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DE19901916A1 - Halbleitende lichtemittierende Vorrichtung - Google Patents

Halbleitende lichtemittierende Vorrichtung

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DE19901916A1
DE19901916A1 DE19901916A DE19901916A DE19901916A1 DE 19901916 A1 DE19901916 A1 DE 19901916A1 DE 19901916 A DE19901916 A DE 19901916A DE 19901916 A DE19901916 A DE 19901916A DE 19901916 A1 DE19901916 A1 DE 19901916A1
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DE
Germany
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light
substrate
semiconducting
layer
led element
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DE19901916A
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Hidekazu Toda
Shinji Isokawa
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Rohm Co Ltd
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Description

Die vorliegende Erfindung betrifft eine halbleitende lichtemittierende Vorrichtung.
Eine halbleitende lichtemittierende Vorrichtung von dem Typ, der auf einer Oberfläche auf­ gebracht ist und bei dem lichtemittierende Elemente eingesetzt werden, sind in verschiedenen Industrie- und Verbraucher-Vorrichtungen verwendet worden. Eine solche Vorrichtung ist beispielsweise in der japanischen Offenlegungsschrift Nr. 9-283803 offenbart. Ein weiteres Beispiel für solch eine bekannte halbleitende lichtemittierende Vorrichtung wird im Anschluß mit Bezug auf Fig. 1 beschrieben.
Fig. 1 zeigt eine Schnittansicht, die eine halbleitende lichtemittierende Vorrichtung 11 dar­ stellt, die ein lichtemittierendes Diodenelement, im Anschluß als LED-Element 6 bezeichnet, als ein halbleitendes lichtemittierendes Element enthält. Die Vorrichtung 11 umfaßt ein recht­ eckiges, nicht-leitendes Substrat 1, das aus einem elektrisch isolierenden Material, wie Kera­ miken oder einem nicht-transparenten synthetischen Harz, ausgebildet ist und das mit einem Paar metallisierter Leitungsschichten 2, 3 beschichtet ist, die von der Unterseite des rechtec­ kigen, nichtleitenden Substrats 1 zu der Oberseite desselben über dessen Längsseiten verläuft. Das LED-Element 6 ist mit einer lichtemittierenden Schicht aus einer Nitridverbindung, wie GaN, die auf ein Saphir-Substrat 6a aus der Dampfphase gezüchtet ist, und mit einer Elektro­ de auf der p-leitenden Seite sowie einer Elektrode auf der n-leitenden Seite auf der Seite, die dem rechteckigen, nicht-leitenden Substrat 1 zugewandt ist, ausgebildet.
Ferner ist ein Reflektor 7 vorgesehen, der mit einer Kavität 7a zum Aufnehmen des LED- Elements 6 ausgebildet ist. Der Reflektor 7 ist aus einem Substrat aus einem nicht­ transparenten synthetischen Harz in einer bestimmten Dicke ausgeformt. Die Kavität 7a ist auf ihren Längsseiten mit einer reflektierenden Beschichtung zum Bilden einer Reflektions­ schicht versehen. Der Reflektor 7 ist auf das rechteckige, nicht-leitende Substrat 1 über Ver­ bindungschichten 9, 10 auflaminiert.
Ein elektrisch leitendes Material 4 bzw. 5 ist auf der dem LED-Element 6 zugewandten Flä­ che jeder metallisierten Leitungsschicht 2 bzw. 3 aufgebracht. Das LED-Element 6 ist auf das rechteckige, nicht-leitende Substrat 1 unter Verwendung der elektrisch leitenden Materialien 4, 5 als Bindematerial aufgeprägt, so daß das LED-Element 6 innerhalb der Kavität 7a des Reflektors 7 beherbergt ist, und die Elektroden der p-leitenden sowie n-leitenden Seite auf dem Substrat 6a des LED-Elements 6 sind elektrisch mit dem Paar metallisierter Leitungs­ schichten 2, 3 verbunden. Ein aus einem transparenten oder halbtransparenten synthetischen Harz ausgeformter Bereich 8 stellt einen lichttransmittierbaren, aus synthetischem Harz aus­ geformten Bereich dar, der die komplette Oberfläche des LED-Elements 6 zum Abdichten desselben bedeckt.
Die so ausgebildete halbleitende lichtemittierende Vorrichtung 11, die das LED-Element 6 umfaßt, das auf das rechteckige nicht-leitende Substrat 1 aufgeprägt ist, ist mit einer Oberflä­ che auf eine Leiterplatine aufgebracht. Die metallisierten Leitungsschichten 2, 3, die aus ei­ nem elektrisch leitenden Material hergestellt sind, sind dabei mit Leitungen auf der Leiterpla­ tine verbunden.
Das Ausgabelicht, das von der beschichteten Oberfläche 6b des Saphir-Substrats 6a des halb­ leitenden LED-Elements 6 emittiert wird, wird durch den ausgeformten Bereich 8 transmit­ tiert und dann nach außen emittiert. Ein Teil des Ausgabelichtes wird an der Seite der Kavität 7a des Reflektors 7 reflektiert. Das reflektierte Licht wird auch durch den ausgeformten Be­ reich 8 transmittiert und nach außen emittiert, so daß die Lichtemissionseffizienz der halblei­ tenden, lichtemittierenden Vorrichtung 11 erhöht ist.
Da das reflektierende Beschichtungsmaterial auf die Seitenwand der Kavität 7a aufgebracht werden muß, die aus dem Substrat aus nicht-transparentem synthetischem Harz ausgebildet wird, um die Lichtemissionseffizienz der bekannten halbleitenden lichtemittierenden Vor­ richtung zu verbessern, besteht ein Problem dadurch, daß die Arbeitszeit und somit auch die Herstellungskosten erhöht werden. Das Ausgabelicht, das in eine Richtung emittiert wird, die der lichtemittierenden Fläche der halbleitenden lichtemittierenden Vorrichtung gegenüber­ liegt, geht in erheblichem Umfang verloren, so daß es nicht effektiv genutzt wird.
Da der Reflektor 7 als ein getrenntes Element in einer vorherbestimmten Dicke ausgebildet ist und auf das nicht-leitende Substrat 1 auflaminiert wird, kann die Dicke des Reflektors 7 grö­ ßer als die notwendige Dicke sein, selbst wenn die Dicke des halbleitenden LED-Elements 6 dünner gemacht ist. Dies führt dazu, daß die halbleitende lichtemittierende Vorrichtung insge­ samt eine große Höhe T1 senkrecht zur Schichtenfolge aufweist.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine halbleitende lichtemittierende Vorrichtung zu liefern, die die Nachteile des Stands der Technik überwindet, insbesondere kostengünstig herstellbar ist, eine verbesserte Lichtemissionseffizienz aufweist und in dünner Form herstellbar ist, so daß Höhe und Gewicht reduziert sind. Dabei soll vorzugsweise ein LED-Element mit einer hohen Lichtemissionseffizienz verwendbar sein, wie in der ebenfalls anhängigen japanischen Patentanmeldung Nr. 10-55662 beschrieben.
Diese Aufgabe wird erfindungsgemaß durch eine halbleitende lichtemittierende Vorrichtung gelöst, mit einem ersten reflektierenden Substrat; einem zweiten reflektierenden Substrat, das eine Kavität aufweist und auf das erste reflektierende Substrat auflaminiert ist; einem halb­ leitenden lichtemittierenden Element, das in der Kavität des zweiten reflektierenden Substrats beherbergt ist und auf das erste reflektierende Substrat auf der von der lichtemittierenden Seite abgewandten Seite aufgeprägt ist, auf der Elektroden der p-leitenden bzw. n-leitenden Seite ausgebildet sind; und einem lichttransmittierbaren, aus synthetischem Harz ausgeform­ ten Bereich zum Abdichten des halbleitenden lichtemittierenden Elements.
Dabei kann erfindungsgemäß vorgesehen sein, daß das halbleitende lichtemittierende Element auf eine Verkabelung auf der Fläche des ersten reflektierenden Substrats aufgeprägt ist, die der Kavität des zweiten reflektierenden Substrats zugewandt ist, so daß die Elektroden auf der von der lichtemittierenden Fläche des halbleitenden lichtemittierenden Elements abgewandten Seite elektrisch mit Durchgangslochleitern auf dem ersten reflektierenden Substrat verbunden sind.
Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß das halb­ leitende lichtemittierende Element folgendes umfaßt: ein Saphier-Substrat, eine Schicht aus einer auf GaN basierenden halbleitenden Verbindung, die eine lichtemittierende Schicht, die auf das Saphier-Substrat auflaminiert ist, enthält und einen Stromdiffusionsfilm, der auf die halbleitende Schicht auflaminiert und aus einem elektrisch leitenden Metallfilm mit einem hohen Lichtreflektionsfaktor ausgebildet ist, wobei das halbleitende lichtemittierende Element auf das erste reflektierende Substrat aufgebracht ist, so daß das Ausgabelicht E der lichtemit­ tierenden Schicht von dem Saphier-Substrat zusammen mit Reflektionslicht R, das von der Stromdiffusionsschicht reflektiert wird, emittiert wird.
Ferner kann gemäß der Erfindung vorgesehen sein, daß das erste und zweite reflektierende Substrat jeweils ein weißes Substrat ist.
Somit ist erfindungsgemäß ein LED-Element auf eine Leiterplatine auf der Oberfläche eines ersten weißen Substrats, das einer Kavität eines zweiten weißen Substrats gegenüberliegt, unter Verwendung elektrisch leitender Materialien als Verbindungsmaterial aufgeprägt, so daß das LED-Element in der Kavität des zweiten weißen Substrats beherbergt ist und Elektro­ den auf der p-leitenden Seite bzw. n-leitenden Seite auf der der lichtemittierenden Oberfläche eines beschichteten Saphir-Substrats des LED-Elements gegenüberliegenden Seite elektrisch mit Durchgangslochleitern verbunden ist. Das LED-Element, das auf das erste weiße Substrat aufgeprägt ist, wird entlang seines Umfangs von einem lichttransmittierbaren aus syntheti­ schem Harz ausgeformtem Bereich bedeckt und abgedichtet. Die halbleitende lichtemittieren­ de Vorrichtung weist daher eine erhöhte Lichtemissionseffizienz und eine flache Form auf.
Da das zweite weiße, reflektierende, Substrat, das mit der Kavität ausgebildet ist, auf das erste weiße Substrat laminiert ist und das halbleitende lichtemittierende Element in der Kavität des zweiten weißen Substrats in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung beherbergt ist, wird das von dem halbleitenden lichtemittierenden Element emittierte Ausgabelicht auch auf beiden Längsseiten des halbleitenden lichtemittierenden Elements und seiner der licht­ emittierenden Fläche gegenüberliegenden Unterseite reflektiert und dann nach außen emit­ tiert. Die Lichtemissionseffizienz der halbleitenden lichtemittierenden Vorrichtung ist daher gegenüber dem Stand der Technik verbessert.
Da das erste und zweite weiße Substrat selbst als reflektierende Schichten für das Ausgabe­ licht, das von dem halbleitenden lichtemittierenden Element emittiert wird, verwendet wird, ist die Notwendigkeit zum Ausbilden einer zusätzlichen reflektierenden Schicht eliminiert, so daß die Herstellungskosten im Vergleich zum Stand der Technik reduziert sind. Die halblei­ tende lichtemittierende Vorrichtung kann ferner in flacher Form durch Auswählen der Dicke des zweiten weißen Substrats in Abhängigkeit von der Dicke bzw. Höhe der halbleitenden lichtemittierenden Vorrichtung ausgebildet werden, so daß eine Reduktion in Höhe und Ge­ wicht der Vorrichtung im Vergleich zum Stand der Technik erreicht wird.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschrei­ bung, in der ein Ausführungsbeispiel der Erfindung anhand von schematischen Zeichnungen im einzelnen erläutert ist. Dabei zeigt:
Fig. 1 eine Schnittansicht einer bekannten halbleitenden lichtemittierenden Vorrichtung;
Fig. 2 eine Schnittansicht einer erfindungsgemäßen Ausführungsform einer halbleiten­ den lichtemittierenden Vorrichtung; und
Fig. 3 eine Vorderansicht, im Teillängsschnitt, eines LED-Elements, das beispielsweise in der halbleitenden lichtemittierenden Vorrichtung der vorliegenden Erfindung verwendbar ist.
Im Anschluß wird eine Ausführungsform der Erfindung mit Bezug auf Fig. 2 beschrieben. Fig. 2 zeigt dabei eine Schnittansicht einer erfindungsgemäßen halbleitenden lichtemittie­ renden Vorrichtung 20. Diejenigen Bauteile, die im wesentlichen den Bauteilen entsprechen, die mit Bezug auf Fig. 1 für die bekannte Vorrichtung beschrieben worden sind, weisen gleiche Bezugszeichen auf und werden im Anschluß nicht weiter beschrieben. Die halbleiten­ de lichtemittierende Vorrichtung 20 kann ein LED-Element 6 verwenden, das den gleichen Aufbau aufweist wie mit Bezug auf Fig. 1 beschrieben.
Gemäß Fig. 2 hat ein erstes weißes Substrat 21 auf einer Fläche eine bestimmte Verkabelung und Durchgangslochleiter 23, 24, die sich durch Durchgangslöcher bis zu besagter Fläche erstrecken. Das erste weiße Substrat 21 ist aus einem synthetischen Harzsubstrat hergestellt. Ein zweites weißes Substrat 22, das mit einer Kavität 22a ausgebildet ist, ist aus dem gleichen synthetischen Harzmaterial wie das erste Substrat 21 ausgebildet. Das zweite weiße Substrat 22 ist auf das erste weiße Substrat 21 durch Verbinden mittels Verbindungsmaterial 9, 10 auflaminiert. Die Dicke des zweiten weißen Substrats 22 wird unter Berücksichtigung der mechanischen Stärke und dergleichen, abhängig von der Dicke des halbleitenden lichtemittie­ renden Elements 6 bestimmt. Demgemäß kann die Höhe T2 der halbleitenden lichtemittieren­ den Vorrichtung 20 senkrecht zur Schichtfolge herabgesetzt werden.
Das LED-Element 6 ist auf die Verkabelung auf der einen Fläche des ersten weißen Substrats 21, die der Kavität 22a des zweiten weißen Substrats 22 zugewandt ist, unter Einsatz elek­ trisch leitenden Materials 4, 5, wie Verbindungsmaterial, aufgeprägt, so daß das LED- Element 6 in der Kavität 22a des zweiten weißen Substrats 22 beherbergt ist und Elektroden der p-leitenden sowie n-leitenden Seite des LED-Elements 6 auf der Seite, die von der lich­ temittierenden Oberfläche eines Saphir-Substrats 6b des LED-Elements 6 abgewandt ist, elektrisch mit den Durchgangslochleitern 23, 24 verbunden. Das LED-Element 6, das auf das erste weiße Substrat 21 aufgeprägt ist, ist entlang seines kompletten Umfangs mittels eines lichttransmittierbaren, aus synthetischem Harz ausgeformtem Bereichs 8 bedeckt und abge­ dichtet.
Das Ausgabelicht, das von der einen Oberfläche 6b des Saphir-Substrats des LED-Elements 6 emittiert wird, wird durch den ausgeformten Bereich 8 transmittiert und dann nach außen emittiert. Ein Teil des Ausgabelichts wird an den Längsseiten des zweiten weißen Substrats 22 reflektiert. Das Ausgabelicht, das in Richtung der anderen Oberfläche 6a emittiert wird, an der die Elektroden der p-leitenden sowie n-leitenden Seite auf der von der lichtemittierenden Fläche des LED-Elements 6 abgewandten Seite bereitgestellt sind, wird auch von dem ersten weißen Substrat 21 reflektiert.
Mit anderen Worten wird das Ausgabelicht, das von dem LED-Element 6 emittiert wird, so­ wohl von der Rückseite als auch der Längsseite des LED-Elements 6 durch das erste bzw. zweite weiße Substrat 21, 22 reflektiert. Das reflektierte Licht, das von dem ersten bzw. zweiten weißen Substrat 21, 22 reflektiert wird, wird durch den ausgeformten Bereich 8 transmittiert und dann nach außen emittiert. Demgemäß kann die Lichtemissionseffizienz verbessert werden, da das Ausgabelicht, das in eine Richtung emittiert wird, die der licht­ emittierenden Fläche 6b des LED-Elements 6 gegenüberliegt, effektiv benutzt wird, indem es nach außen als reflektiertes Licht emittiert wird.
Die halbleitende lichtemittierende Vorrichtung 20 weist keinen Reflektor auf, der aus einem zusätzlichen Glied hergestellt und in einer vorherbestimmten Decke ausgeformt ist, im Ge­ gensatz zum Stand der Technik, und die Dicke des zweiten weißen Substrats 22 kann ausge­ wählt werden in Abhängigkeit von der Dicke des LED-Elements 6, so daß die Höhe T2 senk­ recht zur Schichtenfolge im Vergleich zum Stand der Technik reduziert werden kann. Obwohl die Höhe T1 der bekannten halbleitende lichtemittierende Vorrichtung 11 in der Größenord­ nung von ungefahr 0,5 mm liegt, kann die Höhe T2 der erfindungsgemäßen halbleitenden lichtemittierenden Vorrichtung 20 auf 0,3 mm oder weniger reduziert werden. Demgemäß hat die erfindungsgemäße halbleitende lichtemittierende Vorrichtung 20 den Vorteil, daß sie für tragbare Produkte verwendbar ist, die eine Reduktion in Größe und Gewicht der Vorrichtung fordern.
Fig. 3 zeigt ein Beispiel für das LED-Element 6, das mit der erfindungsgemäßen halbleiten­ den lichtemittierenden Vorrichtung verwendbar ist und im wesentlichen dem in der ebenfalls anhängigen japanischen Patentanmeldung Nr. 10-55662 offenbarten LED-Element entspricht. Demgemäß ist eine Tieftemperatur-Pufferschicht 12 aus GaN auf einem Saphir-Substrat 6b ausgebildet, und eine n-leitende Schicht 13 ist auf der Tieftemperatur-Pufferschicht 12 ausge­ bildet. Eine aktive Schicht 14 aus einer auf InGaN basierenden halbleitenden Verbindung dient als eine lichtemittierende Schicht, auf der wiederum eine p-leitende Schicht 15 aufge­ bracht ist. Die n-leitende Schicht 13, die aktive Schicht 14, die als lichtemittierende Schicht dient, und die p-leitende Schicht 15, die aus einer auf GaN basierenden halbleitenden Verbin­ dung hergestellt ist, sind aufeinanderfolgend auf dem Saphir-Substrat 6b aufgebracht. Zudem ist ein Stromdiffusionsfilm 16 vorgesehen, der aus einem elektrisch leitenden Material mit einem hohen Lichtreflektionsfaktor auf der p-leitenden Schicht 15 ausgebildet ist. Das Metall des Stromdiffusionsfilms 16 kann Al, Ni, Ti oder Pt enthalten und ist eben auf der p-leitenden Überzugsschicht 15 ausgebildet. Das LED-Element 6 ist auf eine Leiterplatine derart aufge­ bracht, daß das Ausgabelicht der lichtemittierenden Schicht 4 von dem Saphir-Substrat 6b als Emissionsschicht E direkt emittiert wird. Das reflektierte Licht R, das von dem Stromdiffusi­ onsfilm 16 reflektiert wird, wird ebenfalls von dem Saphier-Substrat 6b emittiert.
Das LED-Element 6 ist auf dem ersten weißen Substrat 21 aufgebracht, so daß das Ausgabe­ licht von der lichtemittierenden Schicht 14 auf der Seite, die dem Saphier-Substrat 6b zuge­ wandt ist, emittiert wird. Beim Aufbringen des LED-Elements 6 auf das erste weiße Substrat 21 wird eine Seite 6a des LED-Elements 6, auf der die Elektroden 17, 18 der n-leitenden bzw. der p-leitenden Seite ausgebildet sind, auf die Leiterplatine oder das mit metallisiertem Draht versehene erste weiße Substrat 21 unter Verwendung eines elektrisch leitenden Materials als Bindematerial aufgeprägt. Durch Aufbringen des LED-Elements 6 auf das erste weiße Sub­ strat 21 wird ein primäres Licht E, das direkt von dem LED-Element 6 über das Saphier- Substrat 6b emittiert wird, durch ein reflektiertes Licht R, das von dem Stromdiffusionsfilm 16 reflektiert wird, verstärkt, so daß das resultierende Licht von dem Saphier-Substrat 6b emittiert wird. Bei solch einem Typ eines LED-Elements 6 ist der Stromdiffusionsfilm 16 auf der p-leitenden Überzugsschicht 15 zum Beliefern der lichtemittierenden Schicht 14 mit ei­ nem uniformen Strom ausgebildet. Bei dem LED-Element 6, das in der erfindungsgemäßen halbleitenden lichtemittierenden Vorrichtung 20 verwendet wird, wird ein Metall mit einem hohen Lichtreflektionsfaktor verwendet, so daß der Stromdiffusionsfilm 16 als ein Reflektor des Ausgabelichts von der lichtemittierenden Schicht 14 fungiert. Daher kann der Stromdiffu­ sionsfilm 16, der ansonsten das Ausgabelicht, das von den bekannten LED-Elementen emit­ tiert wird, reduziert, auf vorteilhafte Weise als ein Mittel zum Erhöhen des von dem LED- Element emittierten Ausgabelichts verwendet werden.
Da das LED-Element 6 auf dem ersten weißen Substrat 21 derart aufgebracht ist, daß das Ausgabelicht von der lichtemittierenden Schicht 14 von dem Stromdiffusionsfilm 16 reflek­ tiert wird und dann von der Saphier-Substratoberfläche 6b in Übereinstimmung mit der ge­ genwärtigen Erfindung emittiert wird, kann der Stromdiffusionsfilm 16, der ansonsten die Menge an Ausgabelicht der lichtemittierenden Schicht 14 herabsetzt, vorteilhafterweise als Mittel zum Erhöhen der Menge an Ausgabelicht verwendet werden. Die Lichtemissionseffizi­ enz des LED-Elements 6 ist daher gegenüber dem Stand der Technik verbessert. Demgemäß ermöglicht die Verwendung solch eines LED-Elements 6, die Lichtemissionseffizienz der halbleitenden lichtemittierenden Vorrichtung 20 weiter zu verbessern.
In der oben beschriebenen Ausführungsform der halbleitenden lichtemittierenden Vorrichtung 20 ist das LED-Element 6 beschrieben worden, bei dem die lichtemittierende Schicht aus ei­ ner auf GaN basierenden halbleitenden Verbindung aus der Dampfphase gezüchtet auf das Substrat 6b aufgebracht ist, das aus einem lichttransmittierbaren isolierenden Material ausge­ bildet ist, das eine hohe Härte aufweist, wie Saphir, wobei die Seite der lichtemittierenden Schicht der Substrat-Oberfläche 6b zugewandt ist, die als lichtemittierende Fläche fungiert.
Das halbleitende lichtemittierende Element, das mit der halbleitenden lichtemittierenden Vor­ richtung der gegenwärtigen Erfindung verwendet wird, ist nicht auf das LED-Element be­ schränkt, das den oben beschriebenen Aufbau hat, jedoch ist im allgemeinen ein halbleitendes lichtemittierendes Element verwendbar, bei dem die Elektroden auf der p-leitenden bzw. n-leitenden Seite auf einer Seite davon ausgebildet sind.
Die in der vorstehenden Beschreibung, in den Zeichnungen sowie in den Ansprüchen offen­ barten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln als auch in jeder beliebigen Kombi­ nation für die Verwirklichung der Erfindung in ihren verschiedenen Ausführungsformen we­ sentlich sein.
Bezugszeichenliste
1
Nicht-leitendes Substrat
2
Metallisierte Leitungsschicht
3
Metallisierte Leitungsschicht
4
Elektrisch leitendes Material
5
Elektrisch leitendes Material
6
LED-Element
6
a Saphir-Substrat-Oberfläche
6
b Saphir-Substrat-Oberfläche
7
Reflektor
7
a Kavität
8
Synthetisches Harz
9
Verbindungsschicht
10
Verbindungsschicht
11
Halbleitende lichtemittierende Vorrichtung
12
Tieftemperatur-Pufferschicht
13
n-leitende Schicht
14
aktive Schicht
15
p-leitende Schicht
16
Stromdiffusionsfilm
17
Elektrode der n-leitenden Seite
18
Elektrode der p-leitenden Seite
20
Halbleitende lichtemittierende Vorrichtung
21
Weißes Substrat
22
Weißes Substrat
22
a Kavität
23
Leiter
24
Leiter
T1
Höhe
T2
Höhe
E Emissionslicht
R Reflexionslicht

Claims (4)

1. Halbleitende lichtemittierende Vorrichtung (20), mit
einem ersten reflektierenden Substrat (21);
einem zweiten reflektierenden Substrat (22), das eine Kavität (22a) aufweist und auf das erste reflektierende Substrat (21) auflaminiert ist;
einem halbleitenden lichtemittierenden Element (6), das in der Kavität (22a) des zweiten reflektierenden Substrats (22) beherbergt ist und auf das erste reflektie­ rende Substrat (21) auf der von der lichtemittierenden Seite abgewandten Seite aufgeprägt ist, auf der Elektroden (17, 18) der p-leitenden bzw. n-leitenden Seite ausgebildet sind; und
einem lichttransmittierbaren, aus synthetischem Harz ausgeformten Bereich (8) zum Abdichten des halbleitenden lichtemittierenden Elements (6).
2. Halbleitende lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das halbleitende lichtemittierende Element (6) auf eine Verkabelung auf der Flä­ che des ersten reflektierenden Substrats (21) aufgeprägt ist, die der Kavität (22a) des zweiten reflektierenden Substrats (22) zugewandt ist, so daß die Elektroden (17, 18) auf der von der lichtemittierenden Fläche des halbleitenden lichtemittie­ renden Elements (6) abgewandten Seite elektrisch mit Durchgangslochleitern (23, 24) auf dem ersten reflektierenden Substrat (21) verbunden sind.
3. Halbleitende lichtemittierende Vorrichtung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch ge­ kennzeichnet, daß das halbleitende lichtemittierende Element (6) folgendes umfaßt:
ein Saphier-Substrat (6a, 6b),
eine Schicht aus einer auf GaN basierenden halbleitenden Verbindung, die eine lichtemittierende Schicht (14), die auf das Saphier-Substrat (6a, 6b) auflaminiert ist, enthält und
einen Stromdiffusionsfilm (16), der auf die halbleitende Schicht (14) auflaminiert und aus einem elektrisch leitenden Metallfilm mit einem hohen Lichtreflektions­ faktor ausgebildet ist, wobei
das halbleitende lichtemittierende Element (6) auf das erste reflektierende Substrat (21) aufgebracht ist, so daß das Ausgabelicht E der lichtemittierenden Schicht (14) von dem Saphier-Substrat (6b) zusammen mit Reflexionslicht R, das von der Stromdiffusionsschicht (16) reflektiert wird, emittiert wird.
4. Halbleitende lichtemittierende Vorrichtung nach einem der vorangehenden An­ sprüche, dadurch gekennzeichnet, daß das erste und zweite reflektierende Substrat (21, 22) jeweils ein weißes Substrat ist.
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