 1998-05-13 2007-05-16 Toyoda Gosei Kk Licht-Abstrahlende Halbleitervorrichtung mit Gruppe-III-Element-Nitrid-Verbindungen
JP3847477B2 (ja) 1998-12-17 2006-11-22 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
US6803243B2 (en) 2001-03-15 2004-10-12 Cree, Inc. Low temperature formation of backside ohmic contacts for vertical devices
JP3525061B2 (ja) 1998-09-25 2004-05-10 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
JP2000149640A (ja) * 1998-11-17 2000-05-30 Koito Mfg Co Ltd 車両用前照灯
US6307218B1 (en) 1998-11-20 2001-10-23 Lumileds Lighting, U.S., Llc Electrode structures for light emitting devices
JP3739951B2 (ja) 1998-11-25 2006-01-25 東芝電子エンジニアリング株式会社 半導体発光素子およびその製造方法
US6493608B1 (en) * 1999-04-07 2002-12-10 Intuitive Surgical, Inc. Aspects of a control system of a minimally invasive surgical apparatus
JP3531722B2 (ja) 1998-12-28 2004-05-31 信越半導体株式会社 発光ダイオードの製造方法
US6744800B1 (en) * 1998-12-30 2004-06-01 Xerox Corporation Method and structure for nitride based laser diode arrays on an insulating substrate
EP1039555A1 (en) 1999-03-05 2000-09-27 Toyoda Gosei Co., Ltd. Group III nitride compound semiconductor device
JP2000294837A (ja) 1999-04-05 2000-10-20 Stanley Electric Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
US6222207B1 (en) * 1999-05-24 2001-04-24 Lumileds Lighting, U.S. Llc Diffusion barrier for increased mirror reflectivity in reflective solderable contacts on high power LED chip
US6020261A (en) 1999-06-01 2000-02-01 Motorola, Inc. Process for forming high aspect ratio circuit features
GB9913950D0 (en) 1999-06-15 1999-08-18 Arima Optoelectronics Corp Unipolar light emitting devices based on iii-nitride semiconductor superlattices
JP4189710B2 (ja) 1999-07-16 2008-12-03 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 発光ダイオードの製造方法
JP2001049491A (ja) 1999-08-04 2001-02-20 Fujitsu Ltd Ｃｕ電解めっき成膜方法
JP3633447B2 (ja) 1999-09-29 2005-03-30 豊田合成株式会社 Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体素子
US6492661B1 (en) * 1999-11-04 2002-12-10 Fen-Ren Chien Light emitting semiconductor device having reflection layer structure
JP5965095B2 (ja) 1999-12-03 2016-08-10 クリー インコーポレイテッドＣｒｅｅ Ｉｎｃ． 内部および外部光学要素による光取出しを向上させた発光ダイオード
US6420272B1 (en) * 1999-12-14 2002-07-16 Infineon Technologies A G Method for removal of hard mask used to define noble metal electrode
US6573537B1 (en) 1999-12-22 2003-06-03 Lumileds Lighting, U.S., Llc Highly reflective ohmic contacts to III-nitride flip-chip LEDs
US6514782B1 (en) 1999-12-22 2003-02-04 Lumileds Lighting, U.S., Llc Method of making a III-nitride light-emitting device with increased light generating capability
JP3297033B2 (ja) * 2000-02-02 2002-07-02 オリンパス光学工業株式会社 内視鏡
JP4501225B2 (ja) 2000-02-21 2010-07-14 日亜化学工業株式会社 発光素子および発光素子の製造方法
JP2001237461A (ja) 2000-02-22 2001-08-31 Toshiba Corp 半導体発光素子
KR20010085722A (ko) 2000-02-29 2001-09-07 추후제출 반도체 물질상에서의 선택적인 레이저 어닐
US6482661B1 (en) * 2000-03-09 2002-11-19 Intergen, Inc. Method of tracking wafers from ingot
US7319247B2 (en) 2000-04-26 2008-01-15 Osram Gmbh Light emitting-diode chip and a method for producing same
JP2002083999A (ja) 2000-06-21 2002-03-22 Sharp Corp 半導体発光素子
US6420732B1 (en) 2000-06-26 2002-07-16 Luxnet Corporation Light emitting diode of improved current blocking and light extraction structure
AU2001270231A1 (en) * 2000-06-28 2002-01-08 University Of Pittsburgh Of The Commonwealth System Of Higher Education Localized delivery to a target surface
US6661028B2 (en) 2000-08-01 2003-12-09 United Epitaxy Company, Ltd. Interface texturing for light-emitting device
TW456058B (en) 2000-08-10 2001-09-21 United Epitaxy Co Ltd Light emitting diode and the manufacturing method thereof
US6380564B1 (en) 2000-08-16 2002-04-30 United Epitaxy Company, Ltd. Semiconductor light emitting device
US6562648B1 (en) 2000-08-23 2003-05-13 Xerox Corporation Structure and method for separation and transfer of semiconductor thin films onto dissimilar substrate materials
TW466784B (en) 2000-09-19 2001-12-01 United Epitaxy Co Ltd Method to manufacture high luminescence LED by using glass pasting
TW475276B (en) 2000-11-07 2002-02-01 Ind Tech Res Inst GaN based III-V compound semiconductor light-emitting device
US6791119B2 (en) 2001-02-01 2004-09-14 Cree, Inc. Light emitting diodes including modifications for light extraction
JP3970530B2 (ja) 2001-02-19 2007-09-05 三菱電機株式会社 半導体装置およびその製造方法
US6611002B2 (en) 2001-02-23 2003-08-26 Nitronex Corporation Gallium nitride material devices and methods including backside vias
US6956250B2 (en) 2001-02-23 2005-10-18 Nitronex Corporation Gallium nitride materials including thermally conductive regions
CN1185720C (zh) 2001-03-05 2005-01-19 全新光电科技股份有限公司 一种镀有金属反射镜膜基板的发光二极管及其制造方法
US6468824B2 (en) 2001-03-22 2002-10-22 Uni Light Technology Inc. Method for forming a semiconductor device having a metallic substrate
US6506637B2 (en) * 2001-03-23 2003-01-14 Sharp Laboratories Of America, Inc. Method to form thermally stable nickel germanosilicide on SiGe
EP1244139A2 (en) 2001-03-23 2002-09-25 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Manufacturing method of semiconductor film
US6509270B1 (en) 2001-03-30 2003-01-21 Cypress Semiconductor Corp. Method for polishing a semiconductor topography
JP2003013760A (ja) * 2001-07-02 2003-01-15 Sanshin Ind Co Ltd 船外機用４サイクルエンジンのバルブタイミング制御装置
KR100482174B1 (ko) 2001-08-08 2005-04-13 삼성전기주식회사 기판제거 기술을 이용한 GaN계 LED 제작 방법
US20030064535A1 (en) * 2001-09-28 2003-04-03 Kub Francis J. Method of manufacturing a semiconductor device having a thin GaN material directly bonded to an optimized substrate
US6784462B2 (en) 2001-12-13 2004-08-31 Rensselaer Polytechnic Institute Light-emitting diode with planar omni-directional reflector
US6455340B1 (en) 2001-12-21 2002-09-24 Xerox Corporation Method of fabricating GaN semiconductor structures using laser-assisted epitaxial liftoff
JP3782357B2 (ja) 2002-01-18 2006-06-07 株式会社東芝 半導体発光素子の製造方法
JP2003243700A (ja) 2002-02-12 2003-08-29 Toyoda Gosei Co Ltd Ｉｉｉ族窒化物系化合物半導体発光素子
JP4242599B2 (ja) 2002-04-08 2009-03-25 パナソニック株式会社 窒化物半導体装置の製造方法及び窒化物半導体基板の製造方法
US8294172B2 (en) * 2002-04-09 2012-10-23 Lg Electronics Inc. Method of fabricating vertical devices using a metal support film
JP3896027B2 (ja) 2002-04-17 2007-03-22 シャープ株式会社 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
JP4233268B2 (ja) 2002-04-23 2009-03-04 シャープ株式会社 窒化物系半導体発光素子およびその製造方法
JP3962282B2 (ja) 2002-05-23 2007-08-22 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造方法
JP3962283B2 (ja) 2002-05-29 2007-08-22 松下電器産業株式会社 半導体装置の製造方法
JP2004014938A (ja) 2002-06-10 2004-01-15 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
JP2004088083A (ja) 2002-06-25 2004-03-18 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子、その製造方法及びその実装方法
TW540171B (en) 2002-07-18 2003-07-01 United Epitaxy Co Ltd Manufacturing method of high-power light emitting diode
JP2004072052A (ja) 2002-08-09 2004-03-04 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体装置及びその製造方法
US6649437B1 (en) * 2002-08-20 2003-11-18 United Epitaxy Company, Ltd. Method of manufacturing high-power light emitting diodes
US20040104395A1 (en) 2002-11-28 2004-06-03 Shin-Etsu Handotai Co., Ltd. Light-emitting device, method of fabricating the same, and OHMIC electrode structure for semiconductor device
KR100495215B1 (ko) 2002-12-27 2005-06-14 삼성전기주식회사 수직구조 갈륨나이트라이드 발광다이오드 및 그 제조방법
US6825559B2 (en) 2003-01-02 2004-11-30 Cree, Inc. Group III nitride based flip-chip intergrated circuit and method for fabricating
WO2004102686A1 (en) 2003-05-09 2004-11-25 Cree, Inc. Led fabrication via ion implant isolation
US7244628B2 (en) 2003-05-22 2007-07-17 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for fabricating semiconductor devices
KR100483049B1 (ko) 2003-06-03 2005-04-15 삼성전기주식회사 수직구조 질화갈륨계 발광다이오드의 제조방법
US6921924B2 (en) 2003-06-18 2005-07-26 United Epitaxy Company, Ltd Semiconductor light-emitting device
US6967346B2 (en) 2003-08-02 2005-11-22 Formosa Epitaxy Incorporation Light emitting diode structure and manufacture method thereof
US6958494B2 (en) 2003-08-14 2005-10-25 Dicon Fiberoptics, Inc. Light emitting diodes with current spreading layer
JP2007521635A (ja) 2003-09-19 2007-08-02 ティンギ テクノロジーズ プライベート リミテッド 半導体デバイスの製造
JP2007529099A (ja) 2003-09-19 2007-10-18 ティンギ テクノロジーズ プライベート リミテッド 半導体デバイス上における伝導性金属層の製造
TWI313071B (en) 2003-10-15 2009-08-01 Epistar Corporatio Light-emitting semiconductor device having enhanced brightness
US7119372B2 (en) 2003-10-24 2006-10-10 Gelcore, Llc Flip-chip light emitting diode
US7012281B2 (en) 2003-10-30 2006-03-14 Epistar Corporation Light emitting diode device and manufacturing method
AU2003296426A1 (en) 2003-12-09 2005-07-21 The Regents Of The University Of California Highly efficient gallium nitride based light emitting diodes via surface roughening
US7033912B2 (en) 2004-01-22 2006-04-25 Cree, Inc. Silicon carbide on diamond substrates and related devices and methods
JP4647216B2 (ja) 2004-02-19 2011-03-09 信越半導体株式会社 ＧａＰ発光素子の製造方法
JP2007535804A (ja) 2004-03-15 2007-12-06 ティンギ テクノロジーズ プライベート リミテッド 半導体デバイスの製造
KR20070028364A (ko) 2004-04-07 2007-03-12 팅기 테크놀러지스 프라이빗 리미티드 반도체 발광 다이오드상의 반사층 제조
US7791061B2 (en) 2004-05-18 2010-09-07 Cree, Inc. External extraction light emitting diode based upon crystallographic faceted surfaces
WO2006065010A1 (en) 2004-12-13 2006-06-22 Lg Chem, Ltd. METHOD FOR MANUFACTURING G a N-BASED LIGHT EMITTING DIODE USING LASER LIFT-OFF TECHNIQUE AND LIGHT EMITTING DIODE MANUFACTURED THEREBY
US20060154393A1 (en) 2005-01-11 2006-07-13 Doan Trung T Systems and methods for removing operating heat from a light emitting diode
US7413918B2 (en) 2005-01-11 2008-08-19 Semileds Corporation Method of making a light emitting diode
US7186580B2 (en) 2005-01-11 2007-03-06 Semileds Corporation Light emitting diodes (LEDs) with improved light extraction by roughening
US20060151801A1 (en) 2005-01-11 2006-07-13 Doan Trung T Light emitting diode with thermo-electric cooler
US7378288B2 (en) 2005-01-11 2008-05-27 Semileds Corporation Systems and methods for producing light emitting diode array
US7195944B2 (en) 2005-01-11 2007-03-27 Semileds Corporation Systems and methods for producing white-light emitting diodes
US7335920B2 (en) 2005-01-24 2008-02-26 Cree, Inc. LED with current confinement structure and surface roughening
JP4980615B2 (ja) 2005-02-08 2012-07-18 ローム株式会社 半導体発光素子およびその製法
US7348212B2 (en) 2005-09-13 2008-03-25 Philips Lumileds Lighting Company Llc Interconnects for semiconductor light emitting devices
US20070029541A1 (en) 2005-08-04 2007-02-08 Huoping Xin High efficiency light emitting device
SG130975A1 (en) 2005-09-29 2007-04-26 Tinggi Tech Private Ltd Fabrication of semiconductor devices for light emission
SG131803A1 (en) 2005-10-19 2007-05-28 Tinggi Tech Private Ltd Fabrication of transistors
SG133432A1 (en) 2005-12-20 2007-07-30 Tinggi Tech Private Ltd Localized annealing during semiconductor device fabrication
US7413980B2 (en) 2006-04-25 2008-08-19 Texas Instruments Incorporated Semiconductor device with improved contact fuse
SG140473A1 (en) 2006-08-16 2008-03-28 Tinggi Tech Private Ltd Improvements in external light efficiency of light emitting diodes
SG140512A1 (en) 2006-09-04 2008-03-28 Tinggi Tech Private Ltd Electrical current distribution in light emitting devices

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5074876U (ja) * 1973-11-14 1975-06-30
JPS5255480A (en) * 1975-10-31 1977-05-06 Matsushita Electric Ind Co Ltd Production of semiconductor light emitting element
JPH0319369A (ja) * 1989-06-16 1991-01-28 Fujitsu Ltd 半導体装置
JPH0478186A (ja) * 1990-07-19 1992-03-12 Nec Corp 半導体レーザ
JP2001274507A (ja) * 2000-03-28 2001-10-05 Pioneer Electronic Corp 窒化物半導体レーザ及びその製造方法
JP2005522873A (ja) * 2002-04-09 2005-07-28 オリオール， インク． 縦方向構造を有するｌｅｄの製作方法
JP2004179365A (ja) * 2002-11-27 2004-06-24 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光素子及びその製造方法
JP2005012188A (ja) * 2003-05-22 2005-01-13 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体素子の製造方法

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