CN102194947B

CN102194947B - 发光器件和发光器件封装

Info

Publication number: CN102194947B
Application number: CN201110045154.9A
Authority: CN
Inventors: 崔铉旼; 金鲜京; 崔云庆
Original assignee: LG Innotek Co Ltd
Current assignee: Suzhou Lekin Semiconductor Co Ltd
Priority date: 2010-03-17
Filing date: 2011-02-22
Publication date: 2015-11-25
Anticipated expiration: 2031-02-22
Also published as: US8604500B2; CN102194947A; EP2367211A2; EP2367211A3; EP2367211B1; US20110227111A1

Abstract

本发明提供发光器件和发光器件封装。发光器件包括：透明衬底、发光结构、以及第一反射层。发光结构包括：被布置在衬底的顶表面上的第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层。第一反射层被布置在衬底的底表面上。衬底的底表面具有均方根(RMS)值为大约1nm至大约15nm的表面粗糙度。

Description

发光器件和发光器件封装

相关申请的交叉引用

本申请要求(2010年3月17日提交的)韩国专利申请No.10-2010-0023736的优先权，通过引用将其整体合并在此。

技术领域

本公开涉及发光器件和发光器件封装。

背景技术

发光二极管(LED)是一种将电能转换为光的半导体器件。与诸如荧光灯和白炽灯的现有技术的光源相比，LED在诸如低功率消耗、半永久性寿命周期、快速响应时间、安全、以及环保特性的许多方面具有优势。已经进行许多研究以将现有的光源替换为LED，并且LED被越来越多地用作诸如室内和室外灯的照明装置、液晶显示器、电子标识牌以及街灯的光源。

发明内容

实施例提供具有提高的发光效率的发光器件。

在一个实施例中，发光器件包括：透明衬底；发光结构，该发光结构包括被布置在衬底的顶表面上的第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层；以及在衬底的底表面上的第一反射层，其中衬底的底表面具有均方根(RMS)值为大约1nm至大约15nm的表面粗糙度。

在另一实施例中，发光器件包括：导电支撑构件；在导电支撑构件上的第二反射层；欧姆接触层，该欧姆接触层被布置在第二反射层上并且具有粗糙的底表面；以及发光结构，该发光结构包括被布置在欧姆接触层上的第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层，其中所述欧姆接触层的底表面具有RMS值处于大约1nm至大约5nm的范围中的表面粗糙度。

在又一实施例中，发光器件封装包括：主体部分；在主体部分上的第一和第二电极层；以及发光器件，该发光器件被电气地连接到第一和第二电极层，其中该发光器件包括上述的发光器件。

因此，实施例提供具有提高的发光效率的发光器件。

在附图和下面的描述中阐述一个或者多个实施例的细节。根据描述和附图以及权利要求，其它的特征将会是显而易见的。

附图说明

图1是示出根据第一实施例的发光器件的截面图。

图2是图1的部分A的放大图。

图3是示出试验的结果的图，其中该试验被执行以测量当从图1的发光器件的发光结构输出的光的波长处于大约380nm至大约520nm的范围内时关于透明衬底的表面的粗糙的反射效率。

图4是示出试验的结果的图，其中该试验被执行以测量当从图1的发光器件的发光结构发射的光的波长处于大约520nm至大约700nm的范围内时关于透明衬底的表面粗糙度的反射效率。

图5是示出根据第二实施例的发光器件的截面图。

图6是图5的部分B的放大图。

图7是示出试验的结果的图，其中执行该试验以测量当发光器件的欧姆接触层的表面粗糙度的RMS值处于大约1nm至大约3nm的范围内时关于从图5的发光器件的发光结构发射的光的波长范围的反射效率。

图8是示出试验的结果的图，其中执行该试验以测量当发光器件的欧姆接触层的表面粗糙度的RMS值处于大约3nm至大约5nm的范围内时关于从图5的发光器件的发光结构输出的光的波长范围的反射效率。

图9是示出根据实施例的包括发光器件的发光器件封装的截面图。

图10是示出根据实施例的使用发光器件的背光单元的视图。

图11是根据实施例的使用发光器件的照明系统的视图。

具体实施方式

在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或膜)、区域、图案或结构被称为在衬底、层(或者膜)、区域、焊盘或者图案“上”时，它能够直接在另一层或者衬底上，或者也可以存在中间层。此外，将会理解的是，当层被称为在另一层“下”时，它能够直接在另一层下，并且也可以存在一个或者多个中间层。此外，将会基于附图进行关于在每层“上”和“下”的参考。

在附图中，为了便于描述和清楚起见，每层的厚度或者尺寸被夸大、省略或示意性示出。此外，每个元件的尺寸没有完全反映实际尺寸。

在下文中，参考附图，将会描述根据示例性实施例的发光器件和发光器件封装。

<第一实施例>

图1是示出根据第一实施例的发光器件100的截面图，并且图2是图1的部分A的放大图。

参考图1和图2，发光器件100可以包括第一反射层105；透明衬底110，该透明衬底110被布置在第一反射层105上；发光结构145，该发光结构145被布置在透明衬底110上以产生光；以及第一和第二电极131和161，该第一和第二电极131和161被构造为将电力161提供到发光结构145。

透明衬底110是在其上生长发光结构145的生长衬底。例如，透明衬底110可以由诸如Al₂O₃(蓝宝石)、GaN、ZnO以及AlN的材料形成。

发光结构145包括多个化合物半导体层，所述多个化合物半导体层通过电子和空穴的复合从通过第一和第二电极131和161接收到的电力产生光。例如，发光结构145可以由具有In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的化合物半导体材料形成。

例如，发光结构145可以包括第一半导体层130、在第一半导体层130上的有源层140、以及在有源层140上的第二导电类型半导体层150。

第一半导体层130由第一导电类型半导体层形成。第一半导体层130可以进一步包括在第一导电类型半导体层下面的未掺杂的半导体层。然而，第一半导体层130不限于此。

例如，第一导电类型半导体层可以包括n型半导体层。n型半导体层可以由诸如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN以及AlInN的具有In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成。n型半导体层可以被掺杂有诸如Si、Ge以及Sn的n型掺杂物。

可以提供未掺杂的半导体层以提高第一导电类型半导体层的结晶性。未掺杂的半导体层可以与第一导电类型半导体层相同，不同之处在于，未掺杂的半导体层具有非常低的导电性，因为它没有被掺杂。

有源层140可以包括具有In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料。有源层140可以具有单量子阱结构、多量子阱(MQW)结构、量子线结构以及量子点结构中的一个。

如果有源层140具有量子阱结构，那么有源层140可以具有包括In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的阱层和In_aAl_bGa_1-a-bN(0≤a≤1，0≤b≤1，0≤a+b≤1)的势垒层的单或者多量子阱结构。阱层可以由具有小于势垒层的能带隙的能带隙的材料形成。

有源层140可以通过使用在从第一半导体层130和第二导电类型半导体层150接收到的空穴和电子的复合期间产生的能量来发射光。

例如，通过P型半导体层可以实现第二导电类型半导体层150。P型半导体层可以由诸如GaN、AlN、AlGaN、InGaN、InN、InAlGaN以及AlInN的具有In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的组成式的半导体材料形成。第二导电类型半导体层150可以被掺杂有诸如Mg、Zn、Ca、Sr以及Ba的p型掺杂物。

第一电极131可以形成在第一半导体层130上，并且第二电极161可以形成在第二导电类型半导体层150上，以将电力提供到发光结构145。第一和第二电极131和161可以包括铝(Al)、钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、铜(Cu)以及金(Au)中的至少一个。

透明电极层160可以进一步被布置在第二电极161和发光结构145之间。透明电极层160可以包括ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-GaZnO)、IGZO(In-GaZnO)、IrOx、RuOx、RuOx/ITO、Ni/IrOx/Au以及Ni/IrOx/Au/ITO中的至少一个。

由发光结构145的有源层140产生的光可以通过发光器件100的顶表面和侧表面从发光结构145发出。凹凸或者粗糙结构(未示出)可以形成在发光器件100的侧表面和/或顶表面上以提高光提取效率。

从发光器件145向下发射并且经过第一半导体层130和透明衬底110的光不得不被反射到发光器件100的顶表面或者侧表面使得光能够发出到发光器件100的外部。

在实施例中，提供第一反射层105以将从发光结构145发射的光有效地反射到发光器件100的外部。

通过沉积或者镀方法可以将第一反射层105整体地或者部分地形成在透明衬底110的底表面110a上。第一反射层105可以形成为数微米(μm)或者更大的厚度。

如图2中所示，透明衬底110的底表面110a可以变得粗糙。

理想上，当透明衬底110的底表面110a是完全平滑的(表面粗糙度是零)时，透明衬底110和第一反射层105之间的界面的反射效率可以是最高的。

然而，实际上，透明衬底110的底表面110a稍微粗糙，并且尽管通过研磨设备研磨透明衬底110的底表面110a，但是它的表面粗糙度至少是数纳米(nm)。

在实施例中，根据从发光结构145输出的光的波长范围和透明衬底110的底表面110a的表面粗糙度选择性地确定第一反射层105的材料。

图3是示出试验的结果的图，其中执行该试验以测量当从发光结构145发射的光的波长处于大约380nm至大约520nm的范围内时关于透明衬底110的表面粗糙度的反射效率，并且图4是示出试验的结果的图，其中执行该试验以测量当从发光结构145发射的光的波长处于大约520nm至大约700nm的范围内时关于透明衬底110的表面粗糙度的反射效率。

在试验中，蓝宝石(Al₂O₃)衬底被用作透明衬底110，并且通过使用表面粗糙度测量设备测量透明衬底110的表面粗糙度的均方根(RMS)值。

参考图3，当从发光结构145发射的光的波长处于大约380nm至大约520nm的范围内，并且透明衬底110的底表面110a的表面粗糙度处于大约1nm至大约10nm的范围内时，与当第一反射层105包括铝(Al)时相比，当第一反射层105包括银(Ag)时，第一反射层105的反射效率较高。当第一反射层105包括银(Ag)时，在大约380nm至大约520nm的波长范围中，第一反射层105的反射率几乎大约是80％或者更高。

另一方面，当从发光结构145发射的光的波长处于大约380nm至大约520nm的范围内，并且透明衬底110的底表面110a的表面粗糙度处于大约11nm至大约15nm的范围内时，与当第一反射层105包括银(Ag)时相比，当第一反射层105包括铝(Al)时，第一反射层105的反射效率较高。在这样的情况下，当第一反射层105包括铝(Al)时，在大约380nm至大约520nm的波长范围中，第一反射层105的反射率几乎大约是80％或者更高。

参考图4，当从发光结构145发射的光的波长处于大约520nm至大约700nm的范围内时，不管透明衬底110的底表面110a的表面粗糙度如何，与当第一反射层105包括铝(Al)时相比，当第一反射层105包括银(Ag)时，第一反射层105的反射效率较高。在这里，当第一反射层105包括银(Ag)时，在大约520nm至大约700nm的波长范围内，第一反射层105的反射率几乎大约是85％或者更高。特别地，当透明衬底110的底表面110a的表面粗糙度处于大约1nm至大约8nm的范围内时，在大约520nm至大约700nm的波长范围内，第一反射层105的反射率几乎大约是90％或者更高。

根据试验的结果，可以根据从发光结构145输出的光的波长范围和透明衬底110的底表面110a的表面粗糙度从导致较高的反射率的银(Ag)和铝(Al)中的一个选择用于第一反射层105的材料。

在制造根据实施例的发光器件的方法中，在生长化合物半导体层之前或者之后可以使衬底的底表面粗糙化，并且在生长化合物半导体层之后可以在衬底的底表面上形成第一反射层。

<第二实施例>

图5是示出根据第二实施例的发光器件200的截面图，并且图6是图5的部分B的放大图。

参考图5和图6，发光器件200可以包括：导电支撑构件170、在第二导电支撑构件170上的第二反射层165、在第二反射层165上的欧姆接触层163、在欧姆接触层163上的发光结构145、以及第三电极180。

导电支撑构件170支撑发光结构145并且用于与第三电极180一起将电力提供到发光器件200。

导电支撑构件170可以包括钛(Ti)、铬(Cr)、镍(Ni)、铝(Al)、铂(Pt)、金(Au)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)以及(由诸如Si、Ge、GaAs、ZnO、SiC、SiGe以及GaN的材料形成的)载具晶圆中的至少一个。

通过第二反射层165将从发光结构145发射并且经过欧姆接触层163的光反射到发光器件100的外部。

因为导电支撑构件170通常由不透明材料形成，所以通过在导电支撑构件170和发光结构145之间形成第二反射层165能够提高发光器件100的发光效率。

例如，通过诸如溅射、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)以及电子束沉积的沉积方法可以形成导电支撑构件170。然而，形成导电支撑构件170的方法不限于此。

可以提供欧姆接触层163以在第二反射层165和发光结构145之间形成欧姆接触。

例如，欧姆接触层163可以由诸如ITO、IZO(In-ZnO)、GZO(Ga-ZnO)、AZO(Al-ZnO)、AGZO(Al-GaZnO)、IGZO(In-GaZnO)、IrOx、RuOx、以及RuOx/ITO的透明欧姆接触材料形成。或者，欧姆接触层163可以由诸如Ni、Pt、Ir、Rh以及Ag的欧姆金属形成。在这样的情况下，欧姆接触层163可以形成为小于大约数纳米(nm)的非常薄的厚度，并且因此欧姆接触层163可以基本上是透明的。

例如，通过诸如溅射、PECVD、以及电子束沉积的沉积方法可以形成欧姆接触层163。然而，形成欧姆接触层163的方法不限于此。

如图6中所示，欧姆接触层163的底表面163a可以粗糙化。因为欧姆接触层163的粗糙底表面163a位于第二反射层165和欧姆接触层163之间，所以通过粗糙底表面163a可以影响第二反射层165的反射效率。

形成欧姆接触层163的粗糙底表面163a同时沉积欧姆接触层163，并且通过例如沉积设备、沉积方法以及沉积厚度可以确定粗糙底表面163a的表面粗糙度。

在实施例中，根据欧姆接触层163的底表面163a的表面粗糙度和从发光结构145输出的光的波长范围选择性地确定第二反射层165的材料。

图7是示出试验的结果的图，其中执行该试验以测量当欧姆接触层163的粗糙表面度的RMS值处于大约1nm至大约3nm的范围内时关于从发光结构145输出的光的波长范围的反射效率，并且图8是示出试验的结果的图，其中执行该试验以测量当欧姆接触层163的粗糙表面度的RMS值处于大约3nm至大约5nm的范围内时关于从发光结构145输出的光的波长范围的反射效率。

在试验中，欧姆接触层163由ITO(铟锡氧化物)形成。

另外，通过电子束沉积方法形成欧姆接触层163。如果欧姆接触层163形成为大约80nm至大约120nm的厚度，例如，大约100nm，那么欧姆接触层163的表面粗糙度可以被调整为其RMS值处于大约1nm至大约3nm的范围内。如果欧姆接触层163形成为大约180nm至大约220nm的厚度，例如，大约200nm，那么欧姆接触层163的表面粗糙度可以被调整为其RMS值处于大约3nm至大约5nm的范围中。即，可以根据欧姆接触层163的厚度增加欧姆接触层163的表面粗糙度。

参考图7，当欧姆接触层163的粗糙底表面的表面粗糙度的RMS值处于大约1nm至大约3nm的范围中，并且从发光结构145发射的光的波长处于大约350nm至大约500nm的范围中时，与当第二反射层165包括银(Ag)时相比，当第二反射层165包括铝(Al)时，第二反射层165的反射效率较高。在这样的情况下，当第二反射层165包括铝(Al)时，在大约400nm至大约650nm的波长范围中，第二反射层165的反射率几乎是大约75％或者更高。

另一方面，当欧姆接触层163的粗糙底表面163a的表面粗糙度的RMS值处于大约1nm至大约3nm的范围中，并且从发光结构145发射的光的波长处于大约500nm至大约650nm的范围中时，与当第二反射层165包括铝(Al)时相比，当第二反射层165包括银(Ag)时，第二反射层165的反射效率较高。在这样的情况下，第二反射层165的反射率几乎是大约80％或者更高。

参考图8，当欧姆接触层163的粗糙底表面163a的表面粗糙度的RMS值处于大约3nm至大约5nm的范围中，并且从发光结构145发射的光的波长处于大约350nm至大约500nm的范围中时，与当第二反射层165包括银(Ag)时相比，当第二反射层165包括铝(Al)时，第二反射层165的反射效率较高。在这样的情况下，在大约400nm至大约650nm的波长范围中，第二反射层165的反射率几乎是大约75％或更高。

另一方面，当欧姆接触层163的粗糙底表面163a的表面粗糙度的RMS值处于大约3nm至大约5nm的范围中，并且从发光结构145发射的光的波长处于大约530nm至大约650nm的范围中时，与当第二反射层165包括铝(Al)时相比，当第二反射层165包括银(Ag)时，第二反射层165的反射效率较高。这时，第二反射层165的反射率几乎是大约80％或者更高。

根据试验的结果，可以根据从发光结构145输出的光的波长范围和欧姆接触层163的底表面163a的表面粗糙度从导致更高的反射率的银(Ag)和铝(Al)中的一个选择用于第二反射层165的材料。

发光结构145具有与第一实施例的结构相同的结构。因此，将不会重复其详细描述。然而，与第一实施例的发光结构145的结构相比，发光结构145具有翻转的结构。即，发光结构145可以包括第二导电类型半导体层150、在第二导电类型半导体层150上的有源层140、以及在有源层140上的第一半导体层130。

第三电极180可以形成在发光结构145上以将电力提供到发光结构145。第三电极180可以由与用于形成第一实施例的第一和第二电极131和161的材料相同的材料形成。

<发光器件封装>

图9是示出根据实施例的包括发光器件100的发光器件封装的截面图。

参考图9，当前实施例的发光器件封装包括：主体部分20、设置在主体部分20上的第一和第二电极层31和32、设置在主体部分20上并且电气地连接到第一和第二电极层31和32的前述实施例的发光器件100；以及包封发光器件100的成型构件40。

主体部分20可以由硅材料、合成树脂材料、或者金属材料形成。而且，倾斜表面可以设置在发光器件100的周围。

第一和第二电极层31和32可以彼此电气分离，并且向发光器件100提供电力。另外，第一和第二电极层31和32可以反射从发光器件100发射的光，以提高光学效率并且可以将从发光器件100产生的热散发到外部。

发光器件100可以设置在主体部分20上，或者第一或者第二电极层31或者32上。

在图9中，布线方法用于将发光器件100电气地连接到第一和第二电极层31和32。然而，连接方法不限于此。例如，通过倒装芯片安装方法或者贴片方法可以将发光器件100电气地连接到第一和第二电极层31和32。

成型构件40可以围绕发光器件100，以保护发光器件100。另外，荧光体可以被包含在成型构件40中，以改变从发光器件100发射的光的波长。

至少一个上述实施例的发光器件可以被安装在发光器件封装上。然而，发光器件封装不限于此。

多个实施例的发光器件或者发光器件封装可以被排列在基板上。诸如导光面板(LGP)、棱镜片、以及扩散片的光学构件可以被设置在发光器件封装的光学路径上。发光器件封装、基板、以及光学构件可以用作灯单元。在根据另一实施例的显示器、指示器、或者照明系统中可以使用上述实施例的半导体发光器件或者发光器件封装。灯系统的示例包括灯、街灯、电子牌、以及车辆的头灯。

图10是示出根据实施例的使用发光器件的背光单元的视图。图10的背光单元是灯单元的示例。即，本公开的精神和范围不限于此。

参考图10，背光单元可以包括底盖1400、设置在底盖1400中的导光构件1100、以及设置在导光构件1100的至少一个侧表面或者底表面上的发光模块1000。而且，反射片1300可以设置在导光构件1100下面。

底盖1400可以具有带有开口的上侧的盒形状，以容纳导光构件1100、发光模块1000以及反射片1300。底盖1400可以由金属材料或者树脂材料形成，但是不限于此。

发光模块1000可以包括：基板和多个实施例的发光器件封装。发光器件封装可以被布置在基板上。实施例的发光器件封装可以将光提供到导光构件1100。

如图10中所示，发光模块1000可以设置在底盖1400的内侧表面中的至少一个上。因此，发光模块1000可以朝着导光构件1100的内侧表面提供光。

或者，发光模块1000可以设置在底盖1400的底表面上，以朝着导光构件1100的底表面提供光。可以根据背光单元的设计对此进行各种改变。即，本公开的精神和范围不限于此。

导光构件1100可以设置在底盖1400内。导光构件1100可以接收来自于发光模块1000的光并且将光导向显示面板(未示出)作为表面光。

在发光模块1000设置在导光构件1100的侧表面上的情况下，导光构件1100可以是导光面板(LGP)。

LGP可以由诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)的丙烯酸基树脂、或者聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚碳酸酯(PC)、环烯烃共聚物(COC)以及聚萘二甲酸乙二酯(PEN)中的一个形成。

在发光模块1000设置在导光构件1100的底表面上的情况下，导光构件1100可以包括LGP或者光学片中的至少一个。

例如，光学片可以包括扩散片、聚光片、以及亮度增强片中的至少一个。例如，通过顺序地堆叠扩散片、聚光片、以及亮度增强片可以形成光学片。在这样的情况下，扩散片可以使从发光模块1000输出的光均匀地扩散，并且可以通过聚光片将扩散光聚集在显示面板(未示出)上。在此，通过聚光片输出的光是随机偏振的光。亮度增强片可以增强通过聚光片输出的光的偏振度。例如，聚光片可以是水平和/或竖直棱镜片。而且，亮度增强片可以是双亮度增强膜。

反射片1300可以设置在导光构件1100下。反射片1300将通过导光构件1100的下表面发射的光朝着导光构件1100的出光表面反射。

反射片1300可以由诸如PET、PC、或者PVC的具有高反射率的材料形成，但是不限于此。

图11是示出根据实施例的使用发光器件封装200的照明单元1100的透视图。图11的灯单元是照明单元的示例。即，本公开的精神和范围不限于此。

参考图11，照明单元1100可以包括：壳体1110、设置在壳体1110中的发光模块部分1130、以及设置在壳体1110上以接收来自于外部电源的电力的连接端子1120。

壳体1110可以由具有良好散热性的材料形成，例如，由金属材料或者树脂材料形成。

发光模块部分1130可以包括：基板1132和至少一个上述实施例的发光器件封装200。发光器件封装200可以被设置在基板1132上。

基板1132可以是其中电路图案被印制在绝缘体上的基板。基板1132的示例可以包括普通的印制电路板(PCB)、金属核PCB、柔性PCB、以及陶瓷PCB。

另外，基板1132可以由有效反射光的材料形成。或者，基板1132可以具有带有能够有效地反射光的诸如白色、或者银色的颜色的表面。

至少一个发光器件封装200可以被布置在基板1132上。发光器件封装200可以包括至少一个发光二极管(LED)。LED可以包括能够发射诸如红色、绿色、蓝色或者白色的颜色的彩色二极管，和能够发射UV线的紫外线(UV)LED。

发光模块部分1130可以包括各种发光器件的组合以获得想要的色调和亮度。例如，发光模块部分1130可以包括白光LED、红光LED和绿光LED的组合，以确保高显色指数(CRI)。

连接端子1120可以电气地连接至发光模块1130以提供电力。如图11中所示，连接端子1120可以螺纹耦接到外部电源的插座，但是不限于此。例如，连接端子1120可以形成为插头形状。在该情况下，连接端子1120可以插入到外部电源中或者通过使用线缆连接到外部电源。

另外，术语“第一”和“第二”能够被选择性地或者可互换地用于构件。在附图中，为了图示的清楚可以夸大每个元件的尺寸，并且每个元件的尺寸可以不同于每个元件的实际尺寸。不是附图中示出的所有元件都必需被包括并且本公开不受到限制，而是可以增加或者删除除了本公开的必要特征之外的要素。而且，在实施例的描述中，将会理解的是，当层(或者膜)、区域、图案、或者结构被称为是在基板、每层(或者膜)、区域、焊盘、或者图案“上面/上方/之上/上”时，它能够直接地在基板、每层(或者膜)、区域、焊盘、或者图案上，或者也可以存在中间层。此外，将会理解的是，当层被称为是在每层(膜)、区域、图案、或者基板“下面/下方/下”时，它能够直接地在另一层(膜)、另一区域、另一焊盘、或者另一图案下面，或者也可以存在一个或者多个中间层。因此，应根据本公开的精神判断其含义。

虽然已经参照本发明的多个示例性实施例描述了实施例，但是应该理解，本领域的技术人员可以想到许多落入本公开原理的精神和范围内的其它修改和实施例。更加具体地，在本公开、附图和所附权利要求书的范围内，主题组合布置的组成部件和/或布置方面的各种变化和修改都是可能的。除了组成部件和/或布置方面的变化和修改之外，对于本领域的技术人员来说，替代使用也将是显而易见的。

Claims

1.一种发光器件，包括：

导电支撑构件；

第二反射层，所述第二反射层在所述导电支撑构件上；

欧姆接触层，所述欧姆接触层被布置在所述第二反射层上并且具有粗糙的底表面；以及

发光结构，所述发光结构包括被布置在所述欧姆接触层上的第一导电类型半导体层、有源层、以及第二导电类型半导体层，

其中,所述欧姆接触层的底表面具有其RMS值处于1nm至5nm的范围中的表面粗糙度，

其中根据所述欧姆接触层的厚度增加所述欧姆接触层的表面粗糙度。

2.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述欧姆接触层的底表面的表面粗糙度的RMS值处于1nm至3nm的范围内，并且所述第二反射层包括铝(Al)。

3.根据权利要求2所述的发光器件，其中所述发光结构发射具有处于400nm至650nm的范围内的波长的光，并且所述第二反射层具有75％或者更高的反射率。

4.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述欧姆接触层的底表面的表面粗糙度的RMS值处于1nm至3nm的范围内，并且所述第二反射层包括银(Ag)。

5.根据权利要求4所述的发光器件，其中所述发光结构发射具有处于500nm至650nm的范围内的波长的光，并且所述第二反射层具有80％或者更高的反射率。

6.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述欧姆接触层的底表面的表面粗糙度的RMS值处于3nm至5nm的范围内，并且所述第二反射层包括铝(Al)。

7.根据权利要求6所述的发光器件，其中所述发光结构发射具有处于400nm至650nm的范围内的波长的光，并且所述第二反射层具有75％或者更高的反射率。

8.根据权利要求1所述的发光器件，其中所述欧姆接触层的底表面的表面粗糙度的RMS值处于3nm至5nm的范围内，并且所述第二反射层包括银(Ag)。

9.根据权利要求8所述的发光器件，其中所述发光结构发射具有处于530nm至650nm的范围内的波长的光，并且所述第二反射层具有80％或者更高的反射率。

10.根据权利要求2至5中的任何一项所述的发光器件，其中所述欧姆接触层具有80nm至120nm的厚度。

11.根据权利要求6至9中的任何一项所述的发光器件，其中所述欧姆接触层具有180nm至220nm的厚度。

12.一种发光器件封装，包括：

主体；

在所述主体上的第一和第二电极层；以及

发光器件，所述发光器件电气地连接到所述第一和第二电极层；

其中所述发光器件包括：导电支撑构件；在所述导电支撑构件上的第二反射层；欧姆接触层，所述欧姆接触层被布置在所述第二反射层上并且具有粗糙的底表面；以及发光结构，所述发光结构包括被布置在所述欧姆接触层上的第一导电类型半导体层、有源层以及第二导电类型半导体层，

其中所述欧姆接触层的底表面的表面粗糙度的RMS值处于1nm至3nm的范围内，并且所述第二反射层包括铝(Al)，并且

其中所述发光结构发射具有处于400nm至650nm的范围内的波长的光，并且所述第二反射层具有75％或者更高的反射率，

13.一种照明系统，包括：

模块基板；

安装在所述模块基板上的发光器件，