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WO2019230826A1 - 電子素子搭載用基板、電子装置および電子モジュール - Google Patents

電子素子搭載用基板、電子装置および電子モジュール Download PDF

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WO2019230826A1
WO2019230826A1 PCT/JP2019/021357 JP2019021357W WO2019230826A1 WO 2019230826 A1 WO2019230826 A1 WO 2019230826A1 JP 2019021357 W JP2019021357 W JP 2019021357W WO 2019230826 A1 WO2019230826 A1 WO 2019230826A1
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WO
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substrate
electronic element
main surface
metal layer
element mounting
Prior art date
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PCT/JP2019/021357
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English (en)
French (fr)
Inventor
登 北住
Original Assignee
京セラ株式会社
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Publication date
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Priority to JP2020522262A priority patent/JP7174046B2/ja
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Priority to EP19810236.0A priority patent/EP3806587B1/en
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Definitions

  • the present invention relates to an electronic element mounting substrate, an electronic device, and an electronic module.
  • an electronic element mounting substrate has an insulating substrate having a first main surface, a second main surface, and side surfaces, and an electronic element mounting portion and a wiring layer located on the first main surface of the insulating substrate. Yes.
  • an electronic element mounting substrate an electronic element is mounted on an electronic element mounting portion and then mounted on an electronic element storage package to form an electronic device (see JP 2013-175508 A).
  • An electronic element mounting substrate includes a first substrate having a first main surface, made of an insulator, and having a rectangular shape, and an electronic element mounting portion that is positioned on the first main surface and has a rectangular shape.
  • a bonding metal layer is located on the second main surface, and in plan perspective, the second substrate is obtained by heat conduction in the longitudinal direction of the mounting portion.
  • the heat conduction in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion is large, and the width of the bonding metal layer in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion is equal to or greater than the width of the surface metal layer. It is.
  • An electronic device includes an electronic element mounting substrate having the above-described configuration, an electronic element mounted on the mounting portion of the electronic element mounting substrate, and a wiring board or electronic element mounted with the electronic element mounting substrate. And a storage package.
  • the electronic module of the present disclosure includes the electronic device having the above-described configuration and a module substrate to which the electronic device is connected.
  • FIG. 2 is an exploded perspective view of a first substrate and a second substrate of the electronic element mounting substrate shown in FIG. 1.
  • (A) is a longitudinal sectional view taken along line AA of the electronic element mounting substrate shown in FIG. 1 (a)
  • (b) is an electronic element mounting substrate shown in FIG. 1 (a).
  • FIG. 2C is a longitudinal sectional view taken along line BB of FIG. 1C
  • FIG. 3C is a longitudinal sectional view taken along line CC of the electronic element mounting substrate shown in FIG. It is a principal part expanded longitudinal sectional view in the A section of Fig.3 (a).
  • FIG. 6A is a top view showing a state in which an electronic element is mounted on the electronic element mounting substrate shown in FIG. 1 (a), and (b) is a longitudinal sectional view taken along line BB in (a). is there.
  • (A) is a top view which shows the board
  • (b) is a bottom view of (a).
  • FIG. 7 is an exploded perspective view of a first substrate, a second substrate, and a third substrate of the electronic element mounting substrate shown in FIG. 6.
  • FIG. 6A is a longitudinal sectional view taken along line AA of the electronic element mounting substrate shown in FIG. 6A
  • FIG. 6B is an electronic element mounting substrate shown in FIG. FIG.
  • FIG. 6B is a longitudinal sectional view taken along line BB of FIG. 6C
  • FIG. 6C is a longitudinal sectional view taken along line CC of the electronic element mounting substrate shown in FIG. It is a principal part expanded longitudinal sectional view in the A section of Fig.8 (a).
  • FIG. 5A is a top view showing a state in which an electronic element is mounted on the electronic element mounting substrate shown in FIG. 5A
  • FIG. 5B is a longitudinal sectional view taken along line BB in FIG. is there.
  • (A) is a top view which shows the board
  • (b) is a bottom view of (a).
  • FIG. 12 is an exploded perspective view of a first substrate, a second substrate, a third substrate, and a fourth substrate of the electronic element mounting substrate shown in FIG. 11.
  • FIG. 11A is a longitudinal sectional view taken along the line AA of the electronic element mounting substrate shown in FIG. 11A
  • FIG. 11B is an electronic element mounting substrate shown in FIG.
  • FIG. 11C is a longitudinal sectional view taken along line BB of FIG. 11, and
  • FIG. 11C is a longitudinal sectional view taken along line CC of the electronic element mounting substrate shown in FIG.
  • FIG. 14 is an enlarged vertical cross-sectional view of a main part in part A of FIG. (A) is a top view showing a state in which an electronic element is mounted on the electronic element mounting substrate shown in FIG.
  • FIG. 11 is a longitudinal sectional view taken along line BB in (a).
  • FIG. 2 is a top view showing a state in which an electronic element is mounted on the electronic element mounting substrate shown in FIG. 2, and (b) is a longitudinal sectional view taken along line BB in (a).
  • (A) is a top view which shows the board
  • (b) is a bottom view of (a).
  • 16A is a longitudinal sectional view taken along line AA of the electronic element mounting substrate shown in FIG. 16A
  • FIG. 16B is a sectional view of the electronic element mounting substrate shown in FIG.
  • FIG. 16 is a longitudinal sectional view taken along line BB, and FIG.
  • FIG. 16C is a longitudinal sectional view taken along line CC of the electronic element mounting substrate shown in FIG. (A) is a top view which shows the board
  • (A) is a longitudinal sectional view taken along line AA of the electronic element mounting substrate shown in FIG. 18 (a), and (b) is an electronic element mounting substrate shown in FIG. 18 (a).
  • FIG. 18 is a longitudinal sectional view taken along line BB
  • FIG. 18C is a longitudinal sectional view taken along line CC of the electronic element mounting substrate shown in FIG.
  • (A) is a top view which shows the board
  • (b) is a bottom view of (a).
  • (A) is a longitudinal sectional view taken along line AA of the electronic element mounting substrate shown in FIG. 20 (a), and (b) is an A of the electronic element mounting substrate shown in (a). It is a principal part expanded sectional view in a part.
  • the electronic element mounting substrate 1 includes a first substrate 11 and a second substrate 12 as in the example illustrated in FIGS. 1 to 5.
  • the electronic device includes an electronic element substrate 1, an electronic element 2 mounted on an electronic element mounting substrate mounting portion 11 a, and a wiring board on which the electronic element mounting substrate 1 is mounted.
  • the electronic device is connected to a connection pad on a module substrate constituting the electronic module by using a bonding material.
  • the electronic element mounting substrate 1 in the present embodiment has a first main surface, is made of an insulator, has a rectangular first substrate 11, and is positioned on the first main surface and has a rectangular electronic element 2.
  • the surface metal layer 13 having the mounting portion 11a and the third main surface and the third main surface which are located on the second main surface opposite to the first main surface and are made of a carbon material and which are opposed to the second main surface.
  • a second substrate 12 having a fourth main surface, and a bonding metal layer 14 is located on the second main surface.
  • the second substrate 12 has greater heat conduction in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion 11a than the heat conduction in the longitudinal direction of the mounting portion 11a, and is bonded in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion 11a.
  • the width of the metal layer 14 is equal to or greater than the width of the surface metal layer 13. 1 to 5, the electronic element 2 is mounted on an xy plane in a virtual xyz space. 1 to 5, the upward direction means the positive direction of the virtual z axis. Note that the distinction between the upper and lower sides in the following description is for convenience, and does not limit the upper and lower sides when the electronic element mounting substrate 1 or the like is actually used.
  • the surface metal layer 13 is indicated by hatching in the example shown in FIG.
  • the first substrate 11 has a first main surface (upper surface in FIGS. 1 to 4) and a second main surface (lower surface in FIGS. 1 to 4).
  • the first main surface and the second main surface are positioned relative to each other.
  • the first substrate 11 is composed of a single layer or a plurality of insulating layers, and has a rectangular plate having two sets of opposite sides (four sides) with respect to each of the first main surface and the second main surface in plan view. It has a shape.
  • the first substrate 11 functions as a support for supporting the rectangular electronic element 2, and the electronic element 2 is Au—Sn on the rectangular mounting portion 11 a located on the first main surface of the first substrate 11. It is bonded and fixed via a joining member such as.
  • the first substrate 11 for example, ceramics such as an aluminum oxide sintered body (alumina ceramics), an aluminum nitride sintered body, a mullite sintered body, or a glass ceramic sintered body can be used.
  • the first substrate 11 is, for example, an aluminum nitride sintered body
  • the first substrate 11 is suitable for a raw material powder such as aluminum nitride (AlN), erbium oxide (Er 2 O 3 ), yttrium oxide (Y 2 O 3 ).
  • An organic binder and a solvent are added and mixed to prepare a slurry.
  • a ceramic green sheet is produced by forming the above slurry into a sheet shape by employing a conventionally known doctor blade method or calendar roll method. If necessary, a plurality of ceramic green sheets are stacked and fired at a high temperature (about 1800 ° C.), whereby the first substrate 11 made of a single layer or a plurality of insulating layers is manufactured.
  • the second substrate 12 has a third main surface (upper surface in FIGS. 1 to 4) and a fourth main surface (lower surface in FIGS. 1 to 4).
  • the third main surface and the fourth main surface are positioned relative to each other.
  • the second substrate 12 is formed, for example, as a structure made of a carbon material and laminated with graphene in which six-membered rings are connected by covalent bonds. It is a material in which the faces are joined by van der Waals forces.
  • the surface metal layer 13 is located on the first main surface of the first substrate 11.
  • the surface metal layer 13 is used as a connecting portion of the mounting member 11a of the electronic element 11 or a connecting member 3 such as a bonding wire, and electrically connects the electronic element 2 and the wiring conductor of the wiring board. .
  • the surface metal layer 13 includes a thin film layer and a plating layer.
  • the thin film layer has, for example, an adhesion metal layer and a barrier layer.
  • the adhesion metal layer constituting the thin film layer is formed on the first main surface of the first substrate 11.
  • the adhesion metal layer is made of, for example, tantalum nitride, nickel-chromium, nickel-chromium-silicon, tungsten-silicon, molybdenum-silicon, tungsten, molybdenum, titanium, chromium, etc., and vapor deposition, ion plating, sputtering, etc.
  • substrate 11 is installed in the film-forming chamber of a vacuum evaporation apparatus, the metal piece used as an adhesion
  • the film formation chamber is evacuated (pressure of 10 ⁇ 2 Pa or less), the metal piece arranged in the vapor deposition source is heated and vapor-deposited, and the molecules of the vapor-deposited metal piece are deposited on the first substrate 11. By doing so, a thin film metal layer to be an adhesion metal layer is formed.
  • an excessive thin film metal layer is removed by etching, thereby forming an adhesion metal layer.
  • a barrier layer is deposited on the upper surface of the adhesion metal layer, and the barrier layer has good bondability and wettability with the adhesion metal layer and the plating layer. The adhesion metal layer and the plating layer are firmly bonded and the adhesion metal layer and the plating are plated. It acts to prevent interdiffusion with the layers.
  • the barrier layer is made of, for example, nickel-chromium, platinum, palladium, nickel, cobalt, and the like, and is deposited on the surface of the adhesion metal layer by a thin film forming technique such as vapor deposition, ion plating, or sputtering.
  • the thickness of the adhesive metal layer is preferably about 0.01 to 0.5 ⁇ m. If it is less than 0.01 ⁇ m, it tends to be difficult to firmly adhere the adhesion metal layer on the first substrate 11. When the thickness exceeds 0.5 ⁇ m, peeling of the adhesion metal layer is likely to occur due to internal stress during the formation of the adhesion metal layer.
  • the thickness of the barrier layer is preferably about 0.05 to 1 ⁇ m. If it is less than 0.05 ⁇ m, defects such as pinholes tend to occur, making it difficult to function as a barrier layer. When the thickness exceeds 1 ⁇ m, the barrier layer is easily peeled off due to internal stress during film formation.
  • the plating layer is deposited on the exposed surface of the thin film layer by electrolytic plating or electroless plating.
  • the plating layer is made of a metal having excellent corrosion resistance such as nickel, copper, gold, or silver, and connectivity with a connection member.
  • the layers are deposited sequentially. As a result, it is possible to effectively prevent the surface metal layer 13 from corroding and to strengthen the bonding between the surface metal layer 13 and the wiring conductor formed on the wiring board.
  • a metal layer such as copper (Cu) or gold (Au) may be disposed on the barrier layer so that the plating layer is formed satisfactorily.
  • the metal layer is formed by the same method as the thin film layer.
  • the bonding metal layer 14 can be manufactured by the same method as that for the surface metal layer 13 described above. Note that, when the bonding metal layer 14 is formed by the above-described thin film layer, the bonding metal layer 14 is formed by a metal layer having excellent heat resistance because the bonding metal layer 14 is bonded to the second substrate 12 by the bonding material 15 described later.
  • the width of the bonding layer metal layer 14 in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion 11a is equal to or larger than the width of the surface metal layer 13.
  • the joining metal layer 14 in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion 11a is not less than the width of the surface metal layer 13 in the region where the mounting portion 11a is located, as in the example shown in FIG. W21 ⁇ W11, W22 ⁇ W12).
  • the first substrate 11 is preferably an aluminum nitride sintered body having excellent thermal conductivity.
  • the first substrate 11 and the second substrate 12 are composed of a bonding metal layer 14 positioned on the second main surface of the first substrate 11 and a third main surface of the second substrate 12 such as TiCuAg alloy, TiSnAgCu, etc. Bonded by a bonding material 15 made of an active brazing material.
  • the bonding material is disposed between the first substrate 11 and the second substrate 12 so as to have a thickness of about 10 ⁇ m.
  • the first substrate 11 has a rectangular shape in plan view.
  • the second substrate 12 has a rectangular shape in plan view.
  • a square composite substrate is formed.
  • the square shape is a square shape such as a square shape or a rectangular shape.
  • the first substrate 11 and the second substrate 12 are rectangular in plan view, and a rectangular composite substrate is formed.
  • the substrate thickness T1 of the first substrate 11 is, for example, about 50 ⁇ m to 500 ⁇ m
  • the substrate thickness T2 of the second substrate 12 is, for example, about 100 ⁇ m to 2000 ⁇ m.
  • T2> T1 the first substrate 11 and the second substrate 12 can radiate the heat of the first substrate 11 to the second substrate 12 satisfactorily.
  • the surface metal layer 13 is provided on the first main surface of the first substrate 11, whereby the electronic element mounting substrate 1. Is formed.
  • the thermal conductivity ⁇ of the first substrate 11 is substantially constant in the x direction and the y direction in the planar direction as in the example shown in FIG. 2, and the z direction in the thickness direction of the first substrate 11 is also x in the planar direction.
  • Direction and y direction ( ⁇ x ⁇ y ⁇ z).
  • a substrate having a thermal conductivity ⁇ of about 100 to 200 W / m ⁇ K is used as the first substrate 11.
  • the size of the thermal conductivity ⁇ of the second substrate 12 is different between the x direction and the y direction in the plane direction.
  • the relationship between the thermal conductivities ⁇ x, ⁇ y, and ⁇ z in the respective directions of the second substrate 12 shown in FIG. 2 is “thermal conductivity ⁇ x ⁇ thermal conductivity ⁇ z >> thermal conductivity ⁇ y”.
  • the thermal conductivity ⁇ of the second substrate 12 the x direction in the plane direction and the z direction in the thickness direction are equivalent, and the y direction in the plane direction is different.
  • the thermal conductivity ⁇ x and the thermal conductivity ⁇ z of the second substrate 12 are about 1000 W / m ⁇ K
  • the thermal conductivity ⁇ y of the second substrate 12 is about 4 W / m ⁇ K.
  • a rectangular electronic element 2 is mounted on the mounting portion 11a located on the first main surface of the electronic element mounting board 1, and the electronic element mounting board 1 is mounted on a wiring board or an electronic element mounting package.
  • the electronic element 2 mounted on the electronic element mounting substrate 1 is, for example, a light emitting element such as an LD (Laser Diode), or a light receiving element such as a PD (Photo Diode).
  • LD Laser Diode
  • PD Photo Diode
  • the electrode of the electronic element 2 and the other side are connected via a connecting member 3 such as a bonding wire.
  • the surface metal layer 13 is electrically connected to the electronic element mounting substrate 1.
  • the electrode of the electronic element 2 and the other surface metal layer 13 are electrically connected by a plurality of connection members 3.
  • the wiring board or the electronic element mounting package on which the electronic element mounting substrate 1 is mounted can use an insulating substrate such as ceramics, for example, similarly to the first substrate 11, and has a wiring conductor on the surface. . Then, the surface metal layer 13 of the electronic device mounting board 1 and the wiring conductor of the wiring board or electronic device mounting package are electrically connected.
  • the first main surface 11 is made of an insulator and has a rectangular shape, and the rectangular electron is located on the first main surface.
  • the surface metal layer 13 having the mounting portion 11a of the element 2 and the third main surface and the third main surface that are located on the second main surface opposite to the first main surface, are made of a carbon material, and face the second main surface.
  • a second substrate 12 having a fourth main surface facing each other, and the bonding metal layer 14 is located on the second main surface.
  • the second substrate 12 has a length of the mounting portion 11a.
  • the heat conduction in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion 11a is larger than the heat conduction in the direction, and the width of the bonding metal layer 14 in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion 11a is It is more than the width.
  • a range wider than the surface metal layer 13 is favorably bonded to the bonding metal layer 14, and the heat from the surface metal layer 13 is transferred to the second substrate 12 side.
  • Heat can be transferred to the surface of the mounting portion 11a through the second substrate 12 in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion 11a. Light can be emitted well by reducing expansion of the electronic element 2 due to the generated heat and suppressing displacement of the electronic element 2 or distortion of the electronic element mounting substrate 1.
  • the electronic element mounting substrate 1 having the above configuration, the electronic element 2 mounted on the mounting portion 11a of the electronic element mounting substrate 1, and the electronic element mounting substrate 1 are mounted.
  • the wiring board or the electronic element storage package an electronic device having excellent long-term reliability can be obtained.
  • the electronic device of the present embodiment is connected to the wiring conductor and the connection pad of the module substrate via the bonding material 6 such as solder to form an electronic module. Thereby, the electronic element 2 and the connection pad of the module substrate are electrically connected.
  • the electronic device having the above configuration and the module substrate to which the electronic device is connected can provide excellent long-term reliability.
  • Both end portions of the bonding layer metal layer 14 in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion 11a are both ends of the surface metal layer 13 along the outer edge of the first substrate 11 as shown in FIGS.
  • a range wider than the surface metal layer 13 is joined along the outer edge of the first substrate 11 in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion 11a. It is well bonded by the metal layer 14 so that the heat from the surface metal layer 13 is easily transferred to the second substrate 12 side, and is excellent in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion 11a via the second substrate 12.
  • Heat can be transferred, heat is dissipated well over the entire mounting portion 11a, the expansion of the electronic element 2 due to the heat generated from the electronic element 2 is reduced, the displacement of the electronic element 2, or the distortion of the electronic element mounting substrate 1 By suppressing the light, light can be emitted well.
  • the distance between the end of the bonding layer metal layer 14 and the end of the surface metal layer 13 in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion 11a is the first substrate along the outer edge of the first substrate 11 in a plan view.
  • the substrate thickness T1 is 11 or more, heat from the surface metal layer 13 is easily transferred to the second substrate 12 side at the end along the outer edge of the first substrate 11.
  • heat can be transferred favorably in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion 11a.
  • the distance between the width of the bonding layer metal layer 14 and the width of the surface metal layer 13 in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion 11a is determined along the outer edge of the first substrate 11 in a plan view. 11 or more (W21 ⁇ W11 ⁇ 2T1, W22 ⁇ W12 ⁇ 2T1), the heat from the surface metal layer 13 at the both ends along the outer edge of the first substrate 11 Heat can be easily transferred to the substrate 12 side, and heat can be favorably transferred through the second substrate 12 in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion 11a.
  • the surface metal layer 13 provided on the first main surface of the first substrate 11 or the bonding metal layer 14 provided on the second main surface of the first substrate 11 is formed by the thin film method in the above example.
  • a metal layer using a conventionally known cofire method or postfire method may be used.
  • the surface metal layer 13 or the bonding metal layer 14 is formed on the first substrate 11 in advance before the first substrate 11 and the second substrate 12 are bonded. It is provided on one main surface or the second main surface.
  • the bonding metal layer 14 provided on the second main surface of one substrate 11 may be formed by a thin film method.
  • the electronic element mounting substrate 1 in the second embodiment is different from the electronic element mounting substrate 1 in the above-described embodiment in that it is located on the fourth main surface of the second substrate 12 and is made of an insulator.
  • the third substrate 16 has a seventh main surface facing the main surface and an eighth main surface facing the seventh main surface.
  • the surface metal layer 13 is indicated by hatching in the example shown in FIG.
  • the electronic element mounting substrate 1 in the second embodiment in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion 11a, as compared with the surface metal layer 13, as in the electronic element mounting substrate 1 in the above-described embodiment.
  • the wide range is satisfactorily bonded by the bonding metal layer 14, heat from the surface metal layer 13 is easily transferred to the second substrate 12 side, and is perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion 11a via the second substrate 12.
  • Heat can be transferred in the crossing direction, heat is dissipated well over the entire mounting portion 11a, expansion of the electronic element 2 due to heat generated from the electronic element 2 is reduced, and the electronic element 2 is misaligned or mounted. Light can be emitted satisfactorily by suppressing the distortion of the working substrate 1.
  • the first substrate 11 has a rectangular shape in plan view.
  • the second substrate 12 has a rectangular shape in plan view.
  • the third substrate 16 has a rectangular shape in plan view.
  • the square shape is a square shape such as a square shape or a rectangular shape.
  • the first substrate 11, the second substrate 12, and the third substrate 16 are rectangular in plan view, and a rectangular composite substrate is formed.
  • the third substrate 16 can be manufactured using the same material and method as the first substrate 11 described above.
  • the thermal conductivity ⁇ 2 of the fourth substrate 13 is substantially constant in the x direction and the y direction in the plane direction, and the thickness direction of the fourth substrate 14 is the same as in the example shown in FIG.
  • the z direction at is also equivalent to the x and y directions in the plane direction ( ⁇ x2 ⁇ y2 ⁇ z2).
  • a substrate having a thermal conductivity ⁇ 2 of about 100 to 200 W / m ⁇ K is used as the first substrate 16.
  • the first substrate 11, the second substrate 12, and the third substrate 16 may be bonded simultaneously.
  • the first substrate 11, the second substrate 12, and the third substrate 16 are stacked in this order, from the first main surface side of the first substrate 11 and the eighth main surface side of the third substrate 16.
  • the first substrate 11, the second substrate 12, and the third substrate 16 are bonded satisfactorily, and the electronic element mounting substrate 1 having excellent reliability can be obtained.
  • the first substrate 11, the second substrate 12, and the third substrate 16 at the same time, it is possible to suppress the exposure of the second substrate 12 and to prevent the deterioration due to the outside air at the time of manufacture.
  • the first substrate 11 and the second substrate 12 are separated from each other.
  • the distortion of the electronic element mounting substrate 1 due to the difference in thermal expansion is suppressed, and it is possible to easily emit light by suppressing the displacement of the electronic element 2 or the distortion of the electronic element mounting substrate 1.
  • the third substrate 16 uses an insulator made of substantially the same material as the first substrate 11, that is, for example, a 150 W / m ⁇ K aluminum nitride sintered body is used as the first substrate 11.
  • a 150 W / m ⁇ K aluminum nitride sintered body is used as the third substrate 16
  • light can be emitted more effectively by suppressing distortion of the electronic device mounting substrate 1. Can be easier.
  • the substrate thickness T3 of the third substrate 16 is, for example, about 50 ⁇ m to 500 ⁇ m, similarly to the substrate thickness T1 of the first substrate 11.
  • the substrate thickness T1 of the first substrate 11 and the substrate thickness T3 of the third substrate 16 are equivalent substrate thicknesses within a range of about 10% (0.90T1 ⁇ T3 ⁇ 1.10T1), and the electronic device is more effectively By suppressing the distortion of the mounting substrate 1, it is possible to favorably easily emit light.
  • the substrate thickness of the first substrate 11 is 100 ⁇ m
  • the substrate thickness of the third substrate 16 may be 100 ⁇ m (90 ⁇ m to 110 ⁇ m).
  • the third substrate 16 has the bonding metal layer 14 on the fifth main surface side, and similarly to the first substrate 11 side, the second substrate. 12 and the bonding metal layer 14 located on the third substrate 16 can be bonded well by the bonding material 15.
  • the bonding metal layer 14 positioned on the fifth main surface of the third substrate 16 can be manufactured by the same method as the bonding metal layer 14 positioned on the second main surface of the first substrate 11.
  • the width of the bonding metal layer 14 positioned on the fifth main surface of the third substrate 16 in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion 11a is equal to the width of the bonding metal positioned on the second main surface of the first substrate 11.
  • the width is larger than the width of the surface metal layer 13, a range wider than the surface metal layer 13 is favorably bonded to the bonding metal layer 14 in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion 11a.
  • Heat from the second substrate 12 is easily transferred to the third substrate 16 side, and is favorably transferred through the second substrate 12 and the third substrate 16 in a direction perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion 11a.
  • the third substrate 16 may have a bonding layer on the sixth main surface side.
  • the bonding layer positioned on the third substrate 16 can be used, for example, for bonding the electronic element mounting substrate 1 and the conductor layer positioned on the wiring substrate or the electronic element mounting package.
  • the bonding layer can be manufactured by the same method as that for the surface metal layer 13 described above.
  • the bonding layer may be positioned on substantially the entire lower surface of the fourth substrate 14 to improve heat dissipation from the electronic element mounting substrate 1 to the wiring substrate or the electronic element mounting package. it can.
  • the electronic element mounting substrate 1 of the second embodiment can be manufactured using the same manufacturing method as the electronic element mounting substrate 1 of the above-described embodiment.
  • the electronic element mounting substrate 1 in the third embodiment is different from the electronic element mounting substrate 1 in the above-described embodiment in that it has a frame-shaped fourth substrate 17 surrounding four side surfaces of the second substrate 12. It is a point.
  • the outer edge of the second substrate 12 is indicated by a broken line in plan perspective.
  • the surface metal layer 13 is indicated by hatching in the example shown in FIG.
  • the electronic element mounting substrate 1 in the third embodiment in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion 11a, as compared with the surface metal layer 13, as in the electronic element mounting substrate 1 in the above-described embodiment.
  • the wide range is satisfactorily bonded by the bonding metal layer 14, heat from the surface metal layer 13 is easily transferred to the second substrate 12 side, and is perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion 11a via the second substrate 12.
  • Heat can be transferred in the crossing direction, heat is dissipated well over the entire mounting portion 11a, expansion of the electronic element 2 due to heat generated from the electronic element 2 is reduced, and the electronic element 2 is misaligned or mounted. Light can be emitted satisfactorily by suppressing the distortion of the working substrate 1.
  • the substrate thickness T4 of the fourth substrate 17 is, for example, about 100 ⁇ m to 2000 ⁇ m, similar to the substrate thickness T2 of the second substrate 12.
  • the substrate thickness T2 of the second substrate 12 and the substrate thickness T4 of the fourth substrate 17 are the same, and are the same substrate thickness within a range of about 5% (0.95T2 ⁇ T4 ⁇ 1.05T2).
  • the thermal conductivity ⁇ 3 of the fourth substrate 17 is substantially constant in the x direction and the y direction in the planar direction as in the example shown in FIG. 11, and the z direction in the thickness direction of the fourth substrate 17 is also x in the planar direction.
  • the direction is equivalent to the y direction ( ⁇ x3 ⁇ y3 ⁇ z3).
  • a substrate having a thermal conductivity ⁇ 3 of about 100 to 200 W / m ⁇ K is used as the fourth substrate 17.
  • a substrate having a thermal conductivity ⁇ 3 of about 400 W / m ⁇ K is used as the fourth substrate 17.
  • the third substrate 16 uses an insulator made of substantially the same material as the first substrate 11, that is, for example, a 150 W / m ⁇ K aluminum nitride sintered body is used as the first substrate 11.
  • a 150 W / m ⁇ K aluminum nitride sintered body is used as the third substrate 16
  • light can be emitted more effectively by suppressing distortion of the electronic device mounting substrate 1. Can be easier.
  • the fourth substrate 17 uses an insulator made of substantially the same material as the first substrate 11 and the third substrate 16, that is, for example, 150 W / m ⁇ as the first substrate 11 and the third substrate 16.
  • the seventh main surface and the eighth surface of the fourth substrate 17 are used when the aluminum nitride sintered body of 150 W / m ⁇ K is used.
  • the bonding metal layer 14 is provided on the main surface, the bonding metal layer 14 located on the first substrate 11 and the third substrate 16 can be bonded well.
  • the first substrate 11 has a rectangular shape in plan view.
  • the second substrate 12 has a rectangular shape in plan view.
  • the third substrate 16 has a rectangular shape in plan view.
  • the fourth substrate 17 has a rectangular frame shape in plan view.
  • a through hole for embedding the second substrate 12 is formed in the fourth substrate 17 in advance, and the inner surface of the through hole of the fourth substrate 17 and the second substrate
  • the outer surface of 12 is bonded by a bonding material 15 made of an active brazing material such as TiCuAg alloy or TiSnAgCu, and both main surfaces of the fourth substrate 16 embedded with the second substrate 12 are bonded to the first substrate 11 by the bonding material 15. It is formed by adhering to the third substrate 16.
  • the first substrate 11, the second substrate 12, the third substrate 16, and the fourth substrate 17 may be bonded simultaneously.
  • the second substrate 12 may be embedded in the through hole of the fourth substrate 17 and the first substrate 11 and the third substrate 16 may be bonded to the second substrate 12 and the fourth substrate 17.
  • the first substrate 11 and the second substrate 12 are bonded by applying pressure or the like from the first main surface side of the first substrate 11 and the sixth main surface side of the third substrate 16.
  • the third substrate 16 and the fourth substrate 17 are bonded well, and the electronic element mounting substrate 1 having excellent reliability can be obtained.
  • the exposure of the radiator 13 is suppressed and the deterioration due to the outside air is suppressed during manufacturing. I can do it.
  • the electronic element mounting substrate 1 of the third embodiment can be manufactured by using the same manufacturing method as the electronic element mounting substrate 1 of the above-described embodiment.
  • the electronic element mounting substrate 1 according to the fourth embodiment is different from the electronic element mounting substrate 1 according to the above-described embodiment in that a plurality of mounting portions 11a are arranged.
  • the direction in which the plurality of mounting portions 11a are arranged is regarded as the longitudinal direction of the mounting portion 11a (the y direction in FIGS. 16 and 17).
  • the surface metal layer 13 and the second surface metal layer 18 are indicated by hatching in the example shown in FIG.
  • the bonding metal layer 14 has a wider range than the surface metal layer 13 in the direction perpendicular to the longitudinal direction in which the plurality of mounting portions 11a are arranged. Bonded, heat from the surface metal layer 13 is easily transferred to the second substrate 12 side, and heat is transferred in the direction perpendicular to the longitudinal direction in which the plurality of mounting portions 11a are arranged via the second substrate 12. It is possible to radiate well over the entire mounting portion 11a and to suppress the distortion of the electronic element mounting substrate 1 so that light can be emitted well.
  • the second surface metal layer 18 can be manufactured by the same material and method as those of the surface metal layer 13 described above.
  • the second substrate 12 has a plurality of second substrates 12 positioned so as to overlap each of the plurality of mounting portions 11a, but the examples shown in FIGS. Thus, it may be arranged as one second substrate 12 overlapping the plurality of mounting portions 11a.
  • the second substrate 12 is arranged so that the heat conduction in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion 11a is larger than the heat conduction in the longitudinal direction where the plurality of mounting portions 11a are arranged.
  • the electronic element mounting substrate 1 of the fourth embodiment can be manufactured by using the same manufacturing method as the electronic element mounting substrate 1 of the above-described embodiment.
  • the electronic element mounting substrate 1 according to the fifth embodiment differs from the electronic element mounting substrate 1 according to the above-described embodiment in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion 11a, in other words, the length of the mounting portion 11a.
  • the second main surface of the first substrate 11 is convex to the third main surface side of the second substrate 12 in a longitudinal sectional view perpendicular to the direction.
  • the surface metal layer 13 is indicated by hatching in the example shown in FIG.
  • the electronic element mounting substrate 1 in the fifth embodiment in the direction perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion 11a, as compared with the surface metal layer 13, the electronic element mounting substrate 1 in the above-described embodiment.
  • the wide range is satisfactorily bonded by the bonding metal layer 14, heat from the surface metal layer 13 is easily transferred to the second substrate 12 side, and is perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion 11a via the second substrate 12.
  • Heat can be transferred in the crossing direction, heat is dissipated well over the entire mounting portion 11a, expansion of the electronic element 2 due to heat generated from the electronic element 2 is reduced, and the electronic element 2 is misaligned or mounted. Light can be emitted satisfactorily by suppressing the distortion of the working substrate 1.
  • the second main surface of the first substrate 11 is convex toward the third main surface side of the second substrate 11 over the longitudinal direction of the mounting portion 11a (the y direction in FIGS. 20 and 21).
  • the second main surface of the first substrate 11 is convex toward the third main surface side of the second substrate 11 over the longitudinal direction of the mounting portion 11a.
  • the first substrate 11 is formed so that the surface on which the bonding metal layer 14 is located is convex, and the bonding metal layer 14 of the first substrate 11 and the second substrate 12 are bonded to each other. After bonding by 15, the first main surface side of the first substrate 11 can be flattened by polishing or the like, and then the surface metal layer 13 can be disposed on the first main surface of the first substrate 11. .
  • the first substrate 11 has a thickness at the central portion larger than the thickness of the outer edge portion.
  • the heat transfer to the substrate 12 is enhanced, the expansion of the electronic element 2 due to the heat generated from the electronic element 2 is reduced, and the positional shift of the electronic element 2 or the distortion of the electronic element mounting substrate 1 is suppressed to achieve a good light. Can be released.
  • the thickness of the first substrate 11 is gradually increased from the outer edge portion to the central portion, the heat transfer to the second substrate 12 in the central portion of the first substrate 11 is further increased, and the heat generated from the electronic element 2 is increased.
  • the second substrate 12 side is Since the second substrate 12 is located between the first substrate 11 and the third substrate 16, the electrons due to the difference in thermal expansion between the first substrate 11, the second substrate 12, and the third substrate 16.
  • the distortion of the element mounting substrate 1 is suppressed, and it is possible to favorably emit light by suppressing the displacement of the electronic element 2 or the distortion of the electronic element mounting substrate 1.
  • the bonding material 15 is located between the bonding metal layer 14 and the third main surface, and the bonding material 15 has an outer edge that is thicker than the thickness of the central portion in a longitudinal sectional view perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion 11a. Since the thickness of the portion is large, heat generated from the electronic element 2 is easily transmitted not only to the central portion of the electronic element mounting substrate 1 but also to the outer edge portion of the electronic element mounting substrate 1.
  • the thermal conductivity of the electronic device 2 is suppressed, the heat transfer to the second substrate 12 is facilitated efficiently, the expansion of the electronic device 2 due to the heat generated from the electronic device 2 is reduced, the position of the electronic device 2 is shifted, Alternatively, light can be emitted favorably by suppressing the distortion of the electronic element mounting substrate 1.
  • the heat generated from the electronic element 2 is generated by the electronic element mounting substrate. It becomes easy to be transmitted not only in the central part of 1 but also on the outer edge part of the electronic element mounting substrate 1, and the bias of the heat conduction of the electronic element mounting substrate 1 is further suppressed, and the second substrate 12 is efficiently transferred. It becomes easy to conduct heat, reduces the expansion of the electronic element 2 due to heat generated from the electronic element 2, and emits light well by suppressing the displacement of the electronic element 2 or the distortion of the electronic element mounting substrate 1. be able to.
  • the fourth substrate 17 is provided outside the second substrate 12, and the fourth substrate 17 is located at a portion where the thickness of the bonding material 15 is large. If this is the case, the heat generated from the electronic element 2 is not easily transmitted to the outer edge of the electronic element mounting substrate 1, and the bias of the heat conduction of the electronic element mounting substrate 1 is effectively suppressed. It becomes easy to efficiently transfer heat to the two substrates 12, reduces expansion of the electronic device 2 due to heat generated from the electronic device 2, and suppresses displacement of the electronic device 2 or distortion of the electronic device mounting substrate 1. Can emit light well.
  • the fourth substrate 17 when the fourth substrate 17 is located in a portion where the thickness of the bonding material 15 is large in a vertical cross-sectional view perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion 11a, the heat generated from the electronic device 2 is used for mounting the electronic device. It becomes difficult to transmit excessively to the outer edge portion of the substrate 1, the bias of the heat conduction of the electronic device mounting substrate 1 is effectively suppressed, and it becomes easy to efficiently transfer heat to the second substrate 12.
  • the light can be emitted well by reducing the expansion of the electronic element 2 due to the heat generated from 2 and suppressing the displacement of the electronic element 2 or the distortion of the electronic element mounting substrate 1.
  • the fourth substrate 17 when the fourth substrate 17 is located in a portion corresponding to a portion where the thickness of the first substrate 11 is small in a longitudinal sectional view perpendicular to the longitudinal direction of the mounting portion 11a, heat generated from the electronic element 2 is obtained. Becomes difficult to be excessively transmitted to the outer edge of the electronic element mounting substrate 1, the bias of the heat conduction of the electronic element mounting substrate 1 is effectively suppressed, and heat is efficiently transferred to the second substrate 12. Thus, the expansion of the electronic element 2 due to heat generated from the electronic element 2 is reduced, and the light can be favorably emitted by suppressing the displacement of the electronic element 2 or the distortion of the electronic element mounting substrate 1. .
  • the electronic element mounting substrate 1 is formed with the third substrate 16 having a convex surface on which the bonding metal layer 14 is provided, and the bonding metal layer between the second substrate 12 and the third substrate 16. 14 is bonded with a bonding material 15, and the sixth main surface side of the third substrate 16 is planarized by polishing or the like.
  • the convex first substrate 11 is arranged on the third main surface side of the second substrate 12, and the convex third substrate 16 is arranged on the fourth main surface side of the second substrate 12, the first substrate 11, The second substrate 12 and the third substrate 16 may be bonded together by the bonding material 15 at the same time.
  • the third substrate 16 may have the same configuration as the first substrate 11 described above.
  • the bonding metal layer 14 and the bonding material 15 on the third substrate 16 side may have the same configuration as the bonding metal layer 14 and the bonding material 15 on the first substrate 11 side.
  • the positional relationship between the fourth substrate 17 and the bonding material 15 on the third substrate 16 side has the same configuration as the positional relationship between the fourth substrate 17 and the bonding material 15 on the first substrate 11 side. May be.
  • the positional relationship between the fourth substrate 17 and the third substrate 16 may have the same configuration as the positional relationship between the fourth substrate 17 and the first substrate 11 described above.
  • the electronic element mounting substrate 1 of the fifth embodiment can be manufactured using the same manufacturing method as the electronic element mounting substrate 1 of the above-described embodiment.
  • the present disclosure is not limited to the example of the above-described embodiment, and various modifications can be made.
  • the composite substrate has a rectangular shape having notches or chamfered portions at corners of the composite substrate. It doesn't matter.
  • a plurality of mounting portions 11a are arranged on the second main surface of the first substrate 11 in the same manner as the electronic element mounting substrate 1 of the fifth embodiment. Further, it may be convex toward the third main surface side of the second substrate 11 over the longitudinal direction (the x direction in FIGS. 17 and 18).

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Abstract

電子素子搭載用基板は、第１主面を有し、絶縁体からなり、方形状である第１基板と、第１主面に位置し、矩形状である電子素子の搭載部を有する表面金属層と、第１主面と相対する第２主面に位置し、炭素材料からなり、第２主面と対向する第３主面および第３主面と相対する第４主面を有する第２基板とを有しており、第２主面に接合金属層が位置しており、平面透視において、第２基板は、搭載部の長手方向の熱伝導より搭載部の長手方向に垂直に交わる方向の熱伝導が大きく、搭載部の長手方向に垂直に交わる方向における接合金属層の幅の大きさは、表面金属層の幅の大きさ以上である。

Description

電子素子搭載用基板、電子装置および電子モジュール
　本発明は、電子素子搭載用基板、電子装置および電子モジュールに関するものである。
　従来、電子素子搭載用基板は、第１主面と第２主面と側面とを有する絶縁基板と、絶縁基板の第１主面に位置した電子素子の搭載部および配線層とを有している。電子素子搭載用基板において、電子素子の搭載部に電子素子を搭載した後、電子素子収納用パッケージに搭載されて電子装置となる（特開2013-175508号公報参照。）。
　本開示の電子素子搭載用基板は、第１主面を有し、絶縁体からなり、方形状である第１基板と、前記第１主面に位置し、矩形状である電子素子の搭載部を有する表面金属層と、前記第１主面と相対する第２主面に位置し、炭素材料からなり、前記第２主面と対向する第３主面および該第３主面と相対する第４主面を有する第２基板とを有しており、前記第２主面に接合金属層が位置しており、平面透視において、前記第２基板は、前記搭載部の長手方向の熱伝導より前記搭載部の長手方向に垂直に交わる方向の熱伝導が大きく、前記搭載部の長手方向に垂直に交わる方向における前記接合金属層の幅の大きさは、前記表面金属層の幅の大きさ以上である。
　本開示の電子装置は、上記構成の電子素子搭載用基板と、該電子素子搭載用基板の前記搭載部に搭載された電子素子と、前記電子素子搭載用基板が搭載された配線基板または電子素子収納用パッケージとを有している。
　本開示の電子モジュールは、上記構成の電子装置と、該電子装置が接続されたモジュール用基板とを有する。
（ａ）は、第１の実施形態における電子素子搭載用基板を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図である。 図１に示された電子素子搭載用基板の第１基板と、第２基板とをそれぞれ分解した斜視図である。 （ａ）は、図１（ａ）に示された電子素子搭載用基板のＡ－Ａ線における縦断面図であり、（ｂ）は、図１（ａ）に示された電子素子搭載用基板のＢ－Ｂ線における縦断面図であり、（ｃ）は、図１（ａ）に示された電子素子搭載用基板のＣ－Ｃ線における縦断面図である。 図３（ａ）のＡ部における要部拡大縦断面図である。 （ａ）は、図１（ａ）に示された電子素子搭載用基板に電子素子を搭載した状態を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ－Ｂ線における縦断面図である。 （ａ）は、第２の実施形態における電子素子搭載用基板を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図である。 図６に示された電子素子搭載用基板の第１基板と、第２基板と、第３基板とを分解した斜視図である。 （ａ）は、図６（ａ）に示された電子素子搭載用基板のＡ－Ａ線における縦断面図であり、（ｂ）は、図６（ａ）に示された電子素子搭載用基板のＢ－Ｂ線における縦断面図であり、（ｃ）は、図６（ａ）に示された電子素子搭載用基板のＣ－Ｃ線における縦断面図である。 図８（ａ）のＡ部における要部拡大縦断面図である。 （ａ）は、図５（ａ）に示された電子素子搭載用基板に電子素子を搭載した状態を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ－Ｂ線における縦断面図である。 （ａ）は、第３の実施形態における電子素子搭載用基板を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図である。 図１１に示された電子素子搭載用基板の第１基板と、第２基板と、第３基板と、第４基板とを分解した斜視図である。 （ａ）は、図11（ａ）に示された電子素子搭載用基板のＡ－Ａ線における縦断面図であり、（ｂ）は、図11（ａ）に示された電子素子搭載用基板のＢ－Ｂ線における縦断面図であり、（ｃ）は、図11（ａ）に示された電子素子搭載用基板のＣ－Ｃ線における縦断面図である。 図13（ａ）のＡ部における要部拡大縦断面図である。 （ａ）は、図11（ａ）に示された電子素子搭載用基板に電子素子を搭載した状態を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ－Ｂ線における縦断面図である。に示された電子素子搭載用基板に電子素子を搭載した状態を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＢ－Ｂ線における縦断面図である。 （ａ）は、第４の実施形態における電子素子搭載用基板を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図である。 （ａ）は、図16（ａ）に示された電子素子搭載用基板のＡ－Ａ線における縦断面図であり、（ｂ）は図16（ａ）に示された電子素子搭載用基板のＢ－Ｂ線における縦断面図であり、（ｃ）は、図16（ａ）に示された電子素子搭載用基板のＣ－Ｃ線における縦断面図である。 （ａ）は、第４の実施形態の他の例における電子素子搭載用基板を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図である。 （ａ）は、図18（ａ）に示された電子素子搭載用基板のＡ－Ａ線における縦断面図であり、（ｂ）は図18（ａ）に示された電子素子搭載用基板のＢ－Ｂ線における縦断面図であり、（ｃ）は、図18（ａ）に示された電子素子搭載用基板のＣ－Ｃ線における縦断面図である。 （ａ）は、第５の実施形態における電子素子搭載用基板を示す上面図であり、（ｂ）は（ａ）の下面図である。 （ａ）は、図20（ａ）に示された電子素子搭載用基板のＡ－Ａ線における縦断面図であり、（ｂ）は、（ａ）に示された電子素子搭載用基板のＡ部における要部拡大断面図である。
　本開示のいくつかの例示的な実施形態について、添付の図面を参照しつつ説明する。
　（第１の実施形態）
　本開示の第１の実施形態における電子素子搭載用基板１は、図１～図５に示された例のように、第１基板11と第２基板12とを含んでいる。電子装置は、電子素子等用基板１と、電子素子搭載用基板の搭載部11ａに搭載された電子素子２と、電子素子搭載用基板１が搭載された配線基板とを含んでいる。電子装置は、例えば電子モジュールを構成するモジュール用基板上の接続パッドに接合材を用いて接続される。
　本実施形態における電子素子搭載用基板１は、第１主面を有し、絶縁体からなり、方形状である第１基板11と、第１主面に位置し、矩形状である電子素子２の搭載部11ａを有する表面金属層13と、第１主面と相対する第２主面に位置し、炭素材料からなり、第２主面と対向する第３主面および第３主面と相対する第４主面を有する第２基板12とを有しており、第２主面に接合金属層14が位置している。平面透視において、第２基板12は、搭載部11ａの長手方向の熱伝導より搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる方向の熱伝導が大きく、搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる方向における接合金属層14の幅の大きさは、表面金属層13の幅の大きさ以上である。図１～図５において、電子素子２は仮想のｘｙｚ空間におけるｘｙ平面に実装されている。図１～図５において、上方向とは、仮想のｚ軸の正方向のことをいう。なお、以下の説明における上下の区別は便宜的なものであり、実際に電子素子搭載用基板１等が使用される際の上下を限定するものではない。
　表面金属層13は、図１（ａ）に示す例において、ハッチングにて示している。
　第１基板11は、第１主面（図１～図４では上面）および第２主面（図１～図４では下面）を有している。第１主面と第２主面とは相対して位置している。第１基板11は、単層または複数の絶縁層からなり、平面視において、第１主面および第２主面のそれぞれに対して二組の対向する辺（４辺）を有した方形の板状の形状を有している。第１基板11は、長方形状の電子素子２を支持するための支持体として機能し、第１基板11の第１主面に位置した矩形状の搭載部11ａ上に電子素子２がＡｕ－Ｓｎ等の接合部材を介して接着され固定される。
　第１基板11は、例えば、酸化アルミニウム質焼結体（アルミナセラミックス），窒化アルミニウム質焼結体，ムライト質焼結体またはガラスセラミックス焼結体等のセラミックスを用いることができる。第１基板11は、例えば窒化アルミニウム質焼結体である場合であれば、窒化アルミニウム（ＡｌＮ），酸化エルビニウム（Ｅｒ2Ｏ3）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）等の原料粉末に適当な有機バインダーおよび溶剤等を添加混合して泥漿物を作製する。上記の泥漿物を、従来周知のドクターブレード法またはカレンダーロール法等を採用してシート状に成形することによってセラミックグリーンシートを作製する。必要に応じて、セラミックグリーンシートを複数枚積層し、高温（約1800℃）で焼成することによって、単層または複数の絶縁層からなる第１基板11が製作される。
　第２基板12は、第３主面（図１～図４では上面）および第４主面（図１～図４では下面）を有している。第３主面と第４主面とは相対して位置している。
　第２基板12は、例えば、炭素材料からなり、六員環が共有結合でつながったグラフェンが積層した構造体として形成される。各面がファンデルワールス力で結合された材料である。
　表面金属層13は、第１基板11の第１主面に位置している。表面金属層13は、電子素子11の搭載部11ａ、あるいはボンディングワイヤ等の接続部材３の接続部として用いられ、電子素子２と配線基板の配線導体とを電気的に接続するためのものである。
　表面金属層13は、薄膜層およびめっき層とを含んでいる。薄膜層は、例えば、密着金属層とバリア層とを有している。薄膜層を構成する密着金属層は、第１基板11の第１主面に形成される。密着金属層は、例えば、窒化タンタル、ニッケル－クロム、ニッケル－クロムーシリコン、タングステン－シリコン、モリブデン－シリコン、タングステン、モリブデン、チタン、クロム等から成り、蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の薄膜形成技術を採用することにより、第１基板11の第１主面に被着される。例えば真空蒸着法を用いて形成する場合には、第１基板11を真空蒸着装置の成膜室内に設置して、成膜室内の蒸着源に密着金属層と成る金属片を配置し、その後、成膜室内を真空状態（１０-2Ｐａ以下の圧力）にするとともに、蒸着源に配置された金属片を加熱して蒸着させ、上記の蒸着した金属片の分子を第１基板11に被着させることにより、密着金属層と成る薄膜金属の層を形成する。そして、薄膜金属層が形成された第１基板11にフォトリソグラフィ法を用いてレジストパターンを形成した後、エッチングによって余分な薄膜金属層を除去することにより、密着金属層が形成される。密着金属層の上面にはバリア層が被着され、バリア層は密着金属層とめっき層と接合性、濡れ性が良く、密着金属層とめっき層とを強固に接合させるとともに密着金属層とめっき層との相互拡散を防止する作用をなす。バリア層は、例えば、ニッケルークロム、白金、パラジウム、ニッケル、コバルト等から成り、蒸着法、イオンプレーティング法、スパッタリング法等の薄膜形成技術により密着金属層の表面に被着される。
　密着金属層の厚さは0.01～0.5μｍ程度が良い。0.01μｍ未満では、第１基板11上に密着金属層を強固に密着させることが困難となる傾向がある。0.5μｍを超える場合は密着金属層の成膜時の内部応力によって密着金属層の剥離が生じ易くなる。また、バリア層の厚さは0.05～１μｍ程度が良い。0.05μｍ未満では、ピンホール等の欠陥が発生してバリア層としての機能を果たしにくくなる傾向がある。１μｍを超える場合は、成膜時の内部応力によりバリア層の剥離が生じ易くなる。
　めっき層は、電解めっき法または無電解めっき法によって、薄膜層の露出した表面に被着される。めっき層は、ニッケル，銅，金または銀等の耐食性、接続部材との接続性に優れる金属から成るものであり、例えば、厚さ0.5～５μｍ程度のニッケルめっき層と0.1～３μｍ程度の金めっき層とが順次被着される。これによって、表面金属層13が腐食することを効果的に抑制できるとともに、表面金属層13と配線基板に形成された配線導体との接合を強固にできる。
　また、バリア層上に、銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等の金属層を配置し、めっき層が良好に形成されるようにしても構わない。上記の金属層は、薄膜層と同様な方法により形成される。
　接合金属層14は、上述の表面金属層13と同様な方法により製作することができる。なお、接合金属層14は、上述の薄膜層により形成する場合、後述する接合材15により第２基板12と接合するため、耐熱性に優れた金属層により形成される。
　搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる方向における接合層金属層14の幅は、表面金属層13の幅の大きさ以上である。搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる方向における接合用金属層14は、図３に示す例のように、搭載部11ａが位置した領域において、表面金属層13の幅の大きさ以上としている（Ｗ２１≧Ｗ１１、Ｗ２２≧Ｗ１２）。
　第１基板11は、熱伝導率に優れた窒化アルミニウム質焼結体が好適に用いられる。第１基板11と第２基板12とは、第１基板11の第２主面に位置した接合用金属層14と第２基板12の第３主面とが、例えば、ＴiＣｕＡｇ合金、ＴｉＳｎＡｇＣｕ等の活性ろう材からなる接合材15により接着される。接合材は、第１基板11と第２基板12との間に10μｍ程度の厚みに配置される。
　第１基板11は、平面視にて、方形状をしている。第２基板12は、平面視にて方形状をしている。第１基板11と２基板12とを接着することにより、方形状の複合基板が形成される。なお、方形状とは、正方形状、長方形状等の四角形状である。図１～図４に示す例において、平面視にて、第１基板11および第２基板12は長方形状をしており、長方形状の複合基板が形成される。
　第１基板11の基板厚みＴ１は、例えば、50μｍ～500μｍ程度であり、第２基板12の基板厚みＴ２は、例えば、100μｍ～2000μｍ程度である。第１基板11と第２基板12とは、Ｔ２＞Ｔ１であると、第１基板11の熱を第２基板12に良好に放熱することができる。
　第１基板11と第２基板12とを接合材15により接合して複合基板を製作した後、第１基板11の第１主面に表面金属層13を設けることで、電子素子搭載用基板１が形成される。
　第１基板11の熱伝導率κは、図２に示す例のように、平面方向におけるｘ方向とｙ方向とで略一定であり、第１基板11の厚み方向におけるｚ方向も平面方向におけるｘ方向とｙ方向と同等である（κｘ≒κｙ≒κｚ）。例えば、第１基板11として、窒化アルミニウム質焼結体が用いられる場合、第１基板11は、100～200Ｗ／ｍ・Ｋ程度の熱伝導率κである基板が用いられる。
　第２基板12の熱伝導率λは、平面方向におけるｘ方向とｙ方向とで大きさが異なっている。図２に示す、第２基板12のそれぞれの方向における熱伝導率λｘ、λｙ、λｚの関係は、「熱伝導率λｘ≒熱伝導率λｚ＞＞熱伝導率λｙ」である。第２基板12の熱伝導率λは、平面方向におけるｘ方向と厚み方向におけるｚ方向とが同等であり、平面方向におけるｙ方向が異なっている。例えば、第２基板12の熱伝導率λｘおよび熱伝導率λｚは、1000Ｗ／ｍ・Ｋ程度であり、第２基板12の熱伝導率λｙは、４Ｗ／ｍ・Ｋ程度である。
　電子素子搭載用基板１の第１主面に位置した搭載部11ａ上に、長方形状の電子素子２を搭載し、上記の電子素子搭載用基板１を配線基板もしくは電子素子搭載用パッケージに搭載することによって電子装置を作製できる。電子素子搭載用基板１に搭載される電子素子２は、例えばＬＤ（Ｌａｓｅｒ　Ｄｉｏｄｅ）等の発光素子、ＰＤ（Ｐｈｏｔｏ　Ｄｉｏｄｅ）等の受光素子である。例えば、電子素子２は、Ａｕ－Ｓｎ等の接合材によって、一方の表面金属層13の搭載部11ａ上に固定された後、ボンディングワイヤ等の接続部材３を介して電子素子２の電極と他方の表面金属層13とが電気的に接続されることによって電子素子搭載用基板１に搭載される。電子素子２の電極と他方の表面金属層13とは、図４に示す例では、複数の接続部材３により電気的に接続されている。電子素子搭載用基板１が搭載される配線基板もしくは電子素子搭載用パッケージは、例えば、第１基板11と同様に、セラミックス等の絶縁基体を用いることができ、表面に配線導体を有している。そして、電子素子搭載用基板１の表面金属層13と配線基板もしくは電子素子搭載用パッケージの配線導体とが電気的に接続される。
　本実施形態の電子素子搭載用基板１によれば、第１主面を有し、絶縁体からなり、方形状である第１基板11と、第１主面に位置し、矩形状である電子素子２の搭載部11ａを有する表面金属層13と、第１主面と相対する第２主面に位置し、炭素材料からなり、第２主面と対向する第３主面および第３主面と相対する第４主面を有する第２基板12とを有しており、第２主面に接合金属層14が位置しており、平面透視において、第２基板12は、搭載部11ａの長手方向の熱伝導より搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる方向の熱伝導が大きく、搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる方向における接合金属層14の幅の大きさは、表面金属層13の幅の大きさ以上である。上記構成により、搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる方向において、表面金属層13よりも幅広な範囲が接合金属層14により良好に接合され、表面金属層13からの熱が第２基板12側に伝熱されやすくし、第２基板12を介して搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる方向に良好に伝熱することができ、搭載部11ａ全体にわたって良好に放熱し、電子素子２から発生する熱による電子素子２の膨張を低減し、電子素子２の位置ずれ、または電子素子搭載用基板１の歪みを抑制することで良好に光を放出することができる。
　本実施形態の電子装置によれば、上記構成の電子素子搭載用基板１と、電子素子搭載用基板１の搭載部11ａに搭載された電子素子２と、電子素子搭載用基板１が搭載された配線基板または電子素子収納用パッケージとを有していることによって、長期信頼性に優れた電子装置とすることができる。
　本実施形態の電子装置が、配線導体とモジュール用基板の接続パッドに半田等の接合材６を介して接続されて、電子モジュールとなる。これにより、電子素子２とモジュール用基板の接続パッドとが電気的に接続される。
　本実施形態の電子モジュールによれば、上記構成の電子装置と、電子装置が接続されたモジュール用基板とを有することによって、長期信頼性に優れたものとすることができる。
　搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる方向における接合層金属層14の幅は、図３に示す例のように、表面金属層13の幅より大きい（Ｗ２１＞Ｗ１１、Ｗ２２＞Ｗ１２）と、表面金属層13からの熱が第２基板12側に良好に伝熱されやすくし、第２基板12を介して搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる方向により良好に伝熱することができる。
　搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる方向における接合層金属層14の両端部は、図１～図３に示す例のように、第１基板11の外縁に沿って、表面金属層13の両端部よりも第１基板11の外縁に近い領域に位置すると、搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる方向において、第１基板11の外縁に沿って、表面金属層13よりも幅広な範囲が接合金属層14により良好に接合され、表面金属層13からの熱が第２基板12側に伝熱されやすくし、第２基板12を介して搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる方向に良好に伝熱することができ、搭載部11ａ全体にわたって良好に放熱し、電子素子２から発生する熱による電子素子２の膨張を低減し、電子素子２の位置ずれ、または電子素子搭載用基板１の歪みを抑制することで良好に光を放出することができる。
　搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる方向における接合層金属層14の端部と表面金属層13の端部との間隔は、平面透視において、第１基板11の外縁に沿って、第１基板11の基板厚みＴ１以上であると、第１基板11の外縁に沿って、端部において、表面金属層13からの熱が第２基板12側に伝熱されやすくし、第２基板12を介して搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる方向に良好に伝熱することができる。
　また、搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる方向における接合層金属層14の幅と表面金属層13の幅との間隔は、平面透視において、第１基板11の外縁に沿って、第１基板11の基板厚みＴ１の２倍以上（Ｗ２１－Ｗ１１≧２Ｔ１、Ｗ２２－Ｗ１２≧２Ｔ１）であると、第１基板11の外縁に沿って、両端部において、表面金属層13からの熱が第２基板12側に伝熱されやすくし、第２基板12を介して搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる方向に良好に伝熱することができる。
　第１基板11の第１主面に設けた表面金属層13または第１基板11の第２主面に設けた接合用金属層14は、上述の例では、薄膜法により形成しているが、従来周知のコファイア法またはポストファイア法等を用いた金属層であっても構わない。上記の表面金属層13または接合用金属層14を用いる場合は、表面金属層13または接合用金属層14は、第１基板11と第２基板12との接合前にあらかじめ第１基板11の第１主面または第２主面に設けられる。なお、第１基板11の平面度を良好なものとするために、上述の第１の実施形態に示されたように、第１基板11の第１主面に設けた表面金属層13または第１基板11の第２主面に設けた接合用金属層14は、薄膜法により形成する方法でもよい。
　（第２の実施形態）
　次に、本開示の第３の実施形態による電子装置について、図６～図10を参照しつつ説明する。
　第２の実施形態における電子素子搭載用基板１において、上記した実施形態の電子素子搭載用基板１と異なる点は、第２基板12の第４主面に位置し、絶縁体からなり、第４主面と対向する第７主面、および第７主面と相対する第８主面を有する第３基板16を有している点である。
　表面金属層13は、図６に示す例において、ハッチングにて示している。
　第２の実施形態における電子素子搭載用基板１によれば、上記した実施形態の電子素子搭載用基板１と同様に、搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる方向において、表面金属層13よりも幅広な範囲が接合金属層14により良好に接合され、表面金属層13からの熱が第２基板12側に伝熱されやすくし、第２基板12を介して搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる方向に良好に伝熱することができ、搭載部11ａ全体にわたって良好に放熱し、電子素子２から発生する熱による電子素子２の膨張を低減し、電子素子２の位置ずれ、または電子素子搭載用基板１の歪みを抑制することで良好に光を放出することができる。
　第２の実施形態の電子素子搭載用基板１において、第１基板11は、平面視にて、方形状をしている。第２基板12は、平面視にて方形状をしている。第３基板16は、平面視にて、方形状をしている。第１基板11、２基板12、第３基板16を接着することにより、方形状の複合基板が形成される。なお、方形状とは、正方形状、長方形状等の四角形状である。図６～図９に示す例において、平面視にて、第１基板11、第２基板12、第３基板16は長方形状をしており、長方形状の複合基板が形成される。
　第３基板16は、上述の第1基板11と同様の材料および方法により製作することができる。第４基板13の熱伝導率κ２は、図７に示す例のように、第1基板11と同様に、平面方向におけるｘ方向とｙ方向とで略一定であり、第４基板14の厚み方向におけるｚ方向も平面方向におけるｘ方向とｙ方向と同等である（κｘ２≒κｙ２≒κｚ２）。例えば、第１基板16として、窒化アルミニウム質焼結体が用いられる場合、第１基板16は、100～200Ｗ／ｍ・Ｋ程度の熱伝導率κ２である基板が用いられる。
　なお、第１基板11と、第２基板12と第３基板16とを同時に接合しても構わない。例えば、上記において、例えば、第１基板11、第２基板12、第３基板16の順に重ねた状態で、第１基板11の第１主面側および第３基板16の第８主面側より圧力を印加しつつ接合等することにより、第第１基板11と、第２基板12と、第３基板16が良好に接合され、信頼性に優れた電子素子搭載用基板１とすることができる。また、第１基板11と、第２基板12と、第３基板16とを同時に接合することで、製作時において、第２基板12の露出を抑制し、外気による変質を抑制することが出来る。
　第２の実施形態の電子素子搭載用基板１において、第２基板12が、第１基板11および第３基板16の間に位置していることから、第１基板11と第２基板12との熱膨張の違いによる電子素子搭載用基板１の歪みが抑制され、電子素子２の位置ずれ、または電子素子搭載用基板１の歪みを抑制することで良好に光を放出しやすくすることができる。
　特に、第３基板16が、第１基板11と実質的に同一材料の絶縁体を用いている、すなわち、例えば、第１基板11として、150Ｗ／ｍ・Ｋの窒化アルミニウム質焼結体を用いている場合、第３基板16として、150Ｗ／ｍ・Ｋの窒化アルミニウム質焼結体を用いていると、より効果的に電子素子搭載用基板１の歪みを抑制することで良好に光を放出しやすくすることができる。
　また、第３基板16の基板厚みＴ３は、第１基板11の基板厚みＴ１と同様に、例えば、50μｍ～500μｍ程度である。第１基板11の基板厚みＴ１と第３基板16の基板厚みＴ３とは、10％程度の範囲内において同等の基板厚みである（0.90Ｔ１≦Ｔ３≦1.10Ｔ１）と、より効果的に電子素子搭載用基板１の歪みを抑制することで良好に光を放出しやすくすることができる。例えば、第１基板11の基板厚みが100μｍである場合、第３基板16の基板厚みは、100μｍ（90μｍ～110μｍ）であってもよい。
　また、第３基板16は、図６～図９に示す例のように、第５主面側に接合用金属層14を有していると、第１基板11側と同様に、第２基板12と第３基板16に位置した接合用金属層14とを接合材15により良好に接合することができる。第３基板16の第５主面に位置した接合用金属層14は、第１基板11の第２主面に位置した接合用金属層14と同様の方法により製作することができる。
　また、搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる方向における第３基板16の第５主面に位置した接合用金属層14の幅は、第１基板11の第２主面に位置した接合用金属層14と同様に、表面金属層13の幅よりも大きいと、搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる方向において、表面金属層13よりも幅広な範囲が接合金属層14により良好に接合され、第２基板12からの熱が第３基板16側に伝熱されやすくし、第２基板12および第３基板16を介して搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる方向に良好に伝熱することができ、搭載部11ａ全体にわたって良好に放熱し、電子素子２から発生する熱による電子素子２の膨張を低減し、電子素子２の位置ずれ、または電子素子搭載用基板１の歪みを抑制することで良好に光を放出することができる。
　また、第３基板16は、第６主面側に接合層を有しておいても構わない。第３基板16に位置する接合層は、例えば、電子素子搭載用基板１と配線基板または電子素子搭載用パッケージに位置した導体層との接合等に用いることができる。接合層は、上述の表面金属層13と同様な方法により製作することができる。また、接合層は、第４基板14の下面の略全面に位置しておくことで、電子素子搭載用基板１から配線基板または電子素子搭載用パッケージへの放熱性を良好なものとすることができる。
　第２の実施形態の電子素子搭載用基板１は、その他は上述の実施形態の電子素子搭載用基板１と同様の製造方法を用いて製作することができる。
　（第３の実施形態）
　次に、第３の実施形態による電子装置について、図10～図15を参照しつつ説明する。
　第３の実施形態における電子素子搭載用基板１において、上記した実施形態の電子素子搭載用基板１と異なる点は、第２基板12の４つの側面を取り囲む枠状の第４基板17を有している点である。
　図10に示す例において、平面透視にて第２基板12の外縁を破線にて示している。表面金属層13は、図10に示す例において、ハッチングにて示している。
　第３の実施形態における電子素子搭載用基板１によれば、上記した実施形態の電子素子搭載用基板１と同様に、搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる方向において、表面金属層13よりも幅広な範囲が接合金属層14により良好に接合され、表面金属層13からの熱が第２基板12側に伝熱されやすくし、第２基板12を介して搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる方向に良好に伝熱することができ、搭載部11ａ全体にわたって良好に放熱し、電子素子２から発生する熱による電子素子２の膨張を低減し、電子素子２の位置ずれ、または電子素子搭載用基板１の歪みを抑制することで良好に光を放出することができる。
　第４基板17の基板厚みＴ４は、例えば、第２基板12の基板厚みＴ２と同様に、100μｍ～2000μｍ程度である。第２基板12の基板厚みＴ２と第４基板17の基板厚みＴ４は、大きさが同じであり、５％程度の範囲内において同等の基板厚みである（0.95Ｔ２≦Ｔ４≦1.05Ｔ２）。第１基板11と第２基板12とは、Ｔ２＞Ｔ１であり、第１基板11と第４基板17とは、Ｔ４＞Ｔ１であると、第１基板11の熱を第４基板17に良好に放熱することができる。
　第４基板17の熱伝導率κ３は、図11に示す例のように、平面方向におけるｘ方向とｙ方向とで略一定であり、第４基板17の厚み方向におけるｚ方向も平面方向におけるｘ方向とｙ方向と同等である（κｘ３≒κｙ３≒κｚ３）。例えば、第４基板17として、窒化アルミニウム基板が用いられる場合、第４基板17は、100～200Ｗ／ｍ・Ｋ程度の熱伝導率κ３である基板が用いられる。例えば、第４基板17として、銅が用いられる場合、第４基板17は、400Ｗ／ｍ・Ｋ程度の熱伝導率κ３である基板が用いられる。
　特に、第３基板16が、第１基板11と実質的に同一材料の絶縁体を用いている、すなわち、例えば、第１基板11として、150Ｗ／ｍ・Ｋの窒化アルミニウム質焼結体を用いている場合、第３基板16として、150Ｗ／ｍ・Ｋの窒化アルミニウム質焼結体を用いていると、より効果的に電子素子搭載用基板１の歪みを抑制することで良好に光を放出しやすくすることができる。
　第４基板17が、例えば、第１基板11および第３基板16と実質的に同一材料の絶縁体を用いている、すなわち、例えば、第１基板11および第３基板16として、150Ｗ／ｍ・Ｋの窒化アルミニウム質焼結体を用いている場合、第４基板17として、150Ｗ／ｍ・Ｋの窒化アルミニウム質焼結体を用いている場合、第４基板17の第７主面および第８主面に、接合金属層14を有しておくと、第１基板11および第３基板16に位置した接合金属層14と良好に接合することができる。
　第３の実施形態の電子素子搭載用基板１において、第１基板11は、平面視にて、方形状をしている。第２基板12は、平面視にて、方形状をしている。第３基板16は、平面視にて、方形状をしている。第４基板17は、平面視にて方形の枠状をしている。第1基板11、第２基板12、第３基板13、第４基板14を接着することにより、方形状の複合基板が形成される。図10～図14に示す例において、第１基板11、第２基板、第３基板16は、長方形状をしており、第４基板17は、長方形の枠状をしており、第1基板11、第２基板12、第３基板13、第４基板14を接着することにより、長方形状の複合基板が形成される。
　第３の実施形態の電子素子搭載用基板１は、第４基板17に、第２基板12を埋め込むための貫通穴を予め形成しておき、第４基板17の貫通穴の内面と第２基板12の外側面とを、ＴiＣｕＡｇ合金、ＴｉＳｎＡｇＣｕ等の活性ろう材からなる接合材15により接着し、第２基板12が埋め込まれた第４基板16の両主面を接合材15により第１基板11と第３基板16とに接着することにより形成される。
　なお、第１基板11と、第２基板12と、第３基板16、第４基板17とを同時に接合しても構わない。例えば、第４基板17の貫通穴内に第２基板12を埋め込むとともに、第１基板11および第３基板16を第２基板12および第４基板17に接合して形成してもよい。上記において、例えば、第１基板11の第１主面側および第３基板16の第６主面側より圧力を印加しつつ接合等することにより、第第１基板11と、第２基板12と、第３基板16と、第４基板17とが良好に接合され、信頼性に優れた電子素子搭載用基板１とすることができる。また、第１基板11と、第２基板12と、第３基板16と、第４基板17とを同時に接合することで、製作時において、放熱体13の露出を抑制し、外気による変質を抑制することが出来るの。
　第３の実施形態の電子素子搭載用基板１は、その他は上述の実施形態の電子素子搭載用基板１と同様の製造方法を用いて製作することができる。
　（第４の実施形態）
　次に、本開示の第４の実施形態による電子装置について、図16および図17を参照しつつ説明する。
　第４の実施形態における電子素子搭載用基板１において、上記した実施形態の電子素子搭載用基板１と異なる点は、複数の搭載部11ａが配列している点である。第４の実施形態の電子素子搭載用基板１において、複数の搭載部11ａが配列された方向が搭載部11ａの長手方向（図16および図17ではｙ方向）として見なされる。
　表面金属層13および第２表面金属層18は、図16に示す例において、ハッチングにて示している。
　第４の実施形態における電子素子搭載用基板１によれば、複数の搭載部11ａが配列する長手方向に垂直に交わる方向において、表面金属層13よりも幅広な範囲が接合金属層14により良好に接合され、表面金属層13からの熱が第２基板12側に伝熱されやすくし、第２基板12を介して複数の搭載部11ａが配列する長手方向に垂直に交わる方向に良好に伝熱することができ、搭載部11ａ全体にわたって良好に放熱し電子素子搭載用基板１の歪みを抑制することで良好に光を放出することができる。
　第２表面金属層18は、上述の表面金属層13と同様な材料および方法により製作することができる。
　また、図16および図17に示す例において、第２基板12は、複数の搭載部11ａのそれぞれと重なるように複数の第２基板12が位置しているが、図18および図19に示す例ように、複数の搭載部11ａと重なる１つの第２基板12として配置されていても構わない。上記において、第２基板12は、複数の搭載部11ａが配列する長手方向の熱伝導より搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる方向の熱伝導が大きなるように配置される。
　第４の実施形態の電子素子搭載用基板１は、その他は上述の実施形態の電子素子搭載用基板１と同様の製造方法を用いて製作することができる。
　（第５の実施形態）
　次に、本開示の第５の実施形態による電子装置について、図20および図21を参照しつつ説明する。
　第５の実施形態における電子素子搭載用基板１において、上記した実施形態の電子素子搭載用基板１と異なる点は、搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる方向において、言い換えると搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる縦断面視において、第１基板11の第２主面が第２基板12の第３主面側に凸である点である。
　表面金属層13は、図20に示す例において、ハッチングにて示している。
　第５の実施形態における電子素子搭載用基板１によれば、上記した実施形態の電子素子搭載用基板１と同様に、搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる方向において、表面金属層13よりも幅広な範囲が接合金属層14により良好に接合され、表面金属層13からの熱が第２基板12側に伝熱されやすくし、第２基板12を介して搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる方向に良好に伝熱することができ、搭載部11ａ全体にわたって良好に放熱し、電子素子２から発生する熱による電子素子２の膨張を低減し、電子素子２の位置ずれ、または電子素子搭載用基板１の歪みを抑制することで良好に光を放出することができる。
　なお、第１基板11の第２主面は、搭載部11ａの長手方向（図20および図21ではｙ方向）にわたって第２基板11の第３主面側に凸となっている。搭載部11ａの長手方向にわたって第１基板11の第２主面が第２基板11の第３主面側に凸であることから、第１基板11と第２基板12とを接合する際に、搭載部11ａが位置した第１基板11の中央部における接合材15の厚みを外周部よりも搭載部11ａの長手方向にわたって小さくすることで、搭載部11ａの長手方向全体において第１基板11の中央部における第２基板12への伝熱性を高め、電子素子２から発生する熱による電子素子２の膨張を低減し、電子素子２の位置ずれ、または電子素子搭載用基板１の歪みを抑制することで良好に光を放出することができる。
　上記の電子素子搭載用基板１は、接合金属層14が位置した面が凸となるような第１基板11を形成し、第１基板11の接合金属層14と第２基板12とを接合材15により接合し後、第１基板11の第１主面側を研磨加工等により平坦化した後、第１基板11の第１主面に表面金属層13を配置することにより製作することができる。
　また、搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる縦断面視において、第１基板11は、外縁部の厚みより中央部の厚みが大きくなっていることから、第１基板11の中央部における第２基板12への伝熱性を高め、電子素子２から発生する熱による電子素子２の膨張を低減し、電子素子２の位置ずれ、または電子素子搭載用基板１の歪みを抑制することで良好に光を放出することができる。
　また、第１基板11の厚みは、外縁部から中央部にかけて漸次大きくなっていると、第１基板11の中央部における第２基板12への伝熱性をより高め、電子素子２から発生する熱による電子素子２の膨張をより低減し、電子素子２の位置ずれ、または電子素子搭載用基板１の歪みを抑制することで良好に光を放出することができる。
　また、図21に示す例のように、第３基板16の第５主面が搭載部11ａの長手方向にわたって、第２基板12の第４主面側に凸であると、第２基板12側が、第２基板12側に凸である第１基板11および第３基板16の間に位置しているので、第１基板11と第２基板12と第３基板16との熱膨張の違いによる電子素子搭載用基板１の歪みが抑制され、電子素子２の位置ずれ、または電子素子搭載用基板１の歪みを抑制することで良好に光を放出しやすくすることができる。
　また、接合金属層14と第３主面との間に接合材15が位置しており、搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる縦断面視において、接合材15は、中央部の厚みより外縁部の厚みが大きいことから、電子素子２から発生する熱が電子素子搭載用基板１の中央部だけでなく、電子素子搭載用基板１の外縁部に伝わりやすいものとなり、電子素子搭載用基板１の熱伝導の偏りが抑制されるものとなり、第２基板12へ効率的に伝熱しやすいものとなり、電子素子２から発生する熱による電子素子２の膨張を低減し、電子素子２の位置ずれ、または電子素子搭載用基板１の歪みを抑制することで良好に光を放出することができる。
　また、搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる縦断面視において、接合材15の厚みは、中央部から外縁部にかけて漸次大きくなっていると、電子素子２から発生する熱が電子素子搭載用基板１の中央部だけでなく、電子素子搭載用基板１の外縁部により伝わりやすいものとなり、電子素子搭載用基板１の熱伝導の偏りがより抑制されるものとなり、第２基板12へ効率的に伝熱しやすいものとなり、電子素子２から発生する熱による電子素子２の膨張を低減し、電子素子２の位置ずれ、または電子素子搭載用基板１の歪みを抑制することで良好に光を放出することができる。
　また、搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる縦断面視において、第２基板12の外側に第４基板17を有し、第４基板17は、接合材15の厚みが大きい部分に位置していると、電子素子２から発生する熱が電子素子搭載用基板１の外縁部に過度に伝わりにくいものとなり、電子素子搭載用基板１の熱伝導の偏りが効果的に抑制されるものとなり、第２基板12へ効率的に伝熱しやすいものとなり、電子素子２から発生する熱による電子素子２の膨張を低減し、電子素子２の位置ずれ、または電子素子搭載用基板１の歪みを抑制することで良好に光を放出することができる。
　また、搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる縦断面視において、第４基板17は、接合材15の厚みが大きい部分に位置していると、電子素子２から発生する熱が電子素子搭載用基板１の外縁部に過度に伝わりにくいものとなり、電子素子搭載用基板１の熱伝導の偏りが効果的に抑制されるものとなり、第２基板12へ効率的に伝熱しやすいものとなり、電子素子２から発生する熱による電子素子２の膨張を低減し、電子素子２の位置ずれ、または電子素子搭載用基板１の歪みを抑制することで良好に光を放出することができる。
　また、搭載部11ａの長手方向に垂直に交わる縦断面視において、第４基板17は、第１基板11の厚みが小さい箇所と対応する部分に位置していると、電子素子２から発生する熱が電子素子搭載用基板１の外縁部に過度に伝わりにくいものとなり、電子素子搭載用基板１の熱伝導の偏りが効果的に抑制されるものとなり、第２基板12へ効率的に伝熱しやすいものとなり、電子素子２から発生する熱による電子素子２の膨張を低減し、電子素子２の位置ずれ、または電子素子搭載用基板１の歪みを抑制することで良好に光を放出することができる。
　上記の電子素子搭載用基板１は、上述と同様に、接合金属層14を設けた面が凸となるような第３基板16を形成し、第２基板12と第３基板16の接合金属層14とを接合材15により接合し、第３基板16の第６主面側を研磨加工等により平坦化することにより製作することができる。
　第２基板12の第３主面側に凸状の第１基板11を配置し、第２基板12の第４主面側に凸状の第３基板16を配置した後、第１基板11、第２基板12、第３基板16を同時に接合材15により接合してもよい。
　また、第３基板16は上記の第１基板11と同様の構成を有していてもよい。また第３基板16側の接合金属層14、接合材15は上記の第１基板11側の接合金属層14、接合材15と同様の構成を有してもよい。また、第４基板17と第３基板16側の接合材15との位置関係は、上記の第４基板17と第１基板11側の接合材15との位置関係と同様の構成を有していてもよい。また第４基板17と第３基板16との位置関係についても、上記の第４基板17と第１基板11との位置関係と同様の構成を有していてもよい。
　第５の実施形態の電子素子搭載用基板１は、その他は上述の実施形態の電子素子搭載用基板１と同様の製造方法を用いて製作することができる。
　本開示は、上述の実施形態の例に限定されるものではなく、種々の変更は可能である。例えば、第１の実施形態の電子素子搭載用基板～第５の実施形態の電子素子搭載用基板１において、複合基板の角部に切欠き部または面取り部を有している方形状であっても構わない。
　また、第４の実施形態の電子素子搭載用基板１は、第５の実施形態の電子素子搭載用基板１と同様に、第１基板11の第２主面は、複数の搭載部11ａが配列した長手方向（図17および図18ではｘ方向）にわたって第２基板11の第３主面側に凸となっていてもよい。

Claims (7)

  1. 　第１主面を有し、絶縁体からなり、方形状である第１基板と、
    前記第１主面に位置し、矩形状である電子素子の搭載部を有する表面金属層と、
    前記第１主面と相対する第２主面に位置し、炭素材料からなり、前記第２主面と対向する第３主面および該第３主面と相対する第４主面を有する第２基板とを有しており、
    前記第２主面に接合金属層が位置しており、
    平面透視において、前記第２基板は、前記搭載部の長手方向の熱伝導より前記搭載部の長手方向に垂直に交わる方向の熱伝導が大きく、前記搭載部の長手方向に垂直に交わる方向における前記接合金属層の幅の大きさは、前記表面金属層の幅の大きさ以上であることを特徴とする電子素子搭載用基板。
  2. 　前記搭載部の長手方向に垂直に交わる方向における前記接合金属層の幅は、前記表面金属層の幅より大きいことを特徴とする請求項１に記載の電子素子搭載用基板。
  3. 　前記搭載部の長手方向に垂直に交わる縦断面視において、前記第２主面が前記第３主面側に凸であることを特徴とする請求項１または請求項２に記載の電子素子搭載用基板。
  4. 　前記搭載部の長手方向に垂直に交わる縦断面視において、前記第１基板は、外縁部の厚みより中央部の厚みが大きいことを特徴とする請求項３に記載の電子素子搭載用基板。
  5. 　前記接合金属層と前記第３主面との間に接合材が位置しており、
    前記搭載部の長手方向に垂直に交わる縦断面視において、前記接合材は、中央部の厚みより外縁部の厚みが大きいことを特徴とする請求項３または請求項４に記載の電子素子搭載用基板。
  6. 　請求項１乃至請求項５に記載の電子素子搭載用基板と、
    該電子素子搭載用基板の搭載部に搭載された電子素子と、
    前記電子素子搭載用基板が搭載された配線基板または電子素子収納用パッケージとを有していることを特徴とする電子装置。
  7. 　請求項６に記載の電子装置と、
    該電子装置が接続されたモジュール用基板とを有することを特徴とする電子モジュール。
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Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07297329A (ja) * 1994-04-25 1995-11-10 Matsushita Electric Works Ltd ヒートシンク
JPH08191121A (ja) * 1994-06-20 1996-07-23 General Electric Co <Ge> 黒鉛の熱伝導体を有する製品
JPH10256442A (ja) * 1997-03-11 1998-09-25 Nippon Inter Electronics Corp 放熱板及びそれを用いた複合半導体装置
JP2008199057A (ja) * 2006-06-02 2008-08-28 Nec Lighting Ltd 電子機器および電子機器の製造方法
JP2012238733A (ja) * 2011-05-12 2012-12-06 Thermo Graphitics Co Ltd 異方性熱伝導素子及びその製造方法
JP2013175508A (ja) 2012-02-23 2013-09-05 Kyocera Corp 配線基板および電子装置ならびに配線基板の製造方法
JP2015191950A (ja) * 2014-03-27 2015-11-02 ウシオ電機株式会社 半導体装置

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62257783A (ja) * 1986-04-30 1987-11-10 Sharp Corp 半導体レ−ザ素子
JP3519299B2 (ja) 1999-01-06 2004-04-12 芝府エンジニアリング株式会社 半導体装置
US20020085390A1 (en) * 2000-07-14 2002-07-04 Hironobu Kiyomoto Optical device and apparatus employing the same
US6480389B1 (en) * 2002-01-04 2002-11-12 Opto Tech Corporation Heat dissipation structure for solid-state light emitting device package
JP3971296B2 (ja) * 2002-12-27 2007-09-05 Ｄｏｗａホールディングス株式会社 金属−セラミックス接合基板およびその製造方法
JP4514598B2 (ja) * 2004-09-28 2010-07-28 京セラ株式会社 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
TWI258227B (en) * 2004-12-31 2006-07-11 Matsushita Electric Works Ltd High heat conductive circuit components and method of manufacturing the same
JP4091063B2 (ja) * 2005-06-07 2008-05-28 株式会社フジクラ 発光素子実装用基板および発光素子モジュール
JP2008042120A (ja) * 2006-08-10 2008-02-21 Matsushita Electric Ind Co Ltd 熱伝導基板とその製造方法及びこれを用いた電子機器
JP2008287960A (ja) * 2007-05-16 2008-11-27 Nec Lighting Ltd 照明装置
EP2293324B1 (en) * 2008-06-25 2019-05-15 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Packaging structure and method for manufacturing packaging structure
WO2010087432A1 (ja) * 2009-01-29 2010-08-05 株式会社オクテック 放熱基体およびこれを用いた電子装置
US8085531B2 (en) * 2009-07-14 2011-12-27 Specialty Minerals (Michigan) Inc. Anisotropic thermal conduction element and manufacturing method
US20120097945A1 (en) * 2010-10-21 2012-04-26 Yao-Long Wen Polycrystalline metal-based led heat dissipating structure and method for manufacturing the same
JP5724322B2 (ja) * 2010-11-24 2015-05-27 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法
KR101262499B1 (ko) * 2010-12-24 2013-05-08 엘지이노텍 주식회사 광 인쇄회로기판 및 그의 제조 방법
JP2012160548A (ja) * 2011-01-31 2012-08-23 Toyota Central R&D Labs Inc 絶縁基板とその絶縁基板を有するパワーモジュール
JP2012197496A (ja) * 2011-03-22 2012-10-18 Sumitomo Electric Ind Ltd 複合部材
US9257333B2 (en) * 2013-03-11 2016-02-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Interconnect structures and methods of forming same
US20150034373A1 (en) * 2012-02-16 2015-02-05 Nec Corporation Wiring structure and manufacturing method thereof
JP6176845B2 (ja) * 2013-09-06 2017-08-09 住友精密工業株式会社 高熱伝導板
WO2015046253A1 (ja) * 2013-09-25 2015-04-02 リンテック株式会社 熱伝導性接着シート、その製造方法及びそれを用いた電子デバイス
JP6508193B2 (ja) * 2014-03-11 2019-05-08 富士電機株式会社 半導体装置の製造方法および半導体装置
CN105900231B (zh) * 2014-07-18 2018-09-07 富士电机株式会社 半导体装置
JP2016063013A (ja) * 2014-09-17 2016-04-25 株式会社東芝 半導体装置
JP6374293B2 (ja) * 2014-10-29 2018-08-15 京セラ株式会社 配線基板、電子装置および電子モジュール
CN107533881B (zh) * 2015-04-28 2019-06-14 住友金属矿山股份有限公司 导电基板
US10211144B2 (en) * 2015-07-29 2019-02-19 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Semiconductor device having a plurality of top surface connection terminals
US10217691B2 (en) * 2015-08-17 2019-02-26 Nlight, Inc. Heat spreader with optimized coefficient of thermal expansion and/or heat transfer
CN105633131B (zh) * 2015-12-31 2019-11-29 台州市一能科技有限公司 一种半导体器件的基板
JP6767204B2 (ja) * 2016-08-25 2020-10-14 京セラ株式会社 電子部品搭載用基板、電子装置および電子モジュール
US10104759B2 (en) * 2016-11-29 2018-10-16 Nxp Usa, Inc. Microelectronic modules with sinter-bonded heat dissipation structures and methods for the fabrication thereof
JP6983178B2 (ja) * 2016-12-22 2021-12-17 京セラ株式会社 電子素子搭載用基板、電子装置および電子モジュール
US11044810B2 (en) * 2018-01-16 2021-06-22 Sekisui Polymatech Co., Ltd. Stretchable wire member
US11612056B2 (en) * 2018-01-30 2023-03-21 Kyocera Corporation Substrate for mounting electronic element, electronic device, and electronic module
US10658298B1 (en) * 2018-11-02 2020-05-19 Advanced Semiconductor Engineering, Inc. Semiconductor device package and method for manufacturing the same

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07297329A (ja) * 1994-04-25 1995-11-10 Matsushita Electric Works Ltd ヒートシンク
JPH08191121A (ja) * 1994-06-20 1996-07-23 General Electric Co <Ge> 黒鉛の熱伝導体を有する製品
JPH10256442A (ja) * 1997-03-11 1998-09-25 Nippon Inter Electronics Corp 放熱板及びそれを用いた複合半導体装置
JP2008199057A (ja) * 2006-06-02 2008-08-28 Nec Lighting Ltd 電子機器および電子機器の製造方法
JP2012238733A (ja) * 2011-05-12 2012-12-06 Thermo Graphitics Co Ltd 異方性熱伝導素子及びその製造方法
JP2013175508A (ja) 2012-02-23 2013-09-05 Kyocera Corp 配線基板および電子装置ならびに配線基板の製造方法
JP2015191950A (ja) * 2014-03-27 2015-11-02 ウシオ電機株式会社 半導体装置

Non-Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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