JP2002510862A - 半導体ウェハ加工テープ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 永久裏材料および非感圧接着剤層を含む半導体ウェハ加工テープ。テープは、ウェハ研摩および／またはウェハダイシング用途のために有用である。非感圧接着剤は、少なくとも１つの第１のモノエチレン性不飽和モノマー、少なくとも１つの第２のモノエチレン性不飽和モノマー、および少なくとも１つの共重合性非イオン性架橋剤の共重合体を含み、第２のモノエチレン性不飽和モノマーは、第１のモノエチレン性不飽和モノマーよりも高いホモポリマーガラス転移温度を有する強化モノマーである。半導体ウェハの加工方法も提供される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】 発明の背景 発明の分野 この発明は、概して半導体ウェハの加工に有用な接着テープに関し、より具体
的にはアクリル官能性モノマー共重合体を含む非感圧接着剤組成物を有するテー
プに関する。これらのテープは、半導体ウェハの研摩および／またはダイシング
において有用である。

【０００２】 関連技術分野の説明 半導体集積回路（ＩＣ）チップは、高性能産業用機械装置、自動車あるいは日
常的な家庭電化製品の別を問わず電子部品で一般に使用される。半導体ＩＣチッ
プの製造は、多数の半導体素子を含む半導体ウェハの製作から始まる。最終的に
ウェハは、個々の半導体素子（ダイと称される）に鋸引きまたはダイスされ、各
素子は半導体ＩＣチップになる。

【０００３】 典型的に半導体ウェハは、単一の高純度ケイ素インゴットを約５００ミクロン
（μｍ）〜約１０００μｍ厚さの薄い円形ウェハにスライスまたは鋸引きして作
成される。ウェハをドープして、その電気的性質を変更しても良い。次に電子回
路を通常、写真平版印刷によってウェハ前面に適用する。分割線もウェハ上に写
真平板印刷されて、ウェハを最終的に個々の半導体ＩＣチップにダイシングする
ための鋸引きの印が提供される。

【０００４】 ウェハ径は伝統的に、約３インチ（７．６ｃｍ）〜約４インチ（１０．２ｃｍ
）であった。しかし個々のＩＣチップがより大きくなるにつれて、単一ウェハか
らより多くのダイが形成できるように、典型的なウェハ径は約５インチ（１２．
７ｃｍ）〜約８インチ（２０．３ｃｍ）に増大した。ウェハ径はやがて約１２イ
ンチ（３０．５ｃｍ）〜約１６インチ（４０．６ｃｍ）に拡大し、おそらくさら
に大きくなることが予期されている。

【０００５】 繊細な電子回路を粉塵、湿気、空気中の腐食性酸などによる大気の汚染から保
護するために、ウェハ前面に表面安定化処理、あるいはオキシ窒化ケイ素などの
無機材料またはポリイミドなどの有機材料でも良い保護層が提供される。

【０００６】 電子部品の製作を容易にするために、ウェハの厚さ（そして故にそれらから形
成する半導体ＩＣチップの厚さ）を減少させることが望ましい。一般的な方法は
、研摩屑を除去するための水吹きつけ存在下で、ウェハ裏面を約２００μｍ〜約
５００μｍの厚さに研摩する間、ウェハ前面を真空テーブルに押さえつけること
を伴う。しかしウェハは本質的に脆弱で研摩加工中に破損を被りやすく、問題は
ウェハ径がより大きくなるにしたがって増大する。さらにウェハ前面は真空テー
ブルに押さえつけられるので、表面安定化処理／保護層および下にある回路が擦
過するかもしれない。したがってウェハ（特に前面）を破損、汚染、および擦過
から保護する必要性がある。

【０００７】 この問題に対する初期のアプローチでは、ウェハ前面にパラフィンワックス層
を使用して、最終的には溶剤洗浄によってワックスを除去した。このアプローチ
の欠点については、米国特許番号第４，８５３，２８６号（成松ら）で述べられ
ている。別のアプローチでは、ウェハ前面に光レジストコーティングがスピンコ
ートされたが、これはウェハ破損を必ずしもなくさなかった。

【０００８】 歴史的に接着剤製品が、ウェハ前面の保護のために用いられている。テープは
時に単独で使用され、そして時に光レジストコーティングと併せて使用され、テ
ープが固着できる表面が提供され、テープによる汚染および／または層間剥離か
ら表面安定化処理／保護層が保護される。しかし技術文献によれば、接着テープ
はウェハ保護問題に対する完全な解決を提供していない。前述の米国特許番号第
４，８５３，２８６号では依然としてウェハの破損が生じ、ウェハを汚染する粉
塵が接着剤表面に蓄積することが指摘されている。またテープがウェハに対して
高い初期接着性を有する場合、あるいはテープがウェハに適用されてからそれが
除去されるまでの間に接着性が増大する場合、それを引き続いて除去することが
困難かもしれない。

【０００９】 半導体ウェハ裏面研摩操作（ここでは「ウェハ研摩」と称されることもある）
において有用であると報告されている、種々の接着テープについての記述がある
。例えば前述の米国特許番号第４，８５３，２８６号では、破損を防止するため
にウェハ研摩で使用されるウェハ加工フィルムが開示されている。フィルムはベ
ースフィルムと、好ましくは非イオン性表面活性剤およびエチレングリコール誘
導体を含むことができる市販の一般的な接着剤（アクリル酸エステル、ウレタン
、または合成ゴム接着剤など）の層と、ベースフィルムの非接着剤側にラミネー
トされる任意の支持フィルムとを含む。米国特許番号第５，１２６，１７８号（
Ｔａｋｅｍｕｒａら）では、片側に（除去可能な剥離フィルムによって保護され
る）感圧接着剤が付いたベースフィルム、および裏面にリン酸ベースの界面活性
剤を含むウェハ加工フィルムについて述べられている。感圧接着剤はアクリルベ
ース、ビニルベース、またはゴムベースであることができるが、水性エマルジョ
ンタイプの感圧接着剤が好ましい。

【００１０】 ヨーロッパ特許公報第０５３０７２９号では、半導体ウェハ裏面の研摩におい
て使用される感圧接着テープが開示される。低い初期接着性を有し、経時的な接
着強度の増大を示さないと報告される感圧接着剤は、水性アクリル樹脂エマルジ
ョン接着剤、非イオン性界面活性剤、エポキシタイプおよび／またはアジリジン
タイプの架橋剤、および水溶性有機化合物を含む。

【００１１】 しかし依然として、半導体ウェハ研摩加工においてさらに大きな有用性を有す
る接着テープに対する必要性が残る。好ましくはこのようなテープは、いくつか
の望ましい特性を有する。例えばテープは、半導体ウェハが後工程ステップを容
易に切り抜けられるように、好ましくはケイ素、ポリイミド、オキシ窒化ケイ素
、およびその他の集積回路コーティングなどの表面に十分な初期接着性を迅速に
提供しながら、必要時には容易に除去できるべきである。異なる表面に対して異
なるテープを保管する必要がないように、好ましくは単一テープがこれらの各表
面に許容可能な初期接着性を提供する。しかし最終接着性は、従来の工業規格の
下で許される（典型的にウェハ１０００個あたり約１個以下）よりも多数のウェ
ハがテープの除去によって破壊または破損し、あるいは引き続くウェハの加工を
損なうかもしれない接着剤残留物が残るほど高くてはならなない。半導体工業で
使用されるテープの多くでは、ウェハ破損防止のためテープ除去時にウェハに熱
をかけることが必要である。このような加熱ステップは、不必要であることが望
ましい。

【００１２】 テープの初期および最終接着特性が、好ましくは数日間、そしてより好ましく
は数週間の貯蔵にわたり保持されることも望ましい。すなわち好ましくは、特定
の接着剤に結びついた問題である、加工または材料を制限する接着の経時的増大
（接着蓄積と称されることもある）があってはならない。同様にそして好ましく
は、接着剤中の不安定あるいは移行性界面活性剤およびその他の移動性成分が、
接着剤ボンド部に移行して弱い境界層を形成する場合に生じるような、その他の
顕著な経時的変化が接着にあってはならない。保管中に初期および最終接着特性
を概して保持する接着剤は、長期の有効期間を有するテープを提供するだけでな
く、半導体ウェハのテーピング直後に研摩加工を実施する必要性をなくする。

【００１３】 別の望ましい属性は、実質的な汚染なしに接着テープを除去する能力であり、
これは半導体ウェハを顕微鏡下で観察すると検知される半導体ウェハの光学濃度
の変化を指す。これは典型的に表面安定化処理層に残留した微視的な量の接着剤
残留物に起因するが、表面安定化処理層の部分的除去によっても起きる。研摩中
に使用される水吹きつけによってテープが緩むのを防止するために、接着剤が概
して水に対して非感受性であることも望ましい。さらに研摩ムラが避けられるよ
うに、接着剤が概して平坦なプロフィールを有することも望ましい。またウェハ
への適用に際し、余分なテープのトリミング中にテープが端屑の形成に顕著に寄
与しないことも望ましい。

【００１４】 ウェハ研摩に続いて、半導体ウェハを個々の半導体ＩＣチップに鋸引きまたは
ダイスする前に、典型的にいくつかの中間製造段階がある。ウェハダイシングは
、習慣的にウェハの研磨された裏面をテープ（ダイシングテープと称されること
が多い）の接着剤表面に付着し、テープを貼ったウェハを真空テーブルに固定し
て動かないようにし、水が噴霧されるロータリーダイヤモンド鋸を使用して、半
導体ウェハ上にあらかじめ写真平板印刷された鋸引きの印に沿って切断して実施
される。次に個々の半導体ＩＣチップをダイシングテープから取り除く。この操
作は通常、真空ピックアップがＩＣチップの上をつかんでそれをダイシングテー
プから取り除くのと同時に、ＩＣチップの領域でダイシングテープの裏材料に押
しつけられる針またはプローブによって容易になる。次に除去したＩＣチップは
、即座にさらに加工しても良く、あるいは後でアセンブリして最終製品にするた
め貯蔵しても良い。

【００１５】 先行技術文献では、接着剤ダイシングテープを使用する際に遭遇する種々の困
難さについて述べられている。例えばヨーロッパ特許公報第０１５７５０８号で
は、半導体ウェハをテープに粘着するのに十分であるが、ダイスされたＩＣチッ
プの除去を妨げるほどには高くない接着レベルの必要性が論じられている。

【００１６】 接着剤製品、特にウェハダイシング操作で使用される感圧接着テープについて
は以前に述べられている。例えばヨーロッパ特許公報第０５８８１８０号は、放
射線透過性フィルムと、共重合した放射線開始剤を含有する放射線架橋性感圧接
着剤とを含むダイシングテープについて述べている。感圧接着剤は（メタ）アク
リル酸、（メタ）アクリル酸エステル、酢酸ビニル、または種々のビニルアルキ
ルエーテルモノマーから合成されても良い。

【００１７】 日本国特許公開番号第６２−１２１７８１号は、従来の感圧接着剤がブテンタ
イプのポリマーフィルムに適用される、半導体ウェハダイシングフィルムについ
て述べている。日本国特許公開番号第５−２３０４２６号は、ゴム様弾性材料か
らできたベースフィルム上の接着剤層（特にアクリルタイプの接着剤）を含むウ
ェハダイシングのための接着テープを開示する。

【００１８】 既述のヨーロッパ特許公報第０１５７５０８号は、研磨ステップの間に半導体
ウェハを保護するため、または半導体ウェハをＩＣ素子チップに切断して分離す
る際にウェハを固着するために使用される、薄い接着剤シートについて述べてい
る。接着剤シートは光透過性支持材、および光照射によって硬化し三次元網目状
構造を形成する感圧接着剤を含む。接着剤は、ゴムベースまたはアクリルベース
の感圧接着剤、光重合性化合物、および光重合開始剤の混合物を含む。

【００１９】 しかし依然として、半導体ウェハダイシング加工においてより大きな有用性を
有する接着テープに対する必要性が残る。好ましくはこのようなテープは、いく
つかの望ましい特性を有する。例えばテープは、得られる半導体ＩＣチップがウ
ェハダイシング中にゆるまないように、好ましくはケイ素（並びに金メッキまた
はステンレス鋼機械部品など、テープが接着する必要があるかもしれないその他
の表面）に対して十分な初期接着性を提供すべきである。しかし最終接着は、テ
ープからの除去時に半導体ＩＣチップが破損または破壊するほど高くてはならな
い。半導体ウェハをダイシングテープに付着する時点から、ダイシング後に得ら
れた半導体ＩＣチップをテープから取り除くまでの間に、数日間または数週間が
経過するかもしれないので、テープの初期および最終接着特性が好ましくは数日
間、そしてより好ましくは数週間の貯蔵にわたり保持されることも望ましい。接
着が実質的に経時的に増大する場合は、ダイシング直後に使用しない限り、ダイ
スされた半導体ＩＣチップをテープから取り除いて、それらを貯蔵することが必
要かもしれない。

【００２０】 また半導体ＩＣチップは、ＩＣチップのはんだ付けおよびパッケージングなど
の引き続く加工を妨げるかもしれない接着剤残留物を残さないように、好ましく
は接着テープからきれいに取り除かれるべきである。接着剤がテープからのこ歯
に付着すると、半導体ＩＣチップの汚染防止のためにウェハダイシング操作を周
期的に中断して、のこ歯から接着剤残留物を掃除することが必要になるので、付
着がないことも有利である。また接着剤がのこ歯に顕著に付着しなければ、より
厚い接着剤層を用いることもでき、これはのこ歯が意図せずしてテープ裏材料に
切り込むのを防止するのに有利である。テープ裏材料がウェハダイシング中に部
分的に切り込まれると、テープが弱くなって引き続く工程中に時期尚早に壊れる
かもしれない。

【００２１】 ダイシング加工で使用される水吹きつけによって多数のチップがゆるむのを防
止するため、接着剤が概して水に対して非感受性であることも望ましい。さらに
ウェハダイシング操作に先立つトリミングの際に、テープが端屑の形成に顕著に
寄与しないことも望ましい。

【００２２】 最後に、異なる工程のために異なるテープを貯蔵する必要性をなくするために
、ウェハ研摩およびウェハダイシング操作の双方で使用できる単一の接着テープ
があれば有利である。本発明は、これらの１つ以上の望ましい特性を有し、半導
体ウェハの製作中に研摩および／またはダイシング操作で使用できるウェハ加工
接着剤およびテープを提供する。

【００２３】 発明の要約 この発明は概して、半導体ウェハの研摩および／またはダイシングを含む半導
体ウェハの加工において有用なテープに関する。テープは、感圧性でない接着剤
組成物（すなわち非感圧接着剤組成物）を含む。発明のウェハ加工テープにおい
て使用される好ましい接着剤組成物は、例えばポリイミド層、オキシ窒化ケイ素
層、およびケイ素などの基材に、許容可能なレベル（概して比較低レベル）の初
期接着性を提供する。好ましい実施態様は、半導体ウェハおよび／または半導体
ＩＣチップがウェハ加工テープから容易に、好ましくは可視的量の接着剤残留物
を残さずに、研摩またはダイシング後に熱または放射線を適用せずに除去できる
ように、許容可能なレベル（概して比較低レベル）の経時的な接着性蓄積を示す
。さらに好ましい実施態様は、不安定または移行性界面活性剤および粘着剤、そ
してその他の不安定または移行性成分が実質的にない非感圧接着剤を含む。この
ような成分は接着剤ボンド部に移行して弱い境界層を形成すると考えられるので
、典型的に望ましくない。

【００２４】 発明は、永久裏材料および永久裏材料上の非感圧接着剤層を含む半導体ウェハ
加工テープを提供する。好ましくは非感圧接着剤は、室温（すなわち約２０℃〜
約２５℃）で約１．０×１０⁵パスカルを超える貯蔵弾性係数を有し、少なくと
も１つの第１の共重合したモノエチレン性不飽和モノマー、少なくとも１つの第
２の共重合したモノエチレン性不飽和モノマー、および少なくとも１つの共重合
した非イオン性架橋剤を含む共重合体を含む。第２のモノエチレン性不飽和モノ
マーは、第１のモノエチレン性不飽和モノマーよりも高いホモポリマーガラス転
移温度を有する強化モノマーである。強化モノマーは、結果として生じる共重合
体のガラス転移温度および弾性率を増大させる。

【００２５】 好ましくは接着剤は、約０℃以下のホモポリマーガラス転移温度（Ｔｇ）を有
する少なくとも１つのモノエチレン性不飽和モノマー（すなわちモノマーＡ）、
少なくとも約１０℃のホモポリマーガラス転移温度（Ｔｇ）を有する少なくとも
１つのモノエチレン性不飽和強化モノマー（すなわちモノマーＢ）、および少な
くとも１つの共重合性非イオン性架橋剤（すなわちモノマーＣ）を含む共重合体
を含む。典型的に架橋剤を含まない接着剤組成物は、非常に望ましくないことも
あり得る急速に生じる接着性蓄積を有する。

【００２６】 より好ましくは接着剤共重合体は、（Ａ）約０℃以下のホモポリマーＴｇを有
してアルキル基が（平均で）約４〜約１４個の炭素原子を含有する少なくとも１
つの共重合した非三級アルキルアルコールのアクリルまたはメタクリル酸エステ
ル、（Ｂ）少なくとも約１０℃のホモポリマーＴｇを有する少なくとも１つの共
重合した強化単官能性アクリルモノマー、および（Ｃ）アクリル架橋モノマー（
モノマーＣ１）、または励起状態において水素を引抜き得るオレフィン性不飽和
化合物（モノマーＣ２）でも良い非イオン性の共重合した光反応性架橋（すなわ
ち光架橋）剤を含む。

【００２７】 発明に従った好ましい半導体ウェハ加工テープは、少なくとも１つのケイ素、
ポリイミド、またはオキシ窒化ケイ素に含む基材に対し、直線インチ幅あたり約
５ｇ〜直線インチ幅あたり約５００ｇ、より好ましくは直線インチ幅あたり約２
０ｇから直線インチ幅あたり約３００ｇの初期（すなわちテープを基材に適用し
た時点）剥離粘着力を示す。発明に従ったより好ましい半導体ウェハ加工テープ
は、周囲条件下（例えば室温、大気圧、湿度）で７日間基材に接触させたドウェ
ル後でさえこのレベルの剥離粘着力を保持する。

【００２８】 発明のさらに別の実施態様は、永久裏材料および永久裏材料上の感圧性でない
接着剤（すなわち非感圧接着剤）層を含み、接着剤が２４℃で約１．０×１０⁶
パスカル〜約５．０×１０⁷パスカルの貯蔵弾性係数を示す半導体ウェハ加工テ
ープ（すなわち研摩および／またはダイシングテープ）である。その他の発明の
実施態様は、上述の構造物を有するウェハダイシングテープおよびウェハ研摩テ
ープを含む。

【００２９】 発明は、半導体ウェハの加工方法にも関する。方法は、 （ａ）半導体ウェハを提供するステップと、 （ｂ）永久裏材料および永久裏材料上の非感圧接着剤層を含む半導体ウェハ加
工テープの接着剤表面に、半導体ウェハを接着結合するステップと、 （ｃ）ウェハ裏面の研摩またはウェハの集積回路半導体チップへのダイシング
のどちらかによって、半導体ウェハを加工するステップと、 （ｄ）ウェハの光学濃度の実質的な変化なしに、（好ましくは熱または放射線
を適用せずに）テープを除去するステップと、を含む。非感圧接着剤につては上
で述べられている。

【００３０】 好ましい実施態様の詳細な説明 この発明は大まかに、ウェハ研摩および／またはウェハダイシング加工をはじ
めとするウェハ加工用途で有用な接着テープに関する。ここでの用法では「ウェ
ハ研摩」とは、半導体ウェハの製作では周知の手順である厚さを減少させるため
の半導体ウェハ裏面の研摩工程を指す。ここでの用法では「ウェハダイシング」
とは、これも半導体ウェハからＩＣチップへの転換において周知のステップであ
る、半導体ウェハを個々のダイまたは半導体ＩＣチップに鋸引きまたはダイシン
グすることを指す。

【００３１】 好ましい発明の接着剤組成物およびウェハ加工テープは、ケイ素または種々の
有機または無機層（例えばポリイミド、オキシ窒化ケイ素）などの材料を含有す
る半導体基材に対して、比較的低い初期および最終接着性を提供する。好ましい
実施態様は、工業規格で許されるよりも多くの半導体ウェハおよび／または半導
体ＩＣチップを破壊または破損することなく、発明のウェハ加工テープから容易
に除去でき、（裸眼でまたは光学顕微鏡を通して）可視的な量の接着剤残留物を
残さないように、許容可能なレベルの経時的接着性蓄積を示す。意義深いことに
、これは後工程手順なしに起きる。すなわち本発明のテープは、ダイシングまた
は研摩後に容易な除去を提供する熱または放射線の適用を典型的に必要としない
。好ましくはそして有利には、これらのウェハ加工テープは直線インチ幅あたり
約５ｇ〜直線インチ幅あたり約５００ｇ、そしてより好ましくは直線インチ幅あ
たり約２０ｇ〜直線インチ幅あたり約３００ｇの剥離粘着力を提供する。より好
ましくはこのレベルの接着は、半導体ウェハへの最初のテープ適用時、および周
囲条件下でウェハに７日間接触させたドウェル後の双方で示される。実際には、
研摩および／またはダイシング加工中に、ウェハを所定位置に保持できる最も低
い接着レベルが好ましい。ここで述べた以外のその他の接着レベルも特定の用途
では許容可能かもしれない。

【００３２】 高度に好ましい発明の実施態様は上述の基材表面のいくつかに対し、そして最
も好ましくは全てに対しこれらの属性を示す。好ましい発明の実施態様は、後工
程手順なしに、そして実質的な汚染なしに半導体ウェハおよび／または半導体Ｉ
Ｃチップから除去することもできる。汚染はウェハ上の接着剤残留物、または表
面安定化処理材料の除去に起因する。汚染は、ウェハ表面の光学濃度の変化を調
べることで評価できる。したがって本発明のテープ使用の結果、好ましくはウェ
ハ表面の光学濃度には実質的な変化がない。

【００３３】 重要なことには本発明のウェハ加工テープは、望ましいカット性を示す。これ
はトリム操作中に生じるカット屑の量が、業界で許容可能なことを意味する。実
際の使用においては、カット性は典型的に、切断工具の形、鋭さ、および温度、
切断角度および速度、並びに使用する裏材料と接着剤のタイプおよび厚さの関数
である。このような１つ以上のパラメータの変更により、発明のテープで用いる
ことができる接着剤のタイプを広げることができる。

【００３４】 意義深いことにそして好ましくは、発明のウェハ加工テープは水中で安定でも
ある。すなわち接着剤組成物は、水中で顕著に可溶性または膨潤性ではない。

【００３５】 一側面では発明のウェハ加工テープは、永久裏材料および永久裏材料上の非感
圧接着剤（非ＰＳＡ）層を含み、非ＰＳＡは、少なくとも１つの第１のモノエチ
レン性不飽和モノマー、少なくとも１つの第２のモノエチレン性不飽和モノマー
、および少なくとも１つの非イオン性架橋剤の共重合体を含む。第２のモノエチ
レン性不飽和モノマーは、第１のモノエチレン性不飽和モノマーよりも高いホモ
ポリマーガラス転移温度（Ｔｇ）を有する強化モノマーである。

【００３６】 「永久裏材料」とは、一時的な保護剥離ライナーなどの除去可能なまたは剥離
性の成分ではなく（このような剥離ライナーを使用することもできるが）、ウェ
ハ加工テープの一体部分を形成することを意図する基材または裏材料層を意味す
る。発明のウェハ加工テープの広範な有用性を促進するために、永久裏材料は望
ましくはいくつかの特性を有する。例えば永久裏材料は、容易な取り扱い、貯蔵
、および搬送のために芯の周囲にロール形態に巻き取れるよう十分に可撓性でな
くてはならない。また永久裏材料は、後からより簡単に使用できるより狭い幅に
スリッティングまたはカッティングできる広幅ウェブの製作ができるように、並
びに永久裏材料のカッティングを必要とする半導体ＩＣチップ製造段階に適応で
きるように、ナイフで切断できなくてはならない。好ましくは永久裏材料は、従
来のウェハ加工業規格の下で許されるよりも多くの水抽出性化合物またはイオン
成分を含有せず、より好ましくは永久裏材料の水感受性を低下させ、半導体ウェ
ハがこれらの材料によって汚染される可能性を低下させるために、このような材
料を実質的に全く含まない。

【００３７】 発明のウェハ加工テープにおいて有用な永久裏材料は、単層フィルムとしてあ
るいは多層フィルムとして提供されても良い。裏材料の厚さは、得られるテープ
がウェハ研摩およびウェハダイシング装置によって容易に取り扱えれば、大きく
異なっても良い。これらのガイドライン内で永久裏材料の厚さは典型的に約５μ
ｍ〜約５００μｍであるが、ウェハダイシングテープのためには永久裏材料が約
１２μｍ〜約５０μｍの厚さを有することが好ましい。より好ましくはウェハダ
イシングテープのための永久裏材料は、約１２μｍ〜約２５μｍの厚さ、最も好
ましくは約１２μｍ〜約１５μｍの厚さを有する。またダイシング用途での使用
を意図したウェハ加工テープは、半導体ダイの除去を容易にするために用いられ
るかもしれないプッシュアップ針またはプローブの使用に適応できるように、十
分に伸縮性であることが好ましい。したがってウェハダイシングテープで使用す
るのに好ましい永久裏材料は、縦方向で約７０キロパスカル〜約２４０キロパス
カル（ｋＰａ）、そして横方向で約１００ｋＰａ〜約３００ｋＰａの引張破断強
さを示す。同様にウェハダイシングテープで使用するのに好ましい永久裏材料の
縦方向破断点伸びは、約１００％〜約２００％（より好ましくは約１２０％〜約
１６５％）、そして横方向では約３０％〜約９０％である。この範囲未満の引張
強さ、またはこの範囲を超える伸び率を有する永久裏材料は、半導体ＩＣチップ
除去プローブが接触すると、ウェハダイシング工程で使用するのに好ましい発明
の永久裏材料よりもさらに伸びる。その結果プローブの移動距離が増大するので
、このような好ましい範囲外の裏材料はより遅い製造速度をもたらす。さらに永
久裏材料の堅さが増大すると（すなわち高引張強さ、低伸び率）、より一般的に
なっているさらに大きな径の半導体ウェハの取り扱いがより容易になる。

【００３８】 発明のウェハ加工テープで有用な永久裏材料が作成できる材料としては、ポリ
オレフィン（例えばポリエチレン、ポリプロピレン、ポリブテン、およびポリメ
チルペンテン）、エチレン／ビニルモノマー共重合体（例えばエチレン／（メタ
）アクリル酸共重合体およびエチレン／酢酸ビニル共重合体）、ポリブタジエン
、ポリ（塩化ビニル）、ポリウレタン、ポリアミド、およびポリエステル（特に
ポリエチレンテレフタレート）が挙げられる。任意に永久裏材料をプライムする
こともできる。すなわち永久裏材料に対する非ＰＳＡ接着剤の結合を向上させる
ために、永久裏材料はプライムされた表面を含むことができる。このプライムさ
れた表面は、例えば化学下塗り層の使用またはコロナ処理工程によるプライムの
結果生じる。

【００３９】 発明で有用な接着剤組成物は非感圧接着剤（すなわち非ＰＳＡ）材料であり、
約０℃以下のホモポリマーガラス転移温度（Ｔｇ）を有する少なくとも１つのモ
ノエチレン性不飽和モノマー、少なくとも約１０℃のホモポリマーガラス転移温
度（Ｔｇ）を有する少なくとも１つのモノエチレン性不飽和強化モノマー、およ
び少なくとも１つの非イオン性架橋剤の共重合体を含み、より好ましくはそれら
から本質的に成る。このような接着剤組成物は好ましくは、不安定または移行性
界面活性剤および粘着剤、そしてその他の不安定または移行性成分を実質的に含
まない。これらは好ましくは、このようなアクリレートの合成の間に生じる不純
物がウェハの汚染に寄与するかもしれないウレタンアクリレートも実質的に含ま
ない。

【００４０】 「非ＰＳＡ」とは、感圧特性を示さない接着剤を意味する。感圧接着剤は習慣
的に、軽い圧力のみをかけた後に多種多様な基材に対して、永久および乾燥粘着
性を示す接着剤を指すものと理解される。感圧接着剤の一般に認められた量的性
状はＤａｈｌｑｕｉｓｔ基準線によって与えられ、これから約１．０×１０⁵パ
スカル未満の貯蔵弾性係数（Ｇ’）（室温での測定）を有する材料が感圧接着剤
特性を有する一方、この値を超えるＧ’を有する材料はそうでないことが示され
る。したがってより具体的には、ここでの用法では非ＰＳＡは少なくともＤａｈ
ｌｑｕｉｓｔ基準を超える貯蔵弾性係数、より好ましくは少なくとも約１．０×
１０⁶パスカルの貯蔵弾性係数を有する材料を指す。好ましくは約５．０×１０⁷ パスカル以下の貯蔵弾性係数を有する材料は、特に望ましいレベルの接着性を有
する。

【００４１】 本発明で有用な非ＰＳＡ共重合体は、好ましくは少なくとも２つの異なるタイ
プの重合性モノエチレン性不飽和モノマーと、共重合性非イオン性架橋剤との共
重合体である。したがってここでの用法では「共重合体」とは、３つ以上のタイ
プの重合性モノマーのポリマーを含み、および故にターポリマー、テトラポリマ
ーなどを指す。これにはランダム共重合体、ブロック共重合体、または連続的ポ
リマーが含まれる。ここでの用法では、共重合体には、グラフト共重合体、およ
び異なるホモポリマーまたは共重合体の配合物または相互貫入網目状組織は含め
ない。

【００４２】 本発明の非ＰＳＡ共重合体の調製において有用なモノマーは、好ましくは（Ａ
）ホモ重合すると概して約０℃以下のガラス転移温度を有するモノエチレン性不
飽和モノマー（すなわち１個の炭素−炭素二重結合がある）、（Ｂ）ホモ重合す
ると概して少なくとも約１０℃のガラス転移温度を有するモノエチレン性不飽和
強化モノマー、および（Ｃ）モノマーＡおよび／またはＢと共重合性である非イ
オン性架橋剤を含む。モノマーＡおよびＢのホモポリマーのガラス転移温度は典
型的に±５℃以内で正確であり、示差走査熱量計で測定される。

【００４３】 好ましくは約０℃以下のホモポリマーＴｇを有する、単官能性アルキルアクリ
レートまたはメタクリレート（すなわち（メタ）アクリル酸エステル）などのモ
ノエチレン性不飽和モノマーであるモノマーＡは、共重合体の可撓性および接着
性に寄与する。モノマーＡは、（メタ）アクリル酸エステル、α−オレフィン、
ビニルエーテル、アリルエーテル、マレアート、またはモノマーＢおよびＣと共
重合するその他の単官能性モノマーでも良い。好ましくはモノマーＡは、単官能
性（メタ）アクリル酸エステル（すなわちアルキルアクリレートまたはメタクリ
レート）である。「単官能性」という用語は、この脈絡ではモノアクリルモノマ
ーまたは１個のアクリル官能基を含有するモノマーを指すが、その他の官能基が
存在しても良い。好ましくは（メタ）アクリレートのアルキル基は、（平均で）
約４〜約１４個の炭素原子を有する。アルキル基は炭素鎖内に酸素原子を任意に
含有することで、例えばエーテルを形成できる。モノマーＡの例としては、２−
メチルブチルアクリレート、イソオクチルアクリレート、ラウリルアクリレート
、４−メチル−２−ペンチルアクリレート、イソアミルアクリレート、ｓｅｃ−
ブチルアクリレート、ｎ−ブチルアクリレート、ｎ−ヘキシルアクリレート、２
−エチルヘキシルアクリレート、ｎ−オクチルアクリレート、ｎ−デシルアクリ
レート、イソデシルアクリレート、イソデシルメタクリレート、およびイソノニ
ルアクリレートが挙げられるが、これに限定されるものではない。その他の例と
しては、ポリ−エトキシ化または−プロポキシ化メトキシ（メタ）アクリレート
（すなわちポリ（エチレン／プロピレンオキシド）モノ−（メタ）アクリレート
）マクロマー（すなわち高分子モノマー）、ポリメチルビニルエーテルモノ（メ
タ）アクリレートマクロマー、およびエトキシ化またはプロポキシ化ノニル−フ
ェノールアクリレートマクロマーが挙げられるが、これに限定されるものではな
い。このようなマクロマーの分子量は、典型的に約１００ｇ／モル〜約６００ｇ
／モルであり、好ましくは約３００ｇ／モル〜約６００ｇ／モルである。モノマ
ーＡとして使用できる好ましい単官能性（メタ）アクリレートとしては、２−メ
チルブチルアクリレート、２−エチルヘキシルアクリレート、イソオクチルアク
リレート、ラウリルアクリレート、およびポリ（エトキシ化）メトキシアクリレ
ートが挙げられる。Ａモノマーとして分類された種々の単官能性モノマーの組み
合わせを使用して、本発明の共重合体を作成することもできる。

【００４４】 好ましくは少なくとも約１０℃のホモポリマーＴｇを有するモノエチレン性不
飽和強化モノマーであるモノマーＢは、共重合体のガラス転移温度を増大させる
。したがってここでの用法では「強化」モノマーとは、接着剤の弾性率を増大さ
せることでその強度を増大させるものを指す。モノマーＢは、（メタ）アクリル
酸、（メタ）アクリレート、（メタ）アクリルアミド、α−オレフィン、ビニル
エーテル、およびアリルエーテル、スチレンモノマー、マレアート、またはモノ
マーＡおよびＣと共重合できるその他の単官能性モノマーであることができる。
好ましくはモノマーＢは、アクリル酸、アクリルアミド、またはアクリレートな
どの強化単官能性アクリルモノマーである。「単官能性」という用語はこの脈絡
では、モノ−アクリルモノマーまたはアクリル官能基を含有するモノマーを指す
が、その他の官能基が存在することもできる。モノマーＢの例としては、アクリ
ルアミド、メタクリルアミド、Ｎ−メチルアクリルアミド、Ｎ−エチルアクリル
アミド、Ｎ−メチロールアクリルアミド、Ｎ−ヒドロキシエチルアクリルアミド
、ジアセトンアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジエ
チルアクリルアミド、Ｎ−エチル−Ｎ−アミノエチルアクリルアミド、Ｎ−エチ
ル−Ｎ−ヒドロキシエチルアクリルアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチロールアクリルアミ
ド、Ｎ，Ｎ−ジヒドロキシエチルアクリルアミド、ｔ−ブチルアクリルアミド、
ジメチルアミノエチルアクリルアミド、Ｎ−オクチルアクリルアミド、および１
，１，３，３−テトラメチルブチルアクリルアミドなどのアクリルアミドが挙げ
られるが、これに限定されるものではない。モノマーＢのその他の例としては、
アクリル酸、メタクリル酸、イタコン酸、クロトン酸、マレイン酸、フマル酸、
２，２’−（エトキシエトキシ）エチルアクリレート、２−ヒドロキシエチルア
クリレートまたはメタクリレート、２−ヒドロキシプロピルアクリレートまたは
メタクリレート、３−ヒドロキシプロピルアクリレートまたはメタクリレート、
ｔ−ブチルアクリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、イソボルニルアクリレー
ト、２−（フェノキシ）エチルアクリレートまたはメタクリレート、ビフェニリ
ルアクリレート、ｔ−ブチルフェニルアクリレート、シクロヘキシルアクリレー
ト、ジメチルアダマンチルアクリレート、２−ナフチルアクリレート、フェニル
アクリレート、Ｎ−ビニルピロリドン、およびＮ−ビニルカプロラクタムが挙げ
られる。モノマーＢとして使用できる好ましい強化単官能性アクリルモノマーと
しては、アクリル酸、ｔ−ブチルアクリレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアクリルアミ
ド、１，１，３，３−テトラメチルブチルアクリルアミド、Ｎ−オクチルアクリ
ルアミド、２−ヒドロキシプロピルアクリレート、３−ヒドロキシプロピルアク
リレート、イソボルニルアクリレート、および２−（フェノキシ）エチルアクリ
レートが挙げられる。Ｂモノマーとして分離される種々の強化単官能性モノマー
の組み合わせを使用して、本発明の共重合体を作成することもできる。

【００４５】 モノマーＡおよびＢと共重合する非イオン性架橋剤であるモノマーＣは、共重
合体のガラス転移温度を増大させてその接着性を変更し、そのカット性を向上さ
せる（すなわちカット屑を減少させる）。架橋剤は典型的に、化学的架橋（例え
ば共有結合）を生じる。架橋官能基は、ウェハにテープを適用するのに先立って
消費され、すなわちそれはモノマーＡおよびＢと本質的に完全に反応する。好ま
しくはモノマーＣがエチレン性不飽和を含有する場合、それはモノマーＡおよび
Ｂとの共重合により、エチレン性不飽和を通じて共重合体の主鎖に組み込まれる
。すなわち共重合体の架橋官能基は、モノマーＡおよびＢの共重合体上にグラフ
トされない。適切な架橋剤は、米国特許番号第４，３７９，２０１号（Ｈｅｉｌ
ｍａｎｎ）、第４，７３７，５５９号（Ｋｅｌｌｅｎ）、および第５，５０６，
２７９号（Ｂａｂｕら）で開示されている。好ましくはモノマーＣは、紫外線（
例えば約２５０ｎｍ〜約４００ｎｍの波長を有する放射線）に曝されると、共重
合体の架橋を引き起こす非イオン性光架橋剤である。より好ましくはモノマーＣ
は、（１）多官能性アクリル架橋モノマー、または（２）励起状態において水素
を引抜き得るオレフィン性不飽和化合物である。これらの各モノマー（Ｃ１およ
びＣ２）は、モノマーＡおよび／またはＢと共重合できるフリーラジカル重合性
モノマーである。種々の架橋剤の組み合わせを使用して、本発明の非感圧接着剤
を作成することもできる。ウレタンアクリレートを含有する接着剤は、望ましく
ないウェハ汚染を生じることもあるので、好ましくはモノマーＣはそれらを含ま
ない。

【００４６】 非イオン性架橋モノマー（すなわちモノマーＣ１）の一タイプは、好ましくは
アクリル基間の炭素鎖に平均で約１２個未満の原子を有する多官能性アクリル架
橋モノマーである。「多官能性」という用語はここでの方法では、２個以上のフ
リーラジカル重合性エチレン性不飽和基を有する架橋剤を指す。このタイプのモ
ノマーＣ１の例としては、トリメチロールプロパントリアクリレート、１，６−
ヘキサンジオールジアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、
１，２−エチレングリコールジアクリレート、ドデシルジアクリレート、および
エチレンオキシド変性ビスフェノールＡのジアクリレートが挙げられるが、これ
に限定されるものではない。アクリル架橋モノマーの組み合わせを使用して、本
発明の非感圧接着剤を作成することもできる。

【００４７】 別のタイプの非イオン性架橋モノマー（すなわちモノマーＣ２）は、モノマー
ＡおよびＢと共重合して、ポリマーの照射に際しポリマー主鎖にフリーラジカル
を生じるオレフィン性不飽和化合物である。このようなモノマーの例は、米国特
許番号第４，７３７，５５９号（Ｋｅｌｌｅｎら）で述べられたアクリル化ベン
ゾフェノン、ペンシルベニア州エクストンのＳａｒｔｏｍｅｒ Ｃｏｍｐａｎｙ
から入手できるｐ−アクリロキシ−ベンゾフェノン、および米国特許番号第５，
０７３，６１１号（Ｒｅｈｍｅｒら）で述べられたｐ−Ｎ−（メタクリロイル−
４−オキサペンタメチレン）−カルバモイロキシベンゾフェノン、Ｎ−（ベンゾ
イル−ｐ−フェニレン）−Ｎ’−（メタクリロキシメチレン）−カルボジイミド
、およびｐ−アクリロキシ−ベンゾフェノンをはじめとするモノマーである。米
国特許番号第５，５０６，２７９号（Ｂａｂｕら）の５〜６欄は、｛２−［４−
（２−ヒドロキシ−２−メチル−プロパン−１−オン）フェノキシ］｝エチル（
２−メチル−２−（２−メチル−２−プロペン−１−オン）アミノ）プロパノエ
ートである、その中で配合２と称されるもう一つの適切なオレフィン性不飽和架
橋剤について述べている。励起状態で水素を除去できるオレフィン性不飽和化合
物は、好ましくはアクリル官能基を含む。このような架橋モノマーの組み合わせ
を使用して、本発明の共重合体を作成することもできる。

【００４８】 モノマーＡ、Ｂ、およびＣは、上で定義したような非感圧接着剤特性と、接着
、汚染、およびカット特性に関してウェハ加工業で望ましい特性とを有する共重
合体を生成する量で使用される。好ましくはモノマーは、約６０部〜約８５部の
モノマーＡおよび約１０部〜約３０部のモノマーＢの量で使用され、本発明の非
感圧接着剤組成物において有用な共重合体が作成される。より好ましくはモノマ
ーは、約７０部〜約８５部のモノマーＡおよび約１０部〜約２０部のモノマーＢ
の量で使用される。ここで言及されるあらゆる部は、特に断りのない限り重量を
基準とする。モノマーＡ、モノマーＢ、およびモノマーＣの合計は１００重量部
である。

【００４９】 モノマーＣ（すなわち非イオン性架橋剤）は効果的な量で使用されるが、これ
はウェハへのテープ適用に先だって接着剤の架橋を引き起こし、当該基材に所望
の最終接着特性を提供するのに十分な量を意味する。架橋剤の量が不十分である
と接着剤組成物の硬化が無効になるかもしれず、接着性が高すぎたり、および／
またはカット特性が望ましくなくなる一方で、過剰な架橋剤もまた望ましくない
接着性および／またはカット特性に帰結する。架橋剤がアクリルモノマーである
場合、モノマー総量を基準にして好ましくは約５部〜約３０部、より好ましくは
約１０部〜約２０部の量で使用される。架橋剤が励起状態で水素を除去できるオ
レフィン性不飽和共重合性光反応性化合物である場合、それは１００部の総モノ
マー含量を基準にして、好ましくは重量で約１部〜約１０部、より好ましくは約
１部〜約５部の量で使用される。

【００５０】 驚くべきことに、ウェハ上で使用する前に架橋剤をアクリル共重合体に組み込
むとウェハに対して適切であるが、後工程（例えば研摩またはダイシング後に接
着性を低下させるための加熱または照射）が必要になるほどではないテープの接
着性が提供される。これは例えば、モノマーＡおよびＢの接着性共重合体と、モ
ノマーＣの類似化合物との配合物を使用する、従来のウェハ加工テープと対照的
である。このような接着剤配合物を有するテープはウェハに適用されて加工され
、次にウェハから除去される前に照射されて第３のモノマーが重合し、Ａおよび
ＢとＣモノマーのホモポリマーとの共重合体の相互貫入網目状組織が形成する。
この相互貫入網目状組織は、低下した接着性を有するのでウェハが除去できる。
テープをウェハに適用する前に、架橋剤をモノマーＡおよびＢの共重合体に組み
込むことでこのような後工程の必要性がなくなる。

【００５１】 本発明の非感圧接着剤組成物において有用な共重合体を形成するためのモノマ
ーＡ、Ｂ、および架橋剤Ｃの重合は、典型的に熱エネルギー、電子線照射、紫外
線などを使用して実施される。このような重合は、熱開始剤または光開始剤であ
ることができる重合開始剤によって促進できる。光開始剤はどちらかの好ましい
種類の架橋剤と共に使用できる一方、熱開始剤は典型的に、上でＣ２モノマーと
称される好ましい種類の架橋剤のみと共に使用される。適切な光開始剤の例とし
ては、ベンゾインメチルエーテルおよびベンゾインイソプロピルエーテルなどの
ベンゾインエーテル、アニソインメチルエーテルなどの置換ベンゾインエーテル
、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノンなどの置換アセトフェノン
、および２−メチル−２−ヒドロキシプロピオフェノンなどの置換α−ケトール
などが挙げられるが、これに限定されるものではない。市販の光開始剤の例とし
ては、どちらもニューヨーク州ホーソンのＣｉｂａ−Ｇｅｉｇｙ Ｃｏｒｐ．か
ら入手できるＩＲＧＡＣＵＲＥ ８１９およびＤＡＲＯＣＵＲ １１７３、およ
びニュージャージー州パーシッパニーのＢＡＳＦから入手できるＬＵＣＥＲＩＮ
ＴＰＯが挙げられる。適切な熱開始剤の例としては、ジベンゾイルペルオキシ
ド、ジラウリルペルオキシド、メチルエチルケトンペルオキシド、クメンヒドロ
ペルオキシド、ジシクロヘキシルペルオキシジカーボネートなどのペルオキシド
、並びに２，２−アゾ−ビス（イソイブチロニトリル）、および過安息香酸ｔ−
ブチルが挙げられるが、これに限定されるものではない。市販の熱開始剤の例と
しては、ペンシルベニア州ピッツバーグのＡＣＲＯＳ Ｏｒｇａｎｉｃｓからの
ＶＡＺＯ ６４、およびペンシルベニア州フィラデルフィアのＥｌｆ Ａｔｏｃ
ｈｅｍ Ｎｏｒｔｈ ＡｍｅｒｉｃａからのＬＵＣＩＤＯＬ ７０が挙げられる
。重合開始剤は、モノマーの重合を促進するのに効果的な量で使用される。好ま
しくは重合開始剤は、１００部の総モノマー含量を基準にして重量で約０．１部
〜約５．０部、より好ましくは約０．２部〜約１．０部の量で使用される。

【００５２】 光架橋剤が使用されているならば、コーティングした接着剤は約２５０ｎｍ〜
約４００ｎｍの波長を有する紫外線に暴露できる。この好ましい波長範囲におけ
る接着剤の架橋に必要な放射エネルギーは、約１００ミリジュール／ｃｍ²〜約
１，５００ミリジュール／ｃｍ²、より好ましくは、約２００ミリジュール／ｃ
ｍ²〜約８００ミリジュール／ｃｍ²である。

【００５３】 本発明の共重合体は、分子量を調節するための溶剤または連鎖移動剤（例えば
ＣＢｒ₄）を含んでも含まなくても良い、様々な技術によって作成できる。これ
らの技術は、適切な重合開始剤の使用を伴っても良い。モノマーＡ、Ｂ、および
Ｃを使用して共重合体を調製するための好ましい無溶剤重合方法は、米国特許番
号第４，３７９，２０１号（Ｈｅｉｌｍａｎｎら）で開示されている。最初に塗
布可能なベースシロップを形成するのに十分な時間、不活性の環境内でモノマー
ＡおよびＢの混合物をＵＶ照射に暴露することで、混合物を光開始剤の一部に重
合し、引き続いてモノマーＣおよび光開始剤の残りを添加する。次にモノマーＣ
を含有するこの最終シロップ（例えば分速６０回転のＮｏ．４ＬＴＶスピンドル
による測定で、２３℃において約１００センチポアズ〜約６０００センチポアズ
のブルックフィールド粘度を有する）を永久裏材料などの基材にコーティングす
る。シロップが永久裏材料コーティングされると、不活性の環境（すなわちモノ
マー混合物と非反応性の環境）内でさらなる重合と架橋が典型的に実施される。
適切な不活性の環境としては、酸素を除外する窒素、二酸化炭素、ヘリウム、お
よびアルゴンが挙げられる。十分に不活性の雰囲気は、ＵＶ照射または電子線に
対して透過性のポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルムなどのポリマー
フィルムで光活性シロップ層を覆い、空気中でフィルムを通して照射することに
より達成できる。

【００５４】 モノマーＡ、Ｂ、およびＣ２を使用して共重合体を調製するための好ましい溶
液重合方法は、米国特許番号第５，０７３，６１１号（Ｒｅｈｍｅｒら）で開示
されている。このような調製方法に対する適切な溶剤としては、例えばベンゼン
、トルエン、キシレン、ｎ−ヘキサン、シクロヘキサンなどの炭化水素、並びに
エステル、アルコール、エーテル、およびそれらの混合物が挙げられる。溶液中
で重合を実施するために、モノマー混合物の一部および熱開始剤の一部または全
部と共に、溶剤の一部または全部が加熱される。重合が開始すると、モノマー混
合物の残り、そして当てはまれば熱開始剤および溶剤の残りが添加される。重合
後、成分は裏材料にコーティングでき、溶剤は加熱を伴うまたは伴わない蒸発に
よって除去できる。

【００５５】 モノマーＡ、Ｂ、およびＣ２を使用した共重合体を調製するためのラテックス
重合方法は、米国特許番号第５，４２４，１２２号（Ｃｒａｎｄａｌｌら）で開
示されている。例えばラテックスエマルジョン重合は、モノマーＡ、Ｂ、および
Ｃ２、親油性非イオン性フリーラジカル開始剤、水、および非イオン性界面活性
剤を組み合わせて実施される。混合物は均質化されてエマルジョンを形成し、そ
の後に不活性雰囲気下でエマルジョンを撹拌しながら、典型的に熱を使用してフ
リーラジカル重合が開始される。重合後、ラテックスは中実基材にコーティング
され、典型的に少なくとも約６５°℃の温度で乾燥される。必要ならば水を添加
または除去して、適切なコーティング粘度を得る。

【００５６】 発明で有用なアクリル官能性モノマー共重合体のいくつかは、ウェハ加工用途
における最大の有用性のためには低すぎる、または高すぎる固有の接着レベルを
有しても良い。さらにアクリル官能性モノマー共重合体のいくつかは、ウェハ加
工用途における最良の有用性のためには結合する基材表面を不十分に濡らしても
、低品質のコーティングを形成しても、コーティングするのが困難でも、あるい
はそれらの組み合わせでも良い。したがって発明の接着剤組成物は、粘着性付与
樹脂または液体ゴムなどの接着調節剤をさらに、そして任意に含んで、固有の接
着性、濡れ性、またはアクリル官能性モノマー共重合体のコーティング性を増大
しても良い。これらはモノマーＡ、Ｂ、およびＣの１つ以上と共重合性でも良い
。少量のその他の種々の添加剤を接着剤組成物に含めることもできる。このよう
な添加剤としては、顔料、染料、可塑剤、充填剤、安定剤、紫外線吸収剤、酸化
防止剤、プロセス油、界面活性剤などが挙げられる。各添加剤の使用量は、所望
の最終特性次第で異なって良い。しかし好ましくは本発明の非感圧接着剤組成物
は、不安定または移行性の添加剤（例えば特定の界面活性剤および粘着剤）を実
質的に含まない。さらにウェハ加工用途において向上した有用性を提供するため
に、ウェハ加工テープは、ＩＣ半導体ウェハに移行してそれを汚染するかもしれ
ないイオン性不純物を本質的に含んではならない。

【００５７】 次に本発明の非ＰＳＡ成分は、ナイフコーティング、溝付ナイフコーティング
、またはリバースロールコーティングをはじめとする様々なコーティング方法に
よって永久裏材料に適用できる。成分が溶剤を含む場合、次に接着テープを提供
するために、それが（例えば数分〜約１時間）にわたり（例えば約６５℃〜約１
２０℃）の温度で乾燥される。接着剤層の厚さは約１０ミクロン〜数１００ミク
ロン（例えば約２００ミクロン）の広い範囲にわたり異なっても良いが、ウェハ
研摩加工のためには約２５μｍ〜約９０μｍの接着剤厚さがより好ましく、他方
ウェハダイシング加工に用いられるテープのためには約５０μｍ〜約１００μｍ
の接着剤厚さが使用できる。

【００５８】 接着剤組成物が、ウェハ加工テープを提供するために実質的に完全に硬化して
架橋すると、テープの接着剤表面をポリオレフィン（例えばポリエチレンまたは
ポリプロピレン）またはポリエステル（例えば、ポリエチレンテレフタレート）
フィルム、または可塑性フィルムなどの一時的な除去可能な剥離ライナー（すな
わち保護ライナー）で任意に保護できる。このようなフィルムはケイ素、ワック
ス、フルオロカーボンなどの剥離材料で処置できる。接着剤組成物が実質的に不
飽和がないように、実質的に完全に硬化し架橋して初めて、発明の接着テープが
ウェハに加工（研摩および／またはダイシング）のために適用される。

【００５９】 発明は以下の制限を意図しない実施例を参照して、より完全に理解される。実
施例は、下で述べる特定の試験方法に関して評価された。試験方法および実施例
で述べたあらゆる寸法は、公称寸法である。

【００６０】 試験方法 剥離粘着力 剥離粘着力は、約７００μｍの厚さを有する標準回路未印刷（すなわち回路図
形が表面に存在しない）工業ケイ素金属試験ウェハの研磨表面に対して測定した
。接着は、ウェハをイソプロパノールで洗浄して風乾した後に、ウェハ加工テー
プの約１３０ｍｍ×２５ｍｍ寸法プレカット試験ストリップを試験表面に付着し
て評価した。およそ２ｋｇのゴム被覆ローラーを２回通過させて、この試験スト
リップを試験基材に接着した。次にウェハ加工テープの付いた基材を即座に、あ
るいは２３℃および相対湿度（ＲＨ）５０％で「ドウェル」実施例で述べた期間
ドウェルした後に試験した。

【００６１】 次に基材をスリップ剥離試験機モデルＳＰ−１０２Ｃ−３Ｍ９０接着試験機（
マサチューセッツ州アコードのＩＭＡＳＳ，Ｉｎｃ．）の接着試験キャリッジに
、テープでしっかりと貼り付けた。押さえつけテープ（ミネソタ州セントポール
の３Ｍ Ｃｏｍｐａｎｙの３Ｍ製品番号２３２マスキングテープ）をキャリッジ
に接触するのと反対側のウェハの回路未印刷表面の露出ウェハ表面の一部に置い
て、ウェハの端を超えてキャリッジに接触させた。ウェハ加工テープ試験ストリ
ップの一自由端を接着試験機の力センサに接触させて、試験ストリップを基材か
ら１８０°の角度と３０ｃｍ／分の速度で１０秒間剥がした。平均剥離粘着力値
を直線インチ幅あたりのグラム数（ｇｌｉｗ、２５ｍｍあたりのグラム数を近似
する）で得た。試験ストリップに対して４回の別個の測定を行い、値を４回の測
定の平均で報告した。報告した値は、四捨五入した。

【００６２】 半導体ウェハの研摩工程に使用されるテープは、いくらかの測定可能な接着レ
ベルを示さなくてはならない。剥離粘着力の値は、半導体ウェハ製造工業でウェ
ハ加工テープが広く受け入れられるのを促進するために、約５ｇｌｉｗ〜約５０
０ｇｌｉｗ、そしてより好ましくは約２０ｇｌｉｗ〜約３００ｇｌｉｗでなくて
はならない。好ましくは接着剤組成物は許容可能な経時的接着性蓄積を示し、す
なわちそれは依然としてこれらの範囲内である最終接着値を示す。

【００６３】 半導体ウェハ汚染 以下のようにして、ウェハ加工テープが、片側がポリイミド樹脂で上塗りされ
た露出回路図形を有する半導体ウェハの汚染を引き起こす傾向を評価した。写真
平板印刷された電子回路、および結合のための露出表面がポリイミドと電子回路
材料の双方であるように適用された、半導体ＩＣチップ製作で使用されるものを
代表するポリイミド表面安定化処理層をこの順で有する半導体ケイ素ウェハをイ
ソプロパノールできれいに拭って加圧空気を使用して乾燥し、ポリイミドで被覆
された表面を発明のテープで覆った。およそ２ｋｇのゴム被覆ローラーを１また
は２回通過させてテープをケイ素ウェハに接着し、下の試験方法「ハンドカット
性−カッティング屑」で述べたように余分を端からトリミングした。ウェハ加工
テープの付いたケイ素ウェハを２３℃および５０％相対湿度（ＲＨ）で７日間ド
ウェルさせた。

【００６４】 実施例に示したドウェル期間後に、固定ブレード間隔レーザーナイフをウェハ
加工テープの表面を横切って引きよせ、ウェハ平面部の中心に置いた約１３０ｍ
ｍ×５０ｍｍ寸法のウェハ加工テープの試験ストリップを切断した。次に固定ブ
レード間隔レーザーナイフをウェハ加工テープの表面を横切って引きよせ、約１
２０ｍｍ×２５ｍｍ寸法の試験ストリップを５０ｍｍ幅の中心試験ストリップの
各辺に隣接して平行に切断した。次に以下に述べたように汚染および剥離性につ
いて、テープを貼った半導体ウェハを評価した。

【００６５】 日東ＢＴ３１５Ｓ剥離テープ（日本国大阪の日東電工から入手できる）の５０
ｍｍ幅×約２５ｍｍ長さのストリップを中心試験ストリップの前縁（すなわちウ
ェハ平面部に位置する端）に、手で圧力をかけて接着した。剥離テープ／中心試
験ストリップの組み合わせを手で引っ張って、ウェハのポリイミド被覆表面を露
出させた。Ｌｅｉｃａ ＷＩＬＤ Ｍ１０ズーム立体顕微鏡（スイス国Ｈｅｅｒ
ｂｒｕｇｇのＬｅｉｃａ ＡＧ）を使用して、露出したポリイミド被覆ウェハ表
面を少なくとも１２８倍の倍率で、試験表面の光学濃度の変化について光学的に
検査した。試験表面の光学濃度の変化は、汚染の存在を示す。

【００６６】 剥離性 剥離粘着力試験中に試験ストリップを自動除去する間に、そして「半導体ウェ
ハ汚染」試験で述べたようにして作成したウェハから、中心および側面試験スト
リップを手によって除去する間に、ウェハ加工テープの剥離性を定性的に評価し
た。基材を破壊あるいは破損しないでそれから除去でき、基材に裸眼で見える接
着剤残留物がなければ、テープは剥離性であると見なされた。サンプルは即座に
、またはドウェル期間後のどちらかに試験した。

【００６７】 ハンドカット性−カッティング屑 ケイ素半導体ウェハの研磨した回路未印刷試験表面に適用した後に、ウェハ加
工テープのカット特性を評価した。ここで述べたカッティング条件の最適化は、
試みなかったことに留意されたい。下に報告したハンドカット特性は、接着剤組
成物の変動の影響を実証することを意図する。全実験で、同一試験ウェハを使用
した。前の試験からの目に見える屑の存在があれば、発明のテープを適用する前
にイソプロパノールを使用してそれを拭い取り、ウェハを風乾した。テープが表
面全体を覆ってその端から伸びるように、ウェハ加工テープのサンプルを試験表
面に適用した。適用後、テープをウェハ表面に手で押しつけ、端に指先で圧力を
かけて外周全体が確実に密着するようにした。その上にウェハ加工テープが付い
た基材を即座に試験した。試験表面の端を超えて伸びる余計なテープを新しいま
たは使用済みレーザーブレードを用いて、外周全体の回りで手で切り取った。切
断工程中は、ブレードを垂直方向（すなわち試験表面に直角な面）に対して約１
５°の角度、および試験表面の端に沿った接線から約３０°の角度で表面の端に
押しつけた。

【００６８】 切断中に目に見える屑がない切断端の長さに基づいて、プラス１つ（＋）、プ
ラス２つ（＋＋）、またはプラス３つ（＋＋＋）の等級与えた。屑が皆無または
わずかなテープにはプラス３つ（＋＋＋）を与え、手動または自動カッティング
方法のどちらでもで有用と見なした。中程度の量の屑を示したテープにはプラス
２つ（＋＋）を与え、自動方法が好ましいが手動または自動カッティング方法で
有用と見なした。いくらか多量の屑を示したテープには、プラス１つ（＋）を与
え、選択された条件下において自動カッティング方法で使用するのが最善である
と見なした。評価された各テープについて、新しいまたは使用済みレーザーブレ
ードを使用して、１つまたは２つのサンプルを試験した。２つのサンプルを試験
した場合、平均等級を報告した。

【００６９】 弾性率 流体測定動的分析機ＲＤＡＩＩ、Ｒｈｅｓｏｕｒｃｅ Ｓｅｒｉｅｓ（ニュー
ジャージー州ピスカタウェイのＲｈｅｏｍｅｔｒｉｃ Ｓｃｉｅｎｔｉｆｉｃ、
Ｉｎｃ．）を使用して貯蔵弾性係数Ｇ’を測定した。硬化接着剤のいくつかの層
を重ね合わせ、約８ｍｍ径のディスクを打ち抜いて約２ｍｍの厚さを有するサン
プルを作成した。平行板モードで８ｍｍ径プレートを使用し、振動数６．２８ラ
ジアン／秒および歪度０．５％で測定を実施した。０℃〜４０℃にわたり５℃／
分の速度で温度を走査して、２０秒毎に読み取った。２４℃での貯蔵弾性係数Ｇ
’を報告した。これらの測定は、典型的に接着剤組成物を調製した３〜４日後に
実施した。

【００７０】 半導体ウェハダイシング １４２ｍｍ内径ウェハリング（スイス国バーグのＧｕｓｔａｖ Ｗｉｒｚ Ａ
Ｇからの＃８５７２）上に、およそ２００ｍｍ四方のテープサンプルを引き延ば
し外側のロックリングにテープを挟み込んで、ウェハダイシングテープとしての
ウェハ加工テープの特定の有用性を評価した。およその寸法５１ｍｍ×５１ｍｍ
および厚さ４２ｍｍを有する研磨した回路未印刷のケイ素ウェハ片をウェハとフ
ィルムの間に空気が入らないように注意深く、引き延ばしたフィルム上に載せた
。２．２ｋｇのゴムローラーをテープ裏面にかけて、可能なエアポケットを取り
除いた。カリフォルニア州マウンテンビューのＤｉｓｃｏ Ａｂｒａｓｉｖｅ
Ｓｙｓｔｅｍ、Ｉｎｃの自動ダイシング鋸（外径５１．４ｍｍおよび厚さ０．０
５０ｍｍを有するＤｉｓｃｏ ＮＢＣＺ−２０６０のこ歯を装着したモデル番号
ＤＡＤ−２Ｈ／５）を使用して、ケイ素ウェハを付着した１２時間後にそれをダ
イスした。ダイシング鋸を２５．４ｍｍ／秒の速度で作動させ、３９ポンド／平
方インチ（ｐｓｉ）の水洗浄を使用して、ケイ素ウェハを切口中心で２．５ｍｍ
×２．５ｍｍまたは１．３ｍｍ×２．５ｍｍのどちらかの寸法のダイに切断した
。切断ダイの総数は、各サイズに対しで約２００個であった。ウェハダイシング
工程中にテープから洗い流されたダイの数を記録した。

【００７１】 用語集 以下の実施例では種々の略称を使用した。略称は以下の一覧表にしたがって定
義される。 ＡＡ：アクリル酸（ニュージャージー州パーシッパニーのＢＡＳＦから入手でき
る） ＡＢＰ：ｐ−アクリロキシ−ベンゾフェノン（ペンシルベニア州エクストンのＳ
ａｒｔｏｍｅｒ Ｃｏｍｐａｎｙから入手できる） ｔ−ＢＡ：ｔ−ブチルアクリレート（ウィスコンシン州ミルウォーキーのＡｌｄ
ｒｉｃｈ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏｍｐａｎｙ、Ｉｎｃ．から入手できる） ＤＡＲＯＣＵＲ １１７３：液体開始剤、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フ
ェニル−プロパン−１−オン（ニューヨーク州ホーソンのＣｉｂａ−Ｇｅｉｇｙ
Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手できる） ＤＭＡ−Ｎ：Ｎ−ジメチルアクリルアミドモノマー（ニュージャージー州ニュー
アークのＪａｒｃｈｅｍ Ｉｎｄｕｓｔｒｉｅｓ、Ｉｎｃ．から入手できる） ＨＤＤＡ：１，６−ヘキサンジオールジアクリレート（サウスカロライナ州アウ
グスターナのＵＣＢ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｃｏｒｐ．から入手できる） ＨＰＡ：２−ヒドロキシプロピルアクリレートと３−ヒドロキシプロピルアクリ
レートの異性体混合物（ＲＯＣＲＹＬ ４３０としてペンシルベニア州フィラデ
ルフィアのＲｏｈｍ ａｎｄ Ｈａａｓから入手できる） ＩＢＯＡ：イソボルニルアクリレート（ニューヨーク州ニューヨークのＳａｎ
Ｅｅｓｔｅｒｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手できる） ＩＧＥＰＡＬ ＣＡ−８９７：非イオン性アルキルフェノールエトキシ化界面活
性剤（ニュージャージー州クランブリーのＲｈｏｎｅ−Ｐｏｕｌｅｎｃから入手
できる） ＩＯＡ：イソオクチルアクリレート ＩＲＧＡＣＵＲＥ ８１９：固形光開始剤（ジ（２，４，６−トリメチルベンゾ
イル）フェニルホスフィンオキシド）（ニューヨーク州テリータウンのＣｉｂａ
−Ｇｅｉｇｙ Ｓｐｅｃｉａｌｔｙ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉ
ｏｎから入手できる） ＬＵＣＥＲＩＮ ＴＰＯ：固形光開始剤（ニュージャージー州パーシッパニーの
ＢＡＳＦから入手できる） ２−ＭＢＡ：２−メチルブチルアクリレート ＰＥＯＭ：メトキシ−キャップドポリ（エチレングリコール）５５０モノメタク
リレート（公称分子量５５０のＣＤ ５５２としてペンシルベニア州エクストン
のＳａｒｔｏｍｅｒ Ｃｏｍｐａｎｙ、Ｉｎｃ．から入手できる） ＰＥＴ：ポリ（エチレングリコールテレフタレート） ＰｈＯＥＡ：２−（フェノキシ）エチルアクリレート（ニュージャージー州オー
ルドブリッジのＣＰＳ Ｃｈｅｍｉｃａｌから入手できる） ＰＵＲＥＬＡＳＴ ５６６Ａ：アクリル化ウレタンオリゴマー（フロリダ州オル
ランドのＰｏｌｙｍｅｒ Ｓｙｓｔｅｍｓから入手できる） ＴＭＢＡ：１，１，３，３−テトラメチルブチルアクリルアミド（コネチカット
州ブリッジウォーターのＮａｔｉｏｎａｌ Ｓｔａｒｃｈ Ｃｈｅｍｉｃａｌ
Ｃｏ．から入手できる） ＴＭＰＴＡ：トリメチロールプロパントリアクリレート（サウスカロライナ州ア
ウグスターナのＵＣＢ Ｃｈｅｍｉｃａｌｓ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎから入手
できる） ＶＡＺＯ ６４：熱開始剤、Ｎ，Ｎ’アゾ−ビス（イソブチロニトリル）（ペン
シルベニア州ピッツバーグのＡＣＲＯＳ Ｏｒｇａｎｉｃｓから入手できる）

【００７２】 特に断りのない限り、以下の実施例においてあらゆる量は１０分の１グラムで
四捨五入した。

【００７３】 実施例１ 以下のようにして発明に従ったウェハ加工テープを提供した。３０７．５ｇの
２−メチルブチルアクリレート（２−ＭＢＡ）、３．２ｇのアクリル酸（ＡＡ）
、６．３ｇの２−ＭＢＡ中２５％四臭化炭素溶液（ｗ／ｗ）、および０．１６ｇ
のＤＡＲＯＣＵＲ １１７３光開始剤を０．４７Ｌガラスジャー中で共に混合し
て、プレミックスシロップを調製した。ジャーに栓をして、窒素源を栓の孔を通
じて混合物中に入れた。窒素で１０分間パージした後、混合物を穏やかに旋回さ
せ、２個の１５ワットのブラックライトランプ（ＳｙｌｖａｎｉａモデルＦ１５
Ｔ８／３５０ＢＬ）を使用して、推定（視覚的に）約１０００センチポアズの粘
度を有するシロップが得られるまで紫外（ＵＶ）線に暴露した。次に窒素パージ
および照射を中断し、１．８８ｇのＬＵＣＥＲＩＮ ＴＰＯ光開始剤をプレミッ
クスシロップに添加して、密封ジャー内の組み合わせをローラーに３０分間載せ
て溶解しベースシロップを得た。次に０．２５Ｌガラスジャー内の３５．２ｇの
ベースシロップに、５．４ｇのジメチルアクリルアミド（ＤＭＡ）および７．７
ｇのヘキサンジオールジアクリレート（ＨＤＤＡ）を添加した。これらを金属へ
らを使用して約２分間、手で共に混合した。得られる最終シロップは、２−ＭＢ
Ａ：ＡＡ：ＤＭＡ：ＨＤＤＡ／７２：１：１１：１６（重量百分率、重量％）の
成分を有した。

【００７４】 最終シロップをベッド式ナイフコーターステーションを使用して、５０．０μ
ｍの厚さの光学等級ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）カバーフィルム（「
光学等級」とは約１．８％以下の曇り値を有するフィルムを指す）（下）と、９
０μｍ厚さのコロナ処理ポリプロピレン裏材料フィルム（アイオワ州シダーラピ
ッドのＡｍｅｒｉｃａｎ Ｐｒｏｆｏｌ、Ｉｎｃ．から入手できる）（上）との
間にコーティングした。ナイフを所定位置にロックして、用いた２枚のフィルム
を合わせた厚さよりも３８μｍ大きく設定した固定ギャップを保持した。次に３
００ｎｍ〜４００ｎｍ、最大３５１ｎｍのスペクトル出力を有する電球が上部に
装着された９．１ｍ長さのＵＶ照射チャンバーを通過させて、得られた被覆され
た複合材を硬化させた。チャンバー内には４つの全般的なゾーンがあった。全暴
露時間の約４分の１に相当するゾーン１では、温度設定は１５．５℃で電球は１
．４ミリワット／ｃｍ²の強度に設定された。ゾーン２〜４では、温度設定値は
３２．２℃であり、電球の強度は６．０ミリワット／ｃｍ²に設定された。コー
ティングステーションおよび照射チャンバーを通るウェブ速度は１．５ｍ／分で
あったため、測定された総エネルギー用量は１８００ミリジュール／ｃｍ²（国
立標準技術研究所（ＮＩＳＴ）単位）であった。上（ポリプロピレン）側からの
照射後に、ポリプロピレン裏材料フィルム、硬化して架橋した厚さ約３８μｍの
接着剤組成物、およびＰＥＴカバーフィルムを有するウェハ加工テープが得られ
た。ＰＥＴカバーフィルムを取り除いた後、テープを上述のように接着、汚染、
剥離性、およびカット特性について評価した。結果を下の表１に示す。

【００７５】 弾性率を評価するための試験標本を以下のように作成した。約２５４μｍに間
隙設定したベッド式ナイフコーターステーションを使用して、それぞれ約５１μ
ｍの厚さのケイ素被覆ＰＥＴライナーと、ウレタン剥離剤被覆ＰＥＴライナーと
の間に最終シロップ成分をコーティングした。次に４個の１５ワットブラックラ
イトランプ（ＳｙｌｖａｎｉａモデルＦ１５Ｔ８／３５０ＢＬ）を使用して、こ
のサンドイッチ構造物をＵＶ照射に１０分間暴露し、約２５１０ミリジュール／
ｃｍ²のエネルギー用量を与えた。ＰＥＴライナーの除去後に得られた硬化して
架橋した接着剤を使用して、弾性率評価のための標本を作成した。

【００７６】 実施例２ 以下の変更を加えて、実施例１で述べたようにしてウェハ加工テープを作成し
評価した。１３４．５ｇの２−ＭＢＡ、７．１ｇのＡＡ、０．８４ｇの２−ＭＢ
Ａ中５％四臭化炭素溶液、および０．０８ｇのＤＡＲＯＣＵＲ１１７３光開始剤
を使用して、プレミックスシロップを作成した。このプレミックスシロップに１
．０１ｇのＬＵＣＥＲＩＮ ＴＰＯ光開始剤および２６．６ｇのＤＭＡを添加し
て、ベースシロップを得た。５５．６ｇのベースシロップに５．６ｇのトリメチ
ロールプロパントリアクリレート（ＴＭＰＴＡ）を添加して、２−ＭＢＡ：ＡＡ
：ＤＭＡ：ＴＭＰＴＡ／７３：４：１４：９（重量％）の成分を有する最終シロ
ップを提供した。ウェブ速度が１．７ｍ／分で、測定された総エネルギ用量が１
５３１ミリジュール／ｃｍ²（ＮＩＳＴ単位）であったこと以外は、実施例１で
述べたようにして最終シロップをコーティングし照射した。厚さ約３８μｍの硬
化して架橋した接着剤組成物を有するウェハ加工テープが得られた。得られたウ
ェハ加工テープの試験結果を表１に示す。

【００７７】 実施例３ 以下の変更を加えて、実施例１で述べたようにしてウェハ加工テープを作成し
評価した。１０６．６ｇの２−ＭＢＡ、３５．５ｇの１，１，３，３−テトラメ
チルブチルアクリルアミド（ＴＭＢＡ、２−ＭＢＡ中に溶解された固形物）、お
よび０．０７ｇのＤＡＲＯＣＵＲ１１７３光開始剤を使用して、プレミックスシ
ロップを作成した。このプレミックスシロップに０．７８ｇの追加的なＤＡＲＯ
ＣＵＲ１１７３光開始剤を添加して、ベースシロップを得た。ＨＤＤＡ（６．８
ｇ）を４５．６ｇのベースシロップと組み合わせ、２−ＭＢＡ：ＮＯＡ：ＨＤＤ
Ａ／６５：２２：１３（重量％）の成分を有する最終シロップ得た。ウェブ速度
が１．７ｍ／分で、測定された総エネルギー用量が１５３１ミリジュール／ｃｍ ² （ＮＩＳＴ単位）であったこと以外は、実施例１で述べたようにして最終シロ
ップをコーティングし照射した。厚さ約３８μｍの硬化して架橋した接着剤組成
物を有するウェハ加工テープが得られた。得られたウェハ加工テープの試験結果
を表１に示す。

【００７８】 実施例４ 以下の変更を加えて、実施例１で述べたようにしてウェハ加工テープを作成し
評価した。１１６．９ｇのポリ（エチレンオキシド）モノ−メタクリレート（Ｐ
ＥＯＭ）、０．２３ｇの２−ＭＢＡ中２５％四臭化炭素溶液、および０．０６ｇ
のＤＡＲＯＣＵＲ１１７３光開始剤を使用して、プレミックスシロップを作成し
た。プレミックスシロップに１．４ｇのＬＵＣＥＲＩＮ ＴＰＯ光開始剤および
１１６．９ｇのＤＭＡを添加して、ベースシロップを得た。ＨＤＤＡ（７．５ｇ
）を３９．５ｇのベースシロップと組み合わせ、ＰＥＯＭ：ＤＭＡ：ＨＤＤＡ／
４２：４２：１６（重量％）の成分を有する最終シロップを提供した。測定され
た総エネルギー用量が１７６９ミリジュール／ｃｍ²（ＮＩＳＴ単位）であった
こと以外は、実施例１で述べたようにして最終シロップをコーティングし照射し
た。厚さ約３８μｍの硬化して架橋した接着剤組成物を有するウェハ加工テープ
が得られた。得られたウェハ加工テープの試験結果を表１に示す。

【００７９】 実施例５ 以下の変更を加えて、実施例１で述べたようにしてウェハ加工テープを作成し
評価した。４８．２ｇの２−ＭＢＡ、２．８ｇのＡＡ、０．１５ｇの２−ＭＢＡ
中２５％四臭化炭素溶液、および０．０７ｇのＤＡＲＯＣＵＲ１１７３光開始剤
を使用して、プレミックスシロップを作成した。プレミックスシロップに０．８
４ｇのＬＵＣＥＲＩＮ ＴＰＯ光開始剤、４１．３ｇのＤＭＡ、および４８．２
ｇのＰＥＯＭを添加してベースシロップを得た。ＨＤＤＡ（６．１ｇ）を３１．
９ｇのベースシロップと組み合わせ、２−ＭＢＡ：ＡＡ：ＤＭＡ：ＰＥＯＭ：Ｈ
ＤＤＡ／２８．５：２：２５：２８．５：１６．０（重量％）の成分を有する最
終シロップ提供した。測定された総エネルギー用量が１７６９ミリジュール／ｃ
ｍ²（ＮＩＳＴ単位）であったこと以外は、実施例１で述べたようにして最終シ
ロップをコーティングし照射した。厚さ約３８μｍの硬化して架橋した接着剤組
成物を有するウェハ加工テープが得られた。得られたウェハ加工テープの試験結
果を表１に示す。

【００８０】 実施例６ 以下の変更を加えて、実施例１で述べたようにしてウェハ加工テープを作成し
評価した。７６．８ｇのヒドロキシプロピルアクリレート（ＨＰＡ）、０．１５
ｇの２−ＭＢＡ中２５％四臭化炭素溶液、および０．０４ｇのＤＡＲＯＣＵＲ１
１７３光開始剤を使用して、プレミックスシロップを作成した。プレミックスシ
ロップに０．９２ｇのＬＵＣＥＲＩＮ ＴＰＯ光開始剤、１９．２ｇのＤＭＡ、
および５７．６ｇのＰＥＯＭを添加してベースシロップを得た。ＨＤＤＡ（９．
２ｇ）を４５．７ｇのベースシロップと組み合わせ、ＰＥＯＭ：ＨＰＡ：ＤＭＡ
：ＨＤＤＡ／４０：１０：３０：２０（重量％）の成分を有する最終シロップを
提供した。測定された総エネルギー用量が１７９５ミリジュール／ｃｍ²（ＮＩ
ＳＴ単位）であったこと以外は、実施例１で述べたようにして最終シロップをコ
ーティングし照射した。厚さ約３８μｍの硬化して架橋した接着剤組成物を有す
るウェハ加工テープが得られた。得られたウェハ加工テープの試験結果を表１に
示す。

【００８１】 実施例７ 以下の変更を加えて、実施例１で述べたようにしてウェハ加工テープを作成し
評価した。ＩＯＡおよび０．０５％（ｗ／ｗ）ＤＡＲＯＣＵＲ１１７３光開始剤
を使用して、イソオクチルアクリレート（ＩＯＡ）のプレミックスシロップを作
成した。７２．８ｇのプレミックスシロップに１８．２ｇのフェノキシエチルア
クリレート（ＰｈＯＥＡ）および追加的な０．５５％ＤＡＲＯＣＵＲ１１７３（
ｗ／ｗプレミックスシロップとＰｈＯＥＡを合わせた重量を基準）に添加して、
ベースシロップを得た。ＨＤＤＡ（５．９ｇ）を３９．０ｇのベースシロップと
組み合わせ、ＩＯＡ：ＰｈＯＥＡ：ＨＤＤＡ／７０：１７：１３（重量％）の成
分を有する最終シロップを提供した。ウェブ速度が１．７ｍ／分で、測定された
総エネルギー用量が１５３１ミリジュール／ｃｍ²（ＮＩＳＴ単位）であったこ
と以外は、実施例１で述べたようにして最終シロップをコーティングし照射した
。厚さ約３８μｍの硬化して架橋した接着剤組成物を有するウェハ加工テープが
得られた。得られたウェハ加工テープの試験結果を表１に示す。

【００８２】 実施例８ 以下の変更を加えて、実施例７で述べたようにしてウェハ加工テープを作成し
評価した。ＨＤＤＡ（９．２ｇ）を４６．０ｇのベースシロップと組み合わせ、
ＩＯＡ：ＰｈＯＥＡ：ＨＤＤＡ／６６．７：１６．７：１６．７（重量％）の成
分を有する最終シロップ提供した。ウェブ速度が１．７ｍ／分で、測定された総
エネルギー用量が１５３１ミリジュール／ｃｍ²（ＮＩＳＴ単位）であったこと
以外は、実施例１で述べたようにして最終シロップをコーティングし照射した。
厚さ約３８μｍの硬化して架橋した接着剤組成物を有するウェハ加工テープが得
られた。得られたウェハ加工テープの試験結果を表１に示す。

【００８３】 実施例９ 以下の変更を加えて、実施例１で述べたようにしてウェハ加工テープを作成し
評価した。１１３．１ｇのＩＯＡ、２８．８ｇのイソボルニルアクリレート（Ｉ
ＢＯＡ）、および０．０７ｇのＤＡＲＯＣＵＲ１１７３光開始剤を使用してプレ
ミックスシロップを作成した。プレミックスシロップに０．７８ｇの追加的なＤ
ＡＲＯＣＵＲ １１７３光開始剤を添加してベースシロップを得た。ＨＤＤＡ（
５．４ｇ）を３５．８ｇのベースシロップと組み合わせ、ＩＯＡ：ＩＢＯＡ：Ｈ
ＤＤＡ／６９：１８：１３（重量％）の成分を有する最終シロップを提供した。
ウェブ速度が１．７ｍ／分で測定された総エネルギー用量が１５３１ミリジュー
ル／ｃｍ²（ＮＩＳＴ単位）であったこと以外は、実施例１で述べたように最終
シロップをコーティングし照射した。厚さ約３８μｍの硬化して架橋した接着剤
組成物を有するウェハ加工テープが得られた。得られたウェハ加工テープの試験
結果を表１に示す。

【００８４】

【表１】

【００８５】 実施例１０ 溶液ポリマーを調製し、ポリエステル（ＰＥＴ）裏材料にコーティングして乾
燥し、被覆されたポリマーを照射に暴露して、発明に従ったウェハ加工テープを
提供した。より具体的には８５重量部のＨＰＡ、１５重量部のｔ−ブチルアクリ
レート（ｔ−ＢＡ）、２重量％（ＨＰＡおよびｔ−ＢＡを合わせた重量を基準に
して）のｐ−アクリロキシベンゾフェノン（ＡＢＰ）光架橋剤、０．３５重量％
（ＨＰＡ、ｔ−ＢＡ、およびＡＢＰを合わせた重量を基準にして）のＶＡＺＯ６
４熱開始剤および酢酸エチルをボトルに装入して、２５％固形分の成分を得た。
ボトルに栓をして６０℃の水浴中で２４時間回転させた。混合物を室温に冷却し
てから得られるポリマー溶液を５０．０μｍ厚さの光学等級ＰＥＴフィルム裏材
料上に注いで、手で引っ張ってベッド式ナイフコーターステーションを通過させ
た。ナイフとベッドの間の間隙を裏材料の厚さよりも２５４μｍ大きく設定した
。被覆されたフィルムを室温で約１０分間、続いて８２℃に設定した強制空気オ
ーブン内で約４分間乾燥した。次にこの被覆され乾燥されたフィルムを約２．４
ｍの長さを有し、２個の中圧水銀球を装着した窒素不活性化照射チャンバーに、
約４．８ｍ／分の速度で通過させた。約６２５ミリジュール／ｃｍ²（ＮＩＳＴ
単位）の測定された総エネルギー用量が、露出ポリマー側に適用された。照射す
ると、ＰＥＴ裏材料フィルムおよび約７０μｍ厚さの硬化して架橋した接着剤組
成物を有するウェハ加工テープが得られた。接着剤成分は、ＨＰＡ：ｔ−ＢＡ：
ＡＢＰ／８３：１５：２（重量％）であった。次の変更を加えて、上で述べたよ
うにしてテープを剥離粘着力、剥離性、およびカット特性について評価した。試
験方法「半導体ウェハ汚染」で述べたようにポリイミド上塗りを有する回路印刷
した半導体ウェハをあらゆる実施試験で用いた。報告した剥離粘着力の値は、６
回の測定の平均である。結果を下の表２に示す。

【００８６】 実施例１１ ポリマーラテックスを調製し、それをポリエステル（ＰＥＴ）裏材料にコーテ
ィングし乾燥して、被覆されたポリマーを照射に暴露して、発明に従ったウェハ
加工テープを提供した。より具体的には、８６重量部の２−ＭＢＡ、１０重量部
のイソボルニルアクリレート（ＩＢＯＡ）、４重量部の米国特許番号第５，５０
６，２７９号（欄５／６、配合２）で開示されるメタクリルアミド−官能性光架
橋剤、３重量％（２−ＭＢＡ、ＩＢＯＡ、および光架橋剤を合わせた重量を基準
にして）のＩＧＥＰＡＬＣＡ８９７非イオン性界面活性剤、および０．５重量％
（２−ＭＢＡ、ＩＢＯＡ、および光開始剤を合わせた重量を基準にして）のジラ
ウリルペルオキシド、および１０４ｇの脱イオン水を１Ｌ均質化ミキサー（Ｗａ
ｒｉｎｇ Ｂｌｅｎｄｅｒ７００、コネチカット州ニューハートフォードのＷａ
ｒｉｎｇ Ｃｏｍｐａｎｙ）内で組み合わせ、１Ｌ／分の速度で３分間窒素パー
ジして次に高速で２分間均質化した。得られる混合物を攪拌機、冷却器、および
熱電対を装着した２Ｌフラスコにに移し、６０℃に加熱しながら３００回転／分
（ｒｐｍ）の速度で撹拌した。以下に述べる調製の間も撹拌を継続した。混合物
を８２℃の発熱が起きるまで６０℃に保持し、その時点で外的熱源を取り除いて
混合物を６０℃に冷却した。外的熱源を再度適用し、温度を６０℃に１時間保持
し、その後外的熱源を除去して混合物をほぼ室温に冷却した。冷却混合物を濾過
した後（凝塊は観察されなかった）、４９％の測定された固形分レベルを有する
ポリマーラテックスが得られた。

【００８７】 ポリマーラテックスを光学等級ＰＥＴフィルム裏材料上に５０．０μｍの厚さ
に注いで、手で引っ張ってベッド式ナイフコーターステーションを通過させた。
ナイフとベッドの間の間隙を裏材料の厚さよりも約７６μｍ〜１０１μｍ大きく
設定した。被覆されたフィルムを９３℃に設定した強制空気オーブン内で約４分
間乾燥した。乾燥後、照射するまで接着剤コーティングを保護するために、（米
国特許番号第５，２９０，６１５号（Ｔｕｓｈａｕｓら）が述べるように）片側
にシリコーン−尿素剥離剤を有する５０．０μｍ厚さの光学等級ＰＥＴ剥離ライ
ナーフィルムで、露出ポリマー表面を覆った。剥離剤処理された面がポリマーと
接触するように内側にした。剥離ライナーを除去した後、ＰＥＴ裏材料上の未架
橋接着剤を約２．４ｍの長さを有し、３個の中圧水銀球を装着した窒素不活性化
照射チャンバーに、約１８．３ｍ／分の速度で通過させた。６３１ミリジュール
／ｃｍ²の測定された総エネルギー用量（ＮＩＳＴ単位）を露出接着剤側から適
用した。照射後、剥離ライナーを架橋した接着剤表面に前と同じように再度適用
して、ＰＥＴ裏材料フィルム、厚さ約８７μｍの硬化して架橋した接着剤組成物
、およびＰＥＴ剥離ライナーを有するウェハ加工テープを得た。接着剤成分は２
−ＭＢＡ：ＩＢＯＡ：光架橋剤／８６：１０：４（重量％）であった。以下の変
更を加えて、実施例１０で述べたようにしてテープを評価した。報告された剥離
粘着力の値は、２回の試験の測定平均である。結果を下の表２に示す。

【００８８】 実施例１２ 以下の変更を加え、実施例１１で述べたようにしてポリマーラテックスを調製
し、発明に従ったウェハ加工テープを提供した。具体的には８０．５重量部の２
−ＭＢＡ、１７重量部のＩＢＯＡ、および実施例１１で述べた２．５重量部のメ
タクリルアミド−官能性光架橋剤を用いて、２−ＭＢＡ：ＩＢＯＡ：光架橋剤／
８０：１７：３（重量％）の接着剤組成物を得た。（実施例１１で述べたようし
て照射した）硬化して架橋した厚さ約８５μｍの接着剤組成物を有する得られた
テープを実施例１１で述べたようにして評価した。結果を下の表２に示す。

【００８９】

【表２】

【００９０】 実施例１３ 以下の変更を加え、実施例１で述べたのと同じようにしてウェハ加工テープを
作成した。１７８．１ｇの２−ＭＢＡ、９．４ｇのＡＡ、０．９４ｇの２−ＭＢ
Ａ中５％四臭化炭素溶液、および０．０９ｇのＤＡＲＯＣＵＲ １１７３光開始
剤を使用して、プレミックスシロップを作成した。プレミックスシロップに４０
．１ｇのＨＤＤＡおよび３５．２ｇのＤＭＡを添加して、ベースシロップを得た
。４４．０ｇのベースシロップに０．２６ｇのＩＲＧＡＣＵＲＥ８１９を添加し
て、２−ＭＢＡ：ＡＡ：ＤＭＡ：ＨＤＤＡ／６８：４：１３：１５（重量％）の
成分を有する最終シロップを提供した。最終シロップを上側の１０１．６μｍ厚
さエチレン／酢酸ビニルフィルム（日本国千葉の大日本樹脂から入手できる）と
、下側の５０．０μｍ厚さ光学等級ＰＥＴカバーフィルムとの間にナイフコーテ
ィングし、ウェブ速度が１．５ｍ／分で測定された総エネルギー用量が１８１６
ミリジュール／ｃｍ²（ＮＩＳＴ単位）であったこと以外は、実施例１で述べた
ようにして上側から照射した。硬化して架橋した厚さ約５８μｍの接着剤組成物
を有するウェハ加工テープが得られた。ＰＥＴカバーフィルムを除去した後、上
の「半導体ウェハダイシング」試験方法で述べたようにして、ウェハダイシング
工程で使用するためにテープを評価した。ダイ損失結果を下の表３に示す。

【００９１】

【表３】

【００９２】 比較実施例１ 以下の変更を加え、実施例１で述べたのと同様にしてウェハ加工テープを作成
した。２０．０ｇのＩＯＡ、５．３ｇのＩＢＯＡ、および０．０１ｇのＩＲＧＡ
ＣＵＲＥ６５１光開始剤を採用して０．２４Ｌガラスジャー内でプレミックスシ
ロップを作成した。プレミックスシロップに１．１ｇのＨＤＤＡ、１．３ｇのＰ
ＵＲＥＬＡＳＴ５６６Ａアクリル化ウレタンオリゴマー、および追加的な０．０
５ｇのＩＲＧＡＣＵＲＥ６５１光開始剤を添加して透明な最終シロップを得た。
より早い段階でアクリル化ウレタンオリゴマーがプレミックスに添加されると、
不純物の結果ゲル化が起るかもしれない。この最終シロップは、ＩＯＡ：ＩＢＯ
Ａ：ＨＤＤＡ：５６６Ａ／７２．１：１９．２：３．９：４．８（ｗ／ｗ）の成
分を有した。

【００９３】 最終シロップを下側の５０．０μｍ厚さ光学等級ＰＥＴフィルムと、上側の（
米国特許番号第５，２９０，６１５（Ｔｕｓｈａｕｓら）が述べるように）シリ
コーン−尿素剥離剤を片面に有する５０．０μｍ厚さ光学等級ＰＥＴ剥離ライナ
ーフィルムとの間にナイフコーティングして、以下の変更を加え、実施例１のよ
うに上側から照射した。ウェブ速度は１．６８ｍ／分で、４つのゾーンは全て６
．０ミリワット／ｃｍ²の電球強度に設定し、ゾーン温度は３２℃であり、測定
された総エネルギー用量は１８４５ミリジュール／ｃｍ²（ＮＩＳＴ単位）であ
った。硬化して架橋した厚さ約１００μｍの接着剤組成物を有するウェハ加工テ
ープが得られた。ＰＥＴカバーフィルムを除去した後に、テープをカット性と剥
離性について評価した。結果を以下の表４に示す。

【００９４】 さらにＰＥＴカバーフィルムを除去してから、テープを貼ったウェハを研摩し
た後に、ウェハ加工テープが、ポリイミド樹脂で片面を上塗りされた露出回路図
形を有する半導体ウェハに汚染を引き起こす傾向を評価した。具体的には、少な
くとも半導体ケイ素ウェハの幅と等しい幅を有するテープのサンプルで、ウェハ
研摩用途におけるウェハ加工テープの有用性を評価した。テープをクラス１００
０無塵室において周囲温度で、およそ２ｋｇのゴム被覆ローラーを１度通過させ
て、ポリイミドで上塗りされた回路図形を有するケイ素ウェハの面に適用し、余
分なテープをトリミングした。次にテープが付着したウェハを周囲条件で８時間
以内、通常は１時間未満ドウェルさせた。

【００９５】 次にテープを貼った半導体ウェハをテープ側を下にしてＤｉｓｃｓｃｏモデル
ＤＦＧ−８３Ｗ６ウェハ研磨機に載せた。ウェハを真空チャックで回転プラッタ
ーの所定位置に保持した。研摩加工中に回転プラッターは一連の３つの研摩砥石
（それぞれＤｉｓｃｓｃｏ Ｃｏｒｐ．から入手できる）の下を通過した。第１
の研摩砥石（モデル番号ＲＳ−Ｏ１−２−４０／６０−ＮＡ−Ａ）は１２０μｍ
のケイ素を除去し、第２の研摩砥石（モデル番号ＲＳ−０１−２−２０／３０−
ＮＡ−Ｃ）は１００μｍのケイ素を除去し、第３の研摩砥石（モデル番号ＲＳ−
０３−２−２／３４−Ｐ）は１０μｍのケイ素を除去した。約１０分／回転のプ
ラッター回転速度を用いた。第３の研摩砥石に続いて、半導体ウェハを水で洗浄
して研摩屑を除去し風乾して、周囲条件で約１６時間ドウェルさせ、その後上の
「半導体ウェハ汚染」試験方法で述べたようにして、それを汚染について評価し
た。結果を下の表４に示す。

【００９６】 実施例１４ 以下のようにして、実施例１と同一成分を有する発明に従ったウェハ加工テー
プを提供した。２−ＭＢＡ：ＡＡ：ＤＭＡ：ＨＤＤＡ／７２：１：１１：１６（
ｗ／ｗ）の成分を有するシロップの最終シロップを調製し、次に上側の５０．０
μｍ厚さ光学等級ポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）カバーフィルムと、下
側の９０μｍ厚さコロナ処理ポリプロピレン裏材料フィルム（アイオワ州シダー
ラピッドのＡｍｅｒｉｃａｎ Ｐｒｏｆｏｌ、Ｉｎｃ．から入手できる）との間
にしごき塗りした。次に得られる被覆された複合材を上下に装着されたスペクト
ル出力３００〜４００ｎｍ、最大３５１ｎｍの電球を有する１１．９ｍ長さのＵ
Ｖ照射チャンバーに通過させて硬化した。チャンバー内には７つの全般的なゾー
ンがあった。全暴露時間の約１７％に相当するゾーン１および２では、温度設定
は１５．５℃であり、電球は１．２ミリワット／ｃｍ²の平均強度を与えた。ゾ
ーン２〜７では温度設定は３２．２℃であり、平均電球強度は約５．３ミリワッ
ト／ｃｍ²であった。コーティングステーションおよび照射チャンバーを通過す
るウェブ速度は２．４ｍ／分であり、その結果測定された総エネルギー用量は約
２４８０ミリジュール／ｃｍ²（ＮＩＳＴ単位）であった。両側から同時に照射
した後、ポリプロピレン裏材料フィルム、硬化して架橋した厚さ約３８μｍの接
着剤組成物、およびＰＥＴカバーフィルム有するウェハ加工テープが得られた。

【００９７】 ＰＥＴカバーフィルムを除去した後、上で述べたようにテープを剥離性および
カット特性について評価した。さらに第３の研摩砥石を用いなかったことと汚染
検査前のドウェル期間が７日間であったこと以外は、比較実施例１で述べたよう
にして、テープを貼ったウェハの研摩後にウェハ加工テープが汚染を引き起こす
傾向を評価した。結果を下の表４に示す。

【００９８】

【表４】

【００９９】 ここで引用した各特許、特許出願、および広報は、その内容全体を個々に本願
明細書に引用したものとする。発明の範囲と精神を逸脱することなく、この発明
の種々の修正および変更ができることは当業者には明らかである。この発明は、
ここで述べた例証のための実施態様によって制限を受けないものとする。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＧＷ，ＭＬ， ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＧＨ，ＧＭ，Ｋ Ｅ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，ＵＧ，ＺＷ)，ＥＡ(ＡＭ ，ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＭＤ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ) ，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＡ，ＢＢ，ＢＧ， ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＵ，ＣＺ，ＤＥ，Ｄ Ｋ，ＥＥ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＤ，ＧＥ，ＧＨ，ＧＭ ，ＨＲ，ＨＵ，ＩＤ，ＩＬ，ＩＮ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ， ＫＧ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＣ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，Ｌ Ｔ，ＬＵ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＫ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ， ＳＧ，ＳＩ，ＳＫ，ＳＬ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，Ｕ Ａ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ，ＹＵ，ＺＷ (72)発明者 ベネット，グレゴリー エス． アメリカ合衆国，ミネソタ 55133−3427， セント ポール，ピー．オー．ボックス 33427 (72)発明者 アラハッペルマ，カルナセナ エー． アメリカ合衆国，ミネソタ 55133−3427， セント ポール，ピー．オー．ボックス 33427 Ｆターム(参考） 4J004 AA02 AA06 AA10 CA04 CA06 CC02 FA05 FA08 5F031 CA02 HA78 MA37

Claims (10)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 永久裏材料および前記永久裏材料上の非感圧接着剤層を含む
   半導体ウェハ加工テープであって、前記非感圧接着剤が、少なくとも１つの第１
   の共重合したモノエチレン性不飽和モノマー、少なくとも１つの第２の共重合し
   たモノエチレン性不飽和モノマー、および少なくとも１つの共重合した非イオン
   性架橋剤を含む共重合体を含み、前記第２のモノエチレン性不飽和モノマーが、
   前記第１のモノエチレン性不飽和モノマーよりも高いホモポリマーガラス転移温
   度を有する強化モノマーであり、さらにテープをウェハ表面に適用して除去した
   後に、前記接着剤が前記ウェハの光学濃度に実質的な変化を引き起こさない半導
   体ウェハ加工テープ。
2. 【請求項２】 前記非感圧接着剤が、室温で約１．０×１０⁵パスカルを超
   え約５．０×１０⁷パスカル以下の貯蔵弾性係数を示す、請求項１に記載の半導
   体ウェハ加工テープ。
3. 【請求項３】 前記非感圧接着剤が、不安定または移行性成分を実質的に含
   まない請求項１に記載の半導体ウェハ加工テープ。
4. 【請求項４】 接着剤の前記露出層上に半導体ウェハをさらに含む、請求項
   １に記載の半導体ウェハ加工テープ。
5. 【請求項５】 ケイ素、ポリイミド、オキシ窒化ケイ素、およびこれらの組
   み合わせの群から選択される材料を含む基材に対して、直線インチ幅あたり約５
   ｇ〜直線インチ幅あたり約５００ｇの初期剥離粘着力、および周囲条件下で７日
   間前記基材に接触させたドウェル後に、直線インチ幅あたり約５ｇ〜直線インチ
   幅あたり約５００ｇの剥離粘着力を示す請求項１に記載の半導体ウェハ加工テー
   プ。
6. 【請求項６】 永久裏材料および前記永久裏材料上の非感圧接着剤層を含む
   半導体ウェハ加工テープであって、前記接着剤が、約０℃以下のホモポリマーガ
   ラス転移温度を有する少なくとも１つの共重合したモノエチレン性不飽和モノマ
   ー、少なくとも約１０℃のホモポリマーガラス転移温度を有する少なくとも１つ
   の共重合したモノエチレン性不飽和強化モノマー、および少なくとも１つの共重
   合した非イオン性架橋剤を含むが、ただし非イオン性架橋剤がウレタンアクリレ
   ートでない共重合体を含む半導体ウェハ加工テープ。
7. 【請求項７】 前記非感圧接着剤が２４℃で約１．０×１０⁶パスカル〜約
   ５．０×１０⁷パスカルの貯蔵弾性係数を示す、請求項６に記載の半導体ウェハ
   加工テープ。
8. 【請求項８】 永久裏材料および前記永久裏材料上の非感圧接着剤層を含む
   半導体ウェハ加工テープであって、接着剤が、約０℃以下のホモポリマーガラス
   転移温度を有する少なくとも１つの共重合したモノエチレン性不飽和モノマーと
   、少なくとも約１０℃のホモポリマーガラス転移温度を有する少なくとも１つの
   共重合したモノエチレン性不飽和強化モノマーと、アクリル架橋モノマー、励起
   状態で水素を引抜き得るオレフィン性不飽和化合物、およびそれらの混合物の群
   から選択される少なくとも１つの共重合した非イオン性架橋剤とを含む共重合体
   を本質的に含む半導体ウェハ加工テープ。
9. 【請求項９】 永久裏材料および前記永久裏材料上の非感圧接着剤層を含む
   半導体ウェハ加工テープであって、前記接着剤が室温で約１．０×１０⁵パスカ
   ルを超える貯蔵弾性係数を有し、約０℃以下のホモポリマーガラス転移温度を有
   して前記アルキル基が平均約４〜約１４個の炭素原子を含有する少なくとも１つ
   の共重合した非三級アルキルアルコールのアクリルまたはメタクリル酸エステル
   と、少なくとも約１０℃のホモポリマーガラス転移温度を有する少なくとも１つ
   の共重合した強化単官能性アクリルモノマーと、少なくとも１つの共重合した非
   イオン性光架橋剤とを含むが、ただし非イオン性光架橋剤がウレタンアクリレー
   トでない共重合体を含み、さらに前記テープが、ケイ素、ポリイミド、オキシ窒
   化ケイ素、およびこれらの組み合わせの群から選択される材料を含む基材に対し
   、前記基材への前記テープ適用時、および周囲条件下で７日間前記基材に接触さ
   せたドウェル後の双方で、直線インチ幅あたり約５ｇ〜直線インチ幅あたり約５
   ００ｇの剥離粘着力を示す半導体ウェハ加工テープ。
10. 【請求項１０】 （ａ）半導体ウェハを提供するステップと、 （ｂ）前記半導体ウェハを、永久裏材料および前記永久裏材料上の非感圧接着
    剤層を含む半導体ウェハ加工テープの接着剤表面に接着結合するステップ（ここ
    で前記接着剤は、約０℃以下のホモポリマーガラス転移温度を有し前記アルキル
    基が平均で約４〜約１４個の炭素原子を含有する少なくとも１つの共重合した非
    三級アルキルアルコールのアクリルまたはメタクリル酸エステルと、少なくとも
    約１０℃のホモポリマーガラス転移温度を有する少なくとも１つの共重合した強
    化単官能性アクリルモノマーと、少なくとも１つの共重合した非イオン性光架橋
    剤とを含む共重合体を含む。ただし光架橋剤がウレタンアクリレートでない。）
    と、 （ｃ）前記ウェハ裏面の研摩または前記ウェハの集積回路半導体チップへのダ
    イシングのどちらかによって、半導体ウェハを加工するステップと、 （ｄ）前記ウェハの光学濃度の実質的な変化なしにテープを除去するステップ
    とを含む半導体ウェハ加工方法。