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CN107026190B - 显示装置 - Google Patents

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CN107026190B
CN107026190B CN201710060646.2A CN201710060646A CN107026190B CN 107026190 B CN107026190 B CN 107026190B CN 201710060646 A CN201710060646 A CN 201710060646A CN 107026190 B CN107026190 B CN 107026190B
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gate insulating
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郑丞淏
崔千基
金炫植
梁熙元
李恩荣
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Abstract

提供一种显示装置，所述显示装置可包括发光元件、缓冲层、栅极绝缘层和开关元件。栅极绝缘层的折射率可等于缓冲层的折射率。开关元件可电连接到发光元件，并可包括有源层和栅电极。有源层可位于缓冲层与栅极绝缘层之间，并可与缓冲层和栅极绝缘层中的至少一个直接接触。栅极绝缘层可位于有源层与栅电极之间，并可与有源层和栅电极中的至少一个直接接触。

Description

显示装置
技术领域涉及一种显示装置，例如，一种有机发光显示装置。
背景技术
已经在电子装置中广泛地使用了各种显示装置。显示装置可包括液晶显示(LCD)装置和有机发光显示(OLED)装置。
诸如OLED装置的显示装置可包括用于示出位于显示装置的后面(例如，背面)的物体(或目标)的基本透明区。显示装置也可包括可发射用于显示图像的光的像素区。多个绝缘层可设置在透明区与像素区中。绝缘层的折射率可基本彼此不同。因此，透明区的透射率会是令人不满意的。此外，与经由透明区透射的光相关的颜色特性可能会被不期望地改变。一个或更多个绝缘层可基于氮化物，可直接接触显示装置的有源层，并且可消极地影响有源层的电子迁移率，使得显示装置的性能会是不令人满意的。
发明内容
实施例可涉及一种在显示装置的基本透明区中具有令人满意的透射率的显示装置，例如，一种有机发光显示装置。
实施例可涉及一种在显示装置的开关元件中具有令人满意的电子迁移率的显示装置，例如，一种有机发光显示装置。
根据示例实施例，一种显示装置，例如，有机发光显示(OLED)装置包括基底、缓冲层、第一栅极绝缘层、有源层、第一栅电极、第一绝缘中间层、源电极、漏电极和像素结构。基底包括子像素区(对应于显示装置的子像素)和透明区(其是基本透明的)。缓冲层在基底上设置在子像素区和透明区中，并具有第一折射率。第一栅极绝缘层在缓冲层上设置在子像素区和透明区中，并包括与缓冲层的材料相同的材料。有源层设置在缓冲层与第一栅极绝缘层之间。第一栅电极设置在其下设置有有源层的第一栅极绝缘层上。第一绝缘中间层在第一栅极绝缘层上覆盖第一栅电极，并设置在子像素区和透明区中。第一绝缘中间层具有大于第一折射率的第二折射率。源电极和漏电极设置在第一绝缘中间层上，并连同有源层和第一栅电极一起限定开关元件。像素结构设置在开关元件上，并电连接到开关元件。
在示例实施例中，第一折射率可在从1.4至1.5的范围内，第二折射率可在从1.7至1.8的范围内。
在示例实施例中，有源层的上表面可与第一栅极绝缘层接触，有源层的下表面可与缓冲层接触。
在示例实施例中，基底可包括透明绝缘材料。
在示例实施例中，基底可本质上由具有在1.7至1.8的范围内的折射率的透明的聚酰亚胺基底构成。
在示例实施例中，基底可包括透明的聚酰亚胺层和阻挡层，阻挡层可置于透明的聚酰亚胺层与缓冲层之间。阻挡层和第一绝缘中间层可包括相同的材料。
在示例实施例中，阻挡层可包括具有在从1.7至1.8的范围内的折射率的有机材料或无机材料。
在示例实施例中，阻挡层可本质上由具有在从1.7至1.8的范围内的折射率的氮氧化硅构成。
在示例实施例中，氮氧化硅可本质上由硅、氧和氮以大约3.95:1:1.7的重量比构成。
在示例实施例中，缓冲层和第一栅极绝缘层中的每个可包括具有在从1.4至1.5的范围内的折射率的有机材料或无机材料。
在示例实施例中，缓冲层和第一栅极绝缘层中的每个可本质上由具有在从1.4至1.5的范围内的折射率的氧化硅构成。
在示例实施例中，有源层可本质上由非晶硅或多晶硅构成。
在示例实施例中，第一绝缘中间层可包括具有在从1.7至1.8的范围内的折射率的有机材料或无机材料。
在示例实施例中，第一绝缘中间层可本质上由具有在从1.7至1.8的范围内的折射率的氮氧化硅构成。
在示例实施例中，氮氧化硅可本质上由硅、氧和氮以大约3.95:1:1.7的重量比构成。
在示例实施例中，OLED装置还可包括第二栅极绝缘层。第二栅极绝缘层可置于第一栅极绝缘层与第一绝缘中间层之间，并且可位于子像素区和透明区中。
在示例实施例中，第二栅极绝缘层和第一绝缘中间层可包括相同的材料。
在示例实施例中，第二栅极绝缘层可本质上由具有在从1.7至1.8的范围内的折射率的氮氧化硅构成。
在示例实施例中，氮氧化硅可本质上由硅、氧和氮以大约3.95:1:1.7的重量比构成。
在示例实施例中，OLED装置还可包括第二栅电极。第二栅电极可置于第二栅极绝缘层与第一绝缘中间层之间，并且可设置在其下设置有第一栅电极的第二栅极绝缘层上。
在示例实施例中，OLED装置还可包括第二绝缘中间层。第二绝缘中间层可置于第一绝缘中间层与源电极和漏电极之间，可位于子像素区和透明区中。第二绝缘中间层可具有第一折射率。
在示例实施例中，第二绝缘中间层可本质上由具有在从1.4至1.5的范围内的折射率的氧化硅构成。
在示例实施例中，OLED装置还可包括第二栅电极。第二栅电极可置于第一绝缘中间层与第二绝缘中间层之间，并且可设置在其下设置有第一栅电极的第一绝缘中间层上。
在示例实施例中，OLED装置还可包括平坦化层。平坦化层可在第一绝缘中间层上覆盖源电极和漏电极。
在示例实施例中，平坦化层可在第一绝缘中间层上在子像素区中设置，并且可暴露透明区。
在示例实施例中，平坦化层可在第一绝缘中间层上在子像素区和透明区中设置，并且可具有第一折射率。
在示例实施例中，平坦化层可在子像素区中具有第一高度，第一高度可沿与基底的上表面垂直的方向延伸。平坦化层可在透明区中具有第二高度，沿该方向延伸的第二高度可小于第一高度。
在示例实施例中，像素结构可包括第一电极、发光层和第二电极。第一电极可设置在第一绝缘中间层上。发光层可设置在第一电极上。第二电极可设置在发光层上。
在示例实施例中，第二电极可设置在子像素区和透明区中。
在示例实施例中，OLED装置还可包括薄膜包封结构。薄膜包封结构可设置在像素结构上，并且可包括至少一个第一包封层和至少一个第二包封层。第一包封层和第二包封层可交替地布置。
在示例实施例中，第一包封层可包括具有在从1.4至1.5的范围内的折射率的无机材料。第二包封层可包括折射率在从1.4至1.5的范围内的有机材料。
在示例实施例中，第一包封层可包括氮氧化硅。
在示例实施例中，第二电极可设置在子像素区中，并暴露透明区。薄膜包封结构可在透明区中与第一绝缘中间层接触。
在示例实施例中，基底可本质上由具有在从1.4至1.5的范围内的折射率的玻璃基底构成。
在示例实施例中，缓冲层和第一栅极绝缘层可本质上由具有在从1.4至1.5的范围内的折射率的氧化硅构成。
在示例实施例中，有源层可本质上由非晶硅或多晶硅构成。
在示例实施例中，第一绝缘中间层可本质上由具有在从1.7至1.8的范围内的折射率的氮氧化硅构成。
在示例实施例中，氮氧化硅可本质上由硅、氧和氮以大约3.95:1:1.7的重量比构成。
在示例实施例中，OLED装置还可包括第二栅极绝缘层。第二栅极绝缘层可置于第一栅极绝缘层与第一绝缘中间层之间，并且可设置在子像素区和透明区中。第二栅极绝缘层可本质上由具有在从1.7至1.8的范围内的折射率的氮氧化硅构成。
在示例实施例中，氮氧化硅可本质上由硅、氧和氮以大约3.95:1:1.7的重量比构成。
在示例实施例中，OLED装置还可包括第二栅电极。第二栅电极可置于第二栅极绝缘层与第一绝缘中间层之间，并且可设置在其下设置有第一栅电极的第二栅极绝缘层上。
在示例实施例中，OLED装置还可包括第二绝缘中间层。第二绝缘中间层可置于第一绝缘中间层与源电极和漏电极之间，并且可设置在子像素区和透明区中。第二绝缘中间层可具有第一折射率。第二绝缘中间层可本质上由具有在从1.4至1.5的范围内的折射率的氧化硅构成。
在示例实施例中，OLED装置还可包括第二栅电极。第二栅电极可置于第一绝缘中间层与第二绝缘中间层之间，并且可设置在其下设置有第一栅电极的第一绝缘中间层上。
在示例实施例中，OLED装置还可包括平坦化层。平坦化层可在第一绝缘中间层上覆盖源电极和漏电极。
在示例实施例中，平坦化层可在第一绝缘中间层上在子像素区中设置，并且可暴露透明区。
在示例实施例中，平坦化层可在第一绝缘中间层上在子像素区和透明区中设置，并且可具有第一折射率。
在示例实施例中，平坦化层可在子像素区中具有第一高度，第一高度可沿与基底的上表面垂直的方向延伸。平坦化层可在透明区中具有第二高度，沿此方向延伸的第二高度可小于第一高度。
在示例实施例中，像素结构可包括第一电极、发光层和第二电极。第一电极可设置在第一绝缘中间层上。发光层可设置在第一电极上。第二电极可设置在发光层上。
在示例实施例中，第二电极可设置在子像素区和透明区中。
实施例可涉及一种显示装置，例如，有机发光显示装置。显示装置可包括发光元件(例如，有机发光元件)、缓冲层、第一栅极绝缘层和开关元件。第一栅极绝缘层的折射率可等于缓冲层的折射率。开关元件可电连接到发光元件，并可包括有源层、第一栅电极、源电极和漏电极。有源层可位于缓冲层与第一栅极绝缘层之间，并可直接接触缓冲层和第一栅极绝缘层中的至少一个。第一栅极绝缘层可位于有源层与第一栅电极之间，并可与有源层和第一栅电极中的至少一个直接接触。源电极和漏电极中的每个可与有源层直接接触。
显示装置还可包括可具有第一开口的像素限定层。有源层可在与缓冲层的一侧(例如，底侧)垂直的方向上位于缓冲层的第一部与第一栅极绝缘层的第一部之间。第一栅极绝缘层的第二部可在与缓冲层的一侧垂直的方向上位于缓冲层的第二部与第一开口之间。
缓冲层可直接接触第一栅极绝缘层，并可不包括氮化物。缓冲层的材料可与第一栅极绝缘层的材料相同。
缓冲层的折射率可大于或等于1.4且可小于或等于1.5。
显示装置还可包括第一绝缘中间层。第一栅电极可位于第一栅极绝缘层与第一绝缘中间层之间。第一绝缘中间层的折射率可大于第一栅极绝缘层的折射率。
第一绝缘中间层的折射率与第一栅极绝缘层的折射率之间的差可大于或等于0.2且可小于或等于0.4。
第一绝缘中间层的折射率可大于或等于1.7且可小于或等于1.8。
第一绝缘中间层可与第一栅电极和第一栅极绝缘层中的每个直接接触。
显示装置还可包括可与第一绝缘中间层直接接触并可位于第一栅电极与第一绝缘中间层之间的第二栅极绝缘层。第二栅极绝缘层的折射率可等于第一绝缘中间层的折射率。
显示装置还可包括可具有第一开口的像素限定层。第二栅极绝缘层的第一部可在与缓冲层的一侧垂直的方向上位于第一栅电极与第一绝缘中间层的第一部之间，并可与第一绝缘中间层的第一部直接接触。第一绝缘中间层的第二部可在与缓冲层的所述侧垂直的方向上位于第二栅极绝缘层的第二部与第一开口之间。
显示装置还可包括第二栅电极，第二栅电极可位于第二栅极绝缘层与第一绝缘中间层之间，并可与第二栅极绝缘层和第一绝缘中间层中的至少一个直接接触。
显示装置还可包括第二绝缘中间层。第一绝缘中间层可位于第一栅电极与第二绝缘中间层之间，并可与第二绝缘中间层直接接触。第二绝缘中间层的折射率可小于第一绝缘中间层的折射率。
第一绝缘中间层的折射率与第二绝缘中间层的折射率之间的差可以大于或等于0.2且可小于或等于0.4。
第二绝缘中间层的折射率可等于缓冲层的折射率。
显示装置还可包括可位于第一绝缘中间层与第二绝缘中间层之间并可与第一绝缘中间层和第二绝缘中间层中的至少一个直接接触的第二栅电极。
显示装置还可包括：透明的基底。透明的基底的折射率可等于第一绝缘中间层的折射率或缓冲层的折射率。
显示装置还可包括透明的聚酰亚胺层和阻挡层。阻挡层可位于透明的聚酰亚胺层与缓冲层之间。缓冲层可位于阻挡层与有源层之间。阻挡层的折射率可等于第一绝缘中间层的折射率。
阻挡层的材料可与第一绝缘中间层的材料相同。阻挡层的材料的硅、氧和氮的重量比可以是3.95:1:1.7。
显示装置还可包括包封层。包封层的折射率可等于第一绝缘中间层的折射率或缓冲层的折射率。发光元件可位于第一绝缘中间层与包封层之间。
显示装置还可包括无机材料层和有机材料层。无机材料层的折射率可等于第一绝缘中间层的折射率或缓冲层的折射率。有机材料层可与无机材料层直接接触。无机材料层的折射率可等于第一绝缘中间层的折射率或缓冲层的折射率。无机材料层和有机材料层中的一个可与第一绝缘中间层直接接触，并可位于发光元件与无机材料层和有机材料层中的另一个之间。
在根据根据实施例的显示装置(例如，OLED装置)中，直接相邻的绝缘层的折射率可基本相等。有利的是，显示装置的透明区的透射率可以是令人满意的。在实施例中，显示装置(例如，OLED装置)包括使显示装置的开关元件中的有源层的期望的界面特性成为可能的一个或更多个绝缘层。有利的是，开关元件中的电子迁移率可以是令人满意的，使得显示装置的性能可以是令人满意的。
附图说明
图1是示出根据示例实施例的例如有机发光显示(OLED)装置的显示装置的平面图。
图2A是沿图1中指示的线I-I'截取的剖视图。
图2B是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。
图3和图4是示出图1的OLED装置的平均透射率和对比示例的平均透射率的图。
图5、图6、图7、图8、图9和图10是示出制造根据示例实施例的显示装置的方法的剖视图。
图11是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。
图12是示出OLED装置的剖视图。
图13A是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。
图13B是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。
图14和图15是示出图13A的OLED装置的平均透射率和对比示例的平均透射率的图。
图16A是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。
图16B是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。
图17是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。
图18A是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。
图18B是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。
图19A是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。
图19B是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。
图20A是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。
图20B是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。
图21是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。
图22是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。
图23A是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。
图23B是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。
图24A是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。
图24B是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。
图25是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。
图26A是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。
图26B是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。
具体实施方式
参照附图解释实施例。
尽管可在这里使用术语“第一”、“第二”等来描述各种元件，但是这些元件不应被这些术语限制。这些术语可用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不脱离实施例的情况下，在此申请中讨论的第一元件可被命名为第二元件。作为“第一”元件的元件的描述可不需要或不暗示存在第二元件或其它元件。也可在这里使用术语“第一”、“第二”等来区分不同的类别或多组元件。为了简明，术语“第一”、“第二”等可分别表示“第一类(或第一组)”、“第二类(或第二组)”等。
如果第一元件(诸如层、膜、区或基底)被称作“在”第二元件“上”、“与”第二元件“相邻”、“连接到”第二元件或者“与”第二元件“结合”，那么第一元件可直接在第二元件上，与第二元件直接相邻、直接连接到第二元件或者与第二元件直接结合，或者还可在第一元件与第二元件之间存在中间元件。如果第一元件被称作“直接在”第二元件“上”、“与”第二元件“直接相邻”、“直接连接到”第二元件或者“与”第二元件“直接结合”，则可在第一元件与第二元件之间不设置有意的中间元件(除了诸如空气的环境元件之外)。
为了易于描述，可在这里使用诸如“在……之下”、“在……下方”、“下面的”、“在……上方”和“上面的”等的空间相对术语来描述如附图中示出的一个元件或者特征与另外的元件或者特征的空间关系。将理解的是，空间相对术语除了包含在附图中描绘的方位之外，它还可包含装置在使用或者操作中的不同的方位。例如，如果附图中的装置被翻转，那么被描述为“在”其它元件或特征“下方”或者“之下”的元件随后将会定位于“在”所述其它元件或特征“上方”。因此，术语“在……下方”可包含在……上方和在……下方两种方位。装置可另外定位(旋转90度或在其它方位处)，并应该相应地解释在这里使用的空间相对描述语。
在这里使用的术语仅用于描述具体实施例的目的，而不旨在限制实施例。如在这里使用的，单数形式“一个”、“一种(者)”和“该(所述)”也可表示复数形式，除非上下文另外清楚地指示。当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，可指明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但是可不排除存在或附加一个或更多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或组。
除非另有定义，否则在这里使用的术语(包括技术术语和科学术语)具有与本领域普通技术人员所通常理解的意思相同的意思。除非在这里明确定义，否则术语(诸如在通用字典中定义的术语)应该被解释为具有与相关领域的环境中它们的意思一致的意思，而不应以理想的或者过于正式的含义来进行解释。
术语“连接”可意味着“电连接”、“直接连接”或“间接连接”。术语“绝缘”可意味着“电绝缘”。术语“导电”可意味着“电学地导电”。术语“电连接”可意味着“电连接并且没有任何中间晶体管”。如果组件(例如，晶体管)被描述为在第一元件与第二元件之间连接，那么组件的源极/漏极/输入/输出端子可不通过中间晶体管电连接到第一元件，组件的漏极/源极/输出/输入端子可不通过中间晶体管电连接到第二元件。
术语“导体”可意味着“电学导电构件”。术语“绝缘体”可意味着“电学绝缘构件”。术语“介电”可意味着“介电构件”。术语“相互连接”可意味着“相互连接的构件”。术语“设置”可意味着“设置和/或形成”。术语“形成”可意味着“设置和/或形成”。
除非明确地相反描述，否则词语“包括”及其诸如“包含”的变型可意指包括所陈述的元件，但是并不排除其它元件。
图1是示出根据示例实施例的例如有机发光显示(OLED)装置的显示装置的平面图。
参照图1，有机发光显示(OLED)装置100可包括多个像素区。多个像素区中的一个像素区10可包括第一子像素区15、第二子像素区20和第三子像素区25以及透明区30。例如，像素区10可以在OLED装置100中包括的整个基底上在第一方向D1和第二方向D2上布置，这将在以下描述。这里，第一方向D1(例如，从透明区30到子像素区15中的方向)可与基底的上表面平行，第二方向D2可与第一方向D1垂直。
像素区10均可包括子像素区15、20和25以及透明区30。子像素区15、20和25以及透明区30可基本被像素限定层310围绕。例如，子像素区15、20和25以及透明区30可由像素限定层310限定。即，像素限定层310可设置在除了子像素区15、20和25以及透明区30之外的一个像素区10中。
第一子像素、第二子像素和第三子像素可分别设置在子像素区15、20和25中。例如，第一子像素可发射红颜色的光，第二子像素可发射绿颜色的光。此外，第三子像素可发射蓝颜色的光。子像素可设置在基底上的同一水平处。
在透明区30中，从外部入射的光可经由透明区30透射。开口275可位于透明区30中。
由于OLED装置100包括透明区30，因此OLED装置100可用作能够透射从外部入射的光的透明的OLED装置。
在示例实施例中，一个像素区10包括三个子像素区和一个透明区，但不限于此。在一些示例实施例中，例如，多个像素区可对应于一个透明区。
在示例实施例中，多个像素区10规则地布置，但不限于此。在一些示例实施例中，像素区10可不规则地布置。
图2A是沿图1中指示的线I-I'截取的剖视图，图2B是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。
参照图2A，有机发光显示(OLED)装置100可包括基底110、缓冲层120、半导体元件250(例如，开关元件250)、第一栅极绝缘层150、第二栅极绝缘层155、像素结构、第一绝缘中间层190、平坦化层270、像素限定层310、薄膜包封结构450等。基底110可包括聚酰亚胺层111和阻挡层115。像素结构(例如，发光元件)可包括第一电极290、发光层330(例如，有机发光层)和第二电极340。开关元件250可包括有源层130、第一栅电极170、源电极210和漏电极230。薄膜包封结构450可包括第一包封层451、453和455以及第二包封层452和454。
如上所述，OLED装置100可包括多个像素区。多个像素区中的一个像素区10可具有子像素区15(例如，图1的第一子像素区)和透明区30。
开关元件250、第一电极290、发光层330等可设置在子像素区15中。绝缘层等可设置在透明区30中。同时，第二电极340可整个地设置在子像素区15和透明区30中。
可在子像素区15中显示显示图像，可在透明区30中看见位于OLED装置100的背面(或后面)的物体(或目标)。因为OLED装置100包括透明区30，所以OLED装置100可用作透明的OLED装置100。
基底110可包括透明绝缘材料。在示例实施例中，基底110可本质上包括透明的聚酰亚胺基底。透明的聚酰亚胺基底可由柔性透明的树脂基底形成。在这种情况下，透明的聚酰亚胺基底可包括聚酰亚胺层111和阻挡层115。例如，透明的聚酰亚胺基底可具有聚酰亚胺层111和阻挡层115堆叠在刚性玻璃基底上的结构。在制造OLED装置100时，在将缓冲层120设置在透明的聚酰亚胺基底的阻挡层115上之后，可将半导体元件250和像素结构设置在缓冲层120上。在形成半导体元件250和像素结构之后，可去除刚性玻璃基底。因为透明的聚酰亚胺基底相对薄且柔性，所以可能难以在透明的聚酰亚胺基底上直接形成半导体元件250和像素结构。在实施例中，使用刚性玻璃基底在透明的聚酰亚胺基底上形成半导体元件250和像素结构，然后在去除刚性玻璃基底之后，包括聚酰亚胺层111和阻挡层115的透明的聚酰亚胺基底可用作OLED装置100的基底110。因为OLED装置100包括子像素区15和透明区30，所以基底110也可包括子像素区15和透明区30。
在示例实施例中，聚酰亚胺层111的折射率可在从大约1.7至大约1.8的范围内。聚酰亚胺层111可包括无规共聚物或嵌段共聚物。此外，聚酰亚胺层111可具有高的透明度、低的热膨胀系数和高的玻璃相变温度。由于聚酰亚胺层111包括酰亚胺基，使得耐热性、耐化学性、耐磨性和电特性可以是优异的。
阻挡层115可包括具有在从大约1.7至大约1.8的范围内的折射率的有机材料或无机材料。有机材料可包括光致抗蚀剂、聚丙烯酸类树脂、聚酰亚胺类树脂、聚酰胺类树脂、硅氧烷类树脂、丙烯酸类树脂、环氧类树脂等中的一种或更多种。此外，无机材料可包括硅化合物、金属氧化物等中的一种或更多种。例如，阻挡层115可包括氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、氮氧化硅(SiOxNy)、碳氧化硅(SiOxCy)、碳氮化硅(SiCxNy)、氧化铝(AlOx)、氮化铝(AlNx)、氧化钽(TaOx)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)、氧化钛(TiOx)等中的一种或更多种。在示例实施例中，阻挡层115可本质上由具有从大约1.7至大约1.8的折射率的SiOxNy构成。在实施例中，阻挡层115可具有基本单一组成SiOxNy。阻挡层115可阻挡能够经由聚酰亚胺层111渗透的湿气或水。在实施例中，聚酰亚胺层111和阻挡层115可具有基本相同的折射率(值)。例如，SiOxNy可本质上由硅、氧和氮以大约3.95:1:1.7的各自的重量比构成。即，可控制重量比形成SiOxNy，使得SiOxNy具有在从大约1.7至大约1.8的范围内的折射率。在实施例中，SiOxNy可本质上由硅、氧和氮以大约2.5:1:0.88的重量比构成。
在一些示例实施例中，基底110可包括石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、掺杂氟化物的石英基底、碱石灰基底、无碱基底等。
缓冲层120可设置在基底110上。缓冲层120可包括具有在从大约1.4至大约1.5的范围内的折射率(例如，第一折射率)的有机材料或无机材料。在示例实施例中，缓冲层120可本质上由具有从大约1.4至大约1.5的折射率的SiOx构成。在实施例中，缓冲层120可具有基本单一组成SiOx。缓冲层120可设置在整个基底110上。缓冲层120可防止金属原子和/或杂质从基底110扩散到开关元件250和像素结构中。另外，缓冲层120可在用于形成有源层130的结晶化工艺中控制热传递的速率，从而获得基本均匀的有源层130。此外，当基底110的表面相对不规则时，缓冲层120可改善基底110的表面平整度。另外，由于缓冲层120设置在基底110上，因此可减少从形成在基底110上的像素结构产生的应力。一个类型的基底110、至少两个缓冲层可设置在基底110上。
开关元件250可包括有源层130、第一栅电极170、源电极210和漏电极230，并且可在基底110上设置在子像素区15中。
有源层130可在基底110上设置在子像素区15中。例如，有源层130可包括氧化物半导体、无机半导体(例如，非晶硅、多晶硅等)、有机半导体等。在示例实施例中，有源层130可本质上由非晶硅或多晶硅构成。有源层130的下表面可与缓冲层120接触，有源层130的上表面可与第一栅极绝缘层150接触。
第一栅极绝缘层150可设置在有源层130上。第一栅极绝缘层150可包括具有在从大约1.4至大约1.5的范围内的折射率的有机材料或无机材料。在示例实施例中，第一栅极绝缘层150可本质上由具有从大约1.4至大约1.5的折射率的SiOx构成。在实施例中，第一栅极绝缘层150可具有基本单一组成SiOx。此外，缓冲层120和第一栅极绝缘层150可具有基本相同的折射率(值)。第一栅极绝缘层150可在缓冲层120上沿第一方向D1(例如，从透明区30到子像素区15中的方向)延伸。第一方向D1可与基底110的上表面平行。第一栅极绝缘层150可在子像素区15中覆盖有源层130，并且可设置在整个缓冲层120上。例如，第一栅极绝缘层150可充分地覆盖有源层130，并且可具有基本平坦的表面，而没有在有源层130周围的阶梯。在实施例中，第一栅极绝缘层150可覆盖有源层130，并且可沿有源层130的轮廓设置为基本均匀的厚度。在示例实施例中，因为包括非晶硅或多晶硅的有源层130的上表面与包括SiOx的第一栅极绝缘层150接触，并且包括非晶硅或多晶硅的有源层130的下表面与包括SiOx的缓冲层120接触，所以可增大有源层130的界面特性。同时，当氮化物基绝缘层与硅基有源层130接触时，会减小界面特性。在示例实施例中，在OLED装置100中，包括SiNx或SiOxNy的绝缘层不可与有源层130直接接触。因此，可取得有源层130的期望的界面特性，并且包括在OLED装置100中的开关元件250的性能可以是令人满意的。
第一栅电极170可设置在第一栅极绝缘层150上。第一栅电极170可设置在其下设置有有源层130的第一栅极绝缘层150上。第一栅电极170可包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。例如，第一栅电极170可包括金(Au)、银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)、镍(Ni)、钛(Ti)、钯(Pd)、镁(Mg)、钙(Ca)、锂(Li)、铬(Cr)、钽(Ta)、钨(W)、铜(Cu)、钼(Mo)、钪(Sc)、钕(Nd)、铱(Ir)、铝合金、氮化铝(AlNx)、银合金、氮化钨(WNx)、铜合金、钼合金、氮化钛(TiNx)、氮化铬(CrNx)、氮化钽(TaNx)、氧化锶钌(SRO)、氧化锌(ZnOx)、氧化铟锡(ITO)、氧化锡(SnOx)、氧化铟(InOx)、氧化镓(GaOx)、氧化铟锌(IZO)等。可以单独地使用这些或者以其合适的组合使用这些。在实施例中，第一栅电极170可具有多层结构。
第二栅极绝缘层155可设置在第一栅电极170上。第二栅极绝缘层155可包括具有在从大约1.7至大约1.8的范围内的折射率(例如，第二折射率)的有机材料或无机材料。在示例实施例中，第二栅极绝缘层155可本质上由具有在从1.7至1.8的范围内的折射率的SiOxNy构成。在实施例中，第二栅极绝缘层155可具有基本单一组成SiOxNy。例如，SiOxNy可本质上由硅、氧和氮以大约3.95:1:1.7的重量比构成。即，可控制重量比形成SiOxNy，使得SiOxNy具有在从1.7至1.8的范围内的折射率。在实施例中，SiOxNy可本质上由硅、氧和氮以大约2.5:1:0.88的重量比构成。此外，基底110和第二栅极绝缘层155可具有基本相同的折射率(值)。因为包括SiOxNy的第二栅极绝缘层155与有源层130分开，所以可取得有源层130的期望的界面特性。例如，可在对有源层130进行退火的工艺中注入氢。氢可与有源层130的悬空键(dangling bond)结合。第二栅极绝缘层155可支持氢结合工艺。因此，可取得有源层130的期望的界面特性，包括在有源层130中的电子的平均自由程可以是期望的。即，可提高电子的迁移率，可改善包括在OLED装置100中的开关元件250的特性。第二栅极绝缘层155可在基底110上沿第一方向D1延伸。第二栅极绝缘层155可在子像素区15中覆盖第一栅电极170，并且可设置在整个第一栅极绝缘层150上。例如，第二栅极绝缘层155可充分地覆盖第一栅电极170，并且可具有基本平坦的表面，而没有在第一栅电极170周围的阶梯。在实施例中，第二栅极绝缘层155可覆盖第一栅电极170，并且可沿第一栅电极170的轮廓设置为基本均匀的厚度。
第一绝缘中间层190可设置在第二栅极绝缘层155上。第一绝缘中间层190可包括具有在从大约1.7至大约1.8的范围内的折射率(例如，第二折射率)的有机材料或无机材料。在示例实施例中，第一绝缘中间层190可本质上由具有在从1.7至1.8的范围内的折射率的SiOxNy构成。例如，SiOxNy可本质上由硅、氧和氮以大约3.95:1:1.7的重量比构成。即，可控制重量比形成SiOxNy，使得SiOxNy具有在从1.7至1.8的范围内的折射率。在实施例中，SiOxNy可本质上由硅、氧和氮以大约2.5:1:0.88的重量比构成。在实施例中，第一绝缘中间层190可具有基本单一组成SiOxNy。此外，第一绝缘中间层190、基底110和第二栅极绝缘层155可具有基本相同的折射率(值)。在实施例中，因为基底110、第二栅极绝缘层155和第一绝缘中间层190具有基本相同的折射率(值)，所以可增大OLED装置100的透明区30中的透射率。第一绝缘中间层190可在第二栅极绝缘层155上沿第一方向D1延伸。
在一些示例实施例中，如图2B中所示，第一栅极绝缘层150可设置在有源层130上，第二栅极绝缘层155可设置在第一栅极绝缘层150上。此外，第一栅电极170可设置在第二栅极绝缘层155上。即，第一栅极绝缘层150和第二栅极绝缘层155可置于缓冲层120与第一栅电极170之间。这里，第一栅极绝缘层150可本质上由具有从大约1.4至大约1.5的折射率的SiOx构成，第一栅电极170可包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。此外，第二栅极绝缘层155可本质上由具有在从1.7至1.8的范围内的折射率的SiOxNy构成，SiOxNy可本质上由硅、氧和氮以大约2.5:1:0.88的重量比构成。第一绝缘中间层190可设置在第二栅极绝缘层155和第一栅电极170上。第一绝缘中间层190可本质上由具有在从1.7至1.8的范围内的折射率的SiOxNy构成，SiOxNy可本质上由硅、氧和氮以大约2.5:1:0.88的重量比构成。
再次参照图2A，源电极210和漏电极230可设置在第一绝缘中间层190上。源电极210可经由通过去除第一绝缘中间层190、第二栅极绝缘层155和第一栅极绝缘层150中的每个的一部分形成的接触孔来与有源层130的第一侧(例如，源区)接触。漏电极230可经由通过去除第一绝缘中间层190、第二栅极绝缘层155和第一栅极绝缘层150中的每个的一部分形成的接触孔来与有源层130的第二侧(例如，漏区)接触。源电极210和漏电极230中的每个可包括金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。可以单独地使用这些或者以其合适的组合使用这些。在实施例中，开关元件250可包括有源层130、第一栅电极170、源电极210和漏电极230。
平坦化层270可设置在源电极210和漏电极230上。平坦化层270可在第一绝缘中间层190上沿第一方向D1延伸。平坦化层270可在透明区30中具有暴露第一绝缘中间层190的开口275，并且可在子像素区15中覆盖源电极210和漏电极230。例如，平坦化层270可设置为相对高的厚度以充分地覆盖源电极210和漏电极230。在这种情况下，平坦化层270可具有基本平坦的上表面，可对平坦化层270进一步地执行平坦化工艺以实现平坦化层270的平坦的上表面。在实施例中，平坦化层270可覆盖源电极210和漏电极230，并且可沿源电极210和漏电极230的轮廓设置为基本均匀的厚度。平坦化层270可包括有机材料或无机材料。
第一电极290可在平坦化层270上在子像素区15中设置。第一电极290可经由通过去除平坦化层270的一部分形成的接触孔来与漏电极230接触。此外，第一电极290可电连接到开关元件250。第一电极290可包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。可以单独地使用这些或者以其合适的组合使用这些。
像素限定层310可暴露第一电极290的至少一部分，并且此外可设置在平坦化层270上。例如，像素限定层310可覆盖第一电极290的两个外侧部，并可暴露平坦化层270的开口275。在这种情况下，发光层330可设置在由像素限定层310暴露的第一电极290上。像素限定层310可包括无机材料或有机材料。
发光层330可设置在第一电极290的被像素限定层310暴露的部分上。发光层330可具有包括发射层(EL)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等的多层结构。可使用能够根据图1中示出的第一、第二和第三子像素产生不同颜色的光(例如，红颜色的光、蓝颜色的光和绿颜色光等)的发光材料中的至少一种来形成发光层330的EL。在实施例中，可通过堆叠能够产生诸如红颜色的光、绿颜色的光、蓝颜色的光等的不同颜色的光的多个发光材料使发光层330的EL总体上产生白颜色的光。在一些示例实施例中，除了EL之外，HIL、HTL、ETL、EIL等可在透明区30中在第一绝缘中间层190上设置。
第二电极340可设置在像素限定层310、发光层330、平坦化层270的一部分和第一绝缘中间层190的一部分上。第二电极340可在子像素区15和透明区30中覆盖像素限定层310、第一绝缘中间层190、平坦化层270和发光层330。第二电极340可包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。
薄膜包封结构450可设置在第二电极340上。薄膜包封结构450可包括至少一个第一包封层和至少一个第二包封层。例如，第二包封层452可设置在第一包封层451上。第一包封层451、453和455以及第二包封层452和454可交替且重复地布置。第一包封层451可覆盖第二电极340，并且可沿第二电极340的轮廓设置为基本均匀的厚度。第一包封层451可防止像素结构因湿气、水、氧等的渗透而劣化。此外，第一包封层451可保护像素结构免受外部冲击的影响。第一包封层451可包括无机材料。在实施例中，第一包封层451可包括SiOxNy。
第二包封层452可设置在第一包封层451上。第二包封层452可改善OLED装置100的表面平整度，并且可保护设置在子像素区15中的像素结构。第二包封层452可包括有机材料。
第一包封层453可设置在第二包封层452上。第一包封层453可覆盖第二包封层452，并且可沿第二包封层452的轮廓设置为基本均匀的厚度。第一包封层453连同第一包封层451和第二包封层452一起可防止像素结构因湿气、水、氧等的渗透而劣化。此外，第一包封层453连同第一包封层451和第二包封层452一起可保护像素结构免受外部冲击的影响。第一包封层453可包括无机材料。在实施例中，第一包封层453可包括SiOxNy。
第二包封层454可设置在第一包封层453上。第二包封层454可执行与第二包封层452的功能基本相同或相似的功能，第二包封层454可包括与第二包封层452的材料基本相同或相似的材料。第一包封层455可设置在第二包封层454上。第一包封层455可执行与第一包封层451和453的功能基本相同或相似的功能，第一包封层455可包括与第一包封层451和453的材料基本相同或相似的材料。在一些示例实施例中，薄膜包封结构450可具有包括第一包封层451、第二包封层452和第一包封层453的三层结构或者包括第一包封层451、第二包封层452、第一包封层453、第二包封层454、第一包封层455、额外的第二包封层和额外的第一包封层的七层结构。在实施例中，薄膜包封结构450可包括具有在从1.7至1.8的范围内的折射率的有机材料或无机材料。在一些示例实施例中，薄膜包封结构450和基底110可包括基本相同的材料。例如，薄膜包封结构450可包括石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、掺杂氟化物的石英基底、碱石灰基底、无碱基底等。
由于根据示例实施例的OLED装置100包括折射率与基底110的折射率基本相同的第二栅极绝缘层155和第一绝缘中间层190，所以可增大透明区30的透射率。此外，由于有源层130置于具有SiOx的缓冲层120与第一栅极绝缘层150之间，所以可改善有源层130的界面特性。在实施例中，OLED装置100可用作具有相对高的透射率并具有有效的开关元件250的柔性透明的OLED装置。
图3和图4是示出图1的OLED装置的平均透射率和对比示例的平均透射率的图。
为了突出一个或更多个实施例的特性，提供下面的示例和对比示例，但是将理解的是，示例和对比示例将不被理解为限制实施例的范围，对比示例也将不被理解为在实施例的范围之外。另外，将理解的是，实施例不限于在示例和对比示例中描述的具体细节。
实验示例：对不同的绝缘层结构的透射率的评价
均包括堆叠的氧化硅层和氮化硅层的阻挡层、缓冲层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层和第一绝缘中间层顺序地形成在10微米厚的聚酰亚胺基底上，以获得对比示例的堆叠结构(参照图4)。
具有单一组成氮氧化硅的阻挡层、具有单一组成氧化硅的缓冲层、具有单一组成氧化硅的第一栅极绝缘层、具有单一组成氮氧化硅的第二栅极绝缘层和具有单一组成氮氧化硅的第一绝缘中间层顺序地形成在聚酰亚胺基底上，以获得示例的堆叠的结构(参照图3)。
在以下表1中示出对比示例和示例的具体结构。在表1中，氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层分别缩写为氧化物、氮化物和氮氧化物。
表1
Figure BDA0001219073530000181
对对比示例和示例的每个堆叠的结构照射光，并测量透射率。在以下表2中示出测量值。
表2
对比示例(图4) 示例(图3)
平均透射率 64.6％ 83％
如在表2中所示，当形成包括具有单一组成氮氧化硅的阻挡层、具有单一组成氧化硅的缓冲层、具有单一组成氧化硅的第一栅极绝缘层、具有单一组成氮氧化硅的第二栅极绝缘层和具有单一组成氮氧化硅的第一绝缘中间层的堆叠的结构时，与在对比示例(具有重复堆叠的不同的绝缘层)中测量的透射率相比，前者的透射率急剧地增大。
图5、图6、图7、图8、图9和图10是示出制造根据示例实施例的显示装置的方法的剖视图。
参照图5，可设置包括透明绝缘材料的基底510。在示例实施例中，基底510可本质上由透明的聚酰亚胺基底构成。可使用柔性透明的树脂基底形成透明的聚酰亚胺基底。在这种情况下，透明的聚酰亚胺基底可包括聚酰亚胺层511和阻挡层515。例如，透明的聚酰亚胺基底可具有聚酰亚胺层511和阻挡层515堆叠在刚性玻璃基底上的结构。在制造OLED装置时，在透明的聚酰亚胺基底的阻挡层515上形成缓冲层520之后，可在缓冲层520上形成半导体元件(例如，开关元件)和像素结构。在形成半导体元件和像素结构之后，可去除刚性玻璃基底。因为透明的聚酰亚胺基底相对薄且柔性，所以可能难以在透明的聚酰亚胺基底上直接形成半导体元件和像素结构。在实施例中，使用刚性玻璃基底在透明的聚酰亚胺基底上形成半导体元件和像素结构，然后在去除刚性玻璃基底之后，包括聚酰亚胺层511和阻挡层515的透明的聚酰亚胺基底可用作OLED装置的基底510。由于OLED装置包括子像素区15和透明区30，因此基底510也可包括子像素区15和透明区30。
在示例实施例中，聚酰亚胺层511的折射率可在从1.7至1.8的范围内。可使用无规共聚物或嵌段共聚物形成聚酰亚胺层511。此外，聚酰亚胺层511可具有高的透明度、低的热膨胀系数和高的玻璃相变温度。由于聚酰亚胺层511包括酰亚胺基，使得耐热性、耐化学性、耐磨性和电特性可以是优异的。
阻挡层515可本质上由具有在从1.7至1.8的范围内的折射率的SiOxNy构成。例如，SiOxNy可本质上由硅、氧和氮以大约3.95:1:1.7的重量比构成。即，可控制重量比形成SiOxNy，使得SiOxNy具有在从1.7至1.8的范围内的折射率。在实施例中，SiOxNy可本质上由硅、氧和氮以大约2.5:1:0.88的重量比构成。在实施例中，阻挡层515可具有基本单一组成SiOxNy。阻挡层515可阻挡能够经由聚酰亚胺层511渗透的湿气或水。以这种方式，聚酰亚胺层511和阻挡层515可具有基本相同的折射率(值)。
可在基底510上形成缓冲层520。缓冲层520可本质上由具有在从1.4至1.5的范围内的折射率的SiOx构成。在实施例中，缓冲层520可具有基本单一组成SiOx。可在整个基底510上形成缓冲层520。缓冲层520可防止金属原子和/或杂质从基底510扩散到开关元件和像素结构中。另外，缓冲层520可在用于形成有源层530的结晶化工艺中控制热传递的速率，从而获得基本均匀的有源层530。此外，当基底510的表面相对不规则时，缓冲层520可改善基底510的表面平整度。另外，由于缓冲层520形成在基底510上，因此可减小从形成在基底510上的像素结构产生的应力。
可在缓冲层520上在子像素区15中形成有源层530。可使用非晶硅或多晶硅形成有源层530。
可在有源层530上形成第一栅极绝缘层550。第一栅极绝缘层550可本质上由具有在从1.4至1.5的范围内的折射率的SiOx构成。在实施例中，第一栅极绝缘层550可具有基本单一组成SiOx。此外，缓冲层520和第一栅极绝缘层550可具有基本相同的折射率(值)。第一栅极绝缘层550可在缓冲层520上沿第一方向D1(例如，与基底510的上表面平行的方向)延伸。第一栅极绝缘层550可在子像素区15中覆盖有源层530，并且可形成在整个缓冲层520上。例如，第一栅极绝缘层550可充分地覆盖有源层530，并且可具有基本平坦的表面，而没有在有源层530周围的阶梯。在实施例中，第一栅极绝缘层550可覆盖有源层530，并且可沿有源层530的轮廓形成为基本均匀的厚度。在示例实施例中，因为包括非晶硅或多晶硅的有源层530的上表面与包括SiOx的第一栅极绝缘层550接触，并且包括非晶硅或多晶硅的有源层530的下表面与包括SiOx的缓冲层520接触，所以可增强有源层530的界面特性。
参照图6，可在其下定位有有源层530的第一栅极绝缘层550上形成第一栅电极570。可使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成第一栅电极570。例如，第一栅电极570可包括Au、Ag、Al、Pt、Ni、Ti、Pd、Mg、Ca、Li、Cr、Ta、W、Cu、Mo、Sc、Nd、Ir、铝合金、AlNx、银合金、WNx、铜合金、钼合金、TiNx、CrNx、TaNx、SRO、ZnOx、ITO、SnOx、InOx、GaOx、IZO等中的一种或更多种。可以单独地使用这些或者以其合适的组合使用这些。
可在第一栅电极570上形成第二栅极绝缘层555。第二栅极绝缘层555可本质上由具有在从1.7至1.8的范围内的折射率的SiOxNy构成。例如，SiOxNy可本质上由硅、氧和氮以大约3.95:1:1.7的重量比构成。即，可控制重量比形成SiOxNy，使得SiOxNy具有在从1.7至1.8的范围内的折射率。在实施例中，SiOxNy可本质上由硅、氧和氮以大约2.5:1:0.88的重量比构成。在实施例中，第二栅极绝缘层555可具有基本单一组成SiOxNy。
此外，基底510和第二栅极绝缘层555可具有基本相同的折射率(值)。由于形成包括SiOxNy的第二栅极绝缘层555，因此可取得有源层530的期望的界面特性。例如，可在对有源层530进行退火的工艺中注入氢。氢可与有源层530的悬空键结合。第二栅极绝缘层555可支持氢结合工艺。因此，可取得有源层530的期望的界面特性，并且包括在有源层530中的平均自由程可以是期望的。即，可提高电子的迁移率。第二栅极绝缘层555可在基底510上沿第一方向D1延伸。第二栅极绝缘层555可在子像素区15中覆盖第一栅电极570，并且可形成在整个第一栅极绝缘层550上。例如，第二栅极绝缘层555可充分地覆盖第一栅电极570，并且可具有基本平坦的表面，而没有在第一栅电极570周围的阶梯。在实施例中，第二栅极绝缘层555可覆盖第一栅电极570，并且可沿第一栅电极570的轮廓形成为基本均匀的厚度。
参照图7，可在第二栅极绝缘层555上形成第一绝缘中间层590。第一绝缘中间层590可本质上由具有在从1.7至1.8的范围内的折射率的SiOxNy构成。例如，SiOxNy可本质上由硅、氧和氮以大约3.95:1:1.7的重量比构成。即，可控制重量比形成SiOxNy，使得SiOxNy具有在从1.7至1.8的范围内的折射率。因此，第一绝缘中间层590可具有基本单一组成SiOxNy。此外，第一绝缘中间层590、基底510和第二栅极绝缘层555可具有基本相同的折射率(值)。因此，因为基底510、第二栅极绝缘层555和第一绝缘中间层590具有基本相同的折射率(值)，所以可增大OLED装置的透明区30中的透射率。第一绝缘中间层590可在第二栅极绝缘层555上沿第一方向D1延伸。
可在第一绝缘中间层590上形成源电极610和漏电极630。源电极610可贯穿通过去除第一绝缘中间层590、第二栅极绝缘层555和第一栅极绝缘层550中的每个的一部分形成的接触孔来与有源层530的源区接触。漏电极630可贯穿通过去除第一绝缘中间层590、第二栅极绝缘层555和第一栅极绝缘层550中的每个的一部分形成的接触孔来与有源层530的漏区接触。可使用金属、合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成源电极610和漏电极630中的每个。可以单独地使用这些或者以其合适的组合使用这些。因此，可形成包括有源层530、第一栅电极570、源电极610和漏电极630的开关元件650。
可在源电极610和漏电极630上形成初始的平坦化层671。初始的平坦化层671可在第一绝缘中间层590上沿第一方向D1延伸。初始的平坦化层671可在子像素区15中覆盖源电极610和漏电极630。例如，初始的平坦化层671可形成为相对高的厚度，以充分地覆盖源电极610和漏电极630。在这种情况下，初始的平坦化层671可具有基本平坦的上表面，可对初始的平坦化层671进一步执行平坦化工艺，以实现初始的平坦化层671的平坦的上表面。可使用有机材料或无机材料形成初始的平坦化层671。
参照图8，在初始的平坦化层671中形成位于透明区30中的暴露第一绝缘中间层590的开口675和位于子像素区15中的暴露漏电极630的接触孔之后，可形成平坦化层670。
可在平坦化层670上在子像素区15中形成第一电极690。第一电极690可贯穿通过去除平坦化层670的一部分形成的接触孔来与漏电极630接触。可使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成第一电极690。可以单独地使用这些或者以其合适的组合使用这些。
像素限定层710可暴露第一电极690的至少一部分，并且此外可形成在平坦化层670上。例如，像素限定层710可覆盖第一电极690的两个外侧部，并可暴露平坦化层670的开口675。可使用无机材料或有机材料形成像素限定层710。
参照图9，可在第一电极690的被像素限定层710暴露的部分上形成发光层730。发光层730可具有包括EL、HIL、HTL、ETL、EIL等的多层结构。可使用能够根据图1中示出的第一、第二和第三子像素产生不同颜色的光(例如，红颜色的光、蓝颜色的光和绿颜色光等)中的至少一种的发光材料中的至少一种来形成发光层730的EL。在实施例中，可通过堆叠能够产生诸如红颜色的光、绿颜色的光、蓝颜色的光等的不同颜色光的多个发光材料使发光层730的EL总体上产生白颜色的光。在一些示例实施例中，可在第一绝缘中间层590上在透明区30中形成除了EL之外的HIL、HTL、ETL、EIL等。
可在像素限定层710、发光层730、平坦化层670的一部分和第一绝缘中间层590的一部分上形成第二电极740。第二电极740可在子像素区15和透明区30中覆盖像素限定层710、第一绝缘中间层590、平坦化层670和发光层730。可使用金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等形成第二电极740。因此，可形成像素结构。
参照图10，可在第二电极740上形成薄膜包封结构850。薄膜包封结构850可包括至少一个第一包封层和至少一个第二包封层。例如，可在第一包封层851上形成第二包封层852。可交替且重复地布置第一包封层和第二包封层。第一包封层851可覆盖第二电极740，并可沿第二电极740的轮廓形成为基本均匀的厚度。第一包封层851可防止像素结构因湿气、水、氧等的渗透而劣化。此外，第一包封层851可保护像素结构免受外部冲击的影响。可使用无机材料形成第一包封层851。
可在第一包封层851上形成第二包封层852。第二包封层852可改善OLED装置的表面平整度，并可保护形成在子像素区15中的像素结构。可使用有机材料形成第二包封层852。
可在第二包封层852上形成第一包封层853。第一包封层853可覆盖第二包封层852，并可沿第二包封层852的轮廓形成为基本均匀的厚度。第一包封层853连同第一包封层851和第二包封层852一起可防止像素结构因湿气、水、氧等的渗透而劣化。此外，第一包封层853连同第一包封层851和第二包封层852一起可保护像素结构免受外部冲击的影响。可使用无机材料形成第一包封层853。
可在第一包封层853上形成第二包封层854。第二包封层854可执行与第二包封层852的功能基本相同或相似的功能，第二包封层854可包括与第二包封层852的材料基本相同或相似的材料。可在第二包封层854上形成第一包封层855。第一包封层855可执行功能与第一包封层851和853的功能基本相同或相似的功能，第一包封层855可包括与第一包封层851和853的材料基本相同或相似的材料。因此，可制造图2A中示出的OLED装置100。
图11是示出图1的OLED装置的示例的剖视图，图12是示出图1的OLED装置的另一示例的剖视图。图11和图12中示出的OLED装置可具有与参照图2A描述的OLED装置100的构造基本相同或相似的构造。关于图11和图12，可不重复有关与参照图2A描述的元件基本相同或相似的元件的详细的描述。
参照图11，根据示例实施例的OLED装置还可包括第二栅电极180。第二栅电极180可置于第二栅极绝缘层155与第一绝缘中间层190之间，并且可设置在其下设置有第一栅电极170的第二栅极绝缘层155上。第一栅电极170和第二栅电极180可用作电容器。第二栅电极180可包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等中的一种或更多种。
参照图12，与图2A相比，可省略设置在第一栅极绝缘层150上的第二栅极绝缘层155。在实施例中，第一栅极绝缘层150可本质上由具有在从1.4至1.5的范围内的折射率的SiOx构成。在实施例中，第一栅极绝缘层150可具有基本单一组成SiOx。即，第一绝缘中间层190可在子像素区15中覆盖第一栅电极170，并可设置在整个第一栅极绝缘层150上。例如，第一绝缘中间层190可充分地覆盖第一栅电极170，并且可具有基本平坦的表面，而没有在第一栅电极170周围的阶梯。在实施例中，第一绝缘中间层190可覆盖第一栅电极170，并且可沿第一栅电极170的轮廓设置为基本均匀的厚度。
图13A是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图，图13B是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。除了第二绝缘中间层195之外，图13A中示出的OLED装置300可具有与参照图2A描述的OLED装置100的构造基本相同或相似构造。关于图13A，可不重复有关与参照图2A描述的元件基本相同或相似的元件的详细的描述。
参照图13A，OLED装置300可包括基底110、缓冲层120、半导体元件250(例如，开关元件250)、第一栅极绝缘层150、第二栅极绝缘层155、像素结构、第一绝缘中间层190、第二绝缘中间层195、平坦化层270、像素限定层310、薄膜包封结构450等。这里，基底110可包括聚酰亚胺层111和阻挡层115，像素结构可包括第一电极290、发光层330和第二电极340。此外，开关元件250可包括有源层130、第一栅电极170、源电极210和漏电极230。薄膜包封结构450可包括第一包封层451、453和455以及第二包封层452和454。
第一绝缘中间层190可设置在第二栅极绝缘层155上。第一绝缘中间层190可包括具有在从1.7至1.8的范围内的折射率(例如，第二折射率)的有机材料或无机材料。在示例实施例中，第一绝缘中间层190可本质上由具有在从1.7至1.8的范围内的折射率的SiOxNy构成。例如，SiOxNy可本质上由硅、氧和氮以大约3.95:1:1.7的重量比构成。即，可控制重量比形成SiOxNy，使得SiOxNy具有在从1.7至1.8的范围内的折射率。在实施例中，SiOxNy可本质上由硅、氧和氮以大约2.5:1:0.88的重量比构成。在实施例中，第一绝缘中间层190可具有基本单一组成SiOxNy。
在示例实施例中，第二绝缘中间层195可置于第一绝缘中间层190与源电极210和漏电极230之间，并且可在第一绝缘中间层190上在子像素区15和透明区30中设置。此外，第二绝缘中间层195可具有在从1.4至1.5的范围内的折射率(例如，第一折射率)。
因为具有比第二折射率小的第一折射率的第二绝缘中间层195设置在具有第二折射率的第一绝缘中间层190上，所以可增大OLED装置300的透明区30中的透射率。例如，当光从具有高的折射率的第一层透射到具有低的折射率的第二层时，可增大光的透射率。在实施例中，OLED装置300可用作具有令人满意的透射率的透明的柔性OLED装置。
在一些示例实施例中，如图13B中所示，第一栅极绝缘层150可设置在有源层130上，第二栅极绝缘层155可设置在第一栅极绝缘层150上。此外，第一栅电极170可设置在第二栅极绝缘层155上。即，第一栅极绝缘层150和第二栅极绝缘层155可置于缓冲层120与栅电极170之间。此外，第一绝缘中间层190可设置在第二栅极绝缘层155和第一栅电极170上。
图14和图15是示出图13A的OLED装置的平均透射率和对比示例的平均透射率的图。
实验示例：对不同的绝缘层结构的透射率的评价
均包括堆叠的氧化硅层和氮化硅层的阻挡层、缓冲层、第一栅极绝缘层、第二栅极绝缘层、第一绝缘中间层和第二绝缘中间层顺序地形成在10微米厚的聚酰亚胺基底上，以获得对比示例的堆叠结构(参照图15)。
具有单一组成氮氧化硅的阻挡层、具有单一组成氧化硅的缓冲层、具有单一组成氧化硅的第一栅极绝缘层、具有单一组成氮氧化硅的第二栅极绝缘层、具有单一组成氮氧化硅的第一绝缘中间层和具有单一组成氧化硅的第二绝缘中间层顺序地形成在聚酰亚胺基底上，以获得示例的堆叠的结构(参照图14)。
在以下表3中示出对比示例和示例的具体结构。在表3中，氧化硅层、氮化硅层和氮氧化硅层分别缩写为氧化物、氮化物和氮氧化物。
表3
Figure BDA0001219073530000251
Figure BDA0001219073530000261
对对比示例和示例的每个堆叠的结构照射光，并测量透射率。在以下表4中示出测量值。
表4
对比示例(图15) 示例(图14)
平均透射率 73.25％ 88.2％
如在表4中所示，当形成包括具有单一组成氮氧化硅的阻挡层、具有单一组成氧化硅的缓冲层、具有单一组成氧化硅的第一栅极绝缘层、具有单一组成氮氧化硅的第二栅极绝缘层、具有单一组成氮氧化硅的第一绝缘中间层和具有单一组成氧化硅的第二绝缘中间层的堆叠的结构时，与在对比示例(具有重复堆叠的不同的绝缘层)中测量的透射率相比，前者的透射率急剧地增大。
图16A是示出图13A的OLED装置的示例的剖视图，图17是示出图13A的OLED装置的另一示例的剖视图。图16A和图17中示出的OLED装置可具有与参照图13A描述的OLED装置300的构造基本相同或相似的构造。关于图16A和图17，可不重复有关与参照图13A描述的元件基本相同或相似的元件的详细的描述。
参照图16A和图17，根据示例实施例的OLED装置还可包括第二栅电极180。第二栅电极180可置于第二栅极绝缘层155与第二绝缘中间层195之间。例如，如图16A中所示，第二栅电极180可设置在其下设置有第一栅电极170的第二栅极绝缘层155上。在一些示例实施例中，如图17中所示，第二栅电极180可设置在其下设置有第一栅电极170的第一绝缘中间层190上。第一栅电极170和第二栅电极180可用作电容器。第二栅电极180可包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等中的一种或更多种。
在一些示例实施例中，如图16B中所示，第一栅极绝缘层150可设置在有源层130上，第二栅极绝缘层155可设置在第一栅极绝缘层150上。此外，第一栅电极170可设置在第二栅极绝缘层155上。即，第一栅极绝缘层150和第二栅极绝缘层155可置于缓冲层120与栅电极170之间。此外，第一绝缘中间层190可设置在第二栅极绝缘层155和第一栅电极170上，第二栅电极180可置于第一绝缘中间层190与第二绝缘中间层195之间。即，第二栅电极180可设置在其下定位有第一栅电极170的第一绝缘中间层190上。
图18A是示出图13A的OLED装置的又一示例的剖视图。图18A中示出的OLED装置可具有与参照图13A描述的OLED装置300的构造基本相同或相似的构造。关于图18A，可不重复有关与参照图13A描述的元件基本相同或相似的元件的详细的描述。
参照图18A，OLED装置可包括基底110、缓冲层120、半导体元件250(例如，开关元件250)、第一栅极绝缘层150、第二栅极绝缘层155、像素结构、第一绝缘中间层190、平坦化层280、像素限定层310、薄膜包封结构450等。这里，基底110可包括聚酰亚胺层111和阻挡层115，像素结构可包括第一电极290、发光层330和第二电极340。此外，开关元件250可包括有源层130、第一栅电极170、源电极210和漏电极230。薄膜包封结构450可包括第一包封层451、453和455以及第二包封层452和454。
与图13A相比，可省略设置在第一绝缘中间层190上的第二绝缘中间层195。
在示例实施例中，平坦化层280可在源电极210、漏电极230和第一绝缘中间层190上在子像素区15和透明区30中设置。平坦化层280可包括具有在从1.4至1.5的范围内的折射率(例如，第一折射率)的有机材料或无机材料。平坦化层280可在子像素区15中具有第一高度H1，第一高度H1可在与基底110的上表面垂直的第三方向D3上延伸。平坦化层280可在透明区30中具有第二高度H2，在第三方向D3上延伸的第二高度H2可小于第一高度H1。因为设置了在透明区30中具有第二高度H2和第一折射率的平坦化层280，所以可省略第二绝缘中间层。即，具有第二高度H2和第一折射率的平坦化层280可用作图13A的第二绝缘中间层195。因此，可使OLED装置的厚度最小化，并且可使OLED装置的制造成本最小化。
在一些示例实施例中，如图18B中所示，第一栅极绝缘层150可设置在有源层130上，第二栅极绝缘层155可设置在第一栅极绝缘层150上。此外，第一栅电极170可设置在第二栅极绝缘层155上。即，第一栅极绝缘层150和第二栅极绝缘层155可置于缓冲层120与栅电极170之间。此外，第一绝缘中间层190可设置在第二栅极绝缘层155和第一栅电极170上。
图19A是示出图13A的OLED装置的再一示例的剖视图。图19A中示出的OLED装置可具有与参照图13A描述的OLED装置300的构造基本相同或相似的构造。关于图19A，可不重复有关与参照图13A描述的元件基本相同或相似的元件的详细的描述。
参照图19A，OLED装置可包括基底110、缓冲层120、半导体元件250(例如，开关元件250)、第一栅极绝缘层150、第二栅极绝缘层155、像素结构、第一绝缘中间层190、平坦化层270、像素限定层310、薄膜包封结构470等。这里，基底110可包括聚酰亚胺层111和阻挡层115，像素结构可包括第一电极290、发光层330和第二电极345。此外，开关元件250可包括有源层130、第一栅电极170、源电极210和漏电极230。薄膜包封结构470可包括第一包封层456、458和460以及第二包封层457和459。
与图13A相比，可省略设置在第一绝缘中间层190上的第二绝缘中间层195。
在示例实施例中，第二电极345可设置在像素限定层310和发光层330上。第二电极345可在子像素区15中覆盖像素限定层310和发光层330，并且可在透明区30中暴露第一绝缘中间层190。即，第二电极345可设置在子像素区15中，并且可暴露透明区30。第二电极345可包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等中的一种或更多种。
在示例实施例中，薄膜包封结构470可在子像素区15中设置在第二电极345上，并且在透明区30中设置在第一绝缘中间层190上。薄膜包封结构470可包括至少一个第一包封层和至少一个第二包封层。第一包封层456、458和460可包括具有在从1.4至1.5的范围内的折射率(例如，第一折射率)的无机材料。第二包封层457和459可包括具有在从1.4至1.5的范围内的折射率的有机材料。
因为具有第一折射率的薄膜包封结构470设置在透明区30中，所以可省略第二绝缘中间层。即，具有第一折射率的薄膜包封结构470可用作图13A的第二绝缘中间层195。因此，可使OLED装置的厚度最小化和/或可使OLED装置的制造成本最小化。
在一些示例实施例中，如图19B中所示，第一栅极绝缘层150可设置在有源层130上，第二栅极绝缘层155可设置在第一栅极绝缘层150上。此外，第一栅电极170可设置在第二栅极绝缘层155上。即，第一栅极绝缘层150和第二栅极绝缘层155可置于缓冲层120与栅电极170之间。此外，第一绝缘中间层190可设置在第二栅极绝缘层155和第一栅电极170上。
图20A是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。除了基底113和包封基底400之外，图20A中示出的OLED装置500可具有与参照图2A描述的OLED装置100的构造基本相同或相似构造。关于图20A，可不重复有关与参照图2A描述的元件基本相同或相似的元件的详细的描述。
参照图20A，OLED装置500可包括基底113、缓冲层120、半导体元件250(例如，开关元件250)、第一栅极绝缘层150、第二栅极绝缘层155、像素结构、第一绝缘中间层190、平坦化层270、像素限定层310、包封基底400等。像素结构可包括第一电极290、发光层330和第二电极340，开关元件250可包括有源层130、第一栅电极170、源电极210和漏电极230。
基底113可包括透明绝缘材料。在示例实施例中，基底113可本质上由具有在从1.4至1.5的范围内的折射率的玻璃基底构成。例如，基底113可包括石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、掺杂氟化物的石英基底、碱石灰基底、无碱基底等中的一种或更多种。
包封基底400可设置在第二电极340上。包封基底400和基底113可包括基本相同的材料。例如，包封基底400可包括石英基底、合成石英基底、氟化钙基底、掺杂氟化物的石英基底、碱石灰基底、无碱基底等中的一种或更多种。
在示例实施例中，基底113、缓冲层120和第一栅极绝缘层150中的每个可具有基本相同的折射率(值)。在实施例中，因为OLED装置500包括具有基本相同的折射率(值)的基底113、缓冲层120和第一栅极绝缘层150中的每个，所以可增大透明区30的透射率。此外，因为有源层130可置于包括SiOx的缓冲层120与第一栅极绝缘层150之间，所以可改善有源层130的界面特性。
在一些示例实施例中，如图20B中所示，第一栅极绝缘层150可设置在有源层130上，第二栅极绝缘层155可设置在第一栅极绝缘层150上。此外，第一栅电极170可设置在第二栅极绝缘层155上。即，第一栅极绝缘层150和第二栅极绝缘层155可置于缓冲层120与栅电极170之间。此外，第一绝缘中间层190可设置在第二栅极绝缘层155和第一栅电极170上。
图21是示出图20A的OLED装置的示例的剖视图，图22是示出图20A的OLED装置的另一示例的剖视图。图21和图22中示出的OLED装置可具有与参照图20A描述的OLED装置500的构造基本相同或相似的构造。在图21和22中，可不重复有关与参照图20A描述的元件基本相同或相似的元件的详细的描述。
参照图21，根据示例实施例的OLED装置还可包括第二栅电极180。第二栅电极180可置于第二栅极绝缘层155与第一绝缘中间层190之间，并且可设置在其下设置有第一栅电极170的第二栅极绝缘层155上。第一栅电极170和第二栅电极180可用作电容器。第二栅电极180可包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等。
参照图22，与图20A相比，可省略设置在第一栅极绝缘层150上的第二栅极绝缘层155。因此，栅极绝缘层可本质上由具有在从1.4至1.5的范围内的折射率的SiOx构成(和/或可本质上由具有在从1.4至1.5的范围内的折射率的SiOx形成)。在实施例中，栅极绝缘层可具有基本单一组成SiOx。即，第一绝缘中间层190可在子像素区15中覆盖第一栅电极170，并且可设置在整个第一栅极绝缘层150上。例如，第一绝缘中间层190可充分地覆盖第一栅电极170，并且可具有基本平坦的表面，而没有在第一栅电极170周围的阶梯。在实施例中，第一绝缘中间层190可覆盖第一栅电极170，并可沿第一栅电极170的轮廓设置为基本均匀的厚度。
图23A是示出根据示例实施例的OLED装置的剖视图。除了第二绝缘中间层195之外，图23A中示出的OLED装置700可具有与参照图20A描述的OLED装置500的构造基本相同或相似的构造。关于图23A，可不重复有关与参照图20A描述的元件基本相同或相似的元件的详细的描述。
参照图23A，OLED装置700可包括基底113、缓冲层120、半导体元件250(例如，开关元件250)、第一栅极绝缘层150、第二栅极绝缘层155、像素结构、第一绝缘中间层190、第二绝缘中间层195、平坦化层270、像素限定层310、包封基底400等。这里，像素结构可包括第一电极290、发光层330和第二电极340，开关元件250可包括有源层130、第一栅电极170、源电极210和漏电极230。
第一绝缘中间层190可设置在第二栅极绝缘层155上。第一绝缘中间层190可包括具有在从1.7至1.8的范围内的折射率(例如，第二折射率)的有机材料或无机材料。在示例实施例中，第一绝缘中间层190可本质上由具有在从1.7至1.8的范围内的折射率的SiOxNy构成。例如，SiOxNy可本质上由硅、氧和氮以大约3.95:1:1.7的重量比构成。即，可控制重量比形成SiOxNy，使得SiOxNy具有在从1.7至1.8的范围内的折射率。在实施例中，SiOxNy可本质上由硅、氧和氮以大约2.5:1:0.88的重量比构成。在实施例中，第一绝缘中间层190可具有基本单一组成SiOxNy。
在示例实施例中，第二绝缘中间层195可置于第一绝缘中间层190与源电极210和漏电极230之间，并且可在第一绝缘中间层190上在子像素区15和透明区30中设置。此外，第二绝缘中间层195可具有在从1.4至1.5的范围内的折射率(例如，第一折射率)。
因为具有比第二折射率小的第一折射率的第二绝缘中间层195设置在具有第二折射率的第一绝缘中间层190上，所以可增大OLED装置700的透明区30的透射率。例如，当光从具有高的折射率的第一层透射到具有低的折射率的第二层时，可增大光的透射率。在实施例中，OLED装置700可用作具有令人满意的透射率的透明的柔性OLED装置。
在一些示例实施例中，如图23B中所示，第一栅极绝缘层150可设置在有源层130上，第二栅极绝缘层155可设置在第一栅极绝缘层150上。此外，第一栅电极170可设置在第二栅极绝缘层155上。即，第一栅极绝缘层150和第二栅极绝缘层155可置于缓冲层120与栅电极170之间。此外，第一绝缘中间层190可设置在第二栅极绝缘层155和第一栅电极170上。
图24A是示出图23A的OLED装置的示例的剖视图，图25是示出图23A的OLED装置的另一示例的剖视图。图24A和图25中示出的OLED装置可具有与参照图23A描述的OLED装置700的构造基本相同或相似的构造。关于图24A和图25，可不重复有关与参照图23A描述的元件基本相同或相似的元件的详细的描述。
参照图24A和图25，根据示例实施例的OLED装置还可包括第二栅电极180。第二栅电极180可置于第二栅极绝缘层155与第一绝缘中间层190之间。例如，如图24A中所示，第二栅电极180可设置在其下设置有第一栅电极170的第二栅极绝缘层155上。在一些示例实施例中，如图25中所示，第二栅电极180可设置在其下设置有第一栅电极170的第一绝缘中间层190上。
第一栅电极170和第二栅电极180可用作电容器。第二栅电极180可包括金属、金属合金、金属氮化物、导电金属氧化物、透明导电材料等中的一种或更多种。
在一些示例实施例中，如图24B中所示，第一栅极绝缘层150可设置在有源层130上，第二栅极绝缘层155可设置在第一栅极绝缘层150上。此外，第一栅电极170可设置在第二栅极绝缘层155上。即，第一栅极绝缘层150和第二栅极绝缘层155可置于缓冲层120与栅电极170之间。此外，第一绝缘中间层190可设置在第二栅极绝缘层155和第一栅电极170上，第二栅电极180可置于第一绝缘中间层190与第二绝缘中间层195之间。即，第二栅电极180可设置在其下定位有第一栅电极170的第一绝缘中间层190上。
图26A是示出图23A的OLED装置的又一示例的剖视图。图26A中示出的OLED装置可具有与参照图23A描述的OLED装置700的构造基本相同或相似的构造。关于图26A，可不重复有关与参照图23A描述的元件基本相同或相似的元件的详细的描述。
参照图26A，OLED装置可包括基底113、缓冲层120、半导体元件250(例如，开关元件250)、第一栅极绝缘层150、第二栅极绝缘层155、像素结构、第一绝缘中间层190、平坦化层280、像素限定层310、包封基底400等。这里，像素结构可包括第一电极290、发光层330和第二电极340，开关元件250可包括有源层130、第一栅电极170、源电极210和漏电极230。
与图23A相比，可省略设置在第一绝缘中间层190上的第二绝缘中间层195。
在示例实施例中，平坦化层280可在源电极210、漏电极230和第一绝缘中间层190上在子像素区15和透明区30中设置。平坦化层280可包括具有在从1.4至1.5的范围内的折射率(例如，第一折射率)的有机材料或无机材料。平坦化层280可在子像素区15中具有第一高度H1，第一高度H1可在与基底113的上表面垂直的第三方向D3上延伸。平坦化层280可在透明区30中具有第二高度H2，在第三方向D3上延伸的第二高度H2可小于第一高度H1。因为设置了在透明区30中具有第二高度H2和第一折射率的平坦化层280，所以可省略第二绝缘中间层。即，具有第二高度H2和第一折射率的平坦化层280可用作图23A的第二绝缘中间层195。因此，可使OLED装置的厚度最小化和/或可使OLED装置的制造成本最小化。
在一些示例实施例中，如图26B中所示，第一栅极绝缘层150可设置在有源层130上，第二栅极绝缘层155可设置在第一栅极绝缘层150上。此外，第一栅电极170可设置在第二栅极绝缘层155上。即，第一栅极绝缘层150和第二栅极绝缘层155可置于缓冲层120与栅电极170之间。此外，第一绝缘中间层190可设置在第二栅极绝缘层155和第一栅电极170上。
实施例可应用于包括有机发光显示装置的各种显示装置。实施例可应用于车载显示装置、船载显示装置、航空器载显示装置、便携式通信装置、用于信息传递的显示装置、医疗显示装置等中的一种或更多种。
前述是示例实施例的举例说明且不应该理解为限制。尽管已经描述了示例实施例，但是本领域的技术人员将容易理解的是，在示例实施例中许多修改是可能的。所有的这样的修改意图包括在权利要求中限定的范围内。

Claims (56)

1.一种有机发光显示装置，所述有机发光显示装置包括：
基底，包括子像素区和透明区；
缓冲层，在所述基底上位于所述子像素区和所述透明区中，所述缓冲层具有第一折射率；
第一栅极绝缘层，在所述缓冲层上位于所述子像素区和所述透明区中，所述第一栅极绝缘层包括与所述缓冲层的材料相同的材料；
有源层，位于所述缓冲层与所述第一栅极绝缘层之间；
第一栅电极，位于所述第一栅极绝缘层上，在所述第一栅极绝缘层下方设置有所述有源层；
第一绝缘中间层，在所述子像素区和所述透明区中位于所述第一栅极绝缘层上，所述第一绝缘中间层具有比所述第一折射率大的第二折射率；
第二栅极绝缘层，在所述子像素区和所述透明区中位于所述第一栅极绝缘层和所述第一绝缘中间层之间，所述第二栅极绝缘层与所述第一绝缘中间层包括相同的材料；
源电极和漏电极，位于所述第一绝缘中间层上，所述源电极和所述漏电极连同所述有源层和所述第一栅电极一起限定半导体元件；以及
像素结构，位于所述半导体元件上，所述像素结构电连接到所述半导体元件。
2.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第一折射率在1.4与1.5之间的范围内，所述第二折射率在1.7与1.8之间的范围内，
其中，所述有源层的上表面与所述第一栅极绝缘层接触，所述有源层的下表面与所述缓冲层接触。
3.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述基底包括透明绝缘材料。
4.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，所述基底由具有在1.7与1.8之间的范围内的折射率的透明的聚酰亚胺基底构成。
5.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中，所述基底包括透明的聚酰亚胺层和阻挡层，所述阻挡层置于所述透明的聚酰亚胺层与所述缓冲层之间，
其中，所述阻挡层和所述第一绝缘中间层包括相同的材料。
6.根据权利要求5所述的有机发光显示装置，其中，所述阻挡层由具有在1.7与1.8之间的范围内的折射率的氮氧化硅构成，
其中，所述氮氧化硅由硅、氧和氮以3.95:1:1.7的各自重量比构成。
7.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中，所述缓冲层和所述第一栅极绝缘层中的每个由具有在1.4与1.5之间的范围内的折射率的氧化硅构成。
8.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中，所述有源层由非晶硅或多晶硅构成。
9.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中，所述第一绝缘中间层由具有在1.7与1.8之间的范围内的折射率的氮氧化硅构成，
其中，所述氮氧化硅由硅、氧和氮以3.95:1:1.7的各自重量比构成。
10.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，其中，所述第二栅极绝缘层由具有在1.7与1.8之间的范围内的折射率的氮氧化硅构成，
其中，所述氮氧化硅由硅、氧和氮以3.95:1:1.7的各自重量比构成。
11.根据权利要求1所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
第二栅电极，置于所述第二栅极绝缘层与所述第一绝缘中间层之间，所述第二栅电极位于所述第二栅极绝缘层上，在所述第二栅极绝缘层下方设置有所述第一栅电极。
12.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
第二栅极绝缘层，置于所述第一栅极绝缘层与所述第一绝缘中间层之间，所述第二栅极绝缘层位于所述子像素区和所述透明区中，
其中，所述第一栅极绝缘层和第二栅极绝缘层置于所述缓冲层与所述第一栅电极之间，
其中，所述第二栅极绝缘层由具有在1.7与1.8之间的范围内的折射率的氮氧化硅构成，所述氮氧化硅由硅、氧和氮以3.95:1:1.7的各自重量比构成。
13.根据权利要求12所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
第二绝缘中间层，置于所述第一绝缘中间层与所述源电极和所述漏电极之间，所述第二绝缘中间层位于所述子像素区和所述透明区中，所述第二绝缘中间层具有所述第一折射率，
其中，所述第二绝缘中间层由具有在1.4与1.5之间的范围内的折射率的氧化硅构成。
14.根据权利要求13所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
第二栅电极，置于所述第一绝缘中间层与所述第二绝缘中间层之间，所述第二栅电极位于所述第一绝缘中间层上，在所述第一绝缘中间层下方设置有所述第一栅电极。
15.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
第二绝缘中间层，置于所述第一绝缘中间层与所述源电极和所述漏电极之间，所述第二绝缘中间层位于所述子像素区和所述透明区中，所述第二绝缘中间层具有所述第一折射率，
其中，所述第二绝缘中间层由具有在1.4与1.5之间的范围内的折射率的氧化硅构成。
16.根据权利要求15所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
第二栅电极，置于所述第一绝缘中间层与所述第二绝缘中间层之间，所述第二栅电极位于所述第一绝缘中间层上，在所述第一绝缘中间层下方设置有所述第一栅电极。
17.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
平坦化层，在所述第一绝缘中间层上覆盖所述源电极和所述漏电极。
18.根据权利要求17所述的有机发光显示装置，其中，所述平坦化层在所述第一绝缘中间层上在所述子像素区中设置，并且暴露所述透明区。
19.根据权利要求17所述的有机发光显示装置，其中，所述平坦化层在所述第一绝缘中间层上在所述子像素区和所述透明区中设置，并且具有所述第一折射率，
其中，所述平坦化层在所述子像素区中具有第一高度，所述第一高度沿与所述基底的上表面垂直的方向延伸，
其中，所述平坦化层在所述透明区中具有第二高度，沿所述方向延伸的所述第二高度小于所述第一高度。
20.根据权利要求4所述的有机发光显示装置，其中，所述像素结构包括：
第一电极，位于所述第一绝缘中间层上；
发光层，位于所述第一电极上；以及
第二电极，位于所述发光层上。
21.根据权利要求20所述的有机发光显示装置，其中，所述第二电极设置在所述子像素区和所述透明区中。
22.根据权利要求20所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
薄膜包封结构，位于所述像素结构上，所述薄膜包封结构包括至少一个第一包封层和至少一个第二包封层，
其中，所述第一包封层和所述第二包封层交替地布置，
其中，所述第一包封层包括具有在1.4与1.5之间的范围内的折射率的无机材料，
其中，所述第二包封层包括具有在1.4与1.5之间的范围内的折射率的有机材料。
23.根据权利要求22所述的有机发光显示装置，其中，所述第一包封层包括氮氧化硅。
24.根据权利要求22所述的有机发光显示装置，其中，所述第二电极设置在所述子像素区中，并且暴露所述透明区，
其中，所述薄膜包封结构在所述透明区中与所述第一绝缘中间层接触。
25.根据权利要求3所述的有机发光显示装置，其中，所述基底由具有在1.4与1.5之间的范围内的折射率的玻璃基底构成。
26.根据权利要求25所述的有机发光显示装置，其中，所述缓冲层和所述第一栅极绝缘层由具有在1.4与1.5之间的范围内的折射率的氧化硅构成，
其中，所述有源层由非晶硅或多晶硅构成，
其中，所述第一绝缘中间层由具有在1.7与1.8之间的范围内的折射率的氮氧化硅构成，
其中，所述氮氧化硅由硅、氧和氮以3.95:1:1.7的各自重量比构成。
27.根据权利要求25所述的有机发光显示装置，其中，所述第二栅极绝缘层由具有在1.7与1.8之间的范围内的折射率的氮氧化硅构成，
其中，氮氧化硅由硅、氧和氮以3.95:1:1.7的各自重量比构成。
28.根据权利要求26所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
第二栅电极，置于所述第二栅极绝缘层与所述第一绝缘中间层之间，所述第二栅电极位于所述第二栅极绝缘层上，在所述第二栅极绝缘层下方设置有所述第一栅电极。
29.根据权利要求25所述的有机发光显示装置，其中，所述第一栅极绝缘层和所述第二栅极绝缘层置于所述缓冲层与所述第一栅电极之间，
其中，所述第二栅极绝缘层由具有在1.7与1.8之间的范围内的折射率的氮氧化硅构成，所述氮氧化硅由硅、氧和氮以3.95:1:1.7的各自重量比构成。
30.根据权利要求29所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
第二绝缘中间层，置于所述第一绝缘中间层与所述源电极和所述漏电极之间，所述第二绝缘中间层位于所述子像素区和所述透明区中，所述第二绝缘中间层具有所述第一折射率，
其中，所述第二绝缘中间层由具有在1.4与1.5之间的范围内的折射率的氧化硅构成。
31.根据权利要求30所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
第二栅电极，置于所述第一绝缘中间层与所述第二绝缘中间层之间，所述第二栅电极位于其下设置有所述第一栅电极的所述第一绝缘中间层上。
32.根据权利要求25所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
第二绝缘中间层，置于所述第一绝缘中间层与所述源电极和所述漏电极之间，所述第二绝缘中间层位于所述子像素区和所述透明区中，所述第二绝缘中间层具有所述第一折射率，
其中，所述第二绝缘中间层由具有在1.4与1.5之间的范围内的折射率的氧化硅构成。
33.根据权利要求32所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
第二栅电极，置于所述第一绝缘中间层与所述第二绝缘中间层之间，所述第二栅电极位于所述第一绝缘中间层上，在所述第一绝缘中间层下方设置有所述第一栅电极。
34.根据权利要求25所述的有机发光显示装置，所述有机发光显示装置还包括：
平坦化层，在所述第一绝缘中间层上覆盖所述源电极和漏电极。
35.根据权利要求34所述的有机发光显示装置，其中，所述平坦化层在所述第一绝缘中间层上在所述子像素区中设置，并暴露所述透明区。
36.根据权利要求34所述的有机发光显示装置，其中，所述平坦化层在所述第一绝缘中间层上在所述子像素区和所述透明区中设置，并具有所述第一折射率，
其中，所述平坦化层在所述子像素区中具有第一高度，所述第一高度沿与所述基底的上表面垂直的方向延伸，
其中，所述平坦化层在所述透明区中具有第二高度，沿所述方向延伸的所述第二高度小于所述第一高度。
37.根据权利要求25所述的有机发光显示装置，其中，所述像素结构包括：
第一电极，位于所述第一绝缘中间层上；
发光层，位于所述第一电极上；以及
第二电极，位于所述发光层上，
其中，所述第二电极设置在所述子像素区和所述透明区中。
38.一种显示装置，所述显示装置包括：
发光元件；
缓冲层；
第一栅极绝缘层，其中，所述第一栅极绝缘层的折射率等于所述缓冲层的折射率；以及
开关元件，电连接到所述发光元件，包括有源层，并包括第一栅电极，其中，所述有源层位于所述缓冲层与所述第一栅极绝缘层之间并直接接触所述缓冲层和所述第一栅极绝缘层中的至少一个，其中，所述第一栅极绝缘层位于所述有源层和所述第一栅电极之间并直接接触所述有源层和所述第一栅电极中的至少一个；
第一绝缘中间层，其中，所述第一栅电极位于所述第一栅极绝缘层与所述第一绝缘中间层之间，并且其中，所述第一绝缘中间层的折射率大于所述第一栅极绝缘层的折射率；以及
第二栅极绝缘层，位于所述第一栅电极与所述第一绝缘中间层之间，所述第二栅极绝缘层的折射率等于所述第一绝缘中间层的折射率。
39.根据权利要求38所述的显示装置，所述显示装置还包括：像素限定层，具有第一开口，
其中，所述有源层在与所述缓冲层的一侧垂直的方向上位于所述缓冲层的第一部和所述第一栅极绝缘层的第一部之间，
其中，所述第一栅极绝缘层的第二部在与所述缓冲层的一侧垂直的所述方向上位于所述缓冲层的第二部与所述第一开口之间。
40.根据权利要求38所述的显示装置，其中，所述缓冲层直接接触所述第一栅极绝缘层，并且不包括氮化物，其中，所述缓冲层的材料与所述第一栅极绝缘层的材料相同。
41.根据权利要求38所述的显示装置，其中，所述缓冲层的所述折射率大于或等于1.4且小于或等于1.5。
42.根据权利要求38所述的显示装置，其中，所述第一绝缘中间层的所述折射率与所述第一栅极绝缘层的所述折射率之间的差大于或等于0.2且小于或等于0.4。
43.根据权利要求42所述的显示装置，其中，所述第一绝缘中间层的所述折射率大于或等于1.7且小于或等于1.8。
44.根据权利要求42所述的显示装置，其中，所述第一绝缘中间层与所述第一栅电极和所述第一栅极绝缘层中的每个直接接触。
45.根据权利要求38所述的显示装置，其中，所述第二栅极绝缘层与所述第一绝缘中间层直接接触。
46.根据权利要求45所述的显示装置，所述显示装置还包括：像素限定层，具有第一开口，
其中，所述第二栅极绝缘层的第一部在与所述缓冲层的一侧垂直的方向上位于所述第一栅电极与所述第一绝缘中间层的第一部之间，并与所述第一绝缘中间层的所述第一部直接接触，
其中，所述第一绝缘中间层的第二部在与所述缓冲层的所述侧垂直的所述方向上位于所述第二栅极绝缘层的第二部与所述第一开口之间。
47.根据权利要求45所述的显示装置，所述显示装置还包括：第二栅电极，位于所述第二栅极绝缘层与所述第一绝缘中间层之间，并与所述第二栅极绝缘层和所述第一绝缘中间层中的至少一个直接接触。
48.根据权利要求38所述的显示装置，所述显示装置还包括：第二绝缘中间层，
其中，所述第一绝缘中间层位于所述第一栅电极与所述第二绝缘中间层之间，并与所述第二绝缘中间层直接接触，其中，所述第二绝缘中间层的折射率小于所述第一绝缘中间层的所述折射率。
49.根据权利要求48所述的显示装置，其中，所述第一绝缘中间层的所述折射率和所述第二绝缘中间层的所述折射率之间的差大于或等于0.2且小于或等于0.4。
50.根据权利要求48所述的显示装置，其中，所述第二绝缘中间层的所述折射率等于所述缓冲层的所述折射率。
51.根据权利要求48所述的显示装置，所述显示装置还包括：第二栅电极，位于所述第一绝缘中间层与所述第二绝缘中间层之间，并与所述第一绝缘中间层和所述第二绝缘中间层中的至少一个直接接触。
52.根据权利要求38所述的显示装置，所述显示装置还包括：透明的基底，
其中，所述透明的基底的折射率等于所述第一绝缘中间层的所述折射率或所述缓冲层的所述折射率。
53.根据权利要求38所述的显示装置，所述显示装置还包括：
透明的聚酰亚胺层；以及
阻挡层，位于所述透明的聚酰亚胺层与所述缓冲层之间，
其中，所述缓冲层位于所述阻挡层与所述有源层之间，
其中，所述阻挡层的折射率等于所述第一绝缘中间层的所述折射率。
54.根据权利要求53所述的显示装置，其中，所述阻挡层的材料与所述第一绝缘中间层的材料相同，其中，所述阻挡层的所述材料的硅、氧和氮的重量比为3.95:1:1.7。
55.根据权利要求38所述的显示装置，所述显示装置还包括：包封层，
其中，所述包封层的折射率等于所述第一绝缘中间层的所述折射率或所述缓冲层的所述折射率，
其中，所述发光元件位于所述第一绝缘中间层与所述包封层之间。
56.根据权利要求38所述的显示装置，所述显示装置还包括：
无机材料层，其中，所述无机材料层的折射率等于所述第一绝缘中间层的所述折射率或所述缓冲层的所述折射率；以及
有机材料层，与所述无机材料层直接接触，
其中，所述无机材料层和所述有机材料层中的一个与所述第一绝缘中间层直接接触，并位于所述发光元件与所述无机材料层和所述有机材料层中的另一个之间。
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