TWI715447B - 背板的製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種背板的製造方法,包括下列步驟:提供多個主動元件基板,其中每一主動元件基板包括基底、設置於基底之第一表面上的主動元件、設置於主動元件上的絕緣層、電性連接至主動元件的接墊組及設置於絕緣層上且位於接墊組外的間隔物;利用密封膠連接第一主動元件基板與第二主動元件基板,其中第一主動元件基板的間隔物抵頂第二主動元件基板的絕緣層,第二主動元件基板的間隔物抵頂第一主動元件基板的絕緣層,且第一主動元件基板的間隔物與第二主動元件基板的間隔物錯開;於密封膠連接第一主動元件基板與第二主動元件基板的情況下,分別在第一主動元件基板的第二表面及第二主動元件基板的第二表面上形成第一線路結構及第二線路結構;移除密封膠,以使第一主動元件基板與第二主動元件基板分離,並形成第一背板及第二背板。
Description
本發明是有關於一種背板的製造方法。
發光二極體顯示面板包括主動元件基板及被轉置於主動元件基板上的多個微型發光二極體。繼承發光二極體的特性,發光二極體顯示面板具有省電、高效率、高亮度及反應時間快等優點。此外,相較於有機發光二極體顯示面板,發光二極體顯示面板還具有發光壽命長、無影像烙印等優勢。因此,發光二極體顯示面板被視為下一世代的顯示技術。
發光二極體顯示面板包括設置於主動元件基板之正面上的微型發光二極體以及電性連接至微型發光二極體的線路結構。為實現無接縫的拼接顯示器,用以拼接成拼接顯示器的多個發光二極體顯示面板需具備超窄邊框甚至無邊框。因此,線路結構需設置於發光二極體顯示面板之主動元件基板的背面。一般而言,在發光二極體顯示面板的製程中,會先在主動元件基板之基底的正面上形成主動元件及用以與微型發光二極體電性連接的接墊;接著,形成保護層,以覆蓋主動元件及接墊;之後,才在主動元件與接墊被保護層覆蓋的情況下,於主動元件基板之基底的背面上形成線路結構。然而,在上述製程中,須使用額外的材料做為主動元件與接墊的保護層,不利於降低製造成本。
本發明提供一種背板的製造方法,有助於降低製造成本。
本發明的一種背板的製造方法,包括下列步驟:提供多個主動元件基板,其中每一主動元件基板包括具有相對之第一表面與第二表面的基底、設置於基底之第一表面上的主動元件、設置於主動元件上的絕緣層、設置於絕緣層上且電性連接至主動元件的接墊組以及設置於絕緣層上且位於接墊組外的間隔物;利用密封膠連接多個主動元件基板的第一主動元件基板與多個主動元件基板的第二主動元件基板,其中第一主動元件基板的第一表面面向第二主動元件基板的第一表面,第一主動元件基板的間隔物抵頂第二主動元件基板的絕緣層,第二主動元件基板的間隔物抵頂第一主動元件基板的絕緣層,且第一主動元件基板的間隔物與第二主動元件基板的間隔物錯開;於密封膠連接第一主動元件基板與第二主動元件基板的情況下,在第一主動元件基板之基底的第二表面上形成一第一線路結構;於密封膠連接第一主動元件基板與第二主動元件基板的情況下,在第二主動元件基板之基底的第二表面上形成第二線路結構;於形成第一線路結構與第二線路結構之後,移除密封膠,以使第一主動元件基板與第二主動元件基板分離,並形成第一背板及第二背板,其中第一背板包括第一主動元件基板以及設置於第一主動元件基板之第二表面上的第一線路結構,且第二背板包括第二主動元件基板以及設置於第二主動元件基板之第二表面上的第二線路結構。
在本發明的一實施例中,上述的背板的製造方法更包括:於形成第一線路結構之後及形成第二線路結構之前,形成第一保護層,以覆蓋第一線路結構。
在本發明的一實施例中,上述的背板的製造方法更包括:於形成第二線路結構之後以及使第一主動元件基板與第二主動元件基板分離之前,形成第二保護層,以覆蓋第二線路結構。
在本發明的一實施例中,上述的背板的製造方法更包括:在形成第二保護層之後以及使第一主動元件基板與第二主動元件基板分離之前,移除第一保護層。
在本發明的一實施例中,上述的背板的製造方法更包括:在移除第一保護層之後以及使第一主動元件基板與第二主動元件基板分離之前,形成第三保護層,以覆蓋第一線路結構。
在本發明的一實施例中,上述之使第一主動元件基板與第二主動元件基板分離的方法包括:在第三保護層及第二保護層分別覆蓋第一線路結構及第二線路結構的情況下,切除第一主動元件基板之設有密封膠的一部分和第二主動元件基板之設有密封膠的一部分。
在本發明的一實施例中,上述的每一主動元件基板的間隔物的高度大於主動元件基板之接墊組之接墊的厚度的兩倍。
現將詳細地參考本發明的示範性實施例,示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能,相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
應當理解,當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件“上”或“連接到”另一元件時,其可以直接在另一元件上或與另一元件連接,或者中間元件可以也存在。相反,當元件被稱為“直接在另一元件上”或“直接連接到”另一元件時,不存在中間元件。如本文所使用的,“連接”可以指物理及/或電性連接。再者,“電性連接”或“耦合”可以是二元件間存在其它元件。
本文使用的“約”、“近似”、或“實質上”包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值,考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量(即,測量系統的限制)。例如,“約”可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內,或±30%、±20%、±10%、±5%內。再者,本文使用的“約”、“近似”或“實質上”可依光學性質、蝕刻性質或其它性質,來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差,而可不用一個標準偏差適用全部性質。
除非另有定義,本文使用的所有術語(包括技術和科學術語)具有與本發明所屬領域的普通技術人員通常理解的相同的含義。將進一步理解的是,諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義,並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義,除非本文中明確地這樣定義。
圖1A至圖1J為本發明一實施例之背板的製造流程的示意圖。
請參照圖1A,首先,提供多個主動元件基板100,其中每一主動元件基板100包括具有相對之第一表面111與第二表面112的基底110、設置於基底110之第一表面111上的主動元件T、設置於主動元件T上的絕緣層194、設置於絕緣層194上且電性連接至主動元件T的接墊組196以及設置於絕緣層194上且位於接墊組196外的間隔物198。
在本實施例中,每一主動元件基板100可選擇性地包括緩衝層120,緩衝層120設置於基底110的第一表面111上,主動元件T可設置於緩衝層120上,但本發明不以此為限。
主動元件T包括薄膜電晶體,所述薄膜電晶體具有半導體圖案130、閘極150、設置於閘極150與半導體圖案130之間的閘絕緣層140以及分別與半導體圖案130之不同兩區電性連接的源極172與汲極174。舉例而言,在本實施例中,半導體圖案130可設置於緩衝層120上,閘絕緣層140可設置於半導體圖案130及緩衝層120上,閘極150可設置於閘絕緣層140上,第一層間介電層160可設置於閘極150及閘絕緣層140上,而源極172與汲極174可設置於第一層間介電層160上。
簡言之,在本實施例中,閘極150可設置於半導體圖案130的上方,而所述薄膜電晶體可以是頂部閘極型。然而,本發明不限於此,在其它實施例中,所述薄膜電晶體也可以是底部閘極型或其它型式。
此外,在本實施例中,每一主動元件基板100還可選擇性地包括第二層間介電層180及轉接圖案192,其中第二層間介電層180設置於源極172、汲極174與第一層間介電層160上,而轉接圖案192設置於第二層間介電層180上且電性連接至汲極174。在本實施例中,絕緣層194可設置於轉接圖案192及第二層間介電層180上,接墊組196的多個接墊196a、196b可設置於絕緣層194上,其中一接墊196a可透過轉接圖案192電性連接至主動元件T。然而,本發明不限於此,在其它實施例中,接墊組196的接墊196a也可利用其它方式電性連接至主動元件T。
舉例而言,在本實施例中,主動元件基板100之基底110的材料可以是玻璃、石英、有機聚合物、不透光/反射材料(例如:晶圓、陶瓷、或其它可適用的材料)或其它材料;接墊196a、196b的材料可以是金屬、金屬氧化物、金屬與金屬氧化物的組合或其它材料;絕緣層194的材料可以是有機材料或其它材料;間隔物198的材料可以是有機光阻或其它材料;但本發明不以此為限。
在本實施例中,每一主動元件基板100之間隔物198的下方不設置主動元件T。舉例而言,在本實施例中,間隔物198的底面可以是多邊形,而間隔物198可以是角錐台。然而,本發明不限於此,間隔物198的底面及/或間隔物198也可以是其它形狀。舉例而言,於另一實施例中,間隔物198的底面可以是圓形,而間隔物198可以是圓錐台。
請參照圖1A,上述的多個主動元件基板100包括彼此分離的第一主動元件基板100-1及第二主動元件基板100-2。請參照圖1A及圖1B,接著,將利用密封膠(sealant)200連接第一主動元件基板100-1與第二主動元件基板100-2,其中第一主動元件基板100-1的第一表面111面向第二主動元件基板100-2的第一表面111,第一主動元件基板100-1的間隔物198抵頂第二主動元件基板100-2的絕緣層194,第二主動元件基板100-2的間隔物198抵頂第一主動元件基板100-1的絕緣層194,且第一主動元件基板100-1的間隔物198與第二主動元件基板100-2的間隔物198錯開。也就是說,利用密封膠200組立第一主動元件基板100-1與第二主動元件基板100-2後,第一主動元件基板100-1的間隔物198不會與第二主動元件基板100-2的間隔物198重疊。
在本實施例中,每一主動元件基板100之間隔物198的高度H大於接墊196a之厚度D的兩倍。藉此,第一主動元件基板100-1與第二主動元件基板100-2組立時,第一主動元件基板100-1的接墊組196與第二主動元件基板100-2能保持一適當間隙,而使第一主動元件基板100-1的接墊組196與第二主動元件基板100-2不會互相損傷。
圖2為本發明一實施例之主動元件基板100的基底110、畫素PX及間隔物198的上視示意圖。
請參照圖1A及圖2,在本實施例中,多個主動元件基板100是利用同一組光罩製作,而多個主動元件基板100的多個間隔物198是以相同的方式排列在各自的基底110上。也就是說,若第一主動元件基板100-1的第一表面111及第二主動元件基板100-2的第一表面111皆朝向觀察者,觀察者可發現第一主動元件基板100-1之間隔物198的排列方式與第二主動元件基板100-2之間隔物198的排列方式實質上相同。
圖3為本發明一實施例之第一主動元件基板100-1的基底110及其間隔物198和第二主動元件基板100-2的基底110及其間隔物198的上視示意圖。
請參照圖1B,第一主動元件基板100-1與第二主動元件基板100-2組立成一暫時結構(即圖1B所示之第一主動元件基板100-1、第二主動元件基板100-2及密封膠200的堆疊結構),而圖3是示出所述暫時結構之第一主動元件基板100-1的間隔物198與第二主動元件基板100-2的間隔物198,其中以實線代表第一主動元件基板100-1的間隔物198,以虛線代表第二主動元件基板100-2的間隔物198。
請參照圖1B及圖3,在本實施例中,雖然第一主動元件基板100-1與第二主動元件基板100-2是利用同一組光罩製作,且第一主動元件基板100-1的間隔物198與第二主動元件基板100-2的間隔物198是以相同的方式排列在各自的基底110上,但由於每一主動元件基板100的間隔物198是以特殊的方式排列,因此第一主動元件基板100-1與第二主動元件基板100-2組立後,第一主動元件基板100-1的間隔物198與第二主動元件基板100-2的間隔物198會彼此錯開而不會互相抵頂。
以下配合圖2舉例說明其中一種可行之間隔物198的特殊排列方式。
請參照圖2,主動元件基板100之最外圍的多個間隔物198定義一範圍AA,範圍AA具有第一中心軸線X1及第二中心軸線X2,其中第一中心軸線X1與第二中心軸線X2分別在第一方向d1與第二方向d2上延伸且互相垂直。特別是,第一中心軸線X1及第二中心軸線X2上沒有設置間隔物198,分別位於第一中心軸線X1兩側的多個間隔物198不會呈鏡像設置,且分別位於第二中心軸線X2兩側的多個間隔物198也不會呈鏡像設置。藉由上述間隔物198的特殊排列方式,第一主動元件基板100-1與第二主動元件基板100-2組立後,第一主動元件基板100-1的間隔物198與第二主動元件基板100-2的間隔物198會彼此錯開而不會互相抵頂。
請參照圖1A及圖2,在本實施例中,主動元件基板100包括設置於範圍AA內的多個畫素PX,每一畫素PX包括多個子畫素SPX,每一子畫素SPX具有主動元件T及電性連接至主動元件T的接墊組196。請參照圖2,主動元件基板100的多個畫素PX排成X∙Y的矩陣,X及Y為大於1的正整數,排成X∙Y之矩陣的多個畫素PX包括在第一方向d1依序排列的X個畫素行C以及在第二方向d2依序排列的Y個畫素列R,其中每一畫素行C的多個畫素PX在第二方向d2依序排列,且每一畫素列R的多個畫素PX在第一方向d1依序排列。
在本實施例中,X、Y為奇數,在奇數個的畫素列R中,間隔物198放置於奇數個(第1、3、5…個)畫素PX的角落;在偶數個的畫素列R中,間隔物198放置於偶數個(第2、4、6…個)畫素PX的角落。舉例而言,X=15,Y=9,在第1、3、5、7、9個的畫素列R中,間隔物198放置於第1、3、5、7、9、11、13、15個畫素PX的右上角;在第2、4、6、8個的畫素列R中,間隔物198放置於第2、4、6、8、10、12、14個畫素PX的右上角,但本發明不以此為限。
如圖3所示,在本實施例中,利用上述間隔物198的特殊排列方式,第一主動元件基板100-1與第二主動元件基板100-2組立後,第一主動元件基板100-1的間隔物198與第二主動元件基板100-2的間隔物198會彼此錯開而不會互相抵頂。
須說明的是,圖2僅是舉例說明其中一種可行的間隔物198特殊排列方式,圖2並非用以限制間隔物198的排列方式。在其它實施例中,間隔物198也可利用其它特殊方式排列於基底110上,以使第一主動元件基板100-1與第二主動元件基板100-2組立後,第一主動元件基板100-1的間隔物198與第二主動元件基板100-2的間隔物198不會互相抵頂。以下將於後續段落配合其它圖示舉例說明之。
請參照圖1B,在第一主動元件基板100-1與第二主動元件基板100-2組立後,第一主動元件基板100-1的接墊196a、196b與第二主動元件基板100-2的接墊196a、196b都會被封在密封膠200所圍出的一空間內,而不易被後續製程所傷。換句話說,在背板的製造過程中,第一主動元件基板100-1與第二主動元件基板100-2是做為彼此的保護層使用,而於此步驟中不需使用額外的材料做為保護層。
請參照圖1C,接著,於密封膠200連接第一主動元件基板100-1與第二主動元件基板100-2的情況下,在第一主動元件基板100-1之基底110的第二表面112上形成第一線路結構210。
舉例而言,在本實施例中,第一線路結構210包括設置於第一主動元件基板100-1之第二表面112上的第一阻障保護層211、設置於第一阻障保護層211上的扇出走線212、設置於第一阻障保護層211及扇出走線212上的第二阻障保護層213以及設置於第二阻障保護層213上且電性連接至扇出走線212的接墊214。然而,本發明不以此為限,在其它實施例中,第一線路結構210也可以是其它構造。
請參照圖1D,接著,於形成第一保護層310,以覆蓋第一線路結構210。舉例而言,在本實施例中,第一線路結構210包括設置於第一線路結構210上的金屬氧化物子層311以及設置於金屬氧化物子層311上的絕緣子層312。在本實施例中,金屬氧化物子層311的材料例如是氧化銦鋅(Indium-Zinc Oxide;IZO),絕緣子層312的材料例如是氮化矽(SiNx),但本發明不以此為限。
請參照圖1E,接著,於密封膠200連接第一主動元件基板100-1與第二主動元件基板100-2且第一保護層310覆蓋第一線路結構210的情況下,在第二主動元件基板100-2之基底110的第二表面112上形成第二線路結構220。
舉例而言,在本實施例中,第二線路結構220包括設置於第二主動元件基板100-2之第二表面112上的第一阻障保護層221、設置於第一阻障保護層221上的扇出走線222、設置於第一阻障保護層221及扇出走線222上的第二阻障保護層223以及設置於第二阻障保護層223上且電性連接至扇出走線222的接墊224。然而,本發明不以此為限,在其它實施例中,第二線路結構220也可以是其它構造。
請參照圖1F,接著,於形成第二保護層320,以覆蓋第二線路結構220。舉例而言,在本實施例中,第二保護層320例如是硬質膠層,但本發明不以此為限。
請參照圖1F及圖1G,接著,移除第一保護層310。舉例而言,在本實施例中,可利用蝕刻工序去除第一保護層310,但本發明不以此為限。
請參照圖1H,接著,形成第三保護層330,以覆蓋第一線路結構210。舉例而言,在本實施例中,第三保護層330例如是硬質膠層,但本發明不以此為限。
請參照圖1I及圖1J,接著,移除密封膠200,以使第一主動元件基板100-1與第二主動元件基板100-2分離。舉例而言,在本實施例中,可在第三保護層330及第二保護層320分別覆蓋第一線路結構210及第二線路結構220的情況下,切除第一主動元件基板100-1之設有密封膠200的一部分和第二主動元件基板100-2之設有密封膠200的一部分,當第一主動元件基板100-1之設有密封膠200的一部分和第二主動元件基板100-2之設有密封膠200的一部分被切除時,自然地,原本互相連接的第一主動元件基板100-1與第二主動元件基板100-2便可分離。然而,本發明不限於此,在其它實施例中,分離第一主動元件基板100-1與第二主動元件基板100-2。
請參照圖1J,於此,便完成了第一背板10-1及第二背板10-2,其中第一背板10-1包括第一主動元件基板100-1以及設置於第一主動元件基板100-1之第二表面112上的第一線路結構210,且第二背板10-2包括第二主動元件基板100-2以及設置於第二主動元件基板100-2之第二表面112上的第二線路結構220。
在本實施例中,於第一背板10-1及第二背板10-2完成後,可各自對第一背板10-1及第二背板10-2進行側邊導線製程、驅動晶片接合製程及微型發光二極體(µLED)轉置製程。
具體而言,於第一背板10-1的側邊走線製程中,可在第一主動元件基板100-1之基底110的側壁(未繪示)上形成側邊導線(未繪示),其中基底110的側壁連接於基底110的第一表面111與基底110的第二表面112之間。設置於第一主動元件基板100-1之第一表面111上的主動元件T與設置於第一主動元件基板100-1之第二表面112上的接墊214可利用設置於基底110之側壁上的側邊導線彼此電性連接。於驅動晶片接合製程中,驅動晶片(未繪示)與第一主動元件基板100-1之第二表面112上的接墊214電性連接。於第一背板10-1的微型發光二極體(µLED)轉置製程中,微型發光二極體(µLED)可被轉置到第一主動元件基板100-1的第一表面111上且與設置於第一主動元件基板100-1之第一表面111上的接墊196a、196b電性連接。完成第一背板10-1的側邊導線製程、驅動晶片接合製程及微型發光二極體(µLED)轉置製程後,第一背板10-1及其上的微型發光二極體、側邊導線及驅動晶片便可形成一微型發光二極體顯示面板。
類似地,於第二背板10-2的側邊走線製程中,可在第二主動元件基板100-2之基底110的側壁(未繪示)上形成側邊導線(未繪示),其中基底110的側壁連接於基底110的第一表面111與基底110的第二表面112之間。設置於第二主動元件基板100-2之第一表面111上的主動元件T與設置於第二主動元件基板100-2之第二表面112上的接墊224可利用設置於基底110之側壁上的側邊導線彼此電性連接。於驅動晶片接合製程中,驅動晶片(未繪示)與第二主動元件基板100-2之第二表面112上的接墊224電性連接。於第二背板10-2的微型發光二極體(µLED)轉置製程中,微型發光二極體(µLED)可被轉置到第二主動元件基板100-2的第一表面111上且與設置於第二主動元件基板100-2之第一表面111上的接墊196a、196b電性連接。完成第二背板10-2的側邊導線製程、驅動晶片接合製程及微型發光二極體(µLED)轉置製程後,第二背板10-2及其上的微型發光二極體、側邊導線及驅動晶片便可形成一微型發光二極體顯示面板。
在此必須說明的是,下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容,其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件,並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例,下述實施例不再重述。
圖4為本發明一實施例之另一主動元件基板100A的基底110、畫素PX及間隔物198的上視示意圖。
圖4的主動元件基板100A與圖2的主動元件基板100類似。請參照圖4,主動元件基板100A的多個畫素PX排成X∙Y的矩陣,X及Y為大於1的正整數;排成X∙Y之矩陣的多個畫素PX包括在第一方向d1上依序排列的多個畫素行C以及在第二方向d2上依序排列的多個畫素列R,其中每一畫素行C的多個畫素PX在第二方向d2上依序排列,且每一畫素列R的多個畫素PX在第一方向d1上依序排列。與圖2之主動元件基板100不同的是,在圖4的實施例中,X、Y為偶數;第一中心軸線X1位於相鄰兩畫素列R之間,所述相鄰兩畫素列R之一者的每一畫素PX的一角落上沒有設置間隔物198;第二中心軸線X2位於相鄰兩畫素行C之間,所述相鄰兩畫素行C的一者的每一畫素PX 的一角落上沒有設置間隔物198。舉例而言,X=16,Y=10,第一中心軸線X1位於相鄰的第5個畫素列R與第6個畫素列R之間,第6個畫素列R的每一畫素PX的右上角沒有設置間隔物198;第二中心軸線X2位於相鄰的第8個畫素行C與第9個畫素行C之間,第8個畫素行C的每一畫素PX的右上角沒有設置間隔物198,但本發明不以此為限。
圖5為本發明又一實施例之主動元件基板100B的基底110、畫素PX及間隔物198的上視示意圖。
圖5的主動元件基板100B與圖2的主動元件基板100類似。兩者的差異在於:在圖5的實施例中,是依照實際的需求減少間隔物198的設置密度。
圖6為本發明又一實施例之主動元件基板100C的基底110、畫素PX及間隔物198的上視示意圖。
圖6的主動元件基板100C與圖2的主動元件基板100類似。兩者的差異在於:在圖6的實施例中,於奇數個的畫素列R中,間隔物198放置於偶數個(第2、4、6…個)畫素PX的角落;在偶數個的畫素列R中,間隔物198放置於奇數個(第1、3、5…個)畫素PX的角落。舉例而言,X=15,Y=9,在第2、4、6、8個的畫素列R中,間隔物198放置於第1、3、5、7、9、11、13、15個畫素PX的右上角;在第1、3、5、7、9個的畫素列R中,間隔物198放置於第2、4、6、8、10、12、14個畫素PX的右上角,但本發明不以此為限。
圖7示出本發明一實施例的重複單元U及間隔物198。
請參照圖7,間隔物198可設置在任意重複單元U的周邊及/或角落,重複單元U可以是一個子畫素SPX、一個畫素PX、多個子畫素SPX的組合或多個畫素PX的組合。舉例而言,在圖7的實施例中,是以三個畫素PX為重複單元U,且間隔物198是設置在重複單元U的其中二畫素PX的角落,但本發明不以此為限。
圖8示出本發明另一實施例的重複單元U及間隔物198。在圖8的實施例中,重複單元U可以是包括多個子畫素SPX的一畫素PX,而間隔物198可設置於同一畫素PX之多個子畫素SPX的角落。
圖9示出本發明又一實施例的重複單元U及間隔物198。在圖9的實施例中,重複單元U可以是多個畫素PX的組合,而間隔物198可設置於多個畫素PX之組合的多個角落。
10-1:第一背板
10-2:第二背板
100、100A、100B、100C:主動元件基板
100-1:第一主動元件基板
100-2:第二主動元件基板
110:基底
111:第一表面
112:第二表面
120:緩衝層
130:半導體圖案
140:閘絕緣層
150:閘極
160:第一層間介電層
172:源極
174:汲極
180:第二層間介電層
192:轉接圖案
194:絕緣層
196:接墊組
196a、196b:接墊
198:間隔物
200:密封膠
210:第一線路結構
211、221:第一阻障保護層
212、222:扇出走線
213、223:第二阻障保護層
214、224:接墊
220:第二線路結構
310:第一保護層
311:金屬氧化物子層
312:絕緣子層
320:第二保護層
330:第三保護層
AA:範圍
C:畫素行
D:厚度
d1:第一方向
d2:第二方向
H:高度
PX:畫素
R:畫素列
SPX:子畫素
T:主動元件
U:重複單元
X1:第一中心軸線
X2:第二中心軸線
圖1A至圖1J為本發明一實施例之背板的製造流程的示意圖。
圖2為本發明一實施例之主動元件基板100的基底110、畫素PX及間隔物198的上視示意圖。
圖3為本發明一實施例之第一主動元件基板100-1的基底110及其間隔物198和第二主動元件基板100-2的基底110及其間隔物198的上視示意圖。
圖4為本發明一實施例之另一主動元件基板100A的基底110、畫素PX及間隔物198的上視示意圖。
圖5為本發明又一實施例之主動元件基板100B的基底110、畫素PX及間隔物198的上視示意圖。
圖6為本發明又一實施例之主動元件基板100C的基底110、畫素PX及間隔物198的上視示意圖。
圖7示出本發明一實施例的重複單元U及間隔物198。
圖8示出本發明另一實施例的重複單元U及間隔物198。
圖9示出本發明又一實施例的重複單元U及間隔物198。
100:主動元件基板
100-1:第一主動元件基板
100-2:第二主動元件基板
110:基底
111:第一表面
112:第二表面
120:緩衝層
130:半導體圖案
140:閘絕緣層
150:閘極
160:第一層間介電層
172:源極
174:汲極
180:第二層間介電層
192:轉接圖案
194:絕緣層
196:接墊組
196a、196b:接墊
198:間隔物
200:密封膠
D:厚度
H:高度
T:主動元件
Claims (7)
- 一種背板的製造方法,包括: 提供多個主動元件基板,其中每一該主動元件基板包括具有相對之一第一表面與一第二表面的一基底、設置於該基底之該第一表面上的一主動元件、設置於該主動元件上的一絕緣層、設置於該絕緣層上且電性連接至該主動元件的一接墊組以及設置於該絕緣層上且位於該接墊組外的一間隔物; 利用一密封膠連接該些主動元件基板的一第一主動元件基板與該些主動元件基板的一第二主動元件基板,其中該第一主動元件基板的該第一表面面向該第二主動元件基板的該第一表面,該第一主動元件基板的該間隔物抵頂該第二主動元件基板的該絕緣層,該第二主動元件基板的該間隔物抵頂該第一主動元件基板的該絕緣層,且該第一主動元件基板的該間隔物與該第二主動元件基板的該間隔物錯開; 於該密封膠連接該第一主動元件基板與該第二主動元件基板的情況下,在該第一主動元件基板之該基底的該第二表面上形成一第一線路結構; 於該密封膠連接該第一主動元件基板與該第二主動元件基板的情況下,在該第二主動元件基板之該基底的該第二表面上形成一第二線路結構;以及 於形成該第一線路結構與該第二線路結構之後,移除該密封膠,以使該第一主動元件基板與該第二主動元件基板分離,並形成一第一背板及一第二背板,其中該第一背板包括該第一主動元件基板以及設置於該第一主動元件基板之該第二表面上的該第一線路結構,且該第二背板包括該第二主動元件基板以及設置於該第二主動元件基板之該第二表面上的該第二線路結構。
- 如請求項1所述的背板的製造方法,更包括: 於形成該第一線路結構之後以及形成該第二線路結構之前,形成一第一保護層,以覆蓋該第一線路結構。
- 如請求項2所述的背板的製造方法,更包括: 於形成該第二線路結構之後以及使該第一主動元件基板與該第二主動元件基板分離之前,形成一第二保護層,以覆蓋該第二線路結構。
- 如請求項3所述的背板的製造方法,更包括: 在形成該第二保護層之後以及使該第一主動元件基板與該第二主動元件基板分離之前,移除該第一保護層。
- 如請求項4所述的背板的製造方法,更包括: 在移除該第一保護層之後以及使該第一主動元件基板與該第二主動元件基板分離之前,形成一第三保護層,以覆蓋該第一線路結構。
- 如請求項5所述的背板的製造方法,其中使該第一主動元件基板與該第二主動元件基板分離的方法包括: 在該第三保護層及該第二保護層分別覆蓋該第一線路結構及該第二線路結構的情況下,切除該第一主動元件基板之設有該密封膠的一部分和該第二主動元件基板之設有該密封膠的一部分。
- 如請求項1所述的背板的製造方法,其中每一該主動元件基板之該間隔物的高度大於該主動元件基板之該接墊組之一接墊的厚度的兩倍。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
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Publications (2)
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