JP5887638B2 - 発光ダイオード - Google Patents
発光ダイオード Download PDFInfo
- Publication number
- JP5887638B2 JP5887638B2 JP2012114898A JP2012114898A JP5887638B2 JP 5887638 B2 JP5887638 B2 JP 5887638B2 JP 2012114898 A JP2012114898 A JP 2012114898A JP 2012114898 A JP2012114898 A JP 2012114898A JP 5887638 B2 JP5887638 B2 JP 5887638B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor layer
- layer
- type semiconductor
- substrate
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 430
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 273
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 267
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 104
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 104
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 103
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 44
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 claims description 12
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 7
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 32
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 31
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 30
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 20
- 238000000034 method Methods 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 10
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 10
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 7
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 6
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 4
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 4
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 150000003376 silicon Chemical class 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/382—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending partially in or entirely through the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0093—Wafer bonding; Removal of the growth substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0016—Processes relating to electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
- Led Devices (AREA)
Description
本願は、2011年5月30日出願の米国仮出願61/491,307号及び2011年8月25日出願の米国仮出願61/527,586号の優先権を主張するものであり、前記出願の内容は、参照により本明細書に組み込まれる。
図1〜図3に示すように、本開示は、シリコン基板20及びLEDチップ10を備えるフリップチップ型LED30を提供する。シリコン基板20は、本体43、複数の第3パッド23、第4パッド24、第1電極25、第2電極26、複数の第1ビア21、及び、第2ビア22を有する。シリコン基板20の本体43は、第1面20a、及び、第1面20aに対向する第2面20bを有する。第3パッド23は、第1面20aに設けられている。第4パッド24も、第1面20aに設けられている。第1電極25は、第2面20bの下に設けられる。第2電極26も、第2面20bの下に設けられる。第1ビア21は、シリコン基板20の本体43を貫通し、電気的に少なくとも1つの第3パッド23と第1電極25とを接続する。第2ビア22は、シリコン基板20の本体43を貫通し、電気的に少なくとも1つの第4パッド24と第2電極26とを接続する。
図4〜図5に示すように、本開示は更に、シリコン基板20、透明基板11、第1型半導体層12c、第2型半導体層12a、活性半導体層12b、接着層、複数の第1ビア44、第2ビア45、第1電極25、及び、第2電極26を備えるフリップチップ型LED50を提供する。シリコン基板20は、本体43を有する。シリコン基板20の本体43は、第1面20a、及び、第1面20aに対向する第2面20bを有する。第1電極25及び第2電極26は、第2面20bの下に設けられる。一実施形態において、第1型半導体層12c、第2型半導体層12a、及び、活性半導体層12bは、エピ型の積層構造12を形成する。エピ型の積層構造12では、第1型半導体層12cが透明基板11上に設けられ、第2型半導体層12aは第1型半導体層12c上に設けられ、活性半導体層12bは、第1型半導体層12cと第2型半導体層12aとの間に設けられる。接着層は、第2型半導体層12aとシリコン基板20の第1面20aとの間に設けられ、バリア層41及び接合層42を含む。バリア層41は、エピ型積層構造12の第2型半導体層12aと接触しており、接合層42は、シリコン基板20の第1面20aと接触している。第1ビア44は、シリコン基板20の本体43、接着層(例えば、バリア層41及び接合層42)、第2型半導体層12a、及び、エピ型積層構造12の活性半導体層12bを貫通する。第1ビア44は、エピ型積層構造12の第1型半導体層12cと第1電極25とを電気的に接続する。第2ビア45は、シリコン基板20の本体43を貫通し、エピ型積層構造12の第2型半導体層12aと第2電極26とを電気的に接続する。一実施形態において、第2ビア45は、シリコン基板20の本体43及び接着層(例えば、バリア層41及び接合層42)を貫通する。更に、シリコン基板20の本体43の周辺部の側面は、第2面20bにほぼ垂直である。シリコン基板20は、フリップチップ型LED50全体の放熱性を改善させる。
図1及び図6〜7に示すように、本開示は更に、シリコン基板又は電気的絶縁基板60、及び、LEDチップ10を備えるフリップチップ型LED70を提供する。説明を簡略にするため、LEDチップ10の詳細については繰り返し記載しない。電気的絶縁基板60は、本体69、複数の第1パッド63、第2パッド64、第1電極65、第2電極66、複数の第1ビア61、及び、第2ビア62を有する。電気的絶縁基板60の本体69は、第1面60a、及び、第1面60aに対向する第2面60bを有する。第1パッド63及び第2パッド64は、第1面60aに設けられている。第1電極65及び第2電極66は、第2面60bに設けられる。第1ビア61は、電気的絶縁基板60の本体69を貫通し、電気的に第1パッド63と第1電極65とを接続する。第2ビア62は、電気的絶縁基板60の本体69を貫通し、電気的に第2パッド64と第2電極66とを接続する。一実施形態において、電気的絶縁基板60の本体69の周辺部の側面は、第2面60bにほぼ垂直である。一実施形態において、第1パッド14と第2パッド15との間の距離d1、第1パッド63と第2パッド64との間の距離d4、及び、第1電極65と第2電極66との間の距離d5は、ほぼ同じである。これに替えて、第1パッド14と第2パッド15との間の距離d1は、第1パッド63と第2パッド64との間の距離d4、及び、第1電極65と第2電極66との間の距離d5よりも大きくてもよい。一実施形態において、LEDチップ10の周辺面は、電気的絶縁基板60の本体69の周辺面と同一平面を成す、対応している又は揃えられている。
図8〜図9に示すように、本開示は更に、電気的絶縁基板60、透明基板11、第1型半導体層12c、第2型半導体層12a、活性半導体層12b、接着層、複数の第1ビア84、第2ビア85、第1電極65、及び、第2電極66を備えるフリップチップ型LED80を提供する。電気的絶縁基板60は、本体69を有する。電気的絶縁基板60の本体69は、第1面60a、及び、第1面60aに対向する第2面60bを有する。第1電極65及び第2電極66は、第2面60bに設けられる。一実施形態において、第1型半導体層12c、第2型半導体層12a、及び、活性半導体層12bは、エピ型の積層構造12を形成する。エピ型の積層構造12では、第1型半導体層12cが透明基板11上に設けられ、第2型半導体層12aは第1型半導体層12c上に設けられ、活性半導体層12bは、第1型半導体層12cと第2型半導体層12aとの間に設けられる。接着層は、第2型半導体層12aとシリコン基板20の第1面60aとの間に設けられ、バリア層41及び接合層42を含む。バリア層41は、エピ型積層構造12の第2型半導体層12aと接触しており、接合層42は、電気的絶縁基板60の第1面60aと接触している。第1ビア84は、電気的絶縁基板60の本体69、接着層(例えば、バリア層41及び接合層42)、第2型半導体層12a、及び、エピ型積層構造12の活性半導体層12bを貫通する。第1ビア44は、エピ型積層構造12の第1型半導体層12cと第1電極65とを電気的に接続する。第2ビア85は、電気的絶縁基板60の本体69を貫通し、エピ型積層構造12の第2型半導体層12aと第2電極66とを電気的に接続する。一実施形態において、第2ビア85は、電気的絶縁基板60の本体69及び接着層(例えば、バリア層41及び接合層42)を貫通する。更に、電気的絶縁基板60の本体69の周辺部の側面は、第2面60bにほぼ垂直である。電気的絶縁基板60は、フリップチップ型LED80全体の放熱性を改善させる。
Claims (4)
- 第1面及び前記第1面に対向する第2面を有する本体を有する基板と、
透明基板と、
前記透明基板上に設けられたN型半導体層と、
前記N型半導体層上に設けられた活性半導体層と、
前記活性半導体層上に設けられたP型半導体層と、
前記P型半導体層と前記基板の前記第1面との間に設けられた接着層と、
前記基板の前記本体、前記接着層、前記P型半導体層及び前記活性半導体層を貫通する複数の第1ビアと、
前記基板の前記本体及び前記接着層を貫通する第2ビアと、
前記複数の第1ビアと前記基板の前記本体との間、前記複数の第1ビアと前記接着層との間、前記複数の第1ビアと前記P型半導体層及び前記活性半導体層との間、前記第2ビアと前記基板の前記本体との間、前記第2ビアと前記接着層との間、及び、前記基板の前記本体の側面全体に設けられる電気絶縁層と
を備える発光ダイオード(LED)。 - 前記基板は、シリコン基板又は電気絶縁基板を含み、
前記透明基板は、サファイアを含む請求項1に記載のLED。 - 前記透明基板は、規則的な形状の凹凸を有する表面、又は、不規則な形状の凹凸を有する表面を含む請求項1または2に記載のLED。
- 前記本体の前記第2面に設けられた第1電極と、
前記本体の前記第2面に設けられた第2電極とを更に備え、
前記複数の第1ビアは、前記N型半導体層と前記第1電極とを電気的に接続し、
前記第2ビアは、前記P型半導体層と前記第2電極とを電気的に接続する請求項1から3の何れか1項に記載のLED。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201161491307P | 2011-05-30 | 2011-05-30 | |
US61/491,307 | 2011-05-30 | ||
US201161527586P | 2011-08-25 | 2011-08-25 | |
US61/527,586 | 2011-08-25 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014156347A Division JP6103601B2 (ja) | 2011-05-30 | 2014-07-31 | 発光ダイオード |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2012248833A JP2012248833A (ja) | 2012-12-13 |
JP5887638B2 true JP5887638B2 (ja) | 2016-03-16 |
Family
ID=46178445
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2012114898A Expired - Fee Related JP5887638B2 (ja) | 2011-05-30 | 2012-05-18 | 発光ダイオード |
JP2014156347A Expired - Fee Related JP6103601B2 (ja) | 2011-05-30 | 2014-07-31 | 発光ダイオード |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014156347A Expired - Fee Related JP6103601B2 (ja) | 2011-05-30 | 2014-07-31 | 発光ダイオード |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9171995B2 (ja) |
EP (2) | EP2533313B1 (ja) |
JP (2) | JP5887638B2 (ja) |
KR (2) | KR101488379B1 (ja) |
CN (1) | CN102810619B (ja) |
TW (1) | TWI488338B (ja) |
Families Citing this family (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6102408B2 (ja) * | 2013-03-27 | 2017-03-29 | 豊田合成株式会社 | 発光装置、及びその製造方法 |
WO2014174400A1 (en) * | 2013-04-23 | 2014-10-30 | Koninklijke Philips N.V. | Side interconnect for light emitting device |
DE102013109316A1 (de) | 2013-05-29 | 2014-12-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl von optoelektronischen Halbleiterchips und optoelektronischer Halbleiterchip |
KR102075981B1 (ko) | 2014-02-21 | 2020-02-11 | 삼성전자주식회사 | 발광다이오드 패키지의 제조방법 |
CN103794689A (zh) * | 2014-02-25 | 2014-05-14 | 深圳市兆明芯科技控股有限公司 | 覆晶式led芯片的制作方法 |
DE102014103828A1 (de) | 2014-03-20 | 2015-09-24 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zur Herstellung von optoelektronischen Halbleiterbauelementen |
KR102019914B1 (ko) * | 2014-06-11 | 2019-11-04 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 |
CN105591009A (zh) * | 2014-10-24 | 2016-05-18 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
TWI557943B (zh) * | 2014-11-18 | 2016-11-11 | 錼創科技股份有限公司 | 發光元件的電極結構 |
CN106887488B (zh) * | 2015-12-15 | 2019-06-11 | 群创光电股份有限公司 | 发光二极管及使用此发光二极管所制得的显示装置 |
DE102017117414A1 (de) | 2017-08-01 | 2019-02-07 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Bauelements und optoelektronisches Bauelement |
CN107910407A (zh) * | 2017-11-10 | 2018-04-13 | 江苏新广联半导体有限公司 | 一种大功率倒装led芯片的制作方法 |
DE102018111954B4 (de) * | 2018-05-17 | 2022-02-24 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zur herstellung eines halbleiterbauelements mit isolierendem substrat und halbleiterbauelement mit isolierendem substrat und optoelektronische vorrichtung dieses umfassend |
CN109524526B (zh) * | 2018-11-19 | 2020-07-31 | 华中科技大学鄂州工业技术研究院 | 深紫外发光二极管芯片及其制备方法 |
KR102170219B1 (ko) * | 2019-09-03 | 2020-10-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 및 발광 소자 패키지 |
TWI744194B (zh) * | 2021-02-23 | 2021-10-21 | 晶呈科技股份有限公司 | 發光二極體封裝結構及其製作方法 |
Family Cites Families (33)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW465123B (en) | 2000-02-02 | 2001-11-21 | Ind Tech Res Inst | High power white light LED |
US6611002B2 (en) * | 2001-02-23 | 2003-08-26 | Nitronex Corporation | Gallium nitride material devices and methods including backside vias |
JP2002368263A (ja) | 2001-06-06 | 2002-12-20 | Toyoda Gosei Co Ltd | Iii族窒化物系化合物半導体発光素子 |
JP2005079551A (ja) * | 2003-09-03 | 2005-03-24 | Toyoda Gosei Co Ltd | 半導体発光素子形成用複合基板及びその製造方法、並びに半導体発光素子の製造方法。 |
TWI220578B (en) * | 2003-09-16 | 2004-08-21 | Opto Tech Corp | Light-emitting device capable of increasing light-emitting active region |
JP2005322722A (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Korai Kagi Kofun Yugenkoshi | 発光ダイオード |
US7736945B2 (en) * | 2005-06-09 | 2010-06-15 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | LED assembly having maximum metal support for laser lift-off of growth substrate |
TWI422044B (zh) | 2005-06-30 | 2014-01-01 | Cree Inc | 封裝發光裝置之晶片尺度方法及經晶片尺度封裝之發光裝置 |
JP5073946B2 (ja) | 2005-12-27 | 2012-11-14 | 新光電気工業株式会社 | 半導体装置および半導体装置の製造方法 |
JP4996096B2 (ja) * | 2006-01-06 | 2012-08-08 | 新光電気工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
US7439548B2 (en) * | 2006-08-11 | 2008-10-21 | Bridgelux, Inc | Surface mountable chip |
US7902564B2 (en) * | 2006-12-22 | 2011-03-08 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Multi-grain luminescent ceramics for light emitting devices |
US8232564B2 (en) * | 2007-01-22 | 2012-07-31 | Cree, Inc. | Wafer level phosphor coating technique for warm light emitting diodes |
DE102007022947B4 (de) * | 2007-04-26 | 2022-05-05 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Optoelektronischer Halbleiterkörper und Verfahren zur Herstellung eines solchen |
JP2008300501A (ja) | 2007-05-30 | 2008-12-11 | Panasonic Corp | 半導体発光素子、半導体発光装置およびその製造方法 |
DE102007030129A1 (de) | 2007-06-29 | 2009-01-02 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung einer Mehrzahl optoelektronischer Bauelemente und optoelektronisches Bauelement |
WO2009007974A2 (en) | 2007-07-12 | 2009-01-15 | Hi-G-Tek Inc. | Valve cover lock |
KR20090010623A (ko) * | 2007-07-24 | 2009-01-30 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 소자 |
JP5251038B2 (ja) * | 2007-08-23 | 2013-07-31 | 豊田合成株式会社 | 発光装置 |
JP2009134965A (ja) * | 2007-11-29 | 2009-06-18 | Stanley Electric Co Ltd | 照明装置及び照明装置の製造方法 |
US20090173956A1 (en) | 2007-12-14 | 2009-07-09 | Philips Lumileds Lighting Company, Llc | Contact for a semiconductor light emitting device |
DE102008034560B4 (de) | 2008-07-24 | 2022-10-27 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Strahlungsemittierender Halbleiterchip und Verfahren zur Herstellung eines strahlungsemittierenden Halbleiterchips |
JP2010103186A (ja) * | 2008-10-21 | 2010-05-06 | Sony Corp | 半導体発光装置の製造方法 |
US20100109025A1 (en) * | 2008-11-05 | 2010-05-06 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Over the mold phosphor lens for an led |
DE102009019161A1 (de) * | 2009-04-28 | 2010-11-04 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Leuchtdiode und Verfahren zur Herstellung einer Leuchtdiode |
DE102009032486A1 (de) | 2009-07-09 | 2011-01-13 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronisches Bauelement |
KR20110008550A (ko) * | 2009-07-20 | 2011-01-27 | 삼성전자주식회사 | 발광 소자 및 그 제조 방법 |
JP4454689B1 (ja) * | 2009-09-10 | 2010-04-21 | 有限会社ナプラ | 発光ダイオード、発光装置、照明装置、ディスプレイ及び信号灯 |
JP5326957B2 (ja) * | 2009-09-15 | 2013-10-30 | 豊田合成株式会社 | 発光素子の製造方法及び発光素子 |
DE102009053064A1 (de) | 2009-11-13 | 2011-05-19 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Dünnfilm-Halbleiterbauelement mit Schutzdiodenstruktur und Verfahren zur Herstellung eines Dünnfilm-Halbleiterbauelements |
CN102194947B (zh) * | 2010-03-17 | 2015-11-25 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件和发光器件封装 |
JP4657374B1 (ja) * | 2010-06-16 | 2011-03-23 | 有限会社ナプラ | 発光ダイオード、発光装置、照明装置及びディスプレイ |
US8492788B2 (en) * | 2010-10-08 | 2013-07-23 | Guardian Industries Corp. | Insulating glass (IG) or vacuum insulating glass (VIG) unit including light source, and/or methods of making the same |
-
2012
- 2012-05-18 JP JP2012114898A patent/JP5887638B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-23 KR KR20120054514A patent/KR101488379B1/ko active IP Right Grant
- 2012-05-25 EP EP12169512.6A patent/EP2533313B1/en active Active
- 2012-05-25 EP EP16192760.3A patent/EP3133651A1/en not_active Withdrawn
- 2012-05-29 US US13/482,485 patent/US9171995B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-29 CN CN201210171813.8A patent/CN102810619B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2012-05-30 TW TW101119360A patent/TWI488338B/zh not_active IP Right Cessation
-
2014
- 2014-07-31 JP JP2014156347A patent/JP6103601B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-10-24 KR KR1020140144689A patent/KR101647000B1/ko active IP Right Grant
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3133651A1 (en) | 2017-02-22 |
CN102810619A (zh) | 2012-12-05 |
US20120305967A1 (en) | 2012-12-06 |
EP2533313A2 (en) | 2012-12-12 |
KR101488379B1 (ko) | 2015-01-30 |
KR101647000B1 (ko) | 2016-08-09 |
EP2533313A3 (en) | 2016-02-17 |
JP2012248833A (ja) | 2012-12-13 |
EP2533313B1 (en) | 2020-03-18 |
US9171995B2 (en) | 2015-10-27 |
CN102810619B (zh) | 2015-11-18 |
JP6103601B2 (ja) | 2017-03-29 |
KR20120134020A (ko) | 2012-12-11 |
TW201248924A (en) | 2012-12-01 |
TWI488338B (zh) | 2015-06-11 |
JP2014239247A (ja) | 2014-12-18 |
KR20140130661A (ko) | 2014-11-11 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6103601B2 (ja) | 発光ダイオード | |
US12107195B2 (en) | Light emitting diode package and method of manufacturing the same | |
TWI692122B (zh) | 發光二極體封裝結構及其製作方法 | |
JP2015012244A (ja) | 半導体発光素子 | |
TW200812124A (en) | Surface mountable chip | |
TW201813121A (zh) | 包括複數個氮化鎵二極體的光電元件的製造方法 | |
CN107331679A (zh) | 一种csp封装的高压led芯片结构及制作方法 | |
US8772793B2 (en) | Light emitting diodes and method for manufacturing the same | |
TWM484188U (zh) | 發光元件 | |
KR102550004B1 (ko) | 발광 소자 | |
TWI581468B (zh) | 發光二極體、發光裝置及其製造方法 | |
JP5628056B2 (ja) | 半導体発光素子 | |
JP5515685B2 (ja) | 発光素子及びそれを用いた発光装置の製造方法 | |
CN102104037B (zh) | 一种具有集成电路的发光器件及其制造方法 | |
CN201904337U (zh) | 一种具有集成电路的发光器件 | |
CN101494260B (zh) | 发光二极管元件 | |
CN207116465U (zh) | 一种易封装易散热倒装高压led芯片 | |
JP2014022380A (ja) | 半導体素子およびその製造方法 | |
TW201427116A (zh) | 具有傾斜結構之發光二極體封裝 | |
US20160343924A1 (en) | LED-Based Light Emitting Devices Having Metal Spacer Layers | |
TWI523270B (zh) | Electrode - free light - emitting diode and its manufacturing method |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120925 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130820 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20131119 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140129 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20140401 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140731 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20140807 |
|
A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20140926 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20150810 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151102 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151209 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160122 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5887638 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |