TW201640998A - 電磁波遮蔽薄膜 - Google Patents

Abstract

電磁波遮蔽薄膜係具備有：具有凹凸的導電性的遮蔽層(110)、及被覆凹凸的接著劑層(120)。凹凸的最大山高度的值係大於接著劑層(120)的厚度。

Description

電磁波遮蔽薄膜

本揭示係關於電磁波遮蔽薄膜及其製造方法、遮蔽印刷配線板。

近年來，在智慧型手機或平板型資訊終端機係圖求高速傳送大容量資料的性能。為高速傳送大容量資料，必須使用高頻訊號。但是，若使用高頻訊號，由設在印刷配線板的訊號電路發生電磁波雜訊，周邊機器容易錯誤動作。為防止如上所示之錯誤動作，將印刷配線板遮蔽電磁波乃極為重要。

以遮蔽印刷配線板的方法而言，檢討使用具有遮蔽層及導電性接著劑層的電磁波遮蔽薄膜(參照例如專利文獻1~3)。

該等電磁波遮蔽薄膜係將導電性接著劑層，與設在被覆印刷配線板之接地電路的絕緣層的開口部相疊合，進行加熱加壓，在開口部填充導電性接著劑。藉此，遮蔽層與印刷配線板的接地電路透過導電性接著劑而相連接，且遮蔽印刷配線板。

〔先前技術文獻〕 〔專利文獻〕

[專利文獻1]日本特開2004-095566號公報

[專利文獻2]WO2006/088127號小冊

[專利文獻3]WO2009/019963號小冊

但是，若導電性接著劑層所含有的導電性粒子的導電率低，遮蔽層與接地電路之間的連接電阻會增大，成為使遮蔽特性降低的要因。因此，在遮蔽薄膜的導電性接著劑層係使用銀粉或覆銀銅粉等導電率高的導電性粒子，但是由於使用銀等，因此有原材料成本增加的問題。此外，隨著印刷配線板的構裝密度提高，呈現設在被覆接地電路的絕緣層的開口部的直徑亦變小的傾向。若開口部直徑變小，亦會有大量含有導電性粒子的導電性接著劑層難以被填充在開口部的問題。

此外，在智慧型手機或平板型資訊終端機，薄型化輕量化的要求漸高，圖求使電磁波遮蔽薄膜更薄。但是，若具有導電性接著劑層，係難以使電磁波遮蔽薄膜更薄。

本揭示之目的在可實現即使在接著劑層不使用導電性粒子的情形下，亦為遮蔽特性良好的電磁波遮蔽 薄膜及其製造方法以及遮蔽印刷配線板。

本揭示之電磁波遮蔽薄膜之一態樣係具備有：具有凹凸的導電性的遮蔽層；及被覆凹凸的接著劑層，凹凸的最大山高度的值係大於接著劑層的厚度。

在電磁波遮蔽薄膜之一態樣中，亦可凹凸的最大山高度形成為20μm以下。

在電磁波遮蔽薄膜之一態樣中，亦可凹凸的最大山高度形成為4μm以上。

電磁波遮蔽薄膜之一態樣亦可在遮蔽層之與接著劑層為相反側的面具備有保護層。

在電磁波遮蔽薄膜之一態樣中，亦可保護層係遮蔽層側的面的最大山高度的值為接著劑層的厚度以上、20μm以下。

在電磁波遮蔽薄膜之一態樣中，亦可保護層係含有粒徑為1μm以上、20μm以下的粒子。

在電磁波遮蔽薄膜之一態樣中，亦可接著劑層係絕緣性。

電磁波遮蔽薄膜之製造方法之一態樣係具備有：準備保護層的工程；在保護層之上形成具有凹凸的導電性的遮蔽層的工程；及形成厚度比遮蔽層的最大山高度的值為更薄，而且被覆凹凸的接著劑層的工程。

在電磁波遮蔽薄膜之製造方法之一態樣中， 準備保護層的工程係可形成為在表面具有最大山高度為4μm以上、20μm以下的凹凸的保護層的工程。

在電磁波遮蔽薄膜之製造方法之一態樣中，亦可準備保護層的工程係在支持基材之上，塗佈含有樹脂組成物與粒子的保護層用組成物而使其硬化的工程，粒子的粒徑為1μm以上、20μm以下。

在電磁波遮蔽薄膜之製造方法之一態樣中，亦可準備保護層的工程係包含：在支持基材之上形成樹脂層的工程；及在樹脂層形成凹凸的工程。

在電磁波遮蔽薄膜之製造方法之一態樣中，亦可形成凹凸的工程係包含：將樹脂層進行壓花加工處理的工程。

在電磁波遮蔽薄膜之製造方法之一態樣中，亦可形成凹凸的工程係包含：將樹脂層進行噴粒處理的工程。

在電磁波遮蔽薄膜之製造方法之一態樣中，亦可準備保護層的工程係包含：在表面具有凹凸的支持基材之上形成樹脂層的工程。

在電磁波遮蔽薄膜之製造方法之一態樣中，亦可形成接著劑層的工程係在遮蔽層之上塗佈接著劑用組成物的工程。

本揭示之遮蔽印刷配線板係具備有：本揭示之電磁波遮蔽薄膜；及印刷配線板，其係具有：設有訊號電路及接地電路的基底層、及設有露出接地電路的至少一 部分的開口部的絕緣層，電磁波遮蔽薄膜、及印刷配線板係使接著劑層及絕緣層相對向而予以接著，遮蔽層的凸部係穿過接著劑層而與由開口部露出的接地電路相接。

藉由本揭示之電磁波遮蔽薄膜，可提供即使在接著劑層未使用導電性粒子的情形下，亦為遮蔽特性良好的電磁波遮蔽薄膜。

100‧‧‧電磁波遮蔽薄膜

110‧‧‧遮蔽層

110a‧‧‧凸部

110b‧‧‧凹部

120‧‧‧接著劑層

130‧‧‧保護層

132‧‧‧樹脂組成物

133‧‧‧粒子

140‧‧‧支持基材

200‧‧‧印刷配線板

210‧‧‧基底層

220‧‧‧印刷電路

220A‧‧‧訊號電路

220B‧‧‧接地電路

230‧‧‧絕緣層

300‧‧‧遮蔽印刷配線板

圖1係顯示一實施形態之電磁波遮蔽薄膜的剖面圖。

圖2(a)~(c)係以工程順序顯示一實施形態之電磁波遮蔽薄膜之製造方法的剖面圖。

圖3係顯示一實施形態之遮蔽印刷配線板的剖面圖。

(電磁波遮蔽薄膜)

如圖1所示，一實施形態之電磁波遮蔽薄膜100係具備有：具有由凸部110a及凹部110b所成之凹凸的導電性的遮蔽層110；及與遮蔽層110的第1面相接而設的接著劑層120。遮蔽層110的凸部110a係被接著劑層120所被覆。遮蔽層110的凸部110a的至少一部分係當將電磁 波遮蔽薄膜100加壓在印刷配線板進行黏貼時，穿過接著劑層120。

藉由形成為如上所示之構成，藉由將電磁波遮蔽薄膜100加壓在印刷配線板進行黏貼，可將遮蔽層110的凸部110a的至少一部分與印刷配線板的接地電路相連接。在將電磁波遮蔽薄膜100黏貼在印刷配線板之前，由於遮蔽層110的凸部110a不由接著劑層120突出，因此可將電磁波遮蔽薄膜100輕易地暫貼在印刷配線板。此外，亦可抑制在接著劑層120與印刷配線板之間發生氣泡。此外，在黏貼在印刷配線板之前，遮蔽層110的凸部110a被接著劑層120所被覆，因此凸部110a的表面不易被氧化，導電性不易降低。

在將電磁波遮蔽薄膜100加壓在印刷配線板進行黏貼時，為使遮蔽層110的凸部110a的至少一部分穿過接著劑層120，若使遮蔽層的凹凸的最大山高度(Rp)的值大於接著劑層120的厚度(t)即可。藉由形成為t<Rp，凸部110a充分穿過接著劑層120，可將凸部110a及接地電路良好地連接。藉此，遮蔽薄膜與接地電路之間的電阻值變小，可得良好的遮蔽性。

最大山高度(Rp)的值係若大於接著劑層120的厚度(t)即可，惟以形成為4μm以上為佳。藉由將Rp的值形成為4μm以上，當將遮蔽薄膜加壓在印刷配線板進行黏貼時，凸部110a可容易穿過接著劑層120。藉此，可減小電磁波遮蔽薄膜100與接地電路之間的電阻 值，而得良好的遮蔽特性。此外，為了進行與印刷配線板的良好接著，可設置充分厚度的接著劑層120。

Rp並未特別限定，惟以20μm以下為佳。藉由將Rp設為20μm以下，可使電磁波遮蔽薄膜100的厚度變薄。此外，變得容易確保接著劑層120的表面平坦性，當將電磁波遮蔽薄膜100加壓在印刷配線板進行黏貼時，電磁波遮蔽薄膜100與印刷配線板的接著力較為良好。其中，本發明中的最大山高度(Rp)的值係依據實施例所示之JIS B0651：2001而測定出的值。

接著劑層120的厚度只要可被覆遮蔽層110的凸部110a，以儘可能薄為佳，以3μm以上為佳，較佳為4μm以上，接著較佳為10μm以下，更佳為7μm以下。若接著劑層120的厚度為3μm以上，即使在遮蔽層110的凹凸的Rp的值較大的情形下，亦在將電磁波遮蔽薄膜100黏貼在印刷配線板之前，可使遮蔽層110的凸部110a不會由接著劑層120突出。因此，可抑制空氣混入至接著劑層120與印刷配線板之間，可得良好的接著力。此外，若為10μm以下，可使電磁波遮蔽薄膜100變薄，並且可使遮蔽層110的凸部110a確實地與印刷配線板的接地電路相連接。

在遮蔽層110之與接著劑層120為相反側的第2面係可視需要設置保護層130。保護層130係可藉由絕緣性的樹脂材料等形成。若設置保護層130，係在保護層130的遮蔽層110側的面設置凹凸，藉此可在遮蔽層 110的第1面輕易地形成凸部110a。若在保護層130的表面設置凹凸，若將保護層130的表面的Rp設為接著劑層的厚度以上，較佳為4μm以上，且為20μm以下即可。藉由形成為如上所示之構成，可將遮蔽層110的第1面的Rp輕易地形成為4μm以上、20μm以下。

<遮蔽層>

遮蔽層110係可形成為金屬膜或由導電性粒子所成之導電膜等。金屬膜係可藉由例如鎳、銅、銀、錫、金、鈀、鋁、鉻、鈦或鋅或含有該等任1個以上的合金等所形成。以形成金屬膜的方法而言，係可使用例如壓延法、電解鍍敷法、無電解鍍敷法、濺鍍法、電子束蒸鍍法、真空蒸鍍法、CVD法、或金屬有機法等。

導電性粒子係可形成為例如碳、銀、銅、鎳、焊料、或對銅粉施行銀鍍敷的覆銀銅粒子等。此外，亦可使用在樹脂球或玻璃珠等絕緣性粒子施行金屬鍍敷的粒子。該等導電性粒子係可單獨使用，亦可混合使用2個以上。

導電性粒子的形狀亦可為球狀、針狀、纖維狀、片狀、或樹枝狀的任意者，由形成為層狀的觀點來看，以片狀為佳。

導電性粒子的粒徑並未特別限定，由使遮蔽層110變薄的觀點來看，可形成為0.1μm以上、10μm以下。

遮蔽層110的厚度係若按照所被要求的電磁波遮蔽特性及反覆彎曲‧滑動耐性而適當選擇即可，可形成為0.1μm以上、10μm以下程度的厚度。

<接著劑層>

接著劑層120可形成為絕緣性，亦可形成為導電性。由填充在小徑的開口部的觀點來看，係以將接著劑層120形成為絕緣性為佳。藉由將接著劑層120形成為未包含金屬粒子等導電性填料之層，亦可得可將接著劑層120的厚度變更薄的優點。

接著劑層120並未特別限定，可使用：苯乙烯系樹脂組成物、乙酸乙烯系樹脂組成物、聚酯系樹脂組成物、聚乙烯系樹脂組成物、聚丙烯系樹脂組成物、醯亞胺系樹脂組成物、醯胺系樹脂組成物、或丙烯酸系樹脂組成物等熱可塑性樹脂組成物、或酚系樹脂組成物、環氧系樹脂組成物、胺甲酸乙酯系樹脂組成物、三聚氰胺系樹脂組成物、或醇酸系樹脂組成物等熱硬化性樹脂組成物等。該等可單獨使用，亦可併用2種以上。

在接著劑層120，亦可視需要含有：硬化促進劑、賦黏劑、抗氧化劑、顏料、染料、可塑劑、紫外線吸收劑、消泡劑、均染劑、填充劑、阻燃劑、及黏度調節劑等至少一者。

接著劑層120的厚度並未特別限定，可視需要作適當設定，可為3μm以上，較佳為4μm以上、10μm 以下，較佳為7μm以下。藉由將接著劑層120的厚度形成為3μm以上，在將電磁波遮蔽薄膜100黏貼在印刷配線板之前，可使遮蔽層110的凸部110a不會由接著劑層120突出，可抑制空氣混入至與印刷配線板之間。此外，藉由將接著劑層120的厚度形成為10μm以下，可使遮蔽薄膜變薄，並且可使遮蔽層的凸部確實地與印刷配線板的接地電路相連接。

<保護層>

本實施形態之電磁波遮蔽薄膜亦可具有保護層130。保護層130若滿足可保護遮蔽層110的預定的機械強度、耐藥品性及耐熱性等即可。保護層130若具有充分的絕緣性且可保護接著劑層120及遮蔽層110，即未特別限定，可使用例如熱可塑性樹脂組成物、熱硬化性樹脂組成物、或活性能量線硬化性組成物等。

以熱可塑性樹脂組成物而言，並未特別限定，可使用苯乙烯系樹脂組成物、乙酸乙烯系樹脂組成物、聚酯系樹脂組成物、聚乙烯系樹脂組成物、聚丙烯系樹脂組成物、醯亞胺系樹脂組成物、或丙烯酸系樹脂組成物等。以熱硬化性樹脂組成物而言，並未特別限定，可使用酚系樹脂組成物、環氧系樹脂組成物、胺甲酸乙酯系樹脂組成物、三聚氰胺系樹脂組成物、或醇酸系樹脂組成物等。以活性能量線硬化性組成物而言，並未特別限定，可使用例如在分子中具有至少2個(甲基)丙烯醯氧基的聚合 性化合物等。保護層130係可藉由單獨的材料形成，亦可由2種以上的材料形成。

在保護層130，亦可視需要含有：硬化促進劑、賦黏劑、抗氧化劑、顏料、染料、可塑劑、紫外線吸收劑、消泡劑、均染劑、填充劑、阻燃劑、黏度調節劑、及抗結塊劑等至少1個。

保護層130亦可為材質或硬度或彈性率等物性不同的2層以上的積層體。例如，若形成為硬度低的外層、與硬度高的內層的積層體，由於外層具有緩衝效應(cushion effect)，因此可緩和在將電磁波遮蔽薄膜100加熱加壓在印刷配線板的工程中施加至遮蔽層110的壓力。因此，可藉由設在印刷配線板的段差來抑制遮蔽層110被破壞。

保護層130的厚度並未特別限定，可視需要作適當設定，可形成為1μm以上，較佳為4μm以上，且為20μm以下，較佳為10μm以下，更佳為5μm以下。藉由將保護層130的厚度形成為1μm以上，可充分保護接著劑層120及遮蔽層110。藉由將保護層130的厚度形成為20μm以下，可確保電磁波遮蔽薄膜100的彎曲性，可輕易地對被要求彎曲性的構件適用電磁波遮蔽薄膜100。

藉由在保護層130的遮蔽層110側的表面設置凹凸，可在遮蔽層110的表面輕易形成凸部110a。此時，保護層130的遮蔽層110側的表面的Rp較佳為形成為接著劑層的厚度以上，較佳為4μm以上，且為20μm以 下。

若在保護層130的表面設置凹凸，可將保護層130形成為含有粒子之層。藉由添加粒子，可在保護層130的表面輕易形成凹凸。

添加在保護層130的粒子並未特別限定，可使用周知的粒子。可使用例如矽石或鋁土等無機粒子、或樹脂粒子等。

添加在保護層130的粒子的平均粒徑係可按照形成在表面的凹凸的大小來決定，可為1μm以上，較佳為4μm以上，且為20μm以下，較佳為15μm以下，更佳為10μm以下。藉由將粒子的平均粒徑形成為1μm以上，可加大保護層130的表面的凹凸，在加熱加壓工程中，遮蔽層110可輕易穿過接著劑層120。藉由將粒子的平均粒徑形成為20μm以下，可得可使保護層130的厚度變薄的優點。

添加在保護層130的微粒子的量係可按照保護層130的厚度、形成在表面的凹凸的大小等來決定，惟相對於形成保護層130的樹脂組成物與微粒子的合計，可形成為1質量%以上，較佳為5質量%以上，且為30質量%以下，較佳為20質量%以下。藉由將微粒子形成為1質量%以上，可在保護層130的表面形成充分數量的凸部。藉由將微粒子形成為30質量%以下，可抑制凸部彼此相連而凹凸變得平緩的情形。

添加在保護層130的微粒子的形狀並未特別 限定，可為球狀、針狀、纖維狀、片狀、及樹枝狀的任意者，惟由在保護層130的表面輕易形成具有凹凸的遮蔽層110的觀點來看，係以球狀為佳。

以在保護層130的表面設置凹凸的方法而言，亦可使用噴粒加工、電漿照射、電子線照射、藥劑處理或壓花加工等。

(電磁波遮蔽薄膜之製造方法)

以下說明電磁波遮蔽薄膜100之製造方法之一例。本實施形態之電磁波遮蔽薄膜100之製造方法並非限定為以下方法。

<保護層的形成>

首先，如圖2(a)所示，在支持基材140之上塗佈保護層用組成物而形成保護層130。保護層用組成物係可在樹脂組成物132適量添加粒子133、溶劑及其他摻合劑來調製。粒子133並未特別限定，可使用周知的微粒子。以如上所示之粒子而言，可形成為例如矽石或鋁土等無機粒子、或樹脂微粒子等。粒子133的平均粒徑可形成為1μm以上，較佳為4μm以上，且為20μm以下，較佳為15μm以下，更佳為10μm以下。粒子133的摻合量係相對於樹脂組成物132與粒子133的合計，可形成為1質量%以上，較佳為5質量%以上，接著30質量%以下，較佳為20質量%以下。溶劑係可形成為例如甲苯、丙酮、甲 基乙基酮、甲醇、乙醇、丙醇及二甲基甲醯胺等。以其他摻合劑而言，可添加交聯劑或聚合用觸媒、硬化促進劑、及著色劑等。其他摻合劑若視需要添加即可，亦可不添加。

接著，在支持基材140的單面塗佈上述所調製的保護層用組成物。以在支持基材140的單面塗佈保護層用組成物的方法而言，並未特別限定，可採用唇式塗敷、缺角輪塗敷(Comma Coating)、凹版塗敷、狹縫式塗敷等周知技術。

支持基材140係可形成為例如薄膜狀。支持基材140並未特別限定，可藉由例如聚烯烴系、聚酯系、聚醯亞胺系、聚苯硫醚系等材料來形成。亦可在支持基材140與保護層用組成物與之間設置脫模劑層。

在支持基材140塗佈保護層用組成物之後，進行加熱乾燥而將溶劑去除，藉此形成在表面具有凹凸形狀的保護層130。支持基材140係可由保護層130剝離。支持基材140的剝離係可在將電磁波遮蔽薄膜100黏貼在印刷配線板之後進行。若如上所示，可藉由支持基材140來保護電磁波遮蔽薄膜100。

亦可取代以上方法，使用表面為平坦的形狀的支持基材，形成表面為平坦的保護層之後，在保護層的表面形成凹凸形狀。凹凸形狀係可藉由噴粒處理、利用電漿照射或電子線照射等所為之乾式蝕刻處理、利用藥劑處理等所為之濕式蝕刻處理或壓花加工等來進行。

例如，在噴粒處理中，係可對支持基材的表面噴吹乾冰等而賦予凹凸形狀。在壓花加工中，係可在支持基材的表面，按壓具有凹凸形狀的鑄型而賦予凹凸形狀。

此外，亦可取代以上方法，在表面具有凹凸形狀的支持基材的表面塗佈、乾燥保護層用組成物，藉此形成在表面具有凹凸形狀的保護層。

<遮蔽層的形成>

接著，如圖2(b)所示，形成在表面具有凸部110a的遮蔽層110。在表面具有凸部110a的遮蔽層110係可藉由在具有凹凸形狀的保護層130的表面，形成厚度為0.1μm~10μm程度的金屬膜而輕易形成。金屬膜的形成係可藉由電解鍍敷法、無電解鍍敷法、濺鍍法、電子束蒸鍍法、真空蒸鍍法、CVD法、或金屬有機法等來進行。

其中，若藉由電解鍍敷法或無電解鍍敷法形成金屬膜，可在金屬膜的表面形成樹枝狀的微小凹凸。因此，可更加確實進行遮蔽層110與印刷配線板的接地電路的連接。

遮蔽層亦可藉由將含有導電性粒子的導電性糊膏塗敷在具有凹凸的保護層的表面來形成。此時，可視需要，進行塗敷層的燒成等。

在平坦的保護層之上形成金屬膜之後，亦可藉由使金屬膜的表面粗糙，來形成具有凹凸的遮蔽層。此 外，亦可藉由壓花加工，將銅箔加工成凹凸形狀，藉此形成具有凹凸的遮蔽層。此時，亦可形成不具保護層的電磁波遮蔽薄膜。

<接著劑層的形成>

接著，如圖2(c)所示，在遮蔽層110之上塗佈接著劑層用組成物，而形成接著劑層120。接著劑層用組成物係包含樹脂組成物及溶劑。樹脂組成物並未特別限定，可形成為：苯乙烯系樹脂組成物、乙酸乙烯系樹脂組成物、聚酯系樹脂組成物、聚乙烯系樹脂組成物、聚丙烯系樹脂組成物、醯亞胺系樹脂組成物、醯胺系樹脂組成物、或丙烯酸系樹脂組成物等熱可塑性樹脂組成物、或酚系樹脂組成物、環氧系樹脂組成物、胺甲酸乙酯系樹脂組成物、三聚氰胺系樹脂組成物、或醇酸系樹脂組成物等熱硬化性樹脂組成物等。該等可單獨使用，亦可併用2種以上。溶劑係可形成為例如甲苯、丙酮、甲基乙基酮、甲醇、乙醇、丙醇及二甲基甲醯胺等。亦可視需要在接著劑層用組成物含有：硬化促進劑、賦黏劑、抗氧化劑、顏料、染料、可塑劑、紫外線吸收劑、消泡劑、均染劑、填充劑、阻燃劑、及黏度調節劑等至少1個。接著劑層用組成物中的樹脂組成物的比率若按照接著劑層120的厚度等作適當設定即可。

接著，在遮蔽層110之上塗佈接著劑層用組成物。以在遮蔽層110之上塗佈接著劑層用組成物的方法 而言，並未特別限定，可使用唇式塗敷、缺角輪塗敷、凹版塗敷、或狹縫式塗敷(slot die coating)等。

在遮蔽層110之上塗佈接著劑層用組成物之後，進行加熱乾燥而將溶劑去除，形成接著劑層120。其中，亦可視需要，在接著劑層120的表面貼合脫模薄膜。

電磁波遮蔽薄膜之製造方法並非侷限於上述方法。例如，準備第一支持基材及第二支持基材，在第一支持基材的表面，與上述方法同樣地，塗佈保護層用組成物而形成保護層之後，另外形成遮蔽層。此外，在第二支持基材的表面，與上述方法同樣地，塗佈接著劑層用組成物而形成接著劑層120。接著，亦可使形成在第一支持基材上的遮蔽層及形成在第二支持基材上的接著劑層相對向而相貼合，藉此製作電磁波遮蔽薄膜。

本實施形態之電磁波遮蔽薄膜100係可將接著劑層120形成為絕緣性。此時亦可在接著劑層用組成物未添加導電性填料。但是，接著劑層120亦可為導電性，此時係可在接著劑層用組成物添加導電性填料。在添加導電性填料的情形下，亦由於遮蔽層110與接地電路直接連接，因此與習知之電磁波遮蔽薄膜相比，遮蔽特性較為良好。此外，可比習知之導電性接著劑層更加減低導電性填料的量，亦可減低成本。此外，即使形成在被覆接地電路的絕緣層的開口部的直徑小，亦使接地電路與遮蔽層的連接成為良好。

(遮蔽印刷配線板)

本實施形態之電磁波遮蔽薄膜100係可使用在如以下所示之遮蔽印刷配線板。如圖3所示，遮蔽印刷配線板300係具有：印刷配線板200、及電磁波遮蔽薄膜100。

印刷配線板200係具有：基底層210；形成在基底層210上之包含訊號電路220A及接地電路220B的印刷電路220；及以露出接地電路220B的至少一部分的方式覆蓋基底層210的絕緣層230。

基底層210及絕緣層230亦可為任意者，可形成為例如樹脂薄膜等。此時，可藉由聚丙烯、交聯聚乙烯、聚酯、聚苯并咪唑、聚醯亞胺、聚醯亞胺醯胺、聚醚醯亞胺、或聚苯硫醚等樹脂來形成。印刷電路220係可形成為例如基底層210之上所形成的銅配線圖案等。

電磁波遮蔽薄膜100係將接著劑層120形成為絕緣層230側而與印刷配線板200相接著。遮蔽層110的凸部110a的一部分係穿過接著劑層120而與由絕緣層230露出的接地電路220B相接。因此，即使接著劑層120未含有導電性填料，亦使遮蔽層110與接地電路220B導通，使其發揮優異的遮蔽特性。若在接著劑層120未含有導電性填料，由於在接地電路220B與遮蔽層110之間不存在導電性填料，因此不需要考慮因導電性填料所致之電阻。因此，接地電路220B與遮蔽層110之間的電阻值不會大幅降低，因此顯示良好的遮蔽特性。此外，若接著劑層120未含有導電性填料，可使接著劑層120變薄，且可 使遮蔽印刷配線板300的厚度比習知為更薄。

接著，說明遮蔽印刷配線板300之製造方法。在印刷配線板200之上載置電磁波遮蔽薄膜100，一邊以壓機進行加熱一邊加壓。藉由加熱而變軟的接著劑層120的一部分係藉由加壓而流入至絕緣層230的開口部。此外，藉由加壓，遮蔽層110的凸部110a的至少一部穿過接著劑層120。藉此，遮蔽層110與接地電路220B相連接。在遮蔽層110的凹部，由於在遮蔽層110與印刷配線板200之間存在充分量的接著劑層120，因此電磁波遮蔽薄膜100與印刷配線板200係以充分的強度相接著。

〔實施例〕 <電磁波遮蔽薄膜的形成>

以支持基材而言，使用厚度為60μm且在表面施行脫模處理的PET薄膜。在支持基材之上塗佈包含預定粒徑的矽石粒子、雙酚A型環氧系樹脂及甲基乙基酮的保護層用組成物(固形分量30質量%)，藉由加熱乾燥來形成保護層。接著，藉由在保護層的表面蒸鍍厚度為0.5μm的銀，來形成遮蔽層。接著，在遮蔽層的表面塗佈由環氧系樹脂所成之接著劑而形成預定厚度的接著劑層。

<接著劑層的厚度的測定方法>

將由形成接著劑層之後的電磁波遮蔽薄膜的厚度，減 掉形成接著劑層之前的保護層與遮蔽層的積層體的厚度後的值，設為接著劑層的厚度。其中，各自的厚度係使用測微計((股)M itutoyo製、MDH-25)，依據JIS C 2151來進行測定。

<最大山高度的測定方法>

遮蔽層表面的最大山高度(Rp)係使用Lasertec公司製的共焦點顯微鏡，依據JIS B0651：2001來進行測定。

<連接性的評估>

在印刷配線板的表面暫貼(120℃、0.5MPa、5秒鐘)電磁波遮蔽薄膜之後，進行加熱加壓(170℃、3MPa、30分鐘)而形成遮蔽印刷配線板。在印刷配線板係使用具有：互相隔著間隔而以平行延伸的2個銅箔圖案、及由覆蓋銅箔圖案之厚度為25μm的聚醯亞胺所成之絕緣層者。在絕緣層係設有露出各自的銅箔圖案的開口部。開口部的直徑係設為1mm。藉由電阻計測定2個銅箔圖案之間的電阻值，藉此評估銅箔圖案與電磁波遮蔽薄膜的連接性。若電阻為未達0.4Ω，連接性為良好。

(實施例1)

將添加在保護層用組成物的粒子形成為粒徑4μm的矽石(電氣化學工業(股)製、FB-5SDC)，矽石的含量係相對樹脂組成物與矽石的合計，形成為15質量%。所 得的保護層的厚度為6μm。遮蔽層表面的最大山高度為4.5μm。接著劑層的厚度係形成為3μm。電阻值為0.1Ω。

(實施例2)

將添加在保護層用組成物的粒子形成為粒徑9μm的矽石(電氣化學工業(股)製、FB-12D)，矽石的含量係相對樹脂組成物與矽石的合計，形成為5質量%。所得的保護層的厚度為7μm。遮蔽層表面的最大山高度為5.2μm。接著劑層的厚度係形成為3μm。電阻值為0.2Ω。

(實施例3)

除了將接著劑層的厚度形成為5μm以外係與實施例2為相同。電阻值為0.2Ω。

(實施例4)

將添加在保護層用組成物的粒子形成為粒徑9μm的矽石(電氣化學工業(股)製、FB-12D)，矽石的含量係相對樹脂組成物與矽石的合計，形成為15質量%。所得的保護層的厚度為11μm。遮蔽層表面的最大山高度為9.1μm。接著劑層的厚度係形成為3μm。電阻值為0.1Ω。

(實施例5)

除了將接著劑層的厚度形成為5μm以外係與實施例4為相同。電阻值為0.1Ω。

(實施例6)

除了將接著劑層的厚度形成為8μm以外係與實施例4為相同。電阻值為0.1Ω。

(實施例7)

將添加在保護層用組成物的粒子形成為粒徑14μm的矽石(電氣化學工業(股)製、FB-940)，矽石的含量係相對樹脂組成物與矽石的合計，形成為5質量%。所得的保護層的厚度為16μm。遮蔽層表面的最大山高度為8.7μm。接著劑層的厚度係形成為3μm。電阻值為0.2Ω。

(實施例8)

除了將接著劑層的厚度形成為5μm以外係與實施例7為相同。電阻值為0.2Ω。

(實施例9)

除了將接著劑層的厚度形成為8μm以外係與實施例7為相同。電阻值為0.1Ω。

(實施例10)

將添加在保護層用組成物的粒子形成為粒徑14μm的矽石(電氣化學工業(股)製、FB-940)，矽石的含量係相對樹脂組成物與矽石的合計，形成為15質量%。所得 的保護層的厚度為20μm。遮蔽層表面的最大山高度為16.3μm。接著劑層的厚度係形成為3μm。電阻值為0.1Ω。

(實施例11)

除了將接著劑層的厚度形成為5μm以外係與實施例10為相同。電阻值為0.1Ω。

(實施例12)

除了將接著劑層的厚度形成為8μm以外係與實施例10為相同。電阻值為0.1Ω。

(實施例13)

將添加在保護層用組成物的粒子形成為粒徑14μm的矽石(電氣化學工業(股)公司製、FB-940)，矽石的含量係相對樹脂組成物與矽石的合計，形成為25質量%。所得的保護層的厚度為20μm。遮蔽層表面的最大山高度為14.6μm。接著劑層的厚度係形成為3μm。電阻值為0.2Ω。

(實施例14)

除了將接著劑層的厚度形成為5μm以外係與實施例13為相同。電阻值為0.2Ω。

(實施例15)

除了將接著劑層的厚度形成為8μm以外係與實施例13為相同。電阻值為0.2Ω。

(比較例1)

將添加在保護層用組成物的粒子形成為粒徑4μm的矽石(電氣化學工業(股)製、FB-5SDC)，矽石的含量係相對樹脂組成物與矽石的合計，形成為5質量%。所得的保護層的厚度為5μm。遮蔽層表面的最大山高度為2.2μm。接著劑層的厚度係形成為3μm。電阻值為0.6Ω。

(比較例2)

除了將接著劑層的厚度形成為5μm以外係與比較例1為相同。電阻值為1.4Ω。

(比較例3)

除了將接著劑層的厚度形成為8μm以外係與比較例1為相同。電阻值為1.8Ω。

(比較例4)

除了將接著劑層的厚度形成為5μm以外係與實施例1為相同。電阻值為0.5Ω。

(比較例5)

除了將接著劑層的厚度形成為8μm以外係與實施例1為相同。電阻值為1.3Ω。

(比較例6)

除了將接著劑層的厚度形成為8μm以外係與實施例2為相同。電阻值為0.5Ω。

關於各實施例及比較例，彙整顯示於表1。

本發明並非為被限定為以上實施形態者，可在未變更本發明之要旨的範圍內，適當變更來適用。

〔產業上可利用性〕

本揭示之電磁波遮蔽薄膜係高頻傳送效率不易降低且作為使用在印刷配線板等的電磁波遮蔽薄膜等極為有用。

100‧‧‧電磁波遮蔽薄膜

110‧‧‧遮蔽層

110a‧‧‧凸部

110b‧‧‧凹部

120‧‧‧接著劑層

130‧‧‧保護層

Claims (16)

1. 一種電磁波遮蔽薄膜，其係具備有：具有凹凸的導電性的遮蔽層；及被覆前述凹凸的接著劑層，前述凹凸的最大山高度的值係大於前述接著劑層的厚度。
2. 如申請專利範圍第1項之電磁波遮蔽薄膜，其中，前述凹凸的最大山高度為20μm以下。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項之電磁波遮蔽薄膜，其中，前述凹凸的最大山高度為4μm以上。
4. 如申請專利範圍第1項或第2項之電磁波遮蔽薄膜，其中，在前述遮蔽層之與前述接著劑層為相反側的面具備有保護層。
5. 如申請專利範圍第4項之電磁波遮蔽薄膜，其中，前述保護層係前述遮蔽層側的面的最大山高度的值為前述接著劑層的厚度以上、20μm以下。
6. 如申請專利範圍第4項或第5項之電磁波遮蔽薄膜，其中，前述保護層係含有粒徑為1μm以上、20μm以下的粒子。
7. 如申請專利範圍第1項或第2項之電磁波遮蔽薄膜，其中，前述接著劑層係絕緣性。
8. 一種電磁波遮蔽薄膜之製造方法，其係具備有：準備保護層的工程；在前述保護層之上形成具有凹凸的導電性的遮蔽層的 工程；及形成厚度比前述遮蔽層的最大山高度的值為更薄，而且被覆前述凹凸的接著劑層的工程。
9. 如申請專利範圍第8項之電磁波遮蔽薄膜之製造方法，其中，前述準備保護層的工程係形成在表面具有最大山高度為4μm以上、20μm以下的凹凸的保護層的工程。
10. 如申請專利範圍第8項或第9項之電磁波遮蔽薄膜之製造方法，其中，前述準備保護層的工程係在支持基材之上，塗佈含有樹脂組成物與粒子的保護層用組成物而使其硬化的工程，前述粒子的粒徑為1μm以上、20μm以下。
11. 如申請專利範圍第8項或第9項之電磁波遮蔽薄膜之製造方法，其中，前述準備保護層的工程係包含：在支持基材之上形成樹脂層的工程；及在前述樹脂層形成凹凸的工程。
12. 如申請專利範圍第11項之電磁波遮蔽薄膜之製造方法，其中，前述形成凹凸的工程係包含：將前述樹脂層進行壓花加工處理的工程。
13. 如申請專利範圍第11項之電磁波遮蔽薄膜之製造方法，其中，前述形成凹凸的工程係包含：將前述樹脂層進行噴粒處理的工程。
14. 如申請專利範圍第8項或第9項之電磁波遮蔽薄膜之製造方法，其中，前述準備保護層的工程係包含：在 表面具有凹凸的支持基材之上形成樹脂層的工程。
15. 如申請專利範圍第8項或第9項之電磁波遮蔽薄膜之製造方法，其中，前述形成接著劑層的工程係在前述遮蔽層之上塗佈接著劑用組成物的工程。
16. 一種遮蔽印刷配線板，其係具備有：如申請專利範圍第1項或第2項之電磁波遮蔽薄膜；及印刷配線板，其係具有：設有訊號電路及接地電路的基底層、及設有露出前述接地電路的至少一部分的開口部的絕緣層，前述電磁波遮蔽薄膜、及前述印刷配線板係使前述接著劑層及前述絕緣層相對向而予以接著，前述遮蔽層的凸部係穿過前述接著劑層而與由前述開口部露出的前述接地電路相接。