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WO2015025950A1 - 光変換部材、ならびにこれを含むバックライトユニットおよび液晶表示装置 - Google Patents

光変換部材、ならびにこれを含むバックライトユニットおよび液晶表示装置 Download PDF

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Publication number
WO2015025950A1
WO2015025950A1 PCT/JP2014/071980 JP2014071980W WO2015025950A1 WO 2015025950 A1 WO2015025950 A1 WO 2015025950A1 JP 2014071980 W JP2014071980 W JP 2014071980W WO 2015025950 A1 WO2015025950 A1 WO 2015025950A1
Authority
WO
WIPO (PCT)
Prior art keywords
light
light conversion
layer
quantum dots
quantum dot
Prior art date
Application number
PCT/JP2014/071980
Other languages
English (en)
French (fr)
Inventor
隆 米本
齊藤 之人
石川 博之
大室 克文
Original Assignee
富士フイルム株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 富士フイルム株式会社 filed Critical 富士フイルム株式会社
Publication of WO2015025950A1 publication Critical patent/WO2015025950A1/ja

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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/08Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials
    • C09K11/67Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing inorganic luminescent materials containing refractory metals
    • C09K11/671Chalcogenides
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F2/00Demodulating light; Transferring the modulation of modulated light; Frequency-changing of light
    • G02F2/02Frequency-changing of light, e.g. by quantum counters
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02FOPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/1333Constructional arrangements; Manufacturing methods
    • G02F1/1335Structural association of cells with optical devices, e.g. polarisers or reflectors
    • G02F1/1336Illuminating devices
    • G02F1/133614Illuminating devices using photoluminescence, e.g. phosphors illuminated by UV or blue light

Definitions

  • the present invention relates to a light conversion member, and more particularly to a light conversion member having high luminous efficiency.
  • the present invention further relates to a backlight unit including the light conversion member and a liquid crystal display device including the backlight unit.
  • the liquid crystal display device is composed of at least a backlight and a liquid crystal cell, and usually further includes members such as a backlight side polarizing plate and a viewing side polarizing plate.
  • quantum dots also referred to as Quantum Dot, QD, and quantum dots
  • QD quantum dots
  • quantum dots have attracted attention as light emitting materials (see Patent Documents 1 and 2).
  • the quantum dots are excited and emit fluorescence.
  • white light can be realized by emitting bright line light of red light, green light, and blue light (RGB).
  • RGB blue light
  • the white light obtained has high brightness and excellent color reproducibility.
  • the color gamut is expanded from 72% to 100% of the current TV standard (FHD, NTSC (National Television System Committee)).
  • quantum dots are useful materials that can improve LCD performance by improving color reproducibility.
  • quantum dots are not inexpensive and distributed materials, so liquid crystal display devices using quantum dots tend to be expensive. Therefore, in order to reduce the cost of the liquid crystal display device, it is desirable to increase the light emission efficiency in order to reduce the amount of quantum dots used.
  • an object of the present invention is to provide a light conversion member including quantum dots and capable of realizing high light emission efficiency.
  • the present inventors have repeatedly reduced the light emission efficiency of the light conversion member including the quantum dots because the quantum dots having different light emission characteristics repeatedly absorb and emit light. I found a new cause.
  • This point will be further described. For example, when blue light is incident on the light conversion member including a first quantum dot that emits red light as fluorescence and a second quantum dot that emits green light, The first quantum dots absorb the green light emitted when the dots are excited. Therefore, it becomes impossible to take out the green light emitted from the second quantum dots with high efficiency, and as a result, the utilization efficiency of light emission by the quantum dots is lowered.
  • the present inventors have determined that the quantum dot A that emits so-called red light in the light conversion member has an emission center wavelength in a shorter wavelength band than the quantum dots.
  • the present inventors have found that by deviating relatively to the incident side relative to the quantum dots they have, it is possible to suppress a decrease in light emission efficiency due to the quantum dots A absorbing the fluorescence emitted by a certain quantum dot.
  • one embodiment of the present invention is A light conversion member having a light conversion layer including quantum dots that are excited by incident excitation light and emit fluorescence.
  • the light conversion layer is Quantum dots A having an emission center wavelength in a wavelength band in the range of 600 nm to 680 nm;
  • the quantum dot Z includes a quantum dot B having an emission center wavelength in a wavelength band in the range of 500 nm to 600 nm.
  • the quantum dot Z further includes a quantum dot C that has a shorter wavelength band than the quantum dot B and has an emission center wavelength in a wavelength band of 400 nm to 500 nm.
  • the quantum dots B are relatively unevenly distributed on the excitation light incident side with respect to the quantum dots C.
  • the light conversion layer includes a quantum dot mixed layer including quantum dots A and one or more quantum dots Z having a light emission center wavelength in a shorter wavelength band than the quantum dots A, and the quantum dot mixed layers ,
  • the concentration distribution of the quantum dots A decreases continuously or stepwise from the excitation light incident side toward the fluorescence emission side.
  • the light conversion layer comprises: A first quantum dot layer containing only quantum dots A as quantum dots; At least one quantum dot layer including one or more quantum dots Z having an emission center wavelength in a shorter wavelength band than the quantum dots A; And having The first quantum dot layer is located closer to the excitation light incident side than the other quantum dot layers.
  • including only quantum dots A means that only quantum dots A are used as the quantum dots for producing the first quantum dot layer, and are not intended due to mixing at the interface between layers. It is allowed that other kinds of quantum dots are mixed in the first quantum dot layer. This also applies to the following other quantum dot layers.
  • the light conversion layer includes a second quantum dot that includes only a quantum dot B having an emission center wavelength in a wavelength band in the range of 500 nm to 600 nm as a quantum dot, closer to the fluorescence emission side than the first quantum dot layer. It has a dot layer.
  • the light conversion layer includes a third quantum dot layer including only quantum dots C having a light emission center wavelength in a wavelength band of 400 nm to 500 nm as quantum dots, closer to the fluorescence emission side than the second quantum dot layer.
  • the above light conversion member has an oxygen transmission rate of less than 1.0 cm 3 / m 2 / day / atm on at least one of the excitation light incident side surface and the fluorescence emission side surface of the light conversion layer.
  • the above-mentioned light conversion member has a light scattering layer or a light scattering structure on the fluorescence emission side surface.
  • the light scattering layer is a layer containing scattering particles
  • the light scattering structure is a surface uneven structure.
  • scattering particles are included in the light conversion layer.
  • the light conversion member described above has a light reflection layer on the excitation light incident side of the light conversion layer.
  • the light conversion layer includes scattering particles in the binder resin.
  • the refractive index ns of the scattering particles and the refractive index nb of the binder resin satisfy a relationship of 0.02 ⁇
  • the diameter rs of the scattering particles is in the range of 0.5 ⁇ m to 10 ⁇ m.
  • the light conversion layer includes two or more types of scattering particles having different refractive indices and diameters.
  • the light scattering particles and the binder resin have different refractive indexes and Abbe numbers, and among the light scattering particles and the binder resin, those having a higher refractive index have a smaller Abbe number ⁇ e.
  • the haze of the light conversion layer is 50% or more.
  • a further aspect of the invention provides: A backlight unit including at least the light conversion member described above and a light source; About.
  • the backlight unit described above is Blue light having an emission center wavelength in a wavelength band of 430 to 480 nm and a peak of emission intensity having a half width of 100 nm or less; Green light having an emission center wavelength in a wavelength band of 500 to 600 nm and a peak of emission intensity having a half-width of 100 nm or less; Red light having an emission center wavelength in a wavelength band of 600 to 680 nm and a peak of emission intensity having a half width of 100 nm or less; Emits light.
  • the light source has an emission center wavelength in a wavelength band of 430 nm to 480 nm. In another aspect, the light source has an emission center wavelength in a wavelength band of 300 nm to 430 nm.
  • the above-described backlight unit further includes a light guide plate, and has an upper light conversion member on a path of light emitted from the light guide plate.
  • the backlight unit includes the light conversion member between the light guide plate and the light source.
  • a further aspect of the invention provides: A liquid crystal display device comprising at least the backlight unit described above and a liquid crystal cell; About.
  • a light conversion member that includes quantum dots and has high luminous efficiency
  • a backlight unit and a liquid crystal display device that include this light conversion member.
  • FIG. 1A and 1B are explanatory diagrams of an example of a backlight unit including a light conversion member according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 shows an example (Example 1) of a light conversion member according to an aspect of the present invention.
  • FIG. 3 shows an example (Examples 2 and 3) of a light conversion member according to an aspect of the present invention.
  • FIG. 4 illustrates an example of a light conversion member according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 5 shows an example (Example 4) of the light conversion member according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 6 shows an example (Example 5) of the light conversion member according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 shows an example (Example 6) of a light conversion member according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 8 shows an example (Example 7) of the light conversion member according to one aspect of the present invention.
  • FIG. 9 shows an example (Example 8) of the light conversion member according to one aspect of the present invention.
  • FIG. 10 shows an example (Example 9) of the light conversion member according to one aspect of the present invention.
  • FIG. 11 shows an example (Example 10) of the light conversion member according to one aspect of the present invention.
  • FIG. 12 illustrates an example of a liquid crystal display device according to one embodiment of the present invention.
  • FIG. 13 shows an example (comparative example 1) of a conventional light conversion member including quantum dots.
  • FIG. 14 shows the configuration of the light conversion member of Comparative Example 2.
  • FIG. 15 illustrates an example of a light conversion member according to one embodiment of the present invention.
  • the light conversion member according to one embodiment of the present invention is a light conversion member having a light conversion layer including quantum dots that are excited by incident excitation light and emit fluorescence.
  • the light conversion layer contains a quantum dot A having an emission center wavelength in a wavelength band ranging from 600 nm to 680 nm, and one or more quantum dots Z having an emission center wavelength in a shorter wavelength band than the quantum dot A. .
  • the quantum dots A are relatively unevenly distributed on the excitation light incident side with respect to the quantum dots Z.
  • the fact that the quantum dots A are relatively unevenly distributed on the excitation light incident side with respect to the quantum dots Z means that the light conversion layer is formed on an arbitrary surface perpendicular to the incident light,
  • the abundance ratio of the quantum dots A existing in the incident side region is that of the quantum dots Z (there may be only one type, or there may be two or more types). It means that it is larger than the existence ratio existing in the incident side region. More specifically, when there are A1 quantum dots A in the incident side region, A2 pieces in the exit side region, and Z1 quantum dots Z in the entrance side region and Z2 pieces in the exit side region, all of them are included in the light conversion layer.
  • the existence ratio [A1 / (A1 + A2)] of the quantum dots A in the incident side region with respect to the quantum dots A (A1 + A2) is the existence ratio of the quantum dots Z in the incident side region with respect to all the quantum dots (Z1 + Z2) included in the light conversion layer [ Z1 / (Z1 + Z2)], that is, satisfying the following formula (1).
  • the uneven distribution of quantum dots in the light conversion layer is measured by cutting the light conversion layer at an arbitrary location, observing the cross section with an electron microscope, measuring the number of quantum dots, and calculating with the following formula: it can.
  • the direction perpendicular to the excitation light incident side surface and the emission side surface of the light conversion layer is taken as the x-axis.
  • the normalized number density distribution of the quantum dots A is assumed to be ⁇ A (x), and the normalized number density distribution of the quantum dots Z is assumed to be ⁇ Z (x). That means Is established.
  • As an index representing the uneven distribution of quantum dots A and Z, ⁇ represented by the following equation is defined.
  • 0, the quantum dots A are mixed with the quantum dots Z. It is unevenly distributed to the exit side without having.
  • 0.5.
  • is preferably greater than 0.5, ⁇ is more preferably greater than 0.7, ⁇ is more preferably greater than 0.8, and ⁇ is greater than 0.95. Larger is even more preferable.
  • the quantum dot A which is a quantum dot that emits red light
  • the quantum dot Z is excited by the quantum dot Z by emitting the quantum dot A relative to the excitation light incident side with respect to the quantum dot Z.
  • the absorbed fluorescence can be prevented.
  • the light emission efficiency of the light conversion member containing a quantum dot can be improved.
  • the light conversion member will be described in more detail.
  • a numerical range expressed using “to” means a range including numerical values described before and after “to” as a lower limit value and an upper limit value.
  • the “half-value width” of a peak refers to the width of the peak at a peak height of 1 ⁇ 2.
  • light having the emission center wavelength in the wavelength band of 430 to 480 nm is called blue light
  • light having the emission center wavelength in the wavelength band of 500 to 600 nm is called green light
  • the emission center wavelength is in the wavelength band of 600 to 680 nm.
  • the light having a color is called red light.
  • the light conversion member is preferably included as a constituent member of a backlight unit of a liquid crystal display device.
  • FIG. 1 is an explanatory diagram of an example of a backlight unit 31 including a light conversion member according to one embodiment of the present invention.
  • the backlight unit 31 includes a light source 31A and a light guide plate 31B for use as a surface light source.
  • the light conversion member is disposed on the path of light emitted from the light guide plate.
  • the light conversion member is disposed between the light guide plate and the light source.
  • light emitted from the light guide plate 31B enters the light conversion member 31C.
  • FIG. 1 shows that light emitted from the light guide plate 31B enters the light conversion member 31C.
  • the light 32 emitted from the light source 31A arranged at the edge portion of the light guide plate 31B is blue light, and the liquid crystal is applied from the surface on the liquid crystal cell (not shown) side of the light guide plate 31B. It is emitted toward the cell.
  • the light conversion member 31C disposed on the path of the light (blue light 32) emitted from the light guide plate 31B is excited by the blue light 32 and the quantum dots A that are excited by the blue light 32 and emit the red light 34. At least a quantum dot B that emits green light 33 is included. In this way, the backlight unit 31 emits the excited green light 33 and red light 34 and the blue light 32 transmitted through the light conversion member 31C.
  • FIG. 1B is the same as the embodiment shown in FIG. 1A except that the arrangement of the light conversion member and the light guide plate is different.
  • the excited green light 33 and red light 34, and the blue light 32 transmitted through the light conversion member 31C are emitted from the light conversion member 31C and incident on the light guide plate. Realized.
  • the light conversion member has at least a light conversion layer including quantum dots that are excited by incident excitation light and emit fluorescence.
  • a barrier film etc. can also be included as other arbitrary structural members. Details will be described later.
  • the light conversion layer contains a quantum dot A having an emission center wavelength in a wavelength range of 600 nm to 680 nm and one or more quantum dots Z having an emission center wavelength in a shorter wavelength band than the quantum dot A.
  • the quantum dot A can emit red light upon receiving excitation light.
  • the quantum dot Z preferably includes a quantum dot B having an emission center wavelength in a wavelength band in the range of 500 nm to 600 nm. This quantum dot B can emit green light upon receiving excitation light.
  • blue light is incident on a light conversion member having a light conversion layer including quantum dots emitting red light and quantum dots emitting green light. A possible light conversion member can be obtained.
  • the quantum dots A absorb the light emitted by the quantum dots Z, it is difficult to achieve high light emission efficiency.
  • the quantum dots A are relatively unevenly distributed on the excitation light incident side with respect to the quantum dots Z in the light conversion layer.
  • the incident light is preferentially absorbed by the quantum dots Z, and the quantum dots Z emit fluorescence. Emits light.
  • the fluorescence emitted by the quantum dot Z is absorbed by the quantum dot A.
  • the light incident on the light conversion layer is preferentially absorbed by the quantum dots A, so that the quantum dots A first emit light.
  • the red light emitted by the quantum dot A is not absorbed by the quantum dot B having the emission center wavelength in the shorter wavelength band than the quantum dot Z, or the amount of absorption thereof is small. It can be used with high efficiency.
  • the quantum dot Z may be only one kind of quantum dot or two or more kinds of quantum dots.
  • the quantum dot Z may include a quantum dot having an emission center wavelength in a shorter wavelength band than the quantum dot B, preferably a quantum dot C having an emission center wavelength in a wavelength band of 400 nm to 500 nm.
  • Quantum dot C is a quantum dot that emits blue light when excited.
  • the quantum dot A and the quantum dot C are included in the light conversion layer so that the red light emitted from the quantum dot A and the quantum dot B emits light.
  • White light can be realized by emitting RGB bright line light by the green light to be emitted and the blue light emitted from the quantum dots C.
  • the quantum dots B are preferably unevenly distributed on the excitation light incident side with respect to the quantum dots C.
  • FIG. 13 shows an example of a conventional light conversion member including quantum dots.
  • the quantum dots A reference numeral 3 in the figure
  • quantum dots B reference numeral 2 in the figure
  • FIGS. 2 to 11 are explanatory diagrams of a light conversion member according to one embodiment of the present invention.
  • the quantum dots A are relatively unevenly distributed on the excitation light incident side with respect to the quantum dots having the emission center wavelength in a shorter wavelength band than the quantum dots A.
  • the first quantum dot layer 102 ⁇ / b> A including only quantum dots A as quantum dots and the second quantum dot layer 102 ⁇ / b> B including only quantum dots B as quantum dots are provided.
  • Such a quantum dot layer can be produced by dispersing quantum dots in a resin material.
  • a quantum dot layer can be obtained in which the quantum dots are contained in a matrix material containing at least a binder resin.
  • the shape of the quantum dot layer is not particularly limited, and may be any shape such as a sheet shape or a bar shape.
  • quantum dots for example, JP 2012-169271 A paragraphs 0060 to 0066 can be referred to, but the quantum dots are not limited thereto.
  • quantum dots commercially available products can be used without any limitation.
  • the emission wavelength of the quantum dots can usually be adjusted by the composition and size of the particles.
  • the sheet-like quantum dot layer is preferably produced by a coating method.
  • a sheet-like quantum dot layer can be obtained by applying a polymerizable composition (a curable composition) containing quantum dots on a substrate and then performing a curing treatment by light irradiation or the like. it can.
  • two or more quantum dot layers can be laminated by sequentially applying and curing polymerizable compositions having different compositions, quantum dot concentrations, or composition and quantum dot concentrations.
  • the concentration of the quantum dots can be continuously or gradually increased by applying from the highest concentration to the lowest concentration or vice versa.
  • the coating may be performed by simultaneous multilayer coating (the upper layer is coated while the lower layer is undried) or sequentially by multilayer coating (after the lower layer is dried, preferably after curing, the upper layer is coated).
  • sequential multilayer coating inter-layer mixing is unlikely to occur. Therefore, in order to obtain a quantum dot layer including only one kind of quantum dots, it is preferable to perform sequential multilayer coating.
  • simultaneous multilayer coating and sequential multilayer coating Both are preferable.
  • the polymerizable compound used for preparing the polymerizable composition is not particularly limited. From the viewpoint of transparency and adhesion of the cured film after curing, (meth) acrylate compounds such as monofunctional or polyfunctional (meth) acrylate monomers, polymers thereof, prepolymers, and the like are preferable.
  • (meth) acrylate compounds such as monofunctional or polyfunctional (meth) acrylate monomers, polymers thereof, prepolymers, and the like are preferable.
  • description with "(meth) acrylate” shall be used by the meaning of at least any one of an acrylate and a methacrylate. The same applies to “(meth) acryloyl” and the like.
  • Monofunctional (meth) acrylate monomers include acrylic acid and methacrylic acid, derivatives thereof, and more specifically, monomers having one polymerizable unsaturated bond ((meth) acryloyl group) of (meth) acrylic acid in the molecule Can be mentioned. Reference can be made to WO2012 / 0777807A1 paragraph 0022 for specific examples thereof.
  • the details can be referred to WO2012 / 0777807A1 paragraph 0024.
  • the polyfunctional (meth) acrylate compound those described in paragraphs 0023 to 0036 of JP2013-043382A can also be used.
  • the amount of the polyfunctional (meth) acrylate monomer used is preferably 5 parts by mass or more from the viewpoint of coating strength with respect to 100 parts by mass of the total amount of polymerizable compounds contained in the polymerizable composition. From the viewpoint of suppressing the gelation of the product, it is preferably 95 parts by mass or less.
  • the polymerizable composition can contain a known radical initiator as a polymerization initiator.
  • a radical initiator as a polymerization initiator.
  • the polymerization initiator is preferably 0.1 mol% or more, more preferably 0.5 to 2 mol% of the total amount of the polymerizable compound contained in the polymerizable composition.
  • Quantum dots may be added to the polymerizable composition in the form of particles, or may be added in the form of a dispersion dispersed in a solvent.
  • the addition in the state of a dispersion is preferable from the viewpoint of suppressing the aggregation of the quantum dot particles.
  • the solvent used here is not particularly limited.
  • the quantum dots can be added, for example, about 0.01 to 10 parts by mass, preferably about 0.1 to 10 parts by mass, with respect to 100 parts by mass of the total amount of the composition.
  • the polymerizable composition containing the quantum dots described above can be applied to a suitable support and dried to remove the solvent, and then polymerized and cured by light irradiation or the like to obtain a quantum dot layer.
  • Application methods include curtain coating, dip coating, spin coating, print coating, spray coating, slot coating, roll coating, slide coating, blade coating, gravure coating, wire bar method, etc. A well-known coating method is mentioned.
  • the curing conditions can be appropriately set according to the type of polymerizable compound used and the composition of the polymerizable composition.
  • the total thickness of the light conversion layer is preferably in the range of 1 to 500 ⁇ m, more preferably in the range of 10 to 200 ⁇ m.
  • the thickness of one layer is preferably in the range of 1 to 300 ⁇ m, more preferably in the range of 10 to 250 ⁇ m, and still more preferably It is in the range of 10 to 100 ⁇ m.
  • the first quantum dot layer 103A including only quantum dots A as quantum dots and the second quantum dot layer 103B including only quantum dots B as quantum dots are provided in the light conversion layer 103.
  • the quantum dots A and the quantum dots B are stacked through a quantum dot mixed layer 103M.
  • the quantum dots A and the quantum dots B may be uniformly dispersed, or the quantum dots A may be unevenly distributed on the incident side with respect to the quantum dots B. From the viewpoint of further improving the luminous efficiency, the latter embodiment is preferred.
  • the light conversion layer 104 is a quantum dot mixed layer of quantum dots A and B, and the quantum dots A are unevenly distributed on the incident side with respect to the quantum dots B.
  • a quantum dot mixed layer can be obtained, for example, as described above.
  • a quantum dot layer 105A including only quantum dots A as quantum dots and a second quantum dot layer 105B including only quantum dots B as quantum dots are directly adjacent to each other.
  • only quantum dots C having a wavelength shorter than that of the quantum dots B and having an emission center wavelength in the wavelength band of 400 nm to 500 nm are quantum dots.
  • a third quantum dot layer 105 ⁇ / b> C is included.
  • a light source (UV light source) having an emission center wavelength in a wavelength band of 300 nm to 430 nm as a light source, so that red light is emitted from the quantum dot layer 105A and green light is emitted from the quantum dot layer 105B.
  • white light can be realized by emitting blue light from the quantum dot layer 105C.
  • the configuration of the light conversion layer 102 is the same as that of the light conversion member shown in FIG. 2, and the first quantum dot layer 102 ⁇ / b> A including only quantum dots A as quantum dots, As shown, the second quantum dot layer 102B including only the quantum dots B is disposed directly adjacent to the second quantum dot layer 102B.
  • the light conversion member 201 illustrated in FIG. 6 has the light scattering structure 21 on the surface of the second quantum dot layer 102B. The light emitted from the light conversion layer undergoes total reflection depending on the angle of incidence on the interface between adjacent layers having different refractive indexes, and is guided inside the display device, thereby describing the light extraction efficiency (hereinafter referred to as “extraction efficiency”).
  • a light scattering structure on the emission side to improve the light extraction efficiency is effective for further improving the light emission efficiency of the light conversion member.
  • Examples of such a light scattering structure include a surface uneven structure.
  • the surface concavo-convex structure it is preferable to provide a large number of fine concavo-convex portions on the entire surface on the emission side of the light conversion member.
  • the surface concavo-convex structure can be formed by a known method such as embossing or an etching resist described in JP2013-039802.
  • corrugated structure can also be provided by bonding together a commercially available prism sheet.
  • the configuration of the light conversion layer 102 is the same as that of the light conversion member shown in FIG. 2, and the first quantum dot layer 102 ⁇ / b> A including only quantum dots A as quantum dots, As shown, the second quantum dot layer 102B including only the quantum dots B is disposed directly adjacent to the second quantum dot layer 102B.
  • the light conversion member 201 illustrated in FIG. 6 includes a light scattering layer (light extraction layer) 22 as a layer adjacent to the second quantum dot layer 102B. By providing the light scattering layer on the emission side of the light conversion member, the light extraction efficiency can be increased as in the case of providing the light scattering structure.
  • the light scattering layer is preferably a resin layer in which scatterers (also referred to as “scattering particles”) are dispersed in a matrix material containing at least a binder resin.
  • scatterers also referred to as “scattering particles”
  • the scattering particles preferably have a refractive index difference of 0.02 or more from the matrix material constituting the entire light scattering layer.
  • the scattering particles may be inorganic particles or organic particles. Details thereof can be referred to paragraph 0022 of JP 2010-198735 A.
  • the film thickness of the light scattering layer is not particularly limited and is a dry film thickness, for example, about 0.5 ⁇ m to 50 ⁇ m, but can be appropriately selected according to the purpose. From the viewpoint of oxygen barrier properties and light transmittance, the range is preferably 1 ⁇ m to 20 ⁇ m, more preferably 2 ⁇ m to 10 ⁇ m, and still more preferably 3 ⁇ m to 7 ⁇ m.
  • FIG. 7 shows an example in which a light scattering layer including scattering particles is provided as a configuration for improving the light extraction efficiency.
  • the light extraction efficiency can be improved by making the scattering particles exist in the light conversion layer.
  • the light conversion member shown in FIG. 8 has the structure.
  • the first quantum dot layer including only the quantum dots A and the second quantum dot layer including only the quantum dots B as quantum dots are arranged directly adjacent to each other.
  • the scattering particle 5 is each contained in the two quantum dot layers.
  • the details of the scattering particles are the same as described above.
  • the weight density of the amount of scattering particles in the quantum dot layer is preferably 2% or more from the viewpoint of improving light extraction efficiency.
  • the weight density of scattering particles in the quantum dot layer should be less than 30%. Is preferred.
  • the refractive index ns of the scattering particles added to the light conversion layer is preferably such that the absolute value
  • of the difference from the refractive index nb of the binder resin is 0.02 or more. , 0.03 or more, and more preferably 0.1 or more.
  • the refractive index in this invention shall mean the refractive index ne with respect to the following e line.
  • the light conversion layer when two or more different types of scattering particles are included in the light conversion layer, it is preferable that at least one kind of light scattering particles has a refractive index satisfying the absolute value, and two or more types of light scattering particles It is more preferable to have a refractive index that satisfies the absolute value, and it is even more preferable that all light scattering particles have a refractive index that satisfies the absolute value.
  • the refractive index ns of the scattering particles may be larger or smaller than the refractive index nb of the binder resin. A larger value of
  • the refractive indexes of the scattering particles and the binder resin are values unique to the material, and can be known by specifying the material from the spectrum of the microscopic IR, for example.
  • the refractive index of the binder resin can be measured using an Abbe refractometer.
  • the refractive index of the binder resin can be adjusted by adding fine particles having a refractive index different from that of the binder resin and having a diameter of less than about 10 nm.
  • the fine particles having a diameter of about several tens of nm used here are sufficiently small to hardly scatter visible light.
  • the binder resin preferably has a small refractive index.
  • a resin having a refractive index greater than 1 when light emitted from a resin having a refractive index greater than 1 is extracted into the air layer, light incident at a critical angle or more is totally reflected at the interface with air, resulting in a decrease in light extraction efficiency.
  • the critical angle is determined by Snell's law. The lower the refractive index of the binder resin, the larger the critical angle and the light extraction efficiency. This tendency holds even when a high refractive index medium such as an inorganic barrier layer is present on the surface on the emission side of the binder resin.
  • one of the scattering particles and the binder resin which has a larger refractive index, has a smaller Abbe number ⁇ e.
  • the Abbe number of the binder resin is preferably smaller than the Abbe number of the scattering particles.
  • the Abbe number ⁇ e is an index representing the wavelength dependence of the refractive index, which is expressed by the following equation. Assuming that the difference in Abbe number between the scattering particles and the binder resin is ⁇ e, ⁇ e is preferably greater than 0, more preferably greater than 10, even more preferably greater than 15, and even more preferably greater than 20. Note that the Abbe number difference ⁇ e is calculated so as to be positive when one of the scattering particles and the binder resin having a larger refractive index has a smaller Abbe number ⁇ e.
  • the diameter rs of the scattering particles added to the light conversion layer is preferably 0.5 ⁇ m or more from the viewpoint of reducing the influence of backscattering, and is 10 ⁇ m or less from the viewpoint of reducing the influence of forward scattering. It is preferable. That is, it is preferable to be in the range of 0.5 ⁇ m ⁇ rs ⁇ 10 ⁇ m.
  • the diameter of the scattering particles is more preferably 0.8 ⁇ m ⁇ rs ⁇ 8 ⁇ m, and further preferably 1 ⁇ m ⁇ rs ⁇ 5 ⁇ m.
  • the diameter of the scattering particles can be determined by observing the cross section of the light conversion layer with a scanning electron microscope (SEM).
  • the ratio (number of particles) of the two kinds of scattering particles is more preferably 1: 9 to 9: 1, and further preferably 2: 8 to 8: 2.
  • the scattering particles contained in the light conversion layer are arranged on the surface of the light conversion layer as shown in FIG. 15, the light extraction efficiency can be improved. This is because total reflection can be prevented by disturbing the interface between the light conversion layer and the layer adjacent to the light conversion layer by the scattering particles arranged in this way. In this case, even when the refractive index of the binder resin and that of the scattering particles are equal, a good effect of improving the light extraction efficiency can be seen.
  • the haze of the light conversion layer is preferably 50% or more, more preferably 60% or more, and particularly preferably 90% or more from the viewpoint of extracting the fluorescence of the quantum dots to the outside.
  • the haze of the light conversion layer is, for example, 98% or less, but may be over 98% or 100%. As the haze of the light conversion layer is higher, the optical path length of the excitation light inside the light conversion layer is increased, so that fluorescence can be efficiently obtained with a small amount of quantum dots used.
  • the haze of the light conversion layer refers to a value measured according to JIS-K-7105, and can be measured using a haze meter (for example, Nippon Denshoku Industries Co., Ltd. NDH-2000).
  • the light conversion member 203 (203A, 203B, 203C) shown in FIG. 9 has the same structure as the light conversion member shown in FIG. 2 or the like in the light conversion layer 102, and the barrier film 41 ( 41A, 41B).
  • the structure of the light conversion layer 105 is the same as that of the light conversion member shown in FIG.
  • barrier films 41 (41A and 41B) are provided on both surfaces of the light conversion layers 105A and 105C.
  • the light scattering layer 22 is provided as a layer directly adjacent to the emission-side barrier films 41B and 31B.
  • the light scattering layer 22 is not only provided as a layer directly adjacent to the barrier film located on the emission side shown in FIGS. 9A and 10, but also adjacent to the emission side of the light conversion layer 102 shown in FIG. 9B. Or a configuration adjacent to the incident side of the light conversion layer 102 shown in FIG. 9C. Further, the scattering particles may be present in the light conversion layer.
  • the barrier film is preferably a film having an oxygen barrier property, and can play a role in preventing quantum dots from being deteriorated by oxygen over time and quantum efficiency (luminous efficiency) being lowered. More specifically, the photooxidation reaction of the quantum dots by the excitation light can be suppressed.
  • a film having an oxygen permeability of less than 1 cm 3 / m 2 / day / atm is synonymous with cm 3 / (m 2 ⁇ day ⁇ atm), and is expressed in the latter unit below.
  • Such a barrier film can be an organic layer, an inorganic layer, or a laminated film of two or more layers of an organic layer and an inorganic layer. Details thereof will be described later.
  • the barrier film is provided on the incident side and the exit side of the light conversion layer, respectively, the barrier film may be disposed only on the incident side or only on the exit side. Also good. From the viewpoint of maintaining the quantum efficiency better for a longer period, it is preferable to arrange barrier films on both the incident side and the emission side of the light conversion layer. By combining the light scattering layer and the barrier film in this way, it is possible to maintain higher luminous efficiency for a long period of time.
  • the light conversion member 205 shown in FIG. 11 has the same structure as that of the light conversion member shown in FIG. 2 and the like, and barrier films 41 (41A and 41B) are provided on both surfaces of the light conversion layer 102. ing. Further, in the light conversion member 205 shown in FIG. 11, the light scattering layer 22 is provided as a layer directly adjacent to the exit-side barrier film 41B, and the light reflection layer 23 is provided as a layer directly adjacent to the incident-side barrier film 41A. It has been. Providing the light reflection layer on the excitation light incident side of the light conversion layer is effective in improving the light utilization efficiency.
  • the light reflecting layer is preferably a cholesteric layer, and details will be described later.
  • the oxygen permeability of the barrier film is preferably 1 cm 3 / (m 2 ⁇ day ⁇ atm) or less, more preferably 0.1 cm 3 / (m 2 ⁇ day ⁇ atm) or less, as described above. 0.01 cm 3 / (m 2 ⁇ day ⁇ atm) or less.
  • the water vapor permeability of the barrier film 0.5g / (m 2 ⁇ day ) or less, preferably 0.1g / (m 2 ⁇ day) or less, particularly 0.05g / (m 2 ⁇ day) or less Is preferred. According to the barrier film having a low water vapor transmission rate, it is possible to prevent the quantum dots from being deteriorated by water such as water vapor.
  • the oxygen permeability is a value measured using an oxygen gas permeability measuring device (manufactured by MOCON, OX-TRAN 2/20: trade name) under the conditions of a measurement temperature of 23 ° C. and a relative humidity of 90%.
  • the water vapor transmission rate was measured using a water vapor transmission rate measuring device (manufactured by MOCON, PERMATRAN-W 3/31: trade name) under the conditions of a measurement temperature of 37.8 ° C. and a relative humidity of 100%. Value.
  • the barrier film may be an organic or inorganic single layer, or may be a laminated structure of two or more layers.
  • a barrier film can be obtained by forming two or more organic or inorganic layers on a substrate.
  • a layer structure of the barrier film for example, a structure in which the base material / inorganic layer / organic layer is laminated in this order from the light conversion layer side to the outside, and the base material / inorganic layer / organic layer / inorganic layer in this order.
  • stacking order is not specifically limited.
  • the substrate is preferably a transparent substrate that is transparent to visible light.
  • transparent to visible light means that the linear transmittance in the visible light region is 80% or more, preferably 85% or more.
  • the light transmittance used as a measure of transparency is measured by measuring the total light transmittance and the amount of scattered light using the method described in JIS-K7105, that is, using an integrating sphere light transmittance measuring device. It can be calculated by subtracting the rate.
  • paragraphs 0046 to 0052 of JP-A-2007-290369 and paragraphs 0040 to 0055 of JP-A-2005-096108 can be referred to.
  • the thickness of the substrate is preferably in the range of 10 ⁇ m to 500 ⁇ m, more preferably in the range of 10 to 200 ⁇ m, particularly in the range of 20 to 100 ⁇ m from the viewpoint of impact resistance, handling in the production of the barrier film, and the like.
  • the thickness of the inorganic layer is preferably 10 nm to 500 nm, more preferably 10 nm to 300 nm, and particularly preferably 10 nm to 150 nm.
  • the film thickness of the inorganic layer is within the above-described range, it is possible to suppress reflection on the barrier film while achieving good gas barrier properties, and to suppress a decrease in total light transmittance. Because.
  • the inorganic layer is preferably a silicon oxide film, a silicon nitride film, or a silicon oxynitride film. This is because these films have good adhesion to the organic film, so that even better gas barrier properties can be realized.
  • the organic layer preferably contains a cardo polymer.
  • the thickness of the organic layer is preferably in the range of 0.05 ⁇ m to 10 ⁇ m, and more preferably in the range of 0.5 to 10 ⁇ m.
  • the thickness of the organic layer is preferably in the range of 0.5 to 10 ⁇ m, and more preferably in the range of 1 to 5 ⁇ m. Further, when formed by a dry coating method, it is preferably in the range of 0.05 ⁇ m to 5 ⁇ m, and more preferably in the range of 0.05 ⁇ m to 1 ⁇ m. This is because when the film thickness of the organic layer formed by the wet coating method or the dry coating method is within the above-described range, the adhesion with the inorganic layer can be further improved.
  • a single layer (consisting of one layer) optical thin film can be laminated on the air interface on the barrier film.
  • a low refractive index layer having a refractive index n (535) of the optical thin film at a wavelength of 535 nm is lower than a refractive index nu (535) of a layer directly adjacent to the optical thin film in the barrier film.
  • the refractive index n (535) of the optical thin film at a wavelength of 535 nm is preferably 1.20 to 1.51, more preferably 1.30 to 1.46, and further preferably 1.40 to 1.46. preferable.
  • the optical thin film preferably has an optical thickness obtained by multiplying the refractive index and the film thickness satisfying any one of the following formulas (2-1), (2-2), and (2-3).
  • Formula (2-1) 1.15 ⁇ m ⁇ n (535) ⁇ d ⁇ 1.25 ⁇ m
  • Formula (2-2) 1.42 ⁇ m ⁇ n (535) ⁇ d ⁇ 1.52 ⁇ m
  • Formula (2-3) 1.69 ⁇ m ⁇ n (535) ⁇ d ⁇ 1.79 ⁇ m
  • n (535) represents the refractive index of the optical thin film at a wavelength of 535 nm
  • d represents the thickness (unit: ⁇ m) of the optical thin film.
  • the optical thin film satisfies any one of the following formulas (2-1A), (2-2A), and (2-3A), and in particular, satisfies the following formula (2-2A): preferable.
  • Formula (2-1A) 1.16 ⁇ m ⁇ n (535) ⁇ d ⁇ 1.24 ⁇ m
  • Formula (2-2A) 1.46 ⁇ m ⁇ n (535) ⁇ d ⁇ 1.51 ⁇ m
  • Formula (2-3A) 1.70 ⁇ m ⁇ n (535) ⁇ d ⁇ 1.78 ⁇ m
  • n (535) represents the refractive index of the optical thin film at a wavelength of 535 nm
  • d represents the thickness of the optical thin film (unit: ⁇ m).
  • the thickness d of the optical thin film is preferably 0.5 to 2 ⁇ m, and more preferably 0.7 to 1.5 ⁇ m.
  • the constituent components of the optical thin film known components can be used.
  • a material suitable for the organic layer of the barrier film can be used.
  • the barrier film on which the optical thin film is laminated may be laminated with the light conversion layer so that the optical thin film surface is on the air interface side, or vice versa.
  • the light reflecting layer is preferably a cholesteric layer.
  • a manufacturing method of the light reflection layer formed by fixing the cholesteric liquid crystal phase used for the aspect of a light reflection layer can be used, and the contents of these publications are incorporated in the present invention.
  • cholesteric liquid crystal an appropriate one may be used and there is no particular limitation.
  • the use of a liquid crystal polymer is advantageous from the standpoints of the superimposition efficiency of the liquid crystal layer and the thinning.
  • a cholesteric liquid crystal molecule having a large birefringence is preferable because the wavelength range of selective reflection is widened.
  • liquid crystal polymer examples include main chain type liquid crystal polymers such as polyester, side chain type liquid crystal polymers composed of acrylic main chain, methacryl main chain, siloxane main chain, and the like, nematic liquid crystal polymers containing a low molecular chiral agent, and introduction of chiral components. Any suitable liquid crystal polymer, nematic and cholesteric mixed liquid crystal polymer can be used. A glass transition temperature of 30 to 150 ° C. is preferable from the viewpoint of handleability.
  • the cholesteric liquid crystal layer can be formed by applying it directly to the polarization separator through an appropriate alignment film such as polyimide, polyvinyl alcohol, or obliquely deposited layer of SiO, or the alignment temperature of the liquid crystal polymer comprising a transparent film. It can be carried out by an appropriate method such as a method of applying to an unaltered support through an alignment film, if necessary. As the support, one having a phase difference as small as possible can be preferably used from the viewpoint of preventing the change of the polarization state. Further, a superposition method of a cholesteric liquid crystal layer through an alignment film can also be adopted.
  • an appropriate alignment film such as polyimide, polyvinyl alcohol, or obliquely deposited layer of SiO, or the alignment temperature of the liquid crystal polymer comprising a transparent film. It can be carried out by an appropriate method such as a method of applying to an unaltered support through an alignment film, if necessary. As the support, one having a phase difference as small as possible can
  • the liquid crystal polymer can be applied by a method in which a liquid material such as a solvent solution or a molten liquid is heated by an appropriate method such as a roll coating method, a gravure printing method, or a spin coating method. .
  • the thickness of the cholesteric liquid crystal layer to be formed is preferably 0.5 to 100 ⁇ m from the viewpoints of selective reflectivity, orientation disorder and prevention of transmittance decrease.
  • a dielectric multilayer film can be used for the light reflecting layer.
  • the method for producing a dielectric multilayer film using a film is not particularly limited. The contents of these publications are incorporated in the present invention.
  • the dielectric multilayer film may be referred to as a dielectric multilayer reflective polarizing plate or a birefringence interference polarizer having an alternating multilayer film.
  • These dielectric multilayer films can selectively reflect the wavelength by adjusting the film thickness and refractive index, and can be preferably used in this embodiment. In addition, these films often reflect polarized light only in a specific direction due to refractive index anisotropy, and in that case, if these two films are used orthogonally, all polarized light can be reflected. preferable.
  • the dielectric multilayer film is preferably thin, preferably in the range of 5 to 100 ⁇ m, more preferably in the range of 10 to 50 ⁇ m, and in the range of 5 to 20 ⁇ m. Further preferred.
  • a backlight unit includes the above-described light conversion member, a light source, At least.
  • the details of the light conversion member are as described above.
  • the backlight unit uses a three-wavelength light source to achieve high brightness and high color reproducibility.
  • Blue light having an emission center wavelength in a wavelength band of 430 to 480 nm and a peak of emission intensity having a half width of 100 nm or less;
  • Green light having an emission center wavelength in a wavelength band of 500 to 600 nm and a peak of emission intensity having a half-width of 100 nm or less;
  • the wavelength band of the blue light emitted from the backlight unit is preferably 440 to 480 nm, and more preferably 440 to 460 nm.
  • the wavelength band of the green light emitted from the backlight unit is preferably 510 to 560 nm, and more preferably 510 to 545 nm.
  • the wavelength band of red light emitted from the backlight unit is preferably 600 to 650 nm, and more preferably 610 to 640 nm.
  • the half-value widths of the emission intensity of blue light, green light, and red light emitted from the backlight unit are all preferably 80 nm or less, more preferably 50 nm or less, and 40 nm or less. More preferably, it is more preferably 30 nm or less. Among these, it is particularly preferable that the half-value width of each emission intensity of blue light is 25 nm or less.
  • the backlight unit includes a light source together with at least the light conversion member.
  • a light source that emits blue light having an emission center wavelength in the wavelength band of 430 nm to 480 nm, for example, a blue light emitting diode that emits blue light can be used.
  • the light conversion layer preferably includes at least quantum dots A that are excited by excitation light and emit red light, and quantum dots B that emit green light.
  • white light can be embodied by blue light emitted from the light source and transmitted through the light conversion member, and red light and green light emitted from the light conversion member.
  • a light source that emits ultraviolet light having an emission center wavelength in the wavelength band of 300 nm to 430 nm, for example, an ultraviolet light emitting diode can be used.
  • the light conversion layer includes quantum dots C that are excited by excitation light and emit blue light together with quantum dots A and B.
  • white light can be embodied by red light, green light, and blue light emitted from the light conversion member.
  • the configuration of the backlight unit may be an edge light system using a light guide plate, a reflection plate, or the like as a constituent member.
  • FIG. 1 shows an example of an edge light type backlight unit
  • the backlight unit according to one embodiment of the present invention may be a direct type. Any known light guide plate can be used without any limitation.
  • the backlight unit can include a reflecting member at the rear of the light source.
  • a reflecting member at the rear of the light source.
  • a well-known thing can be used, and it is described in patent 3416302, patent 3363565, patent 4091978, patent 3448626, etc., The content of these gazettes is this Incorporated into the invention.
  • the backlight unit has a blue wavelength selection filter that selectively transmits light having a wavelength shorter than 500 nm (preferably light having a wavelength shorter than 460 nm) of blue light. It is also preferable that the backlight unit has a red wavelength selection filter that selectively transmits light having a wavelength longer than 500 nm (preferably light having a wavelength longer than 630 nm) out of red light.
  • a blue wavelength selection filter or a red wavelength selection filter A well-known thing can be used. Such a filter is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-52067, and the content of this publication is incorporated in the present invention.
  • the backlight unit preferably further includes a known diffusion plate, diffusion sheet, prism sheet (for example, BEF series manufactured by Sumitomo 3M Limited), and a light guide.
  • a known diffusion plate for example, BEF series manufactured by Sumitomo 3M Limited
  • prism sheet for example, BEF series manufactured by Sumitomo 3M Limited
  • a light guide for example, BEF series manufactured by Sumitomo 3M Limited
  • Other members are also described in Japanese Patent No. 3416302, Japanese Patent No. 3363565, Japanese Patent No. 4091978, Japanese Patent No. 3448626, and the contents of these publications are incorporated in the present invention.
  • a liquid crystal display device includes at least the above-described backlight unit and a liquid crystal cell.
  • the driving mode of the liquid crystal cell is not particularly limited, and is twisted nematic (TN), super twisted nematic (STN), vertical alignment (VA), in-plane switching (IPS), and optically compensated bend cell (OCB).
  • TN twisted nematic
  • STN super twisted nematic
  • VA vertical alignment
  • IPS in-plane switching
  • OCB optically compensated bend cell
  • the liquid crystal cell is preferably VA mode, OCB mode, IPS mode, or TN mode, but is not limited thereto.
  • the configuration shown in FIG. 2 of Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-262161 is given as an example.
  • the specific configuration of the liquid crystal display device is not particularly limited, and a known configuration can be adopted.
  • a liquid crystal cell having a liquid crystal layer sandwiched between substrates provided with electrodes on at least one of the opposite sides is provided, and the liquid crystal cell is arranged between two polarizing plates.
  • the liquid crystal display device includes a liquid crystal cell in which liquid crystal is sealed between upper and lower substrates, and displays an image by changing the alignment state of the liquid crystal by applying a voltage. Furthermore, it has an accompanying functional layer such as a polarizing plate protective film, an optical compensation member that performs optical compensation, and an adhesive layer as necessary.
  • a surface layer such as an undercoat layer may be disposed.
  • FIG. 11 illustrates an example of a liquid crystal display device according to one embodiment of the present invention.
  • a liquid crystal display device 51 shown in FIG. 11 has a backlight side polarizing plate 14 on the surface of the liquid crystal cell 21 on the backlight side.
  • the backlight-side polarizing plate 14 may or may not include the polarizing plate protective film 11 on the backlight-side surface of the backlight-side polarizer 12, but it is preferably included.
  • the backlight side polarizing plate 14 preferably has a configuration in which the polarizer 12 is sandwiched between two polarizing plate protective films 11 and 13.
  • the polarizing plate protective film on the side closer to the liquid crystal cell with respect to the polarizer is referred to as the inner side polarizing plate protective film
  • the polarizing plate protective film on the side farther from the liquid crystal cell with respect to the polarizer is referred to as the outer side polarizing plate. It is called a protective film.
  • the polarizing plate protective film 13 is an inner side polarizing plate protective film
  • the polarizing plate protective film 11 is an outer side polarizing plate protective film.
  • the backlight side polarizing plate may have a retardation film as an inner side polarizing plate protective film on the liquid crystal cell side.
  • a retardation film a known cellulose acylate film or the like can be used.
  • the liquid crystal display device 51 has a display-side polarizing plate 44 on the surface of the liquid crystal cell 21 opposite to the surface on the backlight side.
  • the display-side polarizing plate 44 has a configuration in which a polarizer 42 is sandwiched between two polarizing plate protective films 41 and 43.
  • the polarizing plate protective film 43 is an inner side polarizing plate protective film
  • the polarizing plate protective film 41 is an outer side polarizing plate protective film.
  • the backlight unit 31 included in the liquid crystal display device 51 is as described above.
  • liquid crystal cell the polarizing plate, the polarizing plate protective film, and the like constituting the liquid crystal display device according to one embodiment of the present invention
  • those prepared by known methods and commercially available products can be used without any limitation.
  • it can.
  • RGB pixel forming method When a light source having an emission center wavelength in a wavelength band of 500 nm or less is used, various known methods can be used as the RGB pixel forming method. For example, a desired black matrix and R, G, and B pixel patterns can be formed on a glass substrate by using a photomask and a photoresist, and colored inks for R, G, and B pixels can be used.
  • a black matrix having a predetermined width and an area (a concave portion surrounded by convex portions) divided by a black matrix wider than the width of the black matrix every n pieces using an inkjet printer It is also possible to produce a color filter composed of R, G, and B patterns by discharging the ink composition until the density reaches a predetermined density. After image coloring, each pixel and the black matrix may be completely cured by baking or the like. Preferred characteristics of the color filter are described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2008-083611 and the like, and the content of this publication is incorporated in the present invention.
  • one wavelength is 590 nm to 610 nm and the other wavelength is 470 nm to 500 nm in the color filter showing green.
  • one wavelength of the color filter exhibiting green has a transmittance that is half of the maximum transmittance is 590 nm to 600 nm.
  • the maximum transmittance of the color filter showing green is 80% or more.
  • the wavelength having the maximum transmittance is preferably 530 nm or more and 560 nm or less.
  • the transmittance at the wavelength of the emission peak is preferably 10% or less of the maximum transmittance.
  • the color filter exhibiting red color preferably has a transmittance of 580 nm or more and 590 nm or less of 10% or less of the maximum transmittance.
  • known pigments can be used without any limitation. Currently, pigments are generally used. However, color filters using dyes may be used as long as they are pigments that can control spectroscopy and ensure process stability and reliability.
  • Black matrix In the liquid crystal display device, it is preferable that a black matrix is disposed between the pixels.
  • the material for forming the black stripe include a material using a sputtered film of a metal such as chromium, and a light-shielding photosensitive composition in which a photosensitive resin and a black colorant are combined.
  • the black colorant include carbon black, titanium carbon, iron oxide, titanium oxide, graphite, and the like. Among these, carbon black is preferable.
  • the liquid crystal display device can further include a TFT substrate having a thin layer transistor (hereinafter also referred to as TFT).
  • TFT thin layer transistor
  • the thin film transistor preferably includes an oxide semiconductor layer having a carrier concentration of less than 1 ⁇ 10 14 / cm 3 .
  • a preferred embodiment of the thin layer transistor is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-141522, and the content of this publication is incorporated in the present invention.
  • the liquid crystal display device has a light conversion member with high quantum dot light emission efficiency, thereby realizing high luminance and high color reproducibility without using a large amount of expensive quantum dots. It is possible.
  • Example 1 the quantum dot layer 102A in FIG. 2 is arranged on the incident side, and the quantum dot layer 102B is arranged on the emission side.
  • a quantum dot B having an emission peak in the wavelength band of 500 to 600 nm was added so as to have the concentration shown in Table 1, and vacuum drying was performed for 30 minutes. Stirring was performed until the quantum dots were dispersed to obtain a dispersion M (quantum dot-containing polymerizable composition).
  • Example 1 production of light conversion member shown in FIG. 2
  • Example 1 production of light conversion member shown in FIG. 2
  • Dispersion B was applied to a glass plate so as to have the film thickness shown in Table 2, and a photosensitive layer was formed into a glass plate. From the air surface side, the photosensitive layer is exposed at 5 J / cm 2 under a nitrogen atmosphere using a UV exposure machine (EXECURE 3000W manufactured by HOYA CANDEO OPTRONICS) to cure the photosensitive layer, and the exposure film ( A quantum dot layer 102B) was obtained. Dispersion A was applied to the obtained exposed film so as to have the film thickness shown in Table 2 to form a photosensitive layer. After exposing with respect to the photosensitive layer on the said conditions, the cured film was peeled from the glass plate and the light conversion member (light conversion layer 102) was obtained.
  • a UV exposure machine EXECURE 3000W manufactured by HOYA CANDEO OPTRONICS
  • Example 2 (Production 1 of light converting member shown in FIG. 3)] Preparation of Light Conversion Layer 103 Dispersion B was applied to a glass plate so as to have the film thickness shown in Table 2, and a photosensitive layer was formed into a glass plate. The photosensitive layer was exposed under the above conditions to obtain a cured film (quantum dot layer 103B). Dispersion liquid M was applied to the obtained cured film so as to have a film thickness shown in Table 2 to form a photosensitive layer. The photosensitive layer was exposed under the above conditions to obtain a two-layer cured film of a quantum dot layer 103B and a quantum dot mixed layer 103M.
  • Dispersion A was applied to the resulting two-layer cured film so as to have the film thicknesses shown in Table 2 to form a photosensitive layer. After exposing the obtained photosensitive layer on the said conditions, the cured film was peeled from the glass plate and the light conversion member (light conversion layer 103) was obtained.
  • Example 3 (Production 2 of light conversion member shown in FIG. 3)] 1. Preparation of quantum dot-containing polymerizable compositions D1 to D8 To 100 mg of polymerizable composition A, a toluene dispersion of quantum dots was added so that quantum dots B and quantum dots A had the concentrations shown in Table 1, Vacuum drying was performed for 30 minutes. Stirring was performed until the quantum dots were dispersed to obtain eight types of dispersions D1 to D8.
  • Dispersion B was applied to a glass plate so as to have the film thickness shown in Table 2, and a photosensitive layer was formed into a glass plate. The photosensitive layer was exposed under the above conditions to obtain a cured film (quantum dot layer 103B). Dispersion D1 was applied to the obtained cured film so as to have a film thickness shown in Table 2 to form a photosensitive layer. The photosensitive layer was exposed under the above conditions to obtain a two-layer cured film. Thereafter, for the obtained cured layer, only the type of the dispersion is changed to D2 to D9 and A in this order, and coating is performed under the conditions as shown in Table 2, and exposure is performed under the above conditions.
  • the cured film (quantum dot mixed layer 103M and quantum dot layer 103A) consisting of a multilayer (quantum dot mixed layer 103M and quantum dot layer 103A) was obtained.
  • the obtained cured film was peeled from the glass plate to obtain a light conversion member (light conversion layer 103).
  • Quantum dots have the property that the emission wavelength shifts to the short wavelength side as the particle size decreases, and the longer wavelength side shifts as the particle size increases. Therefore, the quantum dot A has a larger particle size than the quantum dot B. Therefore, the quantum dots A and B were classified according to the particle size in the TEM image, and the density distribution of the quantum dots A and B was measured. As a result, the quantum dot A has the highest density in the quantum dot layer 103A.
  • the quantum dot A density decreases as it approaches the quantum dot layer 103B, and the quantum dot A density increases as it approaches the quantum dot layer 103A. It was confirmed that it was not included in the quantum dot layer 103B. From the above measurement, it was confirmed that in the light polarizing member obtained in Example 3, the concentration distribution of the quantum dots A continuously changed in the quantum dot mixed layer 103M.
  • Example 4 production of light conversion member shown in FIG. 5
  • Example 4 Production of light conversion member shown in FIG. 5
  • the liquid was added so that the quantum dot C might become the density
  • Dispersion B was applied on a glass plate so as to have the film thickness described in Table 2, and a photosensitive layer was formed in a glass plate shape. From the air surface side, the photosensitive layer is exposed at 5 J / cm 2 under a nitrogen atmosphere using a UV exposure machine (EXECURE 3000W manufactured by HOYA CANDEO OPTRONICS) to cure the photosensitive layer, and the exposure film ( A cured film) was obtained. Dispersion A was applied to the obtained exposed film so as to have the film thickness shown in Table 2 to form a photosensitive layer. After exposing with respect to the photosensitive layer on the said conditions, the laminated body of the cured film was peeled from the glass plate, and the light conversion member (light conversion layer 107) was obtained.
  • a UV exposure machine EXECURE 3000W manufactured by HOYA CANDEO OPTRONICS
  • Table 3 Examples and Comparative Examples having a blue light source in the column of light source are used for quantum for incident light having a wavelength of 465 nm using an external quantum efficiency measuring device (C9920-12 manufactured by Hamamatsu Photonics). Efficiency was measured in the form with an integrating sphere.
  • Example 4 which has a UV light source in the light source column, quantum efficiency was obtained in the same manner except that the wavelength of the light source was changed to 365 nm. The quantum efficiency measured in this way was scored according to the following criteria and listed in Table 3.
  • Example 5 production of light conversion member shown in FIG. 6
  • Production of Light Conversion Member Prism sheet obtained by disassembling the backlight of a commercially available liquid crystal display device (trade name TH-L42D2 manufactured by Panasonic) on the surface of the quantum dot layer 102B of the light conversion layer 102 produced in Example 1. Was bonded via an adhesive. Thereby, the light conversion member 201 was obtained.
  • Example 6 production of light conversion member shown in FIG. 7
  • Example 6 Production of light conversion member shown in FIG. 7
  • a heat-crosslinkable fluoropolymer having a refractive index of 1.42 JN-7228 manufactured by JSR Corporation
  • SiO 2 sol average particle size of 10
  • MEK methyl ethyl ketone
  • MEK-ST manufactured by Nissan Chemical Co., Ltd.
  • Example 7 production of light conversion member shown in FIG. 8
  • a light conversion member (light conversion layer 106) was obtained in the same manner as in Example 1 except for the added point.
  • MEK methyl ethyl ketone
  • Example 8 production of light conversion member shown in FIG. 9a
  • Preparation of barrier film (1) Preparation of inorganic film A PET film (Cosmo Shine A4300 manufactured by Toyobo Co., Ltd., thickness 100 ⁇ m, refractive index nu (535): 1.62) was used as a transparent substrate and placed in the chamber of a magnetron sputtering apparatus. did. Silicon nitride was used as a target, and film formation was performed under the following film formation conditions so that the film thickness of silicon oxynitride was 25 nm.
  • PET film Cosmo Shine A4300 manufactured by Toyobo Co., Ltd., thickness 100 ⁇ m, refractive index nu (535): 1.62
  • Silicon nitride was used as a target, and film formation was performed under the following film formation conditions so that the film thickness of silicon oxynitride was 25 nm.
  • the oxygen transmission rate was 0.5 cm 3 / (m 2 ⁇ day) or less, and the water vapor transmission rate was 0.5 g / (m 2 ⁇ day).
  • Quantum dot layer 102A of light conversion layer 102 produced by the same method as in Example 1, and 1. above.
  • the barrier film 41 ⁇ / b> A produced in step 1 was bonded using an acrylic adhesive having a refractive index of 1.47.
  • the light scattering layer 22 having a thickness of 1.2 ⁇ m was formed on the transparent base material surface of the barrier film 41B by the same method as in Example 6 using the light scattering layer coating solution prepared in Example 6.
  • the quantum dot layer 102B of the light conversion layer 102 and the barrier film 41B with the light scattering layer 22 are bonded using an acrylic adhesive having a refractive index of 1.47 so that the light scattering layer is on the air interface side. Pasted together. In this way, a light conversion member (optical conversion member 203A) was obtained.
  • Example 9 production of light conversion member shown in FIG. 10.
  • the barrier film 41A and the barrier film 41B with the light scattering layer 22 are laminated in the same manner as in Example 8. did. In this way, a light conversion member (light conversion member 204) was obtained.
  • Example 10 Production of light conversion member shown in FIG. 11
  • a cholesteric liquid crystal phase is fixed on the transparent substrate surface of the barrier film 41A by changing the amount of right- or left-handed chiral agent added by the method described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 2010-286643.
  • One cholesteric layer, second cholesteric layer, third cholesteric layer and fourth cholesteric layer were formed by coating.
  • the reflection center wavelength of the peak of the maximum reflectance of the obtained first light reflection layer was 535 nm
  • the half width was 50 nm
  • the twist direction was right twist
  • the film thickness was 2.0 ⁇ m.
  • the reflection center wavelength of the peak of the maximum reflectance of the obtained first light reflection layer was 535 nm, the half width was 50 nm, the twist direction was left-handed, and the film thickness was 2.0 ⁇ m.
  • the reflection center wavelength of the peak of the maximum reflectance of the obtained third light reflection layer was 630 nm, the half width was 60 nm, the twist direction was right-handed, and the film thickness was 2.1 ⁇ m.
  • the reflection center wavelength of the peak of maximum reflectance of the obtained third light reflection layer was 630 nm, the half width was 60 nm, the twist direction was left-handed, and the film thickness was 2.1 ⁇ m.
  • the average refractive index of the first cholesteric layer, the second cholesteric layer, the third cholesteric layer, and the fourth cholesteric layer was 1.57.
  • the first cholesteric layer, the second cholesteric layer, the third cholesteric layer, and the fourth cholesteric layer were laminated to form a light reflecting layer.
  • the obtained light reflecting layer exhibited the performance of reflecting light in the green wavelength region centered at 535 nm and the red wavelength region centered at 630 nm regardless of the polarization direction.
  • a light conversion member (light conversion member 205) was obtained in the same manner as in Example 8 except that the above application was performed on the transparent base material side of the barrier film 41A.
  • the ratio of the total wavelength integrated value of the brightness of the sample consisting only of the light conversion member and the binder was taken as the extraction efficiency.
  • the extraction efficiency measured in this way was scored according to the following criteria and listed in Table 4.
  • Quantum efficiency after endurance test After the light conversion members of Examples and Comparative Examples were left in an environment at a temperature of 85 ° C. and a relative humidity of 85% for 100 hours, then taken out to an environment at a temperature of 25 ° C. and a relative humidity of 60% and left for 2 hours or more Quantum efficiency was measured. The quantum efficiency after the endurance test thus measured was scored according to the following criteria and listed in Table 4.
  • Example 11 is the same as Example 1 except that silica particles (refractive index 1.45, particle size 2 ⁇ m) are added to dispersions A and B, which are quantum dot-containing polymerizable compositions, respectively.
  • the light conversion member was obtained.
  • the refractive index of the binder was measured with a multiwavelength Abbe refractometer (DR-M2 manufactured by Atago Co., Ltd.).
  • Example 12 A ZrO 2 fine particle-containing hard coat agent (Opstar KZ6666 manufactured by JSR Corporation) and polymethyl methacrylate (PMMA) particles (refractive index 1.50, particle size 2 ⁇ m) were newly added to 100 mg of the polymerizable composition A.
  • a dispersion E was obtained in the same manner as in the preparation of the dispersion A except for the above point. Moreover, except that the ZrO 2 fine particle-containing hard coating agent (JSR Co., Ltd. OPSTAR KZ6666) and PMMA particles (refractive index 1.50, particle size 2 ⁇ m) were newly added to the polymerizable composition A 100 mg.
  • a dispersion F was obtained in the same manner as in the preparation of the dispersion B.
  • a light conversion member described in Example 12 was obtained in the same manner as in Example 1 except that Dispersion E was used instead of Dispersion A and Dispersion F was used instead of Dispersion B.
  • Example 13 In the same manner as in Example 1, except that PMMA particles (refractive index: 1.50, particle size: 2 ⁇ m) were newly added to dispersions A and B, which are quantum dot-containing polymerizable compositions, respectively. The light conversion member as described in 13 was obtained.
  • Example 14 In the same manner as in Example 1, except that polystyrene particles (refractive index: 1.60, particle size: 2 ⁇ m) were newly added to dispersions A and B, which are quantum dot-containing polymerizable compositions, respectively. The light conversion member as described in 14 was obtained.
  • Examples 15 to 19 are described in the same manner as in Example 14 except that the particles added to the dispersions A and B, which are quantum dot-containing polymerizable compositions, are changed to particles having the diameters shown in Table 6. The light conversion member was obtained.
  • Example 20 Two types of particles (polystyrene particles A (refractive index 1.60, particle size 5 ⁇ m) and polystyrene particles B (refractive index 1.60, particle size 0) are respectively added to the dispersions A and B, which are quantum dot-containing polymerizable compositions.
  • the light conversion member described in Example 20 was obtained in the same manner as in Example 1 except that .8 ⁇ m)) was newly added in the same amount.
  • Example 21 In dispersions A and B, which are quantum dot-containing polymerizable compositions, 100 mg of urethane methacrylate (MCR-10 manufactured by Mitsubishi Rayon Co., Ltd.) was used instead of 100 mg of polymerizable composition A, and polystyrene particles (refractive index of 1.60) were used.
  • the light conversion member described in Example 21 was obtained in the same manner as in Example 1 except that the particle size was newly added.
  • Example 22 In dispersions A and B, which are quantum dot-containing polymerizable compositions, 100 mg of methacrylate (Kureha K-55) was used instead of 100 mg of polymerizable composition A, and polystyrene particles (refractive index of 1.60, particle size) were used. A light conversion member described in Example 22 was obtained in the same manner as in Example 1 except that 2 ⁇ m) was newly added.
  • Example 23 Polystyrene particles (refractive index: 1.60, particle size: 2 ⁇ m) were newly added to dispersion B, which is a quantum dot-containing polymerizable composition, to obtain dispersion G.
  • Dispersion A was applied on a glass plate so that the final film thickness was 150 ⁇ m, and a photosensitive layer was formed on the glass plate.
  • a UV exposure machine EXECURE 3000W manufactured by HOYA CANDEO OPTRONICS
  • Dispersion B was applied to the resulting exposed film so that the final film thickness was 145 ⁇ m to form a photosensitive layer.
  • the photosensitive layer was exposed and cured under the above conditions to obtain a two-layer cured film.
  • the dispersion liquid G was applied to the resulting exposed film so that the finished film thickness was 5 ⁇ m, and then exposed and cured under the above conditions to obtain a three-layered cured film.
  • the cured film was peeled from the glass plate to obtain a light conversion member 108 (embodiment shown in FIG. 15) described in Example 23.
  • Examples 24-28 The same method as in Example 1 except that polystyrene particles (refractive index: 1.60, particle size: 2 ⁇ m) were added to dispersions A and B, which are quantum dot-containing polymerizable compositions, respectively, while changing the addition amount.
  • the light conversion members described in Examples 24 to 28 were obtained. It was a value of Table 10 when the haze of the obtained light conversion member was measured.
  • Evaluation method 1 Extraction efficiency Measured and evaluated as described above. The results are listed in Tables 5-10. 2. Haze of light conversion layer Measured with a haze meter (Nippon Denshoku Industries Co., Ltd. NDH-2000) according to JIS-K-7105.
  • Example 29 production of backlight unit and liquid crystal display device
  • a backlight unit having the configuration shown in FIG. A commercially available liquid crystal display device (trade name TH-L42D2 manufactured by Panasonic Corporation) was disassembled, and the backlight unit was changed to the above backlight unit, whereby a liquid crystal display device of Example 10 was produced.
  • the liquid crystal display device thus manufactured includes a light conversion member capable of emitting light with high quantum efficiency, and has high luminance and excellent color reproducibility.
  • the present invention is useful in the field of manufacturing liquid crystal display devices.
  • Light conversion layer 2 Quantum dot B 3: Quantum dot A 4: Quantum dot C 5: Scattered particles 102A, 103A, 105A: quantum dot layers 102B, 103B, 105B including only quantum dots A as quantum dots 103M: quantum dot mixed layers 105C: quantum dots including only quantum dots B as quantum dots Quantum dot layer 21 including only quantum dots C: Light scattering structure 22: Light scattering layer 23: Light reflection layer 31: Backlight unit 31A: Light source 31B: Light guide plate 31C: Light conversion member 41A, 41B: Barrier films 201 to 205: Light conversion member

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Abstract

本発明の一態様は、入射する励起光により励起され蛍光を発光する量子ドットを含む光変換層を有する光変換部材であって、光変換層は、600nm~680nmの範囲の波長帯域に発光中心波長を有する量子ドットAと、量子ドットAよりも短波長帯域に発光中心波長を有する一種以上の量子ドットZと、を含有し、光変換層において、量子ドットAが、量子ドットZに対して励起光入射側に相対的に偏在している光変換部材に関する。

Description

光変換部材、ならびにこれを含むバックライトユニットおよび液晶表示装置
 本発明は、光変換部材に関するものであり、詳しくは、発光効率の高い光変換部材に関するものである。
 更に本発明は、この光変換部材を含むバックライトユニット、およびこのバックライトユニットを含む液晶表示装置にも関する。
 液晶表示装置(以下、LCD(Liquid Crystal Display)とも言う)などのフラットパネルディスプレイは、消費電力が小さく、省スペースの画像表示装置として年々その用途が広がっている。液晶表示装置は、少なくともバックライトと液晶セルとから構成され、通常、更に、バックライト側偏光板、視認側偏光板などの部材が含まれる。
 フラットパネルディスプレイ市場では、LCD性能改善として、色再現性の向上が進行している。この点に関し、近年、発光材料として、量子ドット(Quantum Dot、QD、量子点とも呼ばれる。)が注目を集めている(特許文献1、2参照)。例えば、バックライトから量子ドットを含む光変換部材に励起光が入射すると、量子ドットが励起され蛍光を発光する。ここで異なる発光特性を有する量子ドットを用いることで、赤色光、緑色光、青色光(RGB)の輝線光を発光させて白色光を具現化することができる。中でも最近、光源として青色発光ダイオードを使用し、蛍光として赤色光および緑色光を発光する量子ドットを利用して白色光を得る技術が数多く提案されている。量子ドットによる蛍光は半値幅が小さいため、得られる白色光は高輝度であり、しかも色再現性に優れる。このような量子ドットを用いた3波長光源化技術の進行により、色再現域は、現行のTV規格(FHD、NTSC(National Television System Committee))比72%から100%へと拡大している。
US2012/0113672A1 特開2012-169271号公報
 上記の通り、量子ドットは、色再現性向上によりLCDの性能を改善し得る有用な材料である。しかし現状、量子ドットは安価で流通している材料ではないため、量子ドットを用いる液晶表示装置は高額になる傾向がある。そのため、液晶表示装置の低コスト化のためには、量子ドットの使用量を低減すべく、その発光効率を高めることが望ましい。
 そこで本発明の目的は、量子ドットを含む光変換部材であって、高い発光効率を実現し得る光変換部材を提供することにある。
 本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、異なる発光特性を有する量子ドット同士が多重に吸光と発光を繰り返すことが、量子ドットを含む光変換部材の発光効率低下の原因となっていることを新たに見出した。この点について更に説明すると、例えば蛍光として赤色光を発光する第一の量子ドットと緑色光を発光する第二の量子ドットを含む光変換部材にバックライトから青色光が入射すると、第二の量子ドットが励起し発光した緑色光を、第一の量子ドットが吸収してしまう。そのため、第二の量子ドットから発光される緑色光を高効率で取り出すことができなくなり、結果的に、量子ドットによる発光の利用効率が低下してしまう。これは、吸光スペクトルが発光スペクトルよりも短波長側に広がっているという、量子ドット特有の吸収特性によるものである。
 そこで本発明者らは、上記新たな知見に基づき更なる検討を重ねた結果、光変換部材において、いわゆる赤色光を発光する量子ドットAを、この量子ドットよりも短波長帯域に発光中心波長を有する量子ドットに対して相対的に入射側に偏在させることにより、ある量子ドットが発光した蛍光を量子ドットAが吸収することによる発光効率低下を抑制できることを見出し、本発明を完成させた。
 即ち、本発明の一態様は、
 入射する励起光により励起され蛍光を発光する量子ドットを含む光変換層を有する光変換部材であって、
 上記光変換層は、
 600nm~680nmの範囲の波長帯域に発光中心波長を有する量子ドットAと、
 量子ドットAよりも短波長帯域に発光中心波長を有する一種以上の量子ドットZと、
を含有し、
 上記光変換層において、量子ドットAが、量子ドットZに対して励起光入射側に相対的に偏在している光変換部材、
に関する。
 一態様では、量子ドットZは、500nm~600nmの範囲の波長帯域に発光中心波長を有する量子ドットBを含む。
 一態様では、量子ドットZは、量子ドットBよりも短波長帯域であって、400nm~500nmの波長帯域に発光中心波長を有する量子ドットCを更に含む。
 更なる一態様では、上記光変換層において、量子ドットBが、量子ドットCに対して励起光入射側に相対的に偏在している。
 一態様では、上記光変換層は、量子ドットAと量子ドットAよりも短波長帯域に発光中心波長を有する一種以上の量子ドットZとを含む量子ドット混合層を含み、かつ
 上記量子ドット混合層において、量子ドットAの濃度分布が励起光入射側から蛍光出射側に向かって連続的ないし段階的に減少している。
 一態様では、上記光変換層は、
 量子ドットとして量子ドットAのみを含む第一の量子ドット層と、
 量子ドットAよりも短波長帯域に発光中心波長を有する一種以上の量子ドットZを含む少なくとも一層の量子ドット層と、
を有し、かつ、
 上記第一の量子ドット層が、他の量子ドット層よりも励起光入射側に位置している。
 なお、上記の「量子ドットAのみを含む」とは、第一の量子ドット層作製のための量子ドットとして量子ドットAのみを使用したことをいい、層間の界面での混合等により意図せず他の種類の量子ドットが第一の量子ドット層に混入していることは、許容されるものとする。この点は、以下の他の量子ドット層においても、同様である。
 一態様では、上記光変換層は、第一の量子ドット層よりも蛍光出射側に、量子ドットとして500nm~600nmの範囲の波長帯域に発光中心波長を有する量子ドットBのみを含む第二の量子ドット層を有する。
 一態様では、上記光変換層は、第二の量子ドット層よりも蛍光出射側に、量子ドットとして400nm~500nmの波長帯域に発光中心波長を有する量子ドットCのみを含む第三の量子ドット層を有する。
 一態様では、上述の光変換部材は、上記光変換層の励起光入射側表面および蛍光出射側表面の少なくとも一方の表面に、酸素透過率が1.0cm3/m2/day/atm未満のバリアフィルムを有する。
 一態様では、上述の光変換部材は、蛍光出射側表面に光散乱層または光散乱構造を有する。例えば、光散乱層は、散乱粒子を含む層であり、光散乱構造とは、表面凹凸構造である。
 他の一態様では、散乱粒子が、光変換層に含まれる。
 一態様では、上述の光変換部材は、上記光変換層の励起光入射側に、光反射層を有する。
 一態様では、光変換層は、バインダー樹脂中に散乱粒子を含む。
 一態様では、光変換層において、散乱粒子の屈折率nsおよびバインダー樹脂の屈折率nbが、0.02≦|nb-ns|≦1の関係を満たす。
 一態様では、光変換層において、散乱粒子の直径rsは、0.5μm以上10μm以下の範囲である。
 一態様では、光変換層は、屈折率および直径の少なくとも一方が異なる散乱粒子を2種類以上含む。
 一態様では、光変換層において、光散乱粒子およびバインダー樹脂は屈折率およびアッベ数が相違し、かつ光散乱粒子およびバインダー樹脂のうち、屈折率がより大きなものがより小さなアッベ数νeを有する。
 一態様では、光変換層のヘイズは、50%以上である。
 本発明の更なる態様は、
 上述の光変換部材と、光源と、を少なくとも含むバックライトユニット、
 に関する。
 一態様では、上述のバックライトユニットは、
 430~480nmの波長帯域に発光中心波長を有し、半値幅が100nm以下である発光強度のピークを有する青色光と、
 500~600nmの波長帯域に発光中心波長を有し、半値幅が100nm以下である発光強度のピークを有する緑色光と、
 600~680nmの波長帯域に発光中心波長を有し、半値幅が100nm以下である発光強度のピークを有する赤色光と、
を発光する。
 一態様では、上記光源は、430nm~480nmの波長帯域に発光中心波長を有する。
 また他の態様では、上記光源は、300nm~430nmの波長帯域に発光中心波長を有する。
 一態様では、上述のバックライトユニットは、導光板を更に含み、上光変換部材を、導光板から出射される光の経路上に有する。
 また他の態様では、上述のバックライトユニットは、上記光変換部材を、導光板と光源との間に有する。
 本発明の更なる態様は、
 上述のバックライトユニットと、液晶セルと、を少なくとも含む液晶表示装置、
 に関する。
 本発明によれば、量子ドットを含む、発光効率の高い光変換部材、ならびにこの光変換部材を含むバックライトユニットおよび液晶表示装置を提供することができる。
図1(a)、(b)は、本発明の一態様にかかる光変換部材を含むバックライトユニットの一例の説明図である。 図2は、本発明の一態様にかかる光変換部材の一例(実施例1)を示す。 図3は、本発明の一態様にかかる光変換部材の一例(実施例2、3)を示す。 図4は、本発明の一態様にかかる光変換部材の一例を示す。 図5は、本発明の一態様にかかる光変換部材の一例(実施例4)を示す。 図6は、本発明の一態様にかかる光変換部材の一例(実施例5)を示す。 図7は、本発明の一態様にかかる光変換部材の一例(実施例6)を示す。 図8は、本発明の一態様にかかる光変換部材の一例(実施例7)を示す。 図9は、本発明の一態様にかかる光変換部材の一例(実施例8)を示す。 図10は、本発明の一態様にかかる光変換部材の一例(実施例9)を示す。 図11は、本発明の一態様にかかる光変換部材の一例(実施例10)を示す。 図12は、本発明の一態様にかかる液晶表示装置の一例を示す。 図13は、量子ドットを含む従来の光変換部材の一例(比較例1)を示す。 図14は、比較例2の光変換部材の構成を示す。 図15は、本発明の一態様にかかる光変換部材の一例を示す。
[光変換部材]
 本発明の一態様にかかる光変換部材は、入射する励起光により励起され蛍光を発光する量子ドットを含む光変換層を有する光変換部材である。
 上記光変換層は、600nm~680nmの範囲の波長帯域に発光中心波長を有する量子ドットAと、量子ドットAよりも短波長帯域に発光中心波長を有する一種以上の量子ドットZと、を含有する。そして上記光変換層において、量子ドットAは、量子ドットZに対して励起光入射側に相対的に偏在している。ここで、量子ドットAが、量子ドットZに対して励起光入射側に相対的に偏在しているとは、光変換層を入射光に対して垂直な任意の面にて、入射側領域と出射側領域の2領域に分割した際に、入射側領域内に存在する量子ドットAの存在比率が、量子ドットZ(一種のみであることもあり、二種以上であることもある。)の入射側領域内に存在する存在比率よりも多いことをいう。より詳しくは、量子ドットAが入射側領域にA1個、出射側領域にA2個、量子ドットZが入射側領域にZ1個、出射側領域にZ2個存在した場合、光変換層に含まれる全量子ドットA(A1+A2)に対する入射側領域の量子ドットAの存在比率[A1/(A1+A2)]が、光変換層に含まれる全量子ドット(Z1+Z2)に対する入射側領域の量子ドットZの存在比率[Z1/(Z1+Z2)]より大きいこと、つまり、以下の式(1)を満たすことを指す。
 A1/(A1+A2)>Z1/(Z1+Z2)  ・・・(1)
 光変換層における量子ドットの偏在については、光変換層を任意の箇所で切断し、その断面を、電子顕微鏡を用いて観察し量子ドットの個数を計測し、以下の式で算出することで測定できる。
 光変換層の励起光入射側表面および出射側表面に垂直な方向をx軸とする。x軸に沿った光変換層の厚みをLとし、x=0が励起光入射側表面、x=Lが出射側と定義する。量子ドットAの規格化数密度分布をφA(x)、量子ドットZの規格化数密度分布をφZ(x)とする。
 つまり、
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000001
 が成立する。
 量子ドットA、Zの偏在性を表す指標として、下式で表されるΦを定義する。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000002
 Φ=1の場合、量子ドットAは、量子ドットZと混ざりあう領域を持つことなく入射側へ偏在しており、一方、Φ=0の場合、量子ドットAは、量子ドットZと混ざりあう領域を持つことなく出射側へ偏在していることを表す。
 また、量子ドットAおよび量子ドットZが、混合され均一に分散している場合、Φ=0.5となる。
 量子ドットの発光効率の観点から、Φが0.5より大きいことが好ましく、Φが0.7より大きいことがより好ましく、Φが0.8より大きいことがさらに好ましく、Φが0.95より大きいことがより一層好ましい。
 上記のように、量子ドットAを、量子ドットZに対して励起光入射側に相対的に偏在させることにより、赤色光を発光する量子ドットである量子ドットAが、量子ドットZが励起し発光した蛍光を吸収することを防ぐことができる。これにより、量子ドットを含む光変換部材の発光効率を高めることができる。
 以下、上記光変換部材について、更に詳細に説明する。
 以下の説明は、本発明の代表的な実施態様に基づいてなされることがあるが、本発明はそのような実施態様に限定されるものではない。なお、本発明および本明細書において「~」を用いて表される数値範囲は、「~」の前後に記載される数値を下限値および上限値として含む範囲を意味する。
 また、本発明および本明細書中、ピークの「半値幅」とは、ピーク高さ1/2でのピークの幅のことを言う。また、430~480nmの波長帯域に発光中心波長を有する光を青色光と呼び、500~600nmの波長帯域に発光中心波長を有する光を緑色光と呼び、600~680nmの波長帯域に発光中心波長を有する光を赤色光と呼ぶ。
 上記光変換部材は、好ましくは、液晶表示装置のバックライトユニットの構成部材として含まれる。
 図1は、本発明の一態様にかかる光変換部材を含むバックライトユニット31の一例の説明図である。図1中、バックライトユニット31は、光源31Aと、面光源とするための導光板31Bを備える。図1(a)に示す例では、光変換部材は、導光板から出射される光の経路上に配置されている。一方、図1(b)に示す例では、光変換部材は、導光板と光源との間に配置されている。
 そして図1(a)に示す例では、導光板31Bから出射される光が、光変換部材31Cに入射する。図1(a)に示す例では、導光板31Bのエッジ部に配置された光源31Aから出射される光32は青色光であり、導光板31Bの液晶セル(図示せず)側の面から液晶セルに向けて出射される。導光板31Bから出射された光(青色光32)の経路上に配置された光変換部材31Cには、青色光32により励起され赤色光34を発光する量子ドットAと、青色光32により励起され緑色光33を発光する量子ドットBを、少なくとも含む。このようにしてバックライトユニット31からは、励起された緑色光33および赤色光34、ならびに光変換部材31Cを透過した青色光32が出射される。こうしてRGBの輝線光を発光させることで、白色光を具現化することができる。
 図1(b)に示す例は、光変換部材と導光板の配置が異なる点以外は、図1(a)に示す態様と同様である。図1(b)に示す例では、光変換部材31Cから、励起された緑色光33および赤色光34、ならびに光変換部材31Cを透過した青色光32が出射され導光板に入射し、面光源が実現される。
(光変換層)
 光変換部材は、少なくとも、入射する励起光により励起され蛍光を発光する量子ドットを含む光変換層を有する。その他の任意の構成部材として、バリアフィルム等を含むこともできる。詳細は後述する。
 光変換層は、600nm~680nmの範囲の波長帯域に発光中心波長を有する量子ドットAと、量子ドットAよりも短波長帯域に発光中心波長を有する一種以上の量子ドットZと、を含有する。量子ドットAは、励起光を受けて赤色光を発光することができる。一方、量子ドットZは、好ましくは、500nm~600nmの範囲の波長帯域に発光中心波長を有する量子ドットBを含む。この量子ドットBは、励起光を受けて緑色光を発光することができる。このように、赤色光を発光する量子ドットと緑色光を発光する量子ドットを含む光変換層を有する光変換部材に、例えば青色光を入射させることで、上述の通り、RGBの輝線光を発光可能な光変換部材を得ることができる。しかし先に記載したように、このような光変換部材において、量子ドットAが、量子ドットZが発光した光を吸収してしまっては、高い発光効率を実現することは困難である。これに対し本発明の一態様にかかる光変換部材では、光変換層において、量子ドットAが、量子ドットZに対して励起光入射側に相対的に偏在している。この逆に、量子ドットZが量子ドットAよりも励起光入射側に相対的に偏在している光変換層では、入射した光は量子ドットZに優先的に吸収され、量子ドットZが蛍光を発光する。赤色光を発光する量子ドットAの吸光スペクトルは赤色光よりも短波長側に広がっているため、量子ドットZが発光した蛍光は、量子ドットAにより吸収されてしまう。その結果、量子ドットZが発光された光を、高効率で利用することができなくなる。これに対し上述の本発明の一態様にかかる光変換部材では、光変換層に入射した光は、量子ドットAに優先的に吸光されるため、まず量子ドットAが発光する。量子ドットAにより発光された赤色光は、量子ドットZよりも短波長帯域に発光中心波長を有する量子ドットBに吸収されないか、またはその吸収量は少ないため、量子ドットAにより発光された光を高効率で利用することができる。
 なお量子ドットZは、一種の量子ドットのみであってもよく、二種以上の量子ドットであってもよい。例えば量子ドットZとして、量子ドットBよりも短波長帯域に発光中心波長を有する量子ドット、好ましくは、400nm~500nmの波長帯域に発光中心波長を有する量子ドットCを含むこともできる。
 量子ドットCは、励起して青色光を発光する量子ドットである。例えば光源として、300~430nmの紫外光を発光する光源を用いる場合、光変換層に量子ドットA、Bとともに量子ドットCを含むことにより、量子ドットAが発光する赤色光、量子ドットBが発光する緑色光、および量子ドットCが発光する青色光により、RGBの輝線光を発光させることで、白色光を具現化することができる。この場合には、前述の理由から、量子ドットBは、量子ドットCに対して励起光入射側に相対的に偏在させることが好ましい。
 以下に、光変換層における量子ドットAの偏在の具体的態様について説明する。以下に説明する図面において、図中の下方が入射側、上方が出射側である。
 図13は、量子ドットを含む従来の光変換部材の一例を示す。図13中の光変換層101では、量子ドットA(図中、符号3)および量子ドットB(図中、符号2)が、層内で均一に分散している。このような光変換層へ励起光が入射すると、先に説明したように、量子ドットBが発光した緑色光が、量子ドットAに吸収されてしまい、発光効率が低下してしまう。
 一方、図2~図11は、本発明の一態様にかかる光変換部材の説明図である。いずれの図面でも、量子ドットAが、量子ドットAよりも短波長帯域に発光中心波長を有する量子ドットに対して励起光入射側に相対的に偏在している。
 図2に示す光変換部材では、光変換層102において、量子ドットとして量子ドットAのみを含む第一の量子ドット層102Aと、量子ドットとして量子ドットBのみを含む第二の量子ドット層102Bが、直接隣接して積層されている。このような量子ドット層は、量子ドットを、樹脂材料中に分散させることにより作製することができる。こうして、量子ドットが少なくともバインダー樹脂を含むマトリックス材中に含まれる量子ドット層を得ることができる。量子ドット層の形状は特に限定されるものではなく、シート状、バー状等の任意の形状であることができる。量子ドットについては、例えば特開2012-169271号公報段落0060~0066を参照することができるが、ここに記載のものに限定されるものではない。量子ドットとしては、市販品を何ら制限なく用いることができる。量子ドットの発光波長は、通常、粒子の組成、サイズにより調整することができる。
 シート状の量子ドット層は、好ましくは塗布法により作製される。具体的には、量子ドットを含む重合性組成物(硬化性組成物)を基材上等に塗布し、次いで光照射等により硬化処理を施すことにより、シート状の量子ドット層を得ることができる。また、組成、量子ドット濃度、または組成および量子ドット濃度の異なる重合性組成物を順次塗布、硬化することにより、二層以上の量子ドット層を積層することができる。または、同種の量子ドットを異なる濃度で含む二種以上の重合性組成物を、高濃度のものから低濃度の順に、またはその逆の順に塗布することにより、量子ドットの濃度が連続的ないし段階的に変化する量子ドット層を作製することもできる。塗布は、同時重層塗布(下層が未乾燥のうちに上層を塗布)により行ってもよく、逐次重層塗布(下層の乾燥後、好ましくは硬化後に、上層を塗布)により行ってもよい。逐次重層塗布によれば、層間の混ざり合いが生じにくいため、一種の量子ドットのみを含む量子ドット層を得るためには、逐次重層塗布を行うことが好ましい。一方、同種の量子ドットを含み濃度の異なる二種以上の重合性組成物を積層することで量子ドットの濃度が連続的に変化する量子ドット層を得る際には、同時重層塗布、逐次重層塗布とも好ましい。
 重合性組成物の作製に用いる重合性化合物は特に限定されるものではない。硬化後の硬化被膜の透明性、密着性等の観点からは、単官能または多官能(メタ)アクリレートモノマー等の(メタ)アクリレート化合物や、そのポリマー、プレポリマー等が好ましい。なお本発明および本明細書において、「(メタ)アクリレート」との記載は、アクリレートとメタクリレートとの少なくともいずれかの意味で用いるものとする。「(メタ)アクリロイル」等も同様である。
 単官能(メタ)アクリレートモノマーとしては、アクリル酸およびメタクリル酸、それらの誘導体、より詳しくは、(メタ)アクリル酸の重合性不飽和結合((メタ)アクリロイル基)を分子内に1個有するモノマーを挙げることができる。それらの具体例については、WO2012/077807A1段落0022を参照できる。
 上記(メタ)アクリル酸の重合性不飽和結合((メタ)アクリロイル基)を1分子内に1個有するモノマーと共に、(メタ)アクリロイル基を分子内に2個以上有する多官能(メタ)アクリレートモノマーを併用することもできる。その詳細については、WO2012/077807A1段落0024を参照できる。また、多官能(メタ)アクリレート化合物として、特開2013-043382号公報段落0023~0036に記載のものを用いることもできる。更に、特許第5129458号明細書段落0014~0017に記載の一般式(4)~(6)で表されるアルキル鎖含有(メタ)アクリレートモノマーを使用することも可能である。
 多官能(メタ)アクリレートモノマーの使用量は、重合性組成物に含まれる重合性化合物の全量100質量部に対して、塗膜強度の観点からは、5質量部以上とすることが好ましく、組成物のゲル化抑制の観点からは、95質量部以下とすることが好ましい。
 上記重合性組成物は、重合開始剤としては、公知のラジカル開始剤を含むことができる。重合開始剤については、例えば、特開2013-043382号公報段落0037を参照できる。重合開始剤は、重合性組成物に含まれる重合性化合物の全量の0.1モル%以上であることが好ましく、0.5~2モル%であることがより好ましい。
 量子ドットは、上記重合性組成物に粒子の状態で添加してもよく、溶媒に分散した分散液の状態で添加してもよい。分散液の状態で添加することが、量子ドットの粒子の凝集を抑制する観点から、好ましい。ここで使用される溶媒は、特に限定されるものではない。量子ドットは、組成物の全量100質量部に対して、例えば0.01~10質量部程度、好ましくは0.1~10質量部程度添加することができる。
 以上説明した量子ドットを含む重合性組成物を、適当な支持体上に塗布、乾燥して溶媒を除去するとともに、その後、光照射等により重合硬化させて、量子ドット層を得ることができる。塗布方法としてはカーテンコーティング法、ディップコーティング法、スピンコーティング法、印刷コーティング法、スプレーコーティング法、スロットコーティング法、ロールコーティング法、スライドコーテティング法、ブレードコーティング法、グラビアコーティング法、ワイヤーバー法等の公知の塗布方法が挙げられる。また、硬化条件は、使用する重合性化合物の種類や重合性組成物の組成に応じて、適宜設定することができる。
 光変換層の総厚は、好ましくは1~500μmの範囲であり、より好ましくは10~200μmの範囲である。また、光変換層が複数の量子ドット層または量子ドット混合層を含む場合、一層の膜厚は、好ましくは1~300μmの範囲であり、より好ましくは10~250μmの範囲であり、さらに好ましくは10~100μmの範囲である。
 図3に示す光変換部材では、光変換層103において、量子ドットとして量子ドットAのみを含む第一の量子ドット層103Aと、量子ドットとして量子ドットBのみを含む第二の量子ドット層103Bが、量子ドットAと量子ドットBとを含む量子ドット混合層103Mを介して積層されている。量子ドット混合層103Mにおいて、量子ドットAと量子ドットBとは均一に分散していてもよく、量子ドットAが量子ドットBに対して入射側に偏在していてもよい。発光効率のより一層の向上の観点からは、後者の態様が好ましい。
 図4に示す光変換部材では、光変換層104は、量子ドットAと量子ドットBとの量子ドット混合層であり、量子ドットAが量子ドットBに対して入射側に偏在している。このような量子ドット混合層は、例えば前述のように得ることができる
 図5に示す光変換部材では、光変換層105は、量子ドットとして量子ドットAのみを含む量子ドット層105Aと量子ドットとして量子ドットBのみを含む第二の量子ドット層105Bとが直接隣接して積層され、更に第二の量子ドット層105Bと直接隣接する層として、量子ドットBよりも短波長帯域であって、400nm~500nmの波長帯域に発光中心波長を有する量子ドットCのみを量子ドットとして含む第三の量子ドット層105Cが含まれている。図5に示す光変換部材は、例えば光源として300nm~430nmの波長帯域に発光中心波長を有する光源(UV光源)を用いることにより、量子ドット層105Aから赤色光が、量子ドット層105Bから緑色光が、量子ドット層105Cから青色光が発光することで、白色光を具現化することができるものである。
 図6に示す光変換部材201において、光変換層102の構成は、図2に示す光変換部材と同じであり、量子ドットとして量子ドットAのみを含む第一の量子ドット層102Aと、量子ドットとして量子ドットBのみを含む第二の量子ドット層102Bが、直接隣接して配置されている。図6に示す光変換部材201は、第二の量子ドット層102Bの表面に、光散乱構造21を有する。光変換層において発光された光は、屈折率の異なる隣接層界面に入射する角度によっては全反射を起こし、表示装置内部を導波してしまい、光取り出し効率(以下、「取り出し効率」とも記載する。)が低下してしまう。そこで、光散乱構造を出射側に設け、光取り出し効率を向上させることは、光変換部材の発光効率の更なる向上に有効である。そのような光散乱構造としては、表面凹凸構造を挙げることができる。表面凹凸構造としては、光変換部材の出射側表面全面に微細な凹凸を多数設けることが好ましい。表面凹凸構造は、特開2013-039802号公報に記載の型押しや、エッチングレジスト等の公知の方法により形成することができる。また、市販のプリズムシートを貼り合わせることにより、表面凹凸構造を設けることもできる。
 図7に示す光変換部材202において、光変換層102の構成は、図2に示す光変換部材と同じであり、量子ドットとして量子ドットAのみを含む第一の量子ドット層102Aと、量子ドットとして量子ドットBのみを含む第二の量子ドット層102Bが、直接隣接して配置されている。図6に示す光変換部材201は、第二の量子ドット層102Bに隣接する層として、光散乱層(光取り出し層)22を有する。光変換部材の出射側に光散乱層を設けることにより、上記の光散乱構造を設ける場合と同様、光取り出し効率を高めることができる。
 上記光散乱層は、好ましくは、散乱体(「散乱粒子」とも記載する)が少なくともバインダー樹脂を含むマトリックス材中に分散した樹脂層である。散乱粒子としては、特に制限はなく、目的に応じて適宜選択することができる。散乱粒子は、光取り出し効率の更なる向上の観点からは、光散乱層全体を構成するマトリックス材との屈折率の差が0.02以上であることが好ましい。散乱粒子は、1種類の粒子のみを用いてもよく、また、複数の種類の粒子を組み合わせて用いてもよい。散乱粒子は、無機粒子であってもよく、有機粒子であってもよい。その詳細については、特開2010-198735号公報段落0022を参照できる。また、光散乱層を構成するバインダー樹脂等の各種成分および光散乱層の作製方法については、同公報段落0023~0028、段落0033~0035を参照できる。光散乱層の膜厚は特に制限はなく、乾燥膜厚で、例えば0.5μm~50μm程度であるが、目的に応じて適宜選択することができる。酸素バリア性と光透過性の観点からは、1μm~20μmの範囲であることが好ましく、2μm~10μmの範囲であることがより好ましく、3μm~7μmの範囲であることが更に好ましい。
 なお図7には、光取り出し効率向上のための構成として、散乱粒子を含む光散乱層を設ける例を示したが、散乱粒子を光変換層に存在させることにより、光取り出し効率を向上させることもできる。図8に示す光変換部材は、当該構成のものである。図8に示す光変換部材106は、量子ドットAのみを含む第一の量子ドット層と、量子ドットとして量子ドットBのみを含む第二の量子ドット層が、直接隣接して配置されている点では、図2等に示す光変換部材と同様であるが、二層の量子ドット層にそれぞれ、散乱粒子5が含まれている点で、他の図面に示す光変換部材と相違する。散乱粒子の詳細は、上記と同様である。量子ドット層作製のための重合性組成物に、粒子の状態で、または適当な溶媒に分散した分散液として、散乱粒子を添加することにより、量子ドットとともに散乱粒子を含む量子ドット層を得ることができる。
 量子ドット層における散乱粒子量の重量密度は、2%以上とすることが、光取り出し効率向上の観点から好ましい。一方、散乱粒子量が増えるほど相対的に層内の量子ドット量は減ることになるため、量子ドット充填率向上の観点からは、量子ドット層における散乱粒子の重量密度は30%未満とすることが好ましい。
 光変換層に添加する散乱粒子の屈折率nsは、光取り出し効率向上の観点から、バインダー樹脂の屈折率nbとの差の絶対値|nb-ns|が、0.02以上であることが好ましく、0.03以上であることがより好ましく、0.1以上であることがさらに好ましい。なお本発明における屈折率とは、下記のe線に対する屈折率neをいうものとする。また、二種以上の異なる種類の散乱粒子が光変換層に含まれる場合には、少なくとも一種の光散乱粒子が上記絶対値を満たす屈折率を有することが好ましく、二種以上の光散乱粒子が上記絶対値を満たす屈折率を有することがより好ましく、すべての光散乱粒子が上記絶対値を満たす屈折率を有することが更に好ましい。散乱粒子の屈折率nsは、バインダー樹脂の屈折率nbより大きくても小さくてもよい。
 |nb-ns|の値は大きい方が、散乱効率が向上するために好ましい。一方、散乱粒子およびバインダー樹脂の屈折率は、素材固有の値であり、例えば顕微IRのスペクトルから素材を特定することで、知ることができる。
 なお、バインダー樹脂の屈折率は、アッベ屈折率計を用いて計測することができる。バインダー樹脂の屈折率は、バインダー樹脂とは異なる屈折率を有する直径数10nm程度未満の微粒子を添加することで調整することができる。ここで用いられる直径数10nm程度の微粒子は、可視光をほとんど散乱させないほど十分に小さいものである。
 光取り出し効率向上の観点からは、バインダー樹脂の屈折率は小さいことが好ましい。一般に屈折率が1より大きい樹脂内部での発光を空気層に取り出す際には、臨界角以上で入射する光が空気との界面で全反射するため、光取り出し効率の低下が生じる。この臨界角はスネルの法則によって決まり、バインダー樹脂が低屈折率であるほど、臨界角は大きくなり、光取り出し効率は向上する。バインダー樹脂の出射側表面に、無機バリア層などの高屈折率媒体が存在した場合でも、この傾向は成り立つ。
 光取り出し効率向上の観点から、散乱粒子とバインダー樹脂のうち、いずれか屈折率の大きな一方が、より小さいアッベ数νeを有する方が好ましい。例えば、バインダー樹脂の屈折率が、散乱粒子の屈折率と比べて大きい場合、バインダー樹脂のアッベ数は散乱粒子のアッベ数よりも小さいことが好ましい。
 なおアッベ数νeは、以下の式で表される、屈折率の波長依存性を表す指標である。
Figure JPOXMLDOC01-appb-M000003
 散乱粒子とバインダー樹脂とのアッベ数の差をΔνeとすると、Δνeは0より大きいことが好ましく、10より大きいことがより好ましく、15より大きいことがさらに好ましく、20より大きいことがよりさらに好ましい。なお、アッベ数の差Δνeは、散乱粒子とバインダー樹脂のうち、いずれか屈折率の大きな一方が、より小さいアッベ数νeを持つ場合に、正となるように算出するものとする。
 光取り出し効率向上の観点からは、後方散乱および前方散乱を低減することが望ましい。この点から光変換層に添加する散乱粒子の直径rsは、後方散乱の影響を低減する観点からは0.5μm以上であることが好ましく、前方散乱の影響を低減する観点からは10μm以下であることが好ましい。即ち、0.5μm≦rs≦10μmの範囲にあることが好ましい。散乱粒子の直径は、0.8μm≦rs≦8μmであることがより好ましく、1μm≦rs≦5μmであることがさらに好ましい。
 散乱粒子の直径は光変換層の断面を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察することで求めることができる。
 量子ドット層の内部に、屈折率および直径の少なくとも一方が異なる散乱粒子を2種類以上含むことも好ましい。そのような散乱粒子を2種類以上含むことによって、散乱光の散乱角度依存性に起因する色づきを抑制することが可能となり、良好なホワイトバランスが得られる。2種類の散乱粒子の数量(粒子数)比は、1:9~9:1であることがより好ましく、2:8~8:2であることがさらに好ましい。
 光変換層に含まれる散乱粒子は、図15に示す態様のように、光変換層の表面に配置されていても光取り出し効率向上効果を発揮することができる。このように配置された散乱粒子により、光変換層および光変換層に隣接する層との界面を乱すことで、全反射を防ぐことができるからである。この場合、バインダー樹脂と、散乱粒子の屈折率が等しい場合でも、良好な光取り出し効率の向上効果が見られる。
 光変換層のヘイズは、量子ドットの蛍光を外部へ取り出す観点から、50%以上であることが好ましく、60%以上であることがさらに好ましく、90%以上であることが特に好ましい。光変換層のヘイズは、例えば98%以下であるが、98%超でもよく、100%であってもよい。光変換層のヘイズが高いほど、光変換層内部での励起光の光路長が増加するため、少ない量子ドット使用量で効率よく蛍光を得ることができる。
 光変換層のヘイズとは、JIS-K-7105に準じて測定される値をいい、ヘイズメーター(例えば日本電色工業(株)NDH-2000)を用いて測定することができる。
 図9に示す光変換部材203(203A、203B、203C)は、光変換層102の構成は、図2等に示す光変換部材と同様であり、光変換層102の両面に、バリアフィルム41(41A、41B)が設けられている。図10に示す光変換部材204は、光変換層105の構成は、図5に示す光変換部材と同様である。図10に示す光変換部材では、光変換層105A、105Cの両面に、バリアフィルム41(41A、41B)が設けられている。
 更に、図9(a)、図10に示す光変換部材では、出射側バリアフィルム41B、31Bに直接隣接する層として、光散乱層22が設けられている。
 光散乱層22は、図9(a)、図10に示す出射側に位置するバリアフィルムに直接隣接する層として設けるだけでなく、図9(b)に示す光変換層102の出射側に隣接する形態、または図9(c)に示す光変換層102の入射側に隣接する形態であってもよい。また、散乱粒子を光変換層に存在させる形態であってもよい。
 バリアフィルムは、好ましくは、酸素バリア性を有するフィルムであって、酸素により量子ドットが経時的に劣化し量子効率(発光効率)が低下することを防ぐ役割を果たすことができる。より詳しくは、励起光による量子ドットの光酸化反応を抑制することができる。長期にわたり高い量子効率を得る観点から、バリアフィルムとしては、酸素透過率が1cm/m/day/atm未満のフィルムを用いることが好ましい。なお酸素透過率の単位cm/m/day/atmは、cm/(m・day・atm)と同義であり、以下では後者の単位で表記している。このようなバリアフィルムは、有機層、無機層、または有機層と無機層の二層以上の積層フィルムであることができる。その詳細は、後述する。なお図9、図10には、光変換層の入射側、出射側にそれぞれバリアフィルムを有する構成を示したが、バリアフィルムは入射側のみに配置してもよく、出射側のみに配置してもよい。量子効率を、より長期間良好に維持する観点からは、光変換層の入射側および出射側の両方に、バリアフィルムを配置することが好ましい。
 このように光散乱層とバリアフィルムを組み合わせることにより、より一層高い発光効率を、長期間維持することが可能となる。
 図11に示す光変換部材205は、光変換層102の構成は、図2等に示す光変換部材と同様であり、光変換層102の両面に、バリアフィルム41(41A、41B)が設けられている。更に、図11に示す光変換部材205では、出射側のバリアフィルム41Bと直接隣接する層として光散乱層22が、入射側のバリアフィルム41Aと直接隣接する層として光反射層23が、それぞれ設けられている。光変換層の励起光入射側に光反射層を設けることは、光利用効率を高めるうえで有効である。光反射層は、好ましくはコレステリック層であり、詳細は後述する。
 以上、図面に基づき本発明の一態様にかかる光変換部材の具体的態様について説明したが、本発明は、これら具体的態様に限定されるものではなく、各種の変形も本発明に包含されることはいうまでもない。また、上記において直接隣接する層として説明した層間に、接着層等の任意の層を配置することも、もちろん可能である。
(バリアフィルム)
 次に、上述のバリアフィルムについて説明する。
  バリアフィルムの酸素透過率は、好ましくは前述の通り、1cm/(m・day・atm)以下、より好ましくは、0.1cm/(m・day・atm)以下、さらに好ましくは、0.01cm/(m・day・atm)以下である。
 一方、バリアフィルムの水蒸気透過率は、0.5g/(m2・day)以下、中でも0.1g/(m2・day)以下、特に0.05g/(m2・day)以下であることが好ましい。水蒸気透過率が低いバリアフィルムによれば、水蒸気等の水分による量子ドットの劣化を防ぐことができる。
 ここで、上記酸素透過率は、測定温度23℃、相対湿度90%の条件下で、酸素ガス透過率測定装置(MOCON社製、OX-TRAN 2/20:商品名)を用いて測定した値であり、上記水蒸気透過率は、測定温度37.8℃、相対湿度100%の条件下で、水蒸気透過率測定装置(MOCON社製、PERMATRAN-W 3/31:商品名)を用いて測定した値である。
 バリアフィルムは、有機または無機の単層であってもよく、二層以上の積層構造であってもよい。例えば、基材上に二層以上の有機ないし無機層を形成することにより、バリアフィルムを得ることができる。バリアフィルムの層構成としては、例えば、光変換層側から外側に向かい、基材/無機層/有機層がこの順に積層されている構成、基材/無機層/有機層/無機層がこの順に積層されている構成等を挙げることができるが、積層順序は特に限定されるものではない。
 基材としては、可視光に対して透明である透明基材であることが好ましい。ここで可視光に対して透明とは、可視光領域における線透過率が、80%以上、好ましくは85%以上であることをいう。透明の尺度として用いられる光線透過率は、JIS-K7105に記載された方法、すなわち積分球式光線透過率測定装置を用いて全光線透過率および散乱光量を測定し、全光線透過率から拡散透過率を引いて算出することができる。基材については、特開2007-290369号公報段落0046~0052、特開2005-096108号公報段落0040~0055を参照できる。基材の厚さは、耐衝撃性、バリアフィルムの製造におけるハンドリング等の観点から、10μm~500μmの範囲内、中でも10~200μmの範囲内、特に20~100μmの範囲内であることが好ましい。
 無機層については、特開2007-290369号公報段落0043~0045、特開2005-096108号公報段落0064~0068を参照できる。無機層の膜厚は、10nm~500nm、中でも10nm~300nm、特に10nm~150nmの範囲内であることが好ましい。無機層の膜厚が、上述した範囲内であることにより、良好なガスバリア性を実現しつつ、バリアフィルムにおける反射を抑制することができ、全光線透過率が低下することを抑制することができるからである。中でも、無機層は、酸化ケイ素膜、窒化ケイ素膜、または酸化窒化珪素膜であることが好ましい。これらの膜は、有機膜との密着性が良好であることから、より一層良好なガスバリア性を実現することができるからである。
 有機層については、特開2007-290369号公報段落0020~0042、特開2005-096108号公報段落0074~0105を参照できる。なお有機層は、カルドポリマーを含むことが好ましい。これにより、有機層と隣接する層または基材との密着性、特に、無機層とも密着性が良好になり、より一層優れたガスバリア性を実現することができるからである。カルドポリマーの詳細については、上述の特開2005-096108号公報段落0085~0095を参照できる。有機層の膜厚は、0.05μm~10μmの範囲内であることが好ましく、中でも0.5~10μmの範囲内であることが好ましい。有機層がウェットコーティング法により形成される場合には、有機層の膜厚は、0.5~10μmの範囲内、中でも1μm~5μmの範囲内であることが好ましい。また、ドライコーティング法により形成される場合には、0.05μm~5μmの範囲内、中でも0.05μm~1μmの範囲内であることが好ましい。ウェットコーティング法またはドライコーティング法により形成される有機層の膜厚が上述した範囲内であることにより、無機層との密着性をより良好なものとすることができるからである。
 バリアフィルムのその他詳細については、上述の特開2007-290369号公報、特開2005-096108号公報、更にUS2012/0113672A1の記載を参照できる。
 一態様では、バリアフィルム上に、空気界面に単層(1層からなる)の光学薄膜を積層することもできる。このような光学薄膜としては、波長535nmにおける光学薄膜の屈折率n(535)が、バリアフィルムにおいて光学薄膜と直接隣接する層の屈折率nu(535)よりも屈折率の低い低屈折率層が好ましい。このような光学薄膜をバリアフィルムとに隣接配置することにより、より一層の輝度向上および色再現性の向上を達成することができる。波長535nmにおける光学薄膜の屈折率n(535)は、1.20~1.51であることが好ましく、1.30~1.46であることがより好ましく、1.40~1.46が更に好ましい。
 また、上記光学薄膜は、屈折率と膜厚を掛け合わせた光学厚みが、下記式(2-1)、(2-2)および(2-3)のいずれか1つを満たすことが好ましい。
式(2-1) 1.15μm≦n(535)×d≦1.25μm
式(2-2) 1.42μm≦n(535)×d≦1.52μm
式(2-3) 1.69μm≦n(535)×d≦1.79μm
(式(2-1)、(2-2)および(2-3)中、n(535)は波長535nmにおける光学薄膜の屈折率を表し、dは光学薄膜の厚さ(単位:μm)を表す。)
 好ましい一態様では、上記光学薄膜が、下記式(2-1A)、(2-2A)および(2-3A)のいずれか1つを満たし、中でも、下記式(2-2A)を満たすことが好ましい。
式(2-1A) 1.16μm≦n(535)×d≦1.24μm
式(2-2A) 1.46μm≦n(535)×d≦1.51μm
式(2-3A) 1.70μm≦n(535)×d≦1.78μm
(式(2-1A)、(2-2A)および(2-3A)中、n(535)は波長535nmにおける光学薄膜の屈折率を表し、dは光学薄膜の厚さ(単位:μm)を表す。)
 なお、上記光学薄膜の厚さdは、0.5~2μmであることが好ましく、0.7~1.5μmであることがより好ましい。光学薄膜の構成成分としては、公知のものを用いることができる。例えば、バリアフィルムの有機層を構成可能な材料として好適なもの等を用いることができる。
 上記光学薄膜が積層されたバリアフィルムは、光学薄膜面が空気界面側に来るように光変換層と積層してもよく、その逆の構成としてもよい。
(光反射層)
 光反射層は、上述のように好ましくはコレステリック層である。光反射層の態様に用いられるコレステリック液晶相を固定してなる光反射層の製造方法としては特に制限はない。例えば、特開平1-133003号公報、特許3416302号、特許3363565号、特開平8-271731号公報に記載の方法を用いることができ、これらの公報の内容は本発明に組み込まれる。
 上記のコレステリック液晶層の重畳に際しては、右まわりの円偏光と左回りの円偏光反射する組合せで用いることが望ましい。具体的には右捩れのコレステリック液晶と左捩れのコレステリック液晶を積層して得られる。これにより全ての偏光を反射することができ、反射の効率を高めることができる。
 コレステリック液晶としては、適宜なものを用いてよく、特に限定はない。液晶層の重畳効率や薄膜化などの点より液晶ポリマーの使用が有利である。また複屈折の大きいコレステリック液晶分子ほど選択反射の波長域が広くなって好ましい。
 上記の液晶ポリマーとしては、例えばポリエステル等の主鎖型液晶ポリマー、アクリル主鎖やメタクリル主鎖、シロキサン主鎖等からなる側鎖型液晶ポリマー、低分子カイラル剤含有のネマチック液晶ポリマー、キラル成分導入の液晶ポリマー、ネマチック系とコレステリック系の混合液晶ポリマーなどの適宜なものを用いることができる。取扱性等の点よりは、ガラス転移温度が30~150℃のものが好ましい。
 コレステリック液晶層の形成は、偏光分離板に必要に応じポリイミドやポリビニルアルコール、SiOの斜方蒸着層等の適宜な配向膜を介して直接塗布する方式、透明フィルムなどからなる液晶ポリマーの配向温度で変質しない支持体に必要に応じ配向膜を介して塗布する方式などの適宜な方式で行うことができる。支持体としては、偏光の状態変化を防止する点などより位相差が可及的に小さいものが好ましく用いうる。また配向膜を介したコレステリック液晶層の重畳方式なども採ることができる。
 なお液晶ポリマーの塗布は、溶剤による溶液や加熱による溶融液等の液状物としたものを、ロールコーティング方式やグラビア印刷方式、スピンコート方式などの適宜な方式で展開する方法などにより行うことができる。形成するコレステリック液晶層の厚さは、選択反射性、配向乱れや透過率低下の防止等の点より、0.5~100μmが好ましい。
 また、光反射層には誘電体多層膜を用いることもできる。フィルムを用いた誘電体多層膜の製造方法としては特に制限はなく、例えば、特許3187821号、特許3704364号、特許4037835号、特許4091978号、特許3709402号、特許4860729号、特許3448626号などに記載の方法を参考に製造することができ、これらの公報の内容は本発明に組み込まれる。なお、誘電体多層膜は、誘電体多層反射偏光板や、交互多層膜の複屈折干渉偏光子と言われることもある。これらの誘電体多層膜は膜厚および屈折率を調整することにより選択的に波長を反射することをでき、本態様に好ましく用いることが出来る。また、これらのフィルムは屈折率異方性のため特定方向のみ偏光を反射することが多いため、その場合にはこれらのフィルムを直交して2枚用いると全ての偏光を反射することが出来るため好ましい。これ以外にも屈折率の異なる無機膜を積層蒸着させる構造で等方体材料を用いて誘電体多層膜にすることもでき、これについてはYeh著 “Optical Waves in Layered Media”(WILLEY Interscience社)に記載がある。
 上記誘電体多層膜は、膜厚が薄い方が好ましく、膜厚が5~100μmの範囲であることが好ましく、10~50μmの範囲であることがより好ましく、5~20μmの範囲であることがさらに好ましい。
[バックライトユニット]
 本発明の一態様にかかるバックライトユニットは、上述の光変換部材と、光源と、
を少なくとも含む。光変換部材の詳細は、先に記載した通りである。
(バックライトユニットの発光波長)
 バックライトユニットは、3波長光源により高輝度かつ高い色再現性を実現すべく、
 430~480nmの波長帯域に発光中心波長を有し、半値幅が100nm以下である発光強度のピークを有する青色光と、
 500~600nmの波長帯域に発光中心波長を有し、半値幅が100nm以下である発光強度のピークを有する緑色光と、
 600~680nmの波長帯域に発光中心波長を有し、半値幅が100nm以下である発光強度のピークを有する赤色光と、を発光することが好ましい。
 より一層の輝度および色再現性の向上の観点から、バックライトユニットが発光する青色光の波長帯域は、440~480nmであることが好ましく、440~460nmであることがより好ましい。
 同様の観点から、バックライトユニットが発光する緑色光の波長帯域は、510~560nmであることが好ましく、510~545nmであることがより好ましい。
 また、同様の観点から、バックライトユニットが発光する赤色光の波長帯域は、600~650nmであることが好ましく、610~640nmであることがより好ましい。
 また同様の観点から、バックライトユニットが発光する青色光、緑色光および赤色光の各発光強度の半値幅は、いずれも80nm以下であることが好ましく、50nm以下であることがより好ましく、40nm以下であることがさらに好ましく、30nm以下であることが一層好ましい。これらの中でも、青色光の各発光強度の半値幅が25nm以下であることが、特に好ましい。
 バックライトユニットは、少なくとも、上記光変換部材とともに、光源を含む。一態様では、光源として、430nm~480nmの波長帯域に発光中心波長を有する青色光を発光するもの、例えば、青色光を発光する青色発光ダイオードを用いることができる。青色光を発光する光源を用いる場合、光変換層には、少なくとも、励起光により励起され赤色光を発光する量子ドットAと、緑色光を発光する量子ドットBが含まれることが好ましい。これにより、光源から発光され光変換部材を透過した青色光と、光変換部材から発光される赤色光および緑色光により、白色光を具現化することができる。
 または他の態様では、光源として、300nm~430nmの波長帯域に発光中心波長を有する紫外光を発光するもの、例えば、紫外光発光ダイオードを用いることができる。この場合、光変換層には、量子ドットA、Bとともに、励起光により励起され青色光を発光する量子ドットCが含まれることが好ましい。これにより、光変換部材から発光される赤色光、緑色光および青色光により、白色光を具現化することができる。
(バックライトユニットの構成)
 バックライトユニットの構成としては、導光板や反射板などを構成部材とするエッジライト方式であることができる。図1には、エッジライト方式のバックライトユニットの例を示したが、本発明の一態様にかかるバックライトユニットは、直下型方式であっても構わない。導光板としては、公知のものを何ら制限なく使用することができる。
 また、バックライトユニットは、光源の後部に、反射部材を備えることもできる。このような反射部材としては特に制限は無く、公知のものを用いることができ、特許3416302号、特許3363565号、特許4091978号、特許3448626号などに記載されており、これらの公報の内容は本発明に組み込まれる。
 バックライトユニットが、青色光のうち500nmよりも短波長の光(好ましくは460nmよりも短波長の光)を選択的に透過する青色用波長選択フィルタを有することも、好ましい。
 また、バックライトユニットが、赤色光のうち500nmよりも長波長の光(好ましくは630nmよりも長波長の光)を選択的に透過する赤色用波長選択フィルタを有することも、好ましい。
 このような青色用波長選択フィルタや赤色用波長選択フィルタとしては特に制限は無く、公知のものを用いることができる。そのようなフィルタは、特開2008-52067号公報などに記載されており、この公報の内容は本発明に組み込まれる。
 バックライトユニットは、その他、公知の拡散板や拡散シート、プリズムシート(例えば、住友スリーエム社製BEFシリーズなど)、導光器を備えていることも好ましい。その他の部材についても、特許3416302号、特許3363565号、特許4091978号、特許3448626号などに記載されており、これらの公報の内容は本発明に組み込まれる。
[液晶表示装置]
 本発明の一態様にかかる液晶表示装置は、上述のバックライトユニットと、液晶セルと、を少なくとも含む。
(液晶表示装置の構成)
 液晶セルの駆動モードについては特に制限はなく、ツイステットネマチック(TN)、スーパーツイステットネマチック(STN)、バーティカルアライメント(VA)、インプレインスイッチング(IPS)、オプティカリーコンペンセイテットベンドセル(OCB)等の種々のモードを利用することができる。液晶セルは、VAモード、OCBモード、IPSモード、またはTNモードであることが好ましいが、これらに限定されるものではない。VAモードの液晶表示装置の構成としては、特開2008-262161号公報の図2に示す構成が一例として挙げられる。ただし、液晶表示装置の具体的構成には特に制限はなく、公知の構成を採用することができる。
 液晶表示装置の一実施形態では、対向する少なくとも一方に電極を設けた基板間に液晶層を挟持した液晶セルを有し、この液晶セルは2枚の偏光板の間に配置して構成される。液晶表示装置は、上下基板間に液晶が封入された液晶セルを備え、電圧印加により液晶の配向状態を変化させて画像の表示を行う。さらに必要に応じて偏光板保護フィルムや光学補償を行う光学補償部材、接着層などの付随する機能層を有する。また、カラーフィルター基板、薄層トランジスタ基板、レンズフィルム、拡散シート、ハードコート層、反射防止層、低反射層、アンチグレア層等とともに(又はそれに替えて)、前方散乱層、プライマー層、帯電防止層、下塗り層等の表面層が配置されていてもよい。
 図11に、本発明の一態様にかかる液晶表示装置の一例を示す。図11に示す液晶表示装置51は、液晶セル21のバックライト側の面にバックライト側偏光板14を有する。バックライト側偏光板14は、バックライト側偏光子12のバックライト側の表面に、偏光板保護フィルム11を含んでいても、含んでいなくてもよいが、含んでいることが好ましい。
 バックライト側偏光板14は、偏光子12が、2枚の偏光板保護フィルム11および13で挟まれた構成であることが好ましい。
 本明細書中、偏光子に対して液晶セルに近い側の偏光板保護フィルムをインナー側偏光板保護フィルムと言い、偏光子に対して液晶セルから遠い側の偏光板保護フィルムをアウター側偏光板保護フィルムと言う。図11に示す例では、偏光板保護フィルム13がインナー側偏光板保護フィルムであり、偏光板保護フィルム11がアウター側偏光板保護フィルムである。
 バックライト側偏光板は、液晶セル側のインナー側偏光板保護フィルムとして、位相差フィルムを有していてもよい。このような位相差フィルムとしては、公知のセルロースアシレートフィルム等を用いることができる。
 液晶表示装置51は、液晶セル21のバックライト側の面とは反対側の面に、表示側偏光板44を有する。表示側偏光板44は、偏光子42が、2枚の偏光板保護フィルム41および43で挟まれた構成である。偏光板保護フィルム43がインナー側偏光板保護フィルムであり、偏光板保護フィルム41がアウター側偏光板保護フィルムである。
 液晶表示装置51が有するバックライトユニット31については、先に記載した通りである。
 本発明の一態様にかかる液晶表示装置を構成する液晶セル、偏光板、偏光板保護フィルム等については特に限定はなく、公知の方法で作製されるものや市販品を、何ら制限なく用いることができる。また、各層の間に、接着層等の公知の中間層を設けることも、もちろん可能である。
(カラーフィルター)
 500nm以下の波長帯域に発光中心波長を有する光源を用いる場合、RGB画素形成方法としては、公知の種々の方法を使用することができる。例えば、ガラス基板上にフォトマスク、およびフォトレジストを用いて所望のブラックマトリックス、およびR、G、Bの画素パターンを形成することもできるし、また、R、G、Bの画素用着色インクを用いて、所定の幅のブラックマトリクス、およびn個置きにブラックマトリクスの幅よりも広いブラックマトリックスで区分された領域内(凸部で囲まれた凹部)に、インクジェット方式の印刷装置を用いて所望の濃度になるまでインク組成物の吐出を行い、R、G、Bのパターンからなるカラーフィルターを作製することもできる。画像着色後は、ベーク等することで各画素及びブラックマトリックスを完全に硬化させてもよい。
 カラーフィルターの好ましい特性は特開2008-083611号公報などに記載されており、この公報の内容は本発明に組み込まれる。
 例えば、緑色を示すカラーフィルターにおける最大透過率の半分の透過率となる波長は、一方が590nm以上610nm以下であり、他方が470nm以上500nm以下であることが好ましい。また、緑色を示すカラーフィルターにおいて最大透過率の半分の透過率となる波長は、一方が590nm以上600nm以下であることが好ましい。さらに緑色を示すカラーフィルターにおける最大透過率は80%以上であることが好ましい。緑色を示すカラーフィルターにおいて最大透過率となる波長は530nm以上560nm以下であることが好ましい。
 緑色を示すカラーフィルターにおいて、発光ピークの波長における透過率は、最大透過率の10%以下であることが好ましい。
 赤色を示すカラーフィルターは、580nm以上590nm以下における透過率が最大透過率の10%以下であることが好ましい。
 カラーフィルター用顔料としては、公知のものを何ら制限なく用いることができる。なお、現在は、一般的に顔料を用いているが、分光を制御でき、プロセス安定性、信頼性が確保できる色素であれば、染料によるカラーフィルターであってもよい。
(ブラックマトリックス)
 液晶表示装置には、各画素の間にブラックマトリックスが配置されていることが好ましい。ブラックストライプを形成する材料としては、クロム等の金属のスパッタ膜を用いたもの、感光性樹脂と黒色着色剤等を組み合わせた遮光性感光性組成物などが挙げられる。黒色着色剤の具体例としては、カーボンブラック、チタンカーボン、酸化鉄、酸化チタン、黒鉛などが挙げられ、中でも、カーボンブラックが好ましい。
(薄層トランジスタ)
 液晶表示装置は、さらに薄層トランジスタ(以下、TFTとも言う)を有するTFT基板を有することもできる。薄層トランジスタは、キャリア濃度が1×1014/cm3未満である酸化物半導体層を有することが好ましい。薄層トランジスタの好ましい態様については特開2011-141522号公報に記載されており、この公報の内容は本発明に組み込まれる。
 以上説明した本発明の一態様にかかる液晶表示装置は、量子ドット発光効率の高い光変換部材を有することにより、高輝度かつ高い色再現性を、高価な量子ドットを多量に使用することなく実現可能なものである。
 以下に実施例に基づき本発明をさらに具体的に説明する。以下の実施例に示す材料、使用量、割合、処理内容、処理手順等は、本発明の趣旨を逸脱しない限り適宜変更することができる。したがって、本発明の範囲は以下に示す具体例により限定的に解釈されるべきものではない。
 また、各実施例、比較例に関する評価では、対応する図中の下方に光源を配置した。したがって、例えば実施例1では、図2中の量子ドット層102Aが入射側、量子ドット層102Bが出射側に配置される。
[比較例1(図12に示す光変換部材の作製)]
1.量子ドット含有重合性組成物の調製
 トリメチロールプロパンアクリレート0.54mlとラウリルメタクリレート2.4mlと光重合開始剤としてチバ・スペシャルティー・ケミカルズ社製Irgacure 819を混合して重合性組成物Aを得た。得られた重合性組成物A100mgに対して、量子ドットのトルエン分散液を、発光のピークが600~680nmの波長帯域にある量子ドットAと、量子ドットAよりも短波長域に発光中心波長を有し、かつ発光のピークが500~600nmの波長帯域にある量子ドットBとが表1に記載の濃度になるように添加し、減圧乾燥を30分行った。量子ドットが分散されるまで、撹拌を行い、分散液M(量子ドット含有重合性組成物)を得た。
2.光変換層101の作製
 ガラス板状に、分散液Mを表2に記載の膜厚になるように塗布し、ガラス板状に感光層を形成した。感光層に対し、空気面側から、UV露光機(HOYA CANDEO OPTRONICS社製EXECURE 3000W)を用いて、窒素雰囲気下で、5J/cm2で露光して、上記感光層を硬化させ、露光膜(硬化膜)を得た。露光した後、硬化膜をガラス板から剥離し、光変換部材(光変換層101)を得た。
 上記光変換層101について、前述の電子顕微鏡による観察によりΦを求めたところ、Φ=0.5であり、二種の量子ドットが混合され均一に分散していることが確認された。
[実施例1(図2に示す光変換部材の作製)]
1.量子ドット含有重合性組成物の調製
 重合性組成物A100mgに対して、量子ドットのトルエン分散液を量子ドットAが表1に記載の濃度になるように添加し、減圧乾燥を30分行った。量子ドットが分散されるまで、撹拌を行い、分散液Aを得た。
 重合性組成物A500mgに対して、量子ドットのトルエン分散液を量子ドットBが表1に記載の濃度になるように添加し、減圧乾燥を30分行った。量子ドットが分散されるまで、撹拌を行い、分散液Bを得た。
2.光変換層102の作製
 ガラス板状に、分散液Bを表2に記載の膜厚になるように塗布し、ガラス板状に感光層を形成した。感光層に対し、空気面側から、UV露光機(HOYA CANDEO OPTRONICS社製EXECURE 3000W)を用いて、窒素雰囲気下で、5J/cm2で露光して、上記感光層を硬化させ、露光膜(量子ドット層102B)を得た。得られた露光膜に分散液Aを、表2に記載の膜厚になるように塗布し、感光層を形成した。感光層に対し、上記条件で露光した後、硬化膜をガラス板から剥離し、光変換部材(光変換層102)を得た。
[実施例2(図3に示す光変換部材の作製1)]
光変換層103の作製
 ガラス板状に、分散液Bを表2に記載の膜厚になるように塗布し、ガラス板状に感光層を形成した。感光層に対し、上記条件で露光し、硬化膜(量子ドット層103B)を得た。
 得られた硬化膜に分散液Mを、表2に記載の膜厚になるように塗布し、感光層を形成した。感光層に対し、上記条件で露光して、量子ドット層103Bと量子ドット混合層103Mの2層の硬化膜を得た。
 得られた2層の硬化膜に、分散液Aを、表2に記載の膜厚になるように塗布し、感光層を形成した。得られた感光層に対し、上記条件で露光を行った後、硬化膜をガラス板から剥離し、光変換部材(光変換層103)を得た。
[実施例3(図3に示す光変換部材の作製2)]
1.量子ドット含有重合性組成物D1~D8の調製
 重合性組成物A100mgに対して、量子ドットのトルエン分散液を、量子ドットBと量子ドットAが表1に記載の濃度になるように添加し、減圧乾燥を30分行った。量子ドットが分散されるまで、撹拌を行い、8種類の分散液D1~D8を得た。
2.光変換層103の作製
 ガラス板状に、分散液Bを表2に記載の膜厚になるように塗布し、ガラス板状に感光層を形成した。感光層に対し、上記条件で露光し、硬化膜(量子ドット層103B)を得た。
 得られた硬化膜に分散液D1を、表2に記載の膜厚になるように塗布し、感光層を形成した。感光層に対し、上記条件で露光して、2層の硬化膜を得た。以降、得られた硬化層に対し、分散液の種類のみをD2~D9およびAへこの順に変更して、表2に記載の膜厚になるような条件での塗布と、上記条件での露光を繰り返し、多層(量子ドット混合層103Mおよび量子ドット層103A)からなる硬化膜(量子ドット混合層103Mおよび量子ドット層103A)を得た。
 得られた硬化膜をガラス板から剥離し、光変換部材(光変換層103)を得た。
3.量子ドットの濃度分布の確認
 上記2.で作製した光変換層103における厚み方向における量子ドット濃度分布を透過型電子顕微鏡(TEM)により測定した。量子ドットは、粒子サイズが小さくなるほど発光波長が短波長側へ、大きくなるほど長波長側へシフトする性質を有する。したがって、量子ドットAは、量子ドットBよりも粒子サイズが大きい。そこでTEM画像において粒子サイズにより量子ドットAと量子ドットBとを分類し、量子ドットA、Bの濃度分布を測定した。その結果、量子ドットAは量子ドット層103Aにおいて最も高濃度であり、量子ドット層103Mにおいては、量子ドット層103Bに近づくほど量子ドットA濃度が低く、量子ドット層103Aに近づくほど量子ドットA濃度が高く、量子ドット層103Bには含まれないことが確認された。
 以上の測定により、実施例3において得られた光偏光部材では、量子ドット混合層103Mにおいて、量子ドットAの濃度分布が連続的に変化していることが確認された。
[実施例4(図5に示す光変換部材の作製)]
1.量子ドット含有重合性組成物Eの調製
 重合性組成物A100mgに対して、量子ドットBよりも短波長域に発光中心波長を有し、発光のピークが400~500nmにある量子ドットCのトルエン分散液を、量子ドットCが表1に記載の濃度になるように添加し、減圧乾燥を30分行った。量子ドットが分散されるまで、撹拌を行い、分散液Cを得た。
2.光変換層105の作製
 ガラス板状に、分散液Bを表2に記載の膜厚になるように塗布し、ガラス板状に感光層を形成した。感光層に対し、上記条件で露光し、硬化膜(量子ドット層105B)を得た。
 得られた硬化膜に分散液Aを、表2に記載の膜厚になるように塗布し、感光層を形成した。感光層に対し、上記条件で露光して、量子ドット層105Bと量子ドット層105Aの2層の硬化膜を得た。
 得られた2層の硬化膜の量子ドット層105Bに、分散液Cを、表2に記載の膜厚になるように塗布し、感光層を形成した。得られた感光層に対し、上記条件で露光を行った後、硬化膜をガラス板から剥離し、光変換部材(光変換層105)を得た。
[比較例2(図13に示す光変換部材の作製)]
光変換層107の作製
 ガラス板上に、分散液Bを表2に記載の膜厚になるように塗布し、ガラス板状に感光層を形成した。感光層に対し、空気面側から、UV露光機(HOYA CANDEO OPTRONICS社製EXECURE 3000W)を用いて、窒素雰囲気下で、5J/cm2で露光して、上記感光層を硬化させ、露光膜(硬化膜)を得た。得られた露光膜に分散液Aを、表2に記載の膜厚になるように塗布し、感光層を形成した。感光層に対し、上記条件で露光した後、硬化膜の積層体をガラス板から剥離し、光変換部材(光変換層107)を得た。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000004
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000005
評価方法
1.量子効率
 量子効率は、量子効率=発光強度÷吸収光強度として求められる。発光強度は積分球をつけて、全方位測定により求めた。
 下記表3中、光源の欄に青色光源と記載のある実施例、比較例については、外部量子効率測定装置(浜松ホトニクス社製C9920-12)を用いて、465nmの波長を有する入射光に対する量子効率を、積分球付きの形態で測定した。
 表3中、光源の欄にUV光源とある実施例4については、光源の波長を365nmに変えた以外は同様の方式で量子効率を求めた。
 このように測定した量子効率について、以下の基準で評点を付け、表3に記載した。後述の表4に示した量子効率の評価基準も、同様である。
 C:比較例1の量子効率以下であった。
 B:比較例1に対して0~5%の量子効率の向上が見られた。
 A:比較例1に対して5%超の向上が見られた。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000006
[実施例5(図6に示す光変換部材の作製)]
光変換部材の作製
 実施例1で作製した光変換層102の量子ドット層102Bの表面に、市販の液晶表示装置(パナソニック社製商品名TH-L42D2)のバックライトを分解して取出したプリズムシートを、接着剤を介して貼合した。これにより、光変換部材201を得た。
[実施例6(図7に示す光変換部材の作製)]
1.光散乱層用塗布液の調製
 屈折率1.42の熱架橋性含フッ素ポリマー(JSR(株)製JN-7228)93質量部に、固形分濃度30質量部のSiO2ゾル(平均粒径10~20nm)のメチルエチルケトン(MEK)分散物(日産化学(株)製MEK-ST)8質量部、およびメチルエチルケトン100質量部を添加、攪拌の後、孔径1μmのポリプロピレン製フィルターでろ過して、光散乱層用塗布液を調製した。
2.光変換部材の作製
 PETフィルム(東洋紡社製コスモシャインA4300、厚み100μm)上に、上記1.で調製した光散乱層用塗布液をバーコーターを用いて塗布し、80℃で乾燥した後、さらに120℃で10分間熱架橋し、厚さ1.2μmの光散乱層を形成した。その後、実施例1と同様の方法で作製した光変換層102の量子ドット層102B表面に、アクリル系接着剤を介して貼合し、図7に示す光変換部材を得た。
[実施例7(図8に示す光変換部材の作製)]
光変換部材の作製
 量子ドット含有重合性組成物である分散液A、Bに、それぞれ実施例6で用いたSiO2ゾル(平均粒径10~20nm)のメチルエチルケトン(MEK)分散物を8質量部添加した点以外は実施例1と同様とし、光変換部材(光変換層106)を得た。
[実施例8(図9aに示す光変換部材の作製)]
1.バリアフィルムの作製
(1)無機膜の作製
 透明基材としてPETフィルム(東洋紡社製コスモシャインA4300、厚み100μm、屈折率nu(535):1.62)を用い、マグネトロンスパッタリング装置のチャンバー内に配置した。ターゲットには窒化珪素を使用し、以下の成膜条件で、酸化窒化珪素の膜厚が25nmになるように成膜を行った。
 成膜圧力:2.5×10-1Pa
 アルゴンガス流量:20sccm
 窒素ガス流量:9sccm
 周波数:13.56MHz
 電力:1.2kW
(2)有機膜の作製
 上記(1)で得た無機膜の上に、フルオレンを骨格とするカルドポリマーを有する樹脂をスピンコート法にて塗布し、160℃で1時間加熱することにより、有機膜を形成した。有機膜の膜厚は1μmであった。このようにして、バリアフィルム41Aおよびバリアフィルム41Bを得た。なお、得られたバリアフィルムのバリア特性を前述の方法で測定したところ、酸素透過率は、0.5cm3/(m2・day)以下、水蒸気透過率は0.5g/(m2・day)以下であった。
2.光変換部材の作製
 実施例1と同様の方法で作製した光変換層102の量子ドット層102Aと、上記1.で作製したバリアフィルム41Aとを、屈折率1.47のアクリル系接着剤を用いて貼り合わせた。
 次いで、実施例6で調製した光散乱層用塗布液を用いて、バリアフィルム41Bの透明基材表面に、実施例6と同様の方法で厚さ1.2μmの光散乱層22を形成した。
 その後、光変換層102の量子ドット層102Bと、上記光散乱層22付きバリアフィルム41Bとを、光散乱層が空気界面側となるように、屈折率1.47のアクリル系接着剤を用いて貼り合わせた。
 こうして、光変換部材(光学変換部材203A)を得た。
[実施例9(図10に示す光変換部材の作製)]
 実施例4と同様の方法で作製した光変換層105の量子ドット層102A、102B上に、それぞれ実施例8と同様の方法でバリアフィルム41A、および、上記光散乱層22付きバリアフィルム41Bを積層した。 こうして、光変換部材(光変換部材204)を得た。
[実施例10(図11に示す光変換部材の作製)]
1.光反射層の作製
 バリアフィルム41Aの透明基材表面に、特開2010-286643に記載の方法で右捩れまたは左捩れのキラル剤の添加量を変更して、コレステリック液晶相を固定してなる第一のコレステリック層、第二のコレステリック層、第三のコレステリック層および第四のコレステリック層を塗布により形成した。
 得られた第一の光反射層の最大反射率のピークの反射中心波長は535nm、半値幅は50nm、捩れの方向は右捩れ、膜厚は2.0μmであった。
 得られた第一の光反射層の最大反射率のピークの反射中心波長は535nm、半値幅は50nm、捩れの方向は左捩れ、膜厚は2.0μmであった。
 得られた第三の光反射層の最大反射率のピークの反射中心波長は630nm、半値幅は60nm、捩れの方向は右捩れ、膜厚は2.1μmであった。
 得られた第三の光反射層の最大反射率のピークの反射中心波長は630nm、半値幅は60nm、捩れの方向は左捩れ、膜厚は2.1μmであった。
 なお、第一のコレステリック層、第二のコレステリック層、第三のコレステリック層および第四のコレステリック層の平均屈折率は1.57であった。
 これら第一のコレステリック層、第二のコレステリック層、第三のコレステリック層および第四のコレステリック層を積層し、光反射層を作成した。得られた光反射層は535nmを中心とした緑色波長域、および630nmを中心とした赤色波長域の光を偏光方向によらず反射する性能を示した。
 バリアフィルム41Aの透明基材側に上記の塗布を実施したこと以外は、実施例8と同様の方法で、光変換部材(光変換部材205)を得た。
評価方法
1.量子効率
 前述と同様に測定および評価した。結果を、表4に記載した。
2.取り出し効率
 量子効率の測定に用いた光源上に、ガラス板を介して実施例、比較例の光変換部材を光源に対して水平に、かつ対応する図中の最下方の層が光源側となる向きに配置した。光源および光変換部材に対する法線上に、光変換部材から740mmの距離に、輝度計 (TOPCON社製SR3)を設置し、1°視野にて透過および励起光の測定を行った。
 また、リファレンスとして量子ドットを含まない、バインダーのみからなるサンプルを、同様に測定した。光変換部材とバインダーのみからなるサンプルの、輝度の全波長積分値の比を、取り出し効率とした。
 このように測定した取り出し効率について、以下の基準で評点を付け、表4に記載した。
 B:実施例1に対する向上率が10%未満であった。
 A:実施例1に対して10%以上の向上が見られた。
 S:実施例1に対して20%以上の向上が見られた。
3.耐久試験後の量子効率
 実施例、比較例の光変換部材を、温度85℃相対湿度85%環境にて100時間放置し、その後温度25℃相対湿度60%環境へ取り出して2時間以上放置した後、量子効率の測定を行った。
 このように測定した耐久試験後の量子効率について、以下の基準で評点を付け、表4に記載した。
 B:耐久試験前後の量子効率低減率が30%以上。
 A:耐久試験前後の量子効率低減率が30%未満。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000007
評価結果
 表3、4に示すように、実施例の光変換部材は、いずれも比較例の光変換部材と比べて高い量子効率で発光可能であった。これは、量子ドットB、Cにより発光される光が、他の量子ドットに吸収されることがなく、または吸収される量が少なかったことによるものである。
 また、図4に示す結果から、光変換部材の出射側に光散乱構造または光散乱層を設けることにより、取り出し効率の向上が可能であること、および、バリアフィルムを設けることにより、量子効率の経時変化(低下)を防ぐことができることが、確認できる。
[実施例11]
 量子ドット含有重合性組成物である分散液A、Bに、それぞれシリカ粒子(屈折率1.45、粒径2μm)を加えた他は、実施例1と同様の方法で、実施例11に記載の光変換部材を得た。バインダーの屈折率は、多波長アッベ屈折計(アタゴ(株)製DR-M2)にて測定した。
[実施例12]
 重合性組成物A100mgに対して、ZrO2微粒子含有ハードコート剤(JSR(株)製オプスターKZ6666)、およびポリメチルメタクリレート(PMMA)粒子(屈折率1.50、粒径2μm)を新たに加えた点以外は分散液Aの調製と同様にして、分散液Eを得た。
 また、重合性組成物A100mgに対して、ZrO2微粒子含有ハードコート剤(JSR(株)製オプスターKZ6666)、およびPMMA粒子(屈折率1.50、粒径2μm)を新たに加えた点以外は分散液Bの調製と同様にして、分散液Fを得た。
 分散液Aの代わりに分散液Eを、分散液Bの代わりに分散液Fを使用した他は、実施例1と同様の方法で、実施例12に記載の光変換部材を得た。
[実施例13]
 量子ドット含有重合性組成物である分散液A、Bに、それぞれPMMA粒子(屈折率1.50、粒径2μm)を新たに加えた点以外は、実施例1と同様の方法で、実施例13に記載の光変換部材を得た。
[実施例14]
 量子ドット含有重合性組成物である分散液A、Bに、それぞれポリスチレン粒子(屈折率1.60、粒径2μm)を新たに加えた点以外は、実施例1と同様の方法で、実施例14に記載の光変換部材を得た。
[実施例15~19]
 量子ドット含有重合性組成物である分散液A、Bに添加する粒子を表6に示す直径を有する粒子に変更した点以外は、実施例14と同様の方法で、実施例15~19に記載の光変換部材を得た。
[実施例20]
 量子ドット含有重合性組成物である分散液A、Bに、それぞれ2種類の粒子(ポリスチレン粒子A(屈折率1.60、粒径5μm)およびポリスチレン粒子B(屈折率1.60、粒径0.8μm))を同量ずつ新たに加えた点以外は、実施例1と同様の方法で、実施例20に記載の光変換部材を得た。
[実施例21]
 量子ドット含有重合性組成物である分散液A、Bにおいて、重合性組成物A100mgの代わりにウレタンメタクリレート(三菱レイヨン社製MCR-10)100mgを使用し、かつそれぞれポリスチレン粒子(屈折率1.60、粒径2μm)を新たに加えた点以外は、実施例1と同様の方法で、実施例21に記載の光変換部材を得た。
[実施例22]
 量子ドット含有重合性組成物である分散液A、Bにおいて、重合性組成物A100mgの代わりにメタクリレート(クレハ製K-55)100mgを使用し、かつそれぞれポリスチレン粒子(屈折率1.60、粒径2μm)を新たに加えた点以外は、実施例1と同様の方法で、実施例22に記載の光変換部材を得た。
[実施例23]
 量子ドット含有重合性組成物である分散液Bに、ポリスチレン粒子(屈折率1.60、粒径2μm)を新たに加えて、分散液Gを得た。
 ガラス板状に、分散液Aを完成膜厚が150μmになるように塗布し、ガラス板状に感光層を形成した。感光層に対し、空気面側から、UV露光機(HOYA CANDEO OPTRONICS社製EXECURE 3000W)を用いて、窒素雰囲気下で、5J/cm2で露光して、上記感光層を硬化させ、露光膜を得た。得られた露光膜に分散液Bを、完成膜厚が145μmになるように塗布し、感光層を形成した。感光層に対し、上記条件で露光硬化させ、2層の硬化膜を得た。得られた露光膜に分散液Gを、完成膜厚が5μmとなるように塗布した後、上記条件で露光硬化させ、3層の硬化膜を得た。硬化膜をガラス板から剥離し、実施例23に記載の光変換部材108(図15に示す態様)を得た。
[実施例24~28]
 量子ドット含有重合性組成物である分散液A、Bに、ポリスチレン粒子(屈折率1.60、粒径2μm)を、それぞれ添加量を変えながら加えた点以外は実施例1と同様の方法で、実施例24~28に記載の光変換部材を得た。得られた光変換部材のヘイズを測定したところ、表10に記載の値であった。
評価方法
1.取り出し効率
 前述と同様に測定および評価した。結果を、表5~10に記載した。
2.光変換層のヘイズ
 JIS-K-7105に準じて、ヘイズメーター(日本電色工業(株)NDH-2000)により測定した。
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000008
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000009
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000010
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000011
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000012
Figure JPOXMLDOC01-appb-T000013
評価結果
 表5~表10に示す結果から、光変換層に散乱粒子が存在することにより、光取り出し効率が向上することが確認できる。
[実施例29(バックライトユニットおよび液晶表示装置の作製)]
 実施例1~10の光変換部材用いて、図1(a)に示す構成のバックライトユニットを作製した。
 市販の液晶表示装置(パナソニック社製商品名TH-L42D2)を分解し、バックライトユニットを、上記バックライトユニットに変更し、実施例10の液晶表示装置を製造した。
 こうして作製された液晶表示装置は、表3、4に示すように高い量子効率で発光可能な光変換部材を備え、高輝度かつ色再現性に優れる。
 本発明は、液晶表示装置の製造分野において有用である。
101~107:光変換層
2:量子ドットB
3:量子ドットA
4:量子ドットC
5:散乱粒子
102A、103A、105A:量子ドットとして量子ドットAのみを含む量子ドット層
102B、103B、105B:量子ドットとして量子ドットBのみを含む量子ドット層103M:量子ドット混合層
105C:量子ドットとして量子ドットCのみを含む量子ドット層
21:光散乱構造
22:光散乱層
23:光反射層
31:バックライトユニット
31A:光源
31B:導光板
31C:光変換部材
41A、41B:バリアフィルム
201~205:光変換部材

Claims (24)

  1. 入射する励起光により励起され蛍光を発光する量子ドットを含む光変換層を有する光変換部材であって、
    前記光変換層は、
    600nm~680nmの範囲の波長帯域に発光中心波長を有する量子ドットAと、量子ドットAよりも短波長帯域に発光中心波長を有する一種以上の量子ドットZと、
    を含有し、
    前記光変換層において、量子ドットAが、量子ドットZに対して励起光入射側に相対的に偏在している光変換部材。
  2. 量子ドットZは、500nm~600nmの範囲の波長帯域に発光中心波長を有する量子ドットBを含む請求項1に記載の光変換部材。
  3. 量子ドットZは、量子ドットBよりも短波長帯域であって、かつ400nm~500nmの波長帯域に発光中心波長を有する量子ドットCを更に含む請求項1または2に記載の光変換部材。
  4. 前記光変換層において、量子ドットBが、量子ドットCに対して励起光入射側に相対的に偏在している請求項3に記載の光変換部材。
  5. 前記光変換層は、量子ドットAと量子ドットAよりも短波長帯域に発光中心波長を有する一種以上の量子ドットZとを含む量子ドット混合層を含み、かつ
    前記量子ドット混合層において、量子ドットAの濃度分布が励起光入射側から蛍光出射側に向かって連続的ないし段階的に減少している請求項1~4のいずれか1項に記載の光変換部材。
  6. 前記光変換層は、
    量子ドットとして量子ドットAのみを含む第一の量子ドット層と、
    量子ドットAよりも短波長帯域に発光中心波長を有する一種以上の量子ドットZを含む少なくとも一層の量子ドット層と、
    を有し、かつ、
    前記第一の量子ドット層が、他の量子ドット層よりも励起光入射側に位置している請求項1~5のいずれか1項に記載の光変換部材。
  7. 前記光変換層は、第一の量子ドット層よりも蛍光出射側に、量子ドットとして500nm~600nmの範囲の波長帯域に発光中心波長を有する量子ドットBのみを含む第二の量子ドット層を有する請求項6に記載の光変換部材。
  8. 前記光変換層は、第二の量子ドット層よりも蛍光出射側に、量子ドットとして400nm~500nmの波長帯域に発光中心波長を有する量子ドットCのみを含む第三の量子ドット層を有する請求項7に記載の光変換部材。
  9. 前記光変換層の励起光入射側表面および蛍光出射側表面の少なくとも一方の表面に、酸素透過率が1.0cm/m/day/atm未満のバリアフィルムを有する請求項1~8のいずれか1項に記載の光変換部材。
  10. 光散乱層または光散乱構造を有する請求項1~9のいずれか1項に記載の光変換部材。
  11. 前記光変換層の励起光入射側に、光反射層を有する請求項1~10のいずれか1項に記載の光変換部材。
  12. 前記光変換層は、バインダー樹脂中に散乱粒子を含む請求項1~11のいずれか1項に記載の光変換部材。
  13. 前記散乱粒子の屈折率nsおよびバインダー樹脂の屈折率nbが、0.02≦|nb-ns|≦1の関係を満たす請求項12に記載の光変換部材。
  14. 前記散乱粒子の直径rsは、0.5μm以上10μm以下の範囲である請求項13に記載の光変換部材。
  15. 前記光変換層は、屈折率および直径の少なくとも一方が異なる散乱粒子を2種類以上含む請求項12~14のいずれか1項に記載の光変換部材。
  16. 前記光散乱粒子およびバインダー樹脂は屈折率およびアッベ数が相違し、かつ
    前記光散乱粒子およびバインダー樹脂のうち、屈折率がより大きなものがより小さなアッベ数νeを有する請求項12~15のいずれか1項に記載の光変換部材。
  17. 前記光変換層のヘイズは、50%以上である請求項1~16のいずれか1項に記載の光変換部材。
  18. 請求項1~17のいずれか1項に記載の光変換部材と、
    光源と、
    を少なくとも含むバックライトユニット。
  19. 430~480nmの波長帯域に発光中心波長を有し、半値幅が100nm以下である発光強度のピークを有する青色光と、
    500~600nmの波長帯域に発光中心波長を有し、半値幅が100nm以下である発光強度のピークを有する緑色光と、
    600~680nmの波長帯域に発光中心波長を有し、半値幅が100nm以下である発光強度のピークを有する赤色光と、
    を発光する請求項18に記載のバックライトユニット。
  20. 前記光源は、430nm~480nmの波長帯域に発光中心波長を有する請求項18または19に記載のバックライトユニット。
  21. 前記光源は、300nm~430nmの波長帯域に発光中心波長を有する請求項18または19に記載のバックライトユニット。
  22. 導光板を更に含み、
    前記光変換部材を、前記導光板から出射される光の経路上に有する請求項18~21のいずれか1項に記載のバックライトユニット。
  23. 導光板を更に含み、
    前記光変換部材を、前記導光板と光源との間に有する請求項18~21のいずれか1項に記載のバックライトユニット。
  24. 請求項18~23のいずれか1項に記載のバックライトユニットと、
    液晶セルと、を少なくとも含む液晶表示装置。
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