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TWI487111B - 電晶體結構以及驅動電路結構 - Google Patents

電晶體結構以及驅動電路結構 Download PDF

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TWI487111B
TWI487111B TW101117988A TW101117988A TWI487111B TW I487111 B TWI487111 B TW I487111B TW 101117988 A TW101117988 A TW 101117988A TW 101117988 A TW101117988 A TW 101117988A TW I487111 B TWI487111 B TW I487111B
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jun wei Lai
Po Yuan Shen
Wen Jung Lee
Chih Wei Tai
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Au Optronics Corp
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Description

電晶體結構以及驅動電路結構
本發明是有關於一種半導體元件結構以及電路結構，且特別是關於一種電晶體結構以及驅動電路結構。
在諸多平面顯示器中，薄膜電晶體液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)具有高空間利用效率、低消耗功率、無輻射以及低電磁干擾等優越特性，因此，液晶顯示器深受消費者歡迎。薄膜電晶體液晶顯示器主要是由主動陣列基板、彩色濾光基板與位於兩基板之間的液晶層所構成。主動陣列基板具有主動區以及週邊電路區。主動陣列位於主動區內，而驅動電路則位於週邊電路區內。
以周邊電路區內的驅動電路為例，具有高通道寬長比(W/L)的薄膜電晶體常被使用到。一般而言，薄膜電晶體的開啟電流(Ion)與通道寬長比(W/L)成正比，且開啟電流滿足下列關係式：Ion=U＊ W/L(VG -Vth )VD 其中U為載子移動率，W為通道寬度，L為通道長度，VG 為閘極電壓，Vth 為臨界電壓，而VD 為汲極電壓。由上述關係式可知，藉由增加通道寬度與縮減通道長度，以提升通道寬長比(W/L)可以提高開啟電流(Ion)。然而，當通道寬度增加且通道長度縮減時，易導致薄膜電晶體的熱效應(self-heating)更為顯著，造成薄膜電晶體的穩定性與信賴性 (reliability)不佳。
本發明提供一種電晶體結構，其具有良好的穩定性與信賴性。
本發明提供一種電晶體結構，設置在一基板上，電晶體結構包括一閘極電極、跟閘極電極重疊設置的一閘極介電層、跟閘極電極重疊設置的一通道層以及跟閘極電極重疊設置的多個第一電極與多個第二電極。閘極介電層設置在通道層與閘極電極之間。閘極介電層位於第一電極、第二電極跟閘極電極之間。第一電極與第二電極沿第一方向交替設置，各第一電極沿第一方向具有第一寬度，各第二電極沿第一方向具有第二寬度，第一寬度與第二寬度的比值介於2至20。
在本發明之一實施例中，前述之第一電極與第二電極其中之一為一源極電極，另一為一汲極電極。
在本發明之一實施例中，前述之第一寬度與第二寬度的比值介於2.2至10。
在本發明之一實施例中，前述之第一寬度與第二寬度的比值介於2.5至5。
在本發明之一實施例中，前述之通道層包括一半導體層。
在本發明之一實施例中，前述之半導體層的材質包括矽、鍺、金屬氧化物半導體。
在本發明之一實施例中，前述之第一電極與第二電極之間沿第一方向具有一通道長度介於0.1至30微米。
在本發明之一實施例中，前述之第一電極與第二電極之間垂直於第一方向具有一通道寬度介於10至30000微米。
在本發明之一實施例中，前述之通道層位於第一電極、第二電極跟閘極電極之間。
在本發明之一實施例中，前述之第一電極、第二電極位於通道層跟閘極電極之間。
在本發明之一實施例中，前述之閘極電極位於第一電極、第二電極跟基板之間。
在本發明之一實施例中，前述之第一電極、第二電極位於閘極電極跟基板之間。
在本發明之一實施例中，前述之電晶體結構更包括一第一連接線與一第二連接線，第一連接線電性連接第一電極，第二連接線電性連接第二電極。
在本發明之一實施例中，前述之第一電極與第二電極沿一第二方向延伸，且第二方向實質上垂直於第一方向。
本發明另提供一種電晶體結構，其具有與前述之電晶體結構相同的膜層組成以及相似的結構，主要差異包括此處之電晶體結構的第一連接線是跟閘極電極重疊設置，且第一電極與第二電極位於第一連接線兩側並沿第一方向交替設置。
本發明更提供一種電晶體結構，其包括一閘極電極、 一閘極介電層、一通道層以及一第一電極與一第二電極。閘極介電層跟閘極電極重疊設置。通道層跟閘極電極重疊設置，且閘極介電層設置在通道層與閘極電極之間。第一電極與第二電極與閘極電極重疊設置，且閘極介電層位於第一電極、第二電極跟閘極電極之間。第一電極與第二電極沿一第一方向設置於通道層兩側，第一電極沿第一方向具有一第一寬度，第二電極沿第一方向具有一第二寬度，且第一寬度與第二寬度的比值介於2至20。
本發明還提供一種驅動電路結構，具有前述電晶體結構。所述驅動電路結構設置在一基板上，且包括彼此電性連接的多個位移暫存器。各位移暫存器具有至少一個所述電晶體結構。
基於上述，本發明在閘極電極上交替設置第一電極與第二電極，且藉由調變第一寬度與第二寬度的比值，提供電晶體結構良好的散熱效果。如此，降低電晶體結構的熱效應，並提升電晶體結構的信賴性。
為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A為本發明一實施例之電晶體結構的上視示意圖，圖1B為圖1A之區域A的放大示意圖。請參照圖1A及圖1B，本實施例之電晶體結構100設置在一基板S上，其中基板S的材質可以是玻璃、含鹼玻璃、石英、聚酯類、 聚碳酸酯類、軟性塑膠、可撓性材質或其它適合的材料。詳言之，電晶體結構100包括一閘極電極110、跟閘極電極110重疊設置的一通道層130a以及跟閘極電極110重疊設置的多個第一電極152與多個第二電極154。
通道層130a可包括一半導體層。換言之，通道層130a可為單層或多層之半導體層的結構。在本實施例中，半導體層的材質包括矽、鍺、金屬氧化物半導體，其中矽例如是非晶矽、微晶矽、複晶矽或是單晶矽等，鍺例如是非晶鍺、微晶鍺、複晶鍺、單晶鍺或是矽鍺合金等，金屬氧化物半導體例如是銦鎵鋅氧化物(IGZO)、銦鋅氧化物(IZO)等，但並不限於此。第一電極152與第二電極154沿第一方向X交替設置。在本實施例中，第一電極152與第二電極154例如是沿第一方向X交替且平行地設置，且沿垂直於第一方向X的第二方向Y延伸。
此外，第一電極152與第二電極154其中之一為一源極電極，另一為一汲極電極。在本實施例中，以第一電極152為源極電極，而第二電極154為汲極電極作為舉例說明，但本發明不以此為限。換言之，在其他實施例中，第一電極152亦可以是汲極電極，而第二電極154可以是源極電極。
另外，第一電極152與第二電極154之間沿第一方向X具有一通道長度L，而第一電極152與第二電極154之間沿垂直於第一方向X的第二方向Y具有一通道寬度。由於本實施例之電晶體結構100利用第一電極152與第二電 極154交替且平行地設置在閘極電極110上，來提升通道寬度與通道長度L的比值，因此，此處的通道寬度是指電晶體結構100之各第一電極152與各第二電極154之間的單位通道寬度WU 的總和。在本實施例中，通道長度L例如是介於0.1至30微米，而通道寬度例如是介於10至30000微米。
需說明的是，本實施例之電晶體結構100可以是由圖1B所示之電晶體結構單元(即由單一第一電極152與單一第二電極154所組成)重複排列而成。在實際應用中，此電晶體結構單元亦可作為一獨立操作之電晶體結構。
在本實施例中，各第一電極152沿第一方向X具有第一寬度W1，而各第二電極154沿第一方向X具有第二寬度W2。考量現今大面板尺寸以及窄邊框的需求，需要在有限的空間尺寸下提升電晶體結構的開啟電流，然而增加電晶體結構的通道寬度又與空間利用上相違和，因此通常是利用縮減電晶體結構的通道長度以爭取更高之電晶體結構的開啟電流。由於縮減電晶體結構的通道長度時，熱效應會隨之增長，造成電晶體結構的信賴性不佳，於此，本實施例藉由適當地增加第一電極152的第一寬度W1(即調變第一寬度W1與第二寬度W2的比值)，以提供電晶體結構100良好的散熱效果。如此一來，可降低電晶體結構100的熱效應，並提升電晶體結構100的信賴性。
具體而言，本實施例的第一寬度W1與第二寬度W2的比值介於2至20。在其他實施例中，第一寬度W1與第 二寬度W2的比值例如是介於2.2至10，或者介於2.5至5。
另外，本實施例之電晶體結構100還包括一第一連接線162與一第二連接線164，其中第一電極152透過第一連接線162而彼此電性連接，第二電極154透過第二連接線164而彼此電性連接。在本實施例中，多個第一電極152以及第一連接線162例如是形成一梳狀結構，而多個第二電極154以及第二連接線164亦是形成一梳狀結構，但本發明不以此為限。以下另舉一實施例，並以圖2A及圖2B進行說明。
圖2A為本發明另一實施例之電晶體結構的上視示意圖，圖2B為圖2A之區域B的放大示意圖。請參照圖2A及圖2B，本實施例之電晶體結構200與圖1A之電晶體結構100具有相同的膜層組成以及相似的結構，主要差異包括電晶體結構200之第一連接線是跟閘極電極110重疊設置，且第一電極152與第二電極154位於第一連接線162兩側並沿第一方向X交替設置。
在本實施例中，通道長度L例如是介於0.1至30微米，而通道寬度例如是介於10至30000微米。此處的通道寬度是指電晶體結構200之各第一電極152與各第二電極154之間的單位通道寬度WU 的總和。另外，各第一電極152沿第一方向X具有第一寬度W1，而各第二電極154沿第一方向X具有第二寬度W2，其中第一寬度W1與第二寬度W2的比值介於2至20。在其他實施例中，第一寬度W1與第二寬度W2的比值較佳是介於2.2至10，或者 更佳是介於2.5至5。
換言之，本實施例之電晶體結構200同樣是藉由適當地增加第一電極152的第一寬度W1(即調變第一寬度W1與第二寬度W2的比值)，來提供電晶體結構200良好的散熱效果，進而可降低電晶體結構200的熱效應，並提升電晶體結構200的信賴性。
以下對電晶體結構的剖面圖作進一步的說明。圖3為沿圖2A之A-A’剖線的剖面示意圖。需說明的是，此處以電晶體結構200之剖面作為舉例說明，但前述之電晶體結構100亦可採用下述之結構。請參照圖3，除了上述之閘極電極110、通道層130a以及第一電極152與第二電極154之外，電晶體結構200還包括跟閘極電極110重疊設置的一閘極介電層120a。在本實施例中，電晶體結構200例如是底閘極(bottom gate)的電晶體結構。具體而言，閘極電極110設置於基板S上，且閘極介電層120a設置在通道層130a與閘極電極110之間，而第一電極152、第二電極154以及第一連接線(請參照圖2A)設置於通道層130a遠離閘極電極110的一側。閘極介電層120a的材質例如是無機材料、有機材料或上述之組合，其中無機材料例如是氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、矽鋁氧化物或上述至少二種材料的堆疊層。當然，本實施例不以此為限，凡是可以提供絕緣特性的材料都可以選擇性地應用於本實施例以製作閘極介電層120a。
另外，本實施例之電晶體結構200可選擇性地包括跟 閘極電極110重疊設置的一保護層140a，其中保護層140a設置於上述膜層最遠離基板S的一側，以作為保護之用。
需說明的是，上述電晶體結構200僅為舉例說明，但本發明不以此為限。換言之，在其他實施例中，電晶體結構亦可以是底閘極的共平面式(coplanar)結構或是頂閘極(top gate)的電晶體結構。以下將以圖4至圖6對上述結構做更詳細的說明。
圖4至圖6為本發明其他實施例之電晶體結構的剖面示意圖。請參照圖4，本實施例之電晶體結構400例如是底閘極的共平面式結構。具體而言，電晶體結構400與圖3之電晶體結構200具有相同與相似的膜層，惟兩者差異在於本實施例之電晶體結構400的第一電極152、第二電極154位於通道層130b跟閘極電極110之間。當然，本實施例之電晶體結構400可選擇性地包括一保護層140b覆蓋上述膜層，且位於通道層130b遠離基板S的一側並與通道層130b接觸。
請參照圖5，本實施例之電晶體結構500例如是頂閘極的電晶體結構。電晶體結構500與圖3之電晶體結構200具有相同與相似的膜層。兩者差異在於本實施例之電晶體結構500的第一電極152、第二電極154位於閘極電極110跟基板S之間，且閘極介電層120b覆蓋第一電極152以及第二電極154，而通道層130c與基板S接觸。當然，本實施例之電晶體結構500亦可選擇性地包括一保護層140c覆蓋上述膜層，且位於閘極電極110遠離基板S的一側並 與閘極電極110接觸。
請參照圖6，本實施例之電晶體結構600例如是頂閘極的共平面式結構。電晶體結構600與圖5之電晶體結構500具有相同與相似的膜層。兩者差異在於本實施例之電晶體結構600的通道層130d位於第一電極152、第二電極154跟閘極電極110之間，且閘極介電層120c覆蓋通道層130d並與通道層130d接觸。
以下藉由實驗來驗證本申請之電晶體結構相較於已知結構的性能提升效果。圖7為電晶體結構在不同的通道寬長比以及不同的第一寬度下的電流-電壓特性曲線(I-V curve)。圖8為電晶體結構在不同的通道寬長比以及不同的第一寬度下的熱載子應力(hot carrier stress)比較圖。
圖7與圖8中的三組數據是對具有相同的通道寬度以及通以相同的相對電壓下的電晶體結構，包括實驗例、比較例1以及比較例2進行量測而得。此些電晶體結構具有不同的通道寬長比或是不同的第一寬度。具體而言，實驗例之電晶體結構的通道長度約為3.5微米(μm)，且應用本申請設計，將第一電極的第一寬度增大約為13.2微米(μm)，第二電極的第二寬度約為4.4微米(μm)，第一寬度與第二寬度的比值約為3微米(μm)。比較例1之電晶體結構的通道長度約為5.5微米(μm)，第一寬度與第二寬度均約為4.4微米(μm)，第一寬度與第二寬度的比值約為1。比較例2之電晶體結構通道長度約為3.5微米(μm)，而第一寬度約為4.0微米(μm)，第二寬度約為4.4微米(μm)，第一 寬度與第二寬度的比值約為0.9。
請參照圖7，曲線730為採用本申請設計(滿足上述第一寬度W1與第二寬度W2的比值)的實驗例的電流-電壓特性曲線，而曲線710為比較例1的電流-電壓特性曲線，曲線720為比較例2的電流-電壓特性曲線。參照曲線710、720，在未調變第一寬度前，通道長度的縮減易造成電晶體結構的電流提早飽合(saturation)。然而，在調變第一寬度後，雖然通道長度縮減了，實驗例的電流-電壓特性表現比比較例1的電流-電壓特性表現來的好(未出現飽和現象)。
請參照圖8，在對三種電晶體結構(比較例1、比較例2以及實驗例)進行熱載子應力的檢測後，可發現在未調變第一寬度前，通道長度的縮減易造成電晶體結構的臨界電壓漂移(即比較例2之臨界電壓的漂移量大於比較例1之臨界電壓的漂移量)。然而，在調變第一寬度後，雖然通道長度同樣地縮減了，實驗例之臨界電壓的漂移量卻可比通道長度未縮減前的電晶體結構(即比較例1)來的小。承上述，藉由適當地調變第一寬度，可提升電晶體結構的電流-電壓特性表現以及使電晶體結構具有較佳的信賴性。
值得一提的是，上述的電晶體結構100、200、400、500、600可應用於顯示面板的驅動電路結構。圖9繪示應用本發明之驅動電路結構的一種液晶顯示器。所述驅動電路結構例如可應用前述多個實施例的電晶體結構100、200、400、500、600。此外，驅動電路結構例如是閘極驅動電路(Gate driver on array；GOA)結構，或者是源極驅動 電路(Source driver on array；SOA)結構。
請參照圖9，液晶顯示器LCD例如包括液晶顯示面板10、源極驅動器20、時序控制器30、電壓產生器40以及閘極驅動電路結構DCS，其中閘極驅動電路結構DCS可包括彼此電性連接的多個位移暫存器SR1、SR2、...、SRn。閘極驅動電路結構DCS、源極驅動器20、時序控制器30以及電壓產生器40例如是位於液晶顯示面板10的周邊。電壓產生器40以及時序控制器30可分別與各位移暫存器SR1、SR2、...、SRn電性連接，且時序控制器30與源極驅動器20電性連接，而源極驅動器20以及各位移暫存器SR1、SR2、...、SRn與液晶顯示面板10電性連接。
所述多個實施例的電晶體結構100、200、400、500、600例如可用應於閘極驅動電路結構DCS中。更進一步而言，各位移暫存器SR1、SR2、...、SRn具有至少一電晶體，而各電晶體可採用所述之電晶體結構100、200、400、500、600。。
以下將以圖10對圖9之位移暫存器SR2進行更詳細的說明，但其他位移暫存器SR1、SR3、...SRn皆可採用圖10所繪示的電路圖或以圖10之電路圖為基礎進行結構、配置或元件上的改變。圖10為圖9中之位移暫存器SR2的電路圖。請參照圖10，本實施例之位移暫存器SR2可包括多個電晶體M1、M2、...、M11以及多個電容C1、C2。電晶體M1的閘極與其第一汲/源極會耦接在一起，用以接收位移暫存器SR1所輸出的掃描訊號G1。電晶體M2 的第一汲/源極耦接電晶體M1的第一汲/源極，而電晶體M2的第二汲/源極則耦接電晶體M1的第二汲/源極。
電晶體M3的閘極耦接電晶體M1與M2的第二汲/源極，而電晶體M3的第一汲/源極則用以接收由電壓產生器40所提供的直流電壓VgH 。電晶體M4的閘極耦接電晶體M3的第二汲/源極、電晶體M4的第一汲/源極用以接收由時序控制器30所提供的時脈訊號CK，而電晶體M4的第二汲/源極則耦接電晶體M2的閘極，並用以輸出掃描訊號G2。
電晶體M5的閘極用以接收由時序控制器30所提供的時脈訊號XCK、電晶體M5的第一汲/源極耦接電晶體M4的第二汲/源極，而電晶體M5的第二汲/源極則耦接至參考電位VSS。電容C1的一端耦接電晶體M4的閘極，而電容C1的另一端則耦接電晶體M4的第二汲/源極。在其他實施例中，當電晶體M4的尺寸做的夠大時，則電容C1可以省略。
電晶體M6的閘極與其第一汲/源極耦接在一起，用以接收位移暫存器SR1所輸出的掃描訊號G1。電晶體M7的閘極用以接收位移暫存器SR3所輸出的掃描訊號G3、電晶體M7的第一汲/源極耦接電晶體M6的第一汲/源極，而電晶體M7的第二汲/源極耦接電晶體M6的第二汲/源極。
電晶體M8的閘極耦接電晶體M6與M7的第二汲/源極，而電晶體M8的第一汲/源極則耦接至參考電位VSS。 電容C2的一端用以接收由時序控制器30所提供的時脈訊號CK，而電容C2的另一端則耦接電晶體M8的第二汲/源極。電晶體M9的閘極耦接電晶體M8的第二汲/源極、電晶體M9的第一汲/源極耦接電晶體M4的閘極，而電晶體M9的第二汲/源極則耦接至參考電位VSS。
電晶體M10的閘極用以接收位移暫存器SR3所輸出的掃描訊號G3、電晶體M10的第一汲/源極耦接電晶體M4的閘極，而電晶體M10的第二汲/源極則耦接至參考電位VSS。電晶體M11的閘極耦接電晶體M8的第二汲/源極、電晶體M11的第一汲/源極耦接電晶體M4的第二汲/源極，而電晶體M11的第二汲/源極則耦接至參考電位VSS。
值得一提的是，電晶體M1、M2、...、M11皆可應用前述之電晶體結構100、200、400、500、600的結構。換言之，電晶體M1、M2、...、M11可藉由適當地調變第一寬度與第二寬度的比值，來提供電晶體M1、M2、...、M11良好的散熱效果，進而可降低電晶體M1、M2、...、M11的熱效應，並提升電晶體M1、M2、...、M11的信賴性。
綜上所述，本發明在閘極電極上交替設置第一電極與第二電極，且藉由調變第一寬度與第二寬度的比值，提供電晶體結構良好的電性表現(即電流-電壓表現)以及良好的散熱效果。如此，降低電晶體結構的熱效應，並提升電晶體結構的信賴性。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限 定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
10‧‧‧液晶顯示面板
20‧‧‧源極驅動器
30‧‧‧時序控制器
40‧‧‧電壓產生器
100、200、400、500、600‧‧‧電晶體結構
110‧‧‧閘極電極
120a、120b、120c‧‧‧閘極介電層
130a、130b、130c、130d‧‧‧通道層
140a、140b、140c‧‧‧保護層
152‧‧‧第一電極
154‧‧‧第二電極
162‧‧‧第一連接線
164‧‧‧第二連接線
S‧‧‧基板
X‧‧‧第一方向
Y‧‧‧第二方向
L‧‧‧通道長度
WU ‧‧‧單位通道寬度
W1‧‧‧第一寬度
W2‧‧‧第二寬度
DCS‧‧‧閘極驅動電路結構
SR1、SR2、...、SRn‧‧‧位移暫存器
M1、M2、...、M11‧‧‧電晶體
G1、G2、G3‧‧‧掃描訊號
VgH ‧‧‧直流電壓
CK、XCK‧‧‧時脈訊號
VSS‧‧‧參考電位
LCD‧‧‧液晶顯示器
C1、C2‧‧‧電容
710、720、730‧‧‧曲線
A-A’‧‧‧剖線
圖1A為本發明一實施例之電晶體結構的上視示意圖。
圖1B為圖1A之區域A的放大示意圖。
圖2A為本發明另一實施例之電晶體結構的上視示意圖。
圖2B為圖2A之區域A的放大示意圖。
圖3為沿圖2A之A-A’剖線的剖面示意圖。
圖4至圖6為本發明其他實施例之電晶體結構的剖面示意圖。
圖7為電晶體結構在不同的通道寬長比以及不同的第一寬度下的電流-電壓特性曲線。
圖8為電晶體結構在不同的通道寬長比以及不同的第一寬度下的熱載子應力比較圖。
圖9繪示應用本發明之驅動電路結構的一種液晶顯示器。
圖10為圖9中之位移暫存器的電路圖。
200‧‧‧電晶體結構
110‧‧‧閘極電極
130a‧‧‧通道層
152‧‧‧第一電極
154‧‧‧第二電極
162‧‧‧第一連接線
S‧‧‧基板
X‧‧‧第一方向
Y‧‧‧第二方向
B‧‧‧區域
A-A’‧‧‧剖線

Claims (6)

  1. 一種電晶體結構，設置在一基板上，包括：一閘極電極；一閘極介電層，跟該閘極電極重疊設置；一通道層，跟該閘極電極重疊設置，且該閘極介電層設置在該通道層與該閘極電極之間；一第一連接線，跟該閘極電極重疊且沿一第一方向設置，且該閘極介電層設置在該第一連接線與該閘極電極之間；多個第一電極與多個第二電極，與該閘極電極重疊設置，且該閘極介電層位於該些第一電極、該些第二電極跟該閘極電極之間，該些第一電極與該些第二電極位於該第一連接線兩側且沿該第一方向交替設置，該些第一電極電性連接該第一連接線，各該第一電極沿該第一方向具有一第一寬度，各該第二電極沿該第一方向具有一第二寬度，該第一寬度與該第二寬度的比值介於2至20；以及一第二連接線，沿該第一方向設置，該第二連接線電性連接該些第二電極。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的電晶體結構，其中該第一電極與該第二電極其中之一為一源極電極，另一為一汲極電極。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的電晶體結構，其中該第一寬度與該第二寬度的比值介於2.2至10。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的電晶體結構，其中該 第一寬度與該第二寬度的比值介於2.5至5。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的電晶體結構，其中該些第一電極與該些第二電極沿一第二方向延伸，且該第二方向實質上垂直於該第一方向。
  6. 一種驅動電路結構，設置在一基板上，包括：多個位移暫存器，彼此電性連接，各該位移暫存器具有至少一電晶體結構，該電晶體結構包括：一閘極電極；一閘極介電層，跟該閘極電極重疊設置；一通道層，跟該閘極電極重疊設置，且該閘極介電層設置在該通道層與該閘極電極之間；一第一連接線，跟該閘極電極重疊且沿一第一方向設置，且該閘極介電層設置在該第一連接線與該閘極電極之間；多個第一電極與多個第二電極，與該閘極電極重疊設置，且該閘極介電層位於該些第一電極、該些第二電極跟該閘極電極之間，該些第一電極與該些第二電極位於該第一連接線兩側且沿該第一方向交替設置，該些第一電極電性連接該第一連接線，各該第一電極沿該第一方向具有一第一寬度，各該第二電極沿該第一方向具有一第二寬度，該第一寬度與該第二寬度的比值介於2至20；以及一第二連接線，沿該第一方向設置，該第二連接線電性連接該些第二電極。
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