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DE102015111492B4 - Bauelemente und Verfahren zur Herstellung von Bauelementen - Google Patents

Bauelemente und Verfahren zur Herstellung von Bauelementen Download PDF

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DE102015111492B4
DE102015111492B4 DE102015111492.5A DE102015111492A DE102015111492B4 DE 102015111492 B4 DE102015111492 B4 DE 102015111492B4 DE 102015111492 A DE102015111492 A DE 102015111492A DE 102015111492 B4 DE102015111492 B4 DE 102015111492B4
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carrier
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semiconductor
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Korbinian Perzlmaier
Anna Kasprzak-Zablocka
Berthold Hahn
Thomas Schwarz
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Osram Opto Semiconductors GmbH
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Abstract

Bauelement (100), das als Licht emittierende Diode ausgestaltet ist, mit einem Träger (1) und einem auf dem Träger (1) angeordneten Halbleiterkörper (2), bei dem- der Träger (1) eine Metallschicht (4) und einen Formkörper (5) aus einem Kunststoff umfasst, wobei der Träger (1) eine dem Halbleiterkörper (2) zugewandte Vorderseite (11) und eine dem Halbleiterkörper (2) abgewandte Rückseite (12) aufweist, die jeweils zumindest bereichsweise durch eine Oberfläche des Formkörpers (5) gebildet sind,- die Metallschicht (4) einen ersten Teilbereich (41) und einen zweiten Teilbereich (42) enthält, wobei der erste Teilbereich (41) und der zweite Teilbereich (42) in lateraler Richtung an den Formkörper (5) angrenzen, in vertikaler Richtung an der Vorderseite (11) des Trägers (1) elektrisch kontaktierbar, verschiedenen elektrischen Polaritäten des Bauelements (100) zugehörig und so zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers (2) eingerichtet sind, und- der Träger (1) eine Seitenfläche (10) aufweist, die senkrecht oder schräg zu der Rückseite (12) des Trägers (1) verläuft und als Montagefläche des Bauelements (100) ausgestaltet ist, wobei zumindest einer der Teilbereiche (41, 42) über die Seitenfläche (10) elektrisch kontaktierbar ist und Vereinzelungsspuren aufweist, wobei- das Bauelement (100) zur mechanischen Stabilisierung eine Stabilisierungsschicht (3) zwischen dem Träger (1) und dem Halbleiterkörper (2) aufweist und zumindest einer der Teilbereiche (41, 42) mit der Stabilisierungsschicht (3) elektrisch leitend verbunden ist,- die Stabilisierungsschicht (3) eine erste Teilschicht (31) und eine von der ersten Teilschicht (31) elektrisch getrennte zweite Teilschicht (32) umfasst,- zumindest eine der Teilschichten (31, 32) eine kammartig gezahnte Struktur aufweist, und- sich eine andere der Teilschichten (31, 32) in der lateralen Richtung in die kammartig gezahnte Struktur erstreckt, sodass das Bauelement (100) entlang aller lateralen Richtungen mechanisch verstärkt ist.

Description

  • Es werden Bauelemente und ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauelementen angegeben.
  • Für Hinterleuchtungsanwendungen werden Bauelemente mit besonders geringen Bauhöhen benötigt. Herkömmliche Bauelemente mit geringen Bauhöhen leiden oft unter mangelnder mechanischer Stabilität oder sind schlecht realisierbar, da die Außenmaße der Bauelemente bei gängigen Gehäusetechnologien häufig viel größer als lichtemittierende Oberflächen der Bauelemente sind.
  • Druckschriften US 2009 / 0 206 356 A1 , US 4 843 280 A , US 2002 / 0 060 342 A1 , US 2012 / 0 241 792 A1 , US 2015 / 0 162 502 A1 und US 2013 / 0 299 864 A1 beschreiben Bauelemente und Verfahren zur Herstellung von Bauelementen.
  • Eine Aufgabe ist es, Bauelemente mit einer geringen Bauhöhe und einer hohen mechanischen Stabilität anzugeben. Des Weiteren ist es eine weitere Aufgabe, ein vereinfachtes und zugleich kostengünstiges Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauelementen anzugeben.
  • Diese Aufgaben werden durch Bauelemente und ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauelementen gemäß den unabhängigen Ansprüchen gelöst. Weitere Ausgestaltungen und Weiterbildungen des Bauelements sowie des Verfahrens sind Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
  • Das Bauelement weist einen Träger und einen auf dem Träger angeordneten Halbleiterkörper auf. Der Träger weist eine dem Halbleiterkörper zugewandte Vorderseite und eine dem Halbleiterkörper abgewandte Rückseite auf. Insbesondere ist der Träger unmittelbar am Halbleiterkörper etwa im Waferverbund auf Waferebene hergestellt. Das bedeutet, dass der Träger etwa nicht in einem vom dem Halbleiterkörper separaten Produktionsschritt hergestellt wird und zum Beispiel mittels einer Verbindungsschicht an dem Halbleiterkörper befestigt wird, sondern bereits bei dessen Herstellung auf den Halbleiterkörper aufgebracht wird. Der Halbleiterkörper weist insbesondere eine der Vorderseite des Trägers abgewandte erste Halbleiterschicht, eine der Vorderseite des Trägers zugewandte zweite Halbleiterschicht und eine in vertikaler Richtung zwischen der ersten und der zweiten Halbleiterschicht angeordnete aktive Schicht auf. Im Betrieb des Bauelements ist die aktive Schicht bevorzugt zur Erzeugung oder zur Detektion von elektromagnetischen Strahlungen eingerichtet. Zum Beispiel ist die aktive Schicht eine pn-Übergangszone, die als eine Schicht oder als eine Schichtenfolge mehrerer Schichten ausgebildet ist.
  • Unter einer vertikalen Richtung wird eine Richtung verstanden, die insbesondere senkrecht zu einer Haupterstreckungsfläche des Halbleiterkörpers gerichtet ist. Insbesondere ist die vertikale Richtung die Wachstumsrichtung der Halbleiterschichten des Halbleiterkörpers. Unter einer lateralen Richtung wird eine Richtung verstanden, die etwa parallel zu der Haupterstreckungsfläche des Halbleiterkörpers verläuft. Insbesondere sind die vertikale Richtung und die laterale Richtung quer, etwa senkrecht zueinander gerichtet.
  • Der Träger kann aus einem Formkörper und einer Metallschicht gebildet sein. Die Metallschicht ist etwa zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers eingerichtet. Der Formkörper ist bevorzugt elektrisch isolierend und etwa aus einem Kunststoff, beispielsweise aus einem Polymer wie Epoxid oder Silikon, aus einem Harz oder einem Leiterplattenmaterial gebildet. Insbesondere ist der Formkörper durch Aufbringen des Kunststoffes auf den Halbleiterkörper ausgebildet. Beispielsweise grenzt die Metallschicht in der lateralen Richtung an den Formkörper an. Es ist auch möglich, dass die Metallschicht in lateralen Richtungen etwa bereichsweise von dem Formkörper vollumfänglich umgeben ist.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist die Metallschicht einen ersten Teilbereich und einen von dem ersten Teilbereich elektrisch getrennten zweiten Teilbereich auf. Die Teilbereiche der Metallschicht können in der lateralen Richtung an den Formkörper angrenzen oder zumindest teilweise von dem Formkörper umgeben sein. Insbesondere sind der erste Teilbereich und der zweite Teilbereich verschiedenen elektrischen Polaritäten des Bauelements zugeordnet. Der erste Teilbereich kann durch den Kunststoff des Formkörpers von dem zweiten Teilbereich elektrisch getrennt sein. Insbesondere ist der erste Teilbereich der Metallschicht zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht des Halbleiterkörpers und der zweite Teilbereich zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht des Halbleiterkörpers eingerichtet, oder umgekehrt. Sowohl der Formkörper als auch die Metallschicht mit den Teilbereichen können unmittelbar am Halbleiterkörper ausgebildet und etwa nicht getrennt von dem Halbleiterkörper vorgefertigt und anschließend mit dem Halbleiter befestigt sein. Der gesamte Träger kann somit unmittelbar am Halbleiterkörper hergestellt sein.
  • Die Vorderseite und die Rückseite des Trägers können jeweils zumindest bereichsweise durch Oberflächen des Formkörpers gebildet sein. Insbesondere ist die Vorderseite bereichsweise durch Oberflächen des Formkörpers und bereichsweise durch Oberflächen des ersten und/oder des zweiten Teilbereiches gebildet. An der Vorderseite des Trägers können der erste Teilbereich und der zweite Teilbereich der Metallschicht freiliegend und somit elektrisch kontaktierbar sein. Die Metallschicht mit den Teilbereichen kann so ausgebildet sein, dass die Rückseite des Trägers frei von einer Oberfläche der Metallschicht ist. Die Rückseite des Trägers kann ausschließlich durch eine Oberfläche des Formkörpers ausgebildet sein. Es ist jedoch auch möglich, dass die Rückseite des Trägers bereichsweise durch Oberflächen des ersten und/oder des zweiten Teilbereiches der Metallschicht ausgebildet sind, so dass der erste Teilbereich und/oder der zweite Teilbereich an der Rückseite elektrisch kontaktierbar sein können. Die an der Seitenfläche oder an der Rückseite des Trägers elektrisch kontaktierbaren Oberflächen der Teilbereiche dienen außerdem zur Entwärmung des Bauelements.
  • Der Träger weist eine Seitenfläche auf, die senkrecht oder schräg zu der Rückseite des Trägers verläuft. Die Seitenfläche des Trägers ist als Montagefläche des Bauelements ausgestaltet. Die Montagefläche des Bauelements verläuft in diesem Fall im Wesentlichen parallel zu der Aufwachsrichtung der Halbleiterschichten des Halbleiterkörpers. Das Bauelement kann so eingestellt sein, dass eine Hauptabstrahlrichtung etwa parallel zu der als Montagefläche des Bauelements ausgebildeten Seitenfläche des Trägers verläuft, so dass das Bauelement bevorzugt als Seitenstrahler (englisch: sidelooker) ausgebildet ist. An der Seitenfläche kann der erste und/oder der zweite Teilbereich der Metallschicht elektrisch kontaktierbar ausgebildet sein. Es ist auch möglich, dass etwa zwei oder mehrere erste und/oder zwei oder mehrere zweite Teilbereiche der Metallschicht an der Seitenfläche des Trägers elektrisch kontaktierbar ausgebildet sind. Über die als Montagefläche ausgebildete Seitenfläche kann das Bauelement extern elektrisch kontaktiert werden. Das Bauelement weist eine Seitenfläche auf, die etwa die Seitenfläche des Trägers umfasst. Die als Montagefläche ausgebildete Seitenfläche des Trägers kann durch Oberflächen des Formkörpers und der Metallschicht ausgebildet sein. Dabei kann der erste und/oder der zweite Teilbereich mit dem Formkörper bündig abschließen. Es ist auch möglich, dass die als Montagefläche ausgestaltete Seitenfläche des Trägers ausschließlich durch eine Oberfläche der Metallschicht ausgebildet ist. In diesem Fall kann das Bauelement über die Montagefläche und etwa zusätzlich über eine weitere Seitenfläche oder zusätzlich über die Rückseite des Trägers mit einer externen Spannungsquelle elektrisch kontaktiert werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist zumindest einer der Teilbereiche der Metallschicht Vereinzelungsspuren auf. Unter Vereinzelungsspuren sind spezifische Spuren zu verstehen, die etwa bei der Vereinzelung eines Verbunds in eine Mehrzahl von Bauelementen entstanden sind. Weist die als Montagefläche ausgebildete Seitenfläche des Trägers eine Oberfläche des Formkörpers auf, kann die Oberfläche des Formkörpers an der Seitenfläche ebenfalls Vereinzelungsspuren aufweisen. Insbesondere können der erste Teilbereich und/oder der zweite Teilbereich sowie der Formkörper Vereinzelungsspuren gleicher Art aufweisen. Das heißt, dass die Vereinzelungsspuren der Teilbereiche der Metallschicht und des Formkörpers etwa bei einem gleichen Trennprozess entstanden sind. Die gesamte als Montagefläche ausgebildete Seitenfläche des Trägers kann dabei eben und etwa frei von einer Stufe oder frei von einem Knick ausgebildet sein.
  • In zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist dieses einen Träger und einen auf dem Träger angeordneten Halbleiterkörper auf. Der Träger umfasst eine Metallschicht und einen Formkörper, der etwa aus einem Kunststoff ausgebildet ist, wobei der Träger eine dem Halbleiterkörper zugewandte Vorderseite und eine dem Halbleiterkörper abgewandte Rückseite aufweist, die jeweils zumindest bereichsweise durch eine Oberfläche des Formkörpers gebildet sind. Die Metallschicht enthält einen ersten Teilbereich und einen zweiten Teilbereich, wobei der erste und der zweite Teilbereich in der lateralen Richtung an den Formkörper angrenzen. Die Teilbereiche sind verschiedenen elektrischen Polaritäten des Bauelements zugehörig, in der vertikalen Richtung an der Vorderseite des Trägers elektrisch kontaktierbar und so zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers eingerichtet. Mit anderen Worten sind die Teilbereiche an der Vorderseite des Trägers etwa nicht oder nicht vollständig durch den Formkörper abgedeckt und liegen somit zumindest bereichsweise frei und können an der Vorderseite des Trägers etwa mit einer Kontaktstruktur des Bauelements zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers elektrisch leitend verbunden werden. Der Träger weist eine Seitenfläche auf, die senkrecht oder schräg zu der Rückseite des Trägers verläuft. Dabei ist die Seitenfläche als Montagefläche des Bauelements ausgestaltet, wobei zumindest einer der Teilbereiche über die Seitenfläche elektrisch kontaktierbar ist. Der zumindest eine der Teilbereiche der Metallschicht weist außerdem etwa an der Seitenfläche Vereinzelungsspuren auf. Es ist auch möglich, dass sowohl der erste als auch der zweite Teilbereich auf der als Montagefläche ausgebildeten Seitenfläche elektrisch kontaktierbar ausgebildet sind. Dabei können die Teilbereiche jeweils durch eine auf der Seitenfläche angeordnete elektrisch leitfähige Schutzschicht oder Lötschicht bedeckt sein.
  • Bei einer solchen Ausgestaltung des Bauelements kann das Bauelement an der Seitenfläche etwa an einer Leiterplatte mechanisch befestigt und elektrisch kontaktiert werden. Die Gesamtbauhöhe des Bauelements ist in diesem Fall nicht die Gesamthöhe etwa aus einer vertikalen Höhe des Trägers und einer vertikalen Höhe des Halbleiterkörpers, sondern eine laterale Breite des Bauelements, die etwa quer, insbesondere senkrecht zu der Aufwachsrichtung des Halbleiterkörpers gerichtet ist. Die Gesamtbauhöhe kann deshalb bei der Herstellung des Bauelements vereinfacht eingestellt werden, da die laterale Dimension im Gegensatz zur vertikalen Dimension des Bauelements etwa erst bei einem Vereinzelungsprozess festgelegt wird. Insbesondere kann die Gesamtbauhöhe des Bauelements, die etwa entlang einer zu der Montagefläche senkrecht gerichteten Richtung gemessen wird, zwischen einschließlich 0,1 mm und 0,5 mm, bevorzugt zwischen einschließlich 0,1 mm und 0,35 mm betragen. Solche flache Seitenstrahler können etwa als Hinterleuchtungsbauteile in Smartphones oder Tabletts Anwendung finden.
  • Durch die Ausgestaltung des Bauelements als Seitenstrahler kann ein Anteil einer Strahlungsaustrittsfläche des Bauelements in Bezug auf die Gesamtoberfläche des Bauelements besonders groß ausgestaltet werden. Im Vergleich zu herkömmlichen Bauelementen kann das hier beschriebene Bauelement in Draufsicht auf die Strahlungsaustrittsfläche einen besonders geringen Rand etwa aus einem Kunststoff, zum Beispiel aus einem Harz oder Leiterplattenmaterial, aufweisen. Dabei kann der Formkörper den Halbleiterkörper in lateralen Richtungen etwa vollumfänglich umgeben. Dabei können Seitenflächen des Halbleiterkörpers teilweise oder vollständig von dem Formkörper bedeckt sein.
  • Der Halbleiterkörper weist eine dem Träger abgewandte Strahlungsdurchtrittsfläche auf, wobei die Strahlungsdurchtrittsfläche in Draufsicht auf den Träger in lateralen Richtungen zumindest bereichsweise von dem den Formkörper bildenden Kunststoff umrandet sein kann. In Draufsicht auf den Träger kann der Kunststoff einen Rand mit einer lateralen Breite zwischen einschließlich 5 pm und 30 µm, etwa zwischen einschließlich 5 pm und 20 µm, beispielsweise zwischen einschließlich 5 pm und 15 pm aufweisen. Dieser Rand kann die Strahlungsdurchtrittsfläche vollumfänglich umlaufen. In solchen Fällen weist der Formkörper einen lateralen Querschnitt auf, der größer ist als ein lateraler Querschnitt des Halbleiterkörpers. Der Formkörper kann dabei so auf den und gegebenenfalls um den Halbleiterkörper aufgebracht sein, sodass der Formkörper in allen lateralen Richtungen seitlich über den Halbleiterkörper hinausragt, so dass das Bauelement in Draufsicht auf den Träger einen umlaufenden Rand um den Halbleiterkörper aufweist, wobei der Rand aus dem den Formkörper bildenden Kunststoff gebildet ist. Die Seitenflächen des Halbleiterkörpers können dabei teilweise oder vollständig von dem Kunststoff bedeckt sein.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements sind der erste Teilbereich und der zweite Teilbereich der Metallschicht so ausgebildet, dass sie sich zur Kennzeichnung deren jeweiliger elektrischer Polarität hinsichtlich zumindest eines Merkmals, etwa hinsichtlich deren Geometrie oder deren Größendimension, voneinander erkennbar unterscheiden. Zum Beispiel können die Teilbereiche, die den verschiedenen elektrischen Polaritäten des Bauelements zugehörig sind, verschiedene Formen oder verschiedene Größen etwa auf der Seitenfläche oder auf der Rückseite des Trägers aufweisen. Aufgrund solcher erkennbarer, insbesondere von außen sichtbarer Unterschiede können verschiedene Teilbereiche der Metallschicht verschiedenen elektrischen Polaritäten des Bauelements eindeutig zugeordnet werden. Dies vereinfacht die elektrische Kontaktierung des Bauelements bei dessen Anwendung.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements ist dieses als ein optoelektronisches Bauteil ausgebildet. Das Bauelement ist eine Licht emittierende Diode (LED) ausgestaltet.
  • Das Bauelement weist eine Stabilierungsschicht zwischen dem Träger und dem Halbleiterkörper zur mechanischen Stabilisierung auf. Die Stabilierungsschicht kann zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers eingerichtet sein, wobei zumindest einer der Teilbereiche der Metallschicht mit der weiteren Metallschicht elektrisch leitend verbunden ist. Die Stabilierungsschicht weist eine erste Teilschicht und eine von der ersten Teilschicht elektrisch getrennte zweite Teilschicht aufweisen. Dabei kann die erste Teilschicht mit dem ersten Teilbereich und die zweite Teilschicht mit dem zweiten Teilbereich elektrisch leitend verbunden sein, oder umgekehrt. Zumindest eine der Teilschichten, etwa die erste Teilschicht, weist eine kammartig gezahnte Struktur auf. Die andere der Teilschichten, etwa die zweite Teilschicht, erstreckt sich in der lateralen Richtung in die kammartig gezahnte Struktur, so dass das Bauelement entlang aller lateralen Richtungen mechanisch verstärkt beziehungsweise mechanisch stabilisiert ist. Insbesondere können beide Teilschichten der Stabilisierungsschicht jeweils eine kammartig gezahnte Struktur aufweisen, wobei die Strukturen der Teilschichten ineinander verzahnt, jedoch räumlich beabstandet und dadurch voneinander elektrisch getrennt sind. Die Stabilierungsschicht weist dadurch etwa ineinander verzahnte Kamm- beziehungsweise Finger-Strukturen auf, die eine Bruchgefahr etwa bei einer Biegebelastung auf das Bauelement reduzieren. Im Vergleich mit herkömmlichen Seitenstrahlern kann somit die Bruchgefahr durch Biegung oder Verspannung (Warpage-Problem) deutlich reduziert werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements weist dieses eine Konverterschicht auf einer dem Träger abgewandten Oberfläche des Halbleiterkörpers auf. Die Konverterschicht kann ein Konvertermaterial enthalten, welches dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung einer ersten Peak-Wellenlänge in elektromagnetische Strahlung einer zweiten Peak-Wellenlänge umzuwandeln. Insbesondere emittiert die aktive Schicht im Betrieb des Bauelements eine elektromagnetische Strahlung mit der ersten Peak-Wellenlänge, wobei die erste Peak-Wellenlänge kleiner ist als die zweite von der Konverterschicht umgewandelte Peak-Wellenlänge.
  • In zumindest einer Ausführungsform eines Verfahrens zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauelementen wird ein Verbund bereitgestellt, wobei der Verbund einen Halbleiterschichtenstapel und einen auf dem Halbleiterschichtenstapel angeordneten zusammenhängenden Formkörperverbund aus einem Kunststoff aufweist. Der Halbleiterschichtenstapel kann eine Mehrzahl von Halbleiterschichten aufweisen, die etwa mittels eines Epitaxie-Verfahrens auf ein Aufwachssubstrat insbesondere aus Saphir abgeschieden sind. Der Halbleiterschichtenstapel ist dabei in eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern zertrennbar. Die Halbleiterkörper können jeweils eine erste Halbleiterschicht, eine zweite Halbleiterschicht und eine in der vertikalen Richtung zwischen der ersten und der zweiten Halbleiterschicht angeordnete aktive Schicht aufweisen. Der Formkörperverbund wird durch Aufbringen des Kunststoffes auf den Halbleiterschichtenstapel, etwa mittels eines Gießverfahrens oder mittels Aufpressen des Kunststoffes auf den Halbleiterschichtenstapel, ausgebildet.
  • Zum Beispiel ist der Kunststoff ein gießbares Polymer, etwa Harz, Epoxid oder Silikon, das bevorzugt mittels eines Gießverfahrens auf den Halbleiterschichtenstapel aufgebracht wird. In diesem Fall ist der Formkörper etwa ein Moldkörper. Unter einem Gießverfahren wird allgemein ein Verfahren verstanden, mit dem eine Formmasse gemäß einer vorgegebenen Form ausgestaltet und erforderlichenfalls ausgehärtet werden kann. Insbesondere umfasst der Begriff „Gießverfahren“ Gießen (molding), Folien assistiertes Gießen (film assisted molding), Spritzgießen (injection molding), Spritzpressen (transfer molding) und Formpressen (compression molding). Alternativ kann der Kunststoff ein Leiterplattenmaterial sein, das insbesondere mit Glasfasern verstärkt ist, auf den Halbleiterschichtenstapel aufgepresst werden. Auch das gießbare Polymer kann mit Glaskugeln, etwa mit Silizium- oder Titanoxid, befüllt sein. Die Glaskugeln können dabei verschiedene Korngrößen aufweisen. Aufgrund der Glasfaser und/oder der Glaskugeln kann der Formkörper mechanisch zusätzlich verstärkt werden. Auch kann ein thermischer Ausdehnungskoeffizient des Formkörpers durch Zugabe von Glaskugeln im Hinblick auf den Ausdehnungskoeffizienten der Metallschicht beziehungsweise des Halbleiterkörpers angepasst werden.
  • Es wird eine Mehrzahl von Kontaktschichten auf dem Halbleiterschichtenstapel zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterkörper ausgebildet. Die Kontaktschichten werden insbesondere derart ausgebildet, dass sie in Draufsicht jeweils mit mindestens zwei benachbart angeordneten Halbleiterkörpern überlappen. Bevorzugt werden die Kontaktschichten nach dem Ausbilden des Formkörperverbunds auf den Halbleiterschichtenstapel aufgebracht. Dabei können Kontaktöffnungen in dem Formkörperverbund ausgebildet werden. Alternativ ist es auch möglich, zunächst die Kontaktschichten auszubilden und der Formkörperverbund in einem nachfolgenden Verfahrensschritt auf den Halbleiterschichtenstapel aufzubringen. Nach dem Ausbilden der Kontaktschichten kann der Verbund in eine Mehrzahl von Bauelementen vereinzelt werden. Dabei werden die Kontaktschichten an Stellen zwischen den benachbart angeordneten Halbleiterkörpern etwa zu Teilbereichen der Metallschicht der herzustellenden Bauelemente durchtrennt. An den durchtrennten Stellen weisen die Kontaktschichten beziehungsweise die Teilbereiche Vereinzelungsspuren auf.
  • Die vereinzelten Bauelemente weisen jeweils einen Halbleiterkörper und einen Träger auf, wobei die Halbleiterkörper der Bauelemente aus dem Halbleiterschichtenstapel hervorgehen. Der Träger des jeweiligen Bauelements weist einen Formkörper und eine Metallschicht auf, wobei der Formkörper aus dem Formkörperverbund hervorgeht. Die Metallschicht weist zwei Teilbereiche zur elektrischen Kontaktierung des zugehörigen Halbleiterkörpers auf. Die zwei Teilbereiche der Metallschicht gehen insbesondere aus verschiedenen durchtrennten Kontaktschichten hervor. Zumindest einer der Teilbereiche der Metallschicht ist an einer durchtrennten Stelle der zugehörigen Kontaktschicht auf einer Seitenfläche des Trägers elektrisch kontaktierbar ausgebildet. An der Seitenfläche des Trägers können die Teilbereiche somit Vereinzelungsspuren aufweisen. Dabei sind Vereinzelungsspuren etwa Spuren an der Seitenfläche des Trägers verstanden, die bei der Vereinzelung des Verbunds in die Mehrzahl von Bauelementen entstanden sind. Solche Spuren können charakteristische Spuren eines mechanischen Trennprozesses, etwa eines Säge-, Ritz- oder Brechprozesses, oder eines chemischen Trennprozesses, etwa eines Ätzprozesses, oder eines Lasertrennprozesses sein. Sowohl der Formkörper als auch die Teilbereiche der Metallschicht können auf Seitenflächen des Trägers beziehungsweise auf Seitenflächen des Bauelements Vereinzelungsspuren, insbesondere charakteristische Trennspuren eines entsprechenden Trennprozesses, aufweisen.
  • Insbesondere weist die Metallschicht des Trägers zumindest einen ersten Teilbereich zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht und einen zweiten Teilbereich zur elektrischen Kontaktierung der zweiten Halbleiterschicht auf. Auch kann die Metallschicht eine Mehrzahl, etwa zwei, von ersten Teilbereichen und/oder eine Mehrzahl, etwa zwei, von zweiten Teilbereichen aufweisen.
  • Eine Schicht ist an einer Seitenfläche elektrisch kontaktierbar, wenn diese Schicht über die Seitenfläche etwa mit einer externen Spannungsquelle elektrisch verbunden werden kann. Diese Schicht kann auf der Seitenfläche zumindest bereichsweise freiliegen oder von einer elektrisch leitfähigen Schicht bedeckt sein. Die elektrisch leitfähige Schicht kann etwa ein Edelmetall aufweisen und insbesondere als eine lötfähige Schicht ausgebildet sein. Die elektrisch leitfähige Schicht kann mittels eines galvanischen oder stromlosen Verfahrens oder mittels eines Immersion-Verfahrens oder eines physikalischen Gasphasenabscheidungsverfahrens (PVD) wie Sputterns auf die Seitenfläche aufgebracht werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens wird zur mechanischen Stabilisierung der herzustellenden Bauelemente eine Mehrzahl von Stabilisierungsschichten vor dem Ausbilden des Formkörperverbunds sowie der Kontaktschichten auf dem Halbleiterschichtenstapel ausgebildet. Bevorzugt wird die Mehrzahl von Stabilisierungsschichten mittels eines galvanischen Verfahrens insbesondere strukturiert auf den Halbleiterschichtenstapel abgeschieden. Nach dem Aufbringen können die Stabilierungsschichten strukturiert vorliegen, wobei die Stabilierungsschichten voneinander lateral beabstandet und insbesondere jeweils einen Halbleiterkörper und somit einen herzustellendem Bauelement zugeordnet sein. Insbesondere sind die Stabilierungsschichten jeweils eine Nickel-Schicht. Jede Metallschicht kann dabei Teilschichten aufweisen, die zur elektrischen Kontaktierung des zugehörigen Halbleiterkörpers vorgesehen sind.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Bauelements wird der Kunststoff zur Ausbildung des Formkörperverbunds auf den Halbleiterschichtenstapel vergossen oder verpresst. Zur zumindest teilweisen Freilegung der Stabilierungsschichten können Kontaktöffnungen in den Formkörperverbund etwa durch einen mechanischen Fräsprozess, einen Laserbohrungs- oder Laserablationsprozess oder einen Sägeprozess gebildet werden. Es ist auch möglich, die Kontaktöffnungen durch trockenchemische Ätzprozesse auszubilden. Die Stabilierungsschichten können bei der Ausbildung der Kontaktöffnungen als Stoppschichten dienen. Insbesondere weisen die Stabilierungsschichten jeweils eine vertikale Dicke auf, die größer oder gleich 10 pm ist. Insbesondere werden die Kontaktöffnungen in der lateralen Richtung jeweils in Bereichen zwischen den Halbleiterkörpern ausgebildet. Die Kontaktschichten können in einem nachfolgenden Verfahrensschritt in den Kontaktöffnungen ausgebildet werden.
  • Gemäß zumindest einer Ausführungsform des Verfahrens werden die Kontaktschichten mittels eines galvanischen Verfahrens auf den Halbleiterschichtenstapel, insbesondere in den Bereichen der Kontaktöffnungen, aufgebracht. Dabei kann zunächst eine Startschicht für die anschließende Galvanik auf den Halbleiterschichtenstapel etwa mittels Sputterns, Dampfens oder durch nasschemische Metall-Bekeimung, etwa Palladium-Bekeimung, aufgebracht werden. Die Kontaktschichten können dabei strukturiert, etwa mit Hilfe eines Fotolacks ausgebildet werden. Alternativ ist es auch möglich, dass eine Kontaktschicht flächig auf den Halbleiterschichtenstapel aufgebracht wird und in einem nachfolgenden Verfahrensschritt in eine Mehrzahl von Kontaktschichten strukturiert wird. Insbesondere werden die Kontaktschichten durch Abscheidung von Kupfer ausgebildet.
  • Das oben beschriebene Verfahren ist für die Herstellung eines hier beschriebenen Bauelements besonders geeignet. Im Zusammenhang mit dem Bauelement beschriebenen Merkmale können daher auch für das Verfahren herangezogen werden und umgekehrt.
  • Weitere Vorteile, bevorzugte Ausführungsformen und Weiterbildungen des Verfahrens sowie des Bauelements ergeben sich aus den im Folgenden in Verbindung mit den 1 bis 5F erläuterten Ausführungsbeispielen. Es zeigen:
    • 1A bis 1H verschiedene Verfahrensstadien eines Ausführungsbeispiels für ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauelementen in schematischen Schnittansichten,
    • 2A bis 2F verschiedene Ausführungsbeispiele für das Ausbilden von Kontaktschichten vor der Vereinzelung des Verbunds in eine Mehrzahl von Bauelementen in schematischen Schnittansichten, und
    • 3A bis 4C verschiedene Ausführungsbeispiele für ein Bauelement in schematischen Schnittansichten.
  • Gleiche, gleichartige oder gleich wirkende Elemente sind in den Figuren mit gleichen Bezugszeichen versehen. Die Figuren sind jeweils schematische Darstellungen und daher nicht unbedingt maßstabsgetreu. Vielmehr können vergleichsweise kleine Elemente und insbesondere Schichtdicken zur Verdeutlichung übertrieben groß dargestellt werden.
  • In 1A ist ein Verbund 200 dargestellt. Insbesondere ist der Verbund 200 ein Waferverbund. Der Verbund 200 weist einen Halbleiterschichtenstapel 20 auf. Der Halbleiterschichtenstapel 20 ist auf einem Substrat 70 angeordnet. Insbesondere ist das Substrat 70 ein Aufwachssubstrat, etwa ein Saphirsubstrat, wobei der Halbleiterschichtenstapel 20 insbesondere mittels eines Epitaxie-Verfahrens schichtenweise auf das Aufwachssubstrat abgeschieden wird. Die Aufwachsrichtung ist insbesondere senkrecht zu einer Haupterstreckungsebene des Substrats 70 gerichtet. Der Halbleiterschichtenstapel 20 weist eine dem Substrat 70 zugewandte erste Hauptfläche 201 und eine dem Substrat 70 abgewandte zweite Hauptfläche 202 auf. Der Halbleiterschichtenstapel 20 weist eine erste Halbleiterschicht 21, eine zweite Halbleiterschicht 22 und eine zwischen den Halbleiterschichten angeordnete aktive Schicht 23 auf. Insbesondere kann die erste Hauptfläche 201 durch eine Oberfläche der ersten Halbleiterschicht 21 und die zweite Hauptfläche 202 durch eine Oberfläche der zweiten Halbleiterschicht 22 gebildet sein. Der Halbleiterschichtenstapel 20 ist somit etwa in der vertikalen Richtung durch die Hauptflächen 201 und 202 begrenzt.
  • Auf Seiten der zweiten Hauptfläche 202 des Halbleiterschichtenstapels wird eine Verdrahtungsstruktur 8 ausgebildet. Die Verdrahtungsstruktur 8 ist insbesondere zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterschichtenstapels 20 eingerichtet, wobei die Verdrahtungsstruktur 8 etwa direkt oder indirekt mit verschiedenen Halbleiterschichten des Halbleiterschichtenstapels 20 elektrisch leitend verbunden sein können. Die Verdrahtungsstruktur 8 kann dabei voneinander elektrisch getrennte Teilstrukturen aufweisen (hier nicht dargestellt), die jeweils mit einer der Halbleiterschichten 21 und 22 elektrisch leitend verbunden sind. Insbesondere grenzt eine Teilstruktur der Verdrahtungsstruktur 8 an die zweite Halbleiterschicht 22 an und ist dadurch mit dieser Schicht elektrisch leitend verbunden. Eine weitere Teilstruktur der Verdrahtungsstruktur 8 kann in Form einer Durchkontaktierung ausgebildet sein, die sich etwa von der zweiten Hauptfläche 202 durch die zweite Halbleiterschicht 22 und die aktive Schicht 23 hindurch zur elektrischen Kontaktierung der ersten Halbleiterschicht 21 erstreckt. Zur gleichmäßigen Bestromung der ersten Halbleiterschicht 21 kann die Verdrahtungsstruktur 8 eine Mehrzahl von solchen Durchkontaktierungen aufweisen. Die Strahlungsaustrittsfläche 101 des Bauelements 100 kann somit frei von elektrischen Kontakten gestaltet werden.
  • Der Verbund 200 kann eine Isolierungsstruktur aufweisen (hier nicht dargestellt), die dazu eingerichtet ist, Teilstrukturen der Verdrahtungsstruktur 8 verschiedener elektrischer Polaritäten voneinander elektrisch zu trennen. Auch kann sich die Isolierungsstruktur in den Halbleiterschichtenstapel 2 hinein erstrecken und die Durchkontaktierung oder die Durchkontaktierungen von der zweiten Halbleiterschicht 22 und von der aktiven Schicht 23 elektrisch zu trennen.
  • Auf Seiten der zweiten Hauptfläche 202 wird eine Stabilisierungsschicht 3 ausgebildet. Insbesondere wird die Verdrahtungsstruktur 8 vor dem Ausbilden der Stabilisierungsschicht 3 auf den Halbleiterschichtenstapel 20 aufgebracht, so dass die Verdrahtungsstruktur 8 in der vertikalen Richtung zwischen dem Halbleiterschichtenstapel 20 und der Stabilisierungsschicht 3 angeordnet ist. Die Stabilisierungsschicht 3 kann ein Metall, etwa Nickel, aufweisen. Insbesondere wird die Stabilisierungsschicht 3 mittels Fototechnik auf den Halbleiterschichtenstapel 20 abgeschieden, bei der eine Fotomaske benutzt wird, die zum Beispiel durch eine strukturierte Fotolackschicht ausgebildet werden kann. Mittels der Fotomaske kann die Stabilisierungsschicht 3 etwa strukturiert auf den Halbleiterschichtenstapel 20 aufgebracht werden. Insbesondere kann die Stabilisierungsschicht 3 mit der Verdrahtungsstruktur 8 elektrisch leitend verbunden sein. 1B zeigt eine mögliche Ausgestaltung der Stabilisierungsschicht 3 auf der Verdrahtungsstruktur 8. Die Stabilisierungsschicht 3 kann eine erste Teilschicht 31 und eine von der ersten Teilschicht 31 etwa durch einen Zwischenraum 30 lateral beabstandete zweite Teilschicht 32 aufweisen. Durch die räumliche Trennung ist die erste Teilschicht 31 von der zweiten Teilschicht 32 elektrisch getrennt. Die erste Teilschicht 31 kann über die Verdrahtungsstruktur 8, etwa über eine als Durchkontaktierung ausgebildete Teilstruktur der Verdrahtungsstruktur 8, mit der ersten Halbleiterschicht 21 elektrisch verbunden sein. Die zweite Teilschicht 32 kann über eine weitere Teilstruktur der Verdrahtungsstruktur 8 mit der zweiten Halbleiterschicht 22 elektrisch verbunden sein. Die in der 1B dargestellte Stabilisierungsschicht 3 weist eine Kamm- beziehungsweise Finger-Struktur auf, bei der die erste Teilschicht 31, etwa wie in der 1B dargestellt, zwei laterale Vorsprünge und eine zwischen den zwei lateralen Vorsprüngen angeordnete Einbuchtung aufweist. Die zweite Teilschicht 32 weist einen lateralen Vorsprung auf, der sich in der lateralen Richtung in die Einbuchtung der ersten Teilschicht 31 hinein erstreckt.
  • Abweichend von der 1B können die Teilschichten 31 und 32 jeweils eine Mehrzahl von lateralen Vorsprüngen und eine Mehrzahl von zwischen den Vorsprüngen angeordneten Einbuchtungen aufweisen. Durch die kammartig ausgestalteten Strukturen der Teilschichten 31 und 32, die in der lateralen Richtung ineinander verzahnt sind, ohne dabei einen elektrischen Kontakt zueinander zu bilden, können die Teilschichten 31 und 32 weiterhin verschiedenen elektrischen Polaritäten des herzustellenden Bauelements 100 zugeordnet sein. Eine solche Ausgestaltung der Stabilisierungsschicht 3 ist besonders vorteilhaft, da die Stabilisierungsschicht 3 einerseits zur mechanischen Stabilisierung des Halbleiterschichtenstapels 20 beziehungsweise des herzustellenden Bauelements 100 beiträgt und andererseits eine Bruchgefahr hinsichtlich einer mechanischen Biegebelastung etwa auf dem Halbleiterschichtenstapel 20 oder auf das herzustellende Bauelement 100 reduziert. Das herzustellende Bauelement 100 weist somit keine mechanische Schwachstelle im Bereich des Zwischenraums 30 auf, da das herzustellende Bauelement 100 keine Stelle im Bereich des Zwischenraums 30 aufweist, die nicht durch die Teilschichten 31 und 32 beziehungsweise durch die lateralen Vorsprünge der Teilschichten 31 und/oder 32 mechanisch unterstützt ist. Ein Bruchrisiko des fertiggestellten Bauelements 100 wird dadurch weitgehend reduziert.
  • Auf dem Halbleiterschichtenstapel 20 kann eine Mehrzahl von solchen Stabilisierungsschichten 3 ausgebildet sein ( 1C). Die Stabilisierungsschichten 3 mit den Teilschichten 31 und 32 sind in der lateralen Richtung insbesondere voneinander räumlich beabstandet. Insbesondere sind die Stabilisierungsschichten 3 auf dem Halbleiterschichtenstapel 20 so ausgebildet, dass sie jeweils einem der herzustellenden Bauelemente zugeordnet sind. Der Halbleiterschichtenstapel 20 kann dabei in eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern 2 zertrennbar sein, wobei die Halbleiterkörper 2 jeweils einem der herzustellenden Bauelemente 100 zugehörig sein können.
  • Somit können die Stabilisierungsschichten 3 jeweils einem Halbleiterkörper 2 zugeordnet sein.
  • In der 1C wird dargestellt, dass ein Trenngraben 60 in der lateralen Richtung etwa zwischen zwei benachbarten Stabilisierungsschichten 3 ausgebildet wird. Der Trenngraben 60 kann sich in der vertikalen Richtung in den Halbleiterschichtenstapel 20 hinein erstrecken. Insbesondere kann sich der Graben 60 von der zweiten Hauptfläche 202 bis zur ersten Halbleiterschicht 21 oder bis zur ersten Hauptfläche 201 erstrecken. Das Substrat 70 kann im Bereich des Trenngrabens 60 bereichsweise freigelegt sein. Auch kann eine Mehrzahl von solchen Trenngräben 60 in dem Halbleiterschichtenstapel 20 ausgebildet werden. Nach dem Ausbilden der Trenngräben 60 wird der Halbleiterschichtenstapel 20 in eine Mehrzahl von nebeneinander angeordneten Halbleiterkörpern 2 unterteilt, wobei die Halbleiterkörper 2 durch die Trenngräben 60 voneinander räumlich beabstandet sind. Es ist auch denkbar, dass die Halbleiterkörper 2 durch eine Schicht, etwa durch die erste Halbleiterschicht 21 oder eine zwischen dem Substrat 70 und der ersten Halbleiterschicht 21 angeordnete Pufferschicht auch nach Ausbildung der Trenngräben noch miteinander verbunden sind.
  • Es wird in der 1D ein Formkörperverbund 50 auf Seiten der zweiten Hauptfläche 202 auf dem Halbleiterschichtenstapel 20 ausgebildet. Der Formkörperverbund 50 kann dabei zusammenhängend ausgebildet sein. Insbesondere wird der Formkörperverbund durch Aufbringen eines Kunststoffes, etwa mittels eines Gieß-Verfahrens oder mittels Aufpressens etwa mittels Heißpressens, auf den Halbleiterschichtenstapel 20 aufgebracht. Der Kunststoff kann dabei ein gießbares Polymer, etwa ein Epoxid-Harz oder Silikon, oder ein Leiterplattenmaterial, zum Beispiel FR4 sein. Das Leiterplattenmaterial ist bevorzugt mit Glasfasern verstärkt. Insbesondere ist der Kunststoff ein Glas-Epoxid-Wertstoff. Zum Beispiel ist der Formkörperverbund 50 aus einem mit Glasfasern verstärkten Leiterplattenmaterial oder aus einem mit Glaskugeln gefüllten Harz gebildet. Die Glaskugeln können verschiedene Größen aufweisen. In der 1D wird dargestellt, dass der Trenngraben 60 beziehungsweise die Mehrzahl von Trenngräben 60 von dem Kunststoff des Formkörperverbunds 50 aufgefüllt wird. Das heißt, die Trenngräben 60 können vor dem Ausbilden des Formkörperverbunds 50 ausgebildet sein. Auch der jeweilige Zwischenraum 30 zwischen den Teilbereichen 31 und 32 der Stabilisierungsschicht 3 kann mit dem Kunststoff des Formkörperverbundes 50 befüllt sein. Durch die Auffüllung der Trenngräben 60 können Seitenflächen der Halbleiterkörper 2 - je nach Tiefe der Trenngräben - teilweise oder vollständig von dem Kunststoff beziehungsweise von dem Formkörperverbund 50 bedeckt sein.
  • In einem weiteren Verfahrensschritt, insbesondere nach dem Aufbringen der Stabilisierungsschicht 3 und/oder des Formkörperverbunds 50 kann das Substrat 70 von dem Halbleiterschichtenstapel 20 und somit von den herzustellenden Bauelementen 100 etwa durch ein mechanisches Verfahren, ein Ätzverfahren oder durch ein Laserabhebeverfahren entfernt werden. Eine dadurch freigelegte Oberfläche des Halbleiterschichtenstapels 20 beziehungsweise der Halbleiterkörper 2 kann zur Erhöhung der Einkoppel- beziehungsweise Auskoppeleffizienz des herzustellenden Bauelements 100 aufgeraut beziehungsweise strukturiert werden. Diese freigelegte Oberfläche kann die erste Hauptfläche 201 oder eine Oberfläche einer Pufferschicht sein. Die strukturierte Oberfläche kann dabei als eine Strahlungsaustrittsfläche des herzustellenden Bauelements dienen.
  • Nach dem Entfernen des Substrats 70 kann eine Konverterschicht 7 auf Seiten der ersten Hauptfläche 201 auf den Halbleiterschichtenstapel 20 aufgebracht werden. Die Konverterschicht 7 kann auch zu einem späteren Zeitpunkt, etwa unmittelbar vor der Vereinzelung des Verbunds 200 oder nach der Vereinzelung des Verbunds 200 auf der Strahlungsaustrittsfläche des jeweiligen Bauelements ausgebildet werden. Für das Aufbringen der Konverterschicht auf die Strahlungsaustrittsfläche eignen sich verschiedene Methoden wie Sedimentation, „Dam & Fill“, Beschichten wie Sprühbeschichtung (spray coating) oder EPD (electrophoretic deposition) und so weiter. Auch kann die Konverterschicht als Keramik-Konverter ausgebildet sein. Das Konvertermaterial kann zum Beispiel in eine Keramikschicht eingebettet werden. Es ist auch möglich, dass eine Abschlusspassivierungsschicht, etwa eine elektrisch isolierende Schicht, in der vertikalen Richtung zwischen der Konverterschicht 7 und dem Halbleiterschichtenstapel 20 beziehungsweise dem Halbleiterkörper 2 angeordnet ist.
  • Es wird in der 1E zumindest eine Kontaktöffnung 61 oder eine Mehrzahl von Kontaktöffnungen 61 in dem Formkörperverbund 50 erzeugt. Dies kann durch einen mechanischen Fräsprozess, einen Laserablationsprozess, einen Sägeprozess oder einen Ätzprozess, etwa einen trockenchemischen Ätzprozess, erfolgen. Insbesondere wird die Kontaktöffnung 61 so tief ausgebildet, dass etwa die Stabilisierungsschicht 3 in der Kontaktöffnung 61 teilweise freigelegt wird. Bevorzugt wird die Kontaktöffnung 61 etwa im Bereich eines Trenngrabens 60 so breit ausgebildet, dass insbesondere zwei benachbarte Stabilisierungsschichten 3 in einer selben Kontaktöffnung 61 freigelegt werden. Zum Beispiel werden Teilschichten 31 und/oder 32 verschiedener Stabilisierungsschichten 3 in derselben Kontaktöffnung 61 freigelegt. Die Kontaktöffnung 61 kann dabei zylindrisch, stumpf-kegelig oder auch in Form eines Langlochs entlang vertikaler Kanten der herzustellenden Bauelemente 100 ausgebildet sein. Auch eine Mehrzahl von solchen Kontaktöffnungen 61 kann in dem Formkörperverbund 50 ausgebildet werden.
  • In der Kontaktöffnung 61 wird eine Kontaktschicht 40 aus einem Metall, etwa Kupfer, ausgebildet. Die Kontaktschicht 40 wird so ausgebildet, dass diese in einem elektrischen Kontakt mit der Stabilisierungsschicht 3 beziehungsweise mit den Stabilisierungsschichten 3 steht. Die Kontaktöffnung 61 kann dabei mit der Kontaktschicht 40 aufgefüllt sein. Bevorzugt wird die Kontaktschicht 40 jedoch mittels eines Beschichtungsverfahrens, insbesondere mittels eines galvanischen Verfahrens, im Bereich der Kontaktöffnung 61 auf die Teilschichten 31 und 32 der Stabilisierungsschichten 3 und/oder auf den Formkörperverbund 50 aufgebracht. Für das galvanische Aufbringen der Kontaktschicht 40 kann zuvor eine Startschicht (seed layer) etwa mittels Sputterns, Dampfens, nasschemischer Metall-Bekeimung oder eines anderen Verfahrens im Bereich der Kontaktöffnung 61 auf den Formkörperverbund 50 beziehungsweise auf die Stabilisierungsschichten 3 aufgebracht werden. Auch kann eine Fotolackschicht auf den Formkörperverbund 50 aufgebracht werden, nämlich an Stellen, die nicht durch die Kontaktschicht 40 bedeckt werden soll.
  • Abweichend von der 1E ist es auch möglich, die Kontaktschicht 40 auf einer den Halbleiterkörpern 2 abgewandten Rückseite des Formkörperverbunds 50 auszubilden. Eine solche rückseitige Metallisierung dient insbesondere als ein rückseitiges thermisches Pad des herzustellenden Bauelements 100. Auch eine Mehrzahl von solchen Kontaktschichten 40 kann auf dem Formkörperverbund 50 und/oder in Bereichen der Kontaktöffnungen 61 ausgebildet werden.
  • In einem nachfolgenden Verfahrensschritt wird der Verbund 200 in eine Mehrzahl von Bauelementen 100 insbesondere entlang der Trenngräben 60 und/oder entlang der Kontaktöffnungen 61 vereinzelt werden. Dabei kann die Kontaktschicht 40 oder die Mehrzahl von Kontaktschichten 40 an Stellen zwischen den benachbarten Halbleiterkörpern 2 beziehungsweise zwischen den benachbarten herzustellenden Bauelemente 100 durchtrennt werden. Aufgrund der Durchtrennung der Kontaktschichten 40 kann das herzustellende Bauelement 100 an dessen Seitenfläche durchtrennte Oberflächen der Kontaktschicht 40 aufweisen. Über die durchtrennte Oberfläche der Kontaktschicht 40 kann das fertiggestellte Bauelement 100 etwa an dessen Seitenfläche 10 extern elektrisch kontaktiert werden. Die Seitenfläche 10 des fertiggestellten Bauelements 100 kann somit als Montagefläche ausgestaltet sein. Die durchtrennten Kontaktschichten 40 bilden insbesondere Teilbereiche 41 und 42 einer Metallschicht 4 des fertiggestellten Bauelements 100, wobei über die Metallschicht 4 das Bauelement 100 etwa über seine Seitenfläche extern elektrisch kontaktierbar ausgebildet ist. Durch das Durchtrennen der Kontaktschicht 40 bei der Vereinzelung kann das fertiggestellte Bauelement 100 ohne weitere Bearbeitungsschritte an dessen Seitenfläche elektrisch kontaktiert werden. Bei der Vereinzelung kann der Verbund durch den Formkörperverbund 50 etwa mittels eines Sägeprozesses durchtrennt werden. Dabei soll ein möglichst dünnes Sägeblatt benutzt werden, wodurch möglichst wenig von dem Halbleiterkörper 2 verloren geht.
  • Die Kontaktschicht 40 oder die Mehrzahl von Kontaktschichten 40 kann insbesondere zur Ausbildung einer lötbaren Oberfläche veredelt werden, insbesondere durch Ausbildung einer Schutzschicht oder einer lötfähige Schicht, die bevorzugt Nickel, Zinn, Kupfer, Titan, Palladium, Platin, Silber und/oder Gold aufweist. Insbesondere ist die lötfähige Schicht eine CuSn-, NiSn-, CuNiSn-, TiPtAu-, NiAu-, NiSn-, CuNiSN-, NiAg-, CuNiAg-, CuAg-, oder NiPdAu-Schicht. Auch kann die lötfähige Schicht eine SnAgCu-Schicht (SAC-Lot), AuSn-, CuAgNi-Schicht oder eine reine Ag-, Cu- oder Au-Schicht sein. Die Schutzschicht oder die lötfähige Schicht kann mittels eines galvanischen oder stromlosen Verfahrens oder mittels eines Immersion-Verfahrens auf die Kontaktschicht 40 vor der Vereinzelung des Verbunds 200, nach der Vereinzelung des Verbunds 200 oder während der Vereinzelung des Verbunds 200 erfolgt werden. Bevorzugt ist die lötfähige Schicht eine ENEPIG-Schicht (Electroless Nickel Electroless Palladium Immersion Gold). Insbesondere kann der Verbund 200 in zwei Schritten vereinzelt werden, wobei die Schutzschicht oder die lötfähige Schicht nach einem ersten Schritt, etwa nachdem die Kontaktschicht 40 oder die Mehrzahl von Kontaktschichten 40 in eine Mehrzahl von Teilbereichen durchtrennt sind, ausgebildet wird, und der Verbund 200 in einem zweiten Schritt nach der Ausbildung der Schutzschicht beziehungsweise der lötfähigen Schicht in eine Mehrzahl von Bauelementen 100 vereinzelt wird.
  • In den 1F bis 1H sind weitere Ausführungsbeispiele für ein Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauelementen 100 dargestellt. Es wird in der 1F eine Mehrzahl von Kontaktöffnungen 61 etwa in den Bereichen der Trenngräben 60 ausgebildet, wobei in den jeweiligen Kontaktöffnungen 61 zwei benachbarte Stabilisierungsschichten 3 teilweise freigelegt sind. In der 1F sind zwischen zwei benachbarten Halbleiterkörpern 2 jeweils zwei Kontaktöffnungen 61 ausgebildet, so dass die Teilschichten 31 und 32 der Stabilisierungsschichten 3 jeweils in zwei verschiedenen Kontaktöffnungen 61 teilweise freigelegt sind.
  • In der 1G werden die Kontaktöffnungen 61 jeweils zur Ausbildung einer Kontaktschicht 40 mit einem elektrisch leitfähigen Material befüllt oder abgeschieden. Nach der Vereinzelung des Verbunds 200 weisen die fertiggestellten Bauelemente 100 jeweils zwei erste Teilbereiche 41 und zwei zweite Teilbereiche 42 auf. Die Teilbereiche 41 und 42 sind jeweils an gegenüberliegenden Kanten des Trägers 1 des hergestellten Bauelements 100 angeordnet. Somit sind der erste Teilbereich 41 und der zweite Teilbereich 42 an gegenüberliegenden Kanten des Trägers 1 elektrisch kontaktierbar.
  • Das in 1G dargestellte Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in der 1F beschriebenen Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu wird dargestellt, dass der Verbund 200 eine Mehrzahl von Trenngräben 60 aufweist, die den Verbund 200 in verschiedene Teilbereiche mit jeweils einer Stabilisierungsschicht 3 unterteilen. Die Kontaktöffnung 61 kann derart ausgebildet sein, dass etwa vier benachbarten Stabilisierungsschichten 3 in einer gemeinsamen Kontaktöffnung stellenweise freigelegt werden.
  • Eine in der gemeinsamen Kontaktöffnung gebildete gemeinsame Kontaktschicht 40 kann somit Überlappungen mit vier Stabilisierungsschichten 3 aufweisen. Der Verbund 200 kann eine Mehrzahl von solchen gemeinsamen Kontaktöffnungen 61 und gemeinsamen Kontaktschichten 40 aufweisen.
  • In den 1G und 1H wird angedeutet, dass die Kontaktöffnung 61 zur Ausbildung der Kontaktschicht 40 mit einem elektrisch leitfähigen Material beschichtet und nicht befüllt ist. Insbesondere werden eine Bodenfläche und Innenwände der Kontaktöffnung 61 mit dem elektrisch leitfähigen Material so beschichtet, dass die daraus entstehende Kontaktschicht 40 eine Kontur der Kontaktöffnung 61 nachbildet. Diese Kontur kann U-förmig sein, wie die in der 1E dargestellt ist. Durch das Beschichtungsverfahren weist die Kontaktschicht 40 innerhalb der Kontaktöffnung 61 eine vergleichsweise dünne vertikale Dicke auf, so dass die Kontaktschicht 40 bei der Vereinzelung vereinfacht durchtrennt werden kann. Die bei der Vereinzelung der Kontaktschichten 40 entstehenden Teilbereiche 41 und 42 der Metallschicht 4 des Trägers 1 weisen in Draufsicht auf eine Rückseite 102 des Bauelements 100 jeweils eine Form auf, die einen Teil der Form der Kontaktöffnung 61 nachbildet. 1H zeigt zum Beispiel eine gekrümmte Form der Teilschichten 41 und 42 an den Kanten des Trägers 1 des Bauelements 100, wobei die gekrümmte Form etwa Teil einer Ellipse oder eines Kreises ist.
  • Die 2A bis 2F zeigen schematisch verschiedene Ausführungsbeispiele für das Ausbilden von Kontaktschichten 40 vor der Vereinzelung des Verbunds 200. Die durch punktierten Linien dargestellten Rechtecke stellen die herzustellenden Bauelemente 100 dar, deren Halbleiterkörper 2 durch eine Mehrzahl von Trenngräben 60 etwa in einer Mehrzahl von Spalten und Reihen angeordnet sind. Die Trenngräben 60 können dabei mit einem Material des Formkörperverbunds 50 befüllt sein. Die Kontaktschichten 40 sind als Streifen oder als Inseln ausgestaltet, die jeweils zwei nebeneinander angeordnete Halbleiterkörper 2 verbinden. Das heißt, dass die Kontaktschichten 40 in Draufsicht jeweils mindestens zwei benachbart angeordnete Halbleiterkörper 2 bedecken. Dabei kann ein Trenngraben 60 zwischen den zwei Halbleiterkörpern oder zwischen zwei Halbleiterkörperreihen oder -spalten von einer zugehörigen Kontaktschicht 40 vollständig oder teilweise bedeckt sein. Insbesondere ist jeder der Halbleiterkörper 2 von mindestens zwei, etwa von genau zwei oder genau vier, unterschiedlichen Kontaktschichten 40 teilweise bedeckt.
  • In der 2A kann eine Kontaktschicht 40 oder eine Mehrzahl von Kontaktschichten 40 in Draufschicht Überlappungen mit zwei benachbarten Halbleiterkörpern 2 beziehungsweise mit zwei nebeneinander liegenden Reihen oder Spalten von Halbleiterkörpern aufweisen und dabei einen zwischen den zwei benachbarten Halbleiterkörpern beziehungsweise zwischen zwei benachbarten Reihen oder Spalten von Halbleiterkörpern 2 angeordneten Trenngraben 60 vollständig bedecken. Jeder der Halbleiterkörper 2 weist Überlappungen mit genau zwei unterschiedlichen Kontaktschichten 40 auf. Bei der Vereinzelung des Verbunds 200 entlang der Trenngräben 60 entstehen Bauelemente 100, die jeweils zwei Teilbereiche 41 und 42 aufweisen, wobei die zwei Teilbereiche 41 und 42 aus zwei verschiedenen Kontaktschichten 40 hervorgehen. Die Teilbereiche 41 und 42 entstehen etwa bei der Durchtrennung der Kontaktschichten 40 zum Beispiel in den Bereichen der Trenngräben 60.
  • Das in der 2B dargestellte Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in der 2A dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu sind die Kontaktschichten 40 hinsichtlich der Halbleiterkörper 2 als Doppelstreifen ausgebildet, die jeweils zwei nebeneinander liegende Halbleiterkörper 2 verbinden und dabei den zwischen ihnen angeordneten Trenngraben 60 lediglich teilweise bedecken. Im Unterschied zur 1 können solche Kontaktschichten 40 deutlich geringere Breite aufweisen. So können die Kontaktschichten 40 in den Bereichen der Trenngräben 60 auf einfache Art und Weise durchtrennt werden. Jeder der Halbleiterkörper 2 in der 2B ist zwei nebeneinander angeordneten Kontaktschichten 40 zugeordnet, wobei der Halbleiterkörper 2 in Draufsicht die ihm zwei zugeordneten Kontaktschichten 40 entlang deren gesamter Breite vollständig überdeckt. Anders als in der 2A, bei der jeder Trenngraben 60 Überlappungen mit zumindest einer Kontaktschicht 40 aufweist, kann der Verbund 200 gemäß 2B einen oder eine Mehrzahl von parallel verlaufenden Trenngräben 60 aufweisen, wobei der Trenngraben 60 oder die Mehrzahl von Trenngräben 60 überlappungsfrei mit den Kontaktschichten 40 ist.
  • In den 2C bis 2F sind die Kontaktschichten 40 jeweils in Form einer Insel auf dem Verbund 200 ausgebildet. Die Kontaktschichten 40 können dabei jeweils paarweise zwei nebeneinander angeordnete Halbleiterkörper 2 beziehungsweise zwei nebeneinander liegende herzustellende Bauelemente 100 verbinden.
  • Das in der 2C dargestellte Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in der 2B dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu weist jeder Halbleiterkörper 2 Überlappungen mit vier verschiedenen Kontaktschichten 40 auf. Dazu sind die in der 2B dargestellten Kontaktschichten 40 so strukturiert ausgebildet, dass sie im Bereich des jeweiligen Halbleiterkörpers 2 beziehungsweise des jeweiligen herzustellenden Bauelements 100 durchtrennt sind. Nach der Vereinzelung können die Bauelemente 100 jeweils eine Metallschicht 4 aus vier Teilbereichen 41 und 42 aufweisen, wobei die vier Teilbereiche aus vier unterschiedlichen Kontaktschichten 40 hervorgehen.
  • Die in der 2D dargestellten Kontaktschichten 40 sind so angeordnet, dass sie wie in der 2C lediglich zwei benachbarte Halbleiterkörper 2 verbinden. Im Unterschied hierzu bedecken die Kontaktschichten 40 in Draufsicht jeweils Ecken der herzustellenden Bauelemente 100, so dass die Bauelemente 100 nach der Vereinzelung nicht nur an deren Seitenflächen, sondern auch an deren Ecken, insbesondere an deren vertikal verlaufenden Kanten elektrisch kontaktierbar sind. Die durch die Vereinzelung entstehenden Teilbereiche 41 und 42 sind jeweils insbesondere an zwei aneinander angrenzenden Seitenflächen des Trägers 1 des zugehörigen Bauelements 100 elektrisch kontaktierbar.
  • In den 2E und 2F sind die als Inseln ausgebildeten Kontaktschichten 40 so angeordnet, dass sie jeweils in Draufsicht vier benachbarte Halbleiterkörper 2 der vier herzustellenden Bauelemente 100 bedecken beziehungsweise verbinden. Wie in der 2D bedecken die Kontaktschichten 40 in Draufsicht die Ecken der zugehörigen Halbleiterkörper 2. Im Unterschied hierzu sind alle Ecken, in diesem Fall vier, des jeweiligen Halbleiterkörpers 2 von vier verschiedenen, nebeneinander angeordneten Kontaktschichten 40 überdeckt. Nach der Vereinzelung können die vereinzelten Bauelemente 100 jeweils vier verschiedene Teilbereiche 41 und/oder 42 aus vier verschiedenen Kontaktschichten 40 aufweisen, wobei die verschiedenen Teilbereiche jeweils an einer Ecke beziehungsweise an einer Kante und gleichzeitig an zwei aneinander angrenzenden Seitenflächen des zugehörigen Bauelements 100 elektrisch kontaktierbar sind. In der 2F sind die Kontaktschichten 40 so angeordnet, dass die Bauelemente 100 nach der Vereinzelung eine Metallschicht 4 mit Teilbereichen 41 und/oder 42 aufweisen, wobei die Teilbereiche unterschiedlicher elektrischer Polaritäten verschiedene Formgebung, etwa hinsichtlich der Größe oder Geometrie, aufweisen. Somit können verschiedene zugeordnete elektrische Polaritäten der Teilbereiche 41 und 42 an Seitenflächen 10 der herzustellenden Bauelemente 100 etwa anhand der verschiedenen Formgebung der Teilbereiche 41 und 42 identifizierbar sein.
  • In allen Ausführungsbeispielen gemäß den 2A bis 2F können die Kontaktschichten 40 so ausgebildet sein, dass die nach der Vereinzelung entstehenden Teilbereiche der Kontaktschichten 40 zur Kennzeichnung deren jeweiliger elektrischer Polarität hinsichtlich eines erkennbaren Merkmals, etwa eines an Seitenflächen oder Rückseiten der herzustellenden Bauelemente 100 sichtbaren Formgebung, sich voneinander unterscheiden.
  • Die Kontaktschichten 40 können außerdem so dick ausgebildet sein, dass die nach der Vereinzelung entstehenden Bauelemente 100 sowohl an deren Seitenflächen 10 als auch an deren Rückseiten 102 elektrisch kontaktierbar sind. Somit können sowohl eine Seitenfläche 10 als auch eine Rückseite 102 des fertiggestellten Bauelements 100 als Montagefläche des Bauelements ausgestaltet werden. Es ist auch möglich, dass die Kontaktschichten 40 in der vertikalen Richtung lediglich so dick ausgebildet sind, dass die Rückseiten 102 der herzustellenden Bauelemente 100 etwa frei von Oberflächen der Kontaktschichten 40 sind. Hierzu können die Kontaktöffnungen 60 lediglich teilweise aufgefüllt oder teilweise beschichtet werden. Insbesondere können die Kontaktschichten 40 lediglich innerhalb der Kontaktöffnungen 61 ausgebildet sein. Das heißt, die Seitenflächen der Kontaktöffnungen 61 können lediglich bereichsweise mit einer der Kontaktschichten 40 beschichtet sein.
  • Auch ist es in allen Ausführungsbeispielen möglich, den Formkörperverbund 50 in zumindest zwei separaten Schritten herzustellen, wobei zwischen den zwei separaten Schritten die Kontaktschichten 40 ausgebildet werden. In diesem Fall können die Trenngräben 60 bei einem ersten Verfahrensschritt etwa zur Ausbildung des Formkörperverbunds 50 aufgefüllt werden. Gegebenenfalls werden in einem darauffolgenden Verfahrensschritt die Kontaktöffnungen 61 geöffnet, woraufhin die Kontaktschichten 40 zumindest in den Bereichen der Kontaktöffnungen 61 ausgebildet werden. In einem zweiten Verfahrensschritt zur Ausbildung des Formkörperverbundes 50 kann der Kunststoff zusätzlich so aufgebracht werden, die Kontaktschichten 40 dass in Draufsicht vollständig von dem Formkörperverbund 50 bedeckt werden.
  • Die 3A bis 4C zeigen verschiedene Ansichten unterschiedlicher Ausführungsbeispiele eines Bauelements 100, das insbesondere durch das hier beschriebene Verfahren hergestellt ist.
  • Das Bauelement 100 weist einen Halbleiterkörper 2 und einen Träger 1 auf. Der Halbleiterkörper 2 geht insbesondere aus dem Halbleiterschichtenstapel 20 hervor. Der Träger 1 ist aus einem Formkörper 5 und einer Metallschicht 4 mit einem ersten Teilbereich 41 und einem zweiten Teilbereich 42 gebildet. Insbesondere geht der Formkörper 5 bei der Vereinzelung aus dem Formkörperverbund 50 hervor. Die Teilbereiche 41 und 42 sind zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers 2 vorgesehen und gehen insbesondere bei der Vereinzelung aus zwei unterschiedlichen Kontaktschichten 40 hervor, wobei die zwei unterschiedlichen Kontaktschichten 40 in Draufsicht eine gemeinsame Stabilisierungsschicht 3 bereichsweise überdecken und im Bereich der gemeinsamen Stabilierungsschicht 3 voneinander lateral beabstandet sind. Es ist nicht ausgeschlossen, dass die zwei unterschiedlichen Kontaktschichten 40 außerhalb der gemeinsamen Stabilisierungsschicht 3, etwa an einem lateralen Rand des Verbunds 200, miteinander verbunden sind. Die Teilbereiche 41 und 42 sowie die Kontaktschichten 40 können aus einem selben Material, etwa aus einem Metall wie Kupfer, oder aus verschiedenen Materialien, etwa aus verschiedenen Metallen ausgebildet sein.
  • Der Träger weist eine Seitenfläche 10 auf, an der der erste Teilbereich 41 und/oder der zweite Teilbereich 42 elektrisch kontaktierbar ist. Dabei kann der erste und/oder zweite Teilbereich auf der Seitenfläche 10 freiliegend sein. Es ist auch möglich, dass der erste Teilbereich 41 und/oder der zweite Teilbereich 42 bereichsweise oder vollständig durch eine weitere Metallisierung bedeckt ist. Diese Metallisierung kann als eine Schutzschicht oder zur Ausbildung einer Lötoberfläche auf der Seitenfläche 10 ausgebildet sein.
  • Der Träger 1 weist eine dem Halbleiterkörper 2 zugewandte Vorderseite 11 und eine dem Halbleiterkörper 2 abgewandte Rückseite 12 auf. Insbesondere umfasst eine Rückseite 102 des Bauelements 100 die Rückseite 12 des Trägers 1. Die Vorderseite 11 und/oder die Rückseite 12 kann bereichsweise durch eine Oberfläche des Formkörpers 5 und bereichsweise durch eine Oberfläche der Metallschicht 4 ausgebildet sein. Ist die Rückseite 12 bereichsweise durch eine Oberfläche der Metallschicht 4 ausgebildet, kann das Bauelement 100 über die Rückseite 12 elektrisch kontaktiert werden.
  • In der 3A ist die Seitenfläche 10 bereichsweise durch eine Oberfläche des Formkörpers 5 und bereichsweise durch eine Oberfläche des ersten Teilbereiches 41 sowie bereichsweise durch eine Oberfläche des zweiten Teilbereiches 42 gebildet. Die Teilbereiche 41 und 42 der Metallschicht 4 sind insbesondere verschiedenen elektrischen Polaritäten des Bauelements zugeordnet. Über die Seitenfläche 10 kann das Bauelement 100 somit mit einer externen Spannungsquelle elektrisch leitend verbunden werden. Insbesondere ist die Seitenfläche 10 als Montagefläche des Bauelements 100 ausgestaltet. Auf der Seitenfläche 10 kann der erste Teilbereich 41 und/oder der zweite Teilbereich 42 Vereinzelungsspuren aufweisen. Auch der Formkörper 5 kann auf der Seitenfläche 10 Vereinzelungsspuren aufweisen.
  • Das Bauelement 100 kann eine weitere Seitenfläche 10 aufweisen, die etwa durch Oberflächen des Formkörpers 5 sowie der Teilbereiche 41 und 42 gebildet ist. Es ist auch möglich, dass die weitere Seitenfläche des Bauelements 100 lediglich Oberflächen der Teilbereiche 41 oder 42 gleicher elektrischer Polarität aufweist. Zum Beispiel weist eine solche Seitenfläche 10 Oberflächen eines ersten Teilbereiches 41 auf und ist frei von einer Oberfläche eines zweiten Teilbereiches 42, oder umgekehrt. Auch kann die weitere Seitenfläche 10 ausschließlich durch eine Oberfläche eines Teilbereiches 41 oder 42 ausgebildet sein. In der 3A erstrecken sich die Teilbereiche 41 und 42 in der vertikalen Richtung von der Rückseite 12 bis zu der Vorderseite 11 des Trägers. Es ist auch möglich, dass die Rückseite 12 frei von Oberflächen des ersten und/oder des zweiten Teilbereiches der Metallschicht 4 ist.
  • Zwischen dem Träger 1 und dem Halbleiterkörper 2 ist eine Stabilisierungsschicht 3 angeordnet, die etwa eine erste Teilschicht 31 und eine von der ersten Teilschicht 31 elektrisch getrennte zweite Teilschicht 32 aufweist. Insbesondere sind die Teilschichten 31 und 32 in der lateralen Richtung voneinander beabstandet, wobei eine elektrisch isolierende Schicht in der lateralen Richtung zwischen den Teilschichten 31 und 32 angeordnet ist. Die elektrisch isolierende Schicht kann zum Beispiel Teil einer Isolierungsstruktur 9 oder Teil des Formkörpers 5 sein. Die Stabilisierungsschicht 3 weist eine vertikale Dicke auf, die insbesondere zwischen einschließlich 5 pm und 30 µm, etwa zwischen einschließlich 5 pm und 20 pm ist. Insbesondere ist die vertikale Dicke der Stabilisierungsschicht 3 größer oder gleich 10 µm.
  • Die Stabilisierungsschicht 3 kann sowohl mit der Metallschicht 4 als auch mit dem Halbleiterkörper 2 elektrisch leitend verbunden sein. Insbesondere ist die Stabilisierungsschicht 3 über eine Verdrahtungsstruktur 8 mit dem Halbleiterkörper 2 elektrisch leitend verbunden. Die Verdrahtungsstruktur 8 kann dabei Teilstrukturen verschiedener elektrischer Polaritäten aufweisen. Über eine Teilstruktur der Verdrahtungsstruktur 8 kann die zweite Halbleiterschicht 22 mit der zweiten Teilschicht 32 der Stabilisierungsschicht 3 und dem zweiten Teilbereich 42 der Metallschicht 4 elektrisch leitend verbunden sein. Über eine weitere Teilstruktur der Verdrahtungsstruktur 8 kann die erste Halbleiterschicht 21 mit der ersten Teilschicht 31 der Stabilisierungsschicht 3 und dem ersten Teilbereich 41 der Metallschicht 4 elektrisch leitend verbunden sein. Eine solche weitere Teilstruktur kann etwa in Form einer Durchkontaktierung 81 (3B und 3E) ausgebildet sein, wobei sich die Durchkontaktierung 81 zumindest von der zweiten Hauptfläche 202 des Halbleiterkörpers 2 durch die zweite Halbleiterschicht 22 und die aktive Schicht 23 in die erste Halbleiterschicht 21 erstrecken kann. Die Verdrahtungsstruktur 8 kann eine Mehrzahl von solchen Durchkontaktierungen 81 aufweisen.
  • Das Bauelement 100 gemäß 3A weist eine Konverterschicht 7 auf, die etwa auf Seiten der ersten Hauptfläche 201, die beispielsweise als eine Strahlungsdurchtrittsfläche des Bauelements 100 ausgebildet ist, angeordnet sein kann. Die Konverterschicht 7 kann ein Konvertermaterial aufweisen, das etwa dazu geeignet ist, die von der aktiven Schicht 23 erzeugte elektromagnetische Strahlung einer ersten Wellenlänge in eine elektromagnetische Strahlung einer zweiten, im Vergleich zu der ersten Wellenlänge größeren Wellenlänge umzuwandeln. Das Bauelement 100 weist eine Strahlungsaustrittsfläche 101 auf. An der Strahlungsaustrittsfläche 101, die etwa durch eine Oberfläche der Konverterschicht 7 gebildet ist, wird die von der aktiven Schicht erzeugte Strahlung und/oder die von der Konverterschicht 7 umgewandelte Strahlung aus dem Bauelement 100 ausgekoppelt. Die Strahlungsdurchtrittsfläche 201 und/oder die Strahlungsaustrittsfläche 101 kann strukturiert sein. Das Bauelement 100 weist eine vertikale Höhe H auf, wobei die vertikale Höhe H mindestens 300 µm, mindestens 1 mm oder einige Millimeter betragen kann.
  • Die 3B zeigt das Bauelement 100 auf dessen Strahlungsaustrittsfläche 101 in Draufsicht. Rings um die Strahlungsdurchtrittsfläche 201 oder die Strahlungsaustrittsfläche 101 kann das Bauelement 100 einen Rand R aufweisen, der eine laterale Breite etwa zwischen einschließlich 5 µm und 30 µm aufweist. Der Rand R kann durch ein Material des Formkörpers 5 ausgebildet sein und kann dabei den Halbleiterkörper 2 in lateralen Richtungen bereichsweise oder vollständig bedecken (in der 3A nicht dargestellt, vergleiche etwa 3E). Das Bauelement 100, insbesondere der Träger 1, kann nach außen oder nach innen gewölbte Ecken aufweisen, an denen die Teilbereiche 41 oder 42 der Metallschicht 4 elektrisch kontaktierbar sind. Ein an einer Ecke oder an einer Kante des Trägers 1 angeordneter Teilbereich 41 oder 42 kann sich in der lateralen Richtung über zwei angrenzende Seitenflächen 10 erstrecken. Zumindest eine Seitenfläche 10 des Trägers 1 oder des Bauelements 100 kann als Montagefläche des Bauelements ausgebildet sein, wobei an dieser Seitenfläche 10 sowohl ein erster Teilbereich 41 als auch ein zweiter Teilbereich 42 der Metallschicht 4 elektrisch kontaktierbar sein können. In der 3B ist die Konverterschicht 7 nicht dargestellt. Ist eine Konverterschicht 7 auf der Strahlungsaustrittsfläche 101 beziehungsweise auf der Strahlungsdurchtrittsfläche 201 ausgebildet, kann der Rand R von der Konverterschicht 7 bereichsweise oder vollständig bedeckt sein.
  • Das Bauelement 100 ist insbesondere als ein Seitenstrahler (englisch: sidelooker) ausgebildet. Eine Gesamtbauhöhe des Bauelements 100 ist somit nicht durch die vertikale Höhe H des Bauelements 100 gegeben, sondern durch eine laterale Breite B. Anders als die vertikale Höhe H kann die laterale Breite B nahezu beliebig gewählt werden, da die Breite B erst bei der Vereinzelung festgelegt wird. Die Gesamtbauhöhe B kann zwischen einschließlich 0,1 mm und 0,5 mm, etwa zwischen einschließlich 0,15 mm oder 2 mm und 0,5 mm oder zwischen einschließlich 0,1 mm und 0,3 mm sein. Das Bauelement 100 weist eine Länge L auf, die sich entlang einer lateralen Richtung erstreckt und kann zwischen einschließlich 0,1 mm und 1,5 mm, etwa zwischen einschließlich 0,5 mm und 1,5 mm betragen. Im Vergleich zu 3A ist das Bauelement in der 3B etwa um 90 Grad gekippt. Die vertikale Höhe H ist in der 3B nicht dargestellt. Die vertikale Höhe H kann zwischen 0,3 mm und 1,5 mm oder größer sein.
  • 3C zeigt die Rückseite 102 des etwa in den 3A und 3B hergestellten Bauelements 100. Die Rückseite 102 kann Oberflächen von den Teilbereichen 41 und 42 der Metallschicht 4 aufweisen. Das Bauelement 100 kann somit sowohl an der Seitenfläche 10 als auch an der Rückseite 102 elektrisch kontaktiert werden. Das Bauelement 100 weist zwei erste Teilbereiche 41 einer ersten elektrischen Polarität und zwei zweite Teilbereiche 42 einer zweiten elektrischen Polarität des Bauelements 100 auf. Die Teilbereiche 41 und 42 sind insbesondere an den Ecken des Bauelements 100 angeordnet. In der vertikalen Richtung können die Teilbereiche 41 und 42 jeweils eine vertikale Kante des Bauelements 100 bedecken. Eine solche Ausgestaltung der Rückseite 102 kann etwa durch eine Anordnung der Kontaktschichten 40 gemäß den 2E und 2F erzielt werden.
  • In der 3C ist eine Stabilisierungsschicht 3 mit den Teilschichten 31 und 32 in dem Formkörper 5 dargestellt, wobei die in der 3C beschriebene Ausgestaltung der Stabilisierungsschicht 3 im Wesentlichen der in der 1B dargestellten Ausgestaltung entspricht. Das Bauelement 100 weist eine Anschlussschicht 82 auf, die insbesondere als Teil der Verdrahtungsstruktur 8 ausgebildet ist. Über die Anschlussschicht 82 kann die zweite Teilschicht 32 mit der zweiten Halbleiterschicht 22 des Halbleiterkörpers 2 elektrisch leitend verbunden werden. 3D zeigt eine weitere Ausgestaltung der Stabilisierungsschicht 3, bei der sich der Zwischenraum 30 - anders als in der 3C - nicht entlang der gesamten Breite B beziehungsweise der gesamten Bauhöhe B, sondern entlang der gesamten lateralen Länge L erstreckt.
  • In der 3E ist ein weiteres Ausführungsbeispiel für ein Bauelement 100 schematisch dargestellt. Dieses Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in der 3A dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu ist die Rückseite 102 des Bauelements oder die Rückseite 12 des Trägers 1 frei von Oberflächen der Teilbereiche 41 und 42 der Metallschicht 4. Mit anderen Worten erstrecken sich die Teilbereiche 41 und 42 nicht über die gesamte vertikale Höhe des Trägers 1, sondern lediglich bereichsweise von der Vorderseite 11 des Trägers 1 in Richtung der Rückseite 12 des Trägers 1. Dabei können sich die Teilbereiche 41 und/oder 42 jeweils über mindestens 20 %, mindestens 30 % oder mindestens 50 % oder mindestens 70 % der vertikalen Höhe des Trägers 1 erstrecken.
  • Des Weiteren ist die in der 3E dargestellte Strahlungsdurchtrittsfläche 201 strukturiert. Die Verdrahtungsstruktur 8 kann eine elektrisch leitfähige Schicht 80, eine oder eine Mehrzahl von Durchkontaktierungen 81 und eine Anschlussschicht 82 aufweisen. Die elektrisch leitfähige Schicht 80 ist insbesondere zwischen dem Halbleiterkörper 2 und der Stabilisierungsschicht 3 beziehungsweise dem Träger 1 angeordnet. Insbesondere weist die elektrisch leitfähige Schicht 80 ein Metall auf und ist insbesondere als eine strahlungsreflektierende Schicht ausgebildet. Insbesondere grenzt die elektrisch leitfähige Schicht 80 an den Halbleiterkörper 2 an. Alternativ oder zusätzlich zu der elektrisch leitfähigen Schicht 80 kann die Stabilisierungsschicht 3 strahlungsreflektierend ausgebildet sein. Die Isolierungsstruktur 9 kann sich bereichsweise in den Halbleiterkörper 2 hinein erstrecken und ist insbesondere für die elektrische Trennung zwischen den Teilschichten 31 und 32 der Stabilisierungsschicht 3 sowie für die elektrische Trennung zwischen der Durchkontaktierung 81 und der zweiten Halbleiterschicht 22 und der aktiven Schicht 23 eingerichtet.
  • In der 3E ist der Halbleiterkörper 2 in lateralen Richtungen etwa von dem den Formkörper 5 bildenden Kunststoff bedeckt. Der Halbleiterkörper 2 kann dabei in den lateralen Richtungen vollumfänglich von diesem Teil des Formkörpers 5 bedeckt sein. In Draufsicht kann dieser Teil des Formkörpers einen Rand R, insbesondere einen umlaufenden Rand R um den Halbleiterkörper bilden (3B). Die Seitenflächen des Halbleiterkörpers 2 können teilweise oder vollständig von diesem Teil des Formkörpers 5 bedeckt sein. Es ist denkbar, dass weitere Schichten in der lateralen Richtung zwischen den Seitenflächen des Halbleiterkörpers 2 und dem Formkörper 5 angeordnet sind. Es ist möglich, dass der Formkörper 5 dabei zusammenhängend ausgebildet ist. Abweichend von der 3E kann die Isolierungsschicht 9 die Seitenflächen des Halbleiterkörpers 2 zumindest bereichsweise bedecken.
  • 4A bis 4C zeigen verschiedene Ausführungsbeispiele für ein Bauelement in schematischen 3D-Ansichten. Zur besseren Darstellung ist ein möglicher den Halbleiterkörper 2 umlaufender Rand R nicht dargestellt. Abweichend von den 4A bis 4C können der Halbleiterkörper 2, die Stabilisierungsschicht 3 sowie die Kontaktstruktur 8 in lateralen Richtungen von einem elektrisch isolierenden Material, etwa von dem den Formkörper 5 bildenden Kunststoff, in lateralen Richtungen bedeckt sein.
  • Das in der 4A dargestellte Ausführungsbeispiel entspricht im Wesentlichen dem in der 3A dargestellten Ausführungsbeispiel. In der 3A sind die Teilbereiche 41 und 42 insbesondere vorwiegend in unmittelbarer Umgebung von den Ecken beziehungsweise Kanten des Bauelements 100 ausgebildet. In der 4A sind die Teilbereiche 41 und 42 über einen vergleichsweise größeren Bereich der Seitenfläche 10 ausgebildet. Insbesondere können mindestens 20 %, mindestens 30 %, etwa mindestens 50 % oder mindestens 70 % der gesamten Fläche der als Montagefläche ausgebildeten Seitenfläche 10 durch Oberflächen der Teilbereiche 41 und 42 ausgebildet sein. Der Träger 1 kann eine weitere Seitenfläche 10 aufweisen, die etwa ausschließlich durch eine Oberfläche des ersten oder des zweiten Teilbereiches der Metallschicht 4 ausgebildet ist. Ein solches Bauelement kann beispielsweise durch ein Verfahren gemäß 2A hergestellt werden. Ein solches Bauelement 100 weist eine besonders hohe mechanische Stabilität auf.
  • Das in der 4B dargestellte Ausführungsbeispiel für ein Bauelement 100 entspricht im Wesentlichen dem in der 4A dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu ist die Rückseite 12 des Trägers 1 frei von einer Oberfläche des ersten oder des zweiten Teilbereiches der Metallschicht 4. Mit anderen Worten erstrecken sich der erste Teilbereich 41 und der zweite Teilbereich 42 nicht über die gesamte vertikale Höhe des Trägers 1. Die Rückseite 12 des Trägers 1 kann ausschließlich durch eine Oberfläche des Formkörpers 5 ausgebildet sein.
  • Das in der 4C dargestellte Ausführungsbeispiel für ein Bauelement 100 entspricht im Wesentlichen dem in der 4B dargestellten Ausführungsbeispiel. Im Unterschied hierzu kann das Bauelement 100 mindestens eine oder mindestens zwei oder genau zwei oder genau drei Seitenflächen 10 aufweisen, die frei von Oberflächen der Teilbereiche 41 und 42 der Metallschicht 4 sind. Auch kann das Bauelement 100 so ausgebildet sein, dass die Teilbereiche 41 und 42 ausschließlich an der als Montagefläche ausgebildeten Seitenfläche 10 elektrisch kontaktierbar sind. Das Bauelement 100 kann vier, etwa genau vier, Seitenflächen 10 aufweisen. Es ist auch möglich, dass das Bauelement 100 einen einzigen Teilbereich 41 und einen einzigen Teilbereich 42 aufweist. Die Teilbereiche 41 und 42 können bis auf die Montagefläche 10 und die Vorderseite 11 des Trägers 1 in allen Richtungen von einem elektrisch isolierenden Material, etwa von dem Kunststoff des Formkörpers 5, vollständig umgeben sein, so dass die Teilbereiche 41 und 42 vor Umwelteinflüssen geschützt sind und weiterhin eine mögliche Gefahr hinsichtlich eines elektrischen Kurzschlusses des Bauelements 100 weitgehend vermieden wird.
  • Durch die Prozessierung im Waferverbund ist es unter anderem nicht notwendig, Träger für Bauelemente separat herzustellen und die Halbleiterkörper 2 auf solche separat hergestellten Träger aufzubringen und elektrisch anzuschließen. Auf solche Montageschritte bezüglich Einzelchipprozesse wie etwa Pick&Place, die einen erheblichen Anteil der Gesamtherstellungskosten von Bauelementen darstellen, kann verzichtet werden, wodurch die Bauelemente kostengünstig hergestellt werden können. Ist das Bauelement als Seitenstrahler ausgestaltet, trägt die vertikale Höhe H des Bauelements nicht zur Gesamtbauhöhe B des Bauelements bei, so dass die vertikale Höhe H vergleichsweise dick eingestellt werden kann, wodurch das Bauelement bei dessen Herstellung und nach der Fertigstellung besonders mechanisch stabil und robust ausgestaltet ist. Auch der Formkörperverbund 50 beziehungsweise der Formkörper 5 können ausreichend dick ausgebildet werden, so dass der Verbund 200 besonders stabil ausgebildet ist, wodurch etwa das Substrat 70 von dem Verbund 200 vereinfacht getrennt werden kann. Die Gesamtbauhöhe B des Bauelements kann außerdem sogar noch bei der Vereinzelung des Verbunds 200 eingestellt werden, wodurch eine besonders geringe Gesamtbauhöhe B erzielt werden kann, wodurch das Bauelement 100 besonders dünn ausgestaltet ist. Ein solches Bauelement 100 weist außerdem eine strahlungsemittierende Fläche auf, deren Breite etwa der Gesamtbauhöhe B entspricht.

Claims (15)

  1. Bauelement (100), das als Licht emittierende Diode ausgestaltet ist, mit einem Träger (1) und einem auf dem Träger (1) angeordneten Halbleiterkörper (2), bei dem - der Träger (1) eine Metallschicht (4) und einen Formkörper (5) aus einem Kunststoff umfasst, wobei der Träger (1) eine dem Halbleiterkörper (2) zugewandte Vorderseite (11) und eine dem Halbleiterkörper (2) abgewandte Rückseite (12) aufweist, die jeweils zumindest bereichsweise durch eine Oberfläche des Formkörpers (5) gebildet sind, - die Metallschicht (4) einen ersten Teilbereich (41) und einen zweiten Teilbereich (42) enthält, wobei der erste Teilbereich (41) und der zweite Teilbereich (42) in lateraler Richtung an den Formkörper (5) angrenzen, in vertikaler Richtung an der Vorderseite (11) des Trägers (1) elektrisch kontaktierbar, verschiedenen elektrischen Polaritäten des Bauelements (100) zugehörig und so zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers (2) eingerichtet sind, und - der Träger (1) eine Seitenfläche (10) aufweist, die senkrecht oder schräg zu der Rückseite (12) des Trägers (1) verläuft und als Montagefläche des Bauelements (100) ausgestaltet ist, wobei zumindest einer der Teilbereiche (41, 42) über die Seitenfläche (10) elektrisch kontaktierbar ist und Vereinzelungsspuren aufweist, wobei - das Bauelement (100) zur mechanischen Stabilisierung eine Stabilisierungsschicht (3) zwischen dem Träger (1) und dem Halbleiterkörper (2) aufweist und zumindest einer der Teilbereiche (41, 42) mit der Stabilisierungsschicht (3) elektrisch leitend verbunden ist, - die Stabilisierungsschicht (3) eine erste Teilschicht (31) und eine von der ersten Teilschicht (31) elektrisch getrennte zweite Teilschicht (32) umfasst, - zumindest eine der Teilschichten (31, 32) eine kammartig gezahnte Struktur aufweist, und - sich eine andere der Teilschichten (31, 32) in der lateralen Richtung in die kammartig gezahnte Struktur erstreckt, sodass das Bauelement (100) entlang aller lateralen Richtungen mechanisch verstärkt ist.
  2. Bauelement (100) nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem der den Formkörper (5) bildende Kunststoff ein gießbares Polymer oder ein Leiterplattenmaterial ist.
  3. Bauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Formkörper (5) mit Glasfasern und/oder mit Glaskugeln mechanisch verstärkt ist.
  4. Bauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem sich der erste Teilbereich (41) und der zweite Teilbereich (42) zur Kennzeichnung deren jeweiliger elektrischer Polarität hinsichtlich deren Geometrie oder deren Größendimension voneinander erkennbar unterscheiden.
  5. Bauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem zumindest einer der Teilbereiche (41, 42) sowohl über die Seitenfläche (10) als auch über die Rückseite (12) des Trägers (1) elektrisch kontaktierbar ausgebildet ist.
  6. Bauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das eine Konverterschicht (7) auf einer der Vorderseite (11) des Trägers (1) abgewandten Oberfläche des Halbleiterkörpers (2) aufweist, wobei die Konverterschicht (7) ein Konvertermaterial enthält, welches dazu geeignet ist, elektromagnetische Strahlung einer ersten Peakwellenlänge in elektromagnetische Strahlung einer zweiten Peakwellenlänge umzuwandeln.
  7. Bauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, das eine zu der als Montagefläche ausgebildete Seitenfläche (10) quer oder senkrecht gerichtete Gesamtbauhöhe (B) aufweist, die zwischen einschließlich 0,1 mm und 0,5 mm ist.
  8. Bauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Halbleiterkörper (2) eine dem Träger (1) abgewandte Strahlungsdurchtrittsfläche (201) aufweist und in lateralen Richtungen zumindest bereichsweise von dem den Formkörper (5) bildenden Kunststoff umrandet ist, wobei der Kunststoff in Draufsicht auf den Träger (1) einen Rand mit einer lateralen Breite (R) zwischen einschließlich 5 µm und 30 µm um die Strahlungsdurchtrittsfläche (201) bildet.
  9. Bauelement (100) nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der erste Teilbereich (41) und der zweite Teilbereich (42) an gegenüberliegenden Kanten des Trägers (1) elektrisch kontaktierbar ausgebildet sind und sich die Teilbereiche (41, 42) jeweils über mindestens 30 % der vertikalen Höhen der Kanten erstrecken.
  10. Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von Bauelementen (100), die als Licht emittierende Dioden ausgestaltet sind, mit folgenden Verfahrensschritten: A)Ausbilden eines Verbunds (200) aus einem Halbleiterschichtenstapel (20) und einem auf dem Halbleiterschichtenstapel (20) angeordneten zusammenhängenden Formkörperverbund (50) aus einem Kunststoff, wobei der Formkörperverbund (50) durch Aufbringen des Kunststoffes auf den Halbleiterschichtenstapel (20) ausgebildet wird, und wobei der Halbleiterschichtenstapel (20) in eine Mehrzahl von Halbleiterkörpern (2) zertrennbar ist, B)Ausbilden einer Mehrzahl von Kontaktschichten (40) auf dem Halbleiterschichtenstapel (20) zur elektrischen Kontaktierung der Halbleiterkörper (2), wobei die Kontaktschichten (40) in Draufsicht jeweils mit mindestens zwei benachbart angeordneten Halbleiterkörpern (2) überlappen, wobei die Kontaktschichten (40) nach dem Ausbilden des Formkörperverbunds (50) auf den Halbleiterschichtenstapel (20) aufgebracht werden, oder die Kontaktschichten (40) zunächst gebildet werden und der Formkörperverbund (50) in einem nachfolgenden Verfahrensschritt auf den Halbleiterschichtenstapel (20) aufgebracht wird, C)Vereinzeln des Verbunds (200) in eine Mehrzahl von Bauelementen (100), sodass - die Kontaktschichten (40) bei der Vereinzelung an Stellen zwischen den benachbart angeordneten Halbleiterkörpern (2) durchtrennt werden, - die vereinzelten Bauelemente (100) jeweils einen Halbleiterkörper (2) und einen Träger (1) aufweisen, wobei die Halbleiterkörper (2) aus dem Halbleiterschichtenstapel (20) hervorgehen, - der Träger (1) des jeweiligen Bauelements (100) einen Formkörper (5) und eine Metallschicht (4) aufweist, wobei der Formkörper (5) aus dem Formkörperverbund (50) hervorgeht, die Metallschicht (4) zur elektrischen Kontaktierung des zugehörigen Halbleiterkörpers (2) zwei Teilbereiche (41, 42) aus verschiedenen Kontaktschichten (40) aufweist und zumindest einer der Teilbereiche (41, 42) an einer Seitenfläche (10) des Trägers (1) elektrisch kontaktierbar ausgebildet ist, wobei - die vereinzelten Bauelemente (100) jeweils zur mechanischen Stabilisierung eine Stabilisierungsschicht (3) zwischen dem Träger (1) und dem Halbleiterkörper (2) aufweisen, - zumindest einer der Teilbereiche (41, 42) mit der Stabilisierungsschicht (3) elektrisch leitend verbunden ist, - die Stabilisierungsschicht (3) eine erste Teilschicht (31) und eine von der ersten Teilschicht (31) elektrisch getrennte zweite Teilschicht (32) umfasst, - zumindest eine der Teilschichten (31, 32) eine kammartig gezahnte Struktur aufweist, und - sich eine andere der Teilschichten (31, 32) in der lateralen Richtung in die kammartig gezahnte Struktur erstreckt, sodass das Bauelement (100) entlang aller lateralen Richtungen mechanisch verstärkt ist.
  11. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem zur mechanischen Stabilisierung der herzustellenden Bauelemente (100) eine Mehrzahl von Stabilisierungsschichten (3) vor dem Ausbilden des Formkörperverbunds (50) sowie der Kontaktschichten (40) mittels eines galvanischen Verfahrens auf den Halbleiterschichtenstapel (20) abgeschieden wird.
  12. Verfahren nach dem vorhergehenden Anspruch, bei dem der Kunststoff zur Ausbildung des Formkörperverbunds (50) auf den Halbleiterschichtenstapel (20) vergossen oder verpresst wird, wobei Kontaktöffnungen (61) zur teilweisen Freilegung der Stabilisierungsschichten (3) in dem Formkörperverbund (50) gebildet werden.
  13. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 12, bei dem die Kontaktschichten (40) mittels eines galvanischen Verfahrens auf den Halbleiterschichtenstapel (20) aufgebracht werden.
  14. Verfahren nach einem der Ansprüche 10 bis 13, bei dem der Träger (1) unmittelbar am Halbleiterkörper (2) hergestellt ist, sodass der Träger (1) nicht in einem von dem Halbleiterkörper (2) separaten Produktionsschritt hergestellt wird, sondern bereits bei dessen Herstellung auf den Halbleiterkörper (2) aufgebracht wird.
  15. Bauelement (100), das als Licht emittierende Diode, ausgestaltet ist, mit einem Träger (1) und einem auf dem Träger (1) angeordneten Halbleiterkörper (2), wobei - der Träger (1) eine Metallschicht (4) und einen Formkörper (5) aus einem Kunststoff umfasst, wobei der Träger (1) eine dem Halbleiterkörper (2) zugewandte Vorderseite (11) und eine dem Halbleiterkörper (2) abgewandte Rückseite (12) aufweist, die jeweils zumindest bereichsweise durch eine Oberfläche des Formkörpers (5) gebildet sind, - die Metallschicht (4) einen ersten Teilbereich (41) und einen zweiten Teilbereich (42) enthält, wobei der erste Teilbereich (41) und der zweite Teilbereich (42) in lateraler Richtung an den Formkörper (5) angrenzen, in vertikaler Richtung an der Vorderseite (11) des Trägers (1) elektrisch kontaktierbar, verschiedenen elektrischen Polaritäten des Bauelements (100) zugehörig und so zur elektrischen Kontaktierung des Halbleiterkörpers (2) eingerichtet sind, - der Träger (1) eine Seitenfläche (10) aufweist, die senkrecht oder schräg zu der Rückseite (12) des Trägers (1) verläuft und als Montagefläche des Bauelements (100) ausgestaltet ist, wobei zumindest einer der Teilbereiche (41, 42) über die Seitenfläche (10) elektrisch kontaktierbar ist, und - das Bauelement (100) als Seitenstrahler ausgebildet ist, wobei eine Hauptabstrahlrichtung des Bauelements (100) parallel zu der als Montagefläche ausgebildeten Seitenfläche (10) des Trägers (1) verläuft, wobei - das Bauelement (100) zur mechanischen Stabilisierung eine Stabilisierungsschicht (3) zwischen dem Träger (1) und dem Halbleiterkörper (2) aufweist und zumindest einer der Teilbereiche (41, 42) mit der Stabilisierungsschicht (3) elektrisch leitend verbunden ist, - die Stabilisierungsschicht (3) eine erste Teilschicht (31) und eine von der ersten Teilschicht (31) elektrisch getrennte zweite Teilschicht (32) umfasst, - zumindest eine der Teilschichten (31, 32) eine kammartig gezahnte Struktur aufweist, und - sich eine andere der Teilschichten (31, 32) in der lateralen Richtung in die kammartig gezahnte Struktur erstreckt, sodass das Bauelement (100) entlang aller lateralen Richtungen mechanisch verstärkt ist.
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