Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

TWI775214B - 基板處理裝置以及基板處理方法 - Google Patents

基板處理裝置以及基板處理方法 Download PDF

Info

Publication number
TWI775214B
TWI775214B TW109139832A TW109139832A TWI775214B TW I775214 B TWI775214 B TW I775214B TW 109139832 A TW109139832 A TW 109139832A TW 109139832 A TW109139832 A TW 109139832A TW I775214 B TWI775214 B TW I775214B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
substrate
blocking member
blocking
chamber
cooling
Prior art date
Application number
TW109139832A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202126162A (zh
Inventor
孫侐主
朴永秀
崔宇鎮
金永鎬
吳俊昊
許東根
李民榮
Original Assignee
南韓商系統科技公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 南韓商系統科技公司 filed Critical 南韓商系統科技公司
Publication of TW202126162A publication Critical patent/TW202126162A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI775214B publication Critical patent/TWI775214B/zh

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L24/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67739—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations into and out of processing chamber
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/11—Manufacturing methods
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)

Abstract

本發明的目的在於提供一種可以在裝載和卸載基板時阻斷基板與腔室內部的加熱部之間而最小化基板的熱變形的基板處理裝置以及基板處理方法。為了實現其的本發明的基板處理裝置包括：腔室，在內部佈置有基板的熱處理空間；加熱部，配備在所述腔室的上部而加熱基板；基板支撐部，配備在所述腔室的內部而安置所述基板；阻斷部件，在將基板裝載到所述腔室的內部或者將所述腔室內部的基板卸載到外部的情形下，位於阻隔所述加熱部與所述基板之間而阻斷所述加熱部的熱傳遞到所述基板的阻斷位置。

Description

基板處理裝置以及基板處理方法
本發明涉及基板處理裝置以及基板處理方法，更加詳細地，涉及可以在裝載或者卸載基板時阻斷基板與腔室內部的加熱部之間而最小化基板的熱變形的基板處理裝置以及基板處理方法。
通常，作為半導體後序工藝的回焊(reflow)工藝為將要被焊接(soldering)的焊料供應到半導體晶片或者PCB，並對該焊料加熱而電連接電子部件或者布線的工藝。為了執行回焊工藝，需要執行加熱焊料的熱處理和加熱後冷卻的熱處理，這種熱處理裝置根據製造商而被製造為多種結構。
作為與如上所述的熱處理裝置相關的現有技術，有韓國授權專利10-1680071號。
在所述授權專利10-1680071號公開有以如下形式構成的熱處理裝置：在基板支撐部的上側配備有對容納在腔室的基板進行加熱的加熱部，在基板支撐部的下側配備有冷卻安置在基板支撐部的基板的底表面的冷卻部，從而可以在一個腔室執行基板的加熱和冷卻處理。
然而，根據所述熱處理裝置，在執行基板的裝載和卸載過程中移送基板期間，會以沒有得到藉由冷卻部的冷卻效果的狀態暴露於從加熱部發散的熱。
即，在卸載完成基板處理的基板時基板遠離冷卻部而被帶出腔室外部的時期和在將新的基板裝載到腔室時基板被帶入腔室內部向靠近冷卻部的位置移動的時期，基板可能被不必要地加熱而受到熱衝擊。
尤其是近來，半導體工藝中異質結基板(晶片)的使用正在增加。異質結晶片在受熱時會發生因熱導致的彎曲現象等熱變形，從而存在晶片損傷的問題。
本發明是為瞭解決上述諸般問題而提出的，其目的在於提供一種可以在裝載和卸載基板時阻斷基板與腔室內部的加熱部之間而最小化基板的熱變形的基板處理裝置以及基板處理方法。
為了實現上述目的的本發明的一種基板處理裝置基板處理裝置包括：腔室，在內部佈置有基板的熱處理空間；加熱部，配備在所述腔室的上部而對基板進行加熱；基板支撐部，配備在所述腔室的內部而安置所述基板；阻斷部件，在將基板裝載到所述腔室的內部或者所述腔室內部的基板卸載到外部的情形下，位於阻隔所述加熱部與所述基板之間而阻斷所述加熱部的熱傳遞到所述基板的阻斷位置。
在執行所述基板的熱處理的情形下，所述阻斷部件可以位於離開所述加熱部與基板之間的待機位置，其中，所述基板處理裝置還包括：阻斷部件驅動部，在所述阻斷位置與待機位置之間移動所述阻斷部件。
所述基板處理裝置還包括：連接部件，連接所述阻斷部件與所述阻斷部件驅動部之間，其中，所述連接部件可以配備為貫通所述腔室，所述阻斷部件驅動部配備在所述腔室外部而以使所述阻斷部件能夠在所述阻斷位置與待機位置之間移動的方式移動所述連接部件。
所述連接部件可以構成為連接在所述阻斷部件的一側和另一側的一對，所述阻斷部件驅動部構成為一對以移動一對所述連接部件。
所述阻斷部件構成為平板形狀並配備有多個，其中，多個所述阻斷部件按相鄰的阻斷部件的一側端部和另一側端部連接而折疊為多個層的結構連接，其中，多個所述阻斷部件可以構成為在所述阻斷位置展開而處於平板形狀，而在離開所述加熱部與基板之間的待機位置處於所述折疊為多層的狀態。
所述阻斷部件可以在離開所述加熱部與基板之間的待機位置處於捲曲在滾軸的狀態，而如果拉動捲曲在所述滾軸的阻斷部件的一側端部則所述阻斷部件從所述滾軸展開而位於所述阻斷位置。
在裝載所述基板時，可以在所述基板被帶入腔室內部之前所述阻斷部件位於所述阻斷位置，而在卸載所述基板時，在所述基板被帶出所述腔室之後所述阻斷部件位於離開所述基板與加熱部之間的待機位置。
在所述腔室內部配備有冷卻所述基板的冷卻部，其中，在裝載所述基板時，如果所述基板到達與所述冷卻部相鄰的冷卻位置則所述阻斷部件可以 位於所述待機位置，而在卸載所述基板時，在所述基板從所述冷卻位置分離之前所述阻斷部件可以位於所述阻斷位置。
所述加熱部為配備在所述腔室的上部的上部加熱器，在所述基板的至少一部分位於所述腔室內部的狀態下所述阻斷部件可以位於所述阻斷位置。
所述阻斷部件可以構成為在所述阻斷部件位於所述阻斷位置的情形下，具有大於或者等於所述基板的尺寸。
本發明的基板處理方法，包括如下步驟：a)阻斷部件在離開用於加熱基板的加熱部與安置基板的基板支撐部之間的待機位置待機；b)所述阻斷部件位於阻隔所述加熱部與基板支撐部之間的阻斷位置；c)將所述基板裝載到腔室內部或者將所述腔室內部的基板卸載到外部。
根據本發明，可以通過配備阻隔加熱部與基板之間而阻斷熱傳遞的阻斷部件來在裝載和卸載基板時通過所述阻斷部件而使基板與加熱部之間被阻斷，從而可以最小化基板的熱變形並防止基板的損傷。
10:機械臂
100:基板處理裝置
110-1、110-2:阻斷部件
111-1、111-2:連接部件
112-1、112-2:阻斷部件驅動部
120:加熱部
130:淋噴頭
140:氣體供應部
150:基板支撐部
160:冷卻部
170:升降驅動部
171:升降銷
172:升降支撐部
180:門
190:腔室
W:基板
S:熱處理空間
圖1是示出在根據本發明的第一實施例的基板處理裝置中阻斷部件位於待機位置的狀態的圖。
圖2是示出在圖1的狀態下阻斷部件移動到阻斷位置的狀態的圖。
圖3是示出在根據本發明的第一實施例的基板處理裝置中阻斷部件位於待機位置的狀態的平面圖。
圖4是示出在圖3的狀態下阻斷部件移動至阻斷位置的狀態的平面圖。
圖5是示出基板被裝載到根據本發明的第一實施例的基板處理裝置的狀態的操作狀態圖。
圖6是示出在根據本發明的第一實施例的基板處理裝置中基板被安置在基板支撐部的狀態的操作狀態圖。
圖7是示出在根據本發明的第一實施例的基板處理裝置中基板移動至冷卻位置，阻斷部件移動到待機位置的狀態的操作狀態圖。
圖8是示出在根據本發明的第一實施例的基板處理裝置中基板移動到加熱位置而執行基板的加熱處理的狀態的操作狀態圖。
圖9是示出在根據本發明的第二實施例的基板處理裝置中阻斷部件位於待機位置的狀態的圖。
圖10是示出在根據本發明的第二實施例的基板處理裝置中阻斷部件位於阻斷位置的狀態的圖。
以下參照附圖對本發明進行詳細說明。
參照圖1至圖4說明根據本發明的基板處理裝置的第一實施例。
根據本發明的基板處理裝置100包括：腔室190，在內部佈置有基板W的熱處理空間S；加熱部120，配備在所述腔室190的上部而加熱基板W；基板支撐部150，配備在所述腔室190的內部而安置所述基板W；阻斷部件110-1，在將基板W裝載到所述腔室190的內部或者將所述腔室190內部的基板W卸載到外部的情形下，位於阻隔所述加熱部120與所述基板W之間而阻斷所述加熱部120的熱傳遞到所述基板W的阻斷位置。
配備有用於控制所述基板處理裝置100的各構成的控制部。
所述基板W可以是對應於半導體基板的矽晶片。然而，本發明並不限於此，所述基板W可以為用作平板顯示裝置的透明基板。所述基板W的形狀的尺寸並不限於附圖，可以具有諸如圓形以及四邊形板等多種形狀和尺寸。
在所述腔室190的內部形成有熱處理所述基板W的熱處理空間S。
所述基板處理裝置還可以包括：門180，以使傳送機器人的機械臂10在裝載或者卸載基板W時能夠出入腔室190內部的方式開閉；冷卻部160，冷卻所述基板W；以及升降驅動部170，升降所述基板支撐部150。
所述加熱部120可以為配備在所述腔室190內部的上部的上部加熱器，並且可以構成為通過所述熱處理空間S而向所述基板W的上表面供熱。所述加熱部120可以構成為照射加熱光的燈形態或者內置有加熱器而輻射熱的板形態等。
所述冷卻部160為為了將通過所述加熱部120而被加熱處理的基板W冷卻至可以卸載的溫度的構成，可以構成為配備在所述基板支撐部150的下側而從下面冷卻被所述基板支撐部150支撐的所述基板W。所述冷卻部160可以構成為在內部配備有諸如冷卻水流動的冷卻水路(未示出)等去熱單元的形態等。
所述基板支撐部150可以構成為在其上表面安置所述基板W的形態，並且構成為通過施加到該上表面的真空而使基板W被吸附到所述基板支撐部150，從而維持所述基板W的安置狀態並且固定位置。除了前述的真空吸附方式以外，所述基板W的位置固定也可以變形實施為通過諸如靜電吸盤的靜電吸附方式等。
所述升降驅動部170可以構成為包括通過馬達或者氣缸等的驅動而被獨立地升降驅動的升降銷171和升降支撐部172。
所述升降銷171可以構成為從下側支撐所述基板W，並且升降驅動而從所述傳送機器人的機械臂10接收基板W而將其安置到基板支撐部150上或者從所述基板支撐部150分離基板W而傳遞給所述傳送機器人的機械臂10。
所述升降支撐部172可以構成為從下側支撐所述基板支撐部150，並且升降驅動而使安置有所述基板W的狀態的所述基板支撐部150靠近所述加熱部120或者使其靠近或者接觸所述冷卻部160。
將安置有所述基板W的狀態的所述基板支撐部150靠近所述加熱部120的位置稱作所述基板W被加熱的加熱位置，將靠近或者接觸所述冷卻部160的位置稱作所述基板W被冷卻的冷卻位置。
所述升降銷171可以配備為上下貫通所述基板支撐部150和所述冷卻部160的形態，所述升降支撐部172可以配備為上下貫通所述冷卻部160的形態。
在所述基板處理裝置完成處理的基板從所述腔室190卸載，將在所述腔室190內部執行處理的預處理基板被裝載到所述腔室190內部。
所述阻斷部件110-1在裝載或者卸載基板W時會位於阻斷位置，在處理基板W時會位於離開所述阻斷位置的待機位置。
還可以配備有在所述阻斷位置與待機位置之間移動所述阻斷部件110-1的阻斷部件驅動部112-1和連接所述阻斷部件110-1與阻斷部件驅動部112-1之間的連接部件111-1。
所述阻斷部件110-1可以構成為平板形狀而配備有多個。可以構成為所述多個阻斷部件110-1按相鄰的所述阻斷部件110-1的一側端部(圖中的上側端部)和另一側端部(圖中的下側端部)連接而折疊為多層的結構連接。
圖1示出了所述阻斷部件110-1位於待機位置的狀態。在此情形下，阻斷部件110-1離開了加熱部120與基板支撐部150之間。
圖2示出了阻斷部件110-1位於阻斷位置的狀態。如果在圖1的狀態下驅動所述阻斷部件驅動部112-1而拉動所述連接部件111-1，則所述多個阻斷部件110-1被展開，阻斷部件110-1阻隔加熱部120與基板支撐部150之間，從而通過阻斷部件110-1阻斷從加熱部120產生的熱被傳遞到安置在基板支撐部150的基板W。
在圖2的狀態下，如果阻斷部件驅動部112-1被驅動而將連接部件111-1推向佈置有阻斷部件110-1的方向，則多個阻斷部件110-1將被折疊為多層而離開加熱部120與安置在基板支撐部150的基板W之間，從而位於待機位置。
所述連接部件111-1可以配備為貫通所述腔室190，所述阻斷部件驅動部112-1可以配備在所述腔室190的外部。如果所述阻斷部件驅動部112-1配備在腔室190的外部，則可以最小化在腔室190內部產生顆粒。所述連接部件111-1通過所述阻斷部件驅動部112-1的驅動，可以以位於腔室190內部的方式或者至少一部分位於腔室190外部的方式移動。
所述阻斷部件110-1可以利用具有高耐熱性、耐化學性和耐腐蝕性的材質構成，以承受所述腔室190內部的高溫環境以及不與供應到所述腔室190的工藝流體等反應而發生變質或者腐蝕，從而影響基板處理工藝，作為一例，可以利用矽或者不鏽鋼(SUS)。
並且，所述阻斷部件110-1可以配備為具有不小於所述基板W或者與所述基板W相同的水平面積，以更加有效地阻斷所述加熱部120與所述基板之間的熱傳遞，優選地，可以配備為具有大於所述基板W的水平面積。
參照圖3和圖4，在平面圖觀察時，所述連接部件111-1可以由連接在所述阻斷部件110-1的一側和另一側的一對構成，所述阻斷部件驅動部112-1可以以能夠移動一對所述連接部件111-1的方式構成為一對。
參照圖5至圖8對根據本發明的基板處理方法進行說明。
如圖1所示，在基板W被帶入腔室190內部之前，阻斷部件110-1在待機位置待機。
此後，如圖2所示，執行使所述阻斷部件110-1位於阻隔所述加熱部120與基板支撐部150之間的阻斷位置的步驟。
對於所述阻斷部件110-1而言，隨著所述連接部件111-1通過所述阻斷部件驅動部112-1的驅動而移動，被折疊的多個阻斷部件110-1會被展開而位於阻斷位置。
所述阻斷部件110-1通過先於所述基板W而位於所述阻斷位置，因此可以在執行後述的基板處理期間有效阻斷所述基板W與所述加熱部120之間的熱傳遞。
此後，如圖5所示，執行將基板W加載到腔室190內部的步驟。門180被打開，基板W通過傳送機器人的機械臂10而被帶入腔室190內部。此時，所述升降銷171以從所述基板支撐部150的上表面凸出的狀態上升驅動而支撐被傳送機器人的機械臂10支撐的所述基板W的下端，從而以使所述基板W被安置在升降銷171的上端的方式接收所述基板，此時，所述基板支撐部150可以處於通過所述 升降支撐部172的上升驅動而與所述冷卻部160向上側相隔預定距離的狀態。在接收所述基板W之後，所述傳送機器人的機械臂10可以被拉出腔室190外部，門180被關閉。
此後，如圖6所示，執行將基板W安置到基板支撐部150的步驟。所述升降銷171下降驅動而將所述基板W安置到所述基板支撐部150的上表面，所述基板支撐部150的上表面被施加真空而吸附所述基板W。
此後，如圖7所示，所述升降銷171可以在所述基板W被安置到所述基板支撐部150之後進一步下降而使其上端位於所述冷卻部160的內側。所述升降支撐部172下降驅動而下降所述基板支撐部150，使其位於所述冷卻位置，從而將通過所述冷卻部160的冷卻效果應用到所述基板W。
如果所述基板W和所述基板支撐部150位於所述冷卻位置，則所述阻斷部件驅動部112-1進行驅動而使阻斷部件110-1移動到待機位置。
如此，使所述阻斷部件110-1構成為在所述基板W被帶入所述腔室190而到達所述冷卻位置的期間阻隔所述基板W的垂直方向上側，從而可以在所述基板W未被應用通過所述冷卻部160的冷卻效果的狀態下阻斷通過所述加熱部120而被加熱的情形，並且可以防止在所述基板W發生熱變形等損傷的情形。
此後，如圖8所示，執行加熱處理基板W的步驟。
所述升降支撐部172通過上升驅動而使所述基板支撐部150上升，使其位於所述加熱位置，從而將通過所述加熱部120的加熱效果應用到所述基板W。
此時，通過所述腔室190上端的氣體供應部140使工藝氣體流入而被所述加熱部120加熱，並通過淋噴頭130而被噴射到熱處理空間S，從而執行針對所述基板W的加熱處理工藝，例如，回焊工藝。
然後可以執行冷卻處理基板W的步驟。為了冷卻處理所述基板W，所述升降支撐部172下降驅動而使所述基板支撐部150下降並位於所述冷卻位置，從而將通過所述冷卻部160的冷卻效果應用到所述基板W，據此冷卻通過所述熱處理工藝加熱的所述基板W。
此後，執行阻斷部件110-1移動到阻斷位置的步驟。
如果所述阻斷部件驅動部112-1驅動，則所述阻斷部件110-1將移動到阻斷位置而阻隔基板W與加熱部120之間。
在所述基板W位於所述冷卻位置的狀態下，阻斷部件110-1位於阻斷位置，因此直到基板W被卸載為止，可以更加有效地阻斷基板W與所述加熱部120之間的熱傳遞。
然後，執行從所述冷卻位置分離基板支撐部150的步驟。所述升降支撐部172上升驅動而使所述基板支撐部150上升，從而使其從所述冷卻位置分離，據此，在本步驟之後，通過所述冷卻部160的冷卻效果將不被應用到所述基板W。
然後，執行卸載基板W的步驟。傳送機器人的機械臂10被帶入腔室190內部，從所述升降銷171接收所述基板W並支撐。此時，施加到所述基板支撐部150的上表面的真空被解除，所述升降銷171以從所述基板支撐部150的上表面凸出的方式上升驅動而將所述基板支撐部150和所述基板W上下隔開，所述傳送機器人的機械臂10向所述基板W與所述基板支撐部150之間移動而支撐所述基板W的下端，從而接收所述基板W。
在所述傳送機器人的機械臂10接收基板W之後傳送所述基板W而帶出腔室190。
如此，所述阻斷部件110-1構成為在所述基板W從冷卻位置分離而完全帶出所述腔室190的期間阻隔所述基板W的垂直方向上側，從而可以阻斷通過加熱部120而被加熱的情形，並且可以防止所述基板W發生熱變形等損傷。
然後，阻斷部件驅動部112-1進行驅動而將阻斷部件110-1移動到待機位置。
參照圖9和圖10對根據本發明的第二實施例的阻斷部件進行說明。
根據第二實施例的阻斷部件110-2構成為在待機位置處於捲曲在滾軸的狀態，如果拉動捲曲在所述滾軸的阻斷部件110-2的一側端部則其會從滾軸展開而位於阻斷位置。
在所述阻斷部件110-2的一側端部連接有連接部件111-2，在所述連接部件111-2的另一側配備有阻斷部件驅動部112-2。
如果驅動所述阻斷部件驅動部112-2，則所述連接部件111-2向阻斷部件驅動部112-2側移動或者向捲曲有所述阻斷部件110-2的滾軸側移動。
參照圖9，阻斷部件110-2在待機位置處於捲曲在滾軸的外周面的狀態。在此狀態下，阻斷部件110-2不會阻斷加熱部120與基板W或者基板支撐部150之間。
參照圖10，在圖9的狀態下驅動阻斷部件驅動部112-2而使阻斷部件110-2位於阻斷位置。驅動阻斷部件驅動部112-2則會拉動連接部件111-2，連接在所述連接部件111-2的阻斷部件110-2從滾軸展開而移動至阻斷位置。在此狀態 下，阻斷部件110-2阻斷加熱部120與基板W或者基板支撐部150之間，從而以使加熱部120的熱無法傳遞到基板W的方式執行阻斷。
在第二實施例的情形下，如圖3和圖4所示，連接部件111-1可以配備為一對，阻斷部件驅動部112-2可以配備為一對。
並且，所述連接部件111-2可以配備為貫通所述腔室190，所述阻斷部件110-2到達阻斷位置則可以成為平板形狀。
並且，在所述阻斷部件110-2位於所述阻斷位置的情形下，所述阻斷部件110-2可以構成為大於或者等於所述基板的尺寸。
並且，在加載所述基板W時，在所述基板W被帶入所述腔室190內部之前所述阻斷部件110-2可以位於所述阻斷位置，而在卸載所述基板W時，在所述基板W被帶出所述腔室190之後所述阻斷部件110-2可以位於離開所述基板W與加熱部120之間的待機位置。
並且，所述阻斷部件110-2可以構成為，如果在所述基板W的裝載時所述基板W到達與冷卻部160相鄰的冷卻位置，則位於所述待機位置，而在所述基板W的卸載時，在所述基板W從所述冷卻位置分離之前位於所述阻斷位置。
根據如上所述的構成，可以通過配備阻隔加熱部120與基板W之間而阻斷熱傳遞的阻斷部件110-1、110-2，來在裝載或者卸載基板W時通過所述阻斷部件110-1、110-2使基板W與加熱部120之間被阻斷，從而最小化基板W的熱變形並防止基板的損傷。
雖然如前所示地以優選實施例為例對本發明進行了詳細說明，但本發明並不限於前述的實施例，可以在權利要求書的範圍和發明的詳細說明以及附圖的範圍內進行多種變形而實施，並且這些變形也屬於本發明。
10:機械臂
100:基板處理裝置
110-1:阻斷部件
111-1:連接部件
112-1:阻斷部件驅動部
120:加熱部
130:淋噴頭
140:氣體供應部
150:基板支撐部
160:冷卻部
170:升降驅動部
171:升降銷
172:升降支撐部
180:門
190:腔室
S:熱處理空間

Claims (11)

  1. 一種基板處理裝置，包括：腔室，在內部佈置有基板的熱處理空間；加熱部，配備在該腔室的上部而加熱基板；基板支撐部，配備在該腔室的內部而安置該基板；以及多個阻斷部件，在將基板裝載到該腔室的內部或者將該腔室內部的該基板卸載到外部的情形下，位於阻隔該加熱部與該基板之間而阻斷該加熱部的熱傳遞到該基板的阻斷位置，在執行該基板的熱處理的情形下，位於離開該加熱部與基板之間的待機位置；阻斷部件驅動部，在該阻斷位置與該待機位置之間移動該阻斷部件；連接部件，在與該阻斷部件的垂直方向上側端部相同的水平面上連接該阻斷部件與該阻斷部件驅動部之間；該多個阻斷部件彼此連接並在水平方向上能夠折疊為多個層，在折疊為多個層的情況下，相鄰的阻斷部件之間的連接部反覆地位於該阻斷部件的垂直方向上的上側端部和下側端部；該阻斷部件構成為在與該上側端部相同的水平面上展開而處於平板形狀，在離開該加熱部與該基板之間的該待機位置處於該折疊為多層的狀態。
  2. 如請求項1所述的基板處理裝置，其中，該連接部件配備為貫通該腔室，該阻斷部件驅動部配備在該腔室外部而以使該阻斷部件能夠在該阻斷位置與該待機位置之間移動的方式移動該連接部件。
  3. 如請求項2所述的基板處理裝置，其中該連接部件構成為連接在該阻斷部件的一側和另一側的一對，該阻斷部件驅動部構成為一對以移動一對該連接部件。
  4. 如請求項1所述的基板處理裝置，其中在裝載該基板時，在該基板被帶入腔室內部之前該阻斷部件位於該阻斷位置，而在卸載該基板時，在該基板被帶出該腔室之後該阻斷部件位於離開該基板與該加熱部之間的該待機位置。
  5. 如請求項1所述的基板處理裝置，其中在該腔室內部配備有冷卻該基板的冷卻部，在裝載該基板時，如果該基板到達與該冷卻部相鄰的冷卻位置則該阻斷部件位於該待機位置，而在卸載該基板時，在該基板與該冷卻位置分離之前該阻斷部件位於該阻斷位置。
  6. 如請求項1所述的基板處理裝置，其中該加熱部為配備在該腔室的上部的上部加熱器，在該基板的至少一部分位於該腔室內部的狀態下，該阻斷部件位於該阻斷位置。
  7. 如請求項1所述的基板處理裝置，其中該阻斷部件構成為在該阻斷部件位於該阻斷位置的情形下，具有大於或者等於該基板的尺寸。
  8. 一種基板處理方法，包括步驟：A)多個阻斷部件在離開用於加熱基板的加熱部與安置該基板的基板支撐部之間的待機位置而待機；B)該阻斷部件位於阻隔該加熱部與該基板支撐部之間的阻斷位置；以及C)將該基板裝載到腔室內部或者將該腔室內部的該基板卸載到外部； 在該A)步驟中，該多個阻斷部件彼此連接並在水平方向上能夠折疊為多個層，在折疊為多個層的情況下，相鄰的阻斷部件之間的連接部反覆地位於該阻斷部件的垂直方向上的上側端部和下側端部；在該B)步驟中，該阻斷部件構成為在該阻斷位置中與該上側端部相同的水平面上展開而處於平板形狀；在該阻斷位置與該待機位置之間移動該阻斷部件的阻斷部件驅動部在與該上側端部相同的水平面上通過連接部件連接於該阻斷部件。
  9. 如請求項8所述的基板處理方法，其中該阻斷部件待機的該待機位置為該腔室的內部。
  10. 如請求項8所述的基板處理方法，其中在加載該基板時，在該基板被帶入該腔室內部之前該阻斷部件位於該阻斷位置，而在卸載該基板時，在該基板從該腔室內被帶出之後該阻斷部件位於該待機位置。
  11. 如請求項10所述的基板處理方法，其中在該腔室內部配備有冷卻該基板的冷卻部，在加載該基板時，如果該基板到達與冷卻該基板的該冷卻部相鄰的冷卻位置，則該阻斷部件位於該待機位置，而在卸載該基板時，在該基板從該冷卻位置分離之前該阻斷部件位於該阻斷位置。
TW109139832A 2019-12-24 2020-11-14 基板處理裝置以及基板處理方法 TWI775214B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020190173709A KR20210081591A (ko) 2019-12-24 2019-12-24 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR10-2019-0173709 2019-12-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202126162A TW202126162A (zh) 2021-07-01
TWI775214B true TWI775214B (zh) 2022-08-21

Family

ID=76459031

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW109139832A TWI775214B (zh) 2019-12-24 2020-11-14 基板處理裝置以及基板處理方法

Country Status (3)

Country Link
KR (1) KR20210081591A (zh)
CN (1) CN113035737A (zh)
TW (1) TWI775214B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63108722A (ja) * 1986-10-27 1988-05-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 基板表面処理装置
JPH05251333A (ja) * 1992-03-06 1993-09-28 Fujitsu Ltd 半導体製造装置および処理方法
JP2003282469A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の熱処理装置
JP2006134942A (ja) * 2004-11-02 2006-05-25 Sharp Corp 熱処理装置および熱処理方法
TW201519314A (zh) * 2013-07-29 2015-05-16 Hitachi Int Electric Inc 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101680071B1 (ko) * 2015-05-18 2016-11-28 (주)에스티아이 열처리 장치 및 열처리 방법

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS63108722A (ja) * 1986-10-27 1988-05-13 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 基板表面処理装置
JPH05251333A (ja) * 1992-03-06 1993-09-28 Fujitsu Ltd 半導体製造装置および処理方法
JP2003282469A (ja) * 2002-03-26 2003-10-03 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板の熱処理装置
JP2006134942A (ja) * 2004-11-02 2006-05-25 Sharp Corp 熱処理装置および熱処理方法
TW201519314A (zh) * 2013-07-29 2015-05-16 Hitachi Int Electric Inc 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體

Also Published As

Publication number Publication date
KR20210081591A (ko) 2021-07-02
CN113035737A (zh) 2021-06-25
TW202126162A (zh) 2021-07-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7371998B2 (en) Thermal wafer processor
KR102374971B1 (ko) 뜨거운 벽 플럭스 프리 솔더 볼 처리 배열
TW201736006A (zh) 基板處理裝置及基板處理方法
JP7534249B2 (ja) プラズマ処理システム及び環状部材の取り付け方法
US7332691B2 (en) Cooling plate, bake unit, and substrate treating apparatus
JP6872328B2 (ja) 減圧乾燥装置、減圧乾燥システム、減圧乾燥方法
JP2000306973A (ja) 処理システム
KR19990072442A (ko) 레지스트도포·현상처리시스템
TWI775214B (zh) 基板處理裝置以及基板處理方法
JP3485990B2 (ja) 搬送方法及び搬送装置
TWI808515B (zh) 用於在焊接設備中傳送晶粒的裝置以及方法、焊接設備
KR102058034B1 (ko) 리프트 핀 유닛 및 이를 구비하는 기판 지지 유닛
CN210805713U (zh) 加热装置
KR102258508B1 (ko) 기판 이송 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
JP2002025904A (ja) 加熱処理装置及び基板処理装置
KR20200021138A (ko) 웨이퍼의 접합을 위한 웨이퍼 지그 및 이를 포함하는 웨이퍼 접합 장치
JPH1022189A (ja) 基板熱処理装置
TW202133315A (zh) 對準裝置以及包括該對準裝置的基板處理裝置
JP7320369B2 (ja) 基板処理装置
JP6926765B2 (ja) 基板加熱装置及び基板加熱方法
KR101623011B1 (ko) 열처리 장치 및 열처리 방법
JP2885502B2 (ja) 熱処理装置
KR20180001688A (ko) 베이크 유닛 및 방법
TWI751404B (zh) 基板處理裝置
JP2000100807A (ja) 基板熱処理装置

Legal Events

Date Code Title Description
GD4A Issue of patent certificate for granted invention patent