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TWI488064B - 模擬方法及模擬設備 - Google Patents

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TWI488064B
TWI488064B TW103111754A TW103111754A TWI488064B TW I488064 B TWI488064 B TW I488064B TW 103111754 A TW103111754 A TW 103111754A TW 103111754 A TW103111754 A TW 103111754A TW I488064 B TWI488064 B TW I488064B
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TW103111754A
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Inventor
Hideaki Nagaoka
Taiga Fukumori
Daisuke Mizutani
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Description

模擬方法及模擬設備 發明領域
此處討論之實施例係有關於模擬方法、模擬裝置及其中儲存一模擬程式用以使得一電腦執行一模擬處理之電腦可讀取記錄媒體。
 發明背景
隨著電子設備中信號傳輸速度的增加，微分傳輸通常用作為補償因傳輸損耗增加所致之S/N比降級的技術。於微分傳輸中，含一P線及一N線的兩條線係用作為一個集合，及傳輸具有彼此相反相位的信號通過其中。結果，在兩條線的接收端上出現具有實質上相同相位的常見雜訊。常見雜訊係藉取二信號間之差抵消。結果改良了S/N比。
舉例言之，於包括玻璃布及微分線之一佈線板中，玻璃布之介電常數通常係高於樹脂的介電常數，因此，於玻璃布數量少的一區傳輸延遲小，而於玻璃布數量多的一區傳輸延遲大。因此，生成線間之傳輸延遲時間差(扭斜)，及常見雜訊之抵消率降低。連同近年來信號傳輸速度的增加，無法忽略扭斜對傳輸特性的影響。
因此，要求將扭斜列入考慮的傳輸模擬以便以高準確度進行傳輸路徑設計。舉例言之，為了預測含一玻璃布及微分線的一佈線板中的扭斜，佈線板之內部結構係使用三維數值分析工具模型化以進行電磁分析。
 發明概要
順帶一提地，因扭斜係取決於玻璃布與微分線間之位置關係，考慮該扭斜具有某個分布。又，取決於該玻璃布相對於微分線之傾斜，於該佈線板中的微分線與玻璃布間之位置關係可能有數種樣式。因此，為了預測某個佈線板的扭斜，須要獲取於該佈線板中的扭斜分布(扭斜統計資料)，及預測準確度係取決於分析試樣數目。
但因三維數值分析工具以三維方式直接地嚙合一目標結構，故若分析試樣數目增加，則計算時間及計算量劇增。
因此，本發明之一目的係提出一種模擬方法、模擬裝置及其中儲存一模擬程式用以使得一電腦執行一模擬處理之電腦可讀取記錄媒體，其可遏止藉三維數值分析工具進行電磁場分析之計算成本且可以高準確度及一高速獲得一扭斜分布。
依據該實施例之一面向，一種模擬方法、模擬裝置及具有其中儲存一模擬程式之電腦可讀取記錄媒體，該模擬程式用以使得一電腦執行一模擬處理包含藉由針對一基準線長度包括一第一玻璃布在一對第一微分線之該頂側 的一第一佈線板內部結構模型之多個第一位置樣式各自執行一三維電磁場分析，計算在該等第一微分線與該第一玻璃布間具有不同相對位置關係之該等多個第一位置樣式，於該等多個第一位置樣式各自中在該對第一微分線間生成一第一扭斜，及藉由針對一基準線長度包括一第二玻璃布在一對第二微分線之該底側的一第二佈線板內部結構模型之多個第二位置樣式各自執行一三維電磁場分析，計算在該等第二微分線與該第二玻璃布間具有不同相對位置關係之該等多個第二位置樣式，於該等多個第二位置樣式各自中在該對第二微分線間生成一第二扭斜；及針對組合個別地藉組合針對某個線長度之該第一佈線板內部結構模型之該等多個第一位置樣式組配而成的多個第一組合樣式及個別地藉組合針對某個線長度之該第二佈線板內部結構模型之該等多個第二位置樣式組配而成的多個第二組合樣式所組配而成的多個佈線板樣式各自，計算一總扭斜，係藉加總組配該等多個第一組合位置樣式各自之該等多個第一位置樣式各自的該第一扭斜，及加總組配該等多個第二組合位置樣式各自之該等多個第二位置樣式各自的該第二扭斜，及然後基於該計算得的總扭斜而獲得於具有某一線長度之一佈線板中之一扭斜分布。
據此，本模擬方法、電腦可讀取記錄媒體及模擬裝置之優點在於壓低藉三維數值分析工具進行電磁分析的計算成本，及以高準確度及於高速獲得扭斜分布。
1‧‧‧第一佈線板內部結構模型
1A-1D、1X、2X‧‧‧位置樣式
2‧‧‧第二佈線板內部結構模型
3‧‧‧第一組合樣式
4‧‧‧第二組合樣式
5‧‧‧佈線板樣式
11‧‧‧玻璃布
12、12a-d‧‧‧垂直玻璃纖維束
13、13a-d‧‧‧水平玻璃纖維束
21‧‧‧玻璃布佈線板
22、23‧‧‧微分線
24、25‧‧‧接地平面
26‧‧‧樹脂
50‧‧‧模擬裝置
51‧‧‧佈線板內部結構模型產生單元
52‧‧‧扭斜計算單元
53‧‧‧扭斜分布獲取單元
54‧‧‧扭斜分布顯示單元
101‧‧‧記憶體
102‧‧‧中央處理單元(CPU)
103‧‧‧顯示器控制單元
104‧‧‧顯示裝置
105‧‧‧HDD、儲存裝置
106‧‧‧輸入裝置
107‧‧‧驅動裝置
108‧‧‧可攜式記錄媒體
109‧‧‧通訊控制單元
110‧‧‧匯流排
圖1為依據本實施例一種模擬裝置之功能方塊圖；圖2A及2B為示意圖描繪一基本單元之一第一佈線板內部結構模型，其包括一個玻璃布在一對微分線之該頂側且係依據本實施例在該模擬裝置中模型化，其中圖2A為沿其中該等線延伸之一方向的一正交方向所取的一剖面圖，及圖2B為沿其中該等線延伸之一方向所取的一剖面圖；圖3A及3B為示意圖描繪一基本單元之一第二佈線板內部結構模型，其包括一個玻璃布在一對微分線之該底側且係依據本實施例在該模擬裝置中模型化，其中圖3A為沿其中該等線延伸之一方向的一正交方向所取的一剖面圖，及圖3B為沿其中該等線延伸之一方向所取的一剖面圖；圖4A及4B為示意圖描繪該基本單元之該第一佈線板內部結構，其包括一個玻璃布在該對微分線之該頂側，其中圖4A為沿其中該等線延伸之該方向的一正交方向所取的一剖面圖，及圖4B為沿其中該等線延伸之該方向所取的一剖面圖；圖5A及5B為示意圖描繪該基本單元之該第二佈線板內部結構，其包括一個玻璃布在該對微分線之該底側，其中圖5A為沿其中該等線延伸之該方向的一正交方向所取的一剖面圖，及圖5B為沿其中該等線延伸之該方向所取的一剖面圖；圖6A至6D為示意圖舉例說明下述情況，其中包括一個玻璃布在該對微分線之該頂側的該基本單元之該第一佈線 板內部結構中之該等線位置各異，且為沿其中該等線延伸之該方向的一正交方向所取的一剖面圖；圖7A至7D為示意圖舉例說明多個位置樣式，其中於依據本實施例之該模擬裝置中，包括一個玻璃布在該對微分線之該頂側的該基本單元之該第一佈線板內部結構中之該等線位置各異，且為沿其中該等線延伸之該方向的一正交方向所取的一剖面圖；圖8為一示意圖例示依據本實施例設置於該模擬裝置中之一扭斜分布獲取單元之一功能及一處理；圖9為一流程圖描繪依據本實施例藉該模擬裝置執行之一處理(模擬方法)；圖10A至10D為視圖描繪依據本實施例藉該模擬裝置所模型化的該第一佈線板內部結構模型及定義該模型之資料；圖11A至11D為視圖描繪依據本實施例藉該模擬裝置所模型化的該第二佈線板內部結構模型及定義該模型之資料；圖12為一視圖描繪依據本實施例藉該模擬裝置進行電磁場分析之一結果；圖13為一視圖描繪依據本實施例藉該模擬裝置計算一扭斜之一結果；圖14為組配一佈線板之一玻璃布之示意平面圖；圖15為其中使用玻璃布的該佈線板之一示意圖，且為沿其中該等線延伸之該方向的一正交方向所取的一剖面 圖；圖16為一示意圖描繪一三維電磁場分析模型，係經由模型化其中使用玻璃布的該佈線板獲得，且為沿其中該等線延伸之該方向的一正交方向所取的一剖面圖；圖17為一示意平面圖描繪一佈線板，其中使用相對於該等微分線不傾斜之一玻璃布；圖18為一示意平面圖描繪一佈線板，其中使用相對於該等微分線傾斜之一玻璃布；及圖19為一方塊圖描繪依據本實施例該模擬裝置之一硬體組態之一實施例。
 較佳實施例之詳細說明
於後文中，將參考附圖描述依據本實施例之模擬方法、模擬裝置及其上儲存有用以使得電腦執行一模擬方法之一模擬程式的一電腦可讀取記錄媒體。
依據本實施例之模擬裝置為模擬信號於一佈線板上的傳播之一模擬裝置，及特別地，出現在針對使用玻璃布用於高速傳輸之該佈線板的微分線間之一傳播延遲時間差(扭斜)。
圖14為組配該高速傳輸佈線板之一玻璃布之一示意圖。
如圖14中之描繪，一玻璃布11係經由以格子形狀於平行X軸方向並排的平織玻璃纖維束12及於平行Y方向並排的玻璃纖維束13組配。此處，玻璃纖維束12及13係將 個別地具有例如約數微米厚度的多個玻璃纖維集束因而整體具有約數百微米寬度組配而成。
圖15為其中使用玻璃布之該高速傳輸佈線板中垂直一線方向之剖面圖。
如圖15中之描繪，其中使用玻璃布的高速傳輸佈線板(後文稱作為玻璃布佈線板)21係從傳導層及絕緣層組配成。傳導層係從一P線或一N線組配的一微分線22、從一N線或一P線組配的一微分線23、及接地平面24及25組配而成。又，絕緣層係從玻璃布11及用以硬化玻璃布11之樹脂26組配而成。藉此方式，玻璃布佈線板21包括一集合兩條微分線(一對微分線)22及23，兩層之接地平面24及25，及夾置於該對微分線22及23及接地平面24及25間且從玻璃布11及樹脂26組配成的該二絕緣層。須注意如圖15中之描繪，玻璃布佈線板21可區分成一核心層及一預浸層(連結層)。
此處須注意雖然玻璃布佈線板21包括一塊玻璃布11在該對微分線22及23的頂側及一塊玻璃布11在該對微分線22及23的底側，但玻璃布佈線板21並非受此所限。唯一要求該玻璃布佈線板21包括至少一塊玻璃布11在該對微分線22及23的頂側及至少一塊玻璃布11在該對微分線22及23的底側。
如前文參考圖14中之描繪，含括於該絕緣層的玻璃布11係經結構化使得編織從玻璃所製成的玻璃纖維束(經紗)12及玻璃纖維束(緯紗)13。該結構包括其中存在有玻璃纖維束12及13兩者的交叉區域，其中不存在有玻璃纖維 束12及13任一者的區域，其中只存在有玻璃纖維束12的區域，及其中只存在有玻璃纖維束13的區域。
概略言之，於玻璃布佈線板21中，玻璃布11之介電常數係高於樹脂26之介電常數。如圖15中之描繪，玻璃布佈線板21之內部係從其中具有高介電常數的玻璃布11之密度為高的區域及其中具有低介電常數的樹脂26之密度為高的區域組配而成，因此係經結構化使得介電常數為不一致。結果，介電常數環繞該等微分線22及23為不同。結果，於其中玻璃布11之密度為低的區域中傳播延遲為小，但於其中玻璃布11之密度為高的區域中傳播延遲為大，及該等線間出現傳播延遲時間差(扭斜；時鐘扭斜)，及常見雜訊抵消比減低。近年來隨著信號傳輸速度的增加，扭斜對一傳輸特性上的影響不可忽視。
因此，為了以高準確度執行傳輸路徑設計，須將扭斜列入考慮執行傳輸模擬。
圖16為一示意剖面圖描繪藉將玻璃布佈線板21模型化所得的三維電磁分析模型。圖17為一示意平面圖描繪一種情況其中於該玻璃布佈線板21中玻璃布11相對於該等微分線22及23並未傾斜。又復，圖18為一示意平面圖描繪一種情況其中於該玻璃布佈線板21中玻璃布11相對於微分線22及23為傾斜。
為了預測於該玻璃布佈線板21中之一扭斜，玻璃布佈線板21之內部結構係如圖16中之描繪，使用三維數值分析工具執行電磁分析。
考慮因扭斜係取決於玻璃布11之紋理與該等微分線22及23間之位置關係，故具有某種分布。又復，於玻璃布佈線板21中該等微分線22及23與玻璃布11間之位置關係具有數種樣式，取決於玻璃布11相對於該等微分線22及23的傾斜，如圖17及18中之描繪。因此，為了預測玻璃布佈線板21中之扭斜，需要得知玻璃布佈線板21之扭斜分布(扭斜統計資料)，及得知之準確度係取決於分析試樣數目。
但因三維數值分析工具以三維方式直接地嚙合目標結構，故若分析試樣數目增加，則計算時間及計算量劇增。
因此，依據本實施例之模擬裝置係以下述方式經組配以壓低藉三維數值分析工具進行電磁分析的計算成本，及以高準確度及於高速獲得扭斜分布。
圖1為本模擬裝置之一功能方塊圖。
如圖1中之描繪，本模擬裝置50包括一佈線板內部結構模型產生單元51、一扭斜計算單元52、一扭斜分布獲取單元(扭斜統計值獲取單元)53、及一扭斜分布顯示單元(扭斜統計值顯示單元)54。
該佈線板內部結構模型產生單元51產生針對含在該對微分線(第一微分線)22及23頂側的一塊玻璃布(第一玻璃布)11之一基準線長度的一第一佈線板內部結構模型，及針對含在該對微分線(第二微分線)22及23底側的一塊玻璃布(第二玻璃布)11之一基準線長度的一第二佈線板內部結構模型。須注意玻璃布11偶爾稱作為格狀結構。
此處，如圖2B中之描繪，針對該基準線長度的該第一佈線板內部結構模型1具有一長度相對應於其中該對微分線22及23延伸方向組配該玻璃布11的玻璃纖維束(垂直玻璃纖維束；經紗；布束)12之一個循環。又復，如圖3B中之描繪，針對該基準線長度的該第二佈線板內部結構模型2具有一長度相對應於其中該對微分線22及23延伸方向組配該玻璃布11的玻璃纖維束(垂直玻璃纖維束；經紗；布束)12之一個循環。於此種情況下，基準線長度係等於該垂直玻璃纖維束12之一個循環。又，如圖2A中之描繪，該第一佈線板內部結構模型1具有一長度相對應於其中該對微分線22及23延伸方向之一正交方向組配該玻璃布11的玻璃纖維束(水平玻璃纖維束；緯紗；布束)13之一個循環。又復，如圖3B中之描繪，該第二佈線板內部結構模型2具有一長度相對應於其中該對微分線22及23延伸方向之一正交方向組配該玻璃布11的玻璃纖維束(水平玻璃纖維束；緯紗；布束)13之一個循環。
藉此方式，如圖4A及4B中之描繪，包括一塊玻璃布11在該對微分線22及23頂側之該玻璃布佈線板21部分之此種內部結構，係使用三維數值分析工具，取於垂直及水平方向的長度作為該玻璃布11之該等玻璃纖維束12及13之長度相對應於一個循環以產生此種第一佈線板內部結構模型1，如圖2A及2B中之描繪經模型化(於三維電磁分析模型化)。於此種情況下，包括一塊玻璃布11在該對微分線22及23頂側且具有於垂直及水平方向的該等玻璃纖維束12及 13之長度相對應於一個循環之一矩形區域用作為模型化的一個基本單元。又復，如圖5A及5B中之描繪，包括一塊玻璃布11在該對微分線22及23底側之該玻璃布佈線板21部分之此種內部結構，係使用三維數值分析工具，取於垂直及水平方向的長度作為該玻璃布11之該等玻璃纖維束12及13之長度相對應於一個循環以產生此種第二佈線板內部結構模型2，如圖3A及3B中之描繪經模型化(於三維電磁分析模型化)。於此種情況下，包括一塊玻璃布11在該對微分線22及23底側且具有於垂直及水平方向的該等玻璃纖維束12及13之長度相對應於一個循環之一矩形區域用作為模型化的一個基本單元。須瞭解含括於第一及第二佈線板內部結構模型1及2的玻璃布11偶爾係稱作為格狀結構。
此處，該等第一及第二佈線板內部結構模型1及2之製造係假設設置為彼此平行的該對微分線22及23係設置為平行於組配該玻璃布11的於垂直方向延伸之該等垂直玻璃纖維束12或於水平方向延伸之該等水平玻璃纖維束13。特別地，此處，該等第一及第二佈線板內部結構模型1及2之製造係假設多數垂直玻璃纖維束12及多數水平玻璃纖維束13係週期性地彼此平行並排，及該等垂直玻璃纖維束12係平行於該對微分線22及23延伸，及該等水平玻璃纖維束13係正交於該對微分線22及23延伸。此處須注意含括於第一佈線板內部結構模型1的該玻璃布11及含括於第二佈線板內部結構模型2的該玻璃布11具有相同結構。又，含括於第一佈線板內部結構模型1的該對微分線22及23及含括於 第二佈線板內部結構模型2的該對微分線22及23具有相同結構。
此處須注意雖然該等第一及第二佈線板內部結構模型1及2具有玻璃布11之玻璃纖維束12及13之長度相對應於垂直及水平方向的一個循環，但模型並非受此所限，及模型可經設定因而具有相對應於一個循環之一長度，及可經設定因而具有相對應於多個循環之一長度。換言之，針對該基準線長度之第一佈線板內部結構模型1可經設定因而於其中該等第一微分線延伸之一方向，具有組配該第一玻璃布之該等玻璃纖維束之一長度相對應於多個循環。又復，針對該基準線長度之第二佈線板內部結構模型1可經設定因而於其中該等第二微分線延伸之一方向，具有組配該第二玻璃布之該等玻璃纖維束之一長度相對應於多個循環。於該等情況下，於該等線傳輸方向的該等第一及第二佈線板內部結構模型之長度係等於相對應於組配該玻璃布且於該等線傳輸方向延伸的該等玻璃纖維束之一個循環之長度的整數倍數。又，該第一佈線板內部結構模型可經設定因而具有組配該第一玻璃布之該等玻璃纖維束之一長度係相對應於正交於其中該等第一微分線延伸方向之一方向的多個循環。又，該第二佈線板內部結構模型可經設定因而具有組配該第二玻璃布之該等玻璃纖維束之一長度係相對應於正交於其中該等第二微分線延伸方向之一方向的多個循環。於該等情況下，正交於該等線傳輸方向的該等第一及第二佈線板內部結構模型之長度係等於相對應於組配 該玻璃布且正交於該等線傳輸方向之該方向延伸的該等玻璃纖維束之一個循環之長度的整數倍數。須注意，於該等第一及第二佈線板內部結構模型1及2之垂直及水平方向之長度係以該玻璃布之該等玻璃纖維束之循環數目表示，該循環數目可取決於一對微分線是否含括於一基本模型化單元決定。舉例言之，若該等第一及第二佈線板內部結構模型係設定因而具有該玻璃布之該等玻璃纖維束之一長度係相對應於在該等垂直及水平方向的一個循環以便計算一佈線板之扭斜，當該對微分線不匹配該基本模型化單元反而從該基本模型化單元突起時，該等第一及第二佈線板內部結構模型可經設定因而具有一長度相對應於在垂直及水平方向該玻璃布之該等玻璃纖維束之兩個循環。
扭斜計算單元52針對多個位置樣式1X(第一位置樣式；參考圖8)執行三維電磁分析，於其中由佈線板內部結構模型產生單元51所產生的該對微分線22及23與該第一佈線板內部結構模型1之玻璃布11間之位置關係各異，及計算出現在該等多個位置樣式1X各自之該對微分線22及23間的一扭斜(第一扭斜)。舉例言之，該扭斜可以下述手段使用三維數值分析工具計算。更明確言之，如圖7A至7D中之描繪，舉例言之，產生四個位置樣式1A至1D作為多個位置樣式1X，其中該對微分線22及23之中線於水平方向(或厚度方向)係相對於該第一佈線板內部結構模型1之該玻璃布11之該格狀圖案(格狀結構)之中線位移，使得該對微分線22及23與該第一佈線板內部結構模型1之玻璃布11間之位置關係 在該等多個位置樣式1X間各異。然後，針對四個位置樣式1A至1D各自進行三維電磁分析以計算扭斜。須注意作為多個位置樣式1X，至少產生兩個位置樣式。又，參考圖6A至6D及7A至7D描述針對位置關係之決定方法之一實施例。
同理，扭斜計算單元52針對多個位置樣式2X(第二位置樣式；參考圖8)進行三維電磁分析，於其中由佈線板內部結構模型產生單元51所產生的該對微分線22及23與該第二佈線板內部結構模型2之玻璃布11間之位置關係各異，及計算出現在該等多個位置樣式2X各自之該對微分線22及23間的一扭斜(第二扭斜)。舉例言之，該扭斜可以類似第一佈線板內部結構模型1中案例[參考圖7A至7D]之情況計算。更明確言之，產生四個位置樣式1A至1D作為多個位置樣式2X，其中該對微分線22及23之中線於水平方向(或厚度方向)係相對於該第二佈線板內部結構模型2之該玻璃布11之該格狀圖案(格狀結構)之中線位移，使得該對微分線22及23與該第二佈線板內部結構模型2之玻璃布11間之位置關係在該等多個位置樣式2X間各異。然後，針對四個位置樣式各自進行三維電磁分析以計算扭斜。須注意作為多個位置樣式2X，至少產生兩個位置樣式。
須注意，雖然於本模擬裝置50中，該等第一及第二佈線板內部結構模型1及2係藉佈線板內部結構模型產生單元51產生，及藉扭斜計算單元52產生關係該等第一及第二佈線板內部結構模型1及2各自的多個位置樣式，及然後針對該等多個位置樣式進行三維電磁分析以計算扭斜，但 模擬裝置並非受此所限。舉例言之，該模擬裝置可包括一扭斜計算單元，其針對該等多個第一位置樣式各自進行該三維電磁分析，於其中針對包括在該對第一微分線之該頂側的一個第一玻璃布之該基準線長度，該第一佈線板內部結構模型之該等第一微分線與該第一玻璃布間之相對位置關係各異，以計算出現在該等多個位置樣式各自中之該對第一微分線的該第一扭斜；及其針對該等多個第二位置樣式各自進行該三維電磁分析，於其中針對包括在該對第二微分線之該頂側的一個第二玻璃布之該基準線長度，該第二佈線板內部結構模型之該等第二微分線與該第二玻璃布間之相對位置關係各異，以計算出現在該等多個位置樣式各自中之該對第二微分線的該第二扭斜。須注意，雖然於本模擬裝置50中，該等多個位置樣式個別地係藉扭斜計算單元52關係該等第一及第二佈線板內部結構模型1及2產生，但此點可考慮為產生多個第一佈線板內部結構模型於其中該等第一微分線與該第一玻璃布間之相對位置關係各異，及多個第二佈線板內部結構模型於其中該等第二微分線與該第二玻璃布間之相對位置關係各異。簡言之，可以下述手段計算扭斜。特別，佈線板內部結構模型產生單元產生該等多個第一佈線板內部結構模型於其中該等第一微分線與該第一玻璃布間之相對位置關係各異，作為該第一佈線板內部結構模型之多個第一位置樣式。佈線板內部結構模型產生單元進一步產生該等多個第二佈線板內部結構模型於其中該等第二微分線與該第二玻璃布間之相對位置 關係各異，作為該第二佈線板內部結構模型之多個第二位置樣式。然後，該扭斜計算單元針對該等多個第一佈線板內部結構模型及該等多個第二佈線板內部結構模型各自執行三維電磁分析以計算該等扭斜。
如圖8中之描繪，針對多個佈線板樣式5各自係經由組合多個第一組合樣式組配而言，該等第一組合樣式個別地係經由組合藉組合針對某個線長度第一佈線板內部結構模型1之多個第一位置樣式1X組配成的多個第一組合樣式3，及藉組合針對某個線長度第二佈線板內部結構模型1之多個第二位置樣式2X組配成的多個第二組合樣式4組配而成，扭斜分布獲取單元53加總組配該等多個第一組合樣式3各自的該等多個第一位置樣式1X各自的該等第一扭斜，及進一步加總組配該等多個第二組合樣式4各自的該等多個第二位置樣式2X各自的該等第二扭斜以計算一總扭斜，及然後基於該求出的總扭斜而獲得在具有某個線長度之該佈線板中的一扭斜分布。
此處，該扭斜分布獲取單元53從該第一佈線板內部結構模型1之該等多個第一位置樣式1X中任意地摘取與組合針對某個線長度之某些第一位置樣式1X以產生該等多個第一組合樣式3，及加總組配該等多個第一組合樣式3各自的該等多個第一位置樣式1X各自之該等第一扭斜以針對該等多個第一組合樣式3各自計算一總扭斜。又，該扭斜分布獲取單元53從該第二佈線板內部結構模型2之該等多個第二位置樣式2X中任意地摘取與組合針對某個線長度之某 些第二位置樣式2X以產生該等多個第二組合樣式4，及加總組配該等多個第二組合樣式4各自的該等多個第二位置樣式2X各自之該等第二扭斜以針對該等多個第二組合樣式4各自計算一總扭斜。又，該扭斜分布獲取單元53逐一地摘取該等多個第一組合樣式3及該等多個第二組合樣式4中之任意一者且彼此逐一組合以產生多個佈線板樣式5，及加總組配多個佈線板樣式5各自的該等第一組合樣式3之總扭斜及該等第二組合樣式4之總扭斜以計算多個佈線板樣式5各自的一總扭斜。然後，該扭斜分布獲取單元53基於以前文描述之手段求出的該等多個佈線板樣式5之該總扭斜，獲得具有某個線長度之該佈線板之一扭斜分布。此處，針對該等扭斜值各自計數該等多個佈線板樣式5各自之該總扭斜，及該扭斜值及該計數值分別地取作為橫軸及縱軸，因而獲得扭斜分布(扭斜統計值)。
該扭斜分布顯示單元54造成藉該扭斜分布獲取單元53獲得的扭斜分布顯示於螢幕上。
現在，參考圖9描述依據本實施例藉模擬裝置50進行之一項處理(模擬方法)。
圖9為流程圖例示依據本實施例藉模擬方法執行處理之一流程。
首先於步驟S10，佈線板內部結構模型產生單元51產生針對一基準線長度之一第一佈線板內部結構模型1包括在一對微分線(第一微分線)22及23之頂側的一塊玻璃布(第一玻璃布)11，及針對一基準線長度之一第二佈線板內 部結構模型1包括在一對微分線(第二微分線)22及23之底側的一塊玻璃布(第二玻璃布)11。
此處，如圖4A及4B中之描繪，包括在該對微分線22及23之頂側的該一塊玻璃布11之一玻璃布佈線板21之部分的一內部結構係使用三維數值分析工具加以模型化(藉三維電磁分析模型化)，取於該等垂直及水平方向之長度作為相對應於一個循環之該玻璃布11之玻璃纖維束12及13之長度以產生此種第一佈線板內部結構模型1，如圖2A及2B中之描繪。又，如圖5A及5B中之描繪，包括在該對微分線22及23之底側的該一塊玻璃布11之一玻璃布佈線板21之部分的一內部結構係使用三維數值分析工具加以模型化，取於該等垂直及水平方向之長度作為相對應於一個循環之該玻璃布11之玻璃纖維束12及13之長度以產生此種第二佈線板內部結構模型1，如圖3A及3B中之描繪。須注意因處理細節係於佈線板內部結構模型產生單元51之功能描述中說明，故在此刪除其細節說明。
圖10A至10D為視圖描繪以前述方式模型化之第一佈線板內部結構模型1，及定義模型1之資料，換言之，定義組配該第一玻璃布11及該對微分線22及23的該等玻璃纖維束12及13間之位置關係之資料。
如圖10A及10C中之描繪，藉佈線板內部結構模型產生單元51產生的此種第一佈線板內部結構模型1係以圖10B及10D中描繪之此種資料定義。舉例言之，於第一佈線板內部結構模型1中，有關微分線22，「形狀」、「大小」 及「中心座標」係分別地定義為如圖10B中之描繪，「矩形實心」、「寬130微米x高30微米」及「(235,163)」。又，有關微分線23，「形狀」、「大小」及「中心座標」係分別地定義為「矩形實心」、「寬130微米x高30微米」及「(665,163)」。又，有關組配該第一玻璃布11之該一個垂直玻璃纖維束12a，「形狀」、「大小」及「中心座標」係分別地定義為「六角形極點」、「寬350微米x高30微米」及「(245,205)」。又，有關組配該第一玻璃布11之該另一個垂直玻璃纖維束12b，「形狀」、「大小」及「中心座標」係分別地定義為「六角形極點」、「寬350微米x高30微米」及「(735,205)」。又，有關樹脂26，「形狀」、「大小」及「中心座標」係分別地定義為「矩形實心」、「寬980微米x高200微米」及「(490,150)」。又，有關於底側之接地平面25，「形狀」、「大小」及「中心座標」係分別地定義為「矩形實心」、「寬980微米x高50微米」及「(490,25)」。又，有關於頂側之接地平面24，「形狀」、「大小」及「中心座標」係分別地定義為「矩形實心」、「寬980微米x高30微米」及「(490,265)」。須注意微分線22、微分線23、一個及另一個垂直玻璃纖維束12a及12b、樹脂26及在頂側及底側的接地平面24及25全部之深度(於X方向之大小)皆係定義為1,000微米。又，有關組配該第一玻璃布11之該一個水平玻璃纖維束13a，「形狀」、「大小」及「中心座標」係分別地如圖10D中之描繪，定義為「六角形極點」、「寬500微米x高20微米」及「(250,205)」。又，有關組配該第一玻璃布11之該另一個水平玻璃纖維束13b，「形狀」、「大 小」及「中心座標」係分別地如圖10D中之描繪，定義為「六角形極點」、「寬500微米x高20微米」及「(750,205)」。須注意該一個及該另一個水平玻璃纖維束13a及13b全部之深度(於Y方向之大小)係定義為980微米。須注意於該第一佈線板內部結構模型1中，定義該等垂直玻璃纖維束12a及12b(12)及水平玻璃纖維束13(13a及13b)係在同一平面上並排。
圖11A至11D為視圖描繪以前述方式模型化的第二佈線板內部結構模型2，及定義模型2之資料，換言之，定義組配該第二玻璃布11及該對微分線22及23的該等玻璃纖維束12及13間之位置關係之資料。
如圖11A及11C中之描繪，藉佈線板內部結構模型產生單元51產生的此種第二佈線板內部結構模型2係以圖11B及11D中描繪之此種資料定義。舉例言之，於第二佈線板內部結構模型2中，有關微分線22，「形狀」、「大小」及「中心座標」係分別地定義為如圖11B及11D中之描繪，「矩形實心」、「寬130微米x高30微米」及「(235,163)」。又，有關微分線23，「形狀」、「大小」及「中心座標」係分別地定義為「矩形實心」、「寬130微米x高30微米」及「(665,163)」。又，有關組配該第二玻璃布11之該一個垂直玻璃纖維束12c，「形狀」、「大小」及「中心座標」係分別地定義為「六角形極點」、「寬350微米x高30微米」及「(245,95)」。又，有關組配該第二玻璃布11之該另一個垂直玻璃纖維束12d，「形狀」、「大小」及「中心座標」係分別地定義為「六角形極點」、「寬350微米x高30微米」及「(735,95)」。又， 有關樹脂26，「形狀」、「大小」及「中心座標」係分別地定義為「矩形實心」、「寬980微米x高200微米」及「(490,150)」。又，有關於底側之接地平面25，「形狀」、「大小」及「中心座標」係分別地定義為「矩形實心」、「寬980微米x高50微米」及「(490,25)」。又，有關於頂側之接地平面24，「形狀」、「大小」及「中心座標」係分別地定義為「矩形實心」、「寬980微米x高30微米」及「(490,265)」。須注意微分線22、微分線23、一個及另一個垂直玻璃纖維束12c及12d、樹脂26及在頂側及底側的接地平面24及25全部之深度(於X方向之大小)皆係定義為1,000微米。又，有關組配該第二玻璃布11之該一個水平玻璃纖維束13c，「形狀」、「大小」及「中心座標」係分別地如圖10D中之描繪，定義為「六角形極點」、「寬500微米x高20微米」及「(250,95)」。又，有關組配該第二玻璃布11之該另一個水平玻璃纖維束13d，「形狀」、「大小」及「中心座標」係分別地如圖11D中之描繪，定義為「六角形極點」、「寬500微米x高20微米」及「(750,95)」。須注意該一個及該另一個水平玻璃纖維束13c及13d全部之深度(於Y方向之大小)係定義為980微米。須注意於該第二佈線板內部結構模型2中，定義該等垂直玻璃纖維束12c及12d(12)及水平玻璃纖維束13(13c及13d)係在同一平面上並排。
然後於步驟S20，該扭斜計算單元52針對該等第一位置樣式1X(第一位置樣式；參考圖8)各自進行三維電磁分析，於其中以前述方式產生的該對微分線22及23與該第一佈線板內部結構模型1之該玻璃布11間之相對位置關係 各異，以計算出現在該等多個位置樣式1X各自中之該對微分線22及23間的一扭斜(第一扭斜)。例如，該扭斜可以下述方式使用三維數值分析工具計算。更明確言之，如圖7A至7D中之描繪，該扭斜計算單元52例如產生四個位置樣式1A至1D作為該等多個位置樣式1X，其中相對於該第一佈線板內部結構模型1之玻璃布11(格狀結構)之格狀圖案之一中線，該對微分線22及23之中線係於水平方向(或厚度方向)位移，使得在該等多個位置樣式1X中該對微分線22及23與該第一佈線板內部結構模型之玻璃布11間之相對位置關係各異。然後，扭斜計算單元52針對該等四個位置樣式1A至1D各自進行三維電磁分析以求出該扭斜。
同理，該扭斜計算單元52針對該等第二位置樣式2X(第二位置樣式；參考圖8)各自進行三維電磁分析，於其中以前述方式產生的該對微分線22及23與該第二佈線板內部結構模型2之該玻璃布11間之相對位置關係各異，以計算出現在該等多個位置樣式2X各自中之該對微分線22及23間的一扭斜(第二扭斜)。例如，該扭斜可以下述方式使用三維數值分析工具以類似第一佈線板內部結構模型1之情況[參考圖7A至7D]計算。更明確言之，如圖7A至7D中之描繪，該扭斜計算單元52例如產生四個位置樣式作為該等多個位置樣式2X，其中相對於該第二佈線板內部結構模型之玻璃布11(格狀結構)之格狀圖案之一中線，該對微分線22及23之中線係於水平方向(或厚度方向)位移，使得在該等多個位置樣式2X中該對微分線22及23與該第二佈線板內部結構模 型2之玻璃布11間之相對位置關係各異。然後，扭斜計算單元52針對該等四個位置樣式各自進行三維電磁分析以求出該扭斜。
以其中於第一佈線板內部結構模型1中之線位置改變以產生該等四個位置樣式1A至1D及進行三維電磁分析為例描述本實施例。
圖6A至6D為示意剖面圖舉例說明一種情況，其中於該基本單元含一塊玻璃布在該對微分線頂側的第一佈線板內部結構中之線位置係改變成四個不同樣式。同時，圖7A至7D為示意剖面圖舉例說明該等四個位置樣式1A至1D，其中於該基本單元含一塊玻璃布在該對微分線頂側的第一佈線板內部結構模型1中之線位置各異。
如圖6A及6D之舉例說明，該對微分線22及23之位置改成四個不同樣式。特別，以前文描述方式製造的第一佈線板內部結構模型1係決定為基本位置樣式1A，如圖7A中之描繪。又，產生其中含括於該第一佈線板內部結構模型1內之該對微分線22及23位置樣式1B係於Y方向位移達-100微米，如圖7B中之描繪；該對微分線22及23位置樣式1C係於Y方向位移達+100微米，如圖7C中之描繪；該對微分線22及23位置樣式1D係於Y方向位移達+200微米，如圖7D中之描繪。
然後，針對以如前述手段產生的四個位置樣式1A至1D執行三維電磁分析以計算於位置樣式1A至1D各自中之該等微分線22與該等微分線23間之扭斜。須注意因該 第一佈線板內部結構模型1具有相對應於一個循環的該垂直玻璃纖維束長度，故此處扭斜的計算係針對一個循環的該垂直玻璃纖維束進行。
圖12為視圖描繪電磁場分析之結果，及圖13為視圖描繪扭斜計算之結果。
圖12描繪之實施例指示於圖7A及10A至10D中描繪的在該第一佈線板內部結構模型1中電磁場分析之結果；及圖13描繪之實施例指示於圖7A及10A至10D中描繪的在該第一佈線板內部結構模型1中扭斜計算之結果。
電磁場分析係使用第一佈線板內部結構模型1如前述執行，及在該等微分線22及23上傳播的一信號之頻率係以0.1GHz之間隔從0.1GHz掃掠至30GHz。結果，如圖12中之描繪，有關微分線22(圖12中以實線A指示)及微分線23(圖12中以實線B指示)顯示針對各個頻率之一群組延遲。
然後，微分線22(圖12中以實線A指示)之該群組延遲從微分線23(圖12中以實線B指示)之該群組延遲扣除以計算扭斜(於30GHz為-0.02皮秒)，如圖13中之描繪。
然後，於步驟S30，有關多個佈線板樣式5各自，該佈線板樣式5係經由組合藉組合相對應於某個線長度之該第一佈線板內部結構模型1之該等多數第一位置樣式1X所組配的該等多數第一組合樣式3與藉組合相對應於某個線長度之該第二佈線板內部結構模型1之該等多數第二位置樣式2X所組配的該等多數第二組合樣式4組配而成，扭斜分布獲取單元53加總組配該等多數第一組合樣式3各自的 該等多數第一位置樣式1X各自之第一扭斜，及加總組配該等多數第二組合樣式4各自的該等多數第二位置樣式2X各自之第二扭斜，如圖8中之描繪以求出一總扭斜，及然後基於求出的總扭斜而獲得於具有某個線長度之該佈線板中之一扭斜分布。
此處，扭斜分布獲取單元53從該第一佈線板內部結構模型1之該等多數第一位置樣式1X中摘取與組合相對應於該任意線長度的樣式以產生多個第一組合樣式3，及加總組配該等多數第一組合樣式3各自的該等多數第一位置樣式1X各自之該第一扭斜以計算該等多數第一組合樣式3各自的一總扭斜。又，扭斜分布獲取單元53從該第二佈線板內部結構模型2之該等多數第二位置樣式2X中摘取與組合相對應於該任意線長度的樣式以產生多個第二組合樣式4，及加總組配該等多數第二組合樣式4各自的該等多數第二位置樣式2X各自之該第二扭斜以計算該等多數第二組合樣式4各自的一總扭斜。又，扭斜分布獲取單元53任意地摘取與組合該等多數第一組合樣式3中之一者及該等多數第二組合樣式4中之一者以產生多個佈線板樣式5，及加總組配該等多數佈線板樣式5各自的該第一組合樣式3之一扭斜及該第二組合樣式4之一扭斜以計算該等多數佈線板樣式5各自的一總扭斜。然後，扭斜分布獲取單元53基於以恰如前述的手段求出的該等多數佈線板樣式5的該總扭斜，獲取具有某個線長度之該佈線板中之一扭斜分布。此處，扭斜分布獲取單元53針對一扭斜值各自計數該等多數佈線板樣 式5各自的該總扭斜，及以該扭斜值及該扭斜值之計數數目分別地作為橫軸及縱軸而獲得扭斜分布(扭斜統計值)。
然後於步驟S40，扭斜分布顯示單元54造成由扭斜分布獲取單元53獲得的扭斜分布顯示在螢幕上。
須注意雖然該實施例係以其中具有某個線長的一佈線板包括一塊玻璃布11個別地在該對微分線22及23之頂側及底側為例作說明，但本發明並非受此所限。舉例言之，本發明也可適用一種情況，其中具有某個線長的一佈線板包括多塊玻璃布11在該對微分線22及23之頂側及底側。
舉例言之，當具有某個線長的一佈線板包括多塊玻璃布11在該對微分線22及23之頂側時，一總扭斜可以下述方式求出。更明確言之，佈線板內部結構模型產生單元51產生多個第一佈線板內部結構模型1，作為針對基準線長度的該第一佈線板內部結構模型1包括一塊玻璃布(第一玻璃布)11在該對微分線(第一微分線)22及23之頂側，於其中相對應於該等玻璃布11之數目該對微分線22及23與一塊玻璃布11間之距離各異。然後，扭斜計算單元52針對該等多個第一佈線板內部結構模型1之該等多個第一位置樣式各自計算該第一扭斜。更明確言之，扭斜計算單元52應答於該等玻璃布之數目，針對該等多個第一佈線板內部結構模型之該等多個第一位置樣式各自計算該第一扭斜，於其中該對微分線22及23與一塊玻璃布11間之距離各異。然後，針對藉由組合與該等多個第一佈線板內部結構模型1各自 相關的該等多個第一組合樣式作為該等多個第一組合樣式所組配而成的該等多個佈線板樣式各自，該扭斜分布獲取單元53加總組配與該等多個第一佈線板內部結構模型1各自相關的該等多個第一組合樣式各自之該等多個第一位置樣式1X各自之該等第一扭斜以求出該總扭斜。
例如，當具有某個線長度的該佈線板包括兩塊玻璃布11在該對微分線22及23之頂側時，該總扭斜可以下述方式求出。更明確言之，產生兩個第一佈線板內部結構模型1作為該第一佈線板內部結構模型1，於其中該對微分線22及23與一塊玻璃布11間之距離(於厚度方向之距離)各異。然後，該扭斜計算單元52針對該等多個第一位置樣式各自，於其中該第一佈線板內部結構模型1中之一者的該等第一微分線與玻璃布間之相對位置關係各異，進行三維電磁場分析以計算出現在該等多個第一位置樣式各自中之該對第一微分線間之該第一扭斜，及針對該等多個第一位置樣式各自於其中該另一第一佈線板內部結構模型1的該等第一微分線與玻璃布間之相對位置關係各異，進行三維電磁場分析以計算出現在該等多個第一位置樣式各自中之該對第一微分線間之該第一扭斜。然後，有關於經由組合該一個第一佈線板內部結構模型1相對應於某個線長度之該等多個第一位置樣式所得的該等多個第一組合樣式及經由組合該另一個第一佈線板內部結構模型1相對應於某個線長度之該等多個第一位置樣式所得的該等多個第一組合樣式藉組合所得的該等多個佈線板樣式各自，該扭斜分布獲 取單元53加總有關該一個第一佈線板內部結構模型1組配該等多個第一組合樣式各自的該等多個第一位置樣式1X各自之該等第一扭斜，及有關該另一個第一佈線板內部結構模型1組配該等多個第一組合樣式各自的該等多個第一位置樣式1X各自之該等第一扭斜作為該第一扭斜以計算總扭斜。
另一方面，當具有某個線長的一佈線板包括多塊玻璃布11在該對微分線22及23之底側時，該總扭斜可以下述方式求出。更明確言之，佈線板內部結構模型產生單元51產生多個第二佈線板內部結構模型2，作為針對基準線長度的該第二佈線板內部結構模型2包括一塊玻璃布(第二玻璃布)11在該對微分線(第一微分線)22及23之底側，於其中相對應於該等玻璃布11之數目該對微分線22及23與一塊玻璃布11間之距離(於厚度方向之距離)各異。然後，扭斜計算單元52針對該等多個第二佈線板內部結構模型2各財之該等多個第二位置樣式各自計算該第二扭斜。更明確言之，扭斜計算單元52針對該等多個第二佈線板內部結構模型之該等多個第二位置樣式各自計算該第二扭斜，於其中相對應於該等玻璃布之數目該對微分線22及23與一塊玻璃布11間之距離各異。然後，有關藉由組合與該等多個第二佈線板內部結構模型2各自相關的該等多個第二組合樣式作為該等多個第二組合樣式所組配而成的該等多個佈線板樣式各自，該扭斜分布獲取單元53加總組配與該等多個第二佈線板內部結構模型2各自相關的該等多個第二組合樣式各 自之該等多個第二位置樣式1X各自之該等第二扭斜以求出該總扭斜。
例如，當具有某個線長度的該佈線板包括兩塊玻璃布11在該對微分線22及23之底側時，該總扭斜可以下述方式求出。該佈線板內部結構模型產生單元51產生兩個第二佈線板內部結構模型2，於其中該對微分線22及23與該玻璃布11間之距離(於厚度方向之距離)各異。然後，該扭斜計算單元52針對該等多個第二位置樣式各自，於其中該第二佈線板內部結構模型2中之一者的該等第二微分線與該第二玻璃布間之相對位置關係各異，進行三維電磁場分析以計算出現在該等多個第二位置樣式各自中之該對第二微分線間之該第二扭斜，及針對該等多個第二位置樣式各自於其中該另一第二佈線板內部結構模型2的該等第二微分線與玻璃布間之相對位置關係各異，進行三維電磁場分析以計算出現在該等多個第二位置樣式各自中之該對第二微分線間之該第二扭斜。然後，有關於經由組合該一個第二佈線板內部結構模型2相對應於某個線長度之該等多個第二位置樣式所得的該等多個第二組合樣式及經由組合該另一個第二佈線板內部結構模型2相對應於某個線長度之該等多個第二位置樣式所得的該等多個第二組合樣式藉組合所得的該等多個佈線板樣式各自，該扭斜分布獲取單元53加總有關該一個第二佈線板內部結構模型2組配該等多個第二組合樣式各自的該等多個第二位置樣式2X各自之該等第二扭斜，及有關該另一個第二佈線板內部結構模型2組配該 等多個第二組合樣式各自的該等多個第二位置樣式2X各自之該等第二扭斜作為該第二扭斜以計算總扭斜。
據此，依據本實施例之模擬方法及模擬裝置係優異地可減低藉三維數值分析工具進行電磁場分析的計算成本，及可以高準確度及以高速獲得扭斜分布(扭斜統計資料)。
更明確言之，可增加藉三維電磁分析之分析試樣數目，同時計算時間及計算能力減低，結果，可以高準確度獲得扭斜分布。結果，可預測具有某個線長度之於佈線板的扭斜。
更明確言之，因該等第一及第二佈線板內部結構模型1及2個別地只包括一對微分線22及23及一塊玻璃布11，故當使用佈線板內部結構模型1及2進行三維電磁場分析時的嚙合數目可壓抑至要求最小值。又，因欲改變的參數只有一線位置，故可縮短扭斜計算時間，及可提高處理速度。結果，可減低藉三維數值分析而進行電磁場分析的計算成本。
又，於該等第一及第二佈線板內部結構模型1及2之該等多個位置樣式1X及2X中之扭斜可針對某個線長度經摘取及加總以計算一總扭斜，及可在短時間內獲得於具有某個線長度之佈線板之一扭斜分布。更明確言之，於其中該對微分線22及23係相對於玻璃布11傾斜的情況下，該扭斜分布也可以高準確度在短時間內獲得。
又，如同於前文描述之實施例，藉使用含一塊玻 璃布11在一對微分線22及23之頂側的該第一佈線板內部結構模型1及含一塊玻璃布11在一對微分線22及23之底側的該第二佈線板內部結構模型2，其中該等玻璃布11在該對微分線22及23頂側及底側的位置彼此位移的一佈線板中，也可以高準確度獲得扭斜分布及也可提升扭斜分析之準確度。舉例言之，若使用一佈線板內部結構模型包括一玻璃布逐一在一對微分線之頂及底兩側上，則因上及下玻璃布間之位置關係固定，無法獲得上及下玻璃布之位置相對於彼此位移的一扭斜分布。另一方面，如同於前文描述之實施例，藉使用含一塊玻璃布11在一對微分線22及23之頂側的該第一佈線板內部結構模型1及含一塊玻璃布11在一對微分線22及23之底側的該第二佈線板內部結構模型2，也可獲得其中上及下玻璃布之位置相對於彼此位移的該佈線板樣式中之該扭斜分布。
須注意本發明並不限於於實施例之描述中特別描述的組態，及不背離本發明之範圍可做出變化及修改。
舉例言之，依據前文描述之實施例的模擬裝置之功能及模擬方法之處理可藉硬體、藉韌體、藉數位信號處理器(DSP)板或中央處理單元(CPU)板、或藉軟體具現。
舉例言之，依據前文描述之實施例的模擬裝置之功能及模擬方法之處理可藉一電腦(包括一處理器諸如CPU、資訊處理裝置及各種終端機)執行一程式具現。於此種情況下，依據前文描述之實施例的模擬裝置之功能及模擬方法之處理可藉執行單一程式或多個程式具現。舉例言 之，依據前文描述之實施例，佈線板內部結構模型產生單元及扭斜計算單元的功能及處理可藉執行三維數值分析工具其為用以執行三維電磁場分析的一程式而予具現，及依據前文描述之實施例，扭斜分布獲取單元的功能及處理可藉執行例如試算表軟體(程式)而予具現。又，依據前文描述之實施例，佈線板內部結構模型產生單元、扭斜計算單元、扭斜分布獲取單元及扭斜分布顯示單元的功能及處理係藉執行單一程式而予具現；依據前文描述之實施例，佈線板內部結構模型產生單元及扭斜計算單元的功能及處理可藉基於得自該單一程式之一指令，執行三維數值分析工具而予具現；及依據前文描述之實施例，扭斜分布獲取單元的功能及處理可藉基於得自該單一程式之一指令，執行例如試算表軟體而予具現。藉此手段，當依據前文描述之實施例的模擬裝置之功能及模擬方法之處理具現時，因用以具現該等功能及處理之該程式(一或多個程式)係用於模擬，故該程式係稱作為模擬程式。
又，當依據前文描述之實施例中揭示的模擬裝置之功能及模擬方法之處理係藉一電腦之一程式的執行具現時，依據前文描述之實施例的模擬裝置50例如可藉具有如圖19中之描繪的此種硬體組態的電腦具現。更明確言之，依據前文描述之實施例的模擬裝置50可藉一電腦具現，該電腦具有一組態其包括一CPU 102、一記憶體101、一通訊控制單元109、一輸入裝置106、一顯示控制裝置103、一顯示裝置104、一儲存裝置105及針對一可攜式記錄媒體108之 一驅動裝置107，及其中該等組件係經由一匯流排110而彼此連結。須注意作為依據前文描述之實施例的模擬裝置之該電腦的硬體組態並非受此所限。
此處，CPU 102整體控制該電腦，及讀取出一程式至該記憶體101內，及執行該程式以從事針對依據前文描述之實施例的模擬裝置所需的處理。
記憶體101為一主儲存裝置諸如RAM，及當執行該程式時暫時地儲存程式或資料於其中當該程式執行時，進行資料等的改寫。
通訊控制單元109(通訊介面)係用以與不同裝置透過網路諸如LAN或網際網路通訊。通訊控制單元109原先可結合於電腦，或後來可藉附接至該電腦的一網路介面卡(NIC)具現。
輸入裝置106為一指標裝置，諸如觸控面板、滑鼠等、鍵盤等。
顯示裝置104為一顯示單元，諸如液晶顯示單元。
顯示控制裝置103例如進行控制用以使得一扭斜分布等顯示在顯示裝置104上。
儲存裝置105為一輔助儲存裝置，諸如硬碟機(HDD)或SSD及儲存各種程式及各種資料於其中。此處，模擬程式係儲存於儲存裝置105。須注意例如，可設置一唯讀記憶體(ROM)作為記憶體101，因而儲存各種程式及各種資料。
驅動裝置107為用以存取可攜式記錄媒體108之 儲存內容的裝置，諸如半導體記憶體，諸如快閃記憶體、光碟或磁光碟。
於具有如前述硬體組態之該電腦中，CPU 102例如讀取出儲存於儲存裝置105的該模擬程式以執行讀出的程式以具現前文描述之實施例的模擬裝置之功能及模擬方法之處理。
又，雖然前文描述之實施例的該模擬裝置係組配為一電腦其中安裝模擬程式，但用以使得該電腦具現前文描述之實施例的模擬裝置之功能的該模擬程式或用以使得該電腦執行前文描述之實施例的模擬方法之處理的該模擬程式偶爾係以儲存於一電腦可讀取記錄媒體的狀態提供。
此處，作為記錄媒體，包括能夠記錄一程式於其中的記錄媒體，例如記憶體諸如半導體記憶體、磁碟、光碟[例如光碟(CD)-ROM、數位影音碟(DVD)或藍光碟]或磁光碟(MO：磁光碟)。須注意磁碟、光碟、磁光碟等偶爾稱作為可攜式記錄媒體。
於此種情況下，該模擬程式係從可攜式記錄媒體經由驅動裝置讀取出，及讀出的模擬程式係安裝於儲存裝置。結果，具現前文描述之實施例的模擬裝置及模擬方法，及如同前述情況，藉讀取出安裝於儲存裝置的模擬程式至主記憶體，及以類似方式執行讀取出的程式，具現了前文描述之實施例的模擬裝置之功能及模擬方法之處理。須注意也可能電腦直接從可攜式記錄媒體讀取出該程式及根據該程式執行該等處理。
又復，用以使得該電腦具現前文描述之實施例的模擬裝置之功能的該模擬程式或用以使得該電腦執行前文描述之實施例的模擬方法之處理的該模擬程式偶爾例如係經由網路(網際網路、通訊電路諸如公用電路或專用電路)作為傳輸媒體提供。
舉例言之，諸如由程式提供者提供在不同電腦例如伺服器上的一模擬程式，例如可經由網路諸如網際網路或LAN或通訊介面安裝於儲存裝置。結果，具現了前文描述之實施例的模擬裝置及模擬方法，及如同前述情況，藉讀取出安裝於儲存裝置的模擬程式至主記憶體，及以類似方式執行讀取出的程式，具現了前文描述之實施例的模擬裝置之功能及模擬方法之處理。須注意也可能每次一程式從一不同電腦諸如伺服器傳送，該電腦可依據所接收的程式接續地執行該等處理。
又，此處描述組態實施例係取下述情況為例，其中本模擬裝置係具現為單一裝置具有CPU 102、記憶體101、通訊控制單元109、輸入裝置106、顯示控制裝置103、顯示裝置104、儲存裝置105、針對可攜式記錄媒體108之驅動裝置107等的硬體組態，但該模擬裝置並非受此所限。舉例言之，只要具現了前文描述之實施例的模擬裝置之功能及模擬方法之處理，該模擬裝置可非藉單一裝置具現，反而可應用從多個裝置組配成的一系統或一整合系統、或一系統其中該等方法係經由網路諸如LAN、WAN等執行。舉例言之，一伺服器諸如雲端伺服器可經組配為用以具現前 文描述之實施例的模擬裝置之功能及模擬方法之處理之一系統，使得其可透過一電腦網路諸如網際網路或企業網路運用。
又，組態實施例係取下述情況為例於此處描述，其中藉於該電腦中之CPU執行讀取出至記憶體內之程式，具現了前文描述之實施例的模擬裝置之功能及模擬方法之處理，但該組態並非受此所限。舉例言之，部分的或全部的實際處理可藉於該電腦操作的OS等基於該程式之一指令執行，因而具現了前文描述之實施例的模擬裝置之功能及模擬方法之處理。又，從該可攜式記錄媒體讀取出的該程式或從該程式(資料)提供者提供的該程式(資料)可被寫入插在電腦中的設在一功能擴充板中或連結至該電腦之一功能擴充單元的一記憶體內，及部分的或全部的實際處理可藉設在該功能擴充板或該功能擴充單元之一CPU等基於該程式之一指令執行，因而具現了前文描述之實施例的模擬裝置之功能及模擬方法之處理。
S10-40‧‧‧步驟

Claims (16)

  1. 一種由電腦執行的模擬方法，其包含下列步驟：藉由針對一第一佈線板內部結構模型的多個第一位置樣式中之各者而針對包括在一對第一微分線之頂側的一第一玻璃布的一基準線長度執行三維電磁場分析，來計算在該等多個第一位置樣式中之各者中的在該對第一微分線之間所生成的一第一扭斜，其中該等多個第一位置樣式在該等第一微分線與該第一玻璃布之間有不同的相對位置關係，並藉由針對一第二佈線板內部結構模型的多個第二位置樣式中之各者而針對包括在一對第二微分線之底側的一第二玻璃布的一基準線長度執行三維電磁場分析，來計算在該等多個第二位置樣式中之各者中的在該對第二微分線之間所生成的一第二扭斜，其中該等多個第二位置樣式在該等第二微分線與該第二玻璃布之間有不同的相對位置關係；以及針對藉由組合多個第一組合樣式和多個第二組合樣式所組配而成的多個佈線板樣式中之各者，藉由加總組配出該等多個第一組合樣式中之各者的該等多個第一位置樣式中之各者的該第一扭斜、和加總組配出該等多個第二組合樣式中之各者的該等多個第二位置樣式中之各者的該第二扭斜，來計算一總扭斜，其中該等第一組合樣式係藉由針對某線長度而組合該第一佈線板內部結構模型之該等多個第一位置樣式所個別組配而 成，且其中該等第二組合樣式係藉由針對某線長度而組合該第二佈線板內部結構模型之該等多個第二位置樣式所個別組配而成，並接著基於所計算出的該等總扭斜而獲得具有某線長度的一佈線板中之扭斜分布。
  2. 如請求項1之模擬方法，其中，針對該基準線長度的該第一佈線板內部結構模型在該等第一微分線所延伸的一方向中具有為組配該第一玻璃布的一玻璃纖維束的一個循環或多個循環的長度；並且針對該基準線的該第二佈線板內部結構模型在該等第二微分線所延伸的一方向中具有為組配該第二玻璃布的一玻璃纖維束的一個循環或多個循環的長度。
  3. 如請求項1或2之模擬方法，其中，該第一佈線板內部結構模型在正交於該等第一微分線所延伸之方向的一方向中具有為組配該第一玻璃布的一玻璃纖維束的一個循環或多個循環的長度；並且該第二佈線板內部結構模型在正交於該等第二微分線所延伸之方向的一方向中具有為組配該第二玻璃布的一玻璃纖維束的一個循環或多個循環的長度。
  4. 如請求項1或2之模擬方法，其中，當具有該某線長度的該佈線板包括在該對微分線之該頂側的多個玻璃布時，在計算該第一扭斜和該第二扭斜之步驟中，計算在彼此之在該等第一微分線與該第一玻璃布間之距離係根據玻璃布之數目而有所變化的多個第一佈線板內部 結構模型中之各者的該等多個第一位置樣式中之各者中的該第一扭斜；以及在獲得該扭斜分布之步驟中，藉由針對藉由將該等多個第一佈線板內部結構模型中之各者的該等多個第一組合樣式組合作為該等多個第一組合樣式所組配而成的該等多個佈線板樣式中之各者而將組配該等多個第一佈線板內部結構模型中之各者的該等多個第一組合樣式中之各者的該等多個第一位置樣式中之各者的該第一扭斜加總作為該第一扭斜，來計算一總扭斜。
  5. 如請求項1或2之模擬方法，其中，當具有該某線長度的該佈線板包括在該對微分線之該底側的多個玻璃布時，在計算該第一扭斜和該第二扭斜之步驟中，計算在彼此之在該等第二微分線與該第二玻璃布間之距離係根據玻璃布之數目而有所變化的多個第二佈線板內部結構模型中之各者的該等多個第二位置樣式中之各者中的該第二扭斜；以及在獲得該扭斜分布之步驟中，藉由針對藉由將該等多個第二佈線板內部結構模型中之各者的該等多個第二組合樣式組合作為該等多個第二組合樣式所組配而成的該等多個佈線板樣式中之各者而將組配該等多個第二佈線板內部結構模型中之各者的該等多個第二組合樣式中之各者的該等多個第二位置樣式中之各者的該第二扭斜加總作為該第二扭斜，來計算一總扭斜。
  6. 一種儲存有模擬程式在內的電腦可讀取記錄媒體，該模 擬程式用於致使電腦執行模擬處理程序，該模擬處理程序包含下列步驟：藉由針對一第一佈線板內部結構模型的多個第一位置樣式中之各者而針對包括在一對第一微分線之頂側的一第一玻璃布的一基準線長度執行三維電磁場分析，來計算在該等多個第一位置樣式中之各者中的在該對第一微分線之間所生成的一第一扭斜，其中該等多個第一位置樣式在該等第一微分線與該第一玻璃布之間有不同的相對位置關係，並藉由針對一第二佈線板內部結構模型的多個第二位置樣式中之各者而針對包括在一對第二微分線之底側的一第二玻璃布的一基準線長度執行三維電磁場分析，來計算在該等多個第二位置樣式中之各者中的在該對第二微分線之間所生成的一第二扭斜，其中該等多個第二位置樣式在該等第二微分線與該第二玻璃布之間有不同的相對位置關係；以及針對藉由組合多個第一組合樣式和多個第二組合樣式所組配而成的多個佈線板樣式中之各者，藉由加總組配出該等多個第一組合樣式中之各者的該等多個第一位置樣式中之各者的該第一扭斜、和加總組配出該等多個第二組合樣式中之各者的該等多個第二位置樣式中之各者的該第二扭斜，來計算一總扭斜，其中該等第一組合樣式係藉由針對某線長度而組合該第一佈線板內部結構模型之該等多個第一位置樣式所個別組配而成，且其中該等第二組合樣式係藉由針對某線長度而組 合該第二佈線板內部結構模型之該等多個第二位置樣式所個別組配而成，並接著基於所計算出的該等總扭斜而獲得具有某線長度的一佈線板中之扭斜分布。
  7. 如請求項6之儲存有模擬程式的電腦可讀取記錄媒體，其中，針對該基準線長度的該第一佈線板內部結構模型在該等第一微分線所延伸的一方向中具有為組配該第一玻璃布的一玻璃纖維束的一個循環或多個循環的長度；並且針對該基準線的該第二佈線板內部結構模型在該等第二微分線所延伸的一方向中具有為組配該第二玻璃布的一玻璃纖維束的一個循環或多個循環的長度。
  8. 如請求項6或7之儲存有模擬程式的電腦可讀取記錄媒體，其中，該第一佈線板內部結構模型在正交於該等第一微分線所延伸之方向的一方向中具有為組配該第一玻璃布的一玻璃纖維束的一個循環或多個循環的長度；並且該第二佈線板內部結構模型在正交於該等第二微分線所延伸之方向的一方向中具有為組配該第二玻璃布的一玻璃纖維束的一個循環或多個循環的長度。
  9. 如請求項6或7之儲存有模擬程式的電腦可讀取記錄媒體，其中，當具有該某線長度的該佈線板包括在該對微分線之該頂側的多個玻璃布時，在計算該第一扭斜和該第二扭斜之步驟中，計算在 彼此之在該等第一微分線與該第一玻璃布間之距離係根據玻璃布之數目而有所變化的多個第一佈線板內部結構模型中之各者的該等多個第一位置樣式中之各者中的該第一扭斜；以及在獲得該扭斜分布之步驟中，藉由針對藉由將該等多個第一佈線板內部結構模型中之各者的該等多個第一組合樣式組合作為該等多個第一組合樣式所組配而成的該等多個佈線板樣式中之各者而將組配該等多個第一佈線板內部結構模型中之各者的該等多個第一組合樣式中之各者的該等多個第一位置樣式中之各者的該第一扭斜加總作為該第一扭斜，來計算一總扭斜。
  10. 如請求項6或7之儲存有模擬程式的電腦可讀取記錄媒體，其中，當具有該某線長度的該佈線板包括在該對微分線之該底側的多個玻璃布時，在計算該第一扭斜和該第二扭斜之步驟中，計算在彼此之在該等第二微分線與該第二玻璃布間之距離係根據玻璃布之數目而有所變化的多個第二佈線板內部結構模型中之各者的該等多個第二位置樣式中之各者中的該第二扭斜；以及在獲得該扭斜分布之步驟中，藉由針對藉由將該等多個第二佈線板內部結構模型中之各者的該等多個第二組合樣式組合作為該等多個第二組合樣式所組配而成的該等多個佈線板樣式中之各者而將組配該等多個第二佈線板內部結構模型中之各者的該等多個第二組 合樣式中之各者的該等多個第二位置樣式中之各者的該第二扭斜加總作為該第二扭斜，來計算一總扭斜。
  11. 一種模擬設備，其包含：一扭斜計算單元，其藉由針對一第一佈線板內部結構模型的多個第一位置樣式中之各者而針對包括在一對第一微分線之頂側的一第一玻璃布的一基準線長度執行三維電磁場分析，來計算在該等多個第一位置樣式中之各者中的在該對第一微分線之間所生成的一第一扭斜，其中該等多個第一位置樣式在該等第一微分線與該第一玻璃布之間有不同的相對位置關係，並藉由針對一第二佈線板內部結構模型的多個第二位置樣式中之各者而針對包括在一對第二微分線之底側的一第二玻璃布的一基準線長度執行三維電磁場分析，來計算在該等多個第二位置樣式中之各者中的在該對第二微分線之間所生成的一第二扭斜，其中該等多個第二位置樣式在該等第二微分線與該第二玻璃布之間有不同的相對位置關係；以及一扭斜分布獲取單元，其針對藉由組合多個第一組合樣式和多個第二組合樣式所組配而成的多個佈線板樣式中之各者，藉由加總組配出該等多個第一組合樣式中之各者的該等多個第一位置樣式中之各者的該第一扭斜、和加總組配出該等多個第二組合樣式中之各者的該等多個第二位置樣式中之各者的該第二扭斜，來計算一總扭斜，其中該等第一組合樣式係藉由針對某線長度 而組合該第一佈線板內部結構模型之該等多個第一位置樣式所個別組配而成，且其中該等第二組合樣式係藉由針對某線長度而組合該第二佈線板內部結構模型之該等多個第二位置樣式所個別組配而成，並接著基於所計算出的該等總扭斜而獲得具有某線長度的一佈線板中之扭斜分布。
  12. 如請求項11之模擬設備，其中，針對該基準線長度的該第一佈線板內部結構模型在該等第一微分線所延伸的一方向中具有為組配該第一玻璃布的一玻璃纖維束的一個循環或多個循環的長度；並且針對該基準線的該第二佈線板內部結構模型在該等第二微分線所延伸的一方向中具有為組配該第二玻璃布的一玻璃纖維束的一個循環或多個循環的長度。
  13. 如請求項11或12之模擬設備，其中，該第一佈線板內部結構模型在正交於該等第一微分線所延伸之方向的一方向中具有為組配該第一玻璃布的一玻璃纖維束的一個循環或多個循環的長度；並且該第二佈線板內部結構模型在正交於該等第二微分線所延伸之方向的一方向中具有為組配該第二玻璃布的一玻璃纖維束的一個循環或多個循環的長度。
  14. 如請求項11或12之模擬設備，其中，當具有該某線長度的該佈線板包括在該對微分線之該頂側的多個玻璃布時， 該扭斜計算單元計算在彼此之在該等第一微分線與該第一玻璃布間之距離係根據玻璃布之數目而有所變化的多個第一佈線板內部結構模型中之各者的該等多個第一位置樣式中之各者的該第一扭斜；並且該扭斜分布獲取單元藉由針對藉由將該等多個第一佈線板內部結構模型中之各者的該等多個第一組合樣式組合作為該等多個第一組合樣式所組配而成的該等多個佈線板樣式中之各者而將組配該等多個第一佈線板內部結構模型中之各者的該等多個第一組合樣式中之各者的該等多個第一位置樣式中之各者的該第一扭斜加總作為該第一扭斜，來計算一總扭斜。
  15. 如請求項11或12之模擬設備，其中，當具有該某線長度的該佈線板包括在該對微分線之該底側的多個玻璃布時，該扭斜計算單元計算在彼此之在該等第二微分線與該第二玻璃布間之距離係根據玻璃布之數目而有所變化的多個第二佈線板內部結構模型中之各者的該等多個第二位置樣式中之各者中的該第二扭斜；並且該扭斜分布獲取單元藉由針對藉由將該等多個第一佈線板內部結構模型中之各者的該等多個第一組合樣式組合作為該等多個第一組合樣式所組配而成的該等多個佈線板樣式中之各者而將組配該等多個第一佈線板內部結構模型中之各者的該等多個第一組合樣式中之各者的該等多個第一位置樣式中之各者的該第一 扭斜加總作為該第一扭斜，來計算一總扭斜。
  16. 如請求項11或12之模擬設備，其進一步包含：一扭斜分布顯示單元，其致使藉由該扭斜分布獲取單元而獲取的該扭斜分布被顯示在一螢幕上。
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