TW200902901A - Processing gas supplying system and processing gas supplying method - Google Patents

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200902901 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種向處理裝置供給處理氣體之處理氣體 供給系統及處理氣體供給方法。 【先前技術】 半導體製造工廉内，配置有熱處理裝置、成膜處理裝 置、蚀刻處理裝置等各種處理裝置。由於上述處理裝置中 r 使用各種處理氣體，因此半導體製造工廠内，設置有例如 將填充於作為處理氣體供給源之儲氣罐（氣缸）内之處理氣 體經由配管而供給至處理裝置為止之氣體供給I置。再 者，處理氣體供給源有時亦替代儲氣罐而使用具備電解槽 之氣體產生裝置（例如，參照專利文獻丨）。 曰 氣體供給裝置之配管連接於各處理裝置上所設置之氣瓶 (㈣box)。根據需要’可打開氣瓶之氣體導入閥門，以自 氣體供給裝置之配管導人處理氣體，並藉由質流控制器 (mass f1〇w contr〇Uer ’ Mf〇等流量調整器來調整流量， 將處理氣體供給至處理室（反應室）。 先前’在氣體供給裝置之運行中，例如除交換儲氣罐時 歹1 一，二照專利文獻2)或者產生氣體茂漏時等例外情況之 外’經常向氣體供給裝置之配管内填充處理氣體，以成 可使用處理氣體之狀離。兹仏 ^ # … 用處理_之處理 乳體時，打開氣瓶之氣體導入閥門後， 道即向處理室内 導入處理氣體，以進行例如對晶圓之處理。 又，在處理裝置側之晶圓處理結束時，關閉氣瓶之氣體 123405.doc 200902901 導入閥門’以停止供給處理氣體’其後進行晶圓之搬出搬 入或處理室内情況之調整等處理後，再次打開氣瓶之氣體 導入閥門，向處理室内導入處理氣體。 專利文獻1:日本專利特開2004-169123號公報 專利文獻2:曰本專利特開2003-14193號公報 【發明内容】 發明所欲解決之問題 然而，如上所述，先前由於氣體供給裝置之運行中經常 向配管内填充處理氣體，故構成氣體供給裝置之配管之金 屬與處理氣體之接觸時間變得非常長。因此，會根據處理 氣體之種類（例如，HF氣體等反應性氣體）而與構成配管之 金屬反應，並可能於該配管之内壁附著有不需要之堆積物 (例如’金屬氟化物）。 於上述配管内產生堆積物之狀況，才艮據有無使用處理裂 置側之處理氣體而具有不同之傾向。例如，在處理室内進 行晶圓處理之期間等情況下，於處理裝置側使用處理氣體 時，乳體供給裝置之配管内經常流動有處理氣體，故難以 產生堆積物。相對於此，在處理室内之晶圓處理結束後直 至開始下-晶圓處理為止等情況下，於處理裝 處理氣體時’氣體供給裝置之配管内滞留有處理氣體 此其間配管之内壁易產生堆積物。 之it内在處理裝置側不使用處理氣體時，氣體供給裝置 s内亦成為填充有處理氣體之狀態， 壁易附著i金接此 叹一間配管之内 隹積物。因此，會產生污染問題或閥門等内部洩 123405.doc 200902901 漏問題，例如在打開處理裝置侧之氣體導入閥門時，上述 堆積物自配管内壁剝離並隨處理氣體一併進入處理室内而 產生顆粒等。

再者，於上述專利文獻丨、2中，揭示有將一部分配管内 之HF氣體排出後，導入惰性氣體，以進行儲氣罐之交換及 防止電解洛之逆流。然而，由於其他配管内經常填充有處 理氣體故與上述先前之情形相同，因上述配管内滞留有 處理氣體，故配管之内壁易附著堆積物。 】-於上述專利文獻1中，揭示有一氟氣產生裝置作 為、氟氣為處理氣體時之處理氣體供給源，該氟氣產生裝 置藉由氣體導入閥門（第1自動閥門）將氣體導入至電解 槽内而產生氟。該氟氣產生裝置為防止111?氣體停止供給時 電解槽中之電解浴產生逆流，㈣電解槽側之一部分配管 (氣體導人閥門之τ游側之配管）内之殘留氣體替換為惰性 氣體。而該氣氣產生裝置中，直至氣體導入閥門為止之上 流侧之配管内經常填充有HF，以便氣體導人_在打開及 關閉時均可向電解槽内導人HF氣體。因此，與先前之情形 :同’因上述配管内滯留有處理氣體，故配管之内壁易附 著堆積物。 於上述專利文獻2中，揭示有—氣體供給系統，為 :儲轧罐(虱缸)之交換而必須自配管上卸除儲氣罐，故 子連接㈣職罐側之配管（―次侧配管）内進行排氣後 :…氣體'然而’即使僅向一次側配管導入惰性氣 於包含-次侧配管之下游側之配管内，亦經常填充有 123405.doc 200902901 處理氣體。因此與先前之情形相同，因上述配管内滯留有 處理氣體’故配管之内壁易附著堆積物。 因此，本發明係鑒於上述問題開發而成者，其目的在於 提供一種氣體供給系統及氣體供給方法，在處理裝置中不 使用處理氣體時，使自處理氣體供給源至處理裝置為止之 配官内成為惰性氣體填充狀態，以防止其間配管内產生堆 積物，藉此可防止堆積物進入處理裝置中。 解決問題之技術手段

為解決上述課題，本發明之—觀點提供—種氣體供給系 統’其特徵在於’將處理氣體（例如，财氣體等與構成配 管之金屬具有較高反應性之氣體）供給至處理裝置為止， 且上述氣體供給系統具備：處理氣體供給源，用於供給上 述處理氣體；氣體供給配管，將來自上述處理氣體供給源 之處理氣體供給至上述處理裝置；惰性氣體供給源，向上 述氣體供給配管供給惰性氣體（例如，乂氣等與構成配管 之金屬不反應之氣體）；抽真空排氣機構，對上述氣體供 給配管内進行抽真空排氣；以及控制裝置，接收來自上述 處理褒置之信號，並響應所接收之信號而控制上述氣體供 給配管内m且上賴龍置於“運行中，向上述 氣體供給配管内填充惰性氣體並待機，在自上述處理裝置 接收處理氣體使用開始信號時，對上述氣體供給配管内之 惰性氣體進行抽真空排氣，並填充處理氣體，以開始自上 ^處理氣體供給源供給處理氣體，在自域處理裝置接收 處理氣體使用結束信料，停止自上述處理氣體供給源供 123405.doc 200902901 給處理氣體’對上述氣體 空排氣，並填充惰性氣體。s内之處理⑽進行抽真 為解決上述課題，本發明之 系統之氣㈣、—種氣體供給 去，、特徵在於：將處理氣體（例如， 氣體）供給至處理裝署，g日/此 Μ且具備：處理氣體供給源，其 仏，，。上述處理氣體丨氣體供給配 辨上 八將术自上述處理氣 Λ、之處理氣體供給至上述處理裝置；惰性氣體供給 源其向上述氣體供給配管供給惰性氣體 ^ 抽真空排氣機構，其對上述氣體供給配管内進： γ工排氣’及控制裝置’其接收來自上述處理裝置之信 唬，並按照所接收之信號而控制上述氣體供給配管内之狀 態’·該氣體供給系統之氣體供給方法包括以下步驟·於系 ’克運仃中，向上述氣體供給配管内填充惰性氣體並待機； 在上述控制裝置自上述處理裝置接收處理氣體使用開始信 號時’藉由上述抽真空排氣機構對上述氣體供給配管内之 =體進行抽真空排氣，將來自上述處理氣體供給源之 處理氣體填充至上述氣體供給配管内’其後開始自上述處 理氣體供給源供給處理氣體；及在上述控制裝置自上述處 理裝置接收處理氣體使用結束信號時，停止自上述處理氣 體供給源供給處理氣體，藉由上述抽真空排氣機構對上述 氣體供給配管内之處理氣體進行抽真空排氣後，將來自上 述惰性氣體供給源之惰性氣體填充於上述氣體供給配管 内0 根據上述本發明，僅於處理裝置中使用處理氣體時，向 123405.doc 200902901 氣體供給配管内填充處理氣體，於處理裝置中不使用處理 氣體時’ Μ常使氣體供給配管内成為惰性氣體填充狀態。 藉此，在處理裝置中不使用處理氣體時，處理氣體與配管 内之金屬不接觸，故可防止其間配管内附著有堆積物。因 此’可防止其後於處理裝置側再次使用處理氣體時，堆積 物進入處理裝置中。 又，較好的是’於上述裝置或方法中，上述氣體供給配 管被分為上述處理氣體供給源側之—次配管及上述處理裝 置側之二次配管；上述控制裝置在向上述氣體供給配管内 填充處理氣體時’預先對上述—次配管進行抽真空，以排 出惰性氣體，其後對上述二次配管進行抽真空，以排出惰 性氣體後，向上述一次配管及上述二次配管填充處理氣 體；在向上述氣體供給配管内填充惰性氣體時，預先對上 述二次配管進行抽真空，以排出處理氣體，其後對上述_

次配管進行抽真空，以排出處理氣體後，向上述_次配管 及上述二次配管内填充惰性氣體。 S 如上所述’在對氣體供給配管内之惰性氣體進行抽真空 排氣時’向處理裝置側之二次配f填充惰性氣體，並於該 狀態下預先對處理氣體供給源側之…欠配管進行抽真空： 氣，因此不會影響處理裝置内之配管，可對配管内確；進 行抽真㈣氣。又，在對氣體供給配管内之處理氣體進行 抽真空排氣時’預先對處理裝置側之：次配管進行抽真空 排氣，藉此可更快地排出接近處理裝置側之配管内之處理 氣體。 处 123405.doc 200902901 又，較好的是，於上述护番. 褒置或方法中，上述控制裝置在 對上述氣體供給配管内之惰性氣體進行抽真空排氣之後， 於填充處理氣體之前，進行依序反覆複數次上述氣體供給 配管内之惰性氣體導入與抽真空之清洗；在對上述氣體供 給配管内之處理氣體進行抽真空排氣之後，於填充惰性氣 體之則，進仃依序反覆複數次上述氣體供給配管内之抽真 空與惰性氣體導入之清洗。藉此，可確實去除氣體供給配 管内之殘留氣體及雜質等。 Ο 為解決上述課題，本發明之另—觀點提供__種氣體供給 系統’其特徵在於：分別將處理氣體（例如，HF氣體）供給 ^複數個處理裝置之氣體供給系統之氣體供給方法；上述 氣體供給系統具備··處理氣體供給源，其供給上述處理氣 體；氣體供給配管，其連接於上述處理氣體供給源；複數 個分支配管，使來自上述氣體供給配管之處理氣體分支， 分別供給至上述複數個處理裝置；惰性氣體供給源，其向 上述氣體供給配管及上述複數個分支配管供給惰性氣體 =列如，N2氣體）；抽真空排氣機構，其對上述氣體供給配 &内及上述複數個分支配f進行抽真空排氣丨及控制裳 置’其接收來自上述處理裝置之信號，並按照所接收之信 號而控制上述氣體供給配管内及上述複數個分支配管内之 片、^ 於系統運行中，向上述氣體供給配管内及上述複 數個分支配管内填充惰性氣體並待機，在自上述處理裝置 接收處理氣體使用開始信號時，藉由上述氣體供給配管及 上述複數個分支配管中欲使用之配管内之惰性氣體進行抽 123405.doc -12· 200902901 真空排氣，並填充處理氣體，以開始處理氣體供給；在自 上述處理裝置接收處理氣體使用結束信號時，停止處理氣 體供給，對上述氣體供給配管及上述複數個分支配管中不 使用之配管内之處理氣體進行抽真空排氣，並填充惰 體。 /為解決上述課題，本發明之另—觀點提供—種氣體供給 系統之氣體供給方法，其特徵在於：分別將處理氣體（例 如’ HF氣體）供給至複數個處理裝置，且具備：處理氣體 供給源’其供給上述處理氣體；氣體供給配管，其連接於 上述處理虱體供給源；複數個分支配管，其使來自上述氣 體供給配管之處理氣體分支’分別供給至上述複數個處理 裝置，^性氣體供給源’其向上述氣體供給配管及上述複 數個分支配管供給惰性氣體(例如，A氣體)；抽真空排氣 機構’其對上述氣體供給配管内及上述複數個分支配管進 ^抽真空排氣；及控制裝置’其接收來自上述處理裝置之 L號、’並按照所接收之信號而控制上述氣體供給配管内及 上述複數個分支配管内之狀態；上述氣體供給系統之氣體 供給方法包括以下步驟：於系統運行中，向上述氣體供給 &内及上述複數個分支配管内填充惰性氣體並待機；在 接收來自上述處理裝置之處理氣體使用開始信號時，對上 述氣體供給配管及上述複數個分支配管中欲使用之配管内 :惰性氣體進行抽真空排氣，並填充處理氣體，以開始供 处。氣體，在接收來自上述處理裝置之處理氣體使用結 束乜號時，停止供給處理氣體，對上述氣體供給配管及上 123405.doc •13- 200902901 述複f個分支配管中不使用之配管内之處理氣體進行抽真 空排氣，並填充惰性氣體。 根據上述本發明，僅在處理裝置中使用處理氣體時，僅 向礼體供配管内及各分支配管中之於處理氣體供給時所 使用之配管内填充處理氣體；在處理裝置中不使用處理氣 體時’可使氣體供給配管内及各分支配管中不使用之配管 内f為惰性氣體填充狀態。藉此，在處理裝置中不使用處 理乳體時，上述配管内之金屬與處理氣體不接觸，故可防 止其間該配管内附著有堆積物。因此，可防止其後於處理 裝置側再次❹處理氣體時，堆積物進人處理裝置中。 又、，較好的是，於上述裝置或方法中，上述控制裝置在 自上述處理裝置接收處理氣體使用開始信號時，判斷立产 號發送源之處理裝置料之其他處理裝置是否處於處理^ 體使用中，當判斷上述其他處理裝置為處理氣體使用中 時:僅對連接於信號發送源之處理裝置之分支配管内之惰 性巩體進行抽真空排氣’並填充處理氣體’以開始自上述 氣體供給配管供給處理氣體；當判斷上述其他處理裝置並 非處理氣體使用中時，對上述氣體供給配管内及連接於作 號發送源之處理裝置之分支配管内之惰性氣體進行抽真= 排氣’並填充處理氣體， 1始自上核理氣體供給源供 :處理氣體。藉此’在接收處理氣體使用開始信號後，可 :處理氣體供給時所使用之配管進行抽真空排氣 充處理氣體。 # 又，較好的是，於上述裝置或方法中，在向上述氣體供 123405.doc 200902901 給配官内及上述分支配管内之兩方填充處理氣體時，上述 控制裝置預先對上述氣體供給配管内進行抽真空排氣，其 後對上述分支配管進行抽真空排氣後，向上述氣體供給配 管内及上述分支配管内之兩方填充處理氣體。如上所述， 在對氣體供給配管内及分支配管内之兩者之惰性氣體進行 抽真空排氣時，向處理裝置側之分支配管填充惰性氣體， 並於該狀態下預先對處理氣體供給源側之氣體供給配管進 仃抽真空排氣，因此不會影響處理裝置側之配管，而可對 配管内確實進行抽真空排氣。 又，較好的是，於上述裝置或方法中，上述控制裝置在 自上述處理裝置接收處理氣體使用結束信號時，判斷其信 號發送源之處理裝置以外之其他處理裴置是否為處理氣體 使用中，當判斷上述其他處理裝置為處理氣體使用中時， 停止自上述氣體供給配管供給處理氣體，僅對連接於上述 信號發送源之處理裝置之分支配管内之處理氣體進行抽真 空排氣，並填充惰性氣體；當判斷上述其他處理裝置並非 處理氣體使用中時’停止自上述處理氣體供給源供給處理 氣體，對上述氣體供給配管内及連接於信號發送源之處理 裝置之分支配管内之處理氣體進行抽真空排氣，並填充惰 性氣體。在接收處理氣體使用#束信號後，可僅對 處理氣體供料*制之g£f進行㈣空排氣，並填充产 性氣體。 0 又:較好的是’於上述裝置或方法中，在向上述氣體供 給配管内及上述分支配f内之兩方填充惰性氣體時，上述 123405.doc •15- 200902901 控制裝置預先對上述分支配管内進行抽真空排氣，其後對 上述氣體供給配管内進行抽真空排氣後，向上述氣體供給 配管内及上述分支配管内之兩方填充惰性氣體。如上所 述’對氣體供給配管内及上述分支配管内之兩者之處理氣 體進行抽真空排氣時，預先對處理氣體供給源側之分支配 管進行抽真空排氣，藉此可更快地排出接近處理裝置側之 配管内之處理氣體。

又，較好的是，於上述裝置或方法中，上述控制裝置在 對上述欲使用之配管内之惰性氣體進行抽真空排氣之後， 於填充處理氣體之前，進行依序反覆複數次該配管内之惰 性氣體導入與抽真空之清&;在對上述不使用《配管内之 處理氣體進行抽真空排氣之後，於填充惰性氣體之前，進 行依序反覆複數次該内之抽真空處理與惰性氣體導入 之清洗。藉此，可確實去除氣體供給配管内之殘留 雜質等。 ’ 發明之效果 利用轄明，根據處理裝置中有無制處理氣體來控制 自處理氣體供給源至處理裝置為止之配管内之狀態，故在 處理裝置中不使用處理氣體時，可使上述配管内:為惰性 氣體填充狀態1此可防止其間配管内產生堆積物。藉 二可：止其後於處理裝置側再次使用處理氣體時，堆積 物進入處理裝置中。 領 【實施方式】 以下將-面參照附圖’一面就本發明之較佳實施形態加 123405.doc 200902901 以詳細說明。再者，於本說明書及圖式甲，對於實質上具 有相同功旎結構之構成要素，附以相同符號，省略其重複 說明。 (第一實施形態之氣體供給系統） 首先來說明本發明第一實施形態之氣體供給系統。圖工 係表示第一實施形態之氣體供給系統之概略構成之方塊 圖，圖2係表示圖丨所示之氣體供給系統之配管構成例之 圖。如圖丨所示，第一實施形態之氣體供給系統具備向處 理裝置100中供給處理氣體之氣體供給裝置3〇〇。 氣體供給裝置300具備氣瓶櫃（c/c)200及控制裝置31〇， 其中，上述氣瓶櫃（C/C)200將來自處理氣體供給源之處理 氣體經由處理氣體供給配管（氣體供給配管）22〇而供給至處 理裝置100 ;上述控制裝置310控制氣瓶櫃（c/c)2〇〇内之各 部分（例如，閥門等）。另一方面，處理裝置（M/C)100具備 處理至（反應至）11〇、氣瓶120、以及M/C控制部13 0，其 中，於上述處理室（反應室）110用於例如使用處理氣體對半 導體晶圓或FPD (Flat Panel Display，平板顯示器）用基板 等被處理基板進行蝕刻處理、成膜處理等；上述氣瓶12〇 用於打開其氣體導入閥門，導入來自處理氣體供給配管 220之處理氣體，並調整該處理氣體之流量後供給至處理 室110 ;上述M/C控制部130控制處理裝置1〇〇之各部分（氣 瓶120之閥門等及向處理室11 0供給高頻電力等）。 關於上述氣瓶櫃（c/c)200及處理裝置1〇〇之配管構成 例，以下將一面參照圖2 一面加以說明。如圖2所示，氣瓶 123405.doc -17- 200902901 櫃（C/C)200具備填充處理氣體（例如，HF氣體）之作為處理 氣體供給源之儲氣罐21〇。於儲氣罐21〇上連接有處理氣體 供給配管220。 於處理氣體供給配管220上，自儲氣罐2 1〇側依序設置有 空氣閥門AVI、AV2。該等空氣闕門AV1、AV2將處理氣體 供給配管220自儲氣罐21〇側依序分為第丄配管222、第2配 官224、及第3配管226。再者，第一實施形態中之第丄、第 2配官222、224構成儲氣罐21〇側之一次配管，第3配管226 構成處理裝置1 〇〇側之二次配管。 於處理氣體供給配管220之配管内，經由惰性氣體供給 配管2 3 2而連接有惰性氣體供給源2 3 〇，用於以特定之壓力 供給惰性氣體（例如，&氣體卜具體而言，如圖2所示， 惰性氣體供給配管232例如經由空氣閥門AV3連接於第丄配 管222。又，於惰性氣體供給配管232上，設置有用於打開 關閉該惰性氣體供給配管232之作為原始閥門之空氣閥門 AV-N。因此，藉由控制該等空氣閥門Αν·Ν、AV3，可自第 1配管222向處理氣體供給配管22〇中供給惰性氣體。 又，於處理氣體供給配管220上，經由排氣管246連接有 真空產生器240，用以對該配管内進行抽真空排氣。具體 而言，如圖2所示，排氣管246分支後，經由空氣閥門 AV5、AV4連接於第2配管224，並且經由空氣閥門av7、 AV6連接於第3配管224、226。再者，真空產生器24〇連接 於例如設置有該氣體供給系統之工廠内之排氣設備等，使 來自排氣管246之排氣可經由真空產生器24〇而向上述排氣 123405.doc 200902901 設備等排出。 真空產生器240經由配管247連接於上述惰性氣體供給源 230。再者，於配管247上設置有空氣閥門AV-VG。打開該 空氣閥門AV-VG時，來自惰性氣體供給源230之惰性氣體 通過配管247而流入至真空產生器240並被排出。如上所 述，惰性氣體經由配管247流入至真空產生器240，藉此可 經由排氣管246來對第2配管224、第3配管226進行抽真空 排氣。 f i • 再者，各空氣閥門AVI〜AV7、AV-N、AV-VG及儲氣罐 210之閥門CV，分別受到圖1所示之控制裝置310之控制。 控制裝置 3 1 0具備：例如 CPU (Central Processing Unit，中 央處理單元）；用以使CPU執行處理之ROM (Read Only Memory，唯讀記憶體）；RAM (Random Access Memory， 隨即存取記憶體）；以及用以記憶CPU執行之各種程式之硬 碟或記憶體等記憶機構。 γ 處理裝置（M/C)100之氣瓶120具備氣體導入配管122，導 I:: 入來自氣瓶櫃（C/C)200之處理氣體，並供給至處理室 110。於氣體導入配管122上設置有作為氣體導入閥門之空 氣閥門AVIS、AV2S。於該等空氣閥門AVIS、AV2S之間， 設置有例如質流控制器（MFC) 124，作為調整流入至氣體導 入配管122内之處理氣體流量之流量調整器。

再者，各空氣閥門AVIS、AV2S、MFC124分別受到圖1所 示之M/C控制部130之控制。M/C控制部130具備：例如CPU (Central Processing Unit);用以使 CPU 執行處理之 ROM 123405.doc -19- 200902901 (Read Only Memory) ; RAM (Random Access Memory);以及 用以記憶CPU執行之各種程式之硬盤或記憶體等記憶機 構。 對於本實施形態之M/C控制部13 0，當處理室11 〇内使用 處理氣體進行處理時，將處理氣體使用開始信號（S)發送 至控制裝置310,在處理室110内使用處理氣體之處理結束 時’將處理氣體使用結束信號（F)發送至控制裝置3 1 〇。控

制裝置310根據來自該等M/C控制部130之信號進行氣體供 給處理，對各配管内進行排氣並導入處理氣體或惰性氣 體。 (第一實施形態中氣體供給處理之具體例） 其次，將一面參照圖式，一面來說明藉由第一實施形態 之處理氣體供給系統進行之氣體供給處理之具體例。圖3 係表示第一實施形態之氣體供給處理之具體例之流程圖。 該氣體供給處理藉由如下方式實行，#，在處理氣體供給 系料行時，控制裝置31G例如根據記憶於記憶機構中之 特定之程式，來控制氣瓶櫃200之各部分。 —於步驟8112中，利用真空產生器240對處理氣體供給配 官220内騎抽真空排氣，於步㈣m中，利用來自惰性 氣體供給源230之惰性氣體(例如，N2氣體)對處理氣體供 給配管220内進杆、、主呔.. 孔篮供 π洗。此處，例如多次反覆地利用真空 產生器240進行抽直*歲採| w 具工處理與惰性氣體之供給處理，藉此 子处理氣體供給配管22〇内進 # 1丁 β洗。在處理氣體供仏g? 管220内之清洗結束 L菔供、，、。配 。束時’於步驟Sll6中，以特定之壓力向 I23405.doc -20- 200902901 處理氣體供給配管220内填充惰性氣體。 該狀態下，於步驟S118中處理氣體使用㈤始信號（ 為接收等待(待機)狀態。此時’當處理裝置_中開始使用 處理氣體時’將處理氣體使用開始信號(s)|M/c控制部 130發送至控制裝置31Ge例如，對處理室UG之情況進行

調整後’將半導體晶圓搬入至處理室110内，故亦可於該 時序發送處理氣體使用開始信號（S)。 A 並且，於步驟S118中，在控制裝置310|M/C控制部13〇 接收處理氣體使用開始信號（s)時，於步驟82〇〇中進行處 理氣體供給開始處理。於處理氣體供給開始處理中，例如 對處理氣體供給配管22G内進行抽真空排氣，使储氣罐21〇 I 1 C V等必要之閥門成為打開狀態，並以特定之壓力 向處理氣體供給配管220内填充處理氣體。由此，使處理 裝置100側成為可使用處理氣體之狀態。 藉此，處理裝置100可利用M/c控制部130之控制而打開 氣瓶120之工氣閥門a v 1 S、A V 2S，以向處理室11〇内導入 處理氣體。以此，處理裝置100進行處理氣體之處理（例 如，半導體晶圓之蝕刻處理卜再者，關於上述處理氣體 供給開始處理時對配管内狀態之具體控制詳情，將於以下 描述。 其後’於步驟S120中’處理氣體使用結束信號成為接收 等待狀態。此時，當處理裝置1〇〇中結束使用處理氣體 時’將處理氣體使用結束信號自M/c控制部13〇發送至控 制装置310 °例如’處理裝置100中，當處理室110内之處 123405.doc -21 - 200902901 理氣體之處理結束時，關閉氣瓶120之空氣閥門AVls、 AV2S:停止向處理室11〇内導入處理氣體，故亦可於該時 序發送處理氣體使用結束信號。 並且，於步驟S120中，在控制裝置31〇|M/c控制部13〇 接收處理氣體使用結束信號（F)時，於步驟⑽〇中進行處 理氣體供給結束處理。於該處理氣體供給結束處理中，: 如關閉儲氣罐之閥門cv等必要之間門，停止供給處理氣 體’對處理氣體供給配管220内進行抽真空排氣，並 惰性氣體。 藉此’當處理裝置⑽中不使用處理氣體時，成為處理 亂體供給配管220内（即，自儲氣罐21〇至處理裝置⑽為止 之全部配管内）密封有惰性氣體 供給配管22〇内不會產生堆積物^故其間處理氣體 个曰i生堆積物。藉此’可防止其後再次 =用處理氣體時，堆積物進Wm内。再者，關於 處理氣體供給結束處理時對配管内狀態之控制之詳情，將 於以下描述。 其次’於步驟S122，判斷暑不技L点 、笔卜』斷疋否停止處理氣體供給系統之 川丁/虛122中’當判斷不停止運行時，返回至步驟 sn8之處理，當判斷停止運行時，直接結束。如上所述， 於本實施形態中，於處理氣體供給結束處理 = =:，被惰性氣體密封，故亦可直接結束。再 $可對處理氣體供給配管22G内進行抽 ^ 情性氣體進行清洗，並且改為由惰性氣體 123405.doc -22- 200902901 (處理氣體供給開始處理之具體例） 尸此處，將一面參照圖式，一面說明第一實施形態之處理 軋體供給開始處理（步驟S200)之具體例。圖4係表示第一 實施形態之處理氣體供給開始處理之具體例之流程圖。首 先，於步驟S212〜步驟S214中，對處理氣體供給配管22〇内 進仃抽真空排氣《即，預先於步驟8212中，對處理氣體供 給配管220之一次配管，即對第1、第2配管222、224進行 抽真空排氣。具體而言’打開圖2所示之空氣閥門Av_ 依序打開空氟閥門AV5、AV4、AV1，藉此第1配管 222、第2配管224與排氣管246連通，並且第1、第2配管 22 224由真空產生器24〇進行抽真空排氣。該狀態經過 固疋時間之後，在打開空氣閥門AV_VG之狀態下，關閉空 氣閥門AV1、AV4、AV5。藉此，第1、第2配管222、224 内之抽真空排氣結束，惰性氣體被排出。 其次，於步驟S2 14中，對處理氣體供給配管22〇之二次 配管即第3配管226進行抽真空處理。具體而言，打開圖2 所不之空氣閥門AV7、AV6，使第3配管226與排氣管246連 通。此時，因為處於打開空氣閥門AV_VG之狀態，故利用 真工產生器240對第3配管226進行抽真空處理。該狀態經 過固定時間之後’ §請空氣閥門AV6、AV7，並且關閉空 氣閥門AV-VG。藉此，第3配管226之抽真空處理結束，第 3配管226内之惰性氣體被排出。 繼而，於步驟S216〜步驟S222中’對處理氣體供給配管 220内進行清洗。即，首先，於步驟“^中，向處理氣體 123405.doc -23- 200902901 供給配管220之一次配管及二次酉己管之各配管，即向第卜 第通管222、224、226中導入惰性氣體（例如，①氣體 具體而言，打開圖2所示之^氣閥門AV_N，依序打開空氣 閥HAV3、AV1、AV2，藉此第！〜第3配管m、⑵、以 與惰性氣體供給配管232連通，使來自惰性氣體供給源23〇 之惰性氣體經由惰性氣體供給配管232而導入至各第丨〜第3 配管222、224、226。該狀態經過固定時間之後，關閉空 氣閥門AV1、AV2，AV3，並且關閉空氣闕門Av_N。藉 此，將惰性氣體導入至處理氣體供給配管22〇内。 繼而，於步驟S218申，對一次配管（第i、第2配管222、 224)進行抽真空排氣後，於步驟S22〇,對二次配管（第3配 管226)進行抽真空排氣。該等步驟S2l8、步驟s22〇之具體 處理，分別與上述步驟S212、步驟S2U之處理相同。 並且，於步驟S222中，判斷是否僅重複特定之設定次 數。當判斷並非僅重複特定之設定次數時，於步驟㈣〜 步驟S220中，反覆進行清洗。又，當判斷僅重複特定之設 定次數時，於步驟S224中開始處理氣體之供給。即，打開 C/C供給系統閥門（儲氣罐21〇之閥門cv，空氣閥門卜 AV2)，將儲氣罐21〇之處理氣體填充於處理氣體供給配管 220,以成為可使用處理氣體之狀態。藉此，結束一連串 之處理氣體供給開始處理。 如上所述，根據來自處理奘罟 个曰处*里屐置100側之處理氣體使用開 始信號⑻而執行之處理氣體供給開始處理，使得處理氣 體供給配管220内被替換為處理氣體。藉此，處理裝置_ 123405.doc •24- 200902901 可藉由打開魏12G之氣體導人_AV1S、奶㈣向處理 室110内導入處理氣體。 又’在對處理氣體供給配管220内之惰性氣體進行抽真 空排氣時’向處理裝置100側之二次配管内填充惰性氣 體，並於該狀態下預先對處理氣體供給源側之一次配管進 仃抽真空排氣，因此不會影響處理裝置100内之配管，而 可對氣體供給配管内確實進行抽真空排氣。進而，在向處 理氣體供給配管220内填充處理氣體之前，依序進行惰性 氣體之導入與抽真空處王里，多次反覆地進行&洗藉此可 確實去除處理氣體供給配管22〇内之殘留氣體及雜質等。 (處理氣體供給結束處理之具體例） 其次，一面參照圖式，一面說明第一實施形態之處理氣 體供給結束處理（步驟S300)之具體例。圖5係表示第一實 施形態之處理氣體供給結束處理之具體例的流程圖。首 先，於步驟S3 12中，關閉c/C供給系統閥門（儲氣罐21〇之 閥門cv，空氣閥門AV1、AV2)，以停止自儲氣罐21〇供給 處理氣體。 繼而，於步驟S3i4〜步驟S320中，對處理氣體供給配管 220内進行清洗。即，預先於步驟S3 14中，對氣瓶櫃 (C/C)200與處理裝置100間之配管（第3配管226)進行抽真空 排氣。具體而言，打開圖2所示之空氣閥門AV_V(}，依序 打開空氣閥門AV7、AV6，藉此第3配管226與排氣管246連 通牙】用真二產生器240對第3配管226進行抽真空處理。 該狀態下經過固定時間後，打開空氣閥門AV_VG，於該狀 123405.doc -25- 200902901 態下關閉空氣閥門AV6、AV7。如此，第3配管226之抽真 空排氣結束，第3配管226内之處理氣體被排出。 其次，於步驟S316中，對氣瓶櫃（C/C)200之配管（第1、 第2配管222、224)進行抽真空處理。具體而言，打開圖2 所示之空氣閥門AV5、AV4、AV1，使第1配管222、第2配 管224、及排氣管246連通。此時，因為處於打開空氣閥門 AV-VG之狀態，故利用真空產生器240對第1、第2配管 222、224進行抽真空處理。該狀態經過固定時間之後，關 閉空氣閥門AV 1、AV4、AV5，並且關閉空氣閥門AV-VG。 藉此，第1、第2配管222、224之抽真空處理結束，第1、 第2配管222、224内之處理氣體被排出。 繼而’於步驟S3 18，對各第1〜第3配管222、224、226， 即對整個處理氣體供給配管220導入惰性氣體（例如，川氣 體）。步驟S3 18之具體處理與圖4所示之步驟8216之處理相 同0 其次’於步驟S320 ’判斷是否僅重複特定之設定次數。 虽判斷並非僅重複特定之設定次數時，利用步驟S3丨4〜步 驟S3 1 8，再一次重複清洗。又，當判斷僅重複特定之設定 次數時，結束一連串之處理氣體供給結束處理。 如上所述，根據來自處理裝置1〇〇側之處理氣體使用結 束信號（F)而執行之處理氣體供給結束處理，使得處理氣 體供給配管220内被替換為惰性氣體。藉此，直至隨後接 收到處理氣體使用開始信號⑻為止，處理氣體供給配管 220内填充有惰性氣體，因此其間處理氣體供給配管22〇内 123405.doe -26 - 200902901 不會產生處理氣體與構成配管之金屬反應所造成之堆積 物。 又，在對處理氣體供給配管220内之處理氣體進行抽真 工排氣時，預先對處理裝置側之二次配管進行抽真空排 氣藉此可更快地排出接近處理裝置側之配管内之處理氣 體。進而，在向處理氣體供給配管220内填充惰性氣體之 刖，序進行將抽真空處理與惰性氣體導入處理，多次反 覆地進仃清洗，藉此可確實去除處理氣體供給配管内 之殘留氣體及雜質等。 根據以上說明之第一實施形態之氣體供給方法，配管内 之狀I、成為例如圖6所示者。即，通常’於處理氣體供給 配g 220内填充有惰性氣體（例如，κ氣體）之狀態下待 機。並且’在接收來自處理裝置⑽之處理氣體使用開始 信號（S)時，對處理氣體供給配管220之一次配管（第〗及第2 配管222、224)内進行抽真空排氣及清洗（p)，其後對二次 配管（第3配管226)内進行抽真空排氣及清洗（p)，使儲氣罐 210之閥門CV為打開狀態，並以特定之壓力向處理氣體供 給：管220之一次配管及二次配管内填充處理氣體(例如， HF氣體），以成為可使用處理氣體之狀態。 其後，在接收來自處理裝置！⑽之處理氣體使用結束信 號⑺時，關閉儲氣罐21G之閥門cv，對處理氣體供給配管 220之二次配管内進行抽真空排氣及清洗⑺，其後對一次 配管内進行抽真空排氣及清洗（p)，並以特定之壓力再次 向處理氣體供給配管細之-次配f及二次配管内填充惰 123405.doc •27· 200902901 性氣體。 藉此，僅於處理裝置100中使用處理氣體時，可向處理 氣體供給配管220内填充處理氣體。因此，於處理裝置1〇〇 中不使用處理氣體時，可成為處理氣體供給配管“Ο内填 充有惰性氣體之狀態，故其間處理氣體供給配管22〇内不 會產生堆積物。因而可防止其後再次使用處理氣體時堆 積物進入處理室1 1 0内。 進而，相較於經常向整個處理氣體供給配管220填充處 理氣體之情形，可大幅度縮短配管内之金屬與處理氣體之 接觸時間，因此相較於先前’可大幅度抑制配管内之金屬 與處理氣體之反應。 (第二實施形態之氣體供給系統） 其次，說明本發明之第二實施形態之氣體供給系統。圖 7係表示第二實施形態之氣體供給系統之概略構成之方塊 圖’圖8係表示圖7所示之氣體供給系統之配管構成例圖。 於上述第一實施形態中，說明了向一個處理裝置中供給處 理氣體之氣體供給系統，但於第二實施形態中，將說明向 複數個（例如，四個）處理裝置中供給處理氣體之氣體供給 系2。再者，各處理裝置（第丨〜第4處理展置）1〇〇Α〜ι〇〇〇之 配管構成例分別與圖2所示之處理裝置1〇〇相同，因此省略 其洋細說明。 如圖7所示，第二實施形態之氣體供給系統中，使來自 氣瓶櫃（C/C)200之處理氣體於分支箱（B/B)4〇〇中分支後， 供給至各處理裝置1〇〇A〜100D。例如於圖8所示，來自氣 123405.doc •28· 200902901 瓶櫃（C/C)200之處理氣體供給配管2〇〇於分支箱（B/B)4〇〇内 分支為四個分支配管（第丨〜第4分支配管）41〇A〜41〇D。各分 支配管410A〜410D分別連接於各處理裝置1〇〇A〜1〇〇D之未 圖示之氣瓶。 於各分支配管410A〜410D中，分別設置有構成氣體導入 閥門之空氣閥門AV1A〜AVID。藉由對該等空氣閥門 AV1A~AV1D進行選擇性地開閉控制而可向所需之分支

配管内供給來自處理氣體供給配管22〇之處理氣體，或者 可停止處理氣體之供給。 又，於各分支配管410A〜410D中，分別於上述空氣閥門 AVI A AVID之下游側設置有空氣閥門AV2A〜av2d。於各 空氣閥HAV2A〜AV2DJ1，連接有惰性氣體供給配管42〇, 惰性氣體供給配管420連接於惰性氣體供給源230。藉由對 該等空氣閥HAV2A〜AV2D進行選擇性地開閉控制，而可 :斤需之刀支配管内供給來自惰性氣體供給源之惰性 氣體(例如’ N2氣體）’或者停止惰性氣體之供給。 進而，於各分支配管41〇a〜41〇d中，分別經由抽真空用 配& 44G而連接有用以對各配管内進行抽真空排氣或清洗 之真空栗25〇。抽直处田心狄 柚具工用配官44〇經由空氣 AV3 A〜AV3D而連接协欠八± 接於各刀支配管41 〇A〜4 10D。再者，沐 抽真空用配管44〇卜，洲·罢士 m 、 管440之作為原始 耳工用配 Π之工轧閥門AV-V。藉由對空氣間 AV-V進行開閉控制， 友 3門 I 1對工虱閥門AV3A〜AV3D進;^ 擇性地開閉控制， 仃選 耵所而刀支配管進行抽真空處理。 123405.doc -29- 200902901 再者，於分支箱（B/B)400内，具備設置於處理氣體供給 配管220之第3配管226上的空氣閥門AV-P。該空氣閥門AV-P通常被打開，而在例如將分支箱（B/B)400自氣瓶櫃 (C/C)200上分離以進行維護等情形時，該空氣閥門AV-P被 關閉。 其次，一面參照圖8，一面說明第二實施形態之氣瓶櫃 (C/C)200之構成例。於第一實施形態中，說明了例如利用 圖2所示之真空產生器24〇對配管内進行抽真空排氣之情 形，但於第二實施形態中，將說明以真空泵250替代真空 產生器24〇來對配管内進行抽真空排氣之情形。 如圖8所示，例如真空泵250經由排氣管246而連接於處 理氣體供給配管（第1〜第3配管）220。此處之排氣管246分 支後，經由空氣閥門AV5、AV4而連接於第1配管222，經 由空氣閥門AV7、AV6而連接於第2配管224，並且經由空 氣閥門AV9、AV8而連接於第3配管226。藉由對該等空氣 閥門AV5、AV4、空氣閥門AV7、AV6、及空氣閥門AV9、 AV8進行選擇性地開閉控制，而可對第卜第3配管222、 224、226選擇性地進行抽真空排氣。 於處理氣體供給管220上，經由惰性氣體供給配管232而 連接有惰性氣體供給源2 3 0 ’用以向上述處理氣體供給管 220内供給惰性氣體（例如，A氣體）。具體而言，如圖8所 示，惰性氣體供給配管232在途中分支後，分別經由空氣 閥門AV3、AV10而連接於第1配管222、第2配管224。再 者，於惰性氣體供給配管232上’設置有用於開閉該惰性 123405.doc -30- 200902901 氣體供給配管232之作為原始閥門之空氣閥門av_n。藉由 對該空氣閥門AV-N進行開閉控制，並且對空氣閥門av3、 AV10進行選擇性地開閉控制，而可自任_第丨、第2配管 222、224向處理氣體供給管220内選擇性地供給惰性氣 體。 再者，如圖7所示，本實施形態之控制裝置31〇可控制氣 瓶櫃（C/C)200、分支箱（B/B)400之各部分。例如，除氣瓶 櫃（C/C)200之各空氣閥門AV1〜AV10、AV-N及儲氣罐21〇之 閥門CV以外，分別藉由控制裝置3 1〇而控制分支箱 (B/B)400 之各空氣閥門 av1a〜AV3a、AV1B~AV3B、 AV1C〜AV3C、AVID〜AV3D、AV-P、AV-V。 又，如圖7所示，各處理裝置（M/C)1〇〇A〜1〇〇D分別具備 M/C控制部130A〜130D。該等各M/c控制部13〇a〜i3〇d分 別於使用處理氣體時，將處理氣體供給開始信號（s)發送 至控制裝置310,在處理氣體之處理結束時，將處理氣體 t、給結束彳&號（F)發送至控制裝置3 1 〇。控制裝置3丨〇根據 來自該等M/C控制部130A〜130D之信號，對各配管内進行 抽真空排氣後，進行導入處理氣體或惰性氣體之氣體供給 處理。 再者，於第二實施形態中，由於自各M/c控制部 13〇A〜130Ε)分別發送處理氣體供給開始信號（s)、處理氣體 供給結束信號（F)，故而為區別該等，於上述s、f後分別 附以A〜D之下標（suffix)。因此，％、％、％、％分別表示 自M/C控制部i30A、130B、13〇c、13〇]〇發送之處理氣體 123405.doc •31 · 200902901 供給開始信號，FA、FB、Fc、FD分別表示自Μ/C控制部 13 0A、130B、130C、130D發送之處理氣體供給結束信 號。又，於第二實施形態中，僅為「S」時，表示處理氣 體供給開始信號SA〜SD中之任一者。又’僅為「F」時，表 示處理氣體供給結束信號FA〜FD中之任一者。 (第二實施形態中之氣體供給處理之具體例）

其次，一面參照圖式，一面說明藉由第二實施形態之處 理氣體供給系統所進行之氣體供給處理之具體例。圖9係 表示第二實施形態之氣體供給處理之具體例之流程圖。該 氣體供給處理係以如下方式而進行：在處理氣體供給系統 運行時，控制裝置310例如根據記憶於記憶機構中之特定 之程式而控制氣瓶櫃（C/C)2〇〇、分支箱（B/B)4〇〇之各部 分。 於步驟S412中，以A空系25〇對處理氣體供給配管22〇内 及各分支配管4Η)Α〜41⑽内進行抽真空排氣，於步驟則 中’利用來自惰性氣體供給源23〇之惰性氣體(例如，Ν2氣 體）來清洗處理氣體供給配管22〇内及各分支配管 41 0 Α〜41 0D内。此處，例如多 夕-人反覆地進行真空泵250之 抽真空處理與惰性氣體之供仏虚 ^ 供、，、°處理，藉此對處理氣體供給 配官220内進行清洗。對虛理备· ^ 處理乳體供給配管220内及各分支 配管4 1 0 Α〜4 1 0D内之清浃纴由吐 束時’於步驟S416中，以特定 之壓力向處理氣體供仏 供^配管220内及各分支配管 410A〜410D内填充惰性氣體。 刀叉配吕 該狀態下’於步驟S41 8中，士、* + 成為來自處理裝置100之信 123405.doc •32- 200902901 號（處理氣體使用開始信號（s)或處理氣體使用結束信號 接收等待（待機）狀態。此時，於任一處理裝置1〇〇中開 始處理氣體之使用時，將處理氣體使用開始信號（S)自上 述M/C控制部13〇而發送至控制裝置31〇。例如，對某個處 理室110之情況進行調整後，將半導體晶圓搬入至該該處 理室110内亦可於該時序發送處理氣體使用開始信號 (S)。 又’於任一處理裝置1〇〇中結束處理氣體之使用時，將 處理氣體使用結束信號（F)自上述M/c控制部13〇發送至控 制裝置310。例如，於某個處理裝置1〇〇中，當處理室ιι〇 内之處理氣體之處理結束時，關閉氣瓶12〇之氣體導入閥 門AVI S、AV2S，停止向處理室丄丨〇内導入處理氣體，故亦 可於該時序發送處理氣體使用結束信號（F)。 並且’於步驟S418中，在控制裝置31〇自任一 m/c控制 部130接收信號時，於步驟S42〇中，判斷該信號為處理氣 體使用開始信號（S)抑或為處理氣體使用結束信號（F)。 於步驟S420，當判斷自任一 M/c控制部13〇接收之信號 為處理氣體使用開始信號（S)時，於步驟S5〇〇，進行處理 氣體供給開始處理。於第二實施形態之處理氣體供給開始 處理中’對處理氣體供給配管220及各分支配管 410A〜410D中用於本次處理氣體供給之配管内進行抽真空 排氣，並以特定之壓力向該配管内填充處理氣體，使處理 氣體使用開始信號（S)之信號源之處理裝置} 〇〇側成為可使 用處理氣體之狀態。 123405.doc -33· 200902901 藉此，信號源之處理裝置100中，利用其M/c控制部】3〇 之控制而打開氣瓶120之氣體導入閥門AV1S、AV2S，藉此 可向處理室110内導入處理氣體，並且，信號源之處理裝 置100僅以特定時間進行處理氣體之處理（例如，半導體晶 圓之蝕刻處理）。再者，上述處理氣體供給開始處理中對 配管内狀態之具體控制詳情，將於以下描述。 繼而，在處理氣體供給開始處理（步驟S500)結束時，返 回至步驟S418之處理，成為來自任一處理裝置ι〇〇Α〜麵 之信號等待狀態。其原因在於’如本實施形態所示，於複 數個處理裝置100A〜麵分別進行處理時，根據各處理裝 置100中之處理狀況，各個M/c控制部130A〜130D於各個時 序，將處理氣體使用開始信號⑻與處理氣體使用結束信 號（F)發送至控制裝置31〇。 ° 號 續 因此’例如在自處縣置祕接收處理氣體使用開始信 (SA)並供給處理氣體期間，亦考慮自其他處理裝置職 收處理氣體使用開始信號（Sb)之情況。於該情形時，繼 執行處理氣體供給開始處理（步驟S5〇〇)。 、 w胆π而·岡游慝理時，桐 據其他處理褒置之處理氣體使用狀況，各配管内之狀熊 (為處理氣體填充狀態抑或為惰性氣體填充狀態)有所； 號’因此自處理裝請Α〜刪接收處理氣體使用開師 & )時’較好的1’根冑此時其他處理裝 使用狀況，僅向處理氣體 处理虱體 氣體。 孔體供、·。時所使用之配管内填充處理 123405.doc -34- 200902901 例如，自某個處理裂置接收處理氣體使用開始信號⑻ 時，當其他處理裝置中不使用處理氣體時，於處理氣體供 給配管220内尚未填充有處理氣體，而是填充有惰性氣 體。因此，於該情形時，除連接於信號源之處理裝置之分 支配管之外，必須將處理氣體供給配管22〇之惰性氣體排 出’以填充處理氣體。 相對於此，在自某個處理裝置接收到處理氣體使用結束 信號（F)時’當其他處理裝置中正在使用處理氣體時，處 理氣體供給配管220内已填充有處理氣體。因此，於該情 幵y時，僅對連接於信號源之處理裝置之分支配管進行排氣 並填充處理氣體即可。以上述方式，可僅向處理氣體供給 時所使用之配管内填充處理氣體，因此可節約處理氣體， 並且對於除此以外之配管，可使其維持原狀成為惰性氣體 填充狀態，故可防止處理氣體與構成配管之金屬之接觸， 由此可防止附著物之產生。 並且’於步驟S420 ’當判斷自任一 m/c控制部130接收 之#號為處理氣體使用結束信號（F)時，於步驟S6〇〇中， 進行處理軋體供給結束處理。於第二實施形態之處理氣體 供給結束處理中，停止處理氣體之供給，對處理氣體供給 配管220及各分支配管410A〜410D中之於處理氣體供給時 未使用之配管内進行抽真空排氣，並以特定之壓力向該配 管内填充惰性氣體。 在本實施形態之進行處理氣體供給結束處理時，根據其 他處理裝置之處理氣體使用狀況，各配管内之狀態（為處 123405.doc •35- 200902901 理氣體填充狀態抑或為惰性氣體填充狀態）有所不同，因 此自處理襄置10〇A〜1〇〇D接收到處理氣體使用結束信號（F) 時，較好的是根據此時其他處理裝置之處理氣體使用狀 況，僅向於處理氣體供給時不使用之配管内填充惰性氣 體。 例如’自某個處理《置接收到處理氣體使用结束信號 (F)時’t其他處理裝置中未使用處理氣體時，因 理氣體供給配管2 2 0内已填充有處理氣體之狀態下使用處 理氣體，故無法將處理氣體供給配管22〇之處理氣體排 。因此’於該情形時，僅使連接於信號源之處理裝置之 分支配管排氣並填充惰性氣體。利用上述方式，可僅向於 處理氣體供給時未使用之配管内填充惰性氣體，故可節約 惰性氣體，並且對於其配管，可㈣崎為惰性氣體填充 狀態’因此可防止處理氣體與構成配管之金屬之接觸，由 此可防止堆積物之產生。 相對於此’在自某個處理裝置接收到處理氣體使用結束 信號(F)時，t其他處理裝置中未使用處理氣體時，亦可 將處理氣體供給配管220之處理氣體排氣後填充惰性氣 體。因此，於該情形時，除連接於信號源之處理裝置之分 支配管之外，亦可向處理氣體供給配管22()中供給惰性^ 體。 藉由上述處理氣體使用結束處理（步驟S6〇〇)，當處理裝 置刚中未使用處耗體時，成為處理氣隸給配管22〇内' 及各分支配管41〇A〜41〇D中之未使用之配管内始終密封有 123405.doc * 36 - 200902901 十月性氣體之狀態，因此其間彼等 M. j仮寺配管内不會產生堆積物。 糟此，可防止其後再次使用處 处理虱體時，堆積物進入處理 至110内。再者，處理氣體供认

/、、、'σ、、、〇束處理中對配管内狀離 之控制詳情，將於以下描述。 狀L 其次’於步驟S422中，判斷早尤产 上 J斷疋否停止處理氣體供給系統 之運仃。於步驟⑽中，當判斷不停止運行時，返回至步 :難之處理，當判斷停止運行時，直接結束。藉此，於

本實施形態之處理氣體供士击老m丄 虱菔供、，，口結束處理中，全部處理 1 00A〜1 00D之處理έ士走，杳卢邱在 、口采田處理氣體供給配管220内填充 有惰性氣體時，亦可亩垃έ士去 刀^接結束。再者，於該情形時，亦可 對處理氣體供給配管220內推并社古& ，>、、 S内進仃抽真空排氣，以惰性氣體 進行清洗，並且改為由惰性氣體填充。 (處理氣體供給開始處理之具體例） 此處，將-面參照圖式，一面說明第二實施形態之處理 氣體供給開始處理(步驟S5〇〇)之具體例。圖ι〇係表示第二 實施形態之處理氣體供給開始處理之具體例之流程圖。首 先於步驟S542中，判斷除處理氣體供給開始信號源之處 理裝置（M/C)以外之其他處理裝置（M/c)是否使用處理氣 體。 於步驟S542中，當判斷其他處理裝置(M/c)中正使用處 里氣體時，由於處理氣體供給配管22()内已填充有處理氣 體’因此於步驟S544’僅對連接於處理氣體供給開始信號 Θ)之信號源之處理裝置（M/C)之分支配管進行抽真空排 氣例如在僅對分支配管4 j 〇 A進行抽真空排氣時，僅打 123405.doc -37- 200902901 開圖8所示之空氣閥門AV-V、AV3 A，在經過固定時間後， 關閉空氣閥門AV_V、AV3A。藉此，以I空㈣〇對分支配 笞1 〇 A内進行之抽真空排氣結束，分支配管41 〇 A内之惰 性氣體被排出。 繼而，於步驟S546〜步驟S550中，僅對進行抽真空排氣 之該刀支配官内進行清洗。即，首先於步驟S546中，僅向 該刀支配管内導入惰性氣體（例如，N2氣體）。例如，當僅 向分支配管41〇A内導入惰性氣體時’僅打開圖8所示之空 氣閥門AV2A ’ |經過固定時間後，關閉空氣閥門AV2A。 藉此’向分支配管410A内導入惰性氣體。 繼而，於步驟S548中，僅對該分支配管内進行抽真空排 氟該步驟S548之具體處理與上述步驟Μ4*之處理相同。 其次，於步驟S550中，判斷是否僅重複特定之設定次數。 當判斷並非僅重複特定之設定次數時，利用步驟S546〜步 驟S548反覆地進行清洗。又，於步驟S55〇，當判斷僅重複 特定之設定次數時，於步驟8552中，開始向該分支配管供 給處理氣體，其後結束一連串之處理氣體供給開始處理。 於該情形時，已打開儲氣罐21〇之閥門cv，處理氣體供給 配管220内亦填充有處理氣體，因此僅打開該分支配管之 空氣閥門，即可開始向該處理裝置供給處理氣體。例如， 當僅向分支配管410A内開始供給處理氣體時，較好的是， 僅打開空氣閥門AV1A。藉此，處理裝置丨〇〇a可藉由打開 氣瓶120之氣體導入閥門AV1S、AV2S而向處理室11〇内導 入處理氣體。 123405.doc -38- 200902901 於步驟S542中，當判斷其他處理裝置（Μ/C)中未使用處 理氣體時，執行圖11所示之流程圖之處理。於該情形時， 成為處理氣體供給配管220内填充有惰性氣體之狀態，因 此不僅需對分支配管進行排氣，亦需對處理氣體供給配管 220進行排氣，並改為填充處理氣體。 此處’如圖11所示，預先於步驟S562中，對處理氣體供 給配管220即第1〜第3配管222、224、226内進行抽真空排 氣。具體而言’打開圖8所示之空氣閥門AV5、AV4、空氣 閥門AV7、AV6、空氣閥門AV9、AV8，利用真空泵250分 別對第1配管222、第2配管224、第3配管226進行抽真空排 氣。該狀態經過固定時間之後，關閉空氣閥門AV5、 AV4、空氣閥門AV7、AV6、以及空氣閥門AV9、AV8。藉 此，第1〜第3配管222、224、226内之抽真空排氣結束，惰 性氣體被排出。 繼而’於步驟S564〜步驟S568中，對處理氣體供給配管 220内進行清洗。即’首先於步驟S564中，向處理氣體供 給配管220之各配管即第1〜第3配管222、224、226導入惰 性氣體（例如，N2氣體）。具體而言，打開圖8所示之空氣 閥門AV-N，依序打開空氣閥門AV3、AV10，AV2，藉此， 第1〜第3配管222、224、226與惰性氣體供給配管232連 通’使來自惰性氣體供給源230之惰性氣體經由惰性氣體 供給配管232而導入至各第1〜第3配管222、224、226。該 狀態經過固定時間之後，關閉空氣閥門AV2、AV3、 AV10，並且關閉空氣閥門AV_N。藉此，向處理氣體供給 123405.doc -39- 200902901 配管220内導入惰性氣體。

繼而，於步驟S566中，對處理氣體供給配管22〇即第 第3配管M2、224、226内進行抽真空排 S5 66之具體處理與步驟S562之處理相同 S568中，判斷是否僅重複特定之設定次數 重複特定之設定次數時 氣。再者，步驟 。其次，於步驟 °當判斷並非僅 利用步驟S564〜步驟S566反覆地 進行清洗。又’當_僅重複特定之設定次數時，於步驟 S570中，僅對連接於處理氣體供給開始信號（s)之信號源 之處理裝置（歐）之分支配管進行抽真空排氣，並且於步 驟S572〜步驟S576中，僅對該分支配管進行清洗。再者’ 步驟S570〜步驟S576之處理分別與圖1〇所示之步驟s544〜步 驟S550之處理相同。

並且，於步驟S576中，當判斷僅重複特定之設定次數 時，於步驟S578中，僅向處理氣體供給配管22〇内及該分 支配管内開始處理氣體供給，其後結束一連串之處理氣體 供給開始處理。即’打開c/c供給系統閥門（儲氣罐㈣之 閥門cv，空氣閥門AV1、AV2)，並且打開膽供給系統闕 門（空氣閥門AV1A〜AVID中之該分切管者），僅向處理氣 體^給配管220内及該分支配管内填充來自儲氣罐21〇之處 理氣體，使處理氣體供給開始信號⑻之信號源之處理裝 置（M/C)成為可使用處理氣體之狀態。以此結束—連串之 處理氣體供給開始處理。 藉此’上述信號源之處理裝置（M/C)可藉由打開氣觀12〇 之氣體導人閥門AV1S、AV2S而向處理室iig内導人處理氣 123405.doc 200902901

體。又，根據圖11所示之處理，在對氣體供給配管内及分 支配管内之兩者中之惰性氣體進行抽真空排氣時，向處理 裝置側之分支配管填充惰性氣體’並於該狀態下預先對處 里氣體i、給源側之氣體供給配管進行抽真空排氣，因此不 會V曰處理裝置侧之配管，可對配管内確實進行抽真空排 氣:又，在向配管内填充處理氣體之前，依序對該配管内 進1性氣體之導人與抽真S處理’以多次反覆地進行清 洗，藉此可確實去除配管内之殘留氣體及雜質等。 (處理氣體供給結束處理之具體例） -人 面參照圖式，—面說明第二實施形態之處理氣 體供給結束處理(步驟S600)之具體例。圖12係表示第二實 施形態之處理氣體供給結束處理之具體例之流程圖。首 先，於步驟S642中，判_除處理氣體供給結束信號⑺之 信號源之處理裝置（M/c)以外之其他處理裝置（m/c)是否使 用處理氣體。 於步驟S642,當判斷其他處理裝置（M/c)中正使用處理 -體時，由於處理氣體供給配管22〇内已填充有處理氣 體’並且為其他處理裝置所使用，因此於步驟S644中，僅 對連接於處理氣體供給結束㈣⑺之㈣源之處理 障)之分支配管停止供給處理氣體。具體而t，關閉空 现間門AV1A〜AVID中之連接於芦垆、、原走 分支配管者。藉此，可…： 裝置(M/C)之 處理氣體。曰Τ自處理氣體供給配管220供給 對該分支配管内進行 繼而，於步驟S646〜步驟S648中 123405.doc -41 · 200902901 清洗’並填充惰性氣體（例 〇 ^ ⑼如’ 乂氣體）。即，首先於步驟 S646中，僅對該分支配管 ^ 内進仃抽真空排氣，其次於步驟 S648中，僅向該分支配管 門等入惰性氣體。該等步驟 S646、步驟S648分別與圖]_ 圖10所不之步驟S548、步驟S546之 處理相同。 繼而，於步驟S650中，划邮曰 Μ斷疋否僅重複特定之設定次 數。當判斷並非僅重複牿定 < 特夂之s又疋次數時，利用步驟 S046〜步驟S648反覆地進行、、主 叮/月冼。又，於步驟S65〇中，當 判斷僅重複特定之設定次數時，直接結束一連串之處理氣 體供給結束處理。藉此，僅兮八 僅該刀支配官内之處理氣體被排 出’取而代之填充惰性氣體。 於步驟S642中，當刹齡·甘仙占 田判斷其他處理裝置（M/C)中並未使用 處理氣體時’執行圖13所示之流程圖之處理。於該情形 時’僅於處理氣體供給結束信號（F)之信號源之處理裝置 中使用處理氣體’因此不僅對該處理裝置之分支配管，而 且對處理氣體供給配管22()亦停止供給處理氣體。 此處’如圖13所示，首先於步驟S662中，關閉B/B供給 系統閥Π(空氣閥門AV1A〜AVID中之相應分支配管者）’並 且關閉c/c供給系統閥門（儲氣罐21〇之閥門cv、空氣閥門 AVI、AV2) ’停止自儲氣罐21〇供給處理氣體。 繼而，於步驟S664〜步驟S666中，對該分支配管内進行 清洗，並填充惰性氣體（例如，A氣體）。即，首先於步驟 S664中，僅對該分支配管内進行抽真空排氣，其次於步驟 S666中，僅向該分支配管内導入惰性氣體。該等步驟 123405.doc -42- 200902901 S664、步驟S666分別與圖12所示之步驟S646、步驟S648之 處理相同。 繼而，於步驟S668，判斷是否僅重複特定之設定次數。 當判斷並非僅重複特定之設定次數時，利用步驟S664〜步 驟S 6 6 6反覆地進行清洗。藉此，僅該分支配管内之處理氣 體被排出，取而代之填充惰性氣體。 又，於步驟S668中，當判斷僅重複特定之設定次數時， 於步驟S670〜步驟S672中，對處理氣體供給配管220即第1 配管〜第3配管222、224、226進行清洗並導入惰性氣體。 再者，步驟S670、步驟S672之處理分別與圖11之步驟 S566、步驟S564相同。 其次，於步驟S674中，判斷是否僅重複特定之設定次 數。當判斷並非僅重複特定之設定次數時，利用步驟 S670〜步驟S672反覆地進行清洗後，直接結束一連串之處 理氣體供給結束處理。 藉此，對處理氣體供給配管220内亦進行排氣處理，取 而代之填充惰性氣體。因而，直至其後接收處理氣體使用 開始信號（S)為止，處理氣體供給配管220内一直填充有惰 性氣體，故其間於處理氣體供給配管220内，不會產生處 理氣體與構成配管之金屬之反應所造成之堆積物。 又，在對氣體供給配管内及分支配管内之兩者中之處理 氣體進行抽真空排氣時，預先對處理裝置側之分支配管進 行抽真空排氣，藉此可更快地排出接近處理裝置側之配管 内之處理氣體。又，在向配管内填充惰性氣體之前，依序 123405.doc •43 · 200902901 對該配管内進行抽真空處理與惰性氣體導入處理，以多次 反覆地進行清洗，藉此可確實去除該配管内之殘留氣體及 雜質等。

根據以上說明之第二實施形態之氣體供給方法，配管内 成為例如圖14所示之狀態。即’通常在處理氣體供給配管 220及第1〜第4分支配管410A〜410D内填充有惰性氣體（例 如’ N2氣體）之狀態下待機。並且，例如在接收來自處理 裝置1 00A之處理氣體使用開始信號（sA)時，執行圖11所示 之步驟S562〜步驟S578之處理。即’對處理氣體供給配管 220(第1〜第3配管222、224、226)内進行抽真空排氣及清 洗（P)之後，對第1分支配管41 〇A内進行抽真空排氣及清洗 (P)，使儲氣罐210之閥門CV為打開狀態，並以特定之壓力 向處理氣體供給配管220及第1分支配管41〇A内填充處理氣 體（例如，HF氣體），以成為可使用處理氣體之狀態。 該狀態下，在接收來自處理裝置1〇〇3之處理氣體使用開 始信號（sB)時，執行圖10所示之步驟S544〜 理。即，對第2分支配管侧内進行抽真空排氣及= (P)’並打開第2分支配管410B之空氣閥門AV1B，使其連 通於處理氣體供給配管22〇，藉此，以特定之壓力向第、2分 支配管410B内填充處理氣體（例如，HF氣體），以成為可使 用處理氣體之狀態。 η繼而，在接收來自處理裝置職之處理氣體使用結束信 號（Α)時執仃圖所示之步驟S644〜步驟§65〇之處理。 即，關閉第1分支配f410A之空氣閥門剔八，停止自處理 123405.doc -44 - 200902901 氣體供給配管220供給處理氣體，並對第卜分支配管“Μ内 進行抽真空排氣及清洗(p) ’以特定之壓力向第卜分支配管 410A内填充惰性氣體。 其後，每次接收處理氣體使用開始信號（s)時，執行圖 1〇所示之步驟S544〜步驟S552之處理，每次接收處理氣體 使用結束信號（F)時，執行圖12所示之步驟〜步驟s㈣ 之處理。藉此，於其他處理裝置使用處理氣體期間，僅向 信號源之處理裝置之分支配管内填充處理氣體或惰性氣 體。 並且’在其他處理裝置1〇〇A〜l〇〇c不使用處理氣體，僅 處理裝置嶋使用處理氣體之狀態下，在自其處理裝置 麵接收處理氣體使用結束信號（Fa)時，執行㈣所示之 步驟s662〜步驟S672之處理。即，關閉儲氣罐21〇之閥門 CV’，止供給處理氣體’對第4分支配管4卿内進行抽真 工排氣及^洗⑺’其後對處理氣體供給配管第卜第3 ，管222、224、226)内進行抽真空排氣及清洗（P)，並以特 定之壓力向處理氣體供給配管22〇及第4分支配管4削内填 充惰性氣體。 ' 藉此’僅於處理裝置1〇〇中使用處理氣體時，可向處理 氣體供給配管220及第1〜第4分支配管410A〜侧中之於處 理氣體供給進所使用之配管内填充處理氣體。因此，於處 理裝置100中不使用虛理备 礼體時’使處理氣體供給配管22〇 内及不使用之分支配管内成為填充有惰性氣體之狀態，故 其間處理氣體供給配管220内不會產生堆積物。因此，可 123405.doc -45. 200902901 防止其後再錢用處理氣_， 100A〜刪之處理室110内。 物進入各處理裝置 進而相較於始終向整個處理氣0 筮彳筮4八士 炎里虱體供給配管220及整個 第1〜第4刀支配管41〇a〜41〇d ^ 开凡知理氣體之情形，可去 二度地縮短配管内之金屬與處理氣體之接觸時間， 1 目較於先前大幅度地抑制配管内之金屬與處理氣體之反 應。

再者’當使用與構成配管内之金屬之反應性較高之處理 氣體（反應性氣體）作為處理氣體時，本發明之應用效果顯 者。該方面上’於上述第一及第二實施形態中，例如已舉 出與構成配管之金屬之反應性特別高之職體作為處理氣 體之例進行了說明，但並非必須限定於此。又，已舉出… 氣體作為惰性氣體之例進行了說明，但並非必須限定於2 此’例如亦可使用Ar氣體等。 以上，一面參照隨附圖式，一面對本發明之較佳實施形 態進行了說明，當然本發明並未限定於上述例。對於本領 域技術人員’可明確瞭解於申請專利範圍所揭示之範嘴 内’可進行各種變更例或修正例，並且其等變更例或修正 例當然亦屬於本發明之技術範圍。 產業上之可利用性 本發明可應用於處理氣體供給系統及處理氣體供給方 法。 【圖式簡單說明】 圖1係表示本發明第一實施形態之氣體供給系統之概略 123405.doc •46- 200902901 構成之方塊圖。 圖 =示圖1所示之氣體供給系統之配管構成例之圖。 係表示該實施形態之氣體供給處理之具體例之流程 之具體例之 圖4係表示圖3所示之處理氣體供給開始處理 流程圖。 氣體供給結束處理之具體例之 圖5係表示圖3所示之處理 流程圖。 圖6係說明該實施形態中各配管内之狀態之圖。 圖7係表示本發明第二實施形態之氣體供給系統之概略 構成之方塊圖。 圖。 圖10係表示圖9所示之處理 之流程圖。 圖8係表示圖7所示之氣體供給系統之配管構成例之圖。 ，料㈣實施㈣之氣體供給處理之具體例之流程 體例 氣體供給開始處理之具 圖11係表示圖10所示之處理氣體供給開始處理時，其他 處理裝置隊）中不使用處理氣體時的處理之具體例之流 程圖。 圖12係表示圖9所示之處理氣體 之流程圖。 供給結束處理之具體例 圖13係表示圖12所示之處理氣體徂认 礼體供給結束處理時，其他 處理裝置（M/C)中不使用處理齑栌 y τ个π π处埋礼體時的處理之具體例之流 程圖 123405.doc •47· 200902901 圖14係說明該實施形態中各配管内之狀態之圖。 【主要元件符號說明】 100 處理裝置（M/C) 100A- 100D 處理裝置（M/C) 110 處理室 120 氣瓶 122 氣體導入配管 200 氣瓶櫃（C/C) 210 儲氣罐 220 氣體供給配管 220 處理氣體供給配管 230 惰性氣體供給源 232 惰性氣體供給配管 240 真空產生器 246 排氣管 247 配管 250 真空泵 300 氣體供給裝置 310 控制裝置 400 分支箱（B/B) 410A- 410D 分支配管 420 惰性氣體供給配管 440 抽真空用配管 s(sA， Sb ’ Sc ’ Sd) 處理氣體之供給開始信號 F(Fa - Fb ’ Fc ’ F〇) 處理氣體之使用結束信號 123405.doc • 48-

Claims (1)

1. 200902901 十、申請專利範圍： !· 一種氣體供給系統，1特徽A於.故办r» Λ* Μ 符徵在於.將處理氣體供給至處 理裝置，且具備： 處理氣體供給源，其供給上述處理氣體； 氣體供給配管，其將央自μ .+.由TB? / ΒΑ 丹肝來自上这處理氣體供給源之處理 氣體供給至上述處理裝置； 惰性氣體供給源，其向上述氣體供給配管供給惰性氣 體； 抽真空排氣機構，其對上述氣體供給配管内進行抽真 空排氣；及 控制裝置，其接收來自上述處理裝置之信號，並按照 所接收之信號而控制上述氣體供給配管内之狀態； 上述控制裝置於系統運行中，向上述氣體供給配管内 填充惰性氣體並待機； 在自上述處理裝置接收處理氣體使用開始信號時，對 上述氣體供給配管内之惰性氣體進行抽真空排氣，並填 充處理氣體’以開始自上述處理氣體供給源供給處理氣 體； 在自上述處理裝置接收處理氣體使用結束信號時，停 止自上述處理氣體供給源供給處理氣體，對上述氣體供 給配管内之處理氣體進行抽真空排氣，並填充惰性氣 體。 2.如請求項1之氣體供給系統，其中 上述氣體供給配管被分為上述處理氣體供給源側之一 123405.doc 200902901 次配管及上述處理裝置側之二次配管； 上述控制裝置在向上述氣體供給配管内填充處理氣體 時，預先對上述-次配管進行抽真空，以排出惰性氣 體’其後對上述二次配管進行抽真空，以排出惰性氣體 後向上14 -人配管及上述二次配管内填充處理氣體； 在向上述氣體供給配管内填充惰性氣體時，預先對上 述二次配管進行抽真空，以排出處理氣體，其後對上述 一次配管進行抽真空，以排出處理氣體後，向上述一次 配管及上述二次配管内填充惰性氣體。 3. 如請求項1之氣體供給系統，其中 上述控帝j I置在對上述氣體供給配管内之惰性氣體進 打抽真空排氣之後，於填充處理氣體之前，進行依序反 覆複數-欠上述氣體供給配管内之惰性氣體導入與抽真空 之清洗； 在對上述氣體供給配管内之處理氣體進行抽真空排氣 之後，於填充惰性氣體之前，進行依序反覆複數次上述 氣體供給配管内之抽真空與惰性氣體導入之清洗。 4. 如μ求項1之氣體供給系統，其中上述處理氣體為氣 體。 5. —種氣體供給系統之氣體供給方法，其特徵在於：其係 將處理氣體供給至處理裝置； 上述氣體供給系統具備：處理氣體供給源，其供給上 述處理氣體；氣體供給配管，其將來自上述處理氣體供 給源之處理氣體供給至上述處理裝置；惰性氣體供給 123405.doc 200902901 源’其向上述氣體供給配管供給惰性氣體；抽真空排氣 機構’其對上述氣體供給配管内進行抽真空排氣’♦及控 制裝置’其接收來自上述處理梦晉夕於a 疋知理裒置之信號，並按照所接 收之信號而控制上述氣體供給配管内之狀態； 且包括以下步驟： 於系統運行中，向上述氣體供給配管内填充惰性氣 體並待機； 在上述控制裝置自上述處理裝置接收處理氣體使用 開：信號時，藉由上述抽真空排氣機構對上述氣體供給 配管内之惰性氣體進行抽真空排氣，將來自上述處理氣 體供給源之處理氣體填充於上述氣體供給配管内，其後 開始自上述處理氣體供給源供給處理氣體丨及 在上述控制裝置自上述處理裝置接收處理氣體使用 結束信號時，停止自上述處理氣體供給源供給處理氣 體，藉由上述抽真空排氣機構對上述氣體供給配管内之 處理氣體進行抽真空排氣後，將來自上述惰性氣體供給 源之惰性氣體填充於上述氣體供給配管内。 6.如請求項5之氣體供給系統之氣體供給方法，其中 上述氣體供給配管被分為上述處理氣體供給源側之一 次配管及上述處理裝置側之二次配管； 在向上述氣體供給配管内填充處理氣體時，預先對上 述一次配管進行抽真空排氣，其後對上述二次配管進行 抽真空排氣後，向上述一次配管及上述二次配管填充處 理氣體； 123405.doc 200902901 在向上述氣體供給配管内填充惰性氣體時，預先對上 述二次配管進行抽真空排氣，其後對上述一次配管進行 抽真空排氣後，向上述一次配管及上述二次配管填充惰 性氣體。 3 7·如請求項5之氣體供給系統之氣體供給方法，其中 在對上述氣體供給配管内之惰性氣體進行抽真空排氣 ，後，於填充處理氣體之前，進行依序反覆複數次上述 氣體供給配管内之惰性氣體導入與抽真空之清洗. 在對上述氣體供給配管内之處理氣體進行抽真空排氣 之後m惰性氣體之前，進行依序反覆複數次上述 氣體供給配管内之抽真空與惰性氣體導入之清洗。 8.如响求項5之氣體供給系統之氣體供給方法，其中 上述處理氣體為HF氣體，上述惰性氣體為n2氣體。 9_ -種氣體供給系、统’其特徵在於：分別將處理氣體供給 至複數個處理裝置，且具備： 處理氣體供給源，其供給上述處理氣體； 氣體供給配管’其連接於上述處理氣體供給源； ^/复數個分支配管，其使來自上述氣體供給配管之處理 氣體刀支，分別供給至上述複數個處理裝置； 惰性氣體供給源，其向上述氣體供給配管及上述複數 個分支配管供給惰性氣體； 抽真空排氣機構’其對上述氣體供給配管内及上述複 數個分支配管進行抽真空排氣；及 二裝置其接收來自上述處理裝置之信號，並按照 I23405.doc 200902901 所接收之信號而控 分支配管内之狀態 制上述氣體供給配管内及上述複數個 上述控制裝置於系統運行中，向上述氣體供給配管内 及上述複數個分支配管内填充惰性氣體並待機， · 在:妾收來自上述處理裝置之處理氣體使用開始信號 ^述氣體供給配管及上述複數個分支配管中欲使 二之配官内之惰性氣體進行抽真空排氣’並填充處理氣 體’以開始供給處理氣體； 在接收來自上述處理裝置之處理氣體使用結束信號 時’停止供給處理氣體’對上述氣體供給配管及上述複 數個分支配管中不使用之阶其& ^ 尸 s τ +便用之配官内之處理氣體進行抽真空 排氣’並填充惰性氣體。 / ι〇_如請求項9之氣體供給系統，其中 j述控制裝置在自上述處理裝置接收處理氣體使用開 始仏號時’判斷其信號發送源之處理裝置m卜之其他處 理裝置是否為處理氣體使用中； ¥判斷上述其他處理裝置為處理氣體使用中時，僅對 連接於信號發送源之處理裝置之分支配管内之惰性氣體 進仃抽真空排氣，並填充處理氣體’以開始自上述氣體 供給配管供給處理氣體； 當判斷上述其他處理裝置並非處理氣體使用令時，對 上述巩體供給配管内及連接於信號發送源之處理裝置之 分支配管内之惰性氣體進行抽真空排氣，並填充處理氣 體’以開始自上述處理氣體供給源供給處理氣體。 123405.doc 200902901 11.如請求項1 〇之氣體供給系統，其中 在向上述氣體供給配管内及上述分支配管内之兩方填 充處理氣體時，上述控制裝置預先對上述氣體供給配管 7進行抽真空排氣，其後對上述分支配管進行抽真空排 氣後，向上述氣體供給配管内及上述分支配管内之兩方 填充處理氣體。 12·如請求項9之氣體供給系統，其中 上述控制裝置在自上述處理Μ接收處理氣體使用結 束信號時，判斷其信號發送源之處理裝置以外之其他處 理裝置是否為處理氣體使用中； 當判斷上述其他處理裝置為處理氣體使用中時，停止 自上述氣體供給配管供給處理氣體，僅對連接於上述庐 號發送源之處理裝置之分支配管内<處理氣體進行抽真 空排氣’並填充惰性氣體； 當判斷上述其他處理裝置並非處理氣體使用中時，停 止自上述處理氣體供給源供給處理氣體，對上述氣體供 給配管内及連接於上述信號發送源之處理襞置之分支配 管内之處理氣體進行抽真空排氣，並填充惰性氣體。 13·如請求項12之氣體供給系統，其中 在向上述氣體供給配管内及上述分支配管内之兩方填 充惰性氣體時，上述控制裝置預先對上述分支配管内進 行抽真空排氣，其後對上述氣體供給配管内進行抽真空 排氣後，向上述氣體供給配管内及上述分支配管内之兩 方填充惰性氣體。 123405.doc 200902901 14.如請求項9之氣體供給系統，其中 /述控制裝置在對上述欲使用之配管内之惰性氣體進 行抽真空排氣之後，於填充處理氣體之前，進行依序反 覆複數次該配管内之惰性氣體導入與抽真空排氣之清 洗； 在對上述不使用之配管内之處理氣體進行抽真空排氣 =後於填充惰性氣體之前，進行依序反覆複數次該配 管内之抽真空排氣與惰性氣體導入之清洗。 1 5_如請求項9之氣體供給系統，其中 述處理氣體為HF氣H，上述惰性氣體為n2氣體。 16· -種氣體供給系統之氣體供給方法，其特徵在於：其係 分別將處理氣體供給至複數個處理裝置； /、 •上述軋體供給系統具備：處理氣體供給源，其供給上 述處理《lit ;氣體供給’其連接於上述處理氣體供 給源；複數個分支配管，其使來自上述氣體供給配管之 '氣體刀支，分別供給至上述複數個處理裝置；惰性 氣體供、、Ό源，其向上述氣體供給配管及上述複數個分支 配e供給惰性氣體；抽真空排氣機構，其對上述氣體供 、”。配s内及上述複數個分支配管進行抽真空排氣；及控 制裝置’其接收來自上述處理裝置之信號，並按照所接 號而控制上述氣體供給配管内及上述複數個分支 配管内之狀態； 且包括以下步驟： 於系統運行中，向上述氣體供給配管内及上述複數 123405.doc 200902901 個分支配管内填充惰性氣體並待機； 上述控制裝置在接收來自上述處理裝置之處理氣體 使用開始信號時’對上述氣體供給配管及上述複數個分 支配管中欲使用之配管内之惰性氣體進行抽真空排氣 後，填充處理氣體’以開始供給處理氣體；及 在接收來自上述處理裝置之處理氣體使用結束信號 時，停止供給處理氣體，對上述氣體供給配管及上述複 數個分支配管中不使用之配管内之處理氣體進行抽真空 排氣後，填充惰性氣體。 17. 18. 如請求項16之氣體供給系統之氣體供給方法，其中包括 以下步驟： 上述控㈣置在自上述處理裝置接收處S氣體使用開 始信號時，判斷其信號發送源之處理裝置以外之其他處 理裝置是否為處理氣體使用中； 當判斷上述其他處理裝置為處理氣體使用中時，僅對 連接於信號發送源之處理裝置之分支配f内之惰性氣體 進行抽真空排氣，並填充處理氣體，以開始自上述氣體 供給配管供給處理氣體；及 當判斷上述其他處理裝置並非處理氣體使用中時，對 上述氣體供給配管内及連接於信號發送源之處理裝置之 分支配管内之惰性氣體進行抽真空排氣，並填充處理氣 體，以開始自上述處理氣體供給源供給處理氣體。 如吻求項17之氣體供給系統之氣體供給方法，其中 在向上述氣體供給配管内及上述分支配管内之兩方填 123405.doc 200902901 充處理氣體時，預先對上述氣體供給配管内進行抽真空 排氣，其後對上述分支配管進行抽真空排氣後，向上述 氣體供給配管内及上述分支配管内之兩方填充處理 體。 19.如請求項16之氣體供給系統之氣體供給方法，其中包括 以下步驟： 在自上述處理裝置接收處理氣體使用結束信號時，判 斷其信號發送源之處理裝置以外之其他處理裝置是否為 處理氣體使用中； 當判斷上述其他處理裝置為處理氣體使用中時，停止 自上述氣體供給配管供給處理氣體，僅對連接於上述信 號發送源之處理裝置之分支配管内之處理氣體進行抽^ 空排氣’並填充惰性氣體；及 當判斷上述其他處理裝置並非處理氣體使用中時，停 止自上述處理軋體供給源供給處理氣體，對上述氣體供 給配管内及連接於上述信號發送源之處理裝置之分支配 官内之處理氣體進行抽真空排氣，並填充惰性氣體。 20. 如請求項19之氣體供給系統之氣體供給方法，其中 在向上述氣體供給配管内及上述分支配管内之兩方填 充惰性氣體時，預先對上述分支配管内進行抽真空排 氡，其後對上述氣體供給配管内進行抽真空排氣後，向 上述氣體供給配管内及上述分支配管内之兩方填充惰性 氣體。 21. 如請求項16之氣體供給系統之氣體供給方法，其中 123405.doc 200902901 在對上述欲使用之配管内之惰性氣體進行抽真空排氣 /於真充處理氣體之前’進行依序反覆複數次該犯 管内之惰性氣體導入與抽真空之清洗； f對上述不使用之配管内之處理氣體進行抽真空排氣 ::，於：充惰性氣體之前，進行依序反覆複數次該配 菅内之抽真空與惰性氣體導入之清洗 22·如請求項16之氣體供給系統之氣：供給方法，” 上述處理氣體為1^氣體，上 ，、 ^丨生氣體為N2氣體。 123405.doc