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TWI423371B - A substrate processing apparatus and a particle adhesion preventing method - Google Patents

A substrate processing apparatus and a particle adhesion preventing method Download PDF

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TWI423371B
TWI423371B TW97103495A TW97103495A TWI423371B TW I423371 B TWI423371 B TW I423371B TW 97103495 A TW97103495 A TW 97103495A TW 97103495 A TW97103495 A TW 97103495A TW I423371 B TWI423371 B TW I423371B
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Akitake Tamura
Teruyuki Hayashi
Original Assignee
Tokyo Electron Ltd
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Description

基板處理裝置及粒子附著防止方法
本發明是有關可防止粒子附著至被處理基板的表面上之基板處理裝置及粒子附著防止方法。
對玻璃基板(例如液晶基板)或半導體晶圓(以下亦簡稱為「晶圓」)等的被處理基板實施蝕刻處理，成膜處理等的所定製程處理之基板處理裝置是具備連接加載互鎖室至例如用以對晶圓施以所定處理的處理室而成的處理單元。又，具備設置有收容搬入裝置內的未處理晶圓或搬出至裝置外的處理完成晶圓的卡匣容器之卡匣台，及著脫卡匣容器的蓋之掀蓋機構(參照例如專利文獻1)，及具有進行卡匣容器與處理單元間的晶圓交接的搬送臂等的搬送機構之搬送室。
在如此的基板處理裝置中，一旦收容於卡匣容器的未處理晶圓被設於卡匣台，則卡匣容器的蓋會藉由掀蓋機構來開啟。然後，藉由搬送室所具備的搬送手段來從卡匣容器取出未處理晶圓，交接至處理單元。此未處理晶圓會經由加載互鎖室來搬送至處理室，在此施以所定的處理。在處理室完成處理的處理完成晶圓會從處理室回到加載互鎖室。搬送室所具備的搬送手段會受取回到加載互鎖室的處理完成晶圓，而搬送至卡匣容器。
因為如此在搬送室內進行搬送機構之未處理晶圓或處
理完成晶圓的搬送，所以藉由該等晶圓的搬送等的動作，在搬送室內會有粒子(例如塵埃，污濁物，附著物，反應生成物等)浮遊。因此，在晶圓的搬送中會有粒子附著於該晶圓的表面上之虞，若在粒子附著的狀態下進行晶圓的製程處理，則有可能導致良品率降低。例如在蝕刻製程中會有附著於晶圓表面上的粒子成光罩而發生蝕刻殘留之虞，且在成膜製程中會有附著於晶圓表面上的粒子成核成長而使得膜質降低之虞。因此，在搬送室內，一般N2 等的惰性氣體或清淨空氣會經由HEPA (High Efficiency Particulate Air)過濾器或ULPA (Ultra Low Penetration Air)過濾器來供給。
可是，只靠在搬送室內經由HEPA過濾器或ULPA過濾器來供給清淨空氣等，還是會有不能完全除去的污染物質。例如不能完全除去由搬送機構或掀蓋機構等的驅動系所使用的潤滑油(grease)等潤滑劑的分子，附著於處理完成晶圓上而與晶圓一起進入的配線材等所發生之有機物成分，水分子或氨等的不純氣體分子等浮游於搬送室內(例如參照專利文獻2)。
因此，以往除了HEPA過濾器或ULPA過濾器以外設置使用活性碳的化學過濾器來使搬送室內的污染物質量減少，或藉由部件的選定或裝置調整來抑止搬送室內的粒子發生，持續被嘗試著。
可是，如上述，基板處理裝置在處理收容於卡匣容器的晶圓時是至少經由1個以上的室，亦即搬送室，加載互 鎖室來搬送至處理室。並且，在處理單元為所謂群組化工具構成的基板處理裝置中，在共通搬送室的周圍連接有複數的處理室，共通搬送室是經由加載互鎖室來連接至上述搬送單元的搬送室。在如此的基板處理裝置中，處理收容於卡匣容器的晶圓時是例如經由上述的搬送室，加載互鎖室，共通搬送室來搬送至處理室。因此，晶圓從卡匣容器來搬送至處理室而於處理室內進行處理為止，不僅上述的搬送室，也有可能在其他的各室發生粒子。因此，以往有用以不使在各室內發生粒子的各種技術被提案。例如在專利文獻3中記載有藉由調整反應室(處理室)及搬送室的內部溫度來不使反應副生成物附著於各內壁的技術。藉由此技術，可抑止附著於反應室及搬送室的各內壁之反應副生成物所引起的粒子發生。
[專利文獻1]特開平10-125763號公報
[專利文獻2]特開2003-7799號公報
[專利文獻3]特開平9-82781號公報
[專利文獻4]特開2005-354025號公報
然而，即使採用上述般的對策，也極難以從半導體處理裝置的各室內完全排除粒子。近年來隨著半導體積體電路的設計規範(Design Rule)的微細化日益進步，期望一種即使是極些微的粒子也要儘可能在處理室內進行處理 之前的階段(從卡匣容器最終搬送到處理室進行處理為止的階段)不使附著於晶圓的表面上之技術。亦即，為了將不附著粒子的清淨晶圓搬送至處理室，不僅是減少各室內的粒子量的技術，連在各室內不使粒子附著於晶圓表面上的技術也是重要的。
另外，在專利文獻4中揭示有藉由在搬送臂的晶圓載置部形成所定的溫度梯度，而使附著於該載置部所載置的晶圓表面上的粒子剝離除去之方法。藉此，可在使晶圓保持載置於搬送臂的晶圓載置部的情況下除去粒子，因此可提升生產能力。
可是，專利文獻4所記載的技術是剝離除去附著於晶圓的粒子者，並非是不使粒子附著於晶圓的表面上者。如專利文獻4所記載，為了有效地剝離除去一旦附著於晶圓的粒子，而需要某程度的能量，必須較高設定(例如比處理室的溫度高30K以上)加諸於晶圓載置部的溫度。但，對晶圓加諸高熱，由晶圓品質的維持或省能量化的觀點來看是僅可能迴避。並且，越是微小的粒子，附著力會有越強的傾向。因此，即使使用該技術也不可能除去所有的粒子。因此，期望一種不用將晶圓形成高溫，即可不使粒子附著於晶圓的表面上，而來將清淨狀態的晶圓搬送至處理室實施所定的處理之技術。
本發明是有鑑於如此的問題而研發者，其目的是在於提供一種可在進行處理室的處理之前的階段有效地防止最終被搬送至處理室的被處理基板的表面上附著粒子之基板 處理裝置及粒子附著防止方法。
為了解決上述課題，本發明之一觀點的基板處理裝置的特徵係具備：搬送室，其係經由收容被處理基板的基板收容容器所設置的搬出入口，在與上述基板收納容器之間進行上述被處理基板的交接；處理室，其係對上述被處理基板實施所定的處理；加載互鎖室，其係連接上述處理室與上述搬送室；及溫度調整手段，其係於上述搬送室與上述加載互鎖室的其中至少一室搬入上述被處理基板時，調整上述被處理基板的溫度與該室的室內溫度的其中至少一方，而使搬入之前的上述被處理基板的溫度比所欲搬入的室的室內溫度更高。
另外，上述加載互鎖室並非限於直接連接至上述處理室時，亦包含經由共通搬送室來連接時。
又，提供一種粒子附著防止方法，係防止粒子附著於基板處理裝置之被處理基板的表面上，該基板處理裝置係具備：搬送室，其係經由收容被處理基板的基板收容容器所設置的搬出入口，在與上述基板收納容器之間進行上述被處理基板的交接；處理室，其係對上述被處理基板實施所定的處理；及 加載互鎖室，其係連接上述處理室與上述搬送室，其特徵為：在上述搬送室與上述加載互鎖室的其中至少一室搬入上述被處理基板時，調整上述被處理基板的溫度及該室的室內溫度的其中至少一方，而使搬入之前的上述被處理基板的溫度能夠比所欲搬入的室的室內溫度更高。
若根據如此之本發明的裝置或方法，則比所欲搬入的室的室內溫度更高溫度的被處理基板會被搬入該室，因此在該室內被處理基板的表面上的環境會產生溫度梯度。藉由此溫度梯度，該室內浮遊的粒子越接近被處理基板的表面，離開被處理基板的方向的力量會大幅度作用於該粒子，因此可防止粒子附著於被處理基板的表面。
又，上述溫度調整手段中包含調整上述基板收容容器所收容的上述被處理基板的溫度與上述搬送室的室內溫度的其中至少一方之手段，而使從上述基板收容容器搬入上述搬送室之前的上述被處理基板的溫度能夠比上述搬送室的室內溫度更高。
藉此，從基板收容容器搬送被處理基板至搬送室時，可在搬送室內防止粒子附著於該被處理基板的表面。
又，上述溫度調整手段中更包含調整上述搬送室內的上述被處理基板的溫度與上述加載互鎖室的室內溫度的其中至少一方之手段，而使從上述搬送室搬送至上述加載互鎖室之前的上述被處理基板的溫度能夠比上述加載互鎖室的室內溫度更高。
藉此，從搬送室搬送被處理基板至加載互鎖室時，可在加載互鎖室內防止粒子附著於該被處理基板的表面。
又，上述溫度調整手段中更包含調整上述加載互鎖室內的上述被處理基板的溫度與上述搬送室的室內溫度的其中至少一方之手段，而使從上述加載互鎖室搬送至上述搬送室之前的上述被處理基板的溫度比上述搬送室的室內溫度更高。
藉此，使在處理室所被處理的處理完成基板回到基板收容容器時，從加載互鎖室搬入搬送室時，可防止粒子附著於該處理完成基板的表面上。
又，上述溫度調整手段可包含光照射部，其係對上述被處理基板照射包含所定的波長之光，而來調整上述被處理基板的溫度。
藉此，可利用光能量來加熱被處理基板。此情況，所定波長的光是例如可使用近紅外線光等的熱線。藉此，被處理基板例如為矽基板時，可使近紅外線光吸收於該被處理基板而產生熱作用，因此可有效率地加熱被處理基板。
上述溫度調整手段可包含冷氣供給部，其係將被調整成比搬入之前的上述被處理基板的溫度更低溫度的冷氣供給至所欲搬入上述被處理基板的室，而來調整該室的室內溫度。
藉此，可降低所欲搬入上述被處理基板的室的室內溫度，而使被處理基板的溫度能夠比該室的室內溫度相對性地高。
此情況，上述冷氣供給部可包含：給氣部，其係導入外氣至所欲搬入上述被處理基板的室的室內；及冷卻部，其係冷卻上述給氣部所導入的上述外氣而生成上述冷氣。
藉此，可一面在所欲搬入上述被處理基板的室的室內形成沈流(Downflo)，一面降低該室的室內溫度。其結果，可使該室的室內的粒子量低減的同時，不使粒子附著於被處理基板的表面上。
又，最好上述溫度調整手段是調整上述被處理基板的溫度與該室的室內溫度的其中至少一方，而使搬入之前的上述被處理基板的溫度比所欲搬入的室的室內溫度更高2~12℃。
由於只要如此設置2~12℃之較小的溫度差即可，因此不會對搬送於基板處理裝置內的被處理基板造成溫度的影響，可極有效地防止粒子附著於被處理基板的表面上。又，由於只要設置2~12℃之較小的溫度差即可，因此可在極短的時間進行被處理基板與所欲搬入該被處理基板的室之溫度調整。藉此，可在不使生產能力(throughput)降低的情況下防止粒子附著於被處理基板的表面上。
為了解決上述課題，本發明的另一觀點的基板處理裝置，係將收容被處理基板的基板收容容器設置於搬出入口，經由搬出入口來將該基板收容容器內的被處理基板搬入至搬送室內，而對上述被處理基板實施所定的處理之基板 處理裝置，其特徵係具備調整上述被處理基板的溫度與上述搬送室內的溫度的其中至少一方之溫度調整手段，而使從上述基板收容容器搬入上述搬送室之前的上述被處理基板的溫度能夠比上述搬送室內的溫度更高。
又，提供一種粒子附著防止方法，係防止粒子附著於基板處理裝置之被處理基板的表面上，該基板處理裝置係將收容被處理基板的基板收容容器設置於搬出入口，經由搬出入口來將該基板收容容器內的被處理基板搬入至搬送室內，而對上述被處理基板實施所定的處理，其特徵為：
調整上述被處理基板的溫度與上述搬送室內的溫度的其中至少一方，而使從上述基板收容容器搬入上述搬送室之前的上述被處理基板的溫度能夠比上述搬送室內的溫度更高。
若根據如此的本發明的裝置或方法，則比搬送室內的溫度更高溫度的被處理基板會被搬入搬送室，因此在搬送室內被處理基板的表面上的環境會產生溫度梯度。藉由此溫度梯度，該室內浮遊的粒子越接近被處理基板的表面，離開被處理基板的方向的力量會大幅度作用於該粒子，因此可防止粒子附著於被處理基板的表面。特別是根據本發明，即使在大氣壓環境的搬送室內，照樣可以取得大的粒子附著防止效果。
又，上述溫度調整手段可包含暖氣供給部，其係使被調整成比上述搬送室內的溫度更高溫度的暖氣供給至上述基板收容容器內，而來調整上述被處理基板的溫度。
藉此，可利用被溫度調整的暖氣來加熱被處理基板，而使從卡匣容器搬入搬送室之前的被處理基板的溫度能夠比搬送室內的溫度更高。
此情況，上述暖氣供給部係例如配設於上述基板收容容器的附近，可從形成於上述基板收容容器的通氣口供給上述暖氣至上述基板收容容器內。
藉此，可從形成於基板收容容器的通氣口來供給暖氣至基板收容容器內，所以可在關閉基板收容容器的開閉蓋之情況下加熱被處理基板。因此，可不使搬送室內的溫度上昇，在從基板收容容器搬送至搬送室之前只加熱被處理基板。又，由於利用形成於基板收容容器的通氣口，因此可以較簡單的構成來加熱被處理基板。
另外，上述搬送室係於其內側具備引導上述暖氣至上述搬出入口內的氣體流路，上述暖氣供給部可經由上述氣體流路來使上述暖氣從上述搬出入口供給至上述基板收容容器內。
藉此，可與開啟基板收容容器的開閉蓋的同時從基板收容容器與開閉蓋的間隙來對基板收容容器內供給暖氣，因此可在從基板收容容器搬送至搬送室之前加熱被處理基板。
又，最好上述搬送室係具備複數個設置上述基板收容容器的上述搬出入口，且在每個上述搬出入口具備上述氣體流路。
藉此，可有效率地引導暖氣至各基板收容容器。
又，上述搬送手段係具備保持上述被處理基板的基板保持部，上述溫度調整手段係包含加溫部，其係於為了從上述基板收容容器取出被處理基板，而將上述基板保持部揮入上述基板收容容器內來保持上述被處理基板時，加溫該被處理基板。
藉此，可在從基板收容容器搬送至搬送室之前加熱被處理基板。
為了解決上述課題，本發明之其他觀點的基板處理裝置，係將收容被處理基板的基板收容容器設置於搬出入口，經由搬出入口來將該基板收容容器內的被處理基板搬入至搬送室內，而對上述被處理基板實施所定的處理之基板處理裝置，其特徵係具備：連接至上述搬送室，暫時性收容上述被處理基板之收容室，
上述收容室係具備調整上述被處理基板的溫度之溫度調整手段，而使收容於其內部的上述被處理基板的溫度能夠比上述搬送室內的溫度更高。
若根據本發明的裝置，則可將被處理基板收容於收容室，在此將被處理基板的溫度加熱至比搬送室內的溫度更高溫度。因此，之後在搬送室內搬送被處理基板時在被處理基板的表面附近的環境產生溫度梯度，所以可防止粒子附著於被處理基板的表面上。
又，上述收容室例如可為進行上述被處理基板的對位之對位室。上述溫度調整手段可調整設於上述對位室內的載置台所載置的上述被處理基板的溫度。
藉此，為了對位將被處理基板收容於對位室時，可在此將被處理基板的溫度加熱至比搬送室內的溫度更高的溫度。因此，之後在搬送室內搬送被處理基板時在被處理基板的表面附近的環境產生溫度梯度，所以可防止粒子附著於被處理基板的表面上。並且，可一邊進行被處理基板的對位，一邊加熱被處理基板，因此相較於個別進行時，可使生產能力提生。
此情況，上述溫度調整手段例如可包含加溫部，其係加溫上述載置台，而來調整上述被處理基板的溫度，且亦可包含光照射部，其係對上述載置台所載置的上述被處理基板照射包含所定的波長之光，而來調整上述被處理基板的溫度。
藉此，可以比較簡單的構成來加熱被處理基板，而使被處理基板的溫度能夠比搬送室內的溫度更高。
為了解決上述課題，本發明之其他觀點的基板處理裝置，係使收容於基板收容容器的被處理基板至少經由1個以上的室來搬送至處理室，對上述被處理基板實施所定的處理之基板處理裝置，其特徵係具備溫度調整手段，其係從上述基板收容容器至上述處理室之間搬入的室的其中至少一室或各室搬入上述被處理基板時，調整上述被處理基板的溫度及該室的室內溫度的其中至少一方，而使搬入之前的上述被處理基板的溫度能夠比所欲搬入的室的室內溫度更高。
若根據如此的裝置，則比所欲搬入的室的室內溫度更 高溫度的被處理基板會被搬入該室，因此在該室內被處理基板的表面上的環境會產生溫度梯度。藉由此溫度梯度，該室內浮遊的粒子越接近被處理基板的表面，離開被處理基板的方向的力量會大幅度作用於該粒子，因此可防止粒子附著於被處理基板的表面。
又，上述的裝置或方法中，最好所欲搬入被處理基板的室的內部壓力為200Torr以上，更理想是300Torr以上。在200Torr以上，或300Torr以上的室，藉由在該室搬入比該室內溫度更高溫度的被處理基板，可更有效地防止粒子附著於被處理基板的表面。
若根據本發明，則可防止粒子附著於被搬送至處理室的被處理基板的表面上，因此可對處理室搬入清淨狀態的被處理基板，確實地對該被處理基板實施所定的處理。又，亦可在處理完成的基板回到基板收容容器時其搬送中的處理完成基板的表面上附著粒子。
以下，一邊參照圖面一邊詳細說明有關本發明的較佳實施形態。另外，在本說明書及圖面中，針對實質上具有同一機能構成的構成要素賦予同一符號，省略重複說明。
(第1實施形態的基板處理裝置的構成例)
首先，一邊參照圖面一邊說明有關本發明的第1實施形態的基板處理裝置100的構成例。在此，舉一在搬送室連接1個或2個以上的真空處理單元之基板處理裝置100為例來進行說明。圖1是表示第1實施形態的基板處理裝置100的概略構成剖面圖。
基板處理裝置100是具備：對被處理基板例如半導體晶圓(以下簡稱為「晶圓」)W進行成膜處理，蝕刻處理等的各種處理之1個或2個以上的真空處理單元110，及使對該真空處理單元110搬出入晶圓W的搬送單元120。搬送單元120是具有搬送晶圓W時共用的搬送室200。
圖1是表示將2個的真空處理單元110A，110B配設於搬送單元120的側面之例。各真空處理單元110A，110B是分別具有處理室140A，140B，及分別連設於該等處理室，構成可抽真空的加載互鎖室150A，150B。各真空處理單元110A，110B是可在各處理室140A，140B內對晶圓W例如實施同種的處理或異種的處理。在各處理室140A，140B內分別設有用以載置晶圓W的載置台142A，142B。另外，由該處理室140及加載互鎖室150所構成的真空處理單元110並非限於2個，亦可再追加設置。
上述搬送單元120的搬送室200是藉由例如被供給N2 氣體等的惰性氣體或清淨空氣之剖面大略矩形狀的箱體所構成。在構成搬送室200之剖面大略矩形狀的長邊的一側面分別並設有複數的卡匣台132A~132C，該複數的 卡匣台132A~132C分別設有作為基板收容容器的卡匣容器400A~400C。在圖1是舉一例如可在各卡匣台132A~132C分別將3台的卡匣容器400A~400C各載置一個的例子，但卡匣台與卡匣容器的數量並非限於此，例如亦可為1台或2台，或設置4台以上。
各卡匣容器400A~400C是具有可等間距多段載置收容例如最大25片的晶圓W之密閉構造，內部是例如充滿N2 氣體環境。而且，藉由開啟開閉門220A~220C，可進行各卡匣容器400A~400C與搬送室200之間的晶圓W的搬出入。
在搬送室200內設有沿著其長度方向(圖1所示的箭號方向)來搬送晶圓W的搬送機構(搬送手段)160。此搬送機構160是例如被固定於基台162上，此基台162是例如可藉由線性馬達驅動機構來滑移於搬送室200內的中心部沿著長度方向而設置的導軌168上。搬送機構160例如可為圖1所示般具備2個多關節臂164A，164B及2個作為基板保持部的拾取器166A，166B的雙臂機構，或具備1個拾取器的單臂機構。
在構成搬送室200之剖面大略矩形狀的長邊的另一側面，上述2個加載互鎖室150A，150B的基端會分別經由構成可開閉的閘閥(大氣側閘閥)152A，152B來連結。各加載互鎖室150A，150B的前端是經由構成可開閉的閘閥(真空側閘閥)144A，144B來分別連結至上述處理室140A，140B。
在各加載互鎖室150A，150B內分別設有使晶圓W一時載置待機的一對緩衝用載置台154A，156A及154B，156B。在此，以搬送室200側的緩衝用載置台154A，154B作為第1緩衝用載置台，以相反側的緩衝用載置台156A，156B作為第2緩衝用載置台。而且，在兩緩衝用載置台154A，156A間及154B，156B間設有可屈伸，迴旋及昇降的多關節臂所構成的個別搬送機構(真空側搬送機構)170A，170B。
在該等個別搬送機構170A，170B的前端設有拾取器172A，172B，可使用該拾取器172A，172B在第1，第2兩緩衝用載置台154A，156A及154B，156B間進行晶圓W的交接移載。另外，從加載互鎖室150A，150B往處理室140A，140B內之晶圓W的搬出入是分別使用上述個別搬送機構170A，170B來進行。
在構成搬送室200的一端部，亦即剖面大略矩形狀的短邊之一方的側面，經由閘閥228來連接作為晶圓W的定位裝置之定位器(預對準台)180。定位器180是例如在內部具備旋轉載置台182及用以光學性地檢測出晶圓W的周緣部之光學感測器184，檢測出晶圓W的定位平台(orientation flat)或刻槽等來進行對位。
在基板處理裝置100設有控制裝置全體的動作之控制部300。控制部300是根據所定的設定資訊來實行所定的程式而控制各部。藉此，例如進行處理室140A，140B的製程處理，搬送室200，加載互鎖室150A，150B的晶圓 搬送處理，定位器180的對位處理。並且，控制部300是在於控制後述的溫度調整手段。
(第1實施形態的溫度調整手段的構成例)
其次，一邊參照圖2一邊詳細說明有關第1實施形態的溫度調整手段的構成例。圖2是表示連接第1實施形態的溫度調整手段的卡匣台132，及連接該卡匣台132的搬送室200的概略構成的縱剖面圖，由搬送室200的端部方向來看的圖。另外，在本實施形態中，卡匣台132A~132C是彼此具有大略相同的構成，且卡匣容器400A~400C亦具有彼此大略相同的構成。在圖2中僅代表性地顯示卡匣台132及卡匣容器400。
首先，說明有關搬送室200的構成例。搬送室200是例如藉由不鏽鋼或鋁製的框體210來區劃形成。在該框體210的一側壁連接用以載置卡匣容器400的卡匣台132。並且，在框體210的側壁之對應於卡匣容器400的位置形成有基板搬出入口212。卡匣容器400與搬送室200內之間的晶圓W的交接是經由該基板搬出入口212來進行。
在基板搬出入口212設有開閉該基板搬出入口212的開閉門220。此開閉門220是與後述的開閉門驅動機構一起具有作為掀開或關起用以閉塞卡匣容器400的開閉蓋402之掀蓋機構的機能。
以下，具體說明有關如此的開閉門220的構成例。在開閉門220中藏有蓋開閉機構226，該蓋開閉機構226是 例如藉由嵌裝於卡匣容器400的開閉蓋402的鍵槽(未圖示)後予以旋轉，而進行鎖定‧解鎖。另外，如此的蓋開閉機構226的詳細是例如揭示於日本特開2001-77177號公報。
並且，開閉門220是被連接至使卡匣容器400的開閉蓋402水平驅動、昇降驅動於與開閉門220一起開閉的方向之開閉門移動機構。例如圖2所示，開閉門移動機構是具備用以水平驅動及昇降驅動開閉門220的促動器(actuator)222，用以安裝開閉門220的伸縮桿224。
伸縮桿224可藉由促動器222來伸縮，使開閉門220昇降(圖2的上下箭號方向)。並且，伸縮桿224可藉由促動器222來使開閉門220對基板搬出入口212驅動於前後方向(開閉卡匣容器400的開閉蓋402的方向，亦即圖2的左右箭號方向)。例如藉由伸縮桿224來使開閉門220前進於基板搬出入口212的方向，而閉塞搬出入口212。
藉由蓋開閉機構226來使開閉蓋402解鎖，利用促動器222的動作來使開閉門220與開閉蓋402一起後退，藉此開閉蓋402會從卡匣容器400掀開而與開閉門220一起進行搬送室200內。然後，一旦伸縮桿224退縮，則開閉門220會與開閉蓋402一起降下而退避，基板搬出入口212形成晶圓W的搬出入可能的開口狀態。
在框體210的頂部形成有複數的給氣口214，在框體210的底部形成有複數的排氣口216。在複數的給氣口 214的下方設有用以使外氣從複數的給氣口214導入至搬送室200內之給氣風扇230，在給氣風扇230的下方設有用以過濾藉由給氣風扇230所導入的外氣之給氣過濾器232。
給氣過濾器232是藉由去除從給氣口214導入的外氣中所含的粒子之粒子除去過濾器所構成。粒子除去過濾器，例如可舉HEPA (High Efficiency Particulate Air)過濾器，ULPA (Ultra Low Penetration Air)過濾器等。
另外，給氣過濾器232並非限於上述者。例如給氣過濾器232亦可藉由化學過濾器，活性碳過濾器等所構成，且亦可將該等的過濾器與粒子除去過濾器組合構成。
藉由如此構成的給氣風扇230來從複數的給氣口214導入至搬送室200內，且利用給氣過濾器232來清淨化的外氣是經由複數的排氣口216來排氣至搬送室200外。此時，在搬送室200內形成有從頂部往底部之空氣的沈流234。此沈流234可發揮將搬送室200內所發生的粒子排出至搬送室200外的任務。另外，亦可在複數的排氣口216的上側(搬送室200的內側)或下側(搬送室200的外側)具備用以將搬送室200內予以積極地排氣之排氣風扇。
並且，在框體210的頂部，最好對應於框體210的大小來配設複數的給氣風扇230及複數的給氣過濾器232。藉此，在搬送室200內全體形成均一流量的沉流234。
在如此構成的搬送室200中是經由給氣過濾器232來 導入外氣，藉此可壓制與外氣一起進入搬送室200內的粒子的量或大小。可是在搬送室200內，例如隨著基板搬送機構或蓋開閉機構等的驅動系的動作，因為潤滑油(grease)等的潤滑劑，構件間的摩擦等而產生粒子。進靠著給氣過濾器232的沈流，是無法完全抑止在如此的搬送室200內產生粒子。因此，在利用給氣過濾器232之搬送室200內搬送未處理的晶圓W的期間，依然會有粒子附著於晶圓W的表面之問題存在。
特別是近年來隨著半導體積體電路之設計規範的微細化演進，期望有即使是極些微的粒子也會在進行製程處理前的階段不使附著於晶圓W的表面上之技術。
於是，本實施形態設置一調整晶圓W的溫度與搬送室200內的溫度的其中至少一方的溫度調整手段，而使搬入至由卡匣容器400來看形成晶圓W的搬送方向的次室之搬送室200前的晶圓W的溫度能夠比搬送室200內的溫度更高。藉此，比搬送室200內的溫度更高的溫度的晶圓W會被搬入至搬送室200，因此在搬送室200內晶圓W表面上的環境產生溫度梯度。藉由此溫度梯度，在搬送室200內浮遊的粒子越接近晶圓W的表面，該粒子離開晶圓W的方向的力量會大幅度地動作，因此可防止粒子附著於晶圓W表面。有關如此溫度調整手段的具體構成例會在往後敘述。
(第1實施形態的溫度調整手段)
其次，一邊參照圖面一邊說明有關第1實施形態的溫度調整手段的具體構成例。第1實施形態的溫度調整手段是具備將被調整成比作為次室的搬送室200內的溫度更高的溫度之暖氣供給至卡匣容器400內，而來調整卡匣容器400內的晶圓W的溫度之暖氣供給部500。
圖3是表示暖氣供給部500及其附近的擴大圖。暖氣供給部500是設於卡匣容器400的附近，例如圖2，圖3所示卡匣台132的下側。暖氣供給部500是例如藉由控制基板處理裝置100的各部之控制部300來控制。
具體而言，例如控制部300是根據藉由設於搬送室200的溫度感測器TS1所測定之搬送室200內的溫度來調整控制暖氣供給部500而供給至卡匣容器400的暖氣溫度，使晶圓W的溫度能夠比搬送室200內的溫度只高所定溫度(例如3℃)。藉此，可按照搬送室200內的溫度來調整卡匣容器400內的晶圓W的溫度。
另外，此情況之溫度感測器TS1之搬送室200內的溫度測定，當基板處理裝置100的設置場所的溫度環境不變化時，例如設置於無塵室內時等，只要在開始基板處理裝置100的操業時進行即可。但，當基板處理裝置100的設置場所的溫度環境容易變化時，可定期地測定搬送室200內的溫度。
在本實施形態的卡匣容器400的底部形成有用以對應於例如搬送卡匣容器400時的周邊環境的壓力變動之複數的通氣口404。並且，在卡匣台132形成有：用以將暖氣 供給部500所噴出的暖氣502經由卡匣容器400的通氣口404來引導至卡匣容器400內之暖氣供給口134，及用以將進入卡匣容器400內的暖氣502經由別的通氣口404來回到暖氣供給部500之暖氣排出口136。
藉由如此的構成，暖氣供給部500會按照來自控制部300的指令將被調整成所定溫度的暖氣502供給至卡匣容器400內。此時，暖氣502是經由暖氣供給口134及通氣口404來導入至被設置於卡匣台132的卡匣容器400內。暖氣502是在進入卡匣容器400內後，經由通氣口404及暖氣排出口136來回到暖氣供給部500。藉由如此的暖氣502，卡匣容器400內的環境溫度會上昇，被收容的晶圓W的溫度會被調整成所定的溫度。另外，最好是加熱乾空氣而生成暖氣502。
(第1實施形態的基板處理裝置的動作例)
在此，說明具有以上那樣構成的第1實施形態的基板處理裝置100的動作例。首先，一旦收容複數晶圓W的卡匣容器400設置於卡匣台132，則控制部300會控制暖氣供給部500，而將所定溫度的暖氣502經由暖氣供給口134及通氣口404來供給至卡匣容器400內。
此時，控制部300可根據自溫度感測器TS1取得的搬送室200內的溫度資訊來決定目標溫度，算出收容於卡匣容器400內的晶圓W為了達到目標溫度所必要的暖氣502的溫度及供給時間。然後，控制部300會根據此算出結果 來控制暖氣供給部500。此時，晶圓W是否被調整成目標溫度，可以暖氣502的供給時間是否經過來判斷。在本實施形態，控制部300是以收容於卡匣容器400內的晶圓W的溫度比搬送室200內的溫度更高例如僅高3℃之方式來控制暖氣供給部500。
控制部300是一旦判斷收容於卡匣容器400內的處理前的晶圓W被調整成目標溫度(例如暖氣502的所定供給時間經過)，則以開閉門220及開閉蓋402能夠收納於搬送室200內的方式使伸縮桿224動作於水平方向及垂直方向。藉此，基板搬出入口212會形成開放狀態。
其次，搬送機構160會從卡匣容器400取出進行處理的晶圓W，將此晶圓W搬入至由卡匣容器400來看晶圓W的搬送方向的次室之搬送室200。然後，搬送機構160會更將晶圓W搬送至定位器180。晶圓W會在此被對位。上述搬送機構160會再度從定位器180受取保持所被對位的晶圓W，搬送至對該晶圓W進行處理的真空處理單元110A或110B的加載互鎖室150A或150B之前。
接著，一旦閘閥152A或152B被開放，則搬送機構160會將保持的晶圓W從搬送室200搬入至加載互鎖室150A或150B內。一旦往加載互鎖室150A或150B之晶圓W的搬入終了，則閘閥152A或152B會被閉塞。
一旦閘閥144A或144B被開放，則個別搬送機構170A或170B會將被搬入至加載互鎖室150A或150B內的晶圓W搬入至處理室140A或140B。一旦往處理室 140A或140B之晶圓W的搬入終了，則閘閥144A或144B會被閉塞，在處理室140A或140B中對晶圓W實施蝕刻處理或成膜處理等的所定處理。
然後，一旦在處理室140A或140B的晶圓W處理終了，而閘閥144A或144B被開放，則個別搬送機構170A或170B會將晶圓W搬出至加載互鎖室150A或150B。一旦往加載互鎖室150A或150B之晶圓W的搬出終了，則閘閥144A或144B會被閉塞，進行往搬送室200之晶圓W的搬出動作。亦即，為了解除處於大氣壓狀態的搬送室200與加載互鎖室150A或150B內的壓力差，而進行加載互鎖室150A或150B內的大氣開放後，閘閥152A或152B會被開放。如此一來，搬送機構160會將處理完成晶圓W從加載互鎖室150A或150B搬出至搬送室200，更回到原本的卡匣容器400。如以上般，完成對晶圓W的所定處理。
如此，從卡匣容器400取出的晶圓W是搬入至加載互鎖室150A或150B為止移動於搬送室200內。此時，晶圓W的溫度是被調整成比搬送室200內的溫度更高所定溫度(例如3℃)，因此在搬送室200內隨時在晶圓W的表面上產生溫度梯度。藉此，可防止在搬送室200內粒子附著於搬送中的晶圓W的表面上。其結果，可將表面上未附著粒子之清淨狀態的未處理晶圓W從真空處理單元110亦即加載互鎖室150A或150B搬送至處理室140A或140B。
(實驗結果)
在此，一邊參照圖4及圖5一邊說明有關確認出可藉由將晶圓W的溫度調高成比搬送室200內的溫度更高來防止粒子附著於晶圓W的表面上之效果的實驗結果。在此，準備同種類的2片實驗用晶圓Wa，Wb，一方的實驗用晶圓Wa是保持實驗室的室溫，另一方的實驗用晶圓Wb則加溫成比實驗室的室溫更高，測定在同樣的粒子所浮遊的大氣壓環境的實驗室內取一定時間的兩晶圓Wa，Wb的表面上附著的粒子數。
圖4是表示將一方的實驗用晶圓Wa保持實驗室的室溫(24℃)，將另一方的實驗用晶圓Wb加溫成比實驗室的室溫高3℃形成27℃，而比較進行實驗時的兩晶圓Wa，Wb的表面上附著的粒子數的結果。圖5是將同實驗中兩晶圓Wa，Wb的表面上附著的粒子予以按大小分類，按大小彙整後的數量表。
由圖4的圖表及圖5的表可知，藉由加溫晶圓W，可大幅度減少附著於表面的粒子的數量。在該實驗中，比實驗室的室溫高3℃的實驗用晶圓Wb之粒子的附著量會被壓低約保持實驗室的室溫的實驗用晶圓Wa之粒子的附著量的3%。可知將晶圓W的溫度形成比實驗室的室溫高3℃，可使粒子的附著量全體減少2位數。並且，此實驗特別可使0.10~0.20μm的粒子幾乎不附著於晶圓Wb的表面。實際在搬送室200內浮遊的粒子大小，可想像該 0.10~0.20μm者為最多，因此幾乎不使該大小的粒子附著之本實施形態的效果非常大。
又，針對使晶圓W的溫度形成更高時的效果，進行與上述同樣的實驗。一邊參照圖6及圖7一邊說明有關其結果。此實驗亦準備同種類的2片實驗用晶圓Wc，Wd。圖6是表示將一方的實驗用晶圓Wc保持實驗室的室溫(24℃)，將另一方的實驗用晶圓Wd加溫成比實驗室的室溫高11℃形成35℃，而比較進行實驗時的兩晶圓Wc，Wd的表面上附著的粒子數的結果。圖7是將同實驗中兩晶圓Wc，Wd的表面上附著的粒子予以按大小分類，按大小彙整後的數量表。
若比較圖6的圖表與圖7的表，及圖4的圖表與圖5的表，則可知藉由使晶圓W的溫度更上昇，防止粒子附著於晶圓W表面的效果會更提高。在該實驗中，粒子的附著量是在將實驗用晶圓Wd加溫成與實驗室的室溫的溫度差11℃時，要比加溫成溫度差3℃時還要更少約2%。
由上述的實驗結果可推定晶圓W的溫度與往晶圓W表面的粒子附著量之間具有相關關係。在此，更進行依照粒子大小別(0.06μm，0.08μm，0.10μm)來比較對室溫調整成-4.2℃，-2.1℃，+1.0℃，+2.2，+4.7℃，+12.0℃，+15.7℃，+18.8℃的實驗用晶圓及調整成室溫的實驗用晶圓之粒子附著量的實驗。將該實驗結果顯示於圖8的圖表。
由圖8的圖表可知，若將晶圓W的溫度提高成比實 驗室的室溫更高，則無論粒子的大小如何，可使往晶圓W的附著量減少。而且，可知以室溫為基準在±0℃~+12℃程度的範圍，越使晶圓W的溫度比室溫更高，越更可壓低粒子的附著量。這可想像是因為對於周圍的環境溫度而言一旦提高晶圓W的溫度，則晶圓W表面附近的環境的溫度梯度會形成更急，粒子的附著防止效果會提高。
可是，一旦使實驗用晶圓W的溫度與實驗室的室溫之溫度差提高成比12℃更高，則粒子的附著率會稍微變差。因此，晶圓W的溫度與搬送室200內的溫度之溫度差的調整範圍(本實施形態是晶圓W的溫度調整範圍)最好為2~12℃程度。
此情況，越想要增大晶圓W的溫度與搬送室200內的溫度差，則溫度調整越花時間，因此若考量生產能力，則晶圓W的溫度調整值例如可為+2℃~3℃。此程度的溫度差亦可使粒子的附著量減低至10%。另外，即使將晶圓W加溫至+2~12℃程度，也不會對晶圓W的品質造成影響，且進行溫度調整時的消費電力亦可壓低。
可藉由如此將晶圓W的溫度調整成比搬送室200內的溫度更高來防止粒子附著於晶圓W的表面上之情況在實驗中亦可確認。有關其理由例如可想像如以下般。
在晶圓W的表面附近浮遊的粒子，例如會藉由重力或靜電力等的引力作用而被吸引至晶圓W的表面上。此時，若晶圓W的溫度比其周圍溫度更高，則在晶圓W的表面附近的環境會形成溫度梯度，對應於該溫度梯度的斜 度，例如熱泳動力等的排斥力會作用。
由於此溫度梯度是形成越接近晶圓W的表面，溫度越高，因此在晶圓W的表面上浮遊的粒子越是接近晶圓W的表面，熱泳動力等的排斥力作用越大。因此，可想像在晶圓W的表面附近的粒子越接近晶圓W的表面，溫度梯度所產生的熱泳動力等的排斥力越會高於重力或靜電力等的引力，其結果可防止粒子附著於晶圓W的表面。
熱泳動力依環境壓力而其大小會有所變化。為了確認其相關關係，而進行依照環境壓力別(10Torr，100Torr，200Torr，300Torr)來比較調整成比室溫更高溫度的實驗用晶圓與調整成室溫的實驗用晶圓之粒子附著量的實驗。將該實驗結果顯示於圖9的圖表。亦可由圖9所示的實驗結果得知，在10Torr，100Torr等高真空度時，無關調整成比室溫更高溫度的實驗用晶圓與調整成室溫的實驗用晶圓之溫度差，粒子相對附著率是接近1倍。亦即，往兩者之粒子附著量看不出有顯著的差。
相對的，若如200Torr，300Torr那樣真空度變低，則可知粒子附著率會變低。特別是若在晶圓表面形成2℃以上的溫度梯度，則可知往晶圓表面之粒子的附著率會顯著減少。
又，晶圓W為處於真空環境時與處於大氣壓環境時之晶圓W表面附近(例如離晶圓W表面1cm程度)的環境所出現的溫度梯度的特性曲線是分別推定成如圖10(A)，(B)所示般。若著眼於如此的晶圓W表面附近的溫 度梯度，則當晶圓W處於真空環境時，如圖10(A)所示，從晶圓W表面到1cm程度為止大致形成一定的傾斜度的溫度梯度，相對的，當晶圓W處於大氣壓環境時，如圖10(B)所示，在晶圓W表面正上方產生傾斜度成陡峭的溫度梯度。因此，可想像藉由如此的溫度梯度所產生的熱泳動力等的排斥力也是在晶圓W處於大氣壓環境時，要比處於真空壓環境時，越接近晶圓W表面越急速變大。
因此，即使晶圓W處於大氣壓環境時的熱泳動力沒有像處於真空壓環境時那麼大，還是會因為越接近晶圓W表面其力量越會急速變大，所以在晶圓W的表面附近的粒子，越接近晶圓W的表面離開其表面的力量越會急速變強。其結果，可想像即使晶圓W處於大氣壓環境中，只要將晶圓W的溫度調整成比周圍溫度該2~12℃程度，便可防止粒子附著於晶圓W的表面。
另外，如專利文獻4所記載，為了剝離除去一旦附著於晶圓W表面上的粒子，需要大的能量。相對的，如本實施形態那樣，為了不使接近於真空度低的室內的晶圓W表面而來的粒子附著，即使不賦予那麼大的熱泳動力還是足夠。
若如上述利用第1實施形態，則藉由對收容晶圓W的卡匣容器400供給暖氣502，可在將晶圓W搬入次室亦即搬送室200之前使晶圓W的溫度只上昇所定溫度。藉此，在搬送室200內，可防止粒子附著於晶圓W的表面 上。然後，可將未附著粒子之清淨的晶圓W送至加載互鎖室150。其結果，可防止附著的粒子所引起之晶圓W的處理不良發生，因此可提高良品率。
特別是第1實施形態在搬入搬送室200之前使晶圓W的溫度上昇，所以從晶圓W進入搬送室200內的瞬間可防止粒子的附著。並且，根據第1實施形態，可利用形成於卡匣容器400的通氣口來對卡匣容器400內供給暖氣502之比較簡單的構成加熱晶圓W。
(第2實施形態的溫度調整手段)
其次，一邊參照圖11及圖12一邊說明有關本發明的第2實施形態的溫度調整手段。在第1實施形態是說明有關從通氣口404來供給暖氣502至卡匣容器400的內部之溫度調整手段，但在第2實施形態則是說明有關經由形成於搬送室內的氣體流路來從基板搬出入口212供給暖氣至卡匣容器400的內部之溫度調整手段。
圖11是表示具備第2實施形態的溫度調整手段的搬送室201的概略構成縱剖面圖，由搬送室201的端部方向所見的圖。如圖11所示，在第2實施形態的搬送室201，其內側設有引導來自暖氣供給部510的暖氣至基板搬出入口212內之氣體流路。具體而言，以能夠涵蓋基板搬出入口212的方式設置延伸出於上下方向的隔壁240，在側壁210A與隔壁240之間形成氣體流路。圖11所示的隔壁240是上側延伸出至框體210的頂部，下側是延伸出至 框體210的底部。氣體流路是藉由該隔壁240來與加載互鎖室150側的搬送室201內的環境隔離。另外，本實施形態是將上述氣體流路中，比基板搬出入口212更上側稱為上部氣體流路242，比基板搬出入口212更下側稱為下部氣體流路252。
在隔壁240與基板搬出入口212對向的部位，開口一內側基板搬出入口260，此內側基板搬出入口260是在以開閉門220來開啟卡匣容器400的開閉蓋402時，可被開閉門220的背側所閉塞。
在上部氣體流路242的上端部，經由暖氣導入管514來連接暖氣供給部510。暖氣供給部510是按照從控制部300傳送的控制信號來生成所定溫度的暖氣512，而經由暖氣導入管514來供給至上部氣體流路242。然後，在以開閉門220來開啟卡匣容器400的開閉蓋402時，一旦從暖氣供給部510供給暖氣512，則該暖氣512會被引導至上部氣體流路242而進入卡匣容器400。
暖氣供給部510可加熱空氣經由ULPA過濾器來生成暖氣512，亦可加熱N2 氣體等的惰性氣體而生成暖氣512。另外，亦可在上部氣體流路242內例如具備ULPA過濾器。
並且，下部氣體流路252是被連接至形成於框體210的底部之排氣口216。藉此，可使自卡匣容器400流出的暖氣512經由下部氣體流路252從排氣口216排出至搬送室201外。而且，本實施形態在下部氣體流路252內設置 具有促動器222及伸縮桿224的開閉門移動機構。
另外，亦可在下部氣體流路252設置用以從排氣口216來積極地排除暖氣512的排氣風扇。並且，在加熱N2 氣體等的惰性氣體而生成暖氣512時，亦可設置用以使從排氣口216排氣的暖氣512回到暖氣供給部510的循環路。
而且，在第2實施形態的搬送室201具備卡匣台138。此卡匣台138對於第1實施形態的搬送室200所具備的卡匣台132而言省略了暖氣供給口134及暖氣排出口136。
在如此的圖11所示的搬送室201中，一旦開閉門220與開閉蓋402移動至搬送室201的內側方向，而開閉門220以其背側閉塞內側基板搬出入口260，則如圖12所示，氣體流路(上部氣體流路242，下部氣體流路252)是與加載互鎖室150側的搬送室201內的環境完全隔離。
在此狀態下，一旦從暖氣供給部510供給暖氣512，則暖氣512會被引導至上部氣體流路242而從基板搬出入口212進入卡匣容器400內。亦即，如圖12所示，一旦卡匣容器400的開閉蓋402被開放，則會在卡匣容器400與開閉蓋402之間產生間隙，因此藉由上部氣體流路242所引導的暖氣512會從該間隙進入。
然後，暖氣512會被充滿於卡匣容器400內，從卡匣容器400與開閉蓋402的間隙流至下部氣體流路252，自 排氣口216排出至搬送室201外。如此一來，可藉由進入卡匣容器400內的暖氣512來加熱卡匣容器400內的各晶圓W。
另外，在供給暖氣512的期間，如上述般藉由開閉門220來閉塞內側基板搬出入口260，所以流入卡匣容器400內的暖氣512不會流出至搬送室201內形成有沈流234的空間。因此，搬送室201內的溫度不會藉由暖氣512的供給而上昇。
然後，一旦經過所定時間，則停止來自暖氣供給部510之暖氣512的供給。藉此，卡匣容器400內的各晶圓W的溫度可上昇至比搬送室201內的溫度只高所定溫度(例如3℃)。其次，藉由伸縮桿224來使開閉門220與開閉蓋402下降，而來開放內側基板搬出入口260。如此一來，基板搬出入口212與內側基板搬出入口260會被開放，可從卡匣容器400搬出晶圓W。搬送機構160會從卡匣容器400取出進行處理的晶圓W，和第1實施形態同樣將晶圓W搬入至次室亦即搬送室201內。
如以上，若利用第2實施形態，則可從基板搬出入口212供給暖氣512至收容晶圓W的卡匣容器400，在晶圓W搬入至搬送室201之前使晶圓W的溫度只上昇所定溫度。藉此，和第1實施形態同樣，可在搬送室201內防止粒子附著於晶圓W的表面上。
並且，在搬送室201具備複數的卡匣台138(圖1的卡匣台132A~132C參照)，設有對應於各卡匣台的複數 個基板搬出入口212時，亦可以能夠涵蓋複數的基板搬出入口212之方式來設置隔壁240，且在每個基板搬出入口212設置隔壁240，分別構成氣體流路(上部氣體流路242，下部氣體流路252)。如此，在每個基板搬出入口212形成氣體流路，可以最小限度的流量的暖氣512來有效率地加熱各卡匣容器400 (400A~400C)內的晶圓W。
(第3實施形態的溫度調整手段)
其次，一邊參照圖13及圖14一邊說明有關本發明的第3實施形態的溫度調整手段。在第2實施形態是說明有關在氣體流路內設置具備促動器222及伸縮桿224的開閉門移動機構時，但在第3實施形態則是說明有關在氣體流路的外側設置開閉門移動機構時。
圖13是表示具備第3實施形態的溫度調整手段的搬送室202的概略構成縱剖面圖，由搬送室202的端部方向所見的圖。
圖13所示的隔壁244的上側是比給氣過濾器232更下側，以能夠涵蓋至少比基板搬出入口212的上端部更上側為止的方式延伸出，隔壁244的下側是以能夠涵蓋至少比基板搬出入口212的下端部更下側為止的方式延伸出。另外，本實施形態是將上述氣體流路中，比基板搬出入口212更上側稱為上部氣體流路246，比基板搬出入口212更下側稱為下部氣體流路256。
在隔壁244與基板搬出入口212對向的部位，開口一 內側基板搬出入口262，此內側基板搬出入口262可藉由開閉門220來閉塞。
圖13所示的暖氣供給部510是經由通過側壁210A的暖氣導入管514來連接至上部氣體流路246。藉此，以開閉門220來開啟卡匣容器400的開閉蓋402時，一旦從暖氣供給部510供給暖氣512，則該暖氣512會被引導至上部氣體流路246而進入卡匣容器400。
並且，在下部氣體流路256連接通過側壁210A的暖氣導出管516。藉此，可使從卡匣容器400流出的暖氣512經由下部氣體流路256來從暖氣導出管516排出至搬送室202外。另外，亦可在下部氣體流路256設置用以積極地排除暖氣512的排氣風扇。並且，在加熱N2 氣體等的惰性氣體而生成暖氣512時，可將用以使被排氣的暖氣512回到暖氣供給部510的循環路連接至暖氣導出管516。
在如此圖13所示的搬送室202中，開閉門220與開閉蓋402移動至搬送室202的內側方向，開閉門220會形成閉塞內側基板搬出入口262，如圖14所示，氣體流路(上部氣體流路246，下部氣體流路256)會與加載互鎖室150側的搬送室202內的環境完全隔離。
在此狀態下，一旦從暖氣供給部510供給暖氣512，則暖氣512會被引導至上部氣體流路246而從基板搬出入口212進入卡匣容器400內。亦即，如圖14所示，一旦卡匣容器400的開閉蓋402被開放，則會在卡匣容器400 與開閉蓋402之間產生間隙，因此藉由上部氣體流路246所引導的暖氣512會從該間隙進入。
然後，暖氣512會被充滿於卡匣容器400內，從卡匣容器400與開閉蓋402的間隙流入至下部氣體流路256，自暖氣導出管516排出至搬送室202外。然後，藉由進入卡匣容器400內的暖氣512來加熱卡匣容器400內的各晶圓W。
另外，在第3實施形態的情況中，亦與第2實施形態的情況同樣，在供給暖氣512的期間，如上述藉由開閉門220來閉塞內側基板搬出入口262，所以流入卡匣容器400內的暖氣512不會流出至搬送室202內形成有沈流234的空間。因此，搬送室202內的溫度不會藉由暖氣512的供給而上昇。
然後，一旦經過所定時間，則停止來自暖氣供給部510之暖氣512的供給。藉此，卡匣容器400內的各晶圓W的溫度會只上昇所定溫度(例如3℃)。其次，藉由伸縮桿224來使開閉門220與開閉蓋402更水平移動至搬送室202的內側方向而從內側基板搬出入口262推出後，使該等下降而開放內側基板搬出入口262。如此一來，基板搬出入口212與內側基板搬出入口262會被開放，可從卡匣容器400搬出晶圓W。亦即，藉由搬送機構160來從卡匣容器400取出進行處理的晶圓W，和第1實施形態同樣將晶圓W搬入至次室亦即搬送室202內。
如以上，若利用第3實施形態，則與第2實施形態同 樣，可從基板搬出入口212供給暖氣512至收容晶圓W的卡匣容器400，在晶圓W搬入至搬送室202之前使晶圓W的溫度只上昇比搬送室202的溫度高所定溫度(例如3℃)。藉此，和第1實施形態同樣，可在搬送室202內防止粒子附著於晶圓W的表面上。並且，第3實施形態的氣體流路是縮短成至少從基板搬出入口212的上端涵蓋下端的程度，因此可有效率地供給暖氣512。
並且，在第3實施形態的情況中，亦與第2實施形態的情況同樣，在搬送室202具備複數的卡匣台138(圖1的卡匣台132A~132C參照)，設有對應於各卡匣台的複數個基板搬出入口212時，亦可以能夠涵蓋所有基板搬出入口212的方式來設置隔壁244，且在每個基板搬出入口212設置隔壁244，分別構成氣體流路(上部氣體流路246，下部氣體流路256)。如此，在每個基板搬出入口212形成氣體流路，可以最小限度的流量的暖氣512來有效率地加熱各卡匣容器400 (400A~400C)內的晶圓W。
另外，在第3實施形態中被導入卡匣容器400內的暖氣512是經由下部氣體流路256來排出至搬送室202外，但亦可取而代之，當卡匣容器400中形成有通氣口(未圖示)時，從該通氣口排出。此情況，當通氣口形成於卡匣容器400的底部時，可與第1實施形態的卡匣台132的暖氣排出口136同樣，在卡匣台138設置連通至通氣口的暖氣排出口。藉由此構成，亦可有效率地加熱被收容於卡匣容器400內的晶圓W。
(第4實施形態的溫度調整手段)
其次，一邊參照圖15及圖16一邊說明有關本發明的第4實施形態的溫度調整手段。在第1～第3實施形態是說明有關對卡匣容器400的內部供給暖氣來加熱晶圓W的溫度調整手段，但在第4實施形態則是說明有關利用光來加熱晶圓W的溫度調整手段。
圖15是表示具備第4實施形態的溫度調整手段的搬送室203的概略構成縱剖面圖，由搬送室203的端部方向所見的圖。第4實施形態的搬送室203，如圖15所示，在卡匣台138的上方具備光照射部270，及用以將該光照射部270固定於搬送室203的框體210之拖架272。光照射部270是按照自控制部300傳送的控制信號來以所定的功率射出包含所定的波長之光274。
圖16是第4實施形態的光照射部270及卡匣容器400的擴大圖。如圖16所示，拖架272是以自光照射部270發出的光274能夠照射至卡匣容器400的上面之方式來安裝於框體210。
光照射部270是例如以可被晶圓W的材質亦即矽所吸收而起熱作用的熱線(例如近紅外線)作為光274照射的光源來構成。此情況，卡匣容器400的全體，或被光274照射的上面部份最好為透過近紅外線的材料所構成。藉此，光274可通過卡匣容器400的壁來到達晶圓W，被晶圓W所吸收。如此一來，晶圓W會被加溫，一旦經過 所定時間，晶圓W的溫度可上昇比搬送室203內的溫度只高所定溫度(例如3℃)。如此的光照射部270是與溫度感測器TS1，控制部300等一起構成對應於搬送室203內的溫度來調整卡匣容器400內的晶圓W的溫度之溫度調整手段。
另外，如圖16所示，將光照射部270設置於卡匣容器400的上側時，由於被載置於最上段的晶圓W會先被加熱，因此可從被加熱的最上段的晶圓W開始依序從卡匣容器400搬出。並且，光照射部270可使用對應於晶圓W的材質而以其他波長的光作為光274來照射的光源，且亦可藉由光照射部270來加熱卡匣容器400，而間接性地加熱晶圓W。此情況，光照射部270可使用以遠紅外線或可視光或其他波長的光作為光274來照射的光源。
如以上，若利用第4實施形態，則可藉由對收容晶圓W的卡匣容器400照射熱線等的光274來有效率地加熱卡匣容器400內的晶圓W。並且，可在保持關閉卡匣容器400的開閉蓋402的狀態下加熱晶圓W，因此可在將晶圓W搬入搬送室203之前使晶圓W的溫度上昇至所定溫度。藉此，與第1實施形態同樣，可在次室亦即搬送室203內防止粒子附著於晶圓W的表面上。
(第5實施形態的溫度調整手段)
其次，一邊參照圖17一邊說明有關本發明的第5實施形態的溫度調整手段。在第1～第3實施形態是說明有 關藉由對卡匣容器400內供給的暖氣來加熱晶圓W的溫度調整手段，在第4實施形態是說明有關藉由對卡匣容器400照射的光來加熱晶圓W的溫度調整手段，但在第5實施形態則是說明有關藉由加熱搬送機構160的拾取器166來加熱晶圓W的溫度調整手段。
圖17是表示第5實施形態的拾取器166的內部構造，顯示為了搬出卡匣容器400內的晶圓W，而拾取器166進入卡匣容器400內時。
如圖17所示，在拾取器166的內部埋入有加熱元件280，作為加溫部的1例。加熱元件280是經由埋入多關節臂164的電力供給線282來連接至電源284。電源284是按照自控制部300傳送的控制信號來將所定的電力經由電力供給線282供給至加熱元件280。藉此，拾取器166會被加熱，可加熱被載置於拾取器166上的晶圓W。如此的電源284，電力供給線282，加熱元件280是與溫度感測器TS1，控制部300等一起構成對應於搬送室204內的溫度來調整被收容於卡匣容器400內的晶圓W的溫度之溫度調整手段。
如此構成的第5實施形態，為了從卡匣容器400取出晶圓W，而於卡匣容器400內插入拾取器166來保持晶圓W時，加熱拾取器166。藉此，保持於拾取器166的晶圓W會被加熱，可使晶圓W的溫度上昇成只比搬送室204的溫度高所定溫度(例如3℃)。晶圓W被加熱成所定的溫度之後，停止對加熱元件280施加電力，而來停止拾取 器166的加熱，且使多關節臂164縮短來從卡匣容器400搬出晶圓W。另外，在晶圓W的搬出時，亦可不停止施加電力至加熱元件280，低減至一旦加熱的晶圓W的溫度不會降低程度的電力。
如此，若利用第5實施形態，則為了從卡匣容器400搬出晶圓W，拾取器166進入卡匣容器400內時，加熱該拾取器166，藉此可在將晶圓W搬入至次室亦即搬送室204之前使晶圓W的溫度至上昇所定溫度。藉此，與第1實施形態同樣，可在搬送室204內防止粒子附著於晶圓W的表面上。
又，若利用第5實施形態，則可在收容於卡匣容器400的複數個晶圓W中只加熱被搬入搬送室204的晶圓W。因此，可以更小的消費能量來將晶圓W加熱至所定溫度，而來防止對晶圓W的表面上之粒子附著。
(第6實施形態的溫度調整手段)
其次，一邊參照圖18一邊說明有關本發明的第6實施形態的溫度調整手段。在第1～第5實施形態是說明有關藉由加熱卡匣容器400的晶圓W來調整晶圓W的溫度而使比搬送室200~204內的溫度更高之溫度調整手段，但在第6實施形態則是說明有關相反的冷卻搬送室內的環境，使晶圓W的溫度相較於搬送室內的溫度，相對的變高之溫度調整手段。
圖18是表示具備第6實施形態的溫度調整手段的搬 送室205的概略構成縱剖面圖，由搬送室205的端部方向所見的圖。本實施形態的溫度調整手段是具備沈流冷卻手段290，其係作為將被調整成比卡匣容器400內的晶圓W的溫度更低的溫度之冷氣供給至搬送室205內，而來調整搬送室205的溫度之冷氣供給部。
沈流冷卻手段290是具備：作為導入外氣至搬送室205內的給氣部之給氣風扇230，及冷卻藉由給氣風扇230來導入的外氣而生成冷氣之冷卻部。冷卻部是例如由設於給氣風扇(給氣部)230與給氣過濾器232之間的室內熱交換部292，及室外熱交換部294，以及使冷媒循環於該等之間的冷媒管296所構成。
如此構成的沈流冷卻手段290是按照從控制部300傳送的控制信號來使熱交換效率變化，可調整沈流236的溫度。沈流冷卻手段290是與溫度感測器TS1，控制部300等一起構成對應於卡匣容器400內所收容的晶圓W的溫度來調整搬送室205內的溫度之溫度調整手段。
若根據第6實施形態，則可藉由沈流冷卻手段290所冷卻的沈流236來冷卻搬送室205內的環境。藉此，可調整搬送室205的溫度，而使搬入搬送室205內的晶圓W的溫度能夠相對性的只高所定溫度(例如3℃)。藉此，從卡匣容器400搬入晶圓至次室亦即搬送室205內時，晶圓W的溫度會只高所定溫度，因此可在搬送室205內防止粒子附著於晶圓W的表面上。
又，若根據第6實施形態，則不需要加熱晶圓W。因 此，不僅從卡匣容器400搬入搬送室205的晶圓W，連從加載互鎖室150搬入搬送室205的處理完成的晶圓W也產生所定的溫度差，則有關該處理完成的晶圓W亦可防止粒子的附著。
另外，亦可組合第6實施形態的溫度調整手段的構成與第1～第5實施形態的其中之一的溫度調整手段的構成來構成溫度調整手段。藉此，可調整晶圓W的溫度與搬送室的溫度的雙方，使晶圓W的溫度與搬送室內的溫度之差能夠更正確地調整。
(第7實施形態的溫度調整手段)
其次，一邊參照圖19一邊說明有關本發明的第7實施形態的溫度調整手段。在第1～第5實施形態是說明有關將卡匣容器400內的晶圓W由卡匣容器400來看搬入位於搬送方向的次室之搬送室200~204前，在卡匣容器400內中加熱晶圓W的溫度調整手段。相對的，在第7實施形態是說明有關將連接至搬送室200的收容室內的晶圓W由該收容室來看位於搬送方向的次室之搬送室200前，在該收容室內加熱晶圓W的溫度調整手段。如此的收容室，只要是連接至搬送室200而收容晶圓W者，具有任何的形狀及機能者皆可。在此，收容室是舉適用於進行晶圓W的對位之對位室例如定位器時為例來進行說明。
圖19是表示第7實施形態的定位器180的概略構成的縱剖面圖，晶圓W被載置於旋轉載置台182時。另外 ，在圖19中省略了圖1所示的光學感測器184。如圖19所示，在定位器180內所具備的旋轉載置台182的內部，埋入有作為用以加溫旋轉載置台182而來調整晶圓W的溫度的加溫部之加熱元件190。
加熱元件190是經由埋入支柱186的電力供給線192來連接至電源194。電源194會按照自控制部300傳送的控制信號來將所定的電力經由電力供給線192供給至加熱元件190。如此的電源194，電力供給線192，加熱元件190是與溫度感測器TS1，控制部300等一起構成對應於搬送室200內的溫度來調整載置於旋轉載置台182的晶圓W的溫度之溫度調整手段。
若根據第7實施形態的定位器180，則為了對位在旋轉載置台182載置晶圓W時加熱旋轉載置台182，以使晶圓W的溫度能夠比搬送室200的溫度只高所定溫度(例如3℃)的方式來加熱晶圓W。藉此，對位終了的晶圓W再被搬入次室的搬送室200內時，可在搬送室200內防止該晶圓W的表面上附著粒子。
又，根據第7實施形態，可在定位器180內一邊進行晶圓W的對位一邊加熱晶圓W，因此相較於個別進行時，可使生產能力提升。
另外，亦可組合第7實施形態的溫度調整手段的構成及第1～第6實施形態的其中之一的溫度調整手段的構成，而來構成溫度調整手段。此情況，例如即使藉由暖氣等在卡匣容器400內已經調整晶圓W的溫度，還是可在定 位器180中再調整晶圓W的溫度。因此，之後可將晶圓W在搬送室200內搬送至加載互鎖室150為止更正確地保持該晶圓W的溫度。
(第8實施形態的溫度調整手段)
其次，一邊參照圖20一邊說明有關本發明的第8實施形態的溫度調整手段。在第7實施形態是說明有關藉由加熱旋轉載置台182來加熱晶圓W的溫度調整手段，但在第8實施形態中則是說明有關在定位器180內藉由光來加熱晶圓W的溫度調整手段。
圖20是表示第8實施形態的定位器188的概略構成的縱剖面圖，晶圓W被載置於旋轉載置台182時。另外，在圖20中省略了圖1所示的光學感測器184的記載。如圖20所示，定位器188是具備光照射部196。
光照射部196是按照自控制部300傳送的控制信號來以所定的功率射出包含所定的波長的光198。光照射部196是被安裝於定位器188的框體的頂部，而使能夠對旋轉載置台182上的晶圓W表面照射光198。光照射部196最好是使用例如以被晶圓W吸收的近紅外線作為光198來照射的光源。如此的光照射部196是與溫度感測器TS1，控制部300等一起構成對應於搬送室200內的溫度來調整載置於旋轉載置台182的晶圓W的溫度之溫度調整手段。
若根據第8實施形態的定位器188，則為了對位在旋 轉載置台182載置晶圓W時對晶圓W照射光198，以晶圓W的溫度能夠比搬送室200的溫度只高所定溫度(例如3℃)的方式加熱晶圓W。藉此，對位終了的晶圓W再被搬入次室亦即搬送室200內時，可在搬送室200內防止粒子附著於該晶圓W的表面上。
另外，若根據第8實施形態，則只要在定位器188的框體內裝入光照射部196即可，例如可不改變旋轉載置台182的構成來加熱晶圓W。因此，可一方面壓低基板處理裝置100的製品成本上昇，一面防止在搬送室200內粒子附著於晶圓W。
(第9實施形態)
接著，一邊參照圖21一邊說明有關本發明的第9實施形態的溫度調整手段。在第1～第8實施形態是說明有關將卡匣容器400內或定位器180內的晶圓W由卡匣容器400或定位器180來看搬入位於搬送方向的次室亦即搬送室200~205之前，在卡匣容器400內或定位器180內加熱晶圓W的溫度調整手段。相對的，在第9實施形態則是說明有關將搬送室內的晶圓W由搬送室來看搬入位於搬送方向的次室亦即加載互鎖室150之前，在該搬送室內加熱晶圓W的溫度調整手段。
圖21是表示第9實施形態的搬送室206的概略構成的縱剖面圖。如圖21所示，此搬送室206是具有對第1實施形態的搬送室200追加光照射部520的構成。並且， 在第9實施形態中，亦可在加載互鎖室150安裝溫度感測器TS2來測定加載互鎖室150內的溫度，將該測定資料傳送至控制部300。
光照射部520是按照自控制部300傳送的控制信號來以所定的功率射出所定波長的光522。光照射部520是被安裝於搬送室206的框體的側壁面內側，而使能夠對保持於搬送機構160的拾取器166之晶圓W的表面照射光522。光照射部520最好是使用例如以被晶圓W吸收的近紅外線作為光522來照射的光源。如此的光照射部520是與溫度感測器TS2，控制部300等一起構成對應於加載互鎖室150內的溫度來調整拾取器166所保持的晶圓W的溫度之溫度調整手段。
若根據第9實施形態的溫度調整手段，則可對拾取器166所保持的晶圓W照射光522，加熱晶圓W，而使晶圓W的溫度能夠形成比加載互鎖室150的溫度只高所定溫度(例如3℃)。藉此，在晶圓W搬入次室亦即加載互鎖室150內時，可在加載互鎖室150內防止粒子附著於該晶圓W的表面上。
另外，若根據第9實施形態，則只要在搬送室206的框體內裝入光照射部520即可，例如可不改變拾取器166的構成來加熱晶圓W。因此，可一方面壓低基板處理裝置100的製品成本上昇，一面防止在加載互鎖室150內粒子附著於晶圓W。
(第10實施形態)
其次，一邊參照圖面一邊說明有關本發明的第10實施形態的溫度調整手段。上述的第9實施形態的溫度調整手段是不使粒子附著於從搬送室200搬送至加載互鎖室150的晶圓W者。相對的，第10實施形態的溫度調整手段是使晶圓W從加載互鎖室150搬送(回到)搬送室200時，在搬送室200內不使粒子附著於晶圓W者。
圖22是表示第10實施形態的加載互鎖室150的概略構成的縱剖面圖。如已一邊參照圖1一邊說明那樣，加載互鎖室150是具備使晶圓W暫時載置待機的一對緩衝用載置台154，156。並且，在兩緩衝用載置台154，156間設有個別搬送機構170。又，加載互鎖室150具備光照射部530。另外，加載互鎖室150除了圖22所示的構成要素以外，還例如具備用以調整加載互鎖室150內的壓力之手段。有關此壓力調整手段等是省略了圖示。
光照射部530是按照自控制部300傳送的控制信號來以所定的功率射出所定波長的光523。光照射部530是例如被安裝於加載互鎖室150的框體的頂面內側，而使能夠對載置於一對緩衝用載置台154，156的其中之一方(例如緩衝用載置台154)的晶圓W的表面照射光532。光照射部530最好是使用例如以被晶圓W吸收的近紅外線作為光532來照射的光源。如此的光照射部530是與溫度感測器TS1，控制部300等一起構成對應於作為次室的搬送室200內的溫度來調整載置於緩衝用載置台154的晶圓W 的溫度之溫度調整手段。
若根據第10實施形態的溫度調整手段，則可對載置於加載互鎖室150內的緩衝用載置台154之晶圓W照射光532，加熱晶圓W，而使晶圓W的溫度能夠形成比搬送室200的溫度只高所定溫度(例如3℃)。藉此，在晶圓W被搬入次室亦即搬送室200內時，可在搬送室200內防止粒子附著於該晶圓W的表面上。
另外，第10實施形態的溫度調整手段具有對加載互鎖室150內的緩衝用載置台154所載置的晶圓W照射光532而予以加溫的構成，但例如亦可在緩衝用載置台154裝入發熱機構，而使能夠加熱載置於緩衝用載置台154的晶圓W。藉由該構成，亦可防止粒子附著於從加載互鎖室150搬送至次室亦即搬送室200的晶圓W。
(第11實施形態的基板處理裝置的構成例)
其次，一邊參照圖面一邊說明有關本發明的第11實施形態的基板處理裝置102的構成例。圖23是表示第11實施形態的基板處理裝置102的概略構成的剖面圖。此基板處理裝置102是群組化工具型，具備：對晶圓W進行成膜處理，蝕刻處理等各種處理的真空處理單元600，及對該真空處理單元600搬出入晶圓W的搬送單元，及控制基板處理裝置102全體動作的控制部700。另外，基板處理裝置102所具備的搬送單元的基本機能構成是與上述第1實施形態的基板處理裝置100所具備的搬送單元120 共通點多。因此，在此對基板處理裝置102所具備的搬送單元及其構成要素賦予和搬送單元120同一符號，藉此省略重複說明。
如圖23所示，真空處理單元600是由剖面形成多角形(例如六角形)的共通搬送室610，及其周圍氣密連接的複數個處理室620(第1～第4處理室620A~620D)及第1，第2加載互鎖室630M，630N所構成。
第1～第4處理室620A~620D是分別經由閘閥640A~640D來連接至共通搬送室610。並且，第1，第2加載互鎖室630M，630N的前端是分別經由閘閥(真空側閘閥)640M，640N來連接至共通搬送室610，第1，第2加載互鎖室630M，630N的基端是分別經由閘閥(大氣側閘閥)642M，642N來連接至搬送室200的另一側面。
處理室620A~620D是分別在內部具備載置台(基座)622A~622D，對載置於此的晶圓W例如施以成膜處理(例如電漿CVD處理)或蝕刻處理(例如電漿蝕刻處理)等的所定處理。並且，在各處理室620A~620D連接用以在內部導入處理氣體或淨化氣體等所定氣體的氣體導入系(未圖示)及用以將內部排氣的排氣系(未圖示)。另外，處理室620的數量並非限於圖23所示的例子。
第1，第2加載互鎖室630M，630N是具有暫時保持晶圓W而調整壓力後，傳遞至次段的機能。在各第1，第2加載互鎖室630M，630N的內部分別設有可載置晶圓W的交接台632M，632N。
在共通搬送室610內設有採用具備2個臂部之所謂雙臂構造的處理單元側搬送機構612。而且，處理單元側搬送機構612的各臂部是具有例如可屈伸‧昇降‧迴旋的多關節構造，在各臂的前端具備用以保持晶圓W的拾取器612A，612B。如此的處理單元側搬送機構612可一次處理2片的晶圓W，可在與各加載互鎖室630M，630N及各處理室620A~620D之間搬送晶圓W。處理單元側搬送機構612的拾取器612A，612B是分別具備用以檢測出是否保持晶圓W的感測器(未圖示)。另外，處理單元側搬送機構612的臂部數量並非限於上述，例如亦可為具有1個臂部的單臂機構。
控制部700是根據所定的設定資訊來實行所定的程式而控制各部。藉此，例如進行第1～第4處理室620A~620D的製程處理，搬送室200及共通搬送室610的晶圓搬送處理，定位器180的對位處理。並且，控制部700會控制後述的溫度調整手段。
(第11實施形態的溫度調整手段的構成例)
接著，一邊參照圖24一邊說明有關第11實施形態的溫度調整手段的構成例。第11實施形態的溫度調整手段是用以在使晶圓W從第1，第2加載互鎖室630M，630N搬送(回到)搬送室200時，不使粒子在搬送室200內附著於晶圓W者。
圖24是表示第11實施形態的第1，第2加載互鎖室 630M，630N的概略構成的縱剖面圖。另外，在本實施形態，第1，第2加載互鎖室630M，630N是相互具有大略同一構成。因此，在圖24中僅代表性地顯示第1加載互鎖室630M。
如已參照圖23說明那樣，第1加載互鎖室630M是具備使晶圓W暫時載置待機的交接台632M及光照射部650。並且，在第11實施形態中，亦可藉由安裝於搬送室200的溫度感測器TS1來測定搬送室200內的溫度，且將該測定資料傳送至控制部700。另外，第1加載互鎖室630M是除了圖24所示的構成要素以外，例如還具備調整第1加載互鎖室630M內的壓力之手段。有關此壓力調整手段等是省略了圖示。
光照射部650是按照自控制部700傳送的控制信號來以所定的功率射出包含所定的波長的光652。光照射部650是例如被安裝於第1加載互鎖室630M的框體的頂面內側，而使能夠對載置於交接台632M的晶圓W表面照射光652。光照射部650最好是使用例如以被晶圓W吸收的近紅外線作為光652來照射的光源。如此的光照射部650是與溫度感測器TS1，控制部700等一起構成對應於作為次室的搬送室200內的溫度來調整載置於交接台632M的晶圓W的溫度之溫度調整手段。
若根據第11實施形態的溫度調整手段，則可對載置於第1加載互鎖室630M內的交接台632M之晶圓W照射光652，而加熱晶圓W，使晶圓W的溫度能夠比搬送室 200的溫度只高所定溫度(例如3℃)。藉此，當晶圓W被搬入次室亦即搬送室200內時，可在搬送室200內防止粒子附著於該晶圓W的表面上。
另外，第11實施形態的溫度調整手段是具有對載置於第1加載互鎖室630M內的交接台632M之晶圓W照射光652而予以加熱的構成，但例如亦可在交接台632M裝入發熱機構來加熱載置於交接台632M的晶圓W。藉由此構成，亦可防止粒子附著於從第1加載互鎖室630M搬送至次室亦即搬送室200的晶圓W。
並且，在此雖是針對從第1加載互鎖室630M搬送晶圓W至搬送室200的情況時來說明本實施形態，但有關從第2加載互鎖室630N來搬送晶圓W至搬送室200時亦同樣可防止粒子附著於晶圓W。
如以上，若根據第1～第9實施形態，則在將卡匣容器400 (400A~400C)所收容的未處理的晶圓W搬送至加載互鎖室150 (150A，150B)，630 (630M，630N)內為止的過程，可防止在將晶圓W搬入至次室時在該室內粒子附著於晶圓W上。藉此，可將清淨狀態的晶圓W搬送至加載互鎖室150，630。
又，若根據第10，第11實施形態，則從加載互鎖室150，630來將處理完成的晶圓W搬送至卡匣容器400的過程亦可防止粒子附著於晶圓W上。
又，可藉由組合第1～第11實施形態，從卡匣容器400到加載互鎖室150，630在各基板處理裝置100，102 內的全域防止粒子附著於晶圓W上。另外，亦可按照基板處理裝置100，102的各室之粒子發生狀況來選擇性組合第1～第11實施形態。
又，雖是針對將收容於卡匣容器400的未處理晶圓W搬送至加載互鎖室150，630的過程之防止粒子附著於晶圓W的情況來說明第1～第9實施形態，但本發明並非限於此晶圓W的搬送方向。例如，使處理完成的晶圓W從加載互鎖室150，630回到卡匣容器400時亦可適用本發明。此情況，防止粒子的附著之晶圓W所存在的室與次室的位置關係是形成與上述的第1～第9實施形態相反。
以上，一邊參照圖面一邊說明本發明的較佳實施形態，但當然本發明並非限於該等例。只要在申請專利範圍所記載的範境內，亦可實施各種的變更或修正，當然該等亦屬於本發明的技術的範圍。
例如，雖是針對將本發明適用於圖1，圖23所示構成的基板處理裝置100，102時來說明第1～第11實施形態，但本發明並非限於此。
又，除了上述第1～第11實施形態的基板處理裝置100，102以外，各種種類的基板處理裝置亦可適用本發明。例如，亦可將本發明適用於縱型熱處理裝置，塗布顯像裝置等。
 [產業上的利用可能性]
本發明是可適用於基板處理裝置及粒子附著防止方法 。
100，102‧‧‧基板處理裝置
110 (110A，110B)‧‧‧真空處理單元
120‧‧‧搬送單元
132 (132A~132C)‧‧‧卡匣台
134‧‧‧暖氣供給口
136‧‧‧暖氣排出口
138‧‧‧卡匣台
140 (140A，140B)‧‧‧處理室
142 (142A，142B)‧‧‧載置台
144 (144A，144B)‧‧‧閘閥
150 (150A，150B)‧‧‧加載互鎖室
152 (152A，152B)‧‧‧閘閥
154 (154A，154B)‧‧‧緩衝用載置台
156 (156A，156B)‧‧‧緩衝用載置台
160‧‧‧搬送機構
162‧‧‧基台
164 (164A，164B)‧‧‧多關節臂
166 (166A，166B)‧‧‧拾取器
168‧‧‧導軌
170 (170A，170B)‧‧‧個別搬送機構
172 (172A，172B)‧‧‧拾取器
180，188‧‧‧定位器
182‧‧‧旋轉載置台
184‧‧‧光學感測器
186‧‧‧支柱
190‧‧‧加熱元件
192‧‧‧電力供給線
194‧‧‧電源
196‧‧‧光照射部
198‧‧‧光
200~206‧‧‧搬送室
210‧‧‧框體
210A‧‧‧側壁
212‧‧‧基板搬出入口
214‧‧‧給氣口
216‧‧‧排氣口
220 (220A~220C)‧‧‧開閉門
222‧‧‧促動器
224‧‧‧伸縮桿
226‧‧‧蓋開閉機構
228‧‧‧閘閥
230‧‧‧給氣風扇
232‧‧‧給氣過濾器
234，236‧‧‧沈流
240，244‧‧‧隔壁
242，246‧‧‧上部氣體流路
248‧‧‧暖氣導入管
252，256‧‧‧下部氣體流路
260，262‧‧‧內側基板搬出入口
270‧‧‧光照射部
272‧‧‧拖架
274‧‧‧光
280‧‧‧加熱元件
282‧‧‧電力供給線
284‧‧‧電源
290‧‧‧沈流冷卻手段
292‧‧‧室內熱交換部
294‧‧‧室外熱交換部
296‧‧‧冷媒管
300‧‧‧控制部
400 (400A~400C)‧‧‧卡匣容器
402‧‧‧開閉蓋
404‧‧‧通氣口
500，510‧‧‧暖氣供給部
502，512‧‧‧暖氣
514‧‧‧暖氣導入管
516‧‧‧暖氣導出管
520‧‧‧光照射部
522‧‧‧光
530‧‧‧光照射部
532‧‧‧光
600‧‧‧真空處理單元
610‧‧‧共通搬送室
612‧‧‧處理單元側搬送機構
612A，612B‧‧‧拾取器
620 (620A~620D)‧‧‧第1～第4處理室
622A~622D‧‧‧載置台(基座，下部電極)
624‧‧‧蓮蓬頭(上部電極)
626‧‧‧氣體噴射孔
628‧‧‧處理氣體源
630M‧‧‧第1加載互鎖室
630N‧‧‧第2加載互鎖室
632M‧‧‧交接台
632N‧‧‧交接台
640A~640D‧‧‧閘閥
640M，640N‧‧‧閘閥
642M，642N‧‧‧閘閥
650‧‧‧光照射部
652‧‧‧光
660‧‧‧光照射部
662‧‧‧光
670‧‧‧高頻電源
672‧‧‧整合器
674‧‧‧高頻電源
676‧‧‧整合器
700‧‧‧控制部
TS1，TS2‧‧‧溫度感測器
W‧‧‧晶圓
圖1是表示本發明的第1實施形態之基板處理裝置的構成例的剖面圖。
圖2是表示本發明的第1實施形態之暖氣供給部所連接的卡匣台，及連接該卡匣台的搬送室的概略構成的縱剖面圖。
圖3是表示圖2的暖氣供給部及其附近的擴大圖。
圖4是表示針對室溫的晶圓及27℃的晶圓來比較附著於表面上的粒子的量之實驗結果。
圖5是表示將圖4的實驗中附著於各晶圓的表面上之粒子予以按大小分類，按大小彙整後的數量表。
圖6是表示針對室溫的晶圓及35℃的晶圓來比較附著於表面上的粒子的量之實驗結果。
圖7是表示將圖6的實驗中附著於各晶圓的表面上之粒子予以按大小分類，按大小彙整後的數量表。
圖8是表示以室溫為基準之晶圓的溫度與附著於晶圓表面的粒子的量的關係。
圖9是表示環境壓力與附著於晶圓表面的粒子的量的關係。
圖10是表示晶圓處於真空環境時(A)及處於大氣壓環境時(B)的晶圓表面附近的環境所出現的溫度梯度的特性曲線的概念圖。
圖11是表示具備本發明的第2實施形態的溫度調整手段之搬送室的概略構成的縱剖面圖。
圖12是表示同實施形態之搬送室的基板搬出入口附近的擴大圖。
圖13是表示具備本發明的第3實施形態的溫度調整手段之搬送室的概略構成的縱剖面圖。
圖14是表示同實施形態之搬送室的基板搬出入口附近的擴大圖。
圖15是表示具備本發明的第4實施形態的溫度調整手段之搬送室的概略構成的縱剖面圖。
圖16是表示同實施形態之光照射部與卡匣容器的擴大圖。
圖17是用以說明本發明的第5實施形態之拾取器的內部構造圖。
圖18是表示具備本發明的第6實施形態的溫度調整手段之搬送室的概略構成的縱剖面圖。
圖19是表示本發明的第7實施形態之定位器的概略構成的縱剖面圖。
圖20是表示本發明的第8實施形態之定位器的概略構成的縱剖面圖。
圖21是表示具備本發明的第9實施形態的溫度調整手段之搬送室的概略構成的縱剖面圖。
圖22是表示具備本發明的第10實施形態的溫度調整手段之加載互鎖室的概略構成的縱剖面圖。
圖23是表示本發明的第11實施形態之基板處理裝置的構成例的剖面圖。
圖24是表示具備本發明的第11實施形態的溫度調整手段之加載互鎖室的概略構成的縱剖面圖。
132‧‧‧卡匣台
134‧‧‧暖氣供給口
136‧‧‧暖氣排出口
200‧‧‧搬送室
210‧‧‧框體
212‧‧‧基板搬出入口
220‧‧‧開閉門
226‧‧‧蓋開閉機構
300‧‧‧控制部
400‧‧‧卡匣容器
402‧‧‧開閉蓋
404‧‧‧通氣口
500‧‧‧暖氣供給部
502‧‧‧暖氣

Claims (21)

  1. 一種基板處理裝置，其特徵係具備：搬送室，其係經由收容被處理基板的基板收容容器所設置的搬出入口，在與上述基板收容容器之間進行上述被處理基板的交接；處理室，其係對上述被處理基板實施所定的處理；加載互鎖室，其係連接上述處理室與上述搬送室；及溫度調整機構，其係於上述搬送室與上述加載互鎖室的其中至少一室搬入上述被處理基板時，調整上述被處理基板的溫度，而使搬入之前的上述被處理基板的溫度比所欲搬入的室的室內溫度更高；上述溫度調整機構係包含暖氣供給部，其係使被調整成比上述所欲搬入的室的室內溫度更高的溫度的暖氣供給至上述基板收容容器內，而來調整上述被處理基板的溫度；上述搬送室係於其內側具備氣體流路，其係引導上述暖氣至上述搬出入口內，至少在引導暖氣時與所欲搬入的室的氣體環境隔離；上述暖氣供給部構成可經由上述氣體流路來使上述暖氣從上述搬出入口供給至上述基板收容容器內。
  2. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述溫度調整機構係包含調整上述基板收容容器所收容的上述被處理基板的溫度與上述搬送室的室內溫度的其中至少一方之機構，而使從上述基板收容容器搬入上述搬送室之 前的上述被處理基板的溫度能夠比上述搬送室的室內溫度更高。
  3. 如申請專利範圍第2項之基板處理裝置，其中，上述溫度調整機構係包含調整上述搬送室內的上述被處理基板的溫度與上述加載互鎖室的室內溫度的其中至少一方之機構，而使從上述搬送室搬送至上述加載互鎖室之前的上述被處理基板的溫度能夠比上述加載互鎖室的室內溫度更高。
  4. 如申請專利範圍第3項之基板處理裝置，其中，上述溫度調整機構係包含調整上述加載互鎖室內的上述被處理基板的溫度與上述搬送室的室內溫度的其中至少一方之機構，而使從上述加載互鎖室搬送至上述搬送室之前的上述被處理基板的溫度比上述搬送室的室內溫度更高。
  5. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述溫度調整機構係包含光照射部，其係對上述被處理基板照射包含所定的波長之光，而來調整上述被處理基板的溫度。
  6. 如申請專利範圍第5項之基板處理裝置，其中，上述光為近紅外線光。
  7. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，上述溫度調整機構係包含冷氣供給部，其係將被調整成比搬入之前的上述被處理基板的溫度更低溫度的冷氣供給至所欲搬入上述被處理基板的室，而來調整該室的室內溫度。
  8. 如申請專利範圍第7項之基板處理裝置，其中，上 述冷氣供給部係包含：給氣部，其係導入外氣至所欲搬入上述被處理基板的室的室內；及冷卻部，其係冷卻上述給氣部所導入的上述外氣而生成上述冷氣。
  9. 如申請專利範圍第1項之基板處理裝置，其中，所欲搬入上述被處理基板的室的內部壓力為300Torr以上。
  10. 一種基板處理裝置，係將收容被處理基板的基板收容容器設置於搬出入口，經由搬出入口來將該基板收容容器內的被處理基板搬入至搬送室內，而對上述被處理基板實施所定的處理之基板處理裝置，其特徵係具備調整上述被處理基板的溫度之溫度調整機構，而使從上述基板收容容器搬入上述搬送室之前的上述被處理基板的溫度能夠比上述搬送室內的溫度更高；上述溫度調整機構係包含暖氣供給部，其係使被調整成比上述搬送室內的溫度更高溫度的暖氣供給至上述基板收容容器內，而來調整上述被處理基板的溫度；上述搬送室係於其內側具備氣體流路，其係引導上述暖氣至上述搬出入口內，至少在引導暖氣時與上述搬送室內的氣體環境隔離；上述暖氣供給部構成可經由上述氣體流路來使上述暖氣從上述搬出入口供給至上述基板收容容器內。
  11. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，上述暖氣供給部係配設於上述基板收容容器的附近，可從 形成於上述基板收容容器的通氣口供給上述暖氣至上述基板收容容器內。
  12. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，上述搬送室係具備複數個設置上述基板收容容器的上述搬出入口，且在每個上述搬出入口具備上述氣體流路。
  13. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，上述搬送室係具備具有保持上述被處理基板的基板保持部之搬送機構，上述溫度調整機構係包含加溫部，其係於為了從上述基板收容容器取出被處理基板，而將上述基板保持部挿入上述基板收容容器內來保持上述被處理基板時，加溫該被處理基板。
  14. 一種基板處理裝置，係將收容被處理基板的基板收容容器設置於搬出入口，經由搬出入口來將該基板收容容器內的被處理基板搬入至搬送室內，而對上述被處理基板實施所定的處理之基板處理裝置，其特徵係具備：連接至上述搬送室，暫時性收容上述被處理基板之收容室，上述收容室係具備調整上述被處理基板的溫度之溫度調整機構，而使收容於其內部的上述被處理基板的溫度能夠比上述搬送室內的溫度更高；上述溫度調整機構係包含暖氣供給部，其係使被調整成比上述搬送室內的溫度更高溫度的暖氣供給至上述基板收容容器內，而來調整上述被處理基板的溫度；上述搬送室係於其內側具備氣體流路，其係引導上述 暖氣至上述搬出入口內，至少在引導暖氣時與上述搬送室內的氣體環境隔離；上述暖氣供給部構成可經由上述氣體流路來使上述暖氣從上述搬出入口供給至上述基板收容容器內。
  15. 如申請專利範圍第14項之基板處理裝置，其中，上述收容室為進行上述被處理基板的對位之對位室，上述溫度調整機構可調整設於上述對位室內的載置台所載置的上述被處理基板的溫度。
  16. 如申請專利範圍第15項之基板處理裝置，其中，上述溫度調整機構係包含加溫部，其係加溫上述載置台，而來調整上述被處理基板的溫度。
  17. 如申請專利範圍第14項之基板處理裝置，其中，所欲搬入上述被處理基板的室的內部壓力為200Torr以上。
  18. 如申請專利範圍第14項之基板處理裝置，其中，所欲搬入上述被處理基板的室的內部壓力為300Torr以上。
  19. 一種粒子附著防止方法，係防止粒子附著於基板處理裝置之被處理基板的表面上，該基板處理裝置係具備：搬送室，其係經由收容被處理基板的基板收容容器所設置的搬出入口，在與上述基板收容容器之間進行上述被處理基板的交接；處理室，其係對上述被處理基板實施所定的處理；及 加載互鎖室，其係連接上述處理室與上述搬送室，其特徵為：具備溫度調整手段，其係在上述搬送室與上述加載互鎖室的其中至少一室搬入上述被處理基板時，調整上述被處理基板的溫度，而使搬入之前的上述被處理基板的溫度能夠比所欲搬入的室的室內溫度更高；上述溫度調整手段係包含暖氣供給部，其係使被調整成比上述所欲搬入的室的室內溫度更高的溫度的暖氣供給至上述基板收容容器內，而來調整上述被處理基板的溫度；上述暖氣供給部係被設在上述搬送室的內側，把引導上述暖氣至上述搬出入口內的氣體流路，至少在引導暖氣時與所欲搬入的室的氣體環境隔離，經由上述氣體流路來使上述暖氣從上述搬出入口供給至上述基板收容容器內的方式，來調整搬入前的上述基板的溫度。
  20. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，所欲搬入上述被處理基板的室的內部壓力為200Torr以上。
  21. 如申請專利範圍第10項之基板處理裝置，其中，所欲搬入上述被處理基板的室的內部壓力為300Torr以上。
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