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JPS63194336A - 半導体ウエハの保護部材 - Google Patents

半導体ウエハの保護部材

Info

Publication number
JPS63194336A
JPS63194336A JP62026994A JP2699487A JPS63194336A JP S63194336 A JPS63194336 A JP S63194336A JP 62026994 A JP62026994 A JP 62026994A JP 2699487 A JP2699487 A JP 2699487A JP S63194336 A JPS63194336 A JP S63194336A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
circuit pattern
pressure
sensitive adhesive
soft metal
metal foil
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP62026994A
Other languages
English (en)
Inventor
Seishiro Matsuzaki
松崎 征四郎
Kazuo Suenaga
末永 和夫
Eiji Shigemura
重村 栄二
Yoshinari Satoda
良成 里田
Yutaka Kuwabara
豊 桑原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nitto Denko Corp
Original Assignee
Nitto Electric Industrial Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nitto Electric Industrial Co Ltd filed Critical Nitto Electric Industrial Co Ltd
Priority to JP62026994A priority Critical patent/JPS63194336A/ja
Publication of JPS63194336A publication Critical patent/JPS63194336A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Grinding Of Cylindrical And Plane Surfaces (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、回路パターンが形成された半導体ウェハの裏
面を研摩する際に用いられ、軟質金属箔からなる支持基
材を有する良度形型の半導体ウェハの保護部材に関する
従来の技術及び問題点 半導体ウェハの大口径化に伴い、その回路パターン面上
に設けたレジスト膜からなる保護層のみでは裏面研摩時
にウェハが破損するため、支持基材に感圧性接着剤層を
付設してなる粘着シート等の保護部材を保護層の上に貼
着使用することで始まった保護方式は、今日ではウェハ
の裏面研摩処理の主流方式となっており、レジスト膜の
保護層を介さずに直接、回路パターン面に貼着する方式
などへと派生している。
一方、その間に半導体ウェハにあっては大口径化に加え
て回路の高度集積化が進み、これにより回路パターン面
の形状が複雑化して、回路パターン面の凹凸が30〜5
01に及ぶものや波状にうねったものなどが出現するに
至っている。
しかしながら、このように複雑化した回路パターン面に
従来のプラスチックフィルムを支持基材とする保護部材
を適用すると、裏面研摩時にウェハの端部で保護部材が
剥がれて冷却水や研摩屑等が浸入し回路パターン面が汚
染されたり、ウェハが破損されたりする問題を生じる。
そのため、複雑化した回路パターン面にも対処できる保
護部材の提供が重要な課題となっている。
問題点を解決するための手段 本発明は、軟質金属箔からなる支持基材を用いるこ七に
より上記の問題点を克服したものである。
すなわち、本発明は、回路パターンが形成された半導体
ウェハの裏面を研摩する際にその回路パターン面に貼着
される感圧性接着剤層と、この感圧性接着剤層を支持す
る基材とからなり、この支持基材が軟質金属箔からなる
ことを特徴とする半導体ウェハの保護部材を提供するも
のである。
作用 軟質金属箔からなる支持基材を用いることにより、変形
性に優れる保護部材とすることができる。
その結果、保護部材を回路パターン面の凹凸に追従した
状態に貼着することができ、研摩時においても良好な密
着状態を維持する保護部材とすることができる。
発明の構成要素の例示 本発明の保護部材は、軟質金属箔からなる支持基材の片
側に感圧性接着剤層を付設したものよりなる。
軟質金属箔としては、半導体ウェハの回路パターン面の
凹凸等に追従しうるちのが用いられる。
好ましくは塑性変形性や屈曲性に優れて弾性率の乏しい
もが用いられる。具体的にはアルミニウム箔、銅箔、ス
ズ箔、鉛箔などで代表される軟質の金属ないし合金から
なる箔をあげることができる。
箔の厚さとしてはその強度や変形性などにより異なるが
、一般には5〜200μmが適当である。
本発明において支持基材は軟質金属箔そのものからなっ
ていてもよいし、軟質金属箔を補強したものからなって
いてもよい。軟質金属箔を補強して破れにくくすること
により、保護部材をウェハより効率的に剥離除去するこ
とが容易となる。
軟質金属箔を補強する場合、その方式について特に限定
はない。代表的な補強方式としては、繊維を分散固着さ
せる方式や、補強ラミネート箔とする方式、例えばプラ
スチックなどの溶融液を軟質金属箔に塗工する方式、ネ
ット状ないし格子状あるいはシート状ないしフィルム状
とした補強材と軟質金属箔とを接着剤等を介して貼着す
る方式%式% なお、補強に際しては、軟質金属箔の塑性変形ないし屈
曲変形などとしての変形性を適度に維持させることが望
まれる。従って、補強材としては軟質金属箔−の変形性
を害さずに破れにくさを付与できるものが好ましく用い
られる。一般に用いられる補強材としては、天然系、合
成系等からなる繊維や紙、不織布や織布あるいはポリエ
チレン、ポリプロピレン、ポリフッ化ビニル、ポリ塩化
ビニル、ポリブテン、ポリエステル、ポリアミドなどで
代表されるプラスチックなどがあげられる。
補強処理は一般に、箔の変形性を低下させることとなる
ので軟質金属箔の片側に施されるが、両側に施してもよ
い。補強層の厚さとしてはその補強材の強度や剛性など
により異なるが、一般には5〜500μlが適当である
一方、軟質金属箔の補強は支持基材の片側に設ける感圧
性接着剤層を利用して行うこともできる。
その方式としては、例えば感圧性接着剤層に天然系や合
成系等の繊維を分散させたり、紙や不織布、織布等の薄
葉体などを介在させる方式、あるいは感圧性接着剤層を
その弾性率が1 、3 kg / cni以上となるよ
うに架橋(加硫)するなどして機械的強度を強くする方
式などをあげることができる。
本発明の保護部材に用いうる感圧性接着剤については特
に限定はない。ゴム系感圧性接着剤、アクリル系感圧性
接着剤、ポリスチレン−ポリイソプレン−ポリスチレン
ブロック共重合体系感圧性接着剤などで代表される公知
のものを用いつる。
感圧性接着剤層の厚さとしては1〜500μmが一般で
ある。
なお、感圧性接着剤層を設けるべき支持基材の片側につ
いて特に限定はない。すなわち、例えば支持基材が軟質
金属箔の片側に補強層を設けた補強ラミネート箔からな
る場合、感圧性接着剤層1は第1図のように軟質金属箔
2側にあってもよいし、第2図のように補強層3側にあ
ってもよい。
また、レジスト膜等を介さずに感圧性接着剤層を回路パ
ターン面に直接貼着する方式の保護部材とする場合には
殊に、その感圧性接着剤層は例えば凝集力を調整したも
の、分離成分を除去したものなどの如(、回路パターン
面を汚染しにくいタイプの接着剤で形成することが好ま
しい。
本発明の保護部材は、ハンドローラ等により半導体ウェ
ハの回路パターン面に貼着してもよいし、自動貼着装置
や自動剥離機構を備えたシステムにより貼着・剥離を行
ってもよい。自動貼着・剥離システムによる場合、本発
明の保護部材は、例えば連続テープの形態や、キャリア
テープに小片を一定間隔配置した形態、感圧性接着剤面
を剥離テープで保護した形態など、適宜な形態で用いる
ことができる。
発明の効果 本発明の保護部材は支持基材が軟質金属箔からなるので
、凹凸の大きい回路パターン面など複雑な形状の回路パ
ターン面に対してもその形状に追従性よく貼着できて、
回路パターン面に対する密着性に優れる。その結果、複
雑な回路パターン面を有する半導体ウェハについも回路
パターン面を冷却水や研摩屑で汚染することなく、また
ウェハを破損することな(裏面研摩処理することができ
る。
実施例 実施例1 厚さ25μmのポリエステルフィルムの片面に接着剤を
介して厚さ2hmの軟質アルミニウム箔をラミネートし
、その苗土に厚さ約20μmのアクリル系感圧性接着剤
層を設けて保護部材を得た。
実施例2 感圧性接着剤層を箔側に代えてポリエステルフィルム側
に設けたほかは実施例1に準じて保護部材を得た。
実施例3 厚さ15μmの軟質鋼箔の片面に溶融ポリエチレンを厚
さ50umで熱接着し、他面に感圧性接着剤層を設けた
ほかは実施例1に準じて保護部材を得た。
実施例4 厚さ50μmの軟質ポリ塩化ビニルフィルムの片面に接
着剤を介して厚さ20μmの軟質アルミニウム箔をラミ
ネートし、その苗土に厚さ約2hmのゴム系感圧性接着
剤層を設けて保護部材を得た。
比較例1 支持基材として厚さ25uI11のポリエステルフィル
ムを用いたほかは実施例1に準じて保護部材を得た。
比較例2 支持基材として厚さ50μmのポリエチレンフィルムを
用いたほかは実施例1に準じて保護部材を得た。
比較例3 支持基材として厚さ50μmの軟質ポリ塩化ビニルフィ
ルムを用いたほかは実施例4に準じて保護部材を得た。
評価試験 実施例又は比較例で得た保護部材をその感圧性接着剤層
を介して直径5インチ、厚さ0.5+l1mの半導体ウ
ェハにおける、50flの凸部を平均2個/ cdの割
合で有する回路パターン面にハンドローラを用いて貼着
したのち、これをウェハ研削機(芝山機械社製)を用い
て裏面研摩処理し、ウェハの厚さを0.25mmとした
。なお、半導体ウェハの回路パターン面に対する保護部
材の接着力は180g/20mmであった。
上記の処理において、ウェハ15枚あたりについて研摩
時に回路パターン面に水が浸入した割合を調べた。
結果を表に示した。
なお、裏面研摩処理後に保護部材をウェハより剥離した
が、いずれの実施例においてもスムースに剥離できて破
れ等の問題は生じず、その剥離除去性は良好であった。
【図面の簡単な説明】
第1図及び第2図は本発明の保護部材の構成例を示した
断面図である。 l:感圧性接着剤層 2:軟質金属箔 3;補強層

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1、回路パターンが形成された半導体ウェハの裏面を研
    摩する際にその回路パターン面に貼着される感圧性接着
    剤層と、この感圧性接着剤層を支持する基材とからなり
    、この支持基材が軟質金属箔からなることを特徴とする
    半導体ウェハの保護部材。 2、軟質金属箔が補強材で補強されてなる特許請求の範
    囲第1項記載の保護部材。
JP62026994A 1987-02-06 1987-02-06 半導体ウエハの保護部材 Pending JPS63194336A (ja)

Priority Applications (1)

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JP62026994A JPS63194336A (ja) 1987-02-06 1987-02-06 半導体ウエハの保護部材

Applications Claiming Priority (1)

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JP62026994A JPS63194336A (ja) 1987-02-06 1987-02-06 半導体ウエハの保護部材

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JP (1) JPS63194336A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6235387B1 (en) 1998-03-30 2001-05-22 3M Innovative Properties Company Semiconductor wafer processing tapes
KR20020061737A (ko) * 2001-01-17 2002-07-25 삼성전자 주식회사 반도체 제조장치 및 반도체 제조장치의 웨이퍼 가공방법

Cited By (3)

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