TWI689003B - 基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

供給流路係分歧為複數之上游流路。複數之上游流路包含分歧為複數之下游流路之分歧上游流路。複數之吐出口，係分別配置於離旋轉軸線之距離不同之複數個位置，將經由複數之上游流路供給之處理液朝保持於基板保持單元之基板之上表面吐出。

Description

基板處理裝置

本發明係關於對基板進行處理之基板處理裝置。作為處理對象之基板，例如包含有半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。

於日本專利特開2006-344907號公報中，揭示有一種一片一片地處理半導體晶圓等基板之單片式之基板處理裝置。上述基板處理裝置具備：旋轉夾頭，其一面水平地保持基板，一面使該基板旋轉；及噴嘴，其朝保持於旋轉夾頭之基板之上表面中央部吐出較室溫高溫之處理液。自噴嘴吐出之高溫之處理液，著液於基板之上表面中央部之後，沿旋轉之基板之上表面朝外側流動。藉此，高溫之處理液被供給至基板之上表面全域。

著液於旋轉之基板之上表面中央部的處理液，沿基板之上表面自中央部朝周緣部流動。於此過程中，處理液之溫度逐漸降低。因此，溫度之均勻性降低，進而會造成處理之均勻性劣化。若使自噴嘴吐出之處理液之流量增加，則處理液到達基板之上表面周緣部之時間將縮短，因而可減輕處理液之溫度降低，但此情況又會增加處理液之消費量。

本發明之一實施形態，提供一種基板處理裝置，其包含：基板保持單元，其一面水平地保持基板，一面使基板繞通過基板之中央部之鉛垂旋轉軸線旋轉；及處理液供給系統，其朝保持於上述基板保持單元之基板供給處理液。

上述處理液供給系統，包含供給流路、複數之上游流路、複數之下游流路及複數之吐出口。上述供給流路將處理液朝上述複數之上游流路導引。上述複數之上游流路，係自上述供給流路分歧，且將自上述供給流路供給之處理液朝上述複數之吐出口導引。上述複數之吐出口包含：主吐出口，其朝上述基板之上表面中央部吐出處理液；及複數之副吐出口，其自上述上表面中央部分離，分別朝離上述旋轉軸線之距離不同之、上述基板之上表面內之複數個位置吐出處理液，且上述複數之吐出口分別配置於離上述旋轉軸線之距離不同之複數個位置，將經由上述複數之上游流路供給之處理液朝保持於上述基板保持單元之基板之上表面吐出。上述複數之上游流路包含：主上游流路，其連接於上述主吐出口；及複數之副上游流路，其經由上述複數之下游流路被連接於上述複數之副吐出口。上述複數之副上游流路，皆是分歧為上述複數之下游流路之分歧上游流路，且於每個上述下游流路設置有上述副吐出口。

根據此構成，導引處理液之供給流路，係分歧為複數之上游流路。藉此，可使吐出口之數量增加。並且，分歧為複數之下游流路之分歧上游流路被包含於複數之上游流路內，因此可進一步增加吐出口之數量。流經供給流路之處理液，自上游流路或下游流路被供給至吐出口，且朝繞旋轉軸線旋轉之基板之上表面吐出。 複數之吐出口分別配置於離旋轉軸線之距離不同之複數個位置。因此，與僅使一個吐出口吐出處理液之情況比較，可提高基板上之處理液之溫度之均勻性。藉此，可降低處理液之消費量，並可提高處理之均勻性。

於使複數之吐出口朝在徑向分離之複數個位置吐出處理液之情況，朝基板之各部分供給相同品質之處理液，對提高處理之均勻性相當重要。於在每個吐出口設置液槽或過濾器等之情況，有可能會將與被供給至某吐出口之處理液品質不同之處理液供給至其他之吐出口。相對於此，本實施形態中，藉由使供給流路分歧，而使各吐出口吐出自相同流路(供給流路)供給之處理液。藉此，可使各吐出口吐出相同品質之處理液。並且，與在每個吐出口設置液槽或過濾器等之構成比較，可削減零件數，簡化保養作業。

於本實施形態中，也可將以下之至少一個特徵添加於上述基板處理裝置。

上述處理液供給系統，更包含上游加熱器及複數之下游加熱器，上述上游加熱器，係以上游溫度對供給至上述供給流路之處理液進行加熱，上述複數之下游加熱器，分別連接於上述複數之副上游流路，且以較上述上游溫度高溫之下游溫度對流經上述複數之副上游流路之處理液進行加熱。

於處理液較基板高溫之情況，處理液之熱被基板奪走。此外，由於處理液與基板一同旋轉，因此基板上之處理液，一面被空氣冷卻，一面沿基板之上表面朝外側流動。基板之各部分之周速，隨著自旋轉軸線分離而增加。周速越大，則基板上之處理液越容易被冷卻。此外，假定能於徑向以等間隔將基板之上表面分割 為複數之圓環狀區域，則各區域之面積隨著自旋轉軸線分離而增加。若表面積較大，則熱容易自處理液朝圓環狀之區域移動。因此，若自吐出口吐出之處理液之溫度全部相同，有時可能無法獲得充分之溫度之均勻性。

根據此構成，藉由下游加熱器以較上游溫度高溫之下游溫度加熱之處理液，自複數之副上游流路供給至複數之副吐出口，且自這些吐出口吐出。亦即，一方面，具有上游溫度之處理液自主吐出口吐出，另一方面，較上游溫度高溫之處理液，係自複數之副吐出口吐出。如此，供給至基板之上表面之處理液之溫度隨著自旋轉軸線分離而逐級增加，因此與使各吐出口吐出相同溫度之處理液之情況比較，可提高基板上之處理液之溫度之均勻性。藉此，可降低處理液之消費量，並可提高處理之均勻性。

上述處理液供給系統，更包含複數之返回流路、複數之下游加熱器及下游切換單元；上述複數之返回流路，係於較上述複數之副吐出口更上游之位置被分別連接於上述複數之副上游流路；上述複數之下游加熱器，係於較上述返回流路與上述副上游流路之連接位置更上游之位置被分別連接於上述複數之副上游流路，且對流經上述複數之副上游流路之液體進行加熱；上述下游切換單元對以下之複數個狀態之任一者進行切換，這些狀態包含：自上述供給流路供給至上述複數之上游流路之液體，被供給至上述複數之吐出口之吐出狀態；及自上述供給流路供給至上述複數之上游流路之液體，被供給至上述複數之返回流路之吐出停止狀態。

處理液之溫度，有時會對基板之處理帶來極大之影響。若於吐出停止中使下游加熱器停止，當重新開始下游加熱器之 運轉時，藉由下游加熱器加熱之處理液之溫度，在被穩定至預定目標溫度之前需要時間。因此，不能立即重新開始處理液之吐出，其生產率(單位時間之基板之處理片數)降低。因此，較佳為，即使於吐出停止中，仍使下游加熱器加熱液體。

根據此構成，於吐出停止中，將液體供給至上游流路，且使下游加熱器進行加熱。藉由下游加熱器加熱之液體，不自複數之吐出口吐出，而自上游流路朝返回流路流動。因此，即使於吐出停止中，下游加熱器之溫度也可維持在穩定之狀態。因此，可立即重新開始處理液之吐出。

上述基板處理裝置，更包含收納被保持於上述基板保持單元之基板之處理腔；上述分歧上游流路，係於上述處理腔內被分歧為上述複數之下游流路。

根據此構成，複數之下游流路之上游端被配置於處理腔內。分歧上游流路，係於處理腔內被分歧成複數之下游流路。因此，與分歧上游流路在處理腔外分歧之情況比較，可縮短各下游流路之長度(液體流動之方向之長度)。藉此，可抑制自處理液朝下游流路之傳熱造成之處理液之溫度降低。

上述處理液供給系統，更包含第1噴嘴及第2噴嘴；上述複數之吐出口，包含設置於上述第1噴嘴之第1吐出口、及設置於上述第2噴嘴之第2吐出口，且俯視時為排列在與上述旋轉軸線正交之徑向上；上述第1噴嘴包含於水平之長邊方向延長之第1臂部、及自上述第1臂部之前端朝下方延長之第1前端部；上述第2噴嘴包含於上述長邊方向延長之第2臂部、及自上述第2臂部之前端朝下方延長之第2前端部；上述第1臂部及第2臂部，排列在 與上述長邊方向正交之水平排列方向，上述第1臂部之前端與上述第2臂部之前端，於俯視時為以上述第1臂部之前端位於上述旋轉軸線側之方式在上述長邊方向上分離。

根據此構成，複數之吐出口於俯視時為被排列於徑向上。若以俯視時為使複數之吐出口排列於徑向之方式將相同長度之複數個噴嘴排列在與長邊方向正交之水平方向，則複數個噴嘴整體之寬度增加(參照圖9)。若以俯視時為使複數之吐出口排列於徑向之方式將長度不同之複數個噴嘴排列於鉛垂方向，則複數個噴嘴整體之高度增加(參照圖10A及圖10B)。

相對於此，若以第1臂部及第2臂部排列在與長邊方向正交之水平排列方向且第1臂部之前端位於旋轉軸線側之方式，使第1臂部之前端與第2臂部之前端於俯視時在長邊方向上為錯位排列，可抑制複數個噴嘴整體之寬度及高度之兩者，並且於俯視時為可將複數之吐出口排列於徑向(參照圖4)。藉此，可將複數個噴嘴或待機槽等相關之構件小型化。

上述複數之吐出口包含傾斜吐出口，該傾斜吐出口係以隨著朝保持於上述基板保持單元之基板之上表面接近而靠近上述旋轉軸線之方式，朝相對於上述基板之上表面傾斜之吐出方向吐出處理液。

根據此構成，複數之吐出口內包含之傾斜吐出口，朝相對於基板之上表面而向內側傾斜之吐出方向吐出處理液。被吐出之處理液，由於具有朝旋轉軸線方向之動能，因此沿基板之上表面朝旋轉軸線側流動。然後，此處理液藉由基板之旋轉產生之離心力沿基板之上表面朝外側流動，自基板之上表面被排出。因此，與處 理液朝與基板之上表面垂直之方向吐出之情況、或朝相對於基板之上表面而向外側傾斜之方向吐出之情況比較，處理液在基板上之滯留時間增加。因此，可有效率地利用處理液，從而可降低處理液之消費量。

上述基板處理裝置，更包含控制上述處理液供給系統之控制裝置，上述處理液供給系統還包含複數之吐出閥；上述複數之吐出口，包含第1吐出口、及被配置為相對於上述旋轉軸線而較上述第1吐出口遠之第2吐出口；上述複數之上游流路，包含朝上述第1吐出口導引處理液之第1上游流路、及朝上述第2吐出口導引處理液之第2上游流路；上述複數之吐出閥，包含開閉上述第1上游流路之第1吐出閥、及開閉上述第2上游流路之第2吐出閥；上述控制裝置係以上述第2吐出閥開啟之時間較上述第1吐出閥開啟之時間長的方式，開啟上述第1吐出閥及第2吐出閥，然後將上述第1吐出閥及第2吐出閥關閉。

控制裝置也可依第2吐出閥、第1吐出閥之順序依序開啟第1吐出閥及第2吐出閥，然後同時將第1吐出閥及第2吐出閥關閉。控制裝置也可同時開啟第1吐出閥及第2吐出閥，然後依第1吐出閥、第2吐出閥之順序依序將第1吐出閥及第2吐出閥關閉。控制裝置也可依第2吐出閥、第1吐出閥之順序依序開啟第1吐出閥及第2吐出閥，然後依第1吐出閥、第2吐出閥之順序依序將第1吐出閥及第2吐出閥關閉。

根據此構成，第1吐出口被配置於較第2吐出口更內側。自第1吐出口吐出之處理液，著液於基板之上表面內之第1著液位置。自第2吐出口吐出之處理液，著液於基板之上表面內之第 2著液位置。第2著液位置係較第1著液位置更外側之位置。來自第1吐出口及第2吐出口之處理液之吐出，係藉由控制裝置所控制。

例如，控制裝置在來自第2吐出口之處理液開始吐出之後，開始來自第1吐出口之處理液之吐出。然後，控制裝置同時結束來自第1吐出口之處理液之吐出、及來自第2吐出口之處理液之吐出。因此，處理液對較第2著液位置更外側之區域之供給時間，係較處理液對較第2著液位置更內側之區域之供給時間長。

於僅使一個吐出口吐出處理液之情況，蝕刻率(單位時間之基板之蝕刻量)具有隨著自基板之中央部遠離而減少之傾向。因此，藉由隨著自基板之中央部遠離而增加處理液之供給時間，可增加在基板之中央部以外之位置之蝕刻量。藉此，可提高處理之均勻性。

上述處理液供給系統，更包含噴嘴移動單元及吐出位置調整單元；上述噴嘴移動單元，係使上述複數之吐出口及上述吐出位置調整單元，在俯視時為上述複數之吐出口與上述基板重疊之處理位置、與俯視時為上述複數之吐出口與上述基板不重疊之待機位置之間水平移動；上述吐出位置調整單元，係使上述複數之吐出口朝與藉由上述噴嘴移動單元移動之上述複數之吐出口之移動方向不同之水平調整方向移動。

根據此構成，噴嘴移動單元使複數之吐出口及吐出位置調整單元在處理位置與待機位置之間水平移動。於處理位置上，複數之吐出口分別被配置於離旋轉軸線之距離不同之複數個位置。若吐出位置調整單元使複數之吐出口朝調整方向移動，則所有的吐出口朝旋轉軸線接近或遠離，從而使處理液之著液位置相對基 板之上表面移動。藉由使吐出位置調整單元移動複數之吐出口，可調整蝕刻之輪廓(蝕刻後之基板上表面之截面形狀)。

本發明之其他實施形態，提供一種基板處理裝置，其包含：基板保持單元，其一面水平地保持基板，一面使基板繞通過基板之中央部之鉛垂旋轉軸線旋轉；及處理液供給系統，其朝保持於上述基板保持單元之基板供給處理液。

上述處理液供給系統，包含供給流路、複數之上游流路、複數之吐出口及噴嘴移動單元。上述供給流路將處理液朝上述複數之上游流路導引。上述複數之上游流路，係自上述供給流路分歧，且將自上述供給流路供給之處理液朝上述複數之吐出口導引。上述複數之吐出口包含：主吐出口，其朝上述基板之上表面中央部吐出處理液；及複數之副吐出口，其自上述上表面中央部分離，分別朝離上述旋轉軸線之距離不同之、上述基板之上表面內之複數個位置吐出處理液，且上述複數之吐出口分別被配置於離上述旋轉軸線之距離不同之複數個位置，將經由上述複數之上游流路供給之處理液朝保持於上述基板保持單元之基板之上表面吐出。上述複數之上游流路包含：主上游流路，其連接於上述主吐出口；及複數之副上游流路，其連接於上述複數之副吐出口。上述噴嘴移動單元，在上述基板保持單元使基板旋轉，且上述複數之吐出口朝上述基板之上表面吐出處理液之狀態下，藉由使上述複數之吐出口擺動，使自上述旋轉軸線至上述複數之吐出口之距離變化。複數之吐出口之擺動，可往返移動，也可交錯移動。

根據此構成，導引處理液之供給流路，係分歧成複數之上游流路。藉此，可使吐出口之數量增加。並且，流經供給流路 之處理液，經由上游流路被供給至吐出口，且朝繞旋轉軸線旋轉之基板之上表面吐出。複數之吐出口分別配置於離旋轉軸線之距離不同之複數個位置。因此，與僅使一個吐出口吐出處理液之情況比較，可提高基板上之處理液之溫度之均勻性。藉此，可降低處理液之消費量，並可提高處理之均勻性。

並且，根據此構成，於基板旋轉且複數之吐出口吐出處理液之狀態下，噴嘴移動單元使複數之吐出口擺動。藉此，旋轉軸線至各吐出口之距離發生變化。自複數之吐出口吐出之處理液，著液於基板之上表面內之複數個著液位置。基板之蝕刻量在著液位置最大，隨著自著液位置遠離而逐漸減少。由於複數之吐出口水平移動，因此，複數個著液位置也隨著此水平移動而於基板之上表面內移動。藉此，與不使複數之吐出口移動之情況比較，可提高處理之均勻性。

於本實施形態中，也可將以下之至少一個特徵添加於上述基板處理裝置。

上述處理液供給系統，更包含複數之下游流路，上述複數之副上游流路，皆是分歧為上述複數之下游流路之分歧上游流路，且於每個上述下游流路設置有上述副吐出口。

根據此構成，朝複數之吐出口供給處理液之流路係多階段分歧。亦即，供給流路分歧為複數之上游流路(第1分歧)，複數之上游流路所包含之分歧上游流路，分歧成複數之下游流路(第2分歧)。因此，與分歧上游流路不被包含於複數之上游流路內之情況比較，可增加吐出口之數量。藉此，可進一步提高基板上之處理液之溫度之均勻性，並可進一步提高處理之均勻性。

上述基板處理裝置，更包含收納被保持於上述基板保持單元之基板之處理腔，上述分歧上游流路係於上述處理腔內分歧為上述複數之下游流路。

根據此構成，複數之下游流路之上游端被配置於處理腔內。分歧上游流路，係於處理腔內分歧成複數之下游流路。因此，與分歧上游流路在處理腔外分歧之情況比較，可縮短各下游流路之長度(液體流動方向之長度)。藉此，可抑制自處理液朝下游流路之傳熱造成之處理液之溫度降低。

上述處理液供給系統，更包含上游加熱器及複數之下游加熱器；上述上游加熱器，係以上游溫度對供給至上述供給流路之處理液進行加熱；上述複數之下游加熱器，係於較上述複數之副吐出口更上游之位置被分別連接於上述複數之副上游流路，且以較上述上游溫度高溫之下游溫度對流經上述複數之副上游流路之處理液進行加熱。

根據此構成，藉由下游加熱器以較上游溫度高溫之下游溫度加熱之處理液，自複數之副上游流路被供給至複數之副吐出口，且自這些吐出口吐出。亦即，一方面自主吐出口吐出具有上游溫度之處理液，另一方面自副吐出口吐出較上游溫度高溫之處理液。如此，供給至基板之上表面之處理液之溫度隨著自旋轉軸線分離而逐級增加，因此與使各吐出口吐出相同溫度之處理液之情況比較，可提高基板上之處理液之溫度之均勻性。藉此，可降低處理液之消費量，並可提高處理之均勻性。

上述處理液供給系統，更包含複數之返回流路、複數之下游加熱器、及下游切換單元；上述複數之返回流路，係於較上 述複數之副吐出口靠上游之位置被分別連接於上述複數之副上游流路；上述複數之下游加熱器，係於較上述返回流路與上述副上游流路之連接位置更上游之位置被分別連接於上述複數之副上游流路，且對流經上述複數之副上游流路之處理液進行加熱；上述下游切換單元對以下之複數個狀態之任一者進行切換，這些狀態包含：自上述供給流路供給至上述複數之上游流路之處理液，被供給至上述複數之吐出口之吐出狀態；及自上述供給流路供給至上述複數之上游流路之處理液，被供給至上述複數之返回流路之吐出停止狀態。

根據此構成，於吐出停止中，朝上游流路供給處理液，且使下游加熱器加熱。藉由下游加熱器加熱之處理液，不自複數之吐出口吐出，而自上游流路朝返回流路流動。因此，即使於吐出停止中，下游加熱器之溫度也可維持在穩定之狀態。因此，可立即重新開始處理液之吐出。

上述處理液供給系統，更包含第1噴嘴及第2噴嘴；上述複數之吐出口，包含設置於上述第1噴嘴之第1吐出口、及設置於上述第2噴嘴之第2吐出口，且俯視時為排列在與上述旋轉軸線正交之徑向；上述第1噴嘴包含於水平之長邊方向延長之第1臂部、及自上述第1臂部之前端朝下方延長之第1前端部；上述第2噴嘴包含於上述長邊方向延長之第2臂部、及自上述第2臂部之前端朝下方延長之第2前端部；上述第1臂部及第2臂部，排列在與上述長邊方向正交之水平排列方向；上述第1臂部之前端與上述第2臂部之前端，於俯視時為以上述第1臂部之前端位於上述旋轉軸線側之方式在上述長邊方向上分離。

根據此構成，第1吐出口及第2吐出口，於俯視時為排列於徑向上。若以俯視時為使複數之吐出口排列於徑向之方式將相同長度之複數個噴嘴排列在與長邊方向正交之水平方向，則複數個噴嘴整體之寬度增加(參照圖9)。若以俯視時為使複數之吐出口排列於徑向之方式將長度不同之複數個噴嘴排列於鉛垂方向，則複數個噴嘴整體之高度增加(參照圖10A及圖10B)。

相對於此，若以第1臂部及第2臂部排列在與長邊方向正交之水平排列方向且第1臂部之前端位於旋轉軸線側之方式，使第1臂部之前端與第2臂部之前端於俯視時為在長邊方向上錯位，可抑制複數個噴嘴整體之寬度及高度之兩者，並且俯視時為可將複數之吐出口排列於徑向(參照圖4)。藉此，可將複數個噴嘴或待機槽等相關之構件小型化。

本發明之其他實施形態，提供一種基板處理裝置，其包含：基板保持單元，其一面水平地保持基板，一面使基板繞通過基板之中央部之鉛垂旋轉軸線旋轉；處理液供給系統，其朝保持於上述基板保持單元之基板供給處理液；及氣體供給單元，其朝保持於上述基板保持單元之基板供給氣體。

上述處理液供給系統，包含供給流路、複數之上游流路及複數之吐出口。上述氣體供給單元包含複數之氣體吐出口。上述供給流路將處理液朝上述複數之上游流路導引。上述複數之上游流路，係自上述供給流路分歧，且將自上述供給流路供給之處理液朝上述複數之吐出口導引。上述複數之吐出口包含：主吐出口，其朝上述基板之上表面中央部吐出處理液；及複數之副吐出口，其自上述上表面中央部分離，分別朝離上述旋轉軸線之距離不同之、上 述基板之上表面內之複數個位置吐出處理液，且上述複數之副吐出口分別被配置於離上述旋轉軸線之距離不同之複數個位置，將經由上述複數之上游流路供給之處理液朝保持於上述基板保持單元之基板之上表面吐出。上述複數之上游流路包含：主上游流路，其連接於上述主吐出口；及複數之副上游流路，其連接於上述複數之副吐出口。上述複數之氣體吐出口，被分別配置於離上述旋轉軸線之距離不同之複數個位置，將較室溫高溫之氣體朝被保持於上述基板保持單元之基板之上表面吐出。氣體可為氮氣等惰性氣體，也可為由過濾器過濾後之清淨空氣(無塵空氣)，或者也可為這些氣體以外之氣體。較佳為，氣體之溫度係較基板上之處理液之沸點低溫。

根據此構成，導引處理液之供給流路，係分歧成複數之上游流路。藉此，可使吐出口之數量增加。並且，流經供給流路之處理液，經由上游流路供給至吐出口，且朝繞旋轉軸線旋轉之基板之上表面吐出。複數之吐出口分別配置於離旋轉軸線之距離不同之複數個位置。因此，與僅使一個吐出口吐出處理液之情況比較，可提高基板上之處理液之溫度之均勻性。藉此，可降低處理液之消費量，並可提高處理之均勻性。

並且，根據此構成，於基板之上表面由處理液之液膜覆蓋之狀態下，氣體吐出口朝基板之上表面內之噴吹位置吐出氣體。氣體之吐出壓力，係不會使噴吹位置自處理液中露出之壓力。被吐出之氣體，係溫度較室溫高之高溫氣體。因此，可藉由氣體之供給來改善基板上之處理液之溫度降低。並且，複數之氣體吐出口分別配置於離旋轉軸線之距離不同之複數個位置，因此可於沿徑向分離之複數個位置加熱基板上之處理液。藉此，可提高處理液之溫 度之均勻性。

於本實施形態中，也可將以下之至少一個特徵添加於上述基板處理裝置。

上述複數之吐出口，朝保持於上述基板保持單元之基板之上表面內之複數個著液位置吐出處理液；上述複數之氣體吐出口，朝保持於上述基板保持單元之基板之上表面內之複數個噴吹位置吐出氣體；上述複數個著液位置與上述複數個噴吹位置，係以上述噴吹位置位於鄰接之2個上述著液位置之間之方式在與上述旋轉軸線正交之徑向上錯位。位於鄰接之2個氣體吐出口之間之吐出口之數量，可為2個以上(參照圖17)，也可為一個。

根據此構成，複數個著液位置與複數個噴吹位置，不是於圓周方向(繞旋轉軸線之方向)排列，而是於徑向錯位排列。基板之蝕刻量，係隨著自著液位置分離而減少，且在徑向上之2個著液位置之中間的位置為最小。噴吹位置係徑向之2個著液位置之間之位置。因此，可於2個著液位置之間之位置抑制或防止處理液之溫度降低，改善此位置上之蝕刻量之減少。藉此，可提高處理之均勻性。

上述處理液供給系統，更包含複數之下游流路，上述複數之副上游流路，皆是分歧成上述複數之下游流路之分歧上游流路，且於每個上述下游流路設置有上述副吐出口。

根據此構成，朝複數之吐出口供給處理液之流路係多階段分歧。亦即，供給流路分歧為複數之上游流路(第1分歧)，複數之上游流路所包含之分歧上游流路，分歧成複數之下游流路(第2分歧)。因此，與分歧上游流路不被包含於複數之上游流路內之情 況比較，可增加吐出口之數量。藉此，可進一步提高基板上之處理液之溫度之均勻性，並可進一步提高處理之均勻性。

上述基板處理裝置，更包含收納被保持於上述基板保持單元之基板之處理腔；上述分歧上游流路，係於上述處理腔內被分歧成上述複數之下游流路。

根據此構成，複數之下游流路之上游端被配置於處理腔內。分歧上游流路，係於處理腔內分歧成複數之下游流路。因此，與分歧上游流路在處理腔外分歧之情況比較，可縮短各下游流路之長度(液體流動之方向之長度)。藉此，可抑制自處理液朝下游流路之傳熱造成之處理液之溫度降低。

上述處理液供給系統，更包含上游加熱器及複數之下游加熱器；上述上游加熱器，係以上游溫度對供給至上述供給流路之處理液進行加熱；上述下游加熱器係於較上述複數之副吐出口更上游之位置分別連接於上述複數之副上游流路，且以較上述上游溫度高溫之下游溫度對流經上述複數之副上游流路之處理液進行加熱。

根據此構成，藉由下游加熱器以較上游溫度高溫之下游溫度加熱之處理液，自複數之副上游流路被供給至複數之副吐出口，且自這些吐出口吐出。亦即，一方面自主吐出口吐出具有上游溫度之處理液，另一方面自副吐出口吐出較上游溫度高溫之處理液。如此，供給至基板之上表面之處理液之溫度隨著自旋轉軸線分離而逐級增加，因此與使各吐出口吐出相同溫度之處理液之情況比較，可提高基板上之處理液之溫度之均勻性。藉此，可降低處理液之消費量，並可提高處理之均勻性。

上述處理液供給系統，更包含複數之返回流路、複數之下游加熱器及下游切換單元；上述複數之返回流路，係於較上述複數之副吐出口更上游之位置被分別連接於上述複數之副上游流路；上述複數之下游加熱器，係於較上述返回流路與上述副上游流路之連接位置更上游之位置被分別連接於上述複數之副上游流路，且對流經上述複數之副上游流路之處理液進行加熱；上述下游切換單元對以下之複數個狀態之任一者進行切換，這些狀態包含：自上述供給流路供給至上述複數之上游流路之處理液，被供給至上述複數之吐出口之吐出狀態；及自上述供給流路供給至上述複數之上游流路之處理液，被供給至上述複數之返回流路之吐出停止狀態。

根據此構成，於吐出停止中，朝上游流路供給處理液，且使下游加熱器加熱。藉由下游加熱器加熱之處理液，不自複數之吐出口吐出，而自上游流路朝返回流路流動。因此，即使於吐出停止中，下游加熱器之溫度也可維持在穩定之狀態。因此，可立即重新開始處理液之吐出。

上述處理液供給系統，更包含第1噴嘴及第2噴嘴；上述複數之吐出口，包含設置於上述第1噴嘴之第1吐出口、及設置於上述第2噴嘴之第2吐出口，且俯視時為排列在與上述旋轉軸線正交之徑向；上述第1噴嘴包含於水平之長邊方向延長之第1臂部、及自上述第1臂部之前端朝下方延長之第1前端部；上述第2噴嘴包含於上述長邊方向延長之第2臂部、及自上述第2臂部之前端朝下方延長之第2前端部；上述第1臂部及第2臂部，排列在與上述長邊方向正交之水平排列方向；上述第1臂部之前端與上述第 2臂部之前端，於俯視時為以上述第1臂部之前端位於上述旋轉軸線側之方式在上述長邊方向上分離。

根據此構成，第1吐出口及第2吐出口，於俯視時為排列於徑向上。若以俯視時為使複數之吐出口排列於徑向之方式將相同長度之複數個噴嘴排列在與長邊方向正交之水平方向，則複數個噴嘴整體之寬度增加(參照圖9)。若以俯視時為使複數之吐出口排列於徑向之方式將長度不同之複數個噴嘴排列於鉛垂方向，則複數個噴嘴整體之高度增加(參照圖10A及圖10B)。

相對於此，若以第1臂部及第2臂部排列在與長邊方向正交之水平排列方向且第1臂部之前端位於旋轉軸線側之方式，使第1臂部之前端與第2臂部之前端於俯視時為在長邊方向上錯位排列，可抑制複數個噴嘴整體之寬度及高度之兩者，並且俯視時為可將複數之吐出口排列於徑向(參照圖4)。藉此，可將複數個噴嘴或待機槽等相關之構件小型化。

本發明之其他實施形態，提供一種基板處理裝置，其包含：基板保持單元，其一面水平地保持基板，一面使基板繞通過基板之中央部之鉛垂旋轉軸線旋轉；及處理液供給系統，其朝保持於上述基板保持單元之基板供給處理液。

上述處理液供給系統包含供給流路、複數之上游流路、複數之吐出口、第1噴嘴及第2噴嘴。上述供給流路係將處理液朝上述複數之上游流路導引。上述複數之上游流路，係自上述供給流路分歧，且分別連接於上述複數之吐出口，將自上述供給流路供給之處理液朝上述複數之吐出口導引。上述複數之吐出口包含設置於上述第1噴嘴之第1吐出口、及設置於上述第2噴嘴之第2吐 出口，且俯視時為排列在與上述旋轉軸線正交之徑向，將經由上述複數之上游流路供給之處理液，分別朝包含上述基板之上表面中央部之上述基板之上表面內之複數個位置吐出。上述第1噴嘴包含朝水平之長邊方向延長之第1臂部、及自上述第1臂部之前端朝下方延長之第1前端部。上述第2噴嘴包含朝上述長邊方向延長之第2臂部、及自上述第2臂部之前端朝下方延長之第2前端部。上述第1臂部及第2臂部，被排列在與上述長邊方向正交之水平之排列方向。上述第1臂部之前端與上述第2臂部之前端，俯視為以上述第1臂部之前端位於上述旋轉軸線側之方式在上述長邊方向上分離。

根據此構成，導引處理液之供給流路分歧成複數之上游流路。藉此，可使吐出口之數量增加。並且，流經供給流路之處理液，經由上游流路被供給至吐出口，且朝繞旋轉軸線旋轉之基板之上表面吐出。複數之吐出口分別配置於離旋轉軸線之距離不同之複數個位置。因此，與僅使一個吐出口吐出處理液之情況比較，可提高基板上之處理液之溫度之均勻性。藉此，可降低處理液之消費量，並可提高處理之均勻性。

並且，根據此構成，複數之吐出口於俯視時為排列於徑向。若以俯視時為使複數之吐出口排列於徑向之方式將相同長度之複數個噴嘴排列在與長邊方向正交之水平方向，則複數個噴嘴整體之寬度增加(參照圖9)。若以俯視時為使複數之吐出口排列於徑向之方式將長度不同之複數個噴嘴排列於鉛垂方向，則複數個噴嘴整體之高度增加(參照圖10A及圖10B)。

相對於此，若以第1臂部及第2臂部排列在與長邊方向正交之水平排列方向且第1臂部之前端位於旋轉軸線側之方式， 使第1臂部之前端與第2臂部之前端於俯視時為在長邊方向上錯位排列，可抑制複數個噴嘴整體之寬度及高度之兩者，並且俯視時為可將複數之吐出口排列於徑向(參照圖4)。藉此，可將複數個噴嘴或待機槽等相關之構件小型化。

本發明之其他實施形態，提供一種基板處理裝置，其包含：基板保持單元，其一面水平地保持基板，一面使基板繞通過基板之中央部之鉛垂旋轉軸線旋轉；及處理液供給系統，其朝保持於上述基板保持單元之基板供給處理液。

上述處理液供給系統，包含供給流路、複數之上游流路、複數之下游加熱器、集合流路及狹縫吐出口。上述供給流路，係被分岐為上述複數之上游流路，且將處理液朝上述複數之上游流路導引。上述複數之上游流路包含：複數之副上游流路，其具有於俯視時為排列在與上述旋轉軸線正交之徑向之複數之副下游端；及主上游流路，其具有配置於較上述複數之副下游端靠上述旋轉軸線側之主下游端。上述複數之下游加熱器，係分別連接於上述複數之副上游流路，且以供給至上述複數之副下游端之處理液之溫度隨著自上述旋轉軸線至上述副下游端之距離增加而增高之方式對流經上述複數之副上游流路之處理液進行加熱。上述集合流路連接於上述複數之副上游流路。上述狹縫吐出口，係於較上述複數之副上游流路更下游之位置被連接於上述集合流路，且俯視時為於上述基板之上表面中央部與上述基板之上表面周緣部之間徑向延伸之狹縫狀，將自上述集合流路供給之處理液朝上述基板之上表面吐出。集合流路只要連接於2個以上之副上游流路，也可不連接於所有之副上游流路。

根據此構成，處理液自供給流路供給至複數之上游流路。供給至複數之上游流路所包含之複數之副上游流路的處理液，藉由複數之下游加熱器被加熱。藉由複數之下游加熱器加熱之處理液，自複數之副上游流路供給至集合流路，且自狹縫吐出口朝基板之上表面吐出。藉此，於基板之上表面中央部與基板之上表面周緣部之間沿徑向延長之帶狀液膜，形成於狹縫吐出口與基板之間，著液於基板之上表面內之直線狀之區域。

若自徑向排列之複數之吐出口朝基板之上表面吐出處理液，則處理液著液於沿徑向分離之複數個著液位置(處理液最初接觸於基板之位置)。於處理液為蝕刻液之情況，著液位置上之蝕刻率(單位時間之蝕刻量)，係較鄰接之2個著液位置之間之位置上之蝕刻率高。因此，處理之均勻性會降低。藉由使自狹縫吐出口吐出之處理液著液於徑向連續之直線狀之區域，可防止此種均勻性之降低。

此外，供給至複數之副上游流路的複數之副下游端之處理液之溫度，隨著旋轉軸線至副下游端之距離增加而增高。於複數之副下游端之正下方之位置，著液與供給至複數之副下游端之處理液相同或大致上相同之溫度的處理液。相對於此，於上述正下方之位置之間的位置，著液有供給至鄰接之2個複數之副下游端之處理液的混合液。亦即，將溫度相互不同之處理液供給至鄰接之2個複數之副下游端，此2個溫度之間之溫度的處理液，著液於上述正下方之位置之間之位置。

如此，狹縫吐出口之各位置之處理液之溫度，隨著自旋轉軸線分離而逐級且連續地增加，因此與使均勻溫度之處理液自 狹縫吐出口吐出之情況比較，可提高在基板上之處理液之溫度之均勻性。藉此，可進一步提高處理之均勻性。因此，與僅使處理液著液於基板之上表面中央部之情況比較，可降低供給至基板之處理液之消費量，並可提高處理之均勻性。

此外，於基板之處理中，將相同品質之處理液供給至基板之各部分，對提高處理之均勻性相當重要。於在各上游流路設置液槽或過濾器等之情況，有可能會將品質與被供給至某吐出口之處理液之品質不同之處理液供給至其他之吐出口。相對於此，本實施形態中，將相同流路(供給流路)內之處理液供給至各上游流路。藉此，可將相同品質之處理液供給至基板之各部分。並且，與在每個上游流路設置液槽或過濾器等之構成比較，可削減零件數，可將保養作業簡化。

於本實施形態中，也可將以下之至少一個特徵添加於上述基板處理裝置。

上述狹縫吐出口，於俯視時為自上述基板之上表面中央部沿徑向延長至上述基板之上表面周緣部。

根據此構成，狹縫吐出口於俯視時為與基板之上表面中央部及上表面周緣部重疊。自狹縫吐出口吐出之處理液，同時著液於包含基板之上表面中央部及上表面周緣部之直線狀之區域。狹縫吐出口朝旋轉之基板之上表面吐出處理液。基板與上述直線狀之區域之相對位置關係，係隨基板之旋轉而變化。藉此，處理液著液於基板之上表面全域，因此可提高處理之均勻性。

於俯視下，上述狹縫吐出口之寬度，係較上述副上游流路之上述副下游端之寬度、例如上述副下游端之寬度之最大值 小。寬度意味著朝與徑向(狹縫吐出口之長邊方向)正交之水平方向之長度。

根據此構成，由於狹縫吐出口之寬度窄，因此供給至副上游流路之處理液之一部分，於到達狹縫吐出口之前，在集合流路內朝長邊方向展開，供給至副上游流路之剩餘之處理液，於集合流路內不會朝狹縫吐出口之長邊方向展開而到達狹縫吐出口。因此，處理液之一部分與供給至其他之副上游流路之處理液，在集合流路之內部或基板與狹縫吐出口之間之空間混合。藉此，可使供給至基板之處理液之溫度隨著自旋轉軸線分離而逐級且連續地增加。

上述集合流路之下游端之寬度，係與上述狹縫吐出口之寬度相等。較佳為，上述集合流路之上游端之寬度，係上述副下游端之寬度以上。上述集合流路之寬度，可自上游端至下游端連續地減少，也可分段地減少。於集合流路之上游端之寬度為副下游端之寬度以上之情況，集合流路內之處理液之流動，在集合流路之上游端不容易被干擾。因此，與集合流路之上游端之寬度小於副下游端之寬度之情況比較，可降低自狹縫吐出口吐出之處理液之壓力下降。

上述處理液供給系統，更包含複數之返回流路及下游切換單元，上述複數之返回流路，於較上述複數之下游加熱器更下游之位置被分別連接於上述複數之副上游流路，上述下游切換單元對以下之複數個狀態之任一者進行切換，這些狀態包含：自上述供給流路供給至上述複數之上游流路之處理液，被供給至上述複數之狹縫吐出口之吐出狀態、及自上述供給流路供給至上述複數之上游流路之處理液，被供給至上述複數之返回流路之吐出停止狀態。

根據此構成，於吐出停止中，朝上游流路供給處理液，且使下游加熱器加熱。藉由下游加熱器加熱之處理液，不自狹縫吐出口吐出，而自上游流路流入返回流路。因此，即使於吐出停止中，下游加熱器之溫度也可維持在穩定之狀態。因此，可立即重新開始處理液之吐出。

本發明中前述之、或者其他之目的、特徵及功效，參照附圖且藉由下述之實施形態之說明，自可明瞭。

1‧‧‧基板處理裝置

2‧‧‧處理單元

3‧‧‧控制裝置

4‧‧‧框體

5‧‧‧流體箱

6‧‧‧貯存箱

7‧‧‧處理腔

8‧‧‧間隔壁

8a‧‧‧搬入搬出口

9‧‧‧擋門

11‧‧‧旋轉夾頭

12‧‧‧旋轉台

13‧‧‧夾持銷

14‧‧‧旋轉馬達

15‧‧‧杯體

16‧‧‧外壁

17‧‧‧防濺護罩

18‧‧‧護罩昇降單元

21‧‧‧清洗液噴嘴

22‧‧‧清洗液配管

23‧‧‧清洗液閥

24‧‧‧噴嘴移動單元

25‧‧‧保持器

26‧‧‧噴嘴

26A‧‧‧第1噴嘴

26B‧‧‧第2噴嘴

26C‧‧‧第3噴嘴

26D‧‧‧第4噴嘴

27‧‧‧噴嘴本體

28‧‧‧臂部

28a‧‧‧前端

29‧‧‧前端部

30‧‧‧樹脂管

31‧‧‧芯棒

32‧‧‧樹脂塗層

33‧‧‧噴嘴頭

34‧‧‧吐出口

34A‧‧‧第1吐出口

34B‧‧‧第2吐出口

34C‧‧‧第3吐出口

34D‧‧‧第4吐出口

34x‧‧‧傾斜吐出口

35‧‧‧待機槽

40‧‧‧循環流路

41‧‧‧藥液液槽

42‧‧‧藥液流路

43‧‧‧上游加熱器

44‧‧‧泵

45‧‧‧供給閥

46‧‧‧循環閥

47‧‧‧供給流路

48‧‧‧上游流路

48A‧‧‧第1上游流路

48B‧‧‧第2上游流路

48C‧‧‧第3上游流路

48D‧‧‧第4上游流路

48d‧‧‧下游端

49‧‧‧流量計

50‧‧‧流量調整閥

51‧‧‧吐出閥

52‧‧‧下游流路

53‧‧‧下游加熱器

54‧‧‧返回流路

55‧‧‧返回閥

56‧‧‧冷卻器

57‧‧‧液槽回收流路

58‧‧‧吐出位置調整單元

81‧‧‧氣體吐出口

82‧‧‧氣體噴嘴

82A‧‧‧第1氣體噴嘴

82B‧‧‧第2氣體噴嘴

82C‧‧‧第3氣體噴嘴

83‧‧‧氣體配管

84‧‧‧氣體加熱器

85‧‧‧氣體閥

A1‧‧‧旋轉軸線

A2‧‧‧噴嘴轉動軸線

D1‧‧‧長邊方向

D2‧‧‧排列方向

Dr‧‧‧徑向

W‧‧‧基板

W1‧‧‧狹縫吐出口之寬度

W2‧‧‧集合流路之上游端之寬度

圖1為顯示本發明之第1實施形態之基板處理裝置之處理液供給系統之示意圖，顯示吐出狀態之處理液供給系統。

圖2為顯示本發明之第1實施形態之基板處理裝置之處理液供給系統之示意圖，顯示吐出停止狀態之處理液供給系統。

圖3為顯示基板處理裝置具備之處理單元之內部之示意前視圖。

圖4為顯示基板處理裝置具備之處理單元之內部之示意俯視圖。

圖5為顯示複數個噴嘴之示意前視圖。

圖6為顯示複數個噴嘴之示意俯視圖。

圖7為用以說明藉由基板處理裝置執行之基板之處理的一例之步驟圖。

圖8為顯示基板蝕刻量之分佈之曲線圖。

圖9為顯示第1實施形態之第1變形例之複數個噴嘴之示意俯視圖。

圖10A及圖10B為顯示第1實施形態之第2變形例 之複數個噴嘴之示意圖。圖10A為顯示複數個噴嘴之示意前視圖，圖10B為顯示複數個噴嘴之示意俯視圖。

圖11為顯示第1實施形態之第3變形例之複數個噴嘴之示意前視圖。

圖12為顯示第1實施形態之第4變形例之藥液之吐出時期之時序圖。

圖13為顯示第1實施形態之第5變形例之吐出位置調整單元之示意前視圖。

圖14為顯示處理前後之薄膜之厚度與供給至基板之處理液之溫度之映像之曲線圖。

圖15為顯示本發明之第2實施形態之複數個噴嘴之示意俯視圖。

圖16為顯示基板蝕刻量之分佈之曲線圖。

圖17為顯示本發明之第3實施形態之複數個噴嘴及複數之氣體噴嘴之示意前視圖。

圖18為顯示複數個噴嘴及複數之氣體噴嘴之示意俯視圖。

圖19為用以說明藉由基板處理裝置執行之基板之處理的一例之步驟圖。

圖20為顯示基板蝕刻量之分佈之曲線圖。

圖21為顯示本發明之第4實施形態之基板處理裝置之處理液供給系統之示意圖，顯示吐出狀態之處理液供給系統。

圖22為顯示本發明之第4實施形態之基板處理裝置之處理液供給系統之示意圖，顯示吐出停止狀態之處理液供給系 統。

圖23為顯示基板處理裝置具備之處理單元之內部之示意前視圖。

圖24為顯示基板處理裝置具備之處理單元之內部之示意俯視圖。

圖25為顯示水平觀察之複數個噴嘴及噴嘴頭之部分示意剖視圖。

圖26為顯示複數個噴嘴及噴嘴頭之示意俯視圖。

圖27為顯示複數個噴嘴及噴嘴頭之立體示意圖。

圖28為顯示基板之蝕刻量之分佈之曲線圖。

圖29A及圖29B為顯示第4實施形態之第2變形例之複數個噴嘴之示意圖。圖29A為顯示複數個噴嘴之示意前視圖，圖29B為顯示複數個噴嘴之示意俯視圖。

圖30為水平觀察本發明之其他實施形態之複數個噴嘴及噴嘴頭時之部分示意剖視圖。

圖1及圖2為顯示本發明之一實施形態之基板處理裝置1之處理液供給系統之示意圖。圖1顯示吐出狀態之處理液供給系統，圖2顯示吐出停止狀態之處理液供給系統。

基板處理裝置1係一片一片地處理半導體晶圓等圓板狀的基板W之單片式裝置。基板處理裝置1包含：處理單元2，其利用處理液對基板W進行處理；搬送機器人(未圖示)，其朝處理單元2搬送基板W；及控制裝置3，其控制基板處理裝置1。控制裝置3係包含運算部及記憶部之電腦。

基板處理裝置1包含：複數之流體箱5，其收容閥51等流體機器，該閥51控制處理液之對處理單元2之供給及供給停止；及複數之貯存箱6，其收容液槽41，液槽41內貯存經由流體箱5被供給至處理單元2之處理液。處理單元2及流體箱5被配置於基板處理裝置1之框體4中。處理單元2之處理腔7與流體箱5，係於水平方向排列。貯存箱6被配置於框體4外。貯存箱6也可配置於框體4內。

圖3為顯示處理單元2之內部之示意前視圖。圖4為顯示處理單元2之內部之示意俯視圖。

如圖3所示，處理單元2包含：箱形之處理腔7；旋轉夾頭11，其於處理腔7內一面水平地保持基板W一面使基板W繞通過基板W之中央部之鉛垂旋轉軸線A1旋轉；及筒狀之杯體15，其接取自基板W排出之處理液。

如圖4所示，處理腔7包含：箱形之間隔壁8，其設置有供基板W通過之搬入搬出口8a；及擋門9，其開閉搬入搬出口8a。擋門9可於開啟搬入搬出口8a之開啟位置與關閉搬入搬出口8a之關閉位置(圖4所示之位置)之間，相對於間隔壁8移動。未圖示之搬送機器人，通過搬入搬出口8a朝處理腔7內搬入基板W，且通過搬入搬出口8a自處理腔7內搬出基板W。

如圖3所示，旋轉夾頭11包含：圓板狀之旋轉台12，其被以水平之姿勢保持；複數之夾持銷13，其於旋轉台12之上方以水平之姿勢保持基板W；及旋轉馬達14，其藉由使複數之夾持銷13旋轉，使基板W繞旋轉軸線A1旋轉。旋轉夾頭11不限於使複數之夾持銷13接觸於基板W之周端面之夾持式之夾頭，也可為 藉由使旋轉台12之上表面吸附非元件形成面即基板W之背面(下表面)而水平地保持基板W之真空式之吸盤。

如圖3所示，杯體15包含：筒狀之防濺護罩17，其繞旋轉軸線A1包圍旋轉夾頭11；及圓筒形之外壁16，其繞旋轉軸線A1包圍防濺護罩17。處理單元2包含護罩昇降單元18，該護罩昇降單元18係使防濺護罩17於防濺護罩17之上端位於較藉由旋轉夾頭11保持之基板W之保持位置更上方之上方位置(圖3所示之位置)、與防濺護罩17之上端位於較藉由旋轉夾頭11保持之基板W之保持位置更下方之下方位置之間鉛垂地昇降。

如圖3所示，處理單元2包含清洗液噴嘴21，該清洗液噴嘴21將清洗液向下方朝被旋轉夾頭11保持之基板W之上表面吐出。清洗液噴嘴21連接於介入裝設有清洗液閥23之清洗液配管22。處理單元2也可具備使清洗液噴嘴21在處理位置與待機位置之間移動之噴嘴移動單元。

若開啟清洗液閥23，清洗液自清洗液配管22被供給至清洗液噴嘴21，且自清洗液噴嘴21吐出。清洗液例如為純水(去離子水：Deionized water)。清洗液不限純水，也可為碳酸水、電解離子水、水素水、臭氧水、及稀釋濃度(例如，10~100ppm左右)之鹽酸水之任一者。

如圖4所示，處理單元2包含：複數個噴嘴26(第1噴嘴26A、第2噴嘴26B、第3噴嘴26C及第4噴嘴26D)，其等朝下方吐出藥液；保持器25，其一個一個地保持複數個噴嘴26；及噴嘴移動單元24，其藉由使保持器25移動，使複數個噴嘴26於處理位置(圖4中以二點鏈線所示之位置)與待機位置(圖4以實線所示 之位置)之間移動。

藥液之代表例，係TMAH(四甲基氫氧化氨)等之蝕刻液、SPM(含硫酸及過氧化氫(hydrogen peroxide：雙氧水)之混合液)等之抗蝕劑剝離液。藥液不限TMAH及SPM，也可為包含硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氟酸、氨水、過氧化氫、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、TMAH以外之有機鹼、界面活化劑、防腐劑中的至少一種之液體。

如圖3所示，各噴嘴26包含藉由保持器25懸臂支撐之噴嘴本體27。噴嘴本體27包含自保持器25朝水平之長邊方向D1延長之臂部28、及自臂部28之前端28a朝下方延長之前端部29。臂部28之前端28a，意味著於俯視時為於長邊方向D1離保持器25最遠之部分。

如圖4所示，複數之臂部28，係依第1噴嘴26A~第4噴嘴26D之順序，排列在與長邊方向D1正交之水平排列方向D2。複數之臂部28被配置於相同之高度。於排列方向D2上鄰接之2個臂部28之間隔，可與其他之任一之間隔相同，也可與其他之間隔之至少一者不同。圖4顯示以等間隔配置複數之臂部28之例子。

朝長邊方向D1之複數之臂部28之長度，係依第1噴嘴26A~第4噴嘴26D之順序變短。複數個噴嘴26之前端(複數之臂部28之前端28a)，係以於長邊方向D1上依第1噴嘴26A~第4噴嘴26D之順序排列之方式在長邊方向D1錯位排列。複數個噴嘴26之前端，俯視為呈直線狀排列。

噴嘴移動單元24，藉由使保持器25於杯體15之外 圍繞鉛垂地延長之噴嘴轉動軸線A2轉動，使複數個噴嘴26沿於俯視時為通過基板W之圓弧狀之路徑移動。藉此，複數個噴嘴26在處理位置與待機位置之間水平移動。處理單元2包含配置於複數個噴嘴26之待機位置之下方之有底筒狀之待機槽35。待機槽35於俯視時為配置於杯體15之外圍。

處理位置係自複數個噴嘴26吐出之藥液著液於基板W之上表面之位置。於處理位置上，俯視時為複數個噴嘴26與基板W重疊，複數個噴嘴26之前端，於俯視時為自旋轉軸線A1側起依第1噴嘴26A~第4噴嘴26D之順序排列於徑向Dr。此時，於俯視時為第1噴嘴26A之前端與基板W之中央部重疊，且俯視時為第4噴嘴26D之前端與基板W之周緣部重疊。

待機位置係能使複數個噴嘴26退避至於俯視時為複數個噴嘴26與基板W不會重疊之位置。於待機位置上，複數個噴嘴26之前端，於俯視時為沿杯體15之外周面(外壁16之外周面)而位於杯體15之外側，且依第1噴嘴26A~第4噴嘴26D之順序排列於圓周方向(繞旋轉軸線A1之方向)。複數個噴嘴26，係以依第1噴嘴26A~第4噴嘴26D之順序自旋轉軸線A1遠離之方式配置。

其次，參照圖5及圖6，對複數個噴嘴26進行說明。然後對處理液供給系統進行說明。

以下之說明中，有時會在與第1噴嘴26A對應之構成之前頭及末尾分別加上「第1」及「A」。例如，有時將與第1噴嘴26A對應之上游流路48稱為「第1上游流路48A」。關於與第2噴嘴26B~第4噴嘴26D對應之構成也同樣。

此外，以下之說明中，有時亦稱藉由上游加熱器43加熱之處理液之加熱溫度為上游溫度，且稱藉由下游加熱器53加熱之處理液之加熱溫度為下游溫度。有時還分別將由第2下游加熱器53~第4下游加熱器53加熱之處理液之加熱溫度稱為第2下游溫度53~第4加熱溫度。

如圖5所示，噴嘴本體27包含：導引處理液之樹脂管30；包圍樹脂管30之截面筒狀之芯棒31；及覆蓋芯棒31之外表面之截面筒狀之樹脂塗層32。除了第1噴嘴26A以外之各噴嘴26，更包含安裝於噴嘴本體27之前端部29之噴嘴頭33。

噴嘴本體27形成一條沿噴嘴本體27延長之流路。噴嘴頭33形成對自噴嘴本體27供給之處理液進行導引之複數條流路。噴嘴本體27之流路，係於噴嘴本體27之外表面形成開口之吐出口34。噴嘴頭33之複數條流路，係於噴嘴頭33之外表面形成開口之複數之吐出口34。噴嘴本體27之流路，相當於後述之上游流路48之一部分。噴嘴頭33之各流路，相當於後述之下游流路52。第1上游流路48A~第4上游流路48D之下游端，被分別配置於離旋轉軸線A1之距離不同之複數個位置。

圖5及圖6顯示設於複數個噴嘴26之吐出口34之總數為10個之例子。第1噴嘴26A包含設於噴嘴本體27之一個吐出口34。除了第1噴嘴26A以外之各噴嘴26，包含設於噴嘴頭33之3個吐出口34。設於同一之噴嘴頭33之3個吐出口34，包含在3個吐出口34中最靠近旋轉軸線A1之內側吐出口、3個吐出口34中離旋轉軸線A1最遠之外側吐出口、及配置於內側吐出口與外側吐出口之間之中間吐出口。

如圖6所示，複數之吐出口34於俯視時為呈直線狀排列。兩端之2個吐出口34之間隔，係基板W之半徑以下。鄰接之2個吐出口34之間隔，可與其他之任一之間隔相同，也可與其他之間隔之至少一者不同。此外，複數之吐出口34可配置於相同高度，也可配置於2個以上之不同之高度。

若複數個噴嘴26被配置於處理位置，則複數之吐出口34，分別配置於離旋轉軸線A1之距離(俯視時為最短距離)不同之複數個位置。此時，複數之吐出口34中的最靠近旋轉軸線A1之最內吐出口(第1吐出口34A)，係配置於基板W之中央部之上方，複數之吐出口34中的離旋轉軸線A1最遠之最外吐出口(第4吐出口34D)，係配置於基板W之周緣部上方。複數之吐出口34於俯視時為被排列於徑向Dr。

設於第1噴嘴26A之第1吐出口34A，係朝基板W之上表面中央部吐出處理液之主吐出口。設置於第1噴嘴26A以外之各噴嘴26之第2吐出口34B~第4吐出口34D，係朝中央部以外之基板W之上表面之一部分吐出處理液之複數之副吐出口。連接於第1吐出口34A之第1上游流路48A，係主上游流路；連接於第2吐出口34B~第4吐出口34D之第2上游流路48B~第4上游流路48D，係複數之副上游流路。

如圖5所示，各吐出口34係朝垂直於基板W之上表面之吐出方向吐出藥液。複數之吐出口34，係朝基板W之上表面內之複數個著液位置吐出藥液。複數個著液位置，係離旋轉軸線A1之距離不同之各個位置。若稱複數個著液位置中的最靠近旋轉軸線A1之著液位置為第1著液位置，且稱複數個著液位置中的排 在第2之靠近旋轉軸線A1之著液位置為第2著液位置，則自第1吐出口34A吐出之藥液，著液於第1著液位置，自第2吐出口34B吐出之藥液，著液於第2著液位置。

接著，參照圖1及圖2，對處理液供給系統詳細地進行說明。

處理液供給系統包含：藥液液槽41，其貯存藥液；藥液流路42，其對自藥液液槽41輸送之藥液進行導引；上游加熱器43，其藉由以較室溫(例如20~30℃)高之上游溫度將藥液流路42內流動之藥液加熱，對藥液液槽41內之藥液之溫度進行調整；泵44，其將藥液液槽41內之藥液朝藥液流路42輸送；及循環流路40，其使藥液流路42內之藥液返回藥液液槽41。

處理液供給系統，包含開閉藥液流路42之供給閥45、開閉循環流路40之循環閥46、及連接於藥液流路42之供給流路47。上游切換單元包含供給閥45。

處理液供給系統包含：複數之上游流路48，其將自供給流路47供給之液體朝複數之吐出口34導引；複數之流量計49，其對複數之上游流路48內流動之液體之流量進行檢測；複數之流量調整閥50，其用以變更複數之上游流路48內流動之液體之流量；及複數之吐出閥51，其分別開閉複數之上游流路48。雖未圖示，流量調整閥50包含開閉流路之閥本體、及變更閥本體之開啟程度之致動器。致動器可為氣壓式致動器或電動致動器，也可為這些以外之致動器。

處理液供給系統包含將自上游流路48供給之液體朝複數之吐出口34導引之複數之下游流路52。第1上游流路48A以 外之各上游流路48之下游端，係分歧為複數之下游流路52。亦即，第1上游流路48A以外之各上游流路48，係分歧成複數之下游流路52之分歧上游流路。

圖1及圖2中，顯示了分歧上游流路分歧為2個下游流路52之例子。圖5中，顯示了分歧上游流路分歧為3個下游流路52之例子。自第2上游流路48B分歧之3個下游流路52，分別連接於設置在相同之噴嘴頭33之3個吐出口34(內側吐出口、中間吐出口及外側吐出口)。第3上游流路48C及第4上游流路48D，也與第2上游流路48B同樣。第1上游流路48A連接於設置在第1噴嘴26A之第1吐出口34A。

處理液供給系統包含複數之下游加熱器53，這些下游加熱器53係以較上游溫度高之下游溫度對第1上游流路48A以外之複數之上游流路48內流動之液體進行加熱。處理液供給系統還包含：複數之返回流路54，其等係於較複數之下游加熱器53更下游之位置分別連接於第1上游流路48A以外之複數之上游流路48；及複數之返回閥55，其分別開閉複數之返回流路54。下游切換單元包含複數之吐出閥51及複數之返回閥55。

處理液供給系統包含：冷卻器56，其對自複數之返回流路54供給之藥液進行冷卻；及液槽回收流路57，其將藥液自冷卻器56朝藥液液槽41導引。自複數之返回流路54供給至冷卻器56之藥液，藉由冷卻器56冷卻至接近上游溫度之後，經由液槽回收流路57被導引至藥液液槽41。冷卻器56可為水冷單元或空冷單元，也可為這些以外之冷卻單元。

接著，參照圖1，對複數之吐出口34吐出藥液之吐 出狀態之處理液供給系統進行說明。圖1中，以黑色顯示開啟中之閥，以白色顯示關閉中之閥。

藥液液槽41內之藥液，藉由泵44被輸送至藥液流路42。藉由泵44輸送之藥液，經上游加熱器43加熱之後，自藥液流路42朝供給流路47流動，且自供給流路47流入複數之上游流路48。供給至第1上游流路48A以外之複數之上游流路48(分歧上游流路)之藥液，藉由下游加熱器53加熱之後，朝複數之下游流路52流動。

第1上游流路48A內之藥液，被供給至設置在第1噴嘴26A之一個第1吐出口34A。第2上游流路48B內之藥液，經由複數之下游流路52被供給至設置在第2噴嘴26B之複數之第2吐出口34B。第3上游流路48C及第4上游流路48D，也與第2上游流路48B同樣。藉此，藥液自所有之吐出口34被吐出。

下游加熱器53之對處理液之加熱溫度(下游溫度)，係較上游加熱器43之對處理液之加熱溫度(上游溫度)高。第2~第4下游溫度，係依第2~第4下游溫度之順序增高。第1吐出口34A，係吐出上游溫度之藥液。各第2吐出口34B，係吐出第2下游溫度之藥液。各第3吐出口34C，係吐出第3下游溫度之藥液，各第4吐出口34D，係吐出第4下游溫度之藥液。藉此，自複數之吐出口34吐出之藥液之溫度，隨著自旋轉軸線A1遠離而逐級增加。

接著，參照圖2，對來自複數之吐出口34之藥液之吐出已被停止時之吐出停止狀態的處理液供給系統進行說明。圖2中，以黑色顯示開啟中之閥，以白色顯示關閉中之閥。

藥液液槽41內之藥液，藉由泵44被輸送至藥液流路 42。藉由泵44輸送之藥液之一部分，經上游加熱器43加熱之後，經由循環流路40返回藥液液槽41。藉由泵44輸送之剩餘之藥液，自藥液流路42朝供給流路47流動，且自供給流路47朝第1上游流路48A以外之複數之上游流路48流動。

第2上游流路48B內之藥液，藉由與第2上游流路48B對應之下游加熱器53加熱之後，經由返回流路54朝冷卻器56流動。第3上游流路48C及第4上游流路48D，也與第2上游流路48B同樣。供給至冷卻器56之藥液，被冷卻器56冷卻之後，經由液槽回收流路57返回藥液液槽41。藉此，藉由泵44被輸送至藥液流路42之所有藥液，返回藥液液槽41。

處理液之溫度，有時會對基板W之處理帶來極大之影響。若於吐出停止中使下游加熱器53停止，當重新開始下游加熱器53之運轉時，藉由下游加熱器53加熱之處理液之溫度，在被穩定於預定目標溫度之前需要時間。因此，不能立即重新開始處理液之吐出，其生產率將降低。

如前述，即使於吐出停止中，仍繼續使藥液朝下游加熱器53流動，而使下游加熱器53將藥液加熱。藉此，下游加熱器53之溫度可維持於穩定之狀態。並且，由於藉由下游加熱器53加熱之藥液返回藥液液槽41，因此可降低藥液之消費量。而且，由於藉由冷卻器56冷卻之藥液返回藥液液槽41，因此可抑制藥液液槽41內之藥液之溫度之變動。

圖7為用以說明藉由基板處理裝置1執行之基板W之處理之一例之步驟圖。以下之各動作，藉由控制裝置3對基板處理裝置1進行控制而被執行。以下，參照圖3及圖4。並且適宜地 參照圖7。

於藉由處理單元2對基板W進行處理時，複數個噴嘴26自旋轉夾頭11之上方退避，且於防濺護罩17位於下方位置之狀態下，藉由搬送機器人之機械手臂(未圖示)將基板W搬入處理腔7內。藉此，以表面向上之狀態將基板W放置於複數之夾持銷13上。然後，搬送機器人之機械手臂自處理腔7之內部退避，且以擋門9將處理腔7之搬入搬出口8a關閉。

於基板W被放置於複數之夾持銷13上之後，複數之夾持銷13壓抵於基板W之周緣部，藉由複數之夾持銷13保持基板W。此外，護罩昇降單元18使防濺護罩17自下方位置朝上方位置移動。藉此，防濺護罩17之上端被配置於較基板W更上方。然後，驅動旋轉馬達14，開始基板W之旋轉。藉此，基板W以規定之液處理速度(例如數百rpm)進行旋轉。

接著，噴嘴移動單元24使複數個噴嘴26自待機位置朝處理位置移動。藉此，複數之吐出口34於俯視時為與基板W重疊。然後，控制複數之吐出閥51等，自複數個噴嘴26同時吐出藥液(圖7之步驟S1)。複數個噴嘴26，係於噴嘴移動單元24使複數個噴嘴26靜止之狀態下吐出藥液。當複數之吐出閥51被開啟後經過了規定時間，則同時停止自複數個噴嘴26之藥液之吐出(圖7之步驟S2)。然後，噴嘴移動單元24使複數個噴嘴26自處理位置朝待機位置移動。

自複數個噴嘴26吐出之藥液，在著液於旋轉之基板W之上表面之後，藉由離心力沿基板W之上表面朝外側(自旋轉軸線A1分離之方向)流動。到達基板W之上表面周緣部之藥液，朝 基板W之周圍飛散，且被防濺護罩17之內周面接取。如此一來，藥液被供給至基板W之上表面全域，在基板W上形成覆蓋基板W之上表面全域之藥液之液膜。藉此，以藥液對基板W之上表面全域進行處理。

於停止來自複數個噴嘴26之藥液之吐出後，開啟清洗液閥23，開始來自清洗液噴嘴21之清洗液(純水)之吐出(圖7之步驟S3)。藉此，基板W上之藥液被清洗液沖洗，形成覆蓋基板W之上表面全域之清洗液之液膜。當清洗液閥23被開啟後經過了規定時間，則將清洗液閥23關閉，停止來自清洗液噴嘴21之清洗液之吐出(圖7之步驟S4)。

來自清洗液噴嘴21之清洗液之吐出被停止之後，藉由旋轉馬達14使基板W朝旋轉方向加速，以較液處理速度大之乾燥速度(例如數千rpm)使基板W旋轉(圖7之步驟S5)。藉此，附著於基板W之清洗液被朝基板W之周圍甩出，從而對基板W進行乾燥。當基板W之高速旋轉自開始後經過了規定時間，則停止旋轉馬達14及基板W之旋轉。

基板W之旋轉停止之後，護罩昇降單元18使防濺護罩17自上方位置朝下方位置移動。並且，將藉由複數之夾持銷13對基板W之保持解除。搬送機器人使複數個噴嘴26自旋轉夾頭11之上方退避，於防濺護罩17位於下方位置之狀態下，使機械手臂進入處理腔7之內部。然後，搬送機器人藉由機械手臂取下旋轉夾頭11上之基板W，將基板W自處理腔7內搬出。

圖8為顯示基板W之蝕刻量之分佈之曲線圖。

圖8所示之測量值A~測量值C之基板W之處理條 件，除了吐出藥液之噴嘴外皆相同。

測量值A顯示一面使複數個噴嘴26靜止，一面使複數之吐出口34(10個吐出口34)吐出藥液，而對基板W進行蝕刻時之蝕刻量之分佈。

測量值B顯示一面使拆卸了所有之噴嘴頭33之複數個噴嘴26靜止，一面使複數之吐出口34(4個吐出口34)吐出藥液，對基板W進行蝕刻時之蝕刻量之分佈。即，測量值B顯示使分別設於4個噴嘴本體27之4個吐出口34(相當於第1吐出口34A者)吐出藥液時之蝕刻量之分佈。

測量值C顯示僅使一個吐出口34吐出藥液，且將藥液之著液位置固定於基板W之上表面中央部時之蝕刻量之分佈。

於測量值C中，蝕刻量隨著自基板W之中央部遠離而減少，蝕刻量之分佈顯示山峰形之曲線。亦即，蝕刻量在藥液之著液位置最大，隨著自著液位置遠離而逐漸減少。相對於此，與測量值C相比，於測量值A及測量值B中，基板W之中央部以外之位置上之蝕刻量有增加，從而可大幅改善蝕刻之均勻性。

於測量值B中形成有7個山峰。正中間之山峰之頂點，係與最內側之著液位置對應之位置，其外側之2個山峰之頂點，係與自內側算起排在第2之著液位置對應之位置。更外側之2個山峰之位置，係與自內側算起排在第3之著液位置對應之位置，最外側之2個山峰之位置，係與自內側算起排在第4之著液位置對應之位置。

於測量值A中，與測量值B相同，形成有與複數個著液位置對應之複數之山峰。於測量值B中，吐出口34之數量為 4個，相對於此，於測量值A中，吐出口34之數量為10個，因此山峰之數量增加。並且，與測量值B比較，顯示蝕刻量之分佈之線，接近於朝左右方向延伸之直線(蝕刻量恆定之直線)，從而可改善蝕刻之均勻性。

如上述，於本實施形態中，導引處理液之供給流路47，係分歧為複數之上游流路48。藉此，可增加吐出口34之數量。並且，分歧為複數之下游流路52之分歧上游流路被包含於複數之上游流路48內，因此可進一步增加吐出口34之數量。

流經供給流路47之處理液，自上游流路48或下游流路52被供給至吐出口34，朝繞旋轉軸線A1旋轉之基板W之上表面吐出。複數之吐出口34分別配置於離旋轉軸線A1之距離不同之複數個位置。因此，與僅使一個吐出口34吐出處理液之情況比較，可提高基板W上之處理液之溫度之均勻性。藉此，可降低處理液之消費量，並可提高處理之均勻性。

此外，本實施形態中，藉由下游加熱器53以較上游溫度高溫之下游溫度加熱之處理液，係自最內之上游流路(第1上游流路48A)以外之上游流路48供給至最內吐出口(第1吐出口34A)以外之吐出口34，且自此吐出口34吐出。亦即，上游溫度之處理液係自最內吐出口吐出，另一方面，較上游溫度高溫之處理液，則自位於較最內吐出口更外側之吐出口34吐出。

如此，供給至基板W之上表面之處理液之溫度隨著遠離旋轉軸線A1而逐級增加，因此與使各吐出口34吐出相同溫度之處理液之情況比較，可提高溫度之均勻性。藉此，可降低處理液之消費量，並可提高處理之均勻性。

此外，本實施形態中，複數之下游流路52之上游端被配置於處理腔7內。分岐上游流路在處理腔7內分歧為複數之下游流路52。因此，與分歧上游流路在處理腔7外分歧之情況比較，可縮短各下游流路52之長度(液體流動方向之長度)。藉此，可抑制自處理液朝下游流路52之傳熱造成之處理液之溫度降低。

此外，本實施形態中，複數之上游流路48之上游端配置於流體箱5內。供給流路47在流體箱5內分歧為複數之上游流路48。因此，與供給流路47在較流體箱5更上游之位置分歧為複數之上游流路48之情況比較，可縮短各上游流路48之長度(液體流動方向之長度)。藉此，可抑制自處理液朝上游流路48之傳熱造成之處理液之溫度降低。

此外，本實施形態中，第1吐出口34A與第2吐出口34B於俯視時為排列於徑向Dr。若以俯視時為使複數之吐出口34排列於徑向Dr之方式將相同之長度之複數個噴嘴26排列在與長邊方向D1正交之水平方向，則複數個噴嘴26整體之寬度增加(參照圖9)。若以俯視時為使複數之吐出口34排列於徑向Dr之方式將長度不同之複數個噴嘴26排列於鉛垂方向，則複數個噴嘴26整體之高度增加(參照圖10A及圖10B)。

相對於此，本實施形態中，將複數之臂部28排列在與長邊方向D1正交之水平之排列方向D2。並且，以複數之臂部28之前端28a自旋轉軸線A1側起依第1噴嘴26A~第4噴嘴26D之順序排列於長邊方向D1上之方式，使複數之臂部28之前端28a在長邊方向D1錯位排列(參照圖4)。藉此，可抑制複數個噴嘴26整體之寬度及高度之兩者，並且俯視為可將複數之吐出口34排列 於徑向Dr。

本發明不限於上述實施形態之內容，可於本發明之範圍內進行各種之變更。

例如，於上述實施形態中，對噴嘴26之數量為4個之情況進行了說明，但噴嘴26之數量，也可為2或3個，或者也可為5個以上。

上述實施形態中，對利用冷卻器56將朝藥液液槽41返回而流經返回流路54之藥液冷卻之情況進行了說明，但也可省略冷卻器56。

上述實施形態中，對將吐出停止中藉由下游加熱器53加熱之液體，自上游流路48朝返回流路54流動之情況進行了說明，但於吐出停止中使下游加熱器53停止之情況，也可省略返回流路54。

上述實施形態中，對不在第1上游流路48A設置下游加熱器53，且於第1上游流路48A以外之所有上游流路48設置下游加熱器53之情況進行了說明，但也可於包含第1上游流路48A之所有上游流路48設置下游加熱器53。與此相反，也可不於所有之上游流路48設置下游加熱器53。返回流路54也同樣。

上述實施形態中，對不在第1噴嘴26A設置噴嘴頭33，且於第1噴嘴26A以外之所有噴嘴26安裝噴嘴頭33之情況進行了說明，但也可於包含第1噴嘴26A之所有噴嘴26設置噴嘴頭33。與此相反，也可不於所有之噴嘴26設置噴嘴頭33。

上述實施形態中，對在一個噴嘴頭33形成有3個下游流路52及3個吐出口34之情況進行了說明，但形成於一個噴嘴 頭33之下游流路52及吐出口34之數量，也可為2個，或者也可為4個以上。

上述實施形態中，對分歧上游流路(第1上游流路48A以外之上游流路48)在處理腔7內分歧為複數之下游流路52之情況進行了說明，但分歧上游流路也可在處理腔7外分歧。

上述實施形態中，對俯視時為複數之吐出口34排列於徑向Dr之情況進行了說明，但只要複數之吐出口34分別被配置於離旋轉軸線A1之距離不同之複數個位置，複數之吐出口34於俯視時也可為不排列於徑向Dr。

上述實施形態中，對各吐出口34朝垂直於基板W之上表面之吐出方向吐出處理液情況進行了說明，但複數之吐出口34，也可包含傾斜吐出口34x，該傾斜吐出口34x以隨著接近基板W之上表面而朝旋轉軸線A1靠近之方式，朝相對於基板W之上表面傾斜之吐出方向吐出處理液。圖11顯示設置於噴嘴頭33之複數之吐出口34中位於旋轉軸線A1側之最內側吐出口為傾斜吐出口34x之例子。

根據此構成，自傾斜吐出口34x吐出之處理液，由於具有朝旋轉軸線A1之方向之動能，因此沿基板W之上表面朝旋轉軸線A1流動。然後，此處理液藉由基板W之旋轉之離心力沿基板W之上表面朝外側流動，自基板W之上表面排出。因此，與處理液被朝垂直於基板W之上表面之方向吐出之情況、或朝相對於基板W之上表面而向外側傾斜之方向吐出之情況比較，處理液在基板W上之滯留時間增加。因此，可有效率地利用處理液，從而可降低處理液之消費量。

上述實施形態中，對一面使複數個噴嘴26靜止，一面使複數個噴嘴26吐出藥液之情況進行了說明，但也可一面使複數個噴嘴26繞噴嘴轉動軸線A2轉動，一面使複數個噴嘴26吐出藥液。

上述實施形態中，對同時開啟所有之吐出閥51，且同時關閉所有之吐出閥51之情況進行了說明，但控制裝置3也可控制複數之吐出閥51，以使外側之吐出口34吐出處理液之時間，較內側之吐出口34吐出處理液之時間長。

例如，如圖12所示，控制裝置3也可依第4噴嘴26D~第1噴嘴26A之順序，使複數個噴嘴26吐出處理液，然後使複數個噴嘴26同時停止處理液之吐出。具體而言，控制裝置3也可依第4吐出閥51~第1吐出閥51之順序，依序開啟4個吐出閥51，然後同時關閉4個吐出閥51。此情況下，處理液之對基板W上表面之各部分之供給時間，隨著自基板W之中央部分離而逐級增加。

於僅使一個吐出口34吐出處理液之情況，具有蝕刻率隨著自基板W之中央部遠離而減少之傾向。因此，藉由隨著自基板W之中央部遠離而增加處理液之供給時間，可增加在基板W之中央部以外之位置之蝕刻量。藉此，可提高處理之均勻性。

此外，如圖13所示，處理單元2也可具備吐出位置調整單元58，該吐出位置調整單元58使複數之吐出口34朝與藉由噴嘴移動單元24移動複數之吐出口34之移動方向不同之水平之調整方向(圖13中，長邊方向D1)移動。吐出位置調整單元58被保持於保持器25。吐出位置調整單元58使複數個噴嘴26沿長邊方向D1相對於保持器25移動。吐出位置調整單元58，可為氣壓致動器 或電動致動器，也可為這些以外之致動器。

根據此構成，噴嘴移動單元24使複數之吐出口34與吐出位置調整單元58水平移動。於處理位置上，複數之吐出口34，分別被配置於離旋轉軸線A1之距離不同之複數個位置。若吐出位置調整單元58使複數之吐出口34朝調整方向移動，則所有的吐出口34接近或遠離旋轉軸線A1，而使處理液之著液位置相對於基板W之上表面移動。藉由使吐出位置調整單元58移動複數之吐出口34，可調整蝕刻之輪廓(蝕刻後之基板W之上表面之截面形狀)。

上述實施形態中，對設置有將藥液供給至供給流路47之藥液流路42之情況進行了說明，但也可設置將液體供給至供給流路47之複數之處理液流路。

例如，也可將第1液體自第1液體流路供給至供給流路47，且將第2液體自2液體流路供給至供給流路47。此情況下，第1液體及第2液體，在供給流路47中被混合，因此，包含第1液體及第2液體之混合液，自供給流路47被供給至複數之上游流路48。第1液體及第2液體，可為相同種類之液體，也可為不同種類之液體。第1液體及第2液體之具體例，係硫酸與過氧化氫之組合、及TMAH與純水之組合。

控制裝置3也可根據處理前之薄膜之厚度來控制供給至基板W之表面之各部分之處理液之溫度，而使處理後之薄膜之厚度均勻化。

圖14為顯示處理前後之薄膜之厚度與供給至基板W之處理液之溫度圖像之曲線圖。圖14之一點鏈線顯示處理前之膜厚，圖14之二點鏈線顯示處理後之膜厚。圖14之實線顯示供給至 基板W之處理液之溫度。圖14之橫軸顯示基板W之半徑。處理前之膜厚，可自基板處理裝置1以外之裝置(例如主機)輸入至基板處理裝置1，也可藉由設於基板處理裝置1之測量儀器進行測量。

於圖14所示例子之情況，控制裝置3也可控制基板處理裝置1，以使處理液之溫度與處理前之膜厚同樣地變化。具體而言，控制裝置3也可控制複數之下游加熱器53，以使複數之上游流路48之處理液之溫度成為與處理前之膜厚對應之溫度。

此情況下，朝處理前之膜厚相對較大之位置供給相對較高溫之處理液，且朝處理前之膜厚相對較小之位置供給相對較低溫之處理液。形成於基板W之表面之薄膜之蝕刻量，於供給有高溫之處理液之位置被相對增加，且於供給有低溫之處理液之位置被相對減少。因此，可使處理後之薄膜之厚度均勻化。

也可組合2個以上之前述所有構成。也可組合2個以上之前述所有步驟。

[第2實施形態]

其次，對本發明之第2實施形態進行說明。並且，對與前述之各部分相同之構成部分，賦予與圖1等相同之元件符號，並省略說明。

於藉由處理單元2對基板W進行處理時，複數個噴嘴26自旋轉夾頭11上方退避，且於防濺護罩17位於下方位置之狀態下，藉由搬送機器人之機械手臂(未圖示)將基板W搬入處理腔7內。藉此，以表面向上之狀態將基板W放置於複數之夾持銷13上。然後，搬送機器人之機械手臂自處理腔7之內部退避，且以擋 門9將處理腔7之搬入搬出口8a關閉。

於基板W被放置於複數之夾持銷13上之後，複數之夾持銷13壓抵於基板W之周緣部，藉由複數之夾持銷13保持基板W。此外，護罩昇降單元18使防濺護罩17自下方位置朝上方位置移動。藉此，防濺護罩17之上端被配置於較基板W靠上方。然後，驅動旋轉馬達14，開始基板W之旋轉。藉此，基板W以規定之液處理速度(例如數百rpm)進行旋轉。

接著，噴嘴移動單元24使複數個噴嘴26自待機位置朝處理位置移動。藉此，複數之吐出口34於俯視時為與基板W重疊。然後，控制複數之吐出閥51等，自複數個噴嘴26同時吐出藥液(圖7之步驟S1)。複數個噴嘴26，係於噴嘴移動單元24使複數個噴嘴26圍繞旋轉軸線A1擺動之狀態下吐出藥液(關於擺動，可參照圖15之二點鏈線)。複數之吐出閥51被開啟後經過了規定時間，則同時停止自複數個噴嘴26之藥液之吐出(圖7之步驟S2)。然後，噴嘴移動單元24使複數個噴嘴26自處理位置朝待機位置移動。

自複數個噴嘴26吐出之藥液，在著液於旋轉之基板W之上表面之後，藉由離心力沿基板W之上表面朝外側(自旋轉軸線A1分離之方向)流動。到達基板W之上表面周緣部之藥液，朝基板W之周圍飛散，且被防濺護罩17之內周面接取。如此一來，藥液被供給至基板W之上表面全域，在基板W上形成覆蓋基板W之上表面全域之藥液之液膜。藉此，以藥液對基板W之上表面全域進行處理。

於停止來自複數個噴嘴26之藥液之吐出後，開啟清 洗液閥23，開始來自清洗液噴嘴21之清洗液(純水)之吐出(圖7之步驟S3)。藉此，基板W上之藥液被清洗液沖洗，形成覆蓋基板W之上表面全域之清洗液之液膜。當清洗液閥23被開啟後經過了規定時間，則將清洗液閥23關閉，停止來自清洗液噴嘴21之清洗液之吐出(圖7之步驟S4)。

來自清洗液噴嘴21之清洗液之吐出被停止之後，藉由旋轉馬達14使基板W朝旋轉方向加速，以較液處理速度大之乾燥速度(例如數千rpm)使基板W旋轉(圖7之步驟S5)。藉此，附著於基板W之清洗液被朝基板W之周圍甩出，從而對基板W進行乾燥。當基板W之高速旋轉開始後經過了規定時間，則停止旋轉馬達14及基板W之旋轉。

基板W之旋轉停止之後，護罩昇降單元18使防濺護罩17自上方位置朝下方位置移動。並且，將藉由複數之夾持銷13之對基板W之保持解除。搬送機器人使複數個噴嘴26自旋轉夾頭11之上方退避，於防濺護罩17位於下方位置之狀態下，使機械手臂進入處理腔7之內部。然後，搬送機器人藉由機械手臂取下旋轉夾頭11上之基板W，將基板W自處理腔7內搬出。

圖16為顯示基板W之蝕刻量之分佈之曲線圖。

圖16所示之測量值A~測量值C之基板W之處理條件，除了吐出藥液之噴嘴外皆相同。

測量值A顯示一面使複數個噴嘴26靜止，一面使複數之吐出口34(10個吐出口34)吐出藥液，而對基板W進行蝕刻時之蝕刻量之分佈。

測量值B顯示一面使拆卸了所有之噴嘴頭33之複數 個噴嘴26靜止，一面使複數之吐出口34(4個吐出口34)吐出藥液，對基板W進行蝕刻時之蝕刻量之分佈。即，測量值B顯示使分別設於4個噴嘴本體27之4個吐出口34(相當於第1吐出口34A者)吐出藥液時之蝕刻量之分佈。

測量值C顯示僅使一個吐出口34吐出藥液，且將藥液之著液位置固定於基板W之上表面中央部時之蝕刻量之分佈。

於測量值C中，蝕刻量隨著自基板W之中央部分離而減少，蝕刻量之分佈顯示山峰形之曲線。亦即，蝕刻量在藥液之著液位置最大，隨著自著液位置分離而逐漸減少。相對於此，與測量值C相比，於測量值A及測量值B中，基板W之中央部以外之位置上之蝕刻量有增加，從而可大幅改善蝕刻之均勻性。

於測量值B中形成有7個山峰。正中之山峰之頂點，係與最內側之著液位置對應之位置，其外側之2個山峰之頂點，係與自內側算起排在第2之著液位置對應之位置。更外側之2個山峰之位置，係與自內側算起排在第3之著液位置對應之位置，最外側之2個山峰之位置，係與自內側算起排在第4之著液位置對應之位置。

於測量值A中，與測量值B相同，形成有與複數個著液位置對應之複數之山峰。於測量值B中，吐出口34之數量為4個，相對於此，於測量值A中，吐出口34之數量為10個，因此山峰之數量增加。並且，與測量值B比較，顯示蝕刻量之分佈之線，接近於朝左右方向延伸之直線(蝕刻量恆定之直線)，從而可改善蝕刻之均勻性。

如前述，噴嘴移動單元24，係於自複數之吐出口34 吐出之藥液著液於基板W之上表面之範圍內，使複數個噴嘴26圍繞噴嘴轉動軸線A2擺動。此時，各吐出口34沿著在噴嘴轉動軸線A2上具有中心之圓弧狀之路徑進行一次以上水平往返移動。因此，自旋轉軸線A1至各吐出口34之距離發生變化。

測量值A及測量值B顯示一面使複數個噴嘴26靜止，一面對基板W進行蝕刻時之蝕刻量之分佈。若噴嘴移動單元24使複數個噴嘴26擺動，則著液位置沿徑向Dr移動，因此顯示蝕刻量之分佈之線，接近於朝左右方向延伸之直線(蝕刻量恆定之直線)。藉此，可提高蝕刻之均勻性。

第2實施形態中，除了第1實施形態之作用功效外，還可獲得以下之作用功效。

此外，本實施形態中，於基板W正旋轉中，且複數之吐出口34吐出藥液之狀態下，噴嘴移動單元24使複數之吐出口34擺動。藉此，自旋轉軸線A1至各吐出口34之距離發生變化。自複數之吐出口34吐出之藥液，著液於基板W之上表面內之複數個著液位置。基板W之蝕刻量，在著液位置最大，隨著自著液位置遠離而逐漸減少。由於複數之吐出口34為水平移動，因此複數個著液位置也隨此移動而在基板W之上表面內移動。藉此，與不使複數之移動吐出口34之情況比較，可提高處理之均勻性。

此外，本實施形態中，藉由下游加熱器53以較上游溫度高溫之下游溫度加熱之處理液，係自最內上游流路(第1上游流路48A)以外之上游流路48被供給至最內吐出口(第1吐出口34A)以外之吐出口34，且自此吐出口34吐出。亦即，上游溫度之處理液係自最內吐出口吐出，另一方面，較上游溫度高溫之處理液，則 自較最內吐出口位於更外側之吐出口34吐出。

如此，供給至基板W之上表面之處理液之溫度隨著遠離旋轉軸線A1而逐級增加，因此與使各吐出口34吐出相同溫度之處理液之情況比較，可提高溫度之均勻性。藉此，可降低處理液之消費量，並可提高處理之均勻性。

本發明不限於上述實施形態之內容，可於本發明之範圍內進行各種之變更。

例如，對設置有將藥液供給至供給流路47之藥液流路42之情況進行了說明，但也可設置將液體供給至供給流路47之複數之處理液流路。

例如，也可將第1液體自第1液體流路供給至供給流路47，且將第2液體自2液體流路供給至供給流路47。此情況下，第1液體及第2液體，在供給流路47中被混合，因此，包含第1液體及第2液體之混合液，自供給流路47被供給至複數之上游流路48。第1液體及第2液體，可為相同種類之液體，也可為不同種類之液體。第1液體及第2液體之具體例，係硫酸與過氧化氫之組合、及TMAH與純水之組合。

也可組合2個以上之前述所有構成。也可組合2個以上之前述所有步驟。

[第3實施形態]

接著，對本發明之第3實施形態進行說明。並且，對與前述之各部分相同之構成部分，賦予與圖1等相同之元件符號，並省略說明。

基板處理裝置1，包含藉由朝基板W吐出高溫之氣體，對基板W上之液體進行加熱之氣體供給單元。如圖17及圖18所示，氣體供給單元包含複數之氣體噴嘴82(第1氣體噴嘴82A、第2氣體噴嘴82B及第3氣體噴嘴82C)，這些氣體噴嘴82設置有朝下方吐出氣體之複數之氣體吐出口81。氣體之一例為氮氣。氣體可為氮氣以外之惰性氣體，也可為由過濾器過濾之清淨空氣(無塵空氣)、或也可為這些氣體以外之氣體。

如圖17所示，氣體供給單元包含：氣體配管83，其朝複數之氣體噴嘴82導引氣體；氣體加熱器84，其以較室溫高之溫度對朝複數之氣體吐出口81流經氣體配管83之氣體進行加熱；及氣體閥85，其開閉氣體配管83。氣體加熱器84加熱之氣體的加熱溫度，係較室溫高且較藥液之沸點低。

第1氣體噴嘴82A~第3氣體噴嘴82C，分別被保持於第1噴嘴26A~第3噴嘴26C。氣體噴嘴82係與噴嘴26一同移動。複數個噴嘴26及複數之氣體噴嘴82，係於徑向Dr被交互地配置。複數之吐出口34及複數之氣體吐出口81，於俯視時為排列於徑向Dr。第1吐出口34A係配置於較最內側之氣體吐出口81更內側，第2吐出口34B係配置於較最內側之氣體吐出口81更外側。複數之吐出口34與複數之氣體吐出口81，係以氣體吐出口81位於鄰接之2個吐出口34之間之方式於徑向Dr錯位。

複數之氣體噴嘴82，係朝基板W之上表面內之複數個噴吹位置P1~P3吐出氣體。複數個噴吹位置P1~P3，係離旋轉軸線A1之距離不同之各個位置。圖17中，以「×」顯示藥液之著液位置。分別與複數之第2吐出口34B對應之複數個著液位置，係 於徑向Dr上，位於最內側之噴吹位置P1與中間之噴吹位置P2之間。分別與複數之第3吐出口34C對應之複數個著液位置，係於徑向Dr上，位於中間之噴吹位置P2與最外側之噴吹位置P3之間。

圖19為用以說明藉由基板處理裝置1執行之基板W處理之一例之步驟圖。以下之各動作，係藉由控制裝置3對基板處理裝置1進行控制而被執行。以下，參照圖3及圖4。並且適宜地參照圖17及圖19。

於藉由處理單元2對基板W進行處理時，複數個噴嘴26自旋轉夾頭11之上方退避，且於防濺護罩17位於下方位置之狀態下，藉由搬送機器人之機械手臂(未圖示)將基板W搬入處理腔7內。藉此，以表面向上之狀態將基板W放置於複數之夾持銷13上。然後，搬送機器人之機械手臂自處理腔7之內部退避，且以擋門9將處理腔7之搬入搬出口8a關閉。

於基板W被放置於複數之夾持銷13上之後，複數之夾持銷13壓抵於基板W之周緣部，藉由複數之夾持銷13保持基板W。此外，護罩昇降單元18使防濺護罩17自下方位置朝上方位置移動。藉此，防濺護罩17之上端被配置於較基板W更上方。然後，驅動旋轉馬達14，開始基板W之旋轉。藉此，基板W以規定之液處理速度(例如數百rpm)進行旋轉。

接著，噴嘴移動單元24使複數個噴嘴26自待機位置朝處理位置移動。藉此，複數之吐出口34於俯視時為與基板W重疊。然後，控制複數之吐出閥51等，自複數個噴嘴26同時吐出藥液(圖19之步驟S1)。複數個噴嘴26，係於噴嘴移動單元24使複數個噴嘴26於靜止之狀態下吐出藥液。複數之吐出閥51被開啟後經 過了規定時間，則同時停止自複數個噴嘴26之藥液之吐出(圖19之步驟S2)。然後，噴嘴移動單元24使複數個噴嘴26自處理位置朝待機位置移動。

自複數個噴嘴26吐出之藥液，在著液於旋轉之基板W之上表面之後，藉由離心力沿基板W之上表面朝外側(自旋轉軸線A1分離之方向)流動。到達基板W之上表面周緣部之藥液，朝基板W之周圍飛散，且被防濺護罩17之內周面接取。如此一來，藥液被供給至基板W之上表面全域，在基板W上形成覆蓋基板W之上表面全域之藥液之液膜。藉此，以藥液對基板W之上表面全域進行處理。

此外，若複數個噴嘴26被配置於處理位置，則將氣體閥85(參照圖17)開啟，使氮氣等高溫之氣體自複數之氣體噴嘴82之氣體吐出口81吐出。藉此，將高溫之氣體朝覆蓋基板W之上表面全域之藥液之液膜噴吹。當氣體閥85被開啟後經過了規定時間，則將氣體閥85關閉，停止自複數之氣體噴嘴82之氣體之吐出。只要氣體之吐出期間之至少一部分期間與藥液之吐出期間重複，則氣體之吐出，也可與藥液之吐出之同時開始，或者也可於藥液之吐出前或吐出後開始。氣體之吐出停止也同樣。

於停止來自複數個噴嘴26之藥液之吐出後，開啟清洗液閥23，開始來自清洗液噴嘴21之清洗液(純水)之吐出(圖19之步驟S3)。藉此，基板W上之藥液被清洗液沖洗，形成覆蓋基板W之上表面全域之清洗液之液膜。當清洗液閥23被開啟後經過了規定時間，則將清洗液閥23關閉，停止來自清洗液噴嘴21之清洗液之吐出(圖19之步驟S4)。

來自清洗液噴嘴21之清洗液之吐出被停止之後，藉由旋轉馬達14使基板W朝旋轉方向加速，以較液處理速度大之乾燥速度(例如數千rpm)使基板W旋轉(圖19之步驟S5)。藉此，附著於基板W之清洗液被朝基板W之周圍甩出，從而對基板W進行乾燥。當基板W之高速旋轉開始後經過了規定時間，則停止旋轉馬達14及基板W之旋轉。

基板W之旋轉停止之後，護罩昇降單元18使防濺護罩17自上方位置朝下方位置移動。並且，將藉由複數之夾持銷13對基板W之保持解除。搬送機器人使複數個噴嘴26自旋轉夾頭11之上方退避，於防濺護罩17位於下方位置之狀態下，使機械手臂進入處理腔7之內部。然後，搬送機器人藉由機械手臂取下旋轉夾頭11上之基板W，將基板W自處理腔7內搬出。

圖20為顯示基板W之蝕刻量之分佈之曲線圖。

圖20所示之測量值A~測量值C之基板W之處理條件，除了吐出藥液之噴嘴外皆相同。

測量值A顯示一面使複數個噴嘴26靜止，一面使複數之吐出口34(10個吐出口34)吐出藥液，而對基板W進行蝕刻時之蝕刻量之分佈。

測量值B顯示一面使拆卸了所有之噴嘴頭33之複數個噴嘴26靜止，一面使複數之吐出口34(4個吐出口34)吐出藥液，對基板W進行蝕刻時之蝕刻量之分佈。即，測量值B顯示使分別設於4個噴嘴本體27之4個吐出口34(相當於第1吐出口34A者)吐出藥液時之蝕刻量之分佈。

測量值C顯示僅使一個吐出口34吐出藥液，且將藥 液之著液位置固定於基板W之上表面中央部時之蝕刻量之分佈。

於測量值C中，蝕刻量隨著自基板W之中央部遠離而減少，蝕刻量之分佈顯示山峰形之曲線。亦即，蝕刻量在藥液之著液位置最大，隨著自著液位置遠離而逐漸減少。相對於此，與測量值C相比，於測量值A及測量值B中，基板W之中央部以外之位置上之蝕刻量有增加，從而可大幅改善蝕刻之均勻性。

於測量值B中形成有7個山峰。正中間之山峰之頂點，係與最內側之著液位置對應之位置，其外側之2個山峰之頂點，係與自內側算起排在第2之著液位置對應之位置。更外側之2個山峰之位置，係與自內側算起排在第3之著液位置對應之位置，最外側之2個山峰之位置，係與自內側算起排在第4之著液位置對應之位置。

於測量值A中，與測量值B相同，形成有與複數個著液位置對應之複數之山峰。於測量值B中，吐出口34之數量為4個，相對於此，於測量值A中，吐出口34之數量為10個，因此山峰之數量增加。並且，與測量值B比較，顯示蝕刻量之分佈之線，接近於朝左右方向延伸之直線(蝕刻量恆定之直線)，從而可改善蝕刻之均勻性。

於測量值A~測量值C之基板W之處理中，不進行來自氣體噴嘴82之氣體之吐出。如前述，控制裝置3在使複數之吐出口34朝旋轉之基板W之上表面吐出藥液之狀態下，使複數之氣體吐出口81吐出高溫之氣體。藉此，朝覆蓋基板W之上表面全域之藥液之液膜噴吹高溫之氣體。

氣體吐出口81係朝基板W之上表面內之噴吹位置P1 ~P3(參照圖17)吐出氣體。噴吹位置P1~P3係徑向Dr上之2個著液位置之間之位置。因此，如圖20中箭頭所示，可於2個著液位置之間之位置抑制或防止藥液之溫度降低，改善此位置之蝕刻量之減少。藉此，顯示蝕刻量之分佈之線，更接近於朝左右方向延伸之直線(蝕刻量恆定之直線)，從而可提高蝕刻之均勻性。

第3實施形態中，除了第1實施形態之作用功效外，還可獲得以下之作用功效。

本實施形態中，於基板W之上表面被藥液之液膜覆蓋之狀態下，氣體吐出口81朝基板W之上表面內之噴吹位置P1~P3吐出氣體。氣體之吐出壓力，係不會使噴吹位置P1~P3自藥液中露出之壓力。吐出之氣體，係溫度較室溫高之高溫之氣體。因此，藉由氣體之供給，可改善基板W上之藥液之溫度降低。並且，由於複數之氣體吐出口81，分別被配置於離旋轉軸線A1之距離不同之複數個位置，因此，可於在徑向Dr上分離之複數個位置對基板W上之藥液進行加熱。藉此，可提高藥液之溫度之均勻性。

此外，於本實施形態中，複數個著液位置與複數個噴吹位置P1~P3，不是排列於圓周方向(繞旋轉軸線A1之方向)，而是於徑向Dr錯位。基板W之蝕刻量，隨著自著液位置分離而減少，且於徑向Dr上之2個著液位置之中間之位置為最小。噴吹位置P1~P3，係徑向Dr上之2個著液位置之間之位置。因此，可於2個著液位置之間之位置抑制或防止藥液之溫度降低，改善在此位置之蝕刻量之減少。藉此，可提高處理之均勻性。

此外，本實施形態中，藉由下游加熱器53以較上游溫度高溫之下游溫度加熱之處理液，係自最內上游流路(第1上游 流路48A)以外之上游流路48供給至最內吐出口(第1吐出口34A)以外之吐出口34，且自此吐出口34吐出。亦即，上游溫度之處理液係自最內吐出口吐出，另一方面，較上游溫度高溫之處理液，則自較最內吐出口位於更外側之吐出口34吐出。

如此，供給至基板W之上表面之處理液之溫度隨著遠離旋轉軸線A1而逐級增加，因此與使各吐出口34吐出相同溫度之處理液之情況比較，可提高溫度之均勻性。藉此，可降低處理液之消費量，並可提高處理之均勻性。

本發明不限於上述實施形態之內容，可於本發明之範圍內進行各種之變更。

例如，於上述實施形態中，對噴嘴26之數量為4個之情況進行了說明，但噴嘴26之數量，也可為2或3個，或者也可為5個以上，氣體噴嘴82也同樣。

上述實施形態中，對複數之吐出口34與複數之氣體吐出口81，於俯視時為排列於徑向Dr之情況進行了說明，但複數之氣體吐出口81，也可相對於複數之吐出口34而於圓周方向錯位。此外，只要複數之吐出口34分別被配置於離旋轉軸線A1之距離不同之複數個位置，複數之吐出口34也可於俯視時為不排列於徑向Dr。氣體吐出口81也同樣。

基板處理裝置1，也可在氣體供給單元之外或被取代，另外包含使處理腔7內之氣溫上昇之室溫上昇單元。室溫上昇單元，可為對處理腔7內之氣體進行加熱之加熱器，也可為將較室溫高溫之氣體朝處理腔7內吹送之送風機。該情況下，由於處理腔7內之氣溫上昇，因此可抑制或防止基板W上之處理液之溫度降 低。藉此，可改善基板W上之處理液之溫度降低，可提高處理之均勻性。

基板處理裝置1，也可在氣體供給單元之外或被取代，另外包含藉由朝保持於旋轉夾頭11之基板W之上表面發射光，對基板W上之處理液進行加熱之發光單元。發光單元可為發出紅外線之紅外線照射單元(例如，紅外線加熱器)，也可為發出雷射光之雷射光照射單元。

發光單元係於基板W之上表面被處理液之液膜覆蓋之狀態下，朝基板W之上表面內之複數之照射位置發射光。較佳為，複數個著液位置與複數之照射位置，係以照射位置位於鄰接之2個著液位置之間之方式於徑向Dr錯位排列。基板W上之處理液，藉由光之照射來抑制溫度降低。並且，複數之照射位置，係分別為離旋轉軸線A1之距離不同之各個位置，因此可在徑向Dr上分離之複數個位置加熱基板W上之處理液。藉此，可提高處理液之溫度之均勻性。

上述實施形態中，對設置有將藥液供給至供給流路47之藥液流路42之情況進行了說明，但也可設置將液體供給至供給流路47之複數之處理液流路。

例如，也可將第1液體自第1液體流路供給至供給流路47，且將第2液體自2液體流路供給至供給流路47。此情況下，第1液體及第2液體，在供給流路47中被混合，因此，包含第1液體及第2液體之混合液，自供給流路47被供給至複數之上游流路48。第1液體及第2液體，可為相同種類之液體，也可為不同種類之液體。第1液體及第2液體之具體例，係硫酸與過氧化氫之組 合、及TMAH與純水之組合。

也可組合2個以上之前述所有構成。也可組合2個以上之前述所有步驟。

[第4實施形態]

其次，對本發明之第4實施形態進行說明。並且，對與前述之各部分相同之構成部分，賦予與圖1等相同之元件符號，並省略說明。

如圖24所示，處理單元2包含：複數個噴嘴26(第1噴嘴26A、第2噴嘴26B、第3噴嘴26C及第4噴嘴26D)，其等朝下方吐出藥液；保持器25，其一個一個地保持複數個噴嘴26；及噴嘴移動單元24，其藉由使保持器25移動，使複數個噴嘴26於處理位置(圖24中以二點鏈線所示之位置)與待機位置(圖24中以實線所示之位置)之間移動。

藥液之代表例，係TMAH等之蝕刻液、SPM等之抗蝕劑剝離液。藥液不限於TMAH及SPM，也可為包含硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氟酸、氨水、過氧化氫、有機酸、TMAH以外之有機鹼、界面活性劑、防腐劑中的至少一種之液體。

如圖23所示，各噴嘴26係包含藉由保持器25懸臂支撐之噴嘴本體27、及與其他之噴嘴26共有之噴嘴頭33。噴嘴本體27包含自保持器25朝水平之長邊方向D1延長之臂部28、及自臂部28之前端28a朝下方延長之前端部29。臂部28之前端28a意味著於俯視時為於長邊方向D1離保持器25最遠之部分。噴嘴頭33被各噴嘴本體27之前端部29所支撐。

如圖24所示，複數之臂部28，係依第1噴嘴26A~第4噴嘴26D之順序，排列在與長邊方向D1正交之水平之排列方向D2。複數之臂部28被配置於相同之高度。於排列方向D2上鄰接之2個臂部28之間隔，可與其他之任一之間隔相同，也可與其他之間隔之至少一者不同。圖24顯示以等間隔配置複數之臂部28之例子。

朝長邊方向D1之複數之臂部28之長度，係依第1噴嘴26A~第4噴嘴26D之順序變短。複數個噴嘴26之前端(複數之臂部28之前端28a)，係以於長邊方向D1上依第1噴嘴26A~第4噴嘴26D之順序排列之方式在長邊方向D1錯位。複數個噴嘴26之前端，於俯視時為呈直線狀排列。

噴嘴移動單元24，藉由使保持器25於杯體15之外圍繞鉛垂地延長之噴嘴轉動軸線A2轉動，使複數個噴嘴26沿於俯視時為通過基板W之圓弧狀之路徑移動。藉此，複數個噴嘴26在處理位置與待機位置之間水平移動。處理單元2包含配置於複數個噴嘴26之待機位置之下方之有底筒狀之待機槽35。待機槽35於俯視時為配置於杯體15之外圍。

處理位置係自噴嘴頭33吐出之藥液著液於基板W之上表面之位置。於處理位置上，俯視時為噴嘴頭33與基板W重疊，複數個噴嘴26之前端，係俯視時為自旋轉軸線A1側起依第1噴嘴26A~第4噴嘴26D之順序排列於徑向Dr。此時，俯視時為第1噴嘴26A之前端與基板W之中央部重疊，第4噴嘴26D之前端，係俯視時為與基板W之周緣部重疊。

待機位置係能使複數個噴嘴26退避至於俯視時為噴 嘴頭33與基板W不會重疊之位置。於待機位置上，複數個噴嘴26之前端，俯視為沿杯體15之外周面(外壁16之外周面)而位於杯體15之外側，且依第1噴嘴26A~第4噴嘴26D之順序排列於圓周方向(繞旋轉軸線A1之方向)。複數個噴嘴26，係以依第1噴嘴26A~第4噴嘴26D之順序自旋轉軸線A1遠離之方式配置。

其次，參照圖25~圖27，對複數個噴嘴26進行說明。然後對處理液供給系統進行說明。圖25~圖27顯示複數個噴嘴26被配置於處理位置之狀態。

以下之說明中，有時會在與第1噴嘴26A對應之構成之前頭及末尾分別加上「第1」及「A」。例如，有時將與第1噴嘴26A對應之上游流路48稱為「第1上游流路48A」。與第2噴嘴26B~第4噴嘴26D對應之構成也同樣。

此外，以下之說明中，有時稱藉由上游加熱器43加熱之處理液之加熱溫度為上游溫度，稱藉由下游加熱器53加熱之處理液之加熱溫度為下游溫度。有時分別將由第2下游加熱器53~第4下游加熱器53加熱之處理液之加熱溫度稱為第2下游溫度~第4加熱溫度。

如圖25所示，噴嘴本體27包含：導引處理液之樹脂管30；包圍樹脂管30之截面筒狀之芯棒31；及覆蓋芯棒31之外表面之截面筒狀之樹脂塗層32。形成有吐出口之樹脂管30之下表面，係配置於噴嘴頭33之內部。

噴嘴本體27形成有一條沿噴嘴本體27延長之流路。噴嘴本體27之流路，相當於後述之上游流路48之一部分。如圖26所示，第1上游流路48A~第4上游流路48D之下游端48d，被分 別配置於離旋轉軸線A1之距離不同之複數個位置，且俯視時為排列於徑向Dr。

第1上游流路48A之下游端48d，係配置於較第2上游流路48B~第4上游流路48D之下游端48d更靠旋轉軸線A1側。第1上游流路48A，係主上游流路之一例；第2上游流路48B~第4上游流路48D，係複數之副上游流路之一例。第1上游流路48A之下游端48d，係主下游端之一例；第2上游流路48B~第4上游流路48D之下游端48d，係複數之下游端之一例。

如圖25所示，噴嘴頭33形成有對自複數個噴嘴本體27供給之處理液進行導引之一條流路(集合流路52)、及於噴嘴頭33之下表面開口之狹縫狀之狹縫吐出口34。狹縫吐出口34係與基板W之上表面平行。狹縫吐出口34被配置於各上游流路48A~48D之下游端48d之下方。

如圖26所示，狹縫吐出口34俯視為自基板W之上表面中央部沿徑向Dr延伸至基板W之上表面周緣部。狹縫吐出口34之寬度W1(寬度意味係指與徑向Dr正交之水平方向之長度。以下相同)，係自狹縫吐出口34之一端至狹縫吐出口34之另一端為恆定。狹縫吐出口34之寬度W1，係較各上游流路48A~48D之下游端48d之直徑要小。各上游流路48A~48D之下游端48d之一部分，於俯視時為與狹縫吐出口34重疊，剩餘之部分，於俯視時為與狹縫吐出口34不重疊。狹縫吐出口34，係朝垂直於基板W之上表面之吐出方向吐出自集合流路52供給之藥液。

如圖27所示，集合流路52係將各上游流路48A~48D之下游端48d連接於狹縫吐出口34。集合流路52之寬度，係自集 合流路52之上游端52u至集合流路52之下游端52d連續地減少。集合流路52之上游端52u之寬度W2，係各上游流路48A~48D之下游端48d之直徑以上。集合流路52之下游端52d之寬度，係與狹縫吐出口34之寬度W1相等。

集合流路52之高度、即自集合流路52之下游端52d至集合流路52之上游端52u之鉛垂方向之距離，係較集合流路52之上游端52u之寬度W2大。集合流路52之朝向徑向Dr之長度，係較自第1上游流路48A之下游端48d至第4上游流路48D之下游端48d之朝徑向Dr之距離長。集合流路52之在徑向Dr上之兩端，係由噴嘴頭33封閉。

供給至各上游流路48A~48D之處理液，被供給至集合流路52內。由於狹縫吐出口34之寬度W1較窄，因此供給至各上游流路48A~48D之下游端48d之處理液之一部分，在到達狹縫吐出口34之前，於集合流路52內朝長邊方向擴散，剩餘之處理液，在集合流路52內不朝長邊方向擴散而自狹縫吐出口34吐出。因此，供給至上游流路48之處理液之一部分，與供給至其他之上游流路48之處理液，在集合流路52之內部或基板W與狹縫吐出口34之間之空間內混合。藉此，處理液被供給至狹縫吐出口34之全域或大致全域，於狹縫吐出口34與基板W之間形成朝徑向Dr延伸之帶狀液膜。

接著，參照圖21及圖22，對處理液供給系統詳細地進行說明。

處理液供給系統包含：藥液液槽41，其貯存藥液；藥液流路42，其對自藥液液槽41輸送之藥液進行導引；上游加熱 器43，其藉由以較室溫(例如20~30℃)高之上游溫度將藥液流路42內流動之藥液加熱，對藥液液槽41內之藥液之溫度進行調整；泵44，其將藥液液槽41內之藥液朝藥液流路42輸送；及循環流路40，其使藥液流路42內之藥液返回藥液液槽41。

處理液供給系統，包含開閉藥液流路42之供給閥45、開閉循環流路40之循環閥46、及連接於藥液流路42之供給流路47。上游切換單元包含供給閥45。

處理液供給系統，其包含：複數之上游流路48，其將自供給流路47供給之藥液朝狹縫吐出口34導引；及集合流路52，其將自複數之上游流路48供給之藥液供給至狹縫吐出口34。處理液供給系統，還包含：複數之流量計49，其對複數之上游流路48內流動之液體之流量進行檢測；複數之流量調整閥50，其用以變更複數之上游流路48內流動之液體之流量；及複數之吐出閥51，其分別開閉複數之上游流路48。雖未圖示，流量調整閥50包含開閉流路之閥本體、及變更閥本體之開啟程度之致動器。致動器可為氣壓式致動器或電動致動器，也可為這些以外之致動器。

處理液供給系統包含複數之下游加熱器53，這些下游加熱器53係以較上游溫度高之下游溫度對第1上游流路48A以外之複數之上游流路48內流動之藥液進行加熱。處理液供給系統還包含：複數之返回流路54，其等係於較複數之下游加熱器53更下游之位置分別連接於第1上游流路48A以外之複數之上游流路48；及複數之返回閥55，其等分別開閉複數之返回流路54。下游切換單元包含複數之吐出閥51及複數之返回閥55。

處理液供給系統包含：冷卻器56，其對自複數之返 回流路54供給之藥液進行冷卻；及液槽回收流路57，其將藥液自冷卻器56朝藥液液槽41導引。自複數之返回流路54供給至冷卻器56之藥液，藉由冷卻器56冷卻至接近上游溫度之後，經由液槽回收流路57被導引至藥液液槽41。冷卻器56可為水冷單元或空冷單元，也可為這些以外之冷卻單元。

接著，參照圖21，對狹縫吐出口34將藥液吐出之吐出狀態之處理液供給系統進行說明。圖21中，以黑色顯示開啟中之閥，以白色顯示關閉中之閥。

藥液液槽41內之藥液，係藉由泵44被輸送至藥液流路42。藉由泵44輸送之藥液，經上游加熱器43加熱之後，自藥液流路42朝供給流路47流動，且自供給流路47流入複數之上游流路48。供給至複數之上游流路48之藥液，經由集合流路52自複數之上游流路48被供給至狹縫吐出口34。藉此，供給至複數之上游流路48之藥液，自狹縫吐出口34朝基板W之上表面吐出。

供給至第1上游流路48A以外之複數之上游流路48之藥液，在被供給至狹縫吐出口34之前，藉由下游加熱器53所加熱。藉由下游加熱器53加熱之處理液之加熱溫度(下游溫度)，係較由上游加熱器43加熱之處理液之加熱溫度(上游溫度)高。第2~第4下游溫度，係依第2~第4下游溫度之順序依序增高。因此，供給至第1上游流路48A~第4上游流路48D之下游端48d(參照圖25)之藥液之溫度，係依第1上游流路48A~第4上游流路48D之順序逐級增加。

接著，參照圖22，對來自狹縫吐出口34之藥液之吐出已被停止之吐出停止狀態的處理液供給系統進行說明。圖22中， 以黑色顯示開啟中之閥，且以白色顯示關閉中之閥。

藥液液槽41內之藥液，藉由泵44被朝藥液流路42輸送。藉由泵44輸送之藥液之一部分，經上游加熱器43加熱之後，經由循環流路40返回藥液液槽41。藉由泵44輸送之剩餘之藥液，自藥液流路42朝供給流路47流動，且自供給流路47朝第1上游流路48A以外之複數之上游流路48流動。

第2上游流路48B內之藥液，藉由與第2上游流路48B對應之下游加熱器53加熱之後，經由返回流路54朝冷卻器56流動。第3上游流路48C及第4上游流路48D，也與第2上游流路48B同樣。供給至冷卻器56之藥液，被冷卻器56冷卻之後，經由液槽回收流路57返回藥液液槽41。藉此，藉由泵44被輸送至藥液流路42之所有藥液，返回藥液液槽41。

處理液之溫度，有時會對基板W之處理帶來極大之影響。若於吐出停止中使下游加熱器53停止，當重新開始下游加熱器53之運轉時，藉由下游加熱器53加熱之處理液之溫度，在穩定至預定目標溫度之前需要時間。因此，不能立即重新開始處理液之吐出，其生產率降低。

如前述，即使於吐出停止中，仍繼續使藥液在下游加熱器53流動，而使下游加熱器53將藥液加熱。藉此，下游加熱器53之溫度可維持於穩定之狀態。並且，由於藉由下游加熱器53加熱之藥液返回藥液液槽41，因此可降低藥液之消費量。而且，由於藉由冷卻器56冷卻之藥液被送返藥液液槽41，因此可抑制藥液液槽41內之藥液之溫度之變動。

接著，對藉由基板處理裝置1執行之基板W之處理 之一例進行說明。以下之各動作，藉由控制裝置3對基板處理裝置1進行控制而被執行。以下，參照圖23及圖24。並且適宜地參照圖7。

於藉由處理單元2對基板W進行處理時，複數個噴嘴26自旋轉夾頭11之上方退避，且於防濺護罩17位於下方位置之狀態下，藉由搬送機器人之機械手臂(未圖示)將基板W搬入處理腔7內。藉此，以表面向上之狀態將基板W放置於複數之夾持銷13上。然後，搬送機器人之機械手臂自處理腔7之內部退避，且以擋門9將處理腔7之搬入搬出口8a關閉。

於基板W被放置於複數之夾持銷13上之後，複數之夾持銷13壓抵於基板W之周緣部，藉由複數之夾持銷13保持基板W。此外，護罩昇降單元18使防濺護罩17自下方位置朝上方位置移動。藉此，防濺護罩17之上端被配置於較基板W更上方。然後，驅動旋轉馬達14，開始基板W之旋轉。藉此，基板W以規定之液處理速度(例如數百rpm)進行旋轉。

接著，噴嘴移動單元24使複數個噴嘴26自待機位置朝處理位置移動。藉此，噴嘴頭33於俯視時為與基板W重疊。然後，控制複數之吐出閥51等，自複數個噴嘴26同時吐出藥液(圖7之步驟S1)。複數個噴嘴26，係於噴嘴移動單元24使複數個噴嘴26於靜止之狀態下吐出藥液。當複數之吐出閥51被開啟後經過了規定時間，則同時停止自複數個噴嘴26之藥液之吐出(圖7之步驟S2)。然後，噴嘴移動單元24使複數個噴嘴26自處理位置朝待機位置移動。

自複數個噴嘴26吐出之藥液，同時著液於基板W之 上表面內之直線狀之區域(參照圖27)。複數個噴嘴26朝旋轉之基板W之上表面吐出藥液。因此，基板W與直線狀之區域之相對位置關係，藉由基板W之旋轉而變化。藉此，藥液著液於基板W之上表面全域。如此一來，藥液被供給至基板W之上表面全域，在基板W上形成覆蓋基板W之上表面全域之藥液之液膜。藉此，以藥液對基板W之上表面全域進行處理。此外，基板W上之藥液，自基板W之上表面周緣部朝基板W之周圍飛散，且被防濺護罩17之內周面接取。

於停止來自複數個噴嘴26之藥液之吐出後，開啟清洗液閥23，開始來自清洗液噴嘴21之清洗液(純水)之吐出(圖7之步驟S3)。藉此，基板W上之藥液被清洗液沖洗，形成覆蓋基板W之上表面全域之清洗液之液膜。當清洗液閥23被開啟後經過了規定時間，則將清洗液閥23關閉，停止來自清洗液噴嘴21之清洗液之吐出(圖7之步驟S4)。

來自清洗液噴嘴21之清洗液之吐出被停止之後，藉由旋轉馬達14使基板W朝旋轉方向加速，以較液處理速度大之乾燥速度(例如數千rpm)使基板W旋轉(圖7之步驟S5)。藉此，附著於基板W之清洗液被朝基板W之周圍甩出，從而對基板W進行乾燥。當基板W之高速旋轉開始後經過了規定時間，則停止旋轉馬達14及基板W之旋轉。

基板W之旋轉停止之後，護罩昇降單元18使防濺護罩17自上方位置朝下方位置移動。並且，將藉由複數之夾持銷13之對基板W之保持解除。搬送機器人使複數個噴嘴26自旋轉夾頭11之上方退避，於防濺護罩17位於下方位置之狀態下，使機械手 臂進入處理腔7之內部。然後，搬送機器人藉由機械手臂取下旋轉夾頭11上之基板W，將基板W自處理腔7內搬出。

圖28為顯示基板W之蝕刻量之分佈之曲線圖。

圖28所示之測量值A~測量值B之基板W之處理條件，除了吐出藥液之噴嘴外皆相同。

測量值A顯示一面使拆卸了噴嘴頭33之複數個噴嘴26靜止，一面使複數個噴嘴26吐出藥液，而對基板W進行蝕刻時之蝕刻量之分佈。亦即，測量值A顯示使分別設置於4個噴嘴本體27之4個吐出口(相當於第1上游流路48A~第4上游流路48D之下游端48d者)吐出藥液時之蝕刻量之分佈。

測量值B顯示僅使一個吐出口(相當於第1上游流路48A之下游端48d者)吐出藥液，且將藥液之著液位置固定於基板W之上表面中央部時之蝕刻量之分佈。

於測量值B中，蝕刻量隨著自基板W之中央部遠離而減少，蝕刻量之分佈顯示山峰形之曲線。亦即，蝕刻量在藥液之著液位置最大，隨著自著液位置遠離而逐漸減少。相對於此，與測量值B相比，於測量值A中，基板W之中央部以外之位置上之蝕刻量有增加，從而可大幅改善蝕刻之均勻性。

於測量值A中形成有7個山峰。正中間之山峰之頂點，係與最內側之著液位置對應之位置，其外側之2個山峰之頂點，係與自內側算起排在第2之著液位置對應之位置。更外側之2個山峰之位置，係與自內側算起排在第3之著液位置對應之位置，最外側之2個山峰之位置，係與自內側算起排在第4之著液位置對應之位置。

如此，若使藥液自排列於徑向Dr之複數之吐出口朝基板W之上表面吐出，則藥液著液於遠離徑向Dr上之複數個著液位置。著液位置上之蝕刻率，係較鄰接之2個著液位置之間之位置上之蝕刻率高。所以，處理之均勻性會降低。因此，藉由使自狹縫吐出口34被吐出之藥液著液於在徑向Dr連續之直線狀之區域，可防止此種均勻性之降低。

如上述，本實施形態中，處理液自供給流路47被供給至所有之上游流路48，且自所有之上游流路48被供給至集合流路52。供給至集合流路52之處理液，自狹縫吐出口34朝基板W之上表面吐出。藉此，在基板W之上表面中央部與基板W之上表面周緣部之間沿徑向Dr延伸之帶狀之液膜，於狹縫吐出口34與基板W之間形成，且著液於基板W之上表面內之直線狀之區域。因此，與使處理液自排列於徑向Dr之複數之吐出口吐出之情況比較，可提高處理之均勻性。

此外，供給至第1上游流路48A~第4上游流路48D之下游端48d之處理液之溫度，隨著旋轉軸線A1至下游端48d之距離增加而昇高。於複數之下游端48d之正下方之位置，使與供給至複數之下游端48d之處理液相同或大致相同之溫度之處理液著液。相對於此，供給至鄰接之2個複數之下游端48d之處理液之混合液，著液於上述正下方之位置之間之位置。亦即，相互不同溫度之處理液被供給至鄰接之2個複數之下游端48d，此2個溫度之間之溫度之處理液，著液於上述正下方之位置之間之位置。

如此，狹縫吐出口34之各位置上之處理液之溫度，隨著自旋轉軸線A1分離而逐級或連續地增加，與使均勻之溫度之 處理液自狹縫吐出口34吐出之情況比較，可提高在基板W上之處理液之溫度之均勻性。藉此，可進一步提高處理之均勻性。因此，與僅使處理液著液於基板W之上表面中央部之情況比較，可降低供給至基板W之處理液之消費量，並可提高處理之均勻性。

此外，本實施形態中，狹縫吐出口34俯視為與基板W之上表面中央部及上表面周緣部重疊。自狹縫吐出口34吐出之處理液，同時著液於包含基板W之上表面中央部及上表面周緣部之直線狀之區域。狹縫吐出口34朝旋轉之基板W之上表面吐出處理液。基板W與直線狀之區域之相對之位置關係，隨基板W之旋轉而變化。藉此，處理液著液於基板W之上表面全域，因此可提高處理之均勻性。

此外，本實施形態中，由於狹縫吐出口34之寬度W1較窄，因此供給至上游流路48之處理液之一部分，在到達狹縫吐出口34之前，於集合流路52內朝長邊方向擴散；供給至上游流路48之剩餘之處理液，在集合流路52內不朝狹縫吐出口34之長邊方向擴散而到達狹縫吐出口34。因此，處理液之一部分，與供給至其他之上游流路48之處理液，在集合流路52之內部或基板W與狹縫吐出口34之間之空間內混合。藉此，可使供給至基板W之處理液之溫度，隨著自旋轉軸線A1分離而逐級地或連續地增加。

此外，本實施形態中，複數之臂部28之前端28a，於俯視時為排列於徑向Dr(參照圖24)。若以俯視時為使複數之臂部28之前端28a排列於徑向Dr之方式將相同長度之複數個噴嘴26排列在與長邊方向D1正交之水平方向，則複數個噴嘴26整體之寬度增加(參照圖9)。若以俯視時為使複數之臂部28之前端28a排列 於徑向Dr之方式將長度不同之複數個噴嘴26排列於鉛垂方向，則複數個噴嘴26整體之高度增加(參照圖29A及圖29B)。

相對於此，本實施形態中，將複數之臂部28排列在與長邊方向D1正交之水平排列方向D2。並且，以複數之臂部28之前端28a自旋轉軸線A1側起依第1噴嘴26A~第4噴嘴26D之順序排列於長邊方向D1上之方式，使複數之臂部28之前端28a在長邊方向D1錯位排列(參照圖24)。藉此，，可抑制複數個噴嘴26整體之寬度及高度之兩者，並且俯視為可將第1噴嘴26A~第4噴嘴26D之前端28a排列於徑向Dr。

此外，本實施形態中，複數之上游流路48之上游端被配置於流體箱5內。供給流路47係於流體箱5內分歧成複數之上游流路48。因此，與供給流路47在較流體箱5更上游之位置分歧成複數之上游流路48之情況比較，可縮短各上游流路48之長度(液體流動之方向之長度)。藉此，可抑制因自處理液朝上游流路48之傳熱而導致處理液之溫度降低。

本發明不限上述實施形態之內容，可於本發明之範圍內進行各種之變更。

例如，於上述實施形態中，對噴嘴26之數量為4個之情況進行了說明，但噴嘴26之數量，也可為2或3個，或者也可為5個以上。

上述實施形態中，對狹縫吐出口34朝相對於基板W之上表面垂直之吐出方向吐出處理液之情況進行了說明，但狹縫吐出口34也可朝相對於基板W之上表面傾斜之吐出方向吐出處理液。

上述實施形態中，對狹縫吐出口34之寬度W1為恆定之情況進行了說明，但狹縫吐出口34之寬度W1不必恆定。例如，狹縫吐出口34之寬度W1，也可隨著自旋轉軸線A1分離而逐級或連續地增加。

上述實施形態中，對噴嘴頭33連接於所有之噴嘴(第1噴嘴26A~第4噴嘴26D)之情況進行了說明，但4個噴嘴之1或2個，也可不連接於噴嘴頭33。例如，如圖30所示，噴嘴頭33也可僅連接於第2噴嘴26B~第4噴嘴26D。該情況下，供給至第1噴嘴26A之處理液，自第1上游流路48A之下游端48d朝基板W之上表面中央部吐出。

上述實施形態中，對利用冷卻器56將朝藥液液槽41返回而流經返回流路54之藥液冷卻之情況進行了說明，但也可省略冷卻器56。

控制裝置3也可使吐出停止狀態時自供給流路47供給至複數之上游流路48之處理液之流量，減少為較吐出狀態時自供給流路47供給至複數之上游流路48之處理液之流量少。該情況下，由於吐出停止中自返回流路54返回藥液液槽41之藥液之流量減少，因此能降低供給至藥液液槽41內之藥液之熱量，可抑制液溫之變動。

上述實施形態中，對使吐出停止中藉由下游加熱器53加熱之液體，自上游流路48流動至返回流路54之情況進行了說明，但於吐出停止中使下游加熱器53停止之情況，也可省略返回流路54。

上述實施形態中，對不於第1上游流路48A設置下 游加熱器53，而於第1上游流路48A以外之所有上游流路48設置下游加熱器53之情況進行了說明，但也可於包含第1上游流路48A之所有上游流路48設置下游加熱器53。

上述實施形態中，對一面使複數個噴嘴26靜止，一面使複數個噴嘴26吐出藥液之情況進行了說明，但也可一面使複數個噴嘴26繞噴嘴轉動軸線A2轉動，一面使複數個噴嘴26吐出藥液。

上述實施形態中，對設置有將藥液供給至供給流路47之藥液流路42之情況進行了說明，但也可設置將液體供給至供給流路47之複數之處理液流路。

例如，也可將第1液體自第1液體流路供給至供給流路47，且將第2液體自第2液體流路供給至供給流路47。此情況下，第1液體及第2液體，在供給流路47中被混合，因此，包含第1液體及第2液體之混合液，自供給流路47被供給至複數之上游流路48。第1液體及第2液體，可為相同種類之液體，也可為不同種類之液體。第1液體及第2液體之具體例，係硫酸與過氧化氫之組合、及TMAH與純水之組合。

控制裝置3也可藉由根據處理前之薄膜之厚度來控制供給至基板W之上表面之各部分之處理液之溫度，將處理後之薄膜之厚度均勻化。

圖14為顯示處理前後之薄膜之厚度與供給至基板W之處理液之溫度圖像之曲線圖。圖14之一點鏈線顯示處理前之膜厚，圖14之二點鏈線顯示處理後之膜厚。圖14之實線顯示供給至基板W之處理液之溫度。圖14之橫軸顯示基板W之半徑。處理前 之膜厚，可自基板處理裝置1以外之裝置(例如主機)輸入基板處理裝置1，也可藉由設於基板處理裝置1之測量儀器進行測量。

於圖14所示之例子之情況，控制裝置3也可控制基板處理裝置1，以使處理液之溫度與處理前之膜厚同樣地變化。具體而言，控制裝置3也可控制複數之下游加熱器53，以使複數之上游流路48之處理液之溫度成為與處理前之膜厚對應之溫度。

此情況下，朝處理前之膜厚相對較厚之位置供給相對較高溫之處理液，且朝處理前之膜厚相對較薄之位置供給相對較低溫之處理液。形成於基板W之表面薄膜之蝕刻量，於被供給有高溫之處理液之位置相對地增加，且於被供給有低溫之處理液之位置相對地減少。因此，可使處理後之薄膜之厚度均勻化。

也可組合2個以上之前述之所有構成。也可組合2個以上之前述之所有步驟。

也可將某實施形態之特徵添加於其他之實施形態。

本申請案係與2015年2月18日向日本國專利廳提出之特願2015-029843號、2015年2月25日向日本國專利廳提出之特願2015-035519號、2015年2月25日向日本國專利廳提出之特願2015-035520號、2015年2月25日向日本國專利廳提出之特願2015-035521號、2015年3月26日向日本國專利廳提出之特願2015-064802號對應，這些申請案之全部揭示內容被引用及組入本說明書中。

雖對本發明之實施形態詳細地進行了說明，但這些僅是為了瞭解本發明之技術內容而採用之具體例而已，本發明不應被解釋為侷限於這些具體例，本發明之精神及範疇只能藉由添附之申 請專利範圍所限定。

1‧‧‧基板處理裝置

2‧‧‧處理單元

3‧‧‧控制裝置

4‧‧‧框體

5‧‧‧流體箱

6‧‧‧貯存箱

7‧‧‧處理腔

26A‧‧‧第1噴嘴

26B‧‧‧第2噴嘴

26C‧‧‧第3噴嘴

26D‧‧‧第4噴嘴

34‧‧‧吐出口

34A‧‧‧第1吐出口

40‧‧‧循環流路

41‧‧‧藥液液槽

42‧‧‧藥液流路

43‧‧‧上游加熱器

44‧‧‧泵

45‧‧‧供給閥

46‧‧‧循環閥

47‧‧‧供給流路

48‧‧‧上游流路

48A‧‧‧第1上游流路

48B‧‧‧第2上游流路

48C‧‧‧第3上游流路

48D‧‧‧第4上游流路

49‧‧‧流量計

50‧‧‧流量調整閥

51‧‧‧吐出閥

52‧‧‧下游流路

53‧‧‧下游加熱器

54‧‧‧返回流路

55‧‧‧返回閥

56‧‧‧冷卻器

57‧‧‧液槽回收流路

W‧‧‧基板

Claims (17)

1. 一種基板處理裝置，其包含：基板保持單元，其一面水平地保持基板，一面使基板繞通過基板之中央部之鉛垂旋轉軸線旋轉；及處理液供給系統，其包含供給流路、複數之上游流路、複數之下游流路及複數之吐出口，且朝保持於上述基板保持單元之基板供給處理液，上述供給流路將處理液朝上述複數之上游流路導引，上述複數之上游流路，係自上述供給流路分歧，且將自上述供給流路供給之處理液朝上述複數之吐出口導引，上述複數之吐出口包含：主吐出口，其朝上述基板之上表面中央部吐出處理液；及複數之副吐出口，其自上述上表面中央部分離，分別朝離上述旋轉軸線之距離不同之、上述基板之上表面內之複數個位置吐出處理液；且上述複數之吐出口分別被配置於離上述旋轉軸線之距離不同之複數個位置，將經由上述複數之上游流路供給之處理液朝保持於上述基板保持單元之基板之上表面吐出，上述複數之上游流路包含：主上游流路，其僅連接於上述主吐出口；及複數之副上游流路，其經由上述複數之下游流路而連接於上述複數之副吐出口，上述複數之副上游流路，均為分歧成上述複數之下游流路之分歧上游流路，且於每個上述下游流路設置有上述副吐出口。
2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述處理液供給系統係進一步包含上游加熱器及複數之下游加熱器，上述上游加熱器係以上游溫度對供給至上述供給流路之處理液 進行加熱，上述複數之下游加熱器係分別連接於上述複數之副上游流路，且以較上述上游溫度高溫之下游溫度對流經上述複數之副上游流路之處理液進行加熱。
3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述處理液供給系統係進一步包含複數之返回流路、複數之下游加熱器及下游切換單元，上述複數之返回流路係於較上述複數之副吐出口更上游之位置分別連接於上述複數之副上游流路，上述複數之下游加熱器係於較上述返回流路與上述副上游流路之連接位置更上游之位置分別連接至上述複數之副上游流路，且對流經上述複數之副上游流路之液體進行加熱，上述下游切換單元係在以下之複數個狀態之任一者間進行切換：自上述供給流路供給至上述複數之上游流路之液體，被供給至上述複數之吐出口之吐出狀態；及自上述供給流路供給至上述複數之上游流路之液體，被供給至上述複數之返回流路之吐出停止狀態。
4. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述基板處理裝置係進一步包含收納被保持於上述基板保持單元之基板之處理腔，上述分歧上游流路係於上述處理腔內分歧成上述複數之下游流路。
5. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述處理液供給系統係進一步包含第1噴嘴及第2噴嘴，上述複數之吐出口係包含設置於上述第1噴嘴之第1吐出口、及 設置於上述第2噴嘴之第2吐出口，且俯視時為排列在與上述旋轉軸線正交之徑向上，上述第1噴嘴包含於水平之長邊方向延長之第1臂部、及自上述第1臂部之前端朝下方延長之第1前端部，上述第2噴嘴包含於上述長邊方向延長之第2臂部、及自上述第2臂部之前端朝下方延長之第2前端部，上述第1臂部及第2臂部係排列在與上述長邊方向正交之水平排列方向，上述第1臂部之前端與上述第2臂部之前端係於俯視時以上述第1臂部之前端位於上述旋轉軸線側之方式在上述長邊方向上分離。
6. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述複數之吐出口包含傾斜吐出口，該傾斜吐出口係以隨著朝保持於上述基板保持單元之基板之上表面接近而靠近上述旋轉軸線之方式，朝相對於上述基板之上表面傾斜之吐出方向吐出處理液。
7. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述基板處理裝置係進一步包含控制上述處理液供給系統之控制裝置，上述處理液供給系統進一步包含複數之吐出閥，上述複數之吐出口係包含第1吐出口、及被配置為相對於上述旋轉軸線而較上述第1吐出口遠之第2吐出口，上述複數之上游流路係包含朝上述第1吐出口導引處理液之第1上游流路、及朝上述第2吐出口導引處理液之第2上游流路，上述複數之吐出閥係包含開閉上述第1上游流路之第1吐出閥、及開閉上述第2上游流路之第2吐出閥，上述控制裝置係以上述第2吐出閥開啟之時間較上述第1吐出閥 開啟之時間長的方式，開啟上述第1吐出閥及第2吐出閥，然後將上述第1吐出閥及第2吐出閥關閉。
8. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述處理液供給系統係進一步包含噴嘴移動單元及吐出位置調整單元，上述噴嘴移動單元係使上述複數之吐出口及上述吐出位置調整單元，在俯視時為上述複數之吐出口與上述基板重疊之處理位置、與俯視時為上述複數之吐出口與上述基板不重疊之待機位置之間水平移動，上述吐出位置調整單元係使上述複數之吐出口朝與藉由上述噴嘴移動單元移動之上述複數之吐出口之移動方向不同之水平調整方向移動。
9. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述處理液供給系統進一步包含噴嘴移動單元，該噴嘴移動單元係在上述基板保持單元使基板旋轉，且上述複數之吐出口朝上述基板之上表面吐出處理液之狀態下，藉由使上述複數之吐出口擺動，使上述旋轉軸線至上述複數之吐出口之距離變化。
10. 一種基板處理裝置，其包含：基板保持單元，其一面水平地保持基板，一面使基板繞通過基板之中央部之鉛垂之旋轉軸線旋轉；處理液供給系統，其包含供給流路、複數之上游流路、及複數之吐出口，且朝保持於上述基板保持單元之基板供給處理液；及氣體供給單元，其包含複數之氣體吐出口，且朝保持於上述基板保持單元之基板供給氣體，上述供給流路將處理液朝上述複數之上游流路導引， 上述複數之上游流路係自上述供給流路分歧，且將自上述供給流路供給之處理液朝上述複數之吐出口導引，上述複數之吐出口包含：主吐出口，其朝上述基板之上表面中央部吐出處理液；及複數之副吐出口；且上述複數之吐出口分別被配置於離上述旋轉軸線之距離不同之複數個位置，將經由上述複數之上游流路供給之處理液朝保持於上述基板保持單元之基板之上表面吐出，上述複數之上游流路包含：主上游流路，其連接於上述主吐出口；及複數之副上游流路，其連接於上述複數之副吐出口，上述複數之氣體吐出口係分別配置於離上述旋轉軸線之距離不同之複數個位置，將較室溫高溫之氣體朝被保持於上述基板保持單元之基板之上表面吐出，上述複數之吐出口朝保持於上述基板保持單元之基板之上表面內之複數個著液位置吐出處理液，上述複數之副吐出口分別朝上述複數個著液位置中，自上述上表面中央部分離，離上述旋轉軸線之距離不同之複數個位置吐出處理液，上述複數之氣體吐出口朝保持於上述基板保持單元之基板之上表面內之複數個噴吹位置吐出氣體，上述複數個著液位置與上述複數個噴吹位置，係以上述噴吹位置位於鄰接之2個上述著液位置之間之方式，在與上述旋轉軸線正交之徑向上錯位排列。
11. 如請求項10之基板處理裝置，其中，上述處理液供給系統係進一步包含複數之下游流路， 上述複數之副上游流路均為分歧成上述複數之下游流路之分歧上游流路，且於每個上述下游流路設置有上述副吐出口。
12. 如請求項11之基板處理裝置，其中，上述基板處理裝置係進一步包含收納被保持於上述基板保持單元之基板之處理腔，上述分歧上游流路係於上述處理腔內分歧成上述複數之下游流路。
13. 如請求項10之基板處理裝置，其中，上述處理液供給系統係進一步包含上游加熱器及複數之下游加熱器，上述上游加熱器係以上游溫度對供給至上述供給流路之處理液進行加熱，上述複數之下游加熱器係於較上述複數之副吐出口更上游之位置分別連接於上述複數之副上游流路，且以較上述上游溫度高溫之下游溫度對流經上述複數之副上游流路之處理液進行加熱。
14. 如請求項10之基板處理裝置，其中，上述處理液供給系統係進一步包含複數之返回流路、複數之下游加熱器及下游切換單元，上述複數之返回流路係於較上述複數之副吐出口更上游之位置分別連接於上述複數之副上游流路，上述複數之下游加熱器係於較上述返回流路與上述副上游流路之連接位置靠上游之位置分別連接於上述複數之副上游流路，且對流經上述複數之副上游流路之處理液進行加熱，上述下游切換單元係在以下之複數個狀態之任一者間進行切換：自上述供給流路供給至上述複數之上游流路之處理液，被供給至上述複數之吐出口之吐出狀態；及自上述供給流路供給至上述複數之上游流路之處理液，被供給至上述複數之返回流路之吐出停止 狀態。
15. 如請求項10之基板處理裝置，其中，上述處理液供給系統係進一步包含第1噴嘴及第2噴嘴，上述複數之吐出口係包含設置於上述第1噴嘴之第1吐出口、及設置於上述第2噴嘴之第2吐出口，且俯視時為排列在與上述旋轉軸線正交之徑向，上述第1噴嘴包含於水平之長邊方向延長之第1臂部、及自上述第1臂部之前端朝下方延長之第1前端部，上述第2噴嘴包含於上述長邊方向延長之第2臂部、及自上述第2臂部之前端朝下方延長之第2前端部，上述第1臂部及第2臂部係排列在與上述長邊方向正交之水平排列方向，上述第1臂部之前端與上述第2臂部之前端係於俯視時以上述第1臂部之前端位於上述旋轉軸線側之方式在上述長邊方向上分離。
16. 一種基板處理裝置，其包含：基板保持單元，其一面水平地保持基板，一面使基板繞通過基板之中央部之鉛垂旋轉軸線旋轉；及處理液供給系統，其包含供給流路、複數之上游流路、複數之下游加熱器、集合流路、及狹縫吐出口，且朝保持於上述基板保持單元之基板供給處理液，上述供給流路係分岐成上述複數之上游流路，將處理液朝上述複數之上游流路導引，上述複數之上游流路包含：複數之副上游流路，其具有於俯視時為排列在與上述旋轉軸線正交之徑向之複數之副下游端；及主上游 流路，其具有配置於較上述複數之副下游端更靠上述旋轉軸線側之主下游端，上述複數之下游加熱器係分別連接於上述複數之副上游流路，且以供給至上述複數之副下游端之處理液之溫度隨著上述旋轉軸線至上述副下游端之距離增加而增高之方式，對流經上述複數之副上游流路之處理液進行加熱，上述集合流路之上游端係連接於上述複數之副上游流路之上述副下游端，上述集合流路之上述上游端之寬度，係上述副上游流路之上述副下游端之寬度以上，上述集合流路之寬度，係自上述集合流路之上述上游端至上述集合流路之下游端減少，上述狹縫吐出口係於較上述複數之副上游流路更下游之位置連接於上述集合流路，且俯視時為於上述基板之上表面中央部與上述基板之上表面周緣部之間徑向延伸之狹縫狀，將自上述集合流路供給之處理液朝上述基板之上表面吐出。
17. 如請求項16之基板處理裝置，其中，上述狹縫吐出口係於俯視時為自上述基板之上表面中央部沿徑向延長至上述基板之上表面周緣部。

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