Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

DE2554398A1 - Lichtemissionsdiodenelement und -anordnung - Google Patents

Lichtemissionsdiodenelement und -anordnung

Info

Publication number
DE2554398A1
DE2554398A1 DE19752554398 DE2554398A DE2554398A1 DE 2554398 A1 DE2554398 A1 DE 2554398A1 DE 19752554398 DE19752554398 DE 19752554398 DE 2554398 A DE2554398 A DE 2554398A DE 2554398 A1 DE2554398 A1 DE 2554398A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
emitting diode
electrode
ceramic plate
diode element
light emitting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19752554398
Other languages
English (en)
Other versions
DE2554398B2 (de
DE2554398C3 (de
Inventor
Masaaki Kusano
Ichiro Ohhinata
Shinzi Okuhara
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of DE2554398A1 publication Critical patent/DE2554398A1/de
Publication of DE2554398B2 publication Critical patent/DE2554398B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2554398C3 publication Critical patent/DE2554398C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/62Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/075Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
    • H01L25/0753Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/20Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L2224/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • H01L2224/241Disposition
    • H01L2224/24151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/24221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/24225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/24227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the HDI interconnect not connecting to the same level of the item at which the semiconductor or solid-state body is mounted, e.g. the semiconductor or solid-state body being mounted in a cavity or on a protrusion of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805Shape
    • H01L2224/4809Loop shape
    • H01L2224/48091Arched
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73267Layer and HDI connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/91Methods for connecting semiconductor or solid state bodies including different methods provided for in two or more of groups H01L2224/80 - H01L2224/90
    • H01L2224/92Specific sequence of method steps
    • H01L2224/922Connecting different surfaces of the semiconductor or solid-state body with connectors of different types
    • H01L2224/9222Sequential connecting processes
    • H01L2224/92242Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector
    • H01L2224/92244Sequential connecting processes the first connecting process involving a layer connector the second connecting process involving a build-up interconnect
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/18High density interconnect [HDI] connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/23Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process
    • H01L24/24Structure, shape, material or disposition of the high density interconnect connectors after the connecting process of an individual high density interconnect connector
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/82Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected by forming build-up interconnects at chip-level, e.g. for high density interconnects [HDI]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01014Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1015Shape
    • H01L2924/10155Shape being other than a cuboid
    • H01L2924/10157Shape being other than a cuboid at the active surface
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203Rectifying Diode
    • H01L2924/12036PN diode
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/12Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204Optical Diode
    • H01L2924/12041LED
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11Device type
    • H01L2924/14Integrated circuits
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S257/00Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
    • Y10S257/926Elongated lead extending axially through another elongated lead

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)

Description

Lichtemissionsdiodenelement und -anordnung
Die Erfindung bezieht sich auf ein Lichtemissionsdiodenelement mit einem Paar von einem P-Halbleiterbereich und einem N-Halbleiterbereich, die einen pn-übergang bilden, und auf eine Lichtemissionsdiodenanordnung, die man durch Montage einer Mehrzahl von solchen Lichtemissions.diodenelementen auf einer einzelnen Unterlage erhält.
Es ist bekannt, daß, wenn Durchlaßstrom einem Element zugeführt wird, das einen pn-übergang der II-, VI- oder III-V-Verbindungshalbleiter, wie z. B. GaAs oder GaAlAs, enthält, um Ladungsträger in den pn-übergang zu injizieren, Licht des nahezu infraroten oder roten Spektralbereichs von dem pnübergang während der Rekombination der Ladungsträger emittiert wird. Ein solches Element nennt man Lichtemissionsdiodenelement, und dieses wird in weitem Umfang auf dem Gebiet der Elektronik verwendet. Jedoch können aufgrund der Tatsache, daß bekannte Lxchtemissionsdiodenelemente allgemein von vertikalem Aufbau sind, diese nicht in gleicher Weise wie bei der Montage eines in Silizium integrierten Schaltkreises montiert werden, bei dem alle Elektroden von Schaltungsbauelementen auf einer Oberfläche einer Unterlage ausgebildet werden können, die sich deshalb daran unter Verbindung mit der Stirnseite nach unten montieren lassen. Es war bisher schwie-
81-(A 1230-03)-T-r (8)
rig, eine Mehrzahl solcher Lichtemissionsdiodenelemente auf einer einzelnen Unterlage mit hoher Packungsdichte und hohem Montagewirkungsgrad zu montieren,
Fig. 1 ist eine schematisohe Seimittansicht einer bekannten Lichtemissionsdiodenanordnung. Nach Fig, I umfaßt diese ein Lichtemissionsdiodenelement 1 mit einem Bereichspaar aus einem N-Halbleiterbereich und einem P-Halbleiterbereich, die einen pn-übergang bilden. Eine erste Elektrode 2 ist in ohmschem Kontakt mit einem Teil der Oberfläche des N-HaIbleiter— bereichs und eine zweite Elektrode 3 in ohmschem Kontakt mit der gesamten Oberfläche des P-Halbleiterbereichs. Das Lichtemi ssionsdiodenelement 1 ist an der zweiten Elektrode 3 mit einem Träger 4 verbunden, und die erste Elektrode 2 ist iait einem Anschluß 6 durch einen Metalldraht 5 verbunden. Jedoch war die bekannte Lichtemissionsdiodenanordnung dieses Aufbaus fehlerhaft, da, wenn eine Mehrzahl solcher Lichtemissionsdiodenelemente auf der gleichen Unterlage, z. B. in Matrixforra? angeordnet wird, unvermeidlich viel Platz von den Drahtverbindungsmitteln zum elektrischen Verbinden der Anschlüsse mit den zugehörigen ersten Elektroden auf der Oberfläche der Lichtemissions-N-Halbleiterbereiche der Diodenelemente benötigt wird. Die Einnahme von so viel Platz ist besonders unerwünscht, wenn man beabsichtigt, eine Miniaturlichtemissionsdiodenanordnung mit solchen darauf in hoher Packungsdichte montierten Lxchtemissionsdiodenelementen zu schaffen.
Außerdem war die Montage dieser Lichtemissionsdiodenelemente sehr mühsam und zeitaufwendig, da jedes Diodenelement nach der Drahtverbindungsmethode mit dem zugehörigen Anschluß zu verbinden ist.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein neues und verbessertes Lichtemissionsdiodenelement zu entwickeln, das von diesen Nachteilen des großen Platzbedarfs im Fall der
Verwendung einer Vielzahl solcher Elemente und des großen Arbeits- und Zeitaufwandes frei ist, eine Lichtemissionsdiodenanordnung mit wenigstens einem solchen Lichtemissionsdiodenelement zu schaffen, bei der sich eine Mehrzahl solcher Lichtemissionsdiodenelemente auf einer einzelnen Unterlage mit hoher Packungsdichte und ohne Mühe und großen Zeitaufwand montieren und sich die Anordnung leicht zusammenbauen läßt.
Gegenstand der Erfindung, womit diese Aufgabe gelöst wird, ist zunächst ein Lichtemissionsdiodenelement aus einem Halbleiterplättchen mit einem Paar aus einem P-Halbleiterbereich und einem einen pn-übergang damit bildenden N-HaIbleiterbereich, einer ersten, an einem der Halbleiterbereiche angebrachten Elektrode und einer zweiten, an der Oberfläche des anderen Halbleiterbereichs angebrachten flachen Elektrode, mit dem Kennzeichen, daß wenigstens eine der Umfangskanten der Oberfläche des einen Halbleiterbereichs im Halbleiterplättchen zur Schaffung einer an die Oberfläche angrenzenden Schrägfläche abgeschrägt ist und die erste Elektrode an dieser Schrägfläche angebracht ist.
Vorzugsweise ist dabei die schräge erste Elektrode an der Schrägfläche des N-Halbleiterbereichs und die flache zweite Elektrode an der Oberfläche des P-Halbleiterbereichs angebracht .
Gegenstand der Erfindung ist außerdem eine Lichtemissionsdiodenanordnung mit einem erfindungsgemäßen Lichtemissionsdiodenelement, mit dem Kennzeichen, daß sie eine Unterlage mit einer das Lichtemissionsdiodenelement aufnehmenden Ausnehmung, einen ersten, sich rings um das Oberende der Ausnehmung erstreckenden Verdrahtungsleiterstreifen und einen zweiten, längs des Bodenrandes der Ausnehmung verlaufenden Verdrahtungsleiterstreifen aufweist, daß das Lichtemissions-
60-9824/076
2 5 5 Λ 3 9 8
diodenelement in der Ausnehmung eine Lage hat, in der seine zweite, flache Elektrode dem zweiten Verdrahtungsleiterstreifen direkt zugewandt ist, und daß die erste, schräge Elektrode und die zweite Elektrode mit dem ersten Verdrahtungsleiterstreifen bzw. dem zweiten Verdrahtungsleiterstreifen elektrisch verbunden sind.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen 4 ff. gekennzeichnet.
Die Erfindung wird anhand der in der Zeichnung veranschaulichten Ausführungsbeispiele näher erläutert; darin zeigen:
Fig. 1 eine schematische Schnittansicht einer bekannten Lichtemissionsdiodenanordnung;
Fig. 2 a bis 2 e entsprechende Schnittdarstellungen zur Veransehauliehung der einzelnen Verfahrensschritte zur Herstellung einer bevorzugten Ausführungsart des erfindungsgemäßen Lichtemissionsdiodenelements;
Fig. 3 eine schematische Teilschnittansicht einer bevorzugten Ausführungsart der erfindungsgemäßen Lichtemis sionsdiodenanordnung ;
Fig. 4 eine schematische Perspektivansicht eines Teils eines weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Anordnung; und
Fig. 5 eine sehematische Teilschnittansicht eines dritten bevorzugten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Anordnung.
Fig. 1 wurde bereits im Zusammenhang mit der Abhandlung des Standes der-Technik erläutert.
€«9824/0767
Die Fig. 2a bis 2e sind schematische Schnittdarstellungen zur Veranschaulichung aufeinanderfolgender Schritte zur Herstellung der Elektroden bei einer bevorzugten Ausführungsform des Lichtemissionsdiodenelements gemäß der Erfindung.
Gemäß Fig. 2a wird ein Halbleiterplättchen 7 nach irgendeiner geeigneten bekannten Weise hergestellt und besteht danach aus einem N-Halbleiterbereich 7a und einem darunter befindlichen P-Halbleiterbereich 7b, die beide zusammen einen pn-übergang bilden. Das Material dieses Halbleiterplättchens 7 kann eine Verbindung eines Elements der Gruppe III, z. B. Ga, und eines Elements der Gruppe V, z. B. As, sein. Wie Fig. 2b zeigt, wird eine Maske aus einem Photoresistfilm 9 auf der freien Oberfläche des N-Halbleiterbereichs 7a des Plättchens 7 abgeschieden, und man wendet das Ätzen durch den Photoresistfilm 9 auf den N-Halbleiterbereich 7a an, um eine Mehrzahl von gitterartig gerichteten Nuten 8 zu bilden, die untereinander bestimmte Abstände haben. Der Photoresistfilm 9 wird dann entfernt, so daß der in Fig. 2c gezeigte Aufbau verbleibt. Dann werden, wie in Fig. 2d veranschaulicht ist, Metallschichten 10 und 11 auf den gegenüberliegenden Oberflächen des Plättchens 7, beispielsweise durch Aufdampfen, abgeschieden, um hier eine erste Elektrode und eine zweite Elektrode anzubringen, die ohmschen Kontakt mit den genannten Oberflächen des Plättchens 7 ergeben. Die obere Elektrodenmetallschicht 10 wird mit Ausnahme der Elektrodenteile 12, die in den Nuten 8 abgeschieden sind, anschließend nach der bekannten Photoätztechnik entfernt, und man trennt das Plättchen 7 längs der Linien X-X in Fig. 2d, d. h. durch die Talsohlen der-Nuten 8 durch. Folglich erhält man so ein Lichtemissionsdiodenelement 13, bei dem die erste Elektrode 12* auf den abgeschrägten Kantenteilen der Oberfläche des N-Halbleiterbereichs 7a abgeschieden ist, wie Fig. 2e zeigt.
Fig. 3 ist eine schematische Teilschnittansicht eines
689824/076?
— ο —
bevorzugten Ausführungsbeispiels der Lichtemissionsdiodenanordnung gemäß der Erfindung, in der das mittels der in
Fig. 2a bis 2e veranschaulichten Verfahrensschritte erhaltene Lichtemissionsdiodenelement 13 mit einer Unterlage 14 verbunden ist.
Gemäß Fig. 3 ist diese Unterlage 14 aus einem Paar von Keramikplatten 15 und 16 zusammengesetzt, die übereinandergelegt oder -geschichtet sind. Die obere Keramikplatte 15
ist mit einer durchgehenden Ausnehmung 17 zur völligen Aufnahme des Lichtemissxonsdiodenelements 13 versehen. Die Tiefe dieser Ausnehmung 17 ist also angenähert gleich der Höhe des Lichtemissionsdiodenelements 13. Ein erster Verdrahtungsleiterstreifen 18 ist auf der freien Oberfläche der Keramikplatte 15 so angeordnet, daß er das Oberende der Ausnehmung 17 mit seinem Endteil 18' umgibt. Ein zweiter Verdrahtungsleiterstreifen 19 ist auf der Oberfläche der unteren Keramikplatte 16 angeordnet, wo die letztere mit der Keramikplatte 15 verbunden ist. So erstreckt sich der zweite Verdrahtungsleiterstreifen 19 längs des Sodenendes der Ausnehmung 17.
Ein solcher Unterlagenaufbau läßt sich nach einem bekannten Verfahren erhalten, das dem üblicherweise auf bekannte KeraniikTinterlagen angewandten ähnlich ist» Die zweite Elektrode 11 des Lichtemissionsdiodenelements 13 ist elektrisch durch Ultraschallschweißen oder irgendeine andere geeignete Maßnahme mit dem zweiten Verdrahtungsleiterstreifen 19 verbunden, der sich längs des Bodenendes der Ausnehmung 17 der Keramikplatte 15 erstreckt. Die erste Elektrode 12* des Lichtemissionsdiodenelements 13 ist durch eine Lötbrücke 20 elektrisch mit dem ersten Verdrahtungsleiterstreifen 18 verbunden, der auf der Oberfläche der Keramikplatte 15 angebracht ist und dessen Endteil 18' das Oberende der Ausnehmung 17 umgibt. Ein elektrischer Isolierstoff 21, wie z« B. Glas, der keine Bindung mit dem Lot eingeht, wird vorab quer über den ersten Verdrahtungsleiterstreifen 18 abgeschieden, um ein
255A398 — / —
Weiterfließen des Lots 20 zu verhindern und die Menge des Lots 20, die zur Schaffung der elektrischen Verbindung aufgebracht wird, konstant zu halten.
Bei der Lichtemissionsdiodenanordnung gemäß der Erfindung, wie sie anhand der Fig. 3 beschrieben wurde, ist die erste Elektrode 12' auf der abgeschrägten Fläche vorgesehen, die durch teilweises Entfernen der Umfangskanten der einen Oberfläche des Lichtemissionsdiodenelements 13 gebildet wurde, und auf der anderen Oberfläche dieses Diodenelements 13 ist die zweite, flache Elektrode 11 vorgesehen. Weiter ist das Oberende der Ausnehmung 17 in der oberen Keramikplatte 15 der Unterlage 14 vom Endteil 18' des ersten Verdrahtungsleiterstreifens 18 umgeben, während das Unterende dieser Ausnehmung 17 mit dem zweiten Verdrahtungsleiterstreifen 19 verbunden ist. So wird während des Zusammenbaus eine rinnen- oder trogartige Einbuchtung um die erste Elektrode 12' des Lichtemissionsdiodenelements 13 herum gebildet, wie Fig. 3 zeigt, wenn das Lichtemissionsdiodenelement 13 in der Ausnehmung 17 der Unterlage 14 aufgenommen wird. Diese trogartige Einbuchtung wirkt sich erleichternd für den Zusammenbau aus, da so die Lotbrücke 20 zur elektrischen Verbindung der ersten Elektrode 12' mit dem ersten Verdrahtungsleiter 18 leichter erzeugt werden kann.
Fig, 4 ist eine schematische Perspektivansicht eines Teils einer anderen bevorzugten Ausführungsart der Lichtemissionsdiodenanordnung gemäß der Erfindung. In Fig. 4 bezeichnen gleiche Bezugsziffern gleiche Teile wie in Fig. 3. Bei diesem zweiten Ausführungsbeispiel ist eine Mehrzahl von Lichtemissionsdiodenelementen 13, deren jedes dem Aufbau nach Fig. 2e entspricht, auf einer einzelnen Unterlage 24 mit einer Mehrzahl von Aufnahmeauenehmungen 17 angeordnet. Obwohl hier Lotbrücken zur elektrischen Verbindung der einzelnen ersten Elektroden 121 der Lichtemissionsdiodenelemente 13
mit den zugehörigen ersten Verdrahtungsleiterstreifen 18, die auf einer Oberfläche der Unterlage 24 angebracht sind, aus Gründen der Vereinfachung der Darstellung nicht gezeichnet sind, ist es klar, daß jede dieser ersten Elektroden 12' in Wirklichkeit elektrisch mit den zugehörigen ersten Verdrahtungsleiterstreifen 18 auch in diesem Fall durch je eine Lotforücke 20 entsprechend der in Fig. 3 dargestellten verbunden ist,
Die liicfatemissionsdiodeaanordnmig nach Fig. 4 läßt sich, wie im Fall des in Fig, 3 gezeigten ersten Äusführungsbeispiels gemäß der Erfindung sehr leicht zusammenbauen, Seiter lassen sich die Lichtemissionsdiodenelemente ausgezeichnet auf der einzelnen Unterlage mit hoher Packungsdichte montieren,
Fig. 5 ist eine schematische Teilschnittansicht eines dritten bevorzugten Ausführungsbeispiels der Liehteraissionsdiodenanordnung gemäß der Erfindung. In Fig. 5 bezeichnen gleiche Bezugsziffern gleiche Teile wie in Fig. 3. Bei diesem Ausführungsbeispiel ist ein Lichtemissionsdiodenelement 13f wie es in Fig. 2e gezeigt ist, mit einer Unterlage 34 verbunden. Diese Unterlage 34 weicht von den Unterlagen 14 und 24 nach Fig. 3 und 4 dadurch etwas ab, daß die Umfangskanten des Oberendes der Aufnahmeausnehmung 17 teilweise entfernt sind, um hier eine abgeschrägte Fläche 22, wie dargestellt, zu schaffen, und ein Verdrahtungsleiterstreifen 18' ist auf dieser abgeschrägten Fläche 22 als Verlängerung eines ersten Verdrahtungsleiterstreifens 18 angebracht.
Die zweite Elektrode 11 des Lichtemissionsdiodenelements 13, das sieh in der Ausnehmung 17 der Unterlage 34 befindet, ist durch Ultraschallschweißen oder irgendeine andere geeignete Maßnahme elektrisch mit einem zweiten Verdrahtungsleiterstreifen 19 verbunden, der sich längs des Bodenendes der
639824/0767
Ausnehmung 17 erstreckt. Die erste Elektrode 12' des Lichtemissionsdiodenelements 13 ist durch eine Lotbrücke 30 elektrisch mit dem Verdrahtungsleiterstreifen 18' verbunden, der auf der abgeschrägten Fläche 22 angeordnet ist, die durch teilweises Entfernen der Umfangskanten des Oberendes der Ausnehmung 17 gebildet wurde.
Während des Zusammenbaues der in Fig. 5 dargestellten Lichtemissionsdiodenanordnung wird somit eine erweiterte rinnen- oder trogartige Ausbuchtung zwischen der ersten Elektrode 12', die auf der abgeschrägten Fläche des Lichtemissionsdiodenelements 13 angebracht ist, und dem Verdrahtungsleiterstreifen 18', der auf der abgeschrägten Fläche 22 angebracht ist, die durch teilweises Entfernen der umfangskanten des pberendes der Ausnehmung 17 der Unterlage 34 erhalten wurde, gebildet, wenn das Lichtemissionsdiodenelement in die Ausnehmung 17 der Unterlage 34 eingefügt wird. Diese trogartige oder rinnenartige Ausbuchtung läßt sich nutzen, um eine bessere gelötete elektrische Verbindung als die in Fig. 3 dargestellte zu sichern.
In den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen wird bzw. ist der N-Halbleiterbereich des Lichtemissionsdiodenelements an allen Umfangskanten seiner Oberfläche abgeschrägt, und die erste Elektrode ist so angebracht, daß sie sich über die gesamte abgeschrägte Fläche der Oberfläche des N-Halbleiterbereichs erstreckt. Diese erste Elektrode ist am N-Halbleiterbereich vorgesehen, da der Lichtemissionswirkungsgrad des Lichtemissionsdiodenelements allgemein besser ist, wenn Licht vom N-Halbleiterbereich abgestrahlt wird, als wenn Licht vom P-Halbleiterbereich abgestrahlt wird. Jedoch kann auch der P-Halbleiterbereich des Lichtemissionsdiodenelements an den Umfangskanten seiner Oberfläche abgeschrägt werden, und man kann die erste Elektrode an dieser abgeschrägten Fläche anbringen, statt sie am N-Halbleiterbereich vorzusehen.
6U382WQ767
Weiter müssen, obwohl die erste Elektrode in den Ausführungsbeispielen so ausgebildet ist, daß sie sich über die gesamte abgeschrägte Fläche der Oberfläche des N-HaIbleiterbereichs des Lichtemissionsdiodenelements erstreckt, nicht alle Teile dieser ersten Elektrode unbedingt elektrisch mit dem Leiterstreifen verbunden werden, und es kann auch nur wenigstens ein Teil der ersten Elektrode elektrisch mit dem Leiterstreifen verbunden sein. Weiter beziehen sich die Ausführungsbeispiele auf den Fall, in dem das Lichtemissionsdiodenelement eine rechteckige Form aufweist. Jedoch ist die Form des Lichtemissionsdiodenelements auf die rechteckige, in den Figuren dargestellte Form nicht beschränkt, sondern kann statt dessen auch kreisförmig oder dreieckig sein. In einem solchen Fall müßte die Ausnehmung der Unterlage entsprechend gestaltet seinr um zur Form des Lichtemissionsdiodenelements zu passen.
Man ersieht aus der vorstehenden Beschreibung der Einzelheiten, daß die Erfindung ein Lichtemissionsdiodenelernent bietet7 das erhältlich ist, indem man ein Halbleiterplattchen mit einem Paar aus einem P-Halbleiterbereich und einem N-Halbleiterbereich, die zusammen einen pn-übergang bilden, herstellt, eine erste Elektrode an einer abgeschrägten Fläche der Oberfläche des einen der Halbleiterbereiche und eine zweite Elektrode an der Oberfläche des anderen Halbleiterbereichs anbringt. Man erkennt weiter, daß die Erfindung eine Lichtemissionsdiodenanordnung zur Verfügung stellt, die erhältlich ist, indem man eine Unterlage mit einer Ausnehmung zur Aufnahme eines solchen Lichtemissionsdiodenelements herstellt, einen ersten Verdrahtungsleiterstreifen mit einer das Oberende der Ausnehmung der Unterlage umgebenden Verlängerung zum elektrischen Verbinden mit der ersten Elektrode des Lichtemissionsdiodenelements unter Verwendung einer Lotbrücke und einen zweiten Verdrahtungsleiterstreifen längs des Bodenendes der Ausnehmung der Unterlage zur elektrischen Ver-
€09024/0767
bindung mit der zweiten Elektrode des Lichtemissionsdioden-"elements unter Anwendung des Ultraschallschweißens oder dergleichen anbringt. Ebenfalls kann eine Mehrzahl solcher Ausnehmungen auf einer und derselben Unterlage vorgesehen sein, so daß man eine Mehrzahl dieser Lichtemissionsdiondenelemente auf einer einzigen Unterlage in hoher Packungsdichte montieren kann.
Nach einem praktischen Verfahren zur Montage kann man so vorgehen, daß man vorab ein kleines Lötmaterialstück (einen dünnen Streifen oder ein Kügelchen aus Lötmittel) in jeder der Ausnehmungen der Unterlage anordnet, je ein Lichtemiss ions diodenelement in die Ausnehmungen einlegt, ein kleines Lötmaterialstück (Streifen oder Kügelchen) in die so verbleibende trogartige Ausbuchtung einbringt, die sich zwischen j,edem der ersten Verdrahtungsleiterstreifen auf der Oberfläche der Unterlage und den ersten Elektroden der zugehörigen Lichtemissionsdiodenelemente befindet, und die gesamte Unterlage dann mittels Transports auf einem Förderband durch einen Heizofen führt. Ein anderes praktisches Verfahren zur Montage kann darin bestehen, daß man die zweite Elektrode jedes der Lichtemissionsdiodenelemente elektrisch mit dem zugehörigen der zweiten Verdrahtungsleiterstreifen, die längs des Bodenendes jeder Ausnehmung angeordnet sind, z. B. mittels Ultraschallschweißens verbindet, und die Unterlage in ein Bad aus Lötmaterialschmelze eintaucht, um die ersten Elektroden aller Lichtemissionsdiodenelemente mit den zugehörigen ersten Verdrahtungsleiterstreifen zu verbinden, die auf der Oberseite der Unterlage angeordnet sind. In dieser Weise kann eine Mehrzahl von Lichtemissionsdiodenelementen des oben beschriebenen Aufbaus gleichzeitig innerhalb einer kurzen Zeit elektrisch mit der Verdrahtung verbunden werden. So läßt sich der Montagewirkungsgrad erheblich verbessern, was zu großen wirtschaftlichen Vorteilen führt. Es ist offensichtlich, daß anstelle des Lötmaterials auch jedes andere geeignete niedrigschmelzende Metall verwendet werden kann.
603824/0767

Claims (10)

  1. Patentansprüche
    (I 1.JLichtemissionsdiodenelement aus einem Halbleiterplättchen mit einem Paar aus einem P-Halbleiterbereich und einem einen pn-übergang damit bildenden N-Halbleiterbereich, einer ersten, an einem der Halbleiterbereiche angebrachten Elektrode und einer zweiten, an der Oberfläche des anderen Halbleiterbereichs angebrachten flachen Elektrode, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine der Umfangskanten der Oberfläche des einen Halbleiterbereichs (7a) im Halbleiterplättchen (7) zur Schaffung einer an die Oberfläche angrenzenden Schrägfläche abgeschrägt ist und die erste Elektrode (12') an dieser Schrägfläche angebracht ist.
  2. 2. Lichtemissionsdiodenelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die schräge erste Elektrode (12·) an der Schrägfläche des N-Halbleiterbereichs (7a) und die flache zweite Elektrode (11) an der Oberfläche des P-Halbleiterbereichs (7b) angebracht ist.
  3. 3. Lichtemisslonsdiodenanordnung mit einem Lichtemissionsdiodenelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Unterlage (14; 34) mit einer das Lichtemissionsdiodenelement (13) aufnehmenden Ausnehmung (17), einen ersten, sich rings um das Oberende der Ausnehmung (17) erstreckenden Verdrahtungsleiterstreifen (18) und einen zweiten, längs des Bodenendes der Ausnehmung (17) verlaufenden Verdrahtungsleiterstreifen (19) aufweist, daß das Lichtemissionsdiodenelement (13) in der Ausnehmung (17) eine Lage hat, in der seine zweite, flache Elektrode (11) dem zweiten Verdrahtungsleiterstreifen (19) direkt zugewandt ist, und daß die erste, schräge Elektrode (12') und die zweite Elektrode (11) mit dem ersten
    603 8'2 4/0767
    Verdrahtungslexterstrexfen (18) bzw. dem zweiten Verdrahtungslexterstrexfen (19) elektrisch verbunden sind.
  4. 4. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Elektrode (12*) mit dem ersten Verdrahtungslexterstrexfen (18) durch eine Lotbrücke (20) elektrisch verbunden ist.
  5. 5. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlage (14) aus einer ersten Keramikplatte (15) und einer zweiten Keramikplatte (16) besteht, deren jede auf ihrer einen Oberfläche einen Leiterstreifen trägt und die derart übereinandergelegt sind, daß die keinen Leiterstreifen tragende Oberfläche der ersten Keramikplatte (15) mit der den Leiterstreifen tragenden Oberfläche der zweiten Keramikplatte (16) verbunden ist, wobei die Ausnehmung (17) ein durchgehendes Loch in der ersten Keramikplatte (15) ist und die Leiterstreifen auf der ersten Keramikplatte (15) bzw. der zweiten Keramikplatte (16) in bestimmten Mustern zur Bildung der Verdrahtungslexterstrexfen (18, 19) angeordnet sind.
  6. 6. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß sich die erste, schräge Elektrode (121) des Lichtemissionsdiodenelements (13) über alle Umfangskanten der Oberfläche des einen Halbleiterbereichs (7a) im Halbleiterplättchen (7) erstreckt.
  7. 7. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausnehmung (17) der Unterlage (34) in dem der ersten Elektrode (121) des Lichtemissionsdiodenelements (13) gegenüberliegenden Bereich abgeschrägt ist und ein Verdrahtungslexterstrexfen (18·) längs dieser Schrägfläche (22) als Verlängerung des ersten Verdrahtungs!eiterstreifens (18) angeordnet ist. '
    803824/0767
  8. 8. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Elektrode (121) und die zweite Elektrode (11) des Lichtemissionsdiodenelements (13) am N-Halbleiterbereich (7a) bzw. am P-Halbleiterbereich (7b) im Halbleiterplättchen (7) angebracht s ind.
  9. 9. Lichtemissionsdiodenanordnung mit mehreren Lichtemissionsdiodenelementen nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Unterlage (24) aus einer ersten Keramikplatte (15) und einer zweiten Keramikplatte (16) aufweist, deren jede auf ihrer einen Oberfläche eine Mehrzahl von Verdrahtungsleiterstreifen (18 bzw. 19) trägt und die derart übereinandergelegt sind, daß die keinen Leiterstreifen tragende Oberfläche der ersten Keramikplatte (15) mit der die Leiterstreifen tragenden Oberfläche der zweiten Keramikplatte (16) verbunden ist, daß eine Mehrzahl von Ausnehmungen (17) in Form durchgehender Löcher in der ersten Keramikplatte (15) vorgesehen ist, in denen je ein Lichtemissionsdiodenelement (13) in einer Lage aufgenommen ist, in der seine zweite, flache Elektrode (11) dem auf der den Boden des Lochs (17) bildenden zweiten Keramikplatte (16) angebrachten zugehörigen Verdrahtungsleiterstreifen (19) direkt zugewandt ist, und daß die ersten und zweiten Elektroden (12·, 11) aller Lichtemissionsdiodenelemente (13) mit den zugehörigen ersten Verdrahtungsleiterstreifen (18) bzw. den zugehörigen zweiten Verdrahtungsleiterstreifen (19) auf den Keramikplatten (15, 16) der Unterlage (24) elektrisch verbunden sind.
  10. 10. Anordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß jede Ausnehmung (17) der Unterlage (2 4) in dem der ersten Elektrode (12') des zugehörigen Lichtemissionsdiodenelements (13) gegenüberliegenden Bereich abgeschrägt ist und je ein
    4/0787
    Verdrahtungsleiterstxeifen (18') längs dieser Schrägfläche (22) als Verlängerung des zugehörigen Verdrahtungsleiterstreif ens (18) auf der Oberfläche der ersten Keramikplatte (15) angeordnet ist.
    60982 4/0767
DE2554398A 1974-12-04 1975-12-03 Kontaktierung einer Lumineszenzdiode Expired DE2554398C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13838274A JPS5429239B2 (de) 1974-12-04 1974-12-04

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2554398A1 true DE2554398A1 (de) 1976-06-10
DE2554398B2 DE2554398B2 (de) 1979-10-11
DE2554398C3 DE2554398C3 (de) 1980-07-03

Family

ID=15220621

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2554398A Expired DE2554398C3 (de) 1974-12-04 1975-12-03 Kontaktierung einer Lumineszenzdiode

Country Status (4)

Country Link
US (1) US4074299A (de)
JP (1) JPS5429239B2 (de)
CA (1) CA1050647A (de)
DE (1) DE2554398C3 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0374121A2 (de) * 1988-12-16 1990-06-20 RSF-Elektronik Gesellschaft m.b.H. Leuchtdiode
DE102004047061B4 (de) 2004-09-28 2018-07-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2156153B (en) * 1984-03-21 1988-02-24 Pitney Bowes Inc Alignment process for semiconductor chips
GB2249428A (en) * 1988-08-11 1992-05-06 Plessey Co Plc Connections for led arrays
KR910006706B1 (ko) * 1988-12-12 1991-08-31 삼성전자 주식회사 발광다이오드 어레이 헤드의 제조방법
JP2753153B2 (ja) * 1991-04-15 1998-05-18 キヤノン株式会社 発光素子
KR100594036B1 (ko) * 2003-12-30 2006-06-30 삼성전자주식회사 광신호 증폭장치, 이를 구비하는 광통신 모듈 및 그제조방법
EP1836879A2 (de) * 2004-12-27 2007-09-26 Quantum Paper, Inc. Adressierbares und druckbares emissives display
US7284896B2 (en) * 2005-04-15 2007-10-23 Jiahn-Chang Wu Light unit display
DE102007011123A1 (de) * 2007-03-07 2008-09-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Licht emittierendes Modul und Herstellungsverfahren für ein Licht emittierendes Modul
DE102007015893A1 (de) * 2007-04-02 2008-10-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronische Anordnung sowie Verfahren zum Betrieb und Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Anordnung
US9419179B2 (en) 2007-05-31 2016-08-16 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US9534772B2 (en) 2007-05-31 2017-01-03 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Apparatus with light emitting diodes
US8889216B2 (en) * 2007-05-31 2014-11-18 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing addressable and static electronic displays
US8852467B2 (en) 2007-05-31 2014-10-07 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8133768B2 (en) * 2007-05-31 2012-03-13 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
US8809126B2 (en) 2007-05-31 2014-08-19 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US9425357B2 (en) 2007-05-31 2016-08-23 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Diode for a printable composition
US8456393B2 (en) * 2007-05-31 2013-06-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system
US8846457B2 (en) 2007-05-31 2014-09-30 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US8674593B2 (en) 2007-05-31 2014-03-18 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US8415879B2 (en) 2007-05-31 2013-04-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Diode for a printable composition
US8877101B2 (en) 2007-05-31 2014-11-04 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Method of manufacturing a light emitting, power generating or other electronic apparatus
US9018833B2 (en) 2007-05-31 2015-04-28 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Apparatus with light emitting or absorbing diodes
US9343593B2 (en) 2007-05-31 2016-05-17 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes
US7992332B2 (en) 2008-05-13 2011-08-09 Nthdegree Technologies Worldwide Inc. Apparatuses for providing power for illumination of a display object
US8127477B2 (en) 2008-05-13 2012-03-06 Nthdegree Technologies Worldwide Inc Illuminating display systems
US10991852B2 (en) * 2018-07-25 2021-04-27 Jmicro Inc. Transparent light-emitting display film, method of manufacturing the same, and transparent light-emitting signage using the same

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3054034A (en) * 1958-10-01 1962-09-11 Rca Corp Semiconductor devices and method of manufacture thereof
US3614832A (en) * 1966-03-09 1971-10-26 Ibm Decal connectors and methods of forming decal connections to solid state devices
FR1518717A (fr) * 1966-12-21 1968-03-29 Radiotechnique Coprim Rtc Perfectionnements aux diodes électroluminescentes
US3520054A (en) * 1967-11-13 1970-07-14 Mitronics Inc Method of making multilevel metallized ceramic bodies for semiconductor packages
US3573568A (en) * 1969-06-18 1971-04-06 Gen Electric Light emitting semiconductor chips mounted in a slotted substrate forming a display apparatus
US3641401A (en) * 1971-03-10 1972-02-08 American Lava Corp Leadless ceramic package for integrated circuits
FR2160710B1 (de) * 1971-11-22 1974-09-27 Radiotechnique Compelec
GB1416671A (en) * 1973-02-14 1975-12-03 Siemens Ag Layer circuits
US3964157A (en) * 1974-10-31 1976-06-22 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Method of mounting semiconductor chips

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0374121A2 (de) * 1988-12-16 1990-06-20 RSF-Elektronik Gesellschaft m.b.H. Leuchtdiode
EP0374121A3 (de) * 1988-12-16 1991-01-16 RSF-Elektronik Gesellschaft m.b.H. Leuchtdiode
DE102004047061B4 (de) 2004-09-28 2018-07-26 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements

Also Published As

Publication number Publication date
US4074299A (en) 1978-02-14
DE2554398B2 (de) 1979-10-11
JPS5429239B2 (de) 1979-09-21
CA1050647A (en) 1979-03-13
DE2554398C3 (de) 1980-07-03
JPS5165589A (de) 1976-06-07

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2554398A1 (de) Lichtemissionsdiodenelement und -anordnung
DE2826486C2 (de)
DE2063579C3 (de) Codierbare Halbleiteranordnung
DE3919462C2 (de)
DE1933547B2 (de) Traeger fuer halbleiterbauelemente
DE4000089C2 (de)
DE2903336C2 (de) Leuchtdioden-Anzeigeeinrichtung
DE2744167C2 (de) Optoelektronisches Koppelelement
DE19854269A1 (de) Dünnschichtsolarzellenanordnung sowie Verfahren zur Herstellung derselben
DE19745575A1 (de) Struktur einer Anschlußelektrode und Verfahren für ihre Bildung
DE1614373B1 (de) Monolithische integrierte Halbleiterschaltung
DE3013196A1 (de) Halbleiteranordnung
DE1810322C3 (de) Bipolarer Transistor für hohe Ströme und hohe Stromverstärkung
DE3511082C2 (de)
DE2045567C3 (de) Integrierte Halbleiterschaltung
DE3119288A1 (de) Halbleiteranordnung
DE1489250A1 (de) Halbleitereinrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE2716205B2 (de) Elektrolumineszenzanzeigevorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung
DE2461624A1 (de) Anzeigevorrichtung
DE1297762B (de) Sperrschicht-Feldeffekttransistor
DE2608813C3 (de) Niedrigsperrende Zenerdiode
DE2039027C3 (de) Halbleiteranordnung mit einem Träger aus Isoliermaterial, einem Halbleiterbauelement und einem Anschlußfleck
DE10044500A1 (de) Licht emittierendes Verbindungshalbleiter-Bauteil und Verfahren zur Herstellung desselben
DE3541790C2 (de) Lichtemittierende lineare Festkörper-Diodenanordnung
DE2606885B2 (de) Halbleiterbauelement

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee