JP2000260655A - 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 - Google Patents
積層セラミックコンデンサ及びその製造方法Info
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Abstract
がる内部電極間の誘電体層の薄層化無しに、容量が大き
く、かつその温度変化率が小さい優れた電気特性を有す
る積層セラミックコンデンサ及びその製造方法を提供す
ることを目的としている。 【解決手段】 内部電極11間に挟まれた誘電体層を、
少なくとも温度特性変化がB特性を満たす第1、第2の
誘電体層12,13からなる2種の比誘電率の温度特性
が異なるように構成するものである。
Description
いられる積層セラミックコンデンサ及びその製造方法に
関するものである。
各種チップ部品も小型化高性能化が図られてきた。積層
セラミックコンデンサも例に漏れず、小型化と共に大容
量化が図られてきたが、より一層の大容量化が望まれて
いる。
体材料の比誘電率と積層数に比例し、誘電体層の厚さに
反比例するため、できるかぎり比誘電率の高い誘電体材
料を用いることが望ましいが、比誘電率の高い誘電体材
料は比誘電率の温度特性変化が大きく、一般に市場での
要求が高いB特性あるいはX7R特性の範囲に温度特性
変化を抑えようとした場合、得られる比誘電率は高々3
000程度が限界である。そこで温度特性変化が小さく
比誘電率の高い誘電体材料の開発もさかんに行われてい
るが、従来、積層セラミックコンデンサの大容量化は、
主に誘電体層の薄層化と高積層化によってなされる部分
が大きく、現在では誘電体層厚み3μm以下、積層数3
00層以上の積層セラミックコンデンサが実現されよう
としている。
圧は誘電体層の厚みに比例するため、誘電体層を薄層化
すると積層セラミックコンデンサとしての絶縁耐圧は低
くなるが、誘電体層を薄層化した場合でも積層セラミッ
クコンデンサとして印加される電圧は変わらないため、
誘電体層の厚さ当たりに印加される電圧は誘電体層が薄
層化すればするほど大きくなり、結果として積層セラミ
ックコンデンサの寿命も相対的に短くなるという課題を
有していた。
り、絶縁耐圧の低下や寿命の劣化につながる内部電極間
の誘電体層の薄層化無しに、容量が大きく、かつその温
度変化率が小さい優れた電気特性を有する積層セラミッ
クコンデンサ及びその製造方法を提供することを目的と
している。
に本発明は、内部電極で挟まれた誘電体層を、少なくと
も温度特性変化がB特性を満たす誘電体層を含む2種の
比誘電率の温度特性が異なる誘電体層によって構成する
ものである。
コンデンサの電気特性は、内部電極間で挟まれた複数の
誘電体層をそれぞれ単板コンデンサと見なした場合にそ
れらのコンデンサが直列に接続された構成となっている
ため、コンデンサの中で最も容量が小さくなる誘電体層
の電気特性とほぼ同等となる。従って、温度特性変化が
B特性を満たす誘電体層の電気特性を発現させる構成と
することによって、実質的に内部電極間の厚さを薄くす
ること無しに、B特性を満たす誘電体層を薄層化した場
合とほぼ同等の高容量が得られる。
層と内部電極とを交互に積層されたセラミックコンデン
サにおいて、前記内部電極間に挟まれた誘電体層部を、
少なくとも温度特性変化がB特性を満たす誘電体層を含
む2種以上の比誘電率の温度特性が異なる誘電体層によ
って構成されるもので、内部電極間の厚さを薄くするこ
と無しに、B特性を満たす誘電体層を薄層化した場合と
ほぼ同等の高容量が得られるという作用を有する。
電極が交互に積層されるとともに前記内部電極の少なく
とも一端と電気的に接続するように設けられた端面電極
を備えた積層セラミックコンデンサにおいて、前記内部
電極間に挟まれた誘電体層部を、少なくとも温度特性変
化がB特性を満たす2種以上の比誘電率の温度特性が異
なる誘電体層で構成するとともにこの誘電体層の層間に
設けられた前記端面電極と電気的に接続しない金属層と
からなるもので、誘電体層間に金属電極を設けることに
より誘電体層間の相互拡散を抑制できるため、実質的に
内部電極間の厚さを薄くすること無しに、B特性を満た
す誘電体層を薄層化した場合とほぼ同等の高容量が精度
良く得られるという作用を有する。
工、乾燥してグリーンシートを形成後、このグリーンシ
ートの上に前記誘電体とは異なる比誘電率の温度特性を
有する誘電体塗料を塗工、乾燥する工程を必要回数繰り
返して多層グリーンシートを作成する第1工程と、この
第1工程で得られた前記多層グリーンシート上に内部電
極パターンを形成する第2工程と、この第2工程で得ら
れた電極パターン形成済み多層グリーンシートを必要枚
数積層した後、所定形状に切断してチップ積層体を形成
する第3工程と、この第3工程で得られたチップ積層体
を焼成後、端面に端面電極を形成する第4工程とからな
るもので、実質的に内部電極間の厚さを薄くすること無
しに、誘電体層を薄層化した場合とほぼ同等の高容量が
得られるという作用を有する。
上に形成された誘電体グリーンシートのフィルム剥離面
と、第2のフィルム上に形成された前記誘電体とは異な
る比誘電率の温度特性を有する誘電体グリーンシートの
表面とを加熱圧着した後、第2のフィルムのみを剥離し
て誘電体グリーンシートを転写する工程を必要回数繰り
返して多層グリーンシートを作成する第1工程と、この
第1工程で得られた多層グリーンシート上に内部電極パ
ターンを形成する第2工程と、この第2工程で得られた
電極パターン形成済み多層グリーンシートを必要回数積
層した後、所定形状に切断してチップ積層体を作成する
第3工程と、この第3工程で得られたチップ積層体を焼
成後、端面電極を形成する第4工程とからなるもので、
多層誘電体層をフィルムからの転写によつて形成するこ
とにより各誘電体層厚さを高精度に制御できるため、実
質的に内部電極間の厚さを薄くすること無しに、誘電多
層を薄層化した場合とほぼ同等の高容量から得られると
いう作用を有する。
上に形成された誘電体グリーンシートのフィルム剥離面
上に、所定のパターンで金属塗料を印刷した後、前記金
属パターン形成済みグリーンシートの金属パターン形成
面と第2のフィルム上に形成された前記誘電体とは異な
る比誘電率の温度特性を有する誘電体グリーンシートの
表面とを加熱圧着し、第2のフィルムのみを剥離する工
程を必要回数繰り返して金属層内蔵多層グリーンシート
を作成する第1工程と、この第1工程で得られた金属層
内蔵多層グリーンシート上に内部電極パターンを形成す
る第2工程と、この第2工程で得られた電極パターン形
成済み金属層内蔵多層グリーンシートを必要回数積層し
た後、所定形状に切断してチップ積層体を作成する第3
工程と、この第3工程で得られたチップ積層体を焼成
後、端面電極を形成する第4工程とからなるもので、こ
れにより実質的に内部電極間の厚さを薄くすること無し
に、所望の誘電体層を薄層化した場合とほぼ同等の高容
量が得られるという作用を有するものである。
上に形成された誘電体グリーンシートのフィルム剥離面
と、第2のフィルム上に所定のパターンで形成された金
属パターンの表面とを加熱圧着した後、第2のフィルム
のみを剥離して金属パターン形成済みグリーンシートを
作成し、前記金属パターン形成済みシートの金属パター
ン形成面と第3のフィルム上に形成された前記誘電体と
は異なる比誘電率の温度特性を有する誘電体グリーンシ
ートの表面とを加熱圧着した後、第3のフィルムのみを
剥離する工程を必要回数繰り返して金属層内蔵多層グリ
ーンシートを作成する第1工程と、この第1工程で得ら
れた金属層内蔵多層グリーンシート上に内部電極パター
ンを形成する第2工程と、この第2工程で得られた電極
パターン形成済み金属層内蔵多層グリーンシートを必要
回数積層した後、所定形状に切断してチップ積層体を作
成する第3工程と、この第3で得られたチップ積層体を
焼成後、端面電極を形成する第4工程とからなるもの
で、金属層内蔵多層誘電体層をフィルムからの転写によ
って形成することにより各誘電体層厚さを高精度に制御
できるため、実質的に内部電極間の厚さを薄くすること
無しに、誘電体層を薄層化した場合とほぼ同等の高容量
が得られるという作用を有する。
工、乾燥してグリーンシートを得た後、前記グリーンシ
ートの上に所定のパターンで金属層を形成し、さらに前
記金属パターン形成済みグリーンシートの上に前記誘電
体とは異なる比誘電率の温度特性を有する誘電体塗料を
塗工、乾燥する工程を必要回数繰り返して金属内蔵多層
グリーンシートを作成する第1工程と、この第1工程で
得られた金属層内蔵多層グリーンシート上に内部電極パ
ターンを形成する第2工程と、この第2工程で得られた
電極パターン形成済み金属層内蔵多層グリーンシートを
必要回数積層した後、所定形状に切断してチップ積層体
を作成する第3工程と、この第3工程で得られたチップ
積層体を焼成後、端面に端面電極を形成する第4工程と
からなるもので、金属層を形成した後、誘電体塗料を塗
工、乾燥して金属層内蔵多層誘電体層を形成することに
より、金属層形成時に生じる段差を極力解消して平坦化
できるため、実質的に内部電極間の厚さを薄くすること
無しに、誘電体層を薄層化した場合とほぼ同等の高容量
が得られるという作用を有する。
態1における積層コンデンサについて図面を参照しなが
ら説明する。
コンデンサの断面図、図2は同要部である第1、第2の
誘電体層と内部電極とを拡大した図である。
内部電極11を挟むように少なくとも温度特性変化がB
特性を満たす比誘電率の温度特性が異なる第1、第2の
誘電体層12,13を備えている。また、内部電極11
の一端は端面で端面電極(本図では、図示せず。)に電
気的に接続されている。
ンデンサについて、以下にその製造を図面を参照しなが
ら説明する。
造方法を説明する図である。
得られるように、チタン酸バリウムに所定量の希土類元
素、遷移元素及びガラス材料を添加した組成物を2種用
い、仮焼、粉砕後有機バインダを添加してスラリーを作
製する。
が得られる方をドクターブレード法により塗工、乾燥し
て第1の誘電体層12となるグリーンシートを得る。さ
らに、もう一方のB特性が得られるスラリーを前工程で
得られたグリーンシート上に第2の誘電体層13となる
多層誘電体グリーンシートを塗工、乾燥して作製する。
ンシート上に、内部電極パターン11を形成し、電極パ
ターン形成多層誘電体グリーンシート21を得た。
ン形成多層誘電体グリーンシート21を、図3(a)に
示すように、保護層シート22に挟まれるようにして数
10枚積層、圧着する。
形状に切断後、焼成して積層セラミックコンデンサを得
るものである。
たB特性を満たす誘電体組成物を単独で、試料1と内部
電極間距離が同じになる積層セラミックコンデンサ(比
較品1)および、試料1におけるB特性を満たす誘電体
層部と同等の厚さの内部電極間距離となる積層セラミッ
クコンデンサ(比較品2)を作製して比較する。
および絶縁破壊電圧、初期のショート率を比較して示
す。
率は良好だが、内部電極間距離が比較的厚いため容量が
小さい。また、比較品2は容量は大きいが、内部電極間
距離が極端に薄いため、初期のショートが極めて多く絶
縁耐圧も極端に低い。図4に試料1および比較品1と本
実施の形態におけるもう一方の誘電体層単独で得られる
積層セラミックコンデンサの容量変化率の温度特性を示
すが、図4より試料1は、比較品1とほぼ同等の温度特
性を示していることがわかる。これらのことから、本発
明によれば試料1のごとく、温度による容量変化が小さ
く、絶縁耐圧および初期ショート率が比較的良好で、大
容量が得られる。
態2における積層セラミックコンデンサについて図面を
参照しながら説明する。
セラミックコンデンサの要部である第1、第2の誘電体
層と内部電極とを拡大した図である。
1および図2と相違する点は、第1、第2の誘電体層1
2,13の間に、端面電極と電気的に接続しない金属層
31を備えるものである。
ンデンサについて、以下にその製造方法を説明する。
B特性及び高誘電率が得られるような誘電体組成物から
スラリーを作製し、それぞれドクターブレード法により
フィルム上に塗工、乾燥して別々の第1、第2の誘電体
層12,13のいずれかを有するグリーンシートを形成
する。
ンシートのフィルム剥離面に金属層31を印刷した後、
B特性が得られるグリーンシートを加熱圧着して金属層
内蔵多層グリーンシートを作製し、金属層内蔵多層グリ
ーンシート上に、内部電極パターン11を形成し、電極
パターン形成金属層内蔵多層グリーンを形成する。
ン形成金属層内蔵多層グリーンシートを用いて、実施の
形態1と同様にして積層セラミックコンデンサを作製す
るものである。
成時に起こる誘電体層どうしの相互拡散が抑制できるた
め、所望の特性を有する積層セラミックコンデンサ及び
その製造方法が得られるものである。
態3における積層セラミックコンデンサの製造方法につ
いて説明する。
造方法である図3と相違する点は、B特性及び高誘電率
が得られるような誘電体組成物からスラリーを作製し、
それぞれドクターブレード法によりフィルム上に塗工、
乾燥して別々のグリーンシートを得た後、高誘電率が得
られるグリーンシートのフィルム剥離面にB特性が得ら
れるグリーンシートを加熱圧着して多層グリーンシート
を作製し、多層グリーンシート上に、内部電極パターン
を形成し、電極パターン形成多層グリーンシートを作製
するものである。
多層グリーンシートを用いて、実施の形態1と同様にし
て積層セラミックコンデンサを製造すると誘電体層を別
々に形成し、加熱圧着することにより、多層グリーンシ
ート作製時のグリーンシートに対するダメージが低減で
きるため、所望の特性を有する積層セラミックコンデン
サが得られるという効果を奏するものである。
態4における積層セラミックコンデンサの製造方法につ
いて説明する。
及び高誘電率が得られるような誘電体組成物からスラリ
ーを作製し、それぞれドクターブレード法によりフィル
ム上に塗工、乾燥して別々のグリーンシートを形成す
る。また、金属層形成パターンも別のフィルム上に印刷
する。
のフィルム剥離面に金属層形成パターンをフィルムごと
加熱圧着した後フィルムのみを剥離し、さらに、B特性
が得られるグリーンシートを加熱圧着して金属層内蔵多
層グリーンシートを作製し、金属層内蔵多層グリーンシ
ート上に、内部電極パターンを形成し、電極パターン形
成金属層内蔵多層グリーンシートを形成する。以降の工
程は、実施の形態1と同一であるので説明を省略する。
金属層内蔵多層グリーンシートを用いて、実施の形態1
と同様にして積層セラミックコンデンサを製造すると誘
電体層および金属層を別々に形成し、加熱圧着すること
により、金属層内蔵多層グリーンシート作製時のグリー
ンシートに対するダメージが低減できるため、所望の特
性を有する積層セラミックコンデンサが得られるという
効果を奏するものである。
態5における積層セラミックコンデンサの製造方法につ
いて説明する。
及び高誘電率が得られるような誘電体組成物からスラリ
ーを作製する。
得られるスラリーをドクターブレード法によりフィルム
上に塗工、乾燥してグリーンシートを形成する。
形成パターンを形成し金属層形成グリーンシートを形成
する。
性が得られるスラリーを塗工、乾燥して金属層内蔵多層
グリーンシートを作製し、金属層内蔵多層グリーンシー
ト上に、内部電極パターンを形成し、電極パターン形成
金属層内蔵多層グリーンシートを形成する。以降の工程
は、実施の形態1と同一であるので説明を省略する。
金属層内蔵多層グリーンシートを用いて、実施の形態1
と同様にして積層セラミックコンデンサを製造すると、
金属層形成グリーンシート上にスラリーを塗工、乾燥す
ることによって、金属層形成による段差を解消してフラ
ットな金属層内蔵多層グリーンシートが得られるため、
所望の特性を有する高積層セラミックコンデンサが得ら
れるという効果を奏するものである。
の誘電体層が2層の場合について説明したが、3層以上
の場合にも同様な効果が得られる。
まれた誘電体層を、少なくとも温度特性変化がB特性を
満たす誘電体層を含む2種以上の比誘電率の温度特性が
異なるように構成することにより、絶縁耐圧の低下や寿
命の劣化につながる内部電極間の誘電体層の薄層化無し
に、容量が大きく、かつその温度変化率が小さい優れた
電気特性を有する積層セラミックコンデンサを提供でき
るという効果を奏するものである。
コンデンサの断面図
とを拡大した図
コンデンサの要部である第1、第2の誘電体層を内部電
極とを拡大した図
Claims (7)
- 【請求項1】 誘電体層と内部電極とを交互に積層され
たセラミックコンデンサにおいて、前記内部電極間に挟
まれた誘電体層を、少なくとも温度特性変化がB特性を
満たす2種以上の比誘電率に対する温度特性が異なる誘
電体層によって構成される積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項2】 誘電体層と内部電極が交互に積層される
とともに前記内部電極の少なくとも一端と電気的に接続
するように設けられた端面電極を備えた積層セラミック
コンデンサにおいて、前記内部電極間に挟まれた誘電体
層部を、少なくとも温度特性変化がB特性を満たす2種
以上の比誘電率の温度特性が異なる誘電体層で構成する
とともにこの誘電体層の層間に設けられた前記端面電極
と電気的に接続しない金属層とからなる積層セラミック
コンデンサ。 - 【請求項3】 誘電体塗料を塗工、乾燥してグリーンシ
ートを形成後、このグリーンシートの上に前記誘電体と
は異なる比誘電率の温度特性を有する誘電体塗料を塗
工、乾燥する工程を必要回数繰り返して多層グリーンシ
ートを作成する第1工程と、この第1工程で得られた前
記多層グリーンシート上に内部電極パターンを形成する
第2工程と、この第2工程で得られた電極パターン形成
済み多層グリーンシートを必要枚数積層した後、所定形
状に切断してチップ積層体を形成する第3工程と、この
第3工程で得られたチップ積層体を焼成後、端面に端面
電極を形成する第4工程とからなる積層セラミックコン
デンサの製造方法。 - 【請求項4】 第1のフィルム上に形成された誘電体グ
リーンシートのフィルム剥離面と、第2のフィルム上に
形成された前記誘電体とは異なる比誘電率の温度特性を
有する誘電体グリーンシートの表面とを加熱圧着した
後、第2のフィルムのみを剥離して誘電体グリーンシー
トを転写する工程を必要回数繰り返して多層グリーンシ
ートを作成する第1工程と、この第1工程で得られた多
層グリーンシート上に内部電極パターンを形成する第2
工程と、この第2工程で得られた電極パターン形成済み
多層グリーンシートを必要回数積層した後、所定形状に
切断してチップ積層体を作成する第3工程と、この第3
工程で得られたチップ積層体を焼成後、端面電極を形成
する第4工程とからなる積層セラミックコンデンサの製
造方法。 - 【請求項5】 第1のフィルム上に形成された誘電体グ
リーンシートのフィルム剥離面上に、所定のパターンで
金属塗料を印刷した後、前記金属パターン形成済みグリ
ーンシートの金属パターン形成面と第2のフィルム上に
形成された前記誘電体とは異なる比誘電率の温度特性を
有する誘電体グリーンシートの表面とを加熱圧着し、第
2のフィルムのみを剥離する工程を必要回数繰り返して
金属層内蔵多層グリーンシートを作成する第1工程と、
この第1工程で得られた金属層上内蔵多層グリーンシー
ト上に内部電極パターンを形成する第2工程と、この第
2工程で得られた電極パターン形成済み金属層内蔵多層
グリーンシートを必要回数積層した後、所定形状に切断
してチップ積層体を作成する第3工程と、この第3工程
で得られたチップ積層体を焼成後、端面電極を形成する
第4工程とからなる積層セラミックコンデンサの製造方
法。 - 【請求項6】 第1のフィルム上に形成された誘電体グ
リーンシートのフィルム剥離面と、第2のフィルム上に
所定のパターンで形成された金属パターンの表面とを加
熱圧着した後、第2のフィルムのみを剥離して金属パタ
ーン形成済みグリーンシートを作成し、前記金属パター
ン形成済みシートの金属パターン形成面と第3のフィル
ム上に形成された前記誘電体とは異なる比誘電率の温度
特性を有する誘電体グリーンシートの表面とを加熱圧着
した後、第3のフィルムのみを剥離する工程を必要回数
繰り返して金属層内蔵多層グリーンシートを作成する第
1工程と、この第1工程で得られた金属層内蔵多層グリ
ーンシート上に内部電極パターンを形成する第2工程
と、この第2工程で得られた電極パターン形成済み金属
層内蔵多層グリーンシートを必要回数積層した後、所定
形状に切断してチップ積層体を作成する第3工程と、こ
の第3で得られたチップ積層体を焼成後、端面に端面電
極を形成する第4工程とからなる積層セラミックコンデ
ンサの製造方法。 - 【請求項7】 誘電体塗料を塗工、乾燥してグリーンシ
ートを得た後、前記グリーンシートの上に所定のパター
ンで金属層を形成し、さらに前記金属パターン形成済み
グリーンシートの上に前記誘電体とは異なる比誘電率の
温度特性を有する誘電体塗料を塗工、乾燥する工程を必
要回数繰り返して金属内蔵多層グリーンシートを作成す
る第1工程と、この第1工程で得られた金属層内蔵多層
グリーンシート上に内部電極パターンを形成する第2工
程と、この第2工程で得られた電極パターン形成済み金
属層内蔵多層グリーンシートを必要回数積層した後、所
定形状に切断してチップ積層体を作成する第3工程と、
この第3工程で得られたチップ積層体を焼成後、端面に
端面電極を形成する第4工程とからなる積層セラミック
コンデンサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11061299A JP2000260655A (ja) | 1999-03-09 | 1999-03-09 | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
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---|---|---|---|
JP11061299A JP2000260655A (ja) | 1999-03-09 | 1999-03-09 | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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JP11061299A Pending JP2000260655A (ja) | 1999-03-09 | 1999-03-09 | 積層セラミックコンデンサ及びその製造方法 |
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JP (1) | JP2000260655A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003017357A (ja) * | 2001-06-29 | 2003-01-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 積層セラミック電子部品の製造方法 |
US7319081B2 (en) | 2003-02-27 | 2008-01-15 | Tdk Corporation | Thin film capacity element composition, high-permittivity insulation film, thin film capacity element, thin film multilayer capacitor, electronic circuit and electronic apparatus |
JP2018026582A (ja) * | 2012-11-07 | 2018-02-15 | カーバー サイエンティフィック インコーポレイテッドCarver Scientific, Inc. | 高エネルギー密度静電キャパシタ |
-
1999
- 1999-03-09 JP JP11061299A patent/JP2000260655A/ja active Pending
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Date | Code | Title | Description |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20060509 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060704 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101215 Year of fee payment: 4 |
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FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
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