TWI420465B

TWI420465B - 顯示裝置及電子裝置

Info

Publication number: TWI420465B
Application number: TW099126627A
Authority: TW
Inventors: Junichi Yamashita; Katsuhide Uchino
Original assignee: Sony Corp
Priority date: 2009-08-24
Filing date: 2010-08-10
Publication date: 2013-12-21
Also published as: KR101647846B1; TW201207814A; CN101996554A; JP2011043729A; KR20110020730A; US8493294B2; US20110043502A1

Description

顯示裝置及電子裝置

本發明相關於顯示裝置及電子裝置。本發明特別相關於包括以矩陣形式二維配置並具有電光裝置之像素的平面顯示裝置；並也相關於包含該顯示裝置的電子裝置。

近年，在用於顯示影像之顯示裝置的領域中，平面發光顯示裝置已迅速地推廣。在此種發光顯示器中，具有如電光裝置之發光型裝置(發光裝置)的像素(像素電路)係以矩陣形式配置。已為人所知的發光裝置係使用回應於將電場應用於有機薄膜之發光現象的EL(電致發光)裝置。有機EL裝置係所謂的電流驅動型光電裝置，且其發光亮度依據流經該裝置的電流值改變。

具有如光電裝置之有機EL裝置的有機EL顯示裝置具有以下特徵。亦即，有機EL裝置可用不多於10V的電壓驅動，且其功率消耗甚小。因為有機EL裝置係發光裝置，相較於藉由使用液晶針對各像素控制來自光源之光強度而顯示影像的液晶顯示器，有機EL顯示裝置具有較高的影像能見度。另外，有機EL顯示裝置不需要照明構件，諸如背光，所以可輕易地降低重量及厚度。此外，因為有機EL裝置具有約數微秒的極高反應速度，在動畫顯示時無殘像發生。

同時，有機EL裝置的亮度效率與發光量及發光時間成比例已廣為人知。在包括此種有機EL裝置的顯示裝置中，當固定影像型樣重複地顯示在該顯示螢幕上的特定顯示區域中時，像是時間顯示器，該特定顯示區域中的有機EL裝置比其他顯示區域中的有機EL裝置衰退的更快。

該特定顯示區域中的衰退有機EL裝置具有比其他顯示區域中的有機EL裝置相對較低的亮度。結果，認為該特定顯示區域在亮度上不均勻。亦即，例如，當固定影像型樣重複地顯示在該顯示螢幕上的特定顯示區域中時，認為該特定顯示區域中的部分顯示部位在亮度上永遠不均勻，導致所謂的燒入。

解決該燒入問題曾係有機EL顯示裝置及其他發光顯示裝置的最重要議題。在相關技術中，為了從訊號處理角度校正燒入，將未用於影像顯示的虛擬像素設置在像素陣列部(顯示區域)外側，並偵測該等虛擬像素的亮度衰退以基於該偵測結果校正燒入(參閱，例如，JP-A-2007-156044)。

將光偵測器用於偵測虛擬像素的亮度衰退。在相關技術中，將光偵測器放置在顯示面板的前側(發光表面側)，面對虛擬像素的發光表面。在將光偵測器放置在顯示面板前側的此種情形中，該面板模組的厚度增加，且因此難以利用該發光顯示裝置之薄厚度的優點。

同時，在該顯示面板的背面上，存在用於驅動該顯示面板的驅動器及相似模組。因此，將光偵測器設置在顯示面板的背側上不會增加該面板模組的厚度。然而，當將光偵測器放置在顯示面板的背側上時，虛擬像素的亮度係在該發光表面的相對側上偵測。因為環境比該發光表面側上的偵測更暗，難以偵測該虛擬像素亮度。

因此，當將光偵測器設置在顯示面板之該發光表面的相對側上時，提供容許有效偵測該虛擬像素亮度的顯示裝置；及包括該顯示裝置之電子裝置係可取的。

根據本發明實施例的一種顯示裝置，包括：虛擬像素，設置在顯示面板上；反射膜，設置在該顯示面板之發光表面側上，用於反射自該虛擬像素發射之光；光偵測器，設置在該顯示面板之該發光表面的相對側上，用於偵測從該虛擬像素發射並從該反射膜反射的光；以及校正電路，基於該光偵測器的偵測結果，用於校正有助於影像顯示之有效像素的亮度。

在如此組態的顯示裝置中，將光偵測器設置在顯示面板之該發光表面的相對側上，例如，在該顯示面板的背側上。結果，因為用於驅動該顯示面板上之像素的驅動器模組存在於該顯示面板的背側上，該面板模組的厚度未增加。另外，自該虛擬像素發出之光係自該反射膜反射並因此導向該光偵測器。結果，即使將該光偵測器設置在該顯示面板的背側上，可有效率地偵測該虛擬像素的亮度。

根據本發明實施例，即使當將該光偵測器放置在顯示面板之發光表面的相對側上時，可有效率地偵測該對應虛擬像素的亮度。

在下文中，將參考該等圖式詳細地解釋用於實行本發明的部分實施例(在下文中稱為「實施例」)。將以下列順序提供解釋。

1.施用本發明的顯示裝置(有機EL顯示裝置的範例)

1-1.系統組態

1-2.電路操作

2.實施例

2-1.燒入校正電路

2-2.範例1(將光偵測器設置在面板背側的範例)

2-3.範例2(將光偵測器併入面板中的範例)

3.替代實施例

4.應用範例(電子裝置)

<施用本發明的顯示裝置>

[1-1.系統組態]

圖1係概要地顯示根據本發明實施例之主動式矩陣顯示裝置的組態之系統方塊圖。該實施例將參考至，例如，將其之發光亮度係依據流經該裝置，諸如有機EL裝置，之電流值而改變的電流驅動光電裝置包含為像素(像素電路)之發光裝置的主動矩陣式有機EL顯示裝置之情形而描述。

如圖1所示，此應用範例的有機EL顯示裝置10包括像素陣列部30，其中複數個像素20係以矩陣型式二維地排列，該等像素各者具有有機EL裝置；及在像素陣列部30周圍的驅動部。該驅動部包括寫入掃描電路40、作為電源供應部使用的電源供應掃描電路50、及訊號輸出電路60等，並驅動像素陣列部30中的像素20。

當有機EL顯示裝置10係針對彩色顯示設計時，各像素包括複數個次像素，並將該等次像素作為像素20使用。更具體地說，在用於彩色顯示的顯示裝置中，一像素具有三個次像素，亦即，發紅光(R)的次像素、發綠光(G)的次像素、以及發藍光(B)的次像素。

然而，像素並未受限於三原色RGB次像素的組合。可能將一或多個額外顏色的次像素加至該等原色的次像素，以提供像素。更具體地說，例如，為改善亮度，可能加入發白光(W)的次像素，以形成像素。或者，為增加色彩再生範圍，可能加入發射補色光的至少一次像素，以形成像素。

在像素陣列部30中，像素20係以m列及n行之型式排列。另外，將掃描線31-1至31-m及電源供應線32-1至32-m設置成在列方向上延伸(配置列中之像素的方向)，且各像素列設有此種掃描線及電源供應線。相似地，將訊號線33-1至33-n設置成在行方向上延伸(配置行中之像素的方向)，且各像素行設有此種訊號線。

將掃描線31-1至31-m各者連接至寫入掃描電路40之對應列的輸出終端。將電源供應線32-1至32-m各者連接至電源供應掃描電路50之對應列的輸出終端。將訊號線33-1至33-n各者連接至訊號輸出電路60之對應行的輸出終端。

像素陣列部30通常形成在透明絕緣基材上，諸如玻璃基材。有機EL顯示裝置10因此具有平板結構。像素陣列部30中的各像素20之驅動電路可使用非晶矽TFT或低溫多晶矽TFT形成。在使用低溫多晶矽TFT的情形中，如圖1所示，也可將寫入掃描電路40、電源供應掃描電路50、以及訊號輸出電路60載置在具有像素陣列部30形成於其上的顯示面板(基材)70上。

寫入掃描電路40係由用於與時鐘脈衝ck等同步地循序移位(轉移)開始脈衝sp的移位暫存器形成。在視訊訊號寫入像素陣列部30中的像素20時，寫入掃描電路40循序地將寫入掃描訊號WS(WS1至WSm)供應至掃描線31-1至31-m，從而逐列地循序掃描像素陣列部30中的像素20(線連續掃描)。

電源供應掃描電路50係由用於與時鐘脈衝ck等同步地循序移位開始脈衝sp的移位暫存器形成。與寫入掃描電路40的線連續掃描同步，電源供應掃描電路50將電源供應電位DS(DS1至DSm)供應至電源供應線32-1至32-m。各電源供應電位DS在第一電源供應電位Vccp及低於第一電源供應電位Vccp的第二電源供應電位Vini之間切換。如稍後所提及的，電源供應電位DS在Vccp及Vini之間的切換控制各像素20的發光與否。

將訊號輸出電路60組態成作為選擇器使用，並選擇性地輸出與供應自該訊號源(未圖示)之亮度資訊或參考電位Vofs對應的視訊訊號之訊號電壓Vsig(在下文中，有時簡單地稱為「訊號電壓Vsig」)。本文的參考電位Vofs係作為視訊訊號之訊號電壓Vsig的參考使用(例如，與視訊訊號的黑色階等同的電位)。

經由訊號線33-1至33-n逐列地將輸出自訊號輸出電路60的訊號電壓Vsig/參考電位Vofs寫入像素陣列部30的各像素20中。亦即，訊號輸出電路60的驅動系統係線連續寫入方式，並以逐列(逐線)方式寫入訊號電壓Vsig。

(像素電路)

圖2係顯示像素(像素電路)20之特定電路的電路圖。

如圖2所示，像素20包括發光裝置，諸如有機EL裝置21，其係發光亮度依據流經該裝置之電流改變的電流驅動光電裝置；以及用於驅動有機EL裝置21的驅動電路。將有機EL裝置21的陰極電極連接至共同連接至所有像素20的共同電源供應線34(所謂的實佈線)。

用於驅動有機EL裝置21的該驅動電路包括驅動電晶體22、寫入電晶體23、以及保持電容器24。此處，將N-通道電晶體，諸如TFT(薄膜電晶體)，使用為驅動電晶體22及寫入電晶體23。然而，此僅係範例，且驅動電晶體22及寫入電晶體23的導電類型組合並未受限於此。

在將N-通道TFT使用為驅動電晶體22及寫入電晶體23的情形中，可使用非晶矽(a-Si)製程。該a-Si製程的使用容許TFT-形成基材以較低成本製造，因此可降低有機EL顯示裝置10的成本。另外，當驅動電晶體22及寫入電晶體23具有相同的導電類型時，電晶體22及23可在相同製程中製造，有助於成本降低。

將驅動電晶體22的一電極(源極/汲極電極)連接至有機EL裝置21的陽極電極，並將另一電極(汲極/源極電極)連接至電源供應線32(32-1至32-m)。

將寫入電晶體23的一電極(源極/汲極電極)連接至訊號線33(33-1至33-n)，並將另一電極(汲極/源極電極)連接至驅動電晶體22的閘極電極。將寫入電晶體23的閘極電極連接至掃描線31(31-1至31-m)。

在驅動電晶體22及寫入電晶體23中，一電極係電性連接至源極/汲極區域的金屬佈線，且另一電極係電性連接至該汲極/源極區域的金屬佈線。取決於該等二電極的電位之間的關係，一電極可能係源極電極或汲極電極，且另一電極可能係汲極電極或源極電極。

將保持電容器24的一電極連接至驅動電晶體22之閘極電極，並將另一電極連接至驅動電晶體22之另一電極及有機EL裝置21的陽極電極。

有機EL裝置21的驅動電路並未受限於包括二電晶體，亦即驅動電晶體22及寫入電晶體23，及一電容器，亦即保持電容器24，的該電路。

不同電路的範例係以將輔助電容器之一電極連接至有機EL裝置21的陽極電極並將另一電極連接至固定電位，使得該輔助電容器的功能係補償有機EL裝置21之電容不足的此種方式選擇性地設置輔助電容器之電路。另一範例係將切換電晶體串聯連接至驅動電晶體22，且該切換電晶體係在導通及非導通狀態間切換，以控制有機EL裝置21的發光與否之電路。

在如此組態的像素20中，使寫入電晶體23進入導通狀態以回應經由掃描線31從寫入掃描電路40施用至其閘極電極的高主動寫入掃描訊號WS。因此寫入電晶體23對與經由訊號線33從訊號輸出電路60供應之亮度資訊或參考電位Vofs對應的視訊訊號之訊號電壓Vsig取樣，並將相同電壓寫入像素20中。將已寫入訊號電壓Vsig或參考電位Vofs施加至驅動電晶體22的閘極電極並也儲存在保持電容器24中。

當電源供應線32(32-1至32-m)的電位DS係第一電位Vccp時，驅動電晶體22以其之一電極作為汲極電極使用且另一電極作為源極電極使用而在飽和區域中操作。驅動電晶體22因此接收供應自電源供應線32的電流，並電流驅動有機EL裝置21發光。更具體地說，驅動電晶體22在飽和區域中操作，因此將驅動電流供應至有機EL裝置21，該驅動電流具有與儲存在保持電容器24中的訊號電壓Vsig之電壓值對應的電流值。有機EL裝置21因此受電流驅動而發光。

另外，當電源供應電位DS從第一電源供應電位Vccp改變至第二電源供應電位Vini時，驅動電晶體22的操作以其之一電極作為源極電極使用且另一電極作為汲極電極使用而如同切換電晶體。驅動電晶體22從而停止將驅動電流供應至有機EL裝置21，因此有機EL裝置21進入非發光狀態。亦即，驅動電晶體22的功能也如同控制有機EL裝置21發光與否的電晶體。

驅動電晶體22的切換操作產生有機EL裝置21不發光的週期(非發光週期)，容許控制有機EL裝置21之發光週期及非發光週期之間的比率(負載)。該負載控制使降低一圖框週期期間內由發光之像素導致之殘影模糊變得可能。結果，可明確地改善動畫品質。

關於經由電源供應線32選擇性地從電源供應掃描電路50供應的第一及第二電源供應電位Vccp及Vini，第一電源供應電位Vccp係將驅動電流供應至用於驅動有機EL裝置21發光之驅動電晶體22的電源供應電位。第二電源供應電位Vini係反向偏壓有機EL裝置21的電源供應電位。將第二電源供應電位Vini設定成低於參考電位Vofs。例如，當驅動電晶體22的臨界電壓為Vth時，將第二電源供應電位Vini設定成低於Vofs-Vth，充份地低於較佳。

[1-2.電路操作]

在下文中，將參考圖3的時序波形圖，並參考至圖4A至4D及5A至5D之操作圖解釋如此組態之有機EL顯示裝置10的基本電路操作。在圖4A至4D及5A至5D的操作圖中，為了簡化圖示，寫入電晶體23係以開關符號表示。也將有機EL裝置21的等效電容器25描繪於其中。

圖3之時序波形圖顯示掃描線31的電位(寫入掃描訊號)WS、電源供應線32之電位(電源供應電位)DS、訊號線33的電位(Vsig/Vofs)、以及驅動電晶體22之閘極電位Vg及源極電位Vs中的變化。

(先前圖訊的發光週期)

在圖3的時序波形圖中，在時間t11之前的該週期係有機EL裝置21在先前圖框(場)中的發光週期。在先前圖框中的發光週期期間，電源供應線32的電位DS係第一電源供應電位(在下文中，稱為「高電位」)Vccp，且寫入電晶體23在非導通狀態中。

將驅動電晶體22設計成此時在飽和區域中操作。因此，如圖4A所示，將與驅動電晶體22之閘極-源極電壓Vgs對應的驅動電流(汲極-源極電流)Ids經由驅動電晶體22從電源供應線32供應至有機EL裝置21。有機EL裝置21因此以對應於驅動電流Ids之電流值的亮度發光。

(臨界校正準備週期)

在時間t11，線連續掃描的新圖框(目前圖框)開始。因此，如圖4B所示，相對於訊號線33的參考電位Vofs，電源供應線32的電位DS從高電位Vccp改變至充份地低於Vofs-Vth的第二電源供應電位(在下文中，稱為「低電位」)Vini。

將有機EL裝置21的臨界電壓表示為Vthel並將共同電源供應線34之電位(陰極電位)表示為Vcath，當低電位Vini<Vthel+Vcath時，驅動電晶體22的源極電位Vs幾乎等於低電位Vini。結果，將有機EL裝置21反向偏壓並停用。

隨後，在時間t12，掃描線31的電位WS造成從低電位側至高電位側的轉移，因此寫入電晶體23如圖4C所示地進入導通狀態。在此時，將參考電位Vofs從訊號輸出電路60供應至訊號線33，且驅動電晶體22的閘極電位Vg因此係參考電位Vofs。此外，驅動電晶體22的源極電位Vs係充份地低於參考電位Vofs的電位Vini。

此時，驅動電晶體22的閘極-源極電壓Vgs為Vofs-Vini。此處，除非Vofs-Vini大於驅動電晶體22的臨界電壓Vth，否則難以實施下文提及的臨界校正處理。因此，使得Vofs-Vini>Vth的電位關係係必要的。

在準備下文提及的臨界校正處理(臨界校正準備)時，將驅動電晶體22之閘極電位Vg及源極電位Vs分別固定(決定)為參考電位Vofs及低電位Vini並因此初始化的此種處理完成。因此，參考電位Vofs及低電位Vini分別作為驅動電晶體22之閘極電位Vg及源極電位Vs的初始電位使用。

(臨界校正週期)

隨後，在時間t13，如圖4D所示，電源供應線32的電位DS從低電位Vini改變至高電位Vccp，以所維持之驅動電晶體22的閘極電位Vg初始該臨界校正處理。亦即，驅動電晶體22的源極電位Vs開始朝向藉由從閘極電位Vg減去驅動電晶體22之臨界電壓Vth而得到的電位增加。

為了方便，將驅動電晶體22之閘極電極的初始電位Vofs採用為參考、源極電位Vs朝向藉由從初始電位Vofs減去驅動電晶體22之臨界電壓Vth而得到的該電位改變之此種處理稱為臨界校正處理。隨著該臨界校正處理的進展，驅動電晶體22的閘極-源極電壓Vgs最終收斂至驅動電晶體22之臨界電壓Vth。將等於臨界電壓Vth的該電壓儲存在保持電容器24中。

在該臨界校正處理期間(臨界校正週期)，為使電流朝向保持電容器24流動而不朝向有機EL裝置21流動，將共同電源供應線34的電位Vcath設定成使得有機EL裝置21截止。

隨後，在時間t14，如圖5A所示，掃描線31的電位WS造成至低電位側的轉移，從而使寫入電晶體23進入非導通狀態。此時，驅動電晶體22的閘極電極不與訊號線33電性連接，且因此保持浮動。然而，因為閘極-源極電壓Vgs等於驅動電晶體22的臨界電壓Vth，驅動電晶體22在截止狀態中。因此，無汲極-源極電流Ids流經驅動電晶體22。

(訊號寫入及遷移率校正週期)

隨後，在時間t15，如圖5B所示，訊號線33的電位從參考電位Vofs改變至視訊訊號的訊號電壓Vsig。然後，在時間t16，掃描線31的電位WS造成至高電位側的轉移，從而，如圖5C所示，使寫入電晶體23進入導通狀態。寫入電晶體23因此取樣視訊訊號的訊號電壓Vsig並將相同電壓寫入像素20。

寫入電晶體23因此寫入訊號電壓Vsig。結果，驅動電晶體22的閘極電位Vg為訊號電壓Vsig。然後，在驅動電晶體22為視訊訊號之訊號電壓Vsig所驅動的當時，以與儲存在保持電容器24中的臨界電壓Vth相同之電壓抵銷驅動電晶體22的臨界電壓Vth。將於稍後描述臨界抵銷原理的細節。

在此時，有機EL裝置21係在截止狀態(高阻抗狀態)。因此，依據視訊訊號之訊號電壓Vsig從電源供應線32流入驅動電晶體22的該電流(汲極-源極電流Ids)流入有機EL裝置21的等效電容器25中，以開始對等效電容器25充電。

當有機EL裝置21之等效電容器25充電時，驅動電晶體22的源極電位Vs隨時間增加。屆時，已然抵銷像素間的驅動電晶體22之臨界電壓Vth中的變化，且驅動電晶體22的汲極-源極電流Ids係取決於驅動電晶體22的遷移率μ。

假設保持電容器24中的保持電壓Vgs與視訊訊號之訊號電壓Vsig的比率，亦即，寫入增益G為1(理想值)，則當驅動電晶體22的源極電位Vs增加至電位Vofs-Vth+ΔV時，驅動電晶體22的閘極-源極電壓Vgs為Vsig-Vofs+Vth-ΔV。

亦即，驅動電晶體22之源極電位Vs的增量ΔV係減自儲存在保持電容器24中的電壓(Vsig-Vofs+Vth)，換言之，增量ΔV的行為係將保持電容器24中的電荷放電；因此，施用負反饋。因此，源極電位Vs的增量ΔV係負反饋的反饋量。

以此方式，將與流經驅動電晶體22之汲極-源極電流Ids對應的負反饋之反饋量ΔV施加至閘極-源極電壓Vgs，因此可抵銷驅動電晶體22之汲極-源極電流Ids對遷移率μ的相依性。此抵銷處理係校正像素間的驅動電晶體22之遷移率μ中的變化之遷移率校正處理。

更具體地說，隨著寫入驅動電晶體22之閘極電極中的視訊訊號之訊號振幅Vin(=Vsig-Vofs)增加，汲極-源極電流Ids增加，且負反饋之反饋量ΔV的絕對值也因此增加。因此，實施適合發光亮度位準的遷移率校正處理。

另外，當視訊訊號的訊號振幅Vin係常數時，負反饋之反饋量ΔV的絕對值隨著驅動電晶體22之遷移率μ的增加而增加。因此，可消除像素間的遷移率μ中的變化。因此，也可將負反饋之反饋量ΔV視為係遷移率校正量。將於稍後描述遷移率校正原理的細節。

(發光週期)

隨後，在時間t17，掃描線31的電位WS造成至低電位側的轉移，從而使寫入電晶體23進入非導通狀態，如圖5D所示。驅動電晶體22的閘極電極因此不與訊號線33電性連接，並因此保持浮動。

當驅動電晶體22的閘極電極浮動時，保持電容器24係連接於驅動電晶體22的閘極及源極之間。因此，隨同驅動電晶體22之源極電位Vs中的改變，閘極電位Vg也改變。驅動電晶體22之閘極電位Vg隨同源極電位Vs中的改變而改變之此種操作係藉由保持電容器24實施的自舉操作。

當驅動電晶體22的閘極電極保持浮動，且驅動電晶體22之汲極-源極電流Ids同時開始流經有機EL裝置21時，有機EL裝置21的陽極電位隨著電流Ids增加。

當有機EL裝置21的陽極電位超過Vthel+Vcath時，此容許驅動電流開始流經有機EL裝置21，因此有機EL裝置21開始發光。有機EL裝置21之陽極電位的增加係驅動電晶體22之源極電位Vs的增加。隨著驅動電晶體22之源極電位Vs增加，由於保持電容器24所實施的自舉操作，驅動電晶體22的閘極電位Vg也增加。

然後，假設該自舉增益為1(理想值)，則閘極電位Vg的增加等於源極電位Vs的增加。因此，在該發光週期期間，驅動電晶體22的閘極-源極電壓Vgs為Vsig-Vofs+Vth-ΔV，並維持不變。在時間t18，訊號線33的電位從視訊訊號的訊號電壓Vsig改變至參考電位Vofs。

在上述之一系列電路操作中，臨界校正準備、臨界校正、訊號電壓Vsig寫入(訊號寫入)、以及遷移率校正的處理操作全部在一水平掃描週期(1H)中實施。訊號寫入及遷移率校正的處理操作係在從時間t16至時間t17的該週期中平行地實施。

已將使用僅將該臨界校正處理實施一次的驅動方法之情形採用為範例；然而，此僅為範例且該驅動方法並未受限於此。例如，除了該臨界校正處理係連同遷移率校正及訊號寫入共同實施的週期1H以外，也可能將該處理分割並在週期1H之前的複數個水平掃描週期上實施多個操作。亦即，該驅動方法可能使用所謂的分割臨界校正。

在使用此種使用分割臨界校正之驅動方法的情形中，即使當像素數量伴隨解析度之改善而增加，導致一水平掃描週期的該週期減少時，可對複數個水平掃描週期上的臨界校正週期保證充份的週期時間。因此，能可靠地實施該臨界校正處理。

[臨界抵銷的原理]

將於下文解釋驅動電晶體22的臨界抵銷原理(亦即，臨界校正)。將驅動電晶體22設計成在飽和區域中操作，且因此如固定電流源似地操作。因此，固定汲極-源極電流(驅動電流)Ids係從驅動電晶體22供應至有機EL裝置21，其係由下列方程式(1)給定：

Ids=(1/2)*μ(W/L)Cox(Vgs-Vth)² 　...(1)，

其中W係驅動電晶體22的通道寬度、L係通道長度、且Cox係閘極電容/單位面積。

圖6相關於驅動電晶體22的汲極-源極電流Ids及閘極-源極電壓Vgs顯示該Ids-Vgs特徵。

如該特徵圖所示，除了針對各像素在驅動電晶體22之臨界電壓Vth的變化上實施抵銷操作以外，當臨界電壓Vth係Vth1時，與閘極-源極電壓Vgs對應的汲極-源極電流Ids係Ids1。

與此同時，當臨界電壓Vth係Vth2(Vth2>Vth1)時，與相同的閘極-源極電壓Vgs對應的汲極-源極電流Ids係Ids2(Ids2<Ids)。亦即，當驅動電晶體22的臨界電壓Vth改變時，即使當閘極-源極電壓Vgs不變時，汲極-源極電流Ids也改變。

如上文所提及的，在如上文組態的像素(像素電路)20中，驅動電晶體22在發光時的閘極-源極電壓Vgs為Vsig-Vofs+Vth-ΔV。若將此代入方程式(1)中，則以下列方程式(2)表示汲極-源極電流Ids：

Ids=(1/2)*μ(W/L)Cox(Vsig-Vofs-ΔV)² 　...(2)。

亦即，抵銷驅動電晶體22的臨界電壓Vth項，且從驅動電晶體22供應至有機EL裝置21的汲極-源極電流Ids與驅動電晶體22的臨界電壓Vth無關。結果，即使驅動電晶體22的臨界電壓Vth由於驅動電晶體22之製程中的變化或時間相關變化而在像素間改變時，汲極-源極電流Ids不改變。因此，可將有機EL裝置21的發光亮度維持不變。

[遷移率校正的原理]

將於下文解釋驅動電晶體22的遷移率校正原理。圖7顯示比較具有相對高遷移率μ之驅動電晶體22的像素A及具有相對低遷移率μ之驅動電晶體22的像素B之特徵曲線。當驅動電晶體22係多晶矽薄膜電晶體等時，遷移率μ不可避免的在像素間改變，如像素A及B之情形。

如果在像素A及像素B之間的遷移率μ中有變化，考慮將相同位準之訊號振幅Vin(=Vsig-Vofs)寫入像素A及B的驅動電晶體22之閘極電極中的情形。在此情形中，若未對遷移率μ進行校正，則在流經具有高遷移率μ之像素A的汲極-源極電流Ids1'及流經具有低遷移率μ之像素B的汲極-源極電流Ids2'之間將有大差異。當汲極-源極電流Ids中的此種大差異係由於像素間之遷移率μ中的變化而存在於像素間時，此導致螢幕均勻性降低。

從上述之電晶體特徵方程式(1)可明顯看出，當遷移率μ高時，汲極-源極電流Ids也高。因此，負反饋的反饋量ΔV隨著遷移率μ的增加而增加。如圖7所示，針對具有高遷移率μ之像素A的反饋量ΔV大於針對具有小遷移率μ之像素B的反饋量ΔV2。

因此，實施該遷移率校正處理，使得與驅動電晶體22之汲極-源極電流Ids對應的負反饋之反饋量ΔV施加至閘極-源極電壓Vgs，亦即，遷移率μ越高，施加之負反饋的反饋量越大。結果，可抑制該等像素間之遷移率μ中的變化。

具體地說，當將校正的反饋量ΔV1施加至具有高遷移率μ的像素A時，汲極-源極電流Ids從Ids1'大幅下降至Ids1。相反地，因為用於具有低遷移率μ的像素B之反饋量ΔV2甚小，汲極-源極電流Ids從Ids2'減少至Ids2，其不係大幅減少。結果，像素A之汲極-源極電流Ids1及像素B的汲極-源極電流Ids2彼此實質相等，並該等像素間的遷移率μ中的變化因此受校正。

總而言之，相關於具有不同遷移率μ的像素A及像素B，具有高遷移率μ之像素A的反饋量ΔV1大於具有低遷移率μ之像素B的反饋量ΔV2。亦即，具有較高遷移率μ的像素接收較大的反饋量ΔV，隨後在汲極-源極電流Ids中有較大減少。

因此，當與驅動電晶體22之汲極-源極電流Ids對應的負反饋之反饋量ΔV施加至閘極-源極電壓Vgs時，此將具有不同遷移率μ之像素間的汲極-源極電流Ids之電流值等化。結果，可校正該等像素間之遷移率μ中的變化。亦即，該遷移率校正處理係將與流經驅動電晶體22的電流(汲極-源極電流Ids)對應之負反饋的反饋量ΔV施加至驅動電晶體22之閘極-源極電壓Vgs的處理。

相關於圖2所示之像素(像素電路)20，將參考圖8A至8C於下文解釋視訊訊號的訊號電壓Vsig與具有或不具有臨界校正及遷移率校正之驅動電晶體22的汲極-源極電流Ids之間的關係。

圖8A顯示該臨界校正及該遷移率校正均未實施的情形、圖8B顯示未實施該遷移率校正但實施該臨界校正的情形、且圖8C顯示實施該臨界校正及該遷移率校正二者之情形。當該臨界校正及該遷移率校正均未實施時，如圖8A所示，由於像素A及B之間的臨界電壓Vth及遷移率μ中的變化，此在像素A及B之間的汲極-源極電流Ids中導致巨大不同。

當僅實施該臨界校正時，如圖8B所示，可將汲極-源極電流Ids中的變化降低至特定程度。然而，由於像素A及B之間的遷移率μ中的變化，在像素A及B之間的汲極-源極電流Ids中仍殘留不同。藉由實施該臨界校正及該遷移率校正二者，如圖8C所示，由於像素A及B之間的臨界電壓Vth及遷移率μ中的變化，可能實際消除像素A及B之間的汲極-源極電流Ids中的不同。因此，有機EL裝置21的亮度不以任何灰階改變，使顯示高品質影像變得可能。

除了校正該臨界及該遷移率的功能外，顯示於圖2中的像素20也具有如上文所提及之藉由保持電容器24實施的自舉功能。此提供下列優點。

亦即，即使在驅動電晶體22的源極電位Vs由於有機EL裝置21之I-V特徵中的時間-相依變化而改變的情形中，藉由保持電容器24實施的自舉操作容許驅動電晶體22之閘極-源極電壓Vgs保持不變。因此，流經有機EL裝置21的電流不改變且係固定的。結果，有機EL裝置21的發光亮度也維持固定。因此，即使當有機EL裝置21的I-V特徵經受時間-相依變化時，可實現影像顯示而不具有伴隨的亮度降低。

<2.實施例>

如上文所提及，在有機EL顯示裝置中，特定顯示區域中的退化有機EL裝置比其他顯示區域中的有機EL裝置具有相對更低之亮度，且因此將該特定顯示區域中的部分顯示部位視為在亮度上永久不均勻，導致燒入。此處將有機EL裝置迅速退化之該特定顯示區域稱為重複地顯示固定影像型樣的區域，諸如時間顯示區域(時鐘顯示器)。為避免燒入，有機EL顯示裝置10具有從訊號處理角度校正燒入的功能(燒入校正功能)。

為從訊號處理角度校正燒入，將不協助影像顯示的虛擬像素設置在顯示面板70之像素陣列部(顯示區域)30的外側，並以與該顯示區域中的該等有效像素(像素20)相似的方式驅動該等虛擬像素，以導致亮度退化。然後，使用光偵測器偵測該等虛擬像素的亮度退化。

藉由將虛擬像素形成在協助影像顯示之有效像素20所共用的顯示面板70上，並以與有效像素20基本上相同的方式驅動該等虛擬像素，可從該等虛擬像素之亮度退化預測各像素20的亮度退化。因此，基於該等虛擬像素之亮度退化的預測結果，在將發生燒入之該特定顯示區域中的像素20之亮度可受控制，以實施用於防止燒入的燒入校正。

例如，虛擬像素具有與像素陣列部30中之像素20相同的組態。亦即，如同像素20，虛擬像素具有有機EL裝置、驅動電晶體、寫入電晶體、以及保持電容器。因此，該等虛擬像素及像素20可用相同製程製造，且因此，該等虛擬像素的提供略為增加製造顯示面板70的難度或需要略為增加成本。

採用使用光偵測器偵測虛擬像素之亮度退化的組態，此實施例之特徵在於該光偵測器相對於該虛擬像素的特定佈置。

基本上，在此實施例的組態中，相關於設置在顯示面板70上的該虛擬像素，將該光偵測器設置在顯示面板70之發光表面的相對側上。該發光表面的相對側在本文係指顯示面板70的背側或顯示面板70的內部。

例如，在將該光偵測器附接在顯示面板70之背側的情形中，因為用於驅動顯示面板70之驅動器及相似模組通常存在於顯示面板70的背側上，將該光偵測器設置於此處並不增加該面板模組的厚度。本文之面板模組意指包括用於驅動顯示面板70之驅動器及其他模組的整體顯示面板70。

另外，在此實施例中，將用於反射自該虛擬像素發射之光的反射鏡片或相似反射膜設置在顯示面板70之發光表面側上。因此，自該虛擬像素發射之光可從該反射膜反射，以進入設置在顯示面板70之背側上的該光偵測器。因此，即使該光偵測器係設置在，例如，顯示面板70之背側上時，可有效率地並可靠地偵測該虛擬像素的亮度。

[2-1.燒入校正電路]

圖9係顯示根據本發明實施例之實現燒入校正功能的燒入校正電路之組態的方塊圖。此處，根據此應用範例之使用燒入校正電路的該有機EL顯示裝置係用於彩色顯示之顯示裝置，其中像素陣列部30中之各像素(次像素)20的基本發色係三原色，亦即，R(紅色)、G(綠色)、以及B(藍色)。

如圖9所示，此應用範例的燒入校正電路80包括虛擬像素部81、退化計算單元82、以及校正處理單元83。在顯示面板70上，將虛擬像素部81設置在像素陣列部(顯示區域)30的外側。虛擬像素部81包括與形成像素陣列部30之R、G、以及B像素20對應之三色虛擬像素811R、811G、以及811B。亦即，虛擬像素811R、811G、以及811B具有對應於該顯示區域之基本發色的色彩相依性。

另外，將複數個虛擬像素811R設置成對應於數個發光亮度等級，並相同地施用在虛擬像素811G及811B上；虛擬像素811R、811G、以及811B因此也具有亮度相依性。具體地說，R虛擬像素811R包括對應於三個發光亮度等級，例如100尼特、200尼特、以及400尼特，的三個虛擬像素811R1、811R2、以及811R3。相似地，G虛擬像素811G包括對應於三個發光亮度等級的三個虛擬像素811G1、811G2、以及811G3，且B虛擬像素811B包括對應於三個發光亮度等級的三個虛擬像素811B1、811B2、以及811B3。

R虛擬像素811R1、811R2、以及811R3、G虛擬像素811G1、811G2、以及811G3、以及B虛擬像素811B1、811B2、以及811B3係由用於與個別顏色及個別發光亮度等級對應之虛擬像素的顯示訊號所驅動，從而發光。在下文中，有時將以數個發光亮度等級發射數種彩色的此等虛擬像素共同稱為虛擬像素811。

除了虛擬像素811以外，虛擬像素部81也包括光偵測器812(812R1、812R2、812R3/812G1、812G2、812G3/812B1、812B2、812B3)。光偵測器812偵測從以數個發光亮度等級發射數種彩色之虛擬像素811發射的光，從而量測個別虛擬像素811的亮度。

可將已為人所知的光偵測裝置使用為光偵測器812。其之範例係包括非晶矽半導體的可見光感測器。各光偵測器812輸出，例如，偵測為電流值、電壓值，該亮度資訊(與光量有關的資訊)。將係光偵測器812之偵測結果的該亮度資訊供應至退化計算單元82。

如上文所提及，作為虛擬像素811中的發光裝置使用之有機EL裝置的亮度效率損失與發光亮度(發光量)及發光時間成比率。亮度效率的下降程度隨不同顏色而異。圖10A至10C顯示以100尼特、200尼特、及400尼特的亮度等級發射之彩色RGB的發光時間對亮度特徵。在圖10A至10C中，在發光時間t1之前的資料顯示已量測特徵，而在時間t1之後的資料顯示估計特徵。

在由虛擬像素811及光偵測器812之組合所形成的此種虛擬像素部81中，此實施例的特性在於光偵測器812相關於虛擬像素811的佈置。將於稍後描述其之具體實施例。

退化計算單元82基於來自與以數個發光亮度等級發射數種彩色之虛擬像素811對應的光偵測器812之偵測結果(亮度資訊)，判定各發射顏色的亮度退化特徵，並使用已得到的退化特徵曲線及視訊訊號，計算將發生燒入之區域中的有效像素20的退化量。有效像素20的退化量在本文中意指有效像素20，亦即，有機EL裝置，之發光裝置的退化量。此外，由退化計算單元82判定的退化特徵曲線等效於圖10A至10C所顯示之退化特徵曲線。

校正處理單元83係由FPGA(場效可規劃閘極陣列)等形成。校正處理單元83基於由退化計算單元82計算的該有機EL裝置之退化量而計算燒入校正量。根據所計算的燒入校正量，校正處理單元83控制用於驅動在將發生燒入之該區域中的有效像素20之視訊訊號SIG的位準，從而校正此種有效像素20的發光亮度。由於此亮度校正，可從訊號處理角度校正由於該等有機EL裝置、發光裝置之性質退化所導致的燒入。

將藉由校正處理單元83校正的該等視訊訊號供應至用於驅動顯示面板70上之有效像素20的驅動器90，以實施影像顯示。將驅動器90及其他模組置於顯示面板70的背側上。驅動器90將該等視訊訊號的訊號電壓Vsig供應至圖2所示之訊號輸出電路(選擇器)60。

如上文所提及的，將用於從訊號處理角度校正由於有機EL裝置之性質退化所導致的燒入之此應用範例的燒入校正電路80組態成採用以下順序：虛擬像素811→光偵測器812→退化計算單元82→校正處理單元83→驅動器90。實現燒入校正功能的該電路並未受限於此種燒入校正電路80。只要可從訊號處理角度校正燒入，任何組態均係可能的。

關於其係本實施例之特徵的光偵測器812之相關於虛擬像素811的佈置，將於下文提供其之具體範例。

[2-2.範例1]

圖11係顯示根據範例1之包括光偵測器812的虛擬像素811之組態的橫剖面圖。如上文所提及的，與圖2所示之像素(有效像素)20相似，虛擬像素811包括有機EL裝置21，同樣具有包括驅動電晶體22等的驅動電路。

如圖11所示，將包括驅動電晶體22等的該驅動電路形成在透明基材701上，例如玻璃基材。僅將該驅動電路的組件之間的驅動電晶體22描繪於該圖式中，而省略其他組件。

驅動電晶體22包括閘極電極221、在多晶矽半導體層222之對側上的源極/汲極區域223及224、以及在多晶矽半導體層222之面對閘極電極221的該部分中的通道形成區域225。將源極/汲極電極226及227分別電性連接至源極/汲極區域223及224。

將有機EL裝置21以具有絕緣膜702及絕緣平坦膜703於其間的方式另外形成在玻璃基材701上。有機EL裝置21係虛擬像素811的發光裝置。有機EL裝置21包括陽極電極211、有機層212、以及陰極電極213。例如，陽極電極211係由金屬製成。陰極電極213係由，例如，位於有機層212上方之透明導電膜形成，並對所對像素共用。

在有機EL裝置21中，有機層212係藉由將電洞傳輸層/電洞注入層、發光層、電子傳輸層、電子注入層循序地堆疊在陽極電極211上而形成。在由驅動電晶體22電流驅動的情形下，電流經由陽極電極211流入有機層212，因此電子及電洞在有機層212中的發光層中再組合，導致發光。

然後，在將用於各像素之有機EL裝置21以具有絕緣膜702於其間的方式形成在玻璃基材701上之後，將玻璃基材705或類似透明基材以具有鈍化層704於其間的方式附接於其。使用玻璃基材705密封有機EL裝置21，以提供顯示面板70。虛擬像素811與像素陣列部30中的有效像素20係在相同時間並以相同製程形成。

在如此組態的各虛擬像素811中，將用於偵測有機EL裝置21之亮度的光偵測器812設置在顯示面板70的背側上(發光表面的相對側)，亦即，玻璃基材701的底側。此種光偵測器812佔據比一像素之像素面積更大的面積，並以，例如將其面對有機EL裝置21之側作為其光接收表面使用的此種方式附接至玻璃基材701。

同時，在顯示面板70之形成虛擬像素部81的部分中，將反射膜813，諸如反射鏡片，形成在位於顯示面板70之發光表面側上的玻璃基材705上。反射膜813係由鋁膜或藉由金屬沈積等得到的金屬片形成，並層壓在顯示面板70之發光表面上，亦即，在玻璃基材705上。

反射膜813將發射自有機EL裝置21之光反射，從而將該光導向設置在顯示面板70之背側上的光偵測器812。發射自有機EL裝置21的該光不僅自反射膜813反射，也自玻璃基材705的介面反射(玻璃基材705及鈍化膜704之間的接面)，以進入光偵測器812。

附帶一提，如上文所提及的，虛擬像素811與像素陣列部30中的有效像素20係在相同時間並以相同製程形成。因此，當形成複數個虛擬像素811時，通常將此種虛擬像素811形成為具有與像素陣列部30中之有效像素20相同的像素間距。

然而，將此範例1之佈置組態成使得沒有阻礙在從反射膜813及玻璃基材705的介面反射至光偵測器812之光的光學路徑上。

具體地說，首先，為將陰極電位Vcath供應至像素陣列部30的各有效像素20，如圖12所示，將像素陣列部30周圍的輔助佈線706放置成避開形成虛擬像素部81的該部分。輔助佈線706通常以網目形式設置在像素陣列部30之有效像素20之間，從而減少該陰極佈線(圖2中的共同電源供應線34)的佈線電阻。

若也將輔助佈線706設置在形成虛擬像素81的該部分中，如同像素陣列部30中的設置，如圖11中的虛線所指示的，在該等像素之間的輔助佈線706將自然地顯現為在來自反射膜813等之反射光的該光學路徑中之反射光的阻礙。

然而，當將輔助佈線706放置成避開形成虛擬像素部81的該部分時，反射自反射膜813及玻璃基材705的介面之光的光學路徑將免於受輔助佈線706阻礙。結果，可有效率地將發射自有機EL裝置21及反射自反射膜813等的光導向光偵測器812。

假設將虛擬像素部81中的像素形成為具有與像素陣列部30相同的像素間距；然後，也針對相鄰於虛擬像素811之像素中的驅動電晶體22之陽極電極211或金屬電極(閘極電極221及源極/汲極電極226及227)，如圖11之虛線所指示的，該等像素之間的輔助佈線706顯現為在來自反射膜813等之反射光的該光學路徑中之反射光的阻礙。

然後，將相鄰於虛擬像素811之該像素組態成不具有其之驅動電晶體22的陽極電極211或金屬電極(閘極電極221及源極/汲極電極226及227)。結果，如輔助佈線706之情形，沒有阻礙在從反射膜813及玻璃基材705的介面反射至光偵測器812之光的光學路徑中，且因此，可將發射自有機EL裝置21及反射自反射膜813等的光有效率地導向光偵測器812。

如上文所提及，在範例1之光偵測器812的佈置中，將光偵測器812設置在顯示面板70的背側上，同時將用於反射發射自有機EL裝置21之光的反射膜813設置在顯示面板70的前側上。此種組態容許編排光偵測器812而無須增加該面板模組厚度。另外，發射自有機EL裝置21的該光可藉由從反射膜813反射而導向光偵測器812，且因此虛擬像素811的亮度可有效率地偵測。

特別地，因為沒有阻礙在從反射膜813及玻璃基材705的介面反射至光偵測器812之光的光學路徑中，可抑制進入光偵測器812之光的損失，且因此虛擬像素811的亮度可更有效率地偵測。此外，可將光偵測器812，例如，附接於顯示面板70的背側，且此組態也因此可有利地將已知的高靈敏度光偵測器裝置使用為光偵測器812。

[2-3.範例2]

圖13係顯示根據範例2之包括光偵測器812的虛擬像素811之組態的橫剖面圖。在圖13中，以相同的參考數字指示與圖11共用之該等組件(對應組件)，且將不另行解釋以避免重複的描述。

在範例1之光偵測器812的佈置中，例如，光偵測器812係藉由附接在顯示面板70之背側上而設置。相反地，在範例2之光偵測器812的佈置中，如圖12所示，光偵測器812係藉由併入顯示面板70中(內建)而設置。

亦即，在範例2之光偵測器812的佈置中，在將驅動電晶體22等形成在玻璃基材701上的該製程中，光偵測器812也以相同方式形成在玻璃基材701上。可將PIN光二極體等使用為此種光偵測器812。

範例2之光偵測器812的佈置提供與範例1相同之優點。此外，在形成顯示面板70的該製程中，可將光偵測器812製造於其中，提供在顯示面板70形成後，將如範例1中之將光偵測器812附接至其的該步驟省略之另一優點。

<3.替代實施例>

上述實施例已用將具有有機EL裝置之有機EL顯示裝置應用為像素20的光電裝置(發光裝置)之範例描述。然而，此等應用範例並未限制本發明。亦即，本發明可應用至具有如像素20之光電裝置的發光裝置，諸如無機EL裝置、LED裝置、或半導體雷射裝置，之任何發光顯示裝置。

<4.應用範例>

可將上文解釋之根據本發明實施例的該顯示裝置應用為使用在任何領域之電子裝置中的顯示裝置，其中將供應至該電子裝置的視訊訊號或在該電子裝置中產生的視訊訊號顯示為影像或視訊。例如，可將該等顯示裝置施用為使用於圖14至18顯示之各種類型的電子裝置中，諸如數位相機、膝上型個人電腦、行動電話等的可攜式終端、視訊攝影機等的顯示裝置等。

將根據本發明實施例的顯示裝置使用為在任何領域之電子裝置中的顯示裝置，容許該電子裝置實現高品質影像顯示而不增加尺寸。亦即，從上述實施例可明顯看出，根據本發明實施例的顯示裝置使抑制由於發光裝置之性質退化所導致的燒入變得可能，無須增加該面板模組的厚度。因此在薄面板模組上實現高品質影像顯示。

根據本發明實施例的顯示裝置可能為密封模組形式。其範例係包括像素陣列部30及，例如，由玻璃製成之附接至其的透明相對構件之顯示模組。該透明相對構件可能設有彩色濾波器、保護膜等，並可能另外具有遮光膜。此外，該顯示模組可能設有，例如，用於從像素陣列部外側輸入/輸出訊號的電路單元或FPC(可撓印刷電路)。

關於本發明可應用於其的電子裝置，將於下文提供其之具體範例。

圖14係顯示根據本發明實施例的電視機之外觀的透視圖。此應用範例的電視機包括由前面板102、濾波器玻璃103等形成的視訊顯示螢幕部101，並將根據本發明實施例的顯示裝置作為視訊顯示螢幕部101使用。

圖15A及15B係顯示根據本發明實施例的數位相機之外觀的透視圖。圖15A係前透視圖，且圖15B係後透視圖。此應用範例的數位相機包括用於提供閃光的發光部111、顯示部112、選單開關113、快門114等，並將根據本發明實施例的顯示裝置作為顯示部112使用。

圖16係顯示根據本發明實施例的膝上型個人電腦之外觀的透視圖。此應用範例的膝上型個人電腦包括本體121、受操作以輸入字元等的鍵盤122、用於顯示影像的顯示部123等，並將根據本發明實施例的顯示裝置作為顯示部123使用。

圖17係顯示根據本發明實施例的視訊攝影機之外觀的透視圖。此應用範例的視訊攝影機包括本體部131、設置在其正面側上用於拍攝物件影像的鏡頭132，用於影像拍攝的開始/停止開關133、顯示部134等，並將根據本發明實施例的顯示裝置作為顯示部134使用。

圖18A至18G顯示根據本發明實施例之可攜式終端，諸如行動電話，的外觀。圖18A係該行動電話開啟時的前視圖，且圖18B係其側視圖。圖18C係該行動電話關閉時的前視圖、圖18D係其左側圖、圖18E係其右側圖、圖18F係其頂視圖、且圖18G係其底視圖。此應用範例的行動電話包括上外殼141、下外殼142、連接部(此處為樞軸部)143、顯示器144、次顯示器145、閃光燈146、相機147等。此應用範例的該行動電話係將根據本發明實施例之顯示裝置使用為顯示器144及次顯示器145而製造。

本發明包含與於2009年8月24日向日本特許廳申請之日本優先權專利申請案案號第2009-192853號所揭示的主題內容相關之主題內容，該專利之教示全文以提及之方式併入本文中。

熟悉本發明之人士應能理解不同的修改、組合、次組合、及變更可能取決於設計需求及其他因素而在隨附之申請專利範圍或其等同範圍內發生。

10．．．有機EL顯示裝置

20．．．像素

21．．．有機EL裝置

22．．．驅動電晶體

23．．．寫入電晶體

24．．．保持電容器

25．．．等效電容器

30．．．像素陣列部

31．．．掃描線

32．．．電源供應線

33．．．訊號線

34．．．共同電源供應線

40．．．寫入掃描電路

50．．．電源供應掃描電路

60．．．訊號輸出電路

70．．．顯示面板(基材)

80．．．燒入校正電路

81．．．虛擬像素部

82．．．退化計算單元

83．．．校正處理單元

90．．．驅動器

101．．．視訊顯示螢幕部

102．．．前面板

103．．．濾波器玻璃

111．．．發光部

112、123、134．．．顯示部

113．．．選單開關

114．．．快門

121．．．本體

122．．．鍵盤

131．．．本體部

132．．．鏡頭

133．．．開始/停止開關

141．．．上外殼

142．．．下外殼

143．．．連接部

144．．．顯示器

145．．．次顯示器

146．．．閃光燈

147．．．相機

211．．．陽極電極

212．．．有機層

213．．．陰極層

221．．．閘極電極

222．．．多晶矽半導體層

223．．．源極區域

224．．．汲極區域

225．．．通道形成區域

226．．．源極電極

227．．．汲極電極

701．．．透明基材

702．．．絕緣膜

703．．．絕緣平坦膜

704．．．鈍化層

705．．．玻璃基材

706．．．輔助佈線

811、811B1、811B2、811B3、811G1、811G2、811G3、811R1、811R2、811R3．．．虛擬像素

812、812B1、812B2、812B3、812G1、812G2、812G3、812R1、812R2、812R3．．．光偵測器

813．．．反射膜

ck．．．時鐘脈衝

DS．．．電源供應電位

Ids、Ids1。Ids2、Ids1'、Ids2'．．．汲極-源極電流

SIG．．．視訊訊號

sp．．．開始脈衝

t1、t11、t12、t13、t14、t15、t16、t17、t18．．．時間

Vccp．．．第一電源供應電位

Vg．．．閘極電位

Vgs．．．閘極-源極電壓

Vini．．．第二電源供應電位

Vofs．．．參考電位

Vs．．．源極電位

Vsig．．．訊號電壓

Vth、Vth1、Vth2．．．臨界電壓

WS．．．寫入掃描訊號

ΔV、ΔV1、ΔV2．．．反饋量

圖1係概要地顯示根據本發明實施例之有機EL顯示裝置的組態之系統方塊圖。

圖2係顯示根據本發明實施例之有機EL顯示裝置的像素之電路(像素電路)的電路圖。

圖3係用於解釋根據本發明實施例之有機EL顯示裝置的基本電路操作之時序波形圖。

圖4A至4D係說明根據本發明實施例之有機EL顯示裝置的基本電路操作(第一範例)之操作圖。

圖5A至5D係說明根據本發明實施例之有機EL顯示裝置的基本電路操作(第二範例)之操作圖。

圖6係用於解釋由驅動電晶體之臨界電壓Vth中的變化所導致之問題的特徵圖。

圖7係用於解釋由驅動電晶體之遷移率μ中的變化所導致之問題的特徵圖。

圖8A至8C係用於解釋視訊訊號的訊號電壓Vsig與具有或不具有臨界校正及/或遷移率校正之驅動電晶體的汲極-源極電流Ids之間的關係之特徵圖。

圖9係顯示根據本發明實施例之實現燒入校正功能的燒入校正電路之組態的方塊圖。

圖10A至10C顯示以100尼特、200尼特、及400尼特的亮度等級發射之彩色RGB的發光時間對亮度特徵。

圖11係顯示根據範例1之包括光偵測器的虛擬像素之組態的橫剖面圖。

圖12係顯示輔助佈線之配置範例的平面圖。

圖13係顯示根據範例2之包括光偵測器的虛擬像素之組態的橫剖面圖。

圖14係顯示根據本發明實施例的電視機之外觀的透視圖。

圖15A及15B係顯示根據本發明實施例的數位相機之外觀的透視圖。圖15A係前透視圖，且圖15B係後透視圖。

圖16係顯示根據本發明實施例的膝上型個人電腦之外觀的透視圖。

圖17係顯示根據本發明實施例的視訊攝影機之外觀的透視圖。

圖18A至18G顯示根據本發明實施例之行動電話的外觀。圖18A係該行動電話開啟時的前視圖，且圖18B係其側視圖。圖18C係該行動電話關閉時的前視圖、圖18D係其左側圖、圖18E係其右側圖、圖18F係其頂視圖、且圖18G係其底視圖。