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TWI376016B - Formation of through-wafer electrical interconnections and other structures using a thin dielectric membrane - Google Patents

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TWI376016B
TWI376016B TW096135432A TW96135432A TWI376016B TW I376016 B TWI376016 B TW I376016B TW 096135432 A TW096135432 A TW 096135432A TW 96135432 A TW96135432 A TW 96135432A TW I376016 B TWI376016 B TW I376016B
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Taiwan Semiconductor Mfg
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Description

1376016 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於利用薄介電薄膜來形成貫穿晶 圓之電性内連 線及其他結構的技術。 5【交叉參考之相關申請案】 本申請案主張申請於2006年9月26曰之美國臨時專利申 請案60/848,043作為優先權基礎案。 【先前技術】 10 15 讓與本申請案受讓人的美國專利6,818,464號揭露了一種 雙侧蝕刻技術’此技術係用以對半導體結構提供由饋通金屬製 程(feed-through metallization process)所緊密密封的一或多個貫 穿孔。饋通金屬製程可包含使用電鍍技術。例如，可利用半導 體結構來作為封裝件（package)用的罩蓋，而封裝件係封裝 (encapsulate)光電或其他裝置或積體電路。貫穿晶圓之電性内連 線可提供例如自封裝件外部至被封裝於封裝件内部之裝置或電 路的電接觸。 根據前述專利中所揭露的特定實施例，雙側敍刻技術係於 包含了埋置則停止層㈣晶圓上施行。雖然可滿意地獲得貫 穿晶圓的電性内連線，但在半導體晶圓中包含埋置㈣停止層 的。同樣地，利用電鍍技術來形成饋通金屬也i 很耗費成本的。 本發明可消除此類埋置钱刻停止層的需要，且 電鍍技術來形成饋通金屬。 力要便用 20 1376016 . 【發明内容】 . _本發明之-態樣，製造貫穿晶圓之㈣線包含了形成 犧牲薄膜。 5 例如，在半導體晶圓中提供貫穿晶圓之内連線包含：在預 *存在$半導體晶®中形成犧牲*膜；在晶圓的-側上沈積金 以覆蓋犧牲薄膜面向晶圓該一侧的曝露部分；移除犧牲薄膜 馨面向晶圓另-侧的曝露部分；及在晶圓的該另一侧上沈積金屬 以與先前沈積的金屬接觸。 10 ’在某些^施例中，該犧牲薄膜為二氧化♦或氮化石夕。 。在另一悲樣中，揭露了 一種在包含第一盥第二側之半導體 :】圓中提供貫通晶圓之㈣線的方法。此料包含：在晶圓的 f 一側中㈣—或多個微通孔且在第二側上方提供#刻停止 曰’其中該侧停止層覆蓋該微通孔中的表面。在晶圓的第— Μ 軸—腔^—深度，俾使微通孔受到_之區域中之钱 參二停止層的部分在該腔穴中受到曝露。此方法包含：在晶圓的 側上方沈積金屬，接著自微通孔受到蝕刻之區域移除蝕刻停 止層之部分。將金屬沈積於晶圓的另一側上，以使沈積在第一 側上方的金屬與沈積在第二侧上的金屬接觸，而在微通孔受到 20蝕刻的區域中形成貫通晶 圓之内連線。 、々在其他實施例令，在蝕刻第二側中之微通孔前，可在晶圓 的，—側中蝕刻腔穴。因此，例如在具有第一與第二側之半導 ，曰曰圓中提供貫通晶圓之内連線的方法，可包含：在晶圓的第 J中银刻腔穴；在晶圓的第一侧上方提供#刻停止層，其中 工376〇16 該蝕刻停止層覆蓋腔穴中的表面；及蝕刻晶圓之第二側中的一 或多個微通孔至一深度，俾使該一或多個微通孔到達該蝕刻停 止層。可將金屬沈積至晶圓的一側上，接著可自一或多個微通 5 馨 10 15
20 孔X到钱刻的區域移除該姓刻停止層的部分。可將金屬沈積至 晶圓的另一側上，俾使沈積於第一側上的金屬與沈積於第二側 上的金屬接觸，而在一或多個微通孔受到蝕刻的區域中形成貫 穿晶圓的内連線。 、雖然上述技術使用到雙侧蝕刻（即，自一側蝕刻以形成微通 孔並自另一側蝕刻以形成腔穴），但在某些實施例中可僅自晶 圓的一侧蝕刻貫穿晶圓之開口。 在某些情況下，此些技術可導致緊密密封的貫穿晶圓内連 線。 薄金屬薄膜亦可用以形成電容及其他結構例如薄膜電感 及懸臂結構（cantilever structure)。 自下列之詳細敘述及所附圖式與申請專利範圍，其他特徵 及優點將愈形清晰。 【實施方式】 所揭露之實施例包含：在半導體晶圓上施行雙側及單側蝕 刻技術以疋義可進行貫穿晶圓之金屬的開口。圖】A至顯示 了利用雙側蝕刻技術進行貫穿晶圓之内連線處理的實例，其中 在蝕刻腔穴前在半導體晶圓100中蝕刻通孔。在圖1A中，^導 體晶圓100包含：第一側102及第二側1〇4。可在半導體晶圓 100的第二侧104上蝕刻分別具有底部1〇7、1〇9的微通孔1⑽、 8 < S ) Ι37ύ〇16 108至預定深度。例如，半導體晶圓1〇〇可為矽 晶圓可在氫氧化鉀(Κ0Η)中受到非等向性㈣。a ⑸) 圖1A顯示了兩個三角錐形的微通孔⑽、⑽。 5 10 15 =同形狀將微通孔形成於铸體晶圓的—财 二角形。又，微通孔的數目不限於 ^ 的微通孔。例如，可基於半導或多於兩個 U Λ — 牛導體尺寸、處理條件及電路連線雲 求來決'微通孔的數目及其形狀。 ^ :^圖1Β中’將_停止層則沈積於半導體晶圓刚 的已钱刻第二側104上。例如，韻刻停止層110可由二氧化 或氮切(Sl3N4)所構成。例如，可利用熱氧化處理來成 t氧化石夕層。若利用熱氧化處理’職刻停止層可覆蓋晶圓 的兩側。二氧切亦可作為半導體晶圓⑽的絕緣或純化層。 將钱刻遮罩層112沈積於半導體晶圓⑽的第二側⑽ ΐ，於钮刻停止層110的上方。_遮罩層112 ,亦可由例如二 =石夕及/或氮切所構成，刻停止層則毋需使用與侧遮 曰112相同的層成分。例如，姓刻遮罩層112可由利用低壓 沈積氣相沈積(LPCVD)處理所沈積之氮化矽所構成。 又，如圖1Β中所示，將蝕刻遮罩層114沈積至半導體晶圓 ^的第彻J 102上。餘刻遮罩層114定義了接續被形成於晶圓 之第一侧102中之一或多個腔穴的開口。 ^接著，如圖1C中所示，自半導體晶圓100的第一侧102 定義及_該一或多個腔穴(例如，腔穴116)。用來形成腔穴116 的姓亥j技術可與用來形成微通孔、1〇8之技術相同。可將腔 八116蝕刻至一預定深度，俾使以在微通孔1〇6、所定義之 20 1376016 區域中分別留下薄膜120、122。薄膜120、122係由蝕刻停止層 .Π〇之材料所形成。在此實例中，已蝕刻之腔穴116係大於微通 孔 106 及 1〇8。 在圖ic所示之實施例中，腔穴116及每一微通孔1〇6、1〇8 5之蝕刻深度的總和係超過半導體晶圓的總厚度，因此腔穴116 • ^底部延伸超過微通孔106、108各自的底部1〇7、1〇9。因此， 每薄膜12〇、122部分在腔穴116内受到曝露。接著可將餘刻 麵|遮罩層112剝除。例如，若蝕刻遮罩層112、114係由氮化矽所 構成，可利用反應性離子勉刻（RIE)處理來剝除膜層。在某些實 10鈀例中，可使用利用磷酸的濕式蝕刻處理來剝除蝕刻遮罩層。 在圖1D中’氧化半導體晶圓100。在半導體晶圓1〇〇係由 矽所構成的實例中，可利用例如熱氧化處理來成長氧化層。氧 化物118(例如，Si〇2)的厚區域(例如，i2〇〇nm)可被形成於碎半 導體晶圓表面上(例如，形成在矽存在的區域中）。氧化物(例如， is SiOJ的相對薄區域(例如，4〇〇nm)可留在無矽的區域中。例如， β蝕刻停止層110的薄膜12〇、122可留在先前由微通孔1〇6、1〇8 所分別定義的區域中》 接著，在圖1E中所示，將薄金屬膜124沈積至半導體晶圓 100的第二侧1〇4上。金屬膜124覆蓋薄膜12〇、122，以分別 20形成金屬薄膜132、134。例如，可利用物理氣相沈積(PVD)或 其他處理來形成銅的薄膜(例如，3-4微米）。 接著’移除在腔穴116曝露之薄膜12〇、122部分（即’蝕 刻停^材料）。例如，可使用氫氟酸(HF)系之蝕刻劑來移除此些 蝕刻停止材料部分。當矽1〇〇上的氧化物118比薄膜12〇、122 1376016 更厚時，薄膜120、122的曝露部分可被移除，且部分氧化物118 會殘留在矽100的區域上方以提供電絕緣。由於矽上方之較厚 氧化物的存在，在姑刻姓刻停止層薄膜丨2〇、122時毋需各別的 蝕刻遮罩。 5 接著’如圖1F中所示，將薄金屬膜130沈積至晶圓之第一 ‘側102上。薄膜130可被直接沈積至金屬薄膜132、134之曝露 部分上，以在半導體晶圓100的與侧間形成電接觸。第一側薄 镛瞻金屬膜130與在先前定義微通孔106與ι〇8之區域中形成貫穿 晶圓之連線126、128的第二側薄金屬膜124接觸。 10 在另一實施例中，可將薄金屬膜130沈積至第一側上，且 在將薄金屬膜124沈積至半導體晶圓1〇〇之第二側1〇4上之前 可移除薄膜120、122。 圖2A至2F顯示了利用雙側蝕刻技術實施貫穿晶圓之内連 線處理的貫例，其中在蝕刻微通孔之前在半導體晶圓2〇〇中蝕 15刻腔穴。如圖2A中所示，半導體晶圓20〇包含：第一側2〇2及 钃齡第二側204。自半導體晶圓200的第一側2〇2蝕刻腔穴(例如， 腔穴206)。 例如，半導體晶圓200可為矽（Si)晶圓。腔穴2〇6可被蝕刻 至一預定深度以在矽晶圓中形成薄矽臈2〇8(例如，2〇μιη)。可使 20用標準触刻技術來形成腔穴206。例如，可 性地蝕刻腔穴206。 在圖2Β中，將钱刻停止層21〇沈積至半導體晶圓之已 餘刻第-側202上。例如，侧停止層21〇可由熱成長的二氧 化石夕及/或氮化梦層所構成。此二氧化㈣亦可作為介電層。
11 S 1376016 。 又，如圖2B中所示，可將蝕刻遮罩層212沈積至半導體晶 圓200之第一侧202上，侧停止層21〇的上方。例如，钮: •遮罩層212亦可由二氧化矽及/或氮化矽所構成。蝕刻停止層21~ 毋需使用與敍刻遮罩層212相同的層成分。 5 接著，可將蝕刻遮罩層214沈積至第二側204上。例如， •可利用LPCVD處理來沈積氮化矽蝕刻遮罩層。 現了自半導體晶圓200之第二侧204钱刻開口，以定義微 钃齡通孔。圖2C顯示微通孔216、218，其可形成於先前已形成之 較大腔穴206的對面。微通孔216、218可被蝕刻至蝕刻停止層 10 210。由蝕刻停止層21〇及蝕刻遮罩層212所構成的薄膜Μ?: 219殘邊在腔八2〇6與微通孔216、218之間的區域中。用來產 生微通孔的蝕刻技術可與用來形成腔穴的技術相同。 微通孔可具有不同形狀與不同數目。圖2C顯示了兩個錐形 的微通孔216、218。在另一實施例中，可蝕刻僅一個或多於兩 15個的微通孔，且其具有矩形形狀或其他形狀。 _ 接著，如圖2D中所示，剝除钱刻遮罩層212、214。例如， 可利用反應性離子蝕刻（RIE)來剝除氮化矽蝕刻遮罩層。接著在 熱氧化處理中氧化半導體晶圓200,以在半導體晶圓200的兩側 上形成氧化物219、221的相對厚區域。由蝕刻停止層210所構 20成的薄膜220、222分別殘留在腔穴206與微通孔215、218間。 氧化物膜層219、221係成長至大於薄膜220、222的厚皮。 如圖2E中所示，將薄金屬膜224沈積至半導體晶圓200 的第二側204上。薄金屬膜224應延著微通孔的側邊延伸且覆 蓋薄膜220、222。例如，可由PVD或其他處理沈積銅薄膜(例 12 1376016 如，3-4μηι)。 圖2F中所示，移除薄膜220、222(即，蚀刻停止材料）。 列如’可利用HF(氫氟酸；)鞋刻處理來移除薄膜Mo、a2。較厚 5 10 15 20 3化層2〗9可前在㈣域上以提供電絕緣。由於梦上方之 較尽氧化物219的存在，在移祕刻停止層薄膜220、222的期 間毋需各別的勒刻遮罩。 接著’將薄金屬膜226沈積至第一側2〇2上。薄膜挪可 尤積至微通孔216、218的各別區域上，以形成半導體晶 之兩側間的電接觸。第二侧薄金屬膜224與第-侧薄金 屬膜2%接觸而形成貫穿晶圓之連線228、230。 ，在另一實施例中，薄金屬膜226可沈積至晶圓的第一侧 了在將薄金屬膜224沈積至晶圓的第二侧上之前移除薄 膜 220 、 222 。 在疋成則述之貫穿晶圓金屬連線時，可藉由額外的蝕刻與 沈積步驟將金屬結構形成於半導體晶圓的—或兩侧上，以提供 例如電性内連線及焊墊。 雖然前述之技術使用雙㈣刻（即，自_侧_形成微通 。而自另側姓刻形成較大的腔穴）。在某些應用中可僅自晶 圓的側钕刻貫穿晶圓的開口。例如，可自晶圓的一側(例如， 第一側）蝕刻大腔穴一路到達具有蝕刻停止（例如，Si〇2)層於第 =則亡之晶圓的第二侧。可如上述之方式來施行兩金屬沈積及 餘刻乂子止薄膜的移除（見下圖4A至4D)。 一金屬薄膜亦可用於其他應用。例如，金屬薄膜可用以量測 各納微元件之封裝件的氣密性，微元件如光學裝置、電磁裝置、 13 137-6016 化學裝置、微機械裝置、微機電系統(mems)裝置或微光電機械 系統(MOEME)或其他包含微小、微米與次微米尺寸之元件之裝 置。在一實例中’利用光學輪廓儀(profilometer)來感測到金屬薄 膜的形狀改變。此改變係用來決定藉由將晶圓（或例如在切割後 5日日圓之一部分)黏貼至另一基板所形成之密封圍場(enclosure)中 • 的相對壓力及/或漏率。 此外’雖然薄蝕刻停止層的一應用係用於形成貫穿晶圓的 •^電内連線，但其他應用包含形成電容、電感或其他結構。例如， 可僅部分地（或完全不）移除蝕刻停止層以形成貫穿晶圓的電容 10結構。參照回圖2E，顯示已被沈積至已形成了蝕刻停止材料(例 如，Si〇2)之薄膜220、222之半導體晶圓的一側上的薄金屬膜 224。在不移除薄膜220、222(如圖2F中所示）的情況下，可將 薄金屬膜226直接沈積至厚氧化物219上及薄膜220、222上以 形成電容結構。此類貫通晶圓之電容結構的實例係顯示於圖6 15中。電容結構係由夾置於一對金屬層224、226間的薄氧化層 220(或222)所構成，且係形成於大腔穴2〇6與微通孔216、218 間的邊界處。雖然所示的實施例利用雙側蝕刻處理（以形成大腔 穴及微通孔），但貫穿晶圓的電容結構亦可利用單侧蝕刻處理^ 製造。 20 在其他實施例中，具有貫穿晶圓之内連線的薄金屬膜可受 到圖案化以形成例如電感（例如，線圈）或可移動懸臂之妒置。囷 4A至4E顯示了製造電感或金屬懸臂結構的實^。此處理包; 形成薄Si〇2犧牲薄膜。圖5顯示了金屬懸臂結構328a之實例 的俯視圖；圖6顯示了電感328B之實例的俯視圖。 < S ) 14 1376016 如圖4A中所示，半導體晶圓3〇〇包含第一侧3〇2及第二 側30扣蝕刻遮罩及蝕刻停止層31〇(例如，別〇2及/或凡之& 層）係沈積於晶圓的兩側3〇2、3〇4上，且蝕刻腔穴3〇6貫穿晶圓 300。若使用Si^4作為蝕刻遮罩層，則將其移除。因此，由蝕 5刻停止層310所形成之相對薄的薄膜312殘留在晶圓第二側go# .的表面上。此薄蝕刻停止薄膜312亦延伸越過腔穴306的底部。 接著如圖4B中所示，施行相對較長的熱氧化處理以在矽存 _在的區域上形成厚氧化層319。氡化處理應足夠長俾使所得的氧 化層319比延伸越過腔穴3〇6之底部的薄膜層312更厚。 10 在熱氧化處理之後，如圖4C中所示，將相對薄的金屬膜 3M沈積至晶圓的-側上(例如，第二側）。接著，例如由hf(氣 氟酸)餘刻處理來移除該薄氧化薄膜312。在熱氧化處理期間所 形成之氧化物319的較厚區域可留下來並作為絕緣層。接著如 圖犯中所示，將薄金相326沈積至晶圓的第一側上。沈積在 15晶圓第一侧上的金屬膜326沿著腔穴306的側邊及底部延伸。 Φ 接著如圖4E中所示’腔穴306之底部處的金屬328可被圖 案化以形成如圖5中所示之懸臂結構328A或如圖6中所示之電 感328B。金屬圖案中的開口間隙係以33〇來代表。例如，可利 用標準之微影與濕蝕刻技術來圖案化腔穴底部之金屬328。延著 20腔穴側邊的金屬具有自晶圓之上表面至懸臂結構328八或電感 328它之導線的功能。 圖4Α至4D的技術亦可用以形成經由半導體晶圓中之非密 封通孔334的複數電性内連線。例如，如圖仍中所示在將薄金 屬膜324沈積至晶圓之第一側上後，可圖案化金屬324、326以 < S ) 15 1376016 形成如圖7A中所示之貫穿晶圓的電性内連線332。例如，可利 用標準之微影與濕蝕刻技術來圖案化腔穴底部之金屬324、 326。® 7A之通孔334及貫穿晶圓之内連線332的俯視圖係顯 示於圖7B中。 5 圖4A至4C之技術亦可用以形成經由半導體晶圓中之單一 密封通孔的複數電性内連線。.如圖4C中所示在將薄金屬膜324 沈積至晶圓之一侧上以覆蓋薄介電薄膜312後，在待形成電性 #内連線處選擇性地轉刻該薄介電薄膜，並將薄金屬膜326沈積 至晶圓的第一侧上如圖8A中所示。第一側上的金屬326與介電 10薄膜312文到蝕刻之區域中之第二侧上的金屬324接觸，以形 成經由薄封通孔的電性内連線340。圖9A為選擇性餘刻介電薄 膜312後但在沈積金屬臈326前之半導體晶圓的俯視圖。該圖 顯示了受到選擇性蝕刻之介電薄膜312的剩餘部分及下層金屬 膜324的曝露部分。 15 在沈積薄金屬膜326後，如圖8B中及圖9B之俯視圖所示， 0利用標準之微影與濕钱刻技術來圖案化金屬324、326。例如， 可自晶圓的兩侧來蝕刻金屬膜324、326以定義各個電性内連線 340。内連線340在電性上彼此絕緣。 其他實施例係落入申請專利範圍之範疇中。 20 【圖式簡單說明】 圖1A至1F顯示了利用薄犧牲介電薄膜來形成貫穿晶圓之 内連線之雙側蝕刻製程的實施例。、 圖2A至.2F顯示了利用薄犧牲介電薄膜來形成貫穿晶圓之 16 < S ) 1376016
内連線之雙側軸製程的另-實施例。 圖3顯示了利用薄犧牲介 連線之雙舰刻製程的—實例。㈣㈣成貝穿晶圓之電容内 圖4A至4E顯示了利用薄犧牲介 構或電感之單彳祕程的實施例。㈣私成金屬懸臂結 ^示根據圖4八至牝之製程之金屬懸臂結構的俯視圖。 圖6，.，、員不_根據圖4八至4£之製程之電感的俯視圖。 圖7A顯示了經由半導體晶圓中之單一開口而形成之複數 性内連線的實例。 圖7B顯示了圖7A之貫穿晶圓之内連線的俯視圖。 圖8A及8B顯示了經由單一密封通孔而形成複數電性内連 線的處理步驟。 圖9A及9B顯示了與圖8A及8B之處理相關之電性内連線 的俯視圖。 U【主要元件符號說明】 1〇〇 :半導體晶圓 102 :第一侧 104 :第二侧 2〇 106 :微通孔 107 :底部 108 :微通孔 109 :底部 110 :餘刻停止層 < S ) 17 1376016 112 ： 蝕刻遮罩層 114 : 钱刻遮罩層 116 ： 腔穴 118 : 氧化物 •5 120 ： 薄膜 122 ： 薄膜 124 ： 薄金屬膜 雜 126 ： 貫穿晶圓之連接 128 ： 貫穿晶圓之連接 10 130 ： 薄金屬膜 132 ： 金屬薄膜 134 ： 金屬薄膜 200 ： 半導體晶圓 202 ： 第一侧 15 204 ： 第二側 206 ： 腔穴 _ 208 ： 薄矽膜 210 : 钱刻停止層 212 ： 钱刻遮罩層 20 216 ： 微通孔 217 ： 薄膜 218 ： 微通孔 219 ： 氧化物 220 ： 薄膜 1376016 221 :氧化物 222 :薄膜 224 :薄金屬膜 226 :薄金屬膜 」228 :連接 230 :連接 328A :金屬懸臂結構 | 328B :電感 300 :半導體晶圓 ίο 302:第一側 304 :第二側 306 :腔穴 310 :蝕刻停止層 312 :薄膜 15 319 :厚氧化層 326 :薄金屬膜 • 328 :金屬 328A :懸臂結構 328B :電感 20 330 :開口間隙 332 :貫穿晶圓之電性内連線 334 :非密封通孔

Claims (1)

  1. l37*6〇16
    第96135432號申請專利範圍修正本 十、申請專利範圍： 1 :在具有弟一與第二側之半導體晶圓中提供 圓之内連線的方法，此方法包含· 、牙日曰 • 在該晶圓的該第二側中蝕刻-或多個微通孔； 5在該第二側上提供_停止層，其中能刻停止層覆罢 該一或多個微通孔中的表面； 層復| 在該晶圓之該第一側中蝕刻一腔穴至一深度，俾使在已 參蝕刻該一或多個微通孔的區 該腔穴中被曝露； U中的祕刻停止層的部分在 10 在該晶圓之一側上沈積金屬丨 接著自已触刻該一戎容伽佩、文， 停止層之區域； / ®微通孔的該區域移除該餘刻 15 的今的另—側上沈積金屬，俾使沈積於該第一側上 的金屬與沈積於該第二側上的金屬接觸， 多個微通孔的該區域中形成貫穿晶圓的内連線。 含石夕第1項之方法’其中該半導體晶圓包 二蝕刻停止層包含二氧化矽與氮化矽中的至少一 第1項之方法，其中該半導體晶圓包 層/、中㈣刻停止層的步驟包括熱成長一二氧化砍 4.如申請專利範圍第1 大於該—或多個微通孔中之每—者的對應=腔穴的尺寸係 〇503N-A35478YTWF2/noeIle 20 1376016
    第96135432號申請專利範圍修正本 5·如申請專利範圍第i項之方法，其中該晶圓之該第一 側中的該腔穴被軸至—深度，俾曝露該腔穴中該 層的薄膜。 奸疋 6. 如申請專利範圍第1項之方法，包括： 微深度，俾使該腔穴之深度與該—或多個 微通孔之平均深度的總和超過該晶圓的總厚度。 7. 如申請專利範圍第1項之方法，包括Γ 。在將金屬沈積至該晶圓之該_側上之前，在該曰 圓的表面上提供一絕緣層。 肢曰曰 8. 如申請專利範圍第1項之方法，包括： 在飯刻該苐一側中之号r批A + Μ 第m之該腔八之後在該晶圓的該第一與 續㈣二=中氧:層’俾使，停止層的部分持 層的厚度；及” ά化層的厚度係大於該《刻停止 15 20 二 使用，劑， 9.如申請專利範圍第8項之方法，包括. 熱成長該氧化層。 沄匕括. Ϊ0.如申睛專利範圍第8項 至少為該餘刻停止層之厚度的法’其中遠氣化層的厚度 11. 一種在具有第—鱼 。 晶圓之内連線的方法，該方法'^之半導體晶圓中提供貫穿 在該晶圓的該第一侧中蝕腔穴； 〇503N-A35478YTWF2/noel|e 21 1376016
    J 第96135432號申請專利範園修正本 在該晶圓之該第-側上提供_停止層，其中該钱刻停 止層覆蓋該腔穴中的表面； 5 10 15 20 在該晶圓之該第二側中則—或多個微通孔至一深 度，俾使該一或多個微通孔到達該姓刻停止層； 在該晶圓之一側上沈積金屬； 停止該一或多個微通孔的該區域移除該韻刻 的八ίΓ晶圓的另Γ側上沈積金屬，俾使沈積於該第一側上 少二：沈積於該第二側上的金屬接觸，而在已蝕刻該-或 夕们微通孔的該區域中形成貫穿晶圓的内連線。 / 12. 如申請專利範圍第u 丄 包含矽，^ β 項之方法，其中該半導體晶圓 ^石夕且該钱刻停止層包含二氧化石夕與氮化石夕中的至少— 13. 如申請專利範圍第u 包含矽，且IΦ捭投紅*丨产 具中5亥+導體晶圓 石夕層。㈣齡止層的步驟包含熱絲-二氧化 14. 如申請專利範圍第u項之 係大於該-或多個微通孔中之每—者的對應尺=腔穴的尺寸 15. 如申明專利範圍第u項之方法，1中节 通孔被钱刻至-深度，俾曝露該 ^ 了或夕個微 膜。 中該敍刻停止層的薄 16. 如申請專利範圍第U項之方法，包括. 在將金屬沈積至該晶圓之該— 側上之前，在該半導體晶 0503N-A35478YTWF2/noelle 22 第
    96135432號申請專利範圍修正本 圓的表面上提供一絕緣層。 P·如申凊專利範圍第u 導體晶圓巾在具有第一與第二側之半 供貝穿晶圓之内連線的方法，包括： 與第二側上選擇性地^微通孔之後在該晶圓的該第一 二=:=:::=使“，- 包括 18. 如申請專利範圍第丨了項之方法 熱成長該氧化層。 其中該氧化層的厚 19. 如申請專利範圍第17項之方法 度至少為該蝕刻停止層之厚度的三倍。 BF1 、種在具有第—與第二側之半導體晶圓中提供貫穿 日日圓之内連線的方法，該方法包含： 、 在該晶圓的該第二側上提供—银刻停止層； 在該晶圓之該第一側為丨 層之部分； 側上蝕刻一開口以曝露該蝕刻停止 在該晶圓之一側上沈積金屬； 接著移除該開口之該钱刻停止層的區域；及 ^該晶圓的另-側上沈積金屬，俾使沈積於該第一側上 =，：·!積於該第二側上的金屬接觸，而在已钱刻該開口 的該區域中形成貫穿晶圓的内連線。 0503N-A35478YTWF2/noelle 23 1376016
    ^ 第96135432號申請專利範圍修正本 21. 如申請專利範圍第2〇項之方法，包括： BB 在將金屬沈積至該晶圓之該一側上之前，在 圓的表面上提供一絕緣層。 導體 22. 如申請專利範圍第2〇項之方法，包括： ^刻該第—側中之該開口之後在該晶圓的該第—盘 墙力却楚千使这蝕刻停止層的部分持 ,在該弟一側之該腔穴中曝露，其 f 該姓刻停止層㈣度；纟 4化層的厚度係大於 10 刻劑: = : =層的部分包括使用，劑，此钱 d釗蚀到忒蝕刻停止層與該氧化層兩者。 B 在具有第—與第二側之半導體晶圓中提供貫穿 日曰51之結構的方法，該方法包含： ，、牙 =半導體晶圓之第二側上形成一犧牲薄膜 固之泫弟一側具有一腔穴，使得該 二"日日 15被暴露出來； 馈牲，專膜在该腔穴的部分 • 在該晶圓之-側上沈積金屬以覆%、锯 晶圓之該—侧的曝露部分； 一犧I專膜面向該 牲薄膜面向該晶圓之另一側的 在該晶圓的該另-側上沈積金及 2〇屬接觸。 蜀以興先月ϋ已沈積之金 24. 如申請專利範圍第23項之 含二氧化碎與I化♦中的至少—者中。犧牲薄膜包 25. 如申請專利範圍第23項 方法，其中移除該犧牲薄 〇503N-A35478YTWF2/noel!e 24 丄 j/omo 第96b54j2號申請專利範圍修正本 100年12月23日修正替換頁 膜的曝露部分包括蝕刻該曝露部分。 26.如申請專利範圍第23項之方法，包括 圖案化該金屬以形成一電感。 5 27.如申請專利範圍第23項之方法，包括： 圖案化該金屬薄膜以形成可移動之一懸臂結構。 向專利範圍第23項之方法，其中該犧牲薄膜面 該另—側的該曝露部分僅部分受到移除，此 更包括： 10 圖案化該金屬以形成經由該半 孔的複數電性内連線。 導體晶圓之單一氣密通
    二歡半導體㈣中提供電容 在該晶圓的該第二侧中關—或多個微通孔； 15 “在該第二侧上提供—㈣停止層，其中該㈣停止層覆 蓋該一或多個微通孔中的表面； 在該晶圓的該第-侧中_ —腔穴至一較，俾使該一 或多個微通孔受職刻的區域中該㈣停止層的部分在兮 腔穴中曝露；及 〜 在該晶圓的兩側上沈積金屬，以形成-電容結構，此龄 20構包含該钱刻停止層被夹置於該金屬膜層間的部分。、。 30.-種在具有第一與第二側之半導體晶圓中提供電 結構的方法，該方法包含： 在戎晶圓的該第一侧中姓刻一腔穴； 0503N-A35478YTWF2/noelle 25 1376016
    / 第96135432號申請專利範圍修正本 在該晶圓的該第一側上提供一蝕刻停止層，其中該蝕刻 停止層覆蓋該腔穴中的表面； 在该晶圓的該第二側中蝕刻一或多個微通孔至一深 度，俾使該一或多個微通孔到達該蝕刻停止層；及 在该晶圓的兩側上沈積金屬，以形成一電容結構，此結 構包含該姓刻停止層被夹置於該金屬膜層間的部分。 31. 種半導體結構的形成方法，包含： 提供-具有第—與第二側之半導體晶圓，其中該晶圓的 5亥弟一側具有一腔穴； 在該第二側上提供犧牲薄膜，使得該犧牲薄膜 在该腔八的部分被暴露出來； 曰圓ί:晶二Γ側上沈積金屬以覆蓋該犧牲薄膜面向該 曰日圓之§玄一側的曝露部分； 15 20 V今該犧牲薄膜面向該晶圓之另—側的曝露部分，俾使 以金屬的至少一部分形成金屬薄膜。 32. 如申請專利範圍第31項之方法，包括： 圖案化該金屬薄膜以形成一電感。 33. 如申請專利範圍第31項之方法，包括： 圖案化δ亥金屬薄腊〇 W々 W 一… 成移動之一懸臂結構。 .種谷肩微元件之封裝件的製造方法 提供一且右笛—t 表艳方法，该方法包含： 、八有弟—與第二側之半導體a曰圓，甘^ 該第一側具有一腔穴； 遐阳圓其中該晶圓的 在該晶圓的該第二側上提供 肤便侍该犧牲薄膜 〇5〇3N-A35478YTWF2/noe!!e 26 1376016 第96135432號申請專利範園修正本 在該腔穴的部分被暴露出來； 在該晶圓的一側上沈積金屬 晶圓之該一側的曝露部分； 100年12月23曰修正替換頁 以覆盖該犧牲薄膜面向該 移除該犧牲薄膜面向該晶圓之另 該金屬的至少一部分形成金屬薄膜； 利用具有該金屬薄膜之該半導 微元件之該封t件的-部分；及 日日®作為用以容納該 利用該金屬薄膜來評估該封裳件的氣 的氣3密5二：專利範圍第34項之方法’其中評估該封裝件 的亂松性的㈣包含了感義金屬_之形狀改變。 36.如申請專利範圍第35項之方法，包括： 利用該形狀改變來決定相對壓力或洩漏率。 側的曝露部分，俾使 鲁 0503N.A35478YTWF2/noe!le 27 A
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