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TWI579624B - 邊緣電場切換型液晶顯示裝置用陣列基板及其製造方法 - Google Patents

邊緣電場切換型液晶顯示裝置用陣列基板及其製造方法 Download PDF

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TWI579624B
TWI579624B TW101142228A TW101142228A TWI579624B TW I579624 B TWI579624 B TW I579624B TW 101142228 A TW101142228 A TW 101142228A TW 101142228 A TW101142228 A TW 101142228A TW I579624 B TWI579624 B TW I579624B
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liquid crystal
common
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thin film
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申東秀
崔昇圭
李哲煥
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Ｌｇ顯示器股份有限公司
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Description

邊緣電場切換型液晶顯示裝置用陣列基板及其製造方法
本發明涉及一種液晶顯示裝置，且更具體地，涉及一種邊緣電場切換(fringe field switching；FFS)型液晶顯示裝置用的陣列基板及其製造方法。
一般，液晶顯示裝置的驅動原理是基於液晶的光學各向異性及偏振。具有細長結構的液晶顯示出分子排列的方向性，並因此藉由人為施加一電場至液晶，可控制該等分子排列的方向性。
因此，如果任意控制液晶的分子排列方向，可改變液晶的分子排列，從而由於光學各向異性在液晶的分子排列方向上光被折射以顯示影像資訊。
目前，主動矩陣液晶顯示裝置(active matrix liquid crystal display；AM-LCD；以下縮寫為「液晶顯示裝置」)由於其解析度及視訊實施能力已被廣泛使用，在該液晶顯示裝置中，薄膜電晶體以及連接至該薄膜電晶體的像素電極以矩陣形式排列。
液晶顯示裝置可包括形成有共同電極的彩色濾光片基板(即，上基板)、形成有像素電極的陣列基板(即，下基板)以及填充在該上和下基板之間的液晶，其中該等液晶由該共同電極與像素電極之間垂直方向上施加的電場驅動，從而具有良好的穿透率及開口比率。
然而，藉由垂直方向上施加的電場驅動液晶具有提供不足視角特性的缺陷。因此，利用平面切換的液晶驅動方法已被最新建議以克服上述缺陷，並且利用平面切換的液晶驅動方法具有良好的視角特性。
平面切換型液晶液晶顯示裝置可包括相互面對的彩色濾光片基板及陣列基板，並且液晶層插在彩色濾光片基板與陣列基板之間。
薄膜電晶體、共同電極及像素電極分別提供於複數個像素，該等像素定義於陣列基板上的透明絕緣基板之上。
此外，共同電極和像素電極配置以在相同基板上相互平行分開。
再者，彩色濾光片基板可包括黑色矩陣以及彩色濾光片，其中黑色矩陣位於對應於透明絕緣基板上閘線、資料線及薄膜電晶體的部分處，以及彩色濾光片對應於像素。
此外，藉由共同電極與像素電極之間的水平電場，驅動液晶層。
這裏，共同電極與像素電極形成有透明電極以確保亮度。
因此，邊緣電場切換(FFS)技術已被用來使亮度增強效果最大化。該FFS技術以精確方式控制液晶，從而獲得無色彩偏移的高對比度。
參見第1圖和第2圖，將描述根據現有技術之邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置的製造方法。
第1圖為說明根據現有技術之邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置的示意平面圖。
第2圖為說明邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置的示意剖視圖，沿著第1圖II-II線的剖視圖。
根據現有技術之邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置的陣列基板可包括複數個閘線13，該等閘線13在透明絕緣基板11上一方向上延伸以相互平行分開；複數個資料線21，該等資料線21與該等閘線13交叉以在交叉區域內定義像素區域；薄膜電晶體(T)，該薄膜電晶體(T)裝置在閘極13與資料線21的交叉處，並且由垂直方向上自閘線13延伸的閘電極13a、閘絕緣層15、主動層17、歐姆接觸層19、源電極21a和汲電極21b索形成；第一鈍化層27，該鈍化層27形成在包括薄膜電晶體(T)的基板的前表面上；像素電極29，該像素電極29具有一較大面積，形成在第一鈍化層27上並且連接至薄膜電晶體(T)；第二鈍化層31，該第二鈍化層31形成在包括像素電極29的第一鈍化層27上；形成在鈍化層35上的複數個像素電極37；複數個共同電極33，該等共同電極33相互分開 地形成在第二鈍化層31上，以對應像素電極29，如第1圖和第2圖所示。
這裏，具有較大面積的像素電極29設置在閘線13與資料線21相互交叉的像素區域內。
此外，共同電極33與像素電極29藉由將第二鈍化層31設置其間而重疊。這裏，像素電極29以及複數個共同電極33由氧化銦錫(indium tin oxide；ITO)形成，其中該ITO為一透明導電材料。
再者，像素電極29藉由汲接觸孔27a電性連接至汲電極21b，其中汲接觸孔27a形成在第一鈍化層27上。
此外，儘管圖式圖中未顯示，彩色濾光片層(圖中未顯示)以及黑色矩陣(圖中未顯示)沉積在彩色濾光片基板(圖中未顯示)上，其中該黑色矩陣(圖中未顯示)設置在該等彩色濾光片層之間以阻擋光的穿透，該彩色濾光片基板(圖中未顯示)連接至形成有像素電極29及複數個共同電極33的絕緣基板11，並且保護層(圖中未顯示)可形成在該黑色矩陣及彩色濾光片層上以平坦化該黑色矩陣與彩色濾光片層之間。
再者，儘管圖式圖中未顯示，液晶層(圖中未顯示)可形成在相互連接的彩色濾光片基板(圖中未顯示)與絕緣基板11之間。
如上所述，根據現有技術的FFS型液晶顯示裝置，應形成汲接觸孔以連接像素電極及薄膜電晶體的汲電極至鈍化層，並且在汲接觸孔的形成期間，在汲接觸孔的周圍形成液晶向錯區域孔，從而導致漏光。
因此，在現有技術中，為了防止由於在汲接觸孔周圍處形成液晶向錯區域而導致的漏光，藉由利用黑色矩陣(black matrix；BM)應覆蓋汲接觸孔的整個周圍部分，並因此可減小了其開口區域，即穿透區域的面積，從而降低了像素的穿透率。特別地，考慮到連接邊緣，利用黑色矩陣(BM)應盡可能多地覆蓋該汲接觸孔，用以防止由於汲接觸孔所形成的液晶向錯區域而導致的漏光，並因此像素的穿透區域被盡可能多地減小，從而降低穿透率。
此外，現有技術具有無接觸孔的結構以及共同電極設置在最上部分的結構，從而引發如由於資料像素之間干擾而導致的CT或水平線的問題。
因此，在共同電極設置在最上部分的結構的情況下，其具有像素鄰近資料線的結構，從而在資料線與像素電極之間產生干擾。
本發明設計以改善上述問題，並且本發明的目的在於提供一種邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置及其製造方法，其能夠增大像素的開口區域而無需單獨形成汲接觸孔，該汲接觸孔在邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置中用於連接汲電極至像素電極，從而提高了穿透率。
為了實現上述目的，提供一種邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置用的陣列基板，該陣列基板可包括一閘線，單向形成在該基板的表面上；一資料線，與該閘線交叉以定義一像素區域；一薄膜電晶體，形成在該閘線和資料線的交叉處；一有機絕緣層，形成在包括該薄膜電晶體之該基板的整個表面上，以具有用於暴露該薄膜電晶體的開口部分；一共同電極，該共同電極具有一形成在該有機絕緣層的上部分的較大面積、以及一輔助電極圖案，該輔助電極圖案通過該開口部分連接至該薄膜電晶體；一鈍化層，該鈍化層形成在包括該共同電極和輔助電極圖案的該基板的整個表面上，用以暴露連接至該薄膜電晶體的輔助電極圖案；以及複數個像素電極，該等像素電極形成在該鈍化層的上部分，並且通過暴露的該輔助電極圖案電性連接至該薄膜電晶體，並與該共同電極重疊。
為了實現上述目的，提供一種製造邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置用的陣列基板的方法，該方法可包括在基板的表面上單向形成一閘線，；形成一資料線，該資料線與該閘線交叉以定義一像素區域；在該閘線和資料線的交叉處形成一薄膜電晶體；在包括該薄膜電晶體之該基板的整個表面上形成一有機絕緣層，以具有用於暴露該薄膜電晶體的開口部分；形成一共同電極以及一輔助電極圖案，其中該共同電極具有一在該有機絕緣層的上部分的較大面積，該輔助電極圖案通過該開口部分連接至該薄膜電晶體；在包括該共同電極和輔助電極圖案的該基板的整個表面上形成一鈍化層，用以暴露連接至該薄膜電晶體的該輔助電極圖案；以及 形成複數個像素電極，該等像素電極通過暴露的該輔助電極圖案電性連接至該薄膜電晶體，並在該鈍化層的上部分與該共同電極重疊。
依據本發明之一種邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置用的陣列基板及其製造方法，移除了現有技術中電性連接汲電極至像素電極而形成的汲接觸孔，並且用於暴露薄膜電晶體的上部分的開口部分形成在一有機絕緣層上，從而暴露的該薄膜電晶體和像素電極以直接方式相互電性連接，並因此現有技術中用於形成汲接觸孔的區域可用作一開口區域，從而相對於現有技術增強了穿透率。
此外，依據本發明之一種邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置用的陣列基板及其製造方法，一接觸孔形成在提供於薄膜電晶體的上部分處的開口部分內，其中通過該接觸孔汲電極和像素電極相互電性上地連接，並因此可減小汲接觸孔的區域，從而增加開口比率。
因此，本發明具有像素電極設置在最上部分的結構，從而減小由於資料線與像素電極之間的電容而導致的CT及水平線。
此外，依據本發明之一種邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置用的陣列基板及其製造方法，對應於源電極和汲電極的導電層部分以及資料線之下包含雜質的非晶矽層(n+或p+)和非晶矽層(a-Si：H)被同時圖案化，從而消除了引起主動尾端(active tail)的問題。
11‧‧‧絕緣基板
13‧‧‧閘線
13a‧‧‧閘電極
15‧‧‧閘絕緣層
17‧‧‧主動層
19‧‧‧歐姆接觸層
21‧‧‧數據線
21a‧‧‧源電極
21b‧‧‧汲電極
27‧‧‧第一鈍化層
27a‧‧‧汲接觸孔
29‧‧‧像素電極
31‧‧‧第二鈍化層
33‧‧‧共同電極
101‧‧‧絕緣基板
102‧‧‧第一導電金屬層
103‧‧‧閘線
103a‧‧‧閘電極
103b‧‧‧共同線
105‧‧‧第一感光層
105a‧‧‧第一感光圖案
107‧‧‧閘絕緣層
109‧‧‧非晶矽層(a-Si：H)
109a‧‧‧主動層
111‧‧‧非晶矽層(n+或p+)
111a‧‧‧歐姆接觸層
113‧‧‧第二導電金屬層
113a‧‧‧資料線
113b‧‧‧源電極
113c‧‧‧汲電極
115‧‧‧第二感光圖案
116‧‧‧第一鈍化層
117‧‧‧有機絕緣層
121‧‧‧開口部分
121a‧‧‧第一開口部分
121b‧‧‧第二開口部分
123‧‧‧第一透明導電材料層
123a‧‧‧共同電極
123b‧‧‧輔助電極圖案/虛擬圖案
123c‧‧‧輔助電極圖案
125‧‧‧第三感光層
125a‧‧‧第三感光圖案
127‧‧‧第二鈍化層
129‧‧‧第四感光層
129a‧‧‧第四感光層圖案
131a‧‧‧像素電極接觸孔
131b‧‧‧共同電極接觸孔
131c‧‧‧共同線接觸孔
133a‧‧‧像素電極
133b‧‧‧共同連接圖案
135‧‧‧第五感光層
135a‧‧‧第五感光層圖案
141‧‧‧上基板
143‧‧‧黑色矩陣
145‧‧‧彩色濾光片層
147‧‧‧柱狀間隔物
151‧‧‧液晶層
所附圖式，其中提供關於本發明實施例的進一步理解並且結合與構成本說明書的一部份，說明本發明的實施例並且描述一同提供對於本發明實施例之原則的解釋。圖式中：第1圖為說明根據現有技術的邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置的示意平面圖；第2圖為說明根據現有技術的邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置的示意剖視圖，沿著第1圖的線II-II的剖視圖；第3圖為說明根據本發明邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置的示意平面圖； 第4圖為說明根據本發明邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置中薄膜電晶體部分的放大平面圖；第5圖為說明根據本發明邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置的示意剖視圖，沿著第3圖V-V線的剖視圖；以及第6A圖至第6Q圖為說明根據本發明邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置的陣列基板的製造方法的剖視圖。
以下，參見所附圖式，將詳細描述根據本發明較佳實施例的邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置的陣列基板及其製造方法。
第3圖為說明根據本發明邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置的示意平面圖。
第4圖為說明根據本發明邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置中薄膜電晶體部分的放大平面圖。
第5圖為說明根據本發明邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置的示意剖視圖，沿著第3圖V-V線的剖視圖。
如第3圖至第5圖所示，根據本發明實施例的邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置可包括閘線103，單向形成在透明絕緣基板101的表面上；共同線103b，該共同線103b與閘線103分開設置；資料線113a，該資料線113a與閘線103交叉以定義像素區域；薄膜電晶體(T)，該薄膜電晶體(T)形成在閘線103和資料線113a的交叉處；有機絕緣層117，該有機絕緣層117形成在包括薄膜電晶體(T)的基板的整個表面上，以具有暴露薄膜電晶體(T)的開口部分121；共同電極123a，該共同電極123a具有形成在該有機絕緣層117的上部分的較大面積、以及輔助電極圖案123b，該輔助電極圖案123b通過開口部分121連接至薄膜電晶體(T)；鈍化層127，該鈍化層127形成在包括共同電極123a和輔助電極圖案123b的基板的整個表面上，用以暴露連接至薄膜電晶體(T)的輔助電極圖案123c；以及複數個像素電極133a，該等像素電極133a形成在鈍化層127的上部分，並且通過暴露的輔助電極圖案123c電性連接至該薄膜電晶體(T)，並與共同電極123a重疊。
這裏，共同電極123a設置在閘線103與資料線113a相互交叉的像素區域的整個表面上，並且藉由將鈍化層127插入其間，相互分開的複數個透明杆狀像素電極133a設置在共同電極123a的上側。這裏，共同電極123a藉由共同線連接圖案133b電性連接至共同線103b，其中共同線103b與閘線103平行設置，共同線連接圖案133b在像素電極133a的形成期間形成。
此外，如第5圖所示，像素電極133a連接至輔助電極圖案123c，該輔助電極圖案123c通過位於薄膜電晶體(T)的上部分處的開口部分121直接連接至汲電極113c而無單獨的汲接觸孔。這裏，形成開口部分121以暴露組成薄膜電晶體(T)的源電極113b和汲電極113c。
此外，上基板141上的黑色矩陣143用於阻擋對應於不包括閘線與資料線相互交叉的像素區域的區域的光，並且彩色濾光片層145形成在該等黑色矩陣143之間，其中彩色濾光片層145包括紅色彩色濾光片層(圖中未顯示)、綠色彩色濾光片層(圖中未顯示)以及藍色彩色濾光片層(圖中未顯示)。這裏，彩色濾光片層145可採用有彩色濾光片在TFT上(color filter on TFT；COT)的結構，該COT結構形成在絕緣基板101而非上基板141上。換句話說，彩色濾光片層145可形成在閘線103與資料線113a相互交叉的絕緣基板101的像素區域內。
此外，柱狀間隔物147形成在彩色濾光片層145的上部分以保持液晶顯示裝置的預定間隙。這裏，柱狀間隔物147可形成在絕緣基板101的上部分。
因此，在本發明的情況中，如第5圖所示，移除了現有技術中形成的汲接觸孔，並因此所移除的汲接觸孔的區域可用於開口區域，從而增強穿透率。
此外，液晶層151可形成在絕緣基板101與上基板141之間，用以配置根據本發明的邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置。
藉由前述配置，複數個共同電極123a提供用於驅動液晶的參考電壓即共同電壓至每個像素。
複數個共同電極123a與像素電極133a重疊以形成邊緣場，該像素電極133a藉由在每個像素區域設置其間的鈍化層而具有大面積。
以這種方式，如果藉由薄膜電晶體(T)將資料信號提供至像素電極133a，然後提供共同電壓的共同電極123a形成邊緣場，從而藉由介電各向異性旋轉絕緣基板101與彩色濾光片基板141之間以水平方向列向的液晶分子，並因此通過像素區域的液晶分子的透光率根據旋轉度而變化，從而實現灰度。
依據本發明的邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置用的陣列基板，移除了現有技術中電性連接汲電極至像素電極而形成的汲接觸孔，並且用於暴露薄膜電晶體的上部分的開口部分形成在鈍化層上，從而暴露的薄膜電晶體與像素電極以直接方式相互電性連接，並因此現有技術中用於形成汲接觸孔的區域可用於形成開口區域，從而相對於現有技術可增強穿透率。
此外，依據本發明的邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置的陣列基板具有像素電極設置在最上面部分的結構，從而減小由於資料線與像素電極之間的電容而導致的CT和水平線。
再者，根據本發明的邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置的陣列基板，對應於源電極和汲電極的導電層部分以及資料線之下包含雜質的非晶矽層(n+或p+)和非晶矽層(a-Si：H)被同時圖案化，從而消除了引起主動尾端的問題。
另一方面，以下參見第6A圖至第6Q圖將說明用於製造根據本發明具有上述配置的邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置的陣列基板的方法。
第6A圖至第6Q圖為說明根據本發明邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置的陣列基板的製造方法的剖視圖。
如第6A圖所示，複數個包括開關功能的像素區域定義於透明絕緣基板101上，第一導電金屬層102藉由濺鍍法沉積在該透明絕緣基板101上。在這種情況下，至少一選自由鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉬-鎢(MoW)、鉬-鈦(MoTi)、銅/鉬-鈦(Cu/MoTi)組成的群組可用作形成第一導電金屬層102的靶材材料。在這種情況下，第一導電金屬層102可形成有具有至少一層的結構。
接著，具有高穿透率的光阻沉積在第一導電金屬層102的上部分，用以形成第一感光層105。
隨後，如第6B圖所示，利用光罩(圖中未顯示)藉由微影蝕刻法對第一感光層105執行曝光過程，並且然後，藉由顯影過程選擇性地移除第一感光層105，用以形成第一感光圖案105a。
接著，如第6C圖所示，利用第一感光圖案105a作為阻擋層，選擇性地蝕刻第一導電金屬層102，用以同時形成閘線103(參見第3圖)、自閘線103延伸的閘電極103a以及與閘線103平行分離的共同線103b。
隨後，移除第一感光圖案105a，並接著由氮化矽(SiNx)或二氧化矽(SiO2)形成的閘絕緣層107形成在包括閘電極103a的基板的整個表面上。
然後，如第6D圖所示，非晶矽層(a-Si：H)109以及包含雜質的非晶矽層(n+或p+)111依次沉積在閘絕緣層107上。此時，利用化學氣相沉積(CVD)法沉積非晶矽層(a-Si：H)109以及包含雜質的非晶矽層(n+或p+)111。此時，基於氧化物的半導體材料如IGZO可代替非晶矽層(a-Si：H)109形成在閘絕緣層107上。
隨後，利用濺鍍法，第二導電金屬層113沉積在包括含雜質的非晶矽層(n+或p+)111的基板的整個表面上。此時，至少一選自由鋁(Al)、鎢(W)、銅(Cu)、鉬(Mo)、鉻(Cr)、鈦(Ti)、鉬-鎢(MoW)、鉬-鈦(MoTi)、銅/鉬-鈦(Cu/MoTi)組成的群組可用作形成第二導電金屬層113的靶材材料。
然後，儘管圖式圖中未顯示，具有高穿透率的光阻沉積在該第二導電金屬層113的上部分，用以形成第二感光層(圖中未顯示)。
接著，利用光罩(圖中未顯示)藉由微影蝕刻法對第二感光層(圖中未顯示)執行曝光過程，並且然後，藉由顯影過程選擇性地移除該第二感光層(圖中未顯示)，用以形成第二感光圖案115。
隨後，如第6E圖所示，利用第二感光圖案115作為蝕刻罩，選擇性地蝕刻第二導電金屬層113，用以定義源電極和汲電極形成區域(圖中未顯示)連同在垂直方向上與閘線103交叉的資料線113a。
接著，隨後，藉由蝕刻過程，依次蝕刻對應於源電極和汲電極形成區域(圖中未顯示)的第二導電層113的一部分以及資料線113a之下包含雜質的非晶矽層(n+或p+)111和非晶矽層(a-Si：H)109，用以形成歐姆接觸層111a和主動層109a。此時，對應於源電極和汲電極形成區域(圖中未顯示)的第二導電層113的一部分以及資料線113a之下包含雜質的非晶矽層(n+或p+)111和非晶矽層(a-Si：H)109被同時圖案化，從而消除了引起主動尾端的問題。
隨後，如第6E圖所示，第一鈍化層116和有機絕緣層117依次沉積在基板的整個表面上，其中該基板的表面上包括主動層109a和歐姆接觸層111a，對應於源電極和汲電極形成區域(圖中未顯示)的第二導電金屬層113的一部分以及資料線113a。此時，由氮化矽(SiNx)或二氧化矽(SiO2)製成的無機絕緣材料沉積為第一鈍化層116。此外，光壓克力材料或顯示感光性的其他感光有機絕緣材料可用於有機絕緣層117。再者，由於光壓克力顯示感光性，因此在曝光過程期間可無需形成單獨的光阻進行曝光過程。此時，可使用無機絕緣材料代替有機絕緣層117。
接著，如第6F圖所示，利用光罩(圖中未顯示)藉由微影蝕刻法對有機絕緣層117執行曝光過程，並且然後藉由顯影過程選擇性地移除有機絕緣層117以形成有機絕緣層圖案117a，用於暴露對應於源電極和汲電極形成區域(圖中未顯示)的第二金屬導電層113的上部分以及共同線103b的上部分。
隨後，如第6G圖所示，利用有機絕緣層圖案117a作為蝕刻罩，選擇性蝕刻第一鈍化層116的一部分，用以第一開口部分121a以及第二開口部分121b，其中第一鈍化層116沉積在對應於源電極和汲電極形成區域(圖中未顯示)的第二金屬導電層113的上部分以及共同線103b的上部分。此時，薄膜電晶體(T)形成部分，即源電極和汲電極形成區域藉由第一開口部分121a暴露至外。此外，共同線103b藉由第二開口部分121b暴露至外。
然後，如第6H圖所示，利用濺鍍法，透明導電材料沉積在包括第一和第二開口部分121a、121b的有機絕緣層117的上部分，用以形成第一透明導電材料層123。此時，選自包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦 鋅(IZO)等的透明導電材料群組的任一組成靶材用作該透明導電材料。此外，第一透明導電材料層123直接接觸對應於源電極和汲電極形成部分(圖中未顯示)的導電層113的表面。
接著，具有高穿透率的光阻沉積在該第一透明導電材料層123的上部分，用以形成第三感光層125。
然後，如第6I所示，利用光罩(圖中未顯示)藉由微影蝕刻法執行曝光過程，並且然後選擇性地移除第三感光層125以形成第三感光圖案125a。此時，薄膜電晶體的通道區域的上部分上的第一透明導電材料層123的上表面暴露至外。
隨後，如第6J圖所示，利用第三感光圖案125a作為蝕刻罩，依次蝕刻暴露的第一透明導電材料層123、該第一透明導電材料層123之下的第二導電金屬層113以及歐姆接觸層111a，從而形成相互分離的源電極113b以及汲電極113c，同時形成具有較大面積的共同電極123a、虛擬圖案123b以及輔助電極圖案123c。此時，歐姆接觸層111a也被蝕刻且相互分離，並因此位於下部分的主動層109a的通道區域(圖中未顯示)暴露至外。此外，輔助電極圖案123c直接連接至汲電極113c，以及虛擬圖案123b直接連接至源電極113b。此時，虛擬圖案123b僅連接至源電極113b，並因此不需要單獨的蝕刻。
接著，如第6K圖所示，移除第三感光圖案125a，並然後一無機絕緣材料或有機絕緣材料沉積在基板的整個表面上，用以形成第二鈍化層127，並接著將具有高穿透率的光阻塗佈在第二鈍化層127的上部分以形成第四感光層129。
隨後，如第6L圖所示，利用光罩(圖中未顯示)藉由微影蝕刻法執行曝光和顯影過程，用以移除第四感光層129以形成第四感光層圖案129a。
接著，如第6M圖所示，利用該第四感光層圖案129a作為蝕刻罩，選擇性地蝕刻第二鈍化層127，用以形成用於分別暴露輔助電極圖案123c、共同電極123a和共同線103b的像素電極接觸孔131a、共同電極接觸孔131b和共同線接觸孔131c。
隨後，如第6N圖所示，移除第四感光層圖案129a，並然後利用濺鍍法，將一透明導電材料沉積在該第二鈍化層127的上部分，用以形成第二透明導電材料層133，其中第二鈍化層127的上部分包括像素電極接觸孔131a、共同電極接觸孔131b以及共同線接觸孔131c。此時，選自包括氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)等的透明導電材料群組的任一組成靶材用作該透明導電材料。
接著，具有高穿透率的光阻沉積在該第二透明導電材料層133的上部分，用以形成第五感光層135。
隨後，如第6O圖所示，利用光罩(圖中未顯示)藉由微影蝕刻法執行曝光過程，並然後藉由顯影過程選擇性地移除第五感光層135，用以形成第五感光層圖案135a。
然後，如第6P圖所示，利用第五感光層圖案135a作為蝕刻罩，選擇性地蝕刻第二透明導電材料層133，用以同時形成複數個像素電極133a以及共同連接圖案133b，其中該等像素電極133a連接至輔助電極圖案123c並且彼此相互分離，共同連接圖案133b用於藉由共同電極接觸孔131b和共同線接觸孔131c電性連接共同電極123a和共同線103b。此時，像素電極133a連接至輔助電極圖案123c，並從而電性連接至汲電極113c。
隨後，儘管圖式圖中未顯示，移除剩餘的第五感光層圖案135a，並然後附加執行在基板整個表面上形成配向層(圖中未顯示)的過程，從而完成根據本發明邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置的陣列基板的製造過程。
然後，如第6Q圖所示，用於阻擋光的黑色矩陣143形成在上基板141上，對應於除了閘線103和資料線113相互交叉的像素區域之外的區域。
接著，彩色濾光片層145形成在該等黑色矩陣143之間，其中彩色濾光片層145包括紅色彩色濾光片層(圖中未顯示)、綠色彩色濾光片層(圖中未顯示)以及藍色彩色濾光片層(圖中未顯示)。這裏，彩色濾光片層145可採用具有彩色濾光片在TFT(COT)上的結構，該COT結構形成在絕緣基板101而非上基板141上。換句話說，在形成第一鈍化 層116之前的過程中，彩色濾光片層145可形成在閘線103與資料線113a相互交叉的絕緣基板101的像素區域內。
隨後，柱狀間隔物147形成在彩色濾光片層145的上部分以保持液晶顯示裝置的預定間隙。這裏，柱狀間隔物147可形成在絕緣基板101的上部分。
因此，在本發明的情況中，移除了現有技術中形成的汲接觸孔，並因此所移除的汲接觸孔的區域可用作一開口區域，從而增強穿透率。
然後，增加在上基板141的整個表面上形成配向層(圖中未顯示)的過程，用以完成製造彩色濾光片陣列基板的過程。
接著，液晶層151可形成在絕緣層101與上基板141之間，從而完成製造根據本發明的邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置的過程。
如上所述，依據本發明邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置用的陣列基板及其製造方法，移除了現有技術中電性連接汲電極至像素電極而形成的汲接觸孔，並且用於暴露薄膜電晶體的上部分的開口部分形成在有機絕緣層上，從而暴露的薄膜電晶體和像素電極以直接方式相互電性連接，並因此現有技術中用於形成汲接觸孔的區域可用作開口區域，從而相對於現有技術增強了穿透率。
此外，依據本發明邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置用的陣列基板及其製造方法，一接觸孔形成在提供於薄膜電晶體的上部分處的開口部分內，其中藉由該接觸孔汲電極和像素電極相互電性連接，並因此可減小汲接觸孔的區域，從而增加開口比率。
因此，本發明具有像素電極設置在最上部分的結構，從而減小由於資料線與像素電極之間的電容而導致的CT及水平線。
此外，依據本發明邊緣電場切換(FFS)型液晶顯示裝置用的陣列基板及其製造方法，對應於源電極和汲電極的導電層部分以及資料線之下包含雜質的非晶矽層(n+或p+)和非晶矽層(a-Si：H)被同時圖案化，從而消除了引起主動尾端的問題。
儘管已詳細描述了本發明的較佳實施例，但是熟悉本領域的技術人員應理解的是，可進行各種修飾及其他等效實施例。
因此，本發明的權利範圍不限於該等實施例，並且如所附權利要求內所定義，利用本發明的基本思想，由熟悉本領域的技術人員進行的各種修飾及改進將落入本發明的權利範圍內。
101‧‧‧絕緣基板
103a‧‧‧閘電極
103b‧‧‧共同線
107‧‧‧閘絕緣層
109a‧‧‧主動層
113a‧‧‧資料線
113b‧‧‧源電極
113c‧‧‧汲電極
117‧‧‧有機絕緣層
123a‧‧‧共同電極
123b‧‧‧輔助電極圖案/虛擬圖案
123c‧‧‧輔助電極圖案
127‧‧‧第二鈍化層
133a‧‧‧像素電極
133b‧‧‧共同連接圖案
141‧‧‧上基板
143‧‧‧黑色矩陣
145‧‧‧彩色濾光片層
147‧‧‧柱狀間隔物
151‧‧‧液晶層

Claims (10)

  1. 一種液晶顯示裝置用的陣列基板，該陣列基板包含：一閘線，單向形成在該基板的一表面上；一共同線，該共同線與該閘線平行設置在該基板上；一資料線，與該閘線交叉；一薄膜電晶體，形成在該閘線和該資料線的一交叉處；一有機絕緣層，形成在包括該薄膜電晶體的該基板的一整個表面上，以具有用於暴露該薄膜電晶體的源電極和汲電極的一開口部分；一共同電極，該共同電極具有一形成在該有機絕緣層的上部分的較大面積、以及一輔助電極圖案，該輔助電極圖案通過該開口部分連接至該薄膜電晶體；一鈍化層，該鈍化層形成在包括該共同電極和該輔助電極圖案的該基板的一整個表面上，用以暴露連接至該薄膜電晶體的該輔助電極圖案；複數個像素電極，該等像素電極形成在該鈍化層的上部分，並且通過暴露的該輔助電極圖案電性連接至該薄膜電晶體，並與該共同電極重疊；以及一共同連接圖案，該共同連接圖案形成在該鈍化層的上部分，用以分別連接該共同線及該共同電極。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置用的陣列基板，其中該開口部分與該薄膜電晶體的上部分重疊，並形成在該有機絕緣層內。
  3. 依據申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置用的陣列基板，其中該像素電極電性連接至該輔助電極圖案及一汲電極。
  4. 依據申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置用的陣列基板，進一步包含一彩色濾光片層，形成在該閘線與該資料線相互交叉的一像素區域中。
  5. 一種製造液晶顯示裝置用的陣列基板的方法，該方法包含： 在該基板的一表面上單向形成一閘線；在該基板上形成與該閘線平行的一共同線；形成一資料線，該資料線與該閘線交叉；在該閘線和該資料線的一交叉處形成一薄膜電晶體；在包括該薄膜電晶體的該基板的一整個表面上形成一有機絕緣層，以具有用於暴露該薄膜電晶體的源電極和汲電極的一開口部分；形成一共同電極以及一輔助電極圖案，其中該共同電極具有一在該有機絕緣層的上部分的較大面積，該輔助電極圖案通過該開口部分連接至該薄膜電晶體；在包括該共同電極和該輔助電極圖案的該基板的一整個表面上形成一鈍化層，用以暴露連接至該薄膜電晶體的該輔助電極圖案；形成複數個像素電極，該等像素電極通過暴露的該輔助電極圖案電性連接至該薄膜電晶體，並在該鈍化層的上部分與該共同電極重疊；以及在該鈍化層的上部分形成一共同連接圖案，用以分別連接該共同線及該共同電極。
  6. 依據申請專利範圍第5項所述之製造液晶顯示裝置用的陣列基板的方法，其中該開口部分與該薄膜電晶體的上部分重疊，並形成在該有機絕緣層內。
  7. 依據申請專利範圍第5項所述之製造液晶顯示裝置用的陣列基板的方法，其中該像素電極電性連接至該輔助電極圖案及一汲電極。
  8. 依據申請專利範圍第5項所述之製造液晶顯示裝置用的陣列基板的方法，其中在該閘線形成期間，該共同線與該閘線平行設置。
  9. 依據申請專利範圍第8項所述之製造液晶顯示裝置用的陣列基板的方法，其中在該像素電極形成期間，用於分別連接該共同線及該共同電極的該共同連接圖案形成在該鈍化層的上部分。
  10. 依據申請專利範圍第5項所述之製造液晶顯示裝置用的陣列基板的方法，進一步包含：在該閘線與該資料線相互交叉的一像素區域形成一彩色濾光片層。
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