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JP2006108690A - 再配線基板を用いたウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法 - Google Patents

再配線基板を用いたウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法 Download PDF

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JP2006108690A
JP2006108690A JP2005295103A JP2005295103A JP2006108690A JP 2006108690 A JP2006108690 A JP 2006108690A JP 2005295103 A JP2005295103 A JP 2005295103A JP 2005295103 A JP2005295103 A JP 2005295103A JP 2006108690 A JP2006108690 A JP 2006108690A
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Abstract

【課題】一般的なウェーハと同じ幅のスクライブ領域を有するウェーハを利用することによって、ウェーハ当たりチップの個数が減少しないようにするウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法を提供する。
【解決手段】再配線基板は、透明絶縁基板110に絶縁層をパターニングして形成されたパターン突起116と、その上に形成された再配線118とを含む。再配線基板は、ウェーハと別体に製造された後、ウェーハと接合される。パターン突起は、対をなし、一方は、ウェーハの活性面のチップパッド214に接触し、他方は、ウェーハのチップ領域に形成された貫通孔に対応する。貫通孔を介してウェーハの非活性面までに導電性配線223が形成され、導電性配線の一部に外部接続端子230が形成されている。すなわち、チップパッドは、再配線基板のパターン突起及び貫通孔内部の導電性配線により外部接続端子に電気的に連結されている。
【選択図】図4i

Description

本発明は、半導体パッケージ技術に関し、より詳細には、ウェーハレベルチップスケールパッケージ(WL−CLP)の製造方法に関する。
ウェーハ(wafer)上に設けられた半導体素子を実際電子製品に使用するためには、半導体素子を個別チップ(chip)の単位に切断し、ウェーハから分離した後、パッケージ(package)形態で製造しなければならない。パッケージは、半導体チップを機械的に支持、固定し、外部環境から保護するだけでなく、半導体チップに電気的接続経路と熱放出経路を提供する。
近年、マルチメディア及び情報通信産業が急激に発展することに伴って、小型、高集積、高性能の半導体製品に対する市場の要求が増大しつつある。これにより、チップサイズの縮小、電気的連結端子の増加などの傾向が続きながら、半導体チップよりはパッケージの物理的、電気的特性による制約がますます問題になっている。このように、現在のパッケージ技術は、半導体製品の価格、性能、信頼性などを左右するので、その重要性がだんだん大きくなっている。
パッケージ技術の主要発展状況を簡略に説明すれば、リードフレーム(lead frame)を用いた初期のパッケージ形態から、印刷回路基板及びソルダーボール(solder ball)を採用したボールグリッドアレイ(ball grid array;BGA)パッケージが開発され、パッケージのサイズがチップサイズに近接したチップスケールパッケージ(chip scale package;CSP)に発展した。さらに、最近、ウェーハ状態でパッケージ製造工程が進行されるウェーハレベルパッケージ(wafer level package;WLP)技術が開発されるに至った。
図1a乃至図1kは、従来技術の一例に係るウェーハレベルパッケージの製造方法を示す断面図である。図示のウェーハレベルパッケージは、イスラエルのシェルケース(Shellcase)社で開発した“ShellBGA”としてよく知られている。
図1aは、シリコンウェーハ1にパッド拡張層(pad extension layer)14を形成する段階を示している。シリコンウェーハ1には、多数の集積回路チップ10a、10bが形成されていて、各々のチップ10a、10bは、スクライブ領域(scribe region)13によって区分される。各チップ10a、10bの活性面11には、多数のチップパッド(chip pad)12が形成されていて、活性面11は、保護膜(passivation layer)16で覆われている。チップパッド12は、保護膜16の外部に露出され、露出されたチップパッド12に連結されるように、パッド拡張層14が形成される。
図1bは、第1ガラス基板(first glass substrate)20の取付段階を示している。第1ガラス基板20は、保護膜16及びパッド拡張層14上に塗布されるエポキシ(epoxy)18を介してシリコンウェーハ1に取り付けられる。
図1cは、ボールパッド(ball pad)22の形成段階を示している。ボールパッド22は、パッケージの外部接続端子として使われるソルダーボールが形成されるべき部位であり、第1ガラス基板20上に所定の配列をなすように形成される。
図1dは、ノッチ(notch)24の形成段階を示している。スクライブ領域13に沿って第1ガラス基板20からチップ10a、10bの縁部の上端まで除去してノッチ24を形成すれば、パッド拡張層14の側面が外部に露出される。
図1eは、リード層(lead layer)26の形成段階を示している。リード層26は、ノッチ24の表面からボールパッド22までに形成され、ノッチ24に露出されたパッド拡張層14に連結される。
図1fは、ソルダーマスク層(solder mask layer)30の形成段階を示している。ソルダーマスク層30は、ボールパッド22上のリード層26を除いた残りの領域を全て覆うように形成される。
図1gは、ソルダーボール(solder ball)32の形成段階を示している。ソルダーボール32は、格子型で配列されたソルダーパッド22上に各々形成され、リード層26に電気的に連結される。
図1hは、ウェーハ裏面研磨(wafer back grinding)段階を示している。この段階は、ウェーハ1の裏面を機械的に研磨して、各々のチップ10a、10bの厚みを薄く形成させる。
図1iは、スクライブ領域13のエッチング(etching)段階を示している。ノッチ24に対応してウェーハ1の裏面からスクライブ領域13をエッチングする。
図1jは、第2ガラス基板34(second glass substrate)の取付段階を示している。第2ガラス基板34は、エポキシ36を介してシリコンウェーハ1の裏面に取り付けられる。
図1kは、個別チップの分離(dicing)段階を示している。スクライブ領域13に沿ってウェーハ1を切断することによって、各々のチップ10a、10b単位で完成されたウェーハレベルパッケージを分離する。図面において、参照番号38は、切断領域(dicing region)を示す。
以上説明したように、従来技術に係るウェーハレベルパッケージの製造方法は、チップパッドとソルダーボールを電気的に連結するために、スクライブ領域に沿ってノッチを形成し、ノッチ上にリード層を形成する。したがって、切断領域より幅がさらに広いスクライブ領域を必要とするため、一般的なウェーハに比べて1つのウェーハ当たり製作できるチップの個数が減少するという問題が発生する。
また、チップパッドとソルダーボールを電気的に連結するリード層がチップの外部に形成されるので、チップスケールパッケージを具現するにあたって、パッケージサイズの縮小に限界がある。しかも、リード層がチップ側面で直接チップパッドとソルダーボールを連結するので、リード層のパターン設計自由度(pattern design flexibility)に制約がある。
本発明は、前述のような従来技術の問題点を解決するためになされたもので、本発明の目的は、一般的なウェーハと同じ幅のスクライブ領域を有するウェーハを利用することによって、ウェーハ当たりチップの個数が減少しないようにするウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法を提供することにある。
また、本発明の他の目的は、チップスケールパッケージの具現に有利であり、且つパターン設計自由度に優れているウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するために、本発明は、チップパッドと外部接続端子を電気的に連結するために、別体の再配線基板を利用するウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法を提供する。
本発明に係るウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法は、(a)透明絶縁基板及び透明絶縁基板に形成された再配線を有する再配線基板を作製する工程と、(b)活性面及び少なくとも一つの非活性面を有する半導体基板を有し、活性面にチップパッドが形成されたウェーハを用意する工程と、(c)再配線の第1部分がチップパッドと接触するように、再配線基板をウェーハに接合する工程と、(d)活性面から非活性面に延びる貫通孔をウェーハに、再配線の第2部分が貫通孔に露出するように形成する工程と、(e)貫通孔及び非活性面に導電性配線を形成する工程と、(f)非活性面に形成される導電性配線に外部接続端子を形成する工程と、(g)再配線基板及びウェーハをスクライブ線にそって分離する工程と、を備えることを特徴とする。
本発明に係るウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法において、(a)工程は、(a−1)透明絶縁基板を用意する工程と、(a−2)透明絶縁基板に絶縁層を塗布する工程と、(a−3)絶縁層をパターニングしてパターン突起を形成する工程と、(a−4)パターン突起に再配線を形成する工程と、を備えることができる。
透明絶縁基板は、ガラス、石英、アクリル樹脂のうちいずれか1つからなることができる。(a−3)工程は、絶縁層をパターニングしてダムを形成する工程をさらに備えることができる。また、(a−3)工程は、チップパッドに接続する第1パターン突起と、貫通孔に露出する第2パターン突起とが対をなすように、パターン突起を形成することが好ましい。絶縁層は、ポリマーからなることができる。
再配線は、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、チタニウム(Ti)、クロム(Cr)、タングステン(W)及びそれらの組み合わせのうちいずれか1つからなることができる。また、(a−4)工程は、スパッタリング、電解メッキ、蒸着、無電解メッキ、スクリーンプリント、インクプリントのうちいずれか1つを用いて行われることができる。
ウェーハは、活性面に形成された受光部をさらに備えることができ、チップパッドに形成されたパッド金属層をさらに備えることができる。パッド金属層は、金(Au)、ニッケル(Ni)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、錫(Sn)及びそれらの組み合わせのうちいずれか1つからなることができる。
(c)工程における再配線基板とウェーハの間の接合は、感光性接着剤を用いて行われることができ、(c)工程で、再配線とチップパッドとは、インジウム(In)材質の接着剤を用いて接触されることができる。また、(c)工程における再配線基板とウェーハの間の接合は、異方性導電材またはナノ接続ペーストを用いて行われることができる。
本発明に係るウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法は、(c)工程の後に、ウェーハの厚みを減少させるために、ウェーハの裏面を機械的に研磨する工程をさらに備えることができる。研磨工程によってウェーハの厚みを、50μm乃至150μmにすることが好ましい。
(d)工程は、レーザドリル、機械的ドリル、プラズマドライエッチング、反応性イオンエッチングのうちいずれか1つを用いて行われることができる。
(e)工程は、貫通孔及び非活性面に少なくとも一つの導電層を形成する工程と、導電層を選択的に除去して、導電性配線を形成する工程とを備えることができる。又は、(e)工程は、非活性面に、導電性配線と対応して感光剤パターンを形成する工程と、感光剤パターンを介して選択的に電解メッキを実施して、導電性配線を形成する工程とを備えることができる。
導電性配線は、第1導電性配線と、この第1導電性配線上に形成される第2導電性配線とを備えることができる。第1導電性配線は、タングステン(W)、チタニウム(Ti)、アルミニウム(Al)、ジルコニウム(Zr)、クロム(Cr)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鉛(Pb)、ニッケル(Ni)、インジウム錫化合物(ITO)及びそれらの組み合わせのうちいずれか1つからなることができ、第2導電性配線は、クロム(Cr)、チタニウム(Ti)、タングステン(W)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、金(Au)、チタニウムタングステン(TiW)及びそれらの組み合わせのうちいずれか1つからなることができる。
本発明に係るウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法は、(e)工程の後に、導電性配線を保護し端子位置を定義するように導電性配線上に絶縁保護膜を形成する工程をさらに備えることができる。
また、(f)工程の外部接続端子は、半導体基板の裏面、又は半導体基板の少なくとも一つの側面に形成されることができる。
本発明は、ウェーハの活性面のチップパッドと非活性面の外部接続端子とを電気的に連結するために、再配線基板を利用する。再配線基板は、ウェーハと別体に製作することができ、ウェーハと接合して、ウェーハレベルチップスケールパッケージの製造に使われるので、製造工程が簡単になり、生産性が向上するという効果がある。
また、本発明は、スクライブ領域でないチップ領域に位置する再配線基板と貫通孔により電気的連結を具現するので、幅が広いスクライブ領域を必要としない。したがって、一般的なウェーハと同じ幅のスクライブ領域を有するウェーハを利用することができ、ウェーハ当たりチップの個数が減少しない。
また、本発明は、チップの内部に位置する貫通孔を利用するので、チップスケールパッケージを具現するにあたって、パッケージサイズを縮小できるという長所がある。
さらに、本発明は、チップパッドと貫通孔内部の導電性配線とが再配線基板のパターン突起を用いて電気的に連結されるので、チップパッドや貫通孔の位置に大きく制約を受けなく、パターン突起を設計できる。したがって、パターン設計自由度が非常に優れたウェーハレベルチップスケールパッケージを具現できる。
以下、添付の図面を参照して、本発明に係る実施例を詳細に説明する。しかしながら、下記の実施例は、本発明の属する技術分野における当業者が本発明を十分に実施できるように例示されたもので、本発明の範囲を限定するものではない。実施例を説明するにあたって、構造の一部や製造工程の一部については、説明を省略したり、図面の図示を省略する。これは、本発明の特徴的な構成をより明確に示すためである。なお、図面に示された構成要素の一部は、説明の便宜上、誇張して、又は概略的に表現されている。各構成要素の大きさが実際大きさを反映するものではない。
(再配線基板の製造方法)
図2a乃至図2dは、本発明の実施例に係る再配線基板100の製造方法を示す断面図である。
図2aは、透明絶縁基板110が用意される段階を示している。透明絶縁基板110は、再配線基板を製作するための母材であって、厚みは、例えば300μm乃至500μmである。透明絶縁基板110は、例えば、ガラス(glass)材質からなる。しかし、透明絶縁基板110の材質が必ずこれに限定されるものではなく、光透過率に優れたその他の物質、例えば、石英(quartz)、アクリル樹脂(acrylic acid resin)なども使用可能である。また、必要に応じて、透明絶縁基板110にインジウム錫酸化物(indium tin oxide;ITO)をコートしてもよい。
図2bは、透明絶縁基板110の一方の面に絶縁層112を塗布する段階を示している。絶縁層112は、次の段階でパターン突起(pattern bump)とダム(dam)を形成するためのもので、厚みは、10μm乃至100μmである。絶縁層112は、例えば、ポリイミド(polyimide)のようなポリマー(polymer)材質からなる。しかし、絶縁層112の材質が必ずこれらに限定されるものではなく、パターン突起とダムを形成できるものなら、その他の物質も使用可能である。
図2cは、パターン突起116とダム114を形成する段階を示している。パターン突起116とダム114は、透明絶縁基板110に塗布された絶縁層112を、通常のフォトエッチング(photo etching)技術でパターニング(patterning)して形成する。後述するが、パターン突起116は、再配線基板とウェーハとを接合した時、ウェーハのチップパッドと導電性配線に接触して電気的経路を提供するためのものである。したがって、パターン突起116は、チップパッドと導電性配線に各々接触するように、対をなして形成することが好ましい。
本発明に係るウェーハレベルチップスケールパッケージは、イメージセンサチップ(image sensor chip)のような光電子素子(photo-electronic device)に適用できる。この場合、チップの活性面には、ピクセルアレイ(pixel array)とマイクロレンズ(micro lens)とから構成される受光部が形成される。ダム114は、受光部を取り囲むように形成され、受光部に異物が侵入するのを防止する役目をする。
図2dは、再配線(redistribution line)118を形成する段階を示している。再配線118は、1対のパターン突起116を互いに連結する形態で形成され、場合によっては、ダム114上にも形成されることができる。再配線118は、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、チタニウム(Ti)、クロム(Cr)、タングステン(W)などの金属及びそれらの組み合わせからなる。例えば、クロム/銅/チタニウム(Cr/Cu/Ti)、チタニウム/銅/ニッケル(Ti/Cu/Ni)、クロム/銅/ニッケル(Cr/Cu/Ni)、チタニウム/タングステン/ニッケル(Ti/W/Ni)などの組み合わせが使用可能である。各々の金属層は、必要に応じて、50Å乃至25μmの厚みで形成される。
再配線118を構成する金属層の形成方法は、例えば、スパッタリング(sputtering)又は電解メッキ(electroplating)を利用することができ、パターニングのために、感光剤マスク(photoresist mask)を利用することができる。しかし、再配線金属層の形成方法が必ずこれらに限定されるものではなく、蒸着(deposition)、無電解メッキ(electroless plating)、スクリーンプリント(screen printing)、又はインクプリント(ink printing)なども使用可能である。
以上説明した方法で製造された再配線基板100は、後述するように、ウェーハと接合され、ウェーハレベルチップスケールパッケージの製造に用いられる。
(ウェーハ)
図3は、本発明の実施例に係るウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法に使われるウェーハ200の断面図である。
ウェーハ200は、単結晶シリコンのような半導体物質からなる厚み700μm乃至800μmの薄い基板(以下、「半導体基板」という)201を母材にして製作される。半導体基板201は、活性面(active surface)202と非活性面204とを備えた基板であることができる。ここで、非活性面204は、半導体基板201の活性面の反対面または側面を指す意味として使われる。
半導体基板201の活性面202には、電気的連結端子として使われる多数のチップパッド(chip pad)214が形成される。また、チップパッド214を除いた活性面202の全体には、保護膜(passivation layer)216が形成される。チップパッド214は、例えば、アルミニウム(Al)からなる。しかし、チップパッド214の材質が必ずこれに限定されるものではなく、他の材質、例えば、アルミニウム(Al)と銅(Cu)の合金からなることができる。保護膜216は、例えば、酸化シリコン(silicon oxide)または窒化シリコン(silicon nitride)材質からなる。
チップパッド214には、所定の金属層(以下、「パッド金属層」という)218がさらに形成されることが好ましい。パッド金属層218は、前述した再配線(図2dの118)と同じ金属または異なる金属からなることができる。好ましくは、金(Au)、ニッケル(Ni)、アルミニウム(Al)または銅(Cu)が、1μm乃至3μmの厚みで蒸着されることができ、その上に金(Au)のような酸化抵抗力の強い金属、または錫(Sn)のような導電性酸化膜を形成する金属が100Å乃至5μmの厚みでさらに形成されることができる。パッド金属層218の形成方法は、例えば、気化蒸着(evaporation)またはスパッタリフト−オフ(sputter lift-off)を利用できるが、必ずこれらに限定されるものではない。
イメージセンサチップのような光電子素子を含むウェーハである場合、半導体基板201の活性面202には、ピクセルアレイとマイクロレンズとから構成される受光部212がさらに形成されることができる。
以上説明したウェーハ200は、前述した再配線基板(図2dの100)と接合され、ウェーハレベルチップスケールパッケージが製造される。
(ウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法)
図4a乃至図4iは、本発明の実施例に係る再配線基板100を用いたウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法を示す断面図である。
図4aは、ウェーハ200と再配線基板100との接合段階を示している。再配線基板100は、ウェーハ200と整列された後、感光性接着剤(photosensitive adhesive)120を介して接合される。感光性接着剤120は、例えば、エポキシ(epoxy)であり、ウェーハ200の受光部212を覆わないように、再配線基板100またはウェーハ200に選択的に塗布される。一方、ウェーハ200のチップパッド214とそれに対応する再配線基板100のパターン突起116とは、インジウム(In)材質の接着剤122を用いて接合される。インジウム接着剤122を利用する場合の接合は、レーザ溶接方法により行われる。
また、ウェーハ200と再配線基板100の接合段階は、異方性導電材(anisotropic conductive material)、ナノ接続ペースト(nano interconnection paste)のような公知のいろいろな接合手段を用いて行われることができる。
図4bは、ウェーハ裏面研磨段階を示している。ウェーハ200に再配線基板100を接合した後、必要に応じて、半導体基板201の裏面204を機械的に研磨して、ウェーハ200の厚みを減少させることができる。ウェーハ裏面研磨により、ウェーハ200の厚みは、50μm乃至150μmに減少することができる。
図4cは、ウェーハ200に貫通孔220を形成する段階を示している。上述したように、再配線基板100のパターン突起116はペアで形成される。さらに、ペアのパターン突起116のうち一方はウェーハ200のチップパッド214に接触するようになる。貫通孔220は、再配線基板100に形成されたパターン突起116のうち、チップパッド214と接触しないパターン突起116の位置に対応して形成する。貫通孔220の形成方法は、レーザドリル(laser drill)または機械的ドリル(mechanical drill)のようなドリル方法、プラズマを用いたドライエッチング(plasma dry etching)または反応性イオンエッチング(reactive ion etching)のようなエッチング方法、その他に当技術分野でよく知られた貫通孔形成技術を利用することができる。
エッチング方法を用いて貫通孔220を形成する場合の例が図5a乃至図5eに示されている。
図5a乃至図5eを参照すれば、まず、半導体基板201の裏面204に感光剤(photoresist)240を塗布する(図5a)。次いで、露光及び現像を進行して、感光剤パターン241を形成する(図5b)。次いで、感光剤パターン241を介してプラズマエッチング工程を進行することによって、半導体基板201を選択的にエッチングする(図5c)。この際、プラズマエッチング工程は、例えば、六フッ化硫黄(sulfur hexafluoride;SF)ガスを用いて進行する。次いで、感光剤パターンを除去し、半導体基板201の裏面204に、エポキシのような熱硬化性樹脂242を塗布する(図5d)。この時、熱硬化性樹脂242の塗布方法は、例えば、スピン−オン(spin-on)またはスプレイ(spray)方法を利用する。次いで、熱硬化性樹脂242を選択的にエッチングして、半導体基板201ではなく熱硬化性樹脂242に貫通孔220を形成する(図5e)。
ウェーハ200に貫通孔220を形成した後、導電層(conductive layer)222を形成する。図4dは、導電層222の形成段階を示している。導電層222は、貫通孔220の内部と半導体基板201の裏面204に形成される。導電層222の材質は、金属または導電性の高い非金属物質であることができる。例えば、タングステン(W)、チタニウム(Ti)、アルミニウム(Al)、ジルコニウム(Zr)、クロム(Cr)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鉛(Pb)、ニッケル(Ni)、インジウム錫化合物(ITO)の中から選択された物質又はそれらの組み合わせであることができる。好ましくは、クロム(Cr)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)の順にメッキを行って導電層222を形成される。
導電層(以下、「第1導電層」という)222を形成した後、必要に応じて、第2導電層224をさらに形成することができる。図4eは、第2導電層224の形成段階を示している。第2導電層224は、接着層(adhesive layer)、シード層(seed layer)、拡散防止層(diffusion barrier)、ソルダーウェット層(solder wetting layer)としての役目をする。第2導電層224の材質は、クロム(Cr)、チタニウム(Ti)、タングステン(W)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、金(Au)、チタニウムタングステン(TiW)の中から選択された物質又はそれらの組み合わせからなることができる。例えば、チタニウム/銅/ニッケル/金(Ti/Cu/Ni/Au)、クロム/銅/ニッケル/金(Cr/Cu/Ni/Au)、チタニウムタングステン/ニッケル(TiW/Ni)などの組み合わせが使用可能である。なお、これらの第1及び第2導電層222及び224のリストは例示にすぎず、本発明を限定するものではない。
図4fは、第1導電性配線223と第2導電性配線225の形成段階を示している。第1導電性配線223と第2導電性配線225は、第2導電層224上に感光剤マスク226を形成し、第1導電層222と第2導電層224を選択的に除去することによって形成することができる。導電層222、224の選択的除去方法は、公知のエッチング方法またはレーザトリミング(laser trimming)方法を利用できる。
導電層222、224を形成した後、選択的にエッチングする方法の代りに、パターンメッキ(pattern plating)を用いて導電性配線223、225を形成することもできる。パターンメッキは、導電性配線と同じパターンを有する感光剤パターンを予め形成した後、選択的に電解メッキを実施する方法である。
次いで、図4gは、絶縁保護膜(dielectric protective layer)228の形成段階を示している。絶縁保護膜228は、例えば、公知のフォトソルダーレジスト(photo solder resist;PSR)物質で形成することができる。絶縁保護膜228は、導電性配線223、225を保護し、その一部を露出させて外部接続端子が形成されるべき領域を形成する。
図4hは、外部接続端子(external connection terminal)230の形成段階を示している。外部接続端子230は、例えば、ソルダー(solder)または金(Au)からなるバンプ(bump)またはボール(ball)の形態を有する。外部接続端子230は、半導体基板201の非活性面に形成する。すなわち、図示のように、半導体基板201の裏面204に形成することができるが、半導体基板201の側面に形成してもよい。
最後に、図4iは、個別チップの分離(dicing)段階を示している。スクライブ領域232に沿って再配線基板100とウェーハ200を切断することによって、各々のチップ単位で完成されたウェーハレベルパッケージを分離する。この段階は、例えば、ダイアモンドホイール(wheel)またはレーザを用いて行うことができる。
以上において説明した本発明は、本発明が属する技術の分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲内で、様々な置換、変形及び変更が可能であるので、上述した実施例及び添付された図面に限定されるものではない。
従来技術の一例に係るウェーハレベルパッケージの製造方法を示す断面図である。 従来技術の一例に係るウェーハレベルパッケージの製造方法を示す断面図である。 従来技術の一例に係るウェーハレベルパッケージの製造方法を示す断面図である。 従来技術の一例に係るウェーハレベルパッケージの製造方法を示す断面図である。 従来技術の一例に係るウェーハレベルパッケージの製造方法を示す断面図である。 従来技術の一例に係るウェーハレベルパッケージの製造方法を示す断面図である。 従来技術の一例に係るウェーハレベルパッケージの製造方法を示す断面図である。 従来技術の一例に係るウェーハレベルパッケージの製造方法を示す断面図である。 従来技術の一例に係るウェーハレベルパッケージの製造方法を示す断面図である。 従来技術の一例に係るウェーハレベルパッケージの製造方法を示す断面図である。 従来技術の一例に係るウェーハレベルパッケージの製造方法を示す断面図である。 本発明の実施例に係る再配線基板の製造方法を示す断面図である。 本発明の実施例に係る再配線基板の製造方法を示す断面図である。 本発明の実施例に係る再配線基板の製造方法を示す断面図である。 本発明の実施例に係る再配線基板の製造方法を示す断面図である。 本発明の実施例に係るウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法に使われるウェーハの断面図である。 本発明の実施例に係る再配線基板を用いたウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法を示す断面図である。 本発明の実施例に係る再配線基板を用いたウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法を示す断面図である。 本発明の実施例に係る再配線基板を用いたウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法を示す断面図である。 本発明の実施例に係る再配線基板を用いたウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法を示す断面図である。 本発明の実施例に係る再配線基板を用いたウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法を示す断面図である。 本発明の実施例に係る再配線基板を用いたウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法を示す断面図である。 本発明の実施例に係る再配線基板を用いたウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法を示す断面図である。 本発明の実施例に係る再配線基板を用いたウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法を示す断面図である。 本発明の実施例に係る再配線基板を用いたウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法を示す断面図である。 本発明の他の実施例に係る再配線基板を用いたウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法の一部を示す断面図である。 本発明の他の実施例に係る再配線基板を用いたウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法の一部を示す断面図である。 本発明の他の実施例に係る再配線基板を用いたウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法の一部を示す断面図である。 本発明の他の実施例に係る再配線基板を用いたウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法の一部を示す断面図である。 本発明の他の実施例に係る再配線基板を用いたウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法の一部を示す断面図である。
符号の説明
100 再配線基板
110 透明絶縁基板
112 絶縁層
114 ダム
116 パターン突起
118 再配線
120 感光性接着剤
122 接着剤
200 ウェーハ
201 半導体基板
202 活性面
204 非活性面
214 チップパッド
216 保護膜
218 金属層
220 貫通孔
222 第1導電層
224 第2導電層
223 第1導電性配線
225 第2導電性配線
226 感光剤マスク
228 絶縁保護膜
230 外部接続端子
232 スクライブライン
240 感光剤
241 感光剤パターン
242 熱硬化性樹脂

Claims (24)

  1. (a)透明絶縁基板及び前記透明絶縁基板に形成された再配線を有する再配線基板を作製する工程と、
    (b)活性面及び少なくとも一つの非活性面を有する半導体基板を有し、前記活性面にチップパッドが形成されたウェーハを用意する工程と、
    (c)前記再配線の第1部分が前記チップパッドと接触するように、前記再配線基板を前記ウェーハに接合する工程と、
    (d)前記活性面から前記非活性面に延びる貫通孔を前記ウェーハに、前記再配線の第2部分が前記貫通孔に露出するように形成する工程と、
    (e)前記貫通孔及び前記非活性面に導電性配線を形成する工程と、
    (f)前記非活性面に形成される前記導電性配線に外部接続端子を形成する工程と、
    (g)前記再配線基板及び前記ウェーハをスクライブ線にそって分離する工程と、
    を備えることを特徴とするウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法。
  2. 前記(a)工程は、
    (a−1)前記透明絶縁基板を用意する工程と、
    (a−2)前記透明絶縁基板に絶縁層を塗布する工程と、
    (a−3)前記絶縁層をパターニングしてパターン突起を形成する工程と、
    (a−4)前記パターン突起に前記再配線を形成する工程と、
    を備えることを特徴とする請求項1に記載のウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法。
  3. 前記透明絶縁基板は、ガラス、石英、アクリル樹脂のうちいずれか1つからなることを特徴とする請求項1又は2に記載のウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法。
  4. 前記(a−3)工程は、前記絶縁層をパターニングしてダムを形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項2に記載のウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法。
  5. 前記(a−3)工程は、前記チップパッドに接続する第1パターン突起と、前記貫通孔に露出する第2パターン突起とが対をなすように、前記パターン突起を形成する工程であることを特徴とする請求項2に記載のウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法。
  6. 前記絶縁層は、ポリマーからなることを特徴とする請求項2、4及び5のいずれか1項に記載のウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法。
  7. 前記再配線は、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、チタニウム(Ti)、クロム(Cr)、タングステン(W)及びそれらの組み合わせのうちいずれか1つからなることを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載のウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法。
  8. 前記(a−4)工程は、スパッタリング、電解メッキ、蒸着、無電解メッキ、スクリーンプリント、インクプリントのうちいずれか1つを用いて行われることを特徴とする請求項2に記載のウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法。
  9. 前記ウェーハは、前記活性面に形成された受光部をさらに備えることを特徴とする請求項1から8のいずれか1項に記載のウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法。
  10. 前記ウェーハは、前記チップパッドに形成されたパッド金属層をさらに備えることを特徴とする請求項1から9のいずれか1項に記載のウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法。
  11. 前記パッド金属層は、金(Au)、ニッケル(Ni)、アルミニウム(Al)、銅(Cu)、錫(Sn)及びそれらの組み合わせのうちいずれか1つからなることを特徴とする請求項10に記載のウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法。
  12. 前記(c)工程における前記再配線基板と前記ウェーハの間の接合は、感光性接着剤を用いて行われることを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載のウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法。
  13. 前記(c)工程で、前記再配線と前記チップパッドとは、インジウム(In)材質の接着剤を用いて接触されることを特徴とする請求項1から12のいずれか1項に記載のウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法。
  14. 前記(c)工程における前記再配線基板と前記ウェーハの間の接合は、異方性導電材またはナノ接続ペーストを用いて行われることを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載のウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法。
  15. 前記(c)工程の後に、前記ウェーハの厚みを減少させるために、前記ウェーハの裏面を機械的に研磨する工程をさらに備えることを特徴とする請求項1から14のいずれか1項に記載のウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法。
  16. 前記研磨工程によって前記ウェーハの厚みを、50μm乃至150μmにすることを特徴とする請求項15に記載のウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法。
  17. 前記(d)工程は、レーザドリル、機械的ドリル、プラズマドライエッチング、反応性イオンエッチングのうちいずれか1つを用いて行われることを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載のウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法。
  18. 前記(e)工程は、前記貫通孔及び前記非活性面に少なくとも一つの導電層を形成する工程と、前記導電層を選択的に除去して、前記導電性配線を形成する工程とを備えることを特徴とする請求項1から17のいずれか1項に記載のウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法。
  19. 前記(e)工程は、前記非活性面に、前記導電性配線と対応して感光剤パターンを形成する工程と、前記感光剤パターンを介して選択的に電解メッキを実施して、前記導電性配線を形成する工程とを備えることを特徴とする請求項1から18のいずれか1項に記載のウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法。
  20. 前記導電性配線は、第1導電性配線と、前記第1導電性配線上に形成される第2導電性配線とを備えることを特徴とする請求項1から19のいずれか1項に記載のウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法。
  21. 前記第1導電性配線は、タングステン(W)、チタニウム(Ti)、アルミニウム(Al)、ジルコニウム(Zr)、クロム(Cr)、銅(Cu)、金(Au)、銀(Ag)、鉛(Pb)、ニッケル(Ni)、インジウム錫化合物(ITO)及びそれらの組み合わせのうちいずれか1つからなることを特徴とする請求項20に記載のウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法。
  22. 前記第2導電性配線は、クロム(Cr)、チタニウム(Ti)、タングステン(W)、銅(Cu)、ニッケル(Ni)、金(Au)、チタニウムタングステン(TiW)及びそれらの組み合わせのうちいずれか1つからなることを特徴とする請求項20又は21に記載のウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法。
  23. 前記(e)工程の後に、前記導電性配線を保護し端子位置を定義するように前記導電性配線上に絶縁保護膜を形成する工程をさらに備えることを特徴とする請求項1から22のいずれか1項に記載のウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法。
  24. 前記(f)工程の前記外部接続端子は、前記半導体基板の裏面、又は前記半導体基板の少なくとも一つの側面に形成されることを特徴とする請求項1から23のいずれか1項に記載のウェーハレベルチップスケールパッケージの製造方法。
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