JP2001274507A - 窒化物半導体レーザ及びその製造方法 - Google Patents
窒化物半導体レーザ及びその製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 レーザ構造において高品質な反射鏡面を再現
性良く得られる３族窒化物半導体レーザの製造方法を提
供する。 【解決手段】 活性層を含む３族窒化物半導体からなる
結晶層の複数を、下地層上に、順に積層してなる窒化物
半導体レーザの製造方法であって、基板上に成膜された
下地層上に結晶層の複数を形成し、結晶層の最表面上に
電極層を形成し、電極層上に金属膜をメッキし、基板及
び下地層間の界面に向け、前記基板側から光を照射し
て、窒化物半導体の分解物領域を形成し、結晶層を担持
した前記下地層を前記分解物領域に沿って前記基板から
剥離し、結晶層を担持した前記下地層を劈開し、レーザ
共振器となるべき劈開面を形成する工程を含む。
性良く得られる３族窒化物半導体レーザの製造方法を提
供する。 【解決手段】 活性層を含む３族窒化物半導体からなる
結晶層の複数を、下地層上に、順に積層してなる窒化物
半導体レーザの製造方法であって、基板上に成膜された
下地層上に結晶層の複数を形成し、結晶層の最表面上に
電極層を形成し、電極層上に金属膜をメッキし、基板及
び下地層間の界面に向け、前記基板側から光を照射し
て、窒化物半導体の分解物領域を形成し、結晶層を担持
した前記下地層を前記分解物領域に沿って前記基板から
剥離し、結晶層を担持した前記下地層を劈開し、レーザ
共振器となるべき劈開面を形成する工程を含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、３族窒化物半導体
素子（以下、単に素子とも記述する）に関し、特に、同
材料系を用いた半導体レーザ素子の作製方法に関する。
素子（以下、単に素子とも記述する）に関し、特に、同
材料系を用いた半導体レーザ素子の作製方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】レーザ素子を動作させるには、光学的共
振器を形成するための一対の反射鏡が必要である。Ｇａ
Ａｓなどの半導体結晶材料を用いて半導体レーザ素子
（ファブリペロ型）を作製する場合、こうした反射面は
ほとんどＧａＡｓ結晶基板の劈開により形成されてい
る。
振器を形成するための一対の反射鏡が必要である。Ｇａ
Ａｓなどの半導体結晶材料を用いて半導体レーザ素子
（ファブリペロ型）を作製する場合、こうした反射面は
ほとんどＧａＡｓ結晶基板の劈開により形成されてい
る。
【０００３】３族窒化物半導体の結晶系は、ＩＩＩ−Ｖ
族半導体の閃亜鉛鉱型とは異なってウルツ鉱型という６
方晶系類似の結晶系であるが、やはり明確な劈開面を有
している。従って、例えばＧａＮなどの結晶基板上にレ
ーザ素子構造を形成することができれば最善である。し
かしながら、３族窒化物材料を用いて半導体レーザ素子
を作製する場合、基板に用いるべき窒化物バルク結晶が
製造されていないため、サファイアやＳｉＣといった別
種の基板上に窒化物結晶膜を下地層としてエピタキシャ
ル成長させることによって素子を作製せざるを得ない。
族半導体の閃亜鉛鉱型とは異なってウルツ鉱型という６
方晶系類似の結晶系であるが、やはり明確な劈開面を有
している。従って、例えばＧａＮなどの結晶基板上にレ
ーザ素子構造を形成することができれば最善である。し
かしながら、３族窒化物材料を用いて半導体レーザ素子
を作製する場合、基板に用いるべき窒化物バルク結晶が
製造されていないため、サファイアやＳｉＣといった別
種の基板上に窒化物結晶膜を下地層としてエピタキシャ
ル成長させることによって素子を作製せざるを得ない。
【０００４】従来、基板上の窒化物レーザの反射鏡面作
製方法としては、以下の４通りの方法１）〜４）が知ら
れている。 １） 基板上に窒化物成長膜レーザ構造を作製し、反応
性イオンエッチング（ＲＩＥ）などのドライエッチング
により削って、反射鏡面を得る。 ２） サファイア基板のＣ面すなわち（０００１）面又
はＡ面すなわち
製方法としては、以下の４通りの方法１）〜４）が知ら
れている。 １） 基板上に窒化物成長膜レーザ構造を作製し、反応
性イオンエッチング（ＲＩＥ）などのドライエッチング
により削って、反射鏡面を得る。 ２） サファイア基板のＣ面すなわち（０００１）面又
はＡ面すなわち
【０００５】
【外１】 ［以下、（１１−２０）面と記載する］上に成長し、サ
ファイアの
ファイアの
【０００６】
【外２】 ［以下、（１−１００）面又は（１−１０２）面と記載
する］に沿って割って、反射鏡面を得る。
する］に沿って割って、反射鏡面を得る。
【０００７】３） ＳｉＣ基板上に窒化物成長膜のレー
ザ構造を作製し、裏面を研磨して薄くした後、基板と一
緒に劈開して、反射鏡面を得る。 ４） サファイア基板上に厚い例えば、１００ｎｍ〜μ
ｍの厚さのＧａＮ膜を形成した後、研磨などによりサフ
ァイアを除去し、残ったＧａＮを基板結晶として用いて
再度レーザ構造をその上に形成する。
ザ構造を作製し、裏面を研磨して薄くした後、基板と一
緒に劈開して、反射鏡面を得る。 ４） サファイア基板上に厚い例えば、１００ｎｍ〜μ
ｍの厚さのＧａＮ膜を形成した後、研磨などによりサフ
ァイアを除去し、残ったＧａＮを基板結晶として用いて
再度レーザ構造をその上に形成する。
【０００８】サファイアのＣ面及びＡ面上で良好な単結
晶膜が得られている。従来から半導体レーザなどに用い
られているＧａＡｓ基板などと比較してサファイア基板
は極めて割りにくいため、上記の劈開による方法を避
け、反射面をＲＩＥなどのエッチングによって得ること
も行なわれている。サファイアには、ＳｉやＧａＡｓな
どのような明瞭な劈開面は存在しないが、Ｃ面に関して
は（１−１００）面で一応割ることができ、Ａ面に関し
ては（１−１０２）面すなわち通称Ｒ面で通常の結晶の
劈開にかなり近い状態で良好に割ることができる。
晶膜が得られている。従来から半導体レーザなどに用い
られているＧａＡｓ基板などと比較してサファイア基板
は極めて割りにくいため、上記の劈開による方法を避
け、反射面をＲＩＥなどのエッチングによって得ること
も行なわれている。サファイアには、ＳｉやＧａＡｓな
どのような明瞭な劈開面は存在しないが、Ｃ面に関して
は（１−１００）面で一応割ることができ、Ａ面に関し
ては（１−１０２）面すなわち通称Ｒ面で通常の結晶の
劈開にかなり近い状態で良好に割ることができる。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
形成方法１）〜４）にはそれぞれ以下に述べる欠点があ
る。形成方法１）のＲＩＥを用いる方法に関しては、導
波路に対して垂直な反射面を得るのが困難であり、反射
面の面粗さを平滑にして良好にするのが困難であり、出
射光の遠視野像が多スポットになってしまう問題があ
る。特に、出射光の多スポット化は、ＲＩＥなどのドラ
イエッチングを用いてもサファイアを有効にエッチング
できないことに起因している。図１に示すように、エッ
チングによってレーザ構造１の反射鏡面２を形成して作
製したレーザ素子において、図中に（ｓ）で示した部分
のサファイア基板３（エッチングされずに残った部分）
に出射ビームが反射し、この反射光と主ビームが干渉
し、遠視野がマルチスポットになってしまうのである。
この遠視野像のマルチスポット化は、光ディスクの読取
り光源としては致命的であるので、このままでは全く実
用にならない。
形成方法１）〜４）にはそれぞれ以下に述べる欠点があ
る。形成方法１）のＲＩＥを用いる方法に関しては、導
波路に対して垂直な反射面を得るのが困難であり、反射
面の面粗さを平滑にして良好にするのが困難であり、出
射光の遠視野像が多スポットになってしまう問題があ
る。特に、出射光の多スポット化は、ＲＩＥなどのドラ
イエッチングを用いてもサファイアを有効にエッチング
できないことに起因している。図１に示すように、エッ
チングによってレーザ構造１の反射鏡面２を形成して作
製したレーザ素子において、図中に（ｓ）で示した部分
のサファイア基板３（エッチングされずに残った部分）
に出射ビームが反射し、この反射光と主ビームが干渉
し、遠視野がマルチスポットになってしまうのである。
この遠視野像のマルチスポット化は、光ディスクの読取
り光源としては致命的であるので、このままでは全く実
用にならない。
【００１０】上記の形成方法２）の内、サファイアＣ面
上成長に関しては、サファイア基板の裏面を削って、薄
くしないと割れないという煩雑性や、再現性よく劈開が
できない問題がある。これら問題は、サファイア（１−
１００）面が劈開面では無いことに起因している。サフ
ァイアは極めて結晶が硬いため、薄くしないとケガキ線
に沿って割ることができず、そこで、レーザ素子として
実用になる程度の劈開面を得ようとすると、サファイア
基板の厚さを１００μｍ程度まで薄くする必要がある。
既にレーザ構造を表面に作り込んだウエハの裏面を研磨
していくと、サファイアと窒化物の熱膨張係数差や研磨
に伴う残留応力でウエハに反り及び歪みが生ずる。これ
らのため、ウエハを裏面研磨すると研磨作業中にウエハ
が割れてしまうトラブルが極めて生じやすく、量産上極
めて不利である。
上成長に関しては、サファイア基板の裏面を削って、薄
くしないと割れないという煩雑性や、再現性よく劈開が
できない問題がある。これら問題は、サファイア（１−
１００）面が劈開面では無いことに起因している。サフ
ァイアは極めて結晶が硬いため、薄くしないとケガキ線
に沿って割ることができず、そこで、レーザ素子として
実用になる程度の劈開面を得ようとすると、サファイア
基板の厚さを１００μｍ程度まで薄くする必要がある。
既にレーザ構造を表面に作り込んだウエハの裏面を研磨
していくと、サファイアと窒化物の熱膨張係数差や研磨
に伴う残留応力でウエハに反り及び歪みが生ずる。これ
らのため、ウエハを裏面研磨すると研磨作業中にウエハ
が割れてしまうトラブルが極めて生じやすく、量産上極
めて不利である。
【００１１】また、サファイアＣ面上に成長した窒化物
（代表的２元化合物はＧａＮであり、以下ＧａＮと記
す）の、結晶方位は基板であるサファイアに対して３０
度回転しており、基板であるサファイアを（１−１０
０）面で割ると、その上のＧａＮとしては（１１−２
０）面で割ることになる。ＧａＮ結晶の劈開面は（１−
１００）面であるので、この場合、ＧａＮは劈開面でな
い結晶面でやや無理をして割っていることになるが、Ｇ
ａＮ結晶の対称性のため、正確に（１１−２０）面に沿
った方向に割れが入っていけば、極めて良好な破断面が
得られる。
（代表的２元化合物はＧａＮであり、以下ＧａＮと記
す）の、結晶方位は基板であるサファイアに対して３０
度回転しており、基板であるサファイアを（１−１０
０）面で割ると、その上のＧａＮとしては（１１−２
０）面で割ることになる。ＧａＮ結晶の劈開面は（１−
１００）面であるので、この場合、ＧａＮは劈開面でな
い結晶面でやや無理をして割っていることになるが、Ｇ
ａＮ結晶の対称性のため、正確に（１１−２０）面に沿
った方向に割れが入っていけば、極めて良好な破断面が
得られる。
【００１２】しかるに、サファイアも（１−１００）面
は劈開面でないため、ややズレた角度でケガキ線を入れ
ても割ることができる。この場合、ＧａＮは（１１−２
０）面からずれた方向に割れることになるので、反射率
の低下や出射光の波面の乱れを引き起こし、レーザ用の
反射面としての品質が劣化する。さらに、上記の形成方
法２）の内、サファイアＡ面上の成長に関しては、Ｇａ
Ｎの破断面の品質が十分でない問題がある。
は劈開面でないため、ややズレた角度でケガキ線を入れ
ても割ることができる。この場合、ＧａＮは（１１−２
０）面からずれた方向に割れることになるので、反射率
の低下や出射光の波面の乱れを引き起こし、レーザ用の
反射面としての品質が劣化する。さらに、上記の形成方
法２）の内、サファイアＡ面上の成長に関しては、Ｇａ
Ｎの破断面の品質が十分でない問題がある。
【００１３】サファイアの裂開面である（１−１０２）
面のＲ面は極めて割りやすいため、通常に基板として用
いられる２５０〜３５０μｍの厚さでも容易に裂開がで
きる。しかし、図２に示すように、サファイア基板Ａ面
上にレーザ構造を形成して矢印方向から裂開した場合、
ＧａＮの側面表面に細かな複数の筋が入る。複数の筋の
発現は、ウエハの全厚の大部分はサファイアであり、サ
ファイアはＲ面で割れるためである。サファイア基板は
そのＲ面に沿って割れていくが、サファイアＡ面上に成
長したＧａＮの（１−１００）面とサファイアＲ面とは
互いに２．４度ずれているので、裂開による割れ（クラ
ック）がサファイア／ＧａＮ界面に到達した後も、Ｇａ
Ｎのわずかな深さまでは下地のサファイアのＲ面に沿っ
てクラックは伝搬する。しかしながら、ＧａＮはその劈
開面である（１−１００）面で割れようとするため、複
数の（１−１００）面が階段状になった破断面を形成す
ることとなる。このようにサファイアＣ面上の場合と同
様に、ＧａＮの（１−１００）面が階段状に現れている
のである。このため、第２のサファイアＡ面上の成長に
よる反射鏡面作製方法に関しても、ＧａＮの破断面の品
質がそれほど良くならない。
面のＲ面は極めて割りやすいため、通常に基板として用
いられる２５０〜３５０μｍの厚さでも容易に裂開がで
きる。しかし、図２に示すように、サファイア基板Ａ面
上にレーザ構造を形成して矢印方向から裂開した場合、
ＧａＮの側面表面に細かな複数の筋が入る。複数の筋の
発現は、ウエハの全厚の大部分はサファイアであり、サ
ファイアはＲ面で割れるためである。サファイア基板は
そのＲ面に沿って割れていくが、サファイアＡ面上に成
長したＧａＮの（１−１００）面とサファイアＲ面とは
互いに２．４度ずれているので、裂開による割れ（クラ
ック）がサファイア／ＧａＮ界面に到達した後も、Ｇａ
Ｎのわずかな深さまでは下地のサファイアのＲ面に沿っ
てクラックは伝搬する。しかしながら、ＧａＮはその劈
開面である（１−１００）面で割れようとするため、複
数の（１−１００）面が階段状になった破断面を形成す
ることとなる。このようにサファイアＣ面上の場合と同
様に、ＧａＮの（１−１００）面が階段状に現れている
のである。このため、第２のサファイアＡ面上の成長に
よる反射鏡面作製方法に関しても、ＧａＮの破断面の品
質がそれほど良くならない。
【００１４】上記の作製方法３）の方法においては、Ｓ
ｉＣ基板は価格が極めて高く、成長条件などの各種検討
を行なう際に負担が大きい問題がある。また、劈開工程
に先立ち裏面を研磨する際に、ＳｉＣの硬度が極めて高
いため著しい困難を伴う。更に、熱膨張係数差の関係で
その上に形成する窒化物層に割れが入り易いため、窒化
物層の膜厚を自由に設計できないという問題がある。
ｉＣ基板は価格が極めて高く、成長条件などの各種検討
を行なう際に負担が大きい問題がある。また、劈開工程
に先立ち裏面を研磨する際に、ＳｉＣの硬度が極めて高
いため著しい困難を伴う。更に、熱膨張係数差の関係で
その上に形成する窒化物層に割れが入り易いため、窒化
物層の膜厚を自由に設計できないという問題がある。
【００１５】上記の形成方法４）の方法は、前述したよ
うに劈開状態に関しては理想的であるが、厚いＧａＮ層
を気相成長法で形成するのが難しい上、サファイアを研
磨で除去する工程が極めて煩雑であるため、口径の大き
な結晶基板を歩留まりよく得られるには至っていない。
そこで、本発明では、レーザ構造において高品質な反射
鏡面を再現性良く得られる３族窒化物半導体レーザ及び
その製造方法を提供することを目的とする。
うに劈開状態に関しては理想的であるが、厚いＧａＮ層
を気相成長法で形成するのが難しい上、サファイアを研
磨で除去する工程が極めて煩雑であるため、口径の大き
な結晶基板を歩留まりよく得られるには至っていない。
そこで、本発明では、レーザ構造において高品質な反射
鏡面を再現性良く得られる３族窒化物半導体レーザ及び
その製造方法を提供することを目的とする。
【００１６】
【課題を解決するための手段】本発明による窒化物半導
体レーザの製造方法は、活性層を含む３族窒化物半導体
からなる複数の結晶層を、３族窒化物半導体からなる下
地層上に、順に積層して得られる窒化物半導体レーザの
製造方法であって、基板上に成膜された下地層上に結晶
層の複数を形成する結晶層形成工程と、前記結晶層の最
表面上に電極層を形成する電極層形成工程と、前記電極
層上に金属膜をメッキするメッキ工程と、前記基板及び
下地層間の界面に向け、前記基板側から光を照射して、
窒化物半導体の分解物領域を形成する光照射工程と、前
記結晶層を担持した前記下地層を前記分解物領域に沿っ
て前記基板から剥離する剥離工程と、前記結晶層を担持
した前記下地層を劈開し、レーザ共振器となるべき劈開
面を形成する劈開工程と、を含むことを特徴とする。
体レーザの製造方法は、活性層を含む３族窒化物半導体
からなる複数の結晶層を、３族窒化物半導体からなる下
地層上に、順に積層して得られる窒化物半導体レーザの
製造方法であって、基板上に成膜された下地層上に結晶
層の複数を形成する結晶層形成工程と、前記結晶層の最
表面上に電極層を形成する電極層形成工程と、前記電極
層上に金属膜をメッキするメッキ工程と、前記基板及び
下地層間の界面に向け、前記基板側から光を照射して、
窒化物半導体の分解物領域を形成する光照射工程と、前
記結晶層を担持した前記下地層を前記分解物領域に沿っ
て前記基板から剥離する剥離工程と、前記結晶層を担持
した前記下地層を劈開し、レーザ共振器となるべき劈開
面を形成する劈開工程と、を含むことを特徴とする。
【００１７】本発明による窒化物半導体レーザ製造方法
においては、前記メッキ工程は、金属膜をメッキする前
に、前記窒化物半導体に形成されるべき劈開面の伸長方
向に平行に伸長する絶縁ストライプを前記電極層上に形
成する工程を含むことを特徴とする。本発明の窒化物半
導体レーザは、活性層を含む３族窒化物半導体からなる
結晶層の複数を、下地層上に、順に積層してなる窒化物
半導体レーザであって、前記積層した結晶層に対して前
記下地層の反対側にメッキされた金属膜を有することを
特徴とする。
においては、前記メッキ工程は、金属膜をメッキする前
に、前記窒化物半導体に形成されるべき劈開面の伸長方
向に平行に伸長する絶縁ストライプを前記電極層上に形
成する工程を含むことを特徴とする。本発明の窒化物半
導体レーザは、活性層を含む３族窒化物半導体からなる
結晶層の複数を、下地層上に、順に積層してなる窒化物
半導体レーザであって、前記積層した結晶層に対して前
記下地層の反対側にメッキされた金属膜を有することを
特徴とする。
【００１８】さらに、本発明の分離方法は、基板上に３
族窒化物半導体からなる１以上の結晶層を順に積層して
得られる窒化物半導体ウエハから該基板を分離する分離
方法であって、前記結晶層の最表面上に補助基板を形成
する工程と、前記基板及び結晶層間の界面に向け、前記
基板側から光を照射して、窒化物半導体の分解物領域を
形成する光照射工程と、前記結晶層を前記分解物領域に
沿って前記基板から剥離する剥離工程と、を含むことを
特徴とする。
族窒化物半導体からなる１以上の結晶層を順に積層して
得られる窒化物半導体ウエハから該基板を分離する分離
方法であって、前記結晶層の最表面上に補助基板を形成
する工程と、前記基板及び結晶層間の界面に向け、前記
基板側から光を照射して、窒化物半導体の分解物領域を
形成する光照射工程と、前記結晶層を前記分解物領域に
沿って前記基板から剥離する剥離工程と、を含むことを
特徴とする。
【００１９】本発明の分離方法においては、前記補助基
板を形成する工程は、前記結晶層の最表面上に前記補助
基板として金属膜をメッキするメッキ工程を含むことを
特徴とする。本発明の分離方法においては、前記メッキ
工程は、前記結晶層の最表面上に予め電極層を形成する
電極層形成工程を含むことを特徴とする。
板を形成する工程は、前記結晶層の最表面上に前記補助
基板として金属膜をメッキするメッキ工程を含むことを
特徴とする。本発明の分離方法においては、前記メッキ
工程は、前記結晶層の最表面上に予め電極層を形成する
電極層形成工程を含むことを特徴とする。
【００２０】本発明の分離方法においては、前記金属膜
は、銅であることを特徴とする。本発明の分離方法にお
いては、前記基板を透過しかつ前記界面近傍の結晶層に
吸収される波長を有する光から選択されることを特徴と
する。本発明の分離方法においては、前記光照射工程に
おいて、前記光は前記基板及び下地層間の界面に一様に
又はスポット状若しくはライン状に走査され照射される
ことを特徴とする。
は、銅であることを特徴とする。本発明の分離方法にお
いては、前記基板を透過しかつ前記界面近傍の結晶層に
吸収される波長を有する光から選択されることを特徴と
する。本発明の分離方法においては、前記光照射工程に
おいて、前記光は前記基板及び下地層間の界面に一様に
又はスポット状若しくはライン状に走査され照射される
ことを特徴とする。
【００２１】本発明の分離方法においては、前記光照射
工程において、前記光はＹＡＧレーザの４倍波である紫
外光であることを特徴とする。
工程において、前記光はＹＡＧレーザの４倍波である紫
外光であることを特徴とする。
【００２２】
【作用】本発明によれば、ＧａＮ結晶側から保持して、
サファイア基板とＧａＮ結晶間との結晶結合を全面又は
局所的に解いた分解領域を形成することより、サファイ
ア基板をＧａＮ結晶下地層から剥離できるので、窒化物
半導体レーザを再現性良く得ることができる。
サファイア基板とＧａＮ結晶間との結晶結合を全面又は
局所的に解いた分解領域を形成することより、サファイ
ア基板をＧａＮ結晶下地層から剥離できるので、窒化物
半導体レーザを再現性良く得ることができる。
【００２３】劈開工程において、裂割される結晶部分が
実質的にＧａＮ系材料のみで構成されるので、劈開性を
改善して良質で安定な反射鏡面を得ることができる。Ｇ
ａＮ系結晶部分の強度維持のために、補助基板である金
属膜を、レーザ構造の上に形成する。補助基板は、メッ
キ法により、作製中のレーザ構造の電極を下地電極とし
てその上に金属材料を電着して形成される。メッキ法
は、電解メッキ法の他、無電解メッキ法を含む。
実質的にＧａＮ系材料のみで構成されるので、劈開性を
改善して良質で安定な反射鏡面を得ることができる。Ｇ
ａＮ系結晶部分の強度維持のために、補助基板である金
属膜を、レーザ構造の上に形成する。補助基板は、メッ
キ法により、作製中のレーザ構造の電極を下地電極とし
てその上に金属材料を電着して形成される。メッキ法
は、電解メッキ法の他、無電解メッキ法を含む。
【００２４】更に、メッキ工程において、ＧａＮ系結晶
の劈開を予定している線に対応する部分の下地電極上に
絶縁物質からなる帯状パターンの絶縁ストライプを形成
する。この絶縁ストライプを形成することにより、劈開
線部分の補助基板の強度を部分的に低下させることがで
きる。金属膜の堆積すなわち補助基板の形成後、サファ
イア基板の裏面側から高出力紫外レーザを照射し、サフ
ァイア基板とＧａＮ結晶層を分離する。サファイア基板
を除去した面に電極を形成し、しかる後に、上述の絶縁
ストライプにそって金属膜を割り、同時にＧａＮ結晶を
劈開してレーザバーを得ることができる。
の劈開を予定している線に対応する部分の下地電極上に
絶縁物質からなる帯状パターンの絶縁ストライプを形成
する。この絶縁ストライプを形成することにより、劈開
線部分の補助基板の強度を部分的に低下させることがで
きる。金属膜の堆積すなわち補助基板の形成後、サファ
イア基板の裏面側から高出力紫外レーザを照射し、サフ
ァイア基板とＧａＮ結晶層を分離する。サファイア基板
を除去した面に電極を形成し、しかる後に、上述の絶縁
ストライプにそって金属膜を割り、同時にＧａＮ結晶を
劈開してレーザバーを得ることができる。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下に、本発明による実施例の３
族窒化物半導体レーザについて実施の形態の一例を図面
を用いて説明する。 ＜活性層を含む３族窒化物半導体からなる複数の結晶層
の作製＞有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）によ
り、図３に示す３族窒化物半導体レーザ素子構造すなわ
ちレーザ素子用の層構造を、以下の作製工程にて両面が
鏡面研磨されたサファイアＡ面基板上に作製する。
族窒化物半導体レーザについて実施の形態の一例を図面
を用いて説明する。 ＜活性層を含む３族窒化物半導体からなる複数の結晶層
の作製＞有機金属化学気相成長法（ＭＯＣＶＤ）によ
り、図３に示す３族窒化物半導体レーザ素子構造すなわ
ちレーザ素子用の層構造を、以下の作製工程にて両面が
鏡面研磨されたサファイアＡ面基板上に作製する。
【００２６】まず、単結晶サファイア基板１０１を成膜
用ＭＯＣＶＤ成長炉に装填し、１０５０℃の温度におい
て３００Torrの圧力の水素気流中で１０分間保持し、サ
ファイア基板１０１の表面の熱クリーニングを行なう。
この後、サファイア基板１０１をその温度が６００℃に
なるまで降温し、窒素原料であるアンモニア（ＮＨ3）
と、Ａｌ原料であるトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）
を成長炉内に導入し、ＡｌＮからなるバッファ層１０２
を２０ｎｍの厚さに堆積させる。
用ＭＯＣＶＤ成長炉に装填し、１０５０℃の温度におい
て３００Torrの圧力の水素気流中で１０分間保持し、サ
ファイア基板１０１の表面の熱クリーニングを行なう。
この後、サファイア基板１０１をその温度が６００℃に
なるまで降温し、窒素原料であるアンモニア（ＮＨ3）
と、Ａｌ原料であるトリメチルアルミニウム（ＴＭＡ）
を成長炉内に導入し、ＡｌＮからなるバッファ層１０２
を２０ｎｍの厚さに堆積させる。
【００２７】続いてＴＭＡの供給を止め、ＮＨ3のみを
流したまま、バッファ層１０２が成膜されたサファイア
基板１０１の温度を再び１０５０℃に昇温し、トリメチ
ルガリウム（ＴＭＧ）を導入してｎ型ＧａＮ下地層１０
３を積層する。この時、ｎ型不純物であるＳｉの原料と
してメチルシラン（Ｍｅ−ＳｉＨ3）を成長雰囲気ガス
に添加する。
流したまま、バッファ層１０２が成膜されたサファイア
基板１０１の温度を再び１０５０℃に昇温し、トリメチ
ルガリウム（ＴＭＧ）を導入してｎ型ＧａＮ下地層１０
３を積層する。この時、ｎ型不純物であるＳｉの原料と
してメチルシラン（Ｍｅ−ＳｉＨ3）を成長雰囲気ガス
に添加する。
【００２８】ｎ型ＧａＮ下地層１０３が４μｍ程度成長
した時点で、ＴＭＧの供給のみを停止する。一方、Ｍｅ
−ＳｉＨ3はその供給量を増加してそのまま供給し続け
る。５分間この状態を保持した後、Ｍｅ−ＳｉＨ3供給
量をｎ型層として必要な量まで減らすと共に、ＴＭＧを
再度導入し、同時にＴＭＡを導入してｎ型ＡｌＧａＮク
ラッド層１０４の成膜を行なう。ｎ型ＡｌＧａＮクラッ
ド層１０４が０．５μｍ程度成長した時点でＴＭＡの供
給を停止し、ｎ型ＧａＮガイド層１０５を０．１μｍ成
長する。ｎ型ＧａＮガイド層１０５の成長が完了した時
点でＴＭＧ，Ｍｅ-ＳｉＨ3の供給を停止して降温を開始
し、基板温度を７５０℃とする。
した時点で、ＴＭＧの供給のみを停止する。一方、Ｍｅ
−ＳｉＨ3はその供給量を増加してそのまま供給し続け
る。５分間この状態を保持した後、Ｍｅ−ＳｉＨ3供給
量をｎ型層として必要な量まで減らすと共に、ＴＭＧを
再度導入し、同時にＴＭＡを導入してｎ型ＡｌＧａＮク
ラッド層１０４の成膜を行なう。ｎ型ＡｌＧａＮクラッ
ド層１０４が０．５μｍ程度成長した時点でＴＭＡの供
給を停止し、ｎ型ＧａＮガイド層１０５を０．１μｍ成
長する。ｎ型ＧａＮガイド層１０５の成長が完了した時
点でＴＭＧ，Ｍｅ-ＳｉＨ3の供給を停止して降温を開始
し、基板温度を７５０℃とする。
【００２９】基板温度が７５０℃となった時点でキャリ
アガスを水素から窒素に切換え、ガス流の状態が安定し
た時点でＴＭＧ、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）及び
Ｍｅ-ＳｉＨ3を導入してバリア層（障壁層）の成長を行
なう。次に、Ｍｅ-ＳｉＨ3の供給を停止するとともにＴ
ＭＩの流量を増加して、バリア層よりインジウム（Ｉ
ｎ）組成の高い井戸層を成長する。バリア層と井戸層の
成長は、多重量子井戸の設計繰返し数に合わせて繰り返
す。このようにして、多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有
する活性層１０６の成長を行なう。
アガスを水素から窒素に切換え、ガス流の状態が安定し
た時点でＴＭＧ、トリメチルインジウム（ＴＭＩ）及び
Ｍｅ-ＳｉＨ3を導入してバリア層（障壁層）の成長を行
なう。次に、Ｍｅ-ＳｉＨ3の供給を停止するとともにＴ
ＭＩの流量を増加して、バリア層よりインジウム（Ｉ
ｎ）組成の高い井戸層を成長する。バリア層と井戸層の
成長は、多重量子井戸の設計繰返し数に合わせて繰り返
す。このようにして、多重量子井戸（ＭＱＷ）構造を有
する活性層１０６の成長を行なう。
【００３０】最後の井戸層上にバリア（障壁）層を成膜
し該活性層を成膜した時点でＴＭＧ，ＴＭＩ，Ｍｅ-Ｓ
ｉＨ3の供給を停止すると共に、キャリアガスを窒素か
ら水素に切換え、ＮＨ3を流しつつ、ガス流の状態が安
定した時点で基板温度を再び１０５０℃に昇温し、ＴＭ
Ｇ，ＴＭＡとｐ型不純物であるＭｇの原料としてエチル
−シクロペンタジエニルマグネシウム（Ｅｔ−Ｃｐ2Ｍ
ｇ）を導入してｐ型ＡｌＧａＮ層１０７を０．０１μｍ
積層する。続いてＴＭＡの供給を停止し、ｐ型ＧａＮガ
イド層１０８を０．１μｍ成長し、再びＴＭＡを導入し
てｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０９を０．５μｍ成長す
る。更にこの上にｐ型ＧａＮコンタクト層１１０を０．
１μｍ成長させる。その後、ＴＭＧ及びＥｔ−Ｃｐ2Ｍ
ｇの供給を停止し、降温を開始し、基板温度が４００℃
になった時点で、ＮＨ3の供給も停止し、基板温度が室
温になった時点でウエハを反応炉より取り出す。＜ｐ型
発現処理＞成膜の完了したウエハを熱処理炉に設置し、
処理温度は８００℃、時間は２０分、雰囲気は大気圧の
窒素雰囲気中でｐ型発現処理を行なう。
し該活性層を成膜した時点でＴＭＧ，ＴＭＩ，Ｍｅ-Ｓ
ｉＨ3の供給を停止すると共に、キャリアガスを窒素か
ら水素に切換え、ＮＨ3を流しつつ、ガス流の状態が安
定した時点で基板温度を再び１０５０℃に昇温し、ＴＭ
Ｇ，ＴＭＡとｐ型不純物であるＭｇの原料としてエチル
−シクロペンタジエニルマグネシウム（Ｅｔ−Ｃｐ2Ｍ
ｇ）を導入してｐ型ＡｌＧａＮ層１０７を０．０１μｍ
積層する。続いてＴＭＡの供給を停止し、ｐ型ＧａＮガ
イド層１０８を０．１μｍ成長し、再びＴＭＡを導入し
てｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０９を０．５μｍ成長す
る。更にこの上にｐ型ＧａＮコンタクト層１１０を０．
１μｍ成長させる。その後、ＴＭＧ及びＥｔ−Ｃｐ2Ｍ
ｇの供給を停止し、降温を開始し、基板温度が４００℃
になった時点で、ＮＨ3の供給も停止し、基板温度が室
温になった時点でウエハを反応炉より取り出す。＜ｐ型
発現処理＞成膜の完了したウエハを熱処理炉に設置し、
処理温度は８００℃、時間は２０分、雰囲気は大気圧の
窒素雰囲気中でｐ型発現処理を行なう。
【００３１】このようにして図３に示すウエハを作製す
る。 ＜リッジ導波路の作製＞得られたウエハに対して、電流
狭窄を兼ねた屈折率導波構造としてリッジ構造の導波路
を形成する。まず、ｐ型発現処理の完了したウエハを蒸
着装置に装填し、ｐ型ＧａＮコンタクト層１１０上にニ
ッケル（Ｎｉ）膜（ｐ側電極）１１１を膜厚０．２μｍ
程度形成する。一般的なフォトリソグラフィ手法を用い
て、図４に示すように、５μｍ幅のストライプ状のＮｉ
膜１１１を残す。続いて、このＮｉストライプをマスク
に用いて反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行ない、
５μｍ幅以外の部分をｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０９
を約０．１μｍ残して除去し、図５に示すように、狭リ
ッジ構造のリッジ部２０２を形成する。
る。 ＜リッジ導波路の作製＞得られたウエハに対して、電流
狭窄を兼ねた屈折率導波構造としてリッジ構造の導波路
を形成する。まず、ｐ型発現処理の完了したウエハを蒸
着装置に装填し、ｐ型ＧａＮコンタクト層１１０上にニ
ッケル（Ｎｉ）膜（ｐ側電極）１１１を膜厚０．２μｍ
程度形成する。一般的なフォトリソグラフィ手法を用い
て、図４に示すように、５μｍ幅のストライプ状のＮｉ
膜１１１を残す。続いて、このＮｉストライプをマスク
に用いて反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）を行ない、
５μｍ幅以外の部分をｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０９
を約０．１μｍ残して除去し、図５に示すように、狭リ
ッジ構造のリッジ部２０２を形成する。
【００３２】この状態になったウエハのリッジ部２０２
及びｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０９上に、図６に示す
ように、ＳｉＯ2保護膜１１２をスパッタリングなどの
方法によって堆積する。その後、通常のフォトリソグラ
フィ法によって、図７に示すように、ｐ型リッジ部２０
２の頂面のＳｉＯ2保護膜１１２に、リッジ部伸長方向
に沿って３μｍ幅のＮｉ膜１１１を露出させる電極用窓
部１１３ａを形成する。 ＜電極層形成工程＞Ｎｉ膜１１１が露出している部分を
含め、全面にチタン（Ｔｉ）を０．０５μｍ、金（Ａ
ｕ）を０．２μｍの膜厚で順に蒸着してｐ側電極１１３
を形成する。このようにして、ウエハ上の個々の素子部
分においては、図８に示すような素子構造が形成され
る。 ＜メッキ工程＞こうして作製されたウエハのｐ側電極１
１３のＡｕ面上に、図９に示すように、例えばＳｉＯ2
などの絶縁材料からなる幅５〜２０μｍ程度の帯状パタ
ーンの複数の絶縁ストライプ２０１を形成する。この
時、絶縁ストライプ２０１の伸長方向がレーザ素子のリ
ッジ部２０２と垂直、すなわち、後に劈開される劈開面
と平行になるようにストライプ２０１を形成する。
及びｐ型ＡｌＧａＮクラッド層１０９上に、図６に示す
ように、ＳｉＯ2保護膜１１２をスパッタリングなどの
方法によって堆積する。その後、通常のフォトリソグラ
フィ法によって、図７に示すように、ｐ型リッジ部２０
２の頂面のＳｉＯ2保護膜１１２に、リッジ部伸長方向
に沿って３μｍ幅のＮｉ膜１１１を露出させる電極用窓
部１１３ａを形成する。 ＜電極層形成工程＞Ｎｉ膜１１１が露出している部分を
含め、全面にチタン（Ｔｉ）を０．０５μｍ、金（Ａ
ｕ）を０．２μｍの膜厚で順に蒸着してｐ側電極１１３
を形成する。このようにして、ウエハ上の個々の素子部
分においては、図８に示すような素子構造が形成され
る。 ＜メッキ工程＞こうして作製されたウエハのｐ側電極１
１３のＡｕ面上に、図９に示すように、例えばＳｉＯ2
などの絶縁材料からなる幅５〜２０μｍ程度の帯状パタ
ーンの複数の絶縁ストライプ２０１を形成する。この
時、絶縁ストライプ２０１の伸長方向がレーザ素子のリ
ッジ部２０２と垂直、すなわち、後に劈開される劈開面
と平行になるようにストライプ２０１を形成する。
【００３３】図１０は、ｐ側電極１１３のＡｕ面上に絶
縁ストライプを形成した後のウエハ平面図を示してい
る。絶縁ストライプ２０１の間隔Ｐは、最終的に作製さ
れるレーザ素子の共振器長と同一の寸法に設定する。次
に、絶縁ストライプを設けた状態で、ｐ側電極１１３の
Ａｕ面上に銅（Ｃｕ）の電解メッキを開始する。Ｃｕメ
ッキ不要の部分には予め保護膜を設けておく。図１１に
示すように、Ｃｕイオンを含む溶液５１で満たされた陽
極４９付きのメッキ槽５０を用意し、得られたウエハ１
０をこの槽中に浸して、ウエハ１０のｐ側電極１１３の
Ａｕ面を陰極として、一定時間、陽極陰極間に直流を流
して、Ｃｕを電解メッキする。メッキされたＣｕ膜１２
０すなわち金属膜の補助基板の膜厚としては５０〜１０
０μｍ程度に設定する。劈開工程までの補助基板材料と
しては、必ずしもＣｕである必要はないが、最終的にレ
ーザ素子をヒートシンクにマウントする際の熱伝導性を
考慮すると金属ではＣｕが最も好ましい。
縁ストライプを形成した後のウエハ平面図を示してい
る。絶縁ストライプ２０１の間隔Ｐは、最終的に作製さ
れるレーザ素子の共振器長と同一の寸法に設定する。次
に、絶縁ストライプを設けた状態で、ｐ側電極１１３の
Ａｕ面上に銅（Ｃｕ）の電解メッキを開始する。Ｃｕメ
ッキ不要の部分には予め保護膜を設けておく。図１１に
示すように、Ｃｕイオンを含む溶液５１で満たされた陽
極４９付きのメッキ槽５０を用意し、得られたウエハ１
０をこの槽中に浸して、ウエハ１０のｐ側電極１１３の
Ａｕ面を陰極として、一定時間、陽極陰極間に直流を流
して、Ｃｕを電解メッキする。メッキされたＣｕ膜１２
０すなわち金属膜の補助基板の膜厚としては５０〜１０
０μｍ程度に設定する。劈開工程までの補助基板材料と
しては、必ずしもＣｕである必要はないが、最終的にレ
ーザ素子をヒートシンクにマウントする際の熱伝導性を
考慮すると金属ではＣｕが最も好ましい。
【００３４】電解メッキを開始すると、絶縁ストライプ
２０１の付着している部分には電流が流れないためこの
部分にはＣｕが析出しない。析出するＣｕ１２０は最
初、図１２中のａで示したような断面形状となっている
が、メッキ時間の進行とともに、図１２中のｂで示した
ように、膜厚方向のみでなく横方向にも堆積していく。
更にメッキを継続すると、図１２中のｃで示したよう
に、絶縁ストライプ２０１の両側からのＣｕ膜１２０が
互いに接するようになる。これ以降はほぼ二次元的な膜
の堆積状況となる。本実施例のように幅１０μｍ程度の
絶縁ストライプの場合、十分な膜厚（５０〜１００μ
ｍ）で形成するとほぼ平坦な表面が得られる。
２０１の付着している部分には電流が流れないためこの
部分にはＣｕが析出しない。析出するＣｕ１２０は最
初、図１２中のａで示したような断面形状となっている
が、メッキ時間の進行とともに、図１２中のｂで示した
ように、膜厚方向のみでなく横方向にも堆積していく。
更にメッキを継続すると、図１２中のｃで示したよう
に、絶縁ストライプ２０１の両側からのＣｕ膜１２０が
互いに接するようになる。これ以降はほぼ二次元的な膜
の堆積状況となる。本実施例のように幅１０μｍ程度の
絶縁ストライプの場合、十分な膜厚（５０〜１００μ
ｍ）で形成するとほぼ平坦な表面が得られる。
【００３５】図１２中でｄで示した合体部分は互いに別
々に成長してきたＣｕ膜が出会っただけのものであるた
め、結晶として完全につながっているわけではない。ま
た、絶縁ストライプのパターン幅を広く設定するとＣｕ
膜の合体が遅れるためこの部分でのＣｕの強度低下が大
きく、劈開が容易になる。上記した絶縁ストライプ２０
１の形成時に、図１３に示すように、ストライプパター
ンの幅をリッジ近傍２０１−ａの部分よりそれ以外の部
分２０１−ｂで太くしておくことができる。メッキ工程
時に、図１４に示すように、幅が広く設定されている部
分２０１−ｂ近傍の合体のみを遅れさせることができ
る。
々に成長してきたＣｕ膜が出会っただけのものであるた
め、結晶として完全につながっているわけではない。ま
た、絶縁ストライプのパターン幅を広く設定するとＣｕ
膜の合体が遅れるためこの部分でのＣｕの強度低下が大
きく、劈開が容易になる。上記した絶縁ストライプ２０
１の形成時に、図１３に示すように、ストライプパター
ンの幅をリッジ近傍２０１−ａの部分よりそれ以外の部
分２０１−ｂで太くしておくことができる。メッキ工程
時に、図１４に示すように、幅が広く設定されている部
分２０１−ｂ近傍の合体のみを遅れさせることができ
る。
【００３６】メッキ工程完了後、ウエハに対し所定の洗
浄を行ない、Ｃｕ膜１２０上に、蒸着によりＡｕベース
薄膜１２１を形成する。このようにして、ウエハ上の個
々の素子部分においては、図１５に示すような素子構造
が形成される。Ｃｕは比較的酸化しやすいので、最終的
に作製したレーザチップのボンディング性を考慮する
と、Ｃｕ膜１２０表面を保護しておいた方が望ましく、
このためＣｕ膜１２０の表面にＡｕ膜１２１を蒸着など
の方法で形成しておくのである。その際、中間に付着強
度増大用を目的としてクロム（Ｃｒ）、Ｔｉなどの薄い
金属膜を介しておくと更によい。
浄を行ない、Ｃｕ膜１２０上に、蒸着によりＡｕベース
薄膜１２１を形成する。このようにして、ウエハ上の個
々の素子部分においては、図１５に示すような素子構造
が形成される。Ｃｕは比較的酸化しやすいので、最終的
に作製したレーザチップのボンディング性を考慮する
と、Ｃｕ膜１２０表面を保護しておいた方が望ましく、
このためＣｕ膜１２０の表面にＡｕ膜１２１を蒸着など
の方法で形成しておくのである。その際、中間に付着強
度増大用を目的としてクロム（Ｃｒ）、Ｔｉなどの薄い
金属膜を介しておくと更によい。
【００３７】このように、メッキ工程においては、後の
劈開工程において得られる積層結晶層の所望のレーザ共
振器となるべき劈開面とほぼ揃ったメッキ接合面ｄを発
現するように、ＧａＮ系結晶層の結晶方位とストライプ
伸長方向とを合わせておく。 ＜メッキされた金属膜への貼着＞次に、図１６に示すよ
うに、ウエハに形成されたＧａＮ系レーザ構造の電極上
のＣｕ膜１２０のＡｕベース薄膜１２１上に、Ｉｎなど
の低融点金属を介して、厚さ０．１ｍｍ程度の保持金属
板１４０を貼り付ける。 ＜サファイア側からのウエハへの光照射＞次に、例え
ば、ＹＡＧレーザの４倍波（波長２６６ｎｍ）、ＫｒＦ
エキシマ（波長２４８ｎｍ）など紫外線域の短波長高出
力レーザによって、図１７に示すように、サファイア基
板１０１の裏面側すなわち下地層１０３の外側から、下
地層に向け、集光レンズで絞って光ビームＬａを照射す
る。光ビーム照射は下地層全面に一様に照射してもよい
が、所定ピッチ又はランダムにスポット状又はライン状
に一様に走査して照射してもよい。
劈開工程において得られる積層結晶層の所望のレーザ共
振器となるべき劈開面とほぼ揃ったメッキ接合面ｄを発
現するように、ＧａＮ系結晶層の結晶方位とストライプ
伸長方向とを合わせておく。 ＜メッキされた金属膜への貼着＞次に、図１６に示すよ
うに、ウエハに形成されたＧａＮ系レーザ構造の電極上
のＣｕ膜１２０のＡｕベース薄膜１２１上に、Ｉｎなど
の低融点金属を介して、厚さ０．１ｍｍ程度の保持金属
板１４０を貼り付ける。 ＜サファイア側からのウエハへの光照射＞次に、例え
ば、ＹＡＧレーザの４倍波（波長２６６ｎｍ）、ＫｒＦ
エキシマ（波長２４８ｎｍ）など紫外線域の短波長高出
力レーザによって、図１７に示すように、サファイア基
板１０１の裏面側すなわち下地層１０３の外側から、下
地層に向け、集光レンズで絞って光ビームＬａを照射す
る。光ビーム照射は下地層全面に一様に照射してもよい
が、所定ピッチ又はランダムにスポット状又はライン状
に一様に走査して照射してもよい。
【００３８】照射に用いるレーザ光の波長例えば２４８
ｎｍにおいて基板のサファイアがほとんど透明であるの
に対して、ＧａＮの吸収端は３６５ｎｍであるため、わ
ずかな浸透深さで照射光が吸収される。また、サファイ
ア基板とＧａＮ間に存在する大きな格子不整合のため、
界面近傍のＧａＮには極めて結晶欠陥が多く存在するた
め、吸収された光のエネルギーは熱に変換され、界面近
傍のＧａＮの温度が急激に上昇し、金属Ｇａと窒素に分
解することになる。サファイア基板１０１と下地層１０
３との界面において、窒化物半導体の分解物領域１５０
が形成される。
ｎｍにおいて基板のサファイアがほとんど透明であるの
に対して、ＧａＮの吸収端は３６５ｎｍであるため、わ
ずかな浸透深さで照射光が吸収される。また、サファイ
ア基板とＧａＮ間に存在する大きな格子不整合のため、
界面近傍のＧａＮには極めて結晶欠陥が多く存在するた
め、吸収された光のエネルギーは熱に変換され、界面近
傍のＧａＮの温度が急激に上昇し、金属Ｇａと窒素に分
解することになる。サファイア基板１０１と下地層１０
３との界面において、窒化物半導体の分解物領域１５０
が形成される。
【００３９】この窒化物半導体の分解物領域１５０は、
製造用に用いられるサファイア基板１０１とＧａＮ又は
ＡｌＮなどの下地層１０３の結晶とを分離するために、
設けられている。すなわち、レーザ光ビームの波長は、
サファイアなどの成長用基板を透過しかつ界面に接する
ＧａＮなどのレーザ構造の下地となる結晶層に吸収され
る波長から選択される。かかる光ビームによって、サフ
ァイア基板１０１とＧａＮなどの下地層１０３結晶と間
の結晶結合が破壊される。よって、下地層１０３側は分
解物領域に沿ってサファイア基板１０１から剥がれ易く
なる。＜サファイア及びレーザ構造部分の剥離＞その
後、ウエハのサファイア基板１０１を少し加熱する。分
解によって生じた金属Ｇａが溶融すればよいので、加熱
温度は４０℃程度で足りる。
製造用に用いられるサファイア基板１０１とＧａＮ又は
ＡｌＮなどの下地層１０３の結晶とを分離するために、
設けられている。すなわち、レーザ光ビームの波長は、
サファイアなどの成長用基板を透過しかつ界面に接する
ＧａＮなどのレーザ構造の下地となる結晶層に吸収され
る波長から選択される。かかる光ビームによって、サフ
ァイア基板１０１とＧａＮなどの下地層１０３結晶と間
の結晶結合が破壊される。よって、下地層１０３側は分
解物領域に沿ってサファイア基板１０１から剥がれ易く
なる。＜サファイア及びレーザ構造部分の剥離＞その
後、ウエハのサファイア基板１０１を少し加熱する。分
解によって生じた金属Ｇａが溶融すればよいので、加熱
温度は４０℃程度で足りる。
【００４０】この加熱によって、下地層１０３側の分解
物領域においてガリウムと窒素の結合が解けすなわちＧ
ａＮの結合がはずれているので、図１８に示すように、
サファイア基板１０１は、レーザ構造部分及びＣｕ膜１
２０の一体から分離する。レーザ構造部分のＧａＮ膜１
０３などは合計数μｍ程度の厚さであるが、厚いＣｕ膜
１２０で裏打ちされているので離散することはない。Ｇ
ａＮ結晶部分の膜厚は数μｍ程度のものであるので、も
し、何も貼らずにサファイア基板１０１から分離すると
極めて容易に破損してしまうはずである。しかしなが
ら、数１０μｍ程度の厚さのＣｕ膜１２０が付着してい
る上、保持金属板１４０に貼り付けてあるため、レーザ
構造部分は容易には破損しない。
物領域においてガリウムと窒素の結合が解けすなわちＧ
ａＮの結合がはずれているので、図１８に示すように、
サファイア基板１０１は、レーザ構造部分及びＣｕ膜１
２０の一体から分離する。レーザ構造部分のＧａＮ膜１
０３などは合計数μｍ程度の厚さであるが、厚いＣｕ膜
１２０で裏打ちされているので離散することはない。Ｇ
ａＮ結晶部分の膜厚は数μｍ程度のものであるので、も
し、何も貼らずにサファイア基板１０１から分離すると
極めて容易に破損してしまうはずである。しかしなが
ら、数１０μｍ程度の厚さのＣｕ膜１２０が付着してい
る上、保持金属板１４０に貼り付けてあるため、レーザ
構造部分は容易には破損しない。
【００４１】その後に、サファイア基板を除去したレー
ザ構造部分及びＣｕ膜１２０を保持金属板に貼り付けた
まま希酸に浸し、残留している金属Ｇａを除去する。し
かる後に、保持金属板１４０ごと蒸着機に装填し、図１
９に示すように、サファイア基板除去部分にはｎ型Ｇａ
Ｎ膜１０３が露出しているので、ここにチタン（Ｔｉ）
を０．０５μｍ厚、続いてアルミニウム（Ａｌ）を０．
２μｍ厚で蒸着してｎ側電極１０３ａを形成する。 ＜ＧａＮ下地層の劈開＞でき上がったレーザ構造部分及
びＣｕ膜１２０の下地層１０３のＧａＮ側から、図２０
に示すように、絶縁ストライプの位置に合わせてｎ側電
極１０３ａ上に、ダイヤモンドポイントで傷ｊを入れ
る。
ザ構造部分及びＣｕ膜１２０を保持金属板に貼り付けた
まま希酸に浸し、残留している金属Ｇａを除去する。し
かる後に、保持金属板１４０ごと蒸着機に装填し、図１
９に示すように、サファイア基板除去部分にはｎ型Ｇａ
Ｎ膜１０３が露出しているので、ここにチタン（Ｔｉ）
を０．０５μｍ厚、続いてアルミニウム（Ａｌ）を０．
２μｍ厚で蒸着してｎ側電極１０３ａを形成する。 ＜ＧａＮ下地層の劈開＞でき上がったレーザ構造部分及
びＣｕ膜１２０の下地層１０３のＧａＮ側から、図２０
に示すように、絶縁ストライプの位置に合わせてｎ側電
極１０３ａ上に、ダイヤモンドポイントで傷ｊを入れ
る。
【００４２】その後、図２１に示すように、保持金属板
１４０を湾曲させることによってＧａＮ膜１０３を劈開
するとともにＣｕ膜をメッキ接合面ｄにて裂割して複数
本のレーザバー３００を形成する。このようにして、Ｃ
ｕ膜１２０とともに下地層１０３を、リッジ導波路伸長
方向に垂直な方向（矢印の方向）に素子長ピッチで劈開
する。
１４０を湾曲させることによってＧａＮ膜１０３を劈開
するとともにＣｕ膜をメッキ接合面ｄにて裂割して複数
本のレーザバー３００を形成する。このようにして、Ｃ
ｕ膜１２０とともに下地層１０３を、リッジ導波路伸長
方向に垂直な方向（矢印の方向）に素子長ピッチで劈開
する。
【００４３】また、ダイヤモンドポイントの他に、高出
力レーザポイント照射でスクライビング（いわゆるケガ
キ）を行なうこともできる。前述したように絶縁ストラ
イプの存在する部位のＣｕ膜は完全に一体化しているわ
けではないため、Ｃｕ膜はその合体部分すなわちメッキ
接合面ｄで容易に分離してしまう。更に、図１３に示し
たように、絶縁ストライプ２０１の幅を変えておくと更
にいっそう割り易く設定できるため、ダイヤモンドポイ
ントでケガキ線をいれなくても劈開することが可能にな
る。
力レーザポイント照射でスクライビング（いわゆるケガ
キ）を行なうこともできる。前述したように絶縁ストラ
イプの存在する部位のＣｕ膜は完全に一体化しているわ
けではないため、Ｃｕ膜はその合体部分すなわちメッキ
接合面ｄで容易に分離してしまう。更に、図１３に示し
たように、絶縁ストライプ２０１の幅を変えておくと更
にいっそう割り易く設定できるため、ダイヤモンドポイ
ントでケガキ線をいれなくても劈開することが可能にな
る。
【００４４】その劈開作業終了後、レーザバーを担持す
る保持金属板１４０を、Ｉｎの融点以上に加熱すること
で、保持金属板１４０から個々のレーザバーを分離す
る。 ＜反射膜を被覆＞その後、必要に応じて、作製されたレ
ーザバー３００の破断面（ＧａＮの多層１０３〜１１１
の劈開面）に対し、スパッタ装置などを用いて誘電体多
層反射膜を形成する。 ＜レーザチップ化＞図２２に示すように、レーザーバー
３００を切断して、個々のレーザチップに分離する。 ＜組立＞本発明により作製したレーザチップをヒートシ
ンクにマウントする場合、Ｃｕ膜１２０側をヒートシン
ク側にしてボンディングし、さらに所定工程を経て、図
２３に示す屈折率導波型の３族窒化物半導体レーザ素子
が完成する。この場合、サブマウントを必要としないた
め好適である。Ｃｕという極めて熱伝導率のよいサブマ
ウントがすでに取り付けられているのと等価であり、レ
ーザの発光点からヒートシンクまでの距離も数１０μｍ
以上得られるので、放射ビームのヒートシンクとの干渉
も避けられる。
る保持金属板１４０を、Ｉｎの融点以上に加熱すること
で、保持金属板１４０から個々のレーザバーを分離す
る。 ＜反射膜を被覆＞その後、必要に応じて、作製されたレ
ーザバー３００の破断面（ＧａＮの多層１０３〜１１１
の劈開面）に対し、スパッタ装置などを用いて誘電体多
層反射膜を形成する。 ＜レーザチップ化＞図２２に示すように、レーザーバー
３００を切断して、個々のレーザチップに分離する。 ＜組立＞本発明により作製したレーザチップをヒートシ
ンクにマウントする場合、Ｃｕ膜１２０側をヒートシン
ク側にしてボンディングし、さらに所定工程を経て、図
２３に示す屈折率導波型の３族窒化物半導体レーザ素子
が完成する。この場合、サブマウントを必要としないた
め好適である。Ｃｕという極めて熱伝導率のよいサブマ
ウントがすでに取り付けられているのと等価であり、レ
ーザの発光点からヒートシンクまでの距離も数１０μｍ
以上得られるので、放射ビームのヒートシンクとの干渉
も避けられる。
【００４５】図２３に示す素子は、レーザ基板と、その
上に接着されたＣｕ膜１２０の結合したチップからな
り、Ｃｕ膜１２０側がヒートシンクとなる電気伝導性チ
ップキャリア１１上に接着されている。レーザ基板は、
３族窒化物半導体（ＡｌxＧａ1 -x）1-yＩｎyＮ（０≦ｘ
≦１，０≦ｙ≦１）からなる結晶層の複数１０４〜１１
０及び電極層１１３を、（Ａｌx'Ｇａ1-x'）1-y'Ｉｎy'
Ｎ（０≦ｘ’≦１，０≦ｙ’≦１）の下地層１０３上
に、順に積層してなる。積層した結晶層には活性層が含
まれている。Ｃｕ膜１２０はメッキによって形成されて
いる。積層した結晶層に対して下地層１０３の反対側に
形成されたＣｕ膜１２０は、積層した結晶層のレーザ共
振器となるべき劈開面とほぼ揃った疑似の劈開性又は裂
開性のメッキ接合面を有している。メッキ工程におい
て、絶縁ストライプにより制限された電着が行われたた
めである。レーザ基板の下地層１０３側はヒートシンク
チップキャリア１１に接着されこれを介して外部電極へ
接続されている。窒化物半導体の劈開面の法線方向（図
面の法線方向）に伸長するリッジ導波路を有している。
上に接着されたＣｕ膜１２０の結合したチップからな
り、Ｃｕ膜１２０側がヒートシンクとなる電気伝導性チ
ップキャリア１１上に接着されている。レーザ基板は、
３族窒化物半導体（ＡｌxＧａ1 -x）1-yＩｎyＮ（０≦ｘ
≦１，０≦ｙ≦１）からなる結晶層の複数１０４〜１１
０及び電極層１１３を、（Ａｌx'Ｇａ1-x'）1-y'Ｉｎy'
Ｎ（０≦ｘ’≦１，０≦ｙ’≦１）の下地層１０３上
に、順に積層してなる。積層した結晶層には活性層が含
まれている。Ｃｕ膜１２０はメッキによって形成されて
いる。積層した結晶層に対して下地層１０３の反対側に
形成されたＣｕ膜１２０は、積層した結晶層のレーザ共
振器となるべき劈開面とほぼ揃った疑似の劈開性又は裂
開性のメッキ接合面を有している。メッキ工程におい
て、絶縁ストライプにより制限された電着が行われたた
めである。レーザ基板の下地層１０３側はヒートシンク
チップキャリア１１に接着されこれを介して外部電極へ
接続されている。窒化物半導体の劈開面の法線方向（図
面の法線方向）に伸長するリッジ導波路を有している。
【００４６】図１９に示すように、この半導体レーザ素
子のレーザ基板は複数の結晶層からなり、ｎ型ＧａＮ下
地層１０３上に順に積層された、ｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ
層１０４、ｎ型ＧａＮ層１０５、ＩｎＧａＮを主たる構
成要素とする活性層１０６、ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層１
０７、ｐ型ＧａＮ層１０８、ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層１
０９、及びｐ型ＧａＮ層１１０からなる。ｐ型Ａｌ0.1
Ｇａ0.9Ｎ層１０９にはリッジストライプ部２０２が形
成されており、窒化物半導体の劈開面の法線方向に伸長
する導波路を有するようになっており、電極以外、Ｓｉ
Ｏ2の絶縁膜１１２で被覆保護されている。ｎ側電極は
ｎ型ＧａＮ層１０３の下地層側にチップキャリア１１を
介して接続され、ｐ側電極はｐ型ＧａＮコンタクト層１
１０側にＣｕ膜１２０を介して接続される。
子のレーザ基板は複数の結晶層からなり、ｎ型ＧａＮ下
地層１０３上に順に積層された、ｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ
層１０４、ｎ型ＧａＮ層１０５、ＩｎＧａＮを主たる構
成要素とする活性層１０６、ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層１
０７、ｐ型ＧａＮ層１０８、ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層１
０９、及びｐ型ＧａＮ層１１０からなる。ｐ型Ａｌ0.1
Ｇａ0.9Ｎ層１０９にはリッジストライプ部２０２が形
成されており、窒化物半導体の劈開面の法線方向に伸長
する導波路を有するようになっており、電極以外、Ｓｉ
Ｏ2の絶縁膜１１２で被覆保護されている。ｎ側電極は
ｎ型ＧａＮ層１０３の下地層側にチップキャリア１１を
介して接続され、ｐ側電極はｐ型ＧａＮコンタクト層１
１０側にＣｕ膜１２０を介して接続される。
【００４７】この半導体レーザ素子では、活性層１０６
において電子と正孔を再結合させることによって発光す
る。ｎ型ＧａＮ層１０５及びｐ型ＧａＮ層１０８はガイ
ド層であり、活性層１０６で発生した光をここに導波す
るとともに活性層１０６よりバンドギャップが大きく設
定することによって電子及び正孔を活性層１０６内に効
果的に閉じ込めるようになっている。ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ
0.8Ｎ層１０７は注入されたキャリア（特に電子）の閉
じ込めを更に強化する障壁層であり、ｎ型Ａｌ0. 1Ｇａ
0.9Ｎ層１０４及びｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層１０９はガ
イド層１０５，１０８より低屈折率で作製されているク
ラッド層であり、ガイド層との屈折率差によって導波が
行なわれる。リッジストライプ部２０２はクラッド層１
０９の厚さを変化させることで実効屈折率に横方向の段
差を生じさせて、発生した光を横方向に閉じ込めるため
に設けてある。
において電子と正孔を再結合させることによって発光す
る。ｎ型ＧａＮ層１０５及びｐ型ＧａＮ層１０８はガイ
ド層であり、活性層１０６で発生した光をここに導波す
るとともに活性層１０６よりバンドギャップが大きく設
定することによって電子及び正孔を活性層１０６内に効
果的に閉じ込めるようになっている。ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ
0.8Ｎ層１０７は注入されたキャリア（特に電子）の閉
じ込めを更に強化する障壁層であり、ｎ型Ａｌ0. 1Ｇａ
0.9Ｎ層１０４及びｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層１０９はガ
イド層１０５，１０８より低屈折率で作製されているク
ラッド層であり、ガイド層との屈折率差によって導波が
行なわれる。リッジストライプ部２０２はクラッド層１
０９の厚さを変化させることで実効屈折率に横方向の段
差を生じさせて、発生した光を横方向に閉じ込めるため
に設けてある。
【００４８】上記実施例では、サファイアＡ面基板上に
レーザ構造を形成した素子を説明したが、さらに、サフ
ァイア基板Ｃ面上に上記したリッジ型レーザ構造を形成
した素子を形成することもできる。
レーザ構造を形成した素子を説明したが、さらに、サフ
ァイア基板Ｃ面上に上記したリッジ型レーザ構造を形成
した素子を形成することもできる。
【００４９】
【発明の効果】本発明によれば、光照射による成長用基
板の剥離を可能としているので、共振器部分はその構成
半導体材料である窒化半導体の劈開面そのもので形成す
るようにできる。これにより、原子レベルで平坦な反射
鏡面が得られる。散乱損失を低減できる。この結果、連
続発振が達成されるとともに、実用的な素子寿命が確保
される。さらに、両極に対して電気伝導性の基板への接
着が可能となり、電極構造が簡素になる。
板の剥離を可能としているので、共振器部分はその構成
半導体材料である窒化半導体の劈開面そのもので形成す
るようにできる。これにより、原子レベルで平坦な反射
鏡面が得られる。散乱損失を低減できる。この結果、連
続発振が達成されるとともに、実用的な素子寿命が確保
される。さらに、両極に対して電気伝導性の基板への接
着が可能となり、電極構造が簡素になる。
【図１】 サファイア基板上に形成された半導体レーザ
の概略断面図。。
の概略断面図。。
【図２】 サファイア基板上に成膜されたＧａＮ結晶層
の破断面を示す概略斜視図。
の破断面を示す概略斜視図。
【図３】 本発明による実施例の半導体レーザの製造工
程中におけるレーザ基板ウエハの概略断面図。
程中におけるレーザ基板ウエハの概略断面図。
【図４】 本発明による実施例の半導体レーザの製造工
程中におけるレーザ基板ウエハの概略断面図。
程中におけるレーザ基板ウエハの概略断面図。
【図５】 本発明による実施例の半導体レーザの製造工
程中におけるレーザ基板ウエハの概略斜視図。
程中におけるレーザ基板ウエハの概略斜視図。
【図６】 本発明による実施例の半導体レーザの製造工
程中におけるレーザ基板ウエハの概略斜視図。
程中におけるレーザ基板ウエハの概略斜視図。
【図７】 本発明による実施例の半導体レーザの製造工
程中におけるレーザ基板ウエハの概略斜視図。
程中におけるレーザ基板ウエハの概略斜視図。
【図８】 本発明による実施例の半導体レーザの製造工
程中におけるレーザ基板ウエハの概略斜視図。
程中におけるレーザ基板ウエハの概略斜視図。
【図９】 本発明による実施例の半導体レーザの製造工
程中におけるレーザ基板ウエハの概略斜視図。
程中におけるレーザ基板ウエハの概略斜視図。
【図１０】 本発明による実施例の半導体レーザの製造
工程中におけるレーザ基板ウエハの概略平面図。
工程中におけるレーザ基板ウエハの概略平面図。
【図１１】 本発明による実施例の半導体レーザの製造
工程中におけるレーザ基板ウエハ用のメッキ浴槽の概略
断面図。
工程中におけるレーザ基板ウエハ用のメッキ浴槽の概略
断面図。
【図１２】 本発明による実施例の半導体レーザの製造
工程中におけるレーザ基板ウエハの概略拡大断面図。
工程中におけるレーザ基板ウエハの概略拡大断面図。
【図１３】 本発明による実施例の半導体レーザの製造
工程中におけるレーザ基板ウエハの概略拡大平面図。
工程中におけるレーザ基板ウエハの概略拡大平面図。
【図１４】 本発明による実施例の半導体レーザの製造
工程中におけるレーザ基板ウエハの概略拡大断面図。
工程中におけるレーザ基板ウエハの概略拡大断面図。
【図１５】 本発明による実施例の半導体レーザの製造
工程中におけるレーザ基板ウエハの概略斜視図。
工程中におけるレーザ基板ウエハの概略斜視図。
【図１６】 本発明による実施例の半導体レーザの製造
工程中におけるレーザ基板ウエハの概略斜視図。
工程中におけるレーザ基板ウエハの概略斜視図。
【図１７】 本発明による実施例の半導体レーザの製造
工程中におけるレーザ基板ウエハの概略斜視図。
工程中におけるレーザ基板ウエハの概略斜視図。
【図１８】 本発明による実施例の半導体レーザの製造
工程中におけるレーザ基板ウエハの概略斜視図。
工程中におけるレーザ基板ウエハの概略斜視図。
【図１９】 本発明による実施例の半導体レーザの製造
工程中におけるレーザ基板ウエハの概略断面図。
工程中におけるレーザ基板ウエハの概略断面図。
【図２０】 本発明による実施例の半導体レーザの製造
工程中におけるレーザ基板ウエハの概略斜視図。
工程中におけるレーザ基板ウエハの概略斜視図。
【図２１】 本発明による実施例の半導体レーザの製造
工程中におけるレーザ基板ウエハの概略断面図。
工程中におけるレーザ基板ウエハの概略断面図。
【図２２】 本発明による実施例の半導体レーザの製造
工程中におけるレーザバーの概略斜視図。
工程中におけるレーザバーの概略斜視図。
【図２３】 本発明による実施例の半導体レーザの概略
断面図。
断面図。
１０１ 単結晶サファイア基板 １０２ 低温成膜ＧａＮ（又はＡｌＮ）層 １０３ ｎ型ＧａＮ層 １０４ ｎ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層 １０５ ｎ型ＧａＮ層 １０６ ＩｎＧａＮ活性層 １０７ ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ層 １０８ ｐ型ＧａＮ層 １０９ ｐ型Ａｌ0.1Ｇａ0.9Ｎ層 １１０ ｐ型ＧａＮ層 １１１ ｐ側電極 １１２ ＳｉＯ2絶縁膜 １１３ 電極層 １２０ メッキされた金属膜 １４０ 保持金属板
Claims (22)
- 【請求項１】 活性層を含む３族窒化物半導体からなる
複数の結晶層を、３族窒化物半導体からなる下地層上
に、順に積層して得られる窒化物半導体レーザの製造方
法であって、 基板上に成膜された下地層上に結晶層の複数を形成する
結晶層形成工程と、 前記結晶層の最表面上に電極層を形成する電極層形成工
程と、 前記電極層上に金属膜をメッキするメッキ工程と、 前記基板及び下地層間の界面に向け、前記基板側から光
を照射して、窒化物半導体の分解物領域を形成する光照
射工程と、 前記結晶層を担持した前記下地層を前記分解物領域に沿
って前記基板から剥離する剥離工程と、 前記結晶層を担持した前記下地層を劈開し、劈開面を形
成する劈開工程と、を含むことを特徴とする製造方法。 - 【請求項２】 前記メッキ工程は、金属膜をメッキする
前に、前記窒化物半導体に形成されるべき劈開面の伸長
方向に平行に伸長する絶縁ストライプを前記電極層上に
形成する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の製
造方法。 - 【請求項３】 前記絶縁ストライプに平行にケガキ線を
前記結晶層に付与して、前記劈開工程にて、前記結晶層
を担持した前記下地層を劈開することを特徴とする請求
項１又は２記載の製造方法。 - 【請求項４】 前記金属膜は、銅であることを特徴とす
る請求項１記載の製造方法。 - 【請求項５】 前記光は、前記基板を透過しかつ前記界
面近傍の下地層に吸収される波長を有する光から選択さ
れることを特徴とする請求項１記載の製造方法。 - 【請求項６】 前記光照射工程において、前記光は前記
基板及び下地層間の界面に一様に又はスポット状若しく
はライン状に走査され照射されることを特徴とする請求
項１記載の製造方法。 - 【請求項７】 前記結晶層形成工程は前記窒化物半導体
の形成されるべき劈開面の法線方向に伸長する導波路を
形成する工程を含むことを特徴とする請求項１記載の製
造方法。 - 【請求項８】 前記結晶層の形成が有機金属化学気相成
長法で行なわれることを特徴とする請求項１記載の製造
方法。 - 【請求項９】 前記光照射工程において、前記光はＹＡ
Ｇレーザの４倍波である紫外光であることを特徴とする
請求項１記載の製造方法。 - 【請求項１０】 活性層を含む３族窒化物半導体からな
る結晶層の複数を、下地層上に、順に積層してなる窒化
物半導体レーザであって、前記積層した結晶層に対して
前記下地層の反対側にメッキされた金属膜を有すること
を特徴とする窒化物半導体レーザ。 - 【請求項１１】 前記メッキされた金属膜は積層した前
記結晶層のレーザ共振器となるべき劈開面とほぼ揃った
メッキ接合面を有することを特徴とする請求項１０記載
の窒化物半導体レーザ。 - 【請求項１２】 前記窒化物半導体からなる前記結晶層
の劈開面の法線方向に伸長する導波路を有することを特
徴とする請求項１０又は１１記載の窒化物半導体レー
ザ。 - 【請求項１３】 前記メッキされた金属膜は銅であるこ
とを特徴とする請求項１0記載の窒化物半導体レーザ。 - 【請求項１４】 前記下地層側がヒートシンクに接着さ
れることを特徴とする請求項１０記載の窒化物半導体レ
ーザ。 - 【請求項１５】 前記メッキされた金属膜側がヒートシ
ンクに接着されることを特徴とする請求項１０記載の窒
化物半導体レーザ。 - 【請求項１６】 基板上に３族窒化物半導体からなる１
以上の結晶層を順に積層して得られる窒化物半導体ウエ
ハから該基板を分離する分離方法であって、 前記結晶層の最表面上に補助基板を形成する工程と、 前記基板及び結晶層間の界面に向け、前記基板側から光
を照射して、窒化物半導体の分解物領域を形成する光照
射工程と、 前記結晶層を前記分解物領域に沿って前記基板から剥離
する剥離工程と、を含むことを特徴とする分離方法。 - 【請求項１７】 前記補助基板を形成する工程は、前記
結晶層の最表面上に前記補助基板として金属膜をメッキ
するメッキ工程を含むことを特徴とする請求項１６記載
の分離方法。 - 【請求項１８】 前記メッキ工程は、前記結晶層の最表
面上に予め電極層を形成する電極層形成工程を含むこと
を特徴とする請求項１７記載の分離方法。 - 【請求項１９】 前記金属膜は、銅であることを特徴と
する請求項１７記載の分離方法。 - 【請求項２０】 前記光は、前記基板を透過しかつ前記
界面近傍の結晶層に吸収される波長を有する光から選択
されることを特徴とする請求項１６記載の分離方法。 - 【請求項２１】 前記光照射工程において、前記光は前
記基板及び下地層間の界面に一様に又はスポット状若し
くはライン状に走査され照射されることを特徴とする請
求項１６記載の分離方法。 - 【請求項２２】 前記光照射工程において、前記光はＹ
ＡＧレーザの４倍波である紫外光であることを特徴とす
る請求項１６記載の分離方法。
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
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|---|---|
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Cited By (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005064475A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-03-10 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
| WO2007034834A1 (ja) * | 2005-09-20 | 2007-03-29 | Showa Denko K.K. | 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2007088059A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Showa Denko Kk | 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2007088048A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Showa Denko Kk | 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2007149988A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Tokyo Institute Of Technology | レーザーリフトオフ法およびレーザーリフトオフ装置 |
| US7244628B2 (en) | 2003-05-22 | 2007-07-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor devices |
| JP2007521635A (ja) * | 2003-09-19 | 2007-08-02 | ティンギ テクノロジーズ プライベート リミテッド | 半導体デバイスの製造 |
| JP2007227980A (ja) * | 2007-06-08 | 2007-09-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子および発光素子の製造方法 |
| JP2007526618A (ja) * | 2003-06-04 | 2007-09-13 | チェオル ユー，ミュング | 縦型構造複合半導体装置 |
| JP2007529099A (ja) * | 2003-09-19 | 2007-10-18 | ティンギ テクノロジーズ プライベート リミテッド | 半導体デバイス上における伝導性金属層の製造 |
| JP2007536725A (ja) * | 2004-04-28 | 2007-12-13 | バーティクル，インク | 縦構造半導体装置 |
| JP2008078274A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Tohoku Univ | 半導体素子の製造方法 |
| JP2008521220A (ja) * | 2004-11-15 | 2008-06-19 | バーティクル，インク | 機能が向上された厚い超伝導フィルム |
| KR100849788B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2008-07-31 | 삼성전기주식회사 | 수직형 반도체 발광 소자의 제조 방법 |
| JP2009065182A (ja) * | 2002-09-30 | 2009-03-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 半導体構成素子の製造方法 |
| US7511311B2 (en) | 2002-08-01 | 2009-03-31 | Nichia Corporation | Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing the same, and light-emitting apparatus including the same |
| JP2009302589A (ja) * | 2001-10-26 | 2009-12-24 | Lg Electronics Inc | 垂直構造ダイオードとその製造方法 |
| US7786489B2 (en) | 2005-09-13 | 2010-08-31 | Showa Denko K.K. | Nitride semiconductor light emitting device and production method thereof |
| JP2011100817A (ja) * | 2009-11-05 | 2011-05-19 | Stanley Electric Co Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
| US8004001B2 (en) | 2005-09-29 | 2011-08-23 | Tinggi Technologies Private Limited | Fabrication of semiconductor devices for light emission |
| US8067269B2 (en) | 2005-10-19 | 2011-11-29 | Tinggi Technologies Private Limted | Method for fabricating at least one transistor |
| US8124994B2 (en) | 2006-09-04 | 2012-02-28 | Tinggi Technologies Private Limited | Electrical current distribution in light emitting devices |
| US8288787B2 (en) | 2002-06-26 | 2012-10-16 | Lg Electronics, Inc. | Thin film light emitting diode |
| US8309377B2 (en) | 2004-04-07 | 2012-11-13 | Tinggi Technologies Private Limited | Fabrication of reflective layer on semiconductor light emitting devices |
| US8329556B2 (en) | 2005-12-20 | 2012-12-11 | Tinggi Technologies Private Limited | Localized annealing during semiconductor device fabrication |
| US8384120B2 (en) | 2002-04-09 | 2013-02-26 | Lg Electronics Inc. | Method of fabricating vertical structure LEDs |
| US8395167B2 (en) | 2006-08-16 | 2013-03-12 | Tinggi Technologies Private Limited | External light efficiency of light emitting diodes |
| US8823027B2 (en) | 2009-09-30 | 2014-09-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light emitting device |
Families Citing this family (63)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001082384A1 (de) * | 2000-04-26 | 2001-11-01 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsmittierendes halbleiterbauelement und herstellungsverfahren |
| DE10051465A1 (de) * | 2000-10-17 | 2002-05-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements auf GaN-Basis |
| US7319247B2 (en) * | 2000-04-26 | 2008-01-15 | Osram Gmbh | Light emitting-diode chip and a method for producing same |
| TWI289944B (en) * | 2000-05-26 | 2007-11-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Light-emitting-diode-element with a light-emitting-diode-chip |
| US6657237B2 (en) * | 2000-12-18 | 2003-12-02 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | GaN based group III-V nitride semiconductor light-emitting diode and method for fabricating the same |
| DE10111501B4 (de) * | 2001-03-09 | 2019-03-21 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
| JP2003086541A (ja) * | 2001-09-11 | 2003-03-20 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体デバイス用サファイア基板の切断方法 |
| JP4284188B2 (ja) * | 2001-12-20 | 2009-06-24 | パナソニック株式会社 | 窒化物系半導体基板の製造方法および窒化物系半導体装置の製造方法 |
| US6812496B2 (en) * | 2002-01-10 | 2004-11-02 | Sharp Kabushiki Kaisha | Group III nitride semiconductor laser device |
| US8294172B2 (en) * | 2002-04-09 | 2012-10-23 | Lg Electronics Inc. | Method of fabricating vertical devices using a metal support film |
| US20040140474A1 (en) * | 2002-06-25 | 2004-07-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light-emitting device, method for fabricating the same and method for bonding the same |
| EP1573871B1 (en) * | 2002-12-20 | 2018-03-07 | Cree, Inc. | Methods of forming semiconductor devices having self aligned semiconductor mesas and contact layers and related devices |
| TWI226138B (en) * | 2003-01-03 | 2005-01-01 | Super Nova Optoelectronics Cor | GaN-based LED vertical device structure and the manufacturing method thereof |
| US20040259279A1 (en) * | 2003-04-15 | 2004-12-23 | Erchak Alexei A. | Light emitting device methods |
| JP2004319915A (ja) * | 2003-04-18 | 2004-11-11 | Sharp Corp | 半導体レーザー装置の製造方法および半導体レーザー装置 |
| EP1620903B1 (en) * | 2003-04-30 | 2017-08-16 | Cree, Inc. | High-power solid state light emitter package |
| WO2005008740A2 (en) * | 2003-07-14 | 2005-01-27 | Allegis Technologies, Inc. | Methods of processing of gallium nitride |
| US7341880B2 (en) * | 2003-09-17 | 2008-03-11 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting device processes |
| US7344903B2 (en) * | 2003-09-17 | 2008-03-18 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting device processes |
| CN100490190C (zh) * | 2003-10-14 | 2009-05-20 | 昭和电工株式会社 | Ⅲ族氮化物半导体器件 |
| JP4384669B2 (ja) * | 2003-11-13 | 2009-12-16 | ユ、ハクチュル | 紅藻類から製造されたパルプと紙及びその製造方法 |
| JP2005244198A (ja) * | 2004-01-26 | 2005-09-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| JP2005217255A (ja) * | 2004-01-30 | 2005-08-11 | Sharp Corp | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| ATE533187T1 (de) * | 2004-03-15 | 2011-11-15 | Tinggi Technologies Private Ltd | Fabrikation von halbleiterbauelementen |
| US7332365B2 (en) * | 2004-05-18 | 2008-02-19 | Cree, Inc. | Method for fabricating group-III nitride devices and devices fabricated using method |
| KR100595884B1 (ko) * | 2004-05-18 | 2006-07-03 | 엘지전자 주식회사 | 질화물 반도체 소자 제조 방법 |
| US7791061B2 (en) | 2004-05-18 | 2010-09-07 | Cree, Inc. | External extraction light emitting diode based upon crystallographic faceted surfaces |
| US7534633B2 (en) * | 2004-07-02 | 2009-05-19 | Cree, Inc. | LED with substrate modifications for enhanced light extraction and method of making same |
| US20090023239A1 (en) * | 2004-07-22 | 2009-01-22 | Luminus Devices, Inc. | Light emitting device processes |
| US7259402B2 (en) * | 2004-09-22 | 2007-08-21 | Cree, Inc. | High efficiency group III nitride-silicon carbide light emitting diode |
| US7737459B2 (en) * | 2004-09-22 | 2010-06-15 | Cree, Inc. | High output group III nitride light emitting diodes |
| US8513686B2 (en) * | 2004-09-22 | 2013-08-20 | Cree, Inc. | High output small area group III nitride LEDs |
| US8174037B2 (en) * | 2004-09-22 | 2012-05-08 | Cree, Inc. | High efficiency group III nitride LED with lenticular surface |
| US8288942B2 (en) * | 2004-12-28 | 2012-10-16 | Cree, Inc. | High efficacy white LED |
| US7875898B2 (en) * | 2005-01-24 | 2011-01-25 | Panasonic Corporation | Semiconductor device |
| US7932111B2 (en) * | 2005-02-23 | 2011-04-26 | Cree, Inc. | Substrate removal process for high light extraction LEDs |
| JP2006303299A (ja) * | 2005-04-22 | 2006-11-02 | Sharp Corp | 半導体レーザ |
| US8674375B2 (en) * | 2005-07-21 | 2014-03-18 | Cree, Inc. | Roughened high refractive index layer/LED for high light extraction |
| JP5289055B2 (ja) * | 2005-10-21 | 2013-09-11 | テイラー・バイオマス・エナジー・エルエルシー | 現場（ｉｎ−ｓｉｔｕ）タール除去によるガス化プロセスとシステム |
| JP4535997B2 (ja) * | 2005-12-09 | 2010-09-01 | シャープ株式会社 | 窒化物半導体レーザ素子およびその製造方法 |
| JP4888857B2 (ja) * | 2006-03-20 | 2012-02-29 | 国立大学法人徳島大学 | Ｉｉｉ族窒化物半導体薄膜およびｉｉｉ族窒化物半導体発光素子 |
| JP2007258376A (ja) * | 2006-03-22 | 2007-10-04 | Rohm Co Ltd | 半導体素子の製造方法 |
| US8420505B2 (en) * | 2006-03-25 | 2013-04-16 | International Rectifier Corporation | Process for manufacture of thin wafer |
| JP2009538536A (ja) | 2006-05-26 | 2009-11-05 | クリー エル イー ディー ライティング ソリューションズ インコーポレイテッド | 固体発光デバイス、および、それを製造する方法 |
| KR20140116536A (ko) | 2006-05-31 | 2014-10-02 | 크리, 인코포레이티드 | 조명 장치 및 조명 방법 |
| KR100856326B1 (ko) * | 2006-07-19 | 2008-09-03 | 삼성전기주식회사 | 레이저 리프트 오프를 이용한 유전체 박막을 갖는 박막 커패시터 내장된 인쇄회로기판 제조방법, 및 이로부터 제조된 박막 커패시터 내장된 인쇄회로기판 |
| JP5113446B2 (ja) * | 2006-08-11 | 2013-01-09 | 三洋電機株式会社 | 半導体素子およびその製造方法 |
| CN101554089A (zh) * | 2006-08-23 | 2009-10-07 | 科锐Led照明科技公司 | 照明装置和照明方法 |
| US20100224890A1 (en) * | 2006-09-18 | 2010-09-09 | Cree, Inc. | Light emitting diode chip with electrical insulation element |
| WO2008070607A1 (en) | 2006-12-04 | 2008-06-12 | Cree Led Lighting Solutions, Inc. | Lighting assembly and lighting method |
| EP2095018A1 (en) * | 2006-12-04 | 2009-09-02 | Cree Led Lighting Solutions, Inc. | Lighting device and lighting method |
| US8110425B2 (en) | 2007-03-20 | 2012-02-07 | Luminus Devices, Inc. | Laser liftoff structure and related methods |
| CN101743488B (zh) * | 2007-07-17 | 2014-02-26 | 科锐公司 | 具有内部光学特性结构的光学元件及其制造方法 |
| US8617997B2 (en) * | 2007-08-21 | 2013-12-31 | Cree, Inc. | Selective wet etching of gold-tin based solder |
| US11114594B2 (en) | 2007-08-24 | 2021-09-07 | Creeled, Inc. | Light emitting device packages using light scattering particles of different size |
| US9431589B2 (en) | 2007-12-14 | 2016-08-30 | Cree, Inc. | Textured encapsulant surface in LED packages |
| TWI389347B (zh) * | 2008-11-13 | 2013-03-11 | Epistar Corp | 光電元件及其製作方法 |
| JP5443151B2 (ja) * | 2009-12-24 | 2014-03-19 | 株式会社ディスコ | 複合基板の製造方法 |
| US8329482B2 (en) | 2010-04-30 | 2012-12-11 | Cree, Inc. | White-emitting LED chips and method for making same |
| US8896008B2 (en) | 2013-04-23 | 2014-11-25 | Cree, Inc. | Light emitting diodes having group III nitride surface features defined by a mask and crystal planes |
| US9385222B2 (en) | 2014-02-14 | 2016-07-05 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor device with insert structure at a rear side and method of manufacturing |
| KR102306671B1 (ko) * | 2015-06-16 | 2021-09-29 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 패키지 |
| US20220416503A1 (en) * | 2021-06-24 | 2022-12-29 | Intel Corporation | Multiple metal layers within a photonics integrated circuit for thermal transfer |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5985687A (en) * | 1996-04-12 | 1999-11-16 | The Regents Of The University Of California | Method for making cleaved facets for lasers fabricated with gallium nitride and other noncubic materials |
| JPH1051065A (ja) * | 1996-08-02 | 1998-02-20 | Matsushita Electron Corp | 半導体レーザ装置 |
| US5766695A (en) * | 1996-11-27 | 1998-06-16 | Hughes Electronics Corporation | Method for reducing surface layer defects in semiconductor materials having a volatile species |
| US6159824A (en) * | 1997-05-12 | 2000-12-12 | Silicon Genesis Corporation | Silicon-on-silicon wafer bonding process using a thin film blister-separation method |
| US6239033B1 (en) * | 1998-05-28 | 2001-05-29 | Sony Corporation | Manufacturing method of semiconductor device |
| US6071795A (en) * | 1998-01-23 | 2000-06-06 | The Regents Of The University Of California | Separation of thin films from transparent substrates by selective optical processing |
| JP3822976B2 (ja) * | 1998-03-06 | 2006-09-20 | ソニー株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6153495A (en) * | 1998-03-09 | 2000-11-28 | Intersil Corporation | Advanced methods for making semiconductor devices by low temperature direct bonding |
| US6113685A (en) * | 1998-09-14 | 2000-09-05 | Hewlett-Packard Company | Method for relieving stress in GaN devices |
| JP3525061B2 (ja) * | 1998-09-25 | 2004-05-10 | 株式会社東芝 | 半導体発光素子の製造方法 |
| US6744800B1 (en) * | 1998-12-30 | 2004-06-01 | Xerox Corporation | Method and structure for nitride based laser diode arrays on an insulating substrate |
| US6214750B1 (en) * | 1999-01-04 | 2001-04-10 | Industrial Technology Research Institute | Alternative structure to SOI using proton beams |
| US6177359B1 (en) * | 1999-06-07 | 2001-01-23 | Agilent Technologies, Inc. | Method for detaching an epitaxial layer from one substrate and transferring it to another substrate |
| US6468824B2 (en) * | 2001-03-22 | 2002-10-22 | Uni Light Technology Inc. | Method for forming a semiconductor device having a metallic substrate |
| US6379985B1 (en) * | 2001-08-01 | 2002-04-30 | Xerox Corporation | Methods for cleaving facets in III-V nitrides grown on c-face sapphire substrates |
-
2000
- 2000-03-28 JP JP2000089440A patent/JP4060511B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2001
- 2001-03-28 US US09/818,941 patent/US6677173B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (48)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10032959B2 (en) | 2001-10-26 | 2018-07-24 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having vertical structure |
| US8592846B2 (en) | 2001-10-26 | 2013-11-26 | Lg Electronics Inc. | Diode having vertical structure and method of manufacturing the same |
| US9000468B2 (en) | 2001-10-26 | 2015-04-07 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having vertical structure |
| US9620677B2 (en) | 2001-10-26 | 2017-04-11 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having vertical structure |
| US10326055B2 (en) | 2001-10-26 | 2019-06-18 | Lg Innotek Co., Ltd. | Diode having vertical structure |
| JP2009302589A (ja) * | 2001-10-26 | 2009-12-24 | Lg Electronics Inc | 垂直構造ダイオードとその製造方法 |
| US8896017B2 (en) | 2002-04-09 | 2014-11-25 | Lg Innotek Co., Ltd. | Vertical structure LEDs |
| US10453993B1 (en) | 2002-04-09 | 2019-10-22 | Lg Innotek Co., Ltd. | Vertical structure LEDs |
| US10600933B2 (en) | 2002-04-09 | 2020-03-24 | Lg Innotek Co., Ltd. | Vertical structure LEDs |
| US8809898B2 (en) | 2002-04-09 | 2014-08-19 | Lg Innotek Co., Ltd. | Method of fabricating vertical structure LEDs |
| US10243101B2 (en) | 2002-04-09 | 2019-03-26 | Lg Innotek Co., Ltd. | Vertical structure LEDs |
| US8384120B2 (en) | 2002-04-09 | 2013-02-26 | Lg Electronics Inc. | Method of fabricating vertical structure LEDs |
| US9882084B2 (en) | 2002-04-09 | 2018-01-30 | Lg Innotek Co., Ltd. | Vertical structure LEDs |
| US10461217B2 (en) | 2002-04-09 | 2019-10-29 | Lg Innotek Co., Ltd. | Vertical structure LEDs |
| US9224907B2 (en) | 2002-04-09 | 2015-12-29 | Lg Innotek Co., Ltd. | Vertical structure LEDs |
| US9472727B2 (en) | 2002-04-09 | 2016-10-18 | Lg Innotek Co., Ltd. | Vertical structure LEDs |
| US8288787B2 (en) | 2002-06-26 | 2012-10-16 | Lg Electronics, Inc. | Thin film light emitting diode |
| US8035118B2 (en) | 2002-08-01 | 2011-10-11 | Nichia Corporation | Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing the same, and light-emitting apparatus including the same |
| US7511311B2 (en) | 2002-08-01 | 2009-03-31 | Nichia Corporation | Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing the same, and light-emitting apparatus including the same |
| US8742438B2 (en) | 2002-08-01 | 2014-06-03 | Nichia Corporation | Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing the same, and light-emitting apparatus including the same |
| US8330179B2 (en) | 2002-08-01 | 2012-12-11 | Nichia Corporation | Semiconductor light-emitting device, method for manufacturing the same, and light-emitting apparatus including the same |
| JP2009065182A (ja) * | 2002-09-30 | 2009-03-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | 半導体構成素子の製造方法 |
| US7244628B2 (en) | 2003-05-22 | 2007-07-17 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for fabricating semiconductor devices |
| JP2007526618A (ja) * | 2003-06-04 | 2007-09-13 | チェオル ユー，ミュング | 縦型構造複合半導体装置 |
| JP2005064475A (ja) * | 2003-07-25 | 2005-03-10 | Sharp Corp | 窒化物系化合物半導体発光素子およびその製造方法 |
| JP2007521635A (ja) * | 2003-09-19 | 2007-08-02 | ティンギ テクノロジーズ プライベート リミテッド | 半導体デバイスの製造 |
| US8034643B2 (en) | 2003-09-19 | 2011-10-11 | Tinggi Technologies Private Limited | Method for fabrication of a semiconductor device |
| JP2007529099A (ja) * | 2003-09-19 | 2007-10-18 | ティンギ テクノロジーズ プライベート リミテッド | 半導体デバイス上における伝導性金属層の製造 |
| US8309377B2 (en) | 2004-04-07 | 2012-11-13 | Tinggi Technologies Private Limited | Fabrication of reflective layer on semiconductor light emitting devices |
| JP2007536725A (ja) * | 2004-04-28 | 2007-12-13 | バーティクル，インク | 縦構造半導体装置 |
| JP2008521220A (ja) * | 2004-11-15 | 2008-06-19 | バーティクル，インク | 機能が向上された厚い超伝導フィルム |
| KR100849788B1 (ko) * | 2005-06-30 | 2008-07-31 | 삼성전기주식회사 | 수직형 반도체 발광 소자의 제조 방법 |
| US7786489B2 (en) | 2005-09-13 | 2010-08-31 | Showa Denko K.K. | Nitride semiconductor light emitting device and production method thereof |
| KR100961034B1 (ko) | 2005-09-20 | 2010-06-01 | 쇼와 덴코 가부시키가이샤 | 질화물계 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법 |
| WO2007034834A1 (ja) * | 2005-09-20 | 2007-03-29 | Showa Denko K.K. | 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法 |
| JP2007088059A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Showa Denko Kk | 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法 |
| US7939845B2 (en) | 2005-09-20 | 2011-05-10 | Showa Denko K.K. | Nitride semiconductor light-emitting device and production method thereof |
| JP2007088048A (ja) * | 2005-09-20 | 2007-04-05 | Showa Denko Kk | 窒化物系半導体発光素子及びその製造方法 |
| US8004001B2 (en) | 2005-09-29 | 2011-08-23 | Tinggi Technologies Private Limited | Fabrication of semiconductor devices for light emission |
| US8067269B2 (en) | 2005-10-19 | 2011-11-29 | Tinggi Technologies Private Limted | Method for fabricating at least one transistor |
| JP2007149988A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Tokyo Institute Of Technology | レーザーリフトオフ法およびレーザーリフトオフ装置 |
| US8329556B2 (en) | 2005-12-20 | 2012-12-11 | Tinggi Technologies Private Limited | Localized annealing during semiconductor device fabrication |
| US8395167B2 (en) | 2006-08-16 | 2013-03-12 | Tinggi Technologies Private Limited | External light efficiency of light emitting diodes |
| US8124994B2 (en) | 2006-09-04 | 2012-02-28 | Tinggi Technologies Private Limited | Electrical current distribution in light emitting devices |
| JP2008078274A (ja) * | 2006-09-20 | 2008-04-03 | Tohoku Univ | 半導体素子の製造方法 |
| JP2007227980A (ja) * | 2007-06-08 | 2007-09-06 | Nichia Chem Ind Ltd | 窒化物半導体発光素子および発光素子の製造方法 |
| US8823027B2 (en) | 2009-09-30 | 2014-09-02 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Light emitting device |
| JP2011100817A (ja) * | 2009-11-05 | 2011-05-19 | Stanley Electric Co Ltd | 光半導体装置の製造方法 |
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