TWI772559B - Evaporation mask and method of making the same - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 title claims abstract description 12
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 title claims abstract description 12
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims abstract description 204
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 204
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 105
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 105
- 238000005323 electroforming Methods 0.000 claims description 72
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 41
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 claims description 28
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 24
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 13
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 11
- 238000003475 lamination Methods 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 19
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 76
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 38
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 31
- 101100269850 Caenorhabditis elegans mask-1 gene Proteins 0.000 description 30
- 239000000463 material Substances 0.000 description 25
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 10
- 230000004913 activation Effects 0.000 description 9
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 9
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 8
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 8
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 7
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 4
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 4
- 229910001369 Brass Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010951 brass Substances 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 230000002787 reinforcement Effects 0.000 description 3
- 230000003014 reinforcing effect Effects 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 3
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000037303 wrinkles Effects 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- -1 aluminum and iron Chemical class 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 2
- 229910000531 Co alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001374 Invar Inorganic materials 0.000 description 1
- QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N [Co].[Ni] Chemical compound [Co].[Ni] QXZUUHYBWMWJHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N [Fe].[Co].[Ni] Chemical compound [Fe].[Co].[Ni] KGWWEXORQXHJJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 1
- 238000005266 casting Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 description 1
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
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- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
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- H10K71/20—Changing the shape of the active layer in the devices, e.g. patterning
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Physics & Mathematics (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
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- Toxicology (AREA)
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Abstract
本發明提供蒸鍍遮罩及其製造方法,該蒸鍍遮罩是一種由框體支持遮罩主體的形態的蒸鍍遮罩,能抑制製造成本的上升且實現蒸鍍遮罩的大型化,並且能維持蒸鍍遮罩的平坦度,從而能確保良好的再現精度及蒸鍍精度。蒸鍍遮罩(1)具備遮罩主體(2)和配置於遮罩主體的周圍的框體(3),該遮罩主體(2)具有由多個獨立的蒸鍍通孔(5)構成的蒸鍍圖案(6)。在框體的下表面側固定有支持框架(46)。在支持框架(46)形成有與框體(3)的遮罩開口(11)對應的框架開口(48),框架開口(48)形成爲比遮罩開口(11)大一圈的開口形狀。由此,進一步增强蒸鍍遮罩整體的構造强度和剛性,能阻止蒸鍍遮罩撓曲變形來維持平坦度,從而能實現蒸鍍層的再現精度及蒸鍍精度的高精度化。The present invention provides a vapor deposition mask and a method for manufacturing the same. The vapor deposition mask is a vapor deposition mask in a form in which a mask body is supported by a frame, which can suppress an increase in manufacturing cost and realize an increase in the size of the vapor deposition mask. In addition, the flatness of the vapor deposition mask can be maintained, thereby ensuring good reproduction accuracy and vapor deposition accuracy. The vapor deposition mask (1) includes a mask body (2) and a frame body (3) arranged around the mask body, and the mask body (2) has a plurality of independent vapor deposition through holes (5). The evaporation pattern (6). A support frame (46) is fixed to the lower surface side of the casing. A frame opening (48) corresponding to the mask opening (11) of the frame body (3) is formed in the support frame (46), and the frame opening (48) is formed in an opening shape larger than the mask opening (11). This further enhances the overall structural strength and rigidity of the vapor deposition mask, prevents deflection of the vapor deposition mask and maintains the flatness, thereby enabling the reproduction accuracy of the vapor deposition layer and the high precision of the vapor deposition accuracy.
Description
本發明涉及蒸鍍遮罩及其製造方法,尤其涉及由框體支持遮罩主體的形態的蒸鍍遮罩及其製造方法。本發明例如能夠應用於適宜在形成有機EL元件的發光層時使用的蒸鍍遮罩及其製造方法。The present invention relates to a vapor deposition mask and a method for manufacturing the same, and more particularly, to a vapor deposition mask in which a mask body is supported by a frame and a method for manufacturing the same. The present invention can be applied to, for example, a vapor deposition mask suitable for use in forming a light-emitting layer of an organic EL element, and a method for producing the same.
在具有顯示裝置的智慧型手機、平板終端等移動設備中,以設備的輕型化以及驅動時間的長時間化作爲目的,開始採用更輕型且耗電量較小的有機EL顯示器來替代液晶顯示器。有機EL顯示器藉由用蒸鍍遮罩法在基板(蒸鍍對象)上形成有機EL元件的發光層(蒸鍍層)來製造。此時,使用具備更多的遮罩主體的變得大型的蒸鍍遮罩來在一次蒸鍍作業中製造更多的產品,由此能夠減少有機EL顯示器的製造成本。因此,來自有機EL顯示器的製造商的對蒸鍍遮罩的大型化的期望日益增多。In mobile devices such as smartphones and tablet terminals having display devices, organic EL displays that are lighter in weight and consume less power have begun to be used instead of liquid crystal displays for the purpose of reducing the weight of the device and prolonging the drive time. An organic EL display is manufactured by forming the light-emitting layer (evaporation layer) of an organic EL element on a board|substrate (evaporation object) by the vapor deposition mask method. In this case, the manufacturing cost of the organic EL display can be reduced by using a vapor deposition mask having a larger size with more mask bodies to manufacture more products in one vapor deposition operation. Therefore, there is an increasing demand for the enlargement of the vapor deposition mask from manufacturers of organic EL displays.
蒸鍍遮罩法所使用的蒸鍍遮罩例如在專利文獻1中揭示。在這樣的專利文獻1中,由「具備複數個遮罩部(蒸鍍圖案)的金屬遮罩(遮罩主體)」、和「形成為邊框狀且在使金屬遮罩張緊的狀態下固定保持金屬遮罩的框架(框體)」構成蒸鍍遮罩,其中,框架由恆範鋼(invar)材料構成。金屬遮罩藉由點焊而接合於框架。A vapor deposition mask used in the vapor deposition mask method is disclosed in Patent Document 1, for example. In such Patent Document 1, "a metal mask (mask main body) having a plurality of mask portions (vapor deposition patterns)" and "a frame shape and the metal mask is fixed in a tensioned state" The frame (frame body) holding the metal mask" constitutes the vapor deposition mask, wherein the frame is made of invar material. The metal mask is joined to the frame by spot welding.
本申請人也提出了這種蒸鍍遮罩,例如在專利文獻1中揭示。這樣的蒸鍍遮罩由具備蒸鍍圖案的複數個遮罩主體、和接合於該遮罩主體的加强用的框體構成。框體由恆範鋼材料(低熱線膨脹係數的材質)形成,各遮罩主體的外周緣由形成爲包圍遮罩主體的框體的金屬層一體接合。 先前技術文獻The present applicant has also proposed such a vapor deposition mask, and is disclosed in Patent Document 1, for example. Such a vapor deposition mask is composed of a plurality of mask bodies provided with vapor deposition patterns, and a reinforcing frame joined to the mask bodies. The frame body is formed of a constant steel material (a material with a low thermal linear expansion coefficient), and the outer periphery of each shield body is integrally joined by a metal layer formed to surround the frame body of the shield body. prior art literature
專利文獻1:日本特開2004-323888號公報 專利文獻2:日本特開2005-15908號公報Patent Document 1: Japanese Patent Laid-Open No. 2004-323888 Patent Document 2: Japanese Patent Laid-Open No. 2005-15908
發明所要解決的課題The problem to be solved by the invention
如專利文獻1以及專利文獻2的蒸鍍遮罩所示,藉由由恆範鋼材料構成固定保持金屬遮罩的框架、加强遮罩主體的框體,即使在蒸鍍時的作業環境爲高溫環境,也能夠抑制蒸鍍遮罩膨脹,從而能夠確保蒸鍍層(發光層)的再現精度以及蒸鍍精度。但是,雖然專利文獻1的蒸鍍遮罩的金屬遮罩在張緊狀態下固定保持於框架,但在蒸鍍遮罩變得大型的情況下,未由框架支持的金屬遮罩的面積變大,從而金屬遮罩因自重而產生翹曲變形。因此,不可避免再現精度以及蒸鍍精度降低。As shown in the vapor deposition masks of Patent Document 1 and
關於這一點,在專利文獻2的蒸鍍遮罩中,由於各遮罩主體接合於包圍遮罩主體的框體,所以即使在蒸鍍遮罩變得大型的情況下,也難以因自重產生遮罩主體的翹曲變形,從而能夠確保蒸鍍層的再現精度以及蒸鍍精度。但是,即使是由恆範鋼材料構成的框體,在蒸鍍作業時也稍微膨脹。並且,雖然框體由恆範鋼材料的金屬板材形成,但通常情況下,一般流通的金屬板材存在板厚偏差,從而根據框體的部位不同而板厚有不均的情形。因此,在框體的各部分中膨脹量不同,膨脹量的不同有時表現爲蒸鍍遮罩整體的形變。這樣,若蒸鍍遮罩產生形變,則蒸鍍遮罩的平坦度變差,再現精度以及蒸鍍精度極度降低。該形變隨著框體變得大型而顯著地表現。因這樣的母材的板厚偏差引起的形變的產生能夠藉由管理金屬板材的製造步驟、專用地製造並使用板厚偏差較小的母材來抑制,但相應地母材變得昂貴,導致蒸鍍遮罩的製造成本的上升。此處,板厚偏差是指厚度相對於金屬板材的標準尺寸的不均幅度。In this regard, in the vapor deposition mask of
本發明的目的在於提供蒸鍍遮罩及其製造方法,該蒸鍍遮罩是一種由框體支持遮罩主體的形態的蒸鍍遮罩,能夠抑制製造成本的上升且實現蒸鍍遮罩的大型化,另外能夠維持蒸鍍遮罩的平坦度,從而能夠確保良好的蒸鍍層的再現精度以及蒸鍍精度。An object of the present invention is to provide a vapor deposition mask, which is a vapor deposition mask in a form in which a mask body is supported by a frame, and which can suppress an increase in manufacturing cost and achieve a high-quality vapor deposition mask and a method for manufacturing the same. In addition, the flatness of the vapor deposition mask can be maintained, and the reproducing accuracy and vapor deposition accuracy of the vapor deposition layer can be ensured.
本發明的蒸鍍遮罩具備遮罩主體2和配置於遮罩主體2的周圍的框體3,該遮罩主體2具備由多個獨立的蒸鍍通孔5構成的蒸鍍圖案6。本發明的蒸鍍掩模的特徵在於,在框體3的下表面側固定有支持框架46。而且,在支持框架46形成有與框體3的遮罩開口11對應的框架開口48,並且框架開口48形成爲比遮罩開口11大一圈的開口形狀。並且,在支持框架46的下表面側固定有輔助框架47。The vapor deposition mask of the present invention includes a
本發明的蒸鍍遮罩的特徵在於,框體3具備外周框10、在外周框10內劃分遮罩開口11的縱框12以及橫框13。縱框12以及橫框13整體由支持框架46支持,輔助框架47形成爲邊框狀,支持框架46的周緣由輔助框架47支持。The vapor deposition mask of the present invention is characterized in that the
本發明的蒸鍍遮罩的特徵在於,框體3、支持框架46、以及輔助框架47藉由焊接而形成爲一體,焊接部位49設於四角部分、和框體3的縱框12以及橫框13的延長線上的周緣部分。The vapor deposition mask of the present invention is characterized in that the
本發明的蒸鍍遮罩的特徵在於,遮罩主體2與框體3經由金屬層8一體接合。The vapor deposition mask of the present invention is characterized in that the
本發明的蒸鍍遮罩的特徵在於,積層有複數個框體3、3,在積層方向上相鄰的框體3、3彼此經由接著層19接合。The vapor deposition mask of the present invention is characterized in that a plurality of
本發明的蒸鍍遮罩的製造方法的蒸鍍遮罩具備遮罩主體2和配置於遮罩主體2的周圍的框體3,該遮罩主體2具有由多個獨立的蒸鍍通孔5構成的蒸鍍圖案6。而且,蒸鍍遮罩的製造方法的特徵在於,具有:準備遮罩主體2以及框體3的步驟;一體地接合遮罩主體2與框體3的步驟;在框體3的下表面側接合支持框架46的步驟;以及在支持框架46的下表面側接合輔助框架47的步驟。The vapor deposition mask of the manufacturing method of the vapor deposition mask of the present invention includes a mask
本發明的蒸鍍遮罩的製造方法的特徵在於,在準備遮罩主體2以及框體3的步驟中,包括:形成框體3的框體形成步驟;在母模24的表面形成具有與蒸鍍通孔5對應的抗蝕劑體29a的一次圖案抗蝕劑29的一次圖案化步驟;以及將電沈積金屬電鑄在母模24的未由抗蝕劑體29a覆蓋的表面而形成一次電鑄層30的第一電鑄步驟,在一體地接合遮罩主體2與框體3的步驟中,經由藉由電鑄而形成的金屬層來一體地接合遮罩主體2與框體3。The manufacturing method of the vapor deposition mask of the present invention is characterized in that, in the step of preparing the mask
本發明的蒸鍍遮罩的製造方法的特徵在於,準備複數個經由金屬層而一體地接合遮罩主體2與框體3而成的蒸鍍遮罩體50,當將複數個蒸鍍遮罩體50逐個接合於支持框架46後,在支持框架46的與固定有蒸鍍遮罩體50的一側相反的一側接合輔助框架47。The manufacturing method of the vapor deposition mask of the present invention is characterized in that a plurality of vapor
本發明的蒸鍍遮罩的製造方法的特徵在於,框體3、支持框架46、以及輔助框架47藉由焊接而一體接合,焊接部位49設於四角部分、和框體3的縱框12以及橫框13的延長線上的周緣部分。 發明的效果The manufacturing method of the vapor deposition mask of the present invention is characterized in that the
根據本發明的蒸鍍遮罩,藉由利用支持框架46來支持框體3(縱框12以及橫框13)整體,能夠進一步增强蒸鍍遮罩整體的構造强度和剛性,從而能夠阻止蒸鍍遮罩撓曲變形而維持平坦度,進而能夠實現蒸鍍層的再現精度以及蒸鍍精度的高精度化。並且,藉由利用輔助框架47來支持支持框架46(周緣),能夠更加提高蒸鍍層的再現精度以及蒸鍍精度。According to the vapor deposition mask of the present invention, by supporting the entire frame body 3 (the
並且,藉由由上框16和下框17構成框體3,並經由接著層18接合上下的框16、17使它們形成爲一體,當形成與以往相同厚度的框體3時,能夠使用更薄的金屬板材來形成框體3,從而能夠縮小框體3整體的板厚偏差,並且即使是大型的蒸鍍遮罩,也能夠抑制產生因金屬板材的板厚偏差引起的熱膨脹所造成的形變。Furthermore, by forming the
並且,藉由利用電鑄來形成遮罩主體2、金屬層8,能夠在施加了會作用將遮罩主體2拉向框體3側的應力那樣的張力的狀態下形成金屬層8,或者在施加了會作用向內側收縮的方向的應力那樣的張力的狀態下將遮罩主體2保持於框體3,利用該張力來吸收蒸鍍裝置內的伴隨升溫時產生的遮罩主體2的膨脹量,從而能夠防止膨脹所引起的遮罩主體2相對於框體3的位置偏移、褶皺的產生。因此,當在蒸鍍裝置內升溫時,也能夠良好地擔保常溫時的遮罩主體2相對於被蒸鍍基板的匹配精度,從而能夠有助於提高發光層(蒸鍍層)相對於被蒸鍍基板的再現精度。Furthermore, by forming the
(第一實施形態)(first embodiment)
圖1至圖10示出本發明的蒸鍍遮罩及其製造方法的第一實施形態。此外,本實施形態的圖1至圖10中的厚度、寬度等尺寸並非示出實際的狀況,而是分別示意性地表示。在以下的各實施形態的圖中也相同。1 to 10 show a first embodiment of a vapor deposition mask and a method for manufacturing the same according to the present invention. In addition, the dimension, such as thickness and width in FIG. 1 to FIG. 10 of this embodiment, does not show an actual situation, but each shows schematically. The same applies to the drawings of the following embodiments.
如圖2以及圖3所示,蒸鍍遮罩1包括複數個遮罩主體2、和以包圍該遮罩主體2的方式配置於周圍的加强用的框體3。遮罩主體2形成爲四角變圓的長方形,在其內部具備圖案形成區域4。在圖案形成區域4形成有由使來自蒸鍍源的蒸鍍物質通過的多個獨立的蒸鍍通孔5構成的蒸鍍圖案6。如圖3所示,在遮罩主體2,遍及圖案形成區域4的外周緣4a的整周設有多個接合通孔7。As shown in FIGS. 2 and 3 , the vapor deposition mask 1 includes a plurality of mask
遮罩主體2是利用電鑄法並以由鎳、鎳-鈷等鎳合金構成的電沈積金屬作爲原材料來形成。遮罩主體2的厚度較佳爲3~20μm的範圍,在本實施形態中設定爲8μm。並且,俯視時的遮罩主體2的尺寸的長邊方向的尺寸設定爲108mm,並且短邊方向的尺寸設定爲62mm,並且呈6行5列的矩陣狀配置有30個遮罩主體2。在將本實施形態的蒸鍍遮罩1應用於有機EL元件用的蒸鍍遮罩的情況下,蒸鍍圖案6形成爲與有機EL元件的發光層對應。The
此外,除鎳、鎳合金以外,遮罩主體2能夠以銅、其它電沈積金屬、合金作爲原材料來形成。並且,遮罩主體2也能夠採用兩層以上的多層構造,並且能夠選擇各種金屬、合金來形成。具體而言,考慮光澤鎳層和無光澤鎳層的兩層構造,在設爲在光澤鎳層上形成有無光澤鎳層的兩層構造的情況下,光澤鎳層不易緊貼於母模10,從而能夠作業效率良好地進行製造步驟中的從母模10剝離蒸鍍遮罩1的剝離步驟。但是,在該情況下,有產生層間剝離的擔憂,從而與上述相反地,設爲在無光澤鎳層上形成有光澤鎳層的兩層構造較理想。此處,無光澤鎳層和光澤鎳層的兩層構造中的各層的厚度關係爲,若無光澤鎳層過厚,則在完成後(從母模10剝離後)的遮罩主體2產生的張力變得過大,有導致框體3的變形的擔憂,從而光澤鎳層相對於無光澤鎳層的厚度比例較佳約爲5/7。這樣,藉由設爲在無光澤鎳層的上側配置有光澤鎳層的兩層構造,並且使無光澤鎳層適當地比光澤鎳層厚,在完成後的遮罩主體2,能夠增大欲向內側收縮的張力(拉伸應力),即使受到因熱引起的各部分的膨脹的影響,也不會產生遮罩主體2的變形,從而能夠得到耐熱性優異的蒸鍍遮罩1。In addition to nickel and nickel alloys, the
並且,在僅由無光澤鎳層形成遮罩主體2的情況下,在完成後的遮罩主體2產生的張力變得過大,有導致框體3的變形的擔憂,除此之外,由於該無光澤鎳層的表面是粗糙面,所以對表面進行的鍍覆等的接合力變大,在遮罩製造步驟中容易產生無法分離一次電沈積層30a與金屬層8等問題,如上所述,若成爲在無光澤鎳層上形成有光澤鎳層的兩層構造,則也能夠避免這樣的問題。當在該無光澤鎳層上形成有光澤鎳層的兩層構造的情況下,光澤鎳層與無光澤鎳層相比接合力較小,從而遮罩主體2與金屬層8容易分離,但藉由在遮罩主體2形成通孔7、活性化處理、或者形成打底(strike)鎳、無光澤鎳等薄層等(參照後述內容),能夠充分確保與金屬層的接合强度。In addition, in the case where the
如圖4所示,框體3具備外周框10、在外周框10內劃分遮罩開口11的方格框狀的縱框12以及橫框13。縱框12設爲與遮罩主體2的長邊平行,橫框13設爲與遮罩主體2的短邊平行。框體3能夠使用鋁、鐵等金屬、樹脂等各種材質,形狀、尺寸也各種各樣,但本實施形態中的框體3由爲鎳-鐵合金的恆範鋼材料所構成的低熱線膨脹係數的金屬板材構成,與遮罩主體2相比,形成爲充分厚,其厚度尺寸設定爲0.5~5mm的範圍,在本實施形態中設定爲1.0mm。並且,在俯視中,框體3的尺寸設定爲460×730mm,遮罩開口11的尺寸的長邊方向的尺寸設定爲110mm,並且短邊方向的尺寸設定爲64mm。框體3也可以由爲鎳-鐵-鈷合金的超恆範鋼材料、陶瓷材料等形成。此外,作爲框體3的形成材料,採用恆範鋼材料、超恆範鋼材料、陶瓷材料是因爲其熱線膨脹係數極小,能夠良好地抑制蒸鍍步驟中的熱影響所引起的遮罩主體2的尺寸變化。As shown in FIG. 4 , the
當將縱框12的寬度尺寸設爲W1、並將橫框13的寬度尺寸設爲W2時,縱框12的寬度尺寸W1和橫框13的寬度尺寸W2設定爲滿足不等式(W1≤W2≤W1×1.1)。在本實施形態中,將縱框12的寬度尺寸W1設定爲10mm,並將橫框13的寬度尺寸W2設定爲10.64mm。這樣,若適當地將橫框13的寬度尺寸W2設定爲比縱框12的寬度尺寸W1大,則能夠使橫框13的截面積比縱框12的截面積大,而且,橫框13的長度比縱框12的長度小,從而能夠由橫框13可靠地支持縱框12,能夠阻止長度較長的縱框12因自重而撓曲變形。因此,能夠阻止因自重產生的框體3的變形而實現蒸鍍遮罩1的大型化,並且能夠維持蒸鍍遮罩1的平坦度,從而能夠實現蒸鍍圖案的再現精度以及蒸鍍精度的高精度化。並且,由於能夠使縱框12以及橫框13的剛性在整體中變得大致均勻,所以在施加了使蒸鍍遮罩1撓曲變形的外力的情況下,能夠使外力均衡地分散來消除局部集中,從而能夠有效地防止蒸鍍遮罩1的變形、破損。除此之外,由於橫框13的寬度尺寸W2設爲(W2≤W1×1.1),所以能夠抑制因橫框13的截面積超過需要地變大而產生的框體3的重量增加,從而能夠消除蒸鍍遮罩整體的重量不必要地變大並且能夠增强框體3的構造强度和剛性。When the width dimension of the
框體3可以使用從一片金屬板材切出而成者,但在本實施形態中,如圖1以及圖5(a)所示,由以相同厚度尺寸形成爲相同形狀的上框16和下框17構成,上框16與下框17經由接著層18接合而形成爲一體。詳細而言,如圖5(b)所示,上框16和下框17以突出弧面彼此對向的狀態接合,在二維曲面狀的翹曲抵消的狀態下,框體3形成爲平坦狀。此外,上述二維曲面狀的翹曲是由金屬板材引起的微小的翹曲,也有三維曲面狀的翹曲的情況。在本實施形態中,接著層18使用片狀的未固化感光性乾膜抗蝕劑,在上框16與下框17的接合後,除去不需要部分的接著層18。接著層18也可以使用在市面售賣的各種接著劑。將構成框體3的上下的框16、17的厚度尺寸設爲相同厚度是爲了在二維曲面狀的翹曲抵消的狀態下進行接合而容易使框體3形成爲平坦狀。突出弧面也可以是凹下弧面,並且也可以包括兩者。此外,若能夠在二維曲面狀的翹曲抵消的狀態下呈平坦狀地接合,則上下的框16、17的厚度尺寸也可以不同。這樣,若在上框16以及下框17的二維曲面狀的翹曲抵消的狀態下進行接合,使框體3形成爲平坦狀,則能夠消除由金屬板材引起的微小的翹曲,進一步提高平坦度,並且能夠確保良好的蒸鍍層的再現精度以及蒸鍍精度。The
如上所述,若在上框16以及下框17的二維曲面狀的翹曲抵消的狀態下進行接合,使框體3形成爲平坦狀,則能夠消除由金屬板材引起的微小的翹曲,進一步提高平坦度,並且能夠確保良好的蒸鍍層的再現精度以及蒸鍍精度。As described above, if the
如圖6以及7所示,框體3也能夠積層由上述的方法形成的一對(複數個)框體3、3,並經由接著層19接合在積層方向上相鄰的框體3、3彼此。上側的框體3和下側的框體3的厚度可以相同也可以不同,在使上側的框體3和下側的框體3的厚度相同的情況下,例如構成上表面側的框體3的上下的框16、17的厚度尺寸和構成下表面側的框體3的上下的框16、17的厚度尺寸均設定爲0.25mm,在使上側的框體3和下側的框體3的厚度不同的情況下,例如,構成上表面側的框體3的上下的框16、17的厚度尺寸可以分別設定爲0.2mm,並且構成下表面側的框體3的上下的框16、17的厚度尺寸可以分別設定爲0.3mm。As shown in FIGS. 6 and 7 , the
圖1中,符號8示出形成於遮罩主體2的圖案形成區域4的外周緣4a的上表面的金屬層。金屬層8藉由鍍鎳(電鑄)來積層形成。各遮罩主體2分別配置於框體3的遮罩開口11,利用藉由鍍覆(電鑄)形成的金屬層8使遮罩主體2的圖案形成區域4的外周緣4a相對於框體3不分離地一體接合。如圖1以及圖4所示,金屬層8遍及圖案形成區域4的外周緣4a的上表面、框體3的上表面以及面向圖案形成區域4的側面、以及遮罩主體2與框體3的間隙部分,形成爲截面呈帽子形。並且,在接合通孔7內也形成有金屬層8,由此提高遮罩主體2與框體3的接合强度。此外,與遮罩主體2相同,除鎳合金以外,金屬層8能夠以鎳、銅、其它電沈積金屬、合金作爲原材料來形成。In FIG. 1 ,
圖5示出形成加强用的框體3的框體形成步驟。而且,圖8至圖10示出使用了藉由框體形成步驟而得到的框體3的本實施形態的蒸鍍遮罩1的製造方法。 (框體形成步驟)FIG. 5 shows a frame body forming step for forming the
首先,例如使用對金屬板材的熱影響較小的線放電加工機等,進行從金屬板材切出上框16以及下框17的大小的切斷步驟。接下來,藉由對切出的上框16以及下框17實施蝕刻、雷射加工,如圖5(a)所示,進行形成成爲遮罩開口11的複數個開口的遮罩開口形成步驟。接下來,如圖5(b)所示,在來自金屬板材的上框16與下框17的突出弧面彼此對向的狀態下,用接著層18接合兩框16、17,從而在二維曲面狀的翹曲抵消的狀態下進行使框體3形成爲平坦狀的接合步驟。接著層18由片狀的未固化感光性乾膜抗蝕劑構成。First, a cutting step of cutting out the size of the
接下來,如圖5(c)所示,進行在配置爲特定的輥間尺寸的上下的轉動輥22、22之間通過並夾壓的固定步驟。另外,藉由將不需要部分的接著層18(露出至遮罩開口11以及外周框10的外側的部分)除去(顯影)來得到框體3。這樣,接著層18使用片狀的未固化感光性乾膜抗蝕劑是如下理由:因爲未固化的感光性乾膜抗蝕劑具有接著性,並且是在後述的一次圖案化步驟等中也使用的材料,所以不需要另行準備市面售賣的接著劑等,相應地能夠減少蒸鍍遮罩1的製造成本。此外,在切斷步驟中,亦可使用雷射切斷機來冷卻金屬板材,同時切出上下的框16、17。Next, as shown in FIG.5(c), the fixing process which passes and pinches between the upper and lower
此處,例如,準備厚度不同的金屬板材,進行上述的各步驟,如圖6(a)所示地製造一對框體3、3,並且如圖6(b)所示地積層上述框體3、3,用由片狀的未固化感光性乾膜抗蝕劑構成的接著層19接合框體3、3彼此,之後如圖6(c)所示地進行在配置爲特定的輥間尺寸的上下的轉動輥22、22之間通過並夾壓的積層步驟,從而如圖7所示,能夠得到積層的一對框體3、3。此時,作爲積層的一對框體3、3,也可以積層相同厚度的框體3、3。 (圖案化前階段體形成步驟)Here, for example, metal plates with different thicknesses are prepared, the above-mentioned steps are performed, a pair of
如圖8(a)所示,在具有導電性的例如不銹鋼、黃銅製的母模24的表面形成光阻層25。該光阻層25是藉由將一片或者數片負型的片狀感光性乾膜抗蝕劑積層並進行熱壓接來形成,並且形成爲特定厚度。接下來,使具有與蒸鍍通孔5以及接合通孔7(一次圖案化)對應的透光孔26a的圖案薄膜26(玻璃遮罩)密接在光阻層25上,從而得到圖案化前階段體27。 (預熱步驟)As shown in FIG. 8( a ), a
圖案化前階段體27(尤其是,母模24以及圖案薄膜26)例如使用加熱板、預熱爐等而預熱至曝光作業時的紫外線照射裝置(曝光裝置)的爐內溫度。此時,可以與圖案化前階段體27的預熱並行地將紫外線照射裝置的爐內也預熱至曝光作業時的爐內溫度。 (一次圖案化步驟)The pre-patterning stage body 27 (in particular, the
當紫外線照射裝置的爐內以及圖案化前階段體27的預熱結束後,將圖案化前階段體27收納在紫外線照射裝置的爐內,並如圖8(a)所示地由紫外光燈28照射紫外線光來進行曝光,從而進行顯影、乾燥的各處理。接下來,藉由溶解除去未曝光部分,如圖8(b)所示,在母模24上形成有具有與蒸鍍通孔5以及接合通孔7對應的抗蝕劑體29a的一次圖案抗蝕劑29。這樣,若在將紫外線照射裝置的爐內以及圖案化前階段體27預熱至曝光作業時的爐內溫度的狀態下進行曝光作業,則可消除「圖案化前階段體27因為紫外線照射而被加熱並膨脹,導致在上述三者24、25、26的相對位置關係偏離時進行曝光作業」的情況。因此,能夠在母模24上設置位置精度良好且形成爲預期形狀的一次圖案抗蝕劑29,從而能夠有助於蒸鍍層的再現精度以及蒸鍍精度的高精度化。 (第一電鑄步驟)After the preheating of the furnace of the ultraviolet irradiation device and the
接下來,將上述母模24放入電鑄槽,如圖8(c)所示,在上述的抗蝕劑體29a的高度的範圍內,在母模24的未由抗蝕劑體29a覆蓋的表面,一次電鑄由鎳構成的電沈積金屬,從而形成了一次電鑄層30、即成爲遮罩主體2的層。接下來,藉由溶解除去抗蝕劑體29a,如圖8(d)所示,得到具備由多個獨立的蒸鍍通孔5構成的蒸鍍圖案6以及接合通孔7的遮罩主體2。此外,圖8(d)中,符號30a示出形成於遮罩主體2、2彼此之間的在後述的剝離步驟中除去的一次電沈積層。 (活性化處理步驟)Next, the above-mentioned
此處,爲了提高遮罩主體2(一次電鑄層30)與金屬層8的接合强度,能夠實施活性化處理步驟。具體而言,如圖9(a)所示,在一次電鑄層30、30a的表面整體形成光阻層33,之後使具有與接合通孔7的周邊部分對應的透光孔34a的圖案薄膜34密接並將其收納在紫外線照射裝置的爐內,由紫外光燈28照射紫外線光來進行曝光,從而進行顯影、乾燥的各處理。此處的光阻層33與上述相同,是藉由將一片或者數片負型的片狀感光性乾膜抗蝕劑積層並進行熱壓接來形成,並且形成爲特定厚度。接下來,藉由溶解除去未曝光部分的光阻層33,如圖9(b)所示,得到具有與接合通孔7的周邊部分對應的開口35a的圖案抗蝕劑35。也就是說,以僅接合通孔7的周邊部分露出至表面的方式形成了圖案抗蝕劑35。Here, in order to improve the bonding strength between the mask body 2 (primary electroformed layer 30 ) and the
接下來,對露出至圖案抗蝕劑35的開口35a的一次電鑄層30部分、即接合通孔7的周邊的一次電鑄層30實施酸處理、電解處理等活性化處理,並且如圖9(c)所示地溶解除去了圖案抗蝕劑35。圖9(c)中,符號36示出實施活性化處理後的部分,詳細而言,對接合通孔7的內壁面和該接合通孔7的周邊的一次電鑄層30的上表面實施了活性化處理。若像這樣對接合通孔7的周邊實施活性化處理,則與無處理的情況相比,能夠格外提高一次電鑄層30與在後述的第二電鑄步驟中形成的金屬層8的接合强度。此外,也可以藉由打底鍍鎳(strike nickel plating)、無光澤鍍鎳等,對接合通孔7的周邊的一次電鑄層30形成薄層,來代替上述的活性化處理。由此,也能夠實現接合通孔7的周邊部分與金屬層8的接合强度的提高。 (二次圖案化步驟以及框體配設步驟)9 The pattern resist 35 was dissolved and removed as shown in (c). In FIG. 9( c ),
如圖10(a)所示,在包括一次電鑄層30、30a的形成部分在內的母模24的表面整體形成光阻層38。該光阻層38與上述相同地,是藉由將一片或者數片負型的片狀感光性乾膜抗蝕劑積層並進行熱壓接來形成,並且形成爲特定厚度。接下來,使具有與圖案形成區域4對應的透光孔39a的圖案薄膜39密接並將其收納在紫外線照射裝置的爐內,由紫外光燈28照射紫外線光來進行曝光,從而進行顯影、乾燥的各處理。在該狀態下,得到與圖案形成區域4有關的部分(38a)被曝光而除此以外未曝光的部分(38b)的光阻層38(參照圖10(b))。As shown in FIG. 10( a ), a
接下來,如圖10(b)所示,在母模24上,以包圍一次電鑄層30的方式對位地配置框體3。此處,利用未曝光的光阻層38b的接著性,在母模24(一次電鑄層30a)上暫時固定框體3。另外,如圖10(c)所示,溶解除去露出至表面的未曝光的光阻層38b,從而形成了具有覆蓋圖案形成區域4的抗蝕劑體40a的二次圖案抗蝕劑40。此時,位於框體3的下表面的未曝光的光阻層38b由框體3覆蓋而未被溶解除去地殘留在母模24上。此外,也可以準備預先在框體3形成有接著層者,在形成二次圖案抗蝕劑40的前後,在母模24上配置這樣的框體3。 (第二電鑄步驟)Next, as shown in FIG. 10( b ), on the
將上述母模24放入電鑄槽,如圖10(d)所示,將由鎳構成的電沈積金屬電鑄在一次電鑄層30的面向圖案形成區域4的外周緣4a的上表面、框體3的表面、在框體3與一次電鑄層30之間露出至表面的母模24的表面、以及接合通孔7內,而形成了金屬層8。由此,能夠利用金屬層8使一次電沈積層30與框體3不分離地一體接合。 (剝離步驟)The above-mentioned
當從母模24剝離出一次電鑄層30以及金屬層8後,從上述兩層30、8剝離出位於框體3的下表面的一次電鑄層30a。最後,藉由除去二次圖案抗蝕劑40以及未曝光的光阻層38b,得到圖3所示的蒸鍍遮罩1。After the
在本實施形態中,第一電鑄步驟中的電鑄液的溫度區域設定爲比室溫(常溫)、第二電鑄步驟中的電鑄液的溫度區域高的溫度區域。由此,能夠在對遮罩主體2施加了會作用向內側收縮的方向的應力那樣的張力的狀態下將遮罩主體2保持於框體3。因此,利用該張力來吸收蒸鍍爐內的伴隨升溫時產生的遮罩主體2的膨脹量,從而能夠防止膨脹所引起的遮罩主體2相對於框體3的位置偏移、褶皺的產生。除此之外,作爲對遮罩主體2施加作用向內側收縮的方向的應力那樣的張力的方法,母模10使用由低熱線膨脹係數的材質(恆範鋼、42合金、SUS430等)構成者,並且提高形成一次電沈積層15時的電鑄槽內的溫度,從而因這樣的溫度差,利用母模10與一次電鑄層30(電沈積金屬)的熱膨脹係數之差,或者調整在形成成爲遮罩主體2的一次電沈積層30時在電鑄槽中添加的添加劑(光澤劑)中的碳的含有比率,由此也能夠實現對遮罩主體2施加作用向內側收縮的方向的應力那樣的張力。並且,藉由調整第二電鑄步驟中的在電鑄槽中添加的添加劑(光澤劑)中的碳的含有比率,能夠在施加了會作用金屬層8將遮罩主體2(一次電鑄層30)拉向框體3側的應力那樣的張力的狀態下形成金屬層8。因此,能夠利用該張力來吸收蒸鍍時伴隨升溫產生的遮罩主體2的膨脹量,從而能夠防止膨脹所引起的遮罩主體2相對於框體3的位置偏移、褶皺的產生。 (第二實施形態)In the present embodiment, the temperature range of the electroforming solution in the first electroforming step is set to a temperature range higher than room temperature (normal temperature) and the temperature range of the electroforming solution in the second electroforming step. Thereby, the mask
圖11以及圖12示出本發明的蒸鍍遮罩及其製造方法的第二實施形態。在本實施形態中,如圖11所示,爲了防止產生由使遮罩主體2與框體3不分離地一體接合的金屬層8的內部應力引起的框體3的形變,如下方面與上述第一實施形態不同:藉由不在框體3的上表面中遮罩開口11的周緣上以外形成金屬層8而斷開金屬層8來設置應力緩和部42這一方面;和積層一對框體3、3並經由接著層19接合在積層方向上相鄰的框體3、3彼此這一方面。11 and 12 show a second embodiment of the vapor deposition mask of the present invention and its manufacturing method. In this embodiment, as shown in FIG. 11 , in order to prevent the occurrence of deformation of the
第一實施形態的框體3的上表面、以及與上表面連續的遮罩開口11的兩緣部這三者由金屬層8圍起,從而當藉由電鑄來形成金屬層8時,若在產生了內部應力的狀態下形成,則框體3因上述內部應力而產生形變,有時對蒸鍍遮罩1的平坦度產生負面影響。但是,如本實施形態那樣,藉由設置應力緩和部42,來由應力緩和部42釋放金屬層8的內部應力,從而能夠防止框體3產生形變。此外,此處所述的“斷開金屬層8”是指,金屬層8也可以在框體3的上表面整個面中不相連地形成,該態樣不限定於本實施形態。其它與第一實施形態相同,從而對相同的構件標注相同的符號並省略其說明。在以下的實施形態中也相同。The upper surface of the
在本實施形態的蒸鍍遮罩1的製造方法中,在框體形成步驟的最後階段,進行在框體3的上表面形成與應力緩和部42對應的抗蝕劑體42a的步驟,從而在框體3的上表面設置抗蝕劑體42a。接著,圖案化前階段體形成步驟至二次圖案化步驟與在第一實施形態中說明的圖8(a)~(d)、圖9(a)~(c)、以及圖10(a)所示的方法相同。 (框體配設步驟)In the manufacturing method of the vapor deposition mask 1 of the present embodiment, the step of forming the resist
如圖12(a)所示,在母模24上,以包圍一次電鑄層30的方式對位地配置設有抗蝕劑體42a的框體3。此處,利用未曝光的光阻層38b的接著性,在母模24上暫時固定框體3。另外,如圖12(b)所示,溶解除去露出至表面的未曝光的光阻層38b,從而形成了具有覆蓋圖案形成區域4的抗蝕劑體40a的二次圖案抗蝕劑40。此時,位於框體3的下表面的未曝光的光阻層38b由框體3覆蓋而未被溶解除去地殘留在母模24上。 (第二電鑄步驟)As shown in FIG. 12( a ), on the
將上述母模24放入電鑄槽,如圖12(c)所示,將由鎳構成的電沈積金屬電鑄在一次電鑄層30的面向圖案形成區域4的外周緣4a的上表面、框體3的未由抗蝕劑體42a覆蓋的表面、在框體3與一次電鑄層30之間露出至表面的母模24的表面、以及接合通孔7內,而形成了金屬層8。由此,能夠利用金屬層8使一次電沈積層30與框體3不分離地一體接合。在本實施形態中,將在第一電鑄步驟以及第二電鑄步驟中使用的電鑄液的溫度區域設定爲相同程度(溫度差±3℃)。由此,能夠儘量阻止在一次電鑄層30、即遮罩主體2熱膨脹時與框體3接合的情況,從而能夠提高遮罩主體2相對於框體3的接合位置的位置精度,進而能夠得到實現了蒸鍍層的再現精度以及蒸鍍精度的更高精度化的蒸鍍遮罩。此外,第一電鑄步驟以及第二電鑄步驟均爲,將電鑄槽內的電鑄液的溫度設定爲越低,越能夠儘量抑制一次電鑄層30以及金屬層8的熱膨脹。 (剝離步驟)The above-mentioned
當從母模24剝離一次電鑄層30以及金屬層8後,從上述兩層30、8剝離出位於框體3的下表面的一次電鑄層30a。最後,藉由除去二次圖案抗蝕劑40、抗蝕劑體42a、以及未曝光的光阻層38b,得到圖11所示的設有應力緩和部42的蒸鍍遮罩1。 (第三實施形態)After the
圖13至圖15示出本發明的蒸鍍遮罩及其製造方法的第三實施形態。在本實施形態中,如圖13所示,取消了金屬層8所侵入的遮罩主體2的接合通孔7,這一方面與上述的第一實施形態不同。本實施形態中的構成框體3的上框16以及下框17以0.8mm的金屬板材作爲母材來形成,框體3設定爲與上述的第一實施形態相同的厚度尺寸。13 to 15 show a third embodiment of the vapor deposition mask and its manufacturing method of the present invention. In this embodiment, as shown in FIG. 13 , the bonding through
圖14以及圖15示出本實施形態的蒸鍍遮罩1的製造方法,首先,進行框體形成步驟來形成加强用的框體3。此外,這樣的框體形成步驟與第一實施形態的圖5所示的步驟相同,從而省略其說明。 (圖案化前階段體形成步驟)FIGS. 14 and 15 show a method of manufacturing the vapor deposition mask 1 of the present embodiment. First, a frame body forming step is performed to form the
如圖14(a)所示,例如在不銹鋼、黃銅製等具有導電性的母模24的表面形成光阻層25。該光阻層25是藉由將一片或者數片負型的片狀感光性乾膜抗蝕劑積層並進行熱壓接來形成,並且形成爲特定厚度。接下來,使具有與蒸鍍通孔5對應的透光孔26a的圖案薄膜26(玻璃遮罩)密接在光阻層25上,從而得到圖案化前階段體27。 (預熱步驟)As shown in FIG. 14( a ), for example, a
圖案化前階段體27例如使用加熱板、預熱爐等而預熱至曝光作業時的紫外線照射裝置(曝光裝置)的爐內溫度。此時,可以與圖案化前階段體27的預熱並行地將紫外線照射裝置的爐內也預熱至曝光作業時的爐內溫度。 (一次圖案化步驟)The
當紫外線照射裝置的爐內以及圖案化前階段體27的預熱結束後,將圖案化前階段體27收納在紫外線照射裝置的爐內,並如圖14(a)所示地由紫外光燈28照射紫外線光來進行曝光,從而進行顯影、乾燥的各處理。接下來,藉由溶解除去未曝光部分,如圖14(b)所示,在母模24上形成有具有與蒸鍍通孔5(一次圖案化)對應的抗蝕劑體29a的一次圖案抗蝕劑29。這樣,若在將紫外線照射裝置的爐內以及圖案化前階段體27預熱至曝光作業時的爐內溫度的狀態下進行曝光作業,則可消除「圖案化前階段體27因為紫外線照射而被加熱並膨脹,導致在上述三者24、25、26的相對位置關係偏離時進行曝光作業」的情況。因此,能夠在母模24上設置位置精度良好且形成爲預期形狀的一次圖案抗蝕劑29,從而能夠有助於蒸鍍層的再現精度以及蒸鍍精度的高精度化。 (第一電鑄步驟)After the preheating of the furnace of the ultraviolet irradiation device and the
接下來,將上述母模24放入電鑄槽,如圖14(c)所示,在上述的抗蝕劑體29a的高度的範圍內,在母模24的未由抗蝕劑體29a覆蓋的表面,一次電鑄由鎳構成的電沈積金屬,從而形成了一次電鑄層30、即成爲遮罩主體2的層。接下來,藉由溶解除去抗蝕劑體29a,如圖14(d)所示,得到具備由多個獨立的蒸鍍通孔5構成的蒸鍍圖案6的遮罩主體2。此外,如第一實施形態那樣,也可以在遮罩主體2、2之間形成一次電鑄層30a,並在該一次電鑄層30a上配置框體3。 (二次圖案化步驟以及框體配設步驟)Next, the above-mentioned
如圖15(a)所示,在包括一次電鑄層30的形成部分在內的母模24的表面整體形成有光阻層38。該光阻層38與上述相同地,是藉由將一片或者數片負型的片狀感光性乾膜抗蝕劑積層並進行熱壓接來形成,並且形成爲特定厚度。接下來,使具有與圖案形成區域4對應的透光孔39a的圖案薄膜39密接並將其收納在紫外線照射裝置的爐內,由紫外光燈28照射紫外線光來進行曝光。在該狀態下,得到與圖案形成區域4相關的部分(38a)被曝光而除此以外未曝光的部分(38b)的光阻層38(參照圖15(b))。此外,在本實施形態中,同樣,在二次圖案化步驟之前,藉由對一次電鑄層30中的圖案形成區域4的外周緣4a進行活性化處理步驟、打底鍍覆(strike plating),能夠提高一次電鑄層30與後述的金屬層8的接合强度。As shown in FIG. 15( a ), a
接下來,如圖15(b)所示,在母模24上,以包圍一次電鑄層30的方式對位地配置有框體3。此處,利用未曝光的光阻層38b的接著性,在母模24上暫時固定有框體3。另外,如圖15(c)所示,溶解除去露出至表面的未曝光的光阻層38b,從而形成了具有覆蓋圖案形成區域4的抗蝕劑體40a的二次圖案抗蝕劑40。此時,位於框體3的下表面的未曝光的光阻層38b由框體3覆蓋而未被溶解除去地殘留在母模24上。 (第二電鑄步驟)Next, as shown in FIG. 15( b ), on the
接下來,將上述母模24放入電鑄槽,如圖15(d)所示,將由鎳構成的電沈積金屬電鑄在面向圖案形成區域4的外周緣4a的一次電鑄層30的上表面、框體3的表面、以及在框體3與一次電鑄層30之間露出至表面的母模24的表面,而形成了金屬層8。由此,能夠利用金屬層8使一次電沈積層30與框體3不分離地一體接合。 (剝離步驟)Next, the above-mentioned
當從母模24剝離出一次電鑄層30以及金屬層8後,從上述兩層30、8剝離出位於框體3的下表面的一次電鑄層30a。最後,藉由除去二次圖案抗蝕劑40以及未曝光的光阻層38b,得到圖13所示的蒸鍍遮罩1。 (第四實施形態)After the
圖16以及圖17示出本發明的蒸鍍遮罩及其製造方法的第四實施形態。在本實施形態中,如圖16所示,利用金屬層8使遮罩主體2與框體3不分離地一體接合,但一體形成構成遮罩主體2的一次電鑄層30與金屬層8這一方面與上述的各實施形態不同。這樣,若與遮罩主體2一體形成金屬層8,則能夠省去另行形成金屬層8來接合遮罩主體2與框體3的勞力和時間,從而能夠省略製造所需要的步驟來縮短時間,並且能夠實現蒸鍍遮罩1的製造成本的減少。16 and 17 show a fourth embodiment of the vapor deposition mask of the present invention and its manufacturing method. In this embodiment, as shown in FIG. 16 , the
圖17示出本實施形態的蒸鍍遮罩1的製造方法,首先,進行框體形成步驟來形成加强用的框體3。此外,這樣的框體形成步驟與在第一實施形態中說明的圖5所示的步驟相同,從而省略其說明。 (圖案化前階段體形成步驟)FIG. 17 shows the manufacturing method of the vapor deposition mask 1 of this embodiment. First, a frame body forming step is performed to form the
首先,如圖17(a)所示,例如在不銹鋼、黃銅製等具有導電性的母模24的表面形成光阻層25。該光阻層25是藉由將一片或者數片負型的片狀感光性乾膜抗蝕劑積層並進行熱壓接來形成,並且形成爲特定厚度。接下來,使具有與遮罩主體2對應的透光孔26a的圖案薄膜26(玻璃遮罩)密接在光阻層25上,從而得到圖案化前階段體27。 (預熱步驟)First, as shown in FIG. 17( a ), for example, a
圖案化前階段體27例如使用加熱板、預熱爐等而預熱至曝光作業時的紫外線照射裝置的爐內溫度(曝光裝置)。此時,可以與圖案化前階段體27的預熱並行地將紫外線照射裝置的爐內也預熱至曝光作業時的爐內溫度。 (一次圖案化步驟)The
當紫外線照射裝置的爐內以及圖案化前階段體27的預熱結束後,將圖案化前階段體27收納在紫外線照射裝置的爐內,並如圖17(a)所示地由紫外光燈28照射紫外線光來進行曝光,從而進行顯影、乾燥的各處理。接下來,藉由溶解除去未曝光部分,如圖17(b)所示,在母模24上形成有具有與遮罩主體2(一次圖案化)對應的抗蝕劑體29a的一次圖案抗蝕劑29。這樣,若在將紫外線照射裝置的爐內以及圖案化前階段體27預熱至曝光作業時的爐內溫度的狀態下進行曝光作業,則可消除「圖案化前階段體27因為紫外線照射而被加熱並膨脹,導致在上述三者24、25、26的相對位置關係偏離時進行曝光作業」的情況。因此,能夠在母模24上設置位置精度良好且形成爲預期形狀的一次圖案抗蝕劑29,從而能夠有助於蒸鍍層的再現精度以及蒸鍍精度的高精度化。 (框體配設步驟)After the preheating of the furnace of the ultraviolet irradiation device and the
如圖17(c)所示,在包括一次圖案抗蝕劑29的形成部分在內的母模24的表面整體形成有接著抗蝕劑43。該接著抗蝕劑43與上述相同地,是藉由將一片或者數片負型的片狀感光性乾膜抗蝕劑積層並進行熱壓接來形成,並且形成爲特定厚度。接下來,在母模24上,以包圍一次圖案抗蝕劑29的方式對位地配置框體3。此處,利用未曝光的接著抗蝕劑43的接著性,在母模24上暫時固定框體3。另外,如圖17(d)所示,溶解除去露出至表面的未曝光的接著抗蝕劑43。此時,位於框體3的下表面的接著抗蝕劑43由框體3覆蓋而未被溶解除去地殘留在母模24上。 (一體電鑄步驟)As shown in FIG.17(c), the adhesive resist 43 is formed in the whole surface of the
接下來,將上述母模24放入電鑄槽,如圖17(e)所示,將由鎳構成的電沈積金屬電鑄在母模24的未由抗蝕劑體29a覆蓋的表面、和框體3的表面,而形成了金屬層8。由此,能夠一體地形成構成遮罩主體2的一次電鑄層30、以及接合該遮罩主體2與框體3的金屬層8。 (剝離步驟)Next, the above-mentioned
當從母模24一體地剝離出一次電鑄層30、金屬層8、以及框體3後,從上述兩層30、8除去位於框體3的下表面的接著抗蝕劑43,由此得到圖16所示的蒸鍍遮罩1。After the
根據上述的第四實施形態的製造方法,能夠省去形成金屬層8的勞力和時間,從而能夠節省製造所需要的步驟來縮短時間,並且能夠與上述相同地增强框體3的剛性。因此,能夠進一步抑制製造成本的上升並且能夠實現大型化,並且能夠維持平坦度,從而可得到能夠確保蒸鍍層的良好的再現精度以及蒸鍍精度的蒸鍍遮罩1。 (第五實施形態)According to the manufacturing method of the above-described fourth embodiment, labor and time for forming the
圖18至圖20示出本發明的蒸鍍遮罩的第五實施形態。如圖18所示,本實施形態中的蒸鍍遮罩1具備固定於框體3的下表面(被蒸鍍基板側)的支持框架46、和固定於支持框架46的下表面(被蒸鍍基板側)的輔助框架47。也就是說,成爲在支持框架46的一面(蒸鍍源側)設有框體3、並在支持框架46的另一面(被蒸鍍基板側)設有輔助框架47的構成。支持框架46以及輔助框架47的外形形狀與框體3一致。如圖19以及圖20所示,在支持框架46形成有與框體3的遮罩開口11對應的框架開口48,框架開口48形成爲與遮罩開口11相同或者比遮罩開口11大一圈的開口形狀。框體3的縱框12以及橫框13整體由支持框架46支持。另外,輔助框架47形成爲邊框狀,支持框架46的四周緣由輔助框架47支持。在框體3、支持框架46、以及輔助框架47分別對位後,藉由點焊來接合三者3、46、47使它們形成爲一體。點焊的焊接部位49設於四角部分、和縱框12以及橫框13的延長線上的四周緣部分(參照圖20)。18 to 20 show a fifth embodiment of the vapor deposition mask of the present invention. As shown in FIG. 18 , the vapor deposition mask 1 in the present embodiment includes a
如上所述,若由支持框架46支持框體3的縱框12以及橫框13整體,並且由輔助框架47支持支持框架46的四周緣,則能夠進一步增强蒸鍍遮罩整體的構造强度和剛性,阻止蒸鍍遮罩1撓曲變形而能夠維持平坦度,從而能夠實現蒸鍍層的再現精度以及蒸鍍精度的更高精度化。As described above, if the entire
圖21示出本發明的蒸鍍遮罩的第五實施形態的變形例。在本實施形態中的蒸鍍遮罩1中,製造3個「利用金屬層使呈2行5列的矩陣狀地配置的10個遮罩主體2與配置於該遮罩主體2的周圍的框體不分離地一體接合而成的蒸鍍遮罩體50」,並由支持框架46和輔助框架47支持上述3個蒸鍍遮罩體50。具體而言,首先,準備1個蒸鍍遮罩體50,在由張力賦予裝置調整位置以及張力後固定於支持框架46。這樣的固定藉由點焊來固定框體3的角部分和縱框12以及橫框13的延長線上的周緣部分。剩餘的2個蒸鍍遮罩體50也相同地固定於支持框架46。最後,在支持框架46的與固定有蒸鍍遮罩體50的一側相反的一側固定(點焊)輔助框架47。這樣,若是由支持框架46和輔助框架47支持複數個蒸鍍遮罩體50的形態,則能夠微調地配置相鄰的蒸鍍遮罩體50彼此的相對位置,從而能夠提高相鄰的蒸鍍遮罩體50的遮罩主體2的相對位置精度。因此,能夠確保良好的再現精度以及蒸鍍精度。並且,能夠自由地設定所希望的大小的蒸鍍遮罩1。此外,蒸鍍遮罩體50的形狀越小則尺寸精度越高,從而不需要大幅度的調整,也容易進行微調,從而容易確保位置精度。並且若使蒸鍍遮罩體50的形狀形成爲長方形,則容易進行微調。FIG. 21 shows a modification of the fifth embodiment of the vapor deposition mask of the present invention. In the vapor deposition mask 1 in the present embodiment, three "ten
如上所述,在上述各實施形態的蒸鍍遮罩以及蒸鍍遮罩製造方法中,由於由上框16和下框17構成框體3,並經由接著層18接合該上下的框16、17使它們形成爲一體,所以當形成與以往相同厚度的框體3時,能夠使用更薄的金屬板材來形成框體3,從而能夠縮小框體3整體的板厚偏差。這是因爲:成爲框體3的母材的通常流通的金屬板材的厚度尺寸越薄,則製造步驟中的壓延輥的通過次數越多,從而有板厚越薄則板厚偏差越小的趨勢。因而,即使是大型的蒸鍍遮罩1,也能夠抑制產生因金屬板材的板厚偏差引起的熱膨脹所造成的形變。並且,作爲母材,僅使用通常流通的厚度較薄的金屬板材,從而也不需要使用專用的金屬板材來形成框體3。如上所述,根據上述各實施形態的蒸鍍遮罩,能夠抑制製造成本的上升且實現蒸鍍遮罩1的大型化,並且能夠維持蒸鍍遮罩1的平坦度,從而能夠確保良好的再現精度以及蒸鍍精度。並且,根據在上框16與下框17之間夾有接著層18的框體3,當對蒸鍍遮罩1施加了使之產生撓曲變形的外力時,與接著層18的量相應地框體3柔軟地彈性變形,從而能夠有效地防止蒸鍍遮罩1的破損。另外,若在上框16以及下框17的二維曲面、三維曲面狀的翹曲抵消的狀態下進行接合,使框體3形成爲平坦狀,則能夠消除由金屬板材引起的微小的翹曲,進一步提高平坦度,從而能夠確保更加良好的蒸鍍層的再現精度以及蒸鍍精度。能夠抑制製造成本的上升,並且也能夠有助於實現遮罩的大型化。As described above, in the vapor deposition mask and the vapor deposition mask manufacturing method of the above-described embodiments, the
並且,在第一、第二、第四、以及第五實施形態的蒸鍍遮罩中,由於積層複數個框體3、3,並經由接著層19接合在積層方向上相鄰的框體3、3彼此,所以當形成與以往相同厚度的框體3時,能夠使用更薄的金屬板材來形成框體3,從而能夠更加抑制產生由金屬板材的板厚偏差引起的熱膨脹所造成的形變。因而,能夠實現蒸鍍遮罩的大型化,並且能夠維持蒸鍍遮罩的平坦度,從而能夠確保更加良好的蒸鍍層的再現精度以及蒸鍍精度。並且,藉由增加接合框體3彼此的接著層18、19,針對外力能夠更柔軟地彈性變形,從而能夠更有效地防止蒸鍍遮罩的破損。Furthermore, in the vapor deposition masks of the first, second, fourth, and fifth embodiments, a plurality of
如上述各實施形態所述,蒸鍍遮罩1所具有的遮罩主體2的片數、配置態樣不限定於上述實施形態中示出者。遮罩主體2不需要是複數個,也可以是1個。遮罩主體2的材質不限定於金屬,也可以由樹脂形成,進一步說明,也可以藉由蝕刻、雷射來形成。並且,在上下框16、17的接合步驟之前,框體3使用曲面賦予用的上下模來對切出的上框16以及下框17實施壓製加工,從而能夠賦予二維曲面或者三維曲面。此時,藉由賦予成爲線對稱的關係的二維曲面或者三維曲面,在之後的接合步驟中,能夠容易使框體3形成爲平坦狀。並且,金屬層8也可以如上述的遮罩主體2(一次電鑄層30)那樣設爲兩層以上的多層構造。As described in each of the above-described embodiments, the number and arrangement of the
在上述各實施形態中,遮罩主體2與框體3經由金屬層8而不分離地一體接合,但也可以是經由接著層接合遮罩主體2和框體3的形態。此時,如第五實施形態所述,在設置支持框架46以及輔助框架47的情況下,在遮罩主體2的下表面(與接合有框體3的面相反的一側的面)固定支持框架46,並且在支持框架46的下表面(與設有遮罩主體2的面相反的一側的面)固定輔助框架47。並且,接著層較理想為耐熱性、耐溶劑性優異者。In each of the above-described embodiments, the mask
在上述各實施形態中,與框體3相同,支持框架46以及輔助框架47不限定於鋁、鐵等金屬,能夠使用樹脂等各種材質,但較佳使用恆範鋼材料、超恆範鋼材料、陶瓷等熱線膨脹係數較小的材質。並且,也可以如框體3那樣,支持框架46以及輔助框架47由上框架和下框架構成,並經由接著層接合上述上下的框架使它們形成爲一體。另外,也可以分別準備複數個支持框架46以及輔助框架47,並經由接著層接合在積層方向上相鄰的支持框架46、46、輔助框架47、47彼此。由此,能夠縮小支持框架46以及輔助框架47的板厚偏差。此外,在框體3和支持框架46中,也可以使材質在外周部分和劃分開口(遮罩開口11、框架開口48)的框線部分不同。In each of the above-described embodiments, the
1‧‧‧蒸鍍遮罩2‧‧‧遮罩主體3‧‧‧框體4‧‧‧圖案形成區域4a‧‧‧外周緣5‧‧‧蒸鍍通孔6‧‧‧蒸鍍圖案8‧‧‧金屬層10‧‧‧外周框11‧‧‧遮罩開口12‧‧‧縱框13‧‧‧橫框16‧‧‧上框17‧‧‧下框18‧‧‧接著層19‧‧‧接著層24‧‧‧母模25‧‧‧光阻層26‧‧‧圖案薄膜26a‧‧‧透光孔27‧‧‧圖案化前階段體29‧‧‧一次圖案抗蝕劑29a‧‧‧抗蝕劑體30‧‧‧一次電鑄層43‧‧‧接著抗蝕劑46‧‧‧支持框架47‧‧‧輔助框架48‧‧‧框架開口50‧‧‧蒸鍍遮罩體W1‧‧‧縱框的寬度尺寸W2‧‧‧橫框的寬度尺寸1‧‧‧
圖1是示出本發明的第一實施形態的蒸鍍遮罩的主要部分的縱剖主視圖。 圖2是示出本發明的第一實施形態的蒸鍍遮罩整體的立體圖。 圖3是示出本發明的第一實施形態的蒸鍍遮罩的主要部分的俯視圖。 圖4是本發明的第一實施形態的蒸鍍遮罩的框體的俯視圖。 圖5是示出本發明的第一實施形態的蒸鍍遮罩的製造方法中的框體形成步驟的說明圖。 圖6是示出本發明的第一實施形態的蒸鍍遮罩的製造方法中的框體形成步驟的變形例的說明圖。 圖7是示出本發明的第一實施形態的蒸鍍遮罩的框體的變形例的俯視圖。 圖8是示出本發明的第一實施形態的蒸鍍遮罩的製造方法中的一次圖案化步驟以及第一電鑄步驟的說明圖。 圖9是示出本發明的第一實施形態的蒸鍍遮罩的製造方法中的活性化處理步驟的說明圖。 圖10是示出本發明的第一實施形態的蒸鍍遮罩的製造方法中的二次圖案化步驟、框體配設步驟、第二電鑄步驟、以及剝離步驟的說明圖。 圖11是示出本發明的第二實施形態的蒸鍍遮罩的主要部分的縱剖主視圖。 圖12是示出本發明的第二實施形態的蒸鍍遮罩的框體配設步驟、第二電鑄步驟、以及剝離步驟的說明圖。 圖13是示出本發明的第三實施形態的蒸鍍遮罩的主要部分的縱剖主視圖。 圖14是示出本發明的第三實施形態的蒸鍍遮罩的製造方法中的一次圖案化步驟以及第一電鑄步驟的說明圖。 圖15是示出本發明的第三實施形態的蒸鍍遮罩的製造方法中的二次圖案化步驟、框體配設步驟、第二電鑄步驟、以及剝離步驟的說明圖。 圖16是示出本發明的第四實施形態的蒸鍍遮罩的主要部分的縱剖主視圖。 圖17是示出本發明的第四實施形態的蒸鍍遮罩的製造方法的說明圖。 圖18是示出本發明的第五實施形態的蒸鍍遮罩的縱剖主視圖。 圖19是本發明的第五實施形態的蒸鍍遮罩的分解立體圖。 圖20是本發明的第五實施形態的蒸鍍遮罩的俯視圖。 圖21是示出本發明的第五實施形態的蒸鍍遮罩的變形例的分解立體圖。FIG. 1 is a vertical cross-sectional front view showing a main part of a vapor deposition mask according to a first embodiment of the present invention. 2 is a perspective view showing the entire vapor deposition mask according to the first embodiment of the present invention. 3 is a plan view showing a main part of the vapor deposition mask according to the first embodiment of the present invention. 4 is a plan view of a frame body of the vapor deposition mask according to the first embodiment of the present invention. FIG. 5 is an explanatory view showing a frame body forming step in the method of manufacturing the vapor deposition mask according to the first embodiment of the present invention. 6 is an explanatory diagram showing a modification of the frame forming step in the method of manufacturing the vapor deposition mask according to the first embodiment of the present invention. 7 is a plan view showing a modification of the frame of the vapor deposition mask according to the first embodiment of the present invention. FIG. 8 is an explanatory diagram showing a first patterning step and a first electroforming step in the method of manufacturing the vapor deposition mask according to the first embodiment of the present invention. 9 is an explanatory diagram showing an activation treatment step in the method of manufacturing the vapor deposition mask according to the first embodiment of the present invention. 10 is an explanatory diagram showing a secondary patterning step, a frame arranging step, a second electroforming step, and a peeling step in the manufacturing method of the vapor deposition mask according to the first embodiment of the present invention. 11 is a vertical cross-sectional front view showing a main part of a vapor deposition mask according to a second embodiment of the present invention. 12 is an explanatory diagram showing a frame arrangement step, a second electroforming step, and a peeling step of the vapor deposition mask according to the second embodiment of the present invention. FIG. 13 is a vertical cross-sectional front view showing a main part of a vapor deposition mask according to a third embodiment of the present invention. 14 is an explanatory diagram showing a first patterning step and a first electroforming step in the method of manufacturing the vapor deposition mask according to the third embodiment of the present invention. 15 is an explanatory diagram showing a secondary patterning step, a frame arranging step, a second electroforming step, and a peeling step in the method of manufacturing the vapor deposition mask according to the third embodiment of the present invention. 16 is a longitudinal cross-sectional front view showing a main part of a vapor deposition mask according to a fourth embodiment of the present invention. FIG. 17 is an explanatory diagram showing a method of manufacturing a vapor deposition mask according to a fourth embodiment of the present invention. 18 is a vertical cross-sectional front view showing a vapor deposition mask according to a fifth embodiment of the present invention. 19 is an exploded perspective view of a vapor deposition mask according to a fifth embodiment of the present invention. 20 is a plan view of a vapor deposition mask according to a fifth embodiment of the present invention. 21 is an exploded perspective view showing a modification of the vapor deposition mask according to the fifth embodiment of the present invention.
1‧‧‧蒸鍍遮罩 1‧‧‧Evaporation mask
2‧‧‧遮罩主體 2‧‧‧Mask the subject
3‧‧‧框體 3‧‧‧Frame
7‧‧‧接合通孔 7‧‧‧Bond Through Holes
8‧‧‧金屬層 8‧‧‧Metal layer
10‧‧‧外周框 10‧‧‧Peripheral frame
11‧‧‧遮罩開口 11‧‧‧Mask opening
12‧‧‧縱框 12‧‧‧Vertical frame
13‧‧‧橫框 13‧‧‧Horizontal
16‧‧‧上框 16‧‧‧Top frame
17‧‧‧下框 17‧‧‧Lower frame
18‧‧‧接著層 18‧‧‧Second layer
19‧‧‧接著層 19‧‧‧Second layer
46‧‧‧支持框架 46‧‧‧Support Framework
47‧‧‧輔助框架 47‧‧‧Auxiliary frame
48‧‧‧框架開口 48‧‧‧Frame opening
Claims (9)
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2017224428 | 2017-11-22 | ||
JPJP2017-224428 | 2017-11-22 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW201925498A TW201925498A (en) | 2019-07-01 |
TWI772559B true TWI772559B (en) | 2022-08-01 |
Family
ID=66601892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW107141375A TWI772559B (en) | 2017-11-22 | 2018-11-21 | Evaporation mask and method of making the same |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR102677407B1 (en) |
CN (1) | CN109811301A (en) |
TW (1) | TWI772559B (en) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102186094B1 (en) | 2020-07-10 | 2020-12-03 | 풍원정밀(주) | System and method for measuring a vapor deposition position in fine metal mask |
JP2022067159A (en) * | 2020-10-20 | 2022-05-06 | 株式会社ジャパンディスプレイ | Vapor deposition mask unit and method for producing the same |
CN112859512A (en) * | 2021-02-04 | 2021-05-28 | 南京深光科技有限公司 | Mask plate and manufacturing method thereof |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102023474A (en) * | 2009-09-22 | 2011-04-20 | 三星移动显示器株式会社 | Mask assembly, fabrication method of the same and deposition apparatus using the same for flat panel display device |
TW201542353A (en) * | 2014-03-31 | 2015-11-16 | Dainippon Printing Co Ltd | Method for stretching deposition mask, method for producing frame-attached deposition mask, method for producing organic semiconductor element, and stretching device |
TW201732062A (en) * | 2012-01-12 | 2017-09-16 | 大日本印刷股份有限公司 | Manufacturing method of makeup evaporation masking and manufacturing method of organic semiconductor element |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004323888A (en) | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Dainippon Printing Co Ltd | Vapor deposition mask and vapor deposition method |
JP4475496B2 (en) * | 2003-05-21 | 2010-06-09 | 九州日立マクセル株式会社 | Vapor deposition mask for organic EL device and manufacturing method thereof |
JP4369199B2 (en) | 2003-06-05 | 2009-11-18 | 九州日立マクセル株式会社 | Vapor deposition mask and manufacturing method thereof |
JP2007131935A (en) * | 2005-11-14 | 2007-05-31 | Seiko Epson Corp | Substrate holder, mask holder and vapor deposition apparatus |
JP6599103B2 (en) * | 2014-12-27 | 2019-10-30 | マクセルホールディングス株式会社 | Vapor deposition mask and manufacturing method thereof |
KR102427670B1 (en) * | 2015-10-16 | 2022-08-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | Mask frame assembly and manufacturing method of organic light emittion dioed display using the same |
JP6722512B2 (en) * | 2016-05-23 | 2020-07-15 | マクセルホールディングス株式会社 | Evaporation mask and manufacturing method thereof |
-
2018
- 2018-11-21 TW TW107141375A patent/TWI772559B/en active
- 2018-11-21 CN CN201811391011.1A patent/CN109811301A/en active Pending
- 2018-11-22 KR KR1020180145137A patent/KR102677407B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102023474A (en) * | 2009-09-22 | 2011-04-20 | 三星移动显示器株式会社 | Mask assembly, fabrication method of the same and deposition apparatus using the same for flat panel display device |
TW201732062A (en) * | 2012-01-12 | 2017-09-16 | 大日本印刷股份有限公司 | Manufacturing method of makeup evaporation masking and manufacturing method of organic semiconductor element |
TW201542353A (en) * | 2014-03-31 | 2015-11-16 | Dainippon Printing Co Ltd | Method for stretching deposition mask, method for producing frame-attached deposition mask, method for producing organic semiconductor element, and stretching device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201925498A (en) | 2019-07-01 |
KR20190059251A (en) | 2019-05-30 |
KR102677407B1 (en) | 2024-06-24 |
CN109811301A (en) | 2019-05-28 |
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