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JPH0750735B2 - ウエハ加工用フィルム - Google Patents

ウエハ加工用フィルム

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Publication number
JPH0750735B2
JPH0750735B2 JP2378991A JP2378991A JPH0750735B2 JP H0750735 B2 JPH0750735 B2 JP H0750735B2 JP 2378991 A JP2378991 A JP 2378991A JP 2378991 A JP2378991 A JP 2378991A JP H0750735 B2 JPH0750735 B2 JP H0750735B2
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JP
Japan
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film
wafer processing
wafer
surfactant
phosphoric acid
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洋子 武内
治 成松
和義 小松
康男 竹村
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三井東圧化学株式会社
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Publication date
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  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、基材フィルム、粘着剤
層、剥離フィルム及び界面活性剤層よりなる半導体ウエ
ハ加工用フィルムに関する。更に詳しくは、半導体ウエ
ハを加工する際に静電気による半導体集積回路の破損を
防止し、且つ、ウエハの汚染および腐食も防止すること
ができるウエハ加工用フィルムに関する。
【0002】
【従来の技術】半導体集積回路(IC)は、シリコン単
結晶等をスライスしてウエハとした後、エッチング等に
より集積回路を組み込み、ダイシング、洗浄、乾燥、エ
キスパンディング、ピックアップ等の各工程により製造
されている。これらの工程においてウエハの破損を防止
し、また、ウエハの加工を容易にするためにウエハ加工
用フィルムが用いられている。
【0003】しかし、これらの工程におけるウエハ加工
用フィルムの取り扱い時には静電気が発生し、放電する
ためにウエハの半導体集積回路が破損されることがあ
る。
【0004】この弊害を改善するため、ウエハ加工用フ
ィルムに除電バー等の静電気除去装置を取りつける方
法、イオン化した空気をふきつけて一時的に静電気を除
去する方法等が採用されているが、効果が少ないばかり
か工程が複雑になる等の欠点がある。
【0005】これらの欠点を改善する方法として、例え
ば、特開昭61−80834号公報には、ウエハ加工用
フィルムの保持基材及び粘着剤のうちの少なくとも一方
に導電性を持たせ、静電気の発生を防止する方法が提案
されている。
【0006】しかし、この方法は粘着フィルムに含まれ
る導電性物質がウエハ表面を汚染し、ウエハを腐食する
等の悪影響を与えるので好ましくない。
【0007】また、特開昭58−191777号公報に
は、接着剤に界面活性剤を添加して帯電防止を行なう方
法が提案されている。しかし、この方法も、接着剤中に
界面活性剤が含まれているため、界面活性剤がウエハ表
面に直接触れ、ウエハが汚染される欠点がある。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】本発明の1つの目的は
半導体ウエハを界面活性剤などにより汚染および腐食さ
せることのない半導体ウエハ加工用フィルムを提供する
ことにある。
【0009】本発明の他の目的は、半導体ウエハ加工用
フィルムの取扱いの際の静電気の発生および帯電を抑
え、かつ帯電防止効果の経時的低下を抑えることによっ
て、静電気によるウエハ半導体集積回路の破損を防止す
ることにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】上記した本発明の目的
は、基材フィルムの片面に粘着剤層を設け、更に該粘着
剤層の表面に剥離フィルムを設けてなる半導体ウエハ加
工用フィルムにおいて、該機材フィルムの背面に、アル
キルリン酸トリエステル、残存する酸性水酸基がアンモ
ニアまたは有機アミンにより中和されたアルキルリン酸
モノエステルまたはアルキルリン酸ジエステル、アルキ
ルエーテルリン酸トリエステル、残存する酸性水酸基が
アンモニアまたは有機アミンにより中和されたアルキル
エーテルリン酸モノエステルまたはアルキルエーテルリ
ン酸ジエステルから選ばれた少なくとも1種のイオンク
ロマトグラフィーでイオン分が検出されないリン酸系界
面活性剤が0.5〜1000mg/m2 の範囲で塗布さ
れていることを特徴とするウエハ化工用フィルムの提供
によって達成される。
【0011】すなわち、本発明のウエハ加工用フィルム
は、基材フィルム、粘着剤層及び剥離フィルムからな
り、特に該基材フィルムの背面にリン酸系界面活性剤が
塗布されていることを特徴とする。
【0012】本発明のウエハ加工用フィルムの理解のた
めに、その製造例の1例から第1図に基づいて説明す
る。
【0013】第1図に示すように、基材フィルム1の片
面に粘着剤を塗布、乾燥し、粘着剤層2を設ける。次い
で粘着剤層2の表面に剥離フィルムを3貼付する。更
に、基材フィルム1の背面にリン酸系界面活性剤を塗
布、乾燥し、界面活性剤層4を設けてウエハ加工用フィ
ルムとする。
【0014】一般的にはウエハ加工用フィルムは巻体
状、折りたたみ状または一定寸法に裁断して積層された
状態とし、輸送あるいは貯蔵される。
【0015】本発明のウエハ加工用フィルムは巻体状、
折りたたみ状および積層された状態においても、粘着剤
層2と界面活性剤層4の間に剥離フィルム3が存在する
ため、粘着剤層2と界面活性剤層4が直接接触すること
がない。
【0016】そのため、ウエハの加工に際し、ウエハ加
工用フィルムから剥離フィルム3を剥がし、界面活性剤
層4を有する基材フィルム1を粘着剤層2を介してウエ
ハに貼付した場合、ウエハが界面活性剤層4により汚
染、腐食されることがない。
【0017】更に、界面活性剤層4によりウエハ加工用
フィルムの帯電が防止されているので、ウエハの集積回
路が静電気により破損されることもない。
【0018】本発明の基材フィルムの素材としては、従
来使用されているポリエチレン、エチレン−酢酸ビニル
共重合体(以下EVAと略記)などのエチレン共重合
体、ポリプロピレン、軟質ポリ塩化ビニル等が挙げられ
る。
【0019】基材フィルムの厚さは、保護するウエハの
形状、表面状態および研磨方法等の条件により適宜決め
られるが、通常10〜2000μmが好ましい。更に好
ましくは50〜200μmである。
【0020】本発明のウエハ加工用フィルムに用いられ
る粘着剤は市販のアクリル系、ビニル系、ゴム系等の粘
着剤が挙げられる。アクリル系粘着剤としては、例えば
三井東圧化学(株)製、商品名“ボンロン”等が挙げられ
る。
【0021】粘着剤は、一般的にウエハの腐食防止の観
点から、腐食性の強いイオンを実質的に含まない重合開
始剤により重合された水性エマルジョン粘着剤の使用が
好ましい。
【0022】腐食性の強いイオンを実質的に含まない重
合開始剤とは、水性エマルジョン粘着剤中に、触媒の残
渣または分解生成物としてナトリウム、カリウム等のイ
オン化傾向の大きい金属イオンや、硫酸、塩酸、硝酸等
の強酸をつくるイオン等を50wtppm以上含まない
ことを意味する。
【0023】これらが50wtppm以上含まれた場合
は、粘着剤によりウエハが腐食される原因となるので好
ましくない。
【0024】また、腐食性の強いイオンを実質的に含ま
ない重合開始剤の例を挙げるならば、重合開始剤の水に
対する溶解度が重合時の温度において水100gに対し
て0.1g以上のものが好ましく、更に好まししくは1
g以上のものである。好ましくは、水溶性アゾ化合物の
使用が挙げられ、特に60℃において約1.8g/10
0g水の溶解度を有する4.4’−アゾビスシアノペン
タン酸等の水溶性アゾ化合物が好ましい。溶解度が0.
1g未満では開始剤としての量が不足し、重合が充分に
進行しなくなる。
【0025】粘着剤を基材フィルムに塗布する方法とし
ては、従来公知の塗布方法、例えばロールコーター法、
グラビアロール法、バーコート法が採用できる。
【0026】粘着剤の塗料量は、一般的には1〜200
g/m2 、好ましくは5〜50g/m2 の範囲である。
【0027】本発明に用いる剥離フィルムとしては、ポ
リオレフィン、ポリエステル、ポリアミド等の合成樹脂
フィルムが挙げられる。剥離フィルムの厚さは通常10
〜500μmであり、好ましくは20〜200μmであ
る。
【0028】本発明における、イオンクロマトグラフィ
ーでイオン分が検出されないリン酸系界面活性剤は、ア
ルキルリン酸エステルおよびまたはその塩あるいはアル
キルエーテルリン酸エステルおよびまたはその塩であ
る。
【0029】アルキルリン酸エステルおよびまたはその
塩は、高級アルコールをリン酸化剤として五酸化リン、
オキシ塩化リン、三塩化リン等を用いてリン酸エステル
化した後、残存する酸性水酸基を塩基により中和するこ
とにより得られる。
【0030】また、アルキルエーテルリン酸エステルお
よびまたはその塩は、高級アルコールのポリオキシエチ
レン誘導体の末端をリン酸化剤として五酸化リン、オキ
シ塩化リン、三塩化リン等を用いてリン酸エステル化し
た後、残存する酸性水酸基を塩基により中和することに
より得られる。
【0031】アルキルリン酸エステルおよびまたはその
塩およびアルキルエーテルリン酸エステルおよびまたは
その塩は反応条件によって、モノ、ジ、トリエステルが
得られるが、本発明においては、これらのエステルの単
独物、2成分または3成分の混合物であってもよい。
【0032】帯電防止効果の観点からアルキルリン酸エ
ステルおよびまたはその塩およびアルキルエーテルリン
酸エステルおよびまたはその塩のアルキル基の炭素原子
数は8〜18が好ましく、更に好ましくは10〜14で
ある。また、アルキルエーテルリン酸エステルおよびま
たはその塩のエチレンオキサイドの付加モル数は2〜8
が好ましく、更に好ましくは3〜5である。
【0033】酸性水酸基の中和に用いる塩基は、アンモ
ニア、有機アミンまたはアミノアルコール等が好まし
い。好ましく用いられる塩基としては、アンモニア、ト
リメチルアミンおよびトリエタノールアミン等が例示さ
れる。これらの塩基を用いて中和された塩は、腐食性を
殆ど有しないので好ましい。
【0034】リン酸系界面活性剤の中でも水酸化ナトリ
ウムや水酸化カリウム等で中和されたものは、イオン化
傾向の強い金属イオンがイオンクロマトグラフィーにお
いて検出され、これらがウエハを腐食する原因となるの
で好ましくない。
【0035】本発明におけるイオン分が検出されないリ
ン酸系界面活性剤とは、検出限界が1wt.ppmであ
るイオンクロマトグラフィーによる分析方法に従って、
リン酸系界面活性剤を分析してイオン分が検出されない
ことを意味する。
【0036】本発明において用いられる界面活性剤、即
ち、イオンクロマトグラフィーでイオン分が検出されな
いリン酸系界面活性剤は、水と水素結合し、活性剤−水
系の極性中心を作り、更に他の水と水素結合して連続性
を保ち、優れた帯電防止効果を発揮するものと推定され
る。
【0037】本発明で用いるリン酸系界面活性剤の塗布
量は、0.5〜1000mg/m2の範囲であり、好ま
しくは、1〜100mg/m2である。塗布量が0.5
mg/m2未満であると目的とする帯電防止効果が得ら
れない。一方、1000mg/m2を越えると塗布後の
乾燥効率が悪くベタついたり、そのために作業性が悪く
なると共に、コスト上昇を招くので好ましくない。
【0038】界面活性剤を基材フィルムの背面に塗布す
る方法は、界面活性剤をイソプロピルアルコール等の溶
剤で希釈し、スポンジロール等で塗布する方法が好まし
い。従来公知の塗布方法、例えばロールコーター法、グ
ラビアコーター法、バーコート法などを用いてもよい。
【0039】本発明の目的を損なわない範囲において、
イオンクロマトグラフィーでイオン分が検出されないリ
ン酸系界面活性剤に、ポリオキシエチレンアルキルエー
テル、ポリオキシエチレンアルキルエステル等の非イオ
ン性界面活性剤を混合して用いても良い。混合し得る非
イオン性界面活性剤の量は、該リン酸系界面活性剤10
0重量部に対し50重量部以下が好ましい。50重量部
を越えると帯電防止効果が経時的に低下するので好まし
くない。
【0040】
【実施例】以下、実施例により更に詳細に説明する。本
発明の実施例において採用したウエハ加工用フィルムの
物性及び性能評価方法は以下の通りである。 静電気発生量: ウエハ加工用フィルムを巾25mmに裁断し試料片を作
成する。デジタル式電位測定器(春日電機製KSD−6
110)を用いて、試料片と測定器の間隔50mm、測
定温度23±2℃、湿度60±5%の条件下、剥離速度
1000mm/minでウエハ加工用フィルムから剥離
フィルムを剥離する時の静電気発生量を作成直後、10
日、20日、30日経時後に測定する。 イオン分含有量: 各実施例で使用するそれぞれの界面活性剤1gを採取
し、純水で1000倍に希釈する。希釈液中のイオン含
有量を下記のイオンクトマトグラフィーを用いて測定す
る。イオン含有量は界面活性剤1gに含まれるイオン重
量(μg)である。この方法によるイオン検出限界は1
wt.ppmである。 イオンクロマトグラフィーの測定装置: 装置:DIONEX社製 陰イオンプレ/濃縮カラム HPIC−AG4A 陰イオン分離カラム HPIC−AS4A 陽イオンプレ/濃縮カラム HPIC−CG3 陽イオン分離カラム HPIC−CS4 ウエハ腐食評価: ウエハ加工用フィルムから剥離フィルムを剥がし、粘着
フィルムをウエハに貼付け、50℃×95%RH条件下
で1000時間放置した後、該粘着フィルムを剥がし、
ウエハ表面の腐食状態を顕微鏡で観察する。 破壊電圧: ウエハ加工用フィルムから剥離フィルムを剥がし、粘着
フィルムをウエハに貼付け、23℃×50%RH条件下
で500時間放置した後、粘着フィルムを剥がし、半導
体回路(IC)の端子から徐々に電圧をかけて、そのI
Cが破壊する電圧を測定する。
【0041】アルミニウム配線部が腐食等の理由により
断線していれば、その破壊電圧は低下もしくは通電しな
いことが起こる。 実施例1 市販の厚さ200μmのエチレン−酢酸ビニル共重合体
樹脂(エチレン/酢酸ビニル:90/10モル比)フィ
ルムを基材フィルムとして用いる。この基材フィルムの
片面にコロナ放電処理を施したのち、処理面にコーター
ロールを用いてアクリル系粘着剤(三井東圧化学(株)
製、商品名“ボンロン”)を塗布、乾燥して、厚さ50
μmの粘着剤層を設ける。
【0042】剥離フィルムとして、市販の厚さ50μm
のポリプロピレンフィルムを用い、これを粘着剤層の表
面に貼付し、基材フィルム、粘着剤層および剥離フィル
ムの3層からなるウエハ加工用フィルムを作成する。
【0043】上記ウエハ加工用フィルムの基材フィルム
背面に、スポンジロールを用いて、イソプロピルアルコ
ールで100倍に希釈されたアルキルエーテルリン酸エ
ステルトリエタノールアミン系界面活性剤(丸菱油化工
業(株)製“MTN−F−695”)を、塗布量が30m
g/m2 となるように塗布、乾燥する。
【0044】次いで、巻取り機により巻取り、長さ10
0mの巻体状ウエハ加工用フィルムとする。
【0045】このウエハ加工用フィルムから剥離フィル
ムを剥がす際に発生する静電気量およびウエハに貼付し
た場合の前記の各種性能を評価し、その結果を表1に示
す。また、上記界面活性剤が含有するイオン量を測定
し、その結果を表2を示す。 実施例2 イオン交換水150重量部、ポリオキシエチレンノニル
フェニルエーテル2重量部にアクリル酸2−エチルヘキ
シル70重量部、メタクリル酸メチル25重量部、メタ
クリル酸3重量部、メタクリル酸グリシジル2重量部よ
りなるモノマー混合物を添加し、4,4’−アゾビスシ
アノペンタン酸0.5重量部を重合開始剤として用い
て、70℃で重合して固形分約40wt%のアクリル系
エマルジョン粘着剤を得る。これを粘着剤として用いる
以外は、実施例1と同様にしてウエハ加工用フィルムを
得る。
【0046】実施例1と同様に測定および性能評価を行
ない、その結果を表1および表2に示す。 実施例3 市販の厚さ60μmの低密度ポリエチレンフィルムを基
材フィルムとする。このフィルムの片面にコロナ放電処
理を施し、処理面にロールコーターを用いてアクリル系
粘着剤(三井東圧化学(株)製、商品名“ボンロン”)を
塗布、乾燥して、厚さ50μmの粘着剤層を設ける。市
販の厚さ50μmのポリプロピレンフィルムを剥離フィ
ルムとして、粘着剤層の表面に貼付しウエハ加工用フィ
ルムを作成する。基材フィルムの背面にアルキルエーテ
ルリン酸エステルトリエタノールアミン系界面活性剤
(丸菱油化工業(株)製“MTN−F−695”)をイソ
プロピルアルコールで15倍に希釈し、グラビアロール
を用いて、塗布量が80mg/m2 となるように塗布、
乾燥する。次いで、巻取り機により巻取り、長さ100
mの巻体状ウエハ加工用フィルムを得る。
【0047】実施例1と同様の物性および性能評価を行
ない、その結果を表1および表2に示す。 実施例4 界面活性剤として、アルキル基がラウリル基を主成分と
するアルキルリン酸エステルトリメチルアミンを用いる
以外、実施例3と同様にしてウエハ加工用フィルムを得
る。
【0048】実施例3と同様の測定および性能評価を行
ない、その結果を表1および表2に示す。 比較例1 基材フィルムの背面に界面活性剤を塗布することなし
に、実施例1に準じてウエハ加工用フィルムを作成す
る。
【0049】実施例1と同様の測定および性能評価を行
ない、その結果を表1および表2に示す。 比較例2 界面活性剤の塗布量を0.3mg/m2 とする以外、
実施例1と同様にして、ウエハ加工用フィルムを得る。
【0050】実施例1と同様の測定および性能評価を行
ない、その結果を表1および表2に示す。 比較例3 ソルビタン系脂肪酸エステル界面活性剤(丸菱油化工業
(株)製“デノン733”)を用い、且つ、その塗布量を
50mg/m2 とする以外、実施例1と同様の方法でウ
エハ加工用フィルムを得る。
【0051】実施例1と同様の物性および性能評価を行
ない、その結果を表1および表2に示す。 比較例4 水酸化ナトリウムで中和されたアルキルエーテルリン酸
エステル系ナトリウム塩(アルキル基の主成分がラウリ
ル基、エチレンオキサイドの平均付加モル数が3)の界
面活性剤を用い、且つ、その塗布量を50mg/m2
する以外、実施例1と同様の方法でウエハ加工用フィル
ムを得る。
【0052】実施例1と同様の測定および性能評価を行
ない、その結果を表1および表2に示す。
【0053】
【表1】
【0054】
【表2】
【0055】
【発明の効果】本発明のウエハ加工用フィルムは、イオ
ンクロマトグラフィーでイオン分が検出されないリン酸
系界面活性剤を、基材フィルムの背面に塗布することに
より、静電気の発生および帯電を抑え、また、静電気防
止効果の経時的低下を抑え、ウエハの加工に際し、静電
気によるウエハの半導体集積回路の破壊を防止すること
ができる。
【0056】また、界面活性剤によりウエハを汚染およ
び腐食させないという優れた効果を発揮するものであ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のウエハ加工用フィルムの断面図であ
る。
【符号の説明】
1 基材フィルム 2 粘着剤層 3 剥離フィルム 4 界面活性剤層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01L 21/52 F (56)参考文献 特開 昭63−299246(JP,A) 特開 昭63−135888(JP,A)

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基材フィルムの片面に粘着剤層を設け、
    更に該粘着剤層の表面に剥離フィルムを設けてなる半導
    体ウエハ加工用フィルムにおいて、該基材フィルムの背
    面に、アルキルリン酸トリエステル、残存する酸性水酸
    基がアンモニアまたは有機アミンにより中和されたアル
    キルリン酸モノエステルまたはジエステル、アルキルエ
    ーテルリン酸トリエステル、残存する酸性水酸基がアン
    モニアまたは有機アミンにより中和されたアルキルエー
    テルリン酸モノエステルまたはジエステルから選ばれた
    少なくとも1種のイオンクロマトグラフィーでイオン分
    が検出されないリン酸系界面活性剤が0.5〜1000
    mg/m2 の範囲で塗布されていることを特徴とするウ
    エハ加工用フィルム。
JP2378991A 1990-02-14 1991-01-25 ウエハ加工用フィルム Expired - Lifetime JPH0750735B2 (ja)

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JP2378991A JPH0750735B2 (ja) 1990-02-14 1991-01-25 ウエハ加工用フィルム

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JP2-31375 1990-02-14
JP3137590 1990-02-14
JP2378991A JPH0750735B2 (ja) 1990-02-14 1991-01-25 ウエハ加工用フィルム

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JPH04211145A JPH04211145A (ja) 1992-08-03
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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WO2020137955A1 (ja) * 2018-12-27 2020-07-02 日東電工株式会社 粘着シート
JP2020105407A (ja) * 2018-12-27 2020-07-09 日東電工株式会社 保護シート
JP2020105406A (ja) * 2018-12-27 2020-07-09 日東電工株式会社 粘着剤組成物の調製方法、保護シートの製造方法およびガラスユニットの製造方法

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JPS63135888A (ja) * 1986-11-28 1988-06-08 Citizen Watch Co Ltd 時計用円板針の製造方法
JPS63299246A (ja) * 1987-05-29 1988-12-06 F S K Kk ウェハ貼着用粘着シ−ト

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