Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

SA516371519B1 - جهاز إلكتروني بصري - Google Patents

جهاز إلكتروني بصري Download PDF

Info

Publication number
SA516371519B1
SA516371519B1 SA516371519A SA516371519A SA516371519B1 SA 516371519 B1 SA516371519 B1 SA 516371519B1 SA 516371519 A SA516371519 A SA 516371519A SA 516371519 A SA516371519 A SA 516371519A SA 516371519 B1 SA516371519 B1 SA 516371519B1
Authority
SA
Saudi Arabia
Prior art keywords
perovskite
layer
rrr
type
region
Prior art date
Application number
SA516371519A
Other languages
English (en)
Inventor
هيي اندريو
جيمس ويليام كروسلاند ايدوارد
دوكامبو بابلو
بال جيمس
لي مايكل
جيمس سنايث هينري
Original Assignee
أي اس أي اس إنوفيشين ليمتد
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=49237502&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=SA516371519(B1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Priority claimed from GB201216605A external-priority patent/GB201216605D0/en
Priority claimed from GB201309409A external-priority patent/GB201309409D0/en
Application filed by أي اس أي اس إنوفيشين ليمتد filed Critical أي اس أي اس إنوفيشين ليمتد
Publication of SA516371519B1 publication Critical patent/SA516371519B1/ar

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0224—Electrodes
    • H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/0352—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions
    • H01L31/035272—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their shape or by the shapes, relative sizes or disposition of the semiconductor regions characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/072—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN heterojunction type
    • H01L31/0725—Multiple junction or tandem solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/186—Particular post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity gettering, short-circuit elimination, recrystallisation
    • H01L31/1864—Annealing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/10—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising heterojunctions between organic semiconductors and inorganic semiconductors
    • H10K30/15—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2
    • H10K30/151—Sensitised wide-bandgap semiconductor devices, e.g. dye-sensitised TiO2 the wide bandgap semiconductor comprising titanium oxide, e.g. TiO2
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/20—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions
    • H10K30/211—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising organic-organic junctions, e.g. donor-acceptor junctions comprising multiple junctions, e.g. double heterojunctions
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/40—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation comprising a p-i-n structure, e.g. having a perovskite absorber between p-type and n-type charge transport layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00—Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • H10K30/50—Photovoltaic [PV] devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K39/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic radiation-sensitive element covered by group H10K30/00
    • H10K39/10—Organic photovoltaic [PV] modules; Arrays of single organic PV cells
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/50—Organic perovskites; Hybrid organic-inorganic perovskites [HOIP], e.g. CH3NH3PbI3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/541—CuInSe2 material PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Led Devices (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
  • Undergarments, Swaddling Clothes, Handkerchiefs Or Underwear Materials (AREA)
  • Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
  • Heterocyclic Carbon Compounds Containing A Hetero Ring Having Oxygen Or Sulfur (AREA)

Abstract

يتعلق الاختراع الحالي بتوفير جهاز إلكتروني بصري optoelectronic device يشتمل على منطقة متفاعلة ضوئيًا photoactive region, تشتمل المنطقة المتفاعلة ضوئيًا هذه على: منطقة من نوع n تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع n؛ منطقة من نوع p تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع p؛ و, يتم فيما بين المنطقة من النوع n والمنطقة من النوع p وضع: طبقة من مادة شبه موصلة semiconductor من بروفسكيت perovskite بدون مسام مفتوحة. تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت بشكل عام ماصة للضوء light-absorbing. في بعض النماذج, يتم فيما بين المنطقة من النوع n والمنطقة من النوع p وضع: (1) طبقة أولى تشتمل على مادة دعم مؤقتة, تكون مسامية بشكل نمطي, ومادة شبه موصلة من البروفسكيت, يتم وضعها نمطيًا في مسام مادة الدعم المؤقتة scaffold material؛ و(2) طبقة تغطية capping layer موضوعة على الطبقة الأولى المذكورة, حيث تكون طبقة التغطية هي الطبقة المذكورة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة, حيث تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في طبقة التغطية في حالة تلامس مع المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في الطبقة الأولى. تُشك

Description

— \ — جهاز إلكتروني بصري ‎Optoelectronic devices‏ الوصف الكامل خلفية الاختراع إن هذا الطلب عبارة عن طلب جزئي من الطلب رقم ‎2١97710974‏ والذي تم ايداعه في المملكة العربية السعودية بتاريخ ‎70/5/7١‏ ١ه‏ ه والموافق ‎VO YY‏ م. يتعلق الاختراع بجهاز إلكتروني ‎coptoelectronic device (spar‏ وتحديدًا بجهاز إلكتروني © بصري به وصلة مسطحة. يتعلق الاختراع أيضنًا بعملية لإنتاج هذا الجهاز الإلكتروني البصري. تعتبر الخلايا الفلطاثية الضوئية ‎photovoltaics‏ ذات الغشاء الرقيق 1010-1100 رفيع ‎lll‏ بديلاً واعدًا لنظائرها أحادية ‎monocrystalline counterparts lal‏ بفضل كفاءتها العالية؛ ثباتها القابل للمقارنة ‎comparable stability‏ وتكلفة التصنيع المنخفضة المحتملة. تتضمن مواد الغشاء الرقيق رفيع ‎materials cle)‏ 110-710 التي تمت دراستها على النحو الأوسع ‎٠‏ الخاضعة للفحض حاليًا التطبيقات الفلطائية الضوئية ‎photovoltaic applications‏ المواد شبه الموصلة للمركب :
CdTe [X. Wu, Solar Energy, vol. 77, 0.6803, 2004], ©0101 ‏كادميوم تيلوريد-‎ xGaxSe2 (CIGS) [Chirila et al.
Nature Materials, vol. 10, ‏.م‎ 857, 2011], Cu2ZnSnS4 (CZTS) [D.
Barkhouse et al., Progress in Photovoltaics, vol. 20, ‏.م‎ 6, 2012]; ٠ الخلايا الشمسية الحساسة للأصباغ ‎Yalla .A] dye-sensitized solar cells‏ وآخرينء ‎([Science, vol. 334, p. 629, 2011‏ والخلايا الشمسية شبه الموصلة العضوية ‎organic‏ ‎Advanced Energy Materials, ‏بآخرين‎ Liang .Y] semiconductor solar cells ‎p. E135, 2010‏ ,22 .01”/]. يتم نمطيًا تصنيع المواد شبه الموصلة لمركب غير عضوي ‎inorganic compound semiconductors ٠‏ التي تشتمل على خلايا شمسية ‎Alle‏ الكفاءة ‎ovvY
لاد ‎high-efficiency solar cells‏ باستخدام الترسيب المعتمد على الوسط المفرغ ‎vacuum‏ ‏المكلف بالرغم من أن الأساليب حديثة تجاه معالجة المحلول الخاص ب نحاس الانديوم الغاليوم سيلينيد ‎copper indium gallium selenide (CIGS)‏ وكبريت قصدير نحاس الزنك ‎Copper zinc tin sulfide (CZTS)‏ قد عرضت أدوات عالية الكفاءة [/ا. ‎Graetzel‏ ‎W[Nature, vol. 488, p. 304, 2012 «uals ©‏ يتم ‎Glass‏ تصنيع الخلايا الشمسية الحساسة للأصباغ والعضوية ذات قيم كفاءة التسجيل المنخفضة باستخدام إجراءات ترسيب معتمد على محلول ولكنها تعاني من ثبات ضعيف على المدى البعيد. بالإضافة إلى ذلك؛ تؤدي القدرة على الإنتاج المنخفضة نسبيًا الخاصة بالتَيلُوزْيُوم ‎tellurium‏ والإنديوم ‎indium‏ إلى احتمالية جعل كادميوم تيلوريد ‎CdTe‏ ونحاس الانديوم الغاليوم سيلينيد ‎CIGS‏ غير جذابين تجاريًا. ‎٠‏ تعتبر مواد البروفسكيت ‎Mitzi .D] perovskites‏ وآخرين» ,1473 ‎Science, vol. 267, p.‏ ‎bile [1995‏ بديلة من المواد شبه الموصلة التي قد تم فحصها لتطبيقات الجهاز ‎Mitzi .D]‏ وآخرين: 2001 ,29 .م ,45 ‎[IBM Journal of Research and Development, vol.‏ بالنسبة للخلايا الفلطائية الضوئية؛ لقد تم استخدام مواد البروفسكيت باعتبارها العامل المثير للحساسية في ‎Yo‏ الخلايا الضوئية الكهربائية الكيميائية الإلكتروليتية السائلة ‎liquid electrolyte‏ ‎photoelectrochemical cells‏ ‎A.
Kojima et al.,‏ ;2011 ,4088 .م ,3 ‎[J.—H.
Im et al., Nanoscale, vol.‏ ‎Journal of the American Chemical Society, vol. 131, p. 6050, 2009]‏ بالرغم من أنه في نظام الإلكتروليت ‎electrolyte system‏ الموضح ‎Buss‏ هذاء تتحلل المواد ‎٠‏ الماصة للبروفسكيت سريعًا وانخفض أداء الخلايا الشمسية ‎solar cells‏ بعد ‎٠١‏ دقائق فقط. لقد تم أيضًا استخدام مواد البروفسكيت في الخلايا الضوئية الكهربائية الكيميائية في الحالة الصلبة ‎cells [H.-S.
Kim et al., Scientific Reports, doi:10.1038/srep00591; A.‏ ]2007 ,352 .م ‎Kojima et al., ECS Meeting Abstracts, vol.
MA2007-02,‏ لات
وه وباعتبارها ناقل الثتقب ‎hole transporter‏ في الخلايا الشمسية الحساسة للأصباغ في الحالة الصلبة : ‎Chung, Nature, vol. 485, p. 486, 2012]‏ .!]. يتمتل مبدأ التشغيل الرئيسي ‎main‏ ‎operating principle‏ الخاص بالخلايا الشمسية الحساسة ‎«sensitized solar cells‏ أنه © يتم فصل دور امتصاص ‎co pal)‏ ونقل الشحنة إلى مواد مختلفة في الخلية الشمسية ‎solar cell‏ يسمح هذا لمواد امتصاص ‎oo pall‏ التي قد تّلد شحنة غير فعالة إذا تم إظهار الضوء على غشاء رقيق صلب ‎solid film‏ من المادة؛ بالعمل بكفاءة كبيرة في خلية شمسية حساسة ‎sensitized‏ ‎cell‏ +5018. ومن ثم حيث إنه توجد أمثلة على مواد البروفسكيت المستخدمة كعوامل إكساب حساسية ‎sensitizers‏ في الخلايا الشمسية متوسطة التركيب ‎meso-structured solar‏ ‎ccells ٠‏ أو كعوامل نقل للثقب في الخلايا الشمسية الحساسة للأصباغ؛ ولكن بدون تقارير عن أغشية رقيقة صلبة من مواد البروفسكيت عاملة بكفاءة في الخلايا الشمسية؛ قد يكون من المقبول افتراض أن مواد البروفسكيت لا تعتبر عائلة مثالية من المواد ليتم استخدامها كأغشية رقيقة رفيعة ‎ele)‏ صلبة ‎solid thin films‏ في الخلايا الفلطائية الضوئية ذات الغشاء الرقيق رفيع السمك. الوصف العام للاختراع ‎No‏ يوفر الاختراع أجهزة إلكترونية بصرية تشتمل على غشاء رقيق رفيع ‎Al)‏ من بروفسكيت ماص للضوء ‎light-absorbing perovskite‏ أو باعث للضوء ‎light-emitting‏ موضوع فيما بين طبقات من نوع ‎N‏ (موصلة للإلكترون ‎(electron conducting‏ ومن نوع ‎Pp‏ (موصلة للفجوة ‎(hole conducting‏ لقد وجد المخترعون على نحو غير متوقع أنه ‎(So‏ الحصول على قيم كفاءة الجهاز الجيد عن طريق استخدام غشاء رقيق رفيع السمك مضغوط من البروفسكيت ‎٠‏ المتفاعل ضوئيًا ‎cphotoactive perovskite‏ في مقابل متطلبات المادة المركبة متوسطة المسام ‎.mesoporous composite‏ بينما يمكن نمطيًا أن يتم ترشيح بروفسكيت بهيكل مفتوح المسام ‎open porous perovskite structure‏ باستخدام مادة من نوع أو نوع 0 لتكوين وصلة غير متجانسة كتلية ‎bulk heterojunction‏ باستخدام تلك ‎Gala)‏ ستُكوّن طبقة البروفسكيت الكثيفة ‎dense perovskite‏ المستخدمة في الاختراع الحالي بشكل عام وصلة غير متجانسة مستوية مع ‎Yo‏ الطبقة من النوع 0 و / أو الطبقة من النوع 0. ‎ovvY‏
El تكون مواد البروفسكيت المستخدمة في الأجهزة الإلكترونية البصرية الخاصة بالاختراع جذابة لتطبيقات جهاز إلكتروني بصري لأنه يمكن تكوينها من العناصر الوفيرة في الأرض عن ‎Gob‏ معالجة محلول والمعالجة الخوائية ‎«vacuum processing‏ ولها هياكل نطاق قابلة للضبط
Wb ‏(وبالتالي الخصائص الضوئية والإلكترونية)؛ ويمكن أن تكون‎ tunable band structures ‎o‏ في الظروف الجوية. لقد عرض المخترعون أنه يمكن استزراع الغشاء الرقيق من البروفسكيت ‏المتفاعل ‎Wan‏ على مادة دعم مؤقت رفيعة ‎Gl)‏ أو طبقة بذور تكوين؛ أو في ظل غياب ‎sale‏ ‏الدعم المؤقت ‎coda‏ عن طريق ترسيب محلول. يمكن معالجة الأجهزة المتضمنة طبقة بذور التكوين ‎thin seed layer oli) dag,‏ بشكل تام عند درجات حرارة لا تتجاوز ‎١5١‏ درجة مئوية؛ الأمر ‏الذي يعتبر مهمًا لتقليل تكلفة التصنيع؛ وللسماح بمعالجة على طبقات أساسية من البلاستيك ‎٠‏ ا لتوفير أجهزة مرنة؛ ‎Waly‏ للسماح بالمعالجة أعلى الطبقات الأخرى للسماح بإنتاج ‎Seal‏ بوصلات ‏مترادفة ومتعددة. يمكن ‎Wal‏ على نحو مفيد تكوين الغشاء الرقيق رفيع ‎SLL‏ من البروفسكيت عن ‏طريق التبخير من مسحوق كتلي ‎bulk powder‏ أو عن طريق التبخير المشترك لمركبات المادة ‎.perovskite precursor ‏المنتجة للبروفسكيت‎ ‎Won ‏يوفر الاختراع جهاز إلكتروني بصري يشتمل على منطقة متفاعلة‎ ld ‏على‎ dl ‏تشتمل المنطقة المتفاعلة ضوئيًا هذه على:‎ (photoactive region Yo ‏منطقة من نوع ‎Jilin‏ على طبقة واحدة على الأقل من نوع ‎N‏ ‏منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛ و» يتم فيما بين المنطقة من ‏النوع 7 والمنطقة من النوع 0 وضع: ‏طبقة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت ‎perovskite semiconductor‏ بدون مسام مفتوحة. ‎٠‏ نمطيًّاء يكون الجهاز الإلكتروني البصري عبارة عن أداة فلطائية ضوئية. ‏على نحو بديل؛ يمكن أن يكون الجهاز الإلكتروني البصري شيئًا آخر بخلاف أداة فلطائية ضوئية. ‏يمكن أن يكون الجهاز الإلكتروني البصري على سبيل ‎JE‏ عبارة عن أداة باعثة للضوء ‎light—‏ ‎.emitting device ‎ovvY
Ce ‏في بعض النماذج؛ تشتمل المنطقة المتفاعلة ضوئيًا على:‎ ‏المذكورة؛‎ N ‏المنطقة من النوع‎ ‏والمنطقة من النوع م0 وضع:‎ Nog gill ‏المنطقة من النوع م المذكورة؛ و؛ يتم فيما بين المنطقة من‎ ‏ومادة شبه موصلة من‎ scaffold material ‏طبقة أولى تشتمل على مادة دعم مؤقتة‎ 0 ‏البروفسكيت؛ و‎ 0 ‏طبقة تغطية موضوعة على الطبقة الأولى المذكورة؛» حيث تكون طبقة التغطية هي الطبقة‎ (Y) ‏من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛‎ Alia ge ‏شبه‎ Sale ‏المذكورة من‎ ‏حيث تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في طبقة التغطية في حالة تلامس مع المادة شبه‎ ‏الموصلة من البروفسكيت في الطبقة الأولى.‎ ‏يوفر الاختراع عملية لإنتاج جهاز إلكتروني بصري يشتمل على منطقة متفاعلة‎ AT ‏في جانب‎ ٠ ‏تشتمل المنطقة المتفاعلة ضوئيًا هذه على:‎ (pun
N ‏على طبقة واحدة على الأقل من نوع‎ Jain ‏منطقة من نوع‎ ‏منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛ و؛ يتم فيما بين المنطقة من‎ ‏النوع © والمنطقة من النوع 0 وضع:‎ ‏طبقة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة,‎ ١ ‏تشتمل هذه العملية على:‎ ‏(أ) توفير منطقة أولى؛‎ ‏(ب) وضع منطقة ثانية على المنطقة الأولى؛ تشتمل المنطقة الثانية هذه على طبقة من مادة شبه‎ ‏موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ و‎ ‏(ج) وضع منطقة ثالثة على المنطقة الثانية؛‎ ٠٠ ‏حيث:‎ ‎CAAA
تكون المنطقة الأولى عبارة عن منطقة من نوع ‎٠‏ تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع ©
وتكون المنطقة الثالثة عبارة عن منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع م؛
أو
تكون المنطقة الأولى عبارة عن منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع م © وتكون المنطقة الثالثة عبارة عن منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0.
‎(Glad‏ تكون العملية الخاصة بالاختراع لإنتاج أداة فلطائية ضوئية تشتمل على المنطقة المتفاعلة
‏ضوئيًا المذكورة.
‏على نحو ‎day‏ يمكن استخدام العملية لإنتاج جهاز إلكتروني بصري بخلاف أداة فلطائية ضوئية؛
‏يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري هذا على المنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة. يمكن استخدام
‎٠‏ العملية على سبيل المثال لإنتاج أداة باعثة للضوء مشتملة على المنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة. في بعض النماذج الخاصة بالعملية الخاصة بالاختراع تشتمل المنطقة المتفاعلة ضوئيًا على: المنطقة من ‎Ng gill‏ المذكورة؛ المنطقة من النوع م المذكورة؛ و؛ يتم فيما بين المنطقة من النوع ‎N‏ ‏والمنطقة من النوع 0 وضع: ‎daha ( ١ )‏ أولى تشتمل على مادة د عم مؤقتة ومادة شبه موصلة من البروفسكيت ؛و
‎(Y) ٠‏ طبقة تغطية موضوعة على الطبقة الأولى المذكورة» حيث تكون طبقة التغطية هي الطبقة المذكورة من مادة شبه ‎Abia ge‏ من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ حيث تكون المادة شبه ‎Alia gall‏ من البروفسكيت في طبقة التغطية في حالة تلامس مع المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في الطبقة الأولى. في هذه ‎oz dill‏ تشتمل العملية الخاصة بالاختراع على:
‎٠٠‏ (أ) توفير المنطقة الأولى المذكورة؛
‏(ب) وضع المنطقة الثانية المذكورة على المنطقة ‎JY)‏ ( حيث تشتمل المنطقة الثانية على: ‎daha ( ١ )‏ أولى ‎wi‏ تشتما 1 على مادة د عم مؤقتة ومادة شبه موصلة من البروة د فسكبت؛ و ‎ovvy‏
‎A —_‏ _ ‎(Y)‏ طبقة تغطية على الطبقة الأولى المذكورة» حيث تكون طبقة التغطية هي الطبقة المذكورة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ حيث تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في طبقة التغطية في حالة تلامس مع المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في الطبقة الأولى؛ و © (ج) وضع المنطقة الثالثة المذكورة على المنطقة الثانية. يوفر الاختراع بشكل إضافي جهاز إلكتروني بصري يمكن الحصول عليه بواسطة العملية الخاصة بالاختراع لإنتاج جهاز إلكتروني بصري. ‎(Bass‏ يكون الجهاز الإلكتروني البصري عبارة عن أداة فلطائية ضوئية. على نحو بديل؛ يمكن أن يكون الجهاز الإلكتروني البصري شيئًا آخر بخلاف أداة فلطائية ضوئية. ‎Ve‏ يمكن أن يكون الجهاز الإلكتروني البصري على سبيل المثال عبارة عن أداة باعثة للضوء. شرح مختصر للرسومات الشكل ‎١‏ يوفر رسومات تخطيطة ل: (أ) الهيكل العام الخاص بنموذج من الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع الحالي؛ و(ب) الخلايا الفلطائية الضوئية الموضحة بأمثلة في هذا الطلب (يتم ‎Unf‏ فحص الصور المغايرة حيث يتم حذف الطبقة رفيعة المثمك من أكسيد الألومنيوم ‎Aluminium oxide (Aluminium oxide) Yo‏ أو ثاني أكسيد ‎Titanium dioxide asst‏ (1102). يكون واحد على الأقل من الإلكترودات الفلزية ‎metallic electrodes‏ شبه شفاف عبر المنطقة المرئية حتى القريبة من الأشعة تحت الحمراء من الطيف الشمسي ‎spectrum‏ +5018. يكون شبه الشفاف بنسبة شفافية تبلغ نمطيًا ‎JA‏ ويتراوح من 4 إلى ‎AR‏ ‏الشكل ¥ يعرض (أ) أطياف حيود الأشعة السينية ‎X-ray diffraction (XRD)‏ لأغشية رقيقة ‎Ye‏ 0 البروفسكيت تم استزراعها على كل من الصور المغايرة للطبقة التحتية ‎underlayer‏ ‏05 التي تم بحثها في الأمثلة ‎Led‏ يلي في هذا الطلب؛ و(ب) ‎aga cada‏ أشعة إكس ‎(XRD)‏ للبروفسكيت المتكون عن طريق التبخير. ‎CAAA‏
الشكل ¥ يعرض أطياف الأشعة فوق البنفسجية المرئية الطبيعية ‎UV-vis spectra‏ الخاصة
بأغشية رقيقة من البروفسكيت تم استزراعها على كل من الصور المغايرة للطبقة التحتية التي تم
بحثها في الأمثلة فيما يلي في هذا الطلب.
الشكل ؛ يعرض السمات المميزة /١-ل‏ النموذجية الخاصة بالأجهزة بالصور المغايرة التالية: (أ) © درجة حرارة مرتفعة أكسيد الألومنيوم ‎A203‏ (ب) درجة حرارة مرتفعة ‎SB‏ أكسيد التيتانيوم
‎dap (7) (TIO2‏ حرارة مرتفعة أكسيد الألومنيوم 8203 (د) درجة حرارة مرتفعة ثاني أكسيد
‏التيتانيوم 1102 (ه) درجة حرارة مرتفعة» (و) درجة حرارة منخفضة أكسيد الألومنيوم 1203
‏(ز) درجة حرارة منخفضة ثاني أكسيد التيتانيوم 1102» (ح) درجة حرارة منخفضة؛ و (ط) الصورة
‏المتبخرة.
‎scanning electron microscope (SEM) ‏الشكل © يعرض صور ماسح الإلكترون الدقيق‎ ٠ ‏دقيقة لالقطاعات العرضية لخلية شمسية بالصور المغايرة التالية: (أ) درجة حرارة مرتفعة أكسيد‎ ‏(ب) درجة حرارة مرتفعة ثاني أكسيد التيتانيوم 1102 (ج) درجة حرارة‎ A203 ‏الألومنيوم‎ ‏مرتفعة أكسيد الألومنيوم 8203 (د) درجة حرارة مرتفعة ثاني أكسيد التيتانيوم 1102 (ه) درجة‎ ‏حرارة مرتفعة؛ و(و) درجة مرتفعة منخفضة.‎
‎١‏ الشكل + يعرض صور مامح الإلكترون الدقيق ‎(SEM)‏ دقيقة مستوية من مسقط أفقي لعمليات معالجة الطبقة التحتية بالصور المغايرة التالية: (أ) درجة حرارة مرتفعة أكسيد الألومنيوم 1203 (ب) درجة حرارة مرتفعة ثاني أكسيد التيتانيوم 1102؛ (ج) درجة حرارة مرتفعة أكسيد الألومنيوم 83 رد) درجة حرارة منخفضة ثاني أكسيد التيتانيوم 1102 (ه) درجة حرارة مرتفعة؛ و(و) درجة حرارة منخفضة.
‎٠‏ الشكل ‎١‏ يعرض صور ماسح الإلكترون الدقيق ‎(SEM)‏ دقيقة مستوية لعمليات معالجة الطبقة التحتية بالصور المغايرة التالية: (أ) درجة حرارة منخفضة أكسيد الألومنيوم 81203 و(ب) درجة حرارة منخفضة ثاني أكسيد التيتانيوم 1102. الشكل ‎A‏ يعرض مخططًً لجهاز للخلايا الشمسية لغشاء رقيق رفيع السمك من النوع 0-أ-م المعكوس.
‎ovvy
=« \ _ الشكل 40 يعرض أطياف وميض ضوئي في الحالة الثابتة لطبقات ثنائية من ‎sale‏ ماصة للبروفسكيت ‎Gy‏ ل أ) طبقات من نوع ‎(QP‏ طبقات من نوع 0. يكون الانبعاث متمركرًا على قمة الويض الضوئي الخاصة بالمادة الماصة للبروفسكيت ‎.CH3NH3PbI3-xXCIx‏ ‏الشكل ‎٠١‏ يعرض أ) صورة لقطاع عرضي لماسح الإلكترون الدقيق ‎(SEM)‏ خاصة بتصميم الجهاز المعكوس الأمثل. ‎Jie‏ عمود القياس ‎You‏ نانو متر. لقد تم تلوين الطبقات المختلفة باستخدام مخطط اللون الخاص بالرسم التخطيطي للجهاز المعروض في ب). الشكل ‎١١‏ يعرض مسقطا أفقياً لماسح الإلكترون الدقيق ‎(SEM)‏ للطبقات التحتية بعد الترسيب ‎PEDOT:PSS‏ متبوعًا ‎dad,‏ البروفسكيت للطبقات التحتية المحتوية على أ) وج) 5 ملدن عند ‎Vou‏ درجة مئوية لمدة ‎٠١‏ دقيقة وب) ود) ‎PEDOT:PSS‏ المرتبط ‎٠‏ تشابكيًا مع محلول مائي ‎Yo‏ ,+ مولار من كلوريد الحديد ‎NAN‏ 6613. تناظر أعمدة القياس في أ) وج) ‎YO‏ ميكرو ‎ie‏ وفي ب) ود) 7,5 ميكرو متر. الشكل ‎١١‏ يعرض أ) منحنيات ‎JV‏ وب) طيف امتصاص ‎Sead‏ النمطية التي تتكون من كلا طبقات ‎PEDOT:PSS‏ المرتبطة تشابكيًا (الدوائر) والملدنة (المربعة). تعرض الوليجة كثافة تيار دائرة القصر (50ل؛ ملي أمبير / سم-7)؛ كفاءة تحويل القدرة ‎(Eff)‏ 7)؛ فلطية الدائرة المفتوحة ‎١٠‏ (المركبات العضوية المتطايرة ‎VOC‏ فاناديوم ‎)١/‏ ومعامل التعبئة ‎(FF)‏ للأجهزة النمطية ذات كلا البنيتين. الشكل ‎١١‏ يعرض صورة ماسح الإلكترون الدقيق ‎SEM‏ لمسقط أفقي خاص بالطبقات التحتية بعد الترسيب ‎«NiO (zs (I‏ وب) ‎(2s‏ خامس أكسيد الفاناديوم 705 مع ‎daha‏ البروفسكيت المتكونة على القمة. أعمدة القياس في أ) وب) تناظر ‎YO‏ ميكرو متر وفي ج) ود) ‎Y,0‏ ميكرو متر. ‎٠‏ الشكل ‎VE‏ يعرض منحنيات ‎JV‏ من الأجهزة المحتوية على أكسيد فاناديوم ‎vanadium oxide‏ (المربعات) وأكسيد النيكل ‎NiO‏ (الدوائر) التلامس من نوع م. الشكل ‎١١‏ يعرض أ) التطور المؤقت لمنحنيات ‎JV‏ من نفس الجهاز مع زمن الإضاءة. يتم ‎sha)‏ ‏عمليات المسح كل دقيقة مع وجود عملية المسح الأولى في الترتيب الأدنى وعملية المسح الأخيرة في الترتيب الأعلى. ب) منحنيات ‎JV‏ للأجهزة الفائقة ذات التصميم المنتظم (المثلثات) والمعكوس ‎ovvy‏
— \ \ —
(الدواثر). تعرض الوليجة كثافة تيار دائرة القصر ‎«Jsc) short circuit current density‏ ملي أمبير | سم-7)؛ كفاءة تحويل القدرة ‎Eff)‏ #)؛ فلطية الدائرة المفتوحة (المركبات العضوية المتطايرة ‎(VOC‏ فاناديوم ‎)١/‏ ومعامل التعبئة ‎Sill factor (FF)‏ بنيتي الجهاز.
الشكل ‎١١‏ يعرض ‎Bly‏ تخطيطيًا لبنية خلية شمسية ترادفية متدة ‎hybrid tandem solar cell‏
‎carchitecture ©‏ في هذا التخطيط يتم استخدام خلية:
‎rear ‏باعتبارها الخلية الخلفية‎ 0-51 HIT (Heterojunction with Intrinsic Thin layer) ‏حيث أ = ذاتية؛ 8 = غير متبلرة» 6 = متبلرة؛‎ tandem junction ‏في الوصلة الترادفية‎ cell ‏يكون ضوء الشمس ساقطًا‎ .13015021+©01 conducting oxide ‏أكسيد موصل شفاف‎ = TCO ‏من القمة.‎
‎٠‏ الشكل ‎١١7‏ يعرض ‎Bly‏ تخطيطيًا لبنية خلية شمسية ترادفية مؤّلدة؛ في هذا الطلب يتم استخدام خلية شمسية من البروفسكيت باعتبارها خلية القمة؛ مع خلية شمسية بغشاء رقيق رفيع ‎lll‏ ‎conventional thin film solar cell‏ تقليدي باعتبارها الخلية الخلفية في الوصلة الترادفية؛ حيث 160 - أكسيد موصل شفاف. بشكل ملحوظ لتوليد التيار الخاص بتقنيات الغشاء الرقيق رفيع السمك ‎Jo)‏ سبيل المثال؛ ‎WAN‏ الشمسية غاليوم انديوم نحاس سيلنيد 0165) هناك
‎١‏ متطلب لتحقيق خلايا شمسية من البروفسكيت 'معكوسة” لاثنين من الأجهزة الترادفية الطرفية أحادية الطبقة ‎monolithic terminal tandem devices‏ يكون ضوء الشمس ساقطًا من القمة. الشكل ‎VA‏ يعرض صورة فوتوغرافية لغرفة تبخير لترسيب البخار مزدوج المصادر من بروفسكيت. الشكل ‎١9‏ يعرض ‎law)‏ تخطيطيًا لغرفة تبخير مزدوجة المصادر.
‎٠‏ الشكل ‎٠١0‏ يعرض أ) خلية شمسية من البروفسكيت متبخرة مزدوجة المصادر مكمتلة؛ ب) بيان لصورة القطاع العرضي؛ ج) صورة ماسح الإلكترون الدقيق ‎SEM‏ لقطاع عرضي من الجهاز المكتمل.
‎ovvY
— \ \ — الشكل ‎7١‏ يعرض أ) عينة معالجة على زجاج مطلي ب أكسيد الفلور القصدير ‎fluorine tin‏ ‎oxide (FTO)‏ مع طبقة ثاني أكسيد التيتانيوم 1102 مدمجة وبروفسكيت مطلي ‎spin— Wie‏ ‎coated perovskite‏ فقط؛ ‎(oo‏ ج) صورة ماسح الإلكترون الدقيق ‎SEM‏ سطحية من البروفسكيت المطلي مغلليًا؛ د) عينة مع زجاج مطلي ب أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎FTO‏
© وطبقة ثاني أكسيد التيتانيوم 1102 مدمجة وبروفسكيت متبخر ‎evaporated perovskite‏ فقط؛ ه)؛ و) صورة ماسح الإلكترون الدقيق ‎SEM‏ سطحية من البروفسكيت المتبخر. ‎YY JRA‏ يعرض منحى /١-ل‏ مقاس تحت ضوء الشمس 0 ‎AMY‏ المستحث البالغ ١٠٠ملي‏ واط / سم-؟ من الخلية الشمسية من البروفسكيت المتبخر مزدوج المصادر الأفصل. تعطي الوليجة متغيرات أداء الخلية الشمسية المستقة من منحى ‎JV‏ هذا.
‎٠‏ الشكل 77 يعرض قياس حيود أشعة إكس ‎XRD‏ الخاص بالبروفسكيت المتبخر مقارنة مع البروفسكيت المطلي ‎(K330 awd) Wie‏ يوديد ميثيل أمونيوم ‎methylammonium‏ ‎iodide (MAI)‏ يوديد الرصاص ‎lead iodide (Pbl2)‏ وزجاج أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎FTO‏ مطلي ب ثاني أكسيد التيتانيوم 1102 . الشكل ‎YE‏ يعرض مقارنة للامتصاص لأغشية رقيقة بُسمك ‎٠٠١‏ نانو متر من بروفسكيت متبخر
‎. Wire ‏ومطلب‎ ١ o ‏بين الطبقات غير الملدنة والملدنة من البروفسكيت المترسب عن‎ Lad ‏يعرض مقارنة‎ Yo ‏الشكل‎ ‏على اليسار: سطح‎ :10/0© source vapour deposition ‏طريق ترسيب البخار مزدوج المصادر‎ oie by) 1080068160 evaporated perovskite surface ‏بروفسكيت متبخر غير ملدن‎ annealed evaporated perovskite ‏متبخرًا)؛ على اليمين: سطح بروفسكيت متبخر ملدن‎
‎surface | ٠‏ (بعد التلدين عند ‎٠٠١‏ درجة مثوية لمدة £0 دقيقة في صندوق قفازات من النيتروجين ‎.(nitrogen‏ ‏الشكل ‎V1‏ يعرض مقارنة للتغطية السطحية ‎surface coverage‏ عن طريق ترسيب بخار مزدوج المصادر وعن طريق ترسيب محلول: على اليسار: أغشية رقيقة من البروفسكيت المتبخر والملدن؛
‎ovvY
‎Ad —_‏ \ _ على اليمين: غشاء رقيق من البروفسكيت المطلي مغزليًا والملدن المطلي على الزجاج /أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎FTO‏ / ثاني أكسيد التيتانيوم 1102 مدمج. الشكل ‎7١7‏ يعرض مقارنة فيما بين قطاعات ماسح الإلكترون الدقيق ‎SEM‏ عرضية: على اليسار: جهاز بوصلة مستوية متبخر مزدوج المصادر؛ على اليمين: جهاز بوصلة مستوية مطلي مغزليًا. © الشكل ‎YA‏ يعرض مقارنة حيود أشعة إكس ‎led XRD‏ بين طبقة من البروفسكيت متكونة عن
‏طريق ترسيب بخار مزدوج المصادر وطبقة من البروفسكيت متكونة عن طريق الطلاء المغزلي لمحلول مادة منتجة من البروفسكيت. لكلا الأغشية الرقيقة كانت المواد المنتجة البادئة هي يوديد ميثيل أمونيوم ‎MAI‏ وكلوريد الرصاص 65012. الشكل 79 يعرض صور دقيقة بالمسح بالإلكترون لقطاع عرضي من الأجهزة تعرض (من القاع
‎٠‏ إلى القمة) الطبقة التحتية من الزجاج؛ أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎FTO‏ طبقة ثاني أكسيد التيتانيوم 1102 الحساسة للإلكترون؛ الطبقة المتفاعلة ‎.piro-OMeTAD «ign‏ تكون الطبقات المتفاعلة ضوئيًا ‎photoactive layers‏ هي 0 كلوريد الرصاص 5012© و(ب) ‎CH3NH3PbI3-xClx‏ بعد طلاء غشاء رقيق من كلوريد الرصاص 50012 بالغمس في محلول ‎propan-2-ol‏ من ١113ل01131.‏
‎No‏ الشكل ‎To‏ يعرض صور دقيقة بالمسح بالإلكترون لقطاع عرضي من الأجهزة التي تعرض؛ من القاع إلى القمة؛ الطبقة التحتية من الزجاج؛ أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎FTO‏ طبقة ثاني أكسيد التيتانيوم 1102 الحساسة للإلكترون؛ الطبقة المتفاعلة ‎«li su‏ 180 100-01/8م8. تكون الطبقات المتفاعلة ضوئيًا هي (أ) ‎PbI2‏ و(ب) 0113000130513 بعد طلاء غشاء رقيق من كلوريد الرصاص 76012 بالغمس في محلول ‎propan—-2-ol‏ من ‎.CH3NH3I‏
‎aba yl ‏من 0 كلوريد‎ SL dad) ‏يعرض أطياف حيود أشعة إكس لأغشية رقيقة‎ YY ‏الشكل‎ A) ‏الطلاء‎ ax .CH3NH3PbI3 (3, Pbl2 (z) «CH3NH3PbI3-xClx ‏(ب)‎ +2 ‏بالغمس؛ تعرض الأغشية الرقيقة من كلا المواد المنتجة انخفاض شدة نسبي للقمم التي تناظر‎ ‏شبكة المادة المنتجة وزيادة نسبية لشبكة البروفسكيت (غير الموجودة في أطياف حيود أشعة إكس‎ ‏المنتجة في البروفسكيت.‎ sald) ‏للمادة المنتجة) دالة على تحوّل سائد للأغشية الرقيقة من‎ (XRD)
‎oVVY
-؟١-‏ الشكل ‎YY‏ يعرض ‎Glew‏ مميزة لشدة - فلطية تيار خاصة بجهاز تم إعداده باستخدام ‎Pbl2‏ ‏باعتبارها الطبقة النشطة (الخط المتقطع) وجهاز حيث تم تحويل يوديد الرصاص 7012 المتبخر إلى 001308101300513 (الخط المصمت) عن طريق الطلاء بالغمس في محلول يوديد ميثيل أمونيوم في ‎.propan—2-ol‏ متغيرات الأداء ليوديد الرصاص 0512 هي 56ل - ‎٠,1‏ ملي أمبير ‎(Yau /‏ بير كلورو إيثيلين ‎ov, Av = PCE‏ المركبات العضوية المتطايرة ‎١,597 = Voc‏ فولط؛ معامل التعبئة ‎FF‏ = 57,.. متغيرات الأداء ل 0113111130513 هي 56ل - 5,9 ملي أمبير / ‎«Yau‏ بير كلورو إيثيلين ‎PCE‏ = 27,4؛ المركبات العضوية المتطايرة ‎alg AY = Voc‏ معامل التعبئة ‎..,1١ = FF‏ الشكل ‎YY‏ يعرض سمات مميزة لشدة - فلطية تيار خاصة بجهاز تم إعداده باستخدام كلوريد ‎٠‏ الرصاص 06012 باعتبارها الطبقة النشطة (الخط المتقطع) وجهاز حيث تم تحويل كلوريد الرصاص 206012 المتبخر إلى #ا0*-0113111130013(الخط المصمت) عن طريق الطلاء بالغمس في محلول يوديد ميثيل أمونيوم في ا000080-2-0. متغيرات الأداء لكلوريد الرصاص 2 هي 56ل - ‎AY‏ ملي أمبير / ‎«Yau‏ بير كلورو إيثيلين ‎PCE‏ = 071 المركبات العضوية المتطايرة ‎١,79 = Voc‏ فولط؛ معامل التعبئة ‎..,7١7 = FF‏ تكون متغيرات ‎١‏ الأداء ل ‎CH3NH3PbI3-xClx‏ هي 56ل - ‎١.١‏ ملي أمبير / ‎Yau‏ بير كلورو إيثيلين ‎PCE‏ ‎(ZV, 0 =‏ المركبات العضوية المتطايرة ‎Voc‏ = 860 فولط؛ معامل التعبئة ‎FF‏ = 445 .. الشكل ‎VE‏ يعرض قياسات وميض ضوئي ‎photoluminescence measurements‏ وتوافقات لنموذج انتشار غشاء بروفسكيت رقيق من تراي هاليد رصاص عضوي ‎alld‏ مختلط ‎mixed‏ ‎CH3NH3PbI3-xClIx halide organolead trihalide‏ وغشاء بروفسكيت رقيق من تراي ‎Yo‏ يوديد ‎ctrifodide CH3NH3PbI3‏ في وجود عوامل إخماد من نوع م- أو 0. قياسات اللمعان الضوئي ‎Photoluminescence (PL)‏ المحللة زمنيًا المأخوذة عند طول موجة انبعاث لقمة خاص بالبروفسكيت من الهاليد المختلط مع طبقة عامل إخماد من إلكترون (وصلة غير متجانسة كتلية /081©؛ المثلثات) أو ثقب ‎¢Spiro—OMeTAD)‏ الدوائر)؛ مع بيانات توافقات أسية ممدة للأغشية الرقيقة المطلية باستخدام بولي (ميثاكريليت الميثيل) ‎PMMA‏ عازل (مربعات سوداء) ‎Yo‏ وتوافقات لعينات الإخماد باستخدام نموذج الانتشار الموصف في النص. مصدر استثارة بنبضة ‎ovvY‏
اج \ — (من ‎٠,‏ إلى ‎Ye‏ ميجا هرتز) عند 9 5 نانو متر مع تدفق يبلغ ‎nd ٠‏ / سم ‎Y‏ يصطدم على جانب الطبقة التحتية من الزجاج. الوليجة في الشكل 4 7: مقارنة تحلل اللمعان الضوئي ‎PL‏ ‏لاثنتين من مواد البروفسكيت (مع طلاء بولي (ميثاكريليت الميثيل) ‎(PMMA‏ على مقياس زمني أطول؛ مع متوسطات أعمار ‎Te‏ المستشهد بها باعتبارها الزمن المستغرق للوصول إلى ‎١‏ / © من ‎fo}‏ الشدة الأولية. الشكل 5 7 يعرض قياسات وميض ضوئي وتوافقات لنموذ ‎d‏ انتشار لغشا & بروفسكيت رقيق من تراي يوديد رصاص عضوي 0]1310113051؛ في وجود عوامل إخماد من نوع م- أو 0. قياسات اللمعان الضوئي ‎PL‏ المحللة زمنيًا المأخوذة عند طول موجة انبعاث لقمة خاص بالبروفسكيت من الهاليد المختلط مع إلكترون (وصلة غير متجانسة كتلية ‎(PCBM‏ المثلثات) أو ثقب ‎Spiro—)‏ ‎0٠‏ 1/00 0/6 ؛ الدوائر) طبقة عامل ‎ld)‏ مع بيانات توافقات أسية ممدة للأغشية الرقيقة المطلية باستخدام بولي (ميثاكريليت الميثيل) ‎PMMA‏ عازل (مربعات سوداء) وتوافقات لعينات الإخماد باستخدام نموذج الانتشار الموصف في النص ‎٠‏ مصدر استثارة بنبضة (من 7 ‎٠‏ إلى ‎Ve‏ ميجا هرتز) عند ‎©0١97‏ نانو متر مع تدفق يبلغ ‎Yau [nd Ve‏ يصطدم على جانب الطبقة التحتية من الزجاج. ‎١‏ الشكل + يعرض صورة ماسح الإلكترون الدقيق ‎SEM‏ لقطاع عرضي من طبقة مادة ‎Lak‏ ‎clay‏ 76 - نانو ‎fe‏ من هاليد مختلط مع طبقة عامل إخماد بثقب علوي من ‎Spiro—‏ ‎.OMeTAD‏ ‏الشكل ‎TV‏ يعرض تحلل وميض ضوئي لغشاء بروفسكيت رقيق من تزاي هاليا رصاص عضوي لهاليد مختلط ‎CH3NH3PbI3—xClx‏ (مربعات سوداء) وغشاء بروفسكيت رقيق من تراي يوديد ‎٠‏ ا ‎ala)‏ عضوي 0113101130513 (مربعات رمادية)؛ ‎Mas‏ باستخدام بولي (ميثاكريليت الميثيل) ‎PMMA‏ الأزمنة ‎te‏ المستشهد بها باعتبارها الزمن المستغرق للوصول إلى ‎١‏ / © الخاصة بالشدة الأولية. الوصف التفصيلىي: ‎ovvY‏
_ أ \ _ يوفر الاختراع ‎lea‏ إلكتروني بصري يشتمل على منطقة متفاعلة ضوئيًا. تشتمل المنطقة المتفاعلة ضوئيًا على: منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع ‎tn‏ منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛ و» يتم فيما بين المنطقة من النوع 7 والمنطقة من النوع 0 وضع: طبقة من ‎Sale‏ شبه ‎Alia ge‏ من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة. © يشير المصطلح "المنطقة المتفاعلة ‎(gn‏ كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ إلى منطقة في الجهاز الإلكتروني البصري ‎)١(‏ تمتص الضوء؛ ثم يمكن أن ‎AF‏ مواد حاملة بشحنة مطلقة ‎«generate free charge carriers‏ أو (7) تقبل شحنة؛ كل من الإلكترونات والثتقوب؛ يمكن أن تقوم بعد ذلك ‎sale ly‏ دمج واتبعاث الضوء. يشير المصطلح '"شبه موصل" كما هو مستخدم في هذا الطلب إلى مادة بموصلية كهربائية ‎٠‏ متوسطة المقدار ‎lad‏ بين تلك الخاصة بموصل وعازل. يمكن أن يكون شبه موصل ‎Sle‏ عن ‎sale‏ شبه موصلة من نوع شبه موصل من نوع م أو ‎sale‏ شبه موصلة أصيلة . كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ يشير المصطلح "منطقة من نوع 77 إلى منطقة من واحدة أو أكثر من المواد الناقلة للإلكترون ‎electron-transporting‏ (أيء النوع ©). بالمثل؛ يشير المصطلح "طبقة من نوع ‎(JN‏ طبقة من مادة ناقلة للإلكترون ‎esl)‏ النوع 0( يمكن أن تكون ‎Vo‏ مادة ناقلة للإلكترون (أي؛ النوع ‎(N‏ عبارة عن مركب ناقل للإلكترون فردي أو ‎sale‏ أساسية؛ أو خليط من اثنين أو أكثر من المركبات الناقلة للإلكترون أو المواد الأساسية. يمكن أن يكون مركب ناقل للإلكترون أو مادة أساسية غير مشاب أو مشاب بواحد أو أكثر من عناصر الإشابة. كما هو مستخدم في هذا ‎alll‏ يشير المصطلح "منطقة من نوع 0 إلى منطقة من واحدة أو أكثر من المواد الناقلة للتقب ‎hole—transporting‏ (أيء النوع م). بالمثل؛ يشير المصطلح ‎٠‏ "طبقة من نوع 0" إلى طبقة من مادة ناقلة ‎El‏ (أي؛ نوع 0). يمكن أن تكون مادة ناقلة للثقب (أي؛ نوع م) عبارة عن مركب ناقل ‎CEN‏ فردي أو مادة أساسية؛ أو خليط من اثنين أو أكثر من المركبات الناقلة للثقب أو مواد أساسية. يمكن أن يكون مركب ناقل للثقب أو ‎sale‏ أساسية غير مشاب أو مشاب بواحد أو ‎BST‏ من عناصر الإشابة. ‎ovvy‏ yy يشير المصطلح "بروفسكيت"؛ كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ إلى ‎sale‏ ذات بنية بلورية ثلاثية الأبعاد لها علاقة بتلك الخاصة بكالسيوم تيتانات 681103 أو مادة مشتملة على طبقة من مادة؛ حيث يكون للطبقة بنية لها علاقة بتلك الخاصة بكالسيوم تيتانات 081103. يمكن تمثيل بنية كالسيوم تيتانات 6871103 بواسطة الصيغة 0863 حيث ‎A‏ و8 تكون كتيونات بأحجام مختلفة وك تكون أنيون. في خلية الوحدة؛ تكون كاتيونات 8/ عند ‎¢(vever)‏ تكون كاتيونات ‎B cations‏ عند ‎(Y/Y ١” / ١ 7 / ١(‏ وتكون أنيونات ل عند ‎.)٠ 7 / ١ 7 / ١(‏ عادةً ما يكون الكاتيون ‎A‏ أكبر من الكاتيون 8. سيدرك أحد ذوي المهارة أنه عندما يتم تنويع ‎eA‏ 8 و يمكن أن تتسبب أحجام الأيون المختلفة في تشوه بنية مادة البروفسكيت بعيدًا عن البنية المختارة بواسطة كالسيوم تيتانات 0871103 وصولاً إلى بنية مشوهة ذات تناسبق أقل. سيكون التناسق أيضًا أقل إذا ‎٠‏ اشتملت المادة على طبقة لها بنية لها علاقة بتلك الخاصة بكالسيوم تيتانات 0871103. تكون المواد المشتملة على طبقة من مادة البروفسكيت معروفة جيدًا. على سبيل المثال؛ تشتمل بنية مواد تختار البنية من نوع 218174>ا على طبقة من ‎sale‏ البروفسكيت. سيدرك أحد ذوي المهارة أنه ‎(Sa‏ تمثيل ‎sale‏ بروفسكيت بواسطة الصيغة ‎([A]B]IX]3‏ حيث ‎[A]‏ تكون كتيون ‎aly‏ على الأقل؛ [8] تكون كتيون واحد على الأقل ‎[XD‏ تكون أنيون واحد على الأقل. عندما يشتمل ‎Vo‏ البروفسكيت على أكثر من كاتيون ‎cals A‏ يمكن توزيع كاتيونات ‎A‏ المختلفة على المواقع ‎A‏ ‏بطريقة مرتبة أو غير مرتبة. عندما يشتمل البروفسكيت على أكثر من كاتيون 8 واحد؛ يمكن توزيع كاتيونات 8 المختلفة على المواقع 8 بطريقة مرتبة أو غير مرتبة. عندما يشتمل البروفسكيت على أكثر من أنيون ل واحد؛ يمكن توزيع أنيونات ل المختلفة على المواقع ‎X‏ بطريقة مرتبة أو غير مرتبة. سيكون تناسق بروفسكيت مشتمل على أكثر من كاتيون ‎A‏ واحد؛ أكثر من كاتيون 8 .CaTiO3 ‏واحد؛ أقل من ذلك الخاص بكالسيوم تيتانات‎ X ‏واحد أو أكثر من كاتيون‎ ٠ ‏يشير المصطلح "بروفسكيت”؛ كما هو مستخدم في هذا الطلب؛‎ ASL ‏كما هو مذكور في الفقرةٍ‎ ‏ذات بنية بلورية ثلاثية الأبعاد لها علاقة بتلك الخاصة بكالسيوم تيتانات 681103 أو‎ sake ‏إلى (أ)‎ ‏حيث يكون للطبقة بنية لها علاقة بتلك الخاصة بكالسيوم‎ Bale ‏(ب) مادة مشتملة على طبقة من‎ ‏تيتانات 087103. بالرغم من أنه يمكن استخدام كلا هاتين الفئتين من البروفسكيت في الأجهزة‎ ‏للاختراع؛ فإنه من المفضل في بعض الظروف استخدام بروفسكيت من الفئة الأولى» (أ)؛ أي؛‎ Ey Yo
CAAA
-١م‎
بروفسكيت له بنية بلورية ثلاثية الأبعاد ‎.three—dimensional (3D) crystal structure‏ تشتمل مواد البروفسكيت هذه نمطيًا على شبكة ثلاثية الأبعاد من ‎WIA‏ وحدة بروفسكيت بدون أي فصل فيما بين الطبقات. تتضمن مواد البروفسكيت من الفئة ‎AED‏ (ب)؛ من ناحية أخرى؛ مواد البروفسكيت المشتملة على بنية طبقية ثنائية الأبعاد ‎two dimensions (2D)‏ يمكن أن تشتمل 0 مواد البروفسكيت التي لها بنية ثنائية الأبعاد على طبقات من ‎DIA‏ وحدة بروفسكيت التي يتم فصلها بواسطة جزيئات (مقحمة)؛ يكمن مثال على البروفسكيت الطبقي ثنائي الأبعاد هذا في -2] .00000100020684 18/ا1©(ا/ا1-076100©6*60)._تميل مواد البروفسكيت الطبقية ثنائية الأبعاد إلى الاشتمال على طاقات ربط عالية الاستثارة ‎<high exciton binding energies‏ تفضل توليد أزواج من الثقب - الإلكترون مرتبطة (إكسيتونات) ‎bound electron-hole pairs‏ ‎Ya «(excitons) ٠‏ من مواد حاملة بشحنة مطلقة ‎than free charge carriers‏ تحت الاستثارة الضوئية ‎photoexcitation‏ قد لا تكون الأزواج من الثقب - الإلكترون المرتبطة قابلة للحركة بالقدر الكافي للصوول إلى التلامس من نوع 0 أو من نوع ‎١‏ حيث يمكن أن تنقل بعد ذلك (تأين) وتؤلد شحنة مطلقة. بناءً على ذلك؛ من أجل توليد شحنة مطلقة؛ ينبغي التغلب على طاقة ربط الإكسيتون ‎cexciton binding energy‏ التي تمثل تكلفة متعلقة بالطاقة لعملية توليد الشحنة ‎٠‏ وتؤدي إلى فلطية ‎Jil voltage‏ في خلية فلطائية ضوئية ‎photovoltaic cell‏ وكفاءة منخفضة. على ‎pail‏ تمثل مواد البروفسكيت التي لها بنية بلورية ثلاثية الأبعاد إلى أن تشتمل على طاقات ربط إكسيتون أقل (بمقدار الطاقة الحرارية) وعلى هذا يمكن أن تلد مواد حاملة حرة بشكل مباشرة بعد الاستثارة الضوئية ‎photoexcitation‏ بناءً على ذلك؛ يُفضل أن تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت المستخدمة في الأجهزة والعمليات الخاصة بالاختراع هي بروفسكيت من ‎٠‏ الفئة الأولى» ‎of)‏ أي بروفسكيت له بنية بلورية ثلاثية الأبعاد ‎three—dimensional crystal‏ ©50000001. يكون هذا مفضلاً بشكل خاص عندما يكون الجهاز الإلكتروني البصري عبارة عن
أداة فلطائية ضوئية. تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت المستخدمة في الاختراع الحالي؛ في الطبقة المذكورة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت ‎perovskite semiconductor‏ بدون مسام مفتوحة؛ نمطيًا ‎sale Yo‏ قادرة على ‎)١(‏ امتصاص الضوءء وبالتالي توليد مواد حاملة بشحنة مطلقة؛ و / أو ‎(V)‏ ovvY
-١4- ‏عن طريق قبول شحنة؛ كلا الإلكترونات والثقوب؛ التي تعود للاندماج بعد ذلك‎ cepa Glan) ‏وتبعث ضوء. وبالتالي؛ يكون البروفسكيت المستخدم نمطيًا ماصًا للضوء و / أو بروفسكيت باعث‎ light-emitting perovskite ‏للضرء‎ ‏كما سيدرك أحد ذوي المهارة؛ يمكن أن تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت المستخدمة في‎ ‏الاختراع الحالي؛ في الطبقة المذكورة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛‎ 0
Blie ‏عندما يكون‎ N ‏للإلكترون من نوع‎ BU ‏عبارة عن بروفسكيت يعمل باعتباره شبه موصل‎ ‏للإلكترون‎ BL ‏بالضوء. على نحو بديل؛ قد يكون عبارة عن بروفسكيت يعمل باعتباره شبه موصل‎ ‏نوع 0؛ أو قد‎ IN ‏من نوع م عندما يكون مشابًا بالضوء. وبالتالي؛ قد يكون البروفسكيت من نوع‎ ‏يكون مادة شبه موصلة أصيلة. في نماذج مفضلة؛ يكون البروفسكيت المستخدم عبارة عن‎ ‏عندما يكون مشابًا بالضوء.‎ N ‏بروفسكيت يعمل باعتباره شبه موصل ناقل للإلكترون من نوع‎ ٠ ‏نمطيًا؛ تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت المستخدمة في الاختراع الحالي عبارة عن مادة‎ ‏حساسة للضوء»؛ أي؛ مادة تكون قادرة على إجراء كل من توليد الضوء ونقل الشحنة (الإلكترون أو‎ ‏الثقب).‎ ‏داخلها يتم وضع مسام.‎ sale ‏كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ يشير المصطلح 'مسامية" إلى‎ sale ‏وبالتالي؛ على سبيل المثال؛ في مادة دعم مؤقتة مسامية تكون المسام عبارة عن أحجام داخل‎ ١ ‏الدعم المؤقتة حيث لا توجد مادة دعم مؤقتة. يمكن أن تكون المسام الفردية بنفس الحجم أو‎ ‏بأحجام مختلفة. حجم المسام يتم تعريف باعتباره "حجم المسام”. يكون الحجم المحدد الخاص بأحد‎ ‏ذلك الخاص بأصغر بُعد تتم؛‎ A ‏المسام؛ لغالبية الظواهر حيث يتم تضمين مواد صلبة مسامية؛‎ ‏بإعتباره عرض أحد المسام (أي؛ عرض مسام على‎ a) ‏في ظل غياب أي تدقيق إضافي؛ الإشارة‎ ‏أسطوانية أو كروية؛... إلى غير ذلك). لتجنب حدوث تغير مضلل في‎ aloe ‏شكل شق؛ قطر‎ ٠ ‏المقياس عند مقارنة المسام الأسطوانية والتي على شكل 38( ينبغي استخدام قطر مسام أسطوانية‎ : ‏(بدلاً من نصف قطره) باعتاره "عرض المسام” الخاص به‎ (J. Rouquerol et al., “Recommendations for the Characterization of
Porous Solids”, Pure & Appl. Chem., Vol. 66, No. 8, pp.1739-1758, ovvY
=« \ _ ‎The following distinctions and definitions were adopted in previous‏ .)1994 ‎IUPAC documents (K.S.W.
Sing, et al, Pure and Appl.
Chem., vol.57,‏ ‎n04, pp 603-919, 1985; and IUPAC 'Manual on Catalyst‏ ‎Characterization", J.
Haber, Pure and Appl.
Chem., 701.63, pp. 1227 -‏ © :)1991 ,1246 -- مسام دقيقة لها قيم عرض (أي؛ أحجام المسام) أصغر من ‎Y‏ نانو متر. -- مسام متوسطة لها ‎af‏ عرض (أي؛ أحجام المسام) تبلغ من ؟ نانو متر إلى ‎٠‏ نانو متر. -- مسام كبيرة لها قيم عرض (أي؛ أحجام المسام) تكون أكبر من ‎5٠‏ نانو متر. ‎(Say‏ أن تتضمن المسام في ‎Sale‏ مسام 'مغلقة” إضافة إلى مسام مفتوحة. يكون أحد المسام المغلقة ‎٠‏ هو أحد المسام في مادة يعتبر تجويقًا غير متصل؛ أي؛ أحد المسام الذي يكون معزولاً داخل المادة وغير متصل بأي من المسام الأخرى ولا يمكن ‎sl‏ على هذا الوصول إليه بواسطة مائع (على سبيل المثال؛ سائل؛ ‎Jie‏ محلول) يتم تعريض المادة إليه. سيكون "أحد المسام المفتوحة"' من ناحية ‎(gal‏ قابلاً للوصول إليه بواسطة هذا المائع. تتم مناقشة المفاهيم الخاصة بالمسامية المفتوحة وال ‎ally Jaks‏ 8 في : ‎J.
Rouqueroal et al., “Recommendations for the Characterization of Porous Yo‏ ‎Solids”, Pure & Appl.
Chem., Vol. 66, No. 8, pp.1739-1758, 1994.‏ تشير المسام ‎da gid)‏ لهذاء إلى الجزء الخاص بإجمالي حجم المادة المسامية حيث يمكن أن يحدث تدفق المائع بفعالية. وعلى هذاء يستثني المسام المغلقة. يكون المصطلح ‎ald‏ مفتوحة" ‎SL‏ للتبادل مع المصطلحات "المسامية المتصلة ‎connected porosity‏ " و"المسامية الفاعلة ‎effective porosity | ٠‏ وفي الفن يتم اختزاله ‎Sale‏ ببساطة إلى "المسامية". (لهذاء لا يمكن القول بأن المادة شبه الموصلة من البروفسكيت الموجودة في "طبقة من ‎Sale‏ شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة” في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ تكون "بروفسكيت مسامي ‎porous perovskite‏ ".) ‎oVVY‏ yy ‏يشير المصطلح "بدون مسام مفتوحة"؛ كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ لهذا إلى مادة بدون‎ ‏مسامية فاعلة.‎ ‏يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع الحالي على طبقة من مادة شبه موصلة من‎ ‏بروفسكيت بدون مسام مفتوحة. تكون تلك الطبقة؛ والمادة شبه الموصلة من البروفسكيت الموجودة‎ ‏فيهاء بدون مسام مفتوحة. لا تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في الطبقة بناءً على هذا‎ © ‏لا تكون‎ Sally en ‏المنطقة من النوع‎ AN ‏مترشحة بواسطة؛ أو أي منء المادة (المواد) من نوع‎ ‏المنطقة من النوع م. بدلاً من ذلك؛ تكوّن‎ BN ‏مترشحة بواسطة أي منء المادة (المواد) من نوع‎ ‏وصلة غير متجانسة مستوية مع‎ Ghat ‏المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في تلك الطبقة‎ ‏أو المنطقة من النوع 0؛ أو في بعض الحالات تُكوّن وصلات غير متجانسة‎ ٠“ ‏المنطقة من نوع‎ ‏والمنطقة من النوع م.‎ Nog ill ‏مستوية مع كل من المنطقة من‎ Vo ‏عندما تكون الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة عبارة‎ Lad ‏عن "طبقة تغطية"؛ يتم وضعها على طبقة أولى تشتمل على مادة دعم مؤقتة ومادة شبه موصلة‎ ‏الدعم المؤقتة إماء لأن طبقة التغطية‎ ale ‏من البروفسكيت؛ لا يتم ترشيح طبقة التغطية بواسطة‎ ‏والمادة شبه الموصلة من البروفسكيت داخل طبقة التغطية تكون بدون مسام مفتوحة. يتم نمطيًا‎ ‏وضع البروفسكيت في الطبقة الأولى؛ على الجانب الآخر (التي تكون بشكل عام عبارة عن نفس‎ VO ‏مركب البروفسكيت في الطبقة التغطية)؛ في مسام مادة الدعم المؤقتة‎ Jie ‏مركب البروفسكيت‎ ‏ويمكن بناء على هذا القول بأنه 'مترشح” بواسطة مادة الدعم المؤقتة.‎ ‏في بعض النماذج الخاصة بالجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع الحالي؛ تكون الطبقة‎ ‏الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة غير مسامية. يشير المصطلح‎ ‏"غير مسامية"” كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ إلى مادة بدون أية مسامية؛ أي؛ بدون مسام‎ ٠ ‏مفتوحة وأيضًا بدون مسامية مغلقة.‎ ‏بشكل عام؛ تتكون الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة بشكل‎
Sie ‏أساسي من المادة شبه الموصلة من البروفسكيت. يكون بروفسكيت عبارة عن مركب‎ ‏تتكون الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من‎ Gly, crystalline compound ovvy
_— \ \ _ البروفسكيت بدون مسام مفتوحة نمطيًا بشكل أساسي من نواتج تبر من البروفسكيت. في بعض النماذج» تتكون الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة من المادة شبه الموصلة من البروفسكيت. وبالتالي؛ نمطيًا تتكون الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة من نواتج تبلر من البروفسكيت. تكون الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة بشكل عام في ‎Alla‏ تلامس مع واحدة على الأقل من المنطقة من النوع ‎٠“‏ أو المنطقة من النوع م. تُكوّن الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة ‎las‏ وصلة غير متجانسة مستوية مع المنطقة من النوع ‎٠“‏ أو المنطقة من النوع م0. يمكن وضع إما المنطقة من النوع © أو المنطقة من النوع م على الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون ‎١١‏ مسام مفتوحة ولكن كما هو موضح بالشرح فيما سبق حيث إن الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت تكون بدون مسام مفتوحة لا ترشح المادة من نوع أو من نوع م المادة شبه الموصلة من البروفسكيت لتكوين وصلة غير متجانسة كتلية؛ ‎Yay‏ من ذلك فإنها ‎Bale‏ ما ‎oS‏ وصلة غير متجانسة مستوية مع المادة شبه الموصلة من البروفسكيت. نمطيًاء تُكوّن الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة وصلة غير متجانسة مستوية مع ‎١‏ المنطقة من ‎Nell‏ ‏في بعض النماذج؛ تكون الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة في حالة تلاتمس مع كل من المنطقة من ‎Nog ll‏ والمنطقة من النوع م. في هذه النماذج؛ لن تكون هناك طبقة أخرى ‎i)‏ "طبقة أولى” تشتمل على ‎sale‏ دعم مؤقتة ومادة شبه موصلة من البروفسكيت) تفصل الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة عن ‎٠‏ المنطقة من النوع ‎٠“‏ أو المنطقة من النوع م. كما هو موضح بالشرح ‎lad‏ سبق؛ حيث إن الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت تكون بدون مسام مفتوحة؛ في هذه النماذج لا ترشح مادة المنطقة من النوع أو المنطقة من النوع م المادة شبه الموصلة من البروفسكيت لتكوين وصلة غير متجانسة كتلية؛ ‎Slay‏ من ذلك فإنها ‎Bale‏ ما ثكوّن وصلة غير متجانسة مستوية مع ‎sald‏ شبه الموصلة من البروفسكيت. وبالتالي؛ يمكن أن تُكوّن الطبقة الخاصة بالمادة شبه © الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة وصلات غير متجانسة مستوية مع كل من المناطق ‎CAAA‏
الوب من نوع 0 ومن نوع م على أي من جانبي الطبقة. ‎gly‏ على ذلك؛ في بعض النماذج الخاصة بالجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ تكون الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت وصلة غير متجانسة مستوية أولى مع المنطقة من النوع ‎N‏ ووصلة غير متجانسة مستوية ثانية مع المنطقة من النوع م. © يكون الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع نمطيًا عبارة عن جهاز بغشاء رقيق رفيع ‎REF‏ ‎dale‏ يبلغ ‎oll‏ الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة من ‎٠١‏ ‏نانو متر إلى ‎٠٠١‏ ميكرو متر. بصورة أكثر نمطية؛ يبلغ مثمك الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة من ‎٠١‏ نانو متر إلى ‎٠١‏ ميكرو متر. يُفضل؛ يبلغ
Jie ‏نانو‎ 5٠ ‏الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة من‎ dl ‏نانو متر. غالبًا ما يكون‎ 0٠0 ‏نانو متر إلى‎ ٠٠١ ‏من‎ JE ‏نانو مترء على سبيل‎ ٠٠٠١ ‏إلى‎ ‏نانو متر. قد يبلغ‎ ٠٠١ ‏الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت أكبر من‎ eld ‏ميكرو مترء أو على سبيل المثال من‎ ٠٠١ ‏نانو متر إلى‎ ٠٠١ ‏على سبيل المثال من‎ ell ‏نانو متر.‎ 70١0 ‏نانو متر إلى‎ ٠ 5 .من أجل توفير أدوات فلطائية ضوئية عالية الفعالية؛ ينبغي زيادة امتصاص المادة الممتصة / المنطقة المتفاعلة ضوئيًا على نحو نموذجي إلى أقصى حد بحيث يتم توليد مقدار ‎Jil‏ من التيار. بناءً على ذلك؛ عند استخدام بروفسكيت باعتباره المادة الممتصة في خلية شمسية؛ ينبغي على نحو نموذجي أن يكون ْمك طبقة البروفسكيت بقيمة من 700 إلى 600 نانو ‎ete‏ من أجل امتصاص غالبية ضوء الشمس عبر الطيف المرئي. بشكل محدد؛ في خلية شمسية ينبغي أن ‎٠‏ تكون طبقة البروفسكيت بشكل عام أكثر ‎po Kd‏ عمق الامتصاص (الذي يتم تعريف باعتباره ‎ol,‏ الغشاء الرقيق المطلوب لامتصاص 790 من الضوء الساقط بطول موجة معين؛ يبلغ نمطيً لمواد البروفسكيت محل الاهتمام أعلى من ‎٠٠١‏ نانو متر إذا كان من المطلوب امتصاص ضوء كبير عبر الطيف المرئي بأكمله (من 0860© إلى 800 نانو متر))؛ حيث إن استخدام طبقة متفاعلة ضوئيًا في الأدوات الفلطائية الضوئية ‎old‏ يبلغ أقل من ‎٠٠١‏ نانو متر يمكن أن يكون ضارًا ‎Yo‏ لأداء الجهاز. ‎CAAA
و على النقيض؛ لا تحتاج الأجهزة الوامضة كهربائيًا (الباعثة للضوء) ‎electroluminescent‏ ‎(light-emitting) devices‏ إلى امتصاص الضوء ‎Jog‏ هذا ليس مقيدة بعمق الامتصاص. علاوة على ذلك؛ عمليًا يتم اختيار حالات التلامس من النوع م ومن النوع © الخاصة بالأجهزة الوامضة كهربائيًا ‎electroluminescent devices‏ نمطيًا بحيث بمجرد أن يتم حقن إلكترون أو ثقب على جانب واحد من الجهاز لن يتدفق خارج ‎DAY‏ (أي؛ يتم اختيارها بحيث يتم فقط حقن أو تجميع مادة حاملة فردية)؛ بغض النظر عن ‎ells‏ الطبقة المتفاعلة ضوئيًا. بشكل أساسي؛ تتم إعاقة المواد الحاملة للشحنات عن النقل خارج المنطقة المتفاعلة ضوئيًا وبالتالي ستكون متاحة ‎sale‏ الدمج وتوليد فوتونات؛ وعلى هذا يمكن الاستفادة من منطقة متفاعلة ضوئيًا تكون ‎Bal Jal‏ إلى حدٍ كبير.
‎٠‏ تمطيًاء لهذاء عندما يكون الجهاز الإلكتروني البصري عبارة عن أداة فلطائية ضوئية؛ يكون لمك الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت أكبر من ‎٠٠١‏ نانو متر. يمكن على سبيل المثال أن يكون ‎eld‏ الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت في الأداة الفلطائية الضوئية ‎device‏ 000107018106 من ‎٠٠١‏ نانو متر إلى ‎٠٠١‏ ميكرو مترء؛ أو على سبيل ‎JE‏ ‏من ‎٠٠١‏ نانو متر إلى ‎70١6‏ نانو متر. يمكن على سبيل المثال أن يكون مك الطبقة الخاصة
‎٠٠١ ‏بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت في الأداة الفلطائية الضوئية من 7060 نانو متر إلى‎ ١ ‏نانو متر.‎ 70٠0 ‏ميكرو مترء أو على سبيل المثال من 7050 نانو متر إلى‎ ‏كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ يشير المصطلح "لمك" إلى متوسط لمك مكون خاص بجهاز‎ ‏إلكتروني بصري.‎ ‏لوضع بذور لنمو طبقة‎ Gl) ‏استخدام مادة دعم مؤقتة رفيعة‎ (Ko ‏لقد عرض المخترعون أنه‎
‎(JE ‏سبيل‎ Jo) Wan ‏حيث يحدث غالبية نشاط التفاعل‎ Wan ‏البروفسكيت المتفاعل‎ ٠ ‏امتصاص الضوء) في طبقة تغطية تتكون أعلى مادة الدعم المؤقتة. تكون طبقة التغطية هذه هي‎ ‏سبق من المادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ و؛ في‎ Led ‏الطبقة المذكورة‎ ‏أو المنطقة من‎ ٠ ‏هذه النماذج» تفصل "طبقة أولى" طبقة التغطية تلك عن إما المنطقة من النوع‎ ‏النوع م.‎
‎CAAA
اج \ _
بناءً على ذلك في بعض النماذج؛ تشتمل المنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة الخاصة بالجهاز
على:
المنطقة من النوع ‎N‏ المذكورة؛
المنطقة من النوع 0 المذكورة؛ 5 يتم فيما بين المنطقة من ‎Ng all‏ والمنطقة من النوع م0 وضع: ‎daha ( ١ ) o‏ أولى تشتمل على مادة د عم مؤقتة ومادة شبه موصلة من البروفسكيت ؛و
‎(Y)‏ طبقة تغطية موضوعة على الطبقة الأولى المذكورة؛» حيث تكون طبقة التغطية هي الطبقة
‏المذكورة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة.
‏تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في طبقة التغطية في حالة تلامس مع المادة شبه
‏الموصلة من البروفسكيت في الطبقة الأولى.
‎٠‏ حيث إنه غالبًا ما يتم ترسيب البروفسكيت في الطبقة الأولى والبروفسكيت في طبقة التغطية معاً في نفس الخطوة؛ نمطيًا بواسطة نفس خطوة ترسيب المحلول أو ترسيب البخار؛ عادةً ما يتم إعداد المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في طبقة التغطية من نفس مركب البروفسكيت مثل المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في الطبقة الأولى. على النقيض من الطبقة الأولى؛ التي تشتمل على كل من مادة الدعم المؤقتة والمادة شبه الموصلة
‎ge VO‏ البروفسكيت؛ لا تشتمل طبقة التغطية على ‎Sale‏ الدعم المؤقتة. كما هو موضح بالشرح فيما سبق؛ تتكون طبقة التغطية التي تعتبر الطبقة المذكورة من مادة شبه ‎lia ge‏ من بروفضكيت بدون مسام مفتوحة؛ نمطيًا بشكل أساسي من؛ أو تتكون من نواتج تبلّر من المادة شبه الموصلة من البروفسكيت. وعلى هذا ‎Sale‏ ما تتكون طبقة التغطية بشكل أساسي من المادة شبه الموصلة من البروفسكيت. في بعض النماذج تتكون من طبقة التغطية المادة شبه الموصلة من البروفسكيت.
‎٠‏ تشتمل الطبقة الأولى على ‎sale‏ الدعم المؤقتة المذكورة وشبه الموصل من البروفسكيت المذكور المترسب على سطح ‎sale‏ الدعم المؤقتة. يشير المصطلح ‎sale’‏ دعم مؤقتة" كما هو مستخدم في هذا الطلب إلى مادة تتضمن وظيفتها (وظائفها) العمل كدعامة فيزيائية لمادة أخرى. في الحالة الحالية؛ تعمل مادة الدعم المؤقتة كدعامة للمادة شبه الموصلة من البروفسكيت الموجودة في
‎ovvy
Cy ‏الطبقة الأولى. يتم وضع المادة شبه الموصلة من البروفسكيت؛ أو دعمها على؛ سطح مادة الدعم‎ ‏على بنية مسامية‎ Ghat ‏مسامية؛ مما يعني أنها تشتمل‎ Bale ‏الدعم المؤقتة‎ sale ‏المؤقتة. تكون‎ sale ‏مفتوحة. بناءً على ذلك؛ يشير "سطح” مادة الدعم المؤقتة هنا نمطيًا إلى أسطح المسام داخل‎ ‏وضع المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في الطبقة الأولى‎ Gla ‏الدعم المؤقتة. وبالتالي؛ يتم‎ ‏الدعم المؤقتة.‎ sale ‏على أسطح المسام داخل‎ 5 ‏الدعم المؤقتة مسامية ويتم وضع المادة شبه الموصلة من‎ sale ‏في بعض النماذج» تكون‎ ‏البروفسكيت في الطبقة الأولى في مسام مادة الدعم المؤقتة. عادة ما تكون المسامية الفاعلة‎ ‏على سبيل المثال؛ يمكن أن تبلغ المسامية‎ .75 ٠ ‏الخاصة بمادة الدعم المؤقتة المذكورة على الأقل‎ ‏أحد النماذج؛ تبلغ المسامية الفاعلة على الأقل‎ SAY ‏حوالي‎ effective porosity ‏الفاعلة‎ ‎JV ‏على الأقل‎ JED ‏على سبيل‎ 210 YS ‏كما هو مستخدم‎ (Alan sie ‏متوسطة. يعني المصطلح 'مسام‎ alae Sale ‏تكون مادة الدعم المؤقتة‎ ov ‏المادة يبلغ من ؟ نانو متر إلى‎ Jah ‏في هذا الطلب؛ أن متوسط حجم المسام الخاص بالمسام‎ ‏نانو متر. يمكن أن تكون المسام الفردية بأحجام ختلافة وبأي شكل.‎ ‏على نحو بديل؛ يمكن أن تكون مادة الدعم المؤقتة كبيرة المسام. يعني المصطلح "كبيرة المسام”؛‎ ‏كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ أن متوسط حجم المسام الخاص بالمسام داخل المادة يكون أكبر‎ VO ‏تكون كبيرة‎ Laie ‏من ؟ نانو متر. في بعض النماذج؛ حجم المسام في مادة الدعم المؤقتة؛‎ ‏ميكرو مترء أو على سبيل المثال؛ أكبر‎ ١ ‏متر وتساوي أو أقل من‎ UY ‏المسام؛ يكون أكبر من‎ ‏متر وتساوي أو أقل‎ SY ‏نانو مترء الأفضل أكبر من‎ 9٠٠0 ‏نانو متر وتساوي أو أقل من‎ Y ‏من‎ ‏ثانو متر.‎ ٠٠١ ‏من‎ ‎charge- ‏لشحنة‎ BL ‏يمكن أن تكون مادة الدعم المؤقتة عبارة عن مادة دعم مؤقتة‎ Ye electron— ‏ناقلة لإلكترون‎ sale ‏سبيل المثال؛‎ Je) transporting scaffold material hole ‏أو على نحو بديل مادة ناقلة لتقب‎ ctitania ‏مثل التيتانيا‎ transporting material ‏ألومينا 80100108. يشير المصطلح "المادة‎ Jie ‏عازلة؛‎ sale ‏أو‎ (transporting material electrical ‏العازلة"؛ كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ إلى مادة تكون عبارة عن عازل كهربائي‎ ovvy
‎insulator‏ أو موصل ضعيف للغاية للتيار الكهربائي. يستثني المصطلح عازل بناءً على هذا المواد شبه الموصلة مثل التيتانيا. يشير المصطلح عازل؛ كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ ‎Glas‏ ‏إلى مواد بها فجوة نطاق تساوي أو أكبر من ‎4,٠‏ إلكترون فولط. (تبلغ فجوةٍ النطاق الخاصة بالتيتانيا حوالي 3,7 إلكترون فولط.) سيكون الشخص ذو ‎Seal)‏ قادرًا بالفعل على قياس فجوة © النطاق الخاصة بشبه موصل؛ عن طريق استخدام الإجراءات المعروفة جيدًا التي لا تتطلب تجريبًا غير ضروري. على سبيل المثال؛ يمكن تقدير فجوة النطاق الخاصة بشبه الموصل عن طريق تكوين صمام ثنائي فلطائي ضوئي ‎photovoltaic diode‏ أو خلية شمسية من شبه الموصل وتحديد طيف الإجراء الفلطائي ‎(Sa photovoltaic action spectrum pall‏ اعتبار طاقة الفوتون أحادي اللون ‎monochromatic photon energy‏ التي عندها يبدأ توليد تيار الخلية ‎٠‏ الكهروضوئية بواسطة الصمام الثنائي بمثابة فجوة النطاق الخاصة بشبه الموصل؛ تم استخدام هذه الطريقة بواسطة : ‎.Barkhouse et al., Prog.
Photovolt: Res.
Appl. 2012; 20:6-11.‏ تعني الإشارات المرجعية في هذا الطلب إلى فجوةٍ النطاق الخاصة بشبه الموصل فجوة النطاق باعتبارها مقاسة بواسطة هذه الطريقة؛ أي؛ فجوة النطاق كما هو محدد عن طريق تسجيل طيف الإجراء ‎١‏ الفلطائي الضوئي لصمام ثنائي فلطائي ضوئي أو خلية شمسية متكون من شبه الموصل وملاحظة طاقة الفوتون أحادي اللون التي عندها يبدأ توليد تيار الخلية الكهروضوئية ‎photocurrent‏ ‏المؤثر. ‎dale‏ تلامس المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في الطبقة الأولى (تشتمل هذه الطبقة أيضنًا على مادة الدعم المؤقتة) واحدة من المنطقة من النوع م والمنطقة من نوع ‎oN‏ وتلامس المادة شبه ‎٠‏ الموصلة من البروفسكيت في طبقة التغطية المنطقة الأخرى من المنطقة من النوع | والمنطقة من نوع ©. ‎chai‏ تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في طبقة التغطية وصلة غير متجانسة مستوية مع المنطقة التي تتلامس معهاء أي؛ مع المنطقة من النوع م أو المنطقة من النوع 0. في نموذج مفضل؛ تلامس ‎ald)‏ شبه الموصلة من البروفسكيت في طبقة التغطية المنطقة من النوع ‎op‏ وتلامس المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في الطبقة الأولى المنطقة من النوع 0. ‎Bae YO‏ في هذا النموذج؛ تكون ‎sale‏ الدعم المؤقتة عبارة عن إما مادة ناقلة لإلكترون دعم مؤقتة أو بابلا
م \ _ مادة دعم مؤقتة عازلة. نمطيًّاء تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في طبقة التغطية وصلة غير متجانسة مستوية مع المنطقة من النوع م. في نموذج ‎AT‏ مع ذلك؛ تلامس المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في طبقة التغطية المنطقة من النوع ‎on‏ وتلامس المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في الطبقة الأولى المنطقة من النوع م. © تمطيّاء في هذا النموذج؛ تكون مادة الدعم المؤقتة عبارة عن مادة دعم مؤقتة ناقلة لثقب أو ‎sale‏ ‏دعم مؤقتة عازلة. نمطيّاء تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في طبقة التغطية وصلة غير متجانسة مستوية مع المنطقة من النوع 0. ‎Bale‏ ما يكون ‎Gl‏ طبقة التغطية أكبر من ‎eld‏ الطبقة الأولى. بناءً على هذا عادةً ما يحدث غالبية نشاط التفاعل ضوئيًا (على سبيل ‎(Jd)‏ امتصاص الضوء) في طبقة تغطية. ‎Ye‏ يبلغ ‎dle‏ طبقة التغطية نمطيًا من ‎٠١‏ نانو متر إلى ‎٠٠١‏ ميكرو متر. بصورة أكثر نمطية؛ يبلغ مثمك طبقة التغطية من ‎٠١‏ نانو متر إلى ‎٠١‏ ميكرو متر. يُفضل؛ يبلغ ‎ll‏ طبقة التغطية من ‎Cu‏ نانو متر إلى ‎٠١‏ نانو مثرء؛ أو على سبيل المثال من ‎٠٠١‏ نانو متر إلى ‎You‏ نانو متر. يمكن على سبيل المثال أن يكون سُمك طبقة التغطية من ‎٠٠١‏ نانو متر إلى ‎٠٠١‏ ميكرو مترء أو على سبيل المثال من ‎٠٠١‏ نانو متر إلى ‎70٠6‏ نانو متر. عادةً ما يتم تفضيل طبقة تغطية لها ‎Yo‏ ملك يبلغ على الأقل ‎٠٠١‏ نانو متر. عادةً ما يبلغ ‎dd‏ الطبقة الأولى؛ من ناحية أخرى؛ من © نانو متر إلى ‎٠٠٠١‏ نانو متر. بصورة أكثر نمطية؛ يكون من © نانو متر إلى ‎50٠‏ نانو مترء أو على سبيل ‎JB‏ من ‎ST‏ متر إلى ‎Yeo‏ نانو متر. تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت المستخدمة في الاختراع ‎Jal)‏ في الطبقة المذكورة ‎Yo‏ من مادة شبه موصلة من بروضسكيت بدون مسام مفتوحة و6 عند وجوده؛ في الطبقة | لأولى المذكورة؛ نمطيًا عبارة عن مادة تكون 508 على ‎(V)‏ امتصاص الضوءء وبالتالي توليد مواد حاملة بشحنة مطلقة؛ و / أو (7) انبعاث ضوء؛ عن طريق قبول شحنة؛ كل من الإلكترونات والثتقوب؛ التي تعيد الاندماج ‎Bal‏ وتبعث ضوءًا. ‎ovvy‏ v4 ‏وبالتالي؛ يكون البروفسكيت المستخدم نمطيًا عبارة عن بروفسكيت ماص للضوء و / أو بروفسكيت‎ ‏باعث للضوء.‎ ‏على‎ Bl ‏يتم استخدام بروفسكيت يكون‎ Gla ‏ماصة للضوء.‎ sale ‏البروفسكيت‎ dale
DAB ‏نانو متر (أي؛ بروفسكيت يكون‎ ٠0050 ‏امتصاص ضوء لها طول موجة يبلغ من 900 إلى‎ ‏على امتصاص ضوء له طول موجة يقع في أي مكان في هذا النطاق). بصورة أكثر نمطية؛ يكون‎ 5 ‏في النطاق البالغ‎ wavelength dase ‏البروفسكيت المستخدم قادرًا على امتصاص ضوء له طول‎ ‏قادر على امتصاص ضوء له طول موجة‎ (JB ‏أو؛ على سبيل‎ cia ‏نانو‎ ١8٠١ ‏من 0860© إلى‎ ‏نانو متر. بصورة أكثر نمطية؛ يكون البروفسكيت المستخدم قادرًا على‎ ٠٠٠١ ‏يبلغ من 9080 إلى‎ ‏واقع في أي مكان في النطاق البالغ من 3080 إلى 800 نانو متر.‎ dase ‏امتصاص ضوء له طول‎ ‏يفضل أن يكون للمادة شبه الموصلة من البروفسكيت المستخدم في الجهاز الإلكتروني البصري‎ ٠ ‏الخاص بالاختراع فجوة نطاق تكون محدودة بالقدر الكافي للسماح باستثارة الإلكترونات بواسطة‎ ‏الضوء الساقط. يتم تحديذًا تفضيل فجوة نطاق تبلغ 3,0 إلكترون فولط أو أقل؛ بخاصة عندما‎ ‏يكون الجهاز الإلكتروني البصري عبارة عن أداة فلطائية ضوئية؛ لأن فجوةٍ النطاق هذه تكون‎ ‏منخفضة بالقدر الكافي لكي يقوم ضوء الشمس باستثارة الإلكترونات عبره. يكون لمواد بروفسكيت‎ ‏معينة؛ متضمنة بعض من مواد بروفسكيت لأكسيد ومواد بروفسكيت ثنائية الأبعاد؛ فجوات نطاق‎ VO ‏وتكون بناءً على هذا أقل تفضيلاً للاستخدام في الأدوات‎ ald ‏تكون أوسع من 3,0 إلكترون‎ ‏إلكترون فولط أو أقل.‎ 3,٠ ‏الفلطائية الضوئية عن مواد البروفسكيت التي لهت فجوة نطاق تبلغ‎
Strontium ‏تتضمن مواد البروفسكيت هذه كالسيوم تيتانات 081103 سترونتيوم تيتانات‎ ‏التي لها‎ «Strontium titanate :Pr3+ ‏وكالسيوم سترونتيوم تيتانات‎ titanate (SrTiO3) ‏إلكترون فولط و*,؟ إلكترون فولط على التوالي.‎ Vo ‏إلكترون فولط؛‎ VY ‏فجوات نطاق تبلغ تقريبًا‎ ٠ ‏على ذلك؛ نمطيًا يكون للمادة شبه الموصلة من البروفسكيت المستخدم في الجهاز الإلكتروني‎ gly ‏إلكترون فولط. في بعض النماذج؛‎ 7,٠ ‏البصري الخاص بالاختراع فجوة نطاق تساوي أو أقل من‎ ‏على سبيل المثال‎ chal ‏تبلغ فجوة النطاق الخاصة بالبروفسكيت أقل من أو تساوي 7,8 إلكترون‎ ‏تساوي أو أقل من 7,5 إلكترون فولط. يمكن على سبيل المثال أن تكون فجوة النطاق أقل من أو‎ ‏إلكترون فولط.‎ 7,٠ ‏إلكترون فولط» أو على سبيل المثال أقل من أو تساوي‎ YY ‏تساوي‎ Yo
CAAA
ل ‎dale‏ تبلغ فجوة النطاق على الأقل ‎١,5‏ إلكترون فولط. وبالتالي؛ قد تبلغ فجوة النطاق الخاصة بالبروفسكيت من ‎١,5‏ إلكترون فولط إلى 7,8 إلكترون فولط. في بعض النماذج تكون من ‎٠,5‏ ‏إلكترون فولط إلى 7,5 إلكترون فولط» أو على سبيل ‎JB‏ من ‎١,5‏ إلكترون فولط إلى 7,3 إلكترون فولط. قد تبلغ فجوة النطاق الخاصة بالبروفسكيت على سبيل المثال من ‎١,5‏ إلكترون 0 فولط إلى ‎٠,0‏ إلكترون فولط. في نماذج ‎(Al‏ قد تبلغ فجوة النطاق الخاصة بالبروفسكيت من ‎٠‏ إلكترون فولط إلى ‎٠‏ ,7 إلكترون فولط؛ أو على سبيل المثال من ‎٠١‏ إلكترون فولط إلى ‎YA‏ ‏إلكترون فولط. في بعض النماذج تكون من ‎٠١‏ إلكترون فولط إلى 7,5 إلكترون فولط» أو على سبيل المثال من ‎٠١‏ إلكترون فولط إلى 7,7 إلكترون فولط. قد تبلغ فجوة النطاق الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت على سبيل المثال من ‎٠.١‏ إلكترون فولط إلى ‎7,٠‏ إلكترون فولط. ‎٠‏ تبلغ فجوةٍ النطاق الخاصة بالبروفسكيت بصورة أكثر نمطية من ‎٠,7‏ إلكترون فولط إلى ‎VA‏ ‏إلكترون فولط. تكون فجوات النطاق الخاصة بالمواد شبه الموصلة من البروفسكيت لهاليد فلز عضوي؛ على سبيل المثال؛ نمطيًا واقعة في هذا النطاق ويمكن على سبيل المثال؛ أن تبلغ حوالي إلكترون فولط أو حوالي ‎١,6‏ إلكترون فولط. وبالتالي؛ في أحد النماذج تبلغ فجوة النطاق الخاصة بالبروفسكيت من ‎٠,١‏ إلكترون فولط إلى ‎١,7‏ إلكترون فولط. ‎Vo‏ تشتمل المادة شبه الموصلة من البروفسكيت المستخدم في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع ‎hat‏ على أنيون واحد على الأقل مختار من أنيونات هاليد وأنيونات كالكوجنيد. يشير المصطلح ‎halide al’‏ " إلى أنيون لعنصر مجموعة اء أي؛ لهالوجين. نمطيًّاء يشير هاليد إلى أنيون فلوريد ‎fluoride anion‏ أنيون كلوريد ‎«chloride anion‏ أنيون بروميد ‎bromide anion‏ أنيون يوديد ‎iodide anion‏ أو أنيون أستاتيد ‎.astatide anion‏ يشير ‎٠‏ المصطلح "أنيون كالكوجنيد ‎chalcogenide anion‏ " كما هو مستخدم في هذا الطلب إلى أنيون ‎anion‏ لعنصر مجموعة 1( أي؛ لكالكوجنيد 008100960. ‎(Gla‏ يشير كالكوجنيد ‎chalcogenide‏ إلى أنيون أكسيد ‎coxide anion‏ أنيون سلفيد ‎coxide anion‏ أنيون سينيليد ‎selenide anion‏ أو أنيون تيلوريد ‎telluride anion‏ باللا
في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ ‎Le Wie‏ يشتمل البروفسكيت على كاتيون أول؛ كاتيون ثان» والأنيون الواحد على الأقل المذكور. كما سيدرك أحد ذوي ‎dled‏ يمكن أن يشتمل البروفسكيت بشكل ‎la)‏ على كاتيونات أو أنيونات إضافية. على سبيل ‎JE‏ يمكن أن يشتمل البروفسكيت على اثنين» ‎ADE‏ أربعة من ‎oo‏ كاتيونات أولى مختلفة؛ اثنين» ‎ADE‏ أربعة من كاتيونات ثانية مختلفة؛ أو اثنين» ثلاثة من أربعة أنيونات مختلفة. نمطيًّا؛ في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ يكون الكاتيون الثاني في البروفسكيت عبارة عن كاتيون فلز. يمكن اختيار ‎SHI‏ من القصدير؛ الرصاص والنحاس؛ وِيُفضل أن يتم اختياره من القصدير والرصاص. بصورة أكثر نمطية؛ يكون الكاتيون الثاني عبارة عن كاتيون فلز ثنائي التكافو. على سبيل ‎JE‏ ‏يمكن اختيار الكاتيون الثاني من أيون الكالسيوم ‎(Calcium ions (Ca2+)‏ أيون سترونتيوم ‎Strontium lon (Sr2)‏ أيون الكاديون ‎«Cadmium ion (Cd2+)‏ أيون النحاس ‎copper‏ ‎dion (Cu2+)‏ أيون النيتروجين ‎nitrogen ion (Ni2+)‏ أيون المنجنيز ‎Manganese ion‏ ‎(Mn2+)‏ أيون الحديدي ‎(ferrous ion (Fe2+)‏ أيون الكوبالت ‎«cobalt ion (Co2+)‏ أيون ‎١‏ البالديوم ‎«palladium ion (Pd2+)‏ أيون الجرمانيوم ‎«germanium ion (Ge2+)‏ أيون القصدير ‎dtin ion (Sn2+)‏ أيون الرصاص ‎dead ion (Pb2+)‏ أيون القصدير ‎tin ion‏ ‎((Sn2+)‏ أيون الايتربيوم ‎Ytterbium ion (YB2+)‏ وأيون الأوربيوم ‎.europium (u2+)‏ يمكن اختيار الكاتيون الثاني من أيون القصدير ‎ctin ion (SN2+)‏ أيون البالديوم ‎(Pd2+)‏ و أيون النحاس (+602). عادةً؛ يتم اختيار الكاتيون الثاني من أيون القصدير +502 وأيون ‎٠‏ البالديوم ‎(+Pd2)‏ ‏في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ يكون الكاتيون الأول في البروفسكيت عبارة عن ‎Tale‏ كاتيون عضوي. باللا
_— \ اذ يشير المصطلح "كاتيون عضوي ‎organic cation‏ " إلى كاتيون مشتمل على كربون ‎carbon‏ ‏يمكن أن يشتمل الكاتيون على عناصر إضافية؛ على سبيل المثال؛ يمكن أن يشتمل الكاتيون على هيدروجين؛ نيتروجين أو أكسجين. ‎Gale‏ في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ يكون للكاتيون العضوي الصيغة ه ‎(RIR2R3R4N)+‏ حيث: 1 تكون هيدروجين» 61-620 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال»؛ أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال؛ 2 تكون هيدروجين» 61-0620 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال؛ 83 تكون هيدروجين» 61-020 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال؛ و 4 تكون هيدروجين» 61-0620 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال. على نحو ‎ca‏ يمكن أن يكون للكاتيون العضوي الصيغة ‎«(R5NH3)+‏ حيث: ‎RS‏ تكون ‎١‏ مهيدروجين؛ أو 61-020 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال. على سبيل ‎RS (Jal‏ يمكن أن تكون ميثيل ‎methyl‏ أو إيثيل الا10©. ‎RS (Gas‏ تكون ميثيل. في بعض النماذج؛ يكون للكاتيون العضوي الصيغة ‎«(RSR6N=CH-NR7R8)+‏ حيث: ‎RS‏ ‏تكون هيدروجين» 61-020 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال؛ ‎RE‏ تكون هيدروجين» 61-620 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال» أو أريل به ‎٠‏ استبدال أو ليس به استبدال؛ ‎RT‏ تكون هيدروجين؛ 01-020 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال» أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال؛ و8 تكون هيدروجين» 61-020 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال. ‎ovvy‏
الا _ ‎RS (Gha‏ في الكاتيون ‎(RSRON=CH-NRTR8)+‏ تكون هيدروجين؛ ميثيل أو إيثيل» ‎RO‏ ‏تكون هيدروجين؛ ميثيل أو إيثيل» ‎RT‏ تكون هيدروجين؛ ميثيل أو إيثيل؛ و48 تكون هيدروجين؛ ميثيل أو إيثيل. على سبيل المثال45 يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل؛ 46 يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل؛ ‎RT‏ يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل؛ و 48ايمكن أن تكون هيدروجين أو © ميثيل. يمكن أن يكون للكاتيون العضوي؛ على سبيل ‎JB)‏ الصيغة ‎(H2N=CH-NH2)+‏ ‏كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ يمكن أن تكون مجموعة ألكيل عبارة عن شق مشبع به استبدال أو لا يكون به استبدال؛ بسلسلة خطية أو متفرعة؛ ‎We‏ ما تكون شق مشبع بسلسلة خطية به استبدال أو ليس به استبدال؛ الأغلب شق مشبع بسلسلة خطية ليس به استبدال. تكون مجموعة ‎٠‏ 601-020 ألكيل عبارة عن شق هيدروكربون مشبع ليس به استبدال أو به استبدال؛ بسلسلة مستقيمة أو متفرعة. نمطيًا تكون 61-010 ‎(JS‏ على سبيل المثال ميثيل؛ إيثيل؛ بروبيل ‎butyl Js su «propyl‏ بنتيل ‎(pentyl‏ هكسيل ‎cheptyl Jia hexyl‏ أوكتيل ‎octyl‏ نونيل ‎nonyl‏ أو ديسيل ‎«decyl‏ أو ‎C1-C6‏ ألكيل؛ على سبيل المثال ‎eine‏ إيثيل؛ بروبيل؛ بيوتيل» بنتيل أو هكسيل؛ أو 01-64 ألكيل؛ على سبيل المثال ميثيل؛ إيثيل؛ أ - بروبيل» 7 - بروبيل؛ ؟ ‎١‏ - بيوتيل؛ 5 - بيوتيل أو © - بيوتيل. عندما يكون بمجموعة ألكيل استبدال فإنها تحمل نمطيًا واحدة أو أكثر من مجموعات الاستبدال المختارة من 61-020 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال؛ أريل به استبدال أو ليس به استبدال ‎WS)‏ هو ‎Gre‏ في هذا الطلب)؛ سيانوء أمينو؛* 61-010 ألكيل ‎sud‏ 061-010 ‎Jif (C1-C10) la calkylamino‏ أمينو ‎«di(C1-Cl0)alkylamino‏ أريل ‎sid‏ ‎carylamino ٠‏ داي أريل ‎diarylamino sud‏ أريل ألكيل أمينو ‎sud carylalkylamino‏ ‎camido‏ أسيل أميدو ‎cacylamido‏ هيدروكسي ‎chydroxy‏ أوكسو 0*0؛ هالو ‎halo‏ كربوكسي ‎carboxy‏ إستر ‎cester‏ أسيل ‎cacyl‏ أسيل أوكسي لا*«0الا80؛ 01-020 ألكوكسي 01-020 ‎«alkoxy‏ أريل أوكسي ‎caryloxy‏ هالو ألكيل ‎haloalkyl‏ حمض سلفونيك ‎«sulfonic acid‏ سلفهيدريل ‎sulfhydryl‏ (أي؛ ثيول ‎«(=SH «thiol‏ 61-0 ألكيل تير ‎«C1-C10 alkylthio‏ ‎Yo‏ أريل ثيو ‎carylthio‏ سلفونيل ‎sulfonyl‏ حمض فوسفوريك ‎(phosphoric acid‏ إستر فوسفات بالا
ديه ‎phosphate ester‏ حمض فوسفونيك ‎phosphonic acid‏ واستر فوسفونات ‎phosphonate‏ ‎Lester‏ تتضمن أمثلة على مجموعات ألكيل بها استبدال: مجموعات هالو ألكيل؛ هيدروكسي ألكيل؛ أمينو ألكيل؛ ألكوكسي ألكيل وألك أريل ‎٠.‏ يتعلق المصطلح ألك أريل ؛ كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ بمجموعة 61-620 ألكيل حيث تم استبدال ذرة هيدروجين واحدة على الأقل © بمجموعة أريل. تتضمن أمثلة على هذه المجموعات؛ إلا أن الأمر ليس قاصرًا على؛ بنزيل ‎benzyl‏ (فينيل ميثيل ‎phenylmethyl‏ -000112)؛ بنزهيدريل ‎«(Ph2CH -( benzhydryl‏ ترايتيل ‎trityl‏ (تراي فينيل ميثيل ‎phenethyl (Ph3C - driphenylmethyl‏ (فينيل ‎(Ph—CH2CH2- (Ji)‏ ستايريل ‎cinnamyl Juli. «(Ph-CH=CH-) styryl‏ ‎.(Ph—-CH=CH-CH2-)‏ ‎Ghat ٠‏ تحمل مجموعة ألكيل به استبدال ‎٠‏ ؟ أو ؟ مجموعات استبدال؛ على سبيل المثال ‎١‏ أو ل مجموعة أريل تكون ‎Ble‏ عن مجموعة عطرية بها استبدال أو ليس بها استبدال؛ أحادية الحلقة أو ثنائية الحلقات تشمل نمطيًا من > إلى ‎VE‏ ذرة كربون؛ يُفضل من ‎١‏ إلى ‎٠١‏ ذرةٍ كربون في الجزء الحلقي. تتضمن الأمثلة مجموعات ‎(iid‏ الا060. نافقيل ‎indenyl (sx) naphthyl‏ واندانيل ‎Vo‏ الا10080. تكون مجموعة الأريل ليس بها استبدال أو بها استبدال. عندما مجموعة أريل كما هو معرّف ‎Lad‏ سبق يكون بها استبدال فإنها تحمل نمطيًا واحدة أو أكثر من مجموعات الاستبدال المختارة من 61-06 ألكيل الذي ليس به استبدال (لتكوين مجموعة أرألكيل)؛ أريل ليس به استبدال» : ‎cyano, amino, 1-610 alkylamino, di(C1-Cl0)alkylamino, arylamino,‏ ‎diarylamino, arylalkylamino, amido, acylamido, hydroxy, halo, carboxy, Y.‏ ‎ester, acyl, acyloxy, 01-020 alkoxy, aryloxy, haloalkyl, sulfhydryl (i.e.‏ ‎thiol, —SH), C1-10 alkylthio, arylthio, sulfonic acid, phosphoric acid,‏ ‎phosphate ester, phosphonic acid and phosphonate ester and sulfonyl.‏ ‎ovvY‏
—yvo- تحمل نمطيًا ‎hn‏ )6 7 أو © مجموعات استبدال. يمكن أن تكون مجموعة أريل بها استبدال بها استبدال في اثنين من المواضع بمجموعة 61-06 ألكيلين فردية؛ أو بمجموعة باي دينتات ممثلة بواسطة : الصيغة ©61-66(81/7/160)-)ل-,؛ أو -4(-61-06(807/1606)-)-» حيث يتم اختيار ‎X‏ © من 0 5 ‎NR‏ وحيث »ا تكون ‎(H‏ أريل أو ‎C1-C6‏ ألكيل. ومن ‎of‏ يمكن أن تكون مجموعة أريل بها استبدال عبارة عن مجموعة أريل ملتحمة مع مجموعة سيكلو ألكيل ‎cycloalkyl‏ أو مع مجموعة حلقية غير متجانسة ‎heterocyclyl‏ يمكن أن تتضمن الذرات الحلقية ‎ring atoms‏ الخاصة بمجموعة أريل واحدة أو أكثر من الذرات غير المتجانسة (كما في مجموعة أريل غير متجانس ا/6180807). تكون مجموعة الأريل هذه (مجموعة أريل غير متجانس) عبارة عن ‎٠‏ مجموعة عطرية غير متجانسة أحادية الحلقة أو ثنائية الحلقات بها استبدال أو ليس بها استبدال تشمل نمطيًا من ‎١‏ إلى ‎٠١‏ ذرات في ‎all‏ الحلقي بما في ذلك واحدة أو أكثر من الذرات غير المتجانسة. بشكل عام تكون عبارة عن حلقة غير متجانسة تتكون من © أو + ذرات؛ محتوية على ذرة غير متجانسة واحدة على الأقل مختارة من ‎Sis 58 (PN (S(O‏ يمكن أن تحتوي؛ على سبيل ‎(JED‏ على ‎١‏ ؟ أو © ذرات غير متجانسة. تتضمن أمثلة على مجموعات أريل غير ‎VO‏ متجانس : ‎pyrazinyl, pyrimidinyl, pyridazinyl, furanyl, thienyl, pyr‏ ,الاأالامأكسيد قصدير ‏مشاب ‎AZOlidingl, pyrrolyl, oXasiesl‏ أكسيد قصدير مشاب بألومنيوم ‎AZOlyl,‏ ‏أ0*80أكسيد قصدير مشاب بألومنيوم*150 ‎AZOlYI,‏ أكسيد قصدير مشاب بألومنيوم ‎AZOlYl,‏ ‎AZOlyl, ‏أكسيد قصدير مشاب بألومنيوم‎ AZOlYI, thia sie lie ‏قصدير‎ asSthiadi
AZOlyl, ‏بألومنيوم‎ lie ‏أكسيد قصدير‎ AZOIYI, imid ‏50101اأكسيد قصدير مشاب بألومنيوم‎ ٠ ‏الا أكسيد قصدير مشاب بألومتيوم ‎quinolyl and isoquinolyl.‏ ,الإا0ع2م ‏يمكن أن تكون مجموعة أريل غير متجانس ليس بها استبدال أو بها استبدال» على سبيل ‎(JED‏ ‏كما هو محدد فيما سبق للأريل. تحمل ‎١ hia Ghat‏ ؟ أو ؟ مجموعات استبدال. ‎ovvY pr ‏بشكل أساسي؛ في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع» 1+ في الكاتيون العضوي تكون‎ ‏تكون هيدروجين؛ ميثيل أو‎ R3 ei) ‏تكون هيدروجين؛ ميثيل أو‎ R2 ‏هيدروجين؛ ميثيل أو إيثيل؛‎ ‏يمكن أن تكون هيدروجين أو‎ RT ‏تكون هيدروجين؛ ميثيل أو إيثيل. على سبيل المثال‎ RA ‏إيثيل؛‎ ‎RAs ‏يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل؛‎ R3 ‏يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل؛‎ R2 ‏ميثيل؛‎ ‏يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل.‎ © ‏تكون‎ RS ‏حيث:‎ (RENH3)+ ‏على نحو بديل؛ يمكن أن يكون للكاتيون العضوي الصيغة‎ ‏يمكن أن‎ RS (Jd ‏هيدروجين؛ أو 01-020 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال. على سبيل‎ ‏تكون ميثيل.‎ RS clas ‏تكون ميثيل أو إيثيل.‎ ‏في أحد النماذج؛ يكون البروفسكيت عبارة عن بروفسكيت لأنيون مختلط مشتمل على اثنين أو‎ ‏وأنيونات كالكوجنيد‎ halide anions ‏أكثر من الأنيونات المختلفة المختارة من هاليد‎ ٠ ‏يكون الاثنين أو أكثر من الأنيونات المختلفة المذكورة عبارة‎ dale chalcogenide anions ‏عن اثنين أو أكثر من أنيونات هاليد مختلفة.‎ ‏وبالتالي؛ قد يكون البروفسكيت المستخدم عبارة عن بروفسكيت لأنيون مختلط مشتمل على كاتيون‎ ‏وأنيونات‎ alla ‏واثنين أو أكثر من الأنيونات المختلفة المختارة من أنيونات‎ (of ‏أول» كاتيون‎ mixed—anion ‏يمكن أن يشتمل البروفسكيت لأنيون مختلط‎ Jd ‏كالكوجنيد. على سبيل‎ ١ ‏على اثنين من الأنيونات المختلفة و؛ على سبيل المثال؛ يمكن أن تكون الأنيونات‎ perovskite ‏عبارة عن أنيون هاليد وأنيون كالكوجنيد؛ اثنين من أنيونات الهاليد المختلفة أو اثنين من الأنيونات‎ ‏المختلفة كالكوجنيد. قد تكون الكاتيونات الأول والثاني كما هو مُعرّف بشكل إضافي فيما سبق في‎ ‏هذا الطلب. ومن ثم؛ يمكن أن يكون الكاتيون الأول عبارة عن كاتيون عضوي؛ الذي قد يكون كما‎ ‏في هذا الطلب. على سبيل المثال قد يكون كاتيون بالصيغة‎ ala) ‏هو مُعرّف بشكل‎ Yo ‏كما هو مُعرّف فيما سبق. على نحو بديل؛‎ (RSNH3)+ ‏أو الصيغة‎ (RIR2R3R4AN)+ ‏كما‎ [R5R6N=CH-NRT7R8]+ ‏يمكن أن يكون الكاتيون العضوي عبارة عن كاتيون بالصيغة‎ ‏هو مُعرّف فيما سبق. يمكن أن يكون الكاتيون الثاني عبارة عن كاتيون فلز ثنائي التكافؤ. على‎ : ‏سبيل المثال؛ يمكن اختيار الكاتيون الثاني من‎
CAAA
_ 7 اذ أيون الكالسيوم ‎(Ca2+)‏ أيون سترونتيوم (522)؛ أيون الكاديون (+602)؛ أيون النحاس ‎((Cu2+)‏ أيون النيتروجين ‎((Ni2+)‏ أيون المنجنيز ‎(MN2+)‏ أيون الحديدي (+62)؛ أيون الكوبالت ‎((Co2+)‏ أيون البالديوم (+002)؛ أيون الجرمانيوم ‎(Ge2+)‏ أيون القصدير (5027)؛ أيون ‎«(Pb2+) aba)‏ أيون القصدير (5027)؛ أيون الايتربيوم ‎(YB2+)‏ وأيون © الأوربيوم (+6027). يمكن اختيار الكاتيون الثاني من أيون القصدير (+502)؛ أيون البالديوم (+002) و أيون النحاس (+602). ‎dale‏ يتم اختيار الكاتيون الثاني من أيون القصدير +502 وأيون البالديوم ‎(+Pd2)‏ ‏في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ ‎fale‏ ما يكون البروفسكيت عبارة عن بروفسكيت لهاليد مختلط» حيث يكون الاثنين أو أكثر من الأنيونات المختلفة المذكورة عبارة عن ‎٠‏ - اثنين أو أكثر من أنيونات هاليد مختلفة. نمطيّا؛ تكون عبارة عن اثنين أو ثلاثة من أنيونات ‎cally‏ ‏بصورة أكثر نمطية؛ اثنين من أنيونات الهاليد المختلفة. ‎Sale‏ يتم اختيار أنيونات الهاليد من فلوريد؛ كلوريد؛ بروميد ويوديد؛ على سبيل المثال كلوريد؛ بروميد ويوديد. غالبا في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص ‎AVL‏ @ يكون البروفسكيت عبارة عن مركب بروفسكيت بالصيغة (ا): ‎(I) ١٠٠‏ 8[]703][م] حيث: ‎[A]‏ تكون كاتيون عضوي واحد على الأقل؛
[8] تكون كاتيون فلزي ‎metal cation‏ واحد على الأقل؛ و ‎[X]‏ تكون الأنيون الواحد على الأقل المذكور. ‎Yo‏ يمكن أن يشتمل البروفسكيت بالصيغة (ا) على ‎candy‏ اثنين؛ ‎ADE‏ أربعة من كاتيونات فلز مختلفة؛ نمطيًا واحد أو اثنين من كاتيونات فلز مختلفة. ‎al‏ يمكن؛ على سبيل ‎JE‏ أن يشتمل البروفسكيت بالصيغة ) | ( 3 على واحد 3 اثنين »+ ثلاثة أربعة من كاتيونات ‎iy gua‏ مختلفة ‎ovvy‏
م اذ نمطيًا ‎candy‏ اثنين من كاتيونات عضوية مختلفة. ‎Jill‏ يمكن أن يشتمل البروفسكيت بالصيغة (ا)» على واحد؛ اثنين؛ ثلاثة؛ أربعة من أنيونات مختلفة؛ نمطيًا اثنين أو ثلاثة من أنيونات مختلفة. قد تكون الكاتيونات العضوية والفلزية في مركب البروفسكيت بالصيغة )1( كما هو مُعززف بشكل إضافي ‎Led‏ سبق في هذا الطلب. ومن ‎of‏ يمكن اختيار الكاتيونات العضوية من كاتيونات © بالصيغة ‎(RIR2R3RAN)+‏ وكاتيونات بالصيغة ‎((RSNH3)+‏ كما هو مُعرّف ‎lad‏ سبق. يمكن اختيار الكاتيونات الفلزية من كاتيونات فلزية ثنائية التكافو. على سبيل ‎JB)‏ يمكن اختيار الكاتيونات الفلزية من أيون الكالسيوم (682©+)؛ أيون سترونتيوم (532)؛ أيون الكاديون ‎(+Cd2)‏ ‏أيون النحاس (602©+)؛ أيون النيتروجين ‎(+Ni2)‏ أيون المنجنيز (1/02+)؛ أيون الحديدي ‎(+Fe2)‏ أيون الكوبالت ‎((+C02)‏ أيون البالديوم (502+)؛ أيون الجرمانيوم ‎((+Ge2)‏ أيون ‎٠‏ القصدير (502+)؛ أيون الرصاص يمكن؛ على سبيل المثال؛ اختيار الكاتيون العضوي من كاتيونات بالصيغة ‎(RSRON=CH~‏ ‎(NRTR8)+‏ وكاتيونات بالصيغة ‎((HZN=CH-NH2)+‏ كما هو مُعرّف ‎led‏ سبق. يمكن اختيار الكاتيونات الفلزية من كاتيونات فلزية ثنائية التكافو. على سبيل ‎(JB‏ يمكن اختيار الكاتيونات الفلزية من أيون الكالسيوم (682©+)؛ أيون سترونتيوم (532)؛ أيون الكاديون ‎(+Cd2)‏ ‎Ve‏ أيون النحاس (602©+)؛ أيون النيتروجين (12ل1+)؛ أيون المنجنيز (1/02+)؛ أيون الحديدي ‎(+Fe2)‏ أيون الكوبالت ‎((+C02)‏ أيون البالديوم (502+)؛ أيون الجرمانيوم ‎((+Ge2)‏ أيون القصدير (502+)؛ أيون الرصاص نمطيّاء [7] في الصيغة (ا) تكون اثنين أو أكثر من الأنيونات المختلفة المختارة من أنيونات هاليد وأنيونات كالكوجنيد. بصورة أكثر نمطية؛ ‎DA‏ تكون اثنين أو أكثر من أنيونات هاليد مختلفة. ‎٠‏ - في أحد النماذج؛ يكون البروفسكيت عبارة عن مركب بروفسكيت بالصيغة (ها): ‎AB[X]3 (IA)‏ حيث: تكون كاتيون عضوي؛ ‎ovVY‏
‎q —_‏ اذ 8 تكون كاتيون فلز؛ و ‎[X]‏ تكون اثنين أو أكثر من أنيونات هاليد مختلفة. نمطيّاء ‎[X]‏ في الصيغة ‎(1A)‏ تكون اثنين أو أكثر من الأنيونات المختلفة المختارة من أنيونات هاليد وأنيونات كالكوجنيد. ‎[X] Bale‏ تكون اثنين أو أكثر من أنيونات هاليد مختلفة. يُفضل» ‎[X]‏ ‏© تكون اثنين أو ثلاثة من أنيونات هاليد مختلفة. الأفضل؛ ‎IX]‏ تكون اثنين من أنيونات الهاليد المختلفة. في نموذج ‎[X] AT‏ تكون ثلاثة من أنيونات هاليد مختلفة. قد تكون الكاتيونات العضوية والفلزية في مركب البروفسكيت بالصيغة ‎(JA)‏ كما هو مُعرّف بشكل إضافي فيما سبق في هذا الطلب. ومن ‎od‏ يمكن اختيار الكاتيون العضوي من كاتيونات بالصيغة ‎(RIR2R3RAN)+‏ وكاتيونات بالصيغة ‎(RONH3)+‏ كما هو مُعرّف ‎led‏ سبق. يمكن أن 9 يكون كاتيون الفلز عبارة عن كاتيون فلز ثنائي التكافو. على سبيل ‎JE‏ يمكن اختيار كاتيون ‎lal‏ من أيون الكالسيوم (082©+)؛ أيون سترونتيوم (522)؛ أيون الكاديون (002©+)؛ أيون النحاس ‎((+CU2)‏ أيون النيتروجين (1112+)؛ أيون المنجنيز (1/92+)؛ أيون الحديدي ‎(+Fe2)‏ ‏أيون الكوبالت ‎(+C02)‏ أيون البالديوم (02©+)؛ أيون الجرمانيوم ‎(+Ge2)‏ أيون القصدير (502+)؛ أيون الرصاص ‎Vo‏ يمكن؛ على سبيل المثال؛ اختيار الكاتيون العضوي من كاتيونات بالصيغة ‎(RSRON=CH~—‏ ‎(NRTR8)+‏ وكاتيونات بالصيغة ‎((H2N=CH-NH2)+‏ كما هو مُعرّف ‎lad‏ سبق. يمكن أن يكون كاتيون الفلز عبارة عن كاتيون فلز ثنائي التكافو. على سبيل ‎JE‏ يمكن اختيار كاتيون الفلز من أيون الكالسيوم (082+)؛ أيون سترونتيوم (532)؛ أيون الكاديون ‎((+Cd2)‏ أيون النحاس ‎((+CU2)‏ أيون النيتروجين (1112+)؛ أيون المنجنيز (1/92+)؛ أيون الحديدي ‎(+Fe2)‏ ‎Yo‏ أيون الكوبالت ‎(+C02)‏ أيون البالديوم (502+)؛ أيون الجرمانيوم ‎(+Ge2)‏ أيون القصدير (502+)؛ أيون الرصاص نمطيّاء في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛» يكون البروفسكيت عبارة عن مركب بروفسكيت بالصيغة ‎:)١١(‏ ‎ABX3-yXy (Il)‏ ‎ovvy‏
=« _ تكون كاتيون عضوي؛ 8 تكون كاتيون فلز؛ ‎X‏ تكون أنيون هاليد أول؛ ”ل تكون أنيون هاليد ثان يكون مختلقًا عن أنيون الهاليد الأول؛ و لا تكون من ‎٠.05‏ إلى ‎Xiao‏ ‎Bale‏ لا تكون من ‎٠,5‏ إلى م على سبيل المثال من دلت إلى ‎laa .Y,¥0‏ ¢ لا تكون من ‎١‏ ‏إلى 3. مرة أخرى؛ في الصيغة ‎oI)‏ قد تكون الكاتيونات العضوية والفلزية كما هو مُعرّف بشكل إضافي فيما سبق في هذا الطلب. ومن ثَم؛ يمكن أن يكون الكاتيون العضوي عبارة عن كاتيون بالصيغة ‎(RIR2R3RAN)+‏ أو؛ بصورة أكثر نمطية؛ كاتيون بالصيغة ‎((RSNH3)+‏ كما هو مُعرّف فيما سبق. يمكن أن يكون كاتيون الفلز عبارة عن كاتيون فلز ثنائي التكافؤ. على سبيل المثال؛ يمكن اختيار كاتيون الفلز من أيون الكالسيوم (0682+)؛ أيون سترونتيوم ‎(S12)‏ أيون الكاديون (602©+)؛ أيون النحاس (602©+)؛ أيون النيتروجين (12ل1+)؛ أيون المنجنيز (1/02+)؛ أيون (+Ge2) ‏أيون الجرمانيوم‎ (+PA2) ‏أيون البالديوم‎ ((+C02) ‏_الحديدي (5©2+)؛ أيون الكوبالت‎ Vo ‏أيون القصدير (502+)؛ أيون الرصاص‎ tla) ‏في بعض النماذج؛ يكون البروفسكيت عبارة عن مركب بروفسكيت بالصيغة‎
ABX3zX’3(1-z) (lla) ‎٠‏ ل تكون كاتيون عضوي بالصيغة ‎((RSRON=CH-NRT7R8)+‏ حيث: ‎RS‏ تكون هيدروجين؛ 61-0 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال؛ ‎R6‏ ‏تكون هيدروجين» 61-020 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو أريل به استبدال أو ليس به ‎ovvy
استبدال؛ 7 تكون هيدروجين» 61-620 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال» أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال؛ و88 تكون هيدروجين» 01-020 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال؛ 8 تكون كاتيون فلز؛ * تكون أنيون ‎alla‏ أول؛ تكون أنيون هاليد ثان يكون مختلقًا عن أنيون الهاليد الأول؛ و 2 تكون أكبر من صفر وأقل من ‎.١‏ ‎Gale‏ 2 تكون من ‎٠.٠9‏ إلى ‎a0‏ ‎Sale‏ 27 تكون من 1 إلى ‎Zz.
A‏ يمكن أن تكونء على سبيل ‎NT IA BEET SI JE‏ كرف ‎Yo‏ ,+ 6 1 , يا لا , ‎٠ A co‏ أو 9 6*1 أو و يمكن أن تكون ‎Blas‏ من أي من هذه القيم إلى أي ‎YPN‏ ‏أخرى من هذه القيم (على سبيل ‎JE‏ من ‎٠,١‏ إلى و أو من ‎٠,١‏ إلى ب 0 8 © يمكن أن تكون كما هو معرّف ‎Led‏ سبق في هذا الطلب. يمكن أن يكون الكاتيون العضوي؛ على سبيل ‎Sle JE‏ عن ‎«(RSR6N=CH-NR7R8)+‏ حيث: يتم اختيار ‎R5‏ ‎(R6‏ 7ن و88 كل على حدة من هيدروجين وبه استبدال أو ليس به استبدال 61-66 ألكيل. ‎Vo‏ على سبيل المثال؛ يمكن أن يكون الكاتيون العضوي عبارة عن ‎(HIN=CH-NH2)+‏ ‏غالبًاء في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ يكون البروفسكيت ‎Bho‏ عن مركب بروفسكيت ‎lise‏ من ‎«CH3NH3PbCI3 (CH3NH3PbBr3 (CH3NH3PbI3‏ ‎«CH3NH3PbIBr2 («CH3NH3PbBrCl2 (CH3NH3PbBrl2 (CH3NH3PbF3‏ ‎«CH3NH3SnBrl2 (CH3NH3PbI2Cl (CH3NH3PbCIBr2 (CH3NH3PbICI2‏ ‎«CH3NH3SnICI2 (CH3NH3SnIBr2 (CH3NH3SnF2Br (CH3NH3SnBrCI2 ٠٠‏ ‎.CH3NH3SnF2CIl CH3NH3SnI2Cl («CH3NH3SnCIBr2 «CH3NH3SnF2I‏ يباه
_— \ _ على سبيل المثال؛ في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ يمكن اختيار مواد البروفسكيت من 1130113058012 ‎«CH3NH3PbIBr2 (CH3NH3PbBrCl2‏ ‎«CH3NH3SnBrl2 011313051261 (CH3NH3PbCIBr2 (CH3NH3PbICI2‏ ‎«CH3NH3SnICI2 (CH3NH3SnIBr2 (CH3NH3SnF2Br (CH3NH3SnBrCI2‏ ‎CH3NH3SnI2Cl («CH3NH3SNnCIBr2 (CH3NH3SnF2l ©‏ و ‎.CH3NH3SnF2Cl‏ ‏نمطيّاء .يتم اختيار البروفسكيت من ‎«CH3NH3PbBrCI2 (CH3NH3PbBrl2‏ ‎0113011305126١ (CH3NH3PbCIBr2 113113001612 (CH3NH3PbIBr2‏ ‎CH3NH3SnI2Cl 13001390721 138013501612 (CH3NH3SnF2Br‏ و ‎.CH3NH3SnF2ClI‏ ‎٠‏ بصورة أكثر نمطية؛ يتم اختيار البروفسكيت من 011310113058112 ‎«CH3NH3PbBrCI2‏ ‎0113011305126١ (CH3NH3PbCIBr2 113113001612 (CH3NH3PbIBr2‏ ‎«CH3NH3SnF2Br‏ 1131011350172 و ‎.CH3NH3SnF2Cl‏ ‎dak‏ .يتم اختيار البروفسكيت من ‎«CH3NH3PbBrCI2 (CH3NH3PbBri2‏ ‎«CH3NH3PbICI2 (CH3NH3PbIBr2‏ +113101390728 و ‎.CH3NH3SnF2I‏ ‎Vo‏ غالبًاء يكون البروفسكيت المستخدم عبارة عن ‎.CH3NH3PbCI2I‏ ‏في بعض ‎Ela‏ يمكن ‏ أن يكون البروفسكيت ‎Phe‏ عن بروفسكيت بالصيغة ‎«(H2ZN=CH-NH2)Pbl3zBr3(1-z)‏ حيث 2 تكون أكبر من صفر أو أقل من ‎.١‏ 27 قد تكون كما هو مُعرّف بشكل إضافي فيما سبق في هذا الطلب. يمكن أن تشتمل المادة شبه الموصلة من البروفسكيت المستخدمة في الجهاز الإلكتروني البصري ‎٠‏ -_ الخاص بالاختراع على البروفسكيت من أنيون مختلط المذكور وبروفسكيت من أنيون فردي؛ على سبيل المثال في مزيج ¢ ‎Cua‏ يشتمل البروفسكيت من الأنيون الفردي المذكور على كاتيون أول كاتيون ثان وأنيون مختار من أنيونات هاليد وأنيونات كالكوجنيد؛ حيث تكون الكاتيونات الأول والثاني كما هو مُعرّف في هذا الطلب للبروفسكيت من الأنيون المختلط المذكور. على سبيل ‎ofa (JG‏ أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري على: 011301113051012 ‎CAAA‏
-." _ و ‎CH3NH3PbBrCl2 ¢«CH3NH3PbBr3, CH3NH3PbICI2 ¢«CH3NH3PbI3‏ و ‎<CH3NH3PbI3‏ أو ‎CH3NH3PbBrCI2‏ و ‎.CH3NH3PbBr3‏ ‎J Se‏ يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري على بروشضكيت بالصيغة ‎((H2N=CH-NH2)PbI3zBr3(1-z)‏ حيث 2 تكون كما هو ‎Gee‏ في هذا الطلب؛ © وبروفسكيت من أنيون فردي ‎(H2N=CH-NH2)PbI3 (ic‏ أو ‎.(H2N=CH-NH2)PbBr3‏ ‏على نحو بديل؛ يمكن أن تشتمل المادة شبه الموصلة من البروفسكيت المستخدمة في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع على أكثر من بروفسكيت واحد؛ حيث يكون كل بروفسكيت عبارة عن بروفسكيت من أنيون مختلط» وحيث يكون البروفسكيت من أنيون مختلط المذكور كما هو مُعرّف في هذا الطلب. على سبيل ‎(JB‏ يمكن أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري على ‎٠‏ اثنين أو ثلاثة مواد البروفسكيت المذكورة. يمكن أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ على سبيل المثال؛ على اثنين من مواد البروفسكيت حيث تكون كلا مواد البروفسكيت عبارة عن مواد بروفسكيت من أنيون مختلط. على سبيل المثال؛ يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري على: ‎«CH3NH3PbBrl2 ;, CH3NH3PbICI2 ¢«CH3NH3PbIBr2 ;, CH3NH3PbICI2‏ ‎«CH3NH3PbIBr2 CH3NH3PbBrCI2 ٠‏ أو ‎CH3NH3PbBrCI2‏ و ‎.CH3NH3PbIBr2‏ ‏يمكن أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري على اثنين من مواد البروفسكيت ‎Al)‏ حيث كل ‎sak‏ بروفسكيت تكون عبارة عن بروفسكيت بالصيغة ‎«(H2N=CH-NH2)PbI3zBr3(1-z)‏ ‏حيث 2 تكون كما هو معرّف في هذا الطلب. في بعض النماذج الخاصة بالجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ عندما [8] تكون ‎Sle‏ ‎٠‏ عن كاتيون فلز فردي يكون أيون البالديوم ‎(PAD)‏ يكون واحد من الاثنين أو أكثر من أنيونات الهاليد المختلفة المذكورة عبارة عن يوديد أو فلوريد؛ وعندما [8] تكون عبارة عن كاتيون فلز فردي يكون +502 يكون ‎aad‏ واحد من الاثنين أو ‎BST‏ من أنيونات الهاليد المختلفة المختلفة عبارة عن فلوريد . ‎Gale‏ في بعض النماذج الخاصة بالجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ يكون واحد من الاثنين أو أكثر من أنيونات الهاليد المختلفة المذكورة عبارة عن يوديد أو فلوريد. ‎(Gani‏ ‎CAAA‏
في بعض النماذج الخاصة بالجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ يكون واحد من الاثنين أو أكثر من أنيونات الهاليد المختلفة المذكورة ‎Ble‏ عن يوديد ويكون الآخر من الاثنين أو أكثر من أنيونات الهاليد المختلفة المذكورة عبارة عن فلوريد أو كلوريد. ‎We‏ في بعض النماذج الخاصة بالجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ يكون واحد من الاثنين أو أكثر من أنيونات الهاليد 0 المختلفة المذكورة عبارة عن فلوريد. ‎asi‏ في بعض النماذج الخاصة بالجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ إما: (أ) يكون واحد من الاثنين أو أكثر من الأنيونات المختلفة المذكورة عبارة عن فلوريد ويكون الآخر من الاثنين أو أكثر من الأنيونات المختلفة المذكورة عبارة عن كلوريد؛ بروميد أو يوديد؛ أو (ب) يكون واحد من الاثنين أو أكثر من الأنيونات المختلفة المذكورة عبارة عن يوديد ويكون الآخر من الاثنين أو أكثر من الأنيونات المختلفة المذكورة عبارة عن فلوريد أو ‎٠‏ كلوريد. نمطيّاء ‎[X]‏ تكون اثنين من أنيونات الهاليد المختلفة ‎XC X‏ غالبًا؛ في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ يكون كاتيون الفلز المذكور ثنائي التكافؤ عبارة عن أيون القصدير (502+). على نحو بديل؛ في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ يمكن أن يكون كاتيون الفلز المذكور ثنائي التكافؤ عبارة عن أيون البالديوم ‎(+Pd2)‏ ‏تشتمل المنطقة من النوع 7 في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع على واحدة أو أكثر ‎ge VO‏ طبقات من نوع ‎WE WN‏ تكون المنطقة من النوع 7 عبارة عن طبقة من نوع ©؛ أي؛ طبقة فردية من نوع 7. في نماذج أخرى؛ مع ‎cll‏ يمكن أن تشتمل المنطقة من النوع ‎١‏ على طبقة من نوع ‎١7‏ وطبقة معيقة للإكسيتون من نوع 7. في الحالات حيث يتم استخدام طبقة معيقة للإكسيتون من نوع ‎oN‏ عادةً ما يتم وضع الطبقة المعيقة للإكسيتون من النوع ‎Led Nis‏ بين الطبقة من النوع ‎n‏ والطبقة (الطبقات) المشتملة على المادة شبه الموصلة من البروفسكيت. ‎Ys‏ تكون طبقة معيقة للإكسيتون عبارة عن مادة ذات فجوة نطاق أوسع من البروفسكيت؛ ولكن يتطابق إما نطاق التوصيل أو نطاق التكافؤ الخاص بها على نحو وثيق مع تلك الخاصة بالبروفسكيت. إذا كان نطاق التوصيل (أو مستويات الطاقة النطاقية الجزيئية غير المشغولة ‎unoccupied‏ ‎molecular orbital energy levels‏ الدنيا) للطبقة المعيقة للكسيتون ‎exciton blocking‏ ‎layer‏ متحاذيًا على نحو وثيق مع نطاق التوصيل الخاص بالبروفسكيت؛ فإنه يمكن أن تمر ‎Yo‏ الإلكترونات من البروفسكيت إلى ومن خلال الطبقة المعيقة للإكسيتون؛ أو من خلال الطبقة ‎ovvy‏
اج ¢ —
المعيقة للإكسيتون وإلى البروفسكيت؛ ويُطلق على هذا طبقة معيقة للإكسيتون من نوع 7. يمكن
مثال عليها في باثوأوكيوبروين 0817000000106 كما هو موصف في :
{P.
Peumans, A.
Yakimov, and 5. R.
Forrest, “Small molecular weight organic thin—film photodetectors and solar cells” J.
Appl.
Phys. 93, 3693
(2001)} and {Masaya Hirade, and Chihaya Adachi, “Small molecular ٠ organic photovoltaic cells with exciton blocking layer at anode interface for improved device performance” Appl.
Phys.
Lett. 99, 153302 (2011)}}.
تكون طبقة من ‎Ng‏ عبارة عن طبقة من مادة ‎ABU‏ للإلكترون (أي؛ ‎(Nga‏ يمكن أن تكون
المادة من نوع © ‎Ble‏ عن مركب من نوع © فردي أو مادة أساسية؛ أو خليط من اثنين أو أكثر .من المركبات من نوع ‎JN‏ المواد الأساسية؛ يمكن أن تكون غير مشابة أو مشابة بواحد أو أكثر
من عناصر الإشابة.
يمكن أن تشتمل الطبقة من النوع © المستخدمة في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع
على مادة من نوع ‎n‏ غير ‎iy gua‏ أو عضوية.
يمكن اختيار ‎Af‏ مادة من نوع ‎١‏ غير عضوية من أكسيد فلز ‎cmetal oxide‏ سلفيد فلز ‎metal‏ ‎sulphide Yo‏ سيلينيد فلز ‎cmetal selenide‏ تيلوريد فلز ‎metal telluride‏ بروفسكيت
‎Si «perovskite‏ لابلوري ‎camorphous Si‏ شبه موصل من المجموعة ‎IV‏ من نوع ‎iN‏ شبه
‏موصل من المجموعة /١-ااا‏ من نوع ‎iN‏ شبه موصل من المجموعة ا/١-ا١‏ من نوع 9 ‎ad‏
‏موصل من المجموعة |//ا-ا من نوع ‎in‏ شبه موصل من المجموعة ‎VV‏ من نوع ‎ad iN‏
‏موصل من المجموعة |/١-/ا‏ من نوع ‎iN‏ وشبه موصل من المجموعة ‎-١/‏ اا من نوع ‎<n‏ يمكن أن ‎٠‏ تكون أية منها مشابة أو غير مشابة.
‏يمكن اختيار المادة من نوع © من أكسيد فلزء سلفيد فلزء سيلينيد فلزء تيلوريد فلزء 5 لابلوري؛
‏شبه موصل من المجموعة ‎IV‏ من نوع ‎iN‏ شبه موصل من المجموعة /١-ااا‏ من ‎ad Nes‏
‏موصل من المجموعة ‎[I-VI]‏ من نوع ‎iN‏ شبه موصل من المجموعة ‎VIE‏ من نوع ‎ad nN‏
‎ovvY gt موصل من المجموعة ‎IV-V‏ من نوع ‎iN‏ شبه موصل من المجموعة ‎VV‏ من نوع ‎in‏ وشبه موصل من المجموعة /١-اا‏ من نوع ©؛ يمكن أن تكون أية منها مشابة أو غير مشابة. بصورة أكثر نمطية؛ يتم اختيار المادة من نوع © من أكسيد ‎OB‏ سلفيد فلزء سيلينيد فلزء وتيلوريد © وبالتالي؛ يمكن أن يشتمل الطبقة من النوع ‎١‏ على مادة غير عضوية مختارة من أكسيد تيتانيوم؛ قصدير؛ زنك؛ نيوبيوم؛ ‎all‏ تنجستين؛ إنديوم؛ جاليوم؛ نيوداينيوم؛ بالاديوم؛ أو كادميوم؛ أو أكسيد خليط من اثنين أو أكثر من الفلزات المذكورة. على سبيل ‎(JB‏ يمكن أن يشتمل الطبقة من النوع © على ثاني أكسيد التيتانيوم 1102 ثاني أكسيد القصدير (5002) ‎«dioxide Tin‏ اكسيد الزنك ‎Zinc oxide (ZnO)‏ خامس أكسيد النيوبيوم ‎«Niobium pentoxide (Nb205)‏ (WO3 ‏ثالث أكسيد التنجستن‎ (Tantalum pentoxide (Ta205) ‏خامس أكسيد التنتالوم‎ ٠ ‏ثالث‎ dndium(ll) oxide (IN203) ‏ثالث أكسيد الانديوم‎ (W205 ‏خامس أكسيد التنجستن‎ !16007/0010100)11(( ‏(!1007)11ال68؛ ثالث أكسيد النيوديميوم‎ oxide (Ga203) ‏أكسيد الجاليوم‎
Cadmium ‏أو أكسيد الكادميوم‎ (Lead oxide (Pbo) ‏أكسيد الرصاص‎ coxide (Nd203) .oxide (CdO) ‎١‏ تتضمن المواد من ‎Nps‏ الملائمة الأخرى التي يمكن استخدامها مركبات سلفيد من كادميوم؛ القصدير؛ نحاس؛ أو زنك؛ بما في ذلك مركبات سلفيد من خليط من اثنين أو أكثر من الفلزات المذكورة. على سبيل المثال؛ يمكن أن يكون السلفيد عبارة عن ثاني كبريتيد الحديد ‎Cadmium‏ ‎coxide (FeS2)‏ كبريد الكادميوم ‎«Cadmium sulfide (CdS)‏ كبريت الزنك ‎Zinc sulfide‏ ‎.Cu2ZnSns4 4 (ZnS)‏ ‎Yo‏ يمكن على سبيل ‎JB‏ أن تشتمل الطبقة من النوع © على سيلينيد من كادميوم؛ زنك؛ إنديوم» أو جاليوم أو سيلينيد من خليط من اثنين أو أكثر من الفلزات المذكورة؛ أو تيلوريد من كادميوم؛ زنك؛ كادميوم أو قصدير؛ أو تيلوريد من خليط من اثنين أو أكثر من الفلزات المذكورة. على سبيل ‎(J‏ يمكن أن يكون السيلينيد عبارة عن 00)10,68(982. نمطيًا؛ يكون التيلوريد عبارة عن ‏بالا
— ¢ 7 —
تيلوريد من كادميوم؛ زنك؛ كادميوم أو قصدير. على سبيل المثال؛ يمكن أ؛ يكون التيلوريد عبارة
عن كادميوم تيلوريد ‎CdTe‏
يمكن على سبيل المثال أن تشتمل الطبقة من النوع © على مادة غير عضوية مختارة من أكسيد
تيتانيوم؛ قصديرء ‎RELY‏ نيوبيوم» تانتالوم؛ تنجستين ؛ إنديوم؛ جاليوم؛ نيود أينيوم؛ بالاديوم؛ كادميوم؛
أو أكسيد خليط من اثنين أو أكثر من الفلزات المذكورة؛ سلفيد من ‎(asad‏ قصدير»؛ ‎clad‏ زنك
أو سلفيد من خليط من اثنين أو أكثر من الفلزات المذكورة؛ سيلينيد من كادميوم؛ زنك؛ إنديوم؛
جاليوم أو سيلينيد من خليط من اثنين أو أكثر من الفلزات المذكورة؛ أو تيلوريد من كادميوم؛ زنك؛
كادميوم أو قصديرء أو تيلوريد من خليط من اثنين أو أكثر من الفلزات المذكورة.
تتضمن أمثلة على مواد شبه موصلة أخرى يمكن أن تكون عبارة عن مواد من نوع ‎AN‏ على ‎Vo‏ سبيل ‎JB‏ إذا كانت مشابة ب ‎nN‏ مواد شبه موصلة لمركب من المجموعة /ا؛ أ5 لابلوري؛ مواد
شبه موصلة من المجموعة /١-ااا‏ (على سبيل المثال؛ أرسنيد جاليوم ‎¢(gallium arsenide‏ مواد
شبه موصلة من المجموعة ا/١-اا‏ (على سبيل ‎(JB‏ سيلينيد كادميوم ‎¢(cadmium selenide‏
مواد شبه موصلة من المجموعة ‎Je) [VIE‏ سبيل ‎(JB‏ كلوريد كبروس ‎cuprous‏
6 مواد شبه موصلة من المجموعة ١/١-/ا‏ (على سبيل المثال؛ سيلينيد الرصاص ‎lead‏ ‎¢(selenide | ١‏ مواد شبه موصلة من المجموعة ‎Je) VV‏ سبيل المثال؛ تيلوريد البزموت
‎¢(bismuth telluride‏ ومواد شبه موصلة من المجموعة /١-اا‏ (على سبيل المثال؛ أرسنيد
‎.(cadmium arsenide ‏كادميوم‎
‎.1102 ‏على ثاني أكسيد التيتانيوم‎ Nn ‏تشتمل الطبقة من النوع‎ las
‎Lae‏ تكون الطبقة من النوع © ‎Sle‏ عن مادة غير عضوية؛ على سبيل المثال ثاني أكسيد ‎٠‏ التيتانيوم 1102 أو أي من المواد الأخرى المذكورة فيما سبق؛ فإنها قد تكون طبقة مضغوطة من
‏المادة غير العضوية المذكورة. يُفضل تكون الطبقة من النوع 7 عبارة عن طبقة مضغوطة من ‎Sb‏
‏أكسيد التيتانيوم 1102 .
‏يمكن أيضنًا استخدام المواد الأخرى من نوع 0 متضمنة المواد الناقلة للإلكترون العضوية
‏والبوليمرية؛ ومواد الإلكتروليت. تتضمن الأمثلة الملائمة؛ إلا أن الأمر ليس قاصرًا على فوليرين
‎ovvY
A organic electron transporting ‏أو مشتق فوليرين؛ مادة ناقلة للإلكترون عضوية‎ fullerene : ‏أو مشتق منه؛ أو‎ perylene ‏مشتملة على بيرلين‎ material poly{[N,NO-bis(2-octyldodecyl)-naphthalene-1,4,5,8-bis(dicarboximide)- 2,6—diyl]-alt-5,50-(2,20-bithiophene)} (P(NDI2OD-T2)). ‏تشتمل المنطقة من النوع م في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع على واحدة أو أكثر‎ © ‏عن طبقة من نوع 0؛ أي؛ طبقة‎ Sle ‏من الطبقات من نوع م. غالبًا؛ تكون المنطقة من النوع م‎ ‏فردية من نوع 0. في نماذج أخرى؛ مع ذلك؛ يمكن أن تشتمل المنطقة من النوع م على طبقة من‎ ‏الحالات حيث يتم استخدام طبقة معيقة للإكسيتون‎ BLP ‏نوع 0 وطبقة معيقة للإكسيتون من نوع‎ ‏يتم وضع الطبقة المعيقة للإكسيتون من النوع م فيما بين الطبقة من النوع م‎ Sale Pp ‏من نوع‎ ‏والطبقة (الطبقات) المشتملة على المادة شبه الموصلة من البروفسكيت. إذا كان نطاق التكافؤ (أو‎ ٠ ‏مستويات الطاقة النطاقية الجزيئية المشغولة الأعلى) للطبقة المعيقة للإكسيتون متحاذيًا على نحو‎ ‏وثيق مع نطاق التكافؤ الخاص بالبروفسكيت؛ فإنه يمكن أن تمر الثقوب من البروفسكيت إلى ومن‎
Gly ‏البروفسكيت؛‎ (My ‏خلال الطبقة المعيقة للإكسيتون؛ أو من خلال الطبقة المعيقة للإكسيتون‎ tris[4—(5- ‏معيقة للإكسيتون من نوع م يكمن مثال عليها في‎ db ‏على هذا‎ ‏كما هو موصف في:‎ phenylthiophen-2-yl)phenyllamine ٠ {Masaya Hirade, and Chihaya Adachi, “Small molecular organic photovoltaic cells with exciton blocking layer at anode interface for improved device performance” Appl. Phys. Lett. 99, 153302 (2011)}. ‏نوع 0). يمكن أن تكون‎ esl) ‏يمكن أن تكون طبقة من نوع م عبارة عن طبقة من مادة ناقلة للثقب‎ ‏مادة أساسية؛ أو خليط من اثنين أو أكثر‎ SP ‏المادة من نوع م عبارة عن مركب فردي من نوع‎ ٠ ‏من‎ AS ‏من المركبات من نوع | أو المواد الأساسية؛ التي قد تكون غير مشابة أو مشابة بواحد أو‎ ‏عناصر الإشابة.‎ ‏يمكن أن تشتمل الطبقة من النوع م المستخدمة في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع‎ ‏على مادة من نوع 0 غير عضوية أو عضوية.‎ ovvY
يمكن اختيار المواد من نوع م ‎ASL‏ من مواد ناقلة للققب بوليمرية أو جزيئية. يمكن على سبيل المثال أن تشتمل الطبقة من النوع م المستخدمة في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع على : ‎spiro-OMeTAD (2,2°,7,7’ —tetrakis—(N,N-di-p—methoxyphenylamine)9,9’ -‏ ‎spirobifluorene)), P3HT (poly(3—hexylthiophene)), PCPDTBT (Poly[2,1,3- ©‏
AZOle-4,7-diyl[4,4-bis(2-ethylhexyl)—a sie ily ‏0أكسيد قصدير مشاب‎ 60201180 ‏الفلطائية الضوئية‎ WIAN4H-cyclopenta[2,1-b:3,4-b’]dithiophene-2,6-diyl]]),
AZOle)), HTM-TFSI ‏قصدير مشاب بألومنيوم-1)‎ 2.SIPVK (poly(N-vinylcarb
AZOlium ‏مشاب | بألومنيوم‎ pad aSthexyl-3-methylimid bis (trifluoromethylsulfonyl)imide), Li-TFSI (lithium | ٠ bis (trifluoromethanesulfonyl)imide) or tBP (tert-butylpyridine). ‏والخلايا‎ PCPDTBT (P3HT (spiro-OMeTAD ‏يتم اختيار المادة من نوع م من‎ dale ‏يُفضل؛ تشتمل الطبقة من النوع م المستخدمة في الجهاز الإلكتروني‎ (PVK ‏الفلطائية الضوئية‎ .spiro-OMeTAD ‏البصري الخاص بالاختراع على‎ : ‏يمكن على سبيل المثال أن تشتمل الطبقة من النوع م على‎ VO spiro-OMeTAD (2,2°,7,7’ —tetrakis—(N,N-di-p—methoxyphenylamine)9,9’ - spirobifluorene)), P3HT (poly(3-hexylthiophene)), PCPDTBT (Poly[2,1,3-
AZOle-4,7-diyl[4,4-bis(2-ethylhexyl)—a sie ily ‏0أكسيد قصدير مشاب‎ 60201180 ‏الفلطائية الضوئية‎ IAN4H-cyclopenta[2,1-b:3,4-b'ldithiophene-2,6-diyl]]), or ‎١/16 (poly(N-vinylcarb ٠‏ اأكسيد قصدير مشاب بألومنيوم.((8ا20/ ‎ded Gens‏ من نوع م الملائمة ‎Way‏ مواد ناقلة للثقب جزيئية ‎molecular hole‏ ‎ctransporters‏ مواد ناقلة ‎ill‏ بوليمرية ‎polymeric hole transporters‏ ومواد ناقلة للتقب من بوليمر مشترك ‎.copolymer hole transporters‏ يمكن أن تكون المادة من نوع 0 على ‎oVVY
ير - سبيل ‎JE‏ عبارة عن مادة ناقلة للثقب جزيئية؛ بوليمر أو بوليمر مشترك مشتمل على واحد أو أكثر من الشقوق التالية: ‎ausithiophenyl, phenelenyl, dithi‏ قصدير مشاب بألومنيوم 5602011 ‎AZOlyl,‏ أكسيد ‎AZOlyl, diketopyrrolopyrrolyl, ethoxydithiophenyl, amino, ‏قصدير مشاب بألومنيوم‎ triphenyl amino, carbozolyl, ethylene dioxythiophenyl, dioxythiophenyl, or © ‎fluorenyl. ‏وبالتالي ‎٠»‏ يمكن على سبيل المثال أن تشتمل الطبقة من النوع م المستخدمة في الجهاز الإلكتروني ‏البصري الخاص بالاختراع على أي من المواد الناقلة للثقب الجزيئية المذكورة فيما سبق, البوليمرات ‏أو البوليمرات المشتركة. ‎: Leal ‏تتضمن المواد من نوع م الملائمة‎ ٠ m-MTDATA (4,4',4"—tris(methylphenylphenylamino)triphenylamine),
MeOTPD (N,N,N’,N'-tetrakis(4-methoxyphenyl)-benzidine), BP2T (5,5'- di(biphenyl-4-yl)-2,2'-bithiophene), Di-NPB (N,N'-Di-[(1-naphthyl)-
N,N'=diphenyl]-1,1'-biphenyl)-4,4'-diamine), o—NPB (N,N di(naphthalen—1-yl)-N,N’—diphenyl-benzidine), TNATA (4,4, 4'-tris—(N- ‘eo (naphthylen—2-yl)-N-phenylamine)triphenylamine), BPAPF (9,9-bis[4- (N,N-bis—biphenyl-4-yl-amino)phenyl]-9H-fluorene), spiro-NPB (N2,N7- ‎Di—1-naphthalenyl-N2 ,N7-diphenyl-9,9'-spirobi[9H—-fluorene]-2,7- ‎diamine), 4P-TPD (4,4'-bis—(N,N-diphenylamino)-tetraphenyl),
PEDOT:PSS and spiro-OMeTAD. ٠ ‏يمكن أن تكون الطبقة من النوع 0 مشابة بملح أيوني أو قاعدة. يمكن أن تكون الطبقة من النوع م ‏على سبيل المثال مشابة بملح أيوني مختار من : ‎AZOlium ‏1/01-1751لاأكسيد قصدير مشاب بألومنيوم‎ (1-hexyl-3-methylimid ‎bis(trifluoromethylsulfonyljimide)‏ و: ‎ovvY
-١ه-‏ ‎(Li-TFSI (lithium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide)‏ أو بقاعدة هي: ‎tBP (tert-butylpyridine)‏ بشكل إضافي أو على نحو بديل؛ يمكن أن تكون الطبقة من النوع م مشابة لزيادة كثافة الثقب. يمكن على سبيل المثال أن تكون الطبقة من النوع م مشابة ب نيتروسونيوم تترا فلورو بورات ‎«Nitrosonium tetrafluoroborate (NOBF4) ©‏ لزيادة كثافة الثقب. في نماذج أخرى؛ يمكن أن تشتمل الطبقة من النوع م على مادة ناقلة للتقب غير عضوية. على سبيل المثال؛ يمكن أن تشتمل الطبقة من النوع م على ‎sale‏ ناقلة ‎lll‏ غير عضوية مشتملة على أكسيد نيكل؛ فاناديوم» نحاس أو موليبدنيوم؛ أيدوديد النحاس ‎««Copper(l) iodide (Cul)‏ بروميد النحاس ‎«Copper(l) bromide (CuBr)‏ ثيوسينات النحاس ‎Copper(l) thiocyanate‏ ‎((CUSCN) ٠‏ أكسيد النحاس ‎cCopper(l) oxide (Cu20)‏ أكسيد النحاس ‎Copper(ll) oxide‏ ‎(CUO)‏ ¢ بروفسكيت؛ ‎Si‏ لابلوري؛ مادة شبه موصلة من المجموعة ‎IV‏ من النوع ‎Pp‏ مادة شبه موصلة من المجموعة /١-ااا‏ من النوع ‎Pp‏ مادة شبه موصلة من المجموعة |/١-ا١‏ من النوع م؛ مادة شبه موصلة من المجموعة |//ا-ا من النوع ‎Pp‏ مادة شبه موصلة من المجموعة |/1-/اا من النوع 0؛ مادة شبه موصلة من المجموعة ‎VV‏ من النوع ‎Pp‏ ومادة شبه موصلة من المجموعة ‎١‏ /-اا من النوع 0؛ يمكن أن تكون هذه المادة غير العضوية مشابة أو غير مشابة. يمكن أن تكون الطبقة من النوع م عبارة عن طبقة مضغوطة من المادة الناقلة ‎ill‏ غير العضوية المذكورة. يمكن على سبيل المثال أن تشتمل الطبقة من النوع 0 على ‎Sale‏ ناقلة ‎alll‏ غير عضوية مشتملة على أكسيد نيكل؛ فاناديوم؛ نحاس أو موليبدنيوم؟ أيدوديد النحاس ‎(Cul)‏ بروميد النحاس ‎«CuBr‏ ‏تيوسينات النحاس 005611؛ أكسيد النحاس 0020؛ ‎asl‏ النحاس ‎CuO‏ أو ‎Si «CIS‏ ‎٠‏ الابلوري؛ مادة شبه موصلة من المجموعة ا من ‎(Pg ill‏ مادة شبه موصلة من المجموعة ‎١١! -١/‏ من النوع ‎op‏ مادة شبه موصلة من المجموعة ‎II-VI‏ من النوع 0؛ مادة شبه موصلة من المجموعة ‎[VI‏ من النوع ‎op‏ مادة شبه موصلة من المجموعة |/١-/ا‏ من النوع م؛ مادة شبه موصلة من المجموعة ‎VV‏ من النوع 0؛ ومادة شبه موصلة من المجموعة /١-اا‏ من النوع ‎p‏ يمكن أن تكون هذه المادة غير العضوية مشابة أو غير مشابة. يمكن على سبيل المثال أن تشتمل الطبقة ‎ovvY‏
وه
من النوع م على مادة ناقلة ‎GEL‏ غير عضوية مختارة من أيدوديد النحاس ‎((CUl)‏ بروميد النحاس +008؛ ثيوسينات النحاس ‎(CUSCN‏ أكسيد النحاس 0020؛ أكسيد ‎CuO ual)‏ يمكن أن تكون الطبقة من النوع م عبارة عن طبقة مضغوطة من المادة الناقلة ‎El‏ غير العضوية المذكورة.
© تمطيًاء تشتمل الطبقة من النوع م على مادة ناقلة للثتقب بوليمرية أو جزيئية؛ وتشتمل الطبقة من النوع ‎١‏ على مادة من نوع © غير عضوية. يمكن أن تكون المادة الناقلة للتقب البوليمرية أو الجزيئية من النوع ‎P‏ عبارة عن أية مادة ناقلة ‎BU‏ بوليمرية أو جزيئية ملائمة؛ على سبيل المثال أي من تلك المذكورة ‎Lad‏ سبق. ‎cally‏ يمكن أن تكون المادة من نوع ‎N‏ غير العضوية عبارة عن أية مادة من نوع ‎١‏ غير عضوية ملائمة؛ على سبيل المثال أي من تلك المذكورة فيما سبق. في
‎٠‏ أحد النماذج؛ على سبيل المثال؛ تشتمل الطبقة من النوع م على ‎spiro-OMeTAD‏ وتشتمل الطبقة من النوع © على ثاني أكسيد التيتانيوم 1102. نمطيًّاء في ذلك النموذج؛ تكون الطبقة من النوع © التي تشتمل على ‎SB‏ أكسيد التيتانيوم 1102 عبارة عن طبقة مضغوطة من ثاني أكسيد التيتانيوم 1102. في نماذج أخرى؛ تشتمل كل من الطبقة من النوع ‎٠“‏ والطبقة من النوع م على مواد غير عضوية.
‎١‏ وبالتالي؛ يمكن أن تشتمل الطبقة من النوع 9 على مادة من نوع ‎١‏ غير عضوية ويمكن أن تشتمل الطبقة من النوع م على مادة من نوع 0 غير عضوية. يمكن أن تكون المادة من النوع م غير العضوية عبارة عن ‎A)‏ مادة من نوع م غير عضوية ملائمة؛ على سبيل ‎JB‏ أي من تلك المذكورة ‎Lad‏ سبق. بالمثل؛ يمكن أن تكون المادة من نوع © غير العضوية عبارة عن أية مادة من نوع ‎١‏ غير عضوية ملائمة؛ على سبيل المثال أي من تلك المذكورة ‎Lad‏ سبق.
‎sale ‏تشتمل الطبقة من النوع م على مادة من نوع م غير عضوية (أي؛‎ (lay gal ‏في نماذج‎ ٠ ‏ناقلة للتقب غير عضوية) وتشتمل الطبقة من النوع © على مادة ناقلة للتقب بوليمرية أو جزيئية.‎ ‏يمكن أن تكون المادة من النوع م غير العضوية عبارة عن أية مادة من نوع م غير عضوية‎ ‏يمكن أن تكون المادة الناقلة‎ (Jilly ‏ملائمة؛ على سبيل المثال أي من تلك المذكورة فيما سبق.‎ ‏للثقب البوليمرية أو الجزيئية من النوع عبارة عن أية مادة ناقلة للتقب بوليمرية أو جزيئية من النوع‎
‎Yo‏ ©« ملائمة؛ على سبيل المثال أي من تلك المذكورة فيما سبق.
‎ovvYyY
ارج على سبيل ‎(JE‏ يمكن أن تشتمل الطبقة من النوع م على مادة ناقلة للتقب غير عضوية ويمكن أن تشتمل الطبقة من النوع © على مادة ناقلة للإلكترون» حيث تشتمل المادة الناقلة للإلكترون على فوليرين أو مشتق فوليرين؛ إلكتروليت؛ أو مادة ناقلة للإلكترون عضوية؛ يُفضل حيث تشتمل المادة الناقلة للإلكترون العضوية على بيرلين أو مشتق منه؛ أو : ‎poly{[N,NO-bis(2-octyldodecyl)-naphthalene-1,4,5,8-bis(dicarboximide)- ©‏ ‎2,6—diyl]-alt-5,50-(2,20-bithiophene)} (P(NDI2OD-T2)).‏ يمكن على سبيل المثال أن تشتمل المادة الناقلة للتقب غير العضوية على أكسيد نيكل؛ فاناديوم؛ نحاس أو موليبدنيوم؛ أيدوديد النحاس ‎(Cul)‏ بروميد النحاس ‎CUBr‏ ثيوسينات النحاس ‎(CUSCN‏ أكسيد النحاس 0020؛ أكسيد النحاس ‎CUO‏ أو ‎CIS‏ بروفسكيت؛ ‎Si‏ لابلوري؛ مادة ‎٠‏ شبه موصلة من المجموعة ‎IV‏ من النوع 0 مادة شبه موصلة من المجموعة /١-ا!!‏ من النوع ‎P‏ ‏مادة شبه موصلة من المجموعة ا/ا-اا من النوع ‎op‏ مادة شبه موصلة من المجموعة ‎IVI‏ من النوع 0؛ مادة شبه موصلة من المجموعة ‎IVI‏ من النوع 0؛ مادة شبه موصلة من المجموعة ‎VV‏ من النوع 0؛ ومادة شبه موصلة من المجموعة /١-اا‏ من النوع ‎op‏ يمكن أن تكون هذه المادة غير العضوية مشابة أو غير مشابة. بصورة أكثر نمطية؛ تشتمل المادة الناقلة للثقب غير ‎Vo‏ العضوية على أكسيد نيكل؛ فاناديوم؛ نحاس أو موليبدنيوم؛ أيدوديد النحاس ‎(Cul)‏ بروميد النحاس ‎«CuBr‏ ثيوسينات النحاس ‎(CUSCN‏ أكسيد النحاس ‎(CU20‏ أكسيد النحاس ‎CuO‏ أو ‎(CIS‏ ‏مادة شبه موصلة من المجموعة ‎IV‏ من النوع ‎op‏ مادة شبه موصلة من المجموعة ‎-١/‏ ااا من النوع م مادة شبه موصلة من المجموعة ا/١-ا!‏ من النوع ‎op‏ مادة شبه موصلة من المجموعة ‎I-VI‏ ‏من النوع ‎op‏ مادة شبه موصلة من المجموعة |/١-/ا‏ من النوع ‎Pp‏ مادة شبه موصلة من ‎٠‏ المجموعة ا/١-/ا‏ من النوع 0؛ ومادة شبه موصلة من المجموعة /١-اا‏ من النوع ‎p‏ يمكن أن تكون هذه المادة غير العضوية مشابة أو غير مشابة. وبالتالي, المادة الناقلة للثقب غير العضوية يمكن أن يشتمل على أكسيد نيكل؛ فاناديوم» نحاس أو موليبدنيوم؛ أيدوديد النحاس ‎(Cul)‏ بروميد النحاس +008؛ ثيوسينات النحاس 005611؛ أكسيد النحاس 002©0؛ أكسيد النحاس ‎CuO‏ ‏تتعلق الفقرات التالية باستخدام بروفسكيت ثان من نوع © في الطبقة من النوع © أو بروفسكيت ‎YO‏ ثان من نوع ©؛ في الطبقة من النوع ‎on‏ (في نماذج مفضلة؛ بالرغم من أن؛ لا تشتمل الطبقة من بابلا
يوه النوع م أو الطبقة من النوع ‎١‏ على بروفسكيت. وبالتالي؛ يُفضل؛ ألا تشتمل المنطقة من النوع م أو المنطقة من النوع 7 على بروفسكيت.) عندما تشتمل الطبقة من النوع م على مادة ناقلة للتقب غير عضوية تكون بروفسكيت؛ يكون البروفسكيت ‎hae‏ عن البروفسكيت المستخدم في الطبقة المذكورة من مادة شبه موصلة من © بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ و؛ عند وجوده؛ في "الطبقة الأولى" المذكورة التي تشتمل أيضًا على مادة الدعم المؤقتة. وبالتالي؛ عندما تشتمل الطبقة من النوع م على مادة ناقلة للثقب غير عضوية تكون بروفسكيت؛ يُطلق على البروفسكيت الخاص بالطبقة من النوع م في هذا الطلب مسمى "بروفسكيت ثان" (والبروفسكيت في الطبقة المذكورة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ و؛ عند وجوده؛ في الطبقة الأولى المذكورة؛ تتم الإشارة إلأيه في هذا الطلب ‎Vs‏ باعتباره "البروفسكيت الأول"). بالمثل؛ عندما تشتمل الطبقة من النوع 7" على مادة ناقلة للإلكترون غير عضوية تكون بروفسكيت؛ سيكون البروفسكيت مختلقًا عن البروفسكيت المستخدم في الطبقة المذكورة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ و؛ عند وجوده؛ في "الطبقة الأولى” المذكورة التي تشتمل أيضنًا على مادة الدعم المؤقتة. ‎Jilly‏ عندما تشتمل الطبقة من النوع © على مادة ناقلة للإلكترون 0 غير عضوية تكون بروفسكيت؛ يُطلق على البروفسكيت في هذا الطلب مسمى "بروفسكيت ثان" (والبروفسكيت في الطبقة المذكورة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ 5( عند وجوده؛ في "الطبقة الأولى" المذكورة؛ تتم الإشارة إليه في هذا الطلب باعتباره "البروفسكيت الأول"). سيدرك أحد ذوي المهارة أنه يمكن استخدام إضافة عامل إشابة إلى البروفسكيت للتحكم في ‎Yo‏ خصائص تقل الشحنة الخاصة بذلك البروفسكيت. وبالتالي؛ على سبيل المثال؛ يمكن أن يكون بروفسكيت يعتبر مادة متأصلة مشابًا لتكوين ‎Bale‏ من نوع أو من نوع 0. بناءً على ذلك؛ يمكن أن يشتمل البروفسكيت الأول و / أو البروفسكيت الثاني على واحد أو أكثر من عوامل الإشابة. نمطيًا يكون عامل الإشابة عبارة عن عنصر إشابة.
CAAA
يمكن أن تؤدي إضافة عوامل الإشابة المختلفة إلى عينات مختلفة من نفس المادة إلى العينات المختلفة التي لها خصائص نقل شحنة مختلفة. على سبيل ‎(JB‏ يمكن أن تؤدي إضافة عامل إشابة واحد إلى عينة أولى من مادة البروفسكيت إلى أن تصبح العينة الأولى ‎Bale‏ من نوع ‎en‏ بينما يمكن أن تؤدي إضافة عامل إشابة مختلف إلى عينة ثانية من نفس المادة البروفسكيت إلى أن © تصبح العينة الثانية مادة من نوع م. وبالتالي» يمكن أن تشتمل واحدة على الأقل من مواد البروفسكيت الأولى والثانية على عامل إشابة. يمكن على سبيل المثال أن يشتمل البروفسكيت الأول على عامل إشابة غير موجود في البروفسكيت الثاني أو كل بروفسكيت ثان. بشكل إضافي أو على نحو بديل؛ يمكن أن تشتمل مواد البروفسكيت الثانية أو واحدة منهاء على عامل إشابة غير موجود في البروفسكيت الأول. ومن ثم ‎٠‏ قد يكون الفارق ‎lad‏ بين مواد البروفسكيت الأولى والثانية هو وجود أو عدم وجود عامل إشابة؛ أو قد يكون استخدام عامل إشابة مختلف في كل بروفسكيت. على نحو بديل؛ قد لا يكمن الفارق فيما بين مواد البروفسكيت الأولى والثانية في عامل الإشابة ولكن بدلاً من ذلك قد يكمن الفارق في إجمالي بنية مواد البروفسكيت الأولى والثانية. قد يكون البروفسكيت الثاني » عند وجوده؛ عبارة عن بروفسكيت مشتمل على كاتيون أول كاتيون ‎Yo‏ ثانء وأنيون واحد على الأقل. في بعض النماذج؛ يكون البروفسكيت الثاني الذي يتم استخدامه في الطبقة من نوع م أو الطبقة من النوع ‎in‏ الذي يكون مختلقًا عن البروفسكيت الأول؛ عبارة عن مركب بروفسكيت بالصيغة ‎:(IB)‏ ‎[AIIBIIX]3 (IB)‏ ‎Yo‏ حيث: ‎[A]‏ تكون كاتيون عضوي واحد على الأقل أو كاتيون فلز من المجموعة | واحد على الأقل؛
[8] تكون كاتيون فلزي واحد على الأقل؛ و ‎IX]‏ تكون أنيون واحد على الأقل. ‎CAAA‏
‎h —_‏ جم
‏كما سيدرك أحد ذوي المهارة؛ ‎[A]‏ يمكن أن تشتمل على +05.
‎[Bl Aas JS ‏على +062 أو أيون القصدير (502+). بصورة‎ Jam [B] dae
‏000055 أيون البالديوم ‎(+Pd2)‏
‎[X] (Was‏ تشتمل على أنيون هاليد أو العديد من أنيونات هاليد مختلفة.
‎d= ‏على‎ Jam [X] dale ©
‏في بعض النماذج؛ ‎[X]‏ تكون اثنين أو أكثر أنيونات مختلفة؛ على سبيل المثال؛ اثنين أو أكثر من
‏أنيونات ‎alla‏ مختلفة. على سبيل ‎[X] Ji‏ يمكن أن تشتمل على -ا و-ح» -ا و-82 أو -ا
‎. Cl ‏لس‎
‎dale‏ يكون مركب البروفسكيت بالصيغة ‎IB‏ عبارة عن ‎CsPbI3‏ أو 085013. على سبيل ‎٠‏ المثال؛ يمكن أن يكون مركب البروفسكيت بالصيغة ‎(IB)‏ عبارة عن ‎.CsPbI3‏
‏على نحو بديل؛ يمكن أن يكون مركب البروفسكيت بالصيغة ‎(IB)‏ عبارة عن:
‎«CsPbIBr2 (CsPbl2Br 6001-2 6805127 (CsPbICI2 (CsPbl2Cl
‎CsSnl2Br (CsSnIF2 (CsSnlI2F (CsSnICI2 (CsSnl2Cl‏ أو ‎.CsSnIBr2‏ على سبيل
‏المثال» يمكن أن يكون مركب البروفسكيت بالصيغة ‎(IB)‏ عبارة عن ‎CsPbI2CI‏ أو ‎.CsPbICI2‏ ‎١‏ نمطيّاء يكون مركب البروفسكيت بالصيغة ‎(IB)‏ هو ‎.CsPbICI2‏
‏في مركب البروفسكيت بالصيغة (18): ‎[X]‏ يمكن أن تكون عبارة عن واحد؛ اثنين أو أكثر أنيونات
‏مختلفة كما هو معرّف في هذا الطلب؛ على سبيل المثال؛ اثنين أو أكثر أنيونات مختلفة كما هو
‏معزف في هذا الطلب للبروفسكيت الأول؛ ‎Sale [A]‏ تشتمل على كاتيون عضوي كما هو ‎Cire‏
‏في هذا الطلب؛ للبروفسكيت الأول؛ و[8] نمطيًا تشتمل على كاتيون فلز كما هو معرّف في هذا ‎٠‏ _ الطلب. يمكن تعريف كاتيون الفلز كما هو موضح فيما سبق في هذا الطلب للبروفسكيت الأول.
‎ovvy
—ov-— ‏في بعض النماذج؛ يكون البروفسكيت الثاني عبارة عن بروفسكيت كما هو معرّف للبروفسكيت‎ ‏عن البروفسكيت‎ lide ‏سبق في هذا الطلب؛ شريطة أن يكون البروفسكيت الثاني‎ Led ‏الأول‎ ‏الأول.‎ ‏يمكن أن تكون مادة الدعم المؤقتة التي يتم استخدامها في النماذج الخاصة بالجهاز الإلكتروني‎ ‏البصري الخاص بالاختراع الذي يشتمل على الطبقة الأولى المذكورة؛ عبارة عن مادة دعم مؤقتة‎ ‏الدعم المؤقتة العازلة فجوة نطاق تساوي أو أكبر من £0 إلكترون فولط.‎ sald ‏يكون‎ Bale ‏عازلة.‎ ‏في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع» تشتمل مادة الدعم المؤقتة العازلة على‎ dale ‏إيتربيوم‎ YHrium ‏000101000ا8؛_زركونيوم»؛ سيليكون» إتريوم‎ oxide ‏أكسيد ألومنيوم‎ ‏الدعم المؤقتة العازلة على أكسيد زركونيوم؛‎ sale ‏يمكن أن تشتمل‎ JB ‏00©])ل2. على سبيل‎ ‏؛ أو‎ yttrium oxide ‏أو أكسيد إتريوم‎ ytterbium oxide ‏ميليكاء ألوميناء أكسيد إيتربيوم‎ ٠ ‏تشتمل المادة العازلة دعم مؤقتة على سيليكاء أو‎ (We alumina silicate ‏سيليكات ألومينا‎ porous ‏الدعم المؤقتة العازلة على ألومينا مسامية‎ sale ‏ألومينا. بصورة أكثر نمطية؛ تشتمل‎ .alumina ‏الدعم المؤقتة العازلة‎ sale ‏نمطيّاء في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع» تكون‎ sale ‏متوسطة المسام. وبالتالي؛ نمطيًا؛ في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ تشتمل‎ Vo ‏الدعم المؤقتة العازلة على ألومينا متوسطة المسام.‎ ‏لإلكترون غير عضوية؛‎ AL ‏يمكن أن تكون مادة الدعم المؤقتة عبارة عن مادة‎ diy ‏على نحو‎ ‏الدعم المؤقتة‎ ale ‏يمكن أن تشتمل‎ (Jal ‏التيتانيا. وبالتالي؛ على سبيل‎ (JB ‏مثل؛ على سبيل‎ ‏على أكسيد تيتانيوم» قصدير؛ زنك؛ نيوبيوم؛ تانتالوم؛ تنجستين؛ إنديوم؛ جاليوم؛ نيوداينيوم؛ بالاديوم‎ ‏الدعم المؤقتة على ثاني أكسيد التيتانيوم‎ sale ‏يمكن أن تشتمل‎ (JB ‏أو كادميوم. على سبيل‎ ٠ ((ND205) ‏خامس أكسيد النيوبيوم‎ ZNO ‏ثاني أكسيد القصدير 5002؛ اكسيد الزنك‎ 2 (W205 ‏خامس أكسيد التنجستن‎ (WO3 ‏ثالث أكسيد التنجستن‎ (Ta205 ‏خامس أكسيد التنتالوم‎ (Nd203 ‏ثالث أكسيد الجاليوم 68203؛ ثالث أكسيد النيوديميوم‎ (IN203 ‏ثالث أكسيد الانديوم‎ ‏الدعم المؤقتة على‎ sale ‏تشتمل‎ (We .)600( ‏أو أكسيد الكادميوم‎ (PbO) ‏الرصاص‎ aus ovvy
‎A —_‏ جم أكسيد تيتانيوم ‎+٠‏ قصديرء زنك ؛ نيوبيوم» تانتالوم؛ تنجستين ؛ ‎PEIN‏ جاليوم نيوداينيوم بالاديوم أو كادميوم متوسط المسام أو خليط منها. يتم تفضيل التيتانيا؛ التيتانيا المسامية؛ وتيتانيا متوسطة المسامية. نمطيًا في هذه النماذج؛ تشتمل مادة الدعم المؤقتة على التيتانيا المسامية؛ يُفضل تيتانيا متوسطة المسامية. © يمكن على سبيل المثال أن تشتمل ‎sale‏ الدعم المؤقتة على مادة ناقلة ‎Cll‏ غير عضوية.
‏يمكن أن تكون ‎sale‏ الدعم المؤقتة على الجانب ‎AY)‏ عبارة عن مادة ناقلة ‎Cll‏ غير عضوية. وبالتالي؛ يمكن على سبيل المثال أن تشتمل مادة الدعم المؤقتة على أكسيد نيكل؛ فاناديوم» نحاس أو موليبدنيوم؛ أيدوديد النحاس ‎(Cul)‏ بروميد النحاس +008؛ ثيوسينات النحاس ‎«CUSCN‏ ‏أكسيد النحاس 002©0؛ أكسيد النحاس ‎CuO‏
‎Ve‏ تكون المسامية الخاصة بمادة الدعم المؤقتة المستخدمة في النماذج الخاصة بالجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع الذي يشتمل على الطبقة الأولى المذكورة؛ ‎fale‏ مساوية ل أو أكبر من . على سبيل ‎(JE‏ قد تبلغ المسامية حوالي 7976. في أحد النماذج؛ تكون المسامية مساوية ‎J‏ أو أكبر من ‎A Te‏ ¢ على سبيل المثال تساوي أو أكبر من ‎A Ye‏ . نمطيّاء في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع» يكون ‎elas‏ المنطقة ‎dle lid)‏ ضوئيً
‎Yo‏ من ‎٠٠١‏ نانو متر إلى ‎Yeon‏ نانو مثرء؛ على سبيل المثال من ‎٠٠١‏ نانو متر إلى ‎Yoon‏ نانو مثرء؛ أو على سبيل المثال قد يبلغ الملمك من ‎Vee‏ نانو متر إلى 5 ‎i‏ متر. ‎Qe‏ يكون ْمك الطبقة المتفاعلة ضوئيًا من 5060 نانو متر إلى 600 نانو متر. ‎Sale‏ السمك تبلغ حوالي ‎Ou‏ نانو متر. عادةً ما يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع على إلكترود أول والكترود ثان.
‎Yo‏ وبالتالي؛ نمطيًا يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع على إلكترود ‎Jf‏ إلكترود ثان؛ و» يتم ‎Led‏ بين الإلكترودات الأول والثاني وضع؛ المنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة. تكون الإلكترودات الأول والثاني عبارة عن آنود وكاثود؛ ‎Bales‏ يكون واحد من أو كلا الآنود والكاثود شفاقًا للسماح بدخول الضوء. ‎fale‏ يكون واحد على الأقل من الإلكترودات شبه شفاف عبر المنطقة المرئية حتى القريبة من الأشعة تحت الحمراء من الطيف الشمسي. يكون شبه
‎ovvy oh الشفاف بشفافية نمطيًا ‎dA‏ وتتراوح من 50 إلى ‎L790‏ قد يعتمد اختيار الإلكترودات الأول والثاني للأجهزة الإلكترونية البصرية الخاصة بالاختراع الحالي على نوع البنية. ‎ha‏ يتم ترسيب الطبقة الأولى الخاصة بالجهاز على الإلكترود الأول الذي يشتمل على أكسيد قصدير؛ بصورة أكثر نمطية على آنود من أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎Sale (FTO)‏ ما يكون مادة شفافة أو © شبه شفافة. وبالتالي؛ ‎Bale‏ يكون الإلكترود الأول شفاقًا ‎Gas‏ يشتمل على أكسيد قصدير» بصورة أكثر نمطية أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎dale (FTO)‏ يكون مثمك الإلكترود الأول من ‎٠٠١‏ ‏نانو متر إلى ‎0٠0‏ نانو ‎le‏ بصورة أكثر نمطية من 00 إلى ‎0٠0‏ نانو متر. على سبيل المثال قد يبلغ ‎cll)‏ 5080 نانو متر. نمطيًّاء يتم طلاء أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎FTO‏ على لوح من الزجاج. ‎dale‏ يشتمل الإلكترود الثاني على فلز وظيفي عالي التشغيل؛ على سبيل المثال ‎٠‏ ذهبء فضة؛ نيكل؛ بالاديوم أو بلاتين؛ ونمطيًا فضة. ‎Bale‏ يكون ‎Ell‏ الإلكترود الثاني من ‎ov‏ ‏نانو متر إلى ‎YOu‏ نانو مترء بصورة أكثر اعتيادية من ‎٠٠١‏ نانو متر إلى ‎7٠00‏ نانو متر. على سبيل المثال؛ قد يبلغ سْمك الإلكترود الثاني ‎Yoo‏ نانو متر. ‎(Ble‏ سوف يشتمل الإلكترود الأول على ‎sale‏ موصلة كهربائيًا شفافة أو شبه شفافة. على سبيل ‎(Ja‏ يمكن أن يشتمل الإلكترود الأول على أكسيد موصل شفاف. تتضمن الأكاسيد الموصلة ‎١‏ الشفافة أكسيد قصدير؛ أكسيد زنك؛ أكسيد قصدير مشاب وأكسيد زنك مشاب. على سبيل ‎(JED‏ ‏يمكن أن يشتمل الإلكترود الأول على الإنديوم أكسيد قصدير ‎To‏ (الإنديوم أكسيد قصدير ‎FTO )100000 tin oxide‏ (أكسيد قصدير مشاب بالفلورين) أو أكسيد قصدير مشاب بألومنيوم ‎AZO‏ (أكسيد قصدير مشاب بألومنيوم ‎tin oxide‏ 81110110107-2400©0)؛ يفضل أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎(FTO‏ يمكن أن يشمل الإلكترود الأول من 90 إلى ‎77٠٠0‏ بالوزن من الإنديوم ‎٠‏ أكسيد قصدير ‎(TO‏ أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎FTO‏ أو أكسيد قصدير مشاب بألومنيوم ‎dy (AZO‏ بعض الحالات يمكن أن يتكون الإلكترود الأول بشكل أساسي من الإنديوم أكسيد قصدير ‎(ATO‏ أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎FTO‏ أو أكسيد قصدير مشاب بألومنيوم ‎AZO‏ ‏عادةً؛ يكون مك الإلكترود الأول من ‎٠٠١‏ نانو متر إلى ‎٠0١0‏ نانو ‎Jie‏ بصورة أكثر نمطية من إلى ‎gio‏ متر. على سبيل المثال؛ قد يبلغ ‎cll)‏ 50860 نانو متر. سيتم ‎We‏ ترسيب ‎Yo‏ الإلكترود الأول على طبقة تحتية من الزجاج. على سبيل المثال؛ يمكن أن يشتمل الإلكترود الأول
CAAA
‎h «=‏ _ على أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎FTO‏ ويمكن ترسيبه على طبقة تحتية من الزجاج. في الأجهزة الإلكترونية البصرية الخاصة بالاختراع» يحدث دخول و / أو خروج الضوء ‎Ghat‏ من خلال الإلكترود الأول إذا أنه غالبًا ما يكون شفاقًا أو شبه شفاف. قد يكون من الممكن للضوء الدخول إلى جهاز من خلال إلكترود من فلز (مثل الإلكترود الثاني غالبًا ما يكون كذلك)؛ تحديدًا 0 إذا كو الإلكترود من فلز طبقة رفيعة ‎CLL‏ ‎(We‏ يشتمل الإلكترود الثاني على فلز. عادةً؛ ‎Jas‏ الإلكترود الثاني على فلز وظيفي عالي التشغيل على سبيل المثال ألومنيوم ‎J‏ هب ¢ فضة نيكل بالاديوم أو بلاتين؛ ونمطيًا ‎Aad‏ أو ذهب. عادةً؛ يكون ‎eld‏ الإلكترود الثاني من ‎5٠‏ نانو متر إلى ‎You‏ نانو مترء بصورة أكثر اعتيادية من ‎٠٠١‏ نانو ‎fe‏ إلى ‎٠00‏ نانو متر. على سبيل المثال؛ قد يبلغ ‎ll‏ الإلكترود الثاني ‎You Yo‏ نانو متر. في أحد النماذج الخاصة بالاختراع» يمكن أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع على إلكترود ‎JS‏ إلكترود ثان؛ ‎op‏ يتم فيما بين الإلكترودات الأول والثاني وضع المنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة؛ حيث يكون الإلكترود الأول في ‎Alla‏ تلامس مع المنطقة من النوع © الخاصة بالمنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة ويكون الإلكترود الثاني في حالة تلامس مع المنطقة ‎VO‏ من النوع م الخاصة بالمنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة. بناءً على ذلك؛ يمكن أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري ‎Gy‏ للاختراع على المناطق التالية بالترتيب التالي: ‎.١‏ إلكترود أول؛ ". منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛ ‎Ye‏ ؟. طبقة من ‎Bale‏ شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ ؛. منطقة من نوع ‎P‏ تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛ و ‎Le‏ إلكترود ثان. ‎CAAA‏
‎h \ —_‏ _ يعني المصطلح "لمناطق التالية بالترتيب التالي؛ كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ أن كل من المناطق المدرجة ستوجد؛ وأن ترتيب كل من الطبقات الموجودة سيكون بالترتيب المحدد. على سبيل ‎JB‏ في الحالة السابقة ‎ell ell ol)‏ /ااء فاناديوم /١)؛‏ اا يخلف اء ويسبق !اا وا بمفرده يكون فيما بين ‎١‏ وااا (أي؛ لا يكون أي من ا أو ‎Wd ١/‏ بين ‎١‏ واااء ولكن ‎١!‏ تكون كذلك). 0 يعتبر هذا هو الإدراك الطبيغي ‎J‏ "بالترتيب ‎J Sal‏ لا يحدد الترتيب ؛ مع ‎«lla‏ الاتجاه في حيز من مجموعة من المناطق: اء !ا ‎NE‏ تكون مكافئة ل ‎ell‏ ااء ‎١‏ (أي؛ يتم تعريف ‎el‏ و"أسفل” أو "على اليسار” و"على اليمين"). قد توجد طبقات أو مناطق إضافية ‎Lad‏ بين كل من هذه المناطق. على سبيل ‎"cll «<l JE‏ تتضمن لقا ‎os ١١١ <a «dl‏ قا طال لل ‎JM‏ نمطبًاء مع ذلك تكون كل منطقة ‎Jo)‏ سبيل المثال؛ من ‎١‏ إلى فاناديوم /ا) في حالة تلامس مع كل من المنطقة ‎٠‏ السابقة والمنطقة التالية. قد توجد طبقات أو مناطق إضافية الطبقات ‎Led‏ بين كل من هذه المناطق. ‎Ghai‏ مع ذلك؛ تكون كل منطقة من | إلى ‎١/‏ في ‎Alla‏ تلامس مع كل من المنطقة السابقة والمنطقة التالية. قد تكون كل من المناطق (إلكترود أول منطقة من نوع 9؛ طبقة من مادة شبه ‎Alia ge‏ من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ منطقة من نوع 8 والكترود ثان) كما هو ‎Care‏ في أي مكان في هذا الطلب. على ‎Vo‏ سبيل المثال؛ ‎ofa‏ أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري ‎Gy‏ للاختراع على المناطق التالية بالترتيب التالي: ‎-١‏ إلكترود أول يشتمل على أكسيد موصل شفاف»؛ يفضل أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎FTO‏ ‏"- منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛ ‎Aa -*‏ من ‎Bale‏ شبه ‎Alia go‏ من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ ‎Yo‏ 4- منطقة من نوع 0 تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع ‎SP‏ ‎—o‏ إلكترود ثان يشتمل على فلزء يُفضل فضة أو ذهب. في بعض النماذج؛ يمكن على نحو بديل أن يشتمل الإلكترود الثاني على أكسيد موصل شفاف. على سبيل المثال يمكن اختيار كل من الإلكترود الأول والإلكترود الثاني من الإنديوم أكسيد ‎oVVY‏ ty 13) LAZO ‏وأكسيد قصدير مشاب بألومنيوم‎ FTO ‏أكسيد قصدير مشاب بالفلورين‎ (ITO ‏قصدير‎ ‎١ ‏الإلكترود الثاني أحيائًا من‎ eld ‏فضة أو ذهب؛ قد يبلغ‎ Jie ‏اشتمل الإلكترود الثاني على فلز‎ ‏نانو متر. على سبيل المثال؛ يمكن أن يشتمل الإلكترود الأول على الإنديوم أكسيد‎ ٠١ ‏إلى‎ ‏ويمكن أن يشتمل‎ FTO ‏أو أكسيد قصدير مشاب بالفلورين‎ ITO ‏قصدير الإنديوم أكسيد قصدير‎ ‏نانو مترء على سبيل المثال من‎ ٠١ ‏إلى‎ ١ ‏يبلغ من‎ cl ‏الإلكترود الثاني على طبقة من فضة‎ 0 ‏نانو متر. يمكن أن تكون طبقة رفيعة السك من الفضة شبه شفافة.‎ ٠١ ‏إلى‎ © ‏به وصلة غير متجانسة‎ AL ‏من بروفسكيت بغشاء رقيق رفيع‎ Blea Und ‏يوفر الاختراع‎ ‏يمكن أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع‎ riled) ‏معكوسة. لهذاء في أحد‎ ‏وضع؛ المنطقة‎ (SE ‏على إلكترود أول؛ إلكترود ثان؛ وء يتم فيما بين الإلكترودات الأول‎ © ‏تلامس مع المنطقة من النوع‎ Alla ‏المتفاعلة ضوئيًا المذكورة؛ حيث يكون الإلكترود الثاني في‎ ٠ ‏تلامس مع المنطقة‎ Alla ‏الخاصة بالمنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة ويكون الإلكترود الأول في‎ ‏من النوع م الخاصة بالمنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة. تؤدي هذه البنية إلى ما هو معروف‎ ‏باعتباره جهاز معكوس. يمكن أن يكون لهذه الأجهزة التصميم المعروض على نحو تخطيطي في‎ ‏الشكل 8. في بعض الظروف قد يكون من المرغوب فيه توافر بنية جهاز معكوس حيث يتم تجميع‎ ‏بشكل محدد؛ قد تكون بنى الجهاز المعكوس‎ lead) ‏التثقوب من خلال جانب الطبقة التحتية من‎ ١ ‏مطلوبة للتطبيقات المترادفة. تتضمن التطبيقات المترادفة الاستخدام مع عدد من الخلايا ذات فجوة‎
CIGS ‏النطاق المنخفضة الفلطائية الضوئية غير العضوية مثل نحاس الانديوم الغاليوم سيلينيد‎ ‏لقد قم المخترحون بتطوير خلية فلطائية ضوئية منخفضة الحرارة يمكن الوصول إليها من الهواء‎ ‏يمكن أن تكون مواد‎ (lle ‏المحيط ومحلول اعتمادًا على مادة ماصة للبروفسكيت شبه موصلة.‎ ‏و/5066081 على التوالي.‎ PEDOT:PSS ‏الانتقائية في صورة‎ N ‏ومن نوع‎ P ‏التلامس من نوع‎ ٠ ‏للغاية لذلك المستخدم في الخلايا‎ lie ‏جدير بالملاحظة؛ يكون تصميم الإلكترود النهائي‎ ‏حتى مع تبديل الطبقة المتفاعلة‎ CLE ‏الشمسية من البوليمر ذات "الوصلة غير المتجانسة‎ ‏ضوئيًا حيث يتم استبدال الوصلة غير المتجانسة الكتلية بغشاء رقيق من بروفسكيت صلب ويتم‎ ‏تحقيق كفاءة تحويل قدرة شمسية تامة تبلغ 717,5 مع نطاق أكبر لتحسين إضافي.‎ ovvy ty ‏توفر الخلايا الفلطائية الضوئية ذات الغشاء الرقيق رفيع السمك المعتمدة على تقنيات وصول من‎ ‏ضرورية لإشباع الاحتياجات‎ AA ‏خلال المحلول التعهد بأجهزة قابلة للتصنيع سهلة ومنخفضة‎ ‏العالمية المتزايدة للطاقة. تعتبر البنى المرشحة الملائمة هي الخلايا الفلطائية الضوئية المعتمدة‎ ‏على بنى عضوية؛ غير عضوية؛ ومختلطة. تعاني الخلايا الفلطائية الضوئية المعتمدة على بنى‎ ‏تقدم تقنية قابلية للوصول يسيرة ومنخفضة التكلفة؛ من أداء منخفض مقارنة بتقنيات‎ Lay ‏عضوية؛‎ © ‏الأخرى بسبب حالات الفقد الأساسية في توليد الشحنة حيث تكون إزاحة‎ Sl) ‏الغشاء الرقيق رفيع‎ ‏ضروريًا لتحقيق فصل فعال للشحنة؛ ما يحد من أقصى‎ Bad ‏كبيرة نوعًا فيما بين الواهب والمتلقي‎ ‏مباشرة في وصلة فردية. يمكن أن تتطلب‎ #7 ١١ ‏كفاءة تحويل القدرة قابلة للتحقيق إلى ما دون‎ ‏المعتمدة على بنى غير عضوية استخدام‎ CLL ‏الخلايا الفلطائية الضوئية ذات الغشاء الرقيق رفيع‎ ‏مذيبات عالية السمية ودرجات حرارة عالية تبلغ أعلى من 500 درجة مئوية؛ مما يجعلها غير‎ _- ٠ ‏مرغوب فيها للإنتاج الكتلي.‎ ‏لهذه الأسباب؛ تعتبر الخلايا الفلطائية الضوئية ذات البنى المختلطة التي أساسها البروفسكيت بديلاً‎ ‏صلبة بشكل تام‎ Alla ‏درجة مئوية؛ وتكون في‎ ١5١ ‏جذابًا إذ يمكن معالجتها في ظل درجة حرارة‎ ‏لقد تم استخدام المواد‎ LY ‏وتُظهر بالفعل قيم كفاءة تحوّل قدرة عالية تصل إلى أعلى من‎ ‏الماصة للبروفسكيت من قبل في لبخلايا الشمسية الحساسة إضافة إلى بنى الغشاء الرقيق ذي‎ ١
CH3NH3PbI3-XCIX ‏الرفعيع. تحديدًاء في تصميم لاحق؛ يمكن أن يعمل البروفسكيت‎ SLL ‏باعتباره عامل مثير للحساسية وناقل للإلكترون عند المعالجة على مادة دعم مؤقتة متوسطة البنية‎ ‏من الألوميناء مما يؤدي إلى تقليل حالات فقد الطاقة إلى الحد الأدنى ببساطة لأنه يتم بشكل‎ ‏مباشر نقل الإلكترونات إلى الطبقة التحتية الموصلة من خلال نطاق ال توصيل الخاص‎ ‏بالبروفسكيت. بهذه الطريقة؛ يمكن تحقيق قيم الفلطية الخاصة بدائرة مفتوحة العالية للغاية البالغة‎ ٠ ‏فولط.‎ ٠,١ ‏أعلى من‎ ‏في الخلايا الفلطائية الضوئية المعتمدة على البروفسكيت؛ يتم تجميع الإلكترونات من الطبقة‎ Wie ‏بينما تم تجميع التقوب عند كاثود الفلز. يكون هذا‎ FTO ‏التحتية أكسيد قصدير مشاب بالفلورين‎ ‏التصميم غير مرغوبًا فيه لبعض التطبيقات المترادفة حيث يتحتم تجميع الثقوب عند سطح أكسيد‎ ‏بنية جهاز‎ mung ‏بيني (أكسيد موصل شفاف). في هذا الطلب»؛ يتم‎ TCO ‏موصل شفاف‎ YO ovvy
— أ —
معكوس جديدة. غالبًا؛ يعتمد على المواد من النوع 7 ومن النوع م المستخدمة على نحو شائع
لتجميع الشحنة في الخلايا الفلطائية الضوئية العضوية؛ تحديدًا ‎[6,6]-Phenyl C61 butyric‏
: ‏و‎ 8010 methyl ester (PC60BM)
«poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate) (PEDOT:PSS)
© إضافة إلى أكسيد الفاناديوم ‎V205‏
في أحد النماذج؛ يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع على إلكترود أول؛ إلكترود
ثان؛ وء يتم ‎Lad‏ بين الإلكترودات الأول والثاني وضع المنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة؛ حيث
يكون الإلكترود الثاني في حالة تلامس مع المنطقة من ‎ng ill‏ الخاصة بالمنطقة المتفاعلة ضوئيًا
المذكورة ويكون الإلكترود الأول في حالة تلامس مع المنطقة من النوع م الخاصة بالمنطقة ‎٠‏ المتفاعلة ضوئيًا المذكورة» حيث يشتمل الإلكترود الأول على ‎sale‏ موصلة كهربائيًا شفافة أو شبه
شفافة وحيث يشتمل الإلكترود الثاني على ألومنيوم "ع هب » فضة نيكل 3 بالاديوم أو بلاتين .
بناءًٌ على ذلك؛ يمكن أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري ‎Gy‏ للاختراع على المناطق التالية
بالترتيب التالي:
‎-١‏ إلكترود ثان؛ ‎Vo‏ ؟- منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛
‏*- طبقة من مادة شبه ‎Alia go‏ من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛
‏— منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛ و
‎—o‏ إلكترود أول.
‏يمكن أن تكون كل من المناطق (إلكترود ثان؛ منطقة من نوع 0 طبقة من مادة شبه موصلة من ‎٠٠‏ - بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ منطقة من نوع م والكترود أول) كما هو معرزف في أي مكان في
‏هذا الطلب.
‎ovvY
اج ‎h‏ _ على سبيل المثال» يمكن أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري وفقًا للاختراع على المناطق التالية بالترتيب التالي: ‎-١‏ إلكترود ثان يشتمل على فلز؛ "- منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛ © ”- طبقة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ — منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛ و ‎-٠‏ إلكترود أول يشتمل على أكسيد موصل شفاف. على سبيل المثال» يمكن أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري وفقًا للاختراع على المناطق التالية بالترتيب التالي: ‎-١ ٠‏ إلكترود ‎of‏ يشتمل على فلزء يُفضل فضة أو ذهب؛ "- منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛ ‎Aa -*‏ من ‎Bale‏ شبه ‎Alia go‏ من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ — منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛ و 0— إلكترود أول يشتمل على أكسيد موصل شفاف؛ يفضل أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎FTO‏ ‎Ne‏ يمكن أن تكون أي من المكونات في جهاز معكوس وفقًا للاختراع كما هو معرّف في أي مكان في هذا الطلب. على سبيل المثال؛ يمكن أن يكون البروفسكيت عبارة عن بروفسكيت ‎By‏ لأي من الصيغ ‎da dl‏ اا أو ‎Ha‏ السابقة. على سبيل ‎(JB‏ يمكن أن يكون البروفسكيت عبارة عن مركب بروفسكيت مختار من : ‎«CH3NH3PbF3 | (CH3NH3PbCI3 ~~ (CH3NH3PbBr3 (CH3NH3PbI3‏ ‎«CH3NH3PbICI2 (CH3NH3PbIBr2 (CH3NH3PbBrCl2 (CH3NH3PbBri2 ٠٠‏ ‎«CH3NH3SnBrCI2 (CH3NH3SnBrl2 (CH3NH3PbI2CI (CH3NH3PbCIBr2‏ ‎CAAA‏
‎«CH3NH3SnF2I 1130113501012 (CH3NH3SnIBr2 («CH3NH3SnF2Br‏ ‎.CH3NH3SnF2CIl CH3NH3SnI12Cl («CH3NH3SnCIBr2‏ في بعض النماذج؛ يمكن على نحو بديل أن يشتمل الإلكترود الثاني على أكسيد موصل شفاف. على سبيل المثال يمكن اختيار كل من الإلكترود الأول والإلكترود الثاني من الإنديوم أكسيد ‎٠‏ قصدير ‎(TO‏ أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎FTO‏ وأكسيد قصدير مشاب بألومنيوم ‎LAZO‏ إذا يشتمل الإلكترود الثاني على فلز ‎Jie‏ فضة أو ذهب؛ قد يبلغ ‎eld‏ الإلكترود الثاني أحيائًا من ‎١‏ ‏إلى ‎٠١‏ نانو متر. على سبيل المثال؛ يمكن أن يشتمل الإلكترود الأول على الإنديوم أكسيد قصدير الإنديوم أكسيد قصدير ‎ITO‏ أو أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎FTO‏ ويمكن أن يشتمل الإلكترود الثاني على طبقة من فضة مك يبلغ من ‎١‏ إلى ‎٠١‏ نانو ‎ia‏ على سبيل المثال من ‎٠‏ © إلى ‎٠١‏ نانو متر. يمكن أن تكون طبقة رفيعة ‎SL‏ من الفضة شبه شفافة. يمكن أن تشتمل المنطقة من النوع ‎١‏ في جهاز معكوس على طبقة واحدة على الأقل من نوع ‎N‏ ‏كما هو معرّف في أي مكان في هذا الطلب لجهاز قياسي غير معكوس. على سبيل المثال؛ يمكن أن تشتمل طبقة من نوع 7 على ‎SB‏ أكسيد التيتانيوم 1102؛ ثاني أكسيد القصدير 5002؛ اكسيد الزنك ‎(ZnO‏ خامس أكسيد النيوبيوم ‎(Niobium pentoxide (ND205)‏ خامس أكسيد التنتالوم ‎(Ta205 ١‏ ثالث ‎aud‏ التنجستن ‎(WO3‏ خامس أكسيد التنجستن ‎(W205‏ ثالث أكسيد الانديوم 3 + ثالث أكسيد الجاليوم 68203؛ ثالث أكسيد النيوديميوم 810203 أكسيد الرصاص (050)؛ أو أكسيد الكادميوم (000). في أحد النماذج؛ يمكن أن تشتمل المنطقة من النوع ‎١‏ على طبقة مضغوطة من ثاني أكسيد التيتانيوم. ‎(We‏ يمكن أن تشتمل المنطقة من النوع ‎Jon‏ طبقة مضغوطة من ثاني أكسيد التيتانيوم وطبقة من [60] وصلة غير متجانسة كتلية ‎PCBM‏ -[6,6]) ‎Laie .phenyl-C61-butyric acid methyl ester) | ٠‏ تشتمل المنطقة من النوع ‎١‏ على طبقة من ‎Gb‏ أكسيد التيتانيوم وطبقة من ]60 ‎dla‏ غير متجانسة كتلية ‎(PCBM‏ تكون الطبقة المضغوطة من أكسيد التيتانيوم نمطيًا مجاورة للإلكترود الثاني وتكون الطبقة الخاصة ب ]60[ ‎dla‏ غير متجانسة كتلية ‎PCBM‏ نمطيًا مجاورة للطبقة الخاصة بمادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة. ‎ovvy‏
يمكن أن تشتمل المنطقة من النوع م في جهاز معكوس على طبقة واحدة على الأقل من نوع م كما هو معرّف في أي مكان في هذا الطلب لجهاز قياسي غير معكوس. على سبيل المثال؛ يمكن أن ‎Ja‏ طبقة من نوع 0 على : ‎spiro-OMeTAD (2,2°,7,7’ —tetrakis—(N,N-di-p—methoxyphenylamine)9,9’ -‏ ‎spirobifluorene)), P3HT (poly(3—hexylthiophene)), PCPDTBT (Poly[2,1,3- ©‏ ‎benzothiadiazole-4,7-diyl[4,4-bis(2-ethylhexyl)-4H-cyclopenta[2,1-‏
PVK ‏الفلطائية الضوئية-ل8)/را0م)‎ alb:3,4-bldithiophene-2,6-diyl]]), vinylcarbazole)), PEDOT (poly(3,4-ethylenedioxythiophene)), or
PEDOT:PSS (poly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate)). ‏على نحو بديل؛ يمكن على سبيل المثال أن تشتمل الطبقة من النوع م على مادة ناقلة للثقب غير‎ ٠ ‏بشكل محدد؛‎ .molybdenum ‏عضوية مشتملة على أكسيد نيكل؛ فاناديوم؛ نحاس أو موليبدنيوم‎ ‏و / أو طبقة من‎ Spiro-OMeTAD ‏يمكن أن تشتمل المنطقة من النوع م على طبقة من‎ .PEDOT:PSS ‏على طبقة من‎ p ‏في أحد النماذج؛ تشتمل المنطقة من النوع‎ -PEDOT:PSS ‏أو‎ (PEDOT Ji) ‏إذا تشتمل المنطقة من النوع م على طبقة من مادة بوليمرية من نوع م‎ ‏يمكن أن تكون الطبقة من النوع م مرتبطة تشابكيًا. تكون الطبقة مرتبطة‎ «(PEDOT:PSS ٠ lead ‏ذوبانها في محلول المادة المنتجة للبروفسكيت أثناء تصنيع‎ sae ‏تشابكيًا من أجل الحد من‎ ‏من أجل جعله غير قابل‎ USL Gas je (PEDOT:PSS ‏أي؛ يكون البوليمر (على سبيل المثال»‎
Aas ‏للذوبان. على سبيل المثال؛ يمكن أن تشتمل المنطقة من النوع م على طبقة من نوع‎ ‏على مادة بوليمرية حيث تكون الطبقة من النوع م مرتبطة تشابكيًا. في بعض الأحيان؛ يمكن أن‎ ‏حيث تكون الطبقة مرتبطة تشابكيًا.‎ PEDOT:PSS ‏على طبقة من‎ p ‏تشتمل المنطقة من النوع‎ ٠ ‏يمكن أن تكون الطبقة من النوع م مرتبطة تشابكيًّا عن طريق استخدام حمض لويس؛ على سبيل‎ ‏حيث تكون‎ PEDOT:PSS ‏يمكن أن تشتمل المنطقة من النوع م على طبقة من‎ JFE3+ JE الطبقة مرتبطة ‎ULES‏ باستخدام كلوريد الحديد الثلاثي ‎FeClI3‏ ‏يمكن أن يشتمل جهاز إلكتروني بصري ‎By‏ للاختراع على المناطق التالية بالترتيب التالي: ااا
م ‎-١‏ إلكترود ثان يشتمل على فلز؛ "- منطقة من نوع ‎١‏ تشتمل على طبقة مضغوطة من ثاني أكسيد التيتانيوم وطبقة من [60]|وصلة غير متجانسة كتلية ‎(PCBM‏ ‏— طبقة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ © ؛- منطقة من نوع م تشتمل على طبقة من ‎(PEDOT:PSS‏ اختياريًا حيث تكون الطبقة مرتبطة تشابكيًا؛ و 5- إلكترود أول يشتمل على أكسيد موصل شفاف. يمكن أن يشتمل جهاز إلكتروني بصري وفقًا للاختراع على المناطق التالية بالترتيب التالي: ‎-١‏ إلكترود ثان يشتمل على ‎Gl‏ يُفضل ألومنيوم؛ فضة أو ذهب؛
‎٠‏ 7*- منطقة من نوع ‎JEN‏ على طبقة مضغوطة من ثاني أكسيد التيتانيوم وطبقة من [60]|وصلة غير متجانسة كتلية ‎(PCBM‏ ‏— طبقة من ‎Bale‏ شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ ؛- منطقة من نوع م تشتمل على طبقة من ‎(PEDOT:PSS‏ اختياريًا حيث تكون الطبقة مرتبطة تشابكيًا؛ و
‎FTO ‏إلكترود أول يشتمل على أكسيد موصل شفاف؛ يفضل أكسيد قصدير مشاب بالفلورين‎ -« ١ ‏للاختراع على المناطق التالية‎ Ey ‏يمكن أن يشتمل جهاز إلكتروني بصري‎ (JB ‏على سبيل‎ ‏بالترتيب التالي:‎
‎-١‏ إلكترود ثان يشتمل على ألومنيوم؛ 7- طبقة مضغوطة من ثاني أكسيد التيتانيوم؛ ‎٠‏ *#- طبقة من [60]وصلة غير متجانسة كتلية ‎(PCBM‏ ‎ovvYyY‏
‎h q —_‏ _ ؛- طبقة من مادة شبه ‎Abia go‏ من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ ‎-٠‏ طبقة من ‎PEDOT:PSS‏ مرتبط تشابكيًا؛ و = إلكترود أول يشتمل أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎FTO‏ ‏يمكن أن تكون المنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة هي المنطقة المتفاعلة ضوئيًا الوحيدة في الجهاز 0 ويمكن بناءً على هذا أن يكون الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع عبارة عن جهاز بوصلة فردية. على نحو بديل؛ يمكن أن يكون الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع عبارة عن جهاز إلكتروني بصري بوصلة ترادفية أو جهاز إلكتروني بصري متعدد الوصلات. ‎ely‏ على ذلك ‎Sas‏ أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري على الكترود أول الكترود 50( ‎٠‏ يتم فيما بين الإلكترودات الأول والثاني وضع: المنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة؛ و منطقة متفاعلة ضوئيًا أخرى واحدة على الأقل. يمكن أن تكون المنطقة أو المناطق المتفاعلة ضوئيًا الأخرى متشابهة ‎Jie‏ أو مختلفة عن المنطقة المتفاعلة ضوئيًا المعرّفة فيما سبق في هذا الطلب. ‎V0‏ في بعض النماذج؛ تكون المنطقة أو المناطق المتفاعلة ضوئيًا الأخرى مشابهة مثل المنطقة المتفاعلة ضوئيًا المعرّفة فيما سبق في هذا الطلب. وبالتالي» يمكن أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع على: إلكترود أول؛ إلكترود ثان؛ ‎oy‏ يتم ‎Led‏ بين الإلكترودات الأول والثاني وضع: العديد من المناطق المتفاعلة ضوئيًا المذكورة. ‎٠‏ عندما يكون الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع عبارة عن جهاز بوصلة ترادفية أو بوصلات متعددة؛ كما سيدرك أحد ذوي المهارة؛ يمكن أن يشتمل على واحدة أو أكثر من ‎CAAA‏
‎١ «=‏ الوصلات النفقية. ‎ble‏ ما يتم وضع كل وصلة نفقية ‎led‏ بين اثنتين من المناطق المتفاعلة يمكن أن يشتمل ‎Sle‏ إلكتروني بصري ‎Alay‏ ترادفية (أو جهاز إلكتروني بصري متعدد الوصلات) وفقًا للاختراع على تقنية الغشاء الرقيق رفيع ‎Sl‏ من البروفسكيت التي تم الكشف عنها في هذا الطلب مع تقنيات معروفة لتوصيل الأداء الأمثل. تكون خلية متعددة الوصلات "كلها من البروفسكيت” جاذبة للغاية؛ مع ذلك حتى بدون الحاجة إلى تطوير مواد ماصة جديدة؛ يكون النظام الحالي الذي يستخدم ‎CH3NH3PDIZ-XCIX‏ مضبوط جيدًا بالفعل ليتطابق مع تقنيات السيليكون المتبلّر والغشاء الرقيق رفيع السك الأخرى ‎CIS Jie‏ نحاس الانديوم الغاليوم سيلينيد ‎CIGS‏ و©02155؛ إذا تم استخدامها باعتبارها خلية علوية في ‎٠‏ وصلة ترادفية. هناك إمكانية لإنتاج أجهزة إلكترونية بصرية بقيم كفاءة تزيد عن ‎Judy WAY‏ الجانب الجدير بالملاحظة من هذا الأمر في أنه لا يتطلب "قفزة كمية” في التقنية المقدمة حاليًاء فقط القليل من الوصول إلى الحد الأمثل والتكامل الفعال. هناك العديد من الفوائد المميزة الخاصة ب "التدعيم الكبير” على التقنيات الموجودة؛ يصبح الانخفاض المستمر في تكلفة الخلايا الفلطائية الضوئية ‎Photovoltaics (PV)‏ الموجودة أمرًا مفيدًاء سيكون السوق أكثر قابلية لاختيار 'تقنية 5 سيليكون معززة” بدلاً من تقنية بروفسكيت جديدة ‎(Ale‏ وأخيرًا وليس ‎TAT‏ يكمن تحدي رئيسي لمجتمع الخلايا الفلطائية الضوئية ‎PV‏ أوسع في تطوير خلية علوية بفجوة واسعة لتقنيات السيليكون والغشاء الرقيق رفيع المثمك. في الأشكال ‎OV VT‏ يتم توضيح رسومات تخطيطة لتصميمات جهاز ‎Lag‏ ترادفية محتملة لبروفسكيت على ‎c-Si‏ وبروضسكيت على غشاء رقيق رفيع المثمك تقليدي. ‎Yo‏ في أحد النماذ ج؛ يوفر الاختراع جهاز إلكتروني بصري يشتمل على إلكترود أول إلكترود ثان» وء يتم فيما بين الإلكترودات الأول والثاني وضع: المنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة كما هو معرّف ‎led‏ سبق في هذا الطلب؛ و منطقة متفاعلة ضوئيًا أخرى واحدة على الأقل, ‎CAAA‏
‎١ \ —_‏ حيث تشتمل المنطقة المتفاعلة ضوئيًا الأخرى الواحدة على الأقل على طبقة واحدة على الأقل من مادة شبه موصلة. يمكن أن تكون المنطقة المتفاعلة ضوئيًا الأخرى الواحدة على الأقل عبارة عن منطقة متفاعلة ضوئيًا أخرى واحدة على الأقل من المناطق المتفاعلة ضوئيًا المستخدمة في الأدوات الإلكترونية ‎oo‏ البصرية أو الفلطائية الضوئية التقليدية التقليدية أو المعروفة. على سبيل المثال؛ قد تكون ‎She‏ ‏عن منطقة متفاعلة ضوئيًا من خلية فلطائية ضوئية من سيليكون متبلّر أو منطقة متفاعلة ضوئيً من أداة فلطائية ضوئية ذات غشاء رقيق رفيع ‎SLL‏ تقليدي من أرسنيد جاليوم؛ نحاس الانديوم الغاليوم سيلينيد ‎CIS (CIGS‏ أو ‎.CZTSSe‏ ‎(Ble‏ يشتمل جهاز إلكتروني بصري بوصلة ترادفية على المناطق التالية بالترتيب التالي: ‎-١ ٠‏ إلكترود أول؛ — منطقة متفاعلة ضوئيًا أولى كما هو معرّف في أي مكان ‎Led‏ سبق في هذا الطلب؛ *- تشتمل منطقة متفاعلة ضوئيًا ثانية على طبقة من مادة شبه موصلة؛ و ؛- إلكترود ثان. يمكن أن تكون المادة شبه الموصلة في المنطقة !اا ‎ple‏ عن أية ‎sale‏ شبه موصلة. يشير ‎١‏ المصطلح ‎50d‏ شبه موصلة"؛ كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ إلى ‎sale‏ بموصلية كهربائية متوسطة المقد ار فيما بين تاك الخاصة بموصل ‎dies‏ . نمطيًا تكون ‎sale‏ شبه ‎lage‏ عبارة عن مادة لها موصلية تبلغ من ‎٠١‏ ؟ إلى ‎8-٠١‏ سيمينز ‎mas‏ يمكن استخدام التقنيات القياسية ‎Jie‏ ‏قياس موصلية بمسبار رباعي النقاط لقياس الموصلية. تتضمن أمثلة على المواد شبه الموصلة أكسيد أو كالكوجنيد من فلز أو عنصر شبيه بالفلز؛ مركب من المجموعة مجموعة ‎IV‏ مركب ‎A)‏ مشتمل على عنصر من المجموعة ل وعنصر من المجموعة ‎Vv‏ مركب مشتمل على عنصر من المجموعة ‎I‏ وعنصر من المجموعة ‎«VI‏ مركب مشتمل على عنصر من المجموعة | وعنصر من المجموعة ‎«VII‏ مركب مشتمل على عنصر من المجموعة ‎AY}‏ وعنصر من المجموعة ‎VI‏ مركب ‎CAAA‏
المجموعة !اا وعنصر من المجموعة /ا؛ شبه موصل من مركب ثلاثي أو رباعي؛ مادة شبه موصلة من بروفسكيت أو شبه موصل عضوي. تتضمن أمثلة نمطية على المواد شبه الموصلة أكاسيد من تيتانيوم»؛ نيوبيوم؛ قصدير؛ زنك؛ كادميوم؛ نحاس أو الرصاص؛ مركبات كالكوجنيد من أنتيمون أو البزموت؛ كبريتيد القصدير والزنك والتنحاس ‎copper zinc tin sulphide‏ ؛ سيلينيد © القصدير والزنك والنحاس ‎copper zinc tin selenide‏ ؛ كبريتيد سيلينيد القصدير والزنك والنحاس ‎copper zinc tin selenide sulphide‏ « سيلينيد الجاليوم والإنديوم والنحاس ‎copper indium gallium selenide‏ ¢ وداي سيلينيد الجاليوم والإنديوم والنحاس ‎copper‏ ‎indium gallium diselenide‏ تتضمن الأمثلة الإضافية مواد شبه موصلة لمركب من المجموعة ‎IV‏ (على سبيل المثال؛ كربيد سيليكون ‎¢(silicon carbide‏ مواد شبه موصلة من ‎٠‏ المجموعة /١-ااا‏ (على سبيل المثال؛ أرسنيد جاليوم ‎¢(gallium arsenide‏ مواد شبه موصلة من المجموعة ا/١-ا!‏ (على سبيل المثال؛ سيلينيد كادميوم ‎(cadmium selenide‏ مواد شبه موصلة من المجموعة ‎Je) I-VI‏ سبيل ‎(JB‏ كلوريد كبروس ‎¢(cuprous chloride‏ مواد شبه موصلة من المجموعة |/١-/ا‏ (على سبيل المثال؛ سيلينيد الرصاص ‎selenide‏ 680ا)؛ مواد شبه موصلة من المجموعة ‎Je) VV‏ سبيل المثال؛ تيلوريد البزموت ‎¢(bismuth telluride‏ ومواد ‎Vo‏ شبه موصلة من المجموعة /١-ا١‏ (على سبيل المثال؛ أرسنيد كادميوم ‎¢(cadmium arsenid‏ مواد شبه موصلة ثلاثية أو رباعية (على سبيل المثال؛ سيلينيد الإنديوم والنحاس ‎copper‏ ‎indium selenide‏ ؛ ‎gla‏ سيلينيد الجاليوم والإتديوم والتحاس ‎copper indium gallium‏ ‎diselenide‏ « أو كبريتيد القصدير والزنك والنحاس ‎(copper zine tin sulphide‏ بروفسكيت المواد شبه الموصلة ‎Jus Je) perovskite semiconductor materials‏ المثال؛ ‎Jsly ¢(CH3NH3PDLI2Cl; CH3NH3PbI3 ٠‏ _شبه الموصلة العضوية | ‎organic‏ ‎semiconductor materials‏ (على سبيل المثال؛ مركبات بوليمرية مترافقة ‎conjugated‏ ‎polymeric compounds‏ متضمنة بوليمرات ‎Jie‏ مركبات بولي أسيتيلين ‎polyacetylenes‏ « مركبات بولي فينيلين ‎polyphenylenes‏ ومركبات بولي ثيوفين ‎polythiophenes‏ ). تتضمن
‎AB‏ على مواد شبه موصلة عضوية:
‎ovvY
السلا ‎poly(3,4-ethylenedioxythiophene), 2,2-17,7-tetrakis—N,N-di-p—‏ ‎methoxyphenylamine-9,9-spirobifluorene (spiro—OMeTAD)‏ وبوليمرات عضوية مترافقة مثل مركبات بولي أسيتيلين؛ مركبات بولي فينيلين؛ مركبات بولي ثيوفين أو مركبات بولي أنيلين. تتضمن أمثلة على مواد ليست مواد شبه موصلة؛ على سبيل المثال فلزات © طبيعية؛ تكون بالطبع موصلات؛ ومواد ‎Ale‏ كهربائية أو مواد عازلة مثل سيليكا أو سيليكات. يشير المصطلح ‎Cand)‏ كما هو مستخدم في هذا الطلب؛ إلى مركب مشتمل على أيون أكسيد واحد على الأقل (أي؛ -02) أو 53 أكسجين ثنائية التكافؤ ‎oxygen atom‏ 017/81601. ينبغي إدراك أن المصطلحات "أكسيد فلز" و”"عنصر أكسيد فلز” المستخدمة في هذا الطلب تشتمل على كل من أكاسيد مشتملة على فلز واحد؛ وأيضنًا أكاسيد فلزية مختلطة. لتجنب الشك؛ يشير أكسيد ‎٠‏ فلز مختلط ‎mixed—-metal oxide‏ إلى مركب أكسيد فردي ‎single oxide compound‏ مشتمل على أكثر من عنصر فلز واحد. تتضمن أمثلة على أكاسيد فلزية مختلطة أكسيد زنك قصدير وأكسيد إنديوم قصدير. بالمثل؛ ينبغي إدراك أن المصطلحات أكسيد شبه فلز' و'"عنصر أكسيد شبه فلز” المستخدمة في هذا ‎lll‏ تتضمن أكاسيد مشتملة على عنصر شبيه بالفلز واحد وأيضًا أكاسيد أشباه فلزات مختلطة. لتجنب الشك؛ يشير أكسيد شبه فلز مختلط إلى مركب أكسيد ‎Vo‏ فردي مشتمل على أكثر من عنصر ‎apd‏ بالفلز واحد. يشير المصطلح ‎chalcogenide ayia SIT‏ " المستخدم في هذا الطلب؛ إلى مركب مشتمل على واحد على الأقل من أيون سلفيد 1007 5010108 » سيلينيد أو تيلوريد ‎selenide or telluride‏ ‎ion‏ (أي؛ -82؛ -862؛ أو ‎(Te2-‏ أو كبريت ثنائي ‎(IS‏ ذرة سيلينيوم أو ‎aol‏ ينبغي إدراك أن المصطلحات ‎aia SIC‏ فلز” و”"عنصر كالكوجنيد فلز" تشمل مركبات كالكوجنيد مشتملة ‎٠‏ على فلز واحد وأيضًا مركبات كالكوجنيد فلز مختلطة. لتجنب الشك؛ يشير كالكوجنيد فلز مختلط إلى مركب كالكوجنيد فردي مشتمل على أكثر من عنصر فلز واحد. بالمثل؛ ينبغي إدراك أن المصطلحات كالكوجنيد شبه فلز وكالكوجنيد من عنصر شبه فلز" المستخدمة في هذا الطلب تشمل مركبات كالكوجنيد مشتملة على شبه فلز واحد وأيضامركبات كالكوجنيد من شبه فلز مختلطة. لتجنب الشك؛ يشير كالكوجنيد شبه فلز مختلط إلى مركب كالكوجنيد فردي مشتمل على ‎YO‏ أكثر من عنصر شبيه بالفلز واحد. امد
يول في بعض الأحيان؛ تشتمل المادة شبه الموصلة على أكسيد أو كالكوجنيد من فلز أو عنصر شبيه بالفلز. على سبيل المثال؛ تتكون المادة شبه الموصلة من أكسيد أو كالكوجنيد من فلز أو عنصر شبيه بالفلز. على سبيل المثال؛ تشتمل ‎sald)‏ شبه الموصلة على أكسيد تيتانيوم؛ نيوبيوم» قصدير؛ زنك؛ كادميوم؛ نحاس أو الرصاص أو أية توليفة منها؛ أو كالكوجنيد من أنتيمون؛ البزموت أو 0 كادميوم أو أية توليفة منها. على سبيل المثال يمكن أن تشتمل المادة شبه الموصلة على أكسيد زنك قصدير؛ كبريتيد القصدير والزنك والنحاس؛ سيلينيد الجاليوم والإنديوم والنحاس؛ أو داي سيلينيد الجاليوم والإنديوم والنحاس. في أحد النماذج يمكن أن تكون المادة شبه الموصلة عبارة عن شبه موصل مشاب؛ حيث يوجد عنصر شائبة بتركيز يتراوح فيما بين 509 حتى 450 5. إذا يعمل عنصر الشائبة باعتباره واهب ‎٠‏ إلكترون؛ فإن ‎sald)‏ شبه الموصلة ستكون مشابة لتصبح من النوع ‎on‏ إذا عمل عنصر الشائبة باعتباره متلقي إلكترون؛ فإن المادة شبه الموصلة ستكون مشابة لتصبح من النوع م. يُلاحظ أنه لأكاسيد فلز مشابة بعناصر أشباه فلزات بشائبة تحل محل العنصر الشبيه بالفلز الأساسي؛ إذا كان تكافو عامل الإشابة أكبر من تكافؤ العنصر الشبيه بالفلز الأساسي فإن أكسيد الفلز سيكون مشابًً من النوع ‎Yn‏ كان ‎BS‏ عامل الإشابة عنصر شبيه بالفلز ‎J‏ من ذلك الخاص بالعنصر ‎١‏ الشبيه بالفلز الأساسي فإن أكسيد الفلز سيكون مشابًا من النوع م. يمكن استخدام أي من العناصر المذكورة من قبل لإشابة أي من المواد شبه الموصلة المذكورة ‎lad‏ سبق وصلاً إلى مستويات مختلفة من الكفاءة والتأثير. ‎Uy‏ على ذلك؛ في بعض الحالات تشتمل ‎sald)‏ شبه الموصلة على أكسيد أو كالكوجنيد من فلز أو عنصر شبيه بالفلز؛ مركب من المجموعة مجموعة ‎HV‏ مركب مشتمل على عنصر من ‎٠‏ المجموعة ااا وعنصر من المجموعة /ا؛ مركب مشتمل على عنصر من المجموعة ‎Il‏ وعنصر من المجموعة ‎$V]‏ مركب مشتمل على عنصر من المجموعة | وعنصر من المجموعة ‎VI‏ مركب مشتمل على عنصر من المجموعة ‎IV‏ وعنصر من المجموعة ‎$V]‏ مركب مشتمل على عنصر من المجموعة ‎V‏ وعنصر من المجموعة ‎$V]‏ مركب مشتمل على عنصر من المجموعة ‎ll‏ وعنصر من المجموعة /ا؛ شبه موصل من مركب ثلاثي أو رباعي؛ أو شبه موصل عضوي. ‎CAAA‏
اج 7 _ ‎(We‏ تشتمل المادة شبه الموصلة على سيليكون؛ أكسيد تيتانيوم ؛ نيوبيوم ‎+٠‏ قصديرء زنك كادميوم نحاس أو الرصاص؛ كالكوجنيد من أنتيمون أو البزنموت؛ كبريتيد القصدير والزنك والنحاس؛ سيلينيد القصدير والزنك والنحاس؛ كبريتيد سيلينيد القصدير والزنك والنحاس؛ سيلينيد الجاليوم والإنديوم والنحاس؛ داي سيلينيد الجاليوم والإنديوم والنحاس؛ كربيد سيليكون؛ ‎win‏ جاليوم؛ سيلينيد 0 كادميوم؛ كلوريد كبروس» سيلينيد الرصاص»؛ تيلوريد البزموت؛ أو أرسنيد كادميوم. إذا اشتملت ‎sald)‏ شبه الموصلة على سيليكون؛ يمكن أن يكون السيليكون أحادي ‎lal‏ متعدد ‎Soka‏ ‏لامتبلّر. ‏يمكن أن تكون المنطقة المتفاعلة ضوئيًا وفقًا للاختراع مترادفة مع خلية شمسية من السيليكون تقليدية. على سبيل المثال؛ يمكن أن تشتمل المادة شبه الموصلة على طبقة من سيليكون متبلّر . ‎Ys‏ في بعض النماذج يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري على المناطق التالية بالترتيب التالي: ‎-١‏ إلكترود أول؛ "- منطقة متفاعلة ضوئيًا أولى كما هو معزف ‎IN‏ أي مكان في هذا الطلب؛ ‎aha —Y‏ 0 من مادة شبه موصلة من نوع م؛ ‎daha —¢‏ أولى من مادة شبه موصلة أصيلة ¢ ‎١‏ 0— طبقة (ب) من مادة شبه موصلة من نوع ‎SP‏ طبقة (ب) من مادة شبه موصلة من نوع ‎N‏ ‎daha 1‏ ثانية من مادة شبه موصلة أصيلة ¢ ‎-١‏ طبقة (ج) من مادة شبه موصلة من نوع ؛ و ‎=A‏ إلكترود ثان. في بعض ‎lal)‏ يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري على المناطق التالية بالترتيب التالي: ‎-١ ٠‏ إلكترود أول؛ ‎Y‏ — هذ منطقة أولى؛ ‎CAAA‏
‎١ h —_‏ *- طبقة من بروفسكيت شبه موصل بدون مسام مفتوحة؛ ؛- منطقة ثالثة؛ 0 طبقة (أ) من مادة شبه موصلة من نوع م؛ ‎daha 1‏ أولى من مادة شبه موصلة أصيلة ¢ #- طبقة (ب) من مادة شبه موصلة من نوع م أو طبقة (ب) من مادة شبه موصلة من نوع ‎N‏ ‎daha -A‏ ثانية من مادة شبه موصلة أصيلة ¢ 4- طبقة (ج) من مادة شبه موصلة من نوع ؛ و ‎-٠‏ إلكترود ثان؛ حيث تكون المنطقة الأولى عبارة عن منطقة من نوع ‎JAN‏ على طبقة واحدة على الأقل من ‎Ve‏ نوع “" وتكون المنطقة الثالثة عبارة عن منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع ‎Sep‏ ‏تكون المنطقة الأولى عبارة عن منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع م وتكون المنطقة الثالثة عبارة عن منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0. يمكن أن تكون أي من المكونات ‎Jo)‏ سبيل المثال؛ البروفسكيت؛ المنطقة الأولى أو المنطقة ‎Vo‏ الثالثة) في هذا الجهاز المترادف كما هو معرّف في أي مكان في هذا الطلب. يمكن أن يشتمل أي شبه موصل من النوع 0؛ من النوع أو متأصل مشار إليه على أي شبه موصل معرزف في أي مكان في هذا الطلب قد يكون على نحو ملائم مشاب من النوع 0؛ مشاب من النوع © أو غير مشابة. ‎(lle‏ تكون المنطقة الأولى عبارة عن منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من ‎Ye‏ نوع 0 وتكون المنطقة الثالثة عبارة عن منطقة من نوع ‎١‏ تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0. بناءً على ذلك؛ ستكون الطبقة من النوع م مجاورة للإلكترود الأول وسيتم عكس المنطقة المتفاعلة ضوئيًا من البروفسكيت ‎By‏ للاختراع. ‎ia‏ يكون الضوء الذي يسقط على الجهاز ‎ovvy‏
لل
‎abl‏ من خلال الإلكترود الأول. يمكن أن تكون المنطقة من النوع ‎٠‏ المشتملة على طبقة واحدة على الأقل من نوع ‎WSN‏ هو معرّف في هذا الطلب و / أو يمكن أن تكون المنطقة من النوع م
‏المشتملة على طبقة واحدة على الأقل من نوع ‎LSP‏ هو معرّف في هذا الطلب. غالبًا؛ في جهاز إلكتروني بصري ترادفي ‎By‏ للاختراع؛ تكون الطبقة (أ) من مادة شبه موصلة من © نوع م ‎Hle‏ عن طبقة من سيليكون لابلوري ‎amorphous silicon‏ من النوع م و / أو تكون الطبقة (ج) من مادة شبه موصلة من نوع 7 عبارة عن طبقة من سيليكون لابلوري من النوع 0. نمطيًا؛ تكون الطبقة (أ) من مادة شبه موصلة من نوع م عبارة عن طبقة من سيليكون لابلوري من النوع م وتكون الطبقة (ج) من مادة شبه موصلة من نوع ‎٠‏ عبارة عن طبقة من سيليكون لابلوري من النوع ‎٠‏ غالبًا؛ تكون الطبقة الأولى من مادة شبه موصلة أصيلة عبارة عن طبقة من سيليكون ‎٠‏ الابلوري متأصل ‎intrinsic amorphous silicon‏ و | أو تكون الطبقة الثانية من مادة شبه موصلة أصيلة عبارة عن طبقة من سيليكون لابلوري متأصل. في بعض الأحيان؛ تكون الطبقة الأولى من مادة شبه موصلة أصيلة عبارة عن طبقة من سيليكون لابلوري متأصل وتكون الطبقة الثانية من مادة شبه موصلة أصيلة عبارة عن طبقة من سيليكون لابلوري متأصل. في الجهاز المترادف؛ يمكن أن تكون الطبقة (ب) من مادة شبه موصلة من نوع م أو الطبقة (ب) من مادة ‎VO‏ شبه موصلة من نوع ‎N‏ عبارة عن طبقة من نوع م سيليكون متبلّر أو طبقة من نوع 0 سيليكون كما هو معرّف في أي مكان آخر في هذا الطلب؛ يشتمل الإلكترود الأول نمطيًا على أكسيد موصل شفاف و / أو يشتمل الإلكترود الثاني على فلز. غالبًا يشتمل الإلكترود الأول نمطي على أكسيد موصل شفاف ويشتمل الإلكترود الثاني على فلز. يمكن أن يكون الأكسيد الموصل الشفاف ‎WS ٠‏ هو ‎led Cie‏ سبق ‎Wes‏ يكون أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎FTO‏ الإنديوم أكسيد قصدير ‎dTo‏ أو أكسيد قصدير مشاب بألومنيوم ‎ITO Ghay AZO‏ قد يكون الفلز عبارة عن أي فلز. بشكل عام يشتمل الإلكترود الثاني على فلز مختار من فضة؛ ‎cand‏ نحاسء ألومنيوم؛ بلاتين؛ بالاديوم؛ أو تنجستين. يمكن أن تنطبق هذه القائمة من الفلزات أيضًا على حالات أخرى من الإلكترود الثاني في هذا الطلب. ‎(We‏ تشتمل ‎sale‏ الإلكترود الأول على الإنديوم أكسيد
‎CAAA
‎A —_‏ 7 _ قصدير 110 5 أو يشتمل الإلكترود الثاني على فضة. نمطيًاء تشتمل مادة الإلكترود الأول على الإنديوم أكسيد قصدير ‎ITO‏ ويشتمل الإلكترود الثاني على فضة. بدلاً من أن تكون المنطقة المتفاعلة ضوئيًا ‎Gy‏ للاختراع المشتملة على طبقة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة في حالة ترداف مع منطقة متفاعلة ضوئيًا من السيليكون؛ قد تكون في ‎Ala‏ ترادف © مع منطقة متفاعلة ضوئيًا لغشاء رقيق رفيع السمك. على سبيل ‎(Jad)‏ يمكن أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري على المناطق التالية بالترتيب التالي: ‎-١‏ إلكترود أول؛ "- منطقة متفاعلة ضوئيًا أولى كما هو معرّف في أي مكان ‎Led‏ سبق في هذا الطلب؛ *- تشتمل منطقة متفاعلة ضوئيًا ثانية على طبقة من ‎Sale‏ شبه موصلة؛ و ‎٠‏ 0 ¢— إلكترود ثان؛ حيث تشتمل ‎sald)‏ شبه الموصلة على طبقة من كبريتيد القصدير والزنك والنحاس»؛ سيلينيد القصدير والزنك والنحاس؛ كبريتيد سيلينيد القصدير والزنك والنحاس؛ سيلينيد الجاليوم والإنديوم والنحاس؛ داي سيلينيد الجاليوم والإنديوم والنحاس أو سيلينيد الإنديوم والنحاس. يمكن أن تكون الطبقة الخاصة بمادة شبه موصلة عبارة عن غشاء رقيق رفيع ‎SLL‏ لمادة شبه موصلة. ‎Vo‏ في أحد النماذج؛ يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري على المناطق التالية بالترتيب التالي: ‎-١‏ إلكترود أول؛ — منطقة متفاعلة ضوئيًا أولى كما هو معرّف ‎Led‏ سبق في هذا الطلب؛ *- طبقة من أكسيد موصل شفاف؛ ؛؟- طبقة (د) من مادة شبه موصلة من نوع ‎tN‏ ‎CAAA‏
0— طبقة من كبريتيد القصدير والزنك والنحاس؛ سيلينيد القصدير والزنك والنحاس؛ كبريتيد سيلينيد القصدير والزنك والنحاس؛ سيلينيد الجاليوم والإنديوم والنحاس؛ داي سيلينيد الجاليوم والإنديوم والنحاس أو سيلينيد الإنديوم والنحاس؛ و ‎١ -- 1‏ لكترود ثان. على سبيل المثال؛ يمكن أن يشتمل الجهاز الإلكتروني البصري بناءً على ذلك على المناطق التالية
بالترتيب التالي: ‎-١‏ إلكترود أول؛ ‎Y‏ — هذ منطقة أولى؛ *- طبقة من بروفسكيت شبه موصل بدون مسام مفتوحة؛
‎٠‏ 0 4- منطقة ثالثة؛ 0— طبقة من أكسيد موصل شفاف؛ ‎-١‏ طبقة (د) من مادة شبه موصلة من نوع ‎N‏ ‎-١‏ طبقة من كبريتيد القصدير والزنك والنحاس؛ سيلينيد القصدير والزنك والنحاس؛ كبريتيد سيلينيد القصدير والزنك والنحاس؛ سيلينيد الجاليوم والإنديوم والنحاس؛ داي سيلينيد الجاليوم والإنديوم
‎٠‏ والنحاس أو سيلينيد الإنديوم والنحاس؛ و 8- إلكترود ثان؛ حيث تكون المنطقة الأولى عبارة عن منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع © وتكون المنطقة الثالثة عبارة عن منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع ‎Sep‏
‎٠‏ - تكون المنطقة الأولى عبارة عن منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على ‎JY‏ من نوع م وتكون المنطقة الثالثة عبارة عن منطقة من نوع ‎Jasin‏ على طبقة واحدة على الأقل من نوع 7.
‏بالا
=« - يمكن أن تشتمل الطبقة (د) من مادة شبه موصلة من نوع ‎١7‏ على أي شبه موصل من أكسيد فلز أو كالكوجنيد. غالبًا؛ تشتمل الطبقة (د) من مادة شبه موصلة من نوع 7 على سلفيد كادميوم. ‎(Glas‏ في الجهاز المترادف المشتمل على غشاء رقيق رفيع ‎ld)‏ لشبه ‎(Junge‏ تكون المنطقة الأولى عبارة عن منطقة من نوع ‎١‏ تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 7 وتكون المنطقة © الثالثة عبارة عن منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0. يمكن أن تكون المنطقة من النوع ‎٠‏ المشتملة على طبقة واحدة على الأقل من نوع 7 كما هو معرّف في أي ‎Oe‏ ‏في هذا الطلب و / أو يمكن أن تكون المنطقة من النوع م المشتملة على طبقة واحدة على الأقل من نوع م كما هو معرّف في أي مكان في هذا الطلب. يمكن أن يكون الإلكترود الأول و / أو الإلكترود الثاني كما هو مُعرّفِ فيما سبق. نمطيًّا؛ يشتمل ‎٠‏ الإلكترود الأول على أكسيد موصل شفاف و / أو يشتمل الإلكترود الثاني على فلز. ‎(Wie‏ يشتمل الإلكترود الأول على أكسيد موصل شفاف ويشتمل الإلكترود الثاني على فلز. ‎Ghai‏ يشتمل الإلكترود الأول على الإنديوم أكسيد قصدير 110 و / أو يشتمل الإلكترود الثاني على تنجستين؛ أو يشتمل الإلكترود الأول على الإنديوم أكسيد قصدير 110 ويشتمل الإلكترود الثاني على ‎VO‏ يمكن أن يكون الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع عبارة عن أداة فلطائية ضوئية؛ صمام ثنائي ذي موصلية ضوئية ¢ ترانزستور ضوئي ؛ مضاعف ضوئي ¢ مقاوم ضوئي ؛ كاشف ضوئي؛ كاشف حساس للضوء؛ صمام ثلاثي في حالة صلبة؛ إلكترود بطارية؛ أداة باعثة للضوء؛ صمام ثنائي باعث للضوء؛ ترانزستور؛ خلية شمسية؛ ليزر؛ أو ليزر حقن لصمام ثنائي. في نموذج ‎(Junie‏ يكون الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع عبارة عن أداة فلطائية ‎٠‏ ضوئية؛ على سبيل المثال خلية شمسية. قد يكون الجهاز الإلكتروني البصري وفقًا للاختراع عبارة عن خلية شمسية. في نموذج ‎AT‏ مفضل؛ يكون الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع عبارة عن أداة باعثة للضوء؛ على سبيل المثال صمام ثنائي باعث للضوء. ‎ovvy‏
_— \ - يمكن إنتاج مركب البروفسكيت المستخدم في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع» في الطبقة المذكورة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ و / أو في الطبقة الأولى المذكورة؛ بواسطة عملية مشتملة على خلط: (أ) مركب أول مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون أول و(١)‏ أنيون أول؛ مع © (ب) مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون ثان و(١)‏ أنيون ثان؛ حيث: تكون الكاتيونات الأول والثاني كما هو معرّف في هذا الطلب للبروفسكيت؛ و يمكن أن تكون الأنيونات الأول والثاني عبارة عن أنيونات متشابهة أو مختلفة. يمكن؛ على سبيل ‎(JB‏ مواد البروفسكيت التي تشتمل على أنيون واحد على الأقل مختار من أنيونات هاليد وأنيونات كالكوجنيد؛ إنتاج عن طريق عملية مشتملة على خلط: أ 0 مركب أول مشتمل على ) ‎١‏ ( كاتيون أول و ) ‎Y‏ ( أنيون أول 3 مع (ب) مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون ثان و(؟) أنيون ثان؛ حيث: تكون الكاتيونات الأول والثاني كما هو مُعرّف في هذا الطلب للبروفسكيت؛ و يمكن أن تكون الأنيونات الأول والثاني عبارة عن أنيونات متشابهة أو مختلفة مختارة من أنيونات ‎١‏ هاليد وأنيونات كالكوجنيد. ‎(aa‏ تكون الأنيونات الأول والثاني عبارة عن أنيونات مختلفة. بصورة أكثر نمطية؛ تكون الأنيونات الأول والثاني عبارة عن أنيونات مختلفة مختارة من أنيونات هاليد. يمكن أن يشتمل البروفسكيت المنتج بواسطة العملية على كاتيونات إضافية أو أنيونات إضافية. على سبيل ‎JB‏ يمكن أن يشتمل البروفسكيت على اثنين» ثلاثة؛ أربعة من الكاتيونات المختلفة؛ ‎٠‏ أو اثنين؛ ثلاثة من أربعة من أنيونات مختلفة. يمكن ‎ply‏ على هذا أن تشتمل العملية لإنتاج البروفسكيت على خلط مركبات إضافية مشتملة على كاتيون إضافي أو أنيون إضافي. بشكل ‎ovvy‏
إضافي أو على نحو بديل؛ يمكن أن تشتمل العملية لإنتاج البروفسكيت على خلط (أ) و(ب) مع:
(ج) مركب ثالث مشتمل على ‎)١(‏ الكاتيون الأول و(7) الأنيون الثاني؛ أو (د) مركب رابع مشتمل
على ‎)١(‏ الكاتيون الثاني و(١)‏ الأنيون الأول.
‎Glas‏ في العملية لإنتاج البروفسكيت؛ يكون الكاتيون الثاني في بروفسكيت الأنيون المختلط
‏5 عبارة عن كاتيون فلز. بصورة أكثر نمطية؛ يكون الكاتيون الثاني عبارة عن كاتيون فلز ثنائي
‏التكافو. على سبيل المثال؛ يمكن اختيار الكاتيون الثاني من
‏أيون الكالسيوم ‎Calcium ions (Ca2+)‏ أيون سترونتيوم ‎«Strontium lon (Sr2)‏ أيون
‏الكاديون ‎«Cadmium ion (Cd2+)‏ أيون النحاس ‎copper ion (Cu2+)‏ أيون النيتروجين
‎ferrous ‏أيون الحديدي‎ (Manganese ion (Mn2+) ‏أيون المنجنيز‎ cnitrogen ion (Ni2+) «palladium ion (Pd2+) ‏أيون البالديوم‎ ccobaltion (Co2+) ‏أيون الكوبالت‎ dion (Fe2+) ٠
‏أيون الجرمانيوم ‎germanium ion (Ge2+)‏ أيون القصدير ‎ctinion (Sn2+)‏ أيون الرصاص
‎Ytterbium (YB2+) ‏أيون الايتربيوم‎ ctin ion (Sn2+) ‏أيون القصدير‎ dead ion (Pb2+)
‏0 وأيون الأوربيوم ‎europium (eu2+)‏ يمكن اختيار الكاتيون الثاني من أيون القصدير 150
‎don (Sn2+)‏ أيون البالديوم ‎(PA2+)‏ و أيون النحاس (+602). ‎dale‏ يتم اختيار الكاتيون ‎١٠‏ . الثاني من أيون القصدير +502 وأيون البالديوم ‎(+Pd2)‏
‏غالبًا؛ في العملية لإنتاج البروفسكيت؛ يكون الكاتيون الأول في بروفسكيت الأنيون المختلط عبارة
‏عن كاتيون عضوي.
‏عاد يكون للكاتيون العضوي الصيغة ‎«(R1 R2R3R4N)+‏ حيث:
‏1 تكون هيدروجين؛ أو ‎C20‏ - 61 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال»؛ أو أريل به استبدال ‎Yo‏ أو ليس به استبدال؛
‏2 تكون هيدروجين»؛ أو 620 - 61 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال» أو أريل به استبدال
‏أو ليس به استبدال؛
‏بالا
‎A Ad —_‏ _ ‎R3‏ تكون هيدروجين؛ أو ‎C1 - C20‏ ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال»؛ أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال؛ و 4 تكون هيدروجين»؛ أو 620 - 61 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال» أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال.
‏0 بشكل أساسي؛ في الكاتيون العضوي؛ 81 تكون هيدروجين؛ ميثيل أو ‎i)‏ 2 تكون هيدروجين؛ ميثيل أو ‎di)‏ 43 تكون هيدروجين؛ ميثيل أو إيثيل؛ ‎RA‏ تكون هيدروجين؛ ميثيل أو إيثيل. على سبيل المثال 41 يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل؛ ‎R2‏ يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل؛ ‎R3‏ يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل؛ ‎RA‏ يمكن أن تكون هيدروجين أو
‎١١‏ على نحو ‎ca‏ يمكن أن يكون للكاتيون العضوي الصيغة ‎«(R5NH3)+‏ حيث: ‎RS‏ تكون ‎copa jaa‏ أو 620 - 61 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال. على سبيل ‎RS (JE‏ يمكن أن تكون ميثيل أو إيثيل. نمطيّاء 45 تكون ميثيل. على نحو ‎ca‏ يمكن أن يكون للكاتيون العضوي الصيغة ‎«(R5R6N=CH-NRT7RS)+‏ حيث: ‎RS‏ تكون هيدروجين؛ ‎C20‏ - 61 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو أريل به استبدال أو ‎Vo‏ ليس به استبدال؛ ‎RO‏ تكون هيدروجين» ‎C20‏ - 61 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال» أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال؛ ‎RT‏ تكون هيدروجين؛ ‎C20‏ - 61 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال؛ ‎R8‏ تكون هيدروجين» ‎Cl - C20‏ ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال. ‎RS (Gha‏ في الكاتيون ‎(RSRON=CH-NRTR8)+‏ تكون هيدروجين؛ ميثيل أو إيثيل» ‎RO‏ ‎Yo‏ تكون هيدروجين؛ ميثيل أو ‎RT Ji‏ تكون هيدروجين؛ ميثيل أو إيثيل؛ و48 تكون هيدروجين؛ ميثيل أو إيثيل. على سبيل ‎RSE‏ يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل؛ ‎RE‏ يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل؛ ‎RT‏ يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل؛ و48 يمكن أن تكون هيدروجين أو يمكن أن يكون للكاتيون العضوي؛ على سبيل المثال؛ الصيغة ‎(H2N=CH-NH2)+‏ ‎CAAA‏
‎A ¢ —_‏ _ في العملية لإنتاج البروفسكيت؛ ‎file‏ ما يكون البروفسكيت عبارة عن بروفسكيت لهاليد مختلط حيث يكون الاثنين أو أكثر من الأنيونات المختلفة المذكورة عبارة عن اثنين أو أكثر من أنيونات هاليد مختلفة. ‎(Ga‏ في العملية لإنتاج البروفسكيت؛ يكون البروفسكيت عبارة عن مركب بروفسكيت بالصيغة ‎oe‏ (): )1( 8[]170[3][] حيث: ‎[A]‏ تكون كاتيون عضوي واحد على الأقل؛
[8] تكون كاتيون فلزي واحد على الأقل؛ و [©] تكون الاثنين أو أكثر من الأنيونات المختلفة المذكورة؛ و تشتمل العملية على خلط: (أ) مركب أول مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون فلز و(7) أنيون أول؛ مع (ب) مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون عضوي و(؟) أنيون ثان؛ حيث: ‎Ye‏ تكون الأنيونات الأول والثاني عبارة عن أنيونات مختلفة مختارة من أنيونات هاليد أو أنيونات كالكوجنيد. يمكن 3 على سبيل المثال 3 أن يشتمل البروفسكيت بالصيغة ) | ( على واحد 3 اثنين »+ ثلاث أربعة من كاتيونات فلز مختلفة؛ نمطيًا واحد أو اثنين من كاتيونات فلز مختلفة. يمكن؛ على سبيل المثال» أن يشتمل البروفسكيت بالصيغة ) | ( على ‎alg‏ اثنين »+ ثلاثة أربعة من كاتيونات ‎iy gua‏ مختلفة ‎Glass ٠‏ واحد؛ اثنين من كاتيونات عضوية مختلفة. يمكن؛ على سبيل المثال؛ أن يشتمل البروفسكيت بالصيغة ‎ol)‏ على اثنين؛ ثلاثة؛ أربعة من أنيونات مختلفة؛ نمطيًا اثنين أو ثلاثة من أنيونات ‎ovvy‏
هم مختلفة. يمكن أن تشتمل العملية؛ ‎ply‏ على هذاء على خلط مركبات إضافية مشتملة على كاتيون وأنيون. نمطيّاء ‎[X]‏ تكون اثنين أو أكثر من أنيونات هاليد مختلفة. تكون الأنيونات الأول والثاني نمطيًً عبارة عن أنيونات هاليد. على نحو بديل ‎[X]‏ يمكن أن تكون ثلاثة أيونات هاليد مختلفة. ومن ثم؛ 0 يمكن أن تشتمل العملية على خلط مركب ثالث مع المركب الأول والمركب الثاني؛ حيث يشتمل المركب الثالث على ‎)١(‏ كاتيون و(7) أنيون هاليد ثالث؛ حيث يكون الأنيون الثالث عبارة عن أنيون هاليد مختلف عن أنيونات الهاليد الأول والثاني. غالبًاء في العملية لإنتاج البروفسكيت؛ يكون البروفسكيت عبارة عن مركب بروفسكيت بالصيغة (ما):
AB[X]3 (IA) ٠ ‏حيث:‎ ‏تكون كاتيون عضوي؛‎ ‏تكون كاتيون فلز؛ و‎ 8 ‏تكون الاثنين أو أكثر من الأنيونات المختلفة المذكورة.‎ [X] ‏تشتمل العملية على خلط:‎ Vo ‏كاتيون فلز و(7) أنيون هاليد أول؛ مع‎ )١( ‏(أ) مركب أول مشتمل على‎ ‏كاتيون عضوي و(١) أنيون هاليد ثان:‎ )١( ‏(ب) مركب ثان مشتمل على‎ ‏حيث:‎ ‏تكون أنيونات الهاليد الأول والثاني عبارة عن أنيونات هاليد مختلفة.‎ ovVY
_ أ ‎A‏ _ عادةً؛ ‎[X]‏ تكون اثنين أو أكثر من أنيونات هاليد مختلفة. يُفضل؛ [*] تكون اثنين أو ثلاثة من أنيونات هاليد مختلفة. الأفضل؛ ‎[X]‏ تكون اثنين من أنيونات الهاليد المختلفة. في نموذج ‎[X] AT‏ تكون ثلاثة من أنيونات هاليد مختلفة. ‎(Ga‏ في العملية لإنتاج البروفسكيت؛ يكون البروفسكيت عبارة عن مركب بروفسكيت بالصيغة ‎(I) ٠‏ ‎ABX3-yX’y (II)‏ حيث: تكون كاتيون عضوي؛ 8 تكون كاتيون فلز؛ * تكون أنيون ‎alla‏ أول؛ تكون أنيون هاليد ثان يكون مختلقًا عن أنيون الهاليد الأول؛ و لا تكون من ‎٠.05‏ إلى 15,؛ و تشتمل العملية على خلط: (أ) مركب أول مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون فلز 5 ‎OX (Y)‏ مع ‎١٠‏ (ب) مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون عضوي 5 ‎DX (Y)‏ حيث تكون النسبة الخاصة ب ل إلى ”ل في الخليط تساوي ‎(YF)‏ : لا من أجل تحقيق النسبة المذكورة الخاصة ب )ل إلى ”ل التي تساوي ‎YF)‏ - لا) : ‎ay‏ يمكن أن تشتمل العملية على خلطمركب إضافي مع المركب الأول والمركب الثاني. على سبيل ‎JB‏ يمكن أن تشتمل العملية على خلط مركب ثالث مع المركب الأول والمركب ‎SE‏ حيث يشتمل المركب ‎٠‏ الثالث على ‎)١(‏ كاتيون الفلز و() ‎WX‏ على نحو بديل؛ يمكن أن تشتمل ‎dled‏ على خلط ‎ovvy‏
‎A 7 _‏ _ مركب ثالث مع المركب الأول والمركب الثاني؛ حيث يشتمل المركب الثالث على ‎)١(‏ الكاتيون العضوي ‎X (Y)s‏ ‎Bale‏ لا تكون من ‎٠,5‏ إلى م على سبيل المثال من دلت إلى ‎laa .Y,¥0‏ ¢ لا تكون من ‎١‏ ‎Ape‏ ‎clas ©‏ العملية لإنتاج البروفسكيت؛ يكون المركب الأول عبارة عن ‎BX2‏ ويكون المركب الثاني
‏عبارة عن ‎AX‏ ‎Wie‏ يتم إنتاج المركب الثاني عن طريق تفاعل مركب بالصيغة ‎(RSNH2)‏ حيث: ‎RS‏ تكون هيدروجين؛ أو ‎C20‏ - 61 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال» مع مركب بالصيغة ‎HX‏ ‎RS (lass‏ يمكن أن تكون ميثيل أو إيثيل؛ ‎RS We‏ تكون ميثيل.
‎: ١ ‏بنسبة مولارية‎ HX ‏والمركب بالصيغة‎ (RSNH2) ‏يتم إجراء تفاعل للمركب بالصيغة‎ dale) ‏يكون الإيثانول‎ Gast ALY ‏غالبًا؛ يحدث التفاعل في جو من النيتروجين وعادةً في إيثانول‎ .١ ‏مل من المركب‎ ١0 ‏إلى‎ ١١5 ‏مرة واقي. بصورة أكثر نمطية يتم تفاعل من‎ ٠00 ‏اللامائي حوالي‎ ‏في جو من النيتروجين في من‎ Zale (HX ‏مل من‎ ٠ ‏إلى‎ Yo ‏مع حوالي‎ (R5NH2) ‏بالصيغة‎ ‏05ا0+0/ا1ا80. يمكن أن تشتمل العملية أيضًا على‎ ethanol ‏مل إيثانول لامائي‎ Yor ‏إلى‎ ٠
‎Vo‏ خطوة لاستخلاص البروفسكيت لأنيون مختلط المذكور. ‎We‏ ما يتم استخدام مبخر دوّار لاستخلاص ‎AX‏ متبأر. ‎dale‏ تعتبر الخطوة الخاصة بخلط المركبات الأول والثاني خطوة لإذابة المركبات الأول والثاني في مذيب. يمكن أن تكون المركبات الأول والثاني مذابة بنسبة من ‎٠١0 : ١‏ إلى ‎Ghat ١ : ٠١‏ نسبة ‎.١ : ١‏ نمطيًا يكون المذيب ‎lie‏ عن داي ميثيل فورماميد ‎(DMF)‏ أو الماء. عندما يكون
‎٠‏ كاتيون الفلز هو أيون البالديوم +062 عادةٌ ما يكون المذيب هو داي ميثيل فورماميد. عندما يكون كاتيون الفلز +502 ‎Sale‏ ما يكون المذيب هو الماء. يكون استخدام داي ميثيل فورماميد ‎DMF‏ ‏أو الماء كمذيب مفيدًا إذ أن هذه المذيبات تكون غير متطايرة لحد كبير. يمكن تحضير المادة شبه الموصلة من طبقة البروفسكيت في الأجهزة المبتكرة عن طريق معالجة محلول أو عن طريق التبخير في وسط خوائي. تكون درجة حرارة المعالجة المنخفضة أمرًا مهمًا
‎ovvy
‎A A —_‏ _ لتقليل تكلفة التصنيع؛ مما يسمح بالمعالجة على طبقات أساسية من البلاستيك والمعالجة على قمة الطبقات الأخرى للسماح بإنتاج خلايا شمسية مترادفة ومتعددة الوصلات. في هذا الطلب» يوضح المخترعون أن الأجهزة الخاصة بالاختراع يمكن أن تعمل مع كل الطبقات المعالجة عند درجة حرارة منخفضة متضمنة مادة الدعم المؤقتة القابلة للمعالجة بمحلول. © يوفر ا لاختراع عملية لإنتا ‎z‏ جهاز إلكتروني بصري يشتمل على منطقة متفاعلة ضوئيًا ‎»٠‏ تشتمل
‏المنطقة المتفاعلة ضوئيًا هذه على: منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛ منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع ©؛ و يتم فيما بين المنطقة من النوع 7 والمنطقة من النوع 0 وضع:
‎daha ١١‏ من مادة شيه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة تشتمل هذه العملية على: (أ) توفير منطقة أولى؛ (ب) وضع منطقة ثانية على المنطقة الأولى؛ تشتمل المنطقة الثانية هذه على طبقة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ و
‎VO‏ (ج) وضع منطقة ثالثة على المنطقة الثانية؛ حيث: تكون المنطقة الأولى عبارة عن منطقة من نوع ‎Jilin‏ على طبقة واحدة على الأقل من نوع © وتكون المنطقة الثالثة عبارة عن منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع م؛ أو
‎٠‏ تتكون المنطقة الأولى عبارة عن منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع م وتكون المنطقة الثالثة عبارة عن منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0.
‎CAAA
‎A q —_‏ _ ‎lle‏ تكون المنطقة الأولى عبارة عن منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع © وتكون المنطقة الثالثة عبارة عن منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع ‎P‏ ‏في العملية الخاصة بالاختراع؛ يمكن أن تكون المنطقة من النوع ‎in‏ الطبقة من النوع ‎in‏ المنطقة من النوع م والطبقة من النوع م كما هو ‎ae‏ بشكل إضافي في هذا الطلب من قبل للجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع. ‎(Wal‏ قد تكون الطبقة الخاصة بالمادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ والمادة شبه الموصلة من البروفسكيت نفسهاء كما هو ‎Cape‏ ‏بشكل إضافي فيما سبق في هذا الطلب. في أحد النماذج الخاصة بالعملية الخاصة بالاختراع؛ تشتمل الخطوة (ب)؛ الخاصة بوضع المنطقة ‎٠‏ الثانية على المنطقة الأولى» على: إنتاج طبقة صلبة من البروفسكيت على المنطقة الأولى عن طريق ترسيب البخار. في هذا النموذج؛ تشتمل الخطوة الخاصة بإنتاج طبقة صلبة عن طريق ترسيب البخار نمطيًا على: ‎)١(‏ تعريض المنطقة الأولى إلى بخارء يشتمل هذا البخار على البروفسكيت المذكور أو واحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة لإنتاج البروفسكيت المذكور؛ و ‎)١( ١‏ السماح بترسيب البخار على المنطقة الأولى؛ لإنتاج طبقة صلبة من البروفسكيت المذكور عليها. يمكن أن يكون البروفسكيت في البخار عبارة عن أي من مواد البروفسكيت التي تمت مناقشتها في هذا ‎lhl)‏ من قبل للجهاز الإلكتروني البصري الخاص ‎fall‏ ويكون ‎Bad‏ بروفسكيت بالصيغة (ا)؛ ‎(IA)‏ أو (اا) كما هو معرّف فيما سبق في هذا الطلب. ‎Yo‏ يمكن أن تشتمل الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة لإنتاج البروفسكيت المذكور على أنواع المادة المتفاعلة التي تمت مناقشتها فيما سبق للعملية الخاصة بتخليق مركبات البروفسكيت. وبالتالي؛ يمكن أن تشتمل الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة على: ‎CAAA‏
‎q «=‏ _ 0 مركب أول مشتمل على ) ‎١‏ ( كاتيون أول و ) ‎Y‏ ( أنيون ‎Js‏ ¢ و (ب) مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون ثان و(7) أنيون ثان؛ كما هو معرّف ‎lad‏ سبق في هذا الطلب للعملية لإنتاج مركب البروفسكيت المستخدم في الجهاز بشكل أكثر ‎diag‏ يمكن أن تشتمل الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة على: (أ) مركب أول مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون فلز و(7) أنيون أول؛ مع (ب) مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون عضوي و(١)‏ أنيون ثان؛ حيث تكون الأنيونات الأول والثاني عبارة عن أنيونات مختلفة مختارة من أنيونات هاليد أو أنيونات كالكوجنيد؛ كما هو معرّف فيما سبق في هذا الطلب للعملية لإنتاج مركب البروفسكيت المستخدم على سبيل ‎(JE‏ يمكن أن تشتمل الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة على: (أ) مركب أول مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون فلز و(7) أنيون هاليد أول؛ مع (ب) مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون عضوي و(١)‏ أنيون هاليد ثان؛ حيث تكون أنيونات الهاليد الأول والثاني عبارة عن أنيونات هاليد مختلفة؛ ‎VO‏ كما هو معزرّف فيما سبق في هذا الطلب للعملية لإنتاج مركب البروفسكيت المستخدم في الجهاز الواحدة أو أكثر من ‎ddl‏ المتفاعلة ‎Gla‏ على )( يوديد الرصاص ‎PbI2‏ و(ب) ‎.CH3NH3CI‏ ‎YS‏ بشكل عام تشتمل العملية بشكل إضافي على إنتاج البخار في المقام الأول عن طريق تبخير البروفسكيت المذكور أو تبخير الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة المذكورة لإنتاج البروفسكيت ‎ovvy‏
Cay ‏المذكور. في هذه الخطوة؛ يتم نمطيًا نقل البروفسكيت أو الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة‎ ‏لإنتاج البروفسكيت إلى غرفة تبخير يتم تفريغها لاحقًا. بعد ذلك؛ يتم نمطيًا تسخين البروفسكيت أو‎ ‏الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة لإنتاج البروفسكيت.‎ ‏ثم يتم تعريض البخار الناتج إلى؛ وبالتالي؛ ترسيبه على المنطقة الأولى؛ لإنتاج طبقة صلبة من‎ ‏البروفسكيت المذكور عليها. إذا تم استخدام المواد المتفاعلة؛ فإنها تتفاعل معًا في الموقع لإنتاج‎ 5 ‏البروفسكيت على المنطقة الأولى.‎ elas ‏يتم السماح لترسيب البخار بالاستمرار حتى يكون للطبقة الصلبة من البروفسكيت‎ (Bla ‏ميكرو مترء أو بصورة أكثر‎ ٠٠١ ‏نانو متر إلى‎ ٠١ ‏يبلغ من‎ oll ‏مرغوب فيه؛ على سبيل المثال‎ ‏ميكرو متر. يُفضل؛ يتم السماح لترسيب البخار بالاستمرار حتى‎ ٠١ ‏نانو متر إلى‎ ٠١ ‏نمطية من‎ ‏نانو مترء أو على‎ ٠٠٠١ ‏نانو متر إلى‎ 5٠ ‏يكون للطبقة الصلبة من البروفسكيت مك يبلغ من‎ ٠ ‏نانو متر. على سبيل المثال؛ يمكن الاستمرار في‎ 70١0 ‏نانو متر إلى‎ ٠٠١ ‏سبيل المثال من‎ ‏من المسحوق على المنطقة‎ jie ‏نانو‎ 70٠0 ‏نانو متر إلى‎ ٠٠١ ‏الترسيب حتى يتم ترسيب تقريبًا من‎ ‏الأولى.‎ ‏يبلغ على الأقل‎ old ‏يمكن أن يستمر ترسيب البخار حتى يكون للطبقة الصلبة من البروفسكيت‎ ‏نمطيّاء على سبيل المثال يستمر حتى يكون للطبقة الصلبة من البروفسكيت سمك‎ jie ‏نانو‎ ٠٠١ ١ 700 ‏نانو متر إلى‎ ٠٠١ ‏ميكرو مترء أو على سبيل المثال من‎ ٠٠١ ‏نانو متر إلى‎ ٠٠١ ‏يبلغ من‎ ‏نانو متر.‎ ‏لقد المخترعون أن عملية ترسيب بخار مزدوج المصادر تسمح بترسيب طبقات متناسقة من‎ ‏البروفسكيت. يعتبر ترسيب البخار واحدًا من أكثر الطرق شيوعًا في التصنيع على صعيد كبير‎ ‏بُِمك مقنن ويشير تقليديًا إلى ترسيب أغشية رقيقة رفيعة‎ SL) ‏لترسيب أغشية رقيقة رفيعة‎ ٠ ‏عن طريق تكثيف صورة متبخرة من مادة الغشاء الرقيق المرغوب فيها على سطح في وسط‎ lal) ‏الترسيب‎ Jie din ‏خوائي. لقد تم بحث طرق الترسيب الخاصة بالبروفسكيت غير العضوي‎ ‏بالليزر النبضي وترسيب محلول كيميائي. لقد تم ترسيب البروفسكيت غير العضوي - العضوي‎ ‏أو‎ (C6H5C2HANH3)2Pbi4 ‏يوديد الرصاص‎ Jie BALE
CAAA
‎q \ —_‏ _ ‎((COHSC2H4NH3)2PbBr4‏ _بنجاح ‎oe‏ خلال الترسيب الحراري لمصدر فردي. مع ذلك؛ نحو نادر بسبب الاختلاف المؤثر الخصائص الفيزيائية والكيميائية فيما بين المواد غير العضوية والعضوية؛ تم تطبيق الترسيب الحراري مزدوج المصادر لتبخير المصدر العضوي والمصدر غير ‎o‏ العضوي في نفس الوقت ولكن مع تحكم مستقل ‎(V.
K.
Dwivedi, J.
J.
Baumberg, and G.
V.
Prakash, “Direct deposition of‏ ‎inorganic—organic hybrid semiconductors and their template —assisted‏ ‎microstructures,” Materials Chemistry and Physics, vol. 137, no. 3, pp.‏ ‎Jan. 2013).‏ ,941-946 ‎Baa)‏ تم اقتراح الترسيب الكهروكيميائي المعزز بقالب للحصول على فئة جديدة من بروفسكيت مختلط ‎(C12H25NH3)2Pbl4‏ في بنى جيدة متعددة المقادير مع إنبعاث قوي للإكسيتون. لقد تم أيضًا اقتراح أنه يمكن بشكل مباشر قطع هذه المواد إلى بنى فوتونية ثنائية الأبعاد قد تكون ‎sade‏ للغاية في الأدوات الفلطائية الضوئية. دائمًا ما ‎Jie‏ ترسيب مواد البروفسكيت العضوية - غير العضوية المختلطة ‎(Gand‏ لأن غاليبة المواد العضوية تكون متطايرة للغاية وتتحلل سريعًاء ‎VO‏ ويؤدي هذا إلى جعل التحكم في عملية الترسيب أكثر تعقيدًا. في أحد النماذج؛ تشتمل الخطوة (ب) الخاصة بوضع المنطقة الثانية على المنطقة الأولى على: إنتاج طبقة صلبة من البروفسكيت عن طريق ترسيب البخارء حيث يكون ترسيب البخار عبارة عن ترسيب بخار مزدوج المصادر. يشير المصطلح 'ترسيب بخار مزدوج المصادر"؛ كما هو مستخدم في هذا الطلب إلى عملية ‎٠‏ ترسيب بخار حيث يشتمل البخار الذي يتم ترسيبه على طبقة تحتية على اثنين أو أكثر من المكونات التي تنشاً من اثنين من المصادر المتميزة. ‎Ghat‏ سينتج مصدر أول بخارًا مشتملاً على مكون أول وسينتج مصدر ثان بخارًا مشتملاً على مكون ثان. يمكن أيضنًا أن يتم تمديد ترسيب البخار مزدوج المصادر ليتضمن ترسيب بخار ثلاثي أو رباعي المصادر؛ بالرغم من أن الترسيب مزدوج المصادر يكون مفضلاً بشكل طبيعي. ‎ovvY‏
_ q —
في أحد النماذج؛ تشتمل الخطوة (ب) الخاصة بوضع المنطقة الثانية على المنطقة الأولى على:
‎)١(‏ تعريض المنطقة الأولى إلى ‎lay‏ يشتمل هذا البخار على اثنتين من المواد المتفاعلة لإنتاج
‏البروفسكيت المذكور؛ و
‏(7) السماح بترسيب البخار على المنطقة الأولى؛ لإنتاج طبقة صلبة من البروفسكيت المذكور © عليها؛
‏حيث ‎)١(‏ يشتمل بشكل إضافي على إنتاج البخار المذكور المشتمل على اثنتين من المواد
‏المتفاعلة لإنتاج البروفسكيت المذكور عن طريق تبخير مادة متفاعلة أولى من مصدر أول وتبخير
‏مادة متفاعلة ثانية من مصدر ‎Ob‏
‏يمكن أن تكون المواد المتفاعلة كما هو معرّف في هذا الطلب لإنتاج بروفسكيت. يمكن أن يشتمل
‎٠‏ البخار على نحو بديل على ثلاثة أو أكثر من المواد المتفاعلة. يتم ‎Ghd‏ وضع الاثنين من المصادر عند نفس المسافة من المنطقة الأولى؛ غالبًا من ‎٠١‏ إلى 560 سم. ‎We‏ ما تشتمل المادة المتفاعلة الأولى على مركب أول مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون أول و(7) أنيون أول؛ وتشتمل ‎sald)‏ المتفاعلة الثانية على مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون ثان و(١)‏ أنيون ثان. في بعض الحالات؛ سيكون الكاتيون الأول هنا عبارة عن كاتيون فلز. في بعض الحالات
‎Vo‏ سيكون الكاتيون الثاني هنا عبارة عن كاتيون عضوي. بناءً على ذلك؛ يمكن أن تشتمل المادة المتفاعلة الأولى على مركب أول مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون فلز 5 ‎(V)‏ أنيون أول؛ ويمكن أن تشتمل المادة المتفاعلة الثانية على مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون عضوي و(١)‏ أنيون ثان. يُفضل يكون كاتيون الفلز كاتيون فلز ثنائي التكافو. على سبيل ‎(JB‏ يمكن أن يكون كاتيون الفلز عبارة عن كاتيون مختار من :
‎٠‏ أيون الكالسيوم ‎(Ca2+)‏ أيون سترونتيوم (522)؛ أيون الكاديون (+602)؛ أيون النحاس ‎((Cu2+)‏ أيون النيتروجين ‎((Ni2+)‏ أيون المنجنيز ‎(MN2+)‏ أيون الحديدي (+62)؛ أيون الكوبالت ‎((Co2+)‏ أيون البالديوم (+002)؛ أيون الجرمانيوم ‎(Ge2+)‏ أيون القصدير (5027)؛ أيون ‎«(Pb2+) aba)‏ أيون القصدير (5027)؛ أيون الايتربيوم ‎(YB2+)‏ وأيون الأوربيوم (+602). يمكن اختيار الكاتيون الثاني من أيون القصدير ‎(SN2+4)‏ أيون البالديوم
‎ovvy
‎q ¢ —_‏ _ ‎(P24)‏ و أيون النحاس (+602). ‎dale‏ يتم اختيار الكاتيون الثاني من أيون القصدير +502 وأيون البالديوم ‎(+Pd2)‏ ‏من هذه الكاتيونات؛ فإنه من المفضل أن يكون كاتيون الفلز ثنائي التكافؤ هو +552 أو أيون القصدير (502+). ‎We fo]‏ ما يكون للكاتيون العضوي الصيغة ‎«(R1 R2R3R4N)+‏ حيث: 1 تكون هيدروجين؛ أو ‎C1 - C20‏ ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال»؛ أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال؛ 2 تكون هيدروجين»؛ أو 620 - 61 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال» أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال؛ ‎Ys‏ 83 تكون هيدروجين» أو 620 - ‎C1‏ ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال؛ و 4 تكون هيدروجين»؛ أو 620 - 61 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال. يمكن أن يكون الكاتيون العضوي كما هو معرّف في أي مكان في هذا الطلب. ‎We‏ يكون ‎Yo‏ للكاتيون العضوي الصيغة ‎«(RSNH3)+‏ حيث: ‎RS‏ تكون هيدروجين» أو 620 - 61 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال. على سبيل المثال؛ يكون للكاتيون العضوي الصيغة ‎((RSNH3)+‏ ‏حيث: ‎RS‏ تكون ميثيل؛ إيثيل؛ بروبيل أو بيوتيل؛ يُفضل ميثيل أو إيثيل. في بعض الحالات يمكن أن يكون الكاتيون العضوي عبارة عن كاتيون ميثيل أمونيوم. على نحو ‎ca‏ يكون للكاتيون العضوي الصيغة ‎«(R5R6N=CH-NR7RS)+‏ حيث: ‎RS‏ ‎Yo‏ تكون هيدروجين؛ ‎C20‏ - 61 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال؛ 6 تكون هيدروجين» ‎C20‏ - 61 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال؛ ‎RT‏ تكون هيدروجين؛ ‎C20‏ - 61 ألكيل به استبدال أو ليس به ‎ovvy‏
اج ‎q‏ _ استبدال» أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال؛ و8 تكون هيدروجين» ‎C20‏ - 61 ألكيل به استبدال أو ليس به استبدال؛ أو أريل به استبدال أو ليس به استبدال. ‎R5 «Glas‏ في الكاتيون +(6584611-611-118788) تكون هيدروجين» ميثيل أو ‎R6 «Ji‏ تكون هيدروجين؛ ميثيل أو ‎RT edi)‏ تكون هيدروجين؛ ميثيل أو إيثيل؛ و48 تكون هيدروجين؛ © ميثيل أو إيثيل. على سبيل المثال45 يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل؛ ‎RE‏ يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل؛ ‎RT‏ يمكن أن تكون هيدروجين أو ميثيل؛ و48 يمكن أن تكون هيدروجين أو يمكن أن يكون للكاتيون العضوي؛ على سبيل ‎(JE‏ الصيغة ‎(H2N=CH-NH2)+‏ ‏يمكن أن تكون الأنيونات الأول والثاني عبارة عن أية أنيونات؛ ولكن يتم اختيارها نمطيًا من أيونات ‎٠‏ هاليد (على سبيل المثال؛ فلوريد؛ كلوريد؛ بروميد ويوديد) أو أيونات كالكوجنيد (على سبيل المثال؛ سلفيد؛ سيلينيد وتيلوريد). ‎le‏ سيكون البروفسكيت عبارة عن بروفسكيت من هاليد مختلط أو كالكوجنيد مختلط وتكون الأنيونات الأول والثاني عبارة عن أنيونات مختلفة مختارة من أيونات هاليد أو أيونات كالكوجنيد. يُفضل تكون الأنيونات الأول والثاني عبارة عن أنيونات هاليد. نمطي ؛ تكون الأنيونات الأول والثاني عبارة عن أنيونات مختلفة مختارة من أنيونات هاليد. على سبيل ‎Ve‏ المثال؛ يكون الأنيون الأول والأنيون الثاني عبارة عن واحد من الأزواج التالية باعتبارها (الأنيون الأول : الأنيون الثاني) : (فلوريد : كلوريد)؛ (كلوريد : فلوريد)؛ (فلوريد : بروميد)؛ (بروميد : فلوريد)» (فلوريد : يوديد)؛ (يوديد : فلوريد)؛ (كلوريد : بروميد)؛ (بروميد : كلوريد)؛ (كلوريد : يوديد)؛ (يوديد : كلوريد)؛ (بروميد : يوديد) أو (يوديد : بروميد). في بعض النماذج؛ ستشتمل المادة المتفاعلة الأولى على داي هاليد ‎«JB‏ وستشتمل ‎sald)‏ المتفاعلة ‎٠‏ الثانية على ملح هاليد من حمض عضوي. على سبيل ‎(JB‏ يمكن أن تشتمل المادة المتفاعلة الأولى على مركب أول يكون عبارة عن ‎BX2‏ ويمكن أن تشتمل المادة المتفاعلة الثانية على مركب ثان يكون عبارة عن ‎AX‏ حيث 8 تكون كاتيون أول؛ ‎X‏ تكون أنيون أول؛ ‎A‏ تكون كاتيون ثان وكأ © أنيون ثان. يمكن أن تكون كل من الكاتيونات والأنيونات كما هو مُعرّف فيما ‎CAAA‏
_ أ ‎q‏ _ سبق. في بعض الأحيان؛ تشتمل المادة المتفاعلة الأولى على مركب أول يكون عبار عن ‎BX2‏ ‏وتشتمل ‎sald)‏ المتفاعلة الثانية على مركب ثان يكون عبارة عن ‎AX‏ حيث 8 تكون كاتيون مختار من أيون الكالسيوم ‎(Ca2+)‏ أيون سترونتيوم (522)؛ أيون الكاديون (+602)؛ أيون النحاس © (+602)؛ أيون النيتروجين ‎((Ni24)‏ أيون المنجنيز (+1/02)؛ أيون الحديدي (+62)؛ أيون الكوبالت ‎((Co2+)‏ أيون البالديوم (+002)؛ أيون الجرمانيوم ‎(Ge2+)‏ أيون القصدير (5027)؛ أيون ‎«(Pb2+) aba)‏ أيون القصدير (5027)؛ أيون الايتربيوم ‎(YB2+)‏ وأيون الأوربيوم (+602). يمكن اختيار الكاتيون الثاني من أيون القصدير ‎(SN2+4)‏ أيون البالديوم (+002) و أيون النحاس (+602). ‎dale‏ يتم اختيار الكاتيون الثاني من أيون القصدير +502 ‎٠‏ وأيون البالديوم ‎(+Pd2)‏ ‏تكون أنيون مختار من ل -ان ‎Br-‏ و- ‎ol‏ ‎A‏ تكون كاتيون بالصيغة ‎((RSNH3)+‏ حيث: ‎RS‏ تكون هيدروجين؛ أو ‎C20‏ - 61 ألكيل به استيدال أو ليس به استيدال, ‎xX’‏ تكون أنيون مختار من ل -ان ‎Br-‏ و-ا 9% ‎X Yo‏ و كل تكون عبارة عن أنيونات مختلفة. يمكن أن تشتمل المادة المتفاعلة الأولى على هاليد رصاص أو هاليد قصدير ويمكن أن تشتمل المادة المتفاعلة الثانية على هاليد ميثيل أمونيوم أو هاليد إيثيل أمونيوم» حيث أيون الهاليد في ‎sald)‏ المتفاعلة الأولى والمادة المتفاعلة الثانية يكون مختلقًا. غالبًا؛ تشتمل ‎salad)‏ المتفاعلة الأولى على فلوريد قصدير وتشتمل المادة المتفاعلة الثانية على كلوريد ميثيل أمونيوم « بروميد ميثيل ‎AK‏ أمونيوم أو يوديد ميثيل أمونيوم تشتمل المادة المتفاعلة الأولى على كلوريد رصاص أو كلوريد قصدير وتشتمل المادة المتفاعلة الثانية على بروميد ميثيل أمونيوم أو يوديد ميثيل أمونيوم ‎ovvy‏
‎q 7 _‏ _ تشتمل المادة المتفاعلة الأولى على بروميد رصاص أو بروميد قصدير وتشتمل المادة المتفاعلة الثانية على كلوريد ميثيل أمونيوم أو يوديد ميثيل أمونيوم؛ أو تشتمل المادة المتفاعلة الأولى على يوديد رصاص أو بروميد قصدير وتشتمل المادة المتفاعلة الثانية على كلوريد ميثيل أمونيوم أو بروميد ميثيل أمونيوم . © يُفضل؛ تشتمل المادة المتفاعلة الأولى على كلوريد رصاص وتشتمل المادة المتفاعلة الثانية على يوديد ميثيل أمونيوم. تنطبق هذه الأزواج من المركب ‎Wad‏ على طرق الترسيب ‎GAY‏ الخاصة ببروفسكيت؛ على سبيل المثال؛ ترسيب محلول. على نحو ‎A diy‏ يمكن أن تكون كاتيون أحادي التكافؤ غير عضوي. على سبيل المثال؛ ‎A‏ ‎Yo‏ يمكن أن تكون كاتيون من فلز مجموعة ‎١‏ مثل +08. ‎AY‏ كانت غير عضوية؛ يمكن أن يكون الاثنين من أنيونات الهاليد في كل ‎sale‏ متفاعلة متشابهين أو مختلفين. على سبيل ‎(JE‏ يمكن أن تشتمل ‎sald)‏ المتفاعلة الأولى على مركب أول ‎BX2‏ ويمكن أن تشتمل ‎sald)‏ المتفاعلة الثانية على مركب ثان يكون عبارة عن ‎AX‏ حيث أيون الكالسيوم ‎(Ca2+)‏ أيون سترونتيوم (522)؛ أيون الكاديون (+602)؛ أيون النحاس ‎((Cu2+) ١‏ أيون النيتروجين (+8012)؛ أيون المنجنيز ‎(MN2+)‏ أيون الحديدي (+62)؛ أيون الكوبالت ‎((Co2+)‏ أيون البالديوم (+002)؛ أيون الجرمانيوم ‎(Ge2+)‏ أيون القصدير (5027)؛ أيون ‎«(Pb2+) aba)‏ أيون القصدير (5027)؛ أيون الايتربيوم ‎(YB2+)‏ وأيون الأوربيوم (+602). يمكن اختيار الكاتيون الثاني من أيون القصدير ‎(SN2+4)‏ أيون البالديوم (+002) و أيون النحاس (+602). ‎dale‏ يتم اختيار الكاتيون الثاني من أيون القصدير +502 ‎٠‏ وأيون البالديوم ‎(+Pd2)‏ ‏تكون أنيون مختار من ل -ان ‎Br-‏ و- ‎ol‏ ‎,Cs+ KA‏ ‎xX’‏ تكون أنيون مختار من ل -ان ‎Br-‏ و-ا 9% ‎CAAA‏
-م4- ‎X‏ و ”)ل تكونا متشابهتين أو مختلفتين. يمكن أن ينتج ترسيب البخار المزدوج باستخدام هذه المواد المتفاعلة طبقات من بروفسكيت بالصيغة ‎(IB)‏ كما هو مُعرّف فيما سبق؛ على سبيل المثال 0550863. على نحو بديل؛ يمكن إنتاج ‎CsSNBr3-yly‏ (حيث لا تكون كما هو معرٌّف في الصيغة || السابقة). © يسمح ترسيب البخار المزدوج بتقنين معدل التبخير (الموضح هنا بالأنجستروم لكل ثانية) من كل مكون؛ وبالتالي يؤدي الأمر إلى ترسيب أكثر تقنيئًا. ‎(Bans‏ يكون معدل التبخير الخاص بالمادة المتفاعلة الأولى (اختياريًا المشتملة على كاتيون فلز) من ‎١.١‏ إلى ‎٠١‏ أنجستروم / ثانية؛ أو من ‎١‏ إلى © أنجستروم / ثانية ويكون معدل التبخير الخاص بالمادة المتفاعلة الثانية (اختياريًا المشتملة على كاتيون عضوي) من ‎١‏ إلى ‎٠١0‏ أنجستروم / ثانية أو من ‎١‏ إلى ‎٠١‏ أنجستروم / ‎٠‏ ثانية. يمكن التحكم في مقدار البروفسكيت المترسب عن طريق تغيير مقدار الزمن الذي يتم تفعيل الترسيب له. ‎cia‏ يمكن إجراء ترسيب البخار (إما في الحالات ذات المصدر الفردي أو الحالات مزدوجة المصادر) لمدة من © إلى 60 دقيقة أو من ‎٠١‏ إلى £0 دقيقة. سيعتمد زمن الترسيب على معدل التبخير المستخدم. ‎(We‏ يتم تفضيل مقدار زائد من المكون الثاني؛ ويمكن أن تبلغ النسبة المولارية الخاصة بالمادة المتفاعلة الأولى والمادة المتفاعلة الثانية المترسبة من ‎١ : ١‏ إلى ‎11:١ Ye‏ أو من ‎١‏ : ؟؛ إلى ‎NTs)‏ يمكن إيقاف ترسيب البخار عندما يتم الحصول على ‎Ss‏ ‏الطبقة المرغوب فيه. يتم بشكل عام إجراء ترسيب البخار في غرفة بضغط يبلغ أقل من ‎000٠‏ باسكال؛ على سبيل المثال أقل من 0000801 باسكال. ‎fale‏ ما تشتمل الخطوة الخاصة بوضع المنطقة الثانية على المنطقة الأولى عن طريق ترسيب البخار بشكل إضافي على: (7) تسخين الطبقة الصلبة من ‎٠‏ البروفسكيت المنتج. ‎fale‏ ما تشتمل الخطوة الخاصة بتسخين الطبقة الصلبة من البروفسكيت على تسخين الطبقة الصلبة من البروفسكيت في جو خامل. نمطيًاء لا تتجاوز درجة الحرارة التي عندها يتم تسخين الطبقة الصلبة من البروفسكيت ‎١560‏ درجة مثوية. ‎(Jilly‏ يمكن تسخين الطبقة الصلبة من البروفسكيت عند درجة حرارة تبلغ من ‎Tr‏ درجة ‎Asie‏ إلى ‎١5١0‏ درجة مئوية؛ ويُفضل أن يتم ‎ovvy‏
التسخين عند درجة حرارة تبلغ من 50 درجة مثوية إلى ‎٠١١‏ درجة مثوية. يمكن تسخين الطبقة الصلبة من البروفسكيت عند درجة الحرارة المذكورة حتى يكون لها الخصائص شبه الموصلة المرغوب فيها. عادةً؛ يتم تسخين الطبقة الصلبة من البروفسكيت ‎sad‏ على الأقل ‎١0‏ دقيقة؛ يُفضل لمدة على الأقل ‎١‏ ساعة. في بعض ‎zal‏ يتم تسخين الطبقة الصلبة من البروفسكيت 0 حتى يتم الحصول على الخصائص شبه الموصلة المرغوب ‎clad‏ التي يمكن قياسها بواسطة الطرق الروتينية لقياس الموصلية والمقاومية. يتم في بعض الحالات تسخين الطبقة الصلبة من البروفسكيت حتى تتم ملاحظة تغير في اللون؛ يدلل التغير في اللون على أنه تم الحصول على الخصائص شبه الموصلة المرغوب فيها. في ‎Alla‏ البروفسكيت ا©0113111135512؛ يكون التغير
في اللون ‎Glass‏ من الأصفر إلى البني.
‎٠‏ يمكن ترسيب المنطقة الثانية على المنطقة الأولى بواسطة طريقة مشتملة على وضع طبقة صلبة من مركب أول (مادة منتجة لبروفسكيت أولى) على المنطقة الأولى؛ ثم معالجة الطبقة المترسبة بمحلول من مركب ثان (مادة منتجة لبروفسكيت ثانية). يمكن الإشارة إلى هذا باعتباره "الطريقة ذات الخطوتين”. يمكن ترسيب الطبقة الصلبة من ‎sale‏ منتجة لبروفسكيت أولى عن طريق الترسيب في وسط خوائي. ثم تتم معالجة هذه الطبقة الصلبة بمحلول من مادة منتجة لبروفسكيت ثانية. بعد
‎١‏ ذلك تتفاعل ‎sald)‏ المنتجة الثانية في المحلول مع الطبقة الصلبة الموجودة من المادة المنتجة للبروفسكيت الأولى لإنتاج طبقة صلبة من البروفسكيت. يمكن معالجة الطبقة الصلبة من محلول مادة منتجة لبروفسكيت أولى باستخدام محلول مشتمل على المادة المنتجة للبروفسكيت الثانية؛ على سبيل المثال عن طريق غمس الطبقة الصلبة من مادة منتجة لبروفسكيت أولى في محلول مشتمل على ‎sald)‏ المنتجة للبروفسكيت الثانية. يمكن ‎Wall‏ معالجة الطبقة الصلبة من مادة منتجة
‎٠‏ البروفسكيت أولى عن طريق وضع المحلول المشتمل على ‎sald)‏ المنتجة للبروفسكيت الثانية على الطبقة الصلبة من المادة المنتجة للبروفسكيت الأولى. تكون المادة المنتجة للبروفسكيت الأولى عبارة عن مركب أول مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون أول ‎(Y)s‏ ‏أنيون أول وتكون المادة المنتجة للبروفسكيت الثانية عبارة عن مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون ثان و(7) أنيون ثان. ‎Bale‏ ما تكون الكاتيونات الأول والثاني كما هو معرّف في هذا الطلب
‎CAAA
_ \ a= ‏للبروفسكيت؛ ويمكن أن تكون الأنيونات الأول والثاني متشابهين أو مختلفين ويمكن أن تكون كما‎ ‏هو معرّف في هذا الطلب للأنيونات الأول والثاني.‎ ‏في أحد النماذج؛ تشتمل الخطوة الخاصة ب (ب) وضع المنطقة الثانية على المنطقة الأولى على:‎ ‏تعريض المنطقة الأولى إلى بخارء يشتمل هذا البخار على مركب منتج للبروفسكيت أول؛‎ )١( ‏والسماح بترسيب البخار على المنطقة الأولى؛ لإنتاج طبقة صلبة من المركب المنتج للبروفسكيت‎ © ‏الأول عليها؛ و‎ ‏معالجة الطبقة الصلبة الناتجة من المركب المنتج للبروفسكيت الأول باستخدام محلول مشتمل‎ (Y)
Sly ‏وبالتالي تفاعل المركبات المنتجة للبروفسكيت الأول‎ (of ‏على مركب منتج للبروفسكيت‎ ‏لإنتاج الطبقة المذكورة من المادة شبه الموصلة من البروفسكيت بدون مسام مفتوحة,‎ ‏حيث‎ ٠ ‏كاتيون أول و(١) أنيون أول ويشتمل المركب‎ )١( ‏يشتمل المركب المنتج للبروفسكيت الأول على‎ ‏أنيون ثان.‎ (Y)5 ‏كاتيون ثان‎ )١( ‏المنتج للبروفسكيت الثاني على‎ ‏يمكن أن يكون الكاتيون الأول, الأنيون الأول الكاتيون الثاني والأنيون الثاني كما هو مؤصف في‎ ‏أي مكان في هذا الطلب للبروفسكيت.‎ ‏في بعض الحالات؛ سيكون الكاتيون الأول هنا عبارة عن كاتيون فلز. في بعض الحالات سيكون‎ VO ‏الكاتيون الثاني هنا عبارة عن كاتيون عضوي. بناءً على ذلك؛ يمكن أن يشتمل المركب الأول على‎ ‏كاتيون عضوي و(7)‎ )١( ‏كاتيون فلز و(7) أنيون أول؛ ويمكن أن يشتمل المركب الثاني على‎ )١( ‏أنيون ثان. يُفضل أن يكون كاتيون الفلز عبارة عن كاتيون فلز ثنائي التكافؤ. على سبيل المثال؛‎ ‏أيون‎ (Ca2+) ‏يمكن أن يكون كاتيون الفلز عبارة عن كاتيون مختار من أيون الكالسيوم‎ (Ni2+) ‏سترونتيوم (522)؛ أيون الكاديون (+602)؛ أيون النحاس (+602)؛ أيون النيتروجين‎ Yo ‏أيون الحديدي (+62)؛ أيون الكوبالمن هذه الكاتيونات؛ من المفضل‎ (MN2+) ‏أيون المنجنيز‎ .)+502( ‏أن يكون كاتيون الفلز ثنائي التكافؤ هو +062 أو أيون القصدير‎ ovvy
‎٠ \ —_‏ \ _ يمكن أن تكون الأنيونات الأول والثاني؛ التي قد تكون متشابهة أو مختلفة؛ عبارة عن أية أنيونات؛ ولكن يتم ‎laa‏ اختيارها من أيونات هاليد (على سبيل المثال؛ فلوريد؛ كلوريد؛ بروميد ويوديد) أو أيونات كالكوجنيد (على سبيل المثال؛ سلفيد؛ سيلينيد وتيلوريد). غالبًا؛ سيكون البروفسكيت المنتج عبارة عن بروفسكيت من هاليد مختلط أو كالكوجنيد مختلط 0 وتكون الأنيونات الأول والثاني عبارة عن أنيونات مختلفة مختارة من أيونات هاليد أو أيونات كالكوجنيد. يُفضل أن تكون الأنيونات الأول والثاني عبارة عن أنيونات هاليد. ‎Glas‏ تكون الأنيونات الأول والثاني عبارة عن أنيونات مختلفة مختارة من أنيونات هاليد. على سبيل المثال؛ يمكن أن يكون الأنيون الأول والأنيون الثاني عبارة عن واحد من الأزواج التالية باعتبارها (الأنيون الأول : الأنيون ‎٠‏ - الثاني) : (فلوريد : كلوريد)؛ (كلوريد : فلوريد)؛ (فلوريد : بروميد)؛ (بروميد : فلوريد)؛ (فلوريد : ‎(as‏ (يوديد : فلوريد)؛ (كلوريد : بروميد)؛ (بروميد : كلوريد)؛ (كلوريد : يوديد)؛ (يوديد : كلوريد)؛ (بروميد : يوديد) أو (يوديد : بروميد). يمكن اختيار الكاتيون العضوي من ‎((R5NH3)+ (RIR2R3RAN)+‏ أر ‎(RSRON=CH-‏ ‎NRTR8)+‏ حيث من ‎RT‏ إلى ‎R8‏ يمكن أن تكون كما هو مُعرّف فيما سبق. ‎(lle ١‏ يكون للمركب الأول الصيغة ‎BX2‏ ويكون للمركب الثاني الصيغة ‎(AX‏ حيث 8 تكون كاتيون مختار من ‎(Ca2+‏ +2اي ‎(Cu2+ (Cd2+‏ قال +2ملل ‎(Fe2+‏ +02 +202 +662 +502 أيون البالديوم ‎«(+Pd2)‏ +752 و+2ناط؛ تكون أنيون مختار من ل -ان ‎Br-‏ و- ‎ol‏ ‎A‏ تكون كاتيون بالصيغة ‎((RSNH3)+‏ حيث: ‎RS‏ تكون هيدروجين؛ أو ‎C20‏ - 61 ألكيل به ‎٠‏ استبدال أو ليس به استبدال, ‎xX’‏ تكون أنيون مختار من ل -ان ‎Br-‏ و-ا 9% ‎X75 X‏ تكون عبارة عن أنيونات متشابهة أو مختلفة. ‎CAAA‏
١ ‏يمكن اختيار المركب المنتج للبروفسكيت الأول من فلوريد رصاص؛ كلوريد رصاص؛‎ (le ‏فلوريد قصدير؛ كلوريد قصدير؛ بروميد قصدير؛ أو يوديد‎ alia) ‏يوديد‎ (pala) ‏بروميد‎ ‏يتم اختيار المركب المنتج‎ lle ‏يكون كلوريد رصاص أو يوديد رصاص.‎ Bhat. aad ‏للبروفسكيت الثاني من فلوريد ميثيل أمونيوم؛ كلوريد ميثيل أمونيوم؛ بروميد ميثيل أمونيوم؛ يوديد‎ ‏ميثيل أمونيوم؛ فلوريد إيثيل أمونيوم؛ كلوريد إيثيل أمونيوم؛ بروميد إيثيل أمونيوم؛ أو يوديد إيثيل‎ © . ‏يكون يوديد ميثيل أمونيوم‎ (Ghai ٠ ‏أمونيوم‎ ‏يتم السماح باستمرار ترسيب البخار من المركب المنتج للبروفسكيت الأول حتى يكون‎ (Glas ‏نانو متر‎ ٠١ ‏مرغوب فيه؛ على سبيل المثال مك يبلغ من‎ dle ‏للطبقة الصلبة من المركب الأول‎ ‏ميكرو متر. يُفضل؛ يتم‎ ٠١ ‏نانو متر إلى‎ ٠١ ‏ميكرو متر؛ أو بصورة أكثر نمطية من‎ ٠٠١ ‏إلى‎ ‎Ov ‏يبلغ من‎ dh ‏السماح باستمرار ترسيب البخار حتى يكون للطبقة الصلبة من المركب الأول‎ ٠ ‏نانو متر. على‎ 70١ ‏نانو متر إلى‎ ٠٠١ ‏نانو مترء أو على سبيل المثال من‎ ٠٠٠١ ‏نانو متر إلى‎ ٠٠١0 ‏نانو متر إلى‎ ٠٠١ ‏سبيل المثال؛ يمكن الاستمرار في الترسيب حتى يتم ترسيب تقريبًا من‎ ‏نانو متر من المركب الأول على المنطقة الأولى.‎ ‏يمكن أن يستمر ترسيب البخار حتى يكون للطبقة الصلبة من المركب المنتج للبروفسكيت الأول‎ ‏نانو متر.‎ 70١8 ‏نانو متر إلى‎ ٠٠١ ‏ميكرو متر أو من‎ ٠٠١ ‏نانو متر إلى‎ ٠٠١ ‏يبلغ من‎ elds 5 ‏أنجستروم / ثانية؛ أو من‎ ٠١ ‏إلى‎ ١.١ ‏يمكن أن يكون معدل التبخير الخاص بالمركب الأول من‎ ‏إلى 5 أنجستروم / ثانية. يتم إجراء ترسيب البخار بشكل عام في غرفة بضغط يبلغ أقل من‎ ١ ‏باسكال. قد تبلغ درجة الحرارة التي‎ eens) ‏باسكال؛ على سبيل المثال أقل من‎ 8600 ‏درجة‎ You ‏درجة مئوية؛ أو من‎ ٠0٠0 ‏درجة مئوية إلى‎ Yoo ‏يتم ترسيب المركب الأول من‎ baie ‏درجة مئوية.‎ to. ‏مثوية إلى‎ ٠ ‏نمطيّاء تشتمل الخطوة )7( الخاصة بتعريض الطبقة الصلبة الناتجة من المركب الأول إلى محلول‎ ‏مشتمل على مركب ثان للسماح بتكوين المنطقة الثانية على غمس الطبقة التحتية المشتملة على‎ ‏الطبقة الصلبة من المركب الأول في المحلول المشتمل على المركب الثاني لوقت كافي لتكوين‎ ‏المنطقة الثانية؛ أي؛ الطبقة الخاصة ببروفسكيت شبه موصل بدون مسام مفتوحة. يمكن أن تشتمل‎
CAAA
‎٠ ".-‏ \ _ الخطوة (3) على غمس الطبقة التحتية المشتملة على الطبقة الصلبة من المركب الأول في المحلول المشتمل على المركب الثاني لمدة من ‎١‏ إلى ‎٠١0‏ دقيقة؛ أو من © إلى ‎١١5‏ دقيقة. يمكن الإشارة إلى غمس الطبقة التحتية المشتملة على الطبقة الصلبة من المركب الأول في المحلول المشتمل على المركب الثاني باعتباره طلاء بالغمس. © يشتمل المحلول المشتمل على المركب المنتج للبروفسكيت الثاني على مذيب والمركب الثاني.
‏يمكن أن يكون المذيب عبارة عن أي مذيب معرّف في هذا الطلب. يمكن أن يكون المذيب عبارة عن داي ميثيل فورماميد؛ إيثانول أو أيزو بروبانول. يمكن أن يكون المذيب عبارة عن أيزو بروبانول. يمكن أن يكون تركيز المركب الثاني في المذيب من © إلى ‎5٠‏ مجم / مل أو من ‎٠١‏ ‏إلى ‎١‏ مجم ‎Jef‏
‎٠‏ - بعد تعريض الطبقة الصلبة الناتجة من المركب المنتج للبروفسكيت الأول إلى محلول مشتمل على مركب ثان للسماح بتكوين المنطقة الثانية (على سبيل المثال عن طريق الطلاء بالغمس)؛ يمكن تلدين الطبقة التحتية. على سبيل ‎JE‏ يمكن تسخين الطبقة التحتية عند من 80 درجة مئوية إلى ‎٠‏ درجة مئوية أو من ‎٠٠١‏ درجة مئوية إلى ‎١٠5١‏ درجة مئوية. يمكن تسخين الطبقات التحتية لمدة من ‎١‏ إلى ‎٠0‏ دقيقة؛ أو من © إلى ‎١١5‏ دقيقة. يمكن تلدين الطبقات التحتية في جو من
‎٠5‏ . النيتروجين. يمكن استخدام طرق الترسيب بمحلول لترسيب المنطقة الثانية على المنطقة الأولى. وبالتالي؛ في بعض النماذج؛ تشتمل الخطوة الخاصة ب (ب) وضع المنطقة الثانية على المنطقة الأولى على: ‎)١(‏ وضع واحد أو أكثر من محاليل ‎sold)‏ المنتجة على المنطقة الأولى؛ يشتمل الواحد أو أكثر من محاليل ‎sald)‏ المنتجة هذا على: البروفسكيت المذكور المذاب في مذيب؛ أو واحدة أو أكثر من
‎٠‏ المواد المتفاعلة لإنتاج البروفسكيت المذكور المذاب في واحد أو أكثر من المذيبات؛ و ‎(Y)‏ إزالة الواحد أو أكثر من المذيبات لإنتاج على المنطقة الأولى طبقة صلبة من البروفسكيت. مرة أخرى؛ يمكن أن يكون البروفسكيت ‎Ble‏ عن أي من مواد البروفسكيت التي تمت مناقشتها في هذا ‎lhl)‏ من قبل للجهاز الإلكتروني البصري الخاص ‎fall‏ ويكون ‎Bad‏ بروفسكيت بالصيغة (ا)؛ ‎(IA)‏ أو )11( كما هو معرّف فيما سبق في هذا الطلب.
‎ovvy
‎٠ _‏ \ _ ‎(Kay lay‏ أن تشتمل الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة لإنتاج البروفسكيت المذكور على أنواع المادة المتفاعلة التي تمت مناقشتها فيما سبق للعملية الخاصة بتخليق مركبات البروفسكيت. وبالتالي؛ يمكن أن تشتمل الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة على: 0 مركب أول مشتمل على ) ‎١‏ ( كاتيون أول و ) ‎Y‏ ( أنيون ‎Js‏ ¢ و © (ب) مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون ثان و(١)‏ أنيون ثان؛
‏كما هو معرّف فيما سبق في هذا الطلب للعملية لإنتاج مركب البروفسكيت المستخدم في الجهاز بشكل أكثر تحديدًا؛ يمكن أن تشتمل الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة على: (أ) مركب أول مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون فلز و(7) أنيون أول؛ مع
‎Vo‏ (ب) مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون عضوي و(7) أنيون ثان؛ حيث تكون الأنيونات الأول والثاني عبارة عن أنيونات مختلفة مختارة من أنيونات هاليد أو أنيونات كالكوجنيد؛ كما هو معرّف فيما سبق في هذا الطلب للعملية لإنتاج مركب البروفسكيت المستخدم في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع. يمكن أن يكون الكاتيون العضوي كما هو معرّف ‎Lad‏ سبق في هذا الطلب للعملية لإنتاج البروفسكيت.
‎Vo‏ على سبيل ‎(JB‏ يمكن أن تشتمل الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة على: (أ) مركب أول مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون فلز و(7) أنيون هاليد أول؛ مع (ب) مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون عضوي و(١)‏ أنيون هاليد ثان؛ حيث تكون أنيونات الهاليد الأول ‎SBI‏ عبارة عن أنيونات ‎alle‏ مختلفة؛ كما هو معرّف فيما سبق في هذا الطلب للعملية لإنتاج مركب البروفسكيت المستخدم في الجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع.
‎A)‏ على سبيل ‎JE‏ عندما يكون البروفسكيت الذي يتم ترسيبه هو ‎«CH3NH3PbI2CI‏ تشتمل الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة نمطيًا على )7( يوديد البالديوم ‎PbI2‏ و(ب) ‎.CH3NH3CI‏
‎ovvy
مج \ _ ‎(Glas‏ تشتمل الخطوة الخاصة ب (ب) وضع المنطقة الثانية على المنطقة الأولى على: ‎)١(‏ وضع محلول ‎sale‏ منتجة على المنطقة الأولى؛ يشتمل محلول ‎sald)‏ المنتجة هذا على ‎A) (Y)‏ المذيب لإنتاج على المنطقة الأولى طبقة صلبة من البروفسكيت. يمكن أن يكون البروفسكيت عبارة عن أي من مواد البروفسكيت التي تمت مناقشتها في هذا الطلب من قبل للجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ ويكون ‎Ghai‏ بروفسكيت بالصيغة ‎(I)‏ ‎(IA)‏ أو (ال) كما هو معرّف ‎Led‏ سبق في هذا الطلب. ‎dale‏ تشتمل الخطوات الخاصة ب ‎)١(‏ وضع محلول مادة منتجة على المنطقة الأولى» و() إزالة المذيب؛ على الطلاء المغزلي أو الطلاء بخضاب من خلال شق لمحلول أو محاليل المادة المنتجة ‎Ys‏ على المنطقة الأولى؛ لإنتاج على المنطقة الأولى الطبقة الصلبة المذكورة من البروفسكيت. نمطيًّاء يتم إجراء عملية الطلاء المذكورة في جو ‎TEMES‏ على سبيل المثال في جو من النيتروجين . ‎dae‏ ما يتم إجراء الطلاء المغزلي عند سرعة تبلغ من ‎٠٠٠١‏ إلى ‎Youn‏ لفة في الدقيقة. يتم نمطيًا إجراء الطلاء المغزلي ‎AW‏ من ‎Ye‏ ثانية إلى ‎Y‏ دقيقة. يمكن ترسيب محلول أو محاليل المادة المنتجة عن طريق الطلاء المغزلي على المنطقة الأولى ‎Vo‏ الإنتاج على المنطقة الأولى الطبقة الصلبة المذكورة من البروفسكيت. يتم إجراء الخطوات الخاصة بوضع محلول أو محاليل المادة المنتجة على المنطقة الأولى وازالة المذيب أو المذيبات حتى يكون للطبقة الصلبة من البروفسكيت ‎dd‏ مرغوب ‎cad‏ على سبيل المثال نمك يبلغ من ‎٠١‏ نانو متر إلى ‎٠٠١‏ ميكرو ‎Jie‏ بصورة أكثر نمطية من ‎٠١‏ نانو متر إلى ‎٠١‏ ميكرو متر. على سبيل المثال؛ يمكن إجراء الخطوات الخاصة بوضع محلول أو محاليل ‎٠‏ المادة المنتجة على المنطقة الأولى وإزالة المذيب أو المذيبات حتى يكون للطبقة الصلبة من البروفسكيت ‎eld‏ يبلغ من ‎٠٠‏ نانو متر إلى ‎٠٠٠١‏ نانو مترء أو على سبيل المثال من ‎٠٠١‏ ‎gl‏ متر إلى ‎70١0‏ نانو متر. ‎ovvy‏
_ \ ٠ h —_
يمكن إجراء الخطوات الخاصة بوضع محلول أو محاليل المادة المنتجة على المنطقة الأولى وإزالة
المذيب أو المذيبات حتى يكون للطبقة الصلبة من البروفسكيت ‎eld‏ يبلغ من ‎٠٠١‏ نانو متر إلى
‎٠‏ ميكرو مترء أو من ‎٠٠١‏ نانو متر إلى ‎70١6‏ نانو متر.
‎dale‏ ما تشتمل الخطوة الخاصة بوضع المنطقة الثانية على المنطقة الأولى (عن طريق ترسيب
‏© محلول) بشكل إضافي على: (7) تسخين الطبقة الصلبة من البروفسكيت المنتج.
‎fale‏ ما تشتمل الخطوة الخاصة بتسخين الطبقة الصلبة من البروفسكيت على تسخين الطبقة
‏الصلبة من البروفسكيت في جو خامل. نمطيّاء لا تتجاوز درجة الحرارة التي عندها يتم تسخين
‏الطبقة الصلبة من البروفسكيت ‎١5١0‏ درجة مئوية. وبالتالي؛ يمكن تسخين الطبقة الصلبة من
‏البروفسكيت عند درجة حرارة تبلغ من ‎Vo‏ درجة ‎Audie‏ إلى ‎٠50‏ درجة مئوية؛ ويُفضل أن يتم ‎٠‏ تشسخين عند درجة حرارة تبلغ من ‎5٠0‏ درجة مثوية إلى ‎٠١١‏ درجة مثوية. يمكن تسخين الطبقة
‏الصلبة من البروفسكيت عند درجة الحرارة المذكورة حتى يكون لها الخصائص شبه الموصلة
‏المرغوب فيها. عادةً؛ يتم تسخين الطبقة الصلبة من البروفسكيت ‎sad‏ على الأقل ‎١0‏ دقيقة؛
‏يُفضل لمدة على الأقل ‎١‏ ساعة. في بعض النماذج؛ يتم تسخين الطبقة الصلبة من البروفسكيت
‏حتى يتم الحصول على الخصائص شبه الموصلة المرغوب ‎clad‏ التي يمكن قياسها بواسطة الطرق ‎Ve‏ الروتينية لقياس الموصلية والمقاومية. يتم في بعض الحالات تسخين الطبقة الصلبة من
‏البروفسكيت حتى تتم ملاحظة تغير في اللون؛ يدلل التغير في اللون على أنه يتم الحصول على
‏الخصائص شبه الموصلة المرغوب فيها. في ‎Alla‏ البروفسكيت ا©0113111135512؛ يكون التغير
‏في اللون ‎Glass‏ من الأصفر إلى البني.
‏في بعض النماذج الخاصة بالعملية الخاصة بالاختراع ‎lo)‏ سبيل المثال؛ عندما لا يكون ‎٠‏ بالمنطقة المتفاعلة ‎Gian‏ الخاصة بالجهاز التي يتم إنتاجها مادة دعم مؤقتة)؛ تتكون المنطقة
‏الثانية من الطبقة المذكورة من شبه الموصل من البروفسكيت المذكور بدون مسام مفتوحة.
‏في نموذج ‎AT‏ من العملية الخاصة بالاختراع» مع ذلك؛ تشتمل المنطقة المتفاعلة ضوئيًا المذكورة
‏على:
‏المنطقة من النوع ‎N‏ المذكورة؛
‎CAAA
‎٠ 7 _‏ \ _ المنطقة من النوع 0 المذكورة؛ و؛ يتم فيما بين المنطقة من ‎Ng all‏ والمنطقة من النوع م0 وضع: ‎daha ( ١ )‏ أولى تشتمل على مادة د عم مؤقتة ومادة شبه موصلة من البروفسكيت ؛و ‎(Y)‏ طبقة تغطية موضوعة على الطبقة الأولى المذكورة؛» حيث تكون طبقة التغطية هي الطبقة المذكورة من مادة شبه ‎Alia ge‏ من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ © حيث تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في طبقة التغطية في ‎Alla‏ تلامس مع المادة شبه
‏الموصلة من البروفسكيت في الطبقة الأولى؛ ون تشتما ( | لعملية على: (أ) توفير المنطقة الأولى المذكورة؛ (ب) وضع المنطقة الثانية المذكورة على المنطقة الأولى» حيث تشتمل المنطقة الثانية على:
‎daha ( ١ ) Yo‏ أولى تشتمل على مادة د عم مؤقتة ومادة شبه موصلة من البروفسكيت 3 و ‎(V)‏ طبقة تغطية على الطبقة الأولى المذكورة؛. حيث تكون طبقة التغطية هي الطبقة المذكورة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ حيث تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في طبقة التغطية في حالة تلامس مع المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في الطبقة الأولى؛ و
‎VO‏ (ج) وضع المنطقة الثالثة المذكورة على المنطقة الثانية. بشكل عام؛ تكون مادة الدعم المؤقتة مسامية وتشتمل الطبقة الأولى المذكورة على شبه موصل من البروفسكيت المذكور موضوع في مسام مادة الدعم المؤقتة. وبالتالي؛ نمطيًا ¢ في هذا النموذج؛ تشتمل الخطوة الخاصة ب (ب) وضع المنطقة الثانية المذكورة على المنطقة الأولى على: ‎(V)‏ وضع مادة دعم مؤقتة على المنطقة الأولى؛ و
‎(Y) ٠٠‏ وضع البروفسكيت المذكور في مسام مادة الدعم المؤقتة من أجل إنتاج الطبقة الأولى المذكورة ووضع بشكل إضافي البروفسكيت المذكور على الطبقة الأولى لإنتاج طبقة التغطية المذكورة.
‎CAAA
م ‎٠‏ \ _ ‎dale‏ يتم إجراء "وضع البروفسكيت المذكور في مسام مادة الدعم المؤقتة واوضع بشكل إضافي" البروفسكيت المذكور على الطبقة الأولى ‎Ge‏ في خطوة فردية؛ على سبيل ‎JB‏ عن طريق ترسيب محلول الخطوة أو عن طريق ترسيب البخار. نمطيًا يتم إجراؤهما عن طريق ترسيب محلول. ‎(Gla‏ تشتمل الخطوة ‎)١(‏ الخاصة بوضع مادة دعم مؤقتة على المنطقة الأولى على: © وضع تركيبة مادة دعم مؤقتة على المنطقة الأولى؛ تشتمل تركيبة مادة الدعم المؤقتة هذه على ‎sake‏ الدعم المؤقتة؛ واحد أو أكثر من المذيبات؛ واختياريًا عامل ربط؛ و إزالة الواحد أو أكثر من المذيبات و؛ عند وجوده؛ عامل الربط. نمطيًا يكون عامل الربط عبارة عن بوليمر عامل ربط؛ مثل؛ على سبيل المثال؛ إيثيل سيليلوز. تشتمل هذه اللخطوة نمطيًا على الطباعة من شاشة؛ تركيب النصال الخاصة بالأطباء؛ الطلاء ‎٠‏ بخضاب من خلال شق أو الطلاء المغزلي تركيبة مادة الدعم المؤقتة على المنطقة الأولى. يتم نمطيًا تسخين الأغشية الرقيقة لاحقًاء إما وصولاً إلى درجة حرارة تبلغ حوالي ‎5٠٠‏ درجة مئوية (وعادةً ما يتم الحفاز عليها ‎sad‏ حوالي ‎9٠‏ دقيقة) من أجل تحليل وازالة أي أي عامل ربط من بوليمر موجود (التلبيد عند درجة حرارة عالية)؛ أو؛ في ظل غياب عامل ربط؛ تم تسخينها نمطي وصولاً لحوالي ‎٠7١‏ درجة مئوية والحفاظ عليها ‎sad‏ حوالي 0 دقيقة (التلبيد عند ‎dap‏ حرارة ‎VO‏ منخفضة). ثم تم نمطيًا تبريد الطبقات التحتية لترسيب محلول البروفسكيت. وبالتالي؛ تشتمل ‎Sale‏ الخطوة ‎)١(‏ الخاصة بوضع مادة الدعم المؤقتة على المنطقة الأولى بشكل إضافي على تسخين تركيبة مادة الدعم المؤقتة. هناك أمر مهم فيما يتعلق بالمعالجة منخفضة درجة الحرارة لطبقة مادة الدعم المؤقتة متوسطة المسام يكمن في عدم وجود عامل ربط من بوليمر قابل للتحلل حراريًا في عحين بجسيمات بحجم ‎YL‏ النانو أثناء الترسيب. بدلاً ن ذلك؛ يتم ترسيب الجسيمات بحجم النانو من مشتت غراوني في واحد أو أكثر من المذيبات. عند درجات حرارة منخفضة؛ يُعتقد أن الالتصاق فيما بين الجسيمات وبالطبقة التحتية يستمر عن طريق ‎AY)‏ الماء من مجموعات الهيدروكسيد السطحية ‎surface‏ ‎hydroxide groups‏ : ‎ovvy‏
‎٠ q —_‏ \ _ ‎[T.
Miyasaka et al., Journal of the Electrochemical Society, vol. 154, p.‏ ‎A455, 2007].‏ عرض المخترعون أيضنًا أنه يمكن ضبط المسامية عن طريق خلط اثنين من المذيبات ‎solvents‏ ‏في المشتت ‎dispersion‏ بقيم لزوجة ونقاط غليان مختلفة. © وبالتالي؛ في نموذج مفضل؛ لا تشتمل تركيبة ‎sale‏ الدعم المؤقتة على عامل ربط ولا تتجاوز درجة الحرارة التي عندها يتم تسخين تركيبة مادة الدعم المؤقتة ‎Yoo‏ درجة مثوية. وبالتالي؛ ‎Glas‏ تشتمل الخطوة ‎)١(‏ الخاصة بوضع مادة دعم مؤقتة على المنطقة الأولى على: وضع تركيبة مادة دعم مؤقتة على المنطقة الأولى؛ تشتمل تركيبة ‎sale‏ الدعم المؤقتة هذه على مادة الدعم المؤقتة وواحد أو أكثر من المذيبات؛ و ‎٠‏ إزالة الواحد أو أكثر من المذيبات. ‎dale‏ تشتمل الخطوة ‎)١(‏ الخاصة بوضع مادة الدعم المؤقتة على المنطقة الأولى بشكل إضافي على تسخين تركيبة مادة الدعم ‎dnd‏ وصولاً إلى درجة حرارة لا تتجاوز 150 درجة مئوية. نمطيّاء يتم تسخين تركيبة مادة الدعم المؤقتة وصولاً إلى درجة حرارة تبلغ من 60 درجة مئوية إلى ‎dap ٠‏ مئوية. يتم تسخين تركيبة مادة الدعم المؤقتة وصولاً إلى درجة الحرارة المذكورة لوقت ‎De Yo‏ على سبيل المثال حتى تتم إزالة كل المذيبات. ‎laa‏ يتم تسخين تركيبة مادة الدعم المؤقتة وصولاً إلى درجة الحرارة المذكورة لمدة على الأقل ‎To‏ دقيقة؛. بصورة أكثر نمطية لمدة على الأقل ‎١‏ ساعة؛ أو لمدة على الأقل 90 دقيقة. ‎dale‏ يتم إجراء الخطوة ‎)١(‏ الخاصة بوضع ‎sale‏ الدعم المؤقتة على المنطقة الأولى حتى يكون لمادة الدعم المؤقتة التي يتم وضعها على المنطقة الأولى ‎oles‏ مرغوب ‎cad‏ على سبيل المثال ‎elds Yo‏ يبلغ من © نانو ‎ie‏ إلى ‎50٠0‏ نانو ‎fle‏ يُفضل من ‎UY‏ متر إلى 700 نانو متر. يمكن أن تكون مادة الدعم المؤقتة المستخدمة في تركيبة مادة الدعم المؤقتة كما هو معرّف فيما سبق للجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع. ‎We‏ تكون ‎sale‏ الدعم المؤقتة المستخدمة عبارة عن التيتانيا أو ألومينا. ‎CAAA‏
AY
‏الدعم المؤقتة على خليط‎ sale ‏يمكن أن يشتمل الواحد أو أكثر من المذيبات المستخدمة في تركيبة‎ ‏من اثنين أو أكثر المذيبات بقيم لزوجة ونقاط غليان مختلفة؛ على سبيل المثال خليط من اثنين من‎ ‏المذيبات بقيم لزوجة ونقاط غليان مختلفة. يكون استخدام اثنين أو أكثر المذيبات بقيم لزوجة ونقاط‎ ‏غليان مختلفة مفيدًاء إذ قد عرض المخترعون أنه يمكن ضبط المسامية الخاصة بمادة الدعم‎ ‏المؤقتة الموضوعة على المنطقة الأولى عن طريق تنويع النسبة الخاصة بالاثنين أو أكثر من‎ © ‏المذيبات. يمكن على سبيل المثال أن يشتمل الاثنين أو أكثتر من المذيبات على اثنين أو أكثر من‎ ‏مواد كحولية مختلفة؛ على سبيل المثال اثنين من مواد كحولية مختلفة. وبالتالي؛ على سبيل‎ ‏يمكن أن يشتمل الاثنين أو أكثر من المذيبات على اثنين من المذيبات المختارة من‎ (JE ‏إيثانول؛ بروبانول؛ بيوتانول وتربينيول؛ أو من إيثانول» أيزو - بروبانول؛ ؟ - بيوتانول وتربينيول.‎ ‏الخاصة بوضع البروفسكيت المذكور في مسام مادة الدعم المؤقتة‎ oY) ‏يتم إجراء الخطوة‎ (Ghat ٠ ‏من أجل إنتاج الطبقة الأولى المذكورة ووضع بشكل إضافي البروفسكيت المذكور على الطبقة‎ ‏على سبيل‎ cad ‏مرغوب‎ eles ‏الأولى لإنتاج طبقة التغطية المذكورة حتى يكون لطبقة التغطية‎ ‏يبلغ من‎ ld ‏ميكرو مترء أو بصورة أكثر نمطية‎ ٠٠١ ‏نانو متر إلى‎ ٠١ ‏مثمك يبلغ من‎ JE ‏مترء أو على سبيل‎ sli ٠٠٠١ ‏نانو متر إلى‎ ٠ ‏يُفضل من‎ cle ‏ميكرو‎ ٠١ ‏نانو متر إلى‎ ٠ ‏نانو متر.‎ 7٠0٠9 ‏نانو متر إلى‎ ٠٠١ ‏يبلغ من‎ eld ‏المثال‎ Yo ‏يمكن استخدام طرق الترسيب بمحلول لترسيب البروفسكيت المذكور في مسام مادة الدعم المؤقتة‎ ‏من أجل إنتاج الطبقة الأولى المذكورة ووضع البروفسكيت المذكور الإضافي على الطبقة الأولى‎ ‏في بعض النماذج؛ تشتمل الخطوة (7)؛ الخاصة بوضع‎ oo Jills ‏لإنتاج طبقة التغطية المذكورة.‎ ‏البروفسكيت المذكور في مسام مادة الدعم المؤقتة من أجل إنتاج الطبقة الأولى المذكورة ووضع‎ ‏بشكل إضافي البروفسكيت المذكور على الطبقة الأولى لإنتاج طبقة التغطية المذكورة» على:‎ ٠ ‏وضع واحد أو أكثر من محاليل المادة المنتجة على مادة الدعم المؤقتة؛ يشتمل الواحد أو أكثر من‎ ‏المنتجة هذا على: البروفسكيت المذكور المذاب في مذيب؛ أو واحدة أو أكثر من‎ sald) ‏محاليل‎ ‏المواد المتفاعلة لإنتاج البروفسكيت المذكور المذاب في واحد أو أكثر من المذيبات؛ و‎ ovvy
ARR
‏إزالة الواحد أو أكثر من المذيبات لإنتاج البروفسكيت الصلب في مسام مادة الدعم المؤقتة وطبقة‎ ‏تغطية صلبة من البروفسكيت موضوعة على الطبقة الأولى.‎ ‏يمكن أن يكون البروفسكيت عبارة عن أي من مواد البروفسكيت التي تمت مناقشتها في هذا الطلب‎ (I) ‏من قبل للجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع؛ ويكون نمطيًا بروفسكيت بالصيغة‎ ‏سبق في هذا الطلب.‎ Led ‏كما هو معرّف‎ (I) (IA) 0 ‎(Kay lay‏ أن تشتمل الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة لإنتاج البروفسكيت المذكور على أنواع المادة المتفاعلة التي تمت مناقشتها فيما سبق للعملية الخاصة بتخليق مركبات البروفسكيت. وبالتالي؛ يمكن أن تشتمل الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة على: 0 مركب أول مشتمل على ) ‎١‏ ( كاتيون أول و ) ‎Y‏ ( أنيون ‎Js‏ ¢ و ‎Ve‏ (ب) مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون ‎(Y)s ob‏ أنيون ثانء كما هو معرّف فيما سبق في هذا الطلب للعملية لإنتاج مركب البروفسكيت المستخدم في الجهاز بشكل أكثر تحديدًاء يمكن أن تشتمل الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة على: (أ) مركب أول مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون فلز و(7) أنيون أول؛ مع ‎Vo‏ (ب) مركب ثان مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون عضوي و(١)‏ أنيون ثان؛ حيث تكون الأنيونات الأول والثاني عبارة عن أنيونات مختلفة مختارة من أنيونات هاليد أو أنيونات كالكوجنيد؛ كما هو معرّف فيما سبق في هذا الطلب للعملية لإنتاج مركب البروفسكيت المستخدم على سبيل ‎(JE‏ يمكن أن تشتمل الواحدة أو أكثر من المواد المتفاعلة على: ‎٠٠‏ () مركب أول مشتمل على ‎)١(‏ كاتيون فلز و(7) أنيون هاليد أول؛ مع ‎ovvy
-١١١- ‏كاتيون عضوي و(١) أنيون هاليد ثان؛ حيث تكون أنيونات‎ )١( ‏(ب) مركب ثان مشتمل على‎ ‏الهاليد الأول والثاني عبارة عن أنيونات هاليد مختلفة؛‎ ‏كما هو معرّف فيما سبق في هذا الطلب للعملية لإنتاج مركب البروفسكيت المستخدم في الجهاز‎ ‏تشتمل‎ «CH3NH3PbI2CI ‏على سبيل المثال» عندما يكون البروفسكيت الذي يتم ترسيبه هو‎ 2 ‏و(ب)‎ PbI2 ‏أو أكثر من المواد المتفاعلة نمطيًا على (أ) ليوديد الرصاص‎ saad .CH3NH3CI ‏تشتمل الخطوة (7)؛ الخاصة بوضع البروفسكيت المذكور في مسام مادة الدعم المؤقتة من‎ Glad ‏أجل إنتاج الطبقة الأولى المذكورة ووضع بشكل إضافي البروفسكيت المذكور على الطبقة الأولى‎ ‏على:‎ Sad) ‏الإنتاج طبقة التغطية‎ ٠ ‏يشتمل محلول المادة المنتجة هذا على‎ Asal ‏الدعم‎ ale ‏وضع محلول مادة منتجة على‎ ‏إزالة المذيب لإنتاج البروفسكيت الصلب في مسام مادة الدعم المؤقتة وطبقة تغطية صلبة من‎ ‏البروفسكيت موضوعة على الطبقة الأولى.‎ ‏يمكن أن يكون البروفسكيت عبارة عن أي من مواد البروفسكيت التي تمت مناقشتها في هذا الطلب‎ Vo ‏من قبل للجهاز الإلكتروني البصري الخاص بالاختراع» ويكون نمطيًا بروفسكيت بالصيغة (ا)؛‎ ‏سبق في هذا الطلب.‎ Led ‏أو (ال) كما هو معرّف‎ (IA) ‏منتجة على مادة الدعم المؤقتة؛ وازالة المذيب‎ Sale ‏تشتمل الخطوات الخاصة بوضع محلول‎ dale ‏أو المذيبات؛ على الطلاء المغزلي أو الطلاء بخضاب من خلال شق لمحلول أو محاليل المادة‎ ‏الدعم المؤقتة؛ لإنتاج البروفسكيت الصلب المذكور في مسام مادة الدعم المؤقتة‎ sale ‏المنتجة على‎ ٠ sha) ‏يتم‎ (ast ‏وطبقة التغطية الصلبة المذكورة من البروفسكيت الموضوعة على الطبقة الأولى.‎ ‏عملية الطلاء في جو خامل؛ على سبيل المثال في جو من النيتروجين. يمكن إجراء الطلاء‎ ovvy
-7؟١-‏ المغزلي على سبيل المثال عند سرعة تبلغ من ‎٠٠٠١‏ إلى ‎٠008١‏ لفة في الدقيقة. الطلاء المغزلي يتم نمطيًا إجراء لمدة من ‎5١0‏ ثانية إلى ؟ دقيقة. يتم إجراء الخطوات الخاصة بوضع محلول أو محاليل المادة المنتجة على مادة الدعم المؤقتة وإزالة المذيب أو المذيبات حتى يكون لطبقة التغطية الصلبة من البروفسكيت لمك مرغوب فيه؛ على
0 سبيل المثال مك يبلغ من ‎٠١‏ نانو متر إلى ‎٠٠١‏ ميكرو مترء أو بصورة أكثر نمطية من ‎٠١‏ ‏نانو متر إلى ‎٠١‏ ميكرو مترء ‎off‏ على سبيل ‎dla‏ من ‎glo‏ متر إلى ‎SB ٠٠٠١‏ مترء يُفضل من ‎٠٠١‏ نانو متر إلى ‎0١0‏ نانو متر. ‎dale‏ تشتمل الخطوة الخاصة ب (ب) وضع المنطقة الثانية المذكورة على المنطقة الأولى بشكل إضافي على: () تسخين البروفسكيت.
‎٠‏ عادةً ما تشتمل الخطوة الخاصة بتسخين البروفسكيت على تسخين البروفسكيت في جو خامل؛ على سبيل ‎JB‏ في جو من النيتروجين. نمطيّاء لا تتجاوز درجة الحرارة التي عندها يتم تسخين البروفسكيت ‎١5١‏ درجة مثوية. وبالتالي» يمكن تسخين البروفسكيت عند درجة حرارة تبلغ من ‎Vo‏ ‏درجة مئوية إلى ‎١٠5١‏ درجة مئوية؛ ويُفضل أن يتم تسخينه عند درجة حرارة تبلغ من 50 درجة مثوية إلى ‎٠١١‏ درجة مثوية. يمكن تسخين البروفسكيت عند درجة الحرارة المذكورة حتى يكون لها
‎Vo ‏يتم تسخين البروفسكيت لمدة على الأقل‎ dale ‏الخصائص شبه الموصلة المرغوب فيها.‎ ١5 ‏ساعة. في بعض النماذج؛ يتم تسخين البروفسكيت حتى يتم‎ ١ ‏دقيقة؛ يُفضل لمدة على الأقل‎ ‏التي يمكن قياسها بواسطة الطرق الروتينية‎ ded ‏الحصول على الخصائص شبه الموصلة المرغوب‎ ‏لقياس الموصلية والمقاومية. يتم في بعض الحالات تسخين البروفسكيت حتى تتم ملاحظة تغير‎ ‏في اللون؛ يدلل التغير في اللون على أنه قد تم الحصول على الخصائص شبه الموصلة المرغوب‎
‎٠‏ فيهاء في حالة البروفسكيت ا0113180113505126؛ يكون التغير في اللون نمطيًا من الأصفر إلى البني. ‎dale‏ في العملية الخاصة بالاختراع لإنتاج جهاز إلكتروني بصري يتم وضع المنطقة الأولى على إلكترود أول. أي؛ عادةً ما يتم وضع المنطقة الأولى بالفعل على إلكترود أول.
‎CAAA
-١٠؟-‎ يمكن أن تشتمل العملية الخاصة بالاختراع لإنتاج جهاز إلكتروني بصري؛ مع ذلك؛ بشكل إضافي على خطوة ل: وضع المنطقة الأولى على إلكترود أول. يتم إجراء هذه الخطوة بشكل عام قبل الخطوة الخاصة بوضع المنطقة الثانية على المنطقة الأولى. 0 تكون الإلكترودات الأول والثاني عبارة عن آنود وكاثود؛ يكون واحد منهما أو كلاهما ‎Glas‏ للسماح بدخول الضوء. يمكن أن يعتمد اختيار الإلكترودات الأول والثاني على نوع البنية. نمطيّاء يكون الإلكترود الأول الذي يتم وضه المنطقة الثانية عليه عبارة عن أكسيد قصدير» بصورة أكثر نمطية أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎Sale (FTO)‏ ما يكون ‎sale‏ شفافة أو شبه شفافة. وبالتالي؛ ‎dale‏ ما يكون الإلكترود الأول ‎Blas‏ أو شبه شفاف ونمطيًا يشتمل أكسيد قصدير ‎Clie‏ ‎A‏ بالفلورين ‎Gale FTO‏ يكون سلمك الإلكترود الأول من ‎Yeu‏ نانو متر إلى ‎٠‏ تأنو مترء بصورة أكثر اعتيادية من ‎٠٠١‏ إلى ‎Ou‏ نانو متر. على سبيل المثال قد يبلغ الملمك 5660 نانو متر. نمطيّاء يتم طلاء أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎FTO‏ على لوح من الزجاج. ‎(dle‏ يتم تنميش الزجاج المطلي بألواح رقيقة من ‎FTO‏ باستخدام مسحوق زنك وحمض لإنتاج نموذج الإلكترود المطلوب. ‎Sale‏ ما يكون الحمض هو حمض الهيدروكلوريك ا16. ‎We‏ يبلغ تركيز ‎٠‏ حمض الهيدروكلوريك ا10ا. حوالي 7 مولار. نمطيًّاء يتم تنظيف الألواح الرقيقة ثم ‎fale‏ ما تتم معالجتها في جو من بلازما الأكسجين لإزالة أية مواد متبقية عضوية. ‎dale‏ تون المعالجة في جو من بلازما الأكسجين لمدة أقل من أو تساوي ‎١‏ ساعة؛ نمطيًا حوالي © دقائق. يمكن أن تكون الإلكترودات الأول والثاني كما هو مؤصف في أي مكان في هذا الطلب من ‎odd‏ على سبيل المثال يمكن أن يشتمل الإلكترود الأول على أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎FTO‏ الإنديوم أكسيد ‎Yo‏ قصدير ‎ITO‏ أو أكسيد قصدير مشاب بألومنيوم ‎AZO‏ تشتمل الخطوات الخاصة بوضع المنطقة الأولى على إلكترود أول ووضع المنطقة الثالثة على المنطقة الثانية على ترسيب المناطق من النوع م ومن النوع 10 أي؛ ترسيب الواحدة أو أكثر من الطبقات من النوع 0 وترسيب الواحدة أو أكثر من الطبقات من النوع 0. قد تكون المناطق من
CAAA
-ه١١-‏ النوع © ومن ‎ng sill‏ والواحدة أو أكثر من الطبقات من النوع | والواحدة أو أكثر من الطبقات من النوع ‎an‏ كما هو ‎Cajal‏ بشكل إضافي ‎Led‏ سبق في هذا الطلب. يمكن؛ على سبيل ‎(JB‏ أن تشتمل الخطوة الخاصة بترسيب طبقة من مركب غير عضوي من نوع 0 أو من نوع ‎١‏ على ترسيب الطبقة عن طريق الطلاء المغزلي أو عن طريق الطلاء بخضاب © .من خلال شق لمركب أو مادة منتجة ‎cal‏ أو عن طريق التحليل المائي بالرش. على سبيل المثال؛ يمكن إنتاج طبقة مضغوطة من ‎Wl‏ بواسطة الطلاء المغزلي لمحلول (معتدل) من تيتانيوم - أيزو بروبوكسيد حمض في مذيب ملائم؛ مثل إيثانول. يمكن تحضير هذا المحلول عن طريق خلط تيتانيوم أيزو بروبوكسيد وإيثانول لامائي مع محلول من حمض الهيدروكلوريك ‎BHO‏ إيثانول لامائي. بعد الطلاء المغزلي؛ يتم نمطيًا تجفيف الطبقة عند درجة حرارة لا تتجاوز ‎dap Vor‏ مئثوية. اختياريًا؛ تم تسخين الطبقة المضغوطة لاحقًا وصولاً إلى ‎50٠‏ درجة مئوية لمدة ‎9١‏ دقيقة على طبق ساخن في الهواء. على نحو بديل؛ يمكن إنتاج هذه الطبقة المضغوطة عن ‎Gob‏ ‏الترسيب بالتحليل ‎Sl‏ بالرش. سيشتمل هذا ‎Blasi‏ على ترسيب محلول مشتمل على ‎titanium‏ ‎ale «diisopropoxide bis(acetylacetonate)‏ عند درجة حرارة تبلغ من ‎٠٠9‏ إلى ‎٠٠١0‏ ‏درجة مئوية؛ ‎Ble‏ عند درجة حرارة تبلغ حوالي +75 درجة مئوية. ‎file‏ يشتمل المحلول على ‎«J sills titanium diisopropoxide bis(acetylacetonate) ١٠‏ نمطيًا بنسبة من ‎١‏ : * إلى ‎١‏ ‎٠0:‏ بصورة أكثر نمطية بنسبة حوالي ‎.٠١ : ١‏ يمكن تطبيق هذه الطرق على مواد غير عضوية من النوع م أو من النوع © أخرى؛ لإنتاج طبقات من نوع 7 ومن نوع | في الأجهزة الإلكترونية البصرية الخاصة بالاختراع. يمكن تنفيذ ترسيب مادة ‎AB‏ لثقب أو مادة ناقلة لإلكترون عضوية؛ جزيئية؛ أو بوليمرية عن طريق ‎٠‏ الطلاء المغزلي لمحلول من المادة في مذيب ملائم. تتم نمطيًا إذابة المادة الناقلة للثقب من النوع م ‎«spiro-OMeTAD‏ على سبيل المثال؛ في كلورو بنزين. ‎Sale‏ يبلغ تركيز ‎spiro—‏ ‎OMeTAD‏ في كلورو بنزين من ‎١٠5١‏ إلى ‎YYO‏ مجم / ‎cde‏ بصورة أكثر اعتيادية يبلغ التركيز حوالي ‎VAY‏ مجم / مل. يمكن إضافة مادة إضافة إلى ‎sale‏ ناقلة للتقب أو ‎sale‏ ناقلة لإلكترون. يمكن أن تكون ‎dla) sale‏ على سبيل ‎(Jil‏ عبارة عن ‎«BP (tert-butylpyridine)‏ نا ‎Yo‏ :175 سائل أيوني أو سائل أيوني مع ‎alla‏ مختلط (مركبات هاليد مختلط). بابلا
-١١1- ‏يمكن أن تشتمل العملية الخاصة بالاختراع لإنتاج جهاز إلكتروني بصري بشكل إضافي على: (د)‎ ‏وضع إلكترود ثان على المنطقة الثالثة.‎ ‏يشتمل الإلكترود الثاني على فلز وظيفي عالي التشغيل؛ على سبيل المثال ذهب؛ فضة؛‎ dale ‏نانو متر إلى‎ ٠٠ ‏يكون مك الإلكترود الثاني من‎ Bale ‏نيكل؛ بالاديوم أو بلاتين؛ ونمطيًا فضة.‎ ‏نانو متر. على سبيل المثال؛‎ ٠00 ‏نانو متر إلى‎ ٠٠١ ‏مترء بصورة أكثر اعتيادية من‎ sil YOu 0 ‏نانو متر.‎ Yoo ‏قد يبلغ لمك الإلكترود الثاني‎ ‏تشتمل‎ (We ‏وضع الإلكترود الثاني على المنطقة الثالثة عن طريق ترسيب البخار.‎ Ga ‏يتم‎ ‏على وضع غشاء رقيق مشتمل على المادة الناقلة للتقب في‎ of ‏الخطوة الخاصة بإنتاج إلكترود‎ ‏الكترود ثان على ترسيب الإلكترود الثاني من‎ z ‏تشتمل الخطوة الخاصة بإنتا‎ Gale . ‏مبخر حراري‎ ‏خلال قناع إخفا ءِِ في وسط عالي التفريغ. نمطيًا 3 يبلغ الوسط الخوائي حوالي م :يي باسكال.‎ A ٠٠١ ‏إلى‎ ٠٠١ ‏من‎ dd ‏يمكن أن يكون الإلكترود الثاني؛ على سبيل المثال؛ عبارة عن إلكترود‎ ‏نانو متر.‎ ١5١ ‏يكون الإلكترود الثاني عبارة عن إلكترود بسك يبلغ‎ Bad ‏نانو متر.‎ ‏على نحو بديل؛ يمكن أن تكون العملية الخاصة بالاختراع لإنتاج جهاز إلكتروني بصري عبارة عن‎ ‏عملية لإنتاج جهاز إلكتروني بصري معكوس.‎ ‏على ذلك؛ يوفر الاختراع عملية لإنتاج جهاز إلكتروني بصري معكوس يشتمل على منطقة‎ sly Yo ‏متفاعلة ضوئيًا؛ تشتمل المنطقة المتفاعلة ضوئيًا هذه على:‎ ‏منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع 0؛‎ ‏بين المنطقة من‎ led ‏منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع ©؛ و يتم‎ ‏والمنطقة من النوع 0 وضع:‎ nog gl ‏طبقة من مادة شبه موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة,‎ ٠ ‏تشتمل هذه العملية على:‎ ‏(أ) توفير منطقة أولى؛‎ ovvy
-١١- ‏(ب) وضع منطقة ثانية على المنطقة الأولى؛ تشتمل المنطقة الثانية هذه على طبقة من مادة شبه‎ ‏موصلة من بروفسكيت بدون مسام مفتوحة؛ و‎ ‏(ج) وضع منطقة ثالثة على المنطقة الثانية؛‎ ‏حيث:‎ ‏تكون المنطقة الأولى عبارة عن منطقة من نوع م تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من نوع م‎ ©
Nes ‏وتكون المنطقة الثالثة عبارة عن منطقة من نوع © تشتمل على طبقة واحدة على الأقل من‎ ‏والمنطقة الأولى يتم وضع على إلكترود أول.‎ ‏شفافة أو شبه شفافة. نمطيًّا؛ يشتمل الإلكترود الأول على‎ sale ‏يشتمل الإلكترود الأول على‎ (Gas ‏الإنديوم أكسيد‎ FTO ‏أكسيد موصل شفاف»؛ على سبيل المثال أكسيد قصدير مشاب بالفلورين‎ ‏يفضل يشتمل الإلكترود الأول أكسيد‎ AZ0 ‏أو أكسيد قصدير مشاب بألومنيوم‎ ITO ‏أ قصدير‎ ‏يمكن وضع الإلكترود الأول على طبقة تحتية من الزجاج.‎ (FTO ‏قصدير مشاب بالفلورين‎ aie ‏يمكن أن تكون كل من الخطوات في العملية لإنتاج جهاز إلكتروني بصري معكوس كما هو‎ ‏في أي مكان في هذا الطلب لعملية وفقًا للاختراع لإنتاج جهاز إلكتروني بصري. يمكن أن يكون‎
By ‏كل من المكونات المستخدمة أو الموجودة في العملية كما هو معرّف لجهاز إلكتروني بصري‎ ‏للاختراع.‎ Vo ‏هو معرّزف في أي مكان في هذا‎ LSP ‏يمكن أن تكون المنطقة الأولى ؛ التي تعتبر منطقة من نوع‎ ‏يمكن‎ .PEDOT:PSS ‏غالبًاء تشتمل المنطقة الأولى على طبقة من‎ .p ‏الطلب لمنطقة من نوع‎ ‏إجراء الترابط التشابكي لجعل المنطقة من النوع م غير قابلة للذوبان بحيث لا تتم إذابتها بشكل‎ ‏جزئي أثناء ترسيب المنطقة الثانية؛ إذا أدت عملية الترسيب إلى كون الطبقة من النوع م مذابة.‎ ‏مرتبط‎ PEDOT:PSS ‏على‎ PEDOT:PSS ‏لهذا تشتمل الطبقة الخاصة ب‎ (lal ‏في بعض‎ Yo
Jie ‏تشابكيًا. يمكن إجراء الترابط التشابكي باستخدام حمض لويس؛ على سبيل المثال كاتيون فلز‎ ‏على سبيل المثال؛ (أ) يمكن أن يشتمل على‎ Mg2+ ‏أو‎ Fe3+ ‏و‎ PEDOT:PSS ‏توفير منطقة أولى مشتملة على طبقة من‎ )١(
CAAA
-١ ١م‎
(7) معالجة الطبقة باستخدام كلوريد الحديد الثلاثي (8013) ‎Iron(lll) chloride‏ مائي لإنتاج
طبقة من ‎PEDOT:PSS‏ مشتملة على ‎PEDOT:PSS‏ مرتبط تشابكيًا .
يمكن أن تكون المنطقة الثانية؛ تكون منطقة من نوع ‎WSN‏ هو معزف في أي مكان في هذا
‎lll)‏ لمنطقة من نوع «. غالبًاء تشتمل المنطقة من النوع © على طبقة مضغوطة من شبه © موصل غير عضوي من نوع ‎dN‏ مثل تلك التي تم تعريقها في هذا الطلب. ‎Gas‏ تشتمل المنطقة
‏من النوع ‎١‏ على طبقة مضغوطة من ثاني أكسيد التيتانيوم. في بعض النماذج؛ تشتمل المنطقة من
‏النوع © بشكل إضافي على طبقة من [60]وصلة غير متجانسة كتلية ‎PCBM‏
‏لهذا في بعض النماذج؛ ‎(z)‏ تشتمل على
‎)١(‏ وضع على المنطقة الثانية طبقة من [60]وصلة غير متجانسة كتلية /681©؛ و
‎(Y) ٠‏ وضع على الطبقة الخاصة ب [60]وصلة غير متجانسة كتلية ‎PCBM‏ طبقة مضغوطة من ثاني أكسيد التيتانيوم. في جهاز معكوس؛ يمكن وضع إلكترود ثان على المنطقة الثالثة التي تكون منطقة من نوع 7. ‎Ely‏ على ذلك؛ يمكن أن تشتمل العملية بشكل إضافي على (د) وضع إلكترود ثان على المنطقة الثالثة.
‎١‏ ._يمكن ترسيب الإلكترود الثاني بشكل مباشر على المنطقة ‎AE‏ أو يمكن أن تكون بشكل إضافي طبقات متداخلة. ‎cae‏ يكون الإلكترود الثاني في ‎Alla‏ تلامس مع المنطقة الثالثة. يمكن أن يكون الإلكترود الثاني كما هو معرّف في أي مكان في هذا الطلب ونمطيًا يشتمل على فلز. على سبيل ‎Sas ¢ JE‏ أن يشتمل الإلكترود الثاني على ألومنيوم ؛» ذهب؛ فضة نيكل بالاديوم أو بلاتين؛ ونمطيًا ألومنيوم ¢ ‎Aad‏ أو 3 هب. في أحد النماذ ‎z‏ يشتمل | لإلكترود الثاني على ‎(dad‏ ذ هب أو
‎"٠‏ ألومنيوم. على سبيل المثال؛ إذا اشتملت المنطقة من النوع © على طبقة مضغوطة من تيتانيوم وطبقة من [60]وصلة غير متجانسة كتلية ‎(PCBM‏ يمكن أن يشتمل الإلكترود الثاني على ألومنيوم. يمكن ترسيب الإلكترود الثاني بواسطة أية تقنية ‎Jie‏ تلك الموصفة في هذا الطلب؛ بالرغم من أنه يتم نمطيًّا وضعه عن طريق الترسيب في وسط خوائي. بناءً على ذلك؛ يمكن ترسيب
‎SVVY
-١١- ‏الإلكترود الثاني عن طريق الترسيب في وسط خوائي. على نحو بديل؛ يمكن أن تكون العملية‎ ‏الخاصة بالاختراع لإنتاج جهاز إلكتروني بصري عبارة عن عملية لإنتاج جهاز إلكتروني بصري‎ ‏بوصلة ترادفية أو متعدد الوصلات يشتمل بشكل إضافي على:‎ ‏(د) وضع وصلة نفقية على المنطقة الثالثة؛‎ ‏إضافية على الوصلة النفقية؛ تكون مشابهة ل أو مختلفة عن‎ Wan ‏(ه) وضع منطقة متفاعلة‎ © ‏المنطقة المتفاعلة ضوئيًا المعرّفة فيما سبق في هذا الطلب؛‎ ‏تكرار الخطوات (د) و(ه)؛ و‎ Glas) ‏(و)‎ ‏(ز) وضع إلكترود ثان على المنطقة المتفاعلة ضوئيًا الإضافية الموضوعة في الخطوة السابقة.‎ ‏للاختراع» يمكن أن تكون المنطقة‎ By ‏في عملية لإنتاج جهاز بوصلة ترادفية أو متعدد الوصلات‎ ‏سبق في هذا الطلب للأجهزة‎ led ‏الإضافية كما هو معرّف في أي مكان‎ Wan ‏المتفاعلة‎ ٠ ‏الإلكترونية البصرية ذات الوصلة الترادفية وفقًا للاختراع. بشكل محدد؛ يمكن أن تشتمل المنطقة‎ ‏أو يمكن أن تشتمل على غشاء رقيق‎ Oli ‏المتفاعلة ضوئيًا الإضافية على طبقة من سيليكون‎ .CZTSSe ‏أو‎ CIS (CIGS ‏من نحاس الانديوم الغاليوم سيلينيد‎ lll ‏رفيع‎ ‏في نموذج مفضل من العملية الخاصة بالاختراع لإنتاج جهاز إلكتروني بصري؛ يتم إجراء العملية‎ ‏درجة مئوية.‎ ٠5٠١ ‏بأكملها عند درجة حرارة أو درجات حرارة لا تتجاوز‎ ٠ ‏في العملية الخاصة بالاختراع لإنتاج جهاز إلكتروني بصري؛ قد يكون الجهاز الإلكتروني البصري‎ ‏سبق في هذا الطلب للجهاز الإلكتروني البصري الخاص‎ Led ‏كما هو مُعرّف بشكل إضافي‎ ‏بالاختراع.‎ ‏إلكترونيًا بصريًا يمكن الحصول عليه بواسطة العملية الخاصة‎ Plea ‏يوفر الاختراع بشكل إضافي‎ ‏بالاختراع لإنتاج جهاز إلكتروني بصري.‎ - ٠ ‏يتم بشكل إضافي توضيح الاختراع الحالي في الأمثلة التالية:‎ ‏الأمثلة‎ ‎ovvy
=« \ \ — الطريق التجريبية لتحضير الجهاز تحضير عجينة أكسيد الألومنيوم 3 لم باستخدام عامل ربط من بوليمر تم شراء مشتت من أكسيد الألومنيوم من ‎ZV +) Sigma-Aldrich‏ بالوزن في ماء) وتم غسيله بالطريقة التالية: تم إجراء طرد مركز ‎centrifuged‏ له عند 75050 لفة في الدقيقة لمدة 1 © ساعات؛ ولإعادة تشتيته في إيثانول مطلق ‎(Fisher Chemicals)‏ باستخدام مسبار بالموجات فوق الصوتية؛ تم تشغيله لفترة معالجة بالموجات الصوتية تبلغ © دقائق؛ التدوير 7 ثانية تشغيل؛ ‎Y‏ ثانية إيقاف تشغيل. تم تكرار هذه العملية ؟ مرات. لكل ‎٠١‏ جم من المشتت الأصلي ‎١( original dispersion‏ جم من إجمالي أكسيد الألومنيوم 3) تمت إضافة ما يلي: 7,77 جم من ‎aterpineol‏ و٠‏ جم من خليط ‎Ov : 5٠0‏ من ‎٠‏ إيثيل - سيليلوز ‎١0٠‏ باسكال / ثانية و0047 باسكال/ ثانية تم شراؤه من مؤسسة ‎SIGMA‏ ‎Aldrich‏ في إيثانول» ‎7٠١‏ بالوزن. بعد إضافة كل مكون؛ تم تقليب الخليط لمدة 7 دقيقة ومعالجته بالموجات الصوتية باستخدام مسبار الموجات فوق الصوتية لمدة ‎١‏ دقيقة من المعالجة بالموجات الصوتية؛ باستخدام دورة من * ثانية تشغيل 7 ثانية إيقاف تشغيل. أخيرًاء تم إدخال الخليط الناتج في مبخر دوّار لإزالة الإيثانول الزائد وتحقيق ‎clan)‏ المطلوب عندما تركيب النصال ‎١‏ الخاصة بالأطباء؛ الطلاء المغزلي أو الطباعة من شاشة. تحضير عجينة ثاني أكسيد التيتانيوم 1102 باستخدام عامل ربط من بوليمر تم شراء مشتت من ثاني أكسيد التيتانيوم 1102 محتوي على عامل ربط من بوليمر ( ‎DSL‏ ‎(18NR-T‏ من ا071650. تم تخفيفه عند نسبة وزنية ؟ : ‎١‏ من إيثانول مطلق ‎absolute‏ ‎ethanol :‏ ‎(Fisher Chemicals):DSL 18NR-T ٠‏ باستخدام ‎bes‏ بالموجات 38 الصوتية ‎ultrasonic probe‏ ¢ تم تشغيله لفترة معالجة بالموجات الصوتية تبلغ © دقائق؛ التدوير 7 ثانية تشغيل؛ ‎١‏ ثانية إيقاف تشغيل. تحضير عجينة أكسيد الألومنيوم ‎A203‏ بدون عامل ربط من بوليمر ‎ovvY‏
AAR
‏بالوزن في أيزو بروبانول). تم‎ 7 Y ١( Sigma-Aldrich ‏تم شراء مشتت من أكسيد الألومنيوم من‎ ‏حجم مكافئ من أيزو بروبانول.‎ ١6 ‏تخفيف هذا في‎ ‏تحضير عجينة 0 أكسيد التيتانيوم 1102 بدون عامل ربط من بوليمر‎ (Degussa) ‏من‎ titanium dioxide (P25) ‏تم شراء مسحوق من ثاني أكسيد التيتانيوم‎ . ‏تخفيف هذا في 1 حجم مكافئ من (يثانول‎ x al’ ‏ثم‎ . Je / ‏مجم‎ Ye ‏عند‎ Jot) ‏ثيته في‎ vif’ Io) ‏ومحلول مادة منتجةٌ‎ methylammonium iodide ‏تحضير مادة منتجة ليوديد ميثيل أمونيوم‎ yu, ‏بالوزن في إيثانول مطلق‎ 777 Methylamine (CH3NH2) ‏تم تفاعل محلول ميثيل أمين‎ ‏بالوزن في ماء‎ 7 oY hydroiodic acid ‏مع حمض هيدرويوديك‎ (Sigma-Aldrich) ‏في جو من النيتروجين في إيثانول لامائي‎ ١ : ١ ‏(00100ل-5908)_بنسبة_مولارية‎ ٠ ‏مل‎ YE ‏كانت الكميات النمطية‎ . (Sigma-Aldrich) ‏مرة واقي‎ ٠٠0١ anhydrous ethanol ‏مل حمض هيدرويوديك و١٠٠ مل إيثانول. تم تحقيق تبر ليوديد ميثيل أمونيوم‎ ٠١ ‏ميثيل أمين؛‎
Sl ‏(60480013)_باستخدام مبخر دوّار. تم تكوين راسب ملون بلون أبيض دلالة على‎ ‏الناجح.‎ 80 : ‏يمكن استبدال الميثيل أمين بمركبات أمين أخرى؛ مثل‎ Vo ‏إلى غير ذلك من أجل‎ ...ethylamine, n—butylamine, tert-butylamine, octylamine ‏استبدال حمض الهيدرويوديك‎ (Say ‏خصائص البروفسكيت التالي. بالإضافة إلى ذلك؛‎ nad ‏حمض هيدروكلوريك.‎ Jie ‏بأحماض أخرى لتكوين مواد بروفسكيت مختلفة؛‎ (CHNH3I) ‏لتحضير محلول المادة المنتجة تمت إذابة ناتج الترسيب من يوديد ميثيل أمونيوم‎ ‏فورماميد‎ Jie gla ‏في‎ (Sigma-Aldrich) lead (Il) chloride ‏وكلوريد الرصاص‎ ٠ ‏عند 770 بالحجم.‎ ١ : ١ ‏بنسبة مولارية‎ (Sigma-Aldrich) (C3HTNO) ‏تنظيف وتنميش الطبقة التحتية والإلكترود الشفاف‎ ovvY
تم تنميش ألواح رقيقة من الزجاج المطلي بأكسيد قصدير مشاب بالفلورين (:"آثاني أكسيد القصدير 2 إ[أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎Yo Yo (TEC (FTO‏ أوم / المربع» ‎Pilkington‏ الإلكترود المطلوب. تم بعد ذلك تنظيف الألواح الرقيقة باستخدام الصابون (1161/0180©*77 في © ماء)؛ ماء تم نزع الأيونات منه؛ أسيتون» إيثانول وأخيرًا معالجته في جو من بلازما الأكسجين لمدة © دقائق لإزالة أية مواد متبقية عضوية. ترسيب طبقة ثاني أكسيد التيتانيوم 1102 المضغوطة ثم تم طلاء ألواح أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎FTO‏ الرقيقة ذات النموذج باستخدام طبقة مضغوطة من ثاني أكسيد التيتانيوم 1102 عن طريق الطلاء المغزلي باستخدام محلول تيتانيوم - ‎٠‏ أيزو بروبوكسيد ‎(Sigma-Aldrich)‏ معتدل الحمضية في إيثانول. تم تحضير المحلول عن طريق خلط تيتانيوم أيزو بروبوكسيد : إيثانول ‎SLY‏ بنسبة وزنية تبلغ ‎١,79‏ : 4 باستخدام محلول حمضي من حمض الهيدروكلوريك ‎١ .HCI‏ مولار : إيثانول ‎WY‏ بنسبة وزنية تبلغ ‎LE ,v VY‏ بعد الطلاء المغزلي (السرعة = ‎٠...‏ لفة في الدقيقة التسارع = ‎Yer.‏ في الدقيقة / ثانية الزمن = ‎Te‏ ثانية)؛ تم تجفيف الطبقات التحتية عند ‎١5١‏ درجة مثوية على طبق ساخن لمدة ‎٠١‏ ‎Vo‏ دقائق. اختياريّاء تم بعد ذلك تسخين الطبقة المضغوطة وصولاً إلى ‎50٠0‏ درجة مئوية لمدة ‎3١‏ دقيقة على طبق ساخن في الهواء. ترسيب طبقة أكسيد الفلز رفيعة المثمك متوسطة المسام تم وضع العجينة العازلة من أكسيد الفلز (على سبيل المثال؛ عجينة أكسيد الألومنيوم 81203) أعلى طبقة أكسيد الفلز المضغوطة عبر الطباعة من شاشة؛ طلاء نصل طبي أو الطلاء المغزلي؛ ‎٠‏ .من خلال شبكة ملائمة؛ ارتفاع نصل طبي ملائم أو سرعة مغزلية ملائمة لتكوين غشاء رقيق بسك يبلغ ‎٠٠١-‏ انو متر. تم إما تسخين الأغشية الرقيقة بعد ذلك وصولاً إلى ‎٠0١‏ درجة مئوية والحفاظ عليها عند درجة الحرارة هذه لمدة 20 دقيقة من أجل التحلل وازالة عامل الربط من البوليمر (التلبيد عند درجة حرارة عالية)؛ أو؛ في ظل غياب عامل ‎da)‏ تسخينها وصولاً إلى
CAAA
RAR
Sha ‏درجة مثوية والحفاظ عليها عند درجة الحرارة هذه لمدة 90 دقيقة (التلبيد عند درجة‎ ٠ ‏منخفضة). ثم تم تبريد الطبقات التحتية بالفعل لترسيب محلول بروفسكيت.‎ ‏ترسيب محلول من المادة المنتجة للبروفسكيت وتكوين الغشاء الرقيق رفيع السمك من البروفسكيت‎ ‏شبه الموصل‎ ‏"تم تشتيت 560 ميكرو لتر من محلول المادة المنتجة للبروفسكيت في داي ميثيل فورماميد (يوديد‎ © (methylammonium iodide lead (Il) chloride ala ‏ميثيل أمونيوم كلوريد‎ ‏إلى كل غشاء رقيق لإلكترود متوسط المسام‎ 7 Ye ‏بتركيز حجم يبلغ‎ (CH3NH3PDCI2I)) ‏لفة في الدقيقة لمدة‎ ١5٠١ ‏عند‎ spin—coated ‏مغزليًا‎ oa ymesoporous electrode film ‏ثم تم وضع الأغشية الرقيقة المطلية‎ inert nitrogen ‏ثانية في بيئة من النيتروجين الخامل‎ ٠ ‏دقيقة في جو من النيتروجين»‎ ٠١ ‏درجة مثوية وتركه لمدة‎ ٠٠١ ‏على طبق ساخن تم ضبطه عند‎ ٠ ‏مئوية؛ تغير لون الإلكترود المطلي من الضوء الأصفر‎ ٠٠١ ‏قبل التبريد. أثناء إجراء التجفيف عند‎ ‏إلى البني الداكن؛ دلالة على تكوين الغشاء الرقيق من بروفسكيت المرغوب فيه بخصائص شبه‎ ‏الموصلية.‎ ‏الترسيب المتبخر للمادة المنتجة للبروفسكيت وتكوين الغشاء الرقيق رفيع السمك من البروفسكيت‎ ‏شبه الموصل‎ Vo ‏من يوديد الرصاص 0012 وكلوريد اليوديد الميثيل أمونيوم‎ ١ : ١ ‏تم طحن نسبة مولارية‎ ‏دقيقة لتكوين مسحوق بروفسكيت كتلي. أدى هذا‎ ١5 ‏باستخدام هاون ومدقة لمدة‎ 011301130١ ‏ساعة. تم نقل بوتقة من مسحوق‎ VY > ‏إلى تكوين مسحوق تم تجفيفه في بيئة نيتروجين لمدة‎ ‏درجة‎ Tov ‏البروفسكيت إلى غرفة تبخير تم تفريغها فيما بعد. تم تسخين البوتقة ببطء وصولاً إلى‎ ‏تم فتح أداة إغلاق لبدء الترسيب‎ (Aggie ‏درجة‎ ٠٠١ ‏مئثوية. عندما وصلت درجة حرارة المصدر إلى‎ Yo
JEL 800٠01١ ‏السخان للحفاظ على ضغط يبلغ‎ Ben ‏على الطبقات التحتية. تم إيقاف تشغيل‎ ‏نانو‎ 300 - ٠٠١ ‏يبلغ تقريبًا‎ LL ‏في الغرفة. استمر التبخير حتى تم ترسيب غشاء رقيق رفيع‎ or ‏متر على الطبقات التحتية. بعد التبخير تم تسخين الطبقة التحتية بالمادة المتبخرة وصولاً إلى‎ ‏ساعة في بيئة من النيتروجين.‎ ١ ‏درجة مثئوية لمدة‎ ovvY
-١74- formamidinium cation ‏تحضير مواد البروفسكيت المشتملة على كاتيون فورماميدينيوم‎ ‏يمكن استخدام كاتيونات الفورماميدينيوم. تم تخليق يوديد فورماميدينيوم‎ capped) ‏كبديل لأيونات‎ formamidinium bromide ‏وبروميد فورماميدينيوم‎ Formamidinium iodide (FOI) formamidinium ‏مولار من أسيتات فورماميدينيوم‎ ١,5 ‏عن طريق تفاعل محلول‎ (FOB) ‏مولار زائدة عن حمض الهيدرويوديك (ليوديد فورماميدينيوم) أو‎ XY ‏في إيثانول بنسبة‎ acetate © ‏حمض هيدروبروميك (لبروميد فورماميدينيوم). تمت إضافة الحمض قطرة بقطرة بينما يتم التقليب‎ ‏درجة‎ ١٠٠١ ‏دقائق أخرى. عند التجفيف عند‎ ٠ ‏عند درجة حرارة الغرفة؛ ثم يتم ترك التقليب لمدة‎ ‏يتم تجفيفه بعد ذلك طوال الليل في فرن خوائي‎ cand - ‏يتم تكوين مسحوق بلون أصفر‎ sie ‏تمت إذابة يوديد‎ (FOPPBR3 5 FOPDI3 ‏قبل الاستخدام. لتكوين محاليل مواد منتجة ل‎ ‏في‎ 058142 were ‏أو بروميد فورماميدينيوم و‎ PbI2 ‏ويوديد الرصاص‎ FOI ‏فورماميدينيوم‎ ٠ ‏ملي مول من كل منها لكل‎ GAN ‏مولاريف‎ ١ : ١ ‏لاماني بنسبة‎ N,N-dimethylformamide ‏مولار. لتكوين مواد منتجةٌ للبروفسكيت‎ +, AA ‏مل؛ للحصول على محاليل مادة منتجة لبروفسكيت‎ ‏و 006843 مي مولار‎ FOPDI3 ‏خلائط من محاليل‎ dae) 8 (FOPDI3ZBr3(1-z) .١ ‏بالنسب المطلوبة؛ حيث 7 تتراوح من صفر إلى‎ ‏تم طلاء الأغشية الرقيقة لتمييز أو تصنيع الجهاز مغزليًا في صندوق قفازات معباً بالنيتروجين؛‎ ٠5 . ‏دقيقة في جو من النيتروجين‎ Yo ‏لمدة‎ YEP ‏درجة‎ ١٠١١6 ‏وملدن عند‎ ‏ترسيب المادة الناقلة للتقب وتجميعة الجهاز‎ : ‏كانت المادة الناقلة للثقب المستخدمة هي‎ 2,2(,7,7(—tetrakis—(N,N-di-methoxyphenylamine)9,9(-spirobifluorene)) (spiro-OMeTAD, Lumtec, Taiwan) 9٠. - 1 ‏مجم / مل. تمت إضافة‎ YA ‏الذي تمت إذابتها في كلورو بنزين عند تركيز نمطي يبلغ‎ / ‏ميكرولتر‎ 77 : ١ ‏بشكل مباشر إلى المحلول بنسبة حجم إلى كتلة تبلغ‎ (BP) ‏بيوتيل بيريدين‎ : ‏مجم من‎ ovvY
-ه؟١-‏ ‎(BP (tert-butylpyridine):spiro-MeOTAD‏ تمت ‎LY‏ عامل ‎LU)‏ أيوني ‎ionic‏ ‏1 ملح: ‎Lithium bis(trifluoromethylsulfonyl)amine salt (Li—TFSI)‏ مسيقًا في أسيتو نيتريل عند ‎١١7١0‏ مجم / ‎cde‏ ثم إضافته إلى محلول المادة الناقلة للتقب عند ‎VY : ١‏ ميكرو لتر / مجم © .من محلول ا175-نا : ‎.spiro-MeOTAD‏ تم تشتيت كمية صغيرة ‎Av)‏ ميكرو لتر) من محلول ‎spiro-OMeTAD‏ على كل غشاء رقيق مطلي بالبروفسكيت وطلاوه ‎lie‏ عند ‎١505١‏ ‎Ad‏ في الدقيقة لمدة ‎Te‏ ثانية في الهواء. ثم تم وضع الأغشية الرقيقة في مبخر حراري حيث تم ترسيب إلكترودات سميكة من الفضة ‎٠٠0١0‏ نانو ‎jie‏ من خلال قناع إخفاء في وسط عالي التفريغ ‎even)‏ باسكال). ‎Ve‏ الصور المغايرة الخاصة بالجهاز التي تم فحصها يتم عرض مخطط عام لبنية الجهاز في الشكل ١أ.‏ يمكن تركيب هذا الجهاز على أية مادة طبقة تحتية صلبة (من ‎oz lal)‏ البلاستيك؛ رقاقة فلزء شبكة فلز... إلى غير ذلك). في الشكل ١أ‏ يتحتم أن يكون واحد على الأقل من الإلكترودات الفلزية شفاقًا / شبه شفاف (على سبيل المثال: أكسيد فلز مشاب أو غير مشاب؛ بروفسكيت؛ ‎aly‏ فلز رفيع المثمك؛ شبكة فلز... إلى غير ذلك) ‎Vo‏ بينما يمكن أن يكون الإلكترود المقابل شفاقًا / شبه شفاف أو انعكاسي. تتم إحاطة البروفسكيت الماص للضوء؛ يمكن أن يكون من النوع ‎en‏ من نوع ‎P‏ أو متأصل؛ فيما بين طبقة شبه موصلة واحدة من نوع © وطبقة شبه موصلة واحدة من نوع 0 (عضوية؛ غير عضوية؛ ‎Si‏ لامتبلّر؛ بروفسكيت؛ عضوية / غير عضوية مختلطة... إلى غير ذلك) للاستخلاص ‎SEY)‏ للإلكترون ‎ill‏ على التوالي. يمكن أن تكون البنية المعروضة معكوسة. يمكن إنتاج الخلايا متعددة ‎٠‏ الوصلات عن طريق رص بنية تكررة. يكون لنماذج معينة من الأجهزة الخاصة بالاختراع البنية النوعية المعروضة في الشكل ١ب.‏ عند الاستخدام؛ تكون طبقة أكسيد الفلز رفيعة ‎ld)‏ بشكل عام قابلة للإنفاذ إلى البروفسكيت المعالج بالمحلول؛ لضمان التلامس المباشر للبروفسكيت مع التلامس الانتقائي للإلكترون. يتم تلخيص كل من الصور المغايرة لعملية التحضير الت يتم فحصها في هذا الطلب في جدول ‎.١‏ ‎CAAA‏
-6؟١-‏ جدول ‎.١‏ ملخص الصور المغايرة للطبقات التي ثم فحصها. ظروف | تسخين . ظروف - تلبيد : أكسيد متوسط رقعة التغيير ثانى أكسيد | متوسط المسام البروفسكيت 0 المسام التيتانيوم 1102 ‎HT B-‏ أكسيد ا لألومنيوم أكسيد ‎١ On‏ م ‎Own‏ م محلول . 3 لمم مع عامل ربط الألومنيوم 3 لم . -8 1 لاثانى ثاني أكسيد التيتانيوم : ا ‎Vo ٠‏ م ‎Own‏ م محلول أكسيد التيتانيوم 1102 مع عامل ربط 1102 أكسيد ‎١‏ لألومنيوم اأكسيد ‎Yoo‏ م 203 ‎Al‏ بدون عامل ‎Own‏ م محلول الألومنيوم ربط ‎A203‏ ‎١ .‏ اثانى ثاني أكسيد التيتانيوم . ‎١‏ ‎You‏ م ‎Owe‏ م محلول أكسيد التيتانيوم 2 بدون عامل ربط 1102 أكسيد ‎١‏ لألومنيوم ‎2ST‏ ‎aon‏ 3ه بدون عامل | ‎AY‏ محلول الألومنيوم ربط ‎A203‏ ‏ثاني أكسيد التيتانيوم ‎ELT‏ ‏م ‎ANY‏ محلول « 1102 بدون عامل ربط أكسيد التيتانيوم ‎ovvyY‏
-yYV-
HT C / LT }
R ‏أكسيد أ لالومنيوم‎ ‏أكسيد‎ ‏م + 6م 3 لم بدون عامل ٠٠م محلول . إ:‎ ‏ربط‎ ‏3م‎ ‏النتائج والمناقشة‎ ‏متوسط المسام الملبد عند درجة حرارة منخفضة‎ A203 ‏التحكم في مسامية أكسيد الألومنيوم‎ ‏عن طريق خلط‎ A203 ‏يمكن التحكم في مسامية طبقة متوسطة المسام من أكسيد الألومنيوم‎ ‏اثنين من المذيبات بقيم لزوجة مختلفة ومعدلات تبخير مختلفة في عملية ترسيب الجسيمات بحجم‎ ‏النانو. بعد الترسيب من المشتت وازالة المذيب؛ يعتمد معامل الانكسار الخاص بالغشاء الرقيق‎ 0 en ‏من المادة المركبة متوسطة المسام من أكسيد الألومنيوم 81203 والهواء على‎ Sl) ‏رفيع‎ ‏الحجم الخاص بالمكونين أي؛ المسامية. يتم تقديم مؤشرات الانكسار الخاصة بالأغشية الرقيقة‎ ‏المتكونة عن طريق مشتتات الطلاء المغزلي بمحتوى متغير من تربينيول و1 - بيوتانول على‎ ‏شرائح زجاجية في الجدول ؟ فيما يلي؛ باعتبارها مكافئات حجمية. يكون معامل انكسار منخفض‎ ‏عام أن إضافة‎ J, ‏وجد‎ al ‏دالا على جزء حجم كبير من الهوا ءِِ أي » غشاء رقيق أكثر مسامية.‎ A ‏مذيب ثانوي تزيد من مسامية الغشاء الرقيق متوسط المسام الناتج.‎ ‏جدول ". ملخص التغير في المسامية بمقدار متغير من حجم مكافئ مضاف من مذيب ثانوي إلى‎ ‏مشتت الألومينا كما هو موضح بواسطة معامل الانكسار المقاس الخاص بالغشاء الرقيق الناتج.‎
CAAA
-١ ١0 ‏بالوزن أكسيد‎ ٠ ‏بيوتانول‎ - TT ‏تربينيول‎ . ‏المضاف معامل الانكسار‎ IPA | ‏الألومنيوم 81203 في‎ ‏المضاف المضاف‎ ‏(مكافئ)‎ IPA : : ‏في‎ ‏(مكافئ) (مكافئ)‎ : ‏(مكافئ)‎ ‏سن‎ ‏ا‎ ‏حيود أشعة إكس‎ ‏من البروفسكيت‎ Sl) ‏الخاصة بالأغشية الرقيقة رفيعة‎ XRD ‏يتم عرض نماذج حيود أشعة إكس‎ ‏المعتمدة على الصور المغايرة للطبقة التحتية المختلفة التي تم فحصها في الشكل ؟أ. تم تحضير‎ ‏متوسطة المسام؛ بدون‎ GL) ‏كل العينات على زجاج أملس و؛ حيث يتم تخصيص أكاسيد رفيعة‎ ‏و7780 بارزة بالتوافق مع التوضيح‎ ٠١١ ‏البروفسكيت‎ ad ‏الطبقات المضغوطة. تكون كل من‎ 0 ‏"ب‎ JEN ‏يعرض‎ .]50160706, Submitted 2012 ‏وآخرين»‎ Lee] ‏السابق لهذا البروفسكيت‎ ‏الخاص بالبروفسكيت عند تبخيره. توجد القمم التي تناظر‎ XRD ‏نموذج حيود أشعة إكس‎ .6512 ‏البروفسكيت من الهاليد المختلط بالإضافة إلى تلك الحادثة من يوديد الرصاص‎ ‏القياس الطيفي للأشعة فوق البنفسجية المرئية‎ ovvy
-4؟١-‏ يتم عرض نماذج الأشعة فوق البنفسجية المرئية للأغشية الرقيقة رفيعة السك من البروفسكيت المعتمدة على الصور المغايرة للطبقة التحتية المختلفة التي تم فحصها في الشكل 7. تم تحضير كل العينات على زجاج أملس و؛ حيث يتم تخصيص أكاسيد رفيعة ‎SLL)‏ متوسطة المسام؛ بدون الطبقات المضغوطة. تعرض الأطياف الإخماد الطبيعي ([10910]10/11 = ع). تعرض كل © الأطياف نقطة بداية امتصاص عند طول موجة ‎aly‏ -800 نانو متر يؤكد وجود البروفسكيت. بالرغم من أنه تمت ملاحظة ‎ad‏ حيود ‎XRD‏ التي تناظر يوديد الرصاص 5512 للبروفسكيت المتبخرء يوضح ‎Cada‏ الأشعة فوق البنفسجية المرئي أنه تم امتصاص غالبية الضوء بواسطة البروفسكيت. تكون أشكال الأطياف متوافقة مع التوضيح السابق لهذا البروفسكيت ‎Lee .M]‏ وآخرين» 2012 ‎.[Science, Submitted‏ ‎٠‏ السمات المميزة لفلطية التيار ‎current-voltage characteristics‏ يتم تقديم سمات شدة - فلطية التيار (/1-ل) المميزة الخاصة ببعض من الأجهزة التي تمثل كل صورة مغايرة تم فحصها في الشكل 4 . يتم تقديم ملخص للمتغيرات المستخلصة من هذه النتائج في جدول ‎WF‏ يتم ‎Wad‏ عرض طبقة الأكسيد رفيعة ‎(tmesoporous) cll)‏ وطبقة التغطية من البروفسكيت ‎(tperovskite cap)‏ كما هو مقاس باستخدام مقياس وعورة السطح في جدول ؟. ‎Vo‏ لقياسات ‎measurements clad)‏ 171060655 تم تحضير العينات على زجاج أملس و؛ حيث يتم تخصيص أكاسيد رفيعة السمك متوسطة المسام ‎mesoporous oxides‏ (لطاء_بدون الطبقات المضغوطة. تقترح النسبة الخاصة بقيم ‎lll‏ هذه أن غالبية امتصاص الضوء سيحدث في طبقة التغطية التي تكوّن ‎Alay‏ غير متجانسة مستوية مع المادة الناقلة للثقب. جدول “. ملخص المتغيرات المستخلصة من السمات المميزة ‎J-V‏ الخاصة بالأجهزة الأكثر فعالية المركبات : لمر بير كلورو ‎ean) tperovski | tmesoporo‏ بنية ‎Jsc‏ (ملي معامل إيثيلين ‎te cap us‏ | المتطايرة الجهاز أمبير / ‎(You‏ التعبئة ‎PCE‏ ‎Voc - Ae - 3‏ (نانو ‎(Se‏ !| )5 متر) )%( (فاناديوم ‎ovvY‏
١. نا ا أ ‎HT B-‏ أكسيد 7" ١ ‏ا‎ ١٠4 ARR AY . ‏لالومنيوم‎
A203
HT B- ‏ثاني‎ ‎47 ‏ند‎ VIA AY YY. Yo ‏أكسيد‎ ‏التيتانيوم‎ ‎102 ‎HT ‏أكسيد‎ 9, ‏اكد‎ ay YY, 104 a) . ‏لالومنيوم‎
A203 ‎١‏ الثاني أكسيد ‎3 ‏على امد‎ 5 YaA Yeo ‏التيتانيوم‎ ‎102 ‎EEE ‎HT CJ
LT
$,00 YY 1 7 ‏7ص اف‎ ‏أكسيد‎ ‏لألومنيوم‎ ‏امد‎
-١؟١-‏ ‎LT‏ ‏أكسيد ‏. لا ف 41 ‎,q¢‏ نا اما لالومنيوم ‎A203‏ ‏آ الثاني أكسيد ‎You AERA‏ با 9+ ‎ve‏ ا التيتانيوم 1102 سس ‎١ ٠٠‏ _ متبخر 2,7 ‎YY‏ أ ال ‎Ag [3‏ يتم عرض صور ماسح الإلكترون الدقيق ‎(SEM)‏ دقيقة للقطاعات العرضية لخلية شمسية في الشكل ‎o‏ 0 - (و). تكون الطبقات المتميزة المعروضة في القطاعات العرضية؛ من اليمين إلى اليسار : زجا ‎z‏ أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎(FTO‏ طبقة مضغوطة؛ طبقة متوسطة المسام؛ © طبقة تغطية من البروفسكيت؛ ‎spiro—OMeTAD‏ والفضة ‎silver (Ag)‏ يتم عرض صور أفقية للطبقات متوسطة المسام في الشكل 16 0 - (و) والشكل ل 0 و(ب). حيث يتم استخدام أكسيد الألومنيوم ‎¢AI203‏ مع وبدون عامل ربط وتلبيدها عند كل من درجات الحرارة العالية والمنخفضة؛ تعرض الصور بوضوح بنية متوسطة المسام تسمح بالارتشاح ووضع بذور تكوين البروفسكيت. تظهر الطبقات المضغوطة المعروضة في الأشكال ١(ه)‏ و١‏ (و) بدون معالم عند تحليل الأداة. ‎Yo‏ حيث يتم استخدام ثاني أكسيد التيتانيوم 71102 مع عامل الربط يبدو الغشاء الرقيق متوسط المسام. مع ذلك؛ في ظل غياب عامل الربط تتكتل الجسيمات بحجم النانو مكونة طبقة أحادية فرعية. ‎oVvVY‏
-١©7- ‏الاستنتاج‎ ‏إلكترونية بصرية ببنية مستوية من مادة ماصة‎ Seal ‏تعرض الأمثلة أنه من الممكن تكوين‎ ‏من النوع 0. تم تحقيق نمو مادة ماصة للضوء من البروفسكيت على‎ / ٠ ‏للبروفسكيت من النوع‎ ‏يمكن معالجة‎ ٠ ‏أو في ظل غياب مادة دعم مؤقتة من ترسيب محلول‎ Sled ‏مادة دعم مؤقتة رفيعة‎
Vou ‏الأجهزة المتضمنة طبقة بذور تكوين رفيعة السك بشكل تام عند درجات حرارة لا تتجاوز‎ © ‏مئوية التي تعتبر مهمة للأجهزة مترادفة الوصلات و / أو متعددة الوصلات المرنة. بشكل‎ dap ‏إضافي لقد تم عرض أنه يمكن تكوين البروفسكيت عن طريق التبخير من مسحوق كتلي.‎ inverted ‏الشمسية من البروفسكيت ذات الوصلة غير المتجانسة المعكوسة‎ WAN heterojunction perovskite solar cells ‏تحضير الطبقة التحتية:‎ | ٠ ‏1؟‎ / 0 Vv) ‏ألو ح رقيقة من الزجاج المطلي‎ (FTO) ‏ثم تنميش أكسيد قصدير مشاب بالفلورين‎ ‏مولار) للحصول على‎ 7( HCI ‏باستخدام مسحوق زنك وحمض الهيدروكلوريك‎ (Pilkington ‏في‎ Hellmanex 77( ‏نموذج الإلكترود المطلوب. ثم تم غسيل الألواح الرقيقة باستخدام الصابون‎ ‏ماء)؛ ماء تم نزع الأيونات منه؛ أسيتون» ميثانول وأخيرًا معالجتها في جو من بلازما أكسجين لمدة‎ ‏بقايا للمواد المتبقية العضوية.‎ AT ‏دقائق لإزالة‎ © ١ 110« ‏محلول المادة المنتجة للغشاء الرقيق المسطح من ثاني أكسيد التيتانيوم‎ ٠,77 ‏يتكون محلول المادة المنتجة للغشاء الرقيق المسطح من ثاني أكسيد التيتانيوم *110 من‎ (44,444 Sigma Aldrich) titanium isopropoxide ‏مولار تيتانيوم أيزو بروبوكسيد‎
Fisher 744,34 >( ‏في إيثانول‎ HCl ‏ومحلول 0,007 مولار من حمض الهيدروكلوريك‎ ٠,51 ‏عند‎ Jat ‏لتحضير هذا المحلول؛ ثم تخفيف تيتانيوم أيزو برويوكسيد في‎ .) 00065 A) ‏باستخدام (يثانول‎ HCI ‏حمض الهيدروكلوريك‎ Ysa ‏مولار . على نحو منفصل؟؛ ثم تخفيف محلول‎ ‏قطرة‎ acidic solution ‏تمت إضافة المحلول الحمضي‎ cal ‏مولار.‎ ١.077 ‏لتحقيق تركيز‎ ‏بقطرة محلول المادة المنتجة للتيتانيوم في ظل تقليب بطيء.‎ ovvY
م ‎I Ce‏ بنية نجل 3: تم طلاء طبقات أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎FTO‏ التحتية التي تم تنميشها باستخدام طبقة مضغوطة من ثاني أكسيد التيتانيوم 1102 المترسبة عن طريق الطلاء المغزلي لمحلول المادة المنتجة للغشاء الرقيق المسطح من ‎SB‏ أكسيد التيتانيوم ‎TIOX‏ عند ‎700١0‏ لفة في الدقيقة لمدة ثانية وبناءً على ذلك تسخينها عند 00© درجة مثوية لمدة 70 دقيقة لتكوين أناتاز تيتانيا
متكافئ ‎٠‏ بعد ذلك ثم ترسيب مادة الدعم المؤقتة متوسطة المسام عن طريق الطلاء المغزلي لمشتت غراوني من الجسيمات بحجم النانو من ‎Yom‏ نانو ‎fe‏ أكسيد الألومنيوم 81203 في أيزو بروبانول 3 متبوحًا بالتجفيف عند ‎Yo.‏ درجة ‎YEP‏ لمدة ‎٠١‏ دقائق ‎٠.‏ بعد التبريد وصولاً إلى درجة حرارة الغرفة؛ تم ترسيب البروفسكيت عن طريق الطلاء المغزلي لمحلول داي ميثيل فورماميد
‎DMF ٠‏ من يوديد ميثيل أمونيوم وكلوريد الرصاص 56012 (النسبة المولارية ؟ : ‎٠ )١‏ أدى لتكوين البروفسكيت بعد التسخين وصولاً إلى ‎٠٠١‏ درجة مئوية لمدة £0 دقيقة. تم ترسيب طبقة المادة الناقلة ‎dill‏ عن طريق الطلاء المغزلي ل ‎ZV‏ بالحجم من محلول : ‎spiro-OMeTAD (2,2',7,7'-tetrakis—(N,N-di-p-methoxyphenylamine)9,9'-‏ ‎spirobifluorene)‏
‏في كلورو بنزين مع ‎Av‏ ملي مولار من 1 - بيوتيل بيريدين ‎Yo 5 (BP)‏ ملي مولار ليثيوم بيس (تراي فلورو ميثان سلفونيل) إيميد ‎lithium bis(trifluoromethanesulfonyl)imide‏ ‎(LITFSI)‏ المضاف عند ‎٠٠٠١‏ لفة في الدقيقة ‎sad‏ ©؟ ثانية. أخيرًاء تم إكمال الأجهزة باستخدام التبخير في وسط ‎Je‏ التفريغ من إلكترودات تلامس الفضة ‎Ag‏ من خلال ‎Jala‏ مثقب. تصنيع بنية معكوسة:
‎:PEDOT:PSS ٠٠ ‏التحتية التي تم تنميشها باستخدام غشاء‎ FTO ‏تم طلاء طبقات أكسيد قصدير مشاب بالفلورين‎ 775 : Yo ‏مترسب بواسطة الطلاء المغزلي لمحلول‎ PEDOT:PSS ‏رقيق رفيع السمك من‎ (Fisher Chemicals 44,95 <) ‏أيزو بروبانول‎ : (PEDOT:PSS (Clevios ‏بالحجم من‎ ‏دقيقة‎ ٠١ ‏درجة مئوية لمدة‎ ١5١0 ‏ثانية وتلدينه بعد ذلك عند‎ ٠١ ‏لفة في الدقيقة لمدة‎ ٠0606 ‏عند‎
‎ovvY
“ve aM ١,75 ‏أو ترابطه تشابكيًا عن طريق غمر الطبقات التحتية لمدة © دقائق في محلول‎ ‏الحديد الثلاثني 6013 مائي؛ ثم غسيلها في ؟ من الحمامات المتتابعة من الماء الذي تم نزع‎ ‏الأيونات منه ثم أخيرًا تجفيفه باستخدام النيتروجين.‎ :NiO ‏من أكسيد النيكل من‎ Sl ‏تم تحضير الطلاء المغزلي للمادة المنتجة للغشاء الرقيق رفيع‎ 5 nickel acetate ‏إذابة أسيتات تترا هيدرات النيكل‎ Gob ‏عن‎ Nickel(ll) oxide (NiO) ٠١ ‏في إيثانول عند تركيز يبلغ‎ monoethanolamine ‏ومونو إيثانول أمين‎ tetrahydrate
YEP ‏درجة‎ Vo ‏مولار مع التقليب في قارورة محكمة الإغلادق في الهوا عِِ على طبق ساخن عند‎ ‏لمدة ؛ ساعات. ظهر المحلول متجانسًا وبلون أخضر داكن.‎ أ أكسيد الفاناديوم ‎:V205‏ ‏تم طلاء طبقات أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎FTO‏ التحتية التي تم تنميشها باستخدام غشاء رقيق رفيع ‎lll‏ من خامس أكسيد الفاناديوم 1/205 مترسب بواسطة الطلاء المغزلي لمحلول ‎١‏ ‎١ :‏ بالحجم من فاناديوم (فاناديوم 0 أوكسي تراي أيزو برويبوكسيد ‎(Sigma Aldrich)‏ في أيزو بروبانول وتسخينه بعد ذلك وصيلاً إلى ‎5٠٠0‏ درجة مئوية للحصول على طبقات أكسيد ‎٠‏ فاناديوم متبأرة. بروفسكيت والترسيب بالتلامس من نوع 7: بعد التبريد / التجفيف؛ تم طلاء محلول ‎sald)‏ المنتجة للبروفسكيت ‎Bae‏ عند ‎٠00860‏ لفة في الدقيقة لمدة ‎٠١‏ ثانية ثم تم تسخينه ليصل إلى ‎dan ٠٠١‏ مئوية لمدة £0 دقيقة لتكوين البنية. تم ترسيب التلامس الانتقائي للإلكترون عن طريق الطلاء المغزلي لمحلول ‎Yo.‏ مجم / مل ‎١-‏ من ‎(Sigma Aldrich (Anhydrous) ‏في )5 بنزين‎ PCBM ‏وصلة غير متجانسة كتلية‎ ]60[ ٠٠ ‏لفة في الدقيقة لمدة £0 ثانية. تم طلاء محلول المادة المنتجة للغشاء الرقيق المسطح‎ ٠٠٠١ ‏عند‎ ‏ثانية وتم تلدين‎ Te sad ‏مغزليًا عند 200860 لفة في الدقيقة‎ TIOX ‏من ثاني أكسيد التيتانيوم‎ ‏الأجهزة باستخدام التبخير‎ Jl) ‏تم‎ Baal ‏دقائق.‎ ٠١ sad ‏درجة مئوية‎ ١١ ‏الأغشية الرقيقة عند‎ ‏من خلال حاجز مثقب.‎ Al ‏في وسط عالي التفريغ لإلكترودات تلامس‎ ‎ovvY
اج ‎Ad‏ \ _ النتائج والمناقشة تم توضيح الأدوات الفلطائية الضوئية ذات الغشاء الرقيق رفيع ‎Sle)‏ من البروفسكيت ‎Ban‏ ببنية ناشئة من الخلايا الشمسية الحساسة للأصباغ في الحالة الصلبة؛ حيث يتم تجميع الثقوب من خلال كاثود الفلز والإلكترونات من خلال آنود أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎FTO‏ : ‎(Ball, J. M.; Lee, M. M.; Hey, A.; Snaith, H. Low-Temperature Processed ©‏ ‎Mesosuperstructured to Thin-Film Perovskite Solar Cells. Energy &‏ ‎Environmental Science 2013).‏ في هذا التصميم؛ يتم ترسيب غشاء رقيق رفيع السلمك من ألومينا متوسطة المسام على طبقات تحتية من ‎FTO‏ مغطاة ب ثاني أكسيد التيتانيوم 1102 مضغوطة للمساعدة في تكوين الغشاء ‎Yo‏ الرقيق من البروفسكيت ثم يتم ترسيب مادة ناقلة للتقب عضوية على البنية المتكونة لتوفير تلادمس انتقائي لثقب ‎٠.‏ مع ذلك ‎٠‏ حيث )43 يتم تجميع التقوب من خلال كاثود الفلز العلوي؛ يكون لهذا التصميم تطبيقات محدودة في الخلايا الشمسية ‎AIAN‏ حيث يمكن تحقيق تحسينات فورية عن طريق استخدام مواد البروفسكيت ذات 'فجوة النطاق الواسعة" مع خلية ‎YELLIN‏ غير ‎iy gua‏ بفجوةة نطاق منخفضة؛ : ‎(Beiley, Z. M.; McGehee, M. D. Modeling low cost hybrid tandem Yo photovoltaics with the potential for efficiencies exceeding 20%. Energy &
Environmental Science 2012, 5, 9173-9179) ‏يتم تكوينها بشكل عام في تصميم "طبقة تحتية" مع تجميع الإلكترونات عند إلكترودات التلامس‎ ‏الفلزية العلوية.‎ ‎Cll ‏تكون المواد النمطية المستخدمة في الخلايا الفلطائية الضوئية العضوية كمواد تلامس انتقائي‎ Ye ‏بينما‎ (NiO ‏خامس أكسيد الفاناديوم 5 أوأكسيد النيكل‎ (PEDOT:PSS ‏للخلائط عبارة عن‎ : By 5060810 ‏ما يتم استخدام‎ Sale ‎ovvY
-؟- ‎poly[(9,9-bis(3' —(N,N-dimethylamino)propyl)-2,7-fluorene)-alt-2,7-(9,9-‏ ‎dioctylfiuorene)] (PFN)‏ كمتلقيات للإلكترون ‎.electron acceptors‏ من أجل تحديد ما إذا كانت هذه المواد ستعمل في ‎Jia ab lea‏ خطوة أولى جيدة لفحص ما إذا كان نقل الشحنة إلى هذه لطبقات الداخلية ‎Sac‏ ‏© في قياس كفاءة الإخماد الخاصة باللمعان الضوئي ‎PL‏ في الحالة ‎nll‏ على نحو مشابه لما أصبح روتيئًا في كل الخلايا الشمسية العضوية. يتم تقديم هذه البيانات في الشكل 9 ويتم تلخيص النتائج في جدول ؛. يمكن بوضوح رؤية أن كل الطبقات من النوع م المختارة في هذا العمل تخمد بروفسكيت ‎PL‏ بكفاءة أكبر من نموذج 5010-01/67/0_النموذجي» ‎af‏ مشابهة لأت ‎PEDOT:PSS‏ وخامس أكسيد الفاناديوم 7205 التي تبلغ 794,89 من كفاءة الإخماد. تُظهر ‎٠‏ كل الطبقات من النوع © معدلات إخماد أعلى بصورة كبيرة من نظام ثاني أكسيد التيتانيوم 1102 النموذجي؛ الذي يُظهر فقط 745 من كفاءة الإخماد في الحالة الثابتة. تستخدم كل الخلايا المصنعة في هذا العمل طبقة ‎PCO0BM‏ مطلي مغزليًا باعتباره مادة التلامس من النوع 07 حيث إن الخلايا الشمسية المصنعة باستخدام طبقة ‎PEN‏ داخلية ‎col‏ إلى الحصول على أداء فلطائي ضوئي ضعيف للغاية. ‎Alay‏ غير ‎PCBM| 4 NiO‏ 4 أكسيد الفاناديوم ‎V205‏ ارح ‎PFN|‏ 47 0 أكسيد التيتانيوم ‎£0,V) TiO2| 7 PEDOT:PSS‏ ‎ovvy‏
١
Spiro— 4.71 OMeTAD 7 ‏جدول 4. كفاءة إخماد وميض ضوئي في الحالة الثابتة لكل الطبقات من النوع م ومن النوع‎ ‏والمادة الماصة للبروفسكيت.‎ ‏باعتباره مادة التلامس من النوع م‎ PEDOT:PSS ‏يستخدم المثال الأول على بنية عكسية باستخدام البروفسكيت باعتباره كل من المادة الماصة‎ ‏كمادة تلامس من نوع 0 وطبقة‎ Cll) ‏رفيعة‎ PEDOT:PSS ‏للضوء والمادة الناقلة للشحنة طبقة‎ © ‏مضغوط كمادة تلامس من النوع . من أجل‎ TIOX ‏وثاني أكسيد التيتانيوم‎ PCOOBM ‏ثنائية من‎ ‏توافر القدرة على معالجة هذه البنى في الهواء؛ كانت الطبقة البينية العلوية من ثاني أكسيد‎ ‏ضرورية لتحقيق تلامس جيد مع الآنود العلوي من لل/. يتم تقديم صورة ماسح‎ TIOX ‏التيتانيوم‎ ‎.٠١ ‏في الشكل‎ JB ‏لقطاع عرضي من البنية‎ SEM ‏الإلكترون الدقيق‎ ‏تكون التغطية المنتظمة لبنية البروفسكيت أساسية لتصنيع أدوات فلطائية ضوئية مثلى ويتم التأثير‎ ‏عليها بصورة كبيرة بواسطة الطبقة التحتية التي يتم تكوينها عليها. عند التجميع على الطبقات‎
Yo ‏الملدن؛ يتم تكوين بلورات بحجم الماكرو من على مدى طول‎ PEDOT:PSS ‏التحتية من‎ ‏ميكرو متر من البروفسكيت؛ كما هو معروض في الشكل ١١ب) و١١د). بينما قد يكون هذا مفيدًا‎ ‏لنقل الشحنة من خلال الطبقة؛ توجد فجوات بحجم أكبر نوعًا بحجم الميكرو فيما بين البلورات التي‎ ‏الأمر الذي‎ (PEDOT:PSS ‏تسمح بالتلامس المباشر فيما بين 006081 والطبقة التحتية من‎ ١ ‏قد لا يكون مفيدًا لأداء الجهاز. يكون 06001:055 قابلاً للذوبان في داي ميثيل فورماميد‎ ‏مولار من كلوريد‎ ١75 ‏عن طريق الغمر في محلول مائي‎ BSL ‏ولهذا السبب تم ربطه‎ DMF ‏لتجنب إعادة ذوبان الطبقة عندما يتم ترسيب المادة المنتجة للبروفسكيت‎ (FeCI3 ‏الحديد الثلاثي‎ ‏تشابكيًا؛ من المثير للدهشة‎ agi jo PEDOT:PSS ‏عندما يكون‎ (DMF ‏في داي ميثيل فورماميد‎ ‏أن تغطية الغشاء الرقيق من البروفسكيت الناتج تزداد بصورة كبيرة بينما يكون قد تم تقليل متوسط‎ ٠ ‏حجم البلورة / المعلم لهذه المادة إلى حدٍ كبير. يتم عرض حجم البلورة والتغطية الناتجين في الشكل‎ + ‏الملدن و97‎ PEDOT:PSS ‏للأغشية الرقيقة من‎ 729 + Av ‏الذي وجد أنه‎ ؛)ج١١و‎ )أ١١‎
CAAA
حم ‎-١‏ ‎١‏ للأغشية الرقيقة المرتبطة تشابكيًا المقدر بشكل مباشر من صور ماسح الإلكترون الدقيق ‎.(SEM)‏ ‏عند مقارنة أداء الأجهزة الناتجة؛ كما هو معروض في الشكل ‎(NY‏ وجد أن الأجهزة المعالجة على ‎PEDOT:PSS‏ مرتبط تشابكيًا تُظهر قيم فلطية لدائرة مفتوحة تبلغ تقريبًا ‎A‏ ,+ فولط؛ بينما © حققت الأجهزة على ‎PEDOT:PSS‏ الملدن فقط حوالي ‎١14‏ فولط. يكون هذا ‎Bae‏ مع انخفاض إعادة ارتباط الشحنة ‎Led‏ بين الشحنات في طبقة وصلة غير متجانسة كتلية ‎PCBM‏ ‏والطبقة ‎PEDOT:PSS‏ _بسبب تغطية الغشاء الرقيق من البروفسكيت المحسنة. تعرض الأجهزة التي تستخدم ‎PEDOT:PSS‏ مرتبط تشابكيًا تيار دائرة قصر منخفض ‎Bg‏ يبلغ 116,7 ملي أمبير / سم-؟ مقارنة بالأجهزة ذات ‎PEDOT:PSS‏ الملدن التي تُظهر ‎١7,7‏ ملي أمبير / سم- ‎Ye‏ 31 بالرغم من أن الفارق يكون صغيرًاء وفي حدود صورة مغايرة تجريبية. ‎ual‏ وصلت كفاءة تحويل القدرة الخاصة بالأجهزة المثتلى إلى قيم تبلغ أعلى من ‎ANY‏ الأجهزة ذات ‎PEDOT:PSS‏ الملدن فائقة الأداء الذي وصل إلى 75,1. خامس أكسيد الفاناديوم 7205 وأكسيد النيكل ‎NIO‏ مواد تلامس من نوع م يكون كل من خامس أكسيد الفاناديوم 7205 وأكسيد النيكل ‎NIO‏ مواد من نوع ‎P‏ معتادة يتم ‎١‏ استخدامها ‎Wa‏ للأدوات الفلطائية الضوئية العضوية عالية الكفاءة والثابتة. ‎cla‏ قام المخترحعون بتصنيع الأجهزة عن طريق الطلاء المغزلي لمحلول المادة المنتجة الملائم أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎FTO‏ مع خطوة تلبيد تالية عند ‎50٠0‏ درجة مئوية لضمان طبقة أكسيد فلز متبلّر بشكل تام. يمكن أن تكون التغطية السطحية لمحلول البروفسكيت أمرًا لهذه ‎sal‏ كما يمكن أن يُشا هد في صور ماسح الإلكترون الدقيق ‎(SEM)‏ الخاصة بالشكل ‎AY‏ ‎٠‏ يتم عرض الأداء الفلطائية الضوئية الخاصة بالأجهزة المتضمنة هذه ‎hese‏ الطبقات في الشكل ‎Ne‏ ‏المقارنة مع البنى المنتظمة أخيرًاء تتم مقارنة الجهاز المعكوس الممتازء الذي يتضمن ‎PEDOT:PSS‏ باعتباره الطبقة المتقبلة ‎Cail‏ و/066081 كطبقة استخلاص الإلكترون؛ في مقابل جهاز ببنية منتظمة متكون من طبقة ‎CAAA‏
-١؟34-‎ متقبلة للإلكترون من ثاني أكسيد التيتانيوم 1102 و ‎spPiro—OMeTAD‏ باعتباره الطبقة الناقلة للتقب في الشكل ‎(Yo‏ يحقق كلا الجهازين تيارات ‎il‏ قصر مذهلة أعلى من ‎١7,5‏ ملي أمبير / ‎Yan‏ وقيم فلطية عالية لدائرة مفتوحة تبلغ أعلى من ‎١,4‏ فولط. يعتبر الفارق الأساسي في كفاءة تحويل القدرةٍ البالغة 771,8 للبنية المنتظمة و؛ 797,5 للأجهزة المعكوسة؛ هو معاملات © التعبئة المنخفضة الخاصة بالأخيرة. يكون هذا أمرًا محتملاً بسبب إما الأمور المتعلقة بالتسرّب فيما بين ‎PEDOT:PSS‏ ووصلة غير متجانسة كتلية ‎PCBM‏ كما هو معروض في الشكل ‎Slo‏ حالات الفقد في مقاومة التوال» على الأرجح بسبب ضرورة استخدام طبقة علوية من ثاني أكسيد التيتانيوم ‎TIOX‏ من أجل توافر القدرة على معالجة الأجهزة في ظروف الهواء المحيط. توفر الأجهزة الممثلة التي تم الكشف عنها أسلوب جديد بشكل تام لتصميم بنية؛ تحديدًا حيث إنه ‎٠‏ عادةً ما يتم استخدام المواد المستخدمة وانتاجها على نحو كتلي في الوقت الحالي لصناعة ‎Wal‏ الفلطائية الضوئية العضوية وينبغي بناءً على هذا زيادة بصورة كبيرة تطوير نظام قابل للإنتاج الاستنتاج تكون بنى الأجهزة المعكوسة؛ حيث يتم تجميع الثقوب من خلال أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎FTO ١٠‏ ضرورية للتطبيقات المترادفة للاستخدام مع خلايا سفلية فلطائية ضوئية غير عضوية. في هذا الطلب يتم عرض خلية فلطائية ضوئية منخفضة الحرارة يمكن الوصول إليها من الهواء المحيط ومحلول اعتماذًا على ‎sale‏ ماصة للبروفسكيت شبه موصلة ومواد التلامس من نوع ‎N‏ ومن نوع م الانتقائية في صورة ‎PEDOT:PSS‏ و[60] وصلة غير متجانسة كتلية ‎PCBM‏ يتم تحقيق 797,5 من كفاءة تحويل القدرة لهذه البنية المعكوسة. في هذا المفهوم يوضح هذا تنوّع تقنية ‎٠‏ الغشاء الرقيق رفيع ‎SLL‏ من البروفسكيت لمجموعة واسعة التنوع من تصميمات الجهاز الممكنة؛ وعلى نحو مهم بشكل مساوي؛ يؤدي هذا إلى إزالة أية عوائق لاختيار تقنية البروفسكيت بواسطة المجموعة الفلطائية الضوئية العضوية. ترسيب بخار ‎SU‏ المصادر تحضير الطبقة التحتية
CAAA
-١؟.-‎
تم إجراء عملية تحضير الطبقة التحتية في الهواء. تم وضع نموذج للزجاج المطلي بأكسيد قصدير
مشاب بالفلورين ‎(FTO)‏ عن طريق التنميش باستخدام مسحوق فلز ‎ZN‏ وحمض الهيدروكلوريك hellmanex ‏من‎ ZY ‏؟ مولار مخفف في ماء 01/16 ثم تم تنظيفه باستخدام محلول‎ HC
مخفف في ماء ‎milliQ‏ شطفه باستخدام ماء ©001//1؛ أسيتون وايثانول وتجفقيفه باستخدام هواء
© جاف نظيف. تمت ‎BAY‏ معالجة بلازما أكسجين لمدة ‎٠١‏ دقائق. تم طلاء طبقة مضغوطة من
ثاني أكسيد التيتانيوم 1102 مغزليًا بمحلول حمضي من تيتانيوم أيزو بروبوكسيد في إيثانول؛ ثم
تلبيده عند ‎١5١‏ درجة مئوية لمدة ‎٠١‏ دقائق ثم ‎٠00‏ درجة مئوية لمدة ‎٠١‏ دقيقة.
ترسيب البخار
يكون النظام المستخدم عبارة عن تبخير مزدوج المصادر للتعامل بصورة أفضل مع المصدر ‎٠‏ العضوي والمصدر غير العضوي على نحو متفصل. كان المبخر ‎Kurt J.
Lesker Mini sa‏
‎Deposition System‏ 5060005 _ببوتقات خزفية (مصادر الصمام الثاني باعث الضوء
‏العضوي ‎¢(organic light-emitting diode (OLED)‏ مبيتة في صندوق قفازات جاف ‎Lae‏
‏بالنيتروجين (الشكل ‎.)١8‏ لهذاء تم تشغيل كل عمليات في بيئة خالية من الأكسجين. يتم تصميم
‏غرفة التشغيل للعمل تحت ضغط يبلغ 9560 - 00 باسكال حيث تكون جسيمات البخار قادرة على الانتقال بشكل مباشر إلى الطبقة التحتية. تم الحفاظ على العينات سطحها لأسفل في حامل
‏أعلى البوتقات المحتوية على مساحيق المصدر. وحدة يتم وضع مراقبة باثنين من المستشعرات
‏البلورية ‎٠١ crystal sensors‏ سم أعلى البوتقات مباشرة لمراقبة معدل الترسيب الخاص بكل
‏مصدر على نحو منفصل بدون التدخل من بعضها البعض. يتم اعتبار القياسات الخاصة بها
‏بمثابة تغذية استرجاعية لضبط درجة حرارة التسخين للمواد الكيميائية الخاصة بالمصدر. يكون ‎Yo‏ مستشعر بلوري ‎AT‏ متاحًا بالقرب من حامل الطبقة التحتية الذي يمكن استخدامه لقياس إجمالي
‎Sl‏ المترسب.
‎tooling factor measurement ‏قياس معامل التشكيل‎
‎ovvY
-١؟١-‏ حيث إن المشافة من المصدر إلى وحدة المراقبة تكون مختلفة عن المسافة من المصدر إلى الطبقة التحتية؛ تمت معايرة معامل التشكيل (نسبة المواد المترسبة على المستشعرات إلى تلك على العينات) لكل مصدر بشكل فردي. تم افتراض أن كتثافة 0113001131 تبلغ ‎١‏ جم / ‎Yaw‏ بسبب عدم إتاحتها. يتم عرض الإعداد والنتائج في جدول © ‎ail‏ على معدل زمن ‎SL‏ الفعلى | معامل المصدر الكثافة المستشعرا ‎١‏ ‏التبخير | التبخير في المتوسط | التشكيل تت 1 المصدر ‎١‏ : :ِ "© كيلو ‎٠,48 ١‏ ميكرو ‎١‏ جم/ ‎Vou‏ أمبير / ‎YY‏ دقيقة . ا ثانية المصدر . 1:7 5,85 ‎of faa‏ أمبير ‎٠‏ كيلو | ‎١85‏ نثانو "© دقيقة | 5,51 2 سم / ثانية أمبير متر © جدول 10 قياس معامل التشكيل لاحظ أنه كان من العسير تبخير المصدر العضوي 0113101131 على نحو ثابت بسبب عدم ثباته أثناء عملية التبخير وتضمن معدل ترسيبه ما يصل إلى + / = 770 من الاشتقاق من قيمة المجموعة. تم قياس ‎elds‏ الفيزيائي ‎physical thickness‏ بواسطة مسبار ‎ele‏ الغشاء الرقيق ‎.Veeco DekTak 0‏ ‎A‏ ترسيب البروفسكيت ثنائي المصادر يهدف المخترجون إلى فحص ‎WIA‏ شمسية من البروفسكيت ذات الوصلة المسطحة عن طريق التبخير في نظام الترسيب مزدوج المصادر. يمكن ترسيب البروفسكيت المتبخر أعلى الطبقة المضغوطة من ثاني أكسيد التيتانيوم 1102 بشكل مباشر بدون طبقة متوسطة المسام (الشكل ‎٠‏ “ب 3 ‎٠‏ لله . دف
AEA
تم وزن المصدر العضوي 0113111131 والمصدر غير العضوي كلوريد الرصاص 506012 ‎Gs‏ عند ‎You‏ مجم و١٠٠‏ مجم؛ ووضعهما في الاثنين من البوتقات على التوالي. تم إدخال العينات مع وضع سطحها لأسفل في حامل الطبقة التحتية. بمجرد أن تم تفريغ الضغط في الغرفة وصولاً إلى ‎85٠0‏ - 100 باسكال؛ تم فتح وسائل إغلاق الاثنين من مصادر الصمام الثاني باعث الضوء © العضوي ‎OLED‏ بينما يتم تسخين المصادر. بمجرد أن حقق الاثنين من المصادر قيم المجموعة؛ تم فتح وسيلة الإغلاق الخاصة بالطبقة التحتية عن طريق تدوير الحامل من أجل الحصول على غشاء رقيق رفيع السمك منتظم. بعد استكمال ‎pal)‏ تم تغيير لون العينات التي تناظر تركيبة الاثنين من المصادر. ثم تم وضع كل العينات عند طبق ساخن للتجفيف عند ‎٠٠١‏ درجة مئوية ‎٠٠ sad‏ دقيقة لتبلّر بلورة بروفسكيت ‎٠‏ قبل الطلاء المغزلي لطبقة المادة الناقلة للثقب. يعرض الشكل ‎7١‏ صورة السطح بعد تلدين بلورة البروفسكيت على الطبق الساخن. حتى الآن في التجربة؛ تم استخدام 79 ‎spiro—OMeTAD‏ في محلول كلورو بنزين مع إضافة ‎lithium, tert-butylpyridine (tBP) - t‏ ‎bis(trifluoromethanesulfonyl)imide (Li-TFSI)‏ باعتباره المادة الناقلة ‎dill‏ وتم طلاؤه ‏مغزليًا عند ‎٠00860‏ لفة في الدقيقة ‎sad‏ £0 ثانية. في النهاية؛ تم إكمال الأجهزة بتبخير إلكترودات ‎Vo‏ تلامس من الفضة ‎Ag‏ (الشكل ‎(IY‏ ‏بمقارنة البروفسكيت المتبخر مع بروفسكيت ‎hall‏ مغزليًا التقليدي؛ كان للبروفسكيت المتبخر ‏سطح أكثر انتظامًا وتسطيحًا مع ثقوب أقل (الشكل ‎.)١١‏ لا تتلامس التغطية التامة للبروفسكيت ‏المتبخر بشكل تام فقط مع الطبقة المضغوطة من ثاني أكسيد التيتانيوم 1102؛ ولكن ‎Lay‏ تعزل ‏طبقة المادة الناقلة للتقب عن الطبقة المضغوطة. بالتأكيد سيساعد هذا الخلية الكهروضوئية إضافة ‎٠‏ إلى الفلطية خلال النظام. ‏تمييز الجهاز ‏بدأت التجربة بتركيبة متغيرة كلوريد الرصاص ‎١ : 4 CH3NH3I to PbCI2‏ إلى ‎١٠:١6‏ ‏بنسبة مولارية ‎JB‏ من ‎ea)‏ مثمك ثابت. بمجرد أن يتم الوصول بالتركيبة إلى المستوى الأمثل؛ ‏تم فحص ‎Sl)‏ المرغوب فيه في ظل أفضل تركيبة. ‎ovvy
AEA
‏لقد تم تحقيق أفضل أداء وصولاً إلى 717 من كفاءة القدرة الكهربائية مع ضبط معدل الترسيب‎ ‏أنجستروم / ثانية لكلوريد الرصاص 50012 الذي‎ ١و‎ 611300113١ ‏على 5,7 أنجستروم / ثانية ل‎ ‏بنسبة مولارية إذا تم أخذ معامل التشكيل في الاعتبار. مع‎ ١ : 9,7 ‏ينبغي بصورة مثالية إعطاؤه‎ 011301113١ ‏ما يكون لتبخير المصدر العضوي‎ Wh ‏إنه‎ dua (Ji ‏ذلك؛ كما هو مذكور من‎ ‏ل 6113011131 4,؟؛ كيلو أنجستروم‎ ١ ‏النهائي المعروض على المستشعر‎ lll ‏انحراف» بلغ‎ © ‏ينبغي أن يبلغ متوسط معدل الترسيب‎ (al ‏كيلو أنجستروم. بصياغة‎ EYE ‏بدلاً من المتوقع‎ ‏أنجستروم / ثانية بدلاً من قيمة الضبط 5,7 أنجستروم / ثانية. في‎ 5,1 CH3NH3I ‏الفعلي ل‎ ‏هذه الحالة؛ تم ترسيب الغشاء الرقيق بالفعل في ظل نسبة مولارية خاصة ب 6113101131 إلى‎ ‏مقاسًا‎ jie ‏نانو‎ 77٠0 ‏فيزيائي يبلغ‎ elds ‏تؤدي للحصول على‎ ١ : 9,8 050612 ‏كلوريد الرصاص‎ .DekTak ‏بواسطة مسبار‎ ٠ ‏ملي‎ YY, EV ‏أدى أفضل أداء إلى الحصول على تيار الخلية الكهروضوئية لدائرة قصر 56ل يبلغ‎ ‏فولط ومعامل‎ ٠,١97 ‏تبلغ‎ VOC ‏فلطية دائرة مفتوحة المركبات العضوية المتطايرة‎ «Yau / ‏أمبير‎ ‏مما يؤدي إلى الحصول على كفاءة تحويل كهربائي للقدرة تصل إلى‎ ١,719 ‏يبلغ‎ (FF) ‏تعبئة‎ ‎: ‏قياس السمات المميزة للتيار - الفلطية‎ YY ‏كما هو معروض في الشكل‎ 9 7 ‏في ظل ضوء الشمس مستحث‎ )2400 Series SourceMeter, Keithley Instruments) ٠٠ ‏ملي واط ©٠سم-؟ وتم إخفاء الخلايا الشمسية باستخدام فتحة فلز‎ ٠٠١ ‏عند إشعاع‎ 6١,5 ‏صباحًا‎ ‏لتحديد المساحة النشطة بلغت نمطيًا 0,071 سم؟ وقياسها في حامل عينة محكمة الضوء لتقليل‎ ‏أية تأثيرات حدية.‎
XRD ‏تم قياس نموذج حيود أشعة إكس‎ and) ‏من أجل تحديد المحتويات في الغشاء الرقيق‎ ‏التقليدي للبروفسكيت‎ XRD ‏لسطح البروفسكيت المتبخر ثم مقارنته مع نموذج حيود أشعة إكس‎ Yo
YY ‏المطلي مغزليًا والمواد الكيميائية الأساسية الأخرى كما هو معروض في الشكل‎ ‏فإنها تعرض بوضوح أن البروفسكيت المتبخر يكون مطاباً‎ XRD ‏وفقًً لنماذج حيود أشعة إكس‎ ‏في الغالب للمحلول المعالج الخاص بالغشاء الرقيق من البروفسكيت المعالج من المواد المنتجة‎ ‏(التذي يُطلق عليه‎ DMF ‏وكلوريد الرصاص 05012 في داي ميثيل فورماميد‎ CH3NH3I ovvy
0)) الذي يوضح أن البروفسكيت المتبخر له نفس البنية البلورية ‎Je‏ البروفسكيت المطلي
مغزليًا.
تمت مقارنة القياس الأخير في الشكل ‎YE‏ بالامتصاص ‎led‏ بين ‎70٠0‏ نانو ‎jie‏ للغشاء الرقيق
المتبخر والغشاء الرقيق المطلي مغزليًا. يكون للامتصاص الخاص بالاثنين من مواد البروفسكيت
0 المتبخر ذي "الوصلة المسطحة" ‎Yor‏ نانو ‎jie‏ الشكل المشابه للامتصاص ‎Jie‏ البروفسكيت الذي
تم طلاؤه مغزليًا ذي "الوصلة المسطحة" ‎٠٠00‏ نانو ‎Jie‏ ولكن يكون للبروفسكيت المتبخر وحدات
أكبر في الامتصاص.
الاستنتاج
في هذا الطلب؛ يتم توضيح البروفسكيت المتبخر المختلط غير العضوي - العضوي على الخلايا ‎٠‏ الشمسية ذات الوصلة السطحة بأكثر من 715 كفاءة تحويل كهربائية للقدرة عن طريق التحكم
بشكل ملائم في معدل الترسيب الخاص ب 61131801131 وكلوريد الرصاص كلوريد الرصاص
2 والمُمك المترسب على الطبقة التحتية. يتغلب تحقيق استخدام تقنيات التبخير لإنتاج خلايا
شمسية من البروفسكيت على القيود الخاصة بعملية المحلول لإيجاد محلول ملاثم لإذابة المواد
الكيميائية ومن م تساعد أيضنًا في التسويق التجاري للخلايا الشمسية المختلطة غير العضوية - ‎١‏ العضوية.
بشكل عام؛ يعتبر من المفيد أن يتم الحفاظ على بنية بلورية ثلاثية الأبعاد في البروفسكيت؛ في
مقابل تكوين مواد بروفسكيت من طبقات التي ‎ia‏ سيكون لها قيم طاقة ربط إكسيتون أكبر :
‎energies (Journal of Luminescence 60861 (1994) 269 274).‏ يكون من المفيد
‏أيضًا أن تتوافر القدرة على ضبط فجوة النطاق الخاصة بالبروفسكيت. يمكن تغيير فجوة النطاق إما ‎٠‏ عن طريق تغيير الكاتيونات الفلزية أو الهاليدات الخاصة بهاء الأمر الذي يؤثر بشكل مباشر على
‏كل من المدارات الإلكترونية والبنية البلورية. على نحو بديل؛ عن طريق تعديل الكاتيون العضوي
‎(Je)‏ سبيل المثال من كاتيون ميثيل أمونيوم إلى كاتيون فورماميدينيوم)؛ يمكن تبديل البنية
‏البلورية. مع ذلك؛ من أجل المواءمة داخل بلورة البروفسكيت؛ يتحتم الإيفاء بالحالة الهندسية
‏التالية:
‎ovvy
-ه6١-‏ ‎Ry‏ + قاد = ‎(Rg + Ry)‏ حيث تكون 4,8,424 هي أنصاف الأقطار الأيونية لأيونات ‎LABX‏ لقد وجد المخترع على نحو غير متوقع أن كاتيون فورماميدينيوم ‎(FO)‏ لا يحتاج تكوين بنية البروفسكيت في بنية بلورية ثلاثية الأبعاد في بروفسكيت ‎FOPPBR3‏ (بلورة رباعية ‎(tetragonal crystal‏ أو 53 (بلورة © مكعبة ‎(cubic crystal‏ ومواد بروفسكيت من هاليد منها. إنتاج طبقة بروفسكيت من خطوتين ب ‎٠‏ ل ‎i]‏ لبقة ‎A wll‏ تم تنميش نموذج إلكترود على طبقات تحتية من الزجاج مطلية باستخدام أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎(FTO, TEC 7 Pilkington Glass)‏ باستخدام خليط من مسحوق ‎ZN‏ وحمض ‎٠‏ الهيدروكلوريك ‎HCL‏ ؟ مولار. ثم تم تنظيفها تتابعيًا في ‎(Hallmanex‏ ماء تم نزع أيونات ‎ie‏ ‏أسيتون» ‎propan—2-ol‏ وبلازما 02. ترسيب طبقة انتقائية للإلكترون تعمل طبقة ‎Gla) dad)‏ (تقريبًا ‎5٠‏ نانو ‎(Jie‏ من ثاني أكسيد التيتانيوم 1102 باعتبارها الطبقة الانتقائية للإلكترون. يتم ترسيبها على الطبقة التحتية عن طريق الطلاء المغزلي (السرعة - ‎١٠ ١٠‏ لفة في الدقيقة؛ التسارح = ‎Yorve‏ لفة في الدقيقة / ثانية الزمن = ‎(dnt Te‏ من محلول مرشح (مرشح بولي تيترا فلورو إيثيلين ‎١40 polytetrafluoroethylene‏ ميكرو ‎(Jie‏ محتوي على ‎Ti‏ - أيزو بروبوكسيد في إيثانول مع ا10! مضاف. تم تسخين هذه الأغشية الرقيقة وصئلاً إلى ‎Cun‏ درجة ‎YEP‏ لمدة ‎١‏ دقيقة. ‎pas‏ ليوديد الرصاص ‎Lead iodide (PbI2)‏ وكلوريد الرصاص ‎PbCI2‏ ‎٠‏ .تم ترسيب الأغشية الرقيقة ‎old) ded)‏ (تقريبًا ‎١5١‏ نانو متر) أيدوديد الرصاص 0512 ‎0f‏ أو كلوريد الرصاص 56012 عن طريق التبخير الحراري من خلال قناع إخفاء على الطبقات التحتية عند ضغط يبلغ تقريبًا م يي باسكال عند معدل يبلغ تقريبًا ‎Y‏ أنجستروم / ثانية . بلغت ‎ovvY‏
-6؟١-‏ درجات حرارة التبخير تقريبًا ‎77١‏ درجة مئوية و١٠؟‏ درجة مئوية ليوديد الرصاص 0512 وكلوريد الرصاص 55012 على التوالي. تحويل البروفسكيت عن طريق الطلاء بالغمس للطلاء بالغمس؛ تم غمر الطبقات التحتية المطلية ‎Base‏ في يوديد الرصاص 5512 أو ‎PbCI2‏ ‏5 في محلول ‎Yo‏ مجم / مل من يوديد ميثيل أمونيوم في لامائي ا010080-2-0 في صندوق قفازات ‎Lae‏ بنيتروجين. كان زمن الغمس ثابثًا لكل الأجهزة عند ‎٠١‏ دقائق. بعد الطلاء بالغمس»؛ تم تلدين الطبقات التحتية عند ‎١7١‏ درجة مئوية في جو من النيتروجين لمدة ‎٠١‏ دقائق. يمكن أن تتراوح أزمنة الغمس من ‎٠١‏ ثوان إلى ؟ ساعة؛ للمثال المتوفر في هذه البراءة؛ بلغ زمن الغمس ‎Yo‏ دقائق. ‎Yo‏ ترسيب مادة ناقلة للتقب ثم ترسيب ‎sald)‏ الناقلة للقبء ‎YY YY‏ - تتراكيس - ‎-N «N)‏ داي -م ميثتوكسي فينيل أمين) 9, ’= سبيرو فلورين (100-01/87/80م5)؛ عن طريق الطلاء المغزلي ‎dopa)‏ = ‎al ٠٠٠‏ في الدقيقة التسارع = ‎٠٠.١.‏ لفة في الدقيقة / ثانية الزمن حا 51( من محلول كلورو بنزين ‎Av‏ ملي مولار محتوي على 780 بالمول ‎t‏ - بيوتيل بيريدين ‎(BP)‏ و0٠77‏ بالمول ‎٠‏ ليثيوم بيس (تراي فلورو ميثان سلفونيل) إيميد ‎(LI=TFSI)‏ كمواد إضافة في صندوق قفازات معباً ترسيب الإلكترود العلوي تم ترسيب الإلكترود العلوي من الفضة عن طريق التبخير الحراري (الضغط تقريبًا © ميكرو تور) وصولاً لثمك يبلغ ‎١٠١‏ نانو متر عند تقريبًا ‏ أنجستروم / ثانية. ‎٠‏ تمييز التيار - الفلطية للجهاز لقياس أداء الخلايا الشمسية؛ تم توليد ضوء الشمس مستحث صباحًا 1,0 باستخدام محاكي شمسي من فئة ‎AAB ABET‏ معاير للحصول على مستحث صباحًا 5,؛ بإشعاع مكافئ ‎٠١6,5‏ ملي واط / سم 31 باستخدام خلية مرجعية من سيليكون مرشح ‎KG5‏ معاير ب ‎NREL‏ ثم حساب ‎oVVY‏
AEA
‏إلى 9060 نانو مترء التي‎ ٠٠ ‏بين‎ lad ٠.١66 ‏ليكون‎ mismatch factor ‏معامل عدم التوافق‎ ‏وخلايا اختبار‎ KGS ‏تفوق نطاق التشغيل الخاص بكل من خلية مرجعية من سيليكون مرشح‎
Keithley 2400, ( ‏البروفسكيت. تم تسجيل منحنيات التيار - الفلطية باستخدام مقياس مصدر‎ (Yaw +, +170) ‏ه5لا). تم إخفاء الخلايا الشمسية باستخدام فتحة فلز تحدد المساحة النشطة‎
YY ‏لشدة - فلطية تيار خاصة بالأجهزة في الشكل‎ shed) ‏الشمسية. يتم عرض السمات‎ DAL © (ليوديد الرصاص 0012 باعتباره الطبقة المتفاعلة ضوئيًا (الخط المتقطع) 5 ‎CH3NH3PDI3‏ بعد الطلاء بالغمس باعتباره الطبقة المتفاعلة ضوئيًا (الخط المصمت)) والشكل ؟؟ (لكلوريد الرصاص 2 باعتباره الطبقة المتفاعلة ضوئيًا (الخط المتقطع) و ‎CH3NH3PbI3-XCIX‏ بعد الطلاء بالغمس باعتباره الطبقة المتفاعلة ضوئيًا (الخط المصمت)). ‎١٠‏ حيود أشعة إكس تم الحصول على أطياف حيود أشعة إكس ‎(XRD)‏ من الأجهزة بدون إلكترودات من الفضة (نجاج مطلي ب أكسيد قصدير مشاب بالفلورين أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎FTO‏ ثاني أكسيد التيتانيوم ‎(TiO2‏ الطبقة المتفاعلة ‎(spiro-OMeTAD (isa‏ باستخدام مقياس حيود لأشعة إكس من نوع ‎Pro‏ 200811 ل08087/1068. يتم عرض النتائج في الشكل ‎.7١‏ ‎aad) ١٠‏ المجهري الإلكتروني الماسح تم الحصول على صور الفحص المجهري الإلكتروني الماسح ‎(SEM)‏ من ‎Bead)‏ بدون إلكترودات من الفضة (زجاج ‎he‏ ب أكسيد قصدير مشاب بالفلورين أكسيد قصدير مشاب بالفلورين ‎FTO‏ ثاني أكسيد التيتانيوم 1102 الطبقة المتفاعلة ‎(spiro—OMeTAD (isu‏ باستخدام 5-4300 1118001. يتم عرض الصور بالميكروسكوب الإلكتروني في الشكل 795 (ل ‎٠١ ‏بعد الطلاء بالغمس) والشكل‎ CH3NH3PbI3—XCIxX ‏كلوريد الرصاص 05012 و(ب)‎ )( ٠ ‏و(ب) 6113111130513 بعد الطلاء بالغمس).‎ PbI2 ‏(أ) ليوديد الرصاص‎ J) ‏النتائج والمناقشة‎ ‏تسمح الطريقة ذات الخطوتين بإنتاج أغشية رقيقة منتظمة من البروفسكيت باستخدام تقنيات‎ ‏اقتصادية التي تكون متاحة بالفعل في صناعة تركيب الألواح الزجاجية. بعد ترسيب أولي لداي‎ ‎ovvy
“VENA ‏هاليد فلزء يمكن إنتاج أغشية )488 منتظمة مستوية من البروفسكيت بواسطة ترشيح داي هاليد‎
A) ‏أطياف حيود أشعة إكس لأغشية رقيقة رفيعة‎ TY ‏الفلز مع الهاليد العضوي. يعرض الشكل‎
Pbl2 ‏(ج) ليوديد الرصاص‎ «CH3NH3PbI3—XCIx ‏(ب)‎ PbCI2 ‏من (أ) كلوريد الرصاص‎ ‏و(د) 011300130513. بعد الطلاء بالغمس» تعرض الأغشية الرقيقة من كل المواد المنتجة‎ ‏انخفاض شدة نسبي للقمم التي تناظر شبكة المادة المنتجة وزيادة نسبية لشبكة البروفسكيت (غير‎ oo ‏للمادة المنتجة) مما يدل على تحوّل سائد للأغشية‎ (XRD) ‏موجود في أطياف حيود أشعة إكس‎ ‏الرقيقة من المادة المنتجة في البروفسكيت.‎ ‏يعرض الشكل 74 صور دقيقة بالمسح بالإلكترون لقطاع عرضي من الأجهزة تعرض» من القاع‎ ‏طبقة ثاني أكسيد‎ FTO ‏إلى القمة؛ الطبقة التحتية من الزجاج؛ أكسيد قصدير مشاب بالفلورين‎ ‏10-01/8م8._تكون‎ 17/0 (isn ‏التيتانيوم 1102 الحساسة للإلكترون؛ الطبقة المتفاعلة‎ ٠ ‏بعد‎ CH3NH3PbI3-XCIx ‏الطبقات المتفاعلة ضوئيًا هي (أ) كلوريد الرصاص 05012؛ و(ب)‎ ‏صور دقيقة بالمسح بالإلكترون لقطاع عرضي من الأجهزة‎ 7١0 ‏الطلاء بالغمس. يعرض الشكل‎
FTO ‏تعرض» من القاع إلى القمة؛ الطبقة التحتية من الزجاج؛ أكسيد قصدير مشاب بالفلورين‎
SPIro— «isa ‏أكسيد التيتانيوم 1102 الحساسة للإلكترون؛ الطبقة المتفاعلة‎ Sb ‏طبقة‎ ‏هي )( ليوديد الرصاص 5512 و(ب)‎ Wes ةلعافتملا‎ wlll o& .OMeTAD ١ ‏بعد الطلاء بالغمس. في كلا الحالتين» تعرض مواد البروفسكيت المنتجة عن‎ CH3NH3PDI3 ‏طريق الطلاء بالغمس انتظامًا نسبيًا.‎ ‏و؟3. في الشكل‎ TY ‏يتم عرض السمات المميزة لشدة - فلطية تيار خاصة بالأجهزة في الأشكال‎
Lal) ‏باعتبارها الطبقة النشطة‎ PbI2 ‏يتم عرض السمات المميزة لجهاز تم إعداده باستخدام‎ (FY ‏المتقطع) وجهاز حيث تم تحويل يوديد الرصاص 0012 المتبخر إلى 6113111135513 (الخط‎ Yo .propan—2-ol ‏المصمت) عن طريق الطلاء بالغمس في محلول يوديد ميثيل أمونيوم في‎ ‏بير كلورو إيثيلين‎ Yau / ‏ملي أمبير‎ ١,1 - ‏متغيرات الأداء ليوديد الرصاص 09512 تكون 56ل‎ = FF ‏فولط؛ معامل التعبئة‎ ١,97 = Voc ‏المركبات العضوية المتطايرة‎ 20,8602 = PCE ‏بير كلورو‎ Yaw / ‏تكون 506ل = 5,9 ملي أمبير‎ CH3NH3PDI3 ‏متغيرات الأداء ل‎ ..,2١ = FF ‏فولط؛ معامل التعبئة‎ +, AY = VOC ‏المركبات العضوية المتطايرة‎ 27,4 = PCE ‏إيثيلين‎ Yo ovvy
-4؟١-‏ ‎LT)‏ في الشكل ‎YY‏ يتم عرض ‎Shee Glew‏ لشدة - فلطية تيار خاصة بجهاز تم إعداده باستخدام كلوريد الرصاص 06012 باعتبارها الطبقة النشطة (الخط المتقطع) وجهاز حيث تم تحويل كلوريد الرصاص 50012 المتبخر إلى ‎CH3NH3PbI3-XCIx‏ (الخط المصمت) عن طريق الطلاء بالغمس في محلول يوديد ميثيل أمونيوم في ا000080-2-0. متغيرات الأداء © لكلوريد الرصاص ‎PbCI2‏ هي 56ل = ‎Lev, AY‏ أمبير / ‎Yau‏ بير كلورو إيثيلين ‎PCE‏ = 7 ا المركبات العضوية المتطايرة ‎١,795 = VOC‏ فولط؛ معامل التعبئة ‎FF‏ = 77,.. متغيرات الأداء ل ‎CH3NH3PbI3—XClx‏ هي 56ل = ‎١5,0‏ ملي أمبير / ‎Yau‏ بير كلورو إيثيلين ‎٠ = PCE‏ ,27؛ المركبات العضوية المتطايرة ‎١,8 = VOC‏ فولط؛ معامل التعبئة ‎FF‏ = 4 ». في كلا الحالتين؛ يتم عرض أنه يتم إنتاج الأجهزة القابلة للتطبيق بواسطة هذه الطريقة ذات ‎٠‏ الخطوتين. تقدير طول انتشار المادة الحاملة للشحنة لشحنة (إما إلكترون أو ثقب) سيتم توليدها من امتصاص الضوء وتجميعها بكفاءة من غشاء رقيق صلب رفيع ‎cold)‏ يتحتم أن تكون فترة عمر أنواع الشحنات (الوقت الذي ستستمر فيه قبل ‎sale)‏ ‏الدمج مع أنواع مشحونة على نحو مضاد) أطول من الزمن الذي تستغرقه للانتشار عبر الغشاء ‎Vo‏ الرقيق وتتدفق إلى الإلكترود. يمكن استخدام المنتج الخاص بمعامل الانتشار ‎(De)‏ وفترة عمر ‎(Te)‏ لتقييم طول الانتشار ‎(LD)‏ بإتباع ‎¥D7‏ ح وه لقد تم استخدام إخماد الوميض الضوئي ‎(PL)‏ من قبل بنجاح مع مواد شبه موصلة عضوية؛ من أجل تحديد طول الانتشار الخاص بزوج الإلكترون - الثقب لرابطة الضوء المستحث (الإكسيتون). عن طريق تصنيع بشكل مبسط أغشية رقيقة صلبة رفيعة ‎(BSL‏ وجود أو عدم وجود طبقة ‎٠‏ إخماد إكسيتون؛ وقولبة إضمحلال الوميض الضوئي على معادلة ‎Olam‏ من الممكن تحديد بدقة فترة عمر الإكسيتون؛ معدل الانتشار وطول الانتشار. يتم عرض صورة ماسح الإلكترون الدقيق ‎SEM‏ لقطاع عرضي من طبقة امتصاص هاليد مختلط ‎eld‏ 770- نانو ‎jie‏ مع طبقة إخماد ثقب علوية من ‎Spiro-OMeTAD‏ في الشكل ‎.7١‏ ‎ovvy‏
‎OW —‏ \ _ تمت قولبة ديناميكيات إضمحلال ‎PL‏ عن طريق حساب العدد والتوزيع الخاص بحالات ‎HELLY‏ ‏في الغشاء الرقيق © ‎(x,t)‏ وفقًا لمعادلة الانتشار 1-0 (المعادلة ‎,)١‏ ‎E{tinix }‏ - اس - ل \ ( 'ّ حيث ‎D‏ تكون معامل الانتشار 5 ‎k(t)‏ تكون معدل الإضمحلال ‎PL‏ في ظل غياب أية ‎sale‏ إخماد. 8 تم تحديد إجمالي معدل الإضمحلال ‎K‏ عن طريق مواعمة إضمحلال استثنائي ممدد مع بيانات ‎PL‏ ‏المقاسة من طبقات البروفسكيت المطلية ب ‎.Poly(methyl methacrylate) PMMA‏ & تضمين تأثير طبقة الإخماد عن طريق افتراض أنه يتم إخماد كل المواد الحاملة المتولدة ضوئيًا التي تصل إلى السطح البيني؛ مما يؤدي إلى الحصول على ‎Da‏ الحد 1,0(7)- صفرء حيث ‎X‏ = صفر عند السطح البيني للزجاج / البروفسكيت وا تكون مك الغشاء الرقيق من البروفسكيت. ‎٠‏ عندما تتم استثارة العينات ‎Wan‏ من جانب الطبقة التحتية من الزجاج الخاصة بالعينات؛ تم إعطاء التوزيع الأولي لحالات استثارة الضوء بواسطة (004-)008*0-(0),0؛ حيث © تكون معامل الامتصاص. ثم تم تحديد طول الانتشار ‎LD‏ الخاص بالأنواع من 57“ = ‎Lo‏ حيث + ‎k / ١<‏ تكون فترة عمر إعادة الاندماج في ظل غياب عامل إخماد. إذا تم تكوين الشحنات المطلقة على نحو سائد عند استثارة الضوء؛ يمتل إضمحلال ‎PL‏ تفكيك مجموعات المواد الحاملة ‎١‏ للشحنات ويمكن تقدير معاملات الانتشار للثقوب أو الإلكترونات اعتمادًا على أي طبقة إخماد يتم استخدامها. يتم عرض النتائج من مواءمات نموذج الانتشار في الشكل ‎YE‏ والشكل ‎To‏ والمتغيرات الملخصة في جدول ‎DY ١‏ تكون ثابت الانتشار 5 ‎LD‏ طول الانتشار). جدول + ‎oe) O_o‏ الإلكترونا:” ‎7٠١ + ٠١46| A‏ ‎en saci‏ فا 7030443 د ‎CH3NH3Pbl 3‏ ‎ovvy‏
-١81- ‏مختلط‎ alley; (CH3NH3PDI3) ‏يوديد‎ lf ‏تتم مقارنة مواد البروفسكيت من‎ ‏إضمحلال وميض ضوئي لغشاء‎ gap ‏الذي‎ YY ‏في الشكل‎ (CH3NH3PbI3-xClx) ‏عضوي لهاليد مختلط *ا0*-113001135513© (مربعات‎ (ala) ‏بروفسكيت رقيق من تراي هاليد‎ ‏سوداء) وغشاء بروفسكيت رقيق من تراي يوديد رصاص عضوي 0013011130513 (مربعات‎ ‏المستشهد بها باعتبارها الزمن المستغرق للوصول‎ Te ‏فترات العمر‎ PMMA ‏ب‎ he ‏رمادية)؛‎ © ‏إلكترون الخاص بالشدة الأولية.‎ / ١ ‏إلى‎ ‏بشكل مثير للدهشة؛ تكون أطوال الانتشار لكل من الإلكترونات والثقوب في البروفسكيت من‎ ‏ميكرو مترء الذي يكون إلى حدٍ كبير أطول من عمق الامتصاص‎ ١ ‏الهاليد المختلط أكبر من‎ ‏إلى 7060 نانو متر. يوضح هذا أنه ينبغي ألا يكون هناك متطلبات للبنية متوسطة‎ ٠٠١ ‏البإلغ من‎ ‏المسام أو البنية بحجم النانو مع المادة الماصة للبروفسكيت النوعية هذه. يكون للأغشية الرقيقة من‎ ٠ ‏نانو متر لكل من‎ ٠٠١ ‏طول انتشار أقصر يبلغ تقريبًا‎ CH3NH3PDIZ ‏تراي يوديد البروفسكيت‎ ‏الإلكترونات والتقوب. تسمح أطوال الانتشار الأطول الخاصة بالبروفسكيت من الهاليد المختلط‎ ‏نانو‎ ٠٠١ ‏تزيد عن‎ elds ‏بتكوين الأدوات الفلطائية الضوئية ذات الطبقات من البروفسكيت بقيم‎ ‏متر تُظهر سمات مميزة فائقة لجهاز.‎ ‏الطرق‎ Vo ‏تحضير المادة المنتجة للبروفسكيت:‎ ‏عن طريق تفاعل ميثيل أمين» 777 بالوزن في إيثانول‎ (MAI) ‏تم تحضير ميثيل أمين يوديد‎ «(Sigma-Aldrich) ‏بالوزن في ماء‎ 7897 (HI) ‏مع حمض هيدرويوديك‎ (Sigma-Aldrich) ٠٠١ ‏قطرة بقطرة بينما يتم التقليب. عند التجفيف عند‎ HI ‏عند درجة حرارة الغرفة. تمت إضافة‎ ‏درجة مئوية؛ تم تكوين مسحوق أبيض» تم تجفيفه طوال الليل في فرن خوائي وإجراء إعادة تبلّر له‎ ٠ ‏أو محلول المادة المنتجة ل‎ CH3NH3PDIZ-XCIX ‏الاستخدام. لتكوين‎ Jd ‏من إيثانول‎
Sigma-) (Il) ‏تمت إذابة يوديد ميثيل أمونيوم وإما كلوريد الرصاص‎ «CH3NH3PbI3 ‏داي ميثيل فورماميد لامائي‎ - NN ‏في‎ (Sigma-Aldrich) ‏يوديد‎ (Y) ‏أو الرصاص‎ (Aldrich ovvy yoy ‏إلى كلوريد الرصاص 85012 / 512©؛ بتركيزات‎ MAL ‏من‎ ١ : ¥ ‏عند نسبة مولارية‎ (DMF) ‏مولار من كلوريد / يوديد رصاص و7,14 مولار من يوديد ميثيل أمونيوم.‎ +, AA ‏نهائية‎ ‏تحضير الطبقة التحتية:‎ ‏تتابعيًا في 77 مظف من‎ PL TA ‏تم تنظيف الطبقات التحتية من الزجاج لقياسات الامتصاص؛‎ ‏وبلازما أكسجين. تم تصنيع الأجهزة على جهاز مطلي‎ propan—2-ol ‏أسيتون»‎ challmanex ٠ ‏الأولي‎ FTO ‏تمت إزالة‎ .)١0- af ١ (Pilkington) (FTO) ‏بأكسيد قصدير مشاب بالفلورين‎ ‏الإغلاق عند التلامس مع أوتاد القياس» عن طريق‎ aid ‏من المناطق تحت منطقة تلامس الآنود؛‎ ‏باستخدام حمض الهيدروكلوريك 7 مولار ومسحوق‎ (FTO) ‏تنميش أكسيد قصدير مشاب بالفلورين‎ ‏الزنك. ثم تم تنظيف الطبقات التحتية وتنميشها بالبلازما كما هو موضح من قبل. تم ترسيب طبقة‎ ‏إعاقة ثقب من ثاني أكسيد التيتانيوم 1102 مدمج عن طريق الطلاء المغزلي لمحلول حمضي‎ ٠ shal ‏م لمدة 0 دقيقة. تم‎ 50٠0 ‏معتدل من أيزو بروبوكسيد تيتانيوم في إيثانول؛ وملدن عند‎ ‏ثانية.‎ 6١0 sad ‏لفة في الدقيقة‎ 700٠ ‏الطلاء المغزلي عند‎ ‏ترسيب بروفسكيت:‎ ‏لتكوين طبقة البروفسكيت لقياسات الطيف؛ تم طلاء المادة المنتجة غير المتكافئة مغزليًا على‎ ‏الطبقة التحتية عند 70060 لفة في الدقيقة في الهواء. ل *ا0*-0113111130513؛ تم استخدام‎ ١ ‏تم تخفيف المادة المنتجة في داي ميثيل فورماميد‎ «CH3NH3PDI3 ‏المادة المنتجة كما هي؛ ل‎ ‏بعد الطلاء المغزلي؛‎ DMF ‏نسبة محلول مادة منتجة إلى داي ميثيل فورماميد‎ ١ : ١ ‏عند‎ DMF
Aid) £0 ‏لمدة‎ Age Aap ٠٠١ ‏عند‎ CH3NH3PbI3-xClx ‏تم تلدين الأغشية الرقيقة‎ ‏دقيقة. ثم تم ترسيب عوامل الإخماد العلوية‎ V0 ‏درجة مئوية لمدة‎ ١٠١ ‏عند‎ CH3NH3PDIZ ‏في الهواء عبر الطلاء المغزلي لمحاليل كلورو بنزين بالشروط التالية: بولي (ميثيل ميثاكريلات)‎ ٠ - ‏عند ١٠مجم / مل وفينيل‎ (Sigma-Aldrich ‏؛‎ Poly(methyl methacrylate) PMMA) ‏5016006فاناديوم‎ 8 tPCBM ‏ميثيل إستر لحمض بيوتيريك (وصلة غير متجانسة كتلية‎ C61 ‏لفة في الدقيقة؛ و:‎ ٠٠٠١ ‏مجم / مل؛ كلاهما تم طلاؤه مغزليًا عند‎ To ‏/ا) عند‎ 2,2,7, —tetrakis—(N,N-di-p—methoxyphenylamine)9,9’-spirobifluorene ‏بابلا‎
الج \ — ‎(Borun Chemicals ¢spiro-OMeTAD)‏ عند ‎١,47‏ مولار مطلي ‎Uhre‏ عند ‎٠٠٠68‏ لفة في الدقيقة. التمييز : © صور ماسح الإلكترون الدقيق (/581). تم قياس قيم ‎Cll)‏ العينة باستخدام مقياس وعورة سطح ‎.Veeco DekTak 0‏ قياسات الوميض الضوئي والمواءعمات: تم الحصول على قياسات اللمعان الضوئي ‎PL‏ في الحالة الثابتة والمحللة ‎ie)‏ باستخدام إعداد عد فوتون فردي مرتبط بالزمن ‎time-correlated single photon counting (TCSPC)‏ ‎cus. (FluoTime 300, PicoQuant GmbH) ٠‏ استثارة عينات الغشاء الرقيق ضوئيًا باستخدام رأس ليزر ‎ov‏ نانو متر ‎(LDH-P-C-510, PicoQuant GmbH)‏ تصدر نبضات عند ترددات فيما بين ‎٠١ - oF‏ ميجا ‎Jim‏ بفترة نبضة تبلغ ‎0511١77‏ وتدفق جسيمات يبلغ ‎Nd 7١-‏ / سم7. تم تجميع ‎PL‏ باستخدام تجميعة كاشف بمضاعف ضوئي مختلط وأحادي اللون ‎Je‏ دقة ‎.(PMA Hybrid 40, PicoQuant GmbH) ٠‏ تعتبر المتغيرات التي تصف ديناميكيات الوميض الضوئي في ظل غياب أي عامل إخماد الخلفية المقاس من أغشية رقيقة من البروفسكيت مغطاة ب ‎Poly(methyl methacrylate)‏ ‎PMMA‏ بدالة إضمحلال استثنائي ممدد لها الصورة, ‎Y.‏ ااا مج ح ‎Hey‏ ‏تم تحديد الأخطاء في متغيرات المواءعمة عن طريق فحص الأسطح المختزلة 77 التي تم الحصول عليها عن طريق تغيير على نحو مستقل كل متغير مواعمة. تم استخدام ‎dad‏ اقتطاع تبلغ ‎١١ = 42 / )0( 4‏ في كل حالة للحصول على حدود عند مستوى ثقة يبلغ 48 7. لسهولة ‎ovvY‏
‎o ¢ —_‏ \ _ مقارنة فترات العمر فيما بين العينات مع عوامل الإخماد المختلفة؛ يتم تعريف ‎Te‏ باعتبارها الزمن المستغرق بعد الاستثارة لشدة اللمعان الضوئي للانخفاض إلى ‎١‏ / إلكترون خاص بشدة القمة الخاصة بها. تم أخذ ‎(dll‏ في دقة فترةٍ العمر هذه باعتباره نصف نطاق النقاط التي تكمن قيمتها المتوسطة في انحراف قياسي لخط ‎١‏ / إلكترون. يتم عرض نتائج ديناميكيات الوميض الضوئي في الأشكال ‎FY 35 ve‏ قولبة الانتشار: تمت قولبة ديناميكيات إضمحلال ‎PL‏ عن طريق حساب الرقم والتوزيع الخاص بحالات ‎HELLY‏ ‏في الغشاء الرقيق © (8,») ‎Gy‏ لمعادلة الانتشار 1-0, ‎nin‏ لطبت ‎p‏ 20 ‎٠‏ حيث ‎D‏ تكون معامل الانتشار 5 ‎k(t)‏ تكون معدل الإضمحلال ‎PL‏ في ظل غياب أية ‎sabe‏ إخماد. تم تحديد إجمالي معدل الإضمحلال» 818-1-+8 = ‎ck - 1/16] + 1/knr‏ عن طريق مواءمة إضمحلال استثنائي ممدد لبيانات ‎PL‏ المقاسة من طبقات البروفسكيت مع ‎Poly(methyl‏ ‎methacrylate) PMMA‏ وافتراضها على نحو مستقل عن مادة التغطية. تم تضمين تأثير طبقة الإخماد عن طريق افتراض أنه يتم إخماد كل الإكسيتونات التي تصل إلى السطح البيني بكفاءة ‎Vo‏ وحدة ‎aa = (LN)‏ حيث ‎X‏ = صفر عند السطح البيني للزجاج / البروفسكيت وا تكون لمك الغشاء الرقيق من البروفسكيت). حيث إن نبضة الاستثارة كانت من جانب الطبقة التحتية من الزجاج للعينات؛ تم أخذ التوزيع الأولي للإكسيتونات لتكون (000-)م»*«008-(0,»)؛ حيث ‎a‏ = ‎AJL‏ (الامتصاص عند ‎١7‏ © نانو ‎oll / jie‏ طبقة البروفسكيت). تم افتراض أي انحراف من «ذا التوزيع بسبب انعكاس نبضة الليزر عند السطح البيني للبروفسكيت / عامل الإخماد يكون غير ذي ‎A)‏ أهمية. من أجل حساب طول الانتشار ‎LD‏ ثم تنويع معامل الانتشار لتقليل ‎YPN‏ مربعة ل ‎chi‏ ‏المختزلة ‘ ااا الاح تي ‎Age [a s—13 sd rs‏ ‎ovvy‏
— \ 00 —
حيث ‎(Hy‏ و6لا(1) تكون قيم شدة اللمعان الضوئي المقاسة والمحسوبة عند الزمن ]؛ 7 تكون عدد
‎bi‏ البيانات وم تكون عدد متغيرات المواعمة. تم حل المعادلة ‎Gd)‏ باستخدام اللوغاريتم
‎axes Crank-Nicholson‏ إكسيتونات المتكاملة عبر الغشاء الرقيق بأكمله من أجل تحديد
‏إجمالي شدة اللمعان الضوئي ‎PL‏ عند الزمن ‎Lb‏ تمت مواءمة كل من النماذج الاستثنائية الممدة
‎fo}‏ ونماذج الانتشار ‎1-D‏ مع بيانات ‎TCSPC‏ التجريبية عن طريق إعادة الالتفاف المتكرر مع دالة
‏استجابة الأداة ‎instrument response function (IRF)‏ الذي تم تسجيله على نحو منفصل؛
‏بحيث تكون شدة اللمعان الضوئي ا الملاحظة,
‏و — ‎(Of‏ وز ح ‎Ho‏
‏هي نتيجة منحنى الإضمحلال الفعلي ‎real decay curve‏ ؛ ‎f(t)‏ الملتف مع ‎Aly‏ استجابة ‎٠‏ الأداة عا ‎g(t)‏ متوسط طول الانتشار 0ا يكون متوفر بواسطة 525 < ‎Eo‏ حيث ‎Te‏ تكون
‏الزمن المستغرق ل اللمعان الضوئي ‎PL‏ ليقع إلى ‎١‏ / إلكترون لشدته الأولية في ظل غياب أي
‏عامل إخماد.
‎oVVY

Claims (1)

  1. -1ه١-‏ عناصر الحماية
    ‎.١‏ أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ تشتمل على طبقة مدمجة ‎layer‏ 001110821 من مادة شبه ‎semiconductor alia se‏ من بروفسكيت متفاعلة ضوئيا ‎photoactive‏ ‎(perovskite‏ حيث يكون للمادة شبه الموصلة من البروفسكيت المتفاعلة ضوئيا بنية بلورية ثلاثية الأبعاد ‎.three—dimensional crystal structure‏ ‎lo}‏
    ". أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقا لعنصر الحماية )¢ حيث يتم وضع الطبقة المدمجة ‎layer‏ 0017108©1 من مادة شبه موصلة !561771001701010 من بروفسكيت ‎ile lle‏ ضوئيا ‎photoactive perovskite‏ بين منطقة من نوع ‎N‏ ومنطقة من نوع 0 وتشكل وصلة غير متجانسة ‎heterojunction‏ مستوية مع أحد أو كلا من المنطقة من النوع 7 والمنطقة من النوع م. ye ‏حيث تشتمل الأداة‎ ٠ ‏لعنصر الحماية‎ 8 photovoltaic device ‏أداة فلطائية ضوئية‎ ." ‏على:‎ منطقة من نوع ‎١‏ تشتمل على طبقة من نوع 7 واحدة على الأقل؛ و منطقة من نوع © تشتمل على واحدة على الأقل طبقة من نوع م؛ ‎V0‏ حيث يتم وضع الطبقة المدمجة ‎(compact layer‏ مادة شبه موصلة ‎semiconductor‏ من بروفسكيت ‎dle lite‏ ضوئيا ‎photoactive perovskite‏ بين المنطقة من النوع 7 والمنطقة من النوع م0 وتشكل وصلة غير متجانسة ‎heterojunction‏ مستوية مع أحد أو كلا من المنطقة من ‎nog gill‏ والمنطقة من النوع ‎Pp‏ ‎OF ‏إلى‎ ١ ‏وفقا لأي من عناصر الحماية من‎ 0001017014810 device ‏أداة فلطائية ضوئية‎ .4 ٠ ‏من‎ semiconductor ‏من مادة شبه موصلة‎ 0011082821 layer ‏حيث تشتمل الطبقة المدمجة‎ ‏على طبقة من مادة شبه موصلة من‎ photoactive perovskite ‏بروفسكيت متفاعلة ضوئيا‎ ‏بدون مسام مفتوحة.‎ photoactive perovskite ‏بروفسكيت متفاعلة ضوئيا‎ ‎ovvY
    -/ه ‎-١‏ ‎Lo‏ أداة فلطائية ضوئية ‎device‏ 00101017011816 وفقا لأي من عناصر الحماية من ‎١‏ إلى 4؛؛ حيث تتكون الطبقة المدمجة ‎compact layer‏ من مادة شبه موصلة 561710017000101 من بروفسكيت متفاعلة ضوئيا ‎photoactive perovskite‏ بصورة أساسية من المادة شبه الموصلة من البروفسكيت ‎perovskite semiconductor‏ المتفاعلة ضوئيا ؛ وتتكون بصورة مفضلة من © المادة شبه الموصلة من البروفسكيت المتفاعلة ضوئيا. . أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقا لأي من عناصر الحماية من ‎١‏ إلى 0 حيث تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت ‎perovskite semiconductor‏ المتفاعلة ضوئيا ‎photoactive perovskite‏ قادرة على امتصاص الضوء وبواسطة هذه الطريقة توليد ‎٠‏ تنواقل ذات شحنة مطلقة ‎free charge carriers‏ ‎LY‏ أداة فلطائية ضوئية ‎device‏ 0101017014810 وفقا لأي من عناصر الحماية من ‎١‏ إلى 6؛ حيث تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت ‎perovskite semiconductor‏ المتفاعلة ضوئيا ‎photoactive perovskite‏ عبارة عن مادة حساسة للضوء ‎photosensitizing‏ ‎١‏ ل07181©018 وتكون قادرة على تنفيذ كل من توليد الضوء ونقل الشحنة. ‎A‏ أداة فلطائية ضوئية ‎device‏ 00101017011816 وفقا لأي من عناصر الحماية من ‎١‏ إلى ‎FV‏ ‏حيث يتراوح سمك الطبقة من ‎sale‏ شبه موصلة ‎SEMiconductor‏ من بروفسكيت متفاعلة ضوئيا ‎perovskite‏ 0001086176 من ‎٠١‏ نانومتر إلى ‎٠٠١‏ ميكرومتر؛ ويتراوح بصورة مفضلة من ‎٠١ Ye‏ نانومتر إلى ‎٠١‏ ميكرومتر.
    4. أداة فلطائية ضوئية ‎device‏ 0101017014810 وفقا لأي من عناصر الحماية من ‎١‏ إلى ‎A‏ ‏حيث تشتمل الأداة على: ‎(i)‏ طبقة أولى تشتمل على مادة مسامية ‎porous material‏ ومادة شبه موصلة ‎Semiconductor Yo‏ من بروفسكيت متفاعلة ضوئيا ‎photoactive perovskite‏ موضوعة في تقوب المادة المسامية ؛ و ‎ovvY‏
    مه ‎-١‏ ‎(i)‏ طبقة تغطية موضوعة على الطبقة الأولى المذكورة» حيث تكون طبقة تغطية هي الطبقة المدمجة ‎compact layer‏ المذكورة من مادة شبه ‎Alia ge‏ من بروفسكيت متفاعلة ضوئيا ؛ حيث تكون المادة شبه الموصلة من البروفسكيت ‎perovskite semiconductor‏ المتفاعلة ضوئيا في طبقة التغطية في تلامس مع المادة شبه الموصلة من البروفسكيت في الطبقة الأولى. ‎lo}‏
    ‏. أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقا لعنصر الحماية 4 عندما يعتمد على عنصر الحماية ‎١‏ أو عنصر الحماية ‎oF‏ حيث تتلامس المادة شبه الموصلة من البروفسكيت ‎perovskite semiconductor‏ المتفاعلة ضوئيا ‎photoactive perovskite‏ الطبقة الأولى مع إحدى المنطقتين من نوع ‎P‏ ومن النوع ‎en‏ وتتلامس المادة شبه الموصلة من ‎Ye‏ البروفسكيت المتفاعلة ضوئيا في طبقة التغطية مع المنطقة الأخرى من نوع م ومن النوع 0.
    ‎.١‏ أداة فلطائية ضوئية ‎device‏ 0010107011816 وفقا لعنصر الحماية 4 أو عنصر الحماية ‎٠‏ حيث تكون المادة المسامية متوسطة ‎.Mesoporous alu)‏
    ‎.١‏ أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقا لأي من عناصر الحماية من 9 إلى ‎OY‏ ‎Vo‏ حيث تكون المادة المسامية ‎porous material‏ عبارة عن أي من: مادة ناقلة للشحنة ‎s¢charge—transporting material‏ ‎sal‏ عازلة كهربيا ‎dielectric material‏ بها فجوة نطاق ‎gap‏ 0800 تساوي أو أكبر من ‎4,٠‏ ‏إلكترون فولط. ‎NYY.‏ أداة فلطائية ضوئية ‎device‏ 070101701816 وفقا لعنصر الحماية ‎١‏ أو عنصر الحماية ؟ حيث تشتمل المنطقة من النوع ‎N‏ على أي من: طبقة من نوع "؛ و طبقة من نوع ‎١‏ وطبقة معيقة للإكسيتون ‎blocking layer‏ 601100 من نوع 7 بصورة مفضلة حيث يتم وضع الطبقة معيقة للإكسيتون من نوع 7 بين الطبقة من نوع 7" وتشتمل الطبقة © (الطبقات) على المادة شبه الموصلة من البروفسكيت ‎perovskite semiconductor‏ المتفاعلة
    ‎.photoactive perovskite Lisa‏ ‎ovvY‏
    -4ه١-‏
    6. أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ 3 لعنصر الحماية ‎١‏ أو عنصر الحماية ؟ حيث تشتمل المنطقة من النوع م على أي من: طبقة من نوع 6؛ و. © طبقة من نوع 0 و8 من نوع ‎p‏ طبقة معيقة للإكسيتون ‎c€Xciton blocking layer‏ وبصورة مفضلة حيث يتم وضع الطبقة من ‎pg sill‏ المعيقة للإكسيتون بين الطبقة من نوع م وتشتمل الطبقة(الطبقات) على المادة شبه الموصلة من البروفسكيت ‎perovskite semiconductor‏ المتفاعلة ضوئيا ‎.photoactive perovskite‏ ‎No ٠‏ أداة فلطائية ضوئية ‎photovoltaic device‏ وفقا لأحد عناصر الحماية ‎dill)‏ حيث تشتمل المادة شبه الموصلة من البروفسكيت ‎perovskite semiconductor‏ المتفاعلة ضوئيا ‎photoactive perovskite‏ على أنيون واحد على الأقل منتقى من أنيونات هاليد ‎halide‏ ‎J anions‏ أنيونات كالكرجنيد ‎anions‏ 1060996016 13ه؟؛ بصورة مفضلة حيث يشتمل البروفسكيت ‎perovskite‏ على كاتيون ‎(Jl cation‏ كاتيون ثان؛ ‎١‏ والأنيون الواحد على الأقل المذكورء بصورة اختيارية حيث يكون الكاتيون الثاني عبارة عن كاتيون فلزي ‎cation‏ 171618 منتقى من أيون النحاس ‎copper ion (Cu2+)‏ وأيون البالديوم ‎ion (Pd2+)‏ 0811801007 وأيون القصدير ‎fon (Sn2+)‏ 110؛ بصورة مفضلة حيث يكون الكاتيون الفلزي منتقى من أيون البالديوم ‎(Pd2+)‏ ‏وأيون القصدير (+502)؛ و
    ‎.organic cation ‏بصورة اختيارية حيث يكون الكاتيون الأول عبارة عن كاتيون عضوي‎ ٠ ‏حيث يكون‎ (V0 ‏لعنصر الحماية‎ photovoltaic device ‏أداة فلطائية ضوئية‎ . 7 mixed —anion perovskite ‏عبارة عن بروفسكيت لأنيون مختلط‎ perovskite ‏البروفسكيت‎ ‎halide anions alla ‏يشتمل على اثنين أو أكثر من الأنيونات المختلفة المنتقاه من أنيونات‎ ‏5 وأنيونات ‎anions aia SIS‏ ©01181009©6010؛ وبصورة مفضلة حيث يكون البروفسكيت عبارة ‎ovvY
    -١١- ‏حيث يكون الاثنين أو الأكثر من‎ cmixed—halide perovskite ‏عن بروفسكيت لهاليد مختلط‎ ‏المختلفة.‎ halide anions ‏الأنيونات المختلفة المذكورة عبارة عن اثنين أو أكثر من أنيونات هاليد‎ ‏وفقا لأحد عناصر الحماية السابقة؛ حيث تكون‎ photovoltaic device ‏أداة فلطائية ضوئية‎ VV ‏المتفاعلة ضوئيا‎ perovskite semiconductor ‏المادة شبه الموصلة من البروفسكيت‎ © :)١( ‏عبارة عن مركب بروفسكيت وفقا للصيغة‎ photoactive perovskite ‏3م(‎ ‏حيث:‎ ‏واحد على الأقل؛‎ 01098016 cation ‏عبارة عن كاتيون عضوي‎ [A] ‏واحد على الأقل؛ و‎ 016181 cation ‏عبارة عن كاتيون فلزي‎ [B] Ya ‏عبارة عن أنيون 801007 واحد على الأقل.‎ [X] Jia [X] ‏حيث‎ VY ‏لعنصر الحماية‎ 8 photovoltaic device ‏أداة فلطائية ضوئية‎ .٠ ‏وأنيونات‎ halide anions ‏اثنين أو أكثر من الأنيونات المختلفة المنتقاه من أنيونات هاليد‎ ‏ويمثل بصورة مفضلة اثنين أو أكثر من أنيونات هاليد‎ cChalcogenide anions ‏كالكوجنيد‎ Yo ‏المختلفة.‎ halide anions Sle ‏وفقا لأحد عناصر الحماية السابقة تكون‎ photovoltaic device ‏فلطائية ضوئية‎ 51d LY 4 ‏تشتمل الأداة على الكترود‎ Cua ‏عن أداة فلطائية ضوئية بوصلة ترادفية أو متعددة الوصلات؛‎ ‏الكترود ثاني؛ و» يتم وضعها بين الالكترودات الأولى والثانية:‎ (J sf electrode ٠ compactlayer ‏تشتمل على الطبقة المدمجة‎ photoactive region ‏منطقة متفاعلة ضوئيا‎ photoactive ‏من بروفضكيت متفاعلة ضوئيا‎ semiconductor ‏المذكورة من مادة شبه موصلة‎ ‏؛ و‎ (© 01/56 ‏منطقة متفاعلة ضوئيا أخرى واحدة على الأقل؛‎ ‏بصورة مفضلة حيث تشتمل المنطقة المتفاعلة ضوئيا الأخرى الواحدة على الأقل على واحدة على‎ © «semiconductor ‏الأقل طبقة من مادة شبه موصلة‎ ovvY
    -١١١- crystalline lie ‏بصورة أكثر تفضيلا حيث تشتمل المادة شبه الموصلة على طبقة من سيليكون‎ ‏؛ سيلينيد القصدير‎ copper ‏والنحاس‎ zine ‏والزنك‎ 117 sulphide ‏كبريتيد القصدير‎ 07 ‏والزنك‎ 1170 selenide sulphide ‏والزنك والنحاس؛ كبريتيد سيلينيد القصدير‎ tin selenide ‏والإنديوم 170101177 والنحاس» داي سيلينيد الجاليوم‎ gallium selenide ‏والنحاس؛ سيلينيد الجاليوم‎ indium selenide ‏والإنديوم 0 والنحاس أو سيلينيد الإنديوم‎ 981١000 selenide © ‏والتحاس.‎ ‎NY ‏وفقا لأي من عناصر الحماية من‎ photovoltaic device ‏أداة فلطائية ضوئية‎ .٠ perovskite ‏على طبقة من نوع | التي تشتمل على بروفضكيت‎ p ‏حيث تشتمل المنطقة من النوع‎ ‏وبصورة مفضلة حيث يكون بروفسكيت الطبقة من نوع م مختلف عن المادة شبه الموصلة من‎ eV .photoactive perovskite ‏المتفاعلة ضوئيا‎ perovskite semiconductor ‏البروفسكيت‎ ‎Yo ‏وفقا لأي من عناصر الحماية من ؟ إلى‎ photovoltaic device ‏أداة فلطائية ضوئية‎ LY) perovskite ‏تشتمل على بروفضكيت‎ An ‏طبقة من نوع‎ Jon ‏حيث تشتمل المنطقة من النوع‎ ‏مختلف عن المادة شبه الموصلة من‎ ١ ‏مفضلة حيث يكون بروفسكيت الطبقة من نوع‎ Haars V0 .photoactive perovskite ‏المتفاعلة ضوئيا‎ perovskite semiconductor ‏البروفسكيت‎ ‏تشتمل‎ cmulti—junction photovoltaic device ‏أداة فلطائية ضوئية متعددة الوصلات‎ LY Y ‏على:‎ ‏أول؛‎ electrode ‏الكترود‎ ٠ ‏الكترود ثاني؛ و‎ ‏موضوعة بين الالكترودات الأولى والثانية:‎ ‏من‎ 60110321 layer dase ‏تشتمل على طبقة‎ photoactive region ‏منطقة متفاعلة ضوئيا‎ photoactive ‏من بروفسكيت متفاعلة ضوئيا‎ semiconductor alia se ‏مادة شبه‎ ‏حيث يكون للمادة شبه الموصلة من البروفسكيت المتفاعلة ضوئيا بنية بلورية ثلاثية‎ «perovskite Yo ,sthree—dimensional crystal structure ‏الأبعاد‎ ‎ovvY
    -١١7- ‏منطقة متفاعلة ضوئيا أخرى واحدة على الأقل.‎ ‏وفقا‎ multi—junction photovoltaic device ‏أداة فلطائية ضوئية متعددة الوصلات‎ .»' ‏حيث تشتمل المنطقة المتفاعلة ضوئيا الأخرى الواحدة على الأقل على واحدة‎ (YY ‏لعنصر الحماية‎ semiconductor ‏على الأقل طبقة من مادة شبه موصلة‎ © ‏حيث تشتمل المادة شبه‎ (YY ‏؟». أداة فلطائية ضوئية متعددة الوصلات وفقا لعنصر الحماية‎ : ‏الموصلة على طبقة من‎ ‏والنحاس‎ Zine ‏والزنك‎ 110 sulphide ‏كبريتيد القصدير‎ ccrystalline silicon ‏سيليكون متبأر‎ tin ‏والزنك والنحاس؛ كبريتيد سيلينيد القصدير‎ tin selenide ‏سيلينيد القصدير‎ copper)» indium ‏والإنديوم‎ gallium selenide ‏والزنك والنحاس» سيلينيد الجاليوم‎ selenide sulphide ‏والنحاس أو سيلينيد‎ 70 anxylsgallium selenide ‏والنحاس؛ داي سيلينيد الجاليوم‎ ‏والنحاس.‎ 001007 selenide ‏الإنديوم‎ ‏وفقا‎ multi—junction photovoltaic device ‏؟. أداة فلطائية ضوئية متعددة الوصلات‎ © Yo semiconductor ‏حيث تشتمل المادة شبه الموصلة‎ (YE ‏أو عنصر الحماية‎ YF ‏لعنصر الحماية‎ .crystalline silicon Joie ‏على طبقة من سيليكون‎ material ‏لأي‎ 183 ymulti—junction photovoltaic device ‏أداة فلطائية ضوئية متعددة الوصلات‎ .71 photoactive ‏حيث تشتمل المنطقة المتفاعلة ضوئيا‎ «Yo ‏.من عناصر الحماية من ؟؟ إلى‎ Yo ‏غير متجانسة 76161007010017 من سيليكون‎ Alay ‏الأخرى الواحدة على الأقل على‎ 07 Intrinsic Thin laye Lil ‏ذات طبقة رقيقة داخلية‎ 01/518110 silicon ‏متبأر‎ ‎ovvY
    ١ - ES
    NN ..L. coe. SU شي موصل من النوخ 7[ ب" ا وا لمحت : من ‎a = 111 a‏ المتاصل أو ‎Ps‏ ‎di |‏ موصل من النو ‎ng‏ ‎SE ov LT‏ 00 ب : ‎١ ١‏ بالا
    -١164- ‏سس‎ ‎| spiro -(ONeTAD ‏لسكت‎ 5 ‏ات ليت لس ل[‎ Br.
    Hi NO SYS SOM CO SR St
    إ بن والسحت موي على ‎ALO,‏ أو ‎Ti,‏ مسامي ‎EER a I‏ . "م 1 ‎١ or k‏ ما 1 طقة ‎THO,‏ مضغوطة ‎xe |‏ مطللي ‎FTO‏ ] ا )&( 7 - ا \ با ف ا بات
    -١1؟0-‎ 1 ‏لبا‎ : 3 EY 3 3 i ‏يمتحي‎ ‎: ‏إْ‎ A 5. 1 * Ni x ‏يسمي سه‎ a | | ‏بت‎ ‎: ‏اا« اللا مان ااانا اانا لاا ااانا‎ | re 5 — x.
    N — 3 om 3 i = i i i HES 8 : ‏ابد ٍْ ٍْ ب‎ Ty : 3 1 3 ) . ! ‏بحيب‎ i ‏ااا‎ A 0 ‏مما أ‎ 0 ‏لات ااانا م ين‎ ed ‏ب‎ 0 5: : THER ER 3 3 CN hy oF pti : ‏سس لت‎ hai 1 ‏ا‎ 1 ‏أ سس‎ PETRA, ‏ححا حت حت ل الك‎ - 1 ‏ا‎ Ye Yo Yeo ye fe £0 29 a= Cy LO I I RE FR : i ْ, I 1 0 3 { 3 8 ٍْ 2 1 ‏إٍْ‎ ‎: : 0 1 hE 3 ; § 3 i ¥ { / : ‏إ‎ ‎8 1 1 : } 3 2 Yew i § i : i 3 3 : ٍ : : 1 0 1 i I 2 8 : 3 i 1 : : 3 SE J Yar 1 i Lo i 3 8 ‏ا‎ 8 RH = 3 3 $3 I # 1 ‏خا‎ iE + j 18 ‏ا‎ x 1 1 ‏الل‎ EW ‏ا‎ 3 od vs ‏بالك‎ ‏ا‎ 2 1 1 : SER EE 0 : % i 11 ‏"م 1 ا‎ 3 5 i : i j EE ‏ال ا‎ a EE I I a TT ne ‏صفر‎ BN ‏بارا ا للش جا‎ CRE RT athe ‏لمكا اضيا‎ ¥ 3 ™ * £ 0 Nn & * 1 + 5> : & ‏يفف‎ y=
    A] ‏ل‎ : ٍ ‏ااام أ‎ > 5 J ‏ال د‎ ‏ا اد‎ si ‏الاي ااا‎ > Ew 8 << HT BALL, oA 8 oF LW ‏اياي‎ BT, 0 Se. | 8 Ra 0 ٍْ ‏ال سق‎ ALO, ' ‏لمي ل ب‎ |e HT TG, hoa TY Un PO 5 *ّ 8 WN 8 1 : = : % * ‏ام‎ x ‏الها‎ BY Tale, ‏ع لهت‎ ٍ ‏ب‎ 0: EN 3 3 ak ‏الا ا وض‎ I ‏إْ‎ ‎0 ‏ا الوا 1 حيس انب‎ on . ‏ل بج اي الم ٍ ب‎ pr {or me LT ALES, : 3 ba + 7 | ‏اسه‎ TIO : CR A E "Ws ‏أ ال ا نا‎ hs 3 1 3 2 $f ES Ne Ea RRL FE ‏ا‎
    ‎coc TR AEA‏ ل ‎TR gi‏ ب ) ‎pat “Sn. 0 iy ,‏ 0 5 ‎AN‏ ب ‎Si‏ ‎ba ES ha Ne y‏ با 1 : * ل ‎b Ns 8 Rs a ad‏ 0 قل ‎BE Ea SE‏ ‎8s‏ ا ‎ki,‏ ; بيغا 5 ‎Ee‏ - - : : ل“ . ‎Sk‏ 4 3 ل لاا اساي يس سس ألم سا ‎hn‏ ‎Toes LE « Svs CGF‏ دادج نان 5( ل 1 5 | ‎nl‏ ‎ovvY‏
    ١١ال-‎ ‏ا‎ ‎EE NL RE . 0 8 AR 8 5 al RN Sas ha : ag ; a : ‏ل‎ ‎aa = . i 0 So : LL a 0 1 ‏اا ا ا ا‎ Lae Et
    XN . a : te > a \ a a 0 8 ‏ا‎ SON LL 8 ‏ا ا ا ا‎ . a \
    NE . . Co NN NN RX . : = Th 3 pari, 5 oe a SED NN 8 NN x a RR oe Ga : = ane SE NEN 8 RN Na SL oo ND SA TRE NN 1 ‏ا ا‎ 3 0 ‏ا ا‎ 4 oo LL NL a ah Se oo oo - ِ 3 5 ‏ا : ا ا‎ N No 1
    > . nn 3 i Poe? a 8 ‏ل ا‎ No i . NN > LL = fo oo ERY E 8 ‏ا‎ 2 os oS Do Ly 0 ‏ا 0 ا ا ا‎ SARE Na nN Re 8 8 a 1 a NN 0 DAR RR 8 RN oo So oo 8 RR LL k . ‏ا ب‎ NL WN PRS a 5 a LL ‏ا‎
    ‎: . TT Sn ‏ا ا ٍ ا ا 0 ا ا‎ ‏ا 5 5 ا‎ 5 NY LL NO x al he 1 oo 0 ‏ا ا ا ا و‎ : 0 1 ‏ا ا‎ Xe NL on nN pa Nu . LN xX NN a 58 ‏اا ا‎ ‏ل"‎ \ ho =. NN Nn Ne LL Lo . a XN a a MW Th a NN
    3 . = SN 0 ‏ل اا‎ ‏ا ا‎ ٍ . . 1 ‏اا ااا ا‎ ‏ا ب‎ AR : i Sa 0 ‏ض ا‎ 0 3 0 8 ‏ا‎ ‏ا‎ NER 0 = a i a 5 ‏ا ل‎ Nh RR 1 8 RE Pin SRN R TR nN RR nN
    NL . SAY 0 8 ‏ا‎ ِ ‏ا ا ا ا‎ :
    HR . oo . oo ‏ل‎ 0 TA NR NR Sw 8 1 x So oe a . oo ‏ض‎ ‎ST ou > LL 8 ‏ض ا 0 ا‎ : ‏ا ا ا ا ا ا‎ 3 a wa SR 8 RAR 3 = RN a 8 ‏ا‎ i Boos 5) AA RR LL ox v . oo . . ‏ا‎ 0 0 ‏ا 8 ا ا ا‎ EE . 8 ‏ا‎ 3 ‏ا ا 0 = ا‎ Hoe . a. = NN EN B® Ne 8 ‏ا ا ا ا ا‎ : i RR NR . 8 ‏ا 0 0 0 0 0 ا ا‎ ِ 0 ‏ا ا ا ا ا‎ 0 0 ‏ا‎ 2 oo 55 5 ‏ا 0 ب ا‎ ِ 0 ‏ا 0 ا ا ا 0 ا‎ ‏ا ا ا ا ا ا ب‎ ‏ا‎ nn . . . LL . 0 ‏ا ا‎ \ a FN a : RN SN TR \ . NL - : Bo : 1 ‏ا ا 0 0 ا ب‎ A Nn a 3 ‏ل ا 0 ا‎ RY a a a Sen oh AN TN NL a a ; Ne 3 0 0 7 8 en: 0 A - 8 ‏ا‎ ‏ا ا ا‎ ‏ا ا‎ 88 8 R AAR NR 8 ‏ا‎ Se an Dl a 0 ‏ب 1 اا‎ (= 1 : 0 4 a aan 8 1 : a ‏ض‎ ‏شكل ا‎ oVVY
    تتشت اتا ات ل ا ‎i oe‏ ‎i ea :‏ ‎SHEEN Tite EE‏ ل الا ‎aM DREN roa RRR A ERE RE dg SURI‏ ‎AREER SA RS SHEERS FEES RNR BERR Se‏ ال ان ‎SRR‏ . ‎SE Tae SRR REAR‏ ات ا : ‎SRE ARR RR A ARAN SER RARE TIRE‏ ل 5 . ‎A‏ ‎i TEIN Shades SENN SEER REET Fai ١‏ ‎Shen aL :‏ ‎EE SERS en =‏ 2 مد ا ‎SE RE Se ad SEE SE‏ ‎a‏ لاحي : اا ااا ‎SA REN RRR‏ محش ‎EEE Ray FE Se RE RS‏
    ‎a.‏ الا اماس ‎EE Ln‏ ‎ai fan) SEE 3 RRR CR aaa‏ ‎TERA 5 Se Wh‏ ‎ona a ae‏ ‎ERAT‏ ا ‎EY a SEE SRA A 0 ARAN BERRY‏ ‎TES a ae‏ ‎aa SERRE‏ ‎a‏ ‎a : RE Naa‏ ‎SRSA‏ ا 4 ‎ARN RR ERIN RANE RRR‏ ‎RR Hae‏ ل ‎hae hE RRR‏ ‎i EE Sea SRR aS Na‏ ‎fe NE a Nha.‏ ‎ae NE‏ . ‎La TRA Tm REE‏ ; ‎i San ER RPE Na. RRATERR Sha‏ ا اال ‎as‏ ‎RRR AAR SRNR RR RRA RRR Ty‏ ا ‎ee Nae et‏ 3 ا 5 ا اا اا ل ‎Na Sian ERS FRIAR RR aS Ra ay‏ 3 ‎HS NITES RR‏ ل ‎EER RRR‏ ‎a ER‏ ‎AEE ha aR RRR‏ ‎LE ae ESAS dy‏ ‎SEI 3 Nh EER Sans‏ ‎FEES = TETANY LEE «‏ ‎SHRED Sonny SEs‏ و ‎Ll‏ ‎NR ant ea NRE‏ دا ااا ‎SRE RRA ERR ERR i RR SR RR aR RR: IR‏ د ‎Salas ND ARAN RE TOO ER RN‏ اجا د ‎NR nN RRR RES Naa‏ ا ا ‎SEELEY 8 NaN HAE RNA Ra. RRR RA‏ ‎SETS NRE 2 RN AN IEE RRR RR‏ ‎AN ETERS RRA‏ ل ‎EERIE Haas‏ ‎Eas ORES EE ahaa RW‏ ‎EERE STE RRA Ne RETIRE‏ ‎HEIR ERTS ThE‏ ‎BR SN RRR NER‏ ل ‎Naw ham‏ ‎Raa aE LIN NE TRA RRNA RAGE‏ ‎a a‏ ‎AN Nhe NR RRR‏ ‎ENE 5‏ 0 نهنا يي 1 عب ‎RE §‏ : اا ا 0 ‎cok‏ ‎fe § mess Woe] Wn‏ - ‎ES k‏ حي ا ‎a 1 Pt‏ ست ‎SL‏ ب" ‎AEA‏ لها ; ‎i I 4 } Go i‏ يه ل 3 ‎١ Wool RE IG oil‏ م : ‎RR‏ = : ; مي ‎F ee PRG EL es‏ 3 ف 2 > ب م 0 2027 ‎i You Ctese i 8 1 HES ar. on‏ : ب ا 1 ‎oe B‏ ا لمع 8 1 ‎Fy‏ ان اا 5 ‎oe HY a rr AF ow Bw‏ 5 ‎ES oF : 8‏ 3 : 1 5 . ‎na hk SN SO ES EY‏ بحا ا إلا ‎i LE OR =~‏ 0 ب ب ا اللا ل انح © ‎RE § i‏ ® : : & الدب ‎xp Ae PRE‏ ‎ra MELE tA Pg “a : a Jr 5‏ ‎Es 5 &‏ 0 و :7 ‎Obie TA,‏ امسا م ‎١‏ ‎RN‏ بج ‎RHE 5 = EY 3 v KF‏ ‎By‏ - ل 8 ال 8 ‎Ey‏ 3 ااا ب نب » ‎BY‏ ‏بال . ريا لخ 0 ‎re Ts‏ & ا 1 ا ‎ab oo Eg 0 E'S‏ ‎LE | EN Remi PE a og‏ ; ب حر ا “من . ‎Fa Cink‏ 1 ب + 01 ‎iE‏ ‏رم اا ا مال ‎SET CT ER‏ يي : م ‎RJ Ed Fit 8 _‏ نج ¥ ‎$e hg Hg SRN § i‏ = نب و * 5 بع ‎RI ] Joa SE SE‏ 546 أي ان الم 3 3 ا ‎a > : NG By as‏ 6 3 . ‎foes He‏ ل 8 إٍْ ‎nA‏ ا 8# ا جح يأو ل 1 0 1 ل ب ‎a‏ 3 & ‎pd Fe Te A aaa LEY‏ ‎Wa,‏ ب ‎LER a‏ 1 ا 8 ‎Neb x‏ ‎x Wy 0"‏ ا با ا + ‎EA 5 ERR TE x . Eon‏ ‎Nod ads‏ ا ‎sede : : baie AA : hye‏ ‎(JA‏ لحك ساد ‎Paks Serena ah ci‏ = 4 13“ نالع مح © اع ‎JE A‏ = > ‎id‏ هت كاذ ييا ‎١‏ ‎Yale‏ ا ‎Ts Et‏ كل ا 5 \ ولي ‎elm gad‏ إنأنو 20 ‎lh‏ ‎i‏ 3 > ’ ‎oh‏ ٍ. ‎ovvY‏
    Seis, Sada Nii Siam Sema TREES 8 ae Se naa SE 2 1 ‏ا اا ااا‎ ‏ا"‎ AY ‏اا‎ ‎and * Sian REEL i ‏بي‎ ; a : STR L ro Ea SEE EEN fr ‏جات الاق ال‎ 0 SEE FETIRERY CER i a SERRE i PERRI foo Gaba oa eo Shiv cats ERS SRL svn RE aman Saag Neu Sa ee SIE dod, Waa 8 ‏ا ار‎ EE Na. : TET ET Shi TREE NS Toa TS RE a ‏اال الت با‎ a Ni nam Gog EEE : HL aes as a a han 0 a Cele Shane 5 ih a LL 3 : SE Le “£1 Rk Eg ay Ne RR ee SARIN 8 : an RES Na Nn NRE : 0 0 ‏ان‎ = ae La eo Saab Gone NE RE .. Na nN RR.
    Nhe > ‏ا ا 8 لد‎ 3 RR NRE ae Sak 3 as a ARN Ne NANNY RARE Ra ‏ل‎ 5 BRR NX 0 ‏ل ا ا اد اا‎ 0 ‏ا‎ 3 LL Ta aaa Chan ‏ا‎ Nt San 8 ‏ا 1 ا‎ ٍ Nhe a Ran Nu NR 8 ‏ا‎ RAR NE SR ER RR Ra.
    RRNA 5 Lae > a Sea 8 ‏ااا ا‎ asta Nee Sa 3% a Ne aa ‏امو‎ RRR hh a La ‏اد اد‎ Naan ns GREE ER a A ‏ا ا اد‎ SERN a.
    ER RN NR RR Lo Ne Vaan AW RS To Ri RE WN LL NEN RR Nh SPAN Na 5 Shh NS RRS RRR NRE Raa 7% 0 RR NRE Na a A) RR d ROR JE aa TEES RR 1 nine SN a 8 Hanae: NR AR RRR a he Tn Co Rn a Ll Ca 8 ‏ا‎ aR TRE Nee TR RE a 0 Le Ra TREN 5 NN OAR NR aaa NR Le EER FON aE a AON RN SREREES LL Na RN aaa a RN NR ‏اا‎ HUAN 3 Nah on aE 8 ‏ا‎ 8 No 0 ‏اد‎ RRR Ga PAAR 8 SE PN 3 Nay San RNR RE Saou.
    AAR : ‏ا‎ \ NN ; . SHAR NN a.
    RR eRe RN RRR RE Sy SRD SE RE RAS Raia AAR faa Se hy . 8 0 RR sw Zo J Sa UN NEE Sa SE SAN NS RANE Rea AE 85 a a 55 Ne Nn 8 a ER Sex . vom 2 8 ‏اا‎ HR RR Ne a Si J ENR AE RN AE an RN NN oN § a RO EEN WR Ne aN 0 ‏ل‎ Sawa AR DN ‏ل‎ EX } 8 Ne RA iN NN NERS RANA SREY NN AEA 3 SH \ RY ‏ب‎ ‎NK RNR ERS Lg ih 8 BR SOAR 8 ٠ . IRI % faa \ ¥ 1 _s ‏الي تي‎ 5 A ‏لا‎ a NN ‏لال‎ ee a ThE’: a ‏الح‎ ٠ ‏ا‎ : ‏ا ا 0 ال‎ x ee x RN RIN ARR REE SN RRR x a AN SER : 1 1 ‏ا اا‎ WN Lo 1 a TAR SRA ERNE RN RES Sa ] BR Gra oN SE Ra Senin RN as ay 1 ‏ا ل‎ SY RY SE STEN RRR XT ay Ce a Na . N RN Nv ae ERR RR ROS SRI NN: SN an Ne Sia Raa i AIR oo a a AN N a LL nN RYN Na Soa 8 NE SNE iE RAEN aE ‏ا‎ ALANA 8 SEE SR Se 3 oo . Nl SN LL 0 SE a RE 8 ‏ا‎ COTE NER 8 Nid : TE SAR ARE Sa 3 8 ay Waa HR N RR a BAN RR NN RRR oF XR IRAE 0 RY RN #3 SAL SIR SRR 3 a Lea EE Ra waa ERR N Shuey 8 ‏ا ال ا‎ NE Sn SN ‏ا‎ OR na EA NN Na Ra SA Ra Ca a RSE Na SR haan SR ERX SNE ey Na EN SS & RD 23 San Ra ha LL a See “A ‏إ ا د"‎ Con aa : 8 San ] ESR 5 ‏ا‎ SR NN 1 5 ee BR TR Na § Balin Ne aay Sn 5 NO Na 2 TY RN ‏ا‎ ‎Fi 8 FRR PE Ra $5 SI 8 ‏اا‎ ER NN If amen RRR NR Rs An is mn SONY (Z aa 0 . ‏إ ا‎ TL ll 5 alts as 8 RR ns RNY or © NR TR NE STN NN SRR Soh Sa SN SoA aah Ran LOA 8 REE 5 ‏ل م‎ in ‏ا‎ ER Nh SAAN Na NN a SRNR AN RR SRR 5 = Nn REG ORIEN RRR RR Ne a A 3 Nn 8 0 To TRY RN 0 5 SORTA TREE AN NE Wy 1 ‏ا‎ TERR a SN Ne : Se a oan 8 ‏ا 8 ا ا‎ Na ‏ا ل‎ RAR Na NR Na he Ha 5 Na ‏ا‎ RN a Sit NY Tie EOE RR 8 SRE CE AEN 0 Saad 8 ARR Ha ns PI AR ER a RN NN 8 ‏اا ا اد ا" د ا‎ RS RRR 0 ‏ي‎ Rae an RRR ih 8 SE SEU 0 ‏ل‎ ‏ا‎ Na AAR TARR NN 3 cold Na 0 ‏ا اد‎ ‏ا‎ RRR E02 SR: AEA REY ERIN NE ne 8 ‏ا‎ RR Nd a ER RR a REN Nr ER He EA a SN ARAN i 0 Sa 0 =n NR SN . 0 SENN | &, 5 ‏ا‎ Ra \ ovVY
    “\W.— = EE a NS —
    ' ٠. 3 1 ‏ا ل م‎ 3 1 ‏ا هيج‎ did ‏هت‎ 8 [ 3 J = SEN sania an pA 3 F 8 ‏حم ا عل د ار اهمض‎ Fgh ¥ : ‏دا لي‎ 5 : me 0 ‏ماع أذ‎ CERI Sty 2 ‏م03‎ Tg | - Loe N x 5 TN 1 4c 4 ‏مزلت‎ 1 2 i CN 1 ‏عا إلى * له‎ fo SO : ES SK Sg Ter Te ‏تعد تتبثا‎ 1 of ‏ا ل اا ل‎ ‏الا ال“ ل‎ “x het x ® i PRS ‏تب‎ 0 %: ‏م نات ب ووو يسع قز‎ : = hy] L ey , 1 ١ cal: SEX FES NS. ‏ا‎ : > A 87 rw Reg ‏ين‎ SX SH : ) » h . i . = Havas 1 ‏ال 3 كك ا اح‎ 2 ١ 1 > ) i ‏معد ماي‎ RTE OWS R82 i hE : - ٍْ ‏لاسر ض‎ 162, 53 LEE 5] Js 2h = RE De Bt ee 3x ‏ل‎ v8 . : i Se ‏د : ب‎ ee : pe q WN *y A i EE ‏و ا “ما ا م‎ : al ALL Rae bg $e Te Tors >»: (da ‏لاطي اللي فو‎ ‏اير مت‎ A pid 3 ‏ل‎ ‎\ Y | 5 & A ‏ا‎ ‎8 ; - ‏يرن تحن سات ل ل‎ AAP: GR (a io nN ‏ل ا‎ 1 8 0 IN A SEIS Re i ‏لا ا‎ We ‏ال ا‎ NN - ‏الل‎ EL Ne Raa aed Le a 0 NN ad EN RE Ne RRR 3 NaN a oo Ea nN Sa RR S00 a RT Noni NR 1 ‏ا‎ 0 ‏ل ا ا‎ 5 a RT 8 ‏ل ا‎ ‏اد‎ Na TEN Nandan SAREE 0 ‏اا‎ ‏ا اا اد ا اد‎ 3 Ne ER NEPEAN ‏ا ا ا‎ ‏لا ا‎ aan ‏ا ا ا‎ aaa Ne Sand a a ing NRE IES REE a RR Le en AN Shaw RE an Laan 5 8 ‏ا ا ا ل ا ل‎ NR Sa ‏ادها حر ا م‎ a RR RY jes HER RAR Ni SS ‏دهم ال ا ا 8 اج ب‎ 3 LL oa © | SRN REE ef Ea eRe © ‏ين‎ be + ‏الي ا د أ 0 ا اد ا‎ 0 3 Rs A A ‏ال ا ا‎ 0 ‏ا اا‎ 4 haa ‏ااا‎ ‎re I REI SR a SA ‏ل‎ aE A x Na UE ‏اد ا ا ل‎ ‏ا لا ا‎ Rad ‏ال ا‎ ‏ا ع‎ ‏اا اا ا ب ٍ ا ا ا‎ ee oh a a Ra. Ck a ETRE ANN 0 3 Sp a oo LL Sf Ne 0 ‏ا‎ ! ‏ل ا اد‎ 5 al SRE ES oo Suan Ri EES 8 ‏ا‎ NR RAR ORE a Ln oo SAR RN Rb Sha ARE a a FATE 8 SA ER ‏ل ما ا‎ ‏اد‎ LN oe a wo 3 . oo RR aN - . og . hn 8 SE SEER RAY ry oa & N Sa Ra 0 SS cra 2 Le ns ‏جب‎ : Safe 1 Sk 3 Se ‏ا‎ RE 3 - RENEE SRA SY ١ \if 1 ‏ا‎ : , ovvYyY
    ARAL 3 : : ’ F} 1 3 + : aN ‏اسهد 0لا‎ ‏ا‎ 3 3 = <> 3 ‏با سأ‎ MHD ‏بسح‎
    ‏ا .ا‎ " : 1 - ‏د‎ ‏ال‎ Sy ¥ ‏ل‎ 5 ‏الح‎ 1 Be ‏ل اليد‎ Se, TR ‏هاف‎ Br VCR. 1 _— 1 ‏ند‎ RE ‏لج وو‎ 1 i ‏الح‎ ‏لد‎ GRE ‏ال ا اتيت مسي لالش ا‎ ‏فر‎ 13 oF Sn ht oF Ea I OP: Load ‏لط‎ ody ‏المنطية‎ ‎\ v4 | 5 : ‏ا‎ ‎8 ‎(hy {Uns ‏تت‎ SE A | ‏ليا‎ ILA I A A Ea LL 3 ‏شق تداعا د ددا ا‎ oi ١ > ‏اوش س1‎ — J oF 3 o L i ‏اذ‎ ‎3 vl ‏ب- ا‎ 3 i ‏الأول التاق ا‎ > + & & 3 v § S Fi 0 5 ‏للَا‎ : —— SA i t ‏ب‎ 3 AE I Wy <7 ‏حم‎ 7 " = ® = 7 ‏ا الس‎ 1 ph Rn 4 L Ne 4 ‏لكر‎ 5 8: i a = 3 8 3 { a 8 + 3 ‏ا > ا ا‎ a ‏أ‎ ET LANE | ENN : a NEC ‏ا ل ل ا ا ا‎ EN i ¥ | Chie Doras ys Vere FL ua Bed 4 ‏ا ددا‎ EE ‏خلال‎ d i ‏صقر‎ oe) o,f 3 a, A 1 ‏رد مقر أ‎ i a xo i ‏ند‎ ‏مكو‎ : : Ca i ‏ذا‎ . 0 3. JOR. ‏م ني 1 1 م00‎ ‏لط و‎ ody ‏الفنطية فو لط الشاحلة‎ Vo ‏شكل‎ ‎ovvYyY
    ‎pied‏ وجح اس راجن ‎a‏ امم م ل ا ‎Ea‏ : 1 ا 2% ‎mad‏ للع ‎LU PRR‏ 5 ا 0 ‎LE Raid‏ ‎a = Set BT SE RRO GR‏ ا ‎Lae‏ تي اس وما الع مسا ‎Shiny‏ ‏ا ) لبا ‎CEBU‏ 5 ل ‎sae $e 7 oo 5‏ للم ‎[ERE‏ ا ‎I‏ ‏0-0 # اال ا ‎RRR 8‏ ا ‎TRI, 0 ]‏ ادر مارم لاد م حا : ب كج ‎foot ey‏ ل اي تح تا احا ات ا ‎ee aos‏ أ ل لعي ل ل ل ‎Raa 3 Les ay‏ ا ‎we‏ ا ال ا ل ا ‎Nae‏ ‎Re‏ ا ‎RR 2% RRR‏ 6 ‎Ee‏ مد ل ا ل 8 ‎Ra‏ ‎CE a‏ ‎NE AN a‏ ا ‎TE Ne‏ : ‎I a)‏ ‎ae‏ ل ‎A RC ya EEE‏ ‎EE RS Ry SENET SE Sh‏ ‎A SE EE ER RR AA ens‏ ‎a ae‏ ل ‎Ee Re‏ ل ‎a pa‏ ‎eo Hoan 0‏ الع ا قلا اه ‎BEE AY‏ ‎a BEES Ea LS oon ee‏ ‎RNR‏ ا ا ‎RT‏ ‎NAAN RE SA 0‏ وم ا ا الج حو لجو ا ‎EE SIE See‏ ‎Tera aE‏ ‎ae‏ ‎A EE AEA ER ASAE an)‏ ‎EEE‏ ‎ee‏ ‏ا ل ا ‎RR‏ ‎I‏ 0 ‎a aN‏ ل ا ا ااا ‎ER RA i SR‏ 3 ‎Saas‏ ا ا ا ا ا ا ‎fas ThE Lo‏ ‎RRR NN RRA SR SR Nn a‏ ‎os 1 3 A‏ وا ا رت ا 5 ‎Tam 811 PQ ge ort HENRY Nae 8‏ الم ا ل ا جا ا ا ا و سا اجا دحج ا ‎RR RE‏ ا ‎a A RR rs BENGE} RR Enns‏ 7 5 " \ ‎a 1 4 A‏ 1 أ ا ا ا ا : : تله سخ لات ا ل اا اي لاا اا ‎ree TE‏ ليج 7 112 : ‎ARSENATE RE rE co SE Re‏ = ‎Re ENTERS BR NR‏ ‎ne‏ ف ‎RR eS PR‏ ‎NA Sd iri RRS‏ ‎Th Nh‏ أذ فا ‎nt Ns [ASI NEE FES ERE OF‏ ا اب 9 ‎NR‏ ‎NN EN MAS ERA 30‏ ل ‎SLT‏ أ ‎pre ER © andl‏ ‎RTE Ty a " mene‏ : ‎SARIS‏ ا م ا ات مح اج ا ا 5 ‎So‏ 4 ا الو ات ‎EE NN RNa‏ ل ل ‎PR ISS a a‏ ‎TRE DE eel i ER SEE‏ ‎EE‏ ‎RE Ba Sa) ER I‏ ‎RR Be‏ ا 0 و ل ا ا ل ‎EA a RS CR REE‏ ‎A SANT REE‏ ‎a‏ ل ا ا ‎a‏ ل ا ‎I SAX RE RSA] SrA‏ ل ‎SLE Te BE SS PR ey ENE‏ : ‎Sa‏ الات ‎SHEN EE LS EER‏ ‎Cis art 288‏ م ‎Cana‏ ‎NR pe EE‏ اهعد ‎CGS CiS or‏ 0 5 ‎RD SR RE a Bi i‏ ‎LE EEE ER eR ae‏ ‎NN‏ ‎RE RR RR SEEN RR ns‏ ‎RR ay I A as pr a‏ ‎A EE‏ ا ‎Br‏ ‏ل ‏ا ل ا ا ل ‎EI SRE ES‏ ‎See‏ ‎A ee aR‏ ‎A A A a A A Sha‏ ‎NY‏ ا ‎AA hae‏ ا ا ال ‎TIA RRR Sr A Se Tn pode‏ ‎A TN‏ ل ‎op ae‏ ا ال ا ‎EA‏ ‎RNR‏ اا سحب ‎Tae‏ ‎V | : 8‏ \ ‎CAAA‏
    8 ‏ل‎ ‎EE ‏الاي لاجس و‎ ARN Ra AN CER re Te ENE Ea et " 0 BAER ROARS Spay No SA ‏الا‎ ENE ag ١ ‏ل و ا ل‎ SRA DG) ea Sie a aaa Tianhe aa Be SRE Den ‏ا‎ Tay RN ‏ا اب‎ EER ‏الا‎ ee Re 1 ‏ا ال جود ال اذ ميب‎ 7 in STR aaa TN Sv = ‏سا‎ © ai ١ KC RR SRE NER FN LEIP simi 3 ‏ا اه ات ا‎ ee ‏بي ا ال دا اليد الا ااا‎ 0 ‏ال ا ا ا‎ NE NT NN aE ‏اا‎ WN NCAR a RNR EN Ra Na a RES So ne RE a EAR. 1 ea RN SR 0 1 ‏ا‎ Tat OE Nae ae =a J ATHENA ae ١ RE CANE TE AN Sadao aR Aaa NN BN URE ea Ba OER Na oR TRATION SRR ‏ل‎ Ne CUBR ha aes Nagai Tee ‏اا اللا‎ ‏ل‎ Shady REE ‏ا ا‎ RE ‏ل‎ ‎YA ‏الل ل‎ ‏ل‎ ‎| SANE JR ‏الج مد‎ DERE tie a TERT Hii 1 2 3 ‏ا ا‎ Ha ‏ا ل‎ ERY ‏ا 1 ل جا ل‎ ‏ل لاس ل ا ال‎ SA ‏الس د يا‎ ‏ا ل ل ا‎ ‏ا‎ ‎RI TE REAR THERE Sa SRE EEG ER EY PRR HE aE NATIT Ie SHI ‏ل‎ 0 3 ‏ويب‎ 1 ee BARE Rida 8 ‏ل‎ ‎EY) ‏تشع بلاوري‎ TA Le HEIN 0 ry 2 emi a HELE ot ‏سب‎ ‎2 Sa lanai MEE a SEER RR et CEE FRR aad hr EERE : ‏لي‎ FEAR: SA ‏ا‎ ‏ا‎ SEE Ho fan 1 1 ‏مغ لالد‎ 1 1 \ q | < (=) ta ‏ع‎ 4 0 (= a i ) Co i 7 ATE 0 ne | ‏امد يه اعم جم لج‎ 3 Ls IIE conn satis Bl CORE I ‏اج‎ ‏كسد ميت ا اا ا 5 : : ا ا را تع ب‎ Sy = TEL EEE ‏ل‎ EA RE ‏ل‎
    ‎. LA \ PRE ChE 3 ih ‏ا‎ ae ‏ا‎ nd NE 5 YD \ Ea NG Ne rite ‏ال ا‎ ee ‏ا ا ات‎ ‏لاا ل‎ Le Nn ‏الم ا أ جنا الا‎ Cha 3 hs ‏الا‎ A ANN AS RNR 8 en ‏ا ا ان‎ ‏ا 2 ل ا‎ Ei Re ae ENN CORNER ae Cn ‏ل ا ا ا ير‎ ‏ا ا ل ا ا‎ 0 : NN aa ERNE RY Ran EL LR EE NS fossa ‏ل‎ a a - ‏لاما‎ eS Con URL SE Cnty © ee SENNA ‏ا‎ ‎ARE SNE A SR A ER 0 ‏ا ل ا‎ RARE IN 8 ANE Wo Ne aa ae Ee Tis Tn Lo o LL CIR ‏ا‎ SL RE Ei CUTER 0 aN Soa aN ‏ل ا ا‎ ee ‏ا‎ AN La a ‏ا ا‎ BR ‏سه ا ا‎ BEG ‏د ان‎ ‏معد ل ا ا ل‎ Farrer ENR Na RN ANN > ‏ا‎ LET RRR i a SENET ‏ا‎ 5 NE NN Ne Wan ‏اد اد د اتن اا‎ 0 0 : Nae Co ins la NOAA NN aa 2
    SO. ae fo is ARN ‏ل‎ a NV wd ae Nees AA RARER TREE BR ARRAS 1 : * Y * ١ 5 ES ovvy
    -١١/4- ‏رج‎ - ‏اتا‎ aaa nt _—_ ‏ا ل‎ oo ‏ا ا‎ ‏ا‎ ERR WR ER REAR BN 5 ‏ا‎ 8 Sa 30 oe La CUR sea LN a ‏ا‎ ‎RES EARN 2 ‏ا‎ 8 aR AR 5 8 3 RRR EX 3 RN {EER RR NE 1 : 7 ‏ا اد اا ااا ا‎ a ‏ا اا ا‎ NN a a 0 a NS 3 2 2 ‏ا‎ aan J Na Oa 3 : NN Te a TER al LL ‏ا‎ 3 Na WR Sh 9 5 ‏اد 5 ا‎ 3 2 8 Ne La Than 8 TR 3 nN : ; R22 hE XX XX 0 Na RENN NaN HER on 0 Meal ‏ال‎ ‏الي امس‎ NN Naa TA LL x Lh 0 . ‏د ااا اد ااا ا‎ ‏ا ا‎ a a. TREES AE Na ‏ا ا ا‎ Sl NT 23 ‏اد ا ا‎ NR NC PES ANREY SR { 1) : ws So ‏أ أ‎ AHR WORRY A RS. 5 ‏اا ل ا‎ ‏ا الل دي‎ DN ‏ا‎ Nan = FO SEN aan a :
    A. ‏ا ل‎ SR ARN RN NARS ARR 8 RENNER a Le
    ; . La a CF ER Nas a TEAR a Nas 2 2 ‏ا 8 ا ا ا‎ AN Na a ‏ا ا ا اا د‎ > ‏ا ا اد ا م‎ ; LL LL CO LL LL Ey FLAN ee NEY an aa a ‏اد 0 أ اللا‎ 3 LL Nn La a =) ‏ان‎ La a ANN Ta La RECT I .. aN as LL di La Nah a ‏ا ا ا ا‎ ‏ا سس‎ RQ LL Na Eo) a a a a ARAN A 8 SE NR 3 NN RN RY TN CER NL ANE AN 5 Na 8 8 ‏ب ا ا ا‎ 0 ‏ا ت-‎ ER SE ‏مسح‎ ‎0 ‏ا‎ WRN EI NNR EONAR 2 RARE RAR . ORR a > ARN SENS ’ 0. ‏الإ بوسر ارس‎ : 1 JH ‏سني‎ 3 Zz ‏الست‎ ‎: ‏ل ل‎ med i ! ‏ا ا ا ٍ ادا الا‎ ‏ا ا‎ ¥ - 3 : AY : 8 ‏عا اا‎ FRAY ‏ا وما‎ : Yawn ‏أي ممالا ا 1 : مي افير‎ i iF FY ‏ةق‎ Ha % wy A Adi gd * 4 won § ® } LIA Ey ‏أ ع اج‎ : i CD oN 1 ٍ ‏ب‎ i 2 ye Ra = . ‏مسي‎ wa ‏بنجةة7 فعضت حم‎ 83 ‏ل ض ال‎ 5 Ey o k bo \ er i beso HA ١ ‏يج‎ dy ou 3 : . 0 ‏ا ايه‎ 4 i LIT IB
    : . ‏سبج‎ ¥ SE NT J : $ : Kk ¥ oF oe = wy > i >11 SEA ne p . valk ea i RE 3 Jail ‏لا‎ ‎ًّ 1 ‏اراد‎ ” j ‏يفف‎
    — \ 7 ‏اج‎ ‎Fess ~~ " ‏بح تعيب‎ x PEI - 8 j ER ‏لس‎ ‎0 Fi 1 ‏احفر‎ wo 1 ; 1 : Fors pa j “ Pa ep ved 1 3 R : 1 ] ‏عا‎ w oc} ] 1 : ‏ال ا‎ : 3 j a weed ‏بوه جج بي ههجوو بجي جوج ججوي لوا َب جد يج وجو يجبي‎ Rianne TK ‏د‎ everett hy x * : Tg . : pe BA i . ] i Ter ww —3 ; dct ered i : . j bs R 3 ‏يال ج‎ ax ie] i a R id ; ! Pi BE = ] ps k i i ~ hoc 3 I & 1 ‏لاط‎ ed AAA AAA AAA AAAS ‏يسيس‎ ‏ب‎ i Bk 0 ‏حي امد احم الاج‎ 4 i i N i 1 ER 4+ i 1 oo BR ae 1» 7 : cd + ‏د اد باج‎ 1 1 8 i J i +, x Hd a ‏موف : لهي‎ Rina Ngan 1 i i 2 Bao TRON ‏فك‎ Shinde 3 k ‏"م‎ 1 SIDI WF YO. 9 a eck ‏ب‎ 4 SE 8 3 ks ‏عله‎ ‎AREER 4 ky AA IN 4 i 1 i Teen ‏أ‎ bi i i ® i Yee rand i 5 E] wn 3 1 = 1 0: E wn Aras - § i J ‏ل 3 4 يق‎ ‏ص‎ 0 wy, A A AA A A A ‏لدي‎ A A A A A A A A A AA AA AA A AA AAA AAI SA A AA AAA NAAN AA AN ANA NAAN AANA NAAR ARIANA, El : ‏ابا‎ Trad ‏اج ةمج‎ ~ SR FE £4 ‏ب‎ ‎i | SIRT. = - : 3 ‏الدب اند د حا‎ : i i i od : 1 ‏سم ألا .ضر‎ x i 1 4 i 3 i 5 ‏ا‎ ‏امس ا يك‎ T ; ‏ال الس الس اس عا اا د‎ ‏ان‎ N 4 5 | 1 . kil ¥ & Fa - N+] Pd & ¥ % ¥ oe & "1 % / * a ES 4 Sore ; % SEN ‏ترج‎ 7 Y ™ | 5 ‏ا‎ ‎3 0 8 rig CAAA
    3 ام ا يل ا ل ل ع در لب غشاء رفق ‎ghar‏ لبك ‎Den ah Tr‏ ب ‎i R 7 :‏ : لجحلا عن الاج ا ل ا ااا 8 :8 ٍٍ ‎Vo oe FL BEE + Edd i‏ اجا انام رفبق مطلي ‎gh‏ يماك < + لانو مد ب ااا ا ات سنا : 0 ام \ ‎Je 5‏ 3 ‎a AS‏ - 4 ¥ £ ارد ‎ER Wer‏ ‎Ts‏ % ب 3“ ‎a, >‏ ‎Te‏ > ‎Sn fe‏ . 2 4 وج ا الس ‎“a EN‏ ‎SN‏ ‎Ha EN SRA Sma Go? rn‏ حيتت ‎a,‏ ب ‎Era,‏ احاح ايا . الستدحت ايت المح لضا 8 اج ‎SER ٍ -‏ تسافا الفا اماق ال اا ا : ل" ‎Hide Yer Yar Ass‏ يك وح وو .تدج طول الموجة ناو هع ‎Cn‏ ‎jE i 2‏ 3 " ‘ ٍ اجا ما ‎١ Hw)‏ و ‎Cd‏ : 0 $ 3 ‎am ey A A Er‏ . “أ 8 ‎AE‏ ‎ae‏ ا ‎AME EEE TH‏ ‎SEE Nha. RN EEE‏ 8 ‎Na 0 HTH RN ht‏ ا 8 8 ‎AR WN RR a NN NN‏ ا إ_ أ _ ‎rR‏ ا 555 ‎RR NRRER RE a‏ ‎Nan Nh She‏ اد الا اا ‎x La RD an‏ ‎Raa nN RE TR RE SAE : TaN NW 8 NN RE 8 RR.‏ 2 ‎RR Shaan SRR = JN hh. DER RNR NIN‏ ل ا ا ا ال ال ل ا ‎EE‏ ‎BARRON 5 0 SHEE aE EES a RE NE‏ ‎RONEN EE ERR ETUC TR il iN A RR FR a TRE SEAN‏ ‎NN A 8 a 8‏ ل ‎YO‏ با ا ‎A a a ay NS RR‏ ‎RR RRR eae PORN RR NE Rr Tha...‏ ل ا ا ‎BERR RN: NH‏ ا ا ا أ 1 ‎Re mR AN‏ ‎RRR RRR NTR‏ ا ‎ARATE. BR RN NH‏ ‎HAN Nae ORY‏ ‎RR FERRE a Rh‏ ل 5 ا ا 8 حا 3 ‎SIE EE Nun TR RR a rR ra eee RRS 8‏ ‎ARN 2 RN Ra Rt RE RRR Rey R 5 ER‏ ‎RR = hE 8 NT I a‏ ‎A LR aa‏ ل ‎Ni 1 5 RN ARR RNR‏ ا 1 ‎Th Las Nh Jn‏ ا 0 0 ‎Ra NER RNS ER hl‏ ‎a‏ ا ا ا اا ا ا جا : ‎RN RRR‏ اج ا ا ا ا 8 ‎AAR 3 Ah RR‏ ‎SR La Naa ae‏ اا ا ااا ا ا ا ‎RR a‏ 5 “الم م 53 ا ‎RS REED NRE‏ ل ‎Le EER NE Nn ae Ln : aE SHIRES‏ ولا حت ال حمية اتا ‎RR‏ ال ‎RR: ER RR 2 RRR wa REI na RR‏ ‎RRR ARE MER EE ER Ea a RR a Rae‏ ل ‎Bae SRB RE RENE‏ ‎Yo |S‏ ‎ER EA Es se‏ ‎ea Nh ha Aas 1 Lea‏ ال ل ‎Rea‏ الاج ال حا ال لا ا ‎ER REE‏ ا ا ا ‎ae RR RR ARR ARR RRR RA ARR‏ ا ايان ااا اا ال ل ا ‎A‏ يك ا ‎ARR Rt 0) FR‏ 5 ‎a Sa RR Lae‏ اا ا ا ا ل ا ا ا ‎A Te‏ و و اك ور و ‎NA RRS‏ ‎a aR ET aE aa‏ ‎aa‏ ا ا ل ا ا م ل ‎RRC RE RE‏ ‎EE NUR RR RE ARE TRIAD EN A a a‏ ‎Naa A RE EA I RTI‏ ل ‎SETe AREER ER SEE TI ee ER ER eta SORE SERENE NN‏ الاج يجن ا ل 5 1 ‎Th ay‏ مح ا ل وحكي من ار جحي اج جني نوا ناج واج اموجه مجك جو جا را الج د اج كيني حا كج يا امج جا م ‎Nhe En aN aE‏ ل الال الي ‎REA 5 ay‏ ا ‎ITI aie an REE ES‏ ‎RR RRR Ea RRR Re‏ ل ‎RR Ree ATR‏ ‎LL a La‏ ا ا ا ا ا ل ل ا ل ‎RSA AR RE I AREY A RR‏ ا ‎Nas a RN‏ اا ‎AE A ET A RAN RT a Sey Raa RR RR a RE EEE 5‏ ‎A FR HER RE ERR Eran RE 8 RR RY NEN‏ ‎EERE HERE EES TR RR ND a...‏ ‎aa Sa‏ ‎Rt Ta TSS‏ ا ‎a‏ ا ‎SRI I ER‏ ‎a RRR‏ ا ال اجيج جا ات مت جا مر ا ا ا ‎A SR A Eo Daa dN‏ ا ل ل ا و ا اج لا ‎Ll aE‏ :الم جع موي ا اذ ل 3 ‎SEE 0 RR RE ERR ay‏
    ‎a.‏ ا ‎ay‏ ا ‎IE EE EE ET TE EC RY I EE AT‏ ‎Y 4 1 4 EY‏ ‎ovvYyY‏
    RRR tes ‏اج ا 3 ل‎ ica 5 5 ‏ل‎ ‏مج سج‎ AT BR aa - REI SRR A Se N Naa. aan ‏اليب ام سح مض‎ 0 : RR RR NaN 3 Ln SR BY tad RR RR RR RRR RRR ‏حب تحت‎ ERY aw I MIN ERTIES ER HARES im RE Shan REE aR ‏ومست ممح‎ SRE Nha. RRR." ahaha. : 8 Hn = La hh ‏ا اا‎ ‏ل ا اا‎ RX HRN RRR REAR REE RRR RAN SRR RN ARR Re 3 8B NRE NE Naa, She rma SRE Wha ER Nhe LL a - Naan Na RARE ES TITER Ata RRR 0 RR REN REN NEN Nal 3 La : a SRR SEES as a LL 0 ‏ا ا‎ 0 ‏اا لا اا ا‎ a. NE aaa SHER Lh a SRS SR Soa TREE RE rai RANE ‏ا ب‎ ha Ln Nh RAR ‏ا 5 ا‎ RAR TRICE TRERR RRS RAN AN Eo a an Ba Nas ER 8 ‏اا‎ Sa Eine FURAN RR SEE RR RRR RRR SEES RRR RR RRS ‏ل‎ ‎| - NN DIRE Sa NE aa SIRE RRS SEN RR SR RN AR RRA NE NE RI 0 Nae ‏ا ااا لا ال ا ا‎ NHR 0 ‏الا ال‎ RAL TIN RRS 8 ‏ال‎ EER RA BREE RR A RS aR 0 ‏ل ا ا‎ RE ‏ا‎ 8 Sn SERRE RR. RRR RRR AN NEE RAT RRS ae 5 Ny aaa Se ‏ا ا‎ RE EU REY ‏ل‎ Rh. SX nn a RE ER REE RN RR ARR RR. WR Sh 5 8 8 a 1 RENE TREE RRR CHEER Mktr RNG RRR EERE RSS HRN X Le NEAT REN Nk RNR RN HR RENE 5 RRR a SER 3 SRN a 4 ‏ا‎ TARE NR Tae RN RR RET ‏اتا‎ RANA SERRE Na Tae PRE EN NR RE SER DOTA REE maa ‏ا‎ ‎Nas Re aR NEE aE ahaa Nha ‏ا ااا‎ RRR : ‏ل‎ SATEEN SR REE RARER RE RRR ARR aaa RAR EY RRR RRR 0 1 - a ae 3 Lae The DIESER ‏سس‎ ‏ا اللا‎ as TREE AER ‏ا ل‎ ‏ا‎ FR ‏ا ا ا ل‎ FERRER REN SEER RN Si SERNA: RRR TREE NER NT SR ‏جحي اجا‎ RRR ERNE RENE aaa = pa. La Lb ‏ال‎ ARE RRR ENN RRR RR aR. RRR ‏داجن جد‎ RUN Nh a 3 SANE BARR RARER SEER Tha RN _ RR NRE ‏ا اد اال ا دل ا‎ 3 ‏ا ا‎ BAN 88 AEE SHER SERIA RE RR RNA 8 ‏ا‎ a RN TRARY LL Ni a LE ha a Te ‏ا ا ا‎ SEO ‏ا‎ aa NRHN Th aa hE. ENR AROS a RARE RN RRR HERR ‏ا ا 0 0 ا 0 ا‎ 8 Nia : = ha Lane SOTA ERNE ON IRENE 5 x ERR RS ‏ا اد‎ Ra SRT tiie 0 0 ‏ب ِ ا ٍ ا ا‎ ‏ا ال ا‎ LL RRO oR Sahara eR RRR hse 8 SREY RP URE a Ne a Hakan SEER NN ERENT Ee DRA fy Na RR Sh RRR AO 5 HE HIER ‏ل‎ 1 BN MRIS ERE SRE A SRvaiisd SRE SEER Rg a La a THEW 5 REARS ‏ض . : ض‎ ‏لمت ب ب ا‎ lon ‏مد‎ JG J. ‏أ سا كن ب ؛‎ clin ‏مس‎ ‎1 : ‏لجح جح ددح دح الت‎ ‏د ا‎ ‏ادح حك‎ Yo oa amy 3 ‏اج ا«‎ ‏با عم‎ ‏اج اا + ب‎ be GPE ‏دج ماي اج‎ ‏جناب انا‎ ‏الج د ا‎ | ne ro] 3 WD SP 8 : 4 1 % ‏نتححد. سبلي بيت‎ ١ + ‏ا : ام‎ yale sedges TRE - : i LEE 5 =a - i ‏وجججم جوج لمج جمد ججح بجا‎ x ohms] Ts I RE FA x 0 5 SCONES ‏من يروف‎ nds ‏سس حلي‎ ْ | | i a sl Red ‏يه ين ابن اليل‎ ‏الام ال ا‎ ‏اجام اج‎ £ ‏اجا‎ ox, a ‏لك‎ JE ‏جا‎ ‏اعقو‎ ‏اجاج يا‎ xX fo REESE AE TRIE ‏ض ا‎ ‏ض ض عام‎ ١ i ‏ض : : ض ض ¥ اج اج‎ 'ٍ ‏ا اح دج : ض‎ ~ | | by + ‏لاه‎ 2 4 + & 5 td . ١ ‏ء)‎ CE ‏د‎ ‎5 N ‏ض و‎ ّ | 5 i Pd Fg am 5 ; {3 Y } be 5 poy CAAA
    _ SR 2 tt Na ‏سو‎ RRR NR - 1 RARE RRR Sr AN AR REAR Nk i CN NY 8 ‏ا ا‎ SEAN ‏وضع‎ ١ ‏ا ا‎ 1 RT aa [ ‏يا‎ ) oN 8 ae RAE SRE a J RR Nn ra FRI SS EEN SEN 0 : - LL 2 oe a —— a ARR RE TR a eat 0 a Nu Gia Se 8 SR a. = SHINY A aN RE SRR ‏ا‎ RR a FEE RANA nt 3 RE Saas 3 DER he NN SNS AEROS AR SRS TR NR Shee Ga = RRR . nN a SRR SR RR Ry ANG 2 As IN a 3 ND Ria XR Na SAAN RN Nas SRR i FY IRAN RI RA oo RE a Ne aaa NRE S Ha i } 8 8 ‏ا‎ CRIN NRA NT SESE ON RNa Sten 3 RAE LL SON 8 Ns RN SN WN NN RNR Rae Th 5 OS TRAE a Nee Nae 3 RRR Nee Saas RR NS Xu N ( aioe = NN a SEN Steg 8 NS Ra SEEN ae RR RR ]
    om . HR SSRN RN SRE Ss 0 8 ‏ا‎ Ry SN LL NAR RR Sd ARN Tl. ER OAR TR NER Ne 2a SE Nn Naa SRR 8 8 2 a HA RR NE REC SEA aN 1 ‏اد‎ REE Sa 8 Na RAR REE RR Sano SRR 8 ‏ل اد‎ SE Wo SRR SR So SUR HR a 5A SAE LL 8 8 ‏ل ا ل‎ IHR Nas 2 Ta NA No ZAIN RR a 0 RR . oa : 8 RR ~~ oo NY 8 ‏اد‎ 0 x WR NN 3 N 8 ‏ا‎ 0 3 3 SNE I a BENE ARR : WB ny ERR REN Na ASIAN =. RA a TORRY NN Lo CE as No LEON N AES - TR Na SAT RAR Nua uaa AR pi NAAR aan 5 ‏ا‎ Ne San SEY RD & Ho NN NN 8 nt NS SR an hy Se 5 Sn RR - SHIR RR ra a NN NEE Yen Ta 0 a IES 8 NR RR NL hn RRR NN TR INR RR TER oR FE SR SRN nn La LL NL Sa Ne a Lo nN a . Nh So ae a a 3% 3 NR GAIT CSR ha Sa TERS RRR RS hae SE RNAR EN A Sane NL ha a NN Sinan RNR WN COONAN Ne HEN NR va Wan SN Nhe aaa Na HA aan 0 ‏ااا‎ x Ne Ne NA ARN Ne SNES NN Na ARR pay 5 SR EIA RY RRR SR RRR
    Co . Ane Na . LL La § La 5 NN RS 5 ‏ا ا‎
    0 . aa San N = Na UN Na a LL 5 an SN 1 . ip R: SR NER 3 % had 8 0 3 b Co RRR q 1 a . 1 RRM. 5 0 SN ¥ 9 ‏ا‎ ‎- - ‏ا ا‎ ARR NRK Ne
    NR . NA Re ‏ا ووو‎ : ‏ووو ا ا‎ dR .. RR RN Na RN SAN RRR : ‏ا‎ aR NR . 8 8 8 ‏ا ا‎ NEN . ¥ NY SS = 00 IR 2D 8 SOARES sa SOAR REN 8 Si PRIN 3 AS NN Ne NE LL ae EE Son EER 3 Reon SRA: . RRR XR Nan RY RRR SR X 0 0 DIN 1 ‏ا‎ ‎eng = NN R ae EN ps | NN Nae oY NN RH Na 5 SN a NR 5 0 Baa 8 8 ‏ا‎ SN a 8 RR Lae SENN 2 SA RA ‏ا‎ AE RRL Sane Aan NON oa . he a lian ‏ا‎ ‏ا ا‎ asain NR NaS 8 ‏ا‎ SER RN NR No an 2 HEE . Tne Sh an NN Na oy UREN ANE Sear Seine RHR a. TRA Ln TERE al NR Sera aa Ra Ron oe 8 ‏ا‎ aa RR a AR RR RR 3 ; SRA DN Ne SR TNS 355 a SEA RR Nemo AN SHEEN . SEEN 8 Sa 3 ‏ا‎ 8 XN 3 HE es iy SERN NN RN LL NR Si ay RS aa Re an RN Ny SE ARS I RE YN NG Sa SEN Na ARAN Nae oan 0 8 ‏ا د‎ ARRAN RR Na SEAN RSS RD 8 CE 8 na ERR 8 ‏ل‎ LEANNA - EE oan ARR 8 RE 7 SER ED ER a Na ANN a SRE Nw 3 ay oe : Ree - NN a: A SE oN BR SARAR SAN Naa SE AE Na Sa Ne SHEE Na ‏ا‎ SRR No ER PRN RAR R NEES Na Nw SRE RN . aa es So TINEA RR Ne a wn . RR NN an ENE Nou Shan RN No a
    -. IN SRNR 5 Se SAN RRR 4 Sarton 8 Ro BRN Nh 35 SRE
    E . RR SE NN RK 8 Ns 8 ‏ل‎ N RR AR RTS E a aa 8 Lo DR aaa NaN 8 RRR SENN SRR . NN Rew Nh HR ENN NR Ra LL a Nha SY SRR RE eh EN TTA NN SER a NR LL RR AN 88 SRN
    Na . 8 Nh 2 Te SE AE SR SANE 3 AER SN TE SER a . NRE a ‏ل : ل‎ aa : TR . NN ‏ل‎ ‎2 a hE .. ANN 3 NaN Naa SNE SRR NS noua SR SRR . No XUN SRNR i FRA 8 Wad RRR Sa BOARS RAs ERATE 3 Shia RA a LL ; ae HR HE LL ARE RN 8 RA RA NER Na RR a | 5 ARN SORE Caan aa ae FEE RG SE [ ‏ا‎ REN of N 1 0 J ovVY
    -١١8- ‏عاج‎ : pr I oI pg [ETT 3 ‏مغ‎ Ce : ‏7ج 7 ناعذج نا‎ ‏ا ااا الا 8 بج يرا‎ i ‏ال"‎ TTI ‏و‎ IA A ‏لدي ل‎ hal i = 4 by : ‏ب‎ + : k | 0 1 ‏ب‎ ~ ] Troe L 0:1 i y & + b 3 i
    Je. CF ve. : fi TA Cire om : Eo id : Yas ‏د‎ ٍ : 1 i ‏ب‎ wk : 1 % i H i 2 8 § : 8 1 i iH Pol ‏إٍْ‎ ‎Be : bo N La H 8 8 ‏و‎ HERG SU Pod ‏ل‎ 2 : : Hoa ‏ل‎ eRe adie reac i ‏الجا‎ WR ERNE TI ‏ل‎ ‏ج- ب‎ VE PE a FUER ga marl ‏ل اي ب وا‎ EUR ‏مام اواج جد لخاد‎ CRE ‏ارك‎ ‎1 } ay 1 Cf 0 ta OE "0 ‏ل‎ TRL BO ay ; N ) ‏ا‎ i i § " : 3 TE TET 2 ‏جا“‎ H ; 4 & ‏دا‎ i i : : i : i i : ‏ا‎ ٍْ : Lo : 0 ْ Co ; ْ ‏ااال‎ 0000 | 10 1000 : : ‏الممط ل‎ | | EO ; 2 : ! | ig ; : ; : fd : i i Lo ch : § 1 : ‏ا‎ : i Co : : Youd | | Lo dee | J ET : i . # i i 1 | 1 H ; by § : it i i ‏1ل‎ 10 1 ‏نل ل ال« ا ليك‎ Rng i Sid id i i 0" ‏لي ضف ا‎ IF UE ‏ليلا ااا ار‎ Lidl ih ‏ايت ل لت لايس‎ ‏ااا كارا مور لل حل ااا د اد حا ون لمات ا اد ل اد ل قا‎ TR ER Ta 1 85 gy \el \ 1 | _S : __ a 53 ‏ل لا‎ EA 1 FE ‏الج‎ ‎8 ‏رايا لاه حذاجه 1 .سيت‎ ٍْ a] ‏:راضخ لاجم 1 اليجنا‎ ‏اباك اردع .ب وات ا"‎ ! iin ‏ات اا اا‎ aa ‏بم > ا يجا‎ CO 0 ‏ا 0 8 93 ا‎ ‏نا ل‎ 0 i ‏أ‎ ‏ا‎ 1 ] ‏اتا‎ ‏ب ربب‎ [gS Ss 8 i Fai TTT i mr § ee § 8 : . i . 0 ‏رخ لبد 4ب ةا ص‎ 1 ‏ا ا ا‎ ‏دفو لطا‎ diel al ™ ¥ | 5 ِ ‏ب‎ ‎CAAA
    _ \ A «= 7 ٍ , ANAM mis : ‏ال ب ا ا‎ TT ٠٠ ER : - iy es ‏ل لال باج‎ OF Sy SET bY eat A X ‏أ‎ ‎1 ‏تتا ضفر‎ ٍ ' #4 an - TINT ‏بد‎ an 5 0 Tal ‏ك8 ً ع‎ ‏ب ف ةا اا‎ ً 3 0 > \ ٠ ‏له‎ EEUU UOC: ENO TUN ‏اسلمسسش‎ ‏أ 3+ <* 1 صغير‎ § ‏الطقة «قولط)‎ A A Ang 2 ١ 5 : ue ‏اا ا ام‎ ‏نإ 33# * = ةا ا‎ ‏اا وس ووو لجا ا انا‎ . Ee : : Sa = ‏ا‎ > Fo PMMA ‏تاف‎ ‎Eat) N Set er ge OW SRY RR 5 ‏القت اواو اورت اانا‎ .ٍ 24 RR ‏حيبت‎ 8 4 5 1 3 ‏دي ا 0 يحص‎ POEM ‏أ مير‎ EN, ‏نفل‎ PY 2 : - oA he. CREO ‏اا دام‎ E 1 2 - 8 ‏ابن‎ ARR 8 LR ‏دمر تيف ا ع‎ ‏ل حب 14 اع‎ 1 8 TR E ‏ا ءا‎ EE ‏الهجل‎ - - ٍ © ‏ا م‎ EE i. ad SE SRE J ‏خا لت ا‎ rs 4
    2. 0 ‏متتو نا ا‎ . 1 ‏ا‎ Ty, NI TT: ST I ae ei] ‏ونال لاني © الها ا‎ 3 da oe : SINE RPP Ch hd 8 ‏اذ ؟‎ Ty + ‏ل ا ا ل‎ 9 i 2 R ‏وهر ا § دي ف‎ To» £ 3 IE IE REC TO J: {de ¥ Wi) 2 3 oem ‏الومن‎ ‎ve ‏فشكا‎ ‎CAAA
    1 الب ‎NH Phi‏ الب ورا * ‎i FO iy‏ ‎SE‏ 3 > ا ‎Ry :‏ ا ا الما ا اا ,5 وال ‎FRR‏ ‎Te =‏ الث 1 اما ‎JER Re‏ ‎an pe RRS Today 1‏ از 8 3 5 ‎po ERC Nd‏ > ‎mr FRIMA 1‏ جا مت 02 ٍ- ‎han 1‏ حا ل ا جب ‎Eons 0‏ 5 ل ل لير : ل مم اح م ‎Non ER‏ £3 أ ‎TAL ;‏ سا لصوام ا ‎Soe Ba WEE‏ ‎SRE TR 2 pa‏ أ ايخ ‎oN ho ok FN‏ 8 ] ‎o 4 £ OR > POEM‏ ‎[ian a.
    Be Bh MR LNs‏ ‎ER‏ ال يط * ‎١‏ ‏8 ا ‎i Wha Sah‏ § ‎pa RIN Sit‏ و ‎a.
    Ba CR Ted‏ جره ‎AT‏ اش :8 ‎Lid‏ ‎Rt 3‏ لك اادج 3 ‎Nha, Re‏ - ‎oe 5 ER BORE igs 4‏ افد 8# ‎i WR‏ 1 ‎ag =‏ الام اا ا" ‎BE ERE CORY We‏ رح ‎k= 3, EEN RE Lat JR‏ ‎pr Tadd 5 ha EN‏ بع ‎Po CRANE‏ ‎pe‏ المي حا أ ‎Ro‏ لمحت اذ | : ى ايت ا ايت ‎Be‏ »= ب 3 ما ا ا ل ال : 1 ال« 3 ‎I LL‏ ال ‎E NIE SNS‏ تسد لسالس لسك تحت ‎FEAR SSS SCOUT.
    J‏ . ‎Sa 4 ¥ & .‏ ‎Fas Ll 8‏ ‎ot [aS‏ ¥ ‎SER NET‏ ‎bik NES i I} |‏ ل من بعد الا اد ‎Phe $Y‏ أذ ‎i hed‏ #7 1 ‎il o { 4 8‏ \ بلا ا 3 1 ا امي اا ‎i AL EN‏ 1 مجنو دحج مجح سح جح جات ا ل 17 ا ل ااا 1 ل اا ‎RRR RTS AT LLL RE‏ ا ‎SOON A AR‏ حت 0 8 سف 8 ‎RR‏ دا لد و ان الس ‎oe‏ ع ب ل اا لي اا اميا ! ‎Sten. pS‏ ‎SIREN‏ ا ‎GTR TER TRAY Na WEEE RET‏ يا ‎Ee WRT NN.‏ ‎pas of : Sh ENN SAREE a Sand Senn CE en AE TE‏ بج 5 ‎TE‏ ‎Sei a Hwa ay Pita a He fo Ea‏ ل ل الم ل ا ا ل ا ‎SR EEN‏ ‎jE‏ 0 ا ا لاق جا اسمن ‎ER‏ ‎EOL NE u ee.‏ 2 : ا 5 ‎BES pi‏ ‎TRS‏ ا 1 ا ‎Ea Sa SEER a UR Ie‏ ‎aa‏ ا ا جا = برش ‎Se‏ ‎Ha EE Ee NT REE hn‏ ا ل ‎Cnn‏ 5 ا ل ‎HN Bl Leb .‏ ‎Na BEER ZR AID a RR AE ER na: NR a ae‏ : ‎aR‏ ا ل ‎XN‏ ل ‎RR‏ ‎NS Naa... SEs‏ بال ال اك اتات ال ‎NAS RAYE UE SSE aE 8‏ ا ل ‎a‏ 3 ا ‎aaa Na ahaa PN Naa‏ ‎BA SNE NNN AN Ro AEE AE RR ERS‏ ‎LL Ca Naa HN‏ ‎AR ee SEVEN RR RRteese es Ree RR A RNIN 8 8‏ ‎Re RRS aaa THR‏ ل ل ‎ZINN NN rR NEN Nees NE Naas‏ ‎N‏ ا ‎Renae ae RRR Te ORY‏ ‎RE a VO NS aa‏ ا ‎NN‏ ل ‎To‏ ‎aa RANGA Yaa 3 NR 8 RAS SIR RANE on RRR Na a RAR‏ ‎ses ERR NRE A AIA 8 AZ PAA RN EN ARRAS NRA NR‏ ‎BS ERE A TI SER ND RE RN NRE a RE Ve SONA‏ ‎RRR RR ht AR NR aa SER NY SS oy A‏ 88 ‎a LL ee NN‏ ‎ay‏ اس : ‎RENE‏ ا ا ا اا ا ل ل ‎REAL SENN‏ م 5 ‎RR‏ ا 0 ‎NE ee‏ اا جام © لانو جم 0 - - - | .»© ‎A‏ ‏ا ل ‎a‏ اا ل ا ا ا ا ل : ا ا ‎RRA BEE NE‏ أ تيت سس سس يي ‎ae‏ ل ل ا ا ا ‎EE J SE‏ ‎EEE HERE EN RE HE SE ARES SER‏ م ‎Re‏ . : ل ‎RRR‏ لج ا ا ‎A a a a‏ او اش ا( با 8 ‎ovvy‏
    “YAY- chy ) ARE ‏مخنط‎ de E Wa 0 : ] es ‏»ا‎ ASG pow 7 ‏لذ الا‎ =7% =~ 3 0 ‏ا الوا‎ a . + ‏أ‎ ¢
    - . Sang. ] & i 3 I pT - ‏د‎ i Low SR SR 1 ‏ا ا ملالا 8 ول‎ 1 7 8 ‏ليمي‎ 0 Sager 4 § fox NO ‏اا‎ od > = 1 ES 1 1 ‏أت‎ 3 5 Ty eo
    3 . 8 ‏م وا‎ 3 al nN Ba ‏م‎ ‎SRL RN : of ; Se ! Tho ‏تت‎ ‘ ‏ف‎ ; ; ‏بحمقف‎ Yew £40 hes Avsv Jean ‏و‎ : (i FE YL de vo i 3 3 7 hg ‏ترا‎ ‎At VV | : ٍ CAAA
    0 ‏د05 ااا اا اا ااا ال ااا يقر تميحيسا :ااا ا اا لضان ااا ادا امت‎ HERR PER ١ ‏لحب‎ ST FP i Foe Lo 1 PEIN The BA : ‏ار ا‎ FE a ES ne ena Wel imal CS ‏الحا اه ذا اللخ اك‎ SET ES 3 ْ: ‏ا‎ Bahl ‏تاق ل ا‎ LN ‏اس ب‎ : Sh Ce HE $i - ‏دخلا‎ ET i PN : ‏بت- 8 شا -_ 8 ا ب‎ i ‏د اا الك‎ : LR : ‏ب‎ : ‏اخ‎ es ES : ‏ما ب"‎ : wan ‏ب"‎ : 4 wi FWA ‏بت‎ 0 ‏:الم‎ 0 E 1 Th Teas “ : 4 “oe ‏اليد‎ = 8 : =, : 0 hE - DB 2 3 he Wh H ‏د ت-‎ ‏ا ااا الات صقر‎ TH: SE BE TT SUE wo SL ‏سا‎ Sha ‏ا‎ ‏الل لاسا ات م ا ااا حدقلا‎ JOC SOOO SOI SPIE ‏ل‎ ‎Sg 53 ER ow 4 : ; 5 1 . in 1 1 8 Wat ‏ا‎ 0X SRWASE LC ? ‏يشم‎ > LIS * ‏حي § كي‎ > X + 8 + i ‏ا الا ~~ ال لانت لحا انيس‎ asad . > 1 ١ ‏ااا ااا ااانا # له ا اا ل لل ل ال للج وتوا‎ _— mss DE ‏اا ا‎ poses ‏الايد‎ 8 ‏ت- الا‎ PUREE : fv Pl ! Aa BONNE: H 8 “a Frese $ = ‏م‎ i HES R ER # + - ‏ول‎ : Gove _ ‏اله‎ 5 2 ‏بت ل‎ A RPE tio Pp = See 3 : 3 To ‏ب تب‎ 3 Ea - > ‏ل‎ : he, mm— : & ER [3 : ‏ب‎ Hew TE Tee, : EL SE BR ER 7 =. ‏ب ال‎ 8 ‏لا - ل‎ ¥ : ha PX a, : ‏ا - ا ا ور‎ " : = ne ads Vi 3 34 =, SE - k Aa ee ne dy : i : ‏و إل ا لاا رق‎ es en 0 ‏ا اا ل‎ y - H Co ‏اا : : ال“ اسمخ الا اذا‎ : fo RES : Nh ‏اا ا هه‎ i ri ‏ال‎ ‎3 ‏تسج ا ا‎ TT STL 4% a i : . Le aa AS: ‏*.ء مع + أ + حي + § + ايض 3 يض يي‎ eo 4 8 ‏ا‎ 3 - ‏ص‎ : J Py 3 » 5 ‏الي وف الحا حي الح‎ LH Fee ne cay Eres EET TE ‏للستت ل معي لاع‎ 12 10 ‏ب : اش هي ا‎ © “a, i FAST : HE Po enn & - RE 20# ‏بيني‎ = ER : RI z 1 ‏موسي جد‎ LL ‏اا‎ ~. ERS mend Peal PEF ‏الها >" ال‎ Tre Ee : ‏لحن‎ SE Se he i en EE i : - ‏الحا‎ : LL LAR een 1 ‏ب‎ ‏"م ا‎ : 1 i Te HR : 3 PIETY : ‏ا‎ . : WE : by : o. a 3 dy ‏ا‎ : 1 i 0 on Dam Te 4 5 : : ‏امغر‎ 08١ ‏اا د 0 سو‎ 1 i ‏يالا ل ا ا ا ات اا ست‎ Arr ee FUE enn FET IR EES ‏أي + يي‎ i EINE SE ‏ا + اع § & + ين نر‎ & <A ‏ا‎ : 2 3 J 0 ‏ا‎ : 1 Sg Aad dnd ‏ب‎ FY Wh CAAA
    —\AE— NN Nt Na i a Fog ‏ل‎ | - ‏ام ا‎ NL oo \ Nn oo
    : . a . a . . \ oo LL . . LL LL 0 ‏اد‎ Nh = LL a LL LL Nh . =. = LL a Lo ae — LL x LL = LA La
    LN . Lo a Lh gy 0 ‏ب اا‎ aaa ‏رجز‎ ‎0 ‏ا 0 ا‎ SN a . \ pT La = = Nn RAN Nk RN Nh NR aa aa a a a nnn aS NA aaa Nh LN Naa Na NN \ \ LL LL Le . \
    a . a Ny . ‏ا‎ ‏ا ا ا ا‎ ‏ا ا ا ا ا‎ 1 X LL LL a 1 ‏ا ا‎ Nh LL . TEEN i a ‏ره‎
    ‏."م ال ا‎ a { 3 ur ‏شكل ته‎ ‏يفف‎
    —\Ao—
    TT... SRR Se \ ee ‏سس ا‎ ‏ا ااا اا‎ ‏ض ا ااا ا‎ ‏ا ا‎ | LL NHR Nh . Ta : AHH LL Ca | \ LL A oo HY a. THT RNR NL nN 8 8 0 a tls 8 ‏ب‎ ¥ RRR 3 a ne oe 0 ‏ا اه‎ ‏زج بت تتا ا‎
    \ =. LL NNR Nk ‏ا ا ال‎ .-.-. ITT, Nh La LL . Ll a NE . NE Nh LL TNH LL . NN 3 ‏رقم‎ NEE Ts NN LL LL =. ol - Jas. 6) > KS CAAA
    مدة سريان هذه البراءة عشرون سنة من تاريخ إيداع الطلب وذلك بشرط تسديد المقابل المالي السنوي للبراءة وعدم بطلانها أو سقوطها لمخالفتها لأي من أحكام نظام براءات الاختراع والتصميمات التخطيطية للدارات المتكاملة والأصناف النباتية والنماذج الصناعية أو لائحته التنفيذية صادرة عن مدينة الملك عبدالعزيز للعلوم والتقنية ؛ مكتب البراءات السعودي ص ب ‎TAT‏ الرياض 57؟؟١١‏ ¢ المملكة العربية السعودية بريد الكتروني: ‎patents @kacst.edu.sa‏
SA516371519A 2012-09-18 2015-03-18 جهاز إلكتروني بصري SA516371519B1 (ar)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB201216605A GB201216605D0 (en) 2012-09-18 2012-09-18 Optoelectronic device
GB201309409A GB201309409D0 (en) 2013-05-24 2013-05-24 Optoelectronic device
PCT/GB2013/052425 WO2014045021A1 (en) 2012-09-18 2013-09-17 Optoelectronic device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
SA516371519B1 true SA516371519B1 (ar) 2018-02-28

Family

ID=49237502

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SA515360164A SA515360164B1 (ar) 2012-09-18 2015-03-18 جهاز إلكتروني بصري
SA516371519A SA516371519B1 (ar) 2012-09-18 2015-03-18 جهاز إلكتروني بصري

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SA515360164A SA515360164B1 (ar) 2012-09-18 2015-03-18 جهاز إلكتروني بصري

Country Status (14)

Country Link
US (5) US10069025B2 (ar)
EP (4) EP4102586B1 (ar)
JP (4) JP6263186B2 (ar)
KR (5) KR102607292B1 (ar)
CN (3) CN104769736B (ar)
AU (3) AU2013319979B2 (ar)
BR (1) BR112015005926B1 (ar)
ES (2) ES2707296T3 (ar)
HU (1) HUE059781T2 (ar)
MY (1) MY170170A (ar)
PL (2) PL3413365T3 (ar)
SA (2) SA515360164B1 (ar)
WO (1) WO2014045021A1 (ar)
ZA (2) ZA201501707B (ar)

Families Citing this family (317)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9181475B2 (en) 2012-02-21 2015-11-10 Northwestern University Photoluminescent compounds
GB201208793D0 (en) 2012-05-18 2012-07-04 Isis Innovation Optoelectronic device
US10388897B2 (en) 2012-05-18 2019-08-20 Oxford University Innovation Limited Optoelectronic device comprising porous scaffold material and perovskites
US10079320B2 (en) 2012-05-18 2018-09-18 Oxford University Innovation Limited Optoelectronic device comprising perovskites
KR102607292B1 (ko) * 2012-09-18 2023-11-29 옥스포드 유니버시티 이노베이션 리미티드 광전자 디바이스
JP6103183B2 (ja) * 2012-10-10 2017-03-29 ペクセル・テクノロジーズ株式会社 ペロブスカイト化合物を用いた電界発光素子
JP6099036B2 (ja) * 2012-10-17 2017-03-22 ペクセル・テクノロジーズ株式会社 ペロブスカイト化合物を用いた有機ｅｌ素子
KR20150135202A (ko) * 2012-12-20 2015-12-02 이슘 리서치 디벨롭먼트 컴퍼니 오브 더 히브루 유니버시티 오브 예루살렘, 엘티디. 페로브스카이트 쇼트키 타입 태양 전지
JP2014236045A (ja) * 2013-05-31 2014-12-15 積水化学工業株式会社 有機薄膜太陽電池
GB201310854D0 (en) * 2013-06-18 2013-07-31 Isis Innovation Photoactive layer production process
US20160218308A1 (en) * 2013-09-04 2016-07-28 Dyesol Ltd Photovoltaic device
JP6304980B2 (ja) * 2013-09-10 2018-04-04 大阪瓦斯株式会社 ペロブスカイト系材料を用いた光電変換装置
KR20160065926A (ko) 2013-10-02 2016-06-09 메르크 파텐트 게엠베하 정공 수송 물질
US20150122316A1 (en) * 2013-10-16 2015-05-07 OmniPV, Inc. Photovoltaic cells including halide materials
US10403836B2 (en) 2013-11-12 2019-09-03 The Regents Of The University Of California Sequential processing with vapor treatment of thin films of organic-inorganic perovskite materials
US9136408B2 (en) 2013-11-26 2015-09-15 Hunt Energy Enterprises, Llc Perovskite and other solar cell materials
US9425396B2 (en) * 2013-11-26 2016-08-23 Hunt Energy Enterprises L.L.C. Perovskite material layer processing
US9416279B2 (en) 2013-11-26 2016-08-16 Hunt Energy Enterprises, L.L.C. Bi- and tri-layer interfacial layers in perovskite material devices
US9520512B2 (en) * 2013-11-26 2016-12-13 Hunt Energy Enterprises, L.L.C. Titanate interfacial layers in perovskite material devices
US11180660B2 (en) * 2013-11-26 2021-11-23 Cubic Perovskite Llc Mixed cation perovskite material devices
EP3667751A1 (en) 2013-12-17 2020-06-17 Oxford University Innovation Limited Passivation of metal halide perovskites
US20170025622A1 (en) * 2014-03-12 2017-01-26 The University Of Akron Ultrasensitive solution-processed perovskite hybrid photodetectors
CN104979421B (zh) * 2014-04-11 2017-09-26 中国科学院大连化学物理研究所 一种叠层太阳能电池
US20170125171A1 (en) * 2014-04-23 2017-05-04 Lg Chem, Ltd. Organic-inorganic hybrid solar cell
WO2015164731A1 (en) * 2014-04-24 2015-10-29 Northwestern University Solar cells with perovskite-based light sensitization layers
KR101757198B1 (ko) * 2014-04-28 2017-07-11 성균관대학교산학협력단 페로브스카이트 제조용 전구체 및 그의 제조 방법, 그리고 페로브스카이트 태양전지 및 그의 제조 방법
TWI474992B (zh) * 2014-04-29 2015-03-01 Univ Nat Central 鈣鈦礦薄膜及太陽能電池的製備方法
GB201407606D0 (en) * 2014-04-30 2014-06-11 Cambridge Entpr Ltd Electroluminescent device
CN103956431B (zh) * 2014-04-30 2017-10-20 华南理工大学 一种溶液加工的有机‑无机平面异质结太阳电池及其制备
KR101864522B1 (ko) * 2014-05-05 2018-06-04 각코호진 오키나와가가쿠기쥬츠다이가쿠인 다이가쿠가쿠엔 태양 전지 응용을 위한 페로브스카이트 필름을 제조하기 위한 시스템 및 방법
EP3149765B1 (en) 2014-05-28 2019-03-13 Alliance for Sustainable Energy, LLC Methods for producing perovskite materials
GB2528831A (en) * 2014-06-05 2016-02-10 Univ Swansea Perovskite pigments for solar cells
US9564593B2 (en) * 2014-06-06 2017-02-07 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Solar cells comprising 2d-perovskites
GB201410542D0 (en) * 2014-06-12 2014-07-30 Isis Innovation Heterojunction device
CN104051629B (zh) * 2014-06-28 2017-10-20 福州大学 一种基于喷涂工艺制备钙钛矿型太阳能电池的方法
US20160005987A1 (en) * 2014-07-01 2016-01-07 Sharp Laboratories Of America, Inc. Planar Structure Solar Cell with Inorganic Hole Transporting Material
GB201412201D0 (en) * 2014-07-09 2014-08-20 Isis Innovation Two-step deposition process
EP2966703A1 (en) * 2014-07-11 2016-01-13 Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) Template enhanced organic inorganic perovskite heterojunction photovoltaic device
US9349967B2 (en) 2014-07-16 2016-05-24 Industrial Technology Research Institute Solar cell and method for manufacturing the same
WO2016009450A2 (en) * 2014-07-17 2016-01-21 Indian Institute Of Technology Bombay Photonic devices by organo-metallic halides based perovskites material and its method of preparation
JP2016025170A (ja) * 2014-07-18 2016-02-08 学校法人桐蔭学園 有機無機ハイブリッド構造からなる光電変換素子
WO2016012274A1 (en) 2014-07-21 2016-01-28 Basf Se Organic-inorganic tandem solar cell
WO2016014845A1 (en) * 2014-07-23 2016-01-28 The University Of Akron Ultrasensitive solution-processed perovskite hybrid photodetectors
CN104124291B (zh) * 2014-07-24 2016-08-31 华中科技大学 一种钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN104157786A (zh) * 2014-07-31 2014-11-19 清华大学 钙钛矿型太阳能电池及其制备方法
US9305715B2 (en) 2014-08-01 2016-04-05 Hunt Energy Enterprises Llc Method of formulating perovskite solar cell materials
JP6521336B2 (ja) * 2014-08-07 2019-05-29 学校法人沖縄科学技術大学院大学学園 マルチソース堆積に基づくペロブスカイト膜の製造システムおよび製造方法
GB201414110D0 (en) 2014-08-08 2014-09-24 Isis Innovation Thin film production
TWI527259B (zh) * 2014-08-13 2016-03-21 國立清華大學 鈣鈦礦太陽能電池的製造方法
CN106661729B (zh) * 2014-08-21 2019-12-10 学校法人冲绳科学技术大学院大学学园 用于制造钙钛矿膜的基于低压化学气相沉积的系统和方法
CN104201284B (zh) * 2014-08-29 2017-08-25 国家纳米科学中心 一种基于钙钛矿太阳电池和体异质结太阳电池的集成太阳电池及其制备方法
US10930442B2 (en) 2014-09-02 2021-02-23 University Of Tokyo Light-transmitting electrode having carbon nanotube film, solar cell, method for producing light-transmitting electrode having carbon nanotube film, and method for manufacturing solar cell
CN104269452A (zh) * 2014-10-11 2015-01-07 中国科学院半导体研究所 硅基薄膜材料的钙钛矿太阳电池及其制备方法
JP2016082003A (ja) * 2014-10-14 2016-05-16 積水化学工業株式会社 薄膜太陽電池の製造方法
DE112015004774T5 (de) 2014-10-21 2017-07-06 Sumitomo Chemical Company, Limited Organische photoelektrische Umwandlungsvorrichtung und Verfahren zu ihrer Herstellung
KR101969659B1 (ko) 2014-11-05 2019-04-16 각코호진 오키나와가가쿠기쥬츠다이가쿠인 다이가쿠가쿠엔 페로브스카이트 기반 장치를 위한 도핑 조작 정공 수송층
JP2016096277A (ja) * 2014-11-15 2016-05-26 ペクセル・テクノロジーズ株式会社 ペロブスカイト化合物を用いた光電変換素子およびその製造方法
KR20240006091A (ko) * 2014-11-21 2024-01-12 큐빅피브이 인크. 페로브스카이트 물질 디바이스에서의 이중- 및 삼중-층 계면 층
EP3249708A1 (en) 2014-11-21 2017-11-29 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Pedot in perovskite solar cells
CN104409642B (zh) * 2014-11-21 2017-04-26 北京科技大学 一种钙钛矿/p型量子点复合结构太阳能电池的制备方法
GB201421133D0 (en) * 2014-11-28 2015-01-14 Cambridge Entpr Ltd Electroluminescent device
US10535791B2 (en) * 2014-12-03 2020-01-14 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University 2-terminal metal halide semiconductor/C-silicon multijunction solar cell with tunnel junction
WO2016088019A1 (en) * 2014-12-03 2016-06-09 Saule Sp. Z O.O. A film-forming compostion and a method for manufacturnig a photoactive film
JP2016119468A (ja) * 2014-12-17 2016-06-30 積水化学工業株式会社 有機無機ハイブリッド太陽電池
JP2016115880A (ja) * 2014-12-17 2016-06-23 積水化学工業株式会社 有機無機ハイブリッド太陽電池
KR102098123B1 (ko) * 2014-12-19 2020-04-08 커먼웰쓰 사이언티픽 앤 인더스트리알 리서치 오거니제이션 광전자 장치의 광활성 층을 형성하는 공정
RU2697574C2 (ru) * 2014-12-23 2019-08-15 Недерландсе Органисати Вор Тугепаст-Натюрветенсхаппелейк Ондерзук Тно Способ изготовления батареи взаимосвязанных солнечных элементов
NL2014097B1 (en) * 2015-01-08 2016-09-30 Univ Delft Tech Hole transport azomethine molecule.
CN107210371A (zh) * 2015-01-22 2017-09-26 住友化学株式会社 光电转换元件及其制造方法
TWI693732B (zh) * 2015-01-29 2020-05-11 日商積水化學工業股份有限公司 太陽電池及太陽電池之製造方法
EP3051600A1 (en) * 2015-01-30 2016-08-03 Consejo Superior De Investigaciones Científicas Heterojunction device
JP2016149472A (ja) * 2015-02-13 2016-08-18 ペクセル・テクノロジーズ株式会社 ペロブスカイト化合物を用いた光電変換素子およびその製造方法
US9997707B2 (en) * 2015-02-26 2018-06-12 Nanyang Technological University Perovskite thin films having large crystalline grains
US9701696B2 (en) 2015-02-27 2017-07-11 Alliance For Sustainable Energy, Llc Methods for producing single crystal mixed halide perovskites
JP6486719B2 (ja) * 2015-03-03 2019-03-20 株式会社東芝 光電変換素子の製造方法
US10693071B2 (en) * 2015-03-06 2020-06-23 The Regents Of The University Of California Efficient and stable perovskite solar cells with all solution processed metal oxide transporting layers
CN104733618A (zh) * 2015-03-06 2015-06-24 中国科学院大学 一种钙钛矿太阳电池吸收层的制备方法
JP6537850B2 (ja) * 2015-03-09 2019-07-03 大阪瓦斯株式会社 光電変換装置における光吸収層の形成方法
JP6339037B2 (ja) * 2015-03-18 2018-06-06 株式会社東芝 光電変換素子およびその製造方法
JP6486737B2 (ja) * 2015-03-19 2019-03-20 株式会社東芝 光電変換素子
JP6110993B2 (ja) * 2015-03-25 2017-04-05 積水化学工業株式会社 太陽電池
JP6554300B2 (ja) * 2015-03-27 2019-07-31 株式会社カネカ 光電変換装置の製造方法
US20180075978A1 (en) * 2015-03-30 2018-03-15 Sumitomo Chemical Company, Limited Photoelectric conversion device
JP6434847B2 (ja) * 2015-03-31 2018-12-05 株式会社東芝 光電変換素子の製造方法および製造装置
JPWO2016158838A1 (ja) * 2015-03-31 2017-12-14 株式会社カネカ 光電変換装置、光電変換装置の製造方法および光電変換モジュール
WO2016157979A1 (ja) * 2015-03-31 2016-10-06 株式会社カネカ 光電変換装置および光電変換モジュール
WO2016163985A1 (en) * 2015-04-06 2016-10-13 Tao Xu Perovskite photovoltaic device
US20180096796A1 (en) * 2015-04-20 2018-04-05 The Regents Of The University Of California Perovskite-based optoelectronic device employing non-doped small molecule hole transport materials
JP2018515931A (ja) * 2015-05-13 2018-06-14 エイチイーイーソーラー，エルエルシー ペルブスカイト材料のチタン酸塩界面層
EP3298630B1 (en) * 2015-05-19 2022-10-26 Alliance for Sustainable Energy, LLC Method of making organo-metal halide perovskite films
CN104993059B (zh) * 2015-05-28 2017-11-10 中山大学 一种硅基钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法
KR101693192B1 (ko) * 2015-05-29 2017-01-05 한국과학기술연구원 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조방법
WO2016200897A1 (en) * 2015-06-08 2016-12-15 The Florida State University Research Foundation, Inc. Single-layer light-emitting diodes using organometallic halide perovskite/ionic-conducting polymer composite
KR101654310B1 (ko) * 2015-06-09 2016-09-05 포항공과대학교 산학협력단 양극산화법을 이용한 전극 적층체의 제조방법, 및 그의 제조방법을 포함하는 페로브스카이트 태양전지의 제조방법
US10622409B2 (en) * 2015-06-12 2020-04-14 Oxford Photovoltaics Limited Photovoltaic device
JP6489950B2 (ja) * 2015-06-12 2019-03-27 シャープ株式会社 光電変換素子およびその製造方法
CN104934503B (zh) * 2015-06-12 2017-03-08 辽宁工业大学 一种钙钛矿太阳能电池光吸收层材料甲基胺溴化铅的制备方法
GB201510351D0 (en) * 2015-06-12 2015-07-29 Oxford Photovoltaics Ltd Method of depositioning a perovskite material
CN114613805A (zh) * 2015-06-12 2022-06-10 牛津光电有限公司 多结光伏装置
EP3316327A4 (en) * 2015-06-26 2018-07-04 FUJI-FILM Corporation Photoelectric conversion element, solar battery, metal salt composition, and manufacturing method for photoelectric conversion element
EP3317905A1 (en) * 2015-06-30 2018-05-09 Cambridge Enterprise Limited Luminescent device
JP6352223B2 (ja) * 2015-07-03 2018-07-04 国立大学法人京都大学 ペロブスカイト型太陽電池の製造方法
EP3320571B1 (en) * 2015-07-10 2020-09-02 Hunt Perovskite Technologies, L.L.C. Perovskite material layer processing
JP2017028028A (ja) * 2015-07-17 2017-02-02 積水化学工業株式会社 固体接合型光電変換素子および固体接合型光電変換素子用ｐ型半導体層
JP2017028027A (ja) * 2015-07-17 2017-02-02 積水化学工業株式会社 固体接合型光電変換素子および固体接合型光電変換素子用ｐ型半導体層
KR102323243B1 (ko) * 2015-07-22 2021-11-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이를 포함하는 유기 발광 표시 장치
JP6572039B2 (ja) * 2015-07-22 2019-09-04 積水化学工業株式会社 薄膜太陽電池及び薄膜太陽電池の製造方法
JP2017028138A (ja) * 2015-07-24 2017-02-02 公立大学法人 滋賀県立大学 太陽電池およびその太陽電池の製造方法
JP6725221B2 (ja) * 2015-07-31 2020-07-15 積水化学工業株式会社 薄膜太陽電池
EP3331041B1 (en) * 2015-07-31 2021-04-28 Sekisui Chemical Co., Ltd. Solar cell
JP6725219B2 (ja) * 2015-07-31 2020-07-15 積水化学工業株式会社 太陽電池
WO2017031193A1 (en) * 2015-08-20 2017-02-23 The Hong Kong University Of Science And Technology Organic-inorganic perovskite materials and optoelectronic devices fabricated by close space sublimation
CN105206749A (zh) * 2015-08-31 2015-12-30 中国电子科技集团公司第四十八研究所 钙钛矿太阳能电池及其制备工艺
KR101686342B1 (ko) * 2015-09-01 2016-12-14 연세대학교 산학협력단 반투명 페로브스카이트 태양전지 및 제조 방법
US9911935B2 (en) * 2015-09-04 2018-03-06 International Business Machines Corporation Transparent conducting oxide as top-electrode in perovskite solar cell by non-sputtering process
KR20170029371A (ko) 2015-09-07 2017-03-15 주식회사 레이언스 X선 디텍터
WO2017043871A1 (ko) * 2015-09-07 2017-03-16 주식회사 레이언스 X선 디텍터
KR101629729B1 (ko) * 2015-09-07 2016-06-13 한국기계연구원 페로브스카이트 태양전지
JP2017059647A (ja) * 2015-09-15 2017-03-23 株式会社東芝 光電変換素子および太陽電池
JP6382781B2 (ja) 2015-09-15 2018-08-29 株式会社東芝 半導体素子の製造方法および製造装置
JP2017059651A (ja) 2015-09-16 2017-03-23 株式会社東芝 光電変換材料分散液とその製造方法、光電変換膜の製造方法と製造装置、および光電変換素子
EP3350836B1 (en) * 2015-09-17 2021-11-10 Koninklijke Philips N.V. Method for producing a radiation detector and radiation detector
WO2017057646A1 (ja) 2015-09-30 2017-04-06 株式会社カネカ 多接合型光電変換装置および光電変換モジュール
JP6552368B2 (ja) * 2015-10-02 2019-07-31 住友化学株式会社 光電変換素子及び光電変換素子の製造方法
US10476017B2 (en) 2015-10-11 2019-11-12 Northwestern University Phase-pure, two-dimensional, multilayered perovskites for optoelectronic applications
CN105374941B (zh) * 2015-10-13 2018-06-12 上海科技大学 一种具有立方钙钛矿结构的半导体材料及其制备方法
WO2017083077A1 (en) 2015-10-22 2017-05-18 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Solar cell comprising an oxide-nanoparticle buffer layer and method of fabrication
CN106676474B (zh) * 2015-11-11 2019-09-13 清华大学 真空蒸镀方法
CN106676476B (zh) * 2015-11-11 2019-10-25 清华大学 真空蒸镀方法
CN106676475B (zh) * 2015-11-11 2019-09-03 清华大学 真空蒸镀装置
EP3168877B1 (en) 2015-11-13 2022-06-22 SCEYE Inc A wire shaped coaxial photovoltaic solar cell
CN105226187B (zh) * 2015-11-15 2018-01-30 河北工业大学 薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法
CN105428535A (zh) * 2015-11-15 2016-03-23 河北工业大学 薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池的制备方法
CN105244442A (zh) * 2015-11-15 2016-01-13 河北工业大学 一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池的制备方法
CN105449103B (zh) * 2015-11-15 2018-06-22 河北工业大学 一种薄膜晶硅钙钛矿异质结太阳电池及其制备方法
CN105405974A (zh) * 2015-11-17 2016-03-16 华中科技大学 一种p型掺杂的钙钛矿光电功能材料及其应用
DE102015015017A1 (de) 2015-11-19 2017-05-24 Institut Für Solarenergieforschung Gmbh Solarzelle und Verfahren zur Herstellung einer Solarzelle mit mehreren durch ladungsträgerselektive Kontakte miteinander verbundenen Absorbern
CN105470400B (zh) * 2015-11-19 2018-06-22 华北电力大学 一种钙钛矿膜的制备方法和应用
EP3378101B1 (en) 2015-11-20 2023-07-05 Alliance for Sustainable Energy, LLC Multi-layered perovskites, devices, and methods of making the same
KR101853342B1 (ko) * 2015-11-25 2018-04-30 재단법인 멀티스케일 에너지시스템 연구단 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조방법
GB201520972D0 (en) * 2015-11-27 2016-01-13 Isis Innovation Mixed cation perovskite
KR102651543B1 (ko) * 2015-12-10 2024-03-28 삼성전자주식회사 광 전자 장치와 이를 포함하는 스마트 윈도우
ES2803026T3 (es) 2015-12-14 2021-01-22 Oxford Photovoltaics Ltd Encapsulación de módulo fotovoltaico
CN106910830A (zh) * 2015-12-23 2017-06-30 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
JP6431513B2 (ja) * 2015-12-24 2018-11-28 旭化成株式会社 組成物
US10622161B2 (en) 2016-01-06 2020-04-14 Nutech Ventures Narrow band perovskite single crystal photodetectors with tunable spectral response
CN108417720B (zh) * 2016-01-26 2020-03-27 南京工业大学 一种钙钛矿材料
US10714688B2 (en) 2016-02-25 2020-07-14 University Of Louisville Research Foundation, Inc. Methods for forming a perovskite solar cell
US10937978B2 (en) * 2016-02-25 2021-03-02 University Of Louisville Research Foundation, Inc. Methods for forming a perovskite solar cell
CN105655443A (zh) * 2016-02-29 2016-06-08 苏州大学 一种基于光致场诱导效应增强太阳能电池效率的方法
CN105742507B (zh) * 2016-02-29 2018-02-13 上海科技大学 具有立方钙钛矿结构的半导体材料及其制备方法
GB201604050D0 (en) * 2016-03-09 2016-04-20 Isis Innovation A/M/X material production process with alkylamine
JP6722007B2 (ja) * 2016-03-14 2020-07-15 株式会社カネカ 積層型光電変換装置およびその製造方法
WO2017160955A1 (en) 2016-03-15 2017-09-21 Nutech Ventures Insulating tunneling contact for efficient and stable perovskite solar cells
CN105826476B (zh) * 2016-03-17 2018-07-31 华北电力大学 一种基于复合空穴传输层的钙钛矿太阳电池的制备方法
EP3223323A1 (en) * 2016-03-24 2017-09-27 Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) High efficiency large area perovskite solar cells and process for producing the same
CN109155366B (zh) * 2016-03-18 2023-04-11 洛桑联邦理工学院 高效率大面积钙钛矿太阳能电池及其生产工艺
WO2017165434A1 (en) 2016-03-21 2017-09-28 Nutech Ventures Sensitive x-ray and gamma-ray detectors including perovskite single crystals
WO2017175491A1 (ja) * 2016-04-07 2017-10-12 株式会社カネカ 多接合光電変換装置の製造方法
US20170330693A1 (en) * 2016-05-11 2017-11-16 Board Of Trustees Of Michigan State University Interlayer Additives For Highly Efficient And Hysteresis-Free Perovskite-Based Photovoltaic Devices
CN105826473B (zh) * 2016-05-12 2019-06-21 东莞市联洲知识产权运营管理有限公司 一种钙钛矿型太阳能电池及其制备方法
CN105789449B (zh) * 2016-05-12 2019-07-26 西安穿越光电科技有限公司 一种钙钛矿太阳电池及其制备方法
WO2017196782A1 (en) 2016-05-13 2017-11-16 University Of Pittsburgh-Of The Commonwealth System Of Higher Education Highly stable electronic device employing hydrophobic composite coating layer
US10453988B2 (en) * 2016-06-03 2019-10-22 University Of Utah Research Foundation Methods for creating cadmium telluride (CdTe) and related alloy film
CN105957975A (zh) * 2016-06-13 2016-09-21 云南大学 高效率串联oled器件
WO2018005749A1 (en) * 2016-06-29 2018-01-04 Alliance For Sustainable Energy, Llc Methods for making perovskite solar cells having improved hole-transport layers
JP6708493B2 (ja) * 2016-06-30 2020-06-10 浜松ホトニクス株式会社 放射線検出器及びその製造方法
TWI626768B (zh) * 2016-08-01 2018-06-11 國立成功大學 發光二極體及其製造方法
CN106252513A (zh) * 2016-08-02 2016-12-21 天津工业大学 基于绒面光管理结构的钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN106229411A (zh) * 2016-08-02 2016-12-14 天津工业大学 一种背光基底的钙钛矿太阳电池及其制备方法
JP6297242B1 (ja) * 2016-08-04 2018-03-20 花王株式会社 光吸収層、光電変換素子、分散液、光電変換素子、及び、太陽電池、並びに、光吸収層の製造方法
WO2018023192A1 (en) * 2016-08-05 2018-02-08 Visionary Semiconductor Inc. Photodetector and method of manufacture
US10889756B2 (en) * 2016-08-11 2021-01-12 Avantama Ag Luminescent crystals and manufacturing thereof
CN109563104B (zh) 2016-08-22 2023-04-04 天光材料科技股份有限公司 有机半导体化合物
JP6843719B2 (ja) * 2016-09-06 2021-03-17 旭化成株式会社 有機無機金属化合物
CN106282922A (zh) * 2016-09-07 2017-01-04 中国工程物理研究院材料研究所 一种共蒸发制备无机非铅卤化物钙钛矿薄膜的方法
CN106252516B (zh) * 2016-09-20 2019-05-14 华南理工大学 一种平面倒置半透明有机/无机杂化钙钛矿太阳电池器件及制备方法
WO2018057419A1 (en) 2016-09-20 2018-03-29 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Solar cell comprising a metal-oxide buffer layer and method of fabrication
WO2018056295A1 (ja) * 2016-09-21 2018-03-29 積水化学工業株式会社 太陽電池
JP6530360B2 (ja) * 2016-09-23 2019-06-12 株式会社東芝 光電変換素子
US10825996B2 (en) * 2016-09-27 2020-11-03 Massachusetts Institute Of Technology Tunable light emitting diodes utilizing quantum-confined layered perovskite emitters
KR102629585B1 (ko) * 2016-10-04 2024-01-25 삼성전자주식회사 광전 변환 소자 및 이를 포함하는 촬상 장치
EP3306690B1 (en) 2016-10-05 2022-09-07 Raynergy Tek Inc. Organic semiconducting compounds
CN109790176B (zh) 2016-10-05 2023-06-02 天光材料科技股份有限公司 有机半导体化合物
WO2018065356A1 (en) 2016-10-05 2018-04-12 Merck Patent Gmbh Organic semiconducting compounds
GB2554908A (en) * 2016-10-13 2018-04-18 Univ Of Kent Photovoltaically active perovskite materials
WO2018068102A1 (en) * 2016-10-13 2018-04-19 Newsouth Innovations Pty Limited A photovoltaic cell and a method of forming a photovoltaic cell
EP3907229A1 (en) * 2016-10-14 2021-11-10 Alliance for Sustainable Energy, LLC Oriented perovskite crystals and methods of making the same
CN106549106A (zh) * 2016-10-21 2017-03-29 中国科学院上海应用物理研究所 一种基于层状钙钛矿结构材料的薄膜太阳能电池及其制备方法
EP3533089A1 (en) 2016-10-31 2019-09-04 Merck Patent GmbH Organic semiconducting compounds
KR102006800B1 (ko) * 2016-11-14 2019-08-02 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 양자점 발광 다이오드 및 그의 제조 방법, 디스플레이 패널 및 디스플레이 장치
EP3331029B1 (en) 2016-12-02 2021-09-01 LG Electronics Inc. Tandem solar cell and method of manufacturing the same
CN108148073B (zh) 2016-12-06 2023-12-08 天光材料科技股份有限公司 有机半导体化合物
CN106653927B (zh) * 2016-12-23 2018-01-02 济南大学 一种基于Cs2SnI6＆CH3NH3PbI3体异质结的太阳能电池的制备方法
JPWO2018123402A1 (ja) * 2016-12-28 2019-11-21 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池、光吸収層および光吸収層の形成方法
CN108305949A (zh) * 2017-01-11 2018-07-20 南京工业大学 一种多量子阱钙钛矿材料量子阱阱宽的调整方法及其应用和器件
JP2018117008A (ja) * 2017-01-17 2018-07-26 積水化学工業株式会社 固体接合型光電変換素子および固体接合型光電変換素子用のｐ型半導体層
KR20180090116A (ko) * 2017-02-02 2018-08-10 삼성전자주식회사 광 필터 및 이를 포함하는 광 분광기
GB2559800B (en) * 2017-02-20 2019-06-12 Oxford Photovoltaics Ltd Multijunction photovoltaic device
US10457148B2 (en) 2017-02-24 2019-10-29 Epic Battery Inc. Solar car
US10587221B2 (en) 2017-04-03 2020-03-10 Epic Battery Inc. Modular solar battery
JP6378383B1 (ja) 2017-03-07 2018-08-22 株式会社東芝 半導体素子およびその製造方法
EP3592748A1 (en) 2017-03-09 2020-01-15 Merck Patent GmbH Organic semiconducting compounds
CN106684247A (zh) * 2017-03-15 2017-05-17 中南大学 一种钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN107425122B (zh) * 2017-03-20 2019-08-16 中节能万润股份有限公司 一种掺杂型钙钛矿太阳能电池及其制备方法
US11271123B2 (en) 2017-03-27 2022-03-08 The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University Alloyed halide double perovskites as solar-cell absorbers
US12046425B2 (en) * 2017-04-14 2024-07-23 Cubicpv Inc. Photovoltaic device encapsulation
GB201706285D0 (en) 2017-04-20 2017-06-07 Univ Oxford Innovation Ltd Semiconductor device comprising halometallate
TWI774767B (zh) 2017-05-12 2022-08-21 瑞士商多蒂孔股份有限公司 茚烷衍生物及其在有機電子產品的用途
EP3401305A1 (en) 2017-05-12 2018-11-14 Dottikon Es Holding Ag Indane derivatives and their use in organic electronics
KR101895166B1 (ko) * 2017-05-19 2018-10-18 울산과학기술원 무납 페로브스카이트 기반 홀전도체 조성물, 이를 포함하는 태양전지 및 이의 제조방법
WO2018213658A1 (en) * 2017-05-19 2018-11-22 Florida State University Research Foundation, Inc. Halide perovskite thin films and methods of production thereof
KR102457927B1 (ko) * 2017-05-29 2022-10-25 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 페로브스카이트 실리콘 텐덤 태양전지의 제조 방법
JP7113254B2 (ja) 2017-07-20 2022-08-05 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 光吸収材料及びそれを用いた太陽電池
EP3665729B1 (en) 2017-08-11 2021-07-07 Raynergy Tek Inc. Organic semiconducting polymer
WO2019043495A1 (en) * 2017-09-01 2019-03-07 King Abdullah University Of Science And Technology METHODS AND APPARATUSES FOR MANUFACTURING PEROVSKITE DEVICES ON FLEXIBLE CONDUCTIVE SUBSTRATES
EP3681889A1 (en) 2017-09-13 2020-07-22 Merck Patent GmbH Organic semiconducting compounds
KR102380360B1 (ko) * 2017-09-28 2022-03-29 엘지디스플레이 주식회사 발광다이오드 및 이를 포함하는 발광장치
WO2019067724A1 (en) 2017-09-29 2019-04-04 Northwestern University THICK ALKALINE METAL HALIDE FILTER PERVASKITE FILMS FOR LOW DOSE FLAT SCREEN X-RAY IMAGERS
CN107742661A (zh) * 2017-10-19 2018-02-27 辽宁科技大学 用物理气相沉积法制备无机锡基钙钛矿太阳能电池的方法
EP3474339B1 (en) * 2017-10-20 2024-11-06 Siemens Healthineers AG X-ray image sensor with adhesion promotive interlayer and soft-sintered perovskite active layer
KR102093718B1 (ko) * 2017-10-27 2020-03-26 이화여자대학교 산학협력단 준-2 차원 페로브스카이트 필름을 포함하는 광 검출기
CN111315796B (zh) 2017-11-02 2023-11-24 天光材料科技股份有限公司 有机半导体化合物
CN107749432A (zh) * 2017-11-06 2018-03-02 成都中建材光电材料有限公司 一种CdTe薄膜太阳能电池及其制作方法
CN111315797A (zh) 2017-11-10 2020-06-19 默克专利股份有限公司 有机半导体化合物
CN107768522A (zh) * 2017-11-29 2018-03-06 湖南师范大学 一种以石墨烯作为导电材料的钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法
CN107871820A (zh) * 2017-12-11 2018-04-03 湖南师范大学 一种以硫化镉作为窗口材料的钙钛矿薄膜太阳能电池及其制备方法
GB201721066D0 (en) * 2017-12-15 2018-01-31 Oxford Photovoltaics Ltd Multi-function photovoltaic device
CN108023019B (zh) * 2017-12-19 2024-01-02 北京大学深圳研究生院 一种钙钛矿光电晶体管及其制备方法
CN108230908A (zh) * 2018-01-03 2018-06-29 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
WO2019154973A1 (en) 2018-02-12 2019-08-15 Merck Patent Gmbh Organic semiconducting compounds
CN108376745B (zh) 2018-03-01 2020-08-18 京东方科技集团股份有限公司 量子点发光二极管及其制备方法、显示面板
KR102584087B1 (ko) * 2018-03-19 2023-10-04 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 텐덤 태양전지의 제조 방법
WO2019185578A1 (en) 2018-03-28 2019-10-03 Merck Patent Gmbh Organic semiconducting compounds
WO2019185580A1 (en) 2018-03-28 2019-10-03 Merck Patent Gmbh Organic semiconducting compounds
CN108493341A (zh) * 2018-03-30 2018-09-04 苏州大学 以五氧化二钽作为电子传输层的钙钛矿太阳能电池的制备
WO2019206926A1 (en) 2018-04-27 2019-10-31 Merck Patent Gmbh Organic semiconducting polymers
CN108649124B (zh) * 2018-05-23 2020-03-17 中南大学 一种高效率无机钙钛矿太阳电池及其制备方法
EP3802484A4 (en) * 2018-06-07 2022-03-30 The Governing Council Of The University Of Toronto DOPED METAL HALIDE PEROVSKITES HAVING ENHANCED STABILITY AND SOLAR CELLS COMPRISING THEM
CN108816641B (zh) * 2018-06-30 2024-05-14 浙江浙能科技环保集团股份有限公司 一种钙钛矿太阳能电池中钙钛矿吸光层的涂布工艺及装置
CN108855775A (zh) * 2018-06-30 2018-11-23 浙江浙能技术研究院有限公司 一种钙钛矿太阳能电池中钙钛矿吸光层的涂布工艺及装置
JP7304517B2 (ja) * 2018-07-10 2023-07-07 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 太陽電池
GB201811537D0 (en) 2018-07-13 2018-08-29 Univ Oxford Innovation Ltd Turnable blue emitting lead halide perovskites
GB201811539D0 (en) 2018-07-13 2018-08-29 Univ Oxford Innovation Ltd Fabrication process for a/m/x materials
WO2020011831A1 (en) 2018-07-13 2020-01-16 Merck Patent Gmbh Organic semiconducting compounds
GB201811538D0 (en) 2018-07-13 2018-08-29 Univ Oxford Innovation Ltd Stabilised a/m/x materials
WO2020018626A1 (en) 2018-07-18 2020-01-23 Massachusetts Institute Of Technology Alternating multi-source vapor transport deposition
DE102018212304A1 (de) 2018-07-24 2020-01-30 Siemens Aktiengesellschaft Metallorganische Perowskit-Solarzelle, Tandem-Solarzelle sowie Herstellungsverfahren dazu
DE102018212305A1 (de) 2018-07-24 2020-01-30 Siemens Aktiengesellschaft Metallorganische Perowskit-Solarzelle, Tandem-Solarzelle sowie Herstellungsverfahren dazu
WO2020048939A1 (en) 2018-09-06 2020-03-12 Merck Patent Gmbh Organic semiconducting compounds
US20200082995A1 (en) * 2018-09-06 2020-03-12 Ascent Solar Technologies, Inc. Chalcopyrite-perovskite pn-junction thin-film photovoltaic device
CN109346611B (zh) * 2018-09-26 2022-04-08 杭州电子科技大学 一种光探测器原型器件的制备方法
EP3650438A1 (en) 2018-11-09 2020-05-13 Dottikon Es Holding Ag Di-, tri- and tetraphenylindane derivatives and their use in organic electronics
US10907050B2 (en) 2018-11-21 2021-02-02 Hee Solar, L.L.C. Nickel oxide sol-gel ink
KR102639857B1 (ko) * 2018-12-12 2024-02-23 제이에프이 스틸 가부시키가이샤 적층체의 제조 방법 및 페로브스카이트형 태양 전지의 제조 방법
GB201820427D0 (en) 2018-12-14 2019-01-30 Univ Oxford Innovation Ltd Device interlayer
EP3671868B1 (en) * 2018-12-20 2023-03-08 TotalEnergies OneTech Three terminal tandem solar generation unit
CN109904317A (zh) * 2018-12-27 2019-06-18 北京铂阳顶荣光伏科技有限公司 一种钙钛矿层的制备方法、应用及装置
FI130068B (en) * 2018-12-31 2023-01-31 Aalto Univ Foundation Sr Double-sided solar cell unit
CN113383436A (zh) * 2019-01-30 2021-09-10 纽泰克温图斯公司 将卤化物钙钛矿表面转化为不溶性宽带隙铅氧盐以增强太阳能电池的稳定性
CN109817731B (zh) * 2019-02-02 2021-10-12 京东方科技集团股份有限公司 一种光电二极管及其制作方法、电子设备
WO2020161052A1 (en) 2019-02-06 2020-08-13 Merck Patent Gmbh Organic semiconducting polymers
JP2019071496A (ja) * 2019-02-12 2019-05-09 株式会社東芝 光電変換素子とその製造方法
CN113544186B (zh) 2019-03-07 2024-03-19 天光材料科技股份有限公司 有机半导体组合物
WO2020196288A1 (ja) 2019-03-22 2020-10-01 株式会社カネカ 太陽電池モジュール
PL429454A1 (pl) * 2019-04-02 2020-10-05 Saule Spółka Z Ograniczoną Odpowiedzialnością Sposób otrzymywania jodków organicznych, kompozycja perowskitotwórcza z jodkiem organicznym otrzymanym tym sposobem oraz ogniwo fotowoltaiczne z warstwą perowskitową wytworzoną z tej kompozycji
CN110010724B (zh) * 2019-04-03 2020-10-27 西安交通大学 一种在金属衬底上制备BaZrS3太阳能电池薄膜材料的方法
IT201900005114A1 (it) 2019-04-04 2020-10-04 Carlo Aldo Di Doping con materiali 2D di dispositivi multi-giunzione fotovoltaici che includono un assorbitore con struttura a perovskite
KR102182388B1 (ko) * 2019-05-14 2020-11-24 한국화학연구원 와이드 밴드갭을 갖는 페로브스카이트 화합물 막의 후처리 방법
GB2583965A (en) 2019-05-16 2020-11-18 Oxford Photovoltaics Ltd Photovoltaic device
CA3142542A1 (en) * 2019-06-12 2020-12-17 Ivy Mawusi ASUO Doped mixed cation perovskite materials and devices exploiting same
RU2712151C1 (ru) * 2019-06-19 2020-01-24 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ) Способ получения полупроводниковой пленки на основе органо-неорганических комплексных галогенидов с перовскитоподобной структурой
CN110323303B (zh) * 2019-07-09 2021-05-11 北京镓族科技有限公司 一种Ga2O3-CuSCN核壳异质结日盲紫外探测器及其制备方法
EP3764406A1 (en) 2019-07-11 2021-01-13 Oxford Photovoltaics Limited Multi-junction photovoltaic device
US10608137B1 (en) * 2019-07-17 2020-03-31 Alfaisal University Method of making a perovskite solar cell using a nanocomposite
US11489082B2 (en) 2019-07-30 2022-11-01 Epic Battery Inc. Durable solar panels
US20220277902A1 (en) * 2019-07-31 2022-09-01 The Board Of Regents Of The University Of Oklahoma Dichalcogenide composite electrode and solar cell and uses
TWI690099B (zh) * 2019-08-23 2020-04-01 台灣中油股份有限公司 鈣鈦礦太陽能電池模組的製造方法及鈣鈦礦太陽能電池模組
KR102284040B1 (ko) * 2019-11-28 2021-07-29 광운대학교 산학협력단 이종접합 실리콘 태양전지 및 이를 제조하는 방법
JP2021089946A (ja) 2019-12-03 2021-06-10 味の素株式会社 封止剤、封止シート、電子デバイスおよびペロブスカイト型太陽電池
KR102534569B1 (ko) * 2019-12-30 2023-05-22 한국전자통신연구원 셀룰로오스 나노결정 반도체 물질 및 이의 제조방법
CN111370998A (zh) * 2020-01-06 2020-07-03 武汉大学 利用飞秒激光制备钙钛矿阵列微型谐振腔激光器的方法
CN111211228A (zh) * 2020-01-14 2020-05-29 天津大学 一种宽光谱探测器以及制备方法
JP2023515477A (ja) 2020-02-19 2023-04-13 ファースト・ソーラー・インコーポレーテッド 蒸気搬送堆積によるペロブスカイトデバイス加工の方法
CN111293131B (zh) * 2020-02-20 2021-06-04 中国科学院深圳先进技术研究院 X射线探测器及其制备方法
WO2021182431A1 (ja) * 2020-03-09 2021-09-16 国立大学法人京都大学 高純度化スズ含有ペロブスカイト半導体材料
WO2021187341A1 (ja) 2020-03-19 2021-09-23 キヤノン株式会社 光電変換素子、該光電変換素子を有する光電変換装置
CN111446385B (zh) * 2020-05-21 2022-05-17 中国科学技术大学 一种基于气刀和刮涂工艺制备钙钛矿发光二极管的方法
CN111628084A (zh) * 2020-05-28 2020-09-04 华中科技大学 一种钙钛矿叠层太阳能电池及其制备方法
EP4169080A1 (en) 2020-06-18 2023-04-26 Oxford Photovoltaics Limited Multijunction photovoltaic devices with metal oxynitride layer
CN111710780B (zh) * 2020-06-18 2022-03-01 西北工业大学 阴极原位修饰的无电子传输层钙钛矿太阳能电池的制备方法
CN111883664B (zh) * 2020-06-30 2022-09-23 西安理工大学 一种双注入倍增型有机光电探测器及其制备方法
CN111834487B (zh) * 2020-07-24 2022-06-03 西安电子科技大学 全无机钙钛矿纳米线自供能-短波光电探测器及制备方法
CN114864729B (zh) * 2020-08-21 2023-08-01 隆基绿能科技股份有限公司 硅基异质结太阳电池及其制备方法
WO2022066707A1 (en) * 2020-09-22 2022-03-31 Caelux Corporation Methods and devices for integrated tandem solar module fabrication
KR102496956B1 (ko) * 2020-10-28 2023-02-06 포항공과대학교 산학협력단 박막 트랜지스터 및 이의 제조 방법
CN112349849B (zh) * 2020-11-13 2023-06-23 新余学院 一种快速蒸镀钙钛矿太阳电池电极的方法及其器件制备
KR20220077980A (ko) 2020-12-02 2022-06-10 한화솔루션 주식회사 높은 효율을 갖는 페로브스카이트 태양전지 및 그 제조방법
FR3118297A1 (fr) * 2020-12-18 2022-06-24 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Structure simplifiee de cellules solaires tandem a deux terminaux
CN112242491B (zh) * 2020-12-18 2021-03-09 河南工学院 一种无电子输运层钙钛矿太阳能电池的制备方法
KR102647777B1 (ko) * 2020-12-24 2024-03-13 한화솔루션 주식회사 페로브스카이트 광전 변환 소자 제조방법, 이를 통해 제조된 페로브스카이트광전변환 소자, 및 이를 포함하는 태양전지
CN112736161B (zh) * 2020-12-30 2022-04-26 中山大学 一种具有循环类量子阱结构的铜锌锡硫基薄膜前驱体及其制备方法
CN115101602B (zh) * 2021-03-03 2023-09-01 隆基绿能科技股份有限公司 一种太阳能电池及光伏组件
CN113066889B (zh) * 2021-03-15 2022-12-06 中国科学院半导体研究所 基于硅基PIN探测器的n-p-i-n光电三极管及其制备方法
EP4068363B1 (en) 2021-03-30 2023-06-07 Siemens Healthcare GmbH Radiation detector with butted absorber tiles without dead areas
GB202114040D0 (en) 2021-09-30 2021-11-17 Oxford Photovoltaics Ltd Perovskite materials and their use in photocoltaic devices
WO2023078824A1 (en) 2021-11-04 2023-05-11 Dottikon Es Holding Ag Spiro-(indane-fluorene) type compounds and their use in organic electronics
EP4180845A1 (en) 2021-11-11 2023-05-17 Siemens Healthcare GmbH Radiation detector with laser cut absorber tiles
US20230157158A1 (en) * 2021-11-12 2023-05-18 Kaunas University Of Technology Photovoltaic Devices Containing Cyclobutane-Based Hole Transporting Materials
WO2023170304A1 (en) 2022-03-11 2023-09-14 Oxford Photovoltaics Limited Process for making multicomponent perovskites
GB202203452D0 (en) 2022-03-11 2022-04-27 Oxford Photovoltaics Ltd Sequential deposition of perovskites
CN114695669A (zh) * 2022-03-24 2022-07-01 江苏科技大学 引入pmma插层的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN114583015A (zh) * 2022-03-25 2022-06-03 安徽华晟新能源科技有限公司 一种异质结电池及其制备方法
TWI825657B (zh) * 2022-04-07 2023-12-11 中華學校財團法人中華科技大學 鈣鈦礦平面太陽能電池製作方法
WO2023240059A2 (en) * 2022-06-06 2023-12-14 New York University Lead-free ytterbium-doped double perovskite thin films
WO2023247416A1 (en) 2022-06-21 2023-12-28 Dottikon Es Holding Ag Tetraarylbenzidine type compounds and their use in organic electronics
IL297568B2 (en) * 2022-10-23 2024-06-01 Green Capsula Solution Ltd System and method for optical focusing and temperature stabilization of a photovoltaic cell

Family Cites Families (91)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3323324B2 (ja) 1993-06-18 2002-09-09 株式会社リコー 発光ダイオードおよび発光ダイオードアレイ
EP0895512B1 (de) 1996-04-26 1999-10-20 Forschungszentrum Jülich Gmbh Pin-schichtenfolge auf einem perowskiten
US5721634A (en) 1996-10-09 1998-02-24 Boeing North American, Inc. Cesium-germanium halide salts forming nonlinear optical crystals
US5882548A (en) 1997-05-08 1999-03-16 International Business Machines Corporation Luminescent organic-inorganic perovskites with a divalent rare earth metal halide framework
JP3693468B2 (ja) 1997-07-23 2005-09-07 シャープ株式会社 半導体発光素子
US5871579A (en) 1997-09-25 1999-02-16 International Business Machines Corporation Two-step dipping technique for the preparation of organic-inorganic perovskite thin films
US6027666A (en) 1998-06-05 2000-02-22 The Governing Council Of The University Of Toronto Fast luminescent silicon
US6180956B1 (en) 1999-03-03 2001-01-30 International Business Machine Corp. Thin film transistors with organic-inorganic hybrid materials as semiconducting channels
US6420056B1 (en) 1999-07-08 2002-07-16 International Business Machines Corporation Electroluminescent device with dye-containing organic-inorganic hybrid materials as an emitting layer
US6150536A (en) 1999-07-08 2000-11-21 International Business Machines Corporation Dye doped organic-inorganic hybrid materials
ATE324662T1 (de) * 1999-08-04 2006-05-15 Fuji Photo Film Co Ltd Elektrolytzusammensetzung und photolektrochemische zelle
AU739381B2 (en) 1999-09-24 2001-10-11 Kabushiki Kaisha Toshiba Electrolyte composition, photosensitized solar cell using said electrolyte composition, and method of manufacturing photosensitized solar cell
JP2001148491A (ja) 1999-11-19 2001-05-29 Fuji Xerox Co Ltd 光電変換素子
JP3505568B2 (ja) * 1999-11-29 2004-03-08 独立行政法人産業技術総合研究所 太陽電池の光吸収層形成用材料
US6429318B1 (en) 2000-02-07 2002-08-06 International Business Machines Corporaiton Layered organic-inorganic perovskites having metal-deficient inorganic frameworks
US20050268962A1 (en) * 2000-04-27 2005-12-08 Russell Gaudiana Flexible Photovoltaic cells, systems and methods
JP3542077B2 (ja) 2000-09-08 2004-07-14 独立行政法人 科学技術振興機構 有機アンモニウム・無機層状ペロブスカイト化合物とその製造方法
JP4278080B2 (ja) 2000-09-27 2009-06-10 富士フイルム株式会社 高感度受光素子及びイメージセンサー
US6599447B2 (en) * 2000-11-29 2003-07-29 Advanced Technology Materials, Inc. Zirconium-doped BST materials and MOCVD process forming same
JP2002198551A (ja) * 2000-12-27 2002-07-12 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 光電変換素子とそれを用いた光電変換装置及び光電変換素子の製造方法
JP2002299063A (ja) * 2001-04-03 2002-10-11 Japan Science & Technology Corp 臭化鉛系層状ペロブスカイト化合物を発光層とした電界発光素子
US6709929B2 (en) 2001-06-25 2004-03-23 North Carolina State University Methods of forming nano-scale electronic and optoelectronic devices using non-photolithographically defined nano-channel templates
JP4729203B2 (ja) * 2001-07-25 2011-07-20 独立行政法人科学技術振興機構 ハロゲン化鉛系層状ペロブスカイト化合物の燐光を利用した電界発光素子
JP3779596B2 (ja) 2001-11-16 2006-05-31 独立行政法人科学技術振興機構 ポジトロンエミッショントモグラフィ装置
US7105360B2 (en) 2002-03-08 2006-09-12 International Business Machines Corporation Low temperature melt-processing of organic-inorganic hybrid
JP4010170B2 (ja) 2002-04-11 2007-11-21 ソニー株式会社 光電変換素子の製造方法
EP1437790B1 (en) 2002-06-14 2012-08-08 Panasonic Corporation Photoelectric transducer and its manufacturing method
US20060162767A1 (en) * 2002-08-16 2006-07-27 Angelo Mascarenhas Multi-junction, monolithic solar cell with active silicon substrate
WO2004022637A2 (en) * 2002-09-05 2004-03-18 Nanosys, Inc. Nanocomposites
JP4259081B2 (ja) 2002-10-10 2009-04-30 セイコーエプソン株式会社 半導体装置の製造方法
JP2004134577A (ja) 2002-10-10 2004-04-30 Seiko Epson Corp 半導体薄膜の製造方法、薄膜トランジスタ、半導体装置、薄膜太陽電池、複合半導体装置の製造方法、電気光学装置及び電子機器
AU2003272969A1 (en) * 2002-10-10 2004-05-04 Kansai Paint Co., Ltd. Method for forming semiconductor film and use of semiconductor film
US6995445B2 (en) 2003-03-14 2006-02-07 The Trustees Of Princeton University Thin film organic position sensitive detectors
JP4598673B2 (ja) 2003-06-13 2010-12-15 パナソニック株式会社 発光素子及び表示装置
JP4191566B2 (ja) 2003-09-12 2008-12-03 アトミック エナジー カウンセル − インスティトゥート オブ ニュークリアー エナジー リサーチ 電流ブロック構造を有する発光ダイオードおよびその製造方法
US7045205B1 (en) 2004-02-19 2006-05-16 Nanosolar, Inc. Device based on coated nanoporous structure
WO2005114748A2 (en) 2004-04-13 2005-12-01 Solaris Nanosciences, Inc. Plasmon enhanced sensitized photovoltaic cells
US8592680B2 (en) 2004-08-11 2013-11-26 The Trustees Of Princeton University Organic photosensitive devices
WO2006034561A1 (en) 2004-09-27 2006-04-06 The State Scientific Institution 'institute Of Molecular And Atomic Physics Of The National Academy Of Science Of Belarus' High-efficient small-aperture light converter
EP1724838A1 (en) 2005-05-17 2006-11-22 Ecole Polytechnique Federale De Lausanne Tandem photovoltaic conversion device
JP2007031178A (ja) 2005-07-25 2007-02-08 Utsunomiya Univ ＣｄＴｅ系酸化物薄膜及びその形成方法
US8034745B2 (en) 2005-08-01 2011-10-11 Amit Goyal High performance devices enabled by epitaxial, preferentially oriented, nanodots and/or nanorods
US20070028961A1 (en) * 2005-08-04 2007-02-08 General Electric Company Organic dye compositions and use thereof in photovoltaic cells
JP2007095488A (ja) 2005-09-29 2007-04-12 Toshiba Corp 発光素子およびその製造方法
JP2009532839A (ja) 2006-04-03 2009-09-10 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機エレクトロルミネッセント装置
JP5084730B2 (ja) 2006-07-05 2012-11-28 日本化薬株式会社 色素増感太陽電池
KR100838158B1 (ko) 2007-01-04 2008-06-13 한국과학기술연구원 메조 다공성 금속산화물 박막을 포함하는 염료감응태양전지용 광전극 및 이의 제조방법
JP2008189947A (ja) * 2007-01-31 2008-08-21 National Institute For Materials Science ペロブスカイト薄膜及びその製造方法
KR20080079894A (ko) 2007-02-28 2008-09-02 삼성에스디아이 주식회사 염료감응 태양전지 및 이의 제조방법
JP2009006548A (ja) 2007-06-27 2009-01-15 Saga Univ 有機無機層状ペロブスカイト化合物薄膜及びその作製方法
CN101802948B (zh) * 2007-07-23 2014-01-15 巴斯夫欧洲公司 串列光伏电池
JP2010534394A (ja) 2007-07-25 2010-11-04 ポリマーズ シーアールシー リミテッド 太陽電池、及びその製造方法
US20090032097A1 (en) 2007-07-31 2009-02-05 Bigioni Terry P Enhancement of dye-sensitized solar cells using colloidal metal nanoparticles
KR20090052696A (ko) 2007-11-21 2009-05-26 한국전자통신연구원 ｐ－ｎ 접합 다이오드를 포함하는 기판을 구비한 염료감응태양전지
US8193704B2 (en) 2008-02-19 2012-06-05 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Perovskite oxide thin film EL element
US20110011456A1 (en) 2008-03-19 2011-01-20 Liyuan Han Photosensitizer and solar cell using the same
JP2010009786A (ja) 2008-06-24 2010-01-14 Sharp Corp 色素増感型太陽電池および色素増感型太陽電池モジュール
CN101635203B (zh) 2008-07-27 2011-09-28 比亚迪股份有限公司 一种半导体电极及制法和含有该半导体电极的太阳能电池
CA2737477A1 (en) 2008-09-26 2010-04-01 The Regents Of The University Of Michigan Organic tandem solar cells
TW201032340A (en) 2009-02-26 2010-09-01 Nat Applied Res Laboratories A silicon quantum dot near-infrared phototransistor detector
US20110089402A1 (en) 2009-04-10 2011-04-21 Pengfei Qi Composite Nanorod-Based Structures for Generating Electricity
KR101061970B1 (ko) 2009-05-25 2011-09-05 한국과학기술연구원 전도성 비금속 필름을 이용한 광전극 및 이를 포함하는 염료감응 태양전지
GB0909818D0 (en) * 2009-06-08 2009-07-22 Isis Innovation Device
KR101174088B1 (ko) 2009-06-25 2012-08-14 제일모직주식회사 유기광전소자용 화합물 및 이를 포함하는 유기광전소자
GB0916037D0 (en) 2009-09-11 2009-10-28 Isis Innovation Device
JP5489621B2 (ja) 2009-09-29 2014-05-14 ヤヱガキ醗酵技研株式会社 光電変換素子とその光電変換素子を用いた光発電装置
GB0920918D0 (en) 2009-11-27 2010-01-13 Isis Innovation Device
JP2013513016A (ja) 2009-12-08 2013-04-18 オムニピーブイ， インコーポレイテッド 可視範囲または近赤外線範囲において光を放出する発光材料および形成方法
JP2011139978A (ja) 2010-01-06 2011-07-21 Panasonic Corp 光励起半導体及びそれを用いたデバイス
JP5775886B2 (ja) 2010-02-18 2015-09-09 コリア リサーチ インスティチュート オブ ケミカル テクノロジーＫｏｒｅａ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ Ｏｆ Ｃｈｅｍｉｃａｌｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ ナノ構造無機−有機ヘテロ接合太陽電池の製造方法
GB201004106D0 (en) 2010-03-11 2010-04-28 Isis Innovation Device
JP5621488B2 (ja) 2010-03-17 2014-11-12 ソニー株式会社 光電変換装置
US8907205B2 (en) 2010-06-18 2014-12-09 Institut National De La Recherche Scientifique (Inrs) Combined Pn junction and bulk photovoltaic device
JP5548073B2 (ja) 2010-09-13 2014-07-16 パナソニック株式会社 太陽電池
CN102468413B (zh) * 2010-11-09 2014-10-29 四川新力光源股份有限公司 一种交流led发光装置
GB201020209D0 (en) 2010-11-29 2011-01-12 Isis Innovation Device
KR101172374B1 (ko) * 2011-02-14 2012-08-08 성균관대학교산학협력단 페로브스카이트계 염료를 이용한 염료감응 태양 전지 및 이의 제조방법
US20120048329A1 (en) * 2011-06-02 2012-03-01 Lalita Manchanda Charge-coupled photovoltaic devices
US9484475B2 (en) * 2011-10-11 2016-11-01 The Trustees Of The University Of Pennsylvania Semiconductor ferroelectric compositions and their use in photovoltaic devices
US9181475B2 (en) 2012-02-21 2015-11-10 Northwestern University Photoluminescent compounds
GB201203881D0 (en) 2012-03-05 2012-04-18 Isis Innovation Mesoporous single crystal semiconductore
US10079320B2 (en) 2012-05-18 2018-09-18 Oxford University Innovation Limited Optoelectronic device comprising perovskites
US10388897B2 (en) 2012-05-18 2019-08-20 Oxford University Innovation Limited Optoelectronic device comprising porous scaffold material and perovskites
GB201208793D0 (en) * 2012-05-18 2012-07-04 Isis Innovation Optoelectronic device
EP2693503A1 (en) * 2012-08-03 2014-02-05 Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne (EPFL) Organo metal halide perovskite heterojunction solar cell and fabrication thereof
KR101547870B1 (ko) * 2012-09-12 2015-08-27 한국화학연구원 광흡수 구조체가 구비된 태양전지
GB201216605D0 (en) 2012-09-18 2012-10-31 Isis Innovation Optoelectronic device
KR102607292B1 (ko) 2012-09-18 2023-11-29 옥스포드 유니버시티 이노베이션 리미티드 광전자 디바이스
GB201309409D0 (en) 2013-05-24 2013-07-10 Isis Innovation Optoelectronic device
JP6553647B2 (ja) 2014-02-03 2019-07-31 ザ キュレイターズ オブ ザ ユニバーシティー オブ ミズーリ アミンボラン及び多面体ボランの合成
GB2528831A (en) * 2014-06-05 2016-02-10 Univ Swansea Perovskite pigments for solar cells

Also Published As

Publication number Publication date
SA515360164B1 (ar) 2017-02-05
EP2898553A1 (en) 2015-07-29
AU2016204753B2 (en) 2017-04-20
CN106206952B (zh) 2019-09-06
EP3413365B1 (en) 2022-06-29
CN106684246B (zh) 2020-01-21
JP6660930B2 (ja) 2020-03-11
JP2020074485A (ja) 2020-05-14
ES2707296T3 (es) 2019-04-03
EP4102586A3 (en) 2023-05-03
KR20220123732A (ko) 2022-09-08
HUE059781T2 (hu) 2022-12-28
US11469338B2 (en) 2022-10-11
PL2898553T3 (pl) 2019-05-31
ZA201604518B (en) 2018-11-28
AU2017203629B2 (en) 2018-12-20
JP2018041987A (ja) 2018-03-15
AU2013319979A1 (en) 2015-03-19
AU2016204753A1 (en) 2016-07-28
CN104769736A (zh) 2015-07-08
US20180315870A1 (en) 2018-11-01
KR102698732B1 (ko) 2024-08-27
CN104769736B (zh) 2016-08-24
KR102296283B1 (ko) 2021-08-31
BR112015005926A2 (pt) 2017-07-04
EP4089753A1 (en) 2022-11-16
JP2015535390A (ja) 2015-12-10
JP6263186B2 (ja) 2018-01-17
KR20210095243A (ko) 2021-07-30
US11527663B2 (en) 2022-12-13
EP4102586A1 (en) 2022-12-14
CN106206952A (zh) 2016-12-07
ZA201501707B (en) 2021-09-29
EP4102586B1 (en) 2024-09-11
MY170170A (en) 2019-07-09
US20200365748A1 (en) 2020-11-19
WO2014045021A1 (en) 2014-03-27
US20220393048A1 (en) 2022-12-08
EP3413365A1 (en) 2018-12-12
BR112015005926B1 (pt) 2022-01-25
KR20150056851A (ko) 2015-05-27
US20150249170A1 (en) 2015-09-03
US10069025B2 (en) 2018-09-04
US20230197869A1 (en) 2023-06-22
BR112015005926A8 (pt) 2018-01-02
AU2017203629A1 (en) 2017-06-15
CN106684246A (zh) 2017-05-17
AU2013319979B2 (en) 2016-08-25
EP4089753B1 (en) 2024-11-06
ES2924644T3 (es) 2022-10-10
PL3413365T3 (pl) 2022-10-31
KR102607292B1 (ko) 2023-11-29
KR20180100722A (ko) 2018-09-11
EP2898553B1 (en) 2018-11-14
KR102118475B1 (ko) 2020-06-03
JP2023081962A (ja) 2023-06-13
KR20240129238A (ko) 2024-08-27
JP7245527B2 (ja) 2023-03-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SA516371519B1 (ar) جهاز إلكتروني بصري
Kung et al. Lead‐free double perovskites for perovskite solar cells
Asghar et al. Device stability of perovskite solar cells–A review
Wang et al. Controlled synthesis of lead-free and stable perovskite derivative Cs2SnI6 nanocrystals via a facile hot-injection process
AU2016316984B2 (en) Double perovskite
Manshor et al. Humidity versus photo-stability of metal halide perovskite films in a polymer matrix
KR20170060184A (ko) 혼합 음이온을 갖는 유기금속 페로브스카이트를 갖는 광전자 장치
Park et al. Simultaneous ligand exchange fabrication of flexible perovskite solar cells using newly synthesized uniform tin oxide quantum dots
KR101767968B1 (ko) 나노와이어 페로브스카이트 태양전지 및 이의 제조 방법
Thote et al. High-working-pressure sputtering of ZnO for stable and efficient perovskite solar cells
Shen et al. Stabilization of MAPbI3 nanocrystals by dual ligands for photodetectors
Hussein Solvent engineering for highly-efficient tin perovskite solar cells
Chadaram Improving the Performance of Perovskite Solar Cells Fabricated in Ambient Atmosphere
Zheng Defect Passivation and Surface Modification for Efficient and Stable Organic-Inorganic Hybrid Perovskite Solar Cells and Light-Emitting Diodes
Aranda Alonso Bulk and interfacial engineering to enhance photovoltaic properties of iodide and bromide perovskite solar cells
Li Structural Studies of Perovskite Quantum Dot and Organic Photovoltaic Molecules in Thin Films Using Grazing Incidence Scattering Techniques
Ethar Yahya Preparation and characterization of ZnO/ZnAl2O4 mixed metal oxide as an effective anode materials for dye-sensitized photodetector/Ethar Yahya Salih
Salih Preparation and Characterization of ZnO/ZnAl2O4Mixed Metal Oxide as an Effective Anode Materials for Dye-Sensitized Photodetector
Kadro Investigations on morphology and photophysical characteristics of CH3NH3PbI3 polycrystalline films