DE2554398A1 - Lichtemissionsdiodenelement und -anordnung - Google Patents
Lichtemissionsdiodenelement und -anordnungInfo
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Description
Lichtemissionsdiodenelement und -anordnung
Die Erfindung bezieht sich auf ein Lichtemissionsdiodenelement mit einem Paar von einem P-Halbleiterbereich und einem
N-Halbleiterbereich, die einen pn-übergang bilden, und
auf eine Lichtemissionsdiodenanordnung, die man durch Montage einer Mehrzahl von solchen Lichtemissions.diodenelementen
auf einer einzelnen Unterlage erhält.
Es ist bekannt, daß, wenn Durchlaßstrom einem Element zugeführt wird, das einen pn-übergang der II-, VI- oder III-V-Verbindungshalbleiter,
wie z. B. GaAs oder GaAlAs, enthält, um Ladungsträger in den pn-übergang zu injizieren, Licht des
nahezu infraroten oder roten Spektralbereichs von dem pnübergang während der Rekombination der Ladungsträger emittiert
wird. Ein solches Element nennt man Lichtemissionsdiodenelement, und dieses wird in weitem Umfang auf dem Gebiet
der Elektronik verwendet. Jedoch können aufgrund der Tatsache, daß bekannte Lxchtemissionsdiodenelemente allgemein von vertikalem
Aufbau sind, diese nicht in gleicher Weise wie bei der Montage eines in Silizium integrierten Schaltkreises montiert
werden, bei dem alle Elektroden von Schaltungsbauelementen auf einer Oberfläche einer Unterlage ausgebildet werden
können, die sich deshalb daran unter Verbindung mit der Stirnseite nach unten montieren lassen. Es war bisher schwie-
81-(A 1230-03)-T-r (8)
rig, eine Mehrzahl solcher Lichtemissionsdiodenelemente auf
einer einzelnen Unterlage mit hoher Packungsdichte und hohem Montagewirkungsgrad zu montieren,
Fig. 1 ist eine schematisohe Seimittansicht einer bekannten
Lichtemissionsdiodenanordnung. Nach Fig, I umfaßt diese
ein Lichtemissionsdiodenelement 1 mit einem Bereichspaar aus
einem N-Halbleiterbereich und einem P-Halbleiterbereich, die
einen pn-übergang bilden. Eine erste Elektrode 2 ist in ohmschem
Kontakt mit einem Teil der Oberfläche des N-HaIbleiter—
bereichs und eine zweite Elektrode 3 in ohmschem Kontakt mit
der gesamten Oberfläche des P-Halbleiterbereichs. Das Lichtemi
ssionsdiodenelement 1 ist an der zweiten Elektrode 3 mit einem Träger 4 verbunden, und die erste Elektrode 2 ist iait
einem Anschluß 6 durch einen Metalldraht 5 verbunden. Jedoch
war die bekannte Lichtemissionsdiodenanordnung dieses Aufbaus fehlerhaft, da, wenn eine Mehrzahl solcher Lichtemissionsdiodenelemente
auf der gleichen Unterlage, z. B. in Matrixforra?
angeordnet wird, unvermeidlich viel Platz von den Drahtverbindungsmitteln
zum elektrischen Verbinden der Anschlüsse mit den zugehörigen ersten Elektroden auf der Oberfläche der
Lichtemissions-N-Halbleiterbereiche der Diodenelemente benötigt
wird. Die Einnahme von so viel Platz ist besonders unerwünscht, wenn man beabsichtigt, eine Miniaturlichtemissionsdiodenanordnung
mit solchen darauf in hoher Packungsdichte montierten Lxchtemissionsdiodenelementen zu schaffen.
Außerdem war die Montage dieser Lichtemissionsdiodenelemente sehr mühsam und zeitaufwendig, da jedes Diodenelement
nach der Drahtverbindungsmethode mit dem zugehörigen Anschluß zu verbinden ist.
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein neues und verbessertes Lichtemissionsdiodenelement zu entwickeln,
das von diesen Nachteilen des großen Platzbedarfs im Fall der
Verwendung einer Vielzahl solcher Elemente und des großen Arbeits- und Zeitaufwandes frei ist, eine Lichtemissionsdiodenanordnung
mit wenigstens einem solchen Lichtemissionsdiodenelement zu schaffen, bei der sich eine Mehrzahl solcher
Lichtemissionsdiodenelemente auf einer einzelnen Unterlage mit hoher Packungsdichte und ohne Mühe und großen Zeitaufwand
montieren und sich die Anordnung leicht zusammenbauen läßt.
Gegenstand der Erfindung, womit diese Aufgabe gelöst wird, ist zunächst ein Lichtemissionsdiodenelement aus einem
Halbleiterplättchen mit einem Paar aus einem P-Halbleiterbereich
und einem einen pn-übergang damit bildenden N-HaIbleiterbereich, einer ersten, an einem der Halbleiterbereiche
angebrachten Elektrode und einer zweiten, an der Oberfläche des anderen Halbleiterbereichs angebrachten flachen Elektrode,
mit dem Kennzeichen, daß wenigstens eine der Umfangskanten der Oberfläche des einen Halbleiterbereichs im Halbleiterplättchen
zur Schaffung einer an die Oberfläche angrenzenden Schrägfläche abgeschrägt ist und die erste Elektrode an
dieser Schrägfläche angebracht ist.
Vorzugsweise ist dabei die schräge erste Elektrode an der Schrägfläche des N-Halbleiterbereichs und die flache zweite
Elektrode an der Oberfläche des P-Halbleiterbereichs angebracht
.
Gegenstand der Erfindung ist außerdem eine Lichtemissionsdiodenanordnung
mit einem erfindungsgemäßen Lichtemissionsdiodenelement,
mit dem Kennzeichen, daß sie eine Unterlage mit einer das Lichtemissionsdiodenelement aufnehmenden
Ausnehmung, einen ersten, sich rings um das Oberende der Ausnehmung erstreckenden Verdrahtungsleiterstreifen und einen
zweiten, längs des Bodenrandes der Ausnehmung verlaufenden Verdrahtungsleiterstreifen aufweist, daß das Lichtemissions-
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2 5 5 Λ 3 9 8
diodenelement in der Ausnehmung eine Lage hat, in der seine
zweite, flache Elektrode dem zweiten Verdrahtungsleiterstreifen direkt zugewandt ist, und daß die erste, schräge Elektrode
und die zweite Elektrode mit dem ersten Verdrahtungsleiterstreifen
bzw. dem zweiten Verdrahtungsleiterstreifen elektrisch verbunden sind.
Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen 4 ff. gekennzeichnet.
Die Erfindung wird anhand der in der Zeichnung veranschaulichten Ausführungsbeispiele näher erläutert; darin
zeigen:
Fig. 1 eine schematische Schnittansicht einer bekannten
Lichtemissionsdiodenanordnung;
Fig. 2 a bis 2 e entsprechende Schnittdarstellungen zur
Veransehauliehung der einzelnen Verfahrensschritte zur Herstellung einer bevorzugten Ausführungsart
des erfindungsgemäßen Lichtemissionsdiodenelements;
Fig. 3 eine schematische Teilschnittansicht einer bevorzugten
Ausführungsart der erfindungsgemäßen Lichtemis
sionsdiodenanordnung ;
Fig. 4 eine schematische Perspektivansicht eines Teils eines weiteren bevorzugten Ausführungsbeispiels
der erfindungsgemäßen Anordnung; und
Fig. 5 eine sehematische Teilschnittansicht eines dritten
bevorzugten Ausführungsbeispiels der erfindungsgemäßen Anordnung.
Fig. 1 wurde bereits im Zusammenhang mit der Abhandlung
des Standes der-Technik erläutert.
€«9824/0767
Die Fig. 2a bis 2e sind schematische Schnittdarstellungen zur Veranschaulichung aufeinanderfolgender Schritte zur
Herstellung der Elektroden bei einer bevorzugten Ausführungsform des Lichtemissionsdiodenelements gemäß der Erfindung.
Gemäß Fig. 2a wird ein Halbleiterplättchen 7 nach irgendeiner geeigneten bekannten Weise hergestellt und besteht
danach aus einem N-Halbleiterbereich 7a und einem darunter
befindlichen P-Halbleiterbereich 7b, die beide zusammen einen
pn-übergang bilden. Das Material dieses Halbleiterplättchens 7 kann eine Verbindung eines Elements der Gruppe III,
z. B. Ga, und eines Elements der Gruppe V, z. B. As, sein. Wie Fig. 2b zeigt, wird eine Maske aus einem Photoresistfilm
9 auf der freien Oberfläche des N-Halbleiterbereichs 7a des
Plättchens 7 abgeschieden, und man wendet das Ätzen durch den Photoresistfilm 9 auf den N-Halbleiterbereich 7a an, um eine
Mehrzahl von gitterartig gerichteten Nuten 8 zu bilden, die untereinander bestimmte Abstände haben. Der Photoresistfilm 9
wird dann entfernt, so daß der in Fig. 2c gezeigte Aufbau verbleibt. Dann werden, wie in Fig. 2d veranschaulicht ist,
Metallschichten 10 und 11 auf den gegenüberliegenden Oberflächen
des Plättchens 7, beispielsweise durch Aufdampfen, abgeschieden, um hier eine erste Elektrode und eine zweite
Elektrode anzubringen, die ohmschen Kontakt mit den genannten Oberflächen des Plättchens 7 ergeben. Die obere Elektrodenmetallschicht
10 wird mit Ausnahme der Elektrodenteile 12, die in den Nuten 8 abgeschieden sind, anschließend nach der
bekannten Photoätztechnik entfernt, und man trennt das Plättchen 7 längs der Linien X-X in Fig. 2d, d. h. durch die Talsohlen
der-Nuten 8 durch. Folglich erhält man so ein Lichtemissionsdiodenelement
13, bei dem die erste Elektrode 12* auf den abgeschrägten Kantenteilen der Oberfläche des N-Halbleiterbereichs
7a abgeschieden ist, wie Fig. 2e zeigt.
Fig. 3 ist eine schematische Teilschnittansicht eines
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— ο —
bevorzugten Ausführungsbeispiels der Lichtemissionsdiodenanordnung
gemäß der Erfindung, in der das mittels der in
Fig. 2a bis 2e veranschaulichten Verfahrensschritte erhaltene Lichtemissionsdiodenelement 13 mit einer Unterlage 14 verbunden ist.
Fig. 2a bis 2e veranschaulichten Verfahrensschritte erhaltene Lichtemissionsdiodenelement 13 mit einer Unterlage 14 verbunden ist.
Gemäß Fig. 3 ist diese Unterlage 14 aus einem Paar von Keramikplatten 15 und 16 zusammengesetzt, die übereinandergelegt
oder -geschichtet sind. Die obere Keramikplatte 15
ist mit einer durchgehenden Ausnehmung 17 zur völligen Aufnahme des Lichtemissxonsdiodenelements 13 versehen. Die Tiefe dieser Ausnehmung 17 ist also angenähert gleich der Höhe des Lichtemissionsdiodenelements 13. Ein erster Verdrahtungsleiterstreifen 18 ist auf der freien Oberfläche der Keramikplatte 15 so angeordnet, daß er das Oberende der Ausnehmung 17 mit seinem Endteil 18' umgibt. Ein zweiter Verdrahtungsleiterstreifen 19 ist auf der Oberfläche der unteren Keramikplatte 16 angeordnet, wo die letztere mit der Keramikplatte 15 verbunden ist. So erstreckt sich der zweite Verdrahtungsleiterstreifen 19 längs des Sodenendes der Ausnehmung 17.
Ein solcher Unterlagenaufbau läßt sich nach einem bekannten Verfahren erhalten, das dem üblicherweise auf bekannte KeraniikTinterlagen angewandten ähnlich ist» Die zweite Elektrode 11 des Lichtemissionsdiodenelements 13 ist elektrisch durch Ultraschallschweißen oder irgendeine andere geeignete Maßnahme mit dem zweiten Verdrahtungsleiterstreifen 19 verbunden, der sich längs des Bodenendes der Ausnehmung 17 der Keramikplatte 15 erstreckt. Die erste Elektrode 12* des Lichtemissionsdiodenelements 13 ist durch eine Lötbrücke 20 elektrisch mit dem ersten Verdrahtungsleiterstreifen 18 verbunden, der auf der Oberfläche der Keramikplatte 15 angebracht ist und dessen Endteil 18' das Oberende der Ausnehmung 17 umgibt. Ein elektrischer Isolierstoff 21, wie z« B. Glas, der keine Bindung mit dem Lot eingeht, wird vorab quer über den ersten Verdrahtungsleiterstreifen 18 abgeschieden, um ein
ist mit einer durchgehenden Ausnehmung 17 zur völligen Aufnahme des Lichtemissxonsdiodenelements 13 versehen. Die Tiefe dieser Ausnehmung 17 ist also angenähert gleich der Höhe des Lichtemissionsdiodenelements 13. Ein erster Verdrahtungsleiterstreifen 18 ist auf der freien Oberfläche der Keramikplatte 15 so angeordnet, daß er das Oberende der Ausnehmung 17 mit seinem Endteil 18' umgibt. Ein zweiter Verdrahtungsleiterstreifen 19 ist auf der Oberfläche der unteren Keramikplatte 16 angeordnet, wo die letztere mit der Keramikplatte 15 verbunden ist. So erstreckt sich der zweite Verdrahtungsleiterstreifen 19 längs des Sodenendes der Ausnehmung 17.
Ein solcher Unterlagenaufbau läßt sich nach einem bekannten Verfahren erhalten, das dem üblicherweise auf bekannte KeraniikTinterlagen angewandten ähnlich ist» Die zweite Elektrode 11 des Lichtemissionsdiodenelements 13 ist elektrisch durch Ultraschallschweißen oder irgendeine andere geeignete Maßnahme mit dem zweiten Verdrahtungsleiterstreifen 19 verbunden, der sich längs des Bodenendes der Ausnehmung 17 der Keramikplatte 15 erstreckt. Die erste Elektrode 12* des Lichtemissionsdiodenelements 13 ist durch eine Lötbrücke 20 elektrisch mit dem ersten Verdrahtungsleiterstreifen 18 verbunden, der auf der Oberfläche der Keramikplatte 15 angebracht ist und dessen Endteil 18' das Oberende der Ausnehmung 17 umgibt. Ein elektrischer Isolierstoff 21, wie z« B. Glas, der keine Bindung mit dem Lot eingeht, wird vorab quer über den ersten Verdrahtungsleiterstreifen 18 abgeschieden, um ein
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Weiterfließen des Lots 20 zu verhindern und die Menge des
Lots 20, die zur Schaffung der elektrischen Verbindung aufgebracht wird, konstant zu halten.
Bei der Lichtemissionsdiodenanordnung gemäß der Erfindung, wie sie anhand der Fig. 3 beschrieben wurde, ist die
erste Elektrode 12' auf der abgeschrägten Fläche vorgesehen,
die durch teilweises Entfernen der Umfangskanten der einen Oberfläche des Lichtemissionsdiodenelements 13 gebildet wurde,
und auf der anderen Oberfläche dieses Diodenelements 13 ist die zweite, flache Elektrode 11 vorgesehen. Weiter ist
das Oberende der Ausnehmung 17 in der oberen Keramikplatte 15 der Unterlage 14 vom Endteil 18' des ersten Verdrahtungsleiterstreifens
18 umgeben, während das Unterende dieser Ausnehmung 17 mit dem zweiten Verdrahtungsleiterstreifen 19
verbunden ist. So wird während des Zusammenbaus eine rinnen- oder trogartige Einbuchtung um die erste Elektrode 12' des
Lichtemissionsdiodenelements 13 herum gebildet, wie Fig. 3 zeigt, wenn das Lichtemissionsdiodenelement 13 in der Ausnehmung
17 der Unterlage 14 aufgenommen wird. Diese trogartige
Einbuchtung wirkt sich erleichternd für den Zusammenbau aus, da so die Lotbrücke 20 zur elektrischen Verbindung
der ersten Elektrode 12' mit dem ersten Verdrahtungsleiter 18 leichter erzeugt werden kann.
Fig, 4 ist eine schematische Perspektivansicht eines Teils einer anderen bevorzugten Ausführungsart der Lichtemissionsdiodenanordnung
gemäß der Erfindung. In Fig. 4 bezeichnen gleiche Bezugsziffern gleiche Teile wie in Fig. 3.
Bei diesem zweiten Ausführungsbeispiel ist eine Mehrzahl von Lichtemissionsdiodenelementen 13, deren jedes dem Aufbau nach
Fig. 2e entspricht, auf einer einzelnen Unterlage 24 mit einer Mehrzahl von Aufnahmeauenehmungen 17 angeordnet. Obwohl
hier Lotbrücken zur elektrischen Verbindung der einzelnen ersten Elektroden 121 der Lichtemissionsdiodenelemente 13
mit den zugehörigen ersten Verdrahtungsleiterstreifen 18,
die auf einer Oberfläche der Unterlage 24 angebracht sind, aus Gründen der Vereinfachung der Darstellung nicht gezeichnet
sind, ist es klar, daß jede dieser ersten Elektroden 12' in Wirklichkeit elektrisch mit den zugehörigen ersten Verdrahtungsleiterstreifen
18 auch in diesem Fall durch je eine Lotforücke 20 entsprechend der in Fig. 3 dargestellten verbunden
ist,
Die liicfatemissionsdiodeaanordnmig nach Fig. 4 läßt sich,
wie im Fall des in Fig, 3 gezeigten ersten Äusführungsbeispiels
gemäß der Erfindung sehr leicht zusammenbauen, Seiter
lassen sich die Lichtemissionsdiodenelemente ausgezeichnet auf der einzelnen Unterlage mit hoher Packungsdichte montieren,
Fig. 5 ist eine schematische Teilschnittansicht eines
dritten bevorzugten Ausführungsbeispiels der Liehteraissionsdiodenanordnung
gemäß der Erfindung. In Fig. 5 bezeichnen gleiche Bezugsziffern gleiche Teile wie in Fig. 3. Bei diesem
Ausführungsbeispiel ist ein Lichtemissionsdiodenelement 13f
wie es in Fig. 2e gezeigt ist, mit einer Unterlage 34 verbunden. Diese Unterlage 34 weicht von den Unterlagen 14 und
24 nach Fig. 3 und 4 dadurch etwas ab, daß die Umfangskanten
des Oberendes der Aufnahmeausnehmung 17 teilweise entfernt
sind, um hier eine abgeschrägte Fläche 22, wie dargestellt, zu schaffen, und ein Verdrahtungsleiterstreifen 18' ist auf
dieser abgeschrägten Fläche 22 als Verlängerung eines ersten Verdrahtungsleiterstreifens 18 angebracht.
Die zweite Elektrode 11 des Lichtemissionsdiodenelements
13, das sieh in der Ausnehmung 17 der Unterlage 34 befindet, ist durch Ultraschallschweißen oder irgendeine andere geeignete
Maßnahme elektrisch mit einem zweiten Verdrahtungsleiterstreifen 19 verbunden, der sich längs des Bodenendes der
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Ausnehmung 17 erstreckt. Die erste Elektrode 12' des Lichtemissionsdiodenelements
13 ist durch eine Lotbrücke 30 elektrisch mit dem Verdrahtungsleiterstreifen 18' verbunden, der
auf der abgeschrägten Fläche 22 angeordnet ist, die durch teilweises Entfernen der Umfangskanten des Oberendes der Ausnehmung
17 gebildet wurde.
Während des Zusammenbaues der in Fig. 5 dargestellten Lichtemissionsdiodenanordnung wird somit eine erweiterte rinnen-
oder trogartige Ausbuchtung zwischen der ersten Elektrode 12', die auf der abgeschrägten Fläche des Lichtemissionsdiodenelements
13 angebracht ist, und dem Verdrahtungsleiterstreifen 18', der auf der abgeschrägten Fläche 22 angebracht
ist, die durch teilweises Entfernen der umfangskanten des pberendes der Ausnehmung 17 der Unterlage 34 erhalten
wurde, gebildet, wenn das Lichtemissionsdiodenelement in die Ausnehmung 17 der Unterlage 34 eingefügt wird. Diese
trogartige oder rinnenartige Ausbuchtung läßt sich nutzen, um eine bessere gelötete elektrische Verbindung als die in
Fig. 3 dargestellte zu sichern.
In den vorstehend beschriebenen Ausführungsbeispielen
wird bzw. ist der N-Halbleiterbereich des Lichtemissionsdiodenelements
an allen Umfangskanten seiner Oberfläche abgeschrägt, und die erste Elektrode ist so angebracht, daß sie
sich über die gesamte abgeschrägte Fläche der Oberfläche des N-Halbleiterbereichs erstreckt. Diese erste Elektrode ist am
N-Halbleiterbereich vorgesehen, da der Lichtemissionswirkungsgrad des Lichtemissionsdiodenelements allgemein besser ist,
wenn Licht vom N-Halbleiterbereich abgestrahlt wird, als wenn Licht vom P-Halbleiterbereich abgestrahlt wird. Jedoch kann
auch der P-Halbleiterbereich des Lichtemissionsdiodenelements an den Umfangskanten seiner Oberfläche abgeschrägt werden,
und man kann die erste Elektrode an dieser abgeschrägten Fläche anbringen, statt sie am N-Halbleiterbereich vorzusehen.
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Weiter müssen, obwohl die erste Elektrode in den Ausführungsbeispielen
so ausgebildet ist, daß sie sich über die gesamte abgeschrägte Fläche der Oberfläche des N-HaIbleiterbereichs
des Lichtemissionsdiodenelements erstreckt, nicht alle Teile dieser ersten Elektrode unbedingt elektrisch
mit dem Leiterstreifen verbunden werden, und es kann auch nur
wenigstens ein Teil der ersten Elektrode elektrisch mit dem Leiterstreifen verbunden sein. Weiter beziehen sich die Ausführungsbeispiele
auf den Fall, in dem das Lichtemissionsdiodenelement
eine rechteckige Form aufweist. Jedoch ist die Form des Lichtemissionsdiodenelements auf die rechteckige,
in den Figuren dargestellte Form nicht beschränkt, sondern kann statt dessen auch kreisförmig oder dreieckig sein. In
einem solchen Fall müßte die Ausnehmung der Unterlage entsprechend gestaltet seinr um zur Form des Lichtemissionsdiodenelements
zu passen.
Man ersieht aus der vorstehenden Beschreibung der Einzelheiten, daß die Erfindung ein Lichtemissionsdiodenelernent
bietet7 das erhältlich ist, indem man ein Halbleiterplattchen
mit einem Paar aus einem P-Halbleiterbereich und einem N-Halbleiterbereich,
die zusammen einen pn-übergang bilden, herstellt, eine erste Elektrode an einer abgeschrägten Fläche
der Oberfläche des einen der Halbleiterbereiche und eine zweite Elektrode an der Oberfläche des anderen Halbleiterbereichs
anbringt. Man erkennt weiter, daß die Erfindung eine Lichtemissionsdiodenanordnung zur Verfügung stellt, die erhältlich
ist, indem man eine Unterlage mit einer Ausnehmung zur Aufnahme eines solchen Lichtemissionsdiodenelements herstellt,
einen ersten Verdrahtungsleiterstreifen mit einer das Oberende der Ausnehmung der Unterlage umgebenden Verlängerung
zum elektrischen Verbinden mit der ersten Elektrode des Lichtemissionsdiodenelements unter Verwendung einer Lotbrücke
und einen zweiten Verdrahtungsleiterstreifen längs des
Bodenendes der Ausnehmung der Unterlage zur elektrischen Ver-
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bindung mit der zweiten Elektrode des Lichtemissionsdioden-"elements
unter Anwendung des Ultraschallschweißens oder dergleichen anbringt. Ebenfalls kann eine Mehrzahl solcher Ausnehmungen
auf einer und derselben Unterlage vorgesehen sein, so daß man eine Mehrzahl dieser Lichtemissionsdiondenelemente
auf einer einzigen Unterlage in hoher Packungsdichte montieren kann.
Nach einem praktischen Verfahren zur Montage kann man so vorgehen, daß man vorab ein kleines Lötmaterialstück (einen
dünnen Streifen oder ein Kügelchen aus Lötmittel) in jeder der Ausnehmungen der Unterlage anordnet, je ein Lichtemiss
ions diodenelement in die Ausnehmungen einlegt, ein kleines Lötmaterialstück (Streifen oder Kügelchen) in die so
verbleibende trogartige Ausbuchtung einbringt, die sich zwischen j,edem der ersten Verdrahtungsleiterstreifen auf der
Oberfläche der Unterlage und den ersten Elektroden der zugehörigen Lichtemissionsdiodenelemente befindet, und die gesamte
Unterlage dann mittels Transports auf einem Förderband durch einen Heizofen führt. Ein anderes praktisches Verfahren
zur Montage kann darin bestehen, daß man die zweite Elektrode jedes der Lichtemissionsdiodenelemente elektrisch mit
dem zugehörigen der zweiten Verdrahtungsleiterstreifen, die längs des Bodenendes jeder Ausnehmung angeordnet sind, z. B.
mittels Ultraschallschweißens verbindet, und die Unterlage in ein Bad aus Lötmaterialschmelze eintaucht, um die ersten
Elektroden aller Lichtemissionsdiodenelemente mit den zugehörigen ersten Verdrahtungsleiterstreifen zu verbinden, die
auf der Oberseite der Unterlage angeordnet sind. In dieser Weise kann eine Mehrzahl von Lichtemissionsdiodenelementen
des oben beschriebenen Aufbaus gleichzeitig innerhalb einer kurzen Zeit elektrisch mit der Verdrahtung verbunden werden.
So läßt sich der Montagewirkungsgrad erheblich verbessern, was zu großen wirtschaftlichen Vorteilen führt. Es ist offensichtlich,
daß anstelle des Lötmaterials auch jedes andere geeignete niedrigschmelzende Metall verwendet werden kann.
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Claims (10)
- Patentansprüche(I 1.JLichtemissionsdiodenelement aus einem Halbleiterplättchen mit einem Paar aus einem P-Halbleiterbereich und einem einen pn-übergang damit bildenden N-Halbleiterbereich, einer ersten, an einem der Halbleiterbereiche angebrachten Elektrode und einer zweiten, an der Oberfläche des anderen Halbleiterbereichs angebrachten flachen Elektrode, dadurch gekennzeichnet, daß wenigstens eine der Umfangskanten der Oberfläche des einen Halbleiterbereichs (7a) im Halbleiterplättchen (7) zur Schaffung einer an die Oberfläche angrenzenden Schrägfläche abgeschrägt ist und die erste Elektrode (12') an dieser Schrägfläche angebracht ist.
- 2. Lichtemissionsdiodenelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die schräge erste Elektrode (12·) an der Schrägfläche des N-Halbleiterbereichs (7a) und die flache zweite Elektrode (11) an der Oberfläche des P-Halbleiterbereichs (7b) angebracht ist.
- 3. Lichtemisslonsdiodenanordnung mit einem Lichtemissionsdiodenelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Unterlage (14; 34) mit einer das Lichtemissionsdiodenelement (13) aufnehmenden Ausnehmung (17), einen ersten, sich rings um das Oberende der Ausnehmung (17) erstreckenden Verdrahtungsleiterstreifen (18) und einen zweiten, längs des Bodenendes der Ausnehmung (17) verlaufenden Verdrahtungsleiterstreifen (19) aufweist, daß das Lichtemissionsdiodenelement (13) in der Ausnehmung (17) eine Lage hat, in der seine zweite, flache Elektrode (11) dem zweiten Verdrahtungsleiterstreifen (19) direkt zugewandt ist, und daß die erste, schräge Elektrode (12') und die zweite Elektrode (11) mit dem ersten603 8'2 4/0767Verdrahtungslexterstrexfen (18) bzw. dem zweiten Verdrahtungslexterstrexfen (19) elektrisch verbunden sind.
- 4. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Elektrode (12*) mit dem ersten Verdrahtungslexterstrexfen (18) durch eine Lotbrücke (20) elektrisch verbunden ist.
- 5. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Unterlage (14) aus einer ersten Keramikplatte (15) und einer zweiten Keramikplatte (16) besteht, deren jede auf ihrer einen Oberfläche einen Leiterstreifen trägt und die derart übereinandergelegt sind, daß die keinen Leiterstreifen tragende Oberfläche der ersten Keramikplatte (15) mit der den Leiterstreifen tragenden Oberfläche der zweiten Keramikplatte (16) verbunden ist, wobei die Ausnehmung (17) ein durchgehendes Loch in der ersten Keramikplatte (15) ist und die Leiterstreifen auf der ersten Keramikplatte (15) bzw. der zweiten Keramikplatte (16) in bestimmten Mustern zur Bildung der Verdrahtungslexterstrexfen (18, 19) angeordnet sind.
- 6. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß sich die erste, schräge Elektrode (121) des Lichtemissionsdiodenelements (13) über alle Umfangskanten der Oberfläche des einen Halbleiterbereichs (7a) im Halbleiterplättchen (7) erstreckt.
- 7. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Ausnehmung (17) der Unterlage (34) in dem der ersten Elektrode (121) des Lichtemissionsdiodenelements (13) gegenüberliegenden Bereich abgeschrägt ist und ein Verdrahtungslexterstrexfen (18·) längs dieser Schrägfläche (22) als Verlängerung des ersten Verdrahtungs!eiterstreifens (18) angeordnet ist. '803824/0767
- 8. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die erste Elektrode (121) und die zweite Elektrode (11) des Lichtemissionsdiodenelements (13) am N-Halbleiterbereich (7a) bzw. am P-Halbleiterbereich (7b) im Halbleiterplättchen (7) angebracht s ind.
- 9. Lichtemissionsdiodenanordnung mit mehreren Lichtemissionsdiodenelementen nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß sie eine Unterlage (24) aus einer ersten Keramikplatte (15) und einer zweiten Keramikplatte (16) aufweist, deren jede auf ihrer einen Oberfläche eine Mehrzahl von Verdrahtungsleiterstreifen (18 bzw. 19) trägt und die derart übereinandergelegt sind, daß die keinen Leiterstreifen tragende Oberfläche der ersten Keramikplatte (15) mit der die Leiterstreifen tragenden Oberfläche der zweiten Keramikplatte (16) verbunden ist, daß eine Mehrzahl von Ausnehmungen (17) in Form durchgehender Löcher in der ersten Keramikplatte (15) vorgesehen ist, in denen je ein Lichtemissionsdiodenelement (13) in einer Lage aufgenommen ist, in der seine zweite, flache Elektrode (11) dem auf der den Boden des Lochs (17) bildenden zweiten Keramikplatte (16) angebrachten zugehörigen Verdrahtungsleiterstreifen (19) direkt zugewandt ist, und daß die ersten und zweiten Elektroden (12·, 11) aller Lichtemissionsdiodenelemente (13) mit den zugehörigen ersten Verdrahtungsleiterstreifen (18) bzw. den zugehörigen zweiten Verdrahtungsleiterstreifen (19) auf den Keramikplatten (15, 16) der Unterlage (24) elektrisch verbunden sind.
- 10. Anordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß jede Ausnehmung (17) der Unterlage (2 4) in dem der ersten Elektrode (12') des zugehörigen Lichtemissionsdiodenelements (13) gegenüberliegenden Bereich abgeschrägt ist und je ein4/0787Verdrahtungsleiterstxeifen (18') längs dieser Schrägfläche (22) als Verlängerung des zugehörigen Verdrahtungsleiterstreif ens (18) auf der Oberfläche der ersten Keramikplatte (15) angeordnet ist.60982 4/0767
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP13838274A JPS5429239B2 (de) | 1974-12-04 | 1974-12-04 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2554398A1 true DE2554398A1 (de) | 1976-06-10 |
DE2554398B2 DE2554398B2 (de) | 1979-10-11 |
DE2554398C3 DE2554398C3 (de) | 1980-07-03 |
Family
ID=15220621
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2554398A Expired DE2554398C3 (de) | 1974-12-04 | 1975-12-03 | Kontaktierung einer Lumineszenzdiode |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4074299A (de) |
JP (1) | JPS5429239B2 (de) |
CA (1) | CA1050647A (de) |
DE (1) | DE2554398C3 (de) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0374121A2 (de) * | 1988-12-16 | 1990-06-20 | RSF-Elektronik Gesellschaft m.b.H. | Leuchtdiode |
DE102004047061B4 (de) | 2004-09-28 | 2018-07-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB2156153B (en) * | 1984-03-21 | 1988-02-24 | Pitney Bowes Inc | Alignment process for semiconductor chips |
GB2249428A (en) * | 1988-08-11 | 1992-05-06 | Plessey Co Plc | Connections for led arrays |
KR910006706B1 (ko) * | 1988-12-12 | 1991-08-31 | 삼성전자 주식회사 | 발광다이오드 어레이 헤드의 제조방법 |
JP2753153B2 (ja) * | 1991-04-15 | 1998-05-18 | キヤノン株式会社 | 発光素子 |
KR100594036B1 (ko) * | 2003-12-30 | 2006-06-30 | 삼성전자주식회사 | 광신호 증폭장치, 이를 구비하는 광통신 모듈 및 그제조방법 |
EP1836879A2 (de) * | 2004-12-27 | 2007-09-26 | Quantum Paper, Inc. | Adressierbares und druckbares emissives display |
US7284896B2 (en) * | 2005-04-15 | 2007-10-23 | Jiahn-Chang Wu | Light unit display |
DE102007011123A1 (de) * | 2007-03-07 | 2008-09-11 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Licht emittierendes Modul und Herstellungsverfahren für ein Licht emittierendes Modul |
DE102007015893A1 (de) * | 2007-04-02 | 2008-10-09 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Anordnung sowie Verfahren zum Betrieb und Verfahren zur Herstellung einer optoelektronischen Anordnung |
US9419179B2 (en) | 2007-05-31 | 2016-08-16 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Diode for a printable composition |
US9534772B2 (en) | 2007-05-31 | 2017-01-03 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Apparatus with light emitting diodes |
US8889216B2 (en) * | 2007-05-31 | 2014-11-18 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing addressable and static electronic displays |
US8852467B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-10-07 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing a printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
US8133768B2 (en) * | 2007-05-31 | 2012-03-13 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system |
US8809126B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-08-19 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
US9425357B2 (en) | 2007-05-31 | 2016-08-23 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc. | Diode for a printable composition |
US8456393B2 (en) * | 2007-05-31 | 2013-06-04 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing a light emitting, photovoltaic or other electronic apparatus and system |
US8846457B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-09-30 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
US8674593B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-03-18 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Diode for a printable composition |
US8415879B2 (en) | 2007-05-31 | 2013-04-09 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Diode for a printable composition |
US8877101B2 (en) | 2007-05-31 | 2014-11-04 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Method of manufacturing a light emitting, power generating or other electronic apparatus |
US9018833B2 (en) | 2007-05-31 | 2015-04-28 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Apparatus with light emitting or absorbing diodes |
US9343593B2 (en) | 2007-05-31 | 2016-05-17 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Printable composition of a liquid or gel suspension of diodes |
US7992332B2 (en) | 2008-05-13 | 2011-08-09 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc. | Apparatuses for providing power for illumination of a display object |
US8127477B2 (en) | 2008-05-13 | 2012-03-06 | Nthdegree Technologies Worldwide Inc | Illuminating display systems |
US10991852B2 (en) * | 2018-07-25 | 2021-04-27 | Jmicro Inc. | Transparent light-emitting display film, method of manufacturing the same, and transparent light-emitting signage using the same |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3054034A (en) * | 1958-10-01 | 1962-09-11 | Rca Corp | Semiconductor devices and method of manufacture thereof |
US3614832A (en) * | 1966-03-09 | 1971-10-26 | Ibm | Decal connectors and methods of forming decal connections to solid state devices |
FR1518717A (fr) * | 1966-12-21 | 1968-03-29 | Radiotechnique Coprim Rtc | Perfectionnements aux diodes électroluminescentes |
US3520054A (en) * | 1967-11-13 | 1970-07-14 | Mitronics Inc | Method of making multilevel metallized ceramic bodies for semiconductor packages |
US3573568A (en) * | 1969-06-18 | 1971-04-06 | Gen Electric | Light emitting semiconductor chips mounted in a slotted substrate forming a display apparatus |
US3641401A (en) * | 1971-03-10 | 1972-02-08 | American Lava Corp | Leadless ceramic package for integrated circuits |
FR2160710B1 (de) * | 1971-11-22 | 1974-09-27 | Radiotechnique Compelec | |
GB1416671A (en) * | 1973-02-14 | 1975-12-03 | Siemens Ag | Layer circuits |
US3964157A (en) * | 1974-10-31 | 1976-06-22 | Bell Telephone Laboratories, Incorporated | Method of mounting semiconductor chips |
-
1974
- 1974-12-04 JP JP13838274A patent/JPS5429239B2/ja not_active Expired
-
1975
- 1975-12-01 US US05/636,452 patent/US4074299A/en not_active Expired - Lifetime
- 1975-12-03 DE DE2554398A patent/DE2554398C3/de not_active Expired
- 1975-12-03 CA CA240,949A patent/CA1050647A/en not_active Expired
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0374121A2 (de) * | 1988-12-16 | 1990-06-20 | RSF-Elektronik Gesellschaft m.b.H. | Leuchtdiode |
EP0374121A3 (de) * | 1988-12-16 | 1991-01-16 | RSF-Elektronik Gesellschaft m.b.H. | Leuchtdiode |
DE102004047061B4 (de) | 2004-09-28 | 2018-07-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements |
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