Nothing Special   »   [go: up one dir, main page]

RU2013107130A - Многопереходные фотогальванические элементы - Google Patents

Многопереходные фотогальванические элементы Download PDF

Info

Publication number
RU2013107130A
RU2013107130A RU2013107130/28A RU2013107130A RU2013107130A RU 2013107130 A RU2013107130 A RU 2013107130A RU 2013107130/28 A RU2013107130/28 A RU 2013107130/28A RU 2013107130 A RU2013107130 A RU 2013107130A RU 2013107130 A RU2013107130 A RU 2013107130A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
photovoltaic device
light
wavelength
active layer
active layers
Prior art date
Application number
RU2013107130/28A
Other languages
English (en)
Inventor
Маниш КОТАРИ
Йех-цзюнь ТУНГ
Original Assignee
Квалкомм Мемс Текнолоджис, Ник.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Квалкомм Мемс Текнолоджис, Ник. filed Critical Квалкомм Мемс Текнолоджис, Ник.
Publication of RU2013107130A publication Critical patent/RU2013107130A/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PIN type, e.g. amorphous silicon PIN solar cells
    • H01L31/076—Multiple junction or tandem solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02162—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors
    • H01L31/02165—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for filtering or shielding light, e.g. multicolour filters for photodetectors using interference filters, e.g. multilayer dielectric filters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/054—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means
    • H01L31/056—Optical elements directly associated or integrated with the PV cell, e.g. light-reflecting means or light-concentrating means the light-reflecting means being of the back surface reflector [BSR] type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
    • H01L31/068—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the PN homojunction type, e.g. bulk silicon PN homojunction solar cells or thin film polycrystalline silicon PN homojunction solar cells
    • H01L31/0687—Multiple junction or tandem solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/52—PV systems with concentrators
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/544—Solar cells from Group III-V materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)

Abstract

1. Фотогальваническое устройство, содержащеепервый активный слой, выполненный с возможностью выработки электрического сигнала в результате поглощения света с первой длиной волны первым активным слоем,второй активный слой, выполненный с возможностью выработки электрического сигнала в результате поглощения света со второй длиной волны вторым активным слоем,первый оптический фильтр, расположенный между первым и вторым активными слоями и выполненный с возможностью отражения большего количества света с первой длиной волны, чем света со второй длиной волны, и пропускания большего количества света со второй длиной волны, чем света с первой длиной волны, ипервый оптический резонатор между первым активным слоем и первым оптическим фильтром, причем первый оптический резонатор вызывает возрастание количества света с первой длиной волны, поглощаемого первым активным слоем.2. Фотогальваническое устройство по п.1, в котором первая длина волны короче второй длины волны.3. Фотогальваническое устройство по п.1, в котором по меньшей мере один из активных слоев содержит полупроводниковый материал.4. Фотогальваническое устройство по п.3, в котором по меньшей мере один активный слой содержит Р-N переход или P-I-N переход.5. Фотогальваническое устройство по п.1, в котором по меньшей мере один из активных слоев содержит кремний, германий, теллурид кадмия, диселенид меди и индия, диселенид меди-индия-галлия, светопоглощающие красящие вещества, светопоглощающие полимеры, полимеры с внедренными светопоглощающими наночастицами, или полупроводниковые материалы элементов III-V групп.6. Фотогальваническое устройство по п.1, дополнительн

Claims (48)

1. Фотогальваническое устройство, содержащее
первый активный слой, выполненный с возможностью выработки электрического сигнала в результате поглощения света с первой длиной волны первым активным слоем,
второй активный слой, выполненный с возможностью выработки электрического сигнала в результате поглощения света со второй длиной волны вторым активным слоем,
первый оптический фильтр, расположенный между первым и вторым активными слоями и выполненный с возможностью отражения большего количества света с первой длиной волны, чем света со второй длиной волны, и пропускания большего количества света со второй длиной волны, чем света с первой длиной волны, и
первый оптический резонатор между первым активным слоем и первым оптическим фильтром, причем первый оптический резонатор вызывает возрастание количества света с первой длиной волны, поглощаемого первым активным слоем.
2. Фотогальваническое устройство по п.1, в котором первая длина волны короче второй длины волны.
3. Фотогальваническое устройство по п.1, в котором по меньшей мере один из активных слоев содержит полупроводниковый материал.
4. Фотогальваническое устройство по п.3, в котором по меньшей мере один активный слой содержит Р-N переход или P-I-N переход.
5. Фотогальваническое устройство по п.1, в котором по меньшей мере один из активных слоев содержит кремний, германий, теллурид кадмия, диселенид меди и индия, диселенид меди-индия-галлия, светопоглощающие красящие вещества, светопоглощающие полимеры, полимеры с внедренными светопоглощающими наночастицами, или полупроводниковые материалы элементов III-V групп.
6. Фотогальваническое устройство по п.1, дополнительно содержащее третий активный слой, выполненный с возможностью выработки электрического сигнала в результате поглощения света с третьей длиной волны третьим активным слоем.
7. Фотогальваническое устройство по п.6, в котором первая длина волны короче второй длины волны, а вторая длина волны короче третьей длины волны.
8. Фотогальваническое устройство по п.7, дополнительно содержащее второй оптический фильтр, расположенный между вторым и третьим активными слоями и выполненный с возможностью отражения большего количества света со второй длиной волны, чем света с третьей длиной волны, и пропускания большего количества света с третьей длиной волны, чем света со второй длиной волны.
9. Фотогальваническое устройство по п.1, в котором первый и второй активные слои включены в совокупность активных слоев, содержащую по меньшей мере три активных слоя.
10. Фотогальваническое устройство по п.9, в котором ширины запрещенных зон указанной совокупности активных слоев имеют соответствующие длины волн, расположенные на протяжении по меньшей мере примерно 1000 нм между примерно 450 нм и примерно 1750 нм.
11. Фотогальваническое устройство по п.9, в котором указанная совокупность активных слоев содержит по меньшей мере 5 активных слоев.
12. Фотогальваническое устройство по п.9, в котором указанная совокупность активных слоев содержит по меньшей мере 8 активных слоев.
13. Фотогальваническое устройство по п.12, в котором указанная совокупность активных слоев содержит по меньшей мере 12 активных слоев.
14. Фотогальваническое устройство по п.9, в котором ширины запрещенных зон указанной совокупности активных слоев возрастают от одного активного слоя к следующему.
15. Фотогальваническое устройство по п.14, в котором ширины запрещенных зон указанной совокупности активных слоев возрастают с увеличением длины волны на менее чем примерно 200 нм.
16. Фотогальваническое устройство по п.15, в котором ширины запрещенных зон указанной совокупности активных слоев возрастают с увеличением длины волны на менее чем примерно 100 нм.
17. Фотогальваническое устройство по п.16, в котором ширины запрещенных зон указанной совокупности активных слоев возрастают с увеличением длины волны на менее чем примерно 50 нм.
18. Фотогальваническое устройство по п.9, в котором указанная совокупность активных слоев содержит по меньшей мере три легированных активных слоев, содержащих сплавленные вместе первый и второй материалы, ширина запрещенных зон которых различна.
19. Фотогальваническое устройство по п.18, в котором указанные по меньшей мере три легированные активные слоя представляют собой по меньшей мере 6 легированных активных слоев, содержащих указанные сплавленные вместе первый и второй материалы.
20. Фотогальваническое устройство по п.19, в котором указанные по меньшей мере три легированные активные слоя содержат представляют собой по меньшей мере 10 легированных активных слоев, содержащих указанные сплавленные вместе первый и второй материалы.
21. Фотогальваническое устройство по п.18, в котором указанные по меньшей мере три легированные активные слоя имеют различные соотношения первого и второго материалов.
22. Фотогальваническое устройство по п.21, в котором указанные по меньшей мере три легированные активные слоя расположены в таком порядке, что от одного легированного активного слоя к другому концентрация первого материала постепенно уменьшается, а концентрация второго материала постепенно возрастает.
23. Фотогальваническое устройство по п.18, в котором первый материал содержит кремний, а второй материал содержит германий.
24. Фотогальваническое устройство по п.1, в котором первый оптический фильтр содержит интерференционный светофильтр.
25. Фотогальваническое устройство по п.24, в котором первый оптический фильтр содержит от примерно 2 до примерно 100 тонкопленочных слоев.
26. Фотогальваническое устройство по п.25, в котором первый оптический фильтр содержит четвертьволновую стопу.
27. Фотогальваническое устройство по п.1, дополнительно содержащее оптически прозрачный электрод, электрически связанный с первым активным слоем.
28. Фотогальваническое устройство по п.1, дополнительно содержащее отражающий слой, расположенный под первым и вторым активными слоями таким образом, чтобы отражать свет, проходящий через первый и второй активные слои и первый оптический фильтр.
29. Фотогальваническое устройство по п.1, в котором наличие первого оптического резонатора вызывает возрастание средней напряженности поля света с первой длиной волны в первом активном слое.
30. Фотогальваническое устройство по п.1, имеющее общую эффективность поглощения для длин волн в солнечном спектре, причем наличие первого оптического резонатора вызывает возрастание указанной эффективности поглощения, интегрированной по длинам волн в солнечном спектре.
31. Фотогальваническое устройство по п.1, в котором наличие первого оптического резонатора вызывает увеличение поглощенной мощности оптического излучения, проинтегрированной по солнечному спектру, большее для первого активного слоя, чем увеличение поглощенной мощности оптического излучения, проинтегрированной по солнечному спектру, для любых других слоев фотогальванического устройства.
32. Фотогальваническое устройство по п.1, в котором первый оптический резонатор содержит диэлектрик.
33. Фотогальваническое устройство по п.1, в котором первый оптический резонатор содержит непроводящий оксид.
34. Фотогальваническое устройство по п.1, в котором первый оптический резонатор содержит воздушный промежуток.
35. Фотогальваническое устройство по п.1, в котором толщина первого оптического резонатора оптимизирована для увеличения поглощения света в первом активном слое.
36. Фотогальваническое устройство по п.35, в котором толщина по меньшей мере одного из первого и второго активных слоев оптимизирована для увеличения поглощения света в первом или втором активных слоях.
37. Фотогальваническое устройство по п.35, в котором толщины первого оптического резонатора и первого и второго активных слоев оптимизированы для увеличения поглощения света в первом и втором активных слоях.
38. Фотогальваническое устройство по п.1, в котором толщина первого оптического фильтра оптимизирована для увеличения поглощения света в первом активном слое.
39. Фотогальваническое устройство по п.8, дополнительно содержащее второй оптический резонатор между вторым активным слоем и вторым оптическим фильтром.
40. Фотогальваническое устройство по п.39, в котором наличие второго оптического резонатора вызывает увеличение количества света со второй длиной волны, поглощаемого вторым активным слоем, над количеством света с первой длиной волны, поглощаемого вторым активным слоем.
41. Фотогальваническое устройство по п.1, дополнительно содержащее антиотражающий слой, расположенный над первым активным слоем.
42. Фотогальваническое устройство по п.1, дополнительно содержащее по меньшей мере одно переходное отверстие, электрически связанное по меньшей мере с одним из активных слоев.
43. Фотогальваническое устройство, содержащее
первые средства выработки электрического сигнала в результате поглощения света с первой длиной волны указанными первыми средствами выработки электрического сигнала,
вторые средства выработки электрического сигнала в результате поглощения света со второй длиной волны указанными вторыми средствами выработки электрического сигнала,
первые средства фильтрации светового излучения, расположенные между первыми и вторыми средствами выработки электрического сигнала и выполненные с возможностью отражения большего количества света с первой длиной волны, чем света со второй длиной волны, и пропускания большего количества света со второй длиной волны, чем света с первой длиной волны, и
первый оптический резонатор между первыми средствами выработки электрического сигнала и первыми средствами фильтрации, причем первый оптический резонатор вызывает возрастание количества света с первой длиной волны, поглощаемого первыми средствами выработки электрического сигнала.
44. Фотогальваническое устройство по п.43, дополнительно содержащее по меньшей мере одно переходное отверстие, электрически связанное по меньшей мере с одними средствами выработки электрического сигнала.
45. Фотогальваническое устройство по п.43, в котором первые средства выработки электрического сигнала содержат первый активный слой.
46. Фотогальваническое устройство по п.43, в котором вторые средства выработки электрического сигнала содержат второй активный слой.
47. Фотогальваническое устройство по п.43, в котором первые средства фильтрации света содержат первый оптический фильтр.
48. Способ изготовления фотогальванического устройства, согласно которому берут первый активный слой, выполненный с возможностью выработки
электрического сигнала в результате поглощения света с первой длиной волны первым активным слоем
берут второй активный слой, выполненный с возможностью выработки электрического сигнала в результате поглощения света со второй длиной волны вторым активным слоем,
размещают первый оптический фильтр между первым и вторым активными слоями, причем первый оптический фильтр выполнен с возможностью отражения большего количества света с первой длиной волны, чем света со второй длиной волны, и пропускания большего количества света со второй длиной волны, чем света с первой длиной волны, и
формируют первый оптический резонатор между первым активным слоем и первым оптическим фильтром, такой что он вызывает возрастание количества света с первой длиной волны, поглощаемого первым активным слоем.
RU2013107130/28A 2007-12-21 2013-02-19 Многопереходные фотогальванические элементы RU2013107130A (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US1643207P 2007-12-21 2007-12-21
US61/016,432 2007-12-21

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010125569/28A Division RU2485626C2 (ru) 2007-12-21 2008-12-09 Многопереходные фотогальванические элементы

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2013107130A true RU2013107130A (ru) 2014-08-27

Family

ID=40787165

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010125569/28A RU2485626C2 (ru) 2007-12-21 2008-12-09 Многопереходные фотогальванические элементы
RU2013107130/28A RU2013107130A (ru) 2007-12-21 2013-02-19 Многопереходные фотогальванические элементы

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010125569/28A RU2485626C2 (ru) 2007-12-21 2008-12-09 Многопереходные фотогальванические элементы

Country Status (10)

Country Link
US (1) US20090159123A1 (ru)
EP (1) EP2225779A2 (ru)
JP (1) JP2011508430A (ru)
KR (1) KR20100109924A (ru)
CN (1) CN101999177A (ru)
BR (1) BRPI0821371A2 (ru)
CA (1) CA2710198A1 (ru)
RU (2) RU2485626C2 (ru)
TW (1) TW200939498A (ru)
WO (1) WO2009085601A2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2752470C1 (ru) * 2019-11-21 2021-07-28 АЦУР СПЭЙС Золяр Пауер ГмбХ Стопкообразный многопереходный солнечный элемент и способ его получения

Families Citing this family (63)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6674562B1 (en) 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7907319B2 (en) * 1995-11-06 2011-03-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light with optical compensation
WO2003007049A1 (en) 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US7372613B2 (en) 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
US7944599B2 (en) 2004-09-27 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7710636B2 (en) 2004-09-27 2010-05-04 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Systems and methods using interferometric optical modulators and diffusers
US7916980B2 (en) 2006-01-13 2011-03-29 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interconnect structure for MEMS device
US7527998B2 (en) 2006-06-30 2009-05-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of manufacturing MEMS devices providing air gap control
US8058549B2 (en) 2007-10-19 2011-11-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Photovoltaic devices with integrated color interferometric film stacks
WO2009052324A2 (en) * 2007-10-19 2009-04-23 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display with integrated photovoltaic device
US8164821B2 (en) * 2008-02-22 2012-04-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with thermal expansion balancing layer or stiffening layer
US7944604B2 (en) 2008-03-07 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric modulator in transmission mode
US7612933B2 (en) 2008-03-27 2009-11-03 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical device with spacing layer
JP2011517118A (ja) * 2008-04-11 2011-05-26 クォルコム・メムズ・テクノロジーズ・インコーポレーテッド Ｐｖの美観および効率を改善する方法
US8023167B2 (en) 2008-06-25 2011-09-20 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Backlight displays
US8358266B2 (en) 2008-09-02 2013-01-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Light turning device with prismatic light turning features
US8270056B2 (en) 2009-03-23 2012-09-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device with openings between sub-pixels and method of making same
US8288646B2 (en) 2009-05-06 2012-10-16 UltraSolar Technology, Inc. Pyroelectric solar technology apparatus and method
US9121979B2 (en) 2009-05-29 2015-09-01 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Illumination devices and methods of fabrication thereof
EP2360742A2 (en) * 2009-06-10 2011-08-24 Suinno Solar Oy Method and means for a high power solar cell
US8787752B2 (en) 2009-08-21 2014-07-22 California Institute Of Technology Systems and methods for optically powering transducers and related transducers
US8270062B2 (en) 2009-09-17 2012-09-18 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Display device with at least one movable stop element
EP2302688A1 (de) 2009-09-23 2011-03-30 Robert Bosch GmbH Verfahren zur Herstellung eines Substrats mit einer farbigen Interferenzfilterschicht, dieses Substrat, enthaltend eine farbige Interferenzfilterschicht, die Verwendung dieses Substrats als farbige Solarzelle oder als farbiges Solarmodul oder als Bestandteil hiervon sowie ein Array, umfassend mindestens zwei dieser Substrate
US8488228B2 (en) 2009-09-28 2013-07-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Interferometric display with interferometric reflector
TWI408820B (zh) * 2009-12-09 2013-09-11 Metal Ind Res Anddevelopment Ct Solar battery
WO2011081829A1 (en) * 2009-12-15 2011-07-07 First Solar, Inc. Photovoltaic window layer
TWI395338B (zh) * 2009-12-16 2013-05-01 Nexpower Technology Corp 具有特殊背電極結構之薄膜太陽能電池及其製作方法
EP2556403A1 (en) 2010-04-09 2013-02-13 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer of an electromechanical device and methods of forming the same
US8859879B2 (en) * 2010-07-22 2014-10-14 Oxfordian, L.L.C. Energy harvesting using RF MEMS
KR20130091763A (ko) 2010-08-17 2013-08-19 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. 간섭 디스플레이 장치에서의 전하 중성 전극의 작동 및 교정
US9057872B2 (en) 2010-08-31 2015-06-16 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Dielectric enhanced mirror for IMOD display
KR101426821B1 (ko) * 2010-11-03 2014-08-06 한국전자통신연구원 단일접합 ＣＩＧＳ（Ｃｕ（Ｉｎ，Ｇａ）Ｓｅ２）박막 태양전지 및 그 제조방법
KR101022749B1 (ko) * 2010-12-09 2011-03-17 한국기계연구원 광 여과부를 구비하는 선택적 광 투과형 태양전지
CZ309259B6 (cs) * 2012-09-14 2022-06-29 Vysoké Učení Technické V Brně Fotovoltaický systém zahrnující elementární rezonátor pro využití v energetice
CZ303866B6 (cs) * 2011-01-27 2013-06-05 Vysoké ucení technické v Brne Fotovoltaický element zahrnující rezonátor
US8088990B1 (en) 2011-05-27 2012-01-03 Auria Solar Co., Ltd. Color building-integrated photovoltaic (BIPV) panel
US20120234373A1 (en) * 2011-03-17 2012-09-20 Colby Steven M Reflection Solar
US9134527B2 (en) 2011-04-04 2015-09-15 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US8963159B2 (en) 2011-04-04 2015-02-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Pixel via and methods of forming the same
US8659816B2 (en) 2011-04-25 2014-02-25 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Mechanical layer and methods of making the same
US20120048329A1 (en) * 2011-06-02 2012-03-01 Lalita Manchanda Charge-coupled photovoltaic devices
JP6025834B2 (ja) * 2011-06-15 2016-11-16 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 改善された変換効率を有する太陽電池
US8736939B2 (en) 2011-11-04 2014-05-27 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Matching layer thin-films for an electromechanical systems reflective display device
JP5945886B2 (ja) * 2012-02-27 2016-07-05 国立大学法人山形大学 積層基板の製造支援方法、積層基板の製造方法、故障原因特定方法、積層基板の製造支援プログラム及び積層基板
US9031102B2 (en) 2012-03-01 2015-05-12 California Institute Of Technology Methods of modulating microlasers at ultralow power levels, and systems thereof
GB2502311A (en) * 2012-05-24 2013-11-27 Ibm Photovoltaic device with band-stop filter
US8605351B1 (en) * 2012-06-27 2013-12-10 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Transparent interferometric visible spectrum modulator
WO2014018286A1 (en) 2012-07-25 2014-01-30 California Institute Of Technology Nanopillar field-effect and junction transistors with functionalized gate and base electrodes
CN103579405B (zh) * 2012-09-10 2015-09-30 清华大学 具有强吸收结构的高速snspd及其制备方法
CN104871331B (zh) * 2012-10-11 2018-08-10 密歇根大学董事会 具有反射体的有机光敏器件
TWI504005B (zh) * 2012-11-29 2015-10-11 Univ Yuan Ze 太陽能電池模組及其製造方法
EP2793271A1 (en) * 2013-04-16 2014-10-22 CSEM Centre Suisse d'Electronique et de Microtechnique SA - Recherche et Développement Solar photovoltaic module
CN111287921A (zh) * 2013-05-29 2020-06-16 沙特阿拉伯石油公司 用于近海应用的高效太阳能发电机
AU2015263966A1 (en) * 2014-05-22 2016-11-17 Solar Cubed Development, Llc Full spectrum electro-magnetic energy system
CN108885389B (zh) * 2016-03-25 2021-09-24 松下知识产权经营株式会社 反射镜面板、反射镜膜以及显示系统
US10883804B2 (en) * 2017-12-22 2021-01-05 Ams Sensors Uk Limited Infra-red device
ES2718705B2 (es) * 2018-01-03 2020-10-02 Blue Solar Filters Sl Metodo de configuracion de un filtro multicapa de separacion espectral para aplicaciones solares fotovoltaicas y termicas, filtro y central de generacion asociados a dicho metodo
JP6990598B2 (ja) * 2018-02-19 2022-01-12 浜松ホトニクス株式会社 有機光電変換装置及び有機光電変換装置の製造方法
DE102018206516B4 (de) * 2018-04-26 2019-11-28 DLR-Institut für Vernetzte Energiesysteme e.V. Schaltbares Absorberelement und photovoltaische Zelle
DE102018206515A1 (de) * 2018-04-26 2019-10-31 DLR-Institut für Vernetzte Energiesysteme e.V. Absorberelement und photovoltaische Zelle
US20210328082A1 (en) * 2018-08-30 2021-10-21 Array Photonics, Inc. Multijunction solar cells and multicolor photodetectors having an integrated edge filter
US11309450B2 (en) 2018-12-20 2022-04-19 Analog Devices, Inc. Hybrid semiconductor photodetector assembly
US11302835B2 (en) 2019-01-08 2022-04-12 Analog Devices, Inc. Semiconductor photodetector assembly

Family Cites Families (111)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2588792A (en) * 1947-11-26 1952-03-11 Libbey Owens Ford Glass Co Adjustable mounting for automobile rearview mirrors
US3556310A (en) * 1968-05-27 1971-01-19 Jack Loukotsky Prefabricated modular power substation
US4377324A (en) * 1980-08-04 1983-03-22 Honeywell Inc. Graded index Fabry-Perot optical filter device
US4497974A (en) * 1982-11-22 1985-02-05 Exxon Research & Engineering Co. Realization of a thin film solar cell with a detached reflector
US4498953A (en) * 1983-07-27 1985-02-12 At&T Bell Laboratories Etching techniques
US5096279A (en) * 1984-08-31 1992-03-17 Texas Instruments Incorporated Spatial light modulator and method
JPS6193678A (ja) * 1984-10-15 1986-05-12 Sharp Corp 光電変換装置
JPS62119502A (ja) * 1985-11-18 1987-05-30 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション スペクトル・フイルタ
ATE71718T1 (de) * 1987-06-04 1992-02-15 Walter Lukosz Optisches modulations- und mess-verfahren.
US4982184A (en) * 1989-01-03 1991-01-01 General Electric Company Electrocrystallochromic display and element
JP2738557B2 (ja) * 1989-03-10 1998-04-08 三菱電機株式会社 多層構造太陽電池
US5083857A (en) * 1990-06-29 1992-01-28 Texas Instruments Incorporated Multi-level deformable mirror device
JPH0793451B2 (ja) * 1990-09-19 1995-10-09 株式会社日立製作所 多接合型アモルファスシリコン系太陽電池
JP3006266B2 (ja) * 1992-03-10 2000-02-07 トヨタ自動車株式会社 太陽電池素子
US5401983A (en) * 1992-04-08 1995-03-28 Georgia Tech Research Corporation Processes for lift-off of thin film materials or devices for fabricating three dimensional integrated circuits, optical detectors, and micromechanical devices
JP2951146B2 (ja) * 1992-04-15 1999-09-20 キヤノン株式会社 光起電力デバイス
TW245772B (ru) * 1992-05-19 1995-04-21 Akzo Nv
US5818095A (en) * 1992-08-11 1998-10-06 Texas Instruments Incorporated High-yield spatial light modulator with light blocking layer
US6674562B1 (en) * 1994-05-05 2004-01-06 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US7830587B2 (en) * 1993-03-17 2010-11-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light with semiconductor substrate
US5498863A (en) * 1993-04-30 1996-03-12 At&T Corp. Wavelength-sensitive detectors based on absorbers in standing waves
US5500761A (en) * 1994-01-27 1996-03-19 At&T Corp. Micromechanical modulator
US7826120B2 (en) * 1994-05-05 2010-11-02 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for multi-color interferometric modulation
US6680792B2 (en) * 1994-05-05 2004-01-20 Iridigm Display Corporation Interferometric modulation of radiation
US6040937A (en) * 1994-05-05 2000-03-21 Etalon, Inc. Interferometric modulation
US6710908B2 (en) * 1994-05-05 2004-03-23 Iridigm Display Corporation Controlling micro-electro-mechanical cavities
JPH08153700A (ja) * 1994-11-25 1996-06-11 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 導電性被膜の異方性エッチング方法
US5886688A (en) * 1995-06-02 1999-03-23 National Semiconductor Corporation Integrated solar panel and liquid crystal display for portable computer or the like
US6849471B2 (en) * 2003-03-28 2005-02-01 Reflectivity, Inc. Barrier layers for microelectromechanical systems
US6046840A (en) * 1995-06-19 2000-04-04 Reflectivity, Inc. Double substrate reflective spatial light modulator with self-limiting micro-mechanical elements
JPH09127551A (ja) * 1995-10-31 1997-05-16 Sharp Corp 半導体装置およびアクティブマトリクス基板
JPH09275220A (ja) * 1996-04-04 1997-10-21 Mitsui Toatsu Chem Inc 半導体薄膜
US5726805A (en) * 1996-06-25 1998-03-10 Sandia Corporation Optical filter including a sub-wavelength periodic structure and method of making
US5720827A (en) * 1996-07-19 1998-02-24 University Of Florida Design for the fabrication of high efficiency solar cells
US5710656A (en) * 1996-07-30 1998-01-20 Lucent Technologies Inc. Micromechanical optical modulator having a reduced-mass composite membrane
FR2756105B1 (fr) * 1996-11-19 1999-03-26 Commissariat Energie Atomique Detecteur multispectral a cavite resonante
US7830588B2 (en) * 1996-12-19 2010-11-09 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method of making a light modulating display device and associated transistor circuitry and structures thereof
US6028689A (en) * 1997-01-24 2000-02-22 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force Multi-motion micromirror
US5870221A (en) * 1997-07-25 1999-02-09 Lucent Technologies, Inc. Micromechanical modulator having enhanced performance
US5867302A (en) * 1997-08-07 1999-02-02 Sandia Corporation Bistable microelectromechanical actuator
US6031653A (en) * 1997-08-28 2000-02-29 California Institute Of Technology Low-cost thin-metal-film interference filters
US6021007A (en) * 1997-10-18 2000-02-01 Murtha; R. Michael Side-collecting lightguide
US8928967B2 (en) * 1998-04-08 2015-01-06 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for modulating light
US6335235B1 (en) * 1999-08-17 2002-01-01 Advanced Micro Devices, Inc. Simplified method of patterning field dielectric regions in a semiconductor device
WO2003007049A1 (en) * 1999-10-05 2003-01-23 Iridigm Display Corporation Photonic mems and structures
US6351329B1 (en) * 1999-10-08 2002-02-26 Lucent Technologies Inc. Optical attenuator
US6518944B1 (en) * 1999-10-25 2003-02-11 Kent Displays, Inc. Combined cholesteric liquid crystal display and solar cell assembly device
US6519073B1 (en) * 2000-01-10 2003-02-11 Lucent Technologies Inc. Micromechanical modulator and methods for fabricating the same
WO2001058055A2 (en) * 2000-02-07 2001-08-09 Quantumbeam Limited Optical free space signalling system
US6698295B1 (en) * 2000-03-31 2004-03-02 Shipley Company, L.L.C. Microstructures comprising silicon nitride layer and thin conductive polysilicon layer
FR2811139B1 (fr) * 2000-06-29 2003-10-17 Centre Nat Rech Scient Dispositif optoelectronique a filtrage de longueur d'onde integre
US6707594B2 (en) * 2000-09-20 2004-03-16 General Nutronics, Inc. Method and device for switching wavelength division multiplexed optical signals using two-dimensional micro-electromechanical mirrors
US6614576B2 (en) * 2000-12-15 2003-09-02 Texas Instruments Incorporated Surface micro-planarization for enhanced optical efficiency and pixel performance in SLM devices
DE60136101D1 (de) * 2001-02-09 2008-11-20 Midwest Research Inst Isoelektronische kodotierung
JP4526223B2 (ja) * 2001-06-29 2010-08-18 シャープ株式会社 配線部材ならびに太陽電池モジュールおよびその製造方法
JP3740444B2 (ja) * 2001-07-11 2006-02-01 キヤノン株式会社 光偏向器、それを用いた光学機器、ねじれ揺動体
JP4032216B2 (ja) * 2001-07-12 2008-01-16 ソニー株式会社 光学多層構造体およびその製造方法、並びに光スイッチング素子および画像表示装置
US6594059B2 (en) * 2001-07-16 2003-07-15 Axsun Technologies, Inc. Tilt mirror fabry-perot filter system, fabrication process therefor, and method of operation thereof
US6661562B2 (en) * 2001-08-17 2003-12-09 Lucent Technologies Inc. Optical modulator and method of manufacture thereof
US20030053078A1 (en) * 2001-09-17 2003-03-20 Mark Missey Microelectromechanical tunable fabry-perot wavelength monitor with thermal actuators
JP2003142709A (ja) * 2001-10-31 2003-05-16 Sharp Corp 積層型太陽電池およびその製造方法
US6791735B2 (en) * 2002-01-09 2004-09-14 The Regents Of The University Of California Differentially-driven MEMS spatial light modulator
US6965468B2 (en) * 2003-07-03 2005-11-15 Reflectivity, Inc Micromirror array having reduced gap between adjacent micromirrors of the micromirror array
JP2003347563A (ja) * 2002-05-27 2003-12-05 Canon Inc 積層型光起電力素子
JP3801099B2 (ja) * 2002-06-04 2006-07-26 株式会社デンソー チューナブルフィルタ、その製造方法、及びそれを使用した光スイッチング装置
RU2222846C1 (ru) * 2002-08-08 2004-01-27 Займидорога Олег Антонович Фотоэлемент
US6822798B2 (en) * 2002-08-09 2004-11-23 Optron Systems, Inc. Tunable optical filter
US7370185B2 (en) * 2003-04-30 2008-05-06 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Self-packaged optical interference display device having anti-stiction bumps, integral micro-lens, and reflection-absorbing layers
US6844959B2 (en) * 2002-11-26 2005-01-18 Reflectivity, Inc Spatial light modulators with light absorbing areas
GB2396436B (en) * 2002-12-19 2006-06-28 Thales Plc An optical filter
TWI289708B (en) * 2002-12-25 2007-11-11 Qualcomm Mems Technologies Inc Optical interference type color display
US7447891B2 (en) * 2003-04-30 2008-11-04 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Light modulator with concentric control-electrode structure
JP4075678B2 (ja) * 2003-05-06 2008-04-16 ソニー株式会社 固体撮像素子
TW570896B (en) * 2003-05-26 2004-01-11 Prime View Int Co Ltd A method for fabricating an interference display cell
TW591716B (en) * 2003-05-26 2004-06-11 Prime View Int Co Ltd A structure of a structure release and manufacturing the same
TWI223855B (en) * 2003-06-09 2004-11-11 Taiwan Semiconductor Mfg Method for manufacturing reflective spatial light modulator mirror devices
DE10329917B4 (de) * 2003-07-02 2005-12-22 Schott Ag Beschichtetes Abdeckglas für Photovoltaik-Module
US6862127B1 (en) * 2003-11-01 2005-03-01 Fusao Ishii High performance micromirror arrays and methods of manufacturing the same
JP3786106B2 (ja) * 2003-08-11 2006-06-14 セイコーエプソン株式会社 波長可変光フィルタ及びその製造方法
TWI251712B (en) * 2003-08-15 2006-03-21 Prime View Int Corp Ltd Interference display plate
TW200506479A (en) * 2003-08-15 2005-02-16 Prime View Int Co Ltd Color changeable pixel for an interference display
TWI231865B (en) * 2003-08-26 2005-05-01 Prime View Int Co Ltd An interference display cell and fabrication method thereof
JP3979982B2 (ja) * 2003-08-29 2007-09-19 シャープ株式会社 干渉性変調器および表示装置
TWI232333B (en) * 2003-09-03 2005-05-11 Prime View Int Co Ltd Display unit using interferometric modulation and manufacturing method thereof
US6982820B2 (en) * 2003-09-26 2006-01-03 Prime View International Co., Ltd. Color changeable pixel
US7476327B2 (en) * 2004-05-04 2009-01-13 Idc, Llc Method of manufacture for microelectromechanical devices
TWI233916B (en) * 2004-07-09 2005-06-11 Prime View Int Co Ltd A structure of a micro electro mechanical system
TWI270722B (en) * 2004-07-23 2007-01-11 Au Optronics Corp Dual-side display panel
KR101255691B1 (ko) * 2004-07-29 2013-04-17 퀄컴 엠이엠에스 테크놀로지스, 인크. 간섭 변조기의 미소기전 동작을 위한 시스템 및 방법
US7372348B2 (en) * 2004-08-20 2008-05-13 Palo Alto Research Center Incorporated Stressed material and shape memory material MEMS devices and methods for manufacturing
US7184202B2 (en) * 2004-09-27 2007-02-27 Idc, Llc Method and system for packaging a MEMS device
US7321456B2 (en) * 2004-09-27 2008-01-22 Idc, Llc Method and device for corner interferometric modulation
US8102407B2 (en) * 2004-09-27 2012-01-24 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for manipulating color in a display
US8008736B2 (en) * 2004-09-27 2011-08-30 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device
US7130104B2 (en) * 2004-09-27 2006-10-31 Idc, Llc Methods and devices for inhibiting tilting of a mirror in an interferometric modulator
US7302157B2 (en) * 2004-09-27 2007-11-27 Idc, Llc System and method for multi-level brightness in interferometric modulation
US7372613B2 (en) * 2004-09-27 2008-05-13 Idc, Llc Method and device for multistate interferometric light modulation
US7327510B2 (en) * 2004-09-27 2008-02-05 Idc, Llc Process for modifying offset voltage characteristics of an interferometric modulator
US7911428B2 (en) * 2004-09-27 2011-03-22 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Method and device for manipulating color in a display
US7944599B2 (en) * 2004-09-27 2011-05-17 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Electromechanical device with optical function separated from mechanical and electrical function
US7184195B2 (en) * 2005-06-15 2007-02-27 Miradia Inc. Method and structure reducing parasitic influences of deflection devices in an integrated spatial light modulator
US20070113887A1 (en) * 2005-11-18 2007-05-24 Lih-Hong Laih Material system of photovoltaic cell with micro-cavity
JP5051123B2 (ja) * 2006-03-28 2012-10-17 富士通株式会社 可動素子
US7477440B1 (en) * 2006-04-06 2009-01-13 Miradia Inc. Reflective spatial light modulator having dual layer electrodes and method of fabricating same
US7321457B2 (en) * 2006-06-01 2008-01-22 Qualcomm Incorporated Process and structure for fabrication of MEMS device having isolated edge posts
US7649671B2 (en) * 2006-06-01 2010-01-19 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Analog interferometric modulator device with electrostatic actuation and release
US7593189B2 (en) * 2006-06-30 2009-09-22 Seagate Technology Llc Head gimbal assembly to reduce slider distortion due to thermal stress
TWI331231B (en) * 2006-08-04 2010-10-01 Au Optronics Corp Color filter and frbricating method thereof
US7643202B2 (en) * 2007-05-09 2010-01-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Microelectromechanical system having a dielectric movable membrane and a mirror
US7643199B2 (en) * 2007-06-19 2010-01-05 Qualcomm Mems Technologies, Inc. High aperture-ratio top-reflective AM-iMod displays
EP2183623A1 (en) * 2007-07-31 2010-05-12 Qualcomm Mems Technologies, Inc. Devices for enhancing colour shift of interferometric modulators

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2752470C1 (ru) * 2019-11-21 2021-07-28 АЦУР СПЭЙС Золяр Пауер ГмбХ Стопкообразный многопереходный солнечный элемент и способ его получения
US11881532B2 (en) 2019-11-21 2024-01-23 Azur Space Solar Power Gmbh Stacked multi-junction solar cell

Also Published As

Publication number Publication date
JP2011508430A (ja) 2011-03-10
BRPI0821371A2 (pt) 2015-06-16
CN101999177A (zh) 2011-03-30
RU2010125569A (ru) 2012-01-27
RU2485626C2 (ru) 2013-06-20
EP2225779A2 (en) 2010-09-08
WO2009085601A3 (en) 2010-06-24
CA2710198A1 (en) 2009-07-09
KR20100109924A (ko) 2010-10-11
WO2009085601A2 (en) 2009-07-09
US20090159123A1 (en) 2009-06-25
TW200939498A (en) 2009-09-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2485626C2 (ru) Многопереходные фотогальванические элементы
US9823415B2 (en) Energy conversion cells using tapered waveguide spectral splitters
JP5600593B2 (ja) 干渉式太陽電池セル
US9263600B2 (en) Silicon nanoparticle photovoltaic devices
US20110247676A1 (en) Photonic Crystal Solar Cell
US9112087B2 (en) Waveguide-based energy converters, and energy conversion cells using same
US20090084963A1 (en) Apparatus and methods to produce electrical energy by enhanced down-conversion of photons
KR102322321B1 (ko) 레이디얼 p-n 접합 나노와이어 태양전지
JP2013539225A (ja) 電子物品及びその形成方法
EP2511962A2 (en) Solar Cell Using Polymer-Dispersed Liquid Crystals
CN103875081A (zh) 聚焦发光和热辐射聚光器
JP2010130023A (ja) 太陽電池およびその製造方法
WO2009142529A1 (ru) Преобразователь электромагнитного излучения и батарея
Soman et al. Tuneable and spectrally selective broadband reflector–modulated photonic crystals and its application in solar cells
TW201327882A (zh) 增進光電伏打效率之設備及方法
Aly et al. Photonic band gap materials and monolayer Solar cell
US20120180855A1 (en) Photovoltaic devices and methods of forming the same
KR20120036115A (ko) 플렉서블 태양전지 및 이의 제조방법
US20110155215A1 (en) Solar cell having a two dimensional photonic crystal
RU2569164C2 (ru) Тонкопленочный солнечный элемент
KR20150048841A (ko) 광 포획 여과 광학 모듈을 포함하는 광전지 시스템
KR101856212B1 (ko) 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
Liscidini et al. Photonic light-trapping and Lambertian limit in thin film silicon solar cells
TWM523192U (zh) 高功率太陽能電池模組
Raja et al. Perovskite nanowire based multijunction solar cell

Legal Events

Date Code Title Description
FA93 Acknowledgement of application withdrawn (no request for examination)

Effective date: 20160222