JP2001311954A - 液晶表示装置とその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置とその製造方法Info
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- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
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- Weting (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】湿式エッチングを用いて、上層がモリブデン合
金、下層がアルミニュウム合金の積層配線の断面をテー
パー状に加工し、絶縁膜のカバレッジを良好にするシャ
ワー方式による一括エッチングで、Ｍｏ合金／Ａｌ合金
の積層配線の断面形状をテーパー状に加工し、良好な絶
縁膜カバレッジを有するＴＦＴ−ＬＣＤ。 【解決手段】ガラス基板の上にゲート配線を形成し、ゲ
ート配線上にレジスタパタンをホトリソグラフィーによ
り形成し、エッチャントをリン酸と硝酸を７モル％以上
１２モル％以下含み、弗化アンモニュウムと弗化水素の
少なくともどちらか一方を０.０１から０.１モル％程度
の微量含む組成として湿式エッチングを行なう。
金、下層がアルミニュウム合金の積層配線の断面をテー
パー状に加工し、絶縁膜のカバレッジを良好にするシャ
ワー方式による一括エッチングで、Ｍｏ合金／Ａｌ合金
の積層配線の断面形状をテーパー状に加工し、良好な絶
縁膜カバレッジを有するＴＦＴ−ＬＣＤ。 【解決手段】ガラス基板の上にゲート配線を形成し、ゲ
ート配線上にレジスタパタンをホトリソグラフィーによ
り形成し、エッチャントをリン酸と硝酸を７モル％以上
１２モル％以下含み、弗化アンモニュウムと弗化水素の
少なくともどちらか一方を０.０１から０.１モル％程度
の微量含む組成として湿式エッチングを行なう。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）によって駆動するアクティブマトリクス型液
晶表示装置（ＡＭ−ＬＣＤ）、及びその配線形成方法に
関する。
（ＴＦＴ）によって駆動するアクティブマトリクス型液
晶表示装置（ＡＭ−ＬＣＤ）、及びその配線形成方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】薄型化・軽量化・高精細化が図れる画像
表示装置として、従来のブラウン管に比べ、薄膜トラン
ジスタ駆動液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）の市場が拡
大している。ＴＦＴ−ＬＣＤは、ガラス基板上に形成さ
れた、ゲート配線，データ配線，ゲート配線とデータ配
線の交点付近に作製された薄膜トランジスタ，薄膜トラ
ンジスタに接続された画素電極，ゲート絶縁膜，保護膜
と、対向基板と、前記ガラス基板と前記対向基板との間
に挟持された液晶層などから構成される。近年、ＴＦＴ
−ＬＣＤの画面の大型化，高精細化が進行するにつれ、
配線の低抵抗化や生産歩留り等に関する要求仕様は厳し
くなりつつある。配線の低抵抗化の目的では、アルミニ
ウムまたはアルミニウム合金が従来から広く採用されて
いる。
表示装置として、従来のブラウン管に比べ、薄膜トラン
ジスタ駆動液晶表示装置（ＴＦＴ−ＬＣＤ）の市場が拡
大している。ＴＦＴ−ＬＣＤは、ガラス基板上に形成さ
れた、ゲート配線，データ配線，ゲート配線とデータ配
線の交点付近に作製された薄膜トランジスタ，薄膜トラ
ンジスタに接続された画素電極，ゲート絶縁膜，保護膜
と、対向基板と、前記ガラス基板と前記対向基板との間
に挟持された液晶層などから構成される。近年、ＴＦＴ
−ＬＣＤの画面の大型化，高精細化が進行するにつれ、
配線の低抵抗化や生産歩留り等に関する要求仕様は厳し
くなりつつある。配線の低抵抗化の目的では、アルミニ
ウムまたはアルミニウム合金が従来から広く採用されて
いる。
【０００３】しかしながら、アルミニウムまたはアルミ
ニウム合金を単層で配線に適用すると多くの場合その表
面にヒロックが生成し、ひいては配線を覆う絶縁膜のカ
バレッジ不良の原因となる。また、画素電極材料である
インジウムを含有した酸化物、例えばインジウムティン
オキサイド（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）やインジウム
ジンクオキサイド(ＩＺＯ：Indium Zinc Oxide）とアル
ミニウムまたはアルミニウム合金とのコンタクト抵抗は
高く、両者を電気的に直接接続することは実用的ではな
い。
ニウム合金を単層で配線に適用すると多くの場合その表
面にヒロックが生成し、ひいては配線を覆う絶縁膜のカ
バレッジ不良の原因となる。また、画素電極材料である
インジウムを含有した酸化物、例えばインジウムティン
オキサイド（ＩＴＯ：Indium Tin Oxide）やインジウム
ジンクオキサイド(ＩＺＯ：Indium Zinc Oxide）とアル
ミニウムまたはアルミニウム合金とのコンタクト抵抗は
高く、両者を電気的に直接接続することは実用的ではな
い。
【０００４】そこで、例えば逆スタガ型のＴＦＴ−ＬＣ
Ｄのゲート配線では、アルミニウムまたはアルミニウム
合金の配線パタンを高融点金属で覆うようなクラッド構
造による対策が講じられている。そこで、アルミニウム
またはアルミニウム合金の配線パタンを第２の導電層で
覆ったクラッド構造とし、画素電極材料とのコンタクト
特性は第２の導電層が担い、配線としての導電性はアル
ミニウムまたはアルミニウム合金で担っている。このよ
うな例は、例えば、特開平５−３４１２９９号公報，特
開平７−６４１０９号公報，特開平９−２６６０２号公
報，特開平９−１２７５５５号公報，特開平１０−２１
３８０９号公報に記載されている。
Ｄのゲート配線では、アルミニウムまたはアルミニウム
合金の配線パタンを高融点金属で覆うようなクラッド構
造による対策が講じられている。そこで、アルミニウム
またはアルミニウム合金の配線パタンを第２の導電層で
覆ったクラッド構造とし、画素電極材料とのコンタクト
特性は第２の導電層が担い、配線としての導電性はアル
ミニウムまたはアルミニウム合金で担っている。このよ
うな例は、例えば、特開平５−３４１２９９号公報，特
開平７−６４１０９号公報，特開平９−２６６０２号公
報，特開平９−１２７５５５号公報，特開平１０−２１
３８０９号公報に記載されている。
【０００５】上述したクラッド構造を形成するために
は、ホトリソグラフィーを、アルミニウムまたはアルミ
ニウム合金に対して１回、さらに第２の導電層に対して
１回、の計２回実施する必要がありプロセスが煩雑にな
る。
は、ホトリソグラフィーを、アルミニウムまたはアルミ
ニウム合金に対して１回、さらに第２の導電層に対して
１回、の計２回実施する必要がありプロセスが煩雑にな
る。
【０００６】そこでプロセスの簡略化を計る目的で、ア
ルミニウムまたはアルミニウム合金と第２の導電層を連
続的に積層成膜し、１回のホトリソグラフィーと積層膜
の一括エッチングにより配線パタンを形成する方法が採
られている。この場合、第２の導電層としては、アルミ
ニウムまたはアルミニウム合金との一括エッチングが可
能な高融点金属材料であるモリブデンまたはモリブデン
合金が用いられる。
ルミニウムまたはアルミニウム合金と第２の導電層を連
続的に積層成膜し、１回のホトリソグラフィーと積層膜
の一括エッチングにより配線パタンを形成する方法が採
られている。この場合、第２の導電層としては、アルミ
ニウムまたはアルミニウム合金との一括エッチングが可
能な高融点金属材料であるモリブデンまたはモリブデン
合金が用いられる。
【０００７】特に、特開平４−２０９３０号公報では、
第２の導電層としてクロムを０.５〜１０重量％含有す
るモリブデン合金を採用した配線構造について記載され
ている。リン酸，硝酸，酢酸を混合した溶液で積層膜を
一括湿式エッチングしており、配線断面のテーパ角を５
０°に加工している。この場合、モリブデン−クロム合
金にはＳＦ6 等のフッ素系ガスによるドライエッチング
に対する耐性がある。このため、配線の上層にあるＳｉ
Ｎ絶縁膜にコンタクトホール等の接続手段をＳＦ6 ガス
によるドライエッチングで加工しても第２の導電層がコ
ンタクトホール底部で消失することがなく、第２の導電
層と画素電極とが接続されることにより良好なコンタク
ト特性が得られる。モリブデンとアルミニウムとの積層
配線をリン酸，硝酸を混合した溶液で一括エッチングし
たときの配線断面形状を、ディップ方式とシャワー方式
の両エッチング方式について検討した例として、Digest
of Technical Papers of 1994 INTERNATIONAL WORKSHOP
ON ACTIVE-MATRIXLIQUID-CRYSTAL DISPLAYS, November
30 - December 1, 1994, KOGAKUINUNIVERSITY, Shinju
ku, Tokyo, Japan, p188. がある。これによると、ディ
ップ方式の場合には配線断面が順テーパ加工がなされる
が、シャワー方式の場合にはアルミニウム層に対してモ
リブデン層が庇状に迫り出す断面形状になることが報告
されている。特開平９−３３１０６６号公報では、第２
の導電層としてチタン，モリブデン，タンタル，タング
ステン，ジルコニウム、またはこれらの複合材料を用い
ている。この発明では遮光膜と配線とが同時に同一プロ
セスで形成されるが、第２の導電層は遮光膜の反射率を
抑える役割を担っている。第２の導電層を複合材料とし
た場合の元素の組み合わせやその合金組成については言
及されていない。
第２の導電層としてクロムを０.５〜１０重量％含有す
るモリブデン合金を採用した配線構造について記載され
ている。リン酸，硝酸，酢酸を混合した溶液で積層膜を
一括湿式エッチングしており、配線断面のテーパ角を５
０°に加工している。この場合、モリブデン−クロム合
金にはＳＦ6 等のフッ素系ガスによるドライエッチング
に対する耐性がある。このため、配線の上層にあるＳｉ
Ｎ絶縁膜にコンタクトホール等の接続手段をＳＦ6 ガス
によるドライエッチングで加工しても第２の導電層がコ
ンタクトホール底部で消失することがなく、第２の導電
層と画素電極とが接続されることにより良好なコンタク
ト特性が得られる。モリブデンとアルミニウムとの積層
配線をリン酸，硝酸を混合した溶液で一括エッチングし
たときの配線断面形状を、ディップ方式とシャワー方式
の両エッチング方式について検討した例として、Digest
of Technical Papers of 1994 INTERNATIONAL WORKSHOP
ON ACTIVE-MATRIXLIQUID-CRYSTAL DISPLAYS, November
30 - December 1, 1994, KOGAKUINUNIVERSITY, Shinju
ku, Tokyo, Japan, p188. がある。これによると、ディ
ップ方式の場合には配線断面が順テーパ加工がなされる
が、シャワー方式の場合にはアルミニウム層に対してモ
リブデン層が庇状に迫り出す断面形状になることが報告
されている。特開平９−３３１０６６号公報では、第２
の導電層としてチタン，モリブデン，タンタル，タング
ステン，ジルコニウム、またはこれらの複合材料を用い
ている。この発明では遮光膜と配線とが同時に同一プロ
セスで形成されるが、第２の導電層は遮光膜の反射率を
抑える役割を担っている。第２の導電層を複合材料とし
た場合の元素の組み合わせやその合金組成については言
及されていない。
【０００８】特開平１１−２５８６３３号公報では、第
２の導電層がクロム，モリブデン，タングステン，チタ
ン，ジルコニウム，ハフニウム，バナジウム，ニオブ，
タンタルから選ばれた金属またはそれらの合金である表
示装置用アレイ基板の製造方法について記載されてい
る。これにより、アルミニウム合金膜のヒロックを防止
し、さらに画素電極のドライエッチング時のアルミニウ
ム合金膜の腐食を防止している。第２の導電層を合金と
した場合の元素の組み合わせや、合金組成については言
及されていない。
２の導電層がクロム，モリブデン，タングステン，チタ
ン，ジルコニウム，ハフニウム，バナジウム，ニオブ，
タンタルから選ばれた金属またはそれらの合金である表
示装置用アレイ基板の製造方法について記載されてい
る。これにより、アルミニウム合金膜のヒロックを防止
し、さらに画素電極のドライエッチング時のアルミニウ
ム合金膜の腐食を防止している。第２の導電層を合金と
した場合の元素の組み合わせや、合金組成については言
及されていない。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】液晶表示装置用アレイ
基板の生産性を高めるための方策として、マザーガラス
の基板寸法の大型化が進んでいる。例えば、フラットパ
ネル・ディスプレイ2000、日経ＢＰ社、ｐ５６（１９９
９）によれば、１９９８年には基板寸法が５９０×６７
０mm2，６００×７２０mm2，６５０×８３０mm2 の製造
ラインが稼動しており、２０００年には６８０×８８０
mm2、７３０×９２０mm2の製造ラインが稼動する予定で
ある。
基板の生産性を高めるための方策として、マザーガラス
の基板寸法の大型化が進んでいる。例えば、フラットパ
ネル・ディスプレイ2000、日経ＢＰ社、ｐ５６（１９９
９）によれば、１９９８年には基板寸法が５９０×６７
０mm2，６００×７２０mm2，６５０×８３０mm2 の製造
ラインが稼動しており、２０００年には６８０×８８０
mm2、７３０×９２０mm2の製造ラインが稼動する予定で
ある。
【００１０】各製造装置もマザーガラスの基板寸法の大
型化に対応している。湿式エッチング装置の場合、ディ
ップ方式では液の攪拌が不充分となることに起因し大面
積基板で均一にエッチングすることが不可能に近く、大
面積で均一性の高い湿式エッチングにはシャワー方式が
不可欠である。しかしながら、上述したように、モリブ
デンとアルミニウムとの積層配線をリン酸，硝酸を混合
した溶液でシャワー方式で一括エッチングしたときは、
モリブデン層が庇状に迫り出した配線断面形状に加工さ
れてしまう。発明者らが、モリブデン合金とアルミニウ
ム合金との積層膜に対してリン酸，硝酸，酢酸を混合し
た溶液でシャワー方式で一括エッチングを試みた実験で
も同様の配線断面形状が再現された。このような配線形
状の上層に絶縁膜を形成した場合、カバレッジ不良の問
題が生じ、延いては生産歩留まりの低下に繋がる。
型化に対応している。湿式エッチング装置の場合、ディ
ップ方式では液の攪拌が不充分となることに起因し大面
積基板で均一にエッチングすることが不可能に近く、大
面積で均一性の高い湿式エッチングにはシャワー方式が
不可欠である。しかしながら、上述したように、モリブ
デンとアルミニウムとの積層配線をリン酸，硝酸を混合
した溶液でシャワー方式で一括エッチングしたときは、
モリブデン層が庇状に迫り出した配線断面形状に加工さ
れてしまう。発明者らが、モリブデン合金とアルミニウ
ム合金との積層膜に対してリン酸，硝酸，酢酸を混合し
た溶液でシャワー方式で一括エッチングを試みた実験で
も同様の配線断面形状が再現された。このような配線形
状の上層に絶縁膜を形成した場合、カバレッジ不良の問
題が生じ、延いては生産歩留まりの低下に繋がる。
【００１１】そこで、シャワー方式の湿式エッチングを
用いて、モリブデン合金とアルミニウム合金との積層配
線の断面をテーパ状に加工し、その上層の絶縁膜のカバ
レッジを良好にすることが本発明が解決しようとする第
１の課題である。
用いて、モリブデン合金とアルミニウム合金との積層配
線の断面をテーパ状に加工し、その上層の絶縁膜のカバ
レッジを良好にすることが本発明が解決しようとする第
１の課題である。
【００１２】上記第１の課題を解決する際には、第２の
導電層に対してＳＦ6 等のフッ素系ガスによるドライエ
ッチングに対する耐性を確保し、配線上層のＳｉＮ絶縁
膜にコンタクトホール等の接続手段を加工しても第２の
導電層がコンタクトホール底部で消失することがなく、
第２の導電層と画素電極とが接続されることを両立する
ことが本発明が解決しようとする第２の課題である。
導電層に対してＳＦ6 等のフッ素系ガスによるドライエ
ッチングに対する耐性を確保し、配線上層のＳｉＮ絶縁
膜にコンタクトホール等の接続手段を加工しても第２の
導電層がコンタクトホール底部で消失することがなく、
第２の導電層と画素電極とが接続されることを両立する
ことが本発明が解決しようとする第２の課題である。
【００１３】上層がモリブデン合金，下層がアルミニウ
ム合金の積層配線を一括エッチング加工した場合、下層
の側面部はアルミニウム合金が露出した状態になるため
この部分からのヒロックの発生が懸念される。そこで、
アルミニウム合金のヒロックを抑制することが本発明が
解決しようとする第３の課題である。
ム合金の積層配線を一括エッチング加工した場合、下層
の側面部はアルミニウム合金が露出した状態になるため
この部分からのヒロックの発生が懸念される。そこで、
アルミニウム合金のヒロックを抑制することが本発明が
解決しようとする第３の課題である。
【００１４】また、上記の課題を解決する際には、高い
生産効率やプロセスマージンをできる限り確保すること
も本発明が解決しようとする課題のひとつである。
生産効率やプロセスマージンをできる限り確保すること
も本発明が解決しようとする課題のひとつである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上述の第１の課題と第２
の課題を同時解決するための第１の手段は、第２の導電
層として、モリブデン−クロム合金と同等以上のＳＦ6
等のフッ素系ガスによるドライエッチングに対する耐性
を有し、かつアルミニウム合金との一括エッチング液に
対するウェットエッチングレートがモリブデン−クロム
合金よりも充分に大きい材料を採用することである。
の課題を同時解決するための第１の手段は、第２の導電
層として、モリブデン−クロム合金と同等以上のＳＦ6
等のフッ素系ガスによるドライエッチングに対する耐性
を有し、かつアルミニウム合金との一括エッチング液に
対するウェットエッチングレートがモリブデン−クロム
合金よりも充分に大きい材料を採用することである。
【００１６】発明者らは、このような材料を発見するた
めに、モリブデンに対しクロム，チタン，タンタル，ジ
ルコニウム，ハフニウムの各合金添加元素を種々の濃度
添加した合金を調整し、それらモリブデン合金のＳＦ6
ガスによるドライエッチングレートと、燐酸−酢酸−硝
酸溶液に対するウェットエッチングレートを測定した。
横軸をウェットエッチングレート、縦軸をドライエッチ
ングレートとした図２０に結果を示す。各合金添加元素
に対して、合金添加濃度とともにウェットエッチングレ
ートとドライエッチングレートが低下するような線図が
得られる。なお、ドライエッチングレートの検出下限値
は０.０２ｎｍ／ｓ であった。モリブデン−タンタル合
金は、モリブデン−クロム合金と比較して、ドライエッ
チングレートが低下しない割にウェットエッチングレー
トが大きく低下するため、本発明の目的には適合しな
い。モリブデン−タングステン合金やモリブデン−ニオ
ブ合金の場合も同様である。それに対し、モリブデン−
ジルコニウム及びモリブデン−ハフニウム合金は、モリ
ブデン−クロム合金と比較して、ウェットエッチングレ
ートが低下しない割にドライエッチングレートが大きく
低下するため、本発明の目的に適合する。
めに、モリブデンに対しクロム，チタン，タンタル，ジ
ルコニウム，ハフニウムの各合金添加元素を種々の濃度
添加した合金を調整し、それらモリブデン合金のＳＦ6
ガスによるドライエッチングレートと、燐酸−酢酸−硝
酸溶液に対するウェットエッチングレートを測定した。
横軸をウェットエッチングレート、縦軸をドライエッチ
ングレートとした図２０に結果を示す。各合金添加元素
に対して、合金添加濃度とともにウェットエッチングレ
ートとドライエッチングレートが低下するような線図が
得られる。なお、ドライエッチングレートの検出下限値
は０.０２ｎｍ／ｓ であった。モリブデン−タンタル合
金は、モリブデン−クロム合金と比較して、ドライエッ
チングレートが低下しない割にウェットエッチングレー
トが大きく低下するため、本発明の目的には適合しな
い。モリブデン−タングステン合金やモリブデン−ニオ
ブ合金の場合も同様である。それに対し、モリブデン−
ジルコニウム及びモリブデン−ハフニウム合金は、モリ
ブデン−クロム合金と比較して、ウェットエッチングレ
ートが低下しない割にドライエッチングレートが大きく
低下するため、本発明の目的に適合する。
【００１７】ここには、記載しないがバナジウム添加で
もドライエッチレートを大きく低下させる効果がある。
第２の導電層を走査信号線に適用する場合には、第２の
導電層のドライエッチング耐性としてＳｉＮとのエッチ
ング選択比７以上が求められる。ＳｉＮのＳＦ6 ガスに
よるドライエッチングレートは１９.４ｎｍ／ｓである
ため、第２の導電層のドライエッチングレートは２.７
８ｎｍ／ｓ 以下であれば必要なドライエッチング耐性
を満たす。このために必要なジルコニウム添加量は２.
６重量％以上、ハフニウム添加量は４.９重量％以上で
ある。第２の導電層を映像信号線に適用する場合には、
第２の導電層のドライエッチング耐性としてＳｉＮとの
エッチング選択比１４以上が求められる。ＳｉＮのＳＦ
6ガスによるドライエッチングレートは１９.４ｎｍ／ｓ
であるため、第２の導電層のドライエッチングレート
は１.３９ｎｍ／ｓ 以下であれば必要なドライエッチン
グ耐性を満たす。このために必要なジルコニウム添加量
は４.０ 重量％以上、ハフニウム添加量は７.３ 重量％
以上である。アルミニウム合金と第２の導電層との一括
湿式エッチングにより配線断面形状をテーパ状に加工す
るためには、少なくてもアルミニウム合金と同等以上の
ウェットエッチングレートが必要である。これを満たす
ジルコニウム添加量は２３重量％以下、ハフニウム添加
量は３６重量％以下である。
もドライエッチレートを大きく低下させる効果がある。
第２の導電層を走査信号線に適用する場合には、第２の
導電層のドライエッチング耐性としてＳｉＮとのエッチ
ング選択比７以上が求められる。ＳｉＮのＳＦ6 ガスに
よるドライエッチングレートは１９.４ｎｍ／ｓである
ため、第２の導電層のドライエッチングレートは２.７
８ｎｍ／ｓ 以下であれば必要なドライエッチング耐性
を満たす。このために必要なジルコニウム添加量は２.
６重量％以上、ハフニウム添加量は４.９重量％以上で
ある。第２の導電層を映像信号線に適用する場合には、
第２の導電層のドライエッチング耐性としてＳｉＮとの
エッチング選択比１４以上が求められる。ＳｉＮのＳＦ
6ガスによるドライエッチングレートは１９.４ｎｍ／ｓ
であるため、第２の導電層のドライエッチングレート
は１.３９ｎｍ／ｓ 以下であれば必要なドライエッチン
グ耐性を満たす。このために必要なジルコニウム添加量
は４.０ 重量％以上、ハフニウム添加量は７.３ 重量％
以上である。アルミニウム合金と第２の導電層との一括
湿式エッチングにより配線断面形状をテーパ状に加工す
るためには、少なくてもアルミニウム合金と同等以上の
ウェットエッチングレートが必要である。これを満たす
ジルコニウム添加量は２３重量％以下、ハフニウム添加
量は３６重量％以下である。
【００１８】また、シャワー方式を用いて充分なテーパ
制御性のマージンを確保するためには、アルミニウム合
金の２.４ 倍のウェットエッチングレートが必要であ
る。これを満たすジルコニウム添加量は１４重量％以
下、ハフニウム添加量は２２重量％以下である。なお、
アルミニウム合金はＡｌ−９.８ｗｔ％Ｎｄ とし、その
ウェットエッチングレートは５.１ｎｍ／ｓ であった。
なお、上記のようなモリブデン−ジルコニウム及びモリ
ブデン−ハフニウム合金の効果は、モリブデン−ジルコ
ニウム−ハフニウム三元合金の場合でも同様に得ること
ができる。
制御性のマージンを確保するためには、アルミニウム合
金の２.４ 倍のウェットエッチングレートが必要であ
る。これを満たすジルコニウム添加量は１４重量％以
下、ハフニウム添加量は２２重量％以下である。なお、
アルミニウム合金はＡｌ−９.８ｗｔ％Ｎｄ とし、その
ウェットエッチングレートは５.１ｎｍ／ｓ であった。
なお、上記のようなモリブデン−ジルコニウム及びモリ
ブデン−ハフニウム合金の効果は、モリブデン−ジルコ
ニウム−ハフニウム三元合金の場合でも同様に得ること
ができる。
【００１９】また、ウェットエッチング条件や積層膜の
構成によっては、ウェットエッチングレートが適度に遅
い方がテーパ制御しやすい場合がある。この場合はモリ
ブデン−ジルコニウムやモリブデン−ハフニウム合金に
クロムを適当量添加することによってウェットエッチン
グレートを制御することが可能である。モリブデン−チ
タン合金は、モリブデン−クロム合金と比較して、ウェ
ットエッチングレートの低下の割にドライエッチングレ
ートが少し大きく低下する。モリブデン−ジルコニウム
及びモリブデン−ハフニウム合金ほど大きな効果は無い
が、本発明の目的に適合する。走査信号線に適用するた
めに必要なチタン添加量は２.３ 重量％以上、映像信号
線に適用するために必要なチタン添加量は３.４ 重量％
以上である。また、アルミニウム合金と同等以上のウェ
ットエッチングレートを得るためのチタン添加量は６.
７ 重量％以下、シャワー方式を用いて充分なテーパ制
御性のマージンを確保するためのチタン添加量は４.０
重量％以下である。また、モリブデン−チタン合金に
は、大気中生成酸化膜に覆われたアルミニウム合金の上
層に成膜した場合にでも、アルミニウム合金との電気的
コンタクトが良好に確保できる効果もある。これは、チ
タンにアルミニウム酸化物の酸素を奪う能力があるため
である。すなわち、アルミニウム合金とモリブデン−チ
タン合金との積層の場合は、真空を破ることの無い連続
成膜が必ずしも必要ではないため、生産上の制約が少な
くなる。なお、モリブデン−クロム合金の場合、映像信
号線へ適用するためのドライエッチング耐性確保と、シ
ャワー方式を用いて充分なテーパ制御性のマージンを確
保することとを両立することはできない。
構成によっては、ウェットエッチングレートが適度に遅
い方がテーパ制御しやすい場合がある。この場合はモリ
ブデン−ジルコニウムやモリブデン−ハフニウム合金に
クロムを適当量添加することによってウェットエッチン
グレートを制御することが可能である。モリブデン−チ
タン合金は、モリブデン−クロム合金と比較して、ウェ
ットエッチングレートの低下の割にドライエッチングレ
ートが少し大きく低下する。モリブデン−ジルコニウム
及びモリブデン−ハフニウム合金ほど大きな効果は無い
が、本発明の目的に適合する。走査信号線に適用するた
めに必要なチタン添加量は２.３ 重量％以上、映像信号
線に適用するために必要なチタン添加量は３.４ 重量％
以上である。また、アルミニウム合金と同等以上のウェ
ットエッチングレートを得るためのチタン添加量は６.
７ 重量％以下、シャワー方式を用いて充分なテーパ制
御性のマージンを確保するためのチタン添加量は４.０
重量％以下である。また、モリブデン−チタン合金に
は、大気中生成酸化膜に覆われたアルミニウム合金の上
層に成膜した場合にでも、アルミニウム合金との電気的
コンタクトが良好に確保できる効果もある。これは、チ
タンにアルミニウム酸化物の酸素を奪う能力があるため
である。すなわち、アルミニウム合金とモリブデン−チ
タン合金との積層の場合は、真空を破ることの無い連続
成膜が必ずしも必要ではないため、生産上の制約が少な
くなる。なお、モリブデン−クロム合金の場合、映像信
号線へ適用するためのドライエッチング耐性確保と、シ
ャワー方式を用いて充分なテーパ制御性のマージンを確
保することとを両立することはできない。
【００２０】上述の第１の課題と第２の課題を同時解決
するための第２の手段は、アルミニウム合金と第２の導
電層を一括エッチングするためのエッチング液組成を調
整することにより配線を形成する方法である。すなわ
ち、リン酸（Ｈ3ＰＯ4）と硝酸（ＨＮＯ3）と酢酸（Ｃ
Ｈ3ＣＯＯＨ）と水（Ｈ2Ｏ）とを含む混合物で、硝酸
（ＨＮＯ3）を７モル％以上１２モル％以下含み、フッ
化アンモニウム(ＮＨ4Ｆ)とフッ化水素（ＨＦ）の少な
くともどちらか一方を０.０１から０.１モル％程度の微
量含む組成のエッチング液組成とする。上述のような硝
酸濃度にすることにより、レジストパタンの断面端部が
捲り上がるため、レジストと接する第２の導電層のサイ
ドエッチング速度が大きくなり、シャワー方式でもテー
パ形状のエッチング加工が可能になる。また、フッ化ア
ンモニウムまたはフッ化水素を微量添加することによ
り、アルミニウム合金表面のエッチング残さ物の生成を
抑制できる。また、エッチング装置のシャワーノズルを
揺働することによって、テーパ形状の面内均一性が向上
する。この組成のエッチング液を用いたシャワーエッチ
ングの場合は、モリブデン合金のウェットエッチングレ
ートがアルミニウム合金のそれよりも少し低い３.８ｎ
ｍ／ｓ でもテーパ加工が可能である。すなわち、この
場合のモリブデンへの合金添加量の上限値は、クロムの
場合３.０ 重量％、ジルコニウムの場合２６重量％、ハ
フニウムの場合４１重量％、チタンの場合7.6重量％で
ある。上述の第３の課題は、配線下層を０.２ ａｔ％以
上望ましくは２ａｔ％以上のネオジムを含むアルミニウ
ム合金にすることにより解決できる。また、走査信号線
の場合、画素電極との接続のために第２の導電層を必要
とする領域は走査信号線の端子部だけであり、画素部で
は不要である。そこで画素部分のみアルミニウム合金を
陽極化成することによって、ヒロック等に起因した絶縁
膜のカバレッジ不良を充分に低減することができる。本
発明のＭｏ−８ｗｔ％Ｚr合金とＡｌ−Ｎｄ合金の積層
膜をゲート配線に適用する場合、上層のＭｏ−８ｗｔ％
Ｚｒ膜を電気化学的に除去した後、Ａｌ−Ｎｄ合金を陽
極化成し、ゲート配線の上層部に選択的に酸化アルミニ
ウム膜を形成し、ゲート絶縁膜の絶縁耐圧の信頼性を大
幅に向上できる。アルミニウム合金配線を画像信号線に
適用する場合には、アルミニウム合金層の下層に第３の
導電層を設けることにより半導体層とのコンタクトを確
保できる。この場合は、画素電極のエッチングの際にア
ルミニウム合金がダメージを受けないように、弱酸のエ
ッチング液が使用可能なアモルファスインジウムティン
オキサイド（ａ−ＩＴＯ）とインジウムジンクオキサイ
ド（ＩＺＯ）を画素電極とすることが望ましい。走査信
号線のアルミニウム合金及び第２の導電層と、画像信号
線のアルミニウム合金及び第２の導電層とを共通化すれ
ば、液晶表示装置のアレイ基板の生産に必要なスパッタ
ターゲットの種類を少なくすることができ、スパッタ装
置運用の自由度が向上するため生産上有利である。さら
に画像信号線の第３の導電層をも共通化することによ
り、その効果はより大きくなる。一方、画像信号線をモ
リブデン合金単層で構成することも可能である。アルミ
ニウム合金を用いないため、画素電極エッチングの際の
配線ダメージを考慮する必要は無く、画素電極として信
頼性の高い多結晶インジウムティンオキサイド（poly−
ＩＴＯ）を採用することができる。この用途に用いるモ
リブデン合金は、ドライエッチング耐性としてＳｉＮと
のエッチング選択比３.５以上が求められ、これを満た
すために必要なクロム添加量は０.３５ｗｔ％以上、チ
タン添加量は１.３ｗｔ％以上、ジルコニウム添加量は
１.４ｗｔ％以上、ハフニウム添加量は２.６ ｗｔ％以
上である。これらのモリブデン合金の中でも、ドライエ
ッチング耐性と低抵抗率とを両立できるモリブデン−ク
ロム合金が適している。
するための第２の手段は、アルミニウム合金と第２の導
電層を一括エッチングするためのエッチング液組成を調
整することにより配線を形成する方法である。すなわ
ち、リン酸（Ｈ3ＰＯ4）と硝酸（ＨＮＯ3）と酢酸（Ｃ
Ｈ3ＣＯＯＨ）と水（Ｈ2Ｏ）とを含む混合物で、硝酸
（ＨＮＯ3）を７モル％以上１２モル％以下含み、フッ
化アンモニウム(ＮＨ4Ｆ)とフッ化水素（ＨＦ）の少な
くともどちらか一方を０.０１から０.１モル％程度の微
量含む組成のエッチング液組成とする。上述のような硝
酸濃度にすることにより、レジストパタンの断面端部が
捲り上がるため、レジストと接する第２の導電層のサイ
ドエッチング速度が大きくなり、シャワー方式でもテー
パ形状のエッチング加工が可能になる。また、フッ化ア
ンモニウムまたはフッ化水素を微量添加することによ
り、アルミニウム合金表面のエッチング残さ物の生成を
抑制できる。また、エッチング装置のシャワーノズルを
揺働することによって、テーパ形状の面内均一性が向上
する。この組成のエッチング液を用いたシャワーエッチ
ングの場合は、モリブデン合金のウェットエッチングレ
ートがアルミニウム合金のそれよりも少し低い３.８ｎ
ｍ／ｓ でもテーパ加工が可能である。すなわち、この
場合のモリブデンへの合金添加量の上限値は、クロムの
場合３.０ 重量％、ジルコニウムの場合２６重量％、ハ
フニウムの場合４１重量％、チタンの場合7.6重量％で
ある。上述の第３の課題は、配線下層を０.２ ａｔ％以
上望ましくは２ａｔ％以上のネオジムを含むアルミニウ
ム合金にすることにより解決できる。また、走査信号線
の場合、画素電極との接続のために第２の導電層を必要
とする領域は走査信号線の端子部だけであり、画素部で
は不要である。そこで画素部分のみアルミニウム合金を
陽極化成することによって、ヒロック等に起因した絶縁
膜のカバレッジ不良を充分に低減することができる。本
発明のＭｏ−８ｗｔ％Ｚr合金とＡｌ−Ｎｄ合金の積層
膜をゲート配線に適用する場合、上層のＭｏ−８ｗｔ％
Ｚｒ膜を電気化学的に除去した後、Ａｌ−Ｎｄ合金を陽
極化成し、ゲート配線の上層部に選択的に酸化アルミニ
ウム膜を形成し、ゲート絶縁膜の絶縁耐圧の信頼性を大
幅に向上できる。アルミニウム合金配線を画像信号線に
適用する場合には、アルミニウム合金層の下層に第３の
導電層を設けることにより半導体層とのコンタクトを確
保できる。この場合は、画素電極のエッチングの際にア
ルミニウム合金がダメージを受けないように、弱酸のエ
ッチング液が使用可能なアモルファスインジウムティン
オキサイド（ａ−ＩＴＯ）とインジウムジンクオキサイ
ド（ＩＺＯ）を画素電極とすることが望ましい。走査信
号線のアルミニウム合金及び第２の導電層と、画像信号
線のアルミニウム合金及び第２の導電層とを共通化すれ
ば、液晶表示装置のアレイ基板の生産に必要なスパッタ
ターゲットの種類を少なくすることができ、スパッタ装
置運用の自由度が向上するため生産上有利である。さら
に画像信号線の第３の導電層をも共通化することによ
り、その効果はより大きくなる。一方、画像信号線をモ
リブデン合金単層で構成することも可能である。アルミ
ニウム合金を用いないため、画素電極エッチングの際の
配線ダメージを考慮する必要は無く、画素電極として信
頼性の高い多結晶インジウムティンオキサイド（poly−
ＩＴＯ）を採用することができる。この用途に用いるモ
リブデン合金は、ドライエッチング耐性としてＳｉＮと
のエッチング選択比３.５以上が求められ、これを満た
すために必要なクロム添加量は０.３５ｗｔ％以上、チ
タン添加量は１.３ｗｔ％以上、ジルコニウム添加量は
１.４ｗｔ％以上、ハフニウム添加量は２.６ ｗｔ％以
上である。これらのモリブデン合金の中でも、ドライエ
ッチング耐性と低抵抗率とを両立できるモリブデン−ク
ロム合金が適している。
【００２１】
【発明の実施の形態】（実施例１）以下、本発明の実施
の形態につき、実施例の図面を参照して詳細に説明す
る。図１は本発明による液晶表示装置の一実施例を説明
する要部の模式断面図である。この液晶表示装置は、ガ
ラス基板１の内面に薄膜トランジスタＴＦＴなどを形成
したアクティブマトリクス基板と、同じくガラス基板１
２の内面にカラーフィルタ１４などを形成したカラーフ
ィルタ基板との対向間隙に液晶組成物からなる液晶層１
８を挟持して構成される。
の形態につき、実施例の図面を参照して詳細に説明す
る。図１は本発明による液晶表示装置の一実施例を説明
する要部の模式断面図である。この液晶表示装置は、ガ
ラス基板１の内面に薄膜トランジスタＴＦＴなどを形成
したアクティブマトリクス基板と、同じくガラス基板１
２の内面にカラーフィルタ１４などを形成したカラーフ
ィルタ基板との対向間隙に液晶組成物からなる液晶層１
８を挟持して構成される。
【００２２】また、図２は本発明による液晶表示装置の
一実施例であり、ゲート配線の積層構造を説明する要部
模式断面図、図３は本発明による液晶表示装置の一実施
例であり、ソースおよびドレイン配線の積層構造の一例
を説明する要部模式断面図である。なお、図４は薄膜ト
ランジスタＴＦＴから離れた場所におけるゲート配線
で、その端部で配線端子を構成する構造を示す。
一実施例であり、ゲート配線の積層構造を説明する要部
模式断面図、図３は本発明による液晶表示装置の一実施
例であり、ソースおよびドレイン配線の積層構造の一例
を説明する要部模式断面図である。なお、図４は薄膜ト
ランジスタＴＦＴから離れた場所におけるゲート配線
で、その端部で配線端子を構成する構造を示す。
【００２３】すなわち、図１に示したように、アクティ
ブマトリクス基板は、ガラス基板１の内面にアルミニウ
ム配線２としてアルミニウム−９.８ｗｔ％ネオジム合
金（Ａｌ−９.８ ｗｔ％Ｎｄ）を成膜する。次いでモリ
ブデン層３として、モリブデン−８ｗｔ％ジルコニウム
合金（Ｍｏ−８ｗｔ％Ｚｒ）をスパッタリング法を用い
成膜温度１２０°Ｃで連続成膜する。ゲート配線のレジ
ストパターンをホトリソグラフィ法で形成した後、リン
酸，硝酸，酢酸、さらにフッ化アンモニウムを添加した
水溶水からなるエッチング液でシャワーエッチング法を
用い、一括ウェットエッチングする。このエッチング液
では、Ｍｏ−８ｗｔ％Ｚｒ合金のエッチングレートはア
ルミニウム合金より約４倍速い。このことにより、大面
積の基板でもエッチング寸法精度良く、図２に示したよ
うに配線の端面形状を順テーパ形状に加工することがで
きる。ゲート配線として図３に示すように、モリブデン
−ジルコニウム合金（Ｍｏ−８ｗｔ％Ｚｒ合金）層
２′，アルミニウム−ネオジム合金（Ａｌ−Ｎｄ合金）
層２，モリブデン−８ｗｔ％ジルコニウム合金（Ｍｏ−
８ｗｔ％Ｚｒ合金）層３を連続成膜して３層構造を作成
して良い。Ｍｏ／Ａｌの２層構造に比較すると積層構造
は複雑になるが、下層のＭｏ層が存在する場合、積層構
造の順テーパ形状が安定して形成されるすることが、実
験で確認されている。これは、ＡｌとＭｏとのエッチン
グ状態が大きく異なることに起因する現象であり、下層
Ｍｏ層が存在することで、上層Ｍｏ層のエッチングの進
行が安定するためである。
ブマトリクス基板は、ガラス基板１の内面にアルミニウ
ム配線２としてアルミニウム−９.８ｗｔ％ネオジム合
金（Ａｌ−９.８ ｗｔ％Ｎｄ）を成膜する。次いでモリ
ブデン層３として、モリブデン−８ｗｔ％ジルコニウム
合金（Ｍｏ−８ｗｔ％Ｚｒ）をスパッタリング法を用い
成膜温度１２０°Ｃで連続成膜する。ゲート配線のレジ
ストパターンをホトリソグラフィ法で形成した後、リン
酸，硝酸，酢酸、さらにフッ化アンモニウムを添加した
水溶水からなるエッチング液でシャワーエッチング法を
用い、一括ウェットエッチングする。このエッチング液
では、Ｍｏ−８ｗｔ％Ｚｒ合金のエッチングレートはア
ルミニウム合金より約４倍速い。このことにより、大面
積の基板でもエッチング寸法精度良く、図２に示したよ
うに配線の端面形状を順テーパ形状に加工することがで
きる。ゲート配線として図３に示すように、モリブデン
−ジルコニウム合金（Ｍｏ−８ｗｔ％Ｚｒ合金）層
２′，アルミニウム−ネオジム合金（Ａｌ−Ｎｄ合金）
層２，モリブデン−８ｗｔ％ジルコニウム合金（Ｍｏ−
８ｗｔ％Ｚｒ合金）層３を連続成膜して３層構造を作成
して良い。Ｍｏ／Ａｌの２層構造に比較すると積層構造
は複雑になるが、下層のＭｏ層が存在する場合、積層構
造の順テーパ形状が安定して形成されるすることが、実
験で確認されている。これは、ＡｌとＭｏとのエッチン
グ状態が大きく異なることに起因する現象であり、下層
Ｍｏ層が存在することで、上層Ｍｏ層のエッチングの進
行が安定するためである。
【００２４】ゲート配線のエッチング後、レジストを剥
離し、プラズマＣＶＤ法でＳｉＮのゲート絶縁層４，ｉ
−ａ−Ｓｉ層５とｎ＋ａ−Ｓｉ層６を連続成膜する。そ
して、ａ−Ｓｉ層の島を加工するためにゲート配線の加
工と同様にレジストを塗布し、ドライエッチング法でｉ
−ａ−Ｓｉ層５とｎ＋ａ−Ｓｉ層６をエッチング加工す
る。
離し、プラズマＣＶＤ法でＳｉＮのゲート絶縁層４，ｉ
−ａ−Ｓｉ層５とｎ＋ａ−Ｓｉ層６を連続成膜する。そ
して、ａ−Ｓｉ層の島を加工するためにゲート配線の加
工と同様にレジストを塗布し、ドライエッチング法でｉ
−ａ−Ｓｉ層５とｎ＋ａ−Ｓｉ層６をエッチング加工す
る。
【００２５】ａ−Ｓｉ層の島の加工用レジストを剥離
後、図３に示したように、ソースおよびドレイン配線の
ため、前述のモリブデン−ジルコニウム合金（Ｍｏ−８
ｗｔ％Ｚｒ合金）層７，アルミニウム−９.８ｗｔ％ネ
オジム合金（Ａｌ−９.８ｗｔ％Ｎｄ合金）層８，モリ
ブデン−８ｗｔ％ジルコニウム合金（Ｍｏ−８ｗｔ％Ｚ
ｒ合金）層９を連続成膜して３層構造層を作製する。次
に、ホトリソグラフィ工程でソース電極とドレイン電極
用のレジストを形成する。
後、図３に示したように、ソースおよびドレイン配線の
ため、前述のモリブデン−ジルコニウム合金（Ｍｏ−８
ｗｔ％Ｚｒ合金）層７，アルミニウム−９.８ｗｔ％ネ
オジム合金（Ａｌ−９.８ｗｔ％Ｎｄ合金）層８，モリ
ブデン−８ｗｔ％ジルコニウム合金（Ｍｏ−８ｗｔ％Ｚ
ｒ合金）層９を連続成膜して３層構造層を作製する。次
に、ホトリソグラフィ工程でソース電極とドレイン電極
用のレジストを形成する。
【００２６】そして、ゲート配線のエッチング加工と同
様に、リン酸，硝酸，酢酸、さらにフッ化アンモニウム
を添加した水溶液からなるエッチング液で上記の多層構
造層を一括でエッチング加工する。この場合、純モリブ
デン（Ｍｏ）のエッチングレートはアルミニウム（Ａ
ｌ）のエッチングレートの１０倍以上とはるかに速いた
め、モリブデン層のみが速くエッチングされ、良好な形
状にならない。そのため、モリブデン（Ｍｏ）にジルコ
ニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），チタン（Ｔ
ｉ），タンタル（Ｔａ）等を添加して合金のエッチング
レートを低下させ、アルミニウムのエッチングレートの
１倍〜４倍となるように添加する。好ましくは２倍とな
るように添加する。
様に、リン酸，硝酸，酢酸、さらにフッ化アンモニウム
を添加した水溶液からなるエッチング液で上記の多層構
造層を一括でエッチング加工する。この場合、純モリブ
デン（Ｍｏ）のエッチングレートはアルミニウム（Ａ
ｌ）のエッチングレートの１０倍以上とはるかに速いた
め、モリブデン層のみが速くエッチングされ、良好な形
状にならない。そのため、モリブデン（Ｍｏ）にジルコ
ニウム（Ｚｒ），ハフニウム（Ｈｆ），チタン（Ｔ
ｉ），タンタル（Ｔａ）等を添加して合金のエッチング
レートを低下させ、アルミニウムのエッチングレートの
１倍〜４倍となるように添加する。好ましくは２倍とな
るように添加する。
【００２７】図５は金属配線のウェットエッチングレー
トの合金添加量依存性の説明図である。なお、図５には
アルミニウム−ネオジウム合金のウェットエッチングレ
ートも示してある。
トの合金添加量依存性の説明図である。なお、図５には
アルミニウム−ネオジウム合金のウェットエッチングレ
ートも示してある。
【００２８】すなわち、クロム（Ｃｒ）では２ｗｔ％の
添加、チタン（Ｔｉ）とタンタル（Ｔａ）では５〜２０
ｗｔ％の添加で、モリブデン合金のエッチングレートを
アルミニウム（Ａｌ）のそれより速く設定できる。ま
た、上記の混酸の組成を調整することで、３層の積層構
造層の配線の端面形状を順テーパ形状に加工することが
可能となる。
添加、チタン（Ｔｉ）とタンタル（Ｔａ）では５〜２０
ｗｔ％の添加で、モリブデン合金のエッチングレートを
アルミニウム（Ａｌ）のそれより速く設定できる。ま
た、上記の混酸の組成を調整することで、３層の積層構
造層の配線の端面形状を順テーパ形状に加工することが
可能となる。
【００２９】積層構造層の連続エッチングではエッチン
グ時間が長くなるが、チタンを添加することでモリブデ
ン合金とレジストの密着性を大幅に向上できる。純モリ
ブデンでは表面酸化膜が現像液に溶解し易く、その結果
としてレジストと積層構造層の間の界面に微小な空洞が
形成され、そこにエッチング液が滲み込んで配線が局部
的に細くなったり、断線したりする。
グ時間が長くなるが、チタンを添加することでモリブデ
ン合金とレジストの密着性を大幅に向上できる。純モリ
ブデンでは表面酸化膜が現像液に溶解し易く、その結果
としてレジストと積層構造層の間の界面に微小な空洞が
形成され、そこにエッチング液が滲み込んで配線が局部
的に細くなったり、断線したりする。
【００３０】しかし、添加したチタンが酸化して酸化チ
タンとなることで、表面の汚染物が分解され、表面の親
水性を増すことができる。その結果、局部的な水しみを
防止でき、レジストの密着不良に起因する断線を防止す
ることができる。ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム
（Ｈｆ），クロム（Ｃｒ）でも同様に、酸化物を安定化
させることで、同様の効果が確認できた。
タンとなることで、表面の汚染物が分解され、表面の親
水性を増すことができる。その結果、局部的な水しみを
防止でき、レジストの密着不良に起因する断線を防止す
ることができる。ジルコニウム（Ｚｒ），ハフニウム
（Ｈｆ），クロム（Ｃｒ）でも同様に、酸化物を安定化
させることで、同様の効果が確認できた。
【００３１】次に、ソースおよびドレイン配線をマスク
としてｎ＋ａ−Ｓｉ層６をドライエッチング法でエッチ
ングして除去し、チャネル部を形成する。
としてｎ＋ａ−Ｓｉ層６をドライエッチング法でエッチ
ングして除去し、チャネル部を形成する。
【００３２】その後、ＣＶＤ法を用いてパッシベーショ
ン層１０としての窒化シリコン層（ＳｉＮ）を２３０℃
で成膜する。
ン層１０としての窒化シリコン層（ＳｉＮ）を２３０℃
で成膜する。
【００３３】ゲート配線とドレイン配線のそれぞれの端
子において、各端子上にスルーホールを形成する。ドレ
イン配線のスルーホールは図１に符号１９で示し、ゲー
ト配線端子部のスルーホールは図４の符号２０で示して
ある。
子において、各端子上にスルーホールを形成する。ドレ
イン配線のスルーホールは図１に符号１９で示し、ゲー
ト配線端子部のスルーホールは図４の符号２０で示して
ある。
【００３４】図４に示したように、ゲート配線端子を形
成する場合は、パッシベーション層１０およびゲート絶
縁層４の両方の層に穴を開ける。本実施例では、同一の
ホトマスクでスルーホールパターンを形成し、ドライエ
ッチング法で両層を同時に加工する。
成する場合は、パッシベーション層１０およびゲート絶
縁層４の両方の層に穴を開ける。本実施例では、同一の
ホトマスクでスルーホールパターンを形成し、ドライエ
ッチング法で両層を同時に加工する。
【００３５】パッシベーション層１０の最上部にエッチ
ングレートの速い層を形成し、最上部が優先的にサイド
エッチングされるようにすることで、パッシベーション
層１０とゲート絶縁層４の端面形状を順テーパ状に加工
する。
ングレートの速い層を形成し、最上部が優先的にサイド
エッチングされるようにすることで、パッシベーション
層１０とゲート絶縁層４の端面形状を順テーパ状に加工
する。
【００３６】ゲート配線端子部分のパッシベーション層
１０およびゲート絶縁層４の膜厚は図１に示した薄膜ト
ランジスタＴＦＴ部分よりも厚いため、ゲート配線端子
用に加工するスルーホール２０は、ドレイン電極または
ソース電極のスルーホール１９より深い。したがって、
当該スルーホールの加工中に、ドレインおよびソース配
線のスルーホール１９が先に加工され、その下層の電
極、すなわち図１のアルミニウム合金層８とモリブデン
合金層９の積層構造の電極は長時間ドライエッチング雰
囲気に曝されることになる。
１０およびゲート絶縁層４の膜厚は図１に示した薄膜ト
ランジスタＴＦＴ部分よりも厚いため、ゲート配線端子
用に加工するスルーホール２０は、ドレイン電極または
ソース電極のスルーホール１９より深い。したがって、
当該スルーホールの加工中に、ドレインおよびソース配
線のスルーホール１９が先に加工され、その下層の電
極、すなわち図１のアルミニウム合金層８とモリブデン
合金層９の積層構造の電極は長時間ドライエッチング雰
囲気に曝されることになる。
【００３７】このとき、上記ソース電極の上層の金属が
純モリブデンの場合、ドライエッチングレートが速く、
当該純モリブデン層の下層のアルミニウム層表面が表面
に現れてしまう。この上層の純モリブデン層のドライエ
ッチング耐性を増すために、種々の元素を添加した場合
のドライエッチングレートを図６に示した。すなわち、
図６は金属配線のドライエッチングレートの合金添加量
依存性の説明図である。図６に示したように、検討した
全ての元素においてドライエッチングレートを遅くする
効果がある。これは、合金化することで各元素の結合エ
ネルギーが増加するためと考えられる。ソース，ドレイ
ン配線の場合、最上層のＭｏ合金膜がドライエッチで消
失しないようにするためには、パッシベーション膜との
選択比で１４，ドライエッチレートで１.４ ｎｍ／ｓ以
下であることが必要である。これらの中で、特にタンタ
ル（Ｔａ）とタングステン（Ｗ）では添加量を増加させ
てもドライエッチレートを１.４ ｎｍ／ｓ以下にするこ
とは出来ない。一方、クロム（Ｃｒ）では約２.５ ｗｔ
％、ジルコニウム（Ｚｒ）では４ｗｔ％、ハフニウムで
は７.３ ｗｔ％、チタン（Ｔｉ）では７ｗｔ％以上添加
することが必要である。すなわち、上記の元素を添加し
たモリブデン合金をアルミニウム層の上層に積層するこ
とによってドレインおよびソース配線端子用のスルーホ
ールの電極表面にアルミニウムが現れることを防止する
ことができる。このスルーホールの形成後、ドレインお
よびソース電極では画素電極となるインジウムチンオキ
サイド（ＩＴＯ）膜を形成する。また、ゲート、及びド
レイン配線端子ではその上部に形成するＩＴＯ膜１１と
のコンタクトを良好に保つことができ、配線の端子部で
の接続安定性を確保して製品の信頼性を向上した液晶表
示装置を提供することができる。ＩＴＯ膜としては、ス
パッタリング中に少量の水を添加し、室温成膜によりア
モルファスＩＴＯ膜を形成する。アモルファスＩＴＯ膜
を採用することで、そのエッチングは弱酸である３％蓚
酸を用いることができる。弱酸を用いることで、ＩＴＯ
膜のエッチング時にパッシベーション膜の下層に形成し
た積層配線のＡｌ膜との選択性を確保することができ
る。弱酸のかわりに、Ａｌの表面酸化膜を形成できる酸
化性エッチング液である塩酸，硝酸，水の混酸を用いて
も良い。アモルファス透明導電膜として、アモルファス
ＩＴＯ膜のかわりにアモルファス状のインジウムジンク
オキサイド（ＩＺＯ）を用いても良い。この場合、スパ
ッタガスにはアルゴン＋酸素混合ガスを用い、成膜温度
を室温から２００℃の範囲内でスパッタリング法にて成
膜する。次に、本発明を適用したアクティブマトリクス
型液晶表示装置の要部構成について説明する。
純モリブデンの場合、ドライエッチングレートが速く、
当該純モリブデン層の下層のアルミニウム層表面が表面
に現れてしまう。この上層の純モリブデン層のドライエ
ッチング耐性を増すために、種々の元素を添加した場合
のドライエッチングレートを図６に示した。すなわち、
図６は金属配線のドライエッチングレートの合金添加量
依存性の説明図である。図６に示したように、検討した
全ての元素においてドライエッチングレートを遅くする
効果がある。これは、合金化することで各元素の結合エ
ネルギーが増加するためと考えられる。ソース，ドレイ
ン配線の場合、最上層のＭｏ合金膜がドライエッチで消
失しないようにするためには、パッシベーション膜との
選択比で１４，ドライエッチレートで１.４ ｎｍ／ｓ以
下であることが必要である。これらの中で、特にタンタ
ル（Ｔａ）とタングステン（Ｗ）では添加量を増加させ
てもドライエッチレートを１.４ ｎｍ／ｓ以下にするこ
とは出来ない。一方、クロム（Ｃｒ）では約２.５ ｗｔ
％、ジルコニウム（Ｚｒ）では４ｗｔ％、ハフニウムで
は７.３ ｗｔ％、チタン（Ｔｉ）では７ｗｔ％以上添加
することが必要である。すなわち、上記の元素を添加し
たモリブデン合金をアルミニウム層の上層に積層するこ
とによってドレインおよびソース配線端子用のスルーホ
ールの電極表面にアルミニウムが現れることを防止する
ことができる。このスルーホールの形成後、ドレインお
よびソース電極では画素電極となるインジウムチンオキ
サイド（ＩＴＯ）膜を形成する。また、ゲート、及びド
レイン配線端子ではその上部に形成するＩＴＯ膜１１と
のコンタクトを良好に保つことができ、配線の端子部で
の接続安定性を確保して製品の信頼性を向上した液晶表
示装置を提供することができる。ＩＴＯ膜としては、ス
パッタリング中に少量の水を添加し、室温成膜によりア
モルファスＩＴＯ膜を形成する。アモルファスＩＴＯ膜
を採用することで、そのエッチングは弱酸である３％蓚
酸を用いることができる。弱酸を用いることで、ＩＴＯ
膜のエッチング時にパッシベーション膜の下層に形成し
た積層配線のＡｌ膜との選択性を確保することができ
る。弱酸のかわりに、Ａｌの表面酸化膜を形成できる酸
化性エッチング液である塩酸，硝酸，水の混酸を用いて
も良い。アモルファス透明導電膜として、アモルファス
ＩＴＯ膜のかわりにアモルファス状のインジウムジンク
オキサイド（ＩＺＯ）を用いても良い。この場合、スパ
ッタガスにはアルゴン＋酸素混合ガスを用い、成膜温度
を室温から２００℃の範囲内でスパッタリング法にて成
膜する。次に、本発明を適用したアクティブマトリクス
型液晶表示装置の要部構成について説明する。
【００３８】図７は本発明を適用した液晶表示装置のア
クティブマトリクス基板上に形成した一画素部分の模式
平面図である。１はアクティブマトリクス基板、２Ａは
ゲート配線（電極）、３Ａはドレイン配線、３Ｂはドレ
イン電極、３Ｃはソース電極、１１Ａは画素電極、５は
半導体層、１９はコンタクトホール、ＴＦＴは薄膜トラ
ンジスタを示す。なお、上記ドレイン配線３Ａとドレイ
ン電極、３Ｂおよびソース電極３Ｃは、同一の積層構造
であるため、図１ではドレインおよびソース配線（電
極）として一括で表示してある。また、ドレイン配線
（電極）３Ａとソース配線（電極）３Ｂは、動作中入れ
替わるものであるため、説明の都合上、図１においては
ドレインまたはソース配線（電極）として説明してあ
る。
クティブマトリクス基板上に形成した一画素部分の模式
平面図である。１はアクティブマトリクス基板、２Ａは
ゲート配線（電極）、３Ａはドレイン配線、３Ｂはドレ
イン電極、３Ｃはソース電極、１１Ａは画素電極、５は
半導体層、１９はコンタクトホール、ＴＦＴは薄膜トラ
ンジスタを示す。なお、上記ドレイン配線３Ａとドレイ
ン電極、３Ｂおよびソース電極３Ｃは、同一の積層構造
であるため、図１ではドレインおよびソース配線（電
極）として一括で表示してある。また、ドレイン配線
（電極）３Ａとソース配線（電極）３Ｂは、動作中入れ
替わるものであるため、説明の都合上、図１においては
ドレインまたはソース配線（電極）として説明してあ
る。
【００３９】そして、ドレイン配線３Ａ，ドレイン電極
３Ｂ，ソース電極３Ｃは図１におけるアルミニウム合金
層８とモリブデン合金層７及び９の積層構造からなり、
ゲート配線（電極）２Ａは図１におけるアルミニウム合
金層２とモリブデン合金層３の積層構造からなる。
３Ｂ，ソース電極３Ｃは図１におけるアルミニウム合金
層８とモリブデン合金層７及び９の積層構造からなり、
ゲート配線（電極）２Ａは図１におけるアルミニウム合
金層２とモリブデン合金層３の積層構造からなる。
【００４０】ゲート配線（電極）２Ａを形成した基板１
の表面の全域には、ゲート配線（電極）２Ａと、ドレイ
ン配線３Ａとドレイン電極３Ｂおよびソース電極３Ｃと
の層間絶縁を図るためのゲート絶縁層４として窒化シリ
コン（ＳｉＮ）層が形成される（図１）。
の表面の全域には、ゲート配線（電極）２Ａと、ドレイ
ン配線３Ａとドレイン電極３Ｂおよびソース電極３Ｃと
の層間絶縁を図るためのゲート絶縁層４として窒化シリ
コン（ＳｉＮ）層が形成される（図１）。
【００４１】そして、ゲート電極２Ａとドレイン配線３
Ａで囲まれる画素領域の一角におけるゲート絶縁層４の
上部には薄膜トランジスタＴＦＴが形成される。この薄
膜トランジスタＴＦＴの形成領域においては、ゲート絶
縁膜として機能するパッシベーション層４の上層で前記
ゲート電極３Ｂの上部に位置するゲート絶縁層４の表面
にはゲート電極２Ａに跨がるようにしてアモルファスシ
リコン（ａ−Ｓｉ）からなる半導体層５が形成されてい
る。
Ａで囲まれる画素領域の一角におけるゲート絶縁層４の
上部には薄膜トランジスタＴＦＴが形成される。この薄
膜トランジスタＴＦＴの形成領域においては、ゲート絶
縁膜として機能するパッシベーション層４の上層で前記
ゲート電極３Ｂの上部に位置するゲート絶縁層４の表面
にはゲート電極２Ａに跨がるようにしてアモルファスシ
リコン（ａ−Ｓｉ）からなる半導体層５が形成されてい
る。
【００４２】そして、この半導体層５は、ドレイン電極
３Ｂとソース電極３Ｃの形成領域の下層となるように形
成されている。ドレイン電極３Ｂとソース電極４を半導
体層５との積層構造とするのは、段切れ防止と交差する
ゲート電極３Ａとの間の容量を低減させるためである。
３Ｂとソース電極３Ｃの形成領域の下層となるように形
成されている。ドレイン電極３Ｂとソース電極４を半導
体層５との積層構造とするのは、段切れ防止と交差する
ゲート電極３Ａとの間の容量を低減させるためである。
【００４３】薄膜トランジスタＴＦＴの形成領域におけ
る半導体層５の表面にはドレイン電極３Ｂおよびソース
電極３Ｃが形成され、これら各電極３Ｂ，３Ｃはそれを
平面的に見た場合に前記ゲート電極２Ａを間にして互い
に対向して配置される。
る半導体層５の表面にはドレイン電極３Ｂおよびソース
電極３Ｃが形成され、これら各電極３Ｂ，３Ｃはそれを
平面的に見た場合に前記ゲート電極２Ａを間にして互い
に対向して配置される。
【００４４】なお、半導体層５の表面のドレイン電極３
Ｂおよびソース電極３Ｃとの界面には当該半導体層５に
高濃度の不純物がドープされたコンタクト層が形成され
ているが図示は省略してある。この高濃度の不純物層
は、半導体層５を形成した時点でその全面に形成されて
おり、その後に形成するドレイン電極やソース電極をマ
スクとして当該各電極から露出している不純物層をエッ
チングすることによって形成される。そして、ドレイン
電極３Ｂおよびソース電極３Ｃは、同一の工程で、かつ
同一の材料で形成される。
Ｂおよびソース電極３Ｃとの界面には当該半導体層５に
高濃度の不純物がドープされたコンタクト層が形成され
ているが図示は省略してある。この高濃度の不純物層
は、半導体層５を形成した時点でその全面に形成されて
おり、その後に形成するドレイン電極やソース電極をマ
スクとして当該各電極から露出している不純物層をエッ
チングすることによって形成される。そして、ドレイン
電極３Ｂおよびソース電極３Ｃは、同一の工程で、かつ
同一の材料で形成される。
【００４５】また、図７に示したように、ソース電極３
Ｃは画素電極１１Ａの形成領域にまで延在して形成さ
れ、この延在部において前記画素電極１１Ａとのコンタ
クトをとるように構成されている。図１ではこの画素電
極１１ＡをＩＴＯ１１として示してある。
Ｃは画素電極１１Ａの形成領域にまで延在して形成さ
れ、この延在部において前記画素電極１１Ａとのコンタ
クトをとるように構成されている。図１ではこの画素電
極１１ＡをＩＴＯ１１として示してある。
【００４６】このように加工された基板１の表面の全域
には、前記薄膜トランジスタＴＦＴへの液晶の直接接触
を回避するために、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）か
らなるパッシベーション層１０が形成される（図１）。
このパッシベーション層１０には前記ソース電極３Ｃの
延在部の一部を露出させるコンタクトホール１９が形成
されている。
には、前記薄膜トランジスタＴＦＴへの液晶の直接接触
を回避するために、例えばシリコン窒化膜（ＳｉＮ）か
らなるパッシベーション層１０が形成される（図１）。
このパッシベーション層１０には前記ソース電極３Ｃの
延在部の一部を露出させるコンタクトホール１９が形成
されている。
【００４７】そして、このパッシベーション層１０の上
面における画素領域内には、ＩＴＯ膜等の透明導電層か
らなる画素電極１１Ａが形成される。この画素電極１１
Ａはコンタクトホール１９を通してソース電極３Ｃと電
気的に接続される。
面における画素領域内には、ＩＴＯ膜等の透明導電層か
らなる画素電極１１Ａが形成される。この画素電極１１
Ａはコンタクトホール１９を通してソース電極３Ｃと電
気的に接続される。
【００４８】この場合、画素電極１１Ａの一部は、薄膜
トランジスタＴＦＴを駆動するためのゲート電極２Ａと
は異なる他の隣接ゲート電極２Ａ′上まで延在するよう
に形成され、これによって画素電極１１と隣接ゲート電
極２Ａ′との間に介在されるゲート絶縁層４およびパッ
シベーション層１０の積層体を誘電体膜とする付加容量
Ｃａｄｄが構成される。
トランジスタＴＦＴを駆動するためのゲート電極２Ａと
は異なる他の隣接ゲート電極２Ａ′上まで延在するよう
に形成され、これによって画素電極１１と隣接ゲート電
極２Ａ′との間に介在されるゲート絶縁層４およびパッ
シベーション層１０の積層体を誘電体膜とする付加容量
Ｃａｄｄが構成される。
【００４９】なお、図１に示したように、上記のように
各種の成膜がなされたアクティブマトリクス基板１は液
晶層１８を挟んで他方の基板（カラーフィルタ基板）１
２と貼り合わせられる。このカラーフィルタ基板１２の
液晶層ＬＣ側にはブラックマトリクス１３で区画された
複数のカラーフィルタ１４と、このカラーフィルタ１４
とブラックマトリクス１３を覆う平滑層１５を介して各
画素領域に共通な共通電極１６が例えばＩＴＯで形成さ
れている。なお、共通電極１６の上層には保護膜１７が
成膜され、さらにこの保護膜１７と液晶層１８の界面、
およびアクティブマトリクス基板１の液晶層１８との界
面には液晶層１８を構成する液晶組成物の配向方向を規
制する配向膜がそれぞれ成膜されているが、図示は省略
してある。
各種の成膜がなされたアクティブマトリクス基板１は液
晶層１８を挟んで他方の基板（カラーフィルタ基板）１
２と貼り合わせられる。このカラーフィルタ基板１２の
液晶層ＬＣ側にはブラックマトリクス１３で区画された
複数のカラーフィルタ１４と、このカラーフィルタ１４
とブラックマトリクス１３を覆う平滑層１５を介して各
画素領域に共通な共通電極１６が例えばＩＴＯで形成さ
れている。なお、共通電極１６の上層には保護膜１７が
成膜され、さらにこの保護膜１７と液晶層１８の界面、
およびアクティブマトリクス基板１の液晶層１８との界
面には液晶層１８を構成する液晶組成物の配向方向を規
制する配向膜がそれぞれ成膜されているが、図示は省略
してある。
【００５０】以上説明した構成とすることによって、各
種配線（電極）を良好に形成するとともに、その端子部
での接続安定性を確保して製品の信頼性を向上した液晶
表示装置を得ることができる。
種配線（電極）を良好に形成するとともに、その端子部
での接続安定性を確保して製品の信頼性を向上した液晶
表示装置を得ることができる。
【００５１】図８は本発明を適用した液晶表示装置を構
成するアクティブマトリクス基板の一画素付近の配線構
造を説明する模式平面図であって、１は基板、２Ａはゲ
ート配線、２Ａ′は隣接ゲート配線、３Ａはドレイン配
線、３Ａ′は隣接ドレイン配線、３Ｂはドレイン電極、
３Ｃはソース電極、１１Ａは画素電極、ＴＦＴは薄膜ト
ランジスタ、Ｃａｄｄは付加容量素子を示す。
成するアクティブマトリクス基板の一画素付近の配線構
造を説明する模式平面図であって、１は基板、２Ａはゲ
ート配線、２Ａ′は隣接ゲート配線、３Ａはドレイン配
線、３Ａ′は隣接ドレイン配線、３Ｂはドレイン電極、
３Ｃはソース電極、１１Ａは画素電極、ＴＦＴは薄膜ト
ランジスタ、Ｃａｄｄは付加容量素子を示す。
【００５２】アクティブマトリクス基板１の周辺を除く
中央部は表示領域となっており、前記したように、この
表示領域には他方の基板であるカラーフィルタ基板と貼
り合わせ間隙に液晶層が封止されている。
中央部は表示領域となっており、前記したように、この
表示領域には他方の基板であるカラーフィルタ基板と貼
り合わせ間隙に液晶層が封止されている。
【００５３】そして、この表示領域には図中Ｘ方向に延
在するゲート配線２Ａ，２Ａ′とＹ方向に併設されるド
レイン配線３Ａが形成されている。また、このゲート配
線２Ａ，２Ａ′と絶縁されてＹ方向に延在し、かつＸ方
向に併設されるドレイン電極３Ｂとソース電極３Ｃが形
成されている。
在するゲート配線２Ａ，２Ａ′とＹ方向に併設されるド
レイン配線３Ａが形成されている。また、このゲート配
線２Ａ，２Ａ′と絶縁されてＹ方向に延在し、かつＸ方
向に併設されるドレイン電極３Ｂとソース電極３Ｃが形
成されている。
【００５４】これらゲート配線２Ａ，２Ａ′およびドレ
イン配線３Ａ，３Ａ′で囲まれた領域がそれぞれ１画素
の領域を構成している。すなわち、上記表示領域はマト
リクス状に配置された多数の画素領域の集合体で形成さ
れることになる。
イン配線３Ａ，３Ａ′で囲まれた領域がそれぞれ１画素
の領域を構成している。すなわち、上記表示領域はマト
リクス状に配置された多数の画素領域の集合体で形成さ
れることになる。
【００５５】各画素領域は、ゲート配線２Ａからの走査
信号の供給によってオンとされる薄膜トランジスタＴＦ
Ｔと、このオンとされた薄膜トランジスタＴＦＴを介し
てドレイン配線３Ａからの映像信号が供給される画素電
極１１Ａとが形成されている。
信号の供給によってオンとされる薄膜トランジスタＴＦ
Ｔと、このオンとされた薄膜トランジスタＴＦＴを介し
てドレイン配線３Ａからの映像信号が供給される画素電
極１１Ａとが形成されている。
【００５６】また、これらの薄膜トランジスタＴＦＴお
よび画素電極１１Ａの他に、薄膜トランジスタＴＦＴを
駆動するゲート配線２Ａとは異なる他の隣接走査信号線
2A′と画素電極１１Ａとの間に付加容量素子Ｃａｄｄが
形成されている。
よび画素電極１１Ａの他に、薄膜トランジスタＴＦＴを
駆動するゲート配線２Ａとは異なる他の隣接走査信号線
2A′と画素電極１１Ａとの間に付加容量素子Ｃａｄｄが
形成されている。
【００５７】この付加容量素子Ｃａｄｄは、薄膜トラン
ジスタＴＦＴがオフとされても画素電極５に映像信号を
長く蓄積させておくために設けられている。
ジスタＴＦＴがオフとされても画素電極５に映像信号を
長く蓄積させておくために設けられている。
【００５８】この種の液晶表示装置においては、画素を
選択するための上記した各種配線が基板１上に各種の成
膜手段とパターニング手段を用いて前記実施例で説明し
たように形成されている。
選択するための上記した各種配線が基板１上に各種の成
膜手段とパターニング手段を用いて前記実施例で説明し
たように形成されている。
【００５９】図９は本発明を適用したアクティブマトリ
クス型液晶表示装置の全体構成を説明する展開斜視図で
ある。同図は本発明による液晶表示装置（以下、液晶表
示パネル，回路基板，バックライト、その他の構成部材
を一体化したモジュール：ＭＤＬと称する）の具体的構
造を説明するものである。
クス型液晶表示装置の全体構成を説明する展開斜視図で
ある。同図は本発明による液晶表示装置（以下、液晶表
示パネル，回路基板，バックライト、その他の構成部材
を一体化したモジュール：ＭＤＬと称する）の具体的構
造を説明するものである。
【００６０】ＳＨＤは金属板からなるシールドケース
（メタルフレームとも言う）、ＷＤは表示窓、ＩＮＳ１
〜３は絶縁シート、ＰＣＢ１〜３は回路基板（ＰＣＢ１
はドレイン側回路基板：映像信号配線駆動用回路基板、
ＰＣＢ２はゲート側回路基板：走査信号配線駆動用回路
基板、ＰＣＢ３はインターフェース回路基板）、ＪＮ１
〜３は回路基板ＰＣＢ１〜３同士を電気的に接続するジ
ョイナ、ＴＣＰ１，TCP2はテープキャリアパッケージ、
ＰＮＬは液晶パネル、ＧＣはゴムクッション、ＩＬＳは
遮光スペーサ、ＰＲＳはプリズムシート、ＳＰＳは拡散
シート、ＧＬＢは導光板、ＲＦＳは反射シート、ＭＣＡ
は一体化成形により形成された下側ケース（モールドフ
レーム）、ＭＯはＭＣＡの開口、ＬＰは蛍光管、ＬＰＣ
はランプケーブル、ＧＢは蛍光管ＬＰを支持するゴムブ
ッシュ、ＢＡＴは両面粘着テープ、ＢＬは蛍光管や導光
板等からなるバックライトを示し、図示の配置関係で拡
散板部材を積み重ねて液晶表示モジュールＭＤＬが組立
てられる。
（メタルフレームとも言う）、ＷＤは表示窓、ＩＮＳ１
〜３は絶縁シート、ＰＣＢ１〜３は回路基板（ＰＣＢ１
はドレイン側回路基板：映像信号配線駆動用回路基板、
ＰＣＢ２はゲート側回路基板：走査信号配線駆動用回路
基板、ＰＣＢ３はインターフェース回路基板）、ＪＮ１
〜３は回路基板ＰＣＢ１〜３同士を電気的に接続するジ
ョイナ、ＴＣＰ１，TCP2はテープキャリアパッケージ、
ＰＮＬは液晶パネル、ＧＣはゴムクッション、ＩＬＳは
遮光スペーサ、ＰＲＳはプリズムシート、ＳＰＳは拡散
シート、ＧＬＢは導光板、ＲＦＳは反射シート、ＭＣＡ
は一体化成形により形成された下側ケース（モールドフ
レーム）、ＭＯはＭＣＡの開口、ＬＰは蛍光管、ＬＰＣ
はランプケーブル、ＧＢは蛍光管ＬＰを支持するゴムブ
ッシュ、ＢＡＴは両面粘着テープ、ＢＬは蛍光管や導光
板等からなるバックライトを示し、図示の配置関係で拡
散板部材を積み重ねて液晶表示モジュールＭＤＬが組立
てられる。
【００６１】液晶表示モジュールＭＤＬは、下側ケース
ＭＣＡとシールドケースＳＨＤの２種の収納・保持部材
を有し、絶縁シートＩＮＳ１〜３、回路基板ＰＣＢ１〜
３、液晶表示パネルＰＮＬを収納固定した金属製のシー
ルドケースＳＨＤと、蛍光管ＬＰ，導光板ＧＬＢ，プリ
ズムシートＰＲＳ等からなるバックライトＢＬを収納し
た下側ケースＭＣＡとを合体させてなる。
ＭＣＡとシールドケースＳＨＤの２種の収納・保持部材
を有し、絶縁シートＩＮＳ１〜３、回路基板ＰＣＢ１〜
３、液晶表示パネルＰＮＬを収納固定した金属製のシー
ルドケースＳＨＤと、蛍光管ＬＰ，導光板ＧＬＢ，プリ
ズムシートＰＲＳ等からなるバックライトＢＬを収納し
た下側ケースＭＣＡとを合体させてなる。
【００６２】ドレイン側回路基板ＰＣＢ１には液晶表示
パネルＰＮＬの各画素を駆動するための集積回路チップ
が搭載され、またインターフェース回路基板ＰＣＢ３に
は外部ホストからの映像信号の受入れ、タイミング信号
等の制御信号を受け入れる集積回路チップ、およびタイ
ミングを加工してクロック信号を生成するタイミングコ
ンバータＴＣＯＮ等が搭載される。上記タイミングコン
バータで生成されたクロック信号はインターフェース回
路基板ＰＣＢ３および映像信号線駆動用回路基板ＰＣＢ
１に敷設されたクロック信号ラインＣＬＬを介して映像
信号線駆動用回路基板ＰＣＢ１に搭載された集積回路チ
ップに供給される。
パネルＰＮＬの各画素を駆動するための集積回路チップ
が搭載され、またインターフェース回路基板ＰＣＢ３に
は外部ホストからの映像信号の受入れ、タイミング信号
等の制御信号を受け入れる集積回路チップ、およびタイ
ミングを加工してクロック信号を生成するタイミングコ
ンバータＴＣＯＮ等が搭載される。上記タイミングコン
バータで生成されたクロック信号はインターフェース回
路基板ＰＣＢ３および映像信号線駆動用回路基板ＰＣＢ
１に敷設されたクロック信号ラインＣＬＬを介して映像
信号線駆動用回路基板ＰＣＢ１に搭載された集積回路チ
ップに供給される。
【００６３】インターフェース回路基板ＰＣＢ３および
映像信号線駆動用回路基板ＰＣＢ１は多層配線基板であ
り、上記クロック信号ラインＣＬＬはインターフェース
回路基板ＰＣＢ３および映像信号線駆動用回路基板ＰＣ
Ｂ１の内層配線として形成される。
映像信号線駆動用回路基板ＰＣＢ１は多層配線基板であ
り、上記クロック信号ラインＣＬＬはインターフェース
回路基板ＰＣＢ３および映像信号線駆動用回路基板ＰＣ
Ｂ１の内層配線として形成される。
【００６４】なお、液晶表示パネルＰＮＬはＴＦＴおよ
び各種の配線／電極を形成したTFT基板と、カラーフィ
ルタを形成したフィルタ基板の２枚の基板を貼り合わ
せ、その間隙に液晶を封止してなり、ＴＦＴを駆動する
ためのドレイン側回路基板PCB1，ゲート側回路基板ＰＣ
Ｂ２およびインターフェース回路基板ＰＣＢ３がテープ
キャリアパッケージＴＣＰ１，ＴＣＰ２で接続され、各
回路基板間はジョイナｊＮ１，２，３で接続されてい
る。
び各種の配線／電極を形成したTFT基板と、カラーフィ
ルタを形成したフィルタ基板の２枚の基板を貼り合わ
せ、その間隙に液晶を封止してなり、ＴＦＴを駆動する
ためのドレイン側回路基板PCB1，ゲート側回路基板ＰＣ
Ｂ２およびインターフェース回路基板ＰＣＢ３がテープ
キャリアパッケージＴＣＰ１，ＴＣＰ２で接続され、各
回路基板間はジョイナｊＮ１，２，３で接続されてい
る。
【００６５】上記の液晶表示装置によれば、その液晶パ
ネルの各種配線や電極の製造工程を短縮できると共に、
断線等の発生を低減した信頼性の高い液晶表示装置を提
供できる。なお、本発明は上記の薄膜トランジスタ型の
液晶表示装置に限らず、他の型式の液晶表示装置、その
他の半導体素子の配線あるいは電極のパターニング加工
にも同様に適用できる。 (実施例２)図１０は本発明による液晶表示装置の別実施
例を説明する要部の模式断面図である。この液晶表示装
置は、ガラス基板１の内面に薄膜トランジスタＴＦＴな
どを形成したアクティブマトリクス基板と、同じくガラ
ス基板１２の内面にカラーフィルタ１４などを形成した
カラーフィルタ基板との対向間隙に液晶組成物からなる
液晶層１８を挟持して構成される。本発明では、実施例
１と同様にゲート配線をＭｏ−８ｗｔ％Ｚｒ／Ａｌ−
９.８ｗｔ％Ｎｄ積層配線で形成する。更に同様に、ゲ
ート配線のエッチング後、レジストを剥離し、プラズマ
ＣＶＤ法でＳｉＮのゲート絶縁層４、ｉ−ａ−Ｓｉ層５
とｎ＋ａ−Ｓｉ層６を連続成膜する。そして、ａ−Ｓｉ
層の島を加工するためにゲート配線の加工と同様にレジ
ストを塗布し、ドライエッチング法でｉ−ａ−Ｓｉ層５
とｎ＋ａ−Ｓｉ層６をエッチング加工する。
ネルの各種配線や電極の製造工程を短縮できると共に、
断線等の発生を低減した信頼性の高い液晶表示装置を提
供できる。なお、本発明は上記の薄膜トランジスタ型の
液晶表示装置に限らず、他の型式の液晶表示装置、その
他の半導体素子の配線あるいは電極のパターニング加工
にも同様に適用できる。 (実施例２)図１０は本発明による液晶表示装置の別実施
例を説明する要部の模式断面図である。この液晶表示装
置は、ガラス基板１の内面に薄膜トランジスタＴＦＴな
どを形成したアクティブマトリクス基板と、同じくガラ
ス基板１２の内面にカラーフィルタ１４などを形成した
カラーフィルタ基板との対向間隙に液晶組成物からなる
液晶層１８を挟持して構成される。本発明では、実施例
１と同様にゲート配線をＭｏ−８ｗｔ％Ｚｒ／Ａｌ−
９.８ｗｔ％Ｎｄ積層配線で形成する。更に同様に、ゲ
ート配線のエッチング後、レジストを剥離し、プラズマ
ＣＶＤ法でＳｉＮのゲート絶縁層４、ｉ−ａ−Ｓｉ層５
とｎ＋ａ−Ｓｉ層６を連続成膜する。そして、ａ−Ｓｉ
層の島を加工するためにゲート配線の加工と同様にレジ
ストを塗布し、ドライエッチング法でｉ−ａ−Ｓｉ層５
とｎ＋ａ−Ｓｉ層６をエッチング加工する。
【００６６】ａ−Ｓｉ層の島の加工用レジストを剥離
後、図１０に示したように、ソースおよびドレイン配線
のため、Ｃｒ膜２１とＣｒ−Ｍｏ合金としてＣｒ−３０
ｗｔ％Ｍｏ膜２２とを連続成膜して２層構造層を作製す
る。次に、ホトリソグラフィ工程でソース電極とドレイ
ン電極用のレジストを形成する。そして、エッチング加
工には硝酸第２セリウムアンモニウム，硝酸，水からな
るエッチング液を用い、シャワーエッチング法にてウェ
ットエッチングする。硝酸の代替品として過塩素酸を添
加しても良い。このエッチング液を用い、このＣｒ−３
０ｗｔ％Ｍｏ／Ｃｒ積層配線をエッチングすると、Ｃｒ
−３０ｗｔ％Ｍｏ膜とＣｒ膜との腐食電位の違いによ
り、上層膜であるＣｒ−３０ｗｔ％Ｍｏ膜がＣｒ膜より
エッチングレートが速くなり、その結果、配線端面をテ
ーパ角約５０°に順テーパ形状に形状制御することが可
能となる。
後、図１０に示したように、ソースおよびドレイン配線
のため、Ｃｒ膜２１とＣｒ−Ｍｏ合金としてＣｒ−３０
ｗｔ％Ｍｏ膜２２とを連続成膜して２層構造層を作製す
る。次に、ホトリソグラフィ工程でソース電極とドレイ
ン電極用のレジストを形成する。そして、エッチング加
工には硝酸第２セリウムアンモニウム，硝酸，水からな
るエッチング液を用い、シャワーエッチング法にてウェ
ットエッチングする。硝酸の代替品として過塩素酸を添
加しても良い。このエッチング液を用い、このＣｒ−３
０ｗｔ％Ｍｏ／Ｃｒ積層配線をエッチングすると、Ｃｒ
−３０ｗｔ％Ｍｏ膜とＣｒ膜との腐食電位の違いによ
り、上層膜であるＣｒ−３０ｗｔ％Ｍｏ膜がＣｒ膜より
エッチングレートが速くなり、その結果、配線端面をテ
ーパ角約５０°に順テーパ形状に形状制御することが可
能となる。
【００６７】次に、ソースおよびドレイン配線をマスク
としてｎ＋ａ−Ｓｉ層６をドライエッチング法でエッチ
ングして除去し、チャネル部を形成する。その後、ＣＶ
Ｄ法を用いてパッシベーション層１０としての窒化シリ
コン層（ＳｉＮ）を２３０℃で成膜する。
としてｎ＋ａ−Ｓｉ層６をドライエッチング法でエッチ
ングして除去し、チャネル部を形成する。その後、ＣＶ
Ｄ法を用いてパッシベーション層１０としての窒化シリ
コン層（ＳｉＮ）を２３０℃で成膜する。
【００６８】ゲート配線とドレイン配線のそれぞれの端
子において、各端子上にスルーホールを形成する。図４
に示したように、ゲート配線端子を形成する場合は、パ
ッシベーション層１０およびゲート絶縁層４の両方の層
に穴を開ける。本実施例では、同一のホトマスクでスル
ーホールパターンを形成し、ドライエッチング法で両層
を同時に加工する。
子において、各端子上にスルーホールを形成する。図４
に示したように、ゲート配線端子を形成する場合は、パ
ッシベーション層１０およびゲート絶縁層４の両方の層
に穴を開ける。本実施例では、同一のホトマスクでスル
ーホールパターンを形成し、ドライエッチング法で両層
を同時に加工する。
【００６９】パッシベーション層１０の最上部にエッチ
ングレートの速い層を形成し、最上部が優先的にサイド
エッチングされるようにすることで、パッシベーション
層１０とゲート絶縁層４の端面形状を順テーパ状に加工
する。この際，ソース端子部，ドレイン端子部のＣｒ−
３０ｗｔ％Ｍｏ／Ｃｒ積層配線はＳＦ6 ガスを用いたド
ライエッチにおいて、ＳｉＮに対して１００以上の大き
な選択比を有している。したがって、図４に示すように
ゲート端子部のパッシベーション膜／ゲートＳｉＮ膜の
２層膜のスルーホール２０の加工時において、図１０に
示したソース端子部のスルーホール１９下部のＣｒ−３
０ｗｔ％Ｍｏ／Ｃｒ積層膜が減少することはない。一
方、Ｃｒ合金と同様にドライエッチング耐性が充分高
く、しかも比抵抗を低く抑えることができる場合、Ｍｏ
合金として、Ｍｏ−Ｔｉ，Ｍｏ−Ｚｒ，Ｍｏ−Ｈｆ，Ｍ
ｏ−Ｃｒ、Ｍｏ−Ｗ，Ｍｏ−Ｖの単相でも配線として適
用できる。この場合、エッチングには実施例１と同様
に、リン酸，硝酸，酢酸、そして水からなるウェットエ
ッチング液を用いて、エッチング加工すれば良い。この
スルーホールの形成後、画素電極として、及びゲート端
子，ソース，ドレイン電極端子保護膜として、ＩＴＯ
（インジウムチンオキサイド）膜スパッタリング法で形
成する。その際、成膜温度は２３０℃でスパッタガスに
はアルゴン＋酸素混合ガスを用い、多結晶ＩＴＯ膜（po
ly−ＩＴＯ膜）を形成する。この膜はアモルファスＩＴ
Ｏ膜と異なり、弱酸でのウェットエッチングが困難であ
り、塩酸濃度の高い王水、又は臭化水素酸（ＨＢｒ）等
の強酸を用いることになる。特にＨＢｒを用い、４０℃
でウェットエッチングすることにより、レジストからの
サイドエッチ量も小さく、寸法精度良くエッチング加工
できる。強酸を用いることから、パッシベーション膜を
はさんで存在するソース，ドレイン配線には、Ａｌ膜を
用いることは困難になる。実施例１のようにＡｌ配線を
ソース，ドレイン配線に適用する場合には、ＩＴＯエッ
チング液に対するパッシベーション膜の耐性を向上させ
るため、有機膜からなるパッシベーション膜を図１０に
付け加えれば良い。poly−ＩＴＯ膜を用いることによ
り、その下部の金属膜層とのコンタクトを良好に保つこ
とができ、配線の端子部での接続安定性を確保して製品
の信頼性を向上した液晶表示装置を提供することができ
る。例えば、図１０で示したスルーホール１９でのＩＴ
Ｏ／Ｃｒ−３０ｗｔ％Ｍｏ膜のコンタクト抵抗は、2000
Ωμｍ2と低抵抗に設定できる。Ｃｒ−５０ｗｔ％Ｍｏ
とＭｏ添加量を増加させることにより、コンタクト抵抗
は８００Ωμｍ2 と更に低抵抗に設定できる。さらに、
図４に示したスルーホール２０におけるpoly−ＩＴＯ／
Ｍｏ−８ｗｔ％Ｚｒ膜のコンタクト抵抗は４００μｍ2
とより低く抑えることができる。また、poly−ＩＴＯ膜
を用いることにより、異方性導電フィルムを用いたドラ
イバＩＣのバンプとのコンタクト抵抗も低く、かつアモ
ルファスＩＴＯ膜に比較してコンタクト抵抗値の経時変
化をなくし、その安定性を大幅に向上することができ
る。このようなＩＴＯ／メタル配線間，異方性導電フィ
ルム／ＩＴＯ間での低コンタクト抵抗値が実現できるた
め、ＩＣの実装を従来より簡便かつ信頼性高く改善する
ことができる。図１１及び図１２には、ゲート及びドレ
インドライバＩＣチップ間のデータ信号を転送させるこ
とにより、フレキシブルプリント基板(ＦＰＣ)の接続方
法を簡略化するとともに、接続信頼性を向上させた例を
示す。図１１は、ガラス基板１上に異方性導電フィルム
（ＡＣＦ）２３を介してチップオングラス（ＣＯＧ）方
式で実装した場合の断面図を示す。ＩＣ間のデータ転送
方式の実現には、まずバスラインには低抵抗化が実現で
きるようにＡｌ配線を用いる。更に、ドライバＩＣとの
低コンタクト抵抗を実現するためＡｌの上層膜としてＭ
ｏ−８ｗｔ％Ｚｒ，ＩＣチップのはんだボール下の接続
膜にはpoly−ＩＴＯ膜を採用する。このような配線、及
び端子膜材料を選択することにより、バスラインのシー
ト抵抗値は０.３Ω／□，ＩＴＯ／Ｍｏ−８ｗｔ％Ｚｒ
膜とのコンタクト抵抗値は４００Ωμｍ2と低減し、Ｉ
ＴＯ 膜と異方性導電粒子とのコンタクト抵抗も低く安
定している。このような低い配線抵抗とコンタクト抵抗
の実現により、ドライバＩＣ２４間を、ＴＦＴ基板上に
形成した薄膜配線によるバスライン２５で接続し、従来
ＦＰＣから個々のドライバＩＣに供給されていたパワー
と信号とを、このバスラインを介して、順次次段のドラ
イバＩＣに転送することが可能となる。図１２は、デー
タ転送方式をゲート側，ドレイン側の両方に適用した場
合のバスライン，ＦＰＣ，ドライバＩＣのレイアウト例
を示す。図１２において、ゲートドライバ用ＦＰＣ２６
から供給された走査信号とゲートドライバ用電源電圧
は、ゲートパワーバスライン及び走査信号用バスライン
２７を介して、ゲートドライバＩＣ２８に供給される。
ＩＣチップ間でそのデータを転送しつつ、各々次のＩＣ
チップに信号を書き込む。信号線側では、負荷が大きい
ため、駆動電源電圧はパワー供給用ＦＰＣ２９からパワ
ーバスライン３０を介して供給される。データ信号は、
データ信号用ＦＰＣ３１からデータ転送バスライン３２
を介してドレイン用ドライバＩＣ３３間を転送されなが
ら、順次ドライバを駆動する。本方式を採用すること
で、ゲート側ＦＰＣはなくし、ドレイン側のＦＰＣ幅を
最小限にすることで、接続の信頼性を大幅に向上すると
ともに、ディスプレイの狭額縁化を図る事が出来る。さ
らにＦＰＣを小さくすることで、その製造コストの削減
が可能となる。 （実施例３）図１３、及び図１４には本発明をイン・プ
レイン・スイッチング型（ＩＰＳ）の液晶モードに適用
した例を示す。図１３は図１４の液晶セルの断面図であ
り、図１４は平面図を示す。図１４において、ゲート配
線２Ａ及び対向電極配線２Ｂ、及び対向電極２ＣをＭｏ
−８ｗｔ％Ｚｒ／Ａｌ−９.８ｗｔ％Ｎｄ積層配線で同
時に形成する。半導体層を形成後、ソース電極３Ｃ，ド
レイン配線３Ａ，ドレイン電極３ＢとしてＣｒ−３０ｗ
ｔ％Ｍｏ／Ｃｒ積層配線を用いる。Ｃｒ以外でも耐ドラ
イエッチ性を有するＭｏ合金膜でも良い。パッシベーシ
ョン層１０としてＣＶＤ法にてＳｉＮ膜を形成後、ドラ
イエッチ法にてスルーホール１９をソース電極上に形成
する。その上に画素電極としてpoly−ＩＴＯ膜で透明櫛
歯電極１１を形成する。加工は臭化水素酸（ＨＢｒ）を
用いてウェットエッチング法して実施する。これでＴＦ
Ｔ基板が完成する。ガラス基板上１２上にブラックマト
リックス層１３と、カラーフィルタ層１４、及び表面平
坦化膜１５を形成し、カラーフィルタ基板を作製する。
これを前記ＴＦＴ基板と重ね合せ、ＩＰＳ用の液晶１８
を注入する。本実施例においては、Ｍｏ／Ａｌ積層配線
を用いることで、ゲート電極と同時に形成する対向電極
の配線抵抗値がシート抵抗値で０.３Ω／□と小さいた
め、その時定数を小さく設定でき、視野角１６０°の大
面積のIPS型液晶表示装置が実現できる。本実施例で
は、ソース，ドレイン配線としてＣｒ−３０ｗｔ％Ｍｏ
／Ｃｒ積層配線、または耐ドライエッチ性を有するＭｏ
合金単層配線を用いたが、実施例１と同様にＭｏ−８ｗ
ｔ％Ｚｒ／Ａｌ−Ｎｄ合金／Ｍｏ−８ｗｔ％Ｚｒ３層積
層配線を用いても良い。この場合、透明画素電極として
アモルファス状インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）
膜又はインジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）膜を用
い、これを弱酸または硝酸濃度の高い王水でウェットエ
ッチングすることで、ソース，ドレイン配線に対するエ
ッチング耐性を確保することができる。またはＨＢｒガ
スを用いてドライエッチしても同様な結果が得られる。
図１４に示すように対向電極２Ｂがゲート配線２Ａと同
層に存在する場合、ドレイン配線３Ａとの交差部数が２
倍となり、その結果、図１３におけるゲート絶縁膜４の
欠陥によりゲート・ドレイン間、又はゲート・対向電極
間ショート確率が増加する。その際には、図１３におい
て、ゲート配線及び対向電極表面のＭｏ合金膜を電気化
学的に除去した後、Ａｌ合金表面を陽極化成し、上記配
線上に選択的に酸化アルミニウム膜を形成する。その結
果、ゲート絶縁膜がプラズマＳｉＮ膜と酸化アルミニウ
ム膜の２層となり、上記層間ショート確率を大幅に低減
することができる。 （実施例４）ゲート配線材料として、Ｍｏ−７ｗｔ％Ｚ
ｒ−０.４％Ｃｒ／Ａｌ−９.８ｗｔ％Ｎｄ積層膜を用い
た。図２０に示したように、モリブデンへの添加元素と
して、クロムはジルコニウム又はハフニウムと同様、ウ
ェットエッチングレートとドライエッチレートを低下さ
せる作用を示す。本発明では、ウェットエッチングレー
トに対する添加効果が比較的緩やかで積層配線を制御し
やすいＺｒ及びＨｆを主に添加元素として用いたが、ク
ロムを用いても良い。特にクロムは微量でも効果が大で
あるため、例えばジルコニウムの代替として０.４ ｗｔ
％程度添加する。クロムの添加効果としては、上記のエ
ッチレート制御性以外にスパッタリングターゲットの製
造効率を大幅に向上できるという利点がある。他の元素
に比較して融点が低いため、モリブデン合金のホットア
イソスタティックプレス法(HIP法）による焼結性が向上
する。その結果、スパッタリングターゲット中の焼結密
度が向上する。微小空孔が低減するため、スパッタ時の
異常放電や、空孔の存在に起因するスプラッシュの発生
を大幅に低減することができた。また、積層配線のＭｏ
合金部を電解エッチングなどで除去する際には、電解エ
ッチングしやすいクロムを適量添加すると良い。この場
合も添加によるエッチング特性への影響が大きいため、
１ｗｔ％以下，０.４ｗｔ％程度添加するのが良い。 （実施例５）エッチング特性を制御するための添加元素
として、チタンはジルコニウム，ハフニウムとクロムと
の中間的な効果を有する。したがって、ゲート配線とし
て、Ｍｏ−５％Ｔｉ−０.４ｗｔ％Ｃｒ／Ａｌ−９.８ｗ
ｔ％Ｎｄ、またはＭｏ−６％Ｔｉ／Ａｌ−９.８ｗｔ％
Ｎｄ も同様の効果がある。さらに、大気中や水溶液中
で不安定なモリブデン表面の酸化物をチタン酸化物（Ｔ
ｉＯ2）により安定化することで、レジスト密着性を向
上することができる。結果として、局部的なレジストと
モリブデンとの密着性不足に起因する、エッチング液の
染みこみ断線不良を防止することができる。 （実施例６）図１５は、下層がＡｌ合金であり上層がＭ
ｏ合金である積層配線をシャワー方式の湿式エッチング
で形成したときの配線の断面形状を示している。
ングレートの速い層を形成し、最上部が優先的にサイド
エッチングされるようにすることで、パッシベーション
層１０とゲート絶縁層４の端面形状を順テーパ状に加工
する。この際，ソース端子部，ドレイン端子部のＣｒ−
３０ｗｔ％Ｍｏ／Ｃｒ積層配線はＳＦ6 ガスを用いたド
ライエッチにおいて、ＳｉＮに対して１００以上の大き
な選択比を有している。したがって、図４に示すように
ゲート端子部のパッシベーション膜／ゲートＳｉＮ膜の
２層膜のスルーホール２０の加工時において、図１０に
示したソース端子部のスルーホール１９下部のＣｒ−３
０ｗｔ％Ｍｏ／Ｃｒ積層膜が減少することはない。一
方、Ｃｒ合金と同様にドライエッチング耐性が充分高
く、しかも比抵抗を低く抑えることができる場合、Ｍｏ
合金として、Ｍｏ−Ｔｉ，Ｍｏ−Ｚｒ，Ｍｏ−Ｈｆ，Ｍ
ｏ−Ｃｒ、Ｍｏ−Ｗ，Ｍｏ−Ｖの単相でも配線として適
用できる。この場合、エッチングには実施例１と同様
に、リン酸，硝酸，酢酸、そして水からなるウェットエ
ッチング液を用いて、エッチング加工すれば良い。この
スルーホールの形成後、画素電極として、及びゲート端
子，ソース，ドレイン電極端子保護膜として、ＩＴＯ
（インジウムチンオキサイド）膜スパッタリング法で形
成する。その際、成膜温度は２３０℃でスパッタガスに
はアルゴン＋酸素混合ガスを用い、多結晶ＩＴＯ膜（po
ly−ＩＴＯ膜）を形成する。この膜はアモルファスＩＴ
Ｏ膜と異なり、弱酸でのウェットエッチングが困難であ
り、塩酸濃度の高い王水、又は臭化水素酸（ＨＢｒ）等
の強酸を用いることになる。特にＨＢｒを用い、４０℃
でウェットエッチングすることにより、レジストからの
サイドエッチ量も小さく、寸法精度良くエッチング加工
できる。強酸を用いることから、パッシベーション膜を
はさんで存在するソース，ドレイン配線には、Ａｌ膜を
用いることは困難になる。実施例１のようにＡｌ配線を
ソース，ドレイン配線に適用する場合には、ＩＴＯエッ
チング液に対するパッシベーション膜の耐性を向上させ
るため、有機膜からなるパッシベーション膜を図１０に
付け加えれば良い。poly−ＩＴＯ膜を用いることによ
り、その下部の金属膜層とのコンタクトを良好に保つこ
とができ、配線の端子部での接続安定性を確保して製品
の信頼性を向上した液晶表示装置を提供することができ
る。例えば、図１０で示したスルーホール１９でのＩＴ
Ｏ／Ｃｒ−３０ｗｔ％Ｍｏ膜のコンタクト抵抗は、2000
Ωμｍ2と低抵抗に設定できる。Ｃｒ−５０ｗｔ％Ｍｏ
とＭｏ添加量を増加させることにより、コンタクト抵抗
は８００Ωμｍ2 と更に低抵抗に設定できる。さらに、
図４に示したスルーホール２０におけるpoly−ＩＴＯ／
Ｍｏ−８ｗｔ％Ｚｒ膜のコンタクト抵抗は４００μｍ2
とより低く抑えることができる。また、poly−ＩＴＯ膜
を用いることにより、異方性導電フィルムを用いたドラ
イバＩＣのバンプとのコンタクト抵抗も低く、かつアモ
ルファスＩＴＯ膜に比較してコンタクト抵抗値の経時変
化をなくし、その安定性を大幅に向上することができ
る。このようなＩＴＯ／メタル配線間，異方性導電フィ
ルム／ＩＴＯ間での低コンタクト抵抗値が実現できるた
め、ＩＣの実装を従来より簡便かつ信頼性高く改善する
ことができる。図１１及び図１２には、ゲート及びドレ
インドライバＩＣチップ間のデータ信号を転送させるこ
とにより、フレキシブルプリント基板(ＦＰＣ)の接続方
法を簡略化するとともに、接続信頼性を向上させた例を
示す。図１１は、ガラス基板１上に異方性導電フィルム
（ＡＣＦ）２３を介してチップオングラス（ＣＯＧ）方
式で実装した場合の断面図を示す。ＩＣ間のデータ転送
方式の実現には、まずバスラインには低抵抗化が実現で
きるようにＡｌ配線を用いる。更に、ドライバＩＣとの
低コンタクト抵抗を実現するためＡｌの上層膜としてＭ
ｏ−８ｗｔ％Ｚｒ，ＩＣチップのはんだボール下の接続
膜にはpoly−ＩＴＯ膜を採用する。このような配線、及
び端子膜材料を選択することにより、バスラインのシー
ト抵抗値は０.３Ω／□，ＩＴＯ／Ｍｏ−８ｗｔ％Ｚｒ
膜とのコンタクト抵抗値は４００Ωμｍ2と低減し、Ｉ
ＴＯ 膜と異方性導電粒子とのコンタクト抵抗も低く安
定している。このような低い配線抵抗とコンタクト抵抗
の実現により、ドライバＩＣ２４間を、ＴＦＴ基板上に
形成した薄膜配線によるバスライン２５で接続し、従来
ＦＰＣから個々のドライバＩＣに供給されていたパワー
と信号とを、このバスラインを介して、順次次段のドラ
イバＩＣに転送することが可能となる。図１２は、デー
タ転送方式をゲート側，ドレイン側の両方に適用した場
合のバスライン，ＦＰＣ，ドライバＩＣのレイアウト例
を示す。図１２において、ゲートドライバ用ＦＰＣ２６
から供給された走査信号とゲートドライバ用電源電圧
は、ゲートパワーバスライン及び走査信号用バスライン
２７を介して、ゲートドライバＩＣ２８に供給される。
ＩＣチップ間でそのデータを転送しつつ、各々次のＩＣ
チップに信号を書き込む。信号線側では、負荷が大きい
ため、駆動電源電圧はパワー供給用ＦＰＣ２９からパワ
ーバスライン３０を介して供給される。データ信号は、
データ信号用ＦＰＣ３１からデータ転送バスライン３２
を介してドレイン用ドライバＩＣ３３間を転送されなが
ら、順次ドライバを駆動する。本方式を採用すること
で、ゲート側ＦＰＣはなくし、ドレイン側のＦＰＣ幅を
最小限にすることで、接続の信頼性を大幅に向上すると
ともに、ディスプレイの狭額縁化を図る事が出来る。さ
らにＦＰＣを小さくすることで、その製造コストの削減
が可能となる。 （実施例３）図１３、及び図１４には本発明をイン・プ
レイン・スイッチング型（ＩＰＳ）の液晶モードに適用
した例を示す。図１３は図１４の液晶セルの断面図であ
り、図１４は平面図を示す。図１４において、ゲート配
線２Ａ及び対向電極配線２Ｂ、及び対向電極２ＣをＭｏ
−８ｗｔ％Ｚｒ／Ａｌ−９.８ｗｔ％Ｎｄ積層配線で同
時に形成する。半導体層を形成後、ソース電極３Ｃ，ド
レイン配線３Ａ，ドレイン電極３ＢとしてＣｒ−３０ｗ
ｔ％Ｍｏ／Ｃｒ積層配線を用いる。Ｃｒ以外でも耐ドラ
イエッチ性を有するＭｏ合金膜でも良い。パッシベーシ
ョン層１０としてＣＶＤ法にてＳｉＮ膜を形成後、ドラ
イエッチ法にてスルーホール１９をソース電極上に形成
する。その上に画素電極としてpoly−ＩＴＯ膜で透明櫛
歯電極１１を形成する。加工は臭化水素酸（ＨＢｒ）を
用いてウェットエッチング法して実施する。これでＴＦ
Ｔ基板が完成する。ガラス基板上１２上にブラックマト
リックス層１３と、カラーフィルタ層１４、及び表面平
坦化膜１５を形成し、カラーフィルタ基板を作製する。
これを前記ＴＦＴ基板と重ね合せ、ＩＰＳ用の液晶１８
を注入する。本実施例においては、Ｍｏ／Ａｌ積層配線
を用いることで、ゲート電極と同時に形成する対向電極
の配線抵抗値がシート抵抗値で０.３Ω／□と小さいた
め、その時定数を小さく設定でき、視野角１６０°の大
面積のIPS型液晶表示装置が実現できる。本実施例で
は、ソース，ドレイン配線としてＣｒ−３０ｗｔ％Ｍｏ
／Ｃｒ積層配線、または耐ドライエッチ性を有するＭｏ
合金単層配線を用いたが、実施例１と同様にＭｏ−８ｗ
ｔ％Ｚｒ／Ａｌ−Ｎｄ合金／Ｍｏ−８ｗｔ％Ｚｒ３層積
層配線を用いても良い。この場合、透明画素電極として
アモルファス状インジウムティンオキサイド（ＩＴＯ）
膜又はインジウムジンクオキサイド（ＩＺＯ）膜を用
い、これを弱酸または硝酸濃度の高い王水でウェットエ
ッチングすることで、ソース，ドレイン配線に対するエ
ッチング耐性を確保することができる。またはＨＢｒガ
スを用いてドライエッチしても同様な結果が得られる。
図１４に示すように対向電極２Ｂがゲート配線２Ａと同
層に存在する場合、ドレイン配線３Ａとの交差部数が２
倍となり、その結果、図１３におけるゲート絶縁膜４の
欠陥によりゲート・ドレイン間、又はゲート・対向電極
間ショート確率が増加する。その際には、図１３におい
て、ゲート配線及び対向電極表面のＭｏ合金膜を電気化
学的に除去した後、Ａｌ合金表面を陽極化成し、上記配
線上に選択的に酸化アルミニウム膜を形成する。その結
果、ゲート絶縁膜がプラズマＳｉＮ膜と酸化アルミニウ
ム膜の２層となり、上記層間ショート確率を大幅に低減
することができる。 （実施例４）ゲート配線材料として、Ｍｏ−７ｗｔ％Ｚ
ｒ−０.４％Ｃｒ／Ａｌ−９.８ｗｔ％Ｎｄ積層膜を用い
た。図２０に示したように、モリブデンへの添加元素と
して、クロムはジルコニウム又はハフニウムと同様、ウ
ェットエッチングレートとドライエッチレートを低下さ
せる作用を示す。本発明では、ウェットエッチングレー
トに対する添加効果が比較的緩やかで積層配線を制御し
やすいＺｒ及びＨｆを主に添加元素として用いたが、ク
ロムを用いても良い。特にクロムは微量でも効果が大で
あるため、例えばジルコニウムの代替として０.４ ｗｔ
％程度添加する。クロムの添加効果としては、上記のエ
ッチレート制御性以外にスパッタリングターゲットの製
造効率を大幅に向上できるという利点がある。他の元素
に比較して融点が低いため、モリブデン合金のホットア
イソスタティックプレス法(HIP法）による焼結性が向上
する。その結果、スパッタリングターゲット中の焼結密
度が向上する。微小空孔が低減するため、スパッタ時の
異常放電や、空孔の存在に起因するスプラッシュの発生
を大幅に低減することができた。また、積層配線のＭｏ
合金部を電解エッチングなどで除去する際には、電解エ
ッチングしやすいクロムを適量添加すると良い。この場
合も添加によるエッチング特性への影響が大きいため、
１ｗｔ％以下，０.４ｗｔ％程度添加するのが良い。 （実施例５）エッチング特性を制御するための添加元素
として、チタンはジルコニウム，ハフニウムとクロムと
の中間的な効果を有する。したがって、ゲート配線とし
て、Ｍｏ−５％Ｔｉ−０.４ｗｔ％Ｃｒ／Ａｌ−９.８ｗ
ｔ％Ｎｄ、またはＭｏ−６％Ｔｉ／Ａｌ−９.８ｗｔ％
Ｎｄ も同様の効果がある。さらに、大気中や水溶液中
で不安定なモリブデン表面の酸化物をチタン酸化物（Ｔ
ｉＯ2）により安定化することで、レジスト密着性を向
上することができる。結果として、局部的なレジストと
モリブデンとの密着性不足に起因する、エッチング液の
染みこみ断線不良を防止することができる。 （実施例６）図１５は、下層がＡｌ合金であり上層がＭ
ｏ合金である積層配線をシャワー方式の湿式エッチング
で形成したときの配線の断面形状を示している。
【００７０】まず、ガラス基板１の上にＡｌ合金２とＭ
ｏ合金３を連続的に成膜する。本実施例では、Ａｌ合金
２として９.８ｗｔ％ のＮｄを含有するＡｌ合金２４０
ｎｍと、Ｍｏ合金３として１.６ｗｔ％ のＣｒを含有す
るＭｏ合金２０ｎｍをスパッタリング法により成膜し
た。その後、レジストパタンをホトリソグラフィーによ
り形成し、シャワーエッチング装置により湿式エッチン
グを実施する。本実施例では、エッチャントは、硝酸濃
度が１２モル％であるリン酸（Ｈ3ＰＯ4）と硝酸（ＨＮ
Ｏ3）と酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）と水(Ｈ2Ｏ）とを含む混
合物である。図１５（ａ）はエッチャントにフッ化アン
モニウムまたはフッ化水素を添加しない場合であり、図
１５（ｂ）は、エッチャントにフッ化アンモニウムを
０.０１ モル％添加した場合の配線断面形状である。
ｏ合金３を連続的に成膜する。本実施例では、Ａｌ合金
２として９.８ｗｔ％ のＮｄを含有するＡｌ合金２４０
ｎｍと、Ｍｏ合金３として１.６ｗｔ％ のＣｒを含有す
るＭｏ合金２０ｎｍをスパッタリング法により成膜し
た。その後、レジストパタンをホトリソグラフィーによ
り形成し、シャワーエッチング装置により湿式エッチン
グを実施する。本実施例では、エッチャントは、硝酸濃
度が１２モル％であるリン酸（Ｈ3ＰＯ4）と硝酸（ＨＮ
Ｏ3）と酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）と水(Ｈ2Ｏ）とを含む混
合物である。図１５（ａ）はエッチャントにフッ化アン
モニウムまたはフッ化水素を添加しない場合であり、図
１５（ｂ）は、エッチャントにフッ化アンモニウムを
０.０１ モル％添加した場合の配線断面形状である。
【００７１】エッチャントにフッ化アンモニウムまたは
フッ化水素を添加しない場合は、下層のＡｌ合金２の側
面に髭状の生成物７が観察された。この配線パタンの上
に化学気相蒸着したＳｉＮ膜のカバレッジは不十分であ
った。一方、エッチャントにフッ化アンモニウムを０.
０１モル％添加した場合は、フッ化アンモニウムを0.1
モル％添加した場合と同様に、配線の断面形状は概ね２
５°〜３０°の順テーパ状に加工された。フッ化アンモ
ニウムの代替として、フッ化水素を０.０１ モル％また
は０.１ モル％添加したエッチャントの場合も同様に、
配線の断面形状は概ね２５°〜３０°の順テーパ状に加
工された。これらの配線パタンの上に化学気相蒸着した
ＳｉＮ膜のカバレッジは十分であった。
フッ化水素を添加しない場合は、下層のＡｌ合金２の側
面に髭状の生成物７が観察された。この配線パタンの上
に化学気相蒸着したＳｉＮ膜のカバレッジは不十分であ
った。一方、エッチャントにフッ化アンモニウムを０.
０１モル％添加した場合は、フッ化アンモニウムを0.1
モル％添加した場合と同様に、配線の断面形状は概ね２
５°〜３０°の順テーパ状に加工された。フッ化アンモ
ニウムの代替として、フッ化水素を０.０１ モル％また
は０.１ モル％添加したエッチャントの場合も同様に、
配線の断面形状は概ね２５°〜３０°の順テーパ状に加
工された。これらの配線パタンの上に化学気相蒸着した
ＳｉＮ膜のカバレッジは十分であった。
【００７２】図１６は、下層がＡｌ合金であり上層がＭ
ｏ合金である積層配線をシャワー方式の湿式エッチング
で形成したときの配線の断面形状を示している。
ｏ合金である積層配線をシャワー方式の湿式エッチング
で形成したときの配線の断面形状を示している。
【００７３】まず、ガラス基板１の上にＡｌ合金２とＭ
ｏ合金３を連続的に成膜する。本実施例では、Ａｌ合金
２として９.８ｗｔ％ のＮｄを含有するＡｌ合金２４０
ｎｍと、Ｍｏ合金３として１.６ｗｔ％ のＣｒを含有す
るＭｏ合金２０ｎｍをスパッタリング法により成膜し
た。その後、レジストパタンをホトリソグラフィーによ
り形成し、シャワーエッチング装置により湿式エッチン
グを実施する。本実施例では、エッチャントは、フッ化
アンモニウムを０.１ モル％添加したリン酸（Ｈ3Ｐ
Ｏ4）と硝酸（ＨＮＯ3）と酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）と水
（Ｈ2Ｏ）とを含む混合物である。
ｏ合金３を連続的に成膜する。本実施例では、Ａｌ合金
２として９.８ｗｔ％ のＮｄを含有するＡｌ合金２４０
ｎｍと、Ｍｏ合金３として１.６ｗｔ％ のＣｒを含有す
るＭｏ合金２０ｎｍをスパッタリング法により成膜し
た。その後、レジストパタンをホトリソグラフィーによ
り形成し、シャワーエッチング装置により湿式エッチン
グを実施する。本実施例では、エッチャントは、フッ化
アンモニウムを０.１ モル％添加したリン酸（Ｈ3Ｐ
Ｏ4）と硝酸（ＨＮＯ3）と酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）と水
（Ｈ2Ｏ）とを含む混合物である。
【００７４】図１６の（ａ）はエッチャントの硝酸濃度
が５.０モル％の場合であり、配線の断面は上層のＭｏ
合金３が庇状に迫り出した形状になった。この配線パタ
ンの上に化学気相蒸着したＳｉＮ膜のカバレッジは不十
分であった。図１６の（ｂ）はエッチャントの硝酸濃度
が７.０ モル％の場合であり、配線の断面形状は概ね４
５°〜４９°の順テーパ状に加工された。この配線パタ
ンの上に化学気相蒸着したＳｉＮ膜のカバレッジは十分
であった。図１６の（ｃ）はエッチャントの硝酸濃度が
９.５ モル％の場合であり、配線の断面形状は概ね３５
°〜４０°の順テーパ状に加工された。この配線パタン
の上に化学気相蒸着したＳｉＮ膜のカバレッジは十分で
あった。図１６の（ｄ）はエッチャントの硝酸濃度が１
２.０ モル％の場合であり、配線の断面形状は概ね２５
°〜３０°の順テーパ状に加工された。この配線パタン
の上に化学気相蒸着したＳｉＮ膜のカバレッジは十分で
あった。図１６の（ｅ）はエッチャントの硝酸濃度が１
４.５ モル％の場合である。この場合は、エッチングに
より上層のＭｏ合金が大きく後退してしまい。一部配線
パタンに虫食い状の欠陥が観察された。
が５.０モル％の場合であり、配線の断面は上層のＭｏ
合金３が庇状に迫り出した形状になった。この配線パタ
ンの上に化学気相蒸着したＳｉＮ膜のカバレッジは不十
分であった。図１６の（ｂ）はエッチャントの硝酸濃度
が７.０ モル％の場合であり、配線の断面形状は概ね４
５°〜４９°の順テーパ状に加工された。この配線パタ
ンの上に化学気相蒸着したＳｉＮ膜のカバレッジは十分
であった。図１６の（ｃ）はエッチャントの硝酸濃度が
９.５ モル％の場合であり、配線の断面形状は概ね３５
°〜４０°の順テーパ状に加工された。この配線パタン
の上に化学気相蒸着したＳｉＮ膜のカバレッジは十分で
あった。図１６の（ｄ）はエッチャントの硝酸濃度が１
２.０ モル％の場合であり、配線の断面形状は概ね２５
°〜３０°の順テーパ状に加工された。この配線パタン
の上に化学気相蒸着したＳｉＮ膜のカバレッジは十分で
あった。図１６の（ｅ）はエッチャントの硝酸濃度が１
４.５ モル％の場合である。この場合は、エッチングに
より上層のＭｏ合金が大きく後退してしまい。一部配線
パタンに虫食い状の欠陥が観察された。
【００７５】図１７は、下層がＡｌ合金であり上層がＭ
ｏ合金である積層配線をシャワー方式の湿式エッチング
で形成したときの配線の断面形状を示している。まず、
ガラス基板１の上にＡｌ合金２とＭｏ合金３を連続的に
成膜する。本実施例では、Ａｌ合金２として９.８ｗｔ
％ のＮｄを含有するＡｌ合金２４０ｎｍと、Ｍｏ合金
３としてＭｏにＣｒ，Ｈｆ，ＺｒまたはＴｉを種々のＣ
ｒ含有量添加したのもの２０ｎｍをスパッタリング法に
より成膜した。その後、レジストパタンをホトリソグラ
フィーにより形成し、シャワーエッチング装置により湿
式エッチングを実施した。本実施例では実施例１と同じ
く、エッチャント６として、硝酸濃度は１２モル％であ
りフッ化アンモニウムを０.１モル％添加したリン酸(Ｈ
3ＰＯ4）と硝酸（ＨＮＯ3）と酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）と
水(Ｈ2Ｏ）とを含む混合物を採用した。図１７の(ａ)は
Ｍｏ合金３がＣｒ，Ｈｆ，ＺｒまたはＴｉを含有しない
純Ｍｏの場合である。この場合は、エッチングにより上
層のＭｏ合金が大きく後退してしまい。一部配線パタン
に虫食い状の欠陥が観察された。図１７の(ｂ)はＭｏ合
金３のＣｒ含有量が０.４ ｗｔ％の場合であり、配線の
断面形状は概ね２０°〜２５°の順テーパ状に加工され
た。Ｍｏ合金３のＨｆ含有量が１２wt％、およびＺｒ含
有量が８ｗｔ％、およびＴｉ含有量が２ｗｔ％の場合も
同様に配線の断面形状は概ね２０°〜２５°の順テーパ
状に加工された。これらの配線パタンの上に化学気相蒸
着したＳｉＮ膜のカバレッジは十分であった。図１７の
（ｃ）はＭｏ合金３のＣｒ含有量が１.５ｗｔ％ の場合
であり、配線の断面形状は概ね２５°〜３０°の順テー
パ状に加工された。Ｍｏ合金３のＨｆ含有量が３０ｗｔ
％、およびＺｒ含有量が２０ｗｔ％、およびＴｉ含有量
が６ｗｔ％の場合も同様に配線の断面形状は概ね２５°
〜３０°の順テーパ状に加工された。これらの配線パタ
ンの上に化学気相蒸着したＳｉＮ膜のカバレッジは十分
であった。図１７の（ｄ）はＭｏ合金３のＣｒ含有量が
３.０ ｗｔ％の場合であり、配線の断面形状は概ね３５
°〜４０°の順テーパ状に加工された。Ｍｏ合金３のＨ
ｆ含有量が４１ｗｔ％、およびＺｒ含有量が２６ｗｔ
％、およびＴｉ含有量が7.6ｗｔ％の場合も同様に配線
の断面形状は概ね３５°〜４０°の順テーパ状に加工さ
れた。これらの配線パタンの上に化学気相蒸着したＳｉ
Ｎ膜のカバレッジは十分であった。図１７の（ｅ）はＭ
ｏ合金３のＣｒ含有量が４.０ｗｔ％の場合であり、配
線の断面は上層のＭｏ合金３が庇状に迫り出した形状に
なった。Ｍｏ合金３のＨｆ含有量が４８ｗｔ％、および
Ｚｒ含有量が３２ｗｔ％、およびＴｉ含有量が９ｗｔ％
の場合も同様に上層のＭｏ合金３が庇状に迫り出した形
状になった。これらの配線パタンの上に化学気相蒸着し
たＳｉＮ膜のカバレッジは不十分であった。
ｏ合金である積層配線をシャワー方式の湿式エッチング
で形成したときの配線の断面形状を示している。まず、
ガラス基板１の上にＡｌ合金２とＭｏ合金３を連続的に
成膜する。本実施例では、Ａｌ合金２として９.８ｗｔ
％ のＮｄを含有するＡｌ合金２４０ｎｍと、Ｍｏ合金
３としてＭｏにＣｒ，Ｈｆ，ＺｒまたはＴｉを種々のＣ
ｒ含有量添加したのもの２０ｎｍをスパッタリング法に
より成膜した。その後、レジストパタンをホトリソグラ
フィーにより形成し、シャワーエッチング装置により湿
式エッチングを実施した。本実施例では実施例１と同じ
く、エッチャント６として、硝酸濃度は１２モル％であ
りフッ化アンモニウムを０.１モル％添加したリン酸(Ｈ
3ＰＯ4）と硝酸（ＨＮＯ3）と酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）と
水(Ｈ2Ｏ）とを含む混合物を採用した。図１７の(ａ)は
Ｍｏ合金３がＣｒ，Ｈｆ，ＺｒまたはＴｉを含有しない
純Ｍｏの場合である。この場合は、エッチングにより上
層のＭｏ合金が大きく後退してしまい。一部配線パタン
に虫食い状の欠陥が観察された。図１７の(ｂ)はＭｏ合
金３のＣｒ含有量が０.４ ｗｔ％の場合であり、配線の
断面形状は概ね２０°〜２５°の順テーパ状に加工され
た。Ｍｏ合金３のＨｆ含有量が１２wt％、およびＺｒ含
有量が８ｗｔ％、およびＴｉ含有量が２ｗｔ％の場合も
同様に配線の断面形状は概ね２０°〜２５°の順テーパ
状に加工された。これらの配線パタンの上に化学気相蒸
着したＳｉＮ膜のカバレッジは十分であった。図１７の
（ｃ）はＭｏ合金３のＣｒ含有量が１.５ｗｔ％ の場合
であり、配線の断面形状は概ね２５°〜３０°の順テー
パ状に加工された。Ｍｏ合金３のＨｆ含有量が３０ｗｔ
％、およびＺｒ含有量が２０ｗｔ％、およびＴｉ含有量
が６ｗｔ％の場合も同様に配線の断面形状は概ね２５°
〜３０°の順テーパ状に加工された。これらの配線パタ
ンの上に化学気相蒸着したＳｉＮ膜のカバレッジは十分
であった。図１７の（ｄ）はＭｏ合金３のＣｒ含有量が
３.０ ｗｔ％の場合であり、配線の断面形状は概ね３５
°〜４０°の順テーパ状に加工された。Ｍｏ合金３のＨ
ｆ含有量が４１ｗｔ％、およびＺｒ含有量が２６ｗｔ
％、およびＴｉ含有量が7.6ｗｔ％の場合も同様に配線
の断面形状は概ね３５°〜４０°の順テーパ状に加工さ
れた。これらの配線パタンの上に化学気相蒸着したＳｉ
Ｎ膜のカバレッジは十分であった。図１７の（ｅ）はＭ
ｏ合金３のＣｒ含有量が４.０ｗｔ％の場合であり、配
線の断面は上層のＭｏ合金３が庇状に迫り出した形状に
なった。Ｍｏ合金３のＨｆ含有量が４８ｗｔ％、および
Ｚｒ含有量が３２ｗｔ％、およびＴｉ含有量が９ｗｔ％
の場合も同様に上層のＭｏ合金３が庇状に迫り出した形
状になった。これらの配線パタンの上に化学気相蒸着し
たＳｉＮ膜のカバレッジは不十分であった。
【００７６】図１８は、下層がＡｌ合金であり上層がＭ
ｏ合金である積層配線をシャワー方式の湿式エッチング
で形成したときの配線の断面形状を示している。
ｏ合金である積層配線をシャワー方式の湿式エッチング
で形成したときの配線の断面形状を示している。
【００７７】まず、ガラス基板１の上にＡｌ合金２とＭ
ｏ合金３を連続的に成膜した。本実施例では、Ａｌ合金
２として種々のＮｄ含有量のもの２４０ｎｍと、Ｍｏ合
金３として１.５ｗｔ％のＣｒを含有するＭｏ合金２０
ｎｍをスパッタリング法により成膜した。その後、レジ
ストパタンをホトリソグラフィーにより形成し、シャワ
ーエッチング装置により湿式エッチングを実施した。本
実施例ではエッチャントとして、硝酸濃度は１２モル％
でありフッ化アンモニウムを０.１ モル％添加したリン
酸（Ｈ3ＰＯ4）と硝酸（ＨＮＯ3）と酢酸(ＣＨ3ＣＯＯ
Ｈ）と水(Ｈ2Ｏ)とを含む混合物を採用した。湿式エッ
チングの後、真空中にて３００℃で配線パタンを熱処理
した。
ｏ合金３を連続的に成膜した。本実施例では、Ａｌ合金
２として種々のＮｄ含有量のもの２４０ｎｍと、Ｍｏ合
金３として１.５ｗｔ％のＣｒを含有するＭｏ合金２０
ｎｍをスパッタリング法により成膜した。その後、レジ
ストパタンをホトリソグラフィーにより形成し、シャワ
ーエッチング装置により湿式エッチングを実施した。本
実施例ではエッチャントとして、硝酸濃度は１２モル％
でありフッ化アンモニウムを０.１ モル％添加したリン
酸（Ｈ3ＰＯ4）と硝酸（ＨＮＯ3）と酢酸(ＣＨ3ＣＯＯ
Ｈ）と水(Ｈ2Ｏ)とを含む混合物を採用した。湿式エッ
チングの後、真空中にて３００℃で配線パタンを熱処理
した。
【００７８】図１８の（ａ）はＡｌ合金２のＮｄ含有量
が９.８ ｗｔ％の場合であり、配線の断面形状は概ね２
５°〜３０°の順テーパ状に加工された。この配線パタ
ンの上に化学気相蒸着したＳｉＮ膜のカバレッジは十分
であった。図１８の（ｂ）は、Ａｌ合金２のＮｄ含有量
が０.４９ ｗｔ％の場合であり、配線のＡｌ合金層の側
面部にヒロックと思われる突起状生成物が生成した。こ
の配線パタンの上に化学気相蒸着したＳｉＮ膜のカバレ
ッジは不十分であった。Ａｌ合金２のＮｄ含有量が０.
９８ ｗｔ％の場合は、図１８の(ａ)と同様に、配線の
断面形状は概ね２５°〜３０°の順テーパ状に加工され
た。しかしながら、湿式エッチングの後の真空中熱処理
温度を３５０℃にすると、図１８の（ｂ）と同様にＡｌ
合金層の側面部にヒロックと思われる突起状生成物が生
成した。 （実施例７）図１９には、シャワーエッチングによるウ
ェットエッチング方法の模式図を示す。ガラス基板をコ
ロ搬送にて水平に搬送しつつ、その上からシャワー状に
エッチング液を供給する。図では基板は紙面に対し垂直
方向に進行している。エッチングノズルは各点源から放
射状にエッチング液を照射する。その際、エッチングの
均一性を高めるため、それぞれのエッチングシャワーが
一部重複するようにノズルを配置することによって、供
給むらなく、均一なエッチングが可能となる。しかし、
本発明の配線材料であるＭｏ−８ｗｔ％Ｚｒ／Ａｌ−
９.８ｗｔ％Ｎｄ積層配線のエッチングでは、わずかな
シャワー流量分布のばらつきによってエッチングレート
が変化することが問題である。特にＡｌ膜は流量が多い
ほどエッチレートが低下するという特徴がある。その結
果、図１９に示すように、ノズル直下でシャワー流量の
多い領域では、エッチレートが低くなり、その結果、サ
イドエッチ量が低下する。ノズルオーバーラップ領域で
は逆の現象が発生し、その結果、ノズル分布に起因して
サイドエッチ量のばらつきが発生する。その結果、配線
の寸法精度の面内分布が悪化し、液晶ディスプレイの画
質にばらつきが発生する。本発明では、Ｍｏ合金／Ａｌ
合金の積層配線のエッチングにおいて、基板の水平搬送
方向に対して垂直方向にエッチングノズルを揺動させ
る。最適揺動角度は、ノズルからの広がり角に依存する
が、４０°〜１００°が望ましい。ノズルを揺動させる
ことによって、シャワー流量が時間的に平均化され，そ
の結果として、サイドエッチ量、すなわち配線寸法のば
らつきを大幅に低減できた。エッチング液組成によって
はエッチング後の水によるリンスでもＭｏ膜のエッチン
グが進行することがある。この場合、リンス時の水置換
速度を基板面内で均一化する必要があるが、その際にも
シャワーノズル揺動処理は有効であることも確認した。
が９.８ ｗｔ％の場合であり、配線の断面形状は概ね２
５°〜３０°の順テーパ状に加工された。この配線パタ
ンの上に化学気相蒸着したＳｉＮ膜のカバレッジは十分
であった。図１８の（ｂ）は、Ａｌ合金２のＮｄ含有量
が０.４９ ｗｔ％の場合であり、配線のＡｌ合金層の側
面部にヒロックと思われる突起状生成物が生成した。こ
の配線パタンの上に化学気相蒸着したＳｉＮ膜のカバレ
ッジは不十分であった。Ａｌ合金２のＮｄ含有量が０.
９８ ｗｔ％の場合は、図１８の(ａ)と同様に、配線の
断面形状は概ね２５°〜３０°の順テーパ状に加工され
た。しかしながら、湿式エッチングの後の真空中熱処理
温度を３５０℃にすると、図１８の（ｂ）と同様にＡｌ
合金層の側面部にヒロックと思われる突起状生成物が生
成した。 （実施例７）図１９には、シャワーエッチングによるウ
ェットエッチング方法の模式図を示す。ガラス基板をコ
ロ搬送にて水平に搬送しつつ、その上からシャワー状に
エッチング液を供給する。図では基板は紙面に対し垂直
方向に進行している。エッチングノズルは各点源から放
射状にエッチング液を照射する。その際、エッチングの
均一性を高めるため、それぞれのエッチングシャワーが
一部重複するようにノズルを配置することによって、供
給むらなく、均一なエッチングが可能となる。しかし、
本発明の配線材料であるＭｏ−８ｗｔ％Ｚｒ／Ａｌ−
９.８ｗｔ％Ｎｄ積層配線のエッチングでは、わずかな
シャワー流量分布のばらつきによってエッチングレート
が変化することが問題である。特にＡｌ膜は流量が多い
ほどエッチレートが低下するという特徴がある。その結
果、図１９に示すように、ノズル直下でシャワー流量の
多い領域では、エッチレートが低くなり、その結果、サ
イドエッチ量が低下する。ノズルオーバーラップ領域で
は逆の現象が発生し、その結果、ノズル分布に起因して
サイドエッチ量のばらつきが発生する。その結果、配線
の寸法精度の面内分布が悪化し、液晶ディスプレイの画
質にばらつきが発生する。本発明では、Ｍｏ合金／Ａｌ
合金の積層配線のエッチングにおいて、基板の水平搬送
方向に対して垂直方向にエッチングノズルを揺動させ
る。最適揺動角度は、ノズルからの広がり角に依存する
が、４０°〜１００°が望ましい。ノズルを揺動させる
ことによって、シャワー流量が時間的に平均化され，そ
の結果として、サイドエッチ量、すなわち配線寸法のば
らつきを大幅に低減できた。エッチング液組成によって
はエッチング後の水によるリンスでもＭｏ膜のエッチン
グが進行することがある。この場合、リンス時の水置換
速度を基板面内で均一化する必要があるが、その際にも
シャワーノズル揺動処理は有効であることも確認した。
【００７９】
【発明の効果】以上説明したように、ゲート配線（電
極），ソースおよびドレイン配線(電極)をモリブデンを
主成分とし、モリブデンを固溶するクロム，チタン，タ
ンタル，ニオブのうちの少なくとも１つ以上を添加元素
として含む合金層と、アルミニウム合金層との積層配線
で構成したことにより、画面の大面積化のための配線の
低抵抗化が容易となり、かつ当該配線や電極のホトエッ
チング工程を簡略化して、低コストかつ表示不良のない
高信頼性の液晶表示装置を提供することができる。
極），ソースおよびドレイン配線(電極)をモリブデンを
主成分とし、モリブデンを固溶するクロム，チタン，タ
ンタル，ニオブのうちの少なくとも１つ以上を添加元素
として含む合金層と、アルミニウム合金層との積層配線
で構成したことにより、画面の大面積化のための配線の
低抵抗化が容易となり、かつ当該配線や電極のホトエッ
チング工程を簡略化して、低コストかつ表示不良のない
高信頼性の液晶表示装置を提供することができる。
【図１】本発明による液晶表示装置の一実施例を説明す
る要部の模式断面図である。
る要部の模式断面図である。
【図２】本発明による液晶表示装置の一実施例の２層積
層構造を説明する要部模式断面図である。
層構造を説明する要部模式断面図である。
【図３】本発明による液晶表示装置の一実施例の３層積
層構造の一例を説明する要部模式断面図である。
層構造の一例を説明する要部模式断面図である。
【図４】本発明による液晶表示装置の一実施例のゲート
配線の端部での配線端子の構造の一例を説明する要部模
式断面図である。
配線の端部での配線端子の構造の一例を説明する要部模
式断面図である。
【図５】金属配線のウェットエッチングレートの合金添
加量依存性の説明図である。
加量依存性の説明図である。
【図６】金属配線のドライエッチングレートの合金添加
量依存性の説明図である。
量依存性の説明図である。
【図７】本発明を適用した液晶表示装置のアクティブマ
トリクス基板上に形成した一画素部分の模式平面図であ
る。
トリクス基板上に形成した一画素部分の模式平面図であ
る。
【図８】本発明を適用した液晶表示装置を構成するアク
ティブマトリクス基板の一画素付近の配線構造を説明す
る模式平面図である。
ティブマトリクス基板の一画素付近の配線構造を説明す
る模式平面図である。
【図９】本発明を適用したアクティブマトリクス型液晶
表示装置の全体構成を説明する展開斜視図である。
表示装置の全体構成を説明する展開斜視図である。
【図１０】本発明による液晶表示装置の一実施例を説明
する要部の模式断面図である。
する要部の模式断面図である。
【図１１】本発明の液晶表示装置の一実施例のドライバ
ＩＣ実装部の模式断面図である。
ＩＣ実装部の模式断面図である。
【図１２】本発明の液晶表示装置の一実施例のドライバ
ＩＣ実装部の平面図である。
ＩＣ実装部の平面図である。
【図１３】本発明による液晶表示装置の一実施例を説明
する要部の模式断面図である。
する要部の模式断面図である。
【図１４】本発明による液晶表示装置の一実施例を説明
する液晶表示装置画素部の平面図である。
する液晶表示装置画素部の平面図である。
【図１５】本発明による配線の断面形状を示す一実施例
である。
である。
【図１６】本発明による配線の断面形状を示す一実施例
である。
である。
【図１７】本発明による配線の断面形状を示す一実施例
である。
である。
【図１８】本発明による配線の断面形状を示す一実施例
である。
である。
【図１９】本発明の液晶表示装置の製造方法の内，エッ
チング方法の一実施例である。
チング方法の一実施例である。
【図２０】本発明のウェットエッチレートとドライエッ
チレートの合金元素添加量依存性を示す。
チレートの合金元素添加量依存性を示す。
１…アクティブマトリクス基板、２…アルミニウム合金
層、２Ａ…ゲートバスライン、２Ｂ…対抗電極配線、２
Ｃ…対抗櫛歯電極、３…モリブデン合金層、３Ａ…ドレ
イン配線、３Ｂ…ドレイン電極、３Ｃ…ソース電極、４
…ゲート絶縁層、５…半導体層（ｉ−ａ−Ｓｉ層）、６
…コンタクト層（ｎ＋ａ−Ｓｉ層）、７，９…モリブデ
ン合金層、８…アルミニウム合金層、１０…パッシベー
ション層、１１…透明導電層（ＩＴＯ）、１１Ａ…画素
電極、１２…カラーフィルタ基板、１８…液晶層、１
９，２０…スルーホール、２１…Ｃｒ膜、２２…Ｃｒ−
Ｍｏ合金膜、２３…異方性導電フィルム、２４…ドライ
バチップ、２５…バスライン、２６…ゲートライン用Ｆ
ＰＣ、２７…パワーバスライン及び走査信号用バスライ
ン、２８…ゲートドライバＩＣ、２９…パワー供給用Ｆ
ＰＣ、３０…パワーバスライン、３１…データ信号用Ｆ
ＰＣ、３２…データ転送バスライン、３３…ドレイン用
ドレインドライバ、３４…エッチングシャワーノズル、
３５…エッチング液シャワー。
層、２Ａ…ゲートバスライン、２Ｂ…対抗電極配線、２
Ｃ…対抗櫛歯電極、３…モリブデン合金層、３Ａ…ドレ
イン配線、３Ｂ…ドレイン電極、３Ｃ…ソース電極、４
…ゲート絶縁層、５…半導体層（ｉ−ａ−Ｓｉ層）、６
…コンタクト層（ｎ＋ａ−Ｓｉ層）、７，９…モリブデ
ン合金層、８…アルミニウム合金層、１０…パッシベー
ション層、１１…透明導電層（ＩＴＯ）、１１Ａ…画素
電極、１２…カラーフィルタ基板、１８…液晶層、１
９，２０…スルーホール、２１…Ｃｒ膜、２２…Ｃｒ−
Ｍｏ合金膜、２３…異方性導電フィルム、２４…ドライ
バチップ、２５…バスライン、２６…ゲートライン用Ｆ
ＰＣ、２７…パワーバスライン及び走査信号用バスライ
ン、２８…ゲートドライバＩＣ、２９…パワー供給用Ｆ
ＰＣ、３０…パワーバスライン、３１…データ信号用Ｆ
ＰＣ、３２…データ転送バスライン、３３…ドレイン用
ドレインドライバ、３４…エッチングシャワーノズル、
３５…エッチング液シャワー。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｌ 21/28 ３０１ Ｇ０２Ｆ 1/136 ５００ ５Ｆ０４３ 21/306 Ｈ０１Ｌ 21/306 Ｆ ５Ｆ１１０ 21/3205 21/88 Ｆ 29/786 Ｒ 29/78 ６１２Ｃ ６１６Ｕ ６１６Ｖ ６１７Ｔ ６１７Ｕ (72)発明者 田村 克 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 鬼沢 賢一 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 寺門 正倫 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 (72)発明者 茶原 健一 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 落合 孝洋 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 (72)発明者 高畠 勝 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 (72)発明者 原野 雄一 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 (72)発明者 山本 英明 千葉県茂原市早野3300番地 株式会社日立 製作所ディスプレイグループ内 Ｆターム(参考） 2H090 LA01 LA15 2H091 GA02 GA03 LA12 2H092 GA17 GA25 GA29 HA04 HA06 JA26 JA34 JA46 JB22 JB31 JB51 JB57 JB69 KA05 KB24 MA05 MA13 MA18 MA19 MA24 NA28 NA29 PA08 4M104 AA10 BB02 BB36 BB38 BB39 CC05 DD08 DD12 DD17 DD64 FF08 FF13 GG20 HH13 5F033 HH10 HH17 HH38 JJ01 JJ10 JJ17 JJ38 KK05 KK10 KK17 LL02 LL09 MM05 MM08 MM19 PP15 QQ08 QQ09 QQ10 QQ11 QQ20 QQ35 QQ39 RR06 SS15 VV06 VV15 WW04 XX02 XX10 XX33 5F043 AA22 AA27 BB18 DD13 DD15 FF03 5F110 AA03 AA16 BB01 CC07 DD02 EE06 EE14 EE15 EE23 EE37 EE44 FF03 FF24 FF30 GG02 GG15 GG35 GG45 HK06 HK09 HK16 HK22 HK35 HL07 HM03 HM19 NN02 NN24 NN35 NN72 QQ05 QQ09
Claims (28)
- 【請求項１】一対の基板と、前記一対の基板に挟持され
た液晶層とを有する液晶表示装置において、前記一対の
基板の一方に形成される複数の走査信号線と、前記走査
信号線とマトリクス状に交差する複数の映像信号線のい
ずれかが第１の導電層と第２の導電層からなる積層構造
を含み、前記第１の導電層はＡｌを主成分とし、前記第
２の導電層はＺｒを含有するＭｏを主成分とし、前記Ｚ
ｒの含有量が、２.６重量％以上で２３重量％以下であ
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】一対の基板と、前記一対の基板に挟持され
た液晶層とを有する液晶表示装置において、前記一対の
基板の一方に形成される複数の走査信号線と、前記走査
信号線とマトリクス状に交差する複数の映像信号線のい
ずれかが第１の導電層と第２の導電層からなる積層構造
を含み、前記第１の導電層はＡｌを主成分とし、前記第
２の導電層はＺｒを含有するＭｏを主成分とし、前記Ｚ
ｒの含有量が、４.０重量％以上で１４重量％以下であ
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項３】前記第２の導電層は、ＺｒとＨｆを含有す
るＭｏを主成分とすることを特徴とする請求項１又は２
に記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】第１の導電層と第２の導電層からなる積層
構造を有するのは、前記走査信号線であることを特徴と
する請求項１又は２に記載の液晶表示装置。 - 【請求項５】前記液晶表示装置は、前記複数の走査信号
線及び映像信号線で囲まれる領域に形成された複数の画
素内に、前記一対の基板の一方に形成される少なくとも
一対の画素電極と対向電極を有し、該画素電極は、前記
走査信号線からの走査信号の供給に基づいて駆動される
薄膜トランジスタを介して前記映像信号線からの映像信
号が供給され、該対向電極は、前記複数の画素に渡って
形成される対向電圧信号線を介して基準電圧が供給さ
れ、前記第１の導電層と第２の導電層からなる積層構造
を有するのは、前記対向電圧信号線又は前記対向電極で
あることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装置。 - 【請求項６】前記Ａｌを主成分とする第１の導電層は陽
極化成されていることを特徴とする請求項１又は５に記
載の液晶表示装置。 - 【請求項７】一対の基板と、前記一対の基板に挟持され
た液晶層とを有する液晶表示装置において、前記一対の
基板の一方に形成される複数の走査信号線と、前記走査
信号線とマトリクス状に交差する複数の映像信号線のい
ずれかが第１の導電層と第２の導電層と第３の導電層か
らなる３層構造を含み、前記第１の導電層はＡｌを主成
分とし、前記第２の導電層はＺｒを含有するＭｏを主成
分とし、前記第３の導電層はＭｏを主成分とし、前記Ｚ
ｒの含有量が、４.０ 重量％以上で１４重量％以下であ
ることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項８】前記第２の導電層は、ＺｒとＨｆを含有す
るＭｏを主成分とすることを特徴とする請求項７記載の
液晶表示装置。 - 【請求項９】第１の導電層と第２の導電層からなる積層
構造を有するのは、前記走査信号線であることを特徴と
する請求項７記載の液晶表示装置。 - 【請求項１０】前記液晶表示装置は、前記複数の走査信
号線及び映像信号線で囲まれる領域に形成された複数の
画素内に、前記一対の基板の一方に形成される少なくと
も一対の画素電極と対向電極を有し、該画素電極は、前
記走査信号線からの走査信号の供給に基づいて駆動され
る薄膜トランジスタを介して前記映像信号線からの映像
信号が供給され、該対向電極は、前記複数の画素に渡っ
て形成される対向電圧信号線を介して基準電圧が供給さ
れ、前記第１の導電層と第２の導電層と第３の導電層か
らなる３層構造を有するのは、前記対向電圧信号線又は
前記対向電極であることを特徴とする請求項７記載の液
晶表示装置。 - 【請求項１１】一対の基板に挟持された液晶層と、前記
一対の基板の一方に形成される複数の走査信号線と、前
記走査信号線とマトリクス状に交差する複数の映像信号
線と、前記走査信号線からの走査信号の供給に基づいて
駆動される薄膜トランジスタと、該薄膜トランジスタを
介して前記映像信号線からの映像信号が供給される画素
電極と、前記画素電極と対向して配置され対向電圧信号
線を介して基準電圧が供給される対向電極を備える液晶
表示装置において、前記走査信号線又は映像信号線又は
対向電圧信号線又は対向電極のいずれかが第１の導電層
と第２の導電層からなる積層構造を含み、前記第１の導
電層はＡｌを主成分とし、前記第２の導電層はＣｒと
２.６ 重量％以上で２３重量％以下のＺｒを含有するＭ
ｏを主成分とすることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１２】第１の導電層と第２の導電層からなる積
層構造を有するのは、前記走査信号線と前記対向電圧信
号線であることを特徴とする請求項１１記載の液晶表示
装置。 - 【請求項１３】前記第１の導電層の上層に前記第２導電
層が形成され、該第１導電層の断面の形状が順テーパー
形状を有する台形に形成されてなることを特徴とする請
求項１，７，１１のいずれかに記載の液晶表示装置。 - 【請求項１４】前記走査信号線は、対向電圧信号線及び
対向電極と同じ層に配置され、前記映像信号線は該走査
信号線の上層に第１絶縁膜を介して配置され、前記画素
電極は該映像信号線の上層に第２絶縁膜を介して配置さ
れ、前記画素電極は前記第２絶縁膜上に配置され、前記
画素電極は、前記第２絶縁膜に設けられた接続手段を介
して、前記Ｚｒを含有するＭｏを主成分とする層と接続
されていることを特徴とする請求項５，１０，１１のい
ずれかに記載の液晶表示装置。 - 【請求項１５】前記画素電極がＩＴＯまたはＩＺＯのい
ずれかからなることを特徴とする請求項１４に記載の液
晶表示装置。 - 【請求項１６】前記画素電極が多結晶インジウムスズオ
キサイド（ＩＴＯ）で、前記映像信号線がＣｒ−Ｍｏ合
金膜とＣｒ膜との積層であることを特徴とする請求項１
４に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１７】前記画素電極がＩＺＯで、前記映像信号
線がＭｏ合金／Ａｌ合金／Ｍｏ合金積層であることを特
徴とする請求項１４に記載の液晶表示装置。 - 【請求項１８】絶縁基板上にゲート配線，コモン配線，
コモン電極，ゲート絶縁層，半導体層，コンタクト層，
ソースおよびドレイン配線，パッシベーション層，画素
電極を形成したアクティブマトリクス基板と、絶縁基板
の上にカラーフィルタ層，平滑層，共通電極，絶縁保護
層を形成したカラーフィルタ基板と、前記アクティブマ
トリクス基板とカラーフィルタ基板の対向間隙に液晶組
成物からなる液晶層を挟持してなり、前記ゲート配線，
ソースおよびドレイン配線がＭｏを主成分としたＴｉと
の合金層と、Ａｌ合金層との積層配線で構成したことを
特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項１９】絶縁基板上にゲート配線，コモン配線，
コモン電極，ゲート絶縁層，半導体層，コンタクト層，
ソースおよびドレイン配線，パッシベーション層，画素
電極を形成したアクティブマトリクス基板と、絶縁基板
の上にカラーフィルタ層，平滑層，共通電極，絶縁保護
層を形成したカラーフィルタ基板と、前記アクティブマ
トリクス基板とカラーフィルタ基板の対向間隙に液晶組
成物からなる液晶層を挟持してなり、前記ゲート配線が
チタン合金とアルミニウム合金の２層からなり、前記ソ
ースおよびドレイン配線がチタン合金とアルミニウム合
金，チタン合金の３層構造からなることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項２０】絶縁基板上にゲート配線，コモン配線，
コモン電極，ゲート絶縁層，半導体層，コンタクト層，
ソースおよびドレイン配線，パッシベーション層，画素
電極を形成したアクティブマトリクス基板と、絶縁基板
の上にカラーフィルタ層，平滑層，共通電極，絶縁保護
層を形成したカラーフィルタ基板と、前記アクティブマ
トリクス基板とカラーフィルタ基板の対向間隙に液晶組
成物からなる液晶層を挟持してなり、前記ソースおよび
ドレイン配線は０.３５ 重量％以上のＣｒ、または１.
３ 重量％以上のＴｉ、または１.４ 重量％以上のＺ
ｒ、または２.６ 重量％以上のＨｆを含有するＭｏを主
成分とする合金の単層構造からなることを特徴とする液
晶表示装置。 - 【請求項２１】ガラス基板の上に金属薄膜を形成する工
程と、該金属薄膜上にレジストパタンをホトリソグラフ
ィーにより形成する工程と、エッチャントをリン酸(Ｈ3
ＰＯ4)と硝酸（ＨＮＯ3）と酢酸（ＣＨ3ＣＯＯＨ）と水
（Ｈ2Ｏ）とを含む混合物で、硝酸（ＨＮＯ3）を７モル
％以上１２モル％以下含み、フッ化アンモニウム（ＮＨ
4Ｆ）とフッ化水素（ＨＦ）の少なくともどちらか一方
を約０.０１から約０.１ モル％含む組成として湿式エ
ッチングを実施する工程と、を有する液晶表示装置の製
造方法。 - 【請求項２２】前記金属薄膜は、Ａｌ又はＡｌ合金と、
Ｍｏ合金を連続的に成膜して構成される請求項２１の液
晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２３】前記Ａｌ合金は、少なくとも０.９８ｗ
ｔ％以上望ましくは９.８ｗｔ％以上のネオジムを含む
アルミニウム合金である請求項２２の液晶表示装置の製
造方法。 - 【請求項２４】前記Ｍｏ合金は、０.８４重量％以上３.
０重量％以下のクロムまたは４.９重量％以上４１重量
％以下のハフニウムまたは２.６重量％以上２６重量％
以下のジルコニウムまたは２.３重量％以上７.６重量％
以下のチタンを含むモリブデン合金である請求項２２の
液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２５】前記Ａｌ合金は、少なくとも０.２ａｔ
％以上望ましくは２ａｔ％以上のネオジムを含むアルミ
ニウム合金であり、前記Ｍｏ合金は、０.８４重量％以
上３.０重量％以下のクロムまたは４.９重量％以上４１
重量％以下のハフニウムまたは２.６重量％以上２６重
量％以下のジルコニウムまたは２.３重量％以上７.６重
量％以下のチタンを含むモリブデン合金である請求項２
２の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２６】前記Ｍｏ合金層とＡｌ合金層とを同一エ
ッチング液の一括エッチングで形成することを特徴とす
る請求項２２に記載の液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２７】前記ゲート線は、コモン配線及びコモン
電極と同じ層に配置され、前記ドレイン線は該ゲート線
の上層に設けられたゲート絶縁膜上に配置され、前記画
素電極は該ドレイン線の上層に設けられたパッシベーシ
ョン層上に配置され、前記画素電極は、前記パッシベー
ション層に設けられたコンタクトホールを介して、前記
Ｍｏを主成分とした合金層と接続されており、前記パッ
シベーション層の加工にドライエッチングを用い、前記
ソースおよびドレイン配線の添加元素としてクロム，チ
タン，ジルコニウム，ハフニウム，バナジウムのうちの
少なくとも１つ以上を含むモリブデン合金に対するパッ
シベーション層のエッチング選択比を７以上としたこと
を特徴とする液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項２８】透明絶縁性基板上に金属薄膜を形成され
た基板を大気中で水平搬送しつつ、その上部に複数個配
置されたエッチングノズルからシャワー状にエッチング
液を基板上に供給することで、上記金属薄膜をエッチン
グする液晶表示装置の製造方法において、上記金属薄膜
がＭｏ又はＭｏ合金とＡｌまたはその合金との積層配線
であり、上記エッチングノズルが基板の水平搬送方向に
対して垂直方向に揺動することを特徴とする，液晶表示
装置の製造方法。
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