TWI508819B - 監控玻璃板拋光狀態之裝置與方法 - Google Patents

Description

監控玻璃板拋光狀態之裝置與方法

本申請案主張於2010年3月11日於韓國提申之第10-2010-0021658號韓國專利申請案，其全部內容合併於此以供參酌。

本發明係關於一種監控玻璃板拋光狀態之裝置與方法以及一種含其之拋光機，尤指一種監控玻璃板拋光狀態之裝置與方法，其可在使用拋光機進行玻璃板拋光的過程中判定不良的拋光狀態，並可提供對應訊息，以及一種含其之拋光機。

一般而言，液晶顯示器使用之玻璃或玻璃板，非常重要的重點在於保持其某種程度的平坦度，如此可精確的顯現液晶顯示器的影像。據此，玻璃表面細微的起伏或不平整皆應經由拋光移除。

傳統玻璃板拋光裝置包括：具拋光墊之上單元(或上板)與待置放玻璃板之下單元(或下板)，其中上單元之拋光墊與下單元之玻璃板接觸，且在自由落體式供應拋光溶液至上單元時，下單元持續轉動，使拋光墊研磨玻璃板。或者，玻璃板拋光裝置可包括：待固定玻璃板之上單元，以及具拋光墊之下單元，其中在供應拋光溶液至玻璃板時，拋光墊可研磨玻璃板。

不過，使用傳統拋光裝置進行的玻璃板拋光，在拋光期間有辨識拋光狀態的困難，例如難以在被拋光的玻璃板上精確辨識是否有汙染或刮傷等缺陷，以及若玻璃板上有任何缺陷時，難以辨識缺陷在何處。此外，在拋光期間也難以清楚辨識拋光溶液是大量供應還是小量供應，是否有施加適當的拋光壓力，以及拋光墊耗損程度等等。另外，亦難以辨識拋光裝置中玻璃板損壞與否，以及若玻璃板上有任何損壞時，損壞部分位於何處。

尤其，隨著玻璃板量化與更大尺寸的趨勢，更難以個別監控各個玻璃板的拋光狀態。

若沒有在拋光期間確實監控玻璃板拋光狀態，會減少玻璃板拋光效率，且操作者無法在缺陷出現時做適當的反應。例如，當髒污或刮傷等缺陷沒有移除，但已達到預定之拋光時間後中止拋光，則無法達到拋光效果。反之，當拋光動作持續達預定之拋光時間甚至到缺陷移除後，則會減少拋光效率且浪費時間及成本。再者，因沒有良好的監控而忽略玻璃板上特定位置的缺陷，將會影響玻璃板的後續製程。此外，當拋光溶液的供應量過多時，拋光墊將不會有摩擦力，而當拋光溶液的供應量過少時，則無法獲得拋光溶液的效用。據此，當不適量供應拋光溶液時，無法獲得拋光溶液的拋光效率。另外，當拋光墊的磨損度沒有受監測時，難以精確決定拋光墊的替換週期。況且，當拋光機的拋光壓力適當與否或玻璃板損壞與否沒有受監測時，只能在看到經拋光玻璃板後才能確認拋光狀態，此將會浪費時間與成本。

為了解決上述問題而完成本發明，因此本發明的目的在於提供一種可快速且精確監測拋光過程中玻璃板拋光狀態之裝置及方法。

本發明其他特徵與優點將於下文呈現，且某種程度上可由該本發明之內容或實施了解或得知。本發明的特徵與優點尤其可由隨後之申請專利範圍所述的手段或組合來實現或獲得，且由後文與隨附的申請專利範圍或由本文所述之實施將更為清楚了解或得知本發明這些與其他特徵。

為達目的，本發明監控玻璃板拋光狀態的裝置可包括：一位置測量單元，用以測量該玻璃板上受該拋光機拋光之位置；一電流測量單元，用以測量流入該拋光機的電流；一記憶單元，用以儲存該玻璃板上各拋光位置之流入該拋光機之該電流參考值；以及一控制單元，針對該位置測量單元所測出之各拋光位置，比較電流測量單元所測得之電流值與該記憶單元所儲存之各拋光位置的電流對應參考值，用以判定拋光狀態是否不良。

為達目的，本發明玻璃板之拋光機可包括上述玻璃板拋光狀態之監控裝置。

為達目的，本發明監控玻璃板拋光狀態之方法可包括：(S1)儲存玻璃板各拋光位置上流入該拋光機之電流參考值；(S2)測量該玻璃板上受該拋光機拋光的位置；(S3)測量流入該拋光機的該電流；以及(S4)將各拋光位置之該電流測量值與各拋光位置之該電流對應參考值進行比較，用以判定拋光狀態是否不良。

本發明可以使用拋光機快速且精確監控拋光過程中玻璃板拋光狀態，因此操控員可根據前述所監測之拋光狀態，採取適當行動，以改善拋光效率。

尤其，根據本發明一具體實例，可以得知玻璃板上不良拋光狀態之精確位置，並提供對應位置的訊息，因此可根據拋該訊息調整拋光位置並對玻璃板上需要進一步進行拋光的位置執行拋光程序。此外，當雜質或刮痕等缺陷持續出現在玻璃板上特定位置時，可讓操控者了解有缺陷的部分並觀察到玻璃板製造過程中之問題，因此可根本解決導致玻璃板拋光效率減少之問題。

本發明另一具體實例可了解拋光過程中拋光溶液的供應量是否恰當，因此當拋光溶液供應量過多或不足時，可以適當減少或增加拋光溶液的供應量，使拋光溶液的拋光效率達到最佳。

本發明再一具體實例提供玻璃板需要之拋光時間的訊息，例如當預定拋光時間後仍有缺陷時，則可增加拋光時間至超過預定時間，而當預定拋光時間尚未到達時就已不含缺陷時，則可以減少拋光時間，因此可防止不必要的時間及成本浪費，同時改善玻璃板拋光過程的拋光效率。

根據本發明其他具體實例，可精確了解設置在拋光機上的拋光墊損害程度，故拋光墊可在適當時機置換。此外，也可了解拋光機的拋光壓力恰當與否，故可以在拋光壓力不恰當時調整拋光壓力至適當程度。再者，可了解拋光機上的玻璃板是否毀損，故可讓操作員在玻璃板上採取有效行動，例如不要拋光損壞嚴重的玻璃板。

下文將詳細敘述本發明。在敘述之前，應了解使用於本說明書及隨附的申請專利範圍之用語，不該被解釋為侷限在一般及字典上的意義，而是在發明人可適當定義用語的原則基礎上，基於對應於本發明之技術觀點作出最佳的解釋。

因此，此處描述僅是為說明用之較佳實施例，不應限制本發明之範疇，所以應瞭解的是，可作其他不悖離本發明精神及範疇的相等物及修飾。

圖1為本發明具體實例中監控玻璃板拋光狀態之裝置100的功能結構系統方塊圖。圖2為本發明具體實例中監控玻璃板拋光狀態之裝置100結合使用拋光機10之示意圖。

參考圖1及圖2，本發明具體實例中監控玻璃板拋光狀態之裝置100可包括位置測量單元110、電流測量單元120、記憶單元130、以及控制單元140。

位置測量單元110可測量玻璃板1受拋光機10拋光之位置，拋光機10可包括具有連接其拋光墊14(用於拋光玻璃板1)之上單元11、以及供承載待拋光玻璃板1之下單元12，如圖2所示。拋光機10之下單元12可轉動玻璃板1，上單元11可於平行移動時，使拋光墊14對玻璃板1前側表面進行拋光。

位置測量單元110尤其可連接至上單元11，測量玻璃板1受拋光之位置，亦即藉由感測上單元11之移動測量拋光位置，如圖2所示。不過，本發明不限於此，且位置測量單元110可用不同配置方式裝設，例如位置測量單元110可經由紅外光攝影機及類似產品感測上單元11之位置，以測量拋光位置。此外，可使用各式各樣之拋光位置測量元件作為本發明之位置測量單元110。

圖3顯示本發明具體實例中由拋光機10上方俯視位置測量單元110測量受拋光機10拋光之位置的配置。

參考圖3，玻璃板1可設置於拋光機10中且相對玻璃板1中心(c)順時針或逆時針旋轉。於此情況下，雖然圖3顯示玻璃板1似乎為圓形，但玻璃板1可具有各種不同的形狀，包括正方形。就算玻璃板1具有任何形狀，玻璃板1旋轉受拋光時，仍可用圓形代表，如圖3所示。此外，連接有拋光墊14之上單元11可在如上述旋轉之玻璃板1上水平位移。

此情況下，位置測量單元110可以使用由複數水平線與垂直線組成且覆蓋受拋光玻璃基板1全部面積之座標系統，測量受上單元11拋光之位置。於圖3的具體實例中，供檢測拋光位置的座標系統包括9條垂直線V1、V2、...、V9與9條水平線H1、H2、...、H9。位置測量單元110可藉由讀取水平線與垂直線相交點的座標來測定拋光位置，例如參照圖3所示，當上單元11中心(a)位於垂直線V7與水平線H3的相交點，位置測量單元110則將拋光位置指定為(V7,H3)的座標。當拋光位置使用座標系統代表時，雖然上單元11中心(a)不位在特定水平線與特定垂直線的相交點，但位置測量單元110仍可透過各種不同的方法來測定拋光位置，例如利用最密座標(closest coordinate)來標定拋光位置的座標。

上單元11可沿著相同或不同軌跡在玻璃板1上移動，且當使用座標測定拋光位置時，位置測量單元110則不會因上單元11之任何移動而影響其測定位置。

雖然圖3之具體實例顯示相對於上單元11中心(a)測量拋光位置，但本發明不限於此，例如可相對於上單元11另外位置測量拋光位置。此外，本發明也沒有限定於特定數量的水平線或垂直線及特定座標顯示方法。因此，位置測量單元110可使用座標系統(包含更多數量的水平線與垂直線)來更為精確測量及顯現位置。

圖4顯示本發明另一具體實例中由拋光機10上方俯視位置測量單元110測量受拋光機10拋光之位置的配置。

參考圖4，待拋光之玻璃板1可相對於玻璃板1中心(c)旋轉，且上單元11可沿著軌跡P移動。此情況下，軌跡P為上單元11中心(a)之軌跡，但此僅供說明用，且本領域通常知識者可輕易知悉該途經P可為上單元11另一部分的軌跡。

當上單元11沿著軌跡P移動時，位置測量單元110可使用先在軌跡P上一定間隔處設定之標記p1、p2、p3、p4、...測量拋光位置，如圖4所示。舉例而言，當上單元11中心(a)位於如圖4所示之標記p2時，位置測量單元110可測量且顯示拋光位置為「p2」。

圖5為顯示本發明再另一具體實例中由拋光機10上方俯視位置測量單元110測量受拋光機10拋光之位置的配置。

參考圖5，待拋光之玻璃板1可相對於玻璃板1中心(c)旋轉，且上單元11可沿著軌跡R來回移動，亦即連接玻璃板1中心(c)與玻璃板1邊緣某點之直線。雖然上單元11在玻璃板1部分區域移動，但因玻璃板1在轉動，故玻璃板1全部區域皆可受到拋光。在此情形下，軌跡R可為上單元11中心(a)之軌跡，類似圖4之軌跡P，不過本發明不限於此。

位置測量單元11可使用先在軌跡R上一定間隔處設定之標記r1、r2、r3、r4、...測量拋光位置，如圖5所示。舉例而言，當上單元11中心(a)位於如圖5所示之標記r3時，位置測量單元110可測量且顯示拋光位置為「r3」。

圖3至5僅供說明用，本發明可具有各種不同修飾與其他具體實施。舉例而言，可對上單元11之移動範圍、玻璃板1與上單元11之尺吋比例、標記與類似因素進行各種不同的修飾與改變。此外，本發明也可以使用各種不同於圖3至5具體實例所述之測量拋光位置的方法。

在位置測量單元110如上述測量拋光位置後，位置測量單元110可將所測得的拋光位置傳遞給控制單元140。

電流測量單元120可測量流入拋光機10之電流。在玻璃板1拋光期間，當受拋光之玻璃板1上存在雜質或刮痕等缺陷，或發生拋光狀況不良時，例如拋光溶液供應量過多或不足，則會改變拋光機10所需的電力。當拋光機10消耗的電力發生變化時，流入拋光機10的電流亦發生改變。因此，電流測量單元120可以測量流入拋光機10之電流，並將所測得的訊息傳遞給控制單元140。

較佳而言，電流測量單元120可測量流入拋光機10馬達單元13之電流。如圖2所示，拋光機10可具有馬達單元13，以提供設置在玻璃板1之下單元12的轉動力。當玻璃板1上存在雜質或刮痕等缺陷，或發生拋光狀況不良時，例如拋光溶液供應量不正常，則會直接改變馬達單元13所消耗的電力(更勝於拋光機10之其他元件)。因此，電流測量單元120較佳係測量流入馬達單元13之電流。

電流測量單元120可用各種不同的配置方式測量電流，例如電流測量單元120可藉由測定供應給電阻(設置在連接拋光機10之電流途徑上)之電壓來測量電流，尤其電流測量單元120可設置在連接拋光機10馬達單元13的電流途徑上來測量電流，如圖2所示。本發明不限於特定電流測量單元120的具體實例，且可以使用各種已知的電流測量單元。

記憶單元130可儲存玻璃板1上各拋光位置之電流(流入拋光機10)的參考值。此情況下，流入拋光機10之電流參考值，係指正常拋光條件下進行拋光時所測定到的流入拋光機10的電流值。舉例而言，參考值可為玻璃板1上不存在雜質或刮痕等缺陷時、或供應適當量的拋光溶液時之電流值。可在不具有雜質或刮痕之正常玻璃板1受拋光且供應適當量之拋光溶液時，反覆測試流入拋光機1之電流來獲得參考值。當然，參考值亦可用各種方法獲得。

較佳而言，玻璃板1上各拋光位置之電流參考值可以電流範圍來表示，例如參考值可為50至100[A]之預定參考值範圍，此係因為就算相同拋光條件下、相同玻璃板1上測得的電流，該電流的測量值仍會受環境影響，因此較佳是將參考值設定成可以容忍一定範圍誤差的預定參考範圍。

圖6為本發明一具體實例中記憶單元130所儲存之流入拋光機10的電流之部份參考值表。

參考圖6，當位置測量單元110使用座標系統代表玻璃板1之拋光位置，如圖3所示，則記憶單元130可根據拋光位置座標儲存參考值表。尤其，於圖6的具體實例中，流入拋光機10的電流參考值可以一預定參考範圍來表示。

圖7為本發明另一具體實例中記憶單元130所儲存之流入拋光機10的電流之部份參考值表。

參考圖7，當位置測量單元110將玻璃板1之拋光位置定為軌跡P上之任意點，如p1、p2...，如圖4所示，則記憶單元130可儲存各拋光位置電流之參考值表。此外，於圖7的具體實例中，流入拋光機10的電流參考值可以一參考範圍來表示，如同圖6具體實例之方法。

圖8為本發明再一具體實例中記憶單元130所儲存之流入拋光機10的電流之部份參考值表。

參考圖8，當位置測量單元110將玻璃板1之拋光位置定為軌跡R上之任意點，如r1、r2...，如圖5所示，則記憶單元130可儲存各拋光位置電流之參考值表。此情況下，記憶單元130亦能將流入拋光機10的電流參考值儲存為一參考範圍。

當電流測量單元12測量流入馬達單元13的電流時，記憶單元130可儲存流入馬達單元13之電流參考值。

圖1與圖2顯示記憶單元130似乎獨立於其他元件而存在，但此並不表示記憶單元130實際上獨立於其他元件，例如記憶單元130可與控制單元140整合一起。

控制單元140可將電流測量單元120針對位置測量單元110所測得之拋光位置進行測量而得之電流值，與記憶單元130所儲存的各拋光位置之電流參考值比較。換言之，可透過接收來自位置測量單元110之拋光位置訊息並接收來自電流測量單元120之流入拋光機10的電流訊息，以確認各拋光位置所測得的電流值。然後，控制單元140可將各拋光位置測得的電流值與記憶單元130所儲存的各拋光位置的對應參考值比較，因此控制單元140可根據比較結果判定拋光狀態是否有不正常。

如上所述，因為儲存於記憶單元130之參考值為拋光狀態正常之數值，故當各拋光位置測得的電流值與對應參考值相同或落入對應參考範圍時，則控制單元140會判定拋光狀態正常。反之，當各拋光位置測得的電流值與對應參考值不同或沒有落入對應參考範圍時，則控制單元140會判定拋光狀態不良。

舉例而言，假設儲存於記憶單元130之各拋光位置的參考值如圖6所示，且位置測量單元110量出拋光位置的座標為(V7,H3)，如圖3所示。此情況下，由圖6之參考值表所取得的對應拋光位置(V7,H3)之參考值落在58[A]與75[A]之間，因此當電流測量單元120測得的流入拋光機10之電流值落在58[A]至75[A]的參考範圍內，控制單元140可判定拋光狀態正常，但當電流值小於58[A]或大於75[A]時，控制單元140便會判定拋光狀態不良。

此實例中，拋光狀態可根據以下情況被判定為不良，例如玻璃板1上存在雜質或刮痕、拋光溶液供應量大於或小於適當量、因拋光機10之拋光墊14損耗造成拋光執行不良、拋光機的拋光壓力不適當、玻璃板1毀損、以及類似情況。

當電流測量單元120測量流入馬達單元120之電流值時，控制單元140可經由比較電流測量單元120所測得的電流值與儲存於記憶單元130之流入馬達單元120電流參考值，判定拋光狀態不良與否。

較佳而言，當控制單元140判定玻璃板1上特定位置的拋光狀態不良時，控制單元140可提供對應位置的訊息。舉例而言，圖3與6之具體實例中，當控制單元140判定拋光狀態不良時，控制單元140可提供不良拋光狀態的拋光位置座標(V7,H3)訊息給拋光機10或監視器等顯示單元(圖未示)，進而可由操控員檢查。

據此，該操控員可對玻璃板1之對應位置採取適當行動。當然，當玻璃板1上特定位置連續狀態不良時，操控員便可以檢查並修理玻璃板1或拋光機10之製造設備，以根本解決造成狀態不良之原因。

於此情況下，控制單元140可將不良拋光狀態之拋光位置的拋光位置調整訊息提供給拋光機10。舉例而言，當不良拋光狀態下的拋光座標為(V7,H3)，如圖3具體實例所示，則控制單元140可以控制拋光機10之上單元11移動至玻璃板1上座標為(V7,H3)的位置，並進一步拋光對應位置，因此當玻璃板1上特定拋光位置的拋光狀態不良時，若此不良拋光狀態係起自於雜質或刮痕，則控制單元140可將拋光位置調整訊息提供給拋光機10，藉此達到強而有效的拋光製程。

較佳而言，控制單元140可根據拋光狀態不良與否的判定，將拋光溶液調整訊息提供給拋光機10。

為了改善拋光過程中拋光效率，拋光機10可透過拋光溶液供應單元15提供拋光溶液至玻璃板1，如圖2所示。此情形下，當由拋光溶液供應單元15所供應的拋光溶液量大於或小於適當量時，無法獲得有效的拋光效率。因此，控制單元140可透過比較流入拋光機10的電流值與對應參考值，判定供應給玻璃板1之拋光溶液量適當與否。當然，當拋光溶液的供應量被判定為不適當時，控制單元140可將拋光溶液調整訊息提供給拋光機10，以適當調整拋光溶液的供應量。

於此實例中，當各拋光位置測得的電流值小於各拋光位置之電流參考值，控制單元140可判定拋光狀態不良並將拋光溶液調整訊息提供給拋光機10，以控制拋光機10減少拋光溶液的供應量。

當拋光溶液的供應量大於適當量時，上單元11的拋光墊14會在玻璃板1上過度滑動，且拋光機10所需的電力會減少，進而造成流入拋光機10的電流值小於正常拋光狀態。此情況下，可以透過減少拋光溶液的供應量來獲得拋光溶液的拋光效率，進而避免拋光墊14在玻璃板1上過度滑動。

此外，當各拋光位置測得的電流值大於各拋光位置電流參考值，控制單元140可將拋光溶液調整訊息提供給拋光機10，以控制拋光機10增加拋光溶液的供應量。當拋光溶液的供應量小於適當量，會增加上單元11之拋光墊14與玻璃板1之間的摩擦力，拋光機10所需的電力便會增加，進而造成流入拋光機10之電流值大於正常拋光狀態，其中可以透過增加拋光溶液至適當量來獲得拋光溶液的拋光效率。

舉例而言，假設記憶單元130所儲存之各拋光位置的電流參考值如圖7所示，且位置測量單元110於玻璃板1上所測得之拋光位置為p2，如圖4所示。對應拋光位置p2的電流參考範圍為60[A]與72[A]之間，如圖7所示。當電流測量單元120在拋光位置p2(位於上單元11之中心(a))測得的電流值小於參考範圍，亦即小於60[A]，則控制單元140可將拋光溶液調整訊息提供給拋光機10，以控制拋光機10減少拋光溶液的供應量。反之，當電流測量單元120在拋光位置p2測得的電流值大於72[A]，則控制單元140可將拋光溶液調整訊息提供給拋光機10，以控制拋光機10增加拋光溶液的供應量。

此外，控制單元140較佳可根據拋光狀態不良與否的判定，提供拋光時間調整訊息給拋光機10。

舉例而言，當預設拋光時間過後電流的測量值大於對應參考值時，控制單元140可判定拋光狀態不良。此情況下，控制單元140可控制拋光機10增加拋光時間，以供進一步拋光。反之，當預設拋光時間到達前電流的測量值相同於對應參考值或落入對應參考範圍時，控制單元140可判定拋光狀態正常。此情況下，控制單元140可以控制拋光機10中止拋光或減少拋光時間。

更具體而言，假設記憶單元130所儲存之各拋光位置的電流之參考值如圖8所示，且位置測量單元110於玻璃板1上所測得之拋光位置為r3，如圖5所示。對應拋光位置r3的電流參考範圍為56[A]與70[A]之間，如圖8所示。當預設拋光時間過後，在拋光位置r3測得的電流值超出56[A]至70[A]之參考範圍，則控制單元140可判定拋光狀態不良。此外，控制單元140可將拋光時間調整訊息提供給拋光機10，以控制拋光機10增加拋光時間。反之，當預設拋光時間到達前，在拋光位置r3測得的電流值落在56[A]至70[A]之參考範圍，則控制單元140可判定拋光狀態正常且可將拋光時間調整訊息提供給拋光機10，以控制拋光機10檢少拋光時間。

根據此具體實例，可根據拋光狀態彈性調整各玻璃板的玻璃板拋光時間。因此可在玻璃板1拋光過程節省時間及成本，同時改善使用玻璃板1的產品生產率。

此外，控制單元140較佳可根據拋光狀態不良與否之判定提供拋光墊置換訊息，例如當流入拋光機10之電流測量值小於記憶單元130所儲存之對應參考值，控制單元140可提供設置於拋光機10之拋光墊14需要更換的訊息給拋光機10或監測器等獨立顯示裝置，如此可讓操控員經由拋光機10或顯示裝置檢查訊息。當拋光墊14耗損時，拋光墊14與玻璃板1之間的磨擦力會降低，因此減少拋光機消耗的電力。

此外，控制單元140較佳可根據拋光狀態不良與否之判定將壓力調整訊息提供給拋光機10，例如當流入拋光機10之電流測量值小於記憶單元130所儲存之對應參考值，控制單元140則判定拋光壓力低於參考壓力，因此將拋光壓力調整訊息提供給拋光機10以增加拋光壓力。此情況下，拋光機10可調降上單元11至某程度，以增加拋光壓力。反之，當流入拋光機10之電流測量值大於記憶單元130所儲存之對應參考值，控制單元140則判定拋光壓力高於參考壓力，因此將拋光壓力調整訊息提供給拋光機10以減少拋光壓力。

再者，控制單元140較佳可根據拋光狀態不良與否之判定，提供玻璃板1毀損與否之訊息，例如當流入拋光機10之電流測量值大於對應參考值，控制單元140則判定玻璃板1毀損，並將玻璃板1毀損訊息提供給拋光機10或獨立顯示裝置。當玻璃板1毀損時，受毀損部分會造成玻璃板與拋光墊14之間的摩擦力增加，導致拋光機10消耗的電力增加。

本發明之拋光機10可包括上述監控玻璃板拋光狀態之裝置100。

圖9為本發明一具體實例中玻璃板拋光狀態之監控方法流程圖。

參考圖9，本發明監控玻璃板拋光狀態之方法可包括：步驟(S110)-儲存玻璃板各拋光位置上流入該拋光機之電流參考值；步驟(S120)-測量玻璃板上受拋光機拋光的位置；步驟(S130)-測量流入拋光機的電流；步驟(S140)-將各拋光位置之電流測量值與各拋光位置之電流對應參考值進行比較；以及步驟(S150)-判定對應玻璃板之拋光狀態是否不良。

較佳而言，當該拋光機包括一提供旋轉力供拋光之馬達單元時，流入拋光機之電流為流入該馬達單元之電流。

此外，該玻璃板上各拋光位置之電流參考值較佳係以一參考範圍來表示。

再者，當步驟(S150)中判定拋光狀態不良時，該方法在步驟(S150)之後更包括：步驟(S160)-提供拋光狀態判定為不良之該位置訊息。此情況下，該方法於步驟(S160)之後可更包括：步驟(S170)-提供拋光狀態不良之該位置的拋光位置調整訊息。

另外，該方法於步驟(S150)之後可更包括步驟(S180)-根據判定結果，提供拋光溶液調整訊息給該拋光機。此情況下，當各拋光位置的電流測量值低於各拋光位置的電流對應參考值時，執行步驟(S180)-提供該訊息給拋光機，以控制該拋光機減少該拋光溶液的供應量。反之，當各拋光位置的電流測量值高於各拋光位置的電流對應參考值時，執行步驟(S180)-提供該訊息給拋光機，以控制該拋光機增加該拋光溶液的供應量。

此外，該方法於步驟(S150)之後可更包括步驟(S190)-根據判定結果，提供拋光時間之調整訊息給該拋光機。

雖然圖9顯示步驟(S180)與(S190)，與步驟(S160)與(S170)各自獨立執行，但此僅供說明用。例如，步驟(S180)或(S190)可在步驟(S160)與(S170)後執行。

再者，雖然圖上未示，但本發明可在步驟(S150)後更包括：根據判定結果，提供至少一拋光墊之置換訊息、拋光壓力之調整訊息、以及該玻璃板毀損與否之訊息給該拋光機。

本發明許多修飾與其他具體實例可讓本發明相關領域之通常知識者了解其具有前述教示的優點，因此應可了解本發明不限於所揭露之具體實例，且修飾及其他具體實例也視為包含於隨後申請專利範圍的範疇中。

雖然本文使用「單元」一詞，但本領域通常知識者可以明顯了解其係指邏輯單元，而非必然指結構獨立的元件。

1．．．玻璃板

10．．．拋光機

11．．．上單元

12．．．下單元

13．．．馬達單元

14．．．拋光墊

15．．．拋光溶液供應單元

100．．．監控玻璃板拋光狀態之裝置

110．．．位置測量單元

120．．．電流測量單元

130．．．記憶單元

140．．．控制單元

參考隨後圖式及由以下具體實例之描述，將可清楚了解本發明其他目的與態樣，其中：

圖1為本發明具體實例中監控玻璃板拋光狀態之裝置的功能結構系統方塊圖。

圖2為本發明具體實例中監控玻璃板拋光狀態之裝置結合使用拋光機之示意圖。

圖3顯示本發明具體實例中由拋光機上方俯視位置測量單元測量受拋光機之拋光位置。

圖4顯示本發明另一具體實例中由拋光機上方俯視位置測量單元測量受拋光機拋光之位置的配置。

圖5顯示本發明再另具體實例中由拋光機上方俯視位置測量單元測量受拋光機拋光之位置的配置。

圖6為本發明一具體實例中記憶單元所儲存之流入拋光機的電流之部份參考值表。

圖7為本發明另一具體實例中記憶單元所儲存之流入拋光機的電流之部份參考值表。

圖8為本發明再一具體實例中記憶單元所儲存之流入拋光機的電流之部份參考值表。

圖9為本發明一具體實例中玻璃板拋光狀態之監控方法流程圖。

10．．．拋光機

100．．．監控玻璃板拋光狀態之裝置

110．．．位置測量單元

120．．．電流測量單元

130．．．記憶單元

140．．．控制單元

Claims (25)

1. 一種監控玻璃板拋光狀態之裝置，其係於使用一拋光機對一玻璃板進行拋光期間監控拋光狀態，該裝置包括：一位置測量單元，用以測量該玻璃板上受該拋光機拋光之位置；一電流測量單元，用以測量流入該拋光機的電流；一記憶單元，用以儲存對應於該玻璃板上受該拋光機拋光之各位置的、流入該拋光機之該電流參考值；以及一控制單元，比較對於該位置測量單元所測出之該玻璃板上之各拋光位置的、該電流測量單元所測得之電流值與對於該玻璃板上的各拋光位置的、流入該拋光機的電流對應參考值，用以判定該玻璃板在受該拋光機拋光之各位置上的拋光狀態是否不良。
2. 如申請專利範圍第1項所述之監控玻璃板拋光狀態之裝置，其中，當該拋光機包括一提供旋轉力供拋光之馬達單元時，流入該拋光機之該電流為流入該馬達單元之電流。
3. 如申請專利範圍第1項所述之監控玻璃板拋光狀態之裝置，其中，該玻璃板上各拋光位置之該電流參考值係以一參考範圍來表示。
4. 如申請專利範圍第1項所述之監控玻璃板拋光狀態之裝置，其中，當該控制單元判定玻璃板上一特定位置之 拋光狀態不良時，該控制單元會提供該對應位置的訊息。
5. 如申請專利範圍第4項所述之監控玻璃板拋光狀態之裝置，其中，對於該拋光狀態被判定為不良之位置，該控制單元將該位置之拋光位置調整訊息提供給該拋光機。
6. 如申請專利範圍第1項所述之監控玻璃板拋光狀態之裝置，其中，基於該拋光狀態不良與否之判定，該控制單元將該拋光溶液供應量之調整訊息提供給該拋光機。
7. 如申請專利範圍第6項所述之監控玻璃板拋光狀態之裝置，其中，當各拋光位置的電流測量值低於各拋光位置的電流對應參考值時，該控制單元提供控制該拋光機之該訊息，以減少該拋光溶液的供應量。
8. 如申請專利範圍第6項所述之監控玻璃板拋光狀態之裝置，其中，當各拋光位置的電流測量值高於各拋光位置的電流對應參考值時，該控制單元提供控制該拋光機之該訊息，以增加該拋光溶液的供應量。
9. 如申請專利範圍第1項所述之監控玻璃板拋光狀態之裝置，其中，基於該拋光狀態不良與否之判定，該控制單元將拋光時間調整訊息，提供給該拋光機。
10. 如申請專利範圍第1項所述之監控玻璃板拋光狀態之裝置，其中，基於該拋光狀態不良與否之判定，該控制單元提供拋光墊置換訊息。
11. 如申請專利範圍第1項所述之監控玻璃板拋光狀態之裝置，其中，基於該拋光狀態不良與否之判定，該控 制單元將拋光壓力調整訊息，提供給該拋光機。
12. 如申請專利範圍第1項所述之監控玻璃板拋光狀態之裝置，其中，基於該拋光狀態不良與否之判定，該控制單元將玻璃板毀損與否之訊息，提供給該拋光機。
13. 一種玻璃板之拋光機，包括申請專利範圍第1項所述之監控玻璃板拋光狀態之裝置。
14. 一種監控玻璃板拋光狀態之方法，其係於使用一拋光機對一玻璃板進行拋光期間監控拋光狀態，該方法包括：(S1)儲存對應於該玻璃板上受該拋光機拋光之各位置的、流入該拋光機之電流參考值；(S2)測量該玻璃板上受該拋光機拋光的位置；(S3)測量流入該拋光機的該電流；以及(S4)將對於該玻璃板上的各拋光位置之該電流測量值與對於該玻璃板上的各拋光位置的、流入該拋光機的電流對應參考值進行比較，用以判定該玻璃板在受該拋光機拋光之各位置上的拋光狀態是否不良。
15. 如申請專利範圍第14項所述之監控玻璃板拋光狀態之方法，其中，當該拋光機包括一提供旋轉力供拋光之馬達單元時，流入該拋光機之該電流為流入該馬達單元之電流。
16. 如申請專利範圍第14項所述之監控玻璃板拋光狀態之方法，其中，該玻璃板上各拋光位置之該電流參考 值係以一參考範圍來表示。
17. 如申請專利範圍第14項所述之監控玻璃板拋光狀態之方法，當步驟(S4)中判定特定位置的拋光狀態不良時，更包括：(S5)提供拋光狀態判定為不良之該位置的訊息。
18. 如申請專利範圍第17項所述之監控玻璃板拋光狀態之方法，該步驟(S4)之後更包括：(S6)提供拋光狀態判定為不良之該位置的拋光位置調整訊息給該拋光機。
19. 如申請專利範圍第14項所述之監控玻璃板拋光狀態之方法，該步驟(S4)之後更包括：(S7)根據該拋光狀態不良與否之判定，提供拋光溶液供應量之調整訊息給該拋光機。
20. 如申請專利範圍第19項所述之監控玻璃板拋光狀態之方法，其中，該步驟(S7)包括：當各拋光位置的電流測量值低於各拋光位置的電流對應參考值時，提供控制該拋光機之該訊息，以減少該拋光溶液的供應量。
21. 如申請專利範圍第19項所述之監控玻璃板拋光狀態之方法，其中，該步驟(S7)包括：當各拋光位置的電流測量值高於各拋光位置的電流對應參考值時，提供控制該拋光機之該訊息，以增加該拋光溶液的供應量。
22. 如申請專利範圍第14項所述之監控玻璃板拋光狀態之方法，該步驟(S4)之後更包括： (S8)根據該拋光狀態不良與否之判定，提供拋光時間之調整訊息給該拋光機。
23. 如申請專利範圍第14項所述之監控玻璃板拋光狀態之方法，該步驟(S4)之後更包括：根據該拋光狀態不良與否之判定，提供拋光墊之置換訊息給該拋光機。
24. 如申請專利範圍第14項所述之監控玻璃板拋光狀態之方法，該步驟(S4)之後更包括：根據該拋光狀態不良與否之判定，提供拋光壓力之調整訊息給該拋光機。
25. 如申請專利範圍第14項所述之監控玻璃板拋光狀態之方法，該步驟(S4)之後更包括：根據該拋光狀態不良與否之判定，提供該玻璃板毀損與否之訊息給該拋光機。