Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

RU2485626C2 - Многопереходные фотогальванические элементы - Google Patents

Многопереходные фотогальванические элементы Download PDF

Info

Publication number
RU2485626C2
RU2485626C2 RU2010125569/28A RU2010125569A RU2485626C2 RU 2485626 C2 RU2485626 C2 RU 2485626C2 RU 2010125569/28 A RU2010125569/28 A RU 2010125569/28A RU 2010125569 A RU2010125569 A RU 2010125569A RU 2485626 C2 RU2485626 C2 RU 2485626C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
photovoltaic device
light
wavelength
active layers
active layer
Prior art date
Application number
RU2010125569/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2010125569A (ru
Inventor
Маниш КОТАРИ
Йех-цзюнь ТУНГ
Original Assignee
Квалкомм Мемс Текнолоджис, Инк.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Квалкомм Мемс Текнолоджис, Инк. filed Critical Квалкомм Мемс Текнолоджис, Инк.
Publication of RU2010125569A publication Critical patent/RU2010125569A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2485626C2 publication Critical patent/RU2485626C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
    • H01L31/076—Multiple junction or tandem solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H01L31/02165—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors using interference filters, e.g. multilayer dielectric filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/056—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means the light-reflecting means being of the back surface reflector [BSR] type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0687—Multiple junction or tandem solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

Предложено фотогальваническое устройство, содержащее первый активный слой, выполненный с возможностью выработки электрического сигнала в результате поглощения света с первой длиной волны первым активным слоем, второй активный слой, выполненный с возможностью выработки электрического сигнала в результате поглощения света со второй длиной волны вторым активным слоем, первый оптический фильтр, расположенный между первым и вторым активными слоями и выполненный с возможностью отражения большего количества света с первой длиной волны, чем света со второй длиной волны, и пропускания большего количества света со второй длиной волны, чем света с первой длиной волны, и первый оптический резонатор, вызывающий возрастание количества света с первой длиной волны, поглощаемого первым активным слоем, причем первый и второй активные слои включены в совокупность активных слоев, содержащую по меньшей мере три активных слоя, имеющие запрещенные зоны, при этом запрещенные зоны указанной совокупности активных слоев расположены на протяжении по меньшей мере примерно 1000 нм в длинах волн между примерно 450 нм и примерно 1750 нм. Также предложен еще один вариант фотогальванического устройства и способ изготовления фотогальванического устройства. Изобретение обеспечивает повышение эффективности. 3 н. и 44 з.п. ф-лы, 37 ил.

Description

Текст описания приведен в факсимильном виде.
Figure 00000001
Figure 00000002
Figure 00000003
Figure 00000004
Figure 00000005
Figure 00000006
Figure 00000007
Figure 00000008
Figure 00000009
Figure 00000010
Figure 00000011
Figure 00000012
Figure 00000013
Figure 00000014
Figure 00000015
Figure 00000016
Figure 00000017
Figure 00000018
Figure 00000019
Figure 00000020
Figure 00000021
Figure 00000022
Figure 00000023
Figure 00000024
Figure 00000025
Figure 00000026
Figure 00000027
Figure 00000028
Figure 00000029
Figure 00000030
Figure 00000031
Figure 00000032
Figure 00000033
Figure 00000034
Figure 00000035
Figure 00000036
Figure 00000037
Figure 00000038
Figure 00000039
Figure 00000040
Figure 00000041
Figure 00000042
Figure 00000043
Figure 00000044
Figure 00000045
Figure 00000046
Figure 00000047
Figure 00000048
Figure 00000049
Figure 00000050
Figure 00000051
Figure 00000052
Figure 00000053
Figure 00000054
Figure 00000055
Figure 00000056
Figure 00000057
Figure 00000058
Figure 00000059
Figure 00000060
Figure 00000061
Figure 00000062
Figure 00000063
Figure 00000064
Figure 00000065
Figure 00000066
Figure 00000067
Figure 00000068
Figure 00000069
Figure 00000070
Figure 00000071

Claims (47)

1. Фотогальваническое устройство, содержащее первый активный слой, выполненный с возможностью выработки электрического сигнала в результате поглощения света с первой длиной волны первым активным слоем, второй активный слой, выполненный с возможностью выработки электрического сигнала в результате поглощения света со второй длиной волны вторым активным слоем, первый оптический фильтр, расположенный между первым и вторым активными слоями и выполненный с возможностью отражения большего количества света с первой длиной волны, чем света со второй длиной волны, и пропускания большего количества света со второй длиной волны, чем света с первой длиной волны, и первый оптический резонатор, вызывающий возрастание количества света с первой длиной волны, поглощаемого первым активным слоем, причем первый и второй активные слои включены в совокупность активных слоев, содержащую по меньшей мере три активных слоя, имеющие запрещенные зоны, при этом запрещенные зоны указанной совокупности активных слоев расположены на протяжении по меньшей мере примерно 1000 нм в длинах волн между примерно 450 нм и примерно 1750 нм.
2. Фотогальваническое устройство по п.1, в котором первая длина волны короче второй длины волны.
3. Фотогальваническое устройство по п.1, в котором по меньшей мере один из активных слоев содержит полупроводниковый материал.
4. Фотогальваническое устройство по п.3, в котором по меньшей мере один активный слой содержит P-N переход или P-I-N переход.
5. Фотогальваническое устройство по п.1, в котором по меньшей мере один из активных слоев содержит кремний, германий, теллурид кадмия, диселенид меди и индия, диселенид меди-индия-галлия, светопоглощающие красящие вещества, светопоглощающие полимеры, полимеры с внедренными светопоглощающими наночастицами, или полупроводниковые материалы элементов III-V групп.
6. Фотогальваническое устройство по п.1, дополнительно содержащее третий активный слой, выполненный с возможностью выработки электрического сигнала в результате поглощения света с третьей длиной волны третьим активным слоем.
7. Фотогальваническое устройство по п.6, в котором первая длина волны короче второй длины волны, а вторая длина волны короче третьей длины волны.
8. Фотогальваническое устройство по п.7, дополнительно содержащее второй оптический фильтр, расположенный между вторым и третьим активными слоями и выполненный с возможностью отражения большего количества света со второй длиной волны, чем света с третьей длиной волны, и пропускания большего количества света с третьей длиной волны, чем света со второй длиной волны.
9. Фотогальваническое устройство по п.1, в котором указанная совокупность активных слоев содержит по меньшей мере 5 активных слоев.
10. Фотогальваническое устройство по п.9, в котором указанная совокупность активных слоев содержит по меньшей мере 8 активных слоев.
11. Фотогальваническое устройство по п.10, в котором указанная совокупность активных слоев содержит по меньшей мере 12 активных слоев.
12. Фотогальваническое устройство по п.1, в котором ширины запрещенных зон указанной совокупности активных слоев возрастают от одного активного слоя к следующему.
13. Фотогальваническое устройство по п.12, в котором ширины запрещенных зон указанной совокупности активных слоев возрастает с увеличением длины волны на менее чем примерно 200 нм.
14. Фотогальваническое устройство по п.13, в котором ширины запрещенных зон указанной совокупности активных слоев возрастает с увеличением длины волны на менее чем примерно 100 нм.
15. Фотогальваническое устройство по п.14, в котором ширины запрещенных зон указанной совокупности активных слоев возрастает с увеличением длины волны на менее чем примерно 50 нм.
16. Фотогальваническое устройство по п.1, в котором указанная совокупность активных слоев содержит по меньшей мере три легированных активных слоев, содержащих сплавленные вместе первый и второй материалы, ширина запрещенных зон которых различна.
17. Фотогальваническое устройство по п.16, в котором указанные по меньшей мере три легированные активные слоя представляют собой по меньшей мере 6 легированных активных слоев, содержащих указанные сплавленные вместе первый и второй материалы.
18. Фотогальваническое устройство по п.17, в котором указанные по меньшей мере три легированные активные слоя содержат представляют собой по меньшей мере 10 легированных активных слоев, содержащих указанные сплавленные вместе первый и второй материалы.
19. Фотогальваническое устройство по п.16, в котором указанные по меньшей мере три легированные активные слоя имеют различные соотношения первого и второго материалов.
20. Фотогальваническое устройство по п.19, в котором указанные по меньшей мере три легированные активные слоя расположены в таком порядке, что от одного легированного активного слоя к другому концентрация первого материала постепенно уменьшается, а концентрация второго материала постепенно возрастает.
21. Фотогальваническое устройство по п.16, в котором первый материал содержит кремний, а второй материал содержит германий.
22. Фотогальваническое устройство по п.1, в котором первый оптический фильтр содержит интерференционный светофильтр.
23. Фотогальваническое устройство по п.22, в котором первый оптический фильтр содержит от примерно 2 до примерно 100 тонкопленочных слоев.
24. Фотогальваническое устройство по п.23, в котором первый оптический фильтр содержит четвертьволновую стопу.
25. Фотогальваническое устройство по п.1, дополнительно содержащее оптически прозрачный электрод, электрически связанный с первым активным слоем.
26. Фотогальваническое устройство по п.1, дополнительно содержащее отражающий слой, расположенный под первым и вторым активными слоями таким образом, чтобы отражать свет, проходящий через первый и второй активные слои и первый оптический фильтр.
27. Фотогальваническое устройство по п.1, в котором первый оптический резонатор расположен между первым активным слоем и первым оптическим фильтром.
28. Фотогальваническое устройство по п.27, в котором наличие первого оптического резонатора вызывает возрастание средней напряженности поля света с первой длиной волны в первом активном слое.
29. Фотогальваническое устройство по п.27, имеющее общую эффективность поглощения для длин волн в солнечном спектре, причем наличие первого оптического резонатора вызывает возрастание указанной эффективности поглощения, интегрированной по длинам волн в солнечном спектре.
30. Фотогальваническое устройство по п.27, в котором наличие первого оптического резонатора вызывает увеличение поглощенной мощности оптического излучения, проинтегрированной по солнечному спектру, большее для первого активного слоя, чем увеличение поглощенной мощности оптического излучения, проинтегрированной по солнечному спектру, для любых других слоев фотогальванического устройства.
31. Фотогальваническое устройство по п.27, в котором первый оптический резонатор содержит диэлектрик.
32. Фотогальваническое устройство по п.27, в котором первый оптический резонатор содержит непроводящий оксид.
33. Фотогальваническое устройство по п.27, в котором первый оптический резонатор содержит воздушный промежуток.
34. Фотогальваническое устройство по п.27, в котором толщина первого оптического резонатора оптимизирована для увеличения поглощения света в первом активном слое.
35. Фотогальваническое устройство по п.34, в котором толщина по меньшей мере одного из первого и второго активных слоев оптимизирована для увеличения поглощения света в первом или втором активных слоях.
36. Фотогальваническое устройство по п.34, в котором толщины первого оптического резонатора и первого и второго активных слоев оптимизированы для увеличения поглощения света в первом и втором активных слоях.
37. Фотогальваническое устройство по п.1, в котором толщина первого оптического фильтра оптимизирована для увеличения поглощения света в первом активном слое.
38. Фотогальваническое устройство по п.8, дополнительно содержащее второй оптический резонатор между вторым активным слоем и вторым оптическим фильтром.
39. Фотогальваническое устройство по п.38, в котором наличие второго оптического резонатора вызывает увеличение количества света со второй длиной волны, поглощаемого вторым активным слоем, над количеством света с первой длиной волны, поглощаемого вторым активным слоем.
40. Фотогальваническое устройство по п.1, дополнительно содержащее антиотражающий слой, расположенный над первым активным слоем.
41. Фотогальваническое устройство по п.1, дополнительно содержащее по меньшей мере одно переходное отверстие, электрически связанное по меньшей мере с одним из активных слоев.
42. Фотогальваническое устройство, содержащее первые средства выработки электрического сигнала в результате поглощения света с первой длиной волны указанными первыми средствами выработки электрического сигнала, вторые средства выработки электрического сигнала в результате поглощения света со второй длиной волны указанными вторыми средствами выработки электрического сигнала, первые средства фильтрации светового излучения, расположенные между первыми и вторыми средствами выработки электрического сигнала и выполненные с возможностью отражения большего количества света с первой длиной волны, чем света со второй длиной волны, и пропускания большего количества света со второй длиной волны, чем света с первой длиной волны, и первый оптический резонатор, вызывающий возрастание количества света с первой длиной волны, поглощаемого первыми средствами выработки электрического сигнала, причем первые и вторые средства выработки электрического сигнала включены в совокупность средств выработки электрического сигнала в результате поглощения света этими средствами, содержащую по меньшей мере трое средств выработки электрического сигнала, имеющих запрещенные зоны, при этом запрещенные зоны указанной совокупности средств выработки электрического сигнала расположены на протяжении по меньшей мере примерно 1000 нм в длинах волн между примерно 450 нм и примерно 1750 нм.
43. Фотогальваническое устройство по п.42, дополнительно содержащее по меньшей мере одно переходное отверстие, электрически связанное по меньшей мере с одними средствами выработки электрического сигнала.
44. Фотогальваническое устройство по п.42, в котором первые средства выработки электрического сигнала содержат первый активный слой.
45. Фотогальваническое устройство по п.42, в котором вторые средства выработки электрического сигнала содержат второй активный слой.
46. Фотогальваническое устройство по п.42, в котором первые средства фильтрации света содержат первый оптический фильтр.
47. Способ изготовления фотогальванического устройства, согласно которому берут первый активный слой, выполненный с возможностью выработки электрического сигнала в результате поглощения света с первой длиной волны первым активным слоем, берут второй активный слой, выполненный с возможностью выработки электрического сигнала в результате поглощения света со второй длиной волны вторым активным слоем, размещают первый оптический фильтр между первым и вторым активными слоями, причем первый оптический фильтр выполнен с возможностью отражения большего количества света с первой длиной волны, чем света со второй длиной волны, и пропускания большего количества света со второй длиной волны, чем света с первой длиной волны, и формируют первый оптический резонатор, вызывающий возрастание количества света с первой длиной волны, поглощаемого первым активным слоем, причем первый и второй активные слои включены в совокупность активных слоев, содержащую по меньшей мере три активных слоя, имеющие запрещенные зоны, при этом запрещенные зоны указанной совокупности активных слоев расположены на протяжении по меньшей мере примерно 1000 нм в длинах волн между примерно 450 нм и примерно 1750 нм.
RU2010125569/28A 2007-12-21 2008-12-09 Многопереходные фотогальванические элементы RU2485626C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US1643207P 2007-12-21 2007-12-21
US61/016,432 2007-12-21
PCT/US2008/086104 WO2009085601A2 (en) 2007-12-21 2008-12-09 Multijunction photovoltaic cells

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013107130/28A Division RU2013107130A (ru) 2007-12-21 2013-02-19 Многопереходные фотогальванические элементы

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010125569A RU2010125569A (ru) 2012-01-27
RU2485626C2 true RU2485626C2 (ru) 2013-06-20

Family

ID=40787165

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010125569/28A RU2485626C2 (ru) 2007-12-21 2008-12-09 Многопереходные фотогальванические элементы
RU2013107130/28A RU2013107130A (ru) 2007-12-21 2013-02-19 Многопереходные фотогальванические элементы

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2013107130/28A RU2013107130A (ru) 2007-12-21 2013-02-19 Многопереходные фотогальванические элементы

Country Status (10)

Country Link
US (1) US20090159123A1 (ru)
EP (1) EP2225779A2 (ru)
JP (1) JP2011508430A (ru)
KR (1) KR20100109924A (ru)
CN (1) CN101999177A (ru)
BR (1) BRPI0821371A2 (ru)
CA (1) CA2710198A1 (ru)
RU (2) RU2485626C2 (ru)
TW (1) TW200939498A (ru)
WO (1) WO2009085601A2 (ru)

Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6674562B1 (en) 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7907319B2 (en) * 1995-11-06 2011-03-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light with optical compensation
WO2003007049A1 (en) 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US7944599B2 (en) 2004-09-27 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7372613B2 (en) 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
US7710636B2 (en) 2004-09-27 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Systems and methods using interferometric optical modulators and diffusers
US7916980B2 (en) 2006-01-13 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interconnect structure for MEMS device
US7527998B2 (en) 2006-06-30 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control
EP2210280A2 (en) * 2007-10-19 2010-07-28 QUALCOMM MEMS Technologies, Inc. Display with integrated photovoltaic device
US8058549B2 (en) 2007-10-19 2011-11-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks
US8164821B2 (en) * 2008-02-22 2012-04-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with thermal expansion balancing layer or stiffening layer
US7944604B2 (en) 2008-03-07 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator in transmission mode
US7612933B2 (en) 2008-03-27 2009-11-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with spacing layer
CN102017166A (zh) * 2008-04-11 2011-04-13 高通Mems科技公司 用于改善pv美学和效率的方法
US8023167B2 (en) 2008-06-25 2011-09-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Backlight displays
US8358266B2 (en) 2008-09-02 2013-01-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Light turning device with prismatic light turning features
US8270056B2 (en) 2009-03-23 2012-09-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device with openings between sub-pixels and method of making same
US8288646B2 (en) 2009-05-06 2012-10-16 UltraSolar Technology, Inc. Pyroelectric solar technology apparatus and method
CN102449513B (zh) 2009-05-29 2015-01-21 高通Mems科技公司 照明装置及其制造方法
EP2360742A2 (en) * 2009-06-10 2011-08-24 Suinno Solar Oy Method and means for a high power solar cell
WO2011022690A2 (en) 2009-08-21 2011-02-24 California Institute Of Technology Systems and methods for optically powering transducers and related transducers
US8270062B2 (en) 2009-09-17 2012-09-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device with at least one movable stop element
EP2302688A1 (de) 2009-09-23 2011-03-30 Robert Bosch GmbH Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit einer farbigen Interferenzfilterschicht, dieses Substrat, enthaltend eine farbige Interferenzfilterschicht, die Verwendung dieses Substrats als farbige Solarzelle oder als farbiges Solarmodul oder als Bestandteil hiervon sowie ein Array, umfassend mindestens zwei dieser Substrate
US8488228B2 (en) 2009-09-28 2013-07-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric display with interferometric reflector
TWI408820B (zh) * 2009-12-09 2013-09-11 Metal Ind Res Anddevelopment Ct Solar battery
CN102656701B (zh) * 2009-12-15 2016-05-04 第一太阳能有限公司 光伏窗口层
TWI395338B (zh) * 2009-12-16 2013-05-01 Nexpower Technology Corp 具有特殊背電極結構之薄膜太陽能電池及其製作方法
KR20130100232A (ko) 2010-04-09 2013-09-10 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. 전기 기계 디바이스의 기계층 및 그 형성 방법
US8859879B2 (en) * 2010-07-22 2014-10-14 Oxfordian, L.L.C. Energy harvesting using RF MEMS
WO2012024238A1 (en) 2010-08-17 2012-02-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Actuation and calibration of a charge neutral electrode in an interferometric display device
US9057872B2 (en) 2010-08-31 2015-06-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Dielectric enhanced mirror for IMOD display
KR101426821B1 (ko) * 2010-11-03 2014-08-06 한국전자통신연구원 단일접합 ＣＩＧＳ（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２）박막 태양전지 및 그 제조방법
KR101022749B1 (ko) * 2010-12-09 2011-03-17 한국기계연구원 광 여과부를 구비하는 선택적 광 투과형 태양전지
CZ303866B6 (cs) * 2011-01-27 2013-06-05 Vysoké ucení technické v Brne Fotovoltaický element zahrnující rezonátor
CZ309259B6 (cs) * 2012-09-14 2022-06-29 Vysoké Učení Technické V Brně Fotovoltaický systém zahrnující elementární rezonátor pro využití v energetice
US8088990B1 (en) 2011-05-27 2012-01-03 Auria Solar Co., Ltd. Color building-integrated photovoltaic (BIPV) panel
US20120234373A1 (en) * 2011-03-17 2012-09-20 Colby Steven M Reflection Solar
US9134527B2 (en) 2011-04-04 2015-09-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US8963159B2 (en) 2011-04-04 2015-02-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US8659816B2 (en) 2011-04-25 2014-02-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer and methods of making the same
US20120048329A1 (en) * 2011-06-02 2012-03-01 Lalita Manchanda Charge-coupled photovoltaic devices
CN103597614B (zh) * 2011-06-15 2017-03-01 3M创新有限公司 具有改善的转换效率的太阳能电池
US8736939B2 (en) 2011-11-04 2014-05-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Matching layer thin-films for an electromechanical systems reflective display device
JP5945886B2 (ja) * 2012-02-27 2016-07-05 国立大学法人山形大学 積層基板の製造支援方法、積層基板の製造方法、故障原因特定方法、積層基板の製造支援プログラム及び積層基板
WO2013130257A1 (en) 2012-03-01 2013-09-06 California Institute Of Technology Methods of modulating microlasers at ultralow power levels, and systems thereof
GB2502311A (en) * 2012-05-24 2013-11-27 Ibm Photovoltaic device with band-stop filter
US8605351B1 (en) * 2012-06-27 2013-12-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Transparent interferometric visible spectrum modulator
WO2014018286A1 (en) 2012-07-25 2014-01-30 California Institute Of Technology Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes
CN103579405B (zh) * 2012-09-10 2015-09-30 清华大学 具有强吸收结构的高速snspd及其制备方法
JP6323457B2 (ja) * 2012-10-11 2018-05-16 ザ リージェンツ オブ ザ ユニヴァシティ オブ ミシガン 反射体を備えた有機光電性デバイス
TWI504005B (zh) * 2012-11-29 2015-10-11 Univ Yuan Ze 太陽能電池模組及其製造方法
EP2793271A1 (en) * 2013-04-16 2014-10-22 CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA - Recherche et Développement Solar photovoltaic module
WO2014193891A2 (en) * 2013-05-29 2014-12-04 Saudi Arabian Oil Company High efficiency solar power generator for offshore applications
RU2689144C2 (ru) * 2014-05-22 2019-05-24 Солар Кьюбд Девелопмент, Ллс Полноспектральное устройство для захвата электромагнитной энергии
CN108885389B (zh) * 2016-03-25 2021-09-24 松下知识产权经营株式会社 反射镜面板、反射镜膜以及显示系统
US10883804B2 (en) * 2017-12-22 2021-01-05 Ams Sensors Uk Limited Infra-red device
ES2718705B2 (es) * 2018-01-03 2020-10-02 Blue Solar Filters Sl Metodo de configuracion de un filtro multicapa de separacion espectral para aplicaciones solares fotovoltaicas y termicas, filtro y central de generacion asociados a dicho metodo
JP6990598B2 (ja) * 2018-02-19 2022-01-12 浜松ホトニクス株式会社 有機光電変換装置及び有機光電変換装置の製造方法
DE102018206515A1 (de) * 2018-04-26 2019-10-31 DLR-Institut für Vernetzte Energiesysteme e.V. Absorberelement und photovoltaische Zelle
DE102018206516B4 (de) * 2018-04-26 2019-11-28 DLR-Institut für Vernetzte Energiesysteme e.V. Schaltbares Absorberelement und photovoltaische Zelle
CN113272960A (zh) * 2018-08-30 2021-08-17 阵列光子学公司 多结太阳能电池和具有集成边缘滤波器的多色光电检测器
US11309450B2 (en) 2018-12-20 2022-04-19 Analog Devices, Inc. Hybrid semiconductor photodetector assembly
US11302835B2 (en) 2019-01-08 2022-04-12 Analog Devices, Inc. Semiconductor photodetector assembly
DE102019008106B4 (de) * 2019-11-21 2022-06-09 Azur Space Solar Power Gmbh Stapelförmige Mehrfachsolarzelle und Herstellungsverfahren

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02237172A (ja) * 1989-03-10 1990-09-19 Mitsubishi Electric Corp 多層構造太陽電池
EP1369932A2 (en) * 2002-05-27 2003-12-10 Canon Kabushiki Kaisha Stacked photovoltaic element
RU2222846C1 (ru) * 2002-08-08 2004-01-27 Займидорога Олег Антонович Фотоэлемент
DE10329917A1 (de) * 2003-07-02 2005-02-10 Schott Ag Beschichtetes Abdeckglas für Photovoltaik-Module

Family Cites Families (107)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2588792A (en) * 1947-11-26 1952-03-11 Libbey Owens Ford Glass Co Adjustable mounting for automobile rearview mirrors
US3556310A (en) * 1968-05-27 1971-01-19 Jack Loukotsky Prefabricated modular power substation
US4377324A (en) * 1980-08-04 1983-03-22 Honeywell Inc. Graded index Fabry-Perot optical filter device
US4497974A (en) * 1982-11-22 1985-02-05 Exxon Research & Engineering Co. Realization of a thin film solar cell with a detached reflector
US4498953A (en) * 1983-07-27 1985-02-12 At&T Bell Laboratories Etching techniques
US5096279A (en) * 1984-08-31 1992-03-17 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
JPS6193678A (ja) * 1984-10-15 1986-05-12 Sharp Corp 光電変換装置
JPS62119502A (ja) * 1985-11-18 1987-05-30 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション スペクトル・フイルタ
ATE71718T1 (de) * 1987-06-04 1992-02-15 Walter Lukosz Optisches modulations- und mess-verfahren.
US4982184A (en) * 1989-01-03 1991-01-01 General Electric Company Electrocrystallochromic display and element
US5083857A (en) * 1990-06-29 1992-01-28 Texas Instruments Incorporated Multi-level deformable mirror device
JPH0793451B2 (ja) * 1990-09-19 1995-10-09 株式会社日立製作所 多接合型アモルファスシリコン系太陽電池
JP3006266B2 (ja) * 1992-03-10 2000-02-07 トヨタ自動車株式会社 太陽電池素子
JPH07508856A (ja) * 1992-04-08 1995-09-28 ジョージア テック リサーチ コーポレイション 成長基板から薄膜材料をリフトオフするためのプロセス
JP2951146B2 (ja) * 1992-04-15 1999-09-20 キヤノン株式会社 光起電力デバイス
TW245772B (ru) * 1992-05-19 1995-04-21 Akzo Nv
US5818095A (en) * 1992-08-11 1998-10-06 Texas Instruments Incorporated High-yield spatial light modulator with light blocking layer
US7830587B2 (en) * 1993-03-17 2010-11-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light with semiconductor substrate
US6674562B1 (en) * 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US5498863A (en) * 1993-04-30 1996-03-12 At&T Corp. Wavelength-sensitive detectors based on absorbers in standing waves
US5500761A (en) * 1994-01-27 1996-03-19 At&T Corp. Micromechanical modulator
US7826120B2 (en) * 1994-05-05 2010-11-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for multi-color interferometric modulation
US6710908B2 (en) * 1994-05-05 2004-03-23 Iridigm Display Corporation Controlling micro-electro-mechanical cavities
US6680792B2 (en) * 1994-05-05 2004-01-20 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US6040937A (en) * 1994-05-05 2000-03-21 Etalon, Inc. Interferometric modulation
JPH08153700A (ja) * 1994-11-25 1996-06-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 導電性被膜の異方性エッチング方法
US5886688A (en) * 1995-06-02 1999-03-23 National Semiconductor Corporation Integrated solar panel and liquid crystal display for portable computer or the like
US6046840A (en) * 1995-06-19 2000-04-04 Reflectivity, Inc. Double substrate reflective spatial light modulator with self-limiting micro-mechanical elements
US6849471B2 (en) * 2003-03-28 2005-02-01 Reflectivity, Inc. Barrier layers for microelectromechanical systems
JPH09127551A (ja) * 1995-10-31 1997-05-16 Sharp Corp 半導体装置およびアクティブマトリクス基板
JPH09275220A (ja) * 1996-04-04 1997-10-21 Mitsui Toatsu Chem Inc 半導体薄膜
US5726805A (en) * 1996-06-25 1998-03-10 Sandia Corporation Optical filter including a sub-wavelength periodic structure and method of making
US5720827A (en) * 1996-07-19 1998-02-24 University Of Florida Design for the fabrication of high efficiency solar cells
US5710656A (en) * 1996-07-30 1998-01-20 Lucent Technologies Inc. Micromechanical optical modulator having a reduced-mass composite membrane
FR2756105B1 (fr) * 1996-11-19 1999-03-26 Commissariat Energie Atomique Detecteur multispectral a cavite resonante
US7830588B2 (en) * 1996-12-19 2010-11-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of making a light modulating display device and associated transistor circuitry and structures thereof
US6028689A (en) * 1997-01-24 2000-02-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Multi-motion micromirror
US5870221A (en) * 1997-07-25 1999-02-09 Lucent Technologies, Inc. Micromechanical modulator having enhanced performance
US5867302A (en) * 1997-08-07 1999-02-02 Sandia Corporation Bistable microelectromechanical actuator
US6031653A (en) * 1997-08-28 2000-02-29 California Institute Of Technology Low-cost thin-metal-film interference filters
US6021007A (en) * 1997-10-18 2000-02-01 Murtha; R. Michael Side-collecting lightguide
US8928967B2 (en) * 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US6335235B1 (en) * 1999-08-17 2002-01-01 Advanced Micro Devices, Inc. Simplified method of patterning field dielectric regions in a semiconductor device
WO2003007049A1 (en) * 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US6351329B1 (en) * 1999-10-08 2002-02-26 Lucent Technologies Inc. Optical attenuator
US6518944B1 (en) * 1999-10-25 2003-02-11 Kent Displays, Inc. Combined cholesteric liquid crystal display and solar cell assembly device
US6519073B1 (en) * 2000-01-10 2003-02-11 Lucent Technologies Inc. Micromechanical modulator and methods for fabricating the same
JP2003522468A (ja) * 2000-02-07 2003-07-22 クワンタムビーム リミテッド 光学的自由空間信号システム
US6698295B1 (en) * 2000-03-31 2004-03-02 Shipley Company, L.L.C. Microstructures comprising silicon nitride layer and thin conductive polysilicon layer
FR2811139B1 (fr) * 2000-06-29 2003-10-17 Centre Nat Rech Scient Dispositif optoelectronique a filtrage de longueur d'onde integre
US6707594B2 (en) * 2000-09-20 2004-03-16 General Nutronics, Inc. Method and device for switching wavelength division multiplexed optical signals using two-dimensional micro-electromechanical mirrors
US6614576B2 (en) * 2000-12-15 2003-09-02 Texas Instruments Incorporated Surface micro-planarization for enhanced optical efficiency and pixel performance in SLM devices
WO2002065553A1 (en) * 2001-02-09 2002-08-22 Midwest Research Institute Isoelectronic co-doping
JP4526223B2 (ja) * 2001-06-29 2010-08-18 シャープ株式会社 配線部材ならびに太陽電池モジュールおよびその製造方法
JP3740444B2 (ja) * 2001-07-11 2006-02-01 キヤノン株式会社 光偏向器、それを用いた光学機器、ねじれ揺動体
JP4032216B2 (ja) * 2001-07-12 2008-01-16 ソニー株式会社 光学多層構造体およびその製造方法、並びに光スイッチング素子および画像表示装置
US6594059B2 (en) * 2001-07-16 2003-07-15 Axsun Technologies, Inc. Tilt mirror fabry-perot filter system, fabrication process therefor, and method of operation thereof
US6661562B2 (en) * 2001-08-17 2003-12-09 Lucent Technologies Inc. Optical modulator and method of manufacture thereof
US20030053078A1 (en) * 2001-09-17 2003-03-20 Mark Missey Microelectromechanical tunable fabry-perot wavelength monitor with thermal actuators
JP2003142709A (ja) * 2001-10-31 2003-05-16 Sharp Corp 積層型太陽電池およびその製造方法
US6791735B2 (en) * 2002-01-09 2004-09-14 The Regents Of The University Of California Differentially-driven MEMS spatial light modulator
US6965468B2 (en) * 2003-07-03 2005-11-15 Reflectivity, Inc Micromirror array having reduced gap between adjacent micromirrors of the micromirror array
JP3801099B2 (ja) * 2002-06-04 2006-07-26 株式会社デンソー チューナブルフィルタ、その製造方法、及びそれを使用した光スイッチング装置
US6822798B2 (en) * 2002-08-09 2004-11-23 Optron Systems, Inc. Tunable optical filter
US7370185B2 (en) * 2003-04-30 2008-05-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Self-packaged optical interference display device having anti-stiction bumps, integral micro-lens, and reflection-absorbing layers
US6844959B2 (en) * 2002-11-26 2005-01-18 Reflectivity, Inc Spatial light modulators with light absorbing areas
GB2396436B (en) * 2002-12-19 2006-06-28 Thales Plc An optical filter
TWI289708B (en) * 2002-12-25 2007-11-11 Qualcomm Mems Technologies Inc Optical interference type color display
US7447891B2 (en) * 2003-04-30 2008-11-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Light modulator with concentric control-electrode structure
JP4075678B2 (ja) * 2003-05-06 2008-04-16 ソニー株式会社 固体撮像素子
TW591716B (en) * 2003-05-26 2004-06-11 Prime View Int Co Ltd A structure of a structure release and manufacturing the same
TW570896B (en) * 2003-05-26 2004-01-11 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
TWI223855B (en) * 2003-06-09 2004-11-11 Taiwan Semiconductor Mfg Method for manufacturing reflective spatial light modulator mirror devices
US6862127B1 (en) * 2003-11-01 2005-03-01 Fusao Ishii High performance micromirror arrays and methods of manufacturing the same
JP3786106B2 (ja) * 2003-08-11 2006-06-14 セイコーエプソン株式会社 波長可変光フィルタ及びその製造方法
TWI251712B (en) * 2003-08-15 2006-03-21 Prime View Int Corp Ltd Interference display plate
TW200506479A (en) * 2003-08-15 2005-02-16 Prime View Int Co Ltd Color changeable pixel for an interference display
TWI231865B (en) * 2003-08-26 2005-05-01 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
JP3979982B2 (ja) * 2003-08-29 2007-09-19 シャープ株式会社 干渉性変調器および表示装置
TWI232333B (en) * 2003-09-03 2005-05-11 Prime View Int Co Ltd Display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof
US6982820B2 (en) * 2003-09-26 2006-01-03 Prime View International Co., Ltd. Color changeable pixel
US7476327B2 (en) * 2004-05-04 2009-01-13 Idc, Llc Method of manufacture for microelectromechanical devices
TWI233916B (en) * 2004-07-09 2005-06-11 Prime View Int Co Ltd A structure of a micro electro mechanical system
TWI270722B (en) * 2004-07-23 2007-01-11 Au Optronics Corp Dual-side display panel
KR101354520B1 (ko) * 2004-07-29 2014-01-21 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. 간섭 변조기의 미소기전 동작을 위한 시스템 및 방법
US7372348B2 (en) * 2004-08-20 2008-05-13 Palo Alto Research Center Incorporated Stressed material and shape memory material MEMS devices and methods for manufacturing
US7372613B2 (en) * 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
US7321456B2 (en) * 2004-09-27 2008-01-22 Idc, Llc Method and device for corner interferometric modulation
US8008736B2 (en) * 2004-09-27 2011-08-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device
US7327510B2 (en) * 2004-09-27 2008-02-05 Idc, Llc Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator
US7944599B2 (en) * 2004-09-27 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US8102407B2 (en) * 2004-09-27 2012-01-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for manipulating color in a display
US7911428B2 (en) * 2004-09-27 2011-03-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for manipulating color in a display
US7184202B2 (en) * 2004-09-27 2007-02-27 Idc, Llc Method and system for packaging a MEMS device
US7130104B2 (en) * 2004-09-27 2006-10-31 Idc, Llc Methods and devices for inhibiting tilting of a mirror in an interferometric modulator
US7302157B2 (en) * 2004-09-27 2007-11-27 Idc, Llc System and method for multi-level brightness in interferometric modulation
US7184195B2 (en) * 2005-06-15 2007-02-27 Miradia Inc. Method and structure reducing parasitic influences of deflection devices in an integrated spatial light modulator
US20070113887A1 (en) * 2005-11-18 2007-05-24 Lih-Hong Laih Material system of photovoltaic cell with micro-cavity
JP5051123B2 (ja) * 2006-03-28 2012-10-17 富士通株式会社 可動素子
US7477440B1 (en) * 2006-04-06 2009-01-13 Miradia Inc. Reflective spatial light modulator having dual layer electrodes and method of fabricating same
US7321457B2 (en) * 2006-06-01 2008-01-22 Qualcomm Incorporated Process and structure for fabrication of MEMS device having isolated edge posts
US7649671B2 (en) * 2006-06-01 2010-01-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release
US7593189B2 (en) * 2006-06-30 2009-09-22 Seagate Technology Llc Head gimbal assembly to reduce slider distortion due to thermal stress
TWI331231B (en) * 2006-08-04 2010-10-01 Au Optronics Corp Color filter and frbricating method thereof
US7643202B2 (en) * 2007-05-09 2010-01-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror
US7643199B2 (en) * 2007-06-19 2010-01-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. High aperture-ratio top-reflective AM-iMod displays
WO2009018287A1 (en) * 2007-07-31 2009-02-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Devices for enhancing colour shift of interferometric modulators

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02237172A (ja) * 1989-03-10 1990-09-19 Mitsubishi Electric Corp 多層構造太陽電池
EP1369932A2 (en) * 2002-05-27 2003-12-10 Canon Kabushiki Kaisha Stacked photovoltaic element
RU2222846C1 (ru) * 2002-08-08 2004-01-27 Займидорога Олег Антонович Фотоэлемент
DE10329917A1 (de) * 2003-07-02 2005-02-10 Schott Ag Beschichtetes Abdeckglas für Photovoltaik-Module

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011508430A (ja) 2011-03-10
EP2225779A2 (en) 2010-09-08
BRPI0821371A2 (pt) 2015-06-16
US20090159123A1 (en) 2009-06-25
WO2009085601A2 (en) 2009-07-09
CN101999177A (zh) 2011-03-30
WO2009085601A3 (en) 2010-06-24
KR20100109924A (ko) 2010-10-11
RU2010125569A (ru) 2012-01-27
RU2013107130A (ru) 2014-08-27
TW200939498A (en) 2009-09-16
CA2710198A1 (en) 2009-07-09

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2485626C2 (ru) Многопереходные фотогальванические элементы
US9823415B2 (en) Energy conversion cells using tapered waveguide spectral splitters
US20110247676A1 (en) Photonic Crystal Solar Cell
US20080264486A1 (en) Guided-wave photovoltaic devices
US11227964B2 (en) Luminescent solar concentrators and related methods of manufacturing
KR102322321B1 (ko) 레이디얼 p-n 접합 나노와이어 태양전지
Bhattacharya et al. Photonic crystal light trapping: Beyond 30% conversion efficiency for silicon photovoltaics
CN101861655A (zh) 利用波导方式传输在散射介质中产生的光照的方法与装置
US8710358B2 (en) Solar cell using polymer-dispersed liquid crystals
AU2009320022A1 (en) Thin film semiconductor photovoltaic device
EP2895917A1 (en) Waveguide-based energy transducers, and energy conversion cells using same
US20100052089A1 (en) Photoelectric Structure and Method of Manufacturing Thereof
JP2010130023A (ja) 太陽電池およびその製造方法
WO2009142529A1 (ru) Преобразователь электромагнитного излучения и батарея
TW201327882A (zh) 增進光電伏打效率之設備及方法
Nishijima et al. Design concept of a hybrid photo-voltaic/thermal conversion cell for mid-infrared light energy harvester
Aly et al. Highly efficient SiO 2 trapezoidal grating-based thin-film solar cell
JP2012204673A (ja) 直列接続型ソーラーセル及びソーラーセルシステム
Watanabe et al. Thin-film InGaAs/GaAsP MQWs solar cell with backside nanoimprinted pattern for light trapping
CN101894875B (zh) 一种高效聚光式太阳能光电转换器
WO2017061448A1 (ja) 光導波装置、光電変換装置、建築物、電子機器および発光装置
US20120325299A1 (en) Photonic Bandgap Solar Cells
WO2014061719A1 (ja) 光電変換装置、建築物および電子機器
CN115411125A (zh) 一种薄膜太阳能电池及其制备方法、光伏组件、发电设备
US20120180855A1 (en) Photovoltaic devices and methods of forming the same

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20141210