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DE10122666A1 - Licht emittierendes Element vom rückseitig Licht emittierenden Chiptyp und isolierendes Substrat dafür - Google Patents

Licht emittierendes Element vom rückseitig Licht emittierenden Chiptyp und isolierendes Substrat dafür

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DE10122666A1
DE10122666A1 DE10122666A DE10122666A DE10122666A1 DE 10122666 A1 DE10122666 A1 DE 10122666A1 DE 10122666 A DE10122666 A DE 10122666A DE 10122666 A DE10122666 A DE 10122666A DE 10122666 A1 DE10122666 A1 DE 10122666A1
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Germany
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light
insulating substrate
electrodes
emitting
substrate
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DE10122666A
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English (en)
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Hiroki Ishinaga
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Rohm Co Ltd
Original Assignee
Rohm Co Ltd
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Publication date
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Abstract

Es wird vorgeschlagen, ein Licht emittierendes Element vom rückseitig Licht emittierenden Chiptyp, mit wenigstens drei inneren Elektroden (2) und wenigstens drei äußeren Elektroden (3), die mit den jeweiligen inneren Elektroden (2) elektrisch verbunden sind, und zwar auf einer Hauptfläche eines isolierenden Substrates (1) und mit wenigstens zwei Licht emittierenden Chips (4), die mit den inneren Elektroden (2) verbunden sind. Die Licht emittierenden Chips (4) können jeweils Licht unterschiedlicher Farbe emittieren (Fig. 2).

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Licht emittierendes Ele­ ment vom rückseitig Licht emittierenden Chiptyp, wie es in ver­ schiedene Arten von dünnen Maschinen und Werkzeugen eingebaut werden kann.
Fig. 7 ist eine schematische Schnittansicht eines herkömmlichen Licht emittierenden Elementes vom rückseitig Licht emittieren­ den Chiptyp und Fig. 8 ist eine schematische Draufsicht auf das Licht emittierende Element. Ein Paar von inneren Elektroden 52r, 52l ist in einem inneren Bereich auf einer Hauptfläche eines rechteckigen isolierenden Substrates 51 ausgebildet. Ein Licht emittierender Chip 54 ist auf eine innere Elektrode 52r preßkontaktiert ("die-bonded"). Der Licht emittierende Chip 54 und die andere innere Elektrode 52r sind über einen Kontaktie­ rungsdraht 55 elektrisch miteinander verbunden. Auf der Hauptfläche des isolierenden Substrates 51 ist ein Bereich ein­ schließlich des Licht emittierenden Chips 54, des Kontaktie­ rungsdrahtes 55 und des Verbindungsabschnittes des Kontaktie­ rungsdrahtes 55 auf der inneren Elektrode 52l durch ein licht­ durchlässiges Element 56 geschützt.
An den gegenüberliegenden seitlichen Abschnitten des isolieren­ den Substrates 51 sind äußere Elektroden 53r, 53l ausgebildet, und zwar so, daß sie sich von der Hauptfläche des isolierenden Substrates 51 über dessen jeweilige seitliche Fläche erstrec­ ken.
Die inneren Elektroden 52r, 52l sind in der Nachbarschaft der Endabschnitte des isolierenden Substrates 51 jeweils mit den äußeren Elektroden 53r, 53l verbunden.
An vorbestimmten Positionen auf einem Verdrahtungssubstrat 57, auf dem das oben genannte Licht emittierende Element vom rück­ seitig Licht emittierenden Chiptyp montiert ist, sind Elektro­ denpads 58 ausgebildet. Die Elektrodenpads 58 und die äußeren Elektroden 53r, 53l des Licht emittierenden Elementes vom rück­ seitig Licht emittierenden Chiptyp sind durch Lötstellen 59 miteinander kontaktiert. Da die äußeren Elektroden 53r, 53l über den zwei Flächen ausgebildet sind, d. h. der oben genannten Hauptfläche und der seitlichen Fläche des isolierenden Substra­ tes 51, wird das Licht emittierende Element mittels der Löt­ stellen 59 an der oberen Fläche und den seitlichen Flächen des isolierenden Substrates 51 gelagert.
In dem Verdrahtungssubstrat 57 ist ein Durchgangsloch 60 vorge­ sehen und das Licht emittierende Element vom rückseitig Licht emittierenden Chiptyp ist derart gelagert, daß dessen Abschnitt mit dem lichtdurchlässigen Element 56 in das Durchgangsloch 60 eingeführt ist. Folglich ist das von dem Licht emittierenden Element vom rückseitig Licht emittierenden Chiptyp emittierte Licht in Richtung eines Pfeils A sichtbar, der in Fig. 7 zu sehen ist, d. h. von der gegenüberliegenden Seite der Montage­ fläche 57a des Verdrahtungssubstrates 57.
Bei einem derartigen herkömmlichen Licht emittierenden Element vom rückseitig Licht emittierenden Chiptyp, wie es oben be­ schrieben ist, ist nur ein Licht emittierender Chip 54 mon­ tiert. Daher läßt sich nur eine Art von emittiertem Licht mit einer bestimmten Farbe und Helligkeit erhalten.
Wenn andererseits eine Vielzahl von isolierenden Substraten 51 gleichzeitig hergestellt werden, werden individuelle Stücke von isolierenden Substraten 51 aus einem großen isolierenden Aus­ gangssubstrat herausgeschnitten, wie es in Fig. 9 gezeigt ist. In dem Ausgangssubstrat sind individuelle Bereiche 51A (in Fig. 9 ist ein individueller Bereich 51A schraffiert gezeigt) ent­ sprechend individuellen Stücken von isolierenden Substraten 51 lateral in engem Kontakt zueinander angeordnet und sind in Längsrichtung zu einander ausgerichtet, wobei dazwischen schlitzförmige Abstände B vorgesehen sind. Die Vielzahl von in­ dividuellen Bereichen 51A bildet eine große Substratlage, die von einem Rahmenabschnitt 51B gelagert ist. Die Abstände B sind erforderlich, um an den seitlichen Flächen 51a der isolierenden Substrate 51 externe Elektroden 53 auszubilden, durch Plattie­ ren oder dergleichen. Es ist ferner ein Nachteil dieses her­ kömmlichen Standes der Technik, daß aufgrund des Bereitstellens der Abstände B nur eine geringe Anzahl von individuellen Stüc­ ken von isolierenden Substraten 51 aus einem großen isolieren­ den Ausgangssubstrat ausgeschnitten werden kann.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Licht emit­ tierendes Element vom rückseitig Licht emittierenden Chiptyp anzugeben, das in der Lage ist, zwei oder mehr Arten von Farben zu emittieren, sowie ein isolierendes Substrat, das hierfür verwendet wird.
Eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es, ein Licht emittierendes Element vom rückseitig Licht emittierenden Chiptyp anzugeben, das eine Elektrodenanordnung aufweist, mit der sich eine stabile Kontaktierungsfestigkeit erzielen läßt, wenn es an einem Verdrahtungssubstrat montiert ist, sowie ein isolierendes Substrat, das dafür verwendet wird.
Ein Licht emittierendes Element vom rückseitig Licht emittie­ renden Chiptyp gemäß der vorliegenden Erfindung beinhaltet ein isolierendes Substrat, wenigstens drei innere Elektroden, die auf einer Hauptfläche des isolierenden Substrates ausgebildet sind, wenigstens drei äußere Elektroden, die auf der einen Hauptfläche des isolierenden Substrates ausgebildet sind und mit den wenigstens drei inneren Elektroden jeweils elektrisch verbunden sind, und wenigstens zwei Licht emittierende Chips, die mit den inneren Elektroden elektrisch verbunden sind.
Mit dieser Struktur, durch Montieren von wenigstens zwei Licht emittierenden Chips, läßt sich Licht zweier oder mehrerer Farbarten emittieren. Beispielsweise läßt sich Licht mit zwei oder mehr Farben beobachten, wenn man Licht emittierende Chips mit jeweils unterschiedlichen Emissionsfarben verwendet und se­ lektiv einen oder mehrere der Licht emittierenden Chips Licht emittieren läßt. Ferner läßt sich die Helligkeit des emittier­ ten Lichtes verändern, indem man eine Vielzahl von Licht emit­ tierenden Chips mit derselben Emissionsfarbe verändert und in­ dem man die Anzahl der Licht emittierenden Chips verändert, die Licht zur gleichen Zeit emittieren.
Das isolierende Substrat kann im wesentlichen rechteckig ausge­ bildet werden. In diesem Fall können die äußeren Elektroden an den Eckenabschnitten ausgebildet sein, oder an einem Teil der seitlichen Abschnitte oder den jeweiligen ganzen seitlichen Ab­ schnitten des isolierenden Substrates.
Bei einer Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ist das isolierende Substrat im wesentlichen rechteckig und die äußeren Elektroden sind an jeweiligen wenigstens drei Eckenabschnitten des isolierenden Substrates ausgebildet. Indem man die äußeren Elektroden an den Eckenabschnitten des im wesentlichen rechtec­ kigen isolierenden Substrates ausbildet, läßt sich das isolie­ rende Substrat fest an Elektrodenpads kontaktieren, die an ei­ nem Verdrahtungssubstrat vorgesehen sind.
Bei einer weiteren Ausführungsform der vorliegenden Erfindung sind an den wenigstens drei Eckenabschnitten des isolierenden Substrates jeweils Einviertel-Durchgangslöcher ausgebildet, die jeweils eine elektrisch leitende innere Wand aufweisen. Hier­ durch wird das isolierende Substrat auch von der seitlichen Fläche aus gelagert, wenn das isolierende Substrat an ein Ver­ drahtungssubstrat kontaktiert wird, so daß die Kontaktierungs­ festigkeit stabiler wird. Vorzugsweise ist die innere Wand von jedem Einviertel-Durchgangsloch mit Leitfähigkeit ausgestattet, indem ein metallisches Material mit einer günstigen Löt­ benetzungseigenschaft verwendet wird.
Wenn ein Licht emittierendes Element vom rückseitig Licht emit­ tierenden Chiptyp der vorliegenden Erfindung hergestellt wird, werden im Schritt des Ausschneidens einer Vielzahl von indivi­ duellen Stücken von isolierenden Substraten aus einem größeren isolierenden Substrat, von denen jedes für das Licht emittie­ rende Element brauchbar ist, in dem größeren isolierenden Substrat Durchgangslöcher ausgebildet und die inneren Wände der Durchgangslöcher werden jeweils so behandelt, daß sie leitend werden. Anschließend lassen sich Einviertel-Durchgangslöcher bilden, indem die Vielzahl von isolierenden Substraten aus dem größeren isolierenden Substrat so ausgeschnitten werden, daß jedes Durchgangsloch in Viertel unterteilt werden kann. Durch Einsatz dieser Technik können individuelle Bereiche entspre­ chend den individuellen Stücken von isolierenden Substraten, die auszuschneiden sind, in engem Kontakt zueinander in einem größeren isolierenden Substrat angeordnet werden. Im Ergebnis läßt sich die Anzahl der aus einem größeren isolierenden Substrat mit einer vorbestimmten Fläche erhältlichen isolieren­ den Einzelsubstrate steigern.
Ein isolierendes Substrat gemäß der Erfindung, das für ein Licht emittierendes Element vom rückseitig Licht emittierenden Chiptyp verwendbar ist, ist mit wenigstens drei inneren Elek­ troden und wenigstens drei äußeren Elektroden ausgebildet, die auf einer Hauptfläche des isolierenden Substrates mit den inne­ ren Elektroden verbunden sind. Die äußeren Elektroden sind in Bezug auf die inneren Elektroden an der umfänglichen Seite des isolierenden Substrates angeordnet.
Ein derartiges isolierendes Substrat ist besonders brauchbar für das oben genannte Licht emittierende Element vom rückseitig Licht emittierenden Chiptyp.
Das isolierende Substrat, das für das Licht emittierende Ele­ ment vom rückseitig Licht emittierenden Chiptyp verwendbar ist, kann im wesentlichen rechteckig ausgebildet sein. In diesem Fall ist es von Vorzug, wenn die äußeren Elektroden jeweils an den wenigstens drei Eckenabschnitten des isolierenden Substra­ tes ausgebildet sind.
Die vorstehenden und weiteren Aufgaben, Merkmale, Aspekte und Vorteile der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der nach­ stehenden detaillierten Beschreibung von Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung in Verbindung mit der beigefügten Zeich­ nung. Es zeigen:
Fig. 1 eine schematische Schnittansicht eines Licht emit­ tierenden Elementes vom rückseitig Licht emittieren­ den Chiptyp gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 2 eine schematische Draufsicht auf das Licht emittie­ rende Element der ersten Ausführungsform;
Fig. 3 eine schematische Schnittansicht eines großen iso­ lierenden Ausgangssubstrates, aus dem eine Vielzahl von isolierenden Substraten gemäß der ersten Ausfüh­ rungsform ausgeschnitten werden;
Fig. 4 eine schematische Schnittansicht eines Licht emit­ tierenden Elementes vom rückseitig Licht emittieren­ den Chiptyp gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 5 eine schematische Draufsicht auf das Licht emittie­ rende Element der zweiten Ausführungsform;
Fig. 6 eine schematische Schnittansicht eines Licht emit­ tierenden Elementes vom rückseitig Licht emittieren­ den Chiptyp gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung;
Fig. 7 eine schematische Schnittansicht eines herkömmlichen Licht emittierenden Elementes vom rückseitig Licht emittierenden Chiptyp;
Fig. 8 eine schematische Draufsicht auf das herkömmliche Licht emittierende Element; und
Fig. 9 eine schematische Schnittansicht eines großen iso­ lierenden Ausgangssubstrates, aus dem eine Vielzahl von isolierenden Substraten für herkömmliche Licht emittierende Elemente vom rückseitig Licht emittie­ renden Chiptyp ausgeschnitten werden.
In Fig. 1 ist eine schematische Schnittansicht eines Licht emittierenden Elementes vom rückseitig Licht emittierenden Chiptyp gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.
Fig. 2 ist eine schematische Draufsicht auf das Licht emittie­ rende Element. In einem inneren Bereich auf einer Hauptfläche eines im wesentlichen rechteckigen isolierenden Substrates 1 sind zwei Paare von inneren Elektroden 2ar, 2al, 2br, 2bl aus­ gebildet (die in Fig. 1 generell mit der Bezugsziffer "2" ver­ sehen sind).
Ein Licht emittierender Chip 4a ist auf die innere Elektrode 2ar preß-kontaktiert. Der Licht emittierende Chip 4a und die innere Elektrode 2al sind miteinander über einen Kontaktie­ rungsdraht 5a verbunden. Auf ähnliche Weise ist ein Licht emit­ tierender Chip 4b auf die innere Elektrode 2br preß-kontaktiert und der Licht emittierende Chip 4b und die innere Elektrode 2bl sind miteinander mittels eines Kontaktierungsdrahtes 5b verbun­ den. Die Licht emittierenden Chips 4a, 4b (die in Fig. 1 gene­ rell mit der Bezugsziffer 4 versehen sind) emittieren jeweils Licht einer anderen Farbe.
Auf der Hauptfläche des isolierenden Substrates 1 sind die Licht emittierenden Chips 4a, 4b, die Kontaktierungsdrähte 5a, 5b (die in Fig. 1 generell mit der Bezugsziffer 5 versehen sind), der Verbindungsabschnitt zwischen der inneren Elektrode 2al und dem Kontaktierungsdraht 5a und der Verbindungsabschnitt zwischen der inneren Elektrode 2bl und dem Kontaktierungsdraht 5b mittels eines lichtdurchlässigen Elementes 6 abgedeckt und geschützt.
An den vier Eckenabschnitten auf der Hauptfläche des im wesent­ lichen rechteckigen isolierenden Substrates 1 sind jeweils äußere Elektroden 3ar, 3al, 3br, 3bl ausgebildet (die in Fig. 1 generell mit der Bezugsziffer "3" versehen sind). Ferner ist an jedem der vier Eckenabschnitte des isolierenden Substrates 1 ein Einviertel-Durchgangsloch ausgebildet. Die innere Fläche 1t von jedem Einviertel-Durchgangsloch ist elektrisch leitend aus­ gebildet und kontinuierlich ausgehend von der Hauptfläche des Substrates 1, so daß die innere Fläche 1t jeweils einen Teil der äußeren Elektroden 3ar, 3al, 3br und 3bl bildet. Mit ande­ ren Worten erstreckt sich jede der äußeren Elektroden 3ar, 3al, 3br, 3bl von der Hauptfläche des isolierenden Substrates 1 aus über die innere Fläche 1t von jedem Einviertel-Durchgangsloch.
Die vier inneren Elektroden 2ar, 2al, 2br und 2bl sind mit den jeweiligen äußeren Elektroden 3ar, 3al, 3br und 3bl verbunden.
Mit den obigen Verbindungen emittiert das Licht emittierende Element 4a Licht, wenn ein elektrischer Strom zwischen den äußeren Elektroden 3ar und 3al zugeführt wird bzw. an diese Elektroden eine elektrische Spannung angelegt wird, und der Licht emittierende Chip 4b emittiert Licht, wenn eine elektri­ sche Spannung an die äußeren Elektroden 3br und 3bl angelegt wird. Da die zwei Licht emittierenden Chips 4a, 4b jeweils Licht einer anderen Farbe emittieren, läßt sich emittiertes Licht in zwei Farben erhalten, indem selektiv ein elektrischer Strom durch einen der zwei Licht emittierenden Chips 4a, 4b zu­ geführt wird. Ferner läßt sich durch gleichzeitiges Zuführen von elektrischen Strömen durch die zwei Licht emittierenden Chips 4a, 4b Licht einer Mischfarbe beobachten, die sich von den jeweiligen Lichtfarben unterscheidet, die von den Licht emittierenden Chips 4a bzw. 4b jeweils einzeln emittiert wer­ den.
An vorbestimmten Positionen auf einem Verdrahtungssubstrat 7, an dem das oben genannte Licht emittierende Element vom rück­ seitig emittierenden Chiptyp montiert wird, sind Elektrodenpads 8 ausgebildet (siehe Fig. 1). Die Elektrodenpads 8 und die ent­ sprechenden äußeren Elektroden 3ar, 3al, 3br, 3bl des Licht emittierenden Elementes vom rückseitig Licht emittierenden Chiptyp sind aneinander durch Lötstellen 9 kontaktiert. Folg­ lich wird das Licht emittierende Element vom rückseitig Licht emittierenden Chiptyp mittels der Lötstellen 9 an den Hauptflä­ chenabschnitten und den Seitenflächenabschnitten des isolieren­ den Substrates 1 gelagert, und zwar jeweils an den vier Ecken­ abschnitten.
Fig. 3 ist eine schematische Draufsicht auf ein großes isolie­ rendes Ausgangssubstrat, aus dem eine Vielzahl von isolierenden Substraten 1, wie sie für diese Ausführungsform verwendet wer­ den, im wesentlichen gleichzeitig hergestellt werden. Individu­ elle Bereiche 1A (ein individueller Bereich 1A ist in Fig. 3 schraffiert gezeigt) entsprechend einzelnen Stücken von isolie­ renden Substraten 1 sind sowohl longitudinal als auch lateral in engem Kontakt zueinander angeordnet, und an den Ecken von jedem individuellen Bereich lA sind Durchgangslöcher T ausge­ bildet. Folglich ist es durch Bereitstellen von Leitfähigkeit an den inneren Flächen der Durchgangslöcher T in dem isolieren­ den Ausgangssubstrat und anschließendes Ausschneiden von indi­ viduellen Stücken von isolierenden Substraten möglich, isolie­ rende Substrate 1 zu erhalten, die jeweils an ihren vier Ecken Einviertel-Durchgangslöcher aufweisen, die jeweils an ihrer in­ neren Fläche 1t mit den äußeren Elektroden 3ar, 3al, 3br bzw. 3bl bzw. Teilen davon versehen sind.
Es ist mit anderen Worten möglich, an den richtigen Abschnitten des isolierenden Ausgangssubstrates äußere Elektroden 3ar, 3al, 3br, 3bl auszubilden, ohne Abstände bzw. Spalte (z. B. den Ab­ stand B in Fig. 9) vorzusehen, die lediglich für eine Behand­ lung zum Bereitstellen von leitfähigen Abschnitten vorgesehen werden. Demgemäß läßt sich eine erhöhte Anzahl von einzelnen Stücken von isolierenden Substraten 1 aus einem großen isolie­ renden Ausgangssubstrat erhalten.
Fig. 4 ist eine schematische Schnittansicht eines Licht emit­ tierenden Elementes vom rückseitig Licht emittierenden Chiptyp gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung, und Fig. 5 ist eine schematische Draufsicht auf das Licht emit­ tierende Element. Das Licht emittierende Element dieser Ausfüh­ rungsform ist jenem der ersten Ausführungsform ähnlich, mit der Ausnahme der Form des isolierenden Substrates und der Art der Anordnung der externen Elektroden. Folglich sind die in den Fig. 4 und 5 gezeigten Elemente, die jenen entsprechen, die in den Fig. 1 und 2 gezeigt sind, mit denselben Bezugsziffern wie in den Fig. 1 und 2 versehen.
Zwei Paare von inneren Elektroden 2ar, 2al, 2br, 2bl (in Fig. 4 generell mit der Bezugsziffer "2" versehen) sind in dem inneren Bereich einer Hauptfläche eines rechteckigen isolierenden Substrates 1 ausgebildet.
Ein Licht emittierender Chip 4a ist auf die innere Elektrode 2ar preß-kontaktiert ("die-bonded"). Der Licht emittierende Chip 4a und die innere Elektrode 2al sind miteinander mittels eines Kontaktierungsdrahtes 5a verbunden. Auf ähnliche Weise ist ein Licht emittierender Chip 4b auf die innere Elektrode 2br preß-kontaktiert und der Licht emittierende Chip 4b und die innere Elektrode 2bl sind miteinander mittels eines Kontaktie­ rungsdrahtes 5b verbunden. Die Licht emittierenden Chips 4a, 4b (die in Fig. 4 generell mit der Bezugsziffer "4" versehen sind) emittieren Licht jeweils unterschiedlicher Farbe.
Auf der Hauptfläche des isolierenden Substrates 1 sind die Licht emittierenden Chips 4a, 4b, die Kontaktierungsdrähte 5a, 5b (die in Fig. 4 generell mit der Bezugsziffer "5" versehen sind), der Verbindungsabschnitt zwischen der inneren Elektrode 2al und dem Kontaktierungsdraht 5a und der Verbindungsabschnitt zwischen der inneren Elektrode 2bl und dem Kontaktierungsdraht 5b mittels eines lichtdurchlässigen Elementes 6 abgedeckt und geschützt.
An den vier Eckenabschnitten an der Hauptfläche des rechtecki­ gen isolierenden Substrates 1 sind äußere Elektroden 3ar, 3al, 3br, 3bl ausgebildet (die in Fig. 4 generell mit der Bezugszif­ fer "3" versehen sind). In dem isolierenden Substrat 1 sind keine Einviertel-Durchgangslöcher ausgebildet und die äußeren Elektroden 3ar, 3al, 3br, 3bl sind nicht an den seitlichen Flä­ chen des isolierenden Substrates 1 ausgebildet bzw. erstrecken sich nicht über diese.
Die vier inneren Elektroden 2ar, 2al, 2br, 2bl sind mit den äu­ ßeren Elektroden 3ar, 3al, 3br bzw. 3bl verbunden.
Bei den oben genannten Anschlüssen bzw. Verbindungen emittiert das Licht emittierende Element 4a Licht, wenn ein elektrischer Strom zwischen den äußeren Elektroden 3ar und 3al zugeführt wird bzw. an diese Elektroden eine elektrische Spannung ange­ legt wird, und der Licht emittierende Chip 4b emittiert Licht, wenn an die äußeren Elektroden 3br und 3bl eine elektrische Spannung angelegt wird. Da die zwei Licht emittierenden Chips 4a, 4b Licht unterschiedlicher Farbe emittieren, kann emittier­ tes Licht in zwei Farben erhalten werden, indem selektiv ein elektrischer Strom durch einen der zwei Licht emittierenden Chips 4a, 4b geführt wird. Ferner läßt sich Licht einer Misch­ farbe beobachten, indem gleichzeitig elektrische Ströme durch die zwei Licht emittierenden Chips 4a, 4b geführt werden, wobei die Mischfarbe sich von jeder der Einzelfarben unterscheidet, die von den Licht emittierenden Chips 4a bzw. 4b jeweils ein­ zeln emittiert werden.
An vorbestimmten Positionen auf einem Verdrahtungssubstrat 7, an dem das Licht emittierende Element vom rückseitig Licht emittierenden Chiptyp montiert wird (siehe Fig. 4) sind Elek­ trodenpads 8 ausgebildet. Die Elektrodenpads 8 und die entspre­ chenden äußeren Elektroden 3ar, 3al, 3br, 3bl des Licht emit­ tierenden Elementes vom rückseitig Licht emittierenden Chiptyp sind lediglich an den entsprechenden Flächen mittels Lötstellen 9 miteinander kontaktiert. In dem Fall, in dem eine hohe Kontaktierungsfestigkeit zwischen dem Licht emittierenden Ele­ ment vom rückseitig Licht emittierenden Typ und dem Verdrah­ tungssubstrat 7 nicht notwendig ist, ist eine derartige Kontak­ tierungsart zulässig.
Fig. 6 ist eine schematische Draufsicht auf ein Licht emittie­ rendes Element vom rückseitig Licht emittierenden Chiptyp gemäß einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Bei dieser Ausführungsform sind an einem Licht emittierenden Ele­ ment vom rückseitig Licht emittierenden Chiptyp drei Licht emittierende Chips 4a, 4b, 4c vorgesehen.
In dem inneren Bereich an einer Hauptfläche eines rechteckigen isolierenden Substrates 1 sind vier innere Elektroden 2a bis 2d ausgebildet. An die drei inneren Elektroden 2a bis 2c der vier inneren Elektroden 2a bis 2d sind die drei Licht emittierenden Chips 4a bis 4c jeweilig preß-kontaktiert. Die Licht emittie­ renden Chips 4a bis 4c sind in einer Linie miteinander ausge­ richtet. Die verbleibende innere Elektrode 2d hat eine längli­ che Form parallel zur Richtung der Ausrichtung der drei Licht emittierenden Chips 4a bis 4c. Die innere Elektrode 2d dient als eine gemeinsame Elektrode, an die die drei Licht emittie­ renden Chips 4a bis 4c mittels jeweiliger Kontaktierungsdrähte 5a bis 5c angeschlossen sind. Die Licht emittierenden Chips 4a bis 4c emittieren jeweils Licht einer anderen Farbe.
Auf der Hauptfläche des isolierenden Substrates 1 sind die Licht emittierenden Chips 4a bis 4c, die Kontaktierungsdrähte 5a bis 5c und die Verbindungsabschnitte zwischen der inneren Elektrode 2d und den Kontaktierungsdrähten 5a, 5b und 5c abge­ deckt und geschützt mittels eines lichtdurchlässigen Elementes 6.
An den Eckenabschnitten an der Hauptfläche des rechteckigen isolierenden Substrates 1 sind äußere Elektroden 3a bis 3d aus­ gebildet. In dem isolierenden Substrat 1 sind keine Einviertel- Durchgangslöcher ausgebildet und die äußeren Elektroden 3a bis 3d sind nicht an den seitlichen Flächen des isolierenden Substrates 1 ausgebildet bzw. erstrecken sich nicht hierüber.
Die vier inneren Elektroden 2a bis 2d sind mit den jeweiligen vier äußeren Elektroden 3a bis 3d verbunden.
Bei den obigen Verbindungen emittiert das Licht emittierende Element 4a Licht, wenn eine elektrische Spannung an die äußeren Elektroden 3a und 3d angelegt wird, der Licht emittierende Chip 4b emittiert Licht, wenn eine elektrische Spannung an die äuße­ ren Elektroden 3b und 3d angelegt wird, und der Licht emittie­ rende Chip 4c emittiert Licht, wenn eine elektrische Spannung an die äußeren Elektroden 3c und 3d angelegt wird. Da die drei Licht emittierenden Chips 4a bis 4c Licht unterschiedlicher Farbe emittieren, läßt sich emittiertes Licht in drei Farben erhalten, indem selektiv ein elektrischer Strom durch einen der drei Licht emittierenden Chips 4a bis 4c zugeführt wird. Ferner läßt sich Licht einer Mischfarbe beobachten, die von jeder Ein­ zelfarbe des von den Licht emittierenden Chips 4a bis 4c emit­ tierten Lichtes unterschiedlich ist, indem durch zwei oder mehr der drei Licht emittierenden Chips 4a bis 4c selektiv und gleichzeitig elektrische Ströme zugeführt werden.
Wie oben erwähnt, ist es durch Zusammenpacken einer Vielzahl von Licht emittierenden Chips 4 möglich, ein Licht emittieren­ des Element vom rückseitig Licht emittierenden Chiptyp zu er­ halten, das in der Lage ist, Licht in zwei unterschiedlichen Farben zu emittieren. Ein derartiges Licht emittierendes Ele­ ment vom rückseitig Licht emittierenden Chiptyp läßt sich rea­ lisieren, indem ein isolierendes Substrat verwendet wird, das mit Sätzen von inneren und äußeren Elektroden versehen ist, die in der Lage sind, eine Vielzahl von Licht emittierenden Chips zu montieren.
Ferner läßt sich bei einem derartigen Licht emittierenden Ele­ ment vom rückseitig Licht emittierenden Chiptyp durch Verwen­ dung eines im wesentlichen rechteckigen isolierenden Substrates 1, das an seinen vier Ecken mit äußeren Elektroden 3 zu An­ schlußzwecken versehen ist, eine stabile Kontaktierungsfestig­ keit in Bezug auf ein Verdrahtungssubstrat 7 erhalten.
Bei den oben erwähnten Ausführungsformen emittieren die Viel­ zahl von Licht emittierenden Chips, die in einem Licht emittie­ renden Element vom rückseitig Licht emittierenden Chiptyp zu­ sammengepackt sind, Licht jeweils unterschiedlicher Farbe. Die Licht emittierenden Chips können jedoch auch Licht derselben Farbe emittieren. In diesem Fall läßt sich die Helligkeit des emittierten Lichtes verändern, indem die Anzahl der Licht emit­ tierten Chips verändert wird, durch die gleichzeitig elektri­ sche Ströme fließen.
Ferner sind die äußeren Elektroden bei den oben genannten Aus­ führungsformen lediglich an den Eckenabschnitten des im wesent­ lichen rechteckigen isolierenden Substrates vorgesehen. Die äußeren Elektroden können jedoch teilweise oder insgesamt an den seitlichen Abschnitten des im wesentlichen rechteckigen Substrates vorgesehen sein. Wenn jede äußere Elektrode in einen Teil des seitlichen Abschnittes des isolierenden Substrates vorgesehen werden soll, kann ein Einviertel-Durchgangsloch in jenem Teil des isolierenden Substrates vorgesehen werden und die innere Fläche des Einviertel-Durchgangsloches kann leitend ausgebildet werden, so daß sie als ein Teil der äußeren Elek­ trode dient.
Ferner hat die oben genannte dritte Ausführungsform eine Struk­ tur, bei der drei Licht emittierende Chips vorgesehen werden. Diese Struktur der dritten Ausführungsform ist auch anwendbar auf ein Licht emittierendes Element vom rückseitig Licht emit­ tierenden Chiptyp, das mit zwei Licht emittierenden Chips aus­ gestattet ist. Mit anderen Worten wird eine gemeinsame innere Elektrode vorgesehen, die gemeinsam an den zwei Licht emittie­ renden Chips angeschlossen ist, und es werden zwei einzelne in­ nere Elektroden vorgesehen, die jeweils einzeln an den zwei Licht emittierenden Chips angeschlossen sind. Äußere Elektroden werden an die gemeinsame innere Elektrode bzw. die zwei indivi­ duellen inneren Elektroden angeschlossen.
Obgleich die vorliegende Erfindung im Detail beschrieben und erläutert worden ist, versteht sich, daß diese Darstellung le­ diglich beispielhaft zu verstehen ist und keinesfalls ein­ schränkend, so daß der Schutzbereich der vorliegenden Erfindung lediglich durch die beigefügten Ansprüche eingeschränkt ist.
Die vorliegende Anmeldung entspricht der japanischen Patentan­ meldung Nr. 2000-146631, die am 18. Mai 2000 beim Japanischen Patentamt eingereicht wurde, und deren gesamte Offenbarung vor­ liegend durch Bezugnahme enthalten sein soll.

Claims (7)

1. Licht emittierendes Element vom rückseitig Licht emittie­ renden Chiptyp, mit:
einem isolierenden Substrat (1);
wenigstens drei inneren Elektroden (2), die auf einer Hauptfläche des isolierenden Substrates (1) ausgebildet sind;
wenigstens drei äußeren Elektroden (3), die auf der einen Hauptfläche des Substrates (1) ausgebildet sind und mit den wenigstens drei inneren Elektroden (2) jeweils elek­ trisch verbunden sind; und
wenigstens zwei Licht emittierenden Chips (4), die mit den inneren Elektroden (2) verbunden sind.
2. Element nach Anspruch 1, wobei das isolierende Substrat (1) eine im wesentlichen rechteckige Form besitzt und die wenigstens drei äußeren Elektroden (3) jeweils an einem von wenigstens drei Eckenabschnitten des isolierenden Substrates (1) ausgebildet sind.
3. Element nach Anspruch 2, wobei an den jeweiligen, wenig­ stens drei Eckenabschnitten des isolierenden Substrates (1) Einviertel-Durchgangslöcher (T) mit jeweils einer elektrisch leitenden inneren Wand (1t) ausgebildet sind.
4. Element nach einem der Ansprüche 1-3, wobei die wenig­ stens zwei Licht emittierenden Chips (4) jeweils Licht einer anderen Farbe emittieren.
5. Element nach einem der Ansprüche 1-4, wobei jeweils ein Terminal von jedem der wenigstens zwei Licht emittierenden Chips (4a-4c) gemeinsam an derselben äußeren Elektrode (3d) angeschlossen ist und wobei ein jeweils anderes Terminal an einer anderen äußeren Elektrode (3a-3c) an­ geschlossen ist.
6. Isolierendes Substrat (1) zur Verwendung mit einem Licht emittierenden Element vom rückseitig emittierenden Chip­ typ, wobei
auf einer Hauptfläche des isolierenden Substrates (1) wenigstens drei innere Elektroden (2) und wenigstens drei äußere Elektroden (3) ausgebildet sind, die mit den inne­ ren Elektroden (2) jeweils verbunden sind, und
die äußeren Elektroden (3) in Bezug auf die inneren Elek­ troden (2) an der einen Hauptfläche des isolierenden Substrates (1) peripherieseitig ausgebildet sind.
7. Substrat nach Anspruch 6, wobei das isolierende Substrat (1) eine im wesentlichen rechtec­ kige Form besitzt und die äußeren Elektroden (3) an jeweiligen, wenigstens drei Eckenabschnitten des isolierenden Substrates (1) ausgebil­ det sind.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015111492A1 (de) * 2015-07-15 2017-01-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement und Verfahren zur Herstellung von Bauelementen

Families Citing this family (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7244965B2 (en) 2002-09-04 2007-07-17 Cree Inc, Power surface mount light emitting die package
US7775685B2 (en) 2003-05-27 2010-08-17 Cree, Inc. Power surface mount light emitting die package
JP2004266246A (ja) * 2003-02-12 2004-09-24 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
JP2004311791A (ja) * 2003-04-08 2004-11-04 Sharp Corp 照明装置、バックライト装置および表示装置
US7825421B2 (en) 2003-09-19 2010-11-02 Panasonic Corporation Semiconductor light emitting device
US9793247B2 (en) 2005-01-10 2017-10-17 Cree, Inc. Solid state lighting component
US9070850B2 (en) 2007-10-31 2015-06-30 Cree, Inc. Light emitting diode package and method for fabricating same
US7821023B2 (en) 2005-01-10 2010-10-26 Cree, Inc. Solid state lighting component
KR100663906B1 (ko) * 2005-03-14 2007-01-02 서울반도체 주식회사 발광 장치
US20060292747A1 (en) * 2005-06-27 2006-12-28 Loh Ban P Top-surface-mount power light emitter with integral heat sink
KR101200400B1 (ko) * 2005-12-01 2012-11-16 삼성전자주식회사 백색 발광 다이오드
JP2007165652A (ja) * 2005-12-14 2007-06-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 半導体発光装置
US9335006B2 (en) 2006-04-18 2016-05-10 Cree, Inc. Saturated yellow phosphor converted LED and blue converted red LED
WO2007139780A2 (en) 2006-05-23 2007-12-06 Cree Led Lighting Solutions, Inc. Lighting device and method of making
US10295147B2 (en) * 2006-11-09 2019-05-21 Cree, Inc. LED array and method for fabricating same
KR20080049947A (ko) * 2006-12-01 2008-06-05 엘지전자 주식회사 방송 시스템, 인터페이스 방법, 및 데이터 구조
JP5295783B2 (ja) * 2007-02-02 2013-09-18 セミコンダクター・コンポーネンツ・インダストリーズ・リミテッド・ライアビリティ・カンパニー 半導体装置
JP5013596B2 (ja) 2007-02-19 2012-08-29 シチズン電子株式会社 裏面実装型led
US7964888B2 (en) * 2007-04-18 2011-06-21 Cree, Inc. Semiconductor light emitting device packages and methods
KR101360732B1 (ko) * 2007-06-27 2014-02-07 엘지이노텍 주식회사 발광 다이오드 패키지
DE112008003747B4 (de) * 2008-02-29 2021-05-12 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Systeme und Verfahren zum Drucken auf ein Bahnsubstrat
US9425172B2 (en) 2008-10-24 2016-08-23 Cree, Inc. Light emitter array
US8090456B2 (en) * 2008-11-03 2012-01-03 United Technologies Corporation System and method for design and control of engineering systems utilizing component-level dynamic mathematical model
JP2009260394A (ja) * 2009-08-07 2009-11-05 Hitachi Aic Inc 発光素子搭載用の配線基板
JP2009260395A (ja) * 2009-08-07 2009-11-05 Hitachi Aic Inc 配線基板及びその製造方法
US8598809B2 (en) 2009-08-19 2013-12-03 Cree, Inc. White light color changing solid state lighting and methods
US9468070B2 (en) 2010-02-16 2016-10-11 Cree Inc. Color control of light emitting devices and applications thereof
CN103155141B (zh) 2010-02-24 2015-11-25 西铁城电子株式会社 安装基板及其安装构造
KR101618029B1 (ko) * 2010-12-06 2016-05-09 삼성전자주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조방법
US9786811B2 (en) 2011-02-04 2017-10-10 Cree, Inc. Tilted emission LED array
US10842016B2 (en) 2011-07-06 2020-11-17 Cree, Inc. Compact optically efficient solid state light source with integrated thermal management
USD700584S1 (en) 2011-07-06 2014-03-04 Cree, Inc. LED component
USD768093S1 (en) * 2014-02-27 2016-10-04 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode
USD772180S1 (en) * 2014-07-02 2016-11-22 Toyoda Gosei Co., Ltd. Light emitting diode
JP6477734B2 (ja) * 2016-06-30 2019-03-06 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5184114A (en) 1982-11-04 1993-02-02 Integrated Systems Engineering, Inc. Solid state color display system and light emitting diode pixels therefor
US4843280A (en) * 1988-01-15 1989-06-27 Siemens Corporate Research & Support, Inc. A modular surface mount component for an electrical device or led's
DE69119009T2 (de) 1990-09-21 1996-09-19 Sharp Kk Flüssigkristallanzeigeeinrichtung
JP2572192Y2 (ja) * 1991-03-19 1998-05-20 株式会社シチズン電子 チップ型発光ダイオード
JP2994800B2 (ja) * 1991-07-05 1999-12-27 シャープ株式会社 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法
JP3420612B2 (ja) * 1993-06-25 2003-06-30 株式会社東芝 Ledランプ
JPH07131072A (ja) * 1993-10-29 1995-05-19 Rohm Co Ltd 面実装型側面発光器、および、これを用いた発光装置、ならびにこの発光装置を用いた液晶表示装置
JP3672280B2 (ja) * 1996-10-29 2005-07-20 株式会社シチズン電子 スルーホール電極付き電子部品の製造方法
JP4010424B2 (ja) * 1997-02-05 2007-11-21 シチズン電子株式会社 側面型電子部品の電極構造及びその製造方法
JP3741512B2 (ja) * 1997-04-14 2006-02-01 ローム株式会社 Ledチップ部品
US6093940A (en) * 1997-04-14 2000-07-25 Rohm Co., Ltd. Light-emitting diode chip component and a light-emitting device
JPH10161570A (ja) * 1997-12-12 1998-06-19 Rohm Co Ltd Led数字表示器
JPH11298049A (ja) * 1998-04-16 1999-10-29 Matsushita Electron Corp 発光表示装置
KR100425566B1 (ko) * 1999-06-23 2004-04-01 가부시키가이샤 시티즌 덴시 발광 다이오드

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102015111492A1 (de) * 2015-07-15 2017-01-19 Osram Opto Semiconductors Gmbh Bauelement und Verfahren zur Herstellung von Bauelementen
US10535806B2 (en) 2015-07-15 2020-01-14 Osram Opto Semiconductors Gmbh Component and method of producing components
DE102015111492B4 (de) 2015-07-15 2023-02-23 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Bauelemente und Verfahren zur Herstellung von Bauelementen

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Publication number Publication date
US20010042858A1 (en) 2001-11-22
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US6476410B2 (en) 2002-11-05
TWI229458B (en) 2005-03-11
FR2810162B1 (fr) 2004-08-06
KR20010105171A (ko) 2001-11-28
KR100780528B1 (ko) 2007-11-29

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