CN103177686B

CN103177686B - 显示装置

Info

Publication number: CN103177686B
Application number: CN201210547789.3A
Authority: CN
Inventors: 山下孝教; 井关正己; 川野藤雄; 乡田达人
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 2011-12-20
Filing date: 2012-12-17
Publication date: 2015-10-28
Anticipated expiration: 2032-12-17
Also published as: US8847934B2; JP2013148874A; JP6124573B2; US20130155038A1; CN103177686A

Abstract

本发明涉及显示装置。在不使显示质量劣化并且不增加各像素尺寸的情况下，提供具有更精细节距电路构造的显示装置。在可通过使用控制电路抑制包含于各像素电路中的驱动晶体管的特性变化的显示装置中，控制电路被布置于其中布置了多个像素电路的区域的外侧，并且，存在输入数据信号被供给到其一端的第二电容器、其输入与第二电容器的另一端连接并且其输出能够与数据线连接的第一电压跟随器电路、以及其输入与数据线连接并且其输出能够与第二电容器的另一端连接的第二电压跟随器电路。

Description

显示装置

技术领域

本发明涉及其中使用用作电流控制器件的有机EL（电致发光）器件的有源矩阵型显示装置。

背景技术

作为要被用于有源矩阵型有机EL显示装置的像素电路，根据要被显示的灰度来设定输入数据电压的电压编程像素电路是已知的。顺便说一句，像这样的像素电路一般包含用于基于输入数据电压向有机EL器件供给电流的驱动晶体管。这里，存在阈值电压根据要使用的驱动晶体管而改变的事实。出于这种原因，存在以下问题：即，即使对于各像素电路设定相同的输入数据电压，有机EL器件的亮度也因此而改变。在这种情形下，日本专利申请公开No.2003-271095公开了能够消除驱动晶体管的阈值电压的变化的影响的电压编程像素电路作为解决以上问题的方法。

即，在日本专利申请公开No.2003-271095中公开的包括两个晶体管和两个电容器的像素电路中，使得与电流控制器件并联连接的寄生电容器CL的电容比连接于驱动晶体管的栅电极和源电极之间的存储电容器CS的电容大。因此，由于能够减少输入视频信号的电平，因此，这种构造在消耗的电力方面是有利的。

但是，在上述的这种技术中，需要大的布局面积以形成电容大的电容器。此外，由于对于各像素电路设置寄生电容器CL，因此，在各像素电路中设置寄生电容器所需的区域变大，由此存在难以提供节距较精细（更精确）的像素电路的问题。

发明内容

因此，本发明的一个目的是，在不使显示质量劣化并且不增加各像素电路所需的区域的情况下，提供可实现更精细节距和更精确电路构造的显示装置。

为了实现以上目的，根据本发明，提供一种显示装置，该显示装置包括多个像素电路、被配置为向多个像素电路供给电压的数据线、以及与数据线连接的控制电路，其中，多个像素电路中的每一个包含发光器件、被配置为向发光器件供给根据向其栅电极施加的电压的电流的驱动晶体管、一端与驱动晶体管的栅电极连接的第一电容器、被配置为控制驱动晶体管的栅电极与数据线之间的导通的第一开关晶体管、以及被配置为控制驱动晶体管的漏电极与数据线之间的导通的第二开关晶体管，并且，所述控制电路被布置在其中布置了多个像素电路的区域的外侧，并且，所述控制电路包含输入数据信号被供给到其一端的第二电容器、其输入与第二电容器的另一端连接并且其输出能够与数据线连接的第一电压跟随器电路、以及其输入与数据线连接并且其输出能够与第二电容器的另一端连接的第二电压跟随器电路。

根据本发明，由于显示装置不受驱动晶体管的阈值电压的变化影响，因此，能够提供不使显示质量劣化的显示装置。此外，由于要对于各像素电路设置的电容器不变大，因此，能够提供可在不扩大各像素电路需要的区域的情况下实现节距较精细的构造的显示装置。

参照附图阅读示例性实施例的以下描述，本发明的其它特征将变得清晰。

附图说明

图1是示出应用本发明的显示装置的总体构造的示意性框图。

图2是示出在本发明的第一实施例中使用的像素电路和控制电路的框图。

图3是本发明的第一实施例中的与图2的像素电路和控制电路对应的时序图。

图4是示出在本发明的第二实施例中使用的像素电路和控制电路的框图。

图5是本发明的第二实施例中的与图4的像素电路和控制电路对应的时序图。

图6示出在本发明的第三和第四实施例中使用的像素电路和控制电路的框图。

图7是本发明的第三实施例中的与图6的像素电路和控制电路对应的时序图。

图8是本发明的第四实施例中的与图6的像素电路和控制电路对应的时序图。

图9示出在本发明的第五实施例中使用的像素电路和控制电路的框图。

图10是本发明的第五实施例中的与图9的像素电路和控制电路对应的时序图。

图11示出在本发明的第六实施例中使用的像素电路和控制电路的框图。

图12是本发明的第六实施例中的与图11的像素电路和控制电路对应的时序图。

图13是示出使用根据本发明的显示装置的数字静态照相机的总体构造的框图。

具体实施方式

以下，将参照附图具体描述本发明的示例性实施例。这里，应当注意，以下的实施例中的每一个优选被应用于使用有机EL器件的有源矩阵型显示装置。

图1是示出应用本发明的有源矩阵型有机EL显示装置的总体构造的示意性框图。如图所示，在基板上形成显示区域1，并且，在显示区域1中设置矩阵状布置的多个像素电路5。此外，像素电路5中的每一个包含发光器件，并且，作为发光器件，可以使用有机EL器件、无机EL器件和LED（发光二极管）等。输入数据信号（视频）从外部电路（未示出）通过多个视频信号线被输入到控制电路2（以下，称为列控制电路2）。位于显示区域1外部的列控制电路2响应于从外部电路输入的T₀控制信号来控制对于多个数据线4的输出电压。栅极线驱动电路3分别向用于对应的行的多个像素电路5供给P控制信号线（P（1）、P（2）、…、P（n）；“n”是自然数）。在图1所示的例子中，从外部电路供给输入数据信号、T₀控制信号和P控制信号。但是，本发明不限于这种构造。即，例如，作为输入数据信号和控制信号，可供给从通过COG（玻璃上芯片（chip on glass））方法安装于同一基板上的控制器供给的输出信号。

[第一实施例]

图2是示出根据第一实施例的列控制电路2和显示区域1内的3列1行的像素电路5（像素电路a、b、c）的构造的框图。

对于各列布置列控制电路2中的一个块，并且，该块包含一个电容器（列控制电容器Cs）和一个晶体管（开关晶体管S1）。视频信号线Vdata与列控制电容器Cs（第二电容器）的一端连接，其中，通过所述视频信号线Vdata供给输入数据信号（输入数据电压）。开关晶体管S1的源极和漏极中的一个与列控制电容器Cs的另一端和数据线（dataA、dataB、dataC）连接。开关晶体管S1的栅极与PRE控制信号线连接。开关晶体管S1的源极和漏极中的另一个与预充电电压线VPRE连接。顺便说一句，应当注意，开关晶体管S1作为本发明的构成要素不是必需的。

像素电路5中的每一个包含有机EL器件、驱动晶体管M1、存储电容器Cp（第一电容器）、开关晶体管M2（第一开关晶体管）和开关晶体管M3（第二开关晶体管）。驱动晶体管M1向有机EL器件供给根据向栅电极施加的电压的电流。一端与驱动晶体管M1的栅电极连接的存储电容器Cp存储所述向栅电极施加的电压。开关晶体管M2控制驱动晶体管M1的栅电极与数据线之间的导通，并且，开关晶体管M3通过开关晶体管M2控制驱动晶体管M1的栅电极与漏电极之间的导通。

驱动晶体管M1的源极和漏极中的一个与电流供给线VOLED连接。驱动晶体管M1的栅极与存储电容器Cp的一端连接，并进一步与开关晶体管M2的源极和漏极中的一个连接，其中，所述存储电容器Cp的另一端与电流供给线VOLED连接，所述开关晶体管M2的源极和漏极中的另一个与数据线连接。驱动晶体管M1的源极和漏极中的另一个与开关晶体管M3的源极和漏极中的一个连接，所述开关晶体管M3的源极和漏极中的另一个与数据线连接。驱动晶体管M1的漏极进一步与开关晶体管M4的源极和漏极中的一个连接，所述开关晶体管M4的源极和漏极中的另一个与有机EL器件的阳极连接。有机EL器件的阴极与对于所有的像素电路共同设置的共用电势VOCOM连接。开关晶体管M2的栅极与P1控制信号线连接，开关晶体管M3的栅极与P2控制信号线连接，并且，开关晶体管M4的栅极与P3控制信号线连接。

数据线被用于供给要向列控制电容器Cs的另一端施加的电压。并且，数据线与数据线电容器Cd连接，数据线电容器Cd是由数据线与行控制线之间的交点和相邻的布线等形成的。

在本实施例中，NMOS（N沟道金属氧化物半导体）被用作构成列控制电路2的晶体管，并且，PMOS（P沟道金属氧化物半导体）被用作构成像素电路5的晶体管。但是，在本发明中，构成列控制电路2和像素电路5的晶体管的极性不限于这些。即，可对于构成列控制电路2和像素电路5的所有晶体管中的每一个使用诸如NMOS或PMOS的单沟道MOS。此外，可对于构成列控制电路2和像素电路5的所有晶体管中的每一个使用包含NMOS和PMOS的混合构造。

以下，将参照图3所示的时序图描述根据本实施例的具体的电路操作。这里，假定要被输入到第一行中的像素电路的控制信号由P1（1）、P2（1）和P3（1）控制信号代表，并且，要被输入到第二行中的像素电路的控制信号由P1（2）、P2（2）和P3（2）控制信号代表。

首先，将描述第一行中的像素电路。在从时间t0到时间t1正前的时段中，P1（1）控制信号和P2（1）控制信号处于L（低）电平，P3（1）控制信号处于H（高）电平。换句话说，开关晶体管M2和M3为接通，开关晶体管M4为关断。在列控制电路2中，用作输入数据电压的基准电压（Vref）被输入到列控制电容器Cs的一端。并且，由于PRE控制信号线处于H电平并且开关晶体管S1为接通，因此，列控制电容器Cs的另一端和数据线被设定为预充电电压（VPRE）。此外，驱动晶体管M1的栅极和漏极处于短路状况（condition），并且通过数据线被设定为预充电电压（VPRE）。顺便说一句，内部命名的（within-named）预充电电压意味着将驱动晶体管M1设定为驱动状态的电压。更具体而言，预充电电压等效于使得驱动晶体管M1的栅极-源极电压充分地比驱动晶体管M1的阈值电压（Vth）高的电压。此时，由于不向有机EL器件供给电流（其原因是开关晶体管M4为关断），因此，有机EL器件不发光[预充电时段]。

在从时间t1到时间t2正前的时段中，由于PRE控制信号从H电平变为L电平，因此，开关晶体管S1变为关断。此时，根据栅极电压在驱动晶体管M1中流动的电流从驱动晶体管M1的漏极流向栅极，由此，驱动晶体管M1的栅极电压和漏极电压以及数据线电压增大。随着驱动晶体管M1的栅极电势的增大，在驱动晶体管M1中流动的电流减小。在直到来自驱动晶体管M1的电流几乎不流动的时间t2的时段期间，根据流入到驱动晶体管M1的栅极中的电流的量，存储电容器Cp、数据线电容器Cd和列控制电容器Cs被充电。然后，在时间t2，由于P2（1）控制信号从L电平变为H电平，因此，开关晶体管M3变为关断。因此，对于存储电容器Cp和数据线电容器Cd设定电流不在驱动晶体管M1中流动时的栅极电压即阈值电压（Vth）[自动零时段]。

在从时间t2到时间t3正前的时段中，输入数据电压从基准电压（Vref）变为用作灰度电压的Va电压（差值电压ΔV＝Va-Vref）。因此，以通过列控制电容器Cs、数据线电容器Cd和存储电容器Cp的并联电容的电容分割比，输入数据电压被写入到驱动晶体管M1的栅极并被存储于存储电容器Cp中。顺便说一句，驱动晶体管M1的栅极-源极电压由Vgs＝{Cs/(Cs+Cd+Cp)}·ΔV+Vth给出[电压编程时段]。

然后，在时间t3，由于P3（1）控制信号从H电平变为L电平，因此，开关晶体管M4变为接通。因此，驱动晶体管M1开始向有机EL器件供给根据栅极-源极电压的电流。换句话说，有机EL器件开始发光[发光时段]。

在时间t4，由于P3（1）控制信号从L电平变为H电平，因此，开关晶体管M4从接通变为关断。因此，驱动晶体管M1停止向有机EL器件供给电流，由此，有机EL器件进入不发光的状态[不发光时段]。换句话说，有机EL器件从时间t3到时间t4正前处于发光状态，然后在时间t4之后处于不发光状态。因此，可通过任意地设定时间t4而适当地设定发光时段和不发光时段。

在时间t5，由于P1（1）控制信号和P2（1）控制信号从H电平变为L电平，因此，开关晶体管M2和M3从关断变为接通。因此，在列控制电路2中，用作输入数据电压的基准电压（Vref）被输入到列控制电容器Cs的一端。此外，由于PRE控制信号处于H电平并且开关晶体管S1为接通，因此，列控制电容器Cs的另一端和数据线被设定为预充电电压VPRE。此外，驱动晶体管M1的栅极和漏极处于短路状况，并且通过数据线被设为预充电电压（VPRE），由此设定预充电时段。此后，依次重复自动零时段、电压编程时段、发光时段和不发光时段。

下面，将描述第二行中的像素电路。在第一行中的像素电路开始发光的时间t3，由于P1（2）控制信号从H电平变为L电平并且P2（2）控制信号从H电平变为L电平，因此，开关晶体管M2和M3从关断变为接通。即，驱动晶体管M1的栅极和漏极处于短路状况，并且通过数据线被设为预充电电压（VPRE），由此设定预充电时段。此后，依次重复自动零时段、电压编程时段、发光时段和不发光时段。换句话说，对于各行设定预充电时段、自动零时段、电压编程时段、发光时段和不发光时段。

根据本实施例，由于数据电压在驱动晶体管M1的阈值电压被存储于存储电容器Cp中之后被写入到驱动晶体管M1的栅电极，因此，装置不受驱动晶体管M1的阈值电压的变化影响。出于这种原因，能够提供不使显示质量劣化的显示装置。此外，由于在像素电路中设置的电容器仅是存储电容器Cp，因此，对于各像素电路设置的电容器（电容）不变大。因此，能够提供可在不放大各像素电路所需的区域的情况下实现更精细节距的构造的显示装置。

顺便说一句，这里要注意的点是，在同一行中连接的像素电路通过对于各行共同地使用列控制电路2执行预充电操作、自动零操作和电压编程操作。在任何情况下，可能能够采用多个像素电路的开关晶体管M2与数据线共同连接的构造，例如，像素电路的开关晶体管M2与用于各列或各行的不同数据线连接的构造。因此，能够如由多个像素电路共同使用的电路器件的数量那样多地减少各像素电路所需的电路器件的数量。换句话说，由于可使得像素电路所需的区域小，因此，能够实现具有更精细节距电路构造的显示装置。

顺便说一句，本实施例中的像素电路5的构造不限于图2所示的构造。即，开关晶体管M3的源极和漏极中的一个可与驱动晶体管M1的栅极、存储电容器Cp的另一端、以及开关晶体管M2的源极和漏极中的另一个连接。

[第二实施例]

图4是示出根据第二实施例的列控制电路2和显示区域1内的3列1行的像素电路5（像素电路a、b、c）的构造的框图。

对于各列布置列控制电路2中的一个块，并且，该块包含一个电容器（列控制电容器Cs）、三个晶体管（开关晶体管S1、S2、S3）和两个电压跟随器电路（B1、B2）。供给输入数据信号的视频信号线Vdata与开关晶体管S1的源极和漏极中的一个以及列控制电容器Cs的一端连接。开关晶体管S1的源极和漏极中的另一个与列控制电容器Cs的另一端、开关晶体管S2的源极和漏极中的一个、以及电压跟随器电路B1的输入端子连接。电压跟随器电路B1的输出端子与开关晶体管S3的源极和漏极中的一个连接。开关晶体管S3的源极和漏极中的另一个与数据线和电压跟随器电路B2的输入端子连接。电压跟随器电路B2的输出端子与开关晶体管S2的源极和漏极中的另一个连接。这里，应当注意，像素电路5具有与在第一实施例中描述的构造相同的构造。

下面，将参照图5所示的时序图描述根据本实施例的具体的电路操作。这里，将通过关注单个像素电路来描述电路操作。

在从时间t0到时间t1正前的时段中，PRE控制信号线和SET控制信号线处于H电平，并且，CP控制信号线处于L电平。即，开关晶体管S1和S3为接通，并且，开关晶体管S2为关断。在像素电路5中，P1控制信号和P2控制信号处于L电平，并且，P3控制信号处于H电平。换句话说，开关晶体管M2和M3为接通，并且，开关晶体管M4为关断。此时，从视频信号线Vdata供给预充电电压（VPRE）。因此，列控制电容器Cs的两端被复位，同时，通过开关晶体管S1、电压跟随器电路B1、开关晶体管S3和数据线对于驱动晶体管M1的栅极和漏极设定预充电电压。此时，由于开关晶体管M4为关断而导致不向有机EL器件供给电流，因此，有机EL器件不发光[预充电时段]。

在从时间t1到时间t2正前的时段中，由于PRE控制信号线和SET控制信号线从H电平变为L电平，因此，CP控制信号线从L电平变为H电平。即，开关晶体管S1和S3从接通变为关断，并且，开关晶体管S2从关断变为接通。维持时间t0处的三个控制信号线（P1、P2、P3）的状态。此时，存储电容器Cp和数据线电容器Cd根据流向驱动晶体管M1的栅极的电流的量被充电，直到来自驱动晶体管M1的电流不流动。因此，驱动晶体管M1的栅极电势和漏极电势以及数据线电势增大。然后，在时间t2，由于P2控制信号从L电平变为H电平，因此，开关晶体管M3从接通变为关断。换句话说，对于存储电容器Cp和数据线电容器Cd设定驱动晶体管M1的阈值电压（Vth）。此外，该阈值电压通过数据线、电压跟随器电路B2和开关晶体管S2被设定为列控制电容器Cs的另一端的电压Vd（Vd＝Vth）[自动零时段]。

在时间t2到时间t3正前的时段中，CP控制信号线从H电平变为L电平，并且，SET控制信号线从L电平变为H电平。维持时间t1处的PRE控制信号线的状态。即，开关晶体管S1和S2为关断，并且，开关晶体管S3为接通。在像素电路中，P2控制信号线从L电平变为H电平，并且，维持时间t1处的P1控制信号线和P3控制信号线的状态。即，开关晶体管M2为接通，并且，开关晶体管M3和M4为关断。此时，输入数据电压从VPRE电压变为用作灰度电压的Va电压。因此，列控制电容器Cs的一端处的电压从VPRE电压变为根据灰度的Va电压，变化量为ΔV电压（＝Va－VPRE）。即，列控制电容器Cs的另一端具有通过在Vth电压上加上ΔV电压获得的电压（Vd＝Vth+ΔV）。然后，列控制电容器Cs的另一端的电压Vd通过电压跟随器电路B1和数据线被写入驱动晶体管M1的栅极，并进一步被存储于存储电容器Cp中[电压编程时段]。

在时间t3，维持时间t2处的三个控制信号线（PRE、CP、SET）的状态。在像素电路中，P3控制信号线从H电平变为L电平，并且，P1控制信号线从L电平变为H电平，并且，维持时间t2处的P2控制信号线的状态。即，开关晶体管M2和M3为关断，并且，开关晶体管M4为接通。因此，驱动晶体管M1开始向有机EL器件供给根据栅极-源极电压的电流。换句话说，有机EL器件开始发光[发光时段]。

在时间t4，由于P3控制信号从L电平变为H电平，因此，开关晶体管M4从接通变为关断。因此，驱动晶体管M1停止向有机EL器件供给电流，由此有机EL器件进入不发光的状态[不发光时段]。以这种方式，对于各行设定预充电时段、自动零时段、电压编程时段、发光时段和不发光时段。

在本实施例中，通过上述的电路构造和电路驱动方法，能够具有与第一实施例中的效果相同的效果。此外，在本实施例中，由于布置了电压跟随器电路B1，因此，可通过基于电压跟随器电路的输出的向低阻抗的阻抗转换来转换电压跟随器电路B1的输入侧的阻抗。因此，与输入数据电压的变化量对应的ΔV电压（＝Va-VPRE）在不被衰减的情况下被直接写入到驱动晶体管M1的栅极和存储电容器Cp。这一点与第一实施例不同。在任何情况下，通过这一点来降低供给输入数据电压的控制电路的电压是有效的。

此外，在本实施例中，与第一实施例相比，能够减小在自动零操作中充电的电容器的电容。更具体而言，在本实施例中，由于电压跟随器电路B2被布置为使得可通过电压跟随器电路B2直接对列控制电容器Cs的另一端设定保持在数据线电容器Cd中的驱动晶体管M1的阈值电压（Vth），因此，变得不必在自动零操作中对列控制电容器Cs充电。出于这种原因，由于可以减小在自动零操作中充电的电容器的电容，因此，能够缩短自动零操作所需的时间。换句话说，即使当对于具有更精细节距电路构造的显示装置中的一个行分配的时间减少时，也能够确保足够的自动零时间。

[第三实施例]

图6是示出根据第三实施例的列控制电路2和显示区域1内的3列1行的像素电路5（像素电路a、b、c）的构造的框图。以下，将描述本实施例的与以上的实施例不同的点。

即，本实施例与第一实施例不同的点在于，列控制电路2中的一个块包含一个电容器、三个晶体管和两个电压跟随器电路，并且通过三个数据线共同使用它们。此外，本实施例与第一实施例不同的点在于，在三个数据线与列控制电路2之间设置开关电路6（开关Q1、Q2、Q3），并且，三个数据线中的一个被选择并且与列控制电路2连接。

在从时间t0到时间t1正前的时段中，SEL1、SEL2和SEL3控制信号线均处于H电平，并且，开关Q1、Q2和Q3为接通，并且，建立列控制电路2与三个数据线dataA、dataB和dataC之间的导通。在这种状态下，对于三个像素电路a、b和c同时执行预充电操作。在从时间t1到时间t2正前的时段中，SEL1、SEL2和SEL3信号线均处于L电平，开关Q1、Q2和Q3为关断，并且，列控制电路2与数据线dataA、dataB和dataC分离。同时，在能够与列控制电路2连接的三个像素电路a、b和c中，P1和P2控制信号变为L电平，开关晶体管M2和M3变为接通，并且，在这些像素电路中同时执行自动零操作。然后，各像素电路的驱动晶体管M1的阈值电压（Vth）对于各像素电路的存储电容器Cp和各数据线的数据线电容器Cd被设定并存储于其中。

在从时间t2到时间t4正前的时段中，SEL1控制信号线处于H电平，并且，SEL2控制信号线和SEL3控制信号线处于L电平，由此，列控制电路2处于与数据线dataA连接的状态中。因此，在从时间t2到时间t3正前的时段中，像素电路a的驱动晶体管M1的阈值电压通过电压跟随器电路B2被写入到列控制电容器Cs的另一端。然后，在从时间t3到时间t4正前的时段中，被写入到像素电路a的灰度电压被供给到信号线VdataA，由此对于像素电路a执行电压编程操作。

在从时间t4到时间t6正前的时段中，SEL2控制信号线处于H电平，并且，SEL1控制信号线和SEL3控制信号线处于L电平，由此，列控制电路2处于与数据线dataB连接的状态中。因此，在从时间t4到时间t5正前的时段中，像素电路b的驱动晶体管M1的阈值电压通过电压跟随器电路B2被写入到列控制电容器Cs的另一端。然后，在从时间t5到时间t6正前的时段中，被写入到像素电路b的灰度电压被供给到信号线VdataA，由此对于像素电路b执行电压编程操作。

在从时间t6到时间t8正前的时段中，SEL3控制信号线处于H电平，并且，SEL1控制信号线和SEL2控制信号线处于L电平，由此，列控制电路处于与数据线dataC连接的状态中。因此，在从时间t6到时间t7正前的时段中，像素电路c的驱动晶体管M1的阈值电压通过电压跟随器电路B2被写入到列控制电容器Cs的另一端。然后，在从时间t7到时间t8正前的时段中，被写入到像素电路c的灰度电压被供给到信号线VdataA，由此对于像素电路c执行电压编程操作。

在时间t8，列控制电路2与数据线dataA、dataB和dataC分离。因此，在三个像素电路a、b和c中，P3控制信号变为L电平，并且，开关晶体管M4变为接通。因此，三个像素电路中的有机EL器件分别发光，并且，根据相应像素电路的驱动晶体管M1的栅极电压的电流继续在有机EL器件中流动。然后，在时间t9，P3控制信号变为H电平，并且开关晶体管M4变为关断，由此，执行停止发光的操作。各有机EL器件继续发光，直到该操作。以这种方式，对于各行设定预充电时段、自动零时段、电压编程时段、发光时段和不发光时段。

在本实施例中，通过上述的电路构造和电路驱动方法，能够具有与第一实施例中的效果相同的效果。此外，在本实施例中，由于电压跟随器电路B2被布置于列控制电路2中并且列控制电路2和数据线中的每一个通过开关电路6相互连接，因此，能够选择性地将保持于数据线电容器Cd中的每一个中的每一个像素电路的驱动晶体管M1的阈值电压设定到列控制电容器Cs的另一端。

如上所述，在从时间t1到时间t2正前的时段中，在开关Q1、Q2和Q3为关断的状态中同时对于多个像素电路执行自动零操作，并且，像素电路中的每一个的驱动晶体管M1的阈值电压（Vth）被设定于像素电路中的每一个的存储电容器Cp和数据线中的每一个的数据线电容器Cd并存储于其中。此时，分别存储于像素电路中的每一个的存储电容器Cp和数据线中的每一个的数据线电容器Cd中的阈值电压根据驱动晶体管M1的特性而相互不同。此后，在从时间t2到时间t8正前的时段中，当对于像素电路中的每一个执行电压编程操作时，阈值电压通过电压跟随器电路B2被依次写入到列控制电容器Cs的另一端。在这种情况下，如果不在列控制电路2中设置电压跟随器电路B2，那么电压受到在前面的时段中保持和存储于列控制电容器Cs中的电荷的量和电容器Cs、Cp和Cd的电容分割影响，由此，对于列控制电容器Cs的另一端设定偏离原始阈值电压的电压。

即，通过在列控制电路2中布置电压跟随器电路B2并通过开关电路6连接列控制电路2与各数据线，能够使得单个视频信号线Vdata和列控制电路2对于三个数据线共同地操作。因此，能够减少用于视频信号线的布线的数量、设置在与视频信号线的输出端连接的面板外面的外部电路的尺寸、以及用于连接视频信号线与面板中的驱动器的焊盘的数量。此外，能够减少列控制电路2中的块的数量，由此本实施例对于使面板的框架变窄是有效的。

顺便说一句，应当注意，本发明不限于单个视频信号线Vdata和单个列控制电路2被三个数据线共享的构造。即，视频信号线和列控制电路可被两个或更多个数据线共享。

此外，在本实施例中，同时对于分别具有不同的数据线的三个像素电路执行预充电和自动零操作。因此，由于不必对于数据线中的每一个的像素电路执行预充电操作和自动零操作，因此，能够确保更长的预充电时间和自动零时间。出于这种原因，即使对于具有更精细节距电路构造的显示装置中的一个行分配的时间减少，也能够确保足够的预充电时间和自动零时间。

[第四实施例]

图8示出根据第四实施例的时序图。这里，应当注意，根据第四实施例的列控制电路2和显示区域1内的3列1行的像素电路5的构造与第三实施例（图6）中的相同。以下，将描述本实施例的与以上的实施例不同的点。

本实施例在以下的点与以上的实施例不同。即，当灰度电压Va作为输入数据电压被输入时，一次执行电压编程，使得根据灰度电压的电压通过列控制电容器Cs和电压跟随器电路B1被写入到与列控制电路2的一个块连接的数据线电容器Cd。此后，关于各行，根据灰度电压的电压从各数据线的数据线电容器Cd被写入到与各数据线连接的像素电路的驱动晶体管M1的栅极和存储电容器Cp。

在时间t2之前的时段中，执行与在第三实施例中描述的操作相同的操作。在从时间t2到时间t4正前的时段中，列控制电路2与数据线dataA连接。在从时间t2到时间t3正前的时段中，像素电路a的驱动晶体管M1的阈值电压通过电压跟随器电路B2被写入列控制电容器Cs的另一端。然后，在从时间t3到时间t4正前的时段中，执行电压编程操作。此时，像素电路中的P1控制信号线和P2控制信号线处于L电平，由此，开关晶体管M2和M3为关断。即，根据灰度电压的电压通过列控制电容器Cs和电压跟随器电路B1被写入到数据线dataA的数据线电容器Cd。

在从时间t4到时间t6正前的时段中，列控制电路2与数据线dataB连接。在从时间t4到时间t5正前的时段中，像素电路b的驱动晶体管M1的阈值电压通过电压跟随器电路B2被写入到列控制电容器Cs的另一端。然后，在从时间t5到时间t6正前的时段中，根据灰度电压的电压通过列控制电容器Cs和电压跟随器电路B1被写入到数据线dataB的数据线电容器Cd。

在从时间t6到时间t8正前的时段中，列控制电路2与数据线dataC连接。在从时间t6到时间t7正前的时段中，像素电路c的驱动晶体管M1的阈值电压通过电压跟随器电路B2被写入到列控制电容器Cs的另一端。然后，在从时间t7到时间t8正前的时段中，根据灰度电压的电压通过列控制电容器Cs和电压跟随器电路B1被写入到数据线dataC的数据线电容器Cd。

在从时间t8到时间t9正前的时段中，像素电路的P1控制信号线从H电平变为L电平，并且，与P1控制信号线连接的所有像素电路的开关晶体管M2从关断变为接通。因此，根据灰度电压的电压从数据线中的每一个的数据线电容器Cd被写入到像素电路中的每一个的驱动晶体管M1的栅极和存储电容器Cp。

同样，在本实施例中，通过上述的电路构造和电路驱动方法，能够具有与第三实施例中的效果相同的效果。

[第五实施例]

图9是示出根据第五实施例的列控制电路2和显示区域1内的3列1行的像素电路5（像素电路a、b、c）的构造的框图。此外，图10是根据第五实施例的时序图。以下，将描述本实施例的与以上的实施例不同的点。

本实施例与以上的实施例的不同的点在于，以上的实施例中的P1控制信号线被划分成与相应的列对应的多个控制信号线（P11、P12和P13控制信号线）。因此，列控制电路2的一个块以可切换的方式与划分的控制信号线中的一个连接。换句话说，关于列控制电路2不被选择的各列的像素电路的开关晶体管M2被设定为关断。

以下，将通过关注像素电路a描述电路操作。在时间t2之前的时段中，与第三实施例同样，对于三个像素电路a到c，同时执行预充电操作和自动零操作。在从时间t2到时间t4正前的时段中，列控制电路2与数据线dataA连接。在从时间t2到时间t3正前的时段中，像素电路a的驱动晶体管M1的阈值电压通过电压跟随器电路B2被写入到列控制电容器Cs的另一端。在从时间t3到时间t4正前的时段中，像素电路a的开关晶体管M2为接通，并且，电压编程操作被执行。因此，根据灰度电压的电压通过列控制电容器Cs和电压跟随器电路B1被写入到驱动晶体管M1的栅极和存储电容器Cp。在从时间t4到时间t6正前的时段中，列控制电路2与数据线dataB连接。在从时间t4到时间t5正前的时段中，像素电路b的驱动晶体管M1的阈值电压通过电压跟随器电路B2被写入到列控制电容器Cs的另一端。在从时间t5到时间t6正前的时段中，关于与数据线dataB连接的像素电路执行电压编程操作，由此，根据灰度电压的电压通过列控制电容器Cs和电压跟随器电路B1被写入到驱动晶体管M1的栅极和存储电容器Cp。在从时间t6到时间t8正前的时段中，列控制电路2与数据线dataC连接。在从时间t6到时间t7正前的时段中，像素电路c的驱动晶体管M1的阈值电压通过电压跟随器电路B2被写入到列控制电容器Cs的另一端。在从时间t7到时间t8正前的时段中，关于与数据线dataC连接的像素电路执行电压编程操作，由此，根据灰度电压的电压通过列控制电容器Cs和电压跟随器电路B1被写入到驱动晶体管M1的栅极和存储电容器Cp。

在与数据线dataA连接的像素电路a中，在时间t4，P11控制信号线从L电平变为H电平，并且，开关晶体管M2为关断。因此，进行设定，使得只有被列控制电路2选择并与列控制电路2连接的像素电路中的开关晶体管M2为接通并且不被选择的其它像素电路中的开关晶体管M2为关断。即，开关晶体管M2在像素电路与列控制电路2连接并且根据灰度电压的电压通过列控制电容器Cs和电压跟随器电路B1被写入到驱动晶体管M1的栅极和存储电容器Cp的时段以外的时段中为关断，由此，能够精确地存储和保持根据存储电容器Cp中的灰度电压的电压。

在本实施例中，通过上述的电路构造和电路驱动方法，能够具有与第三实施例中的效果相同的效果。例如，当在用于各列的像素电路中使用具有与其它发光器件不同的亮度效率的发光器件时，能够通过设定当自动零操作根据各发光器件中的发光所需的电流终止时的电流来优化显示质量。此时，通过控制该操作使得自动零时间对于各列不同，能够调整自动零操作终止时的电流。

[第六实施例]

图11是示出根据第六实施例的列控制电路2和显示区域1内的3列1行的像素电路5（像素电路a、b、c）的构造的框图。此外，图12是根据第六实施例的时序图。以下，将描述本实施例的与以上的实施例不同的点。

本实施例与以上的实施例的不同的点在于，当驱动晶体管M1的栅极和漏极处于短路状况时，执行电压编程操作。即，在本实施例中，能够执行用于消除驱动晶体管M1的电流驱动能力（β）的变化的操作[β校正操作]。

更具体地，通过使用P1控制信号线控制开关晶体管M2和M3。在时间t8之前的时段中，执行与第四实施例中的操作相同的操作，并且，要被写入到各像素电路的根据灰度电压的电压通过列控制电容器Cs和电压跟随器电路B1被写入到各数据线的数据线电容器Cd。在从时间t8到时间t9正前的时段中，P1控制信号线从H电平变为L电平，并且，开关晶体管M2和M3从关断变为接通。因此，驱动晶体管M1的栅极和漏极进入短路状况。此外，写入各数据线的数据线电容器Cd的根据数据电压的电压被写入到像素电路的驱动晶体管M1的栅极。此时，栅极电压和漏极电压根据驱动晶体管M1的电流驱动能力（β）增大，直到时间t9正前。即，能够消除驱动晶体管的电流驱动能力（β）的变化。

同样，在本实施例中，通过上述的电路构造和电路驱动方法，能够具有与第四实施例中的效果相同的效果。此外，在本实施例中，由于可以消除驱动晶体管M1的电流驱动能力（β）的变化，因此，能够实现与常规的显示装置相比显示质量较少劣化的优质的显示装置。

顺便说一句，作为在以上的实施例中描述的晶体管，可以应用非晶硅薄膜晶体管、多晶硅薄膜晶体管和单晶硅晶体管等。

此外，应当注意，本发明不限于上述的实施例。即，通过以适当地组合上述的实施例的方式获得的实施例，能够具有与上述的效果相同的效果。

顺便说一句，可通过使用以上的显示装置构造信息显示装置。以移动电话、移动计算机、数字静态照相机或摄影机的形式实现由此构造的信息显示装置。此外，信息显示装置可以是可实现多个这样的功能的装置。

图13是示出使用根据本发明的显示装置的数字静态照相机的例子的框图。即，数字静态照相机系统7包括拍摄单元8、图像信号处理电路9、根据本发明的显示装置10、存储器11、CPU 12和操作单元13。在该系统中，通过拍摄单元8拍摄的图像或在存储器11中记录的图像被传送到图像信号处理电路9，并经受信号处理。然后，可在诸如显示面板等的显示装置10上看到获得的图像。这里，控制器具有用于响应于从操作单元13输入的指令而控制拍摄单元8、存储器11和图像信号处理电路9等的CPU 12，由此，可以执行适于情形的拍摄、记录、再现和显示。另外，显示装置10可被用作用于显示各种类型的电子装置的显示单元。

虽然已参照示例性实施例描述了本发明，但应理解，本发明不限于公开的示例性实施例。所附权利要求的范围应被赋予最宽的解释以包含所有这样的变更方式以及等同的结构和功能。

Claims

1.一种显示装置，所述显示装置包括多个像素电路、被配置为向所述多个像素电路供给电压的数据线、以及与所述数据线连接的控制电路，其中，

所述多个像素电路中的每一个包含发光器件、驱动晶体管、一端与所述驱动晶体管的栅电极连接的第一电容器、被配置为控制所述驱动晶体管的栅电极与所述数据线之间的导通的第一开关晶体管、以及被配置为控制所述驱动晶体管的漏电极与所述数据线之间的导通的第二开关晶体管，所述驱动晶体管被配置为向所述发光器件供给根据向该驱动晶体管的栅电极施加的电压的电流，以及

所述控制电路被布置于其中布置了所述多个像素电路的区域的外侧，并且，所述控制电路包含第二电容器、第一电压跟随器电路、以及第二电压跟随器电路，其中，输入数据信号被供给到第二电容器的一端，第一电压跟随器电路的输入与第二电容器的另一端连接并且第一电压跟随器电路的输出能够与所述数据线连接，第二电压跟随器电路的输入与所述数据线连接并且第二电压跟随器电路的输出能够与第二电容器的另一端连接。

2.根据权利要求1的显示装置，其中，所述数据线与包含于所述多个像素电路之中的预定的像素电路中的第一开关晶体管共同连接。

3.根据权利要求1的显示装置，其中，

所述显示装置包含多个所述控制电路和多个所述数据线，以及

每一个控制电路是对于每一个数据线设置的。

4.根据权利要求1的显示装置，其中，

所述控制电路是对于多个所述数据线设置的，以及

开关电路被设置在所述控制电路与多个所述数据线之间，以选择性地使所述控制电路和多个所述数据线中的一个所述数据线相互连接。

5.根据权利要求4的显示装置，还包括栅极线驱动电路，所述栅极线驱动电路被配置为向与所述多个像素电路的第一开关晶体管连接的控制信号线供给控制信号，

其中，所述多个像素电路沿行方向和列方向二维地布置，

所述数据线沿列方向布置，并且，所述控制信号线沿行方向布置，以及

所述控制信号线与包含于沿行方向布置的多个像素电路中的第一开关晶体管共同连接。

6.根据权利要求5的显示装置，其中，与包含于沿行方向布置的多个像素电路中的第一开关晶体管共同连接的所述控制信号线也与包含于沿行方向布置的多个像素电路中的第二开关晶体管共同连接。