PL195688B1

PL195688B1 - Sposób wytwarzania przezroczystej tlenkowej warstwy przewodzącej

Info

Publication number: PL195688B1
Application number: PL99348207A
Authority: PL
Inventors: Takatoshi Tsujimira; Takashi Miyamoto
Original assignee: Au Optronics Corp
Priority date: 1998-12-10
Filing date: 1999-12-01
Publication date: 2007-10-31
Also published as: CN1206667C; WO2000034961A1; CA2351568A1; US6632115B1; TW473459B; CA2351568C; CN1348594A; EP1168376A1; PL348207A1; JP3605567B2; EP1168376A4

Abstract

1. Sposób wytwarzania przezroczystej tlen- kowej warstwy przewodzacej, znamienny tym, ze nanosi sie amorficzna przezroczysta tlenko- wa warstwe przewodzaca na podloze, naklada sie negatywowy, wzmacniany chemicznie ma- terial swiatloczuly bezposrednio na amorficzna przezroczysta tlenkowa warstwe przewodzaca oraz naswietla sie i wywoluje sie negatywowy, wzmacniany chemicznie material swiatloczuly dla wytworzenia wzoru negatywowej, wzmoc- nionej chemicznie fotomaski, a nastepnie pod- daje sie obróbce amorficzna przezroczysta tlenkowa warstwe przewodzaca przez ten wzór stosowany jako maska. PL PL PL PL PL

Description

Opis wynalazku

Przedmiotem wynalazku jest sposób wytwarzania przezroczystej tlenkowej warstwy przewodzącej, zwłaszcza wytwarzania wzoru przezroczystej tlenkowej warstwy przewodzącej elektrycznie, jak w przypadku mikromaski z warstwy tlenku indowo-cynowego. Wynalazek odnosi się szczególnie do sposobu wytwarzania wzoru przezroczystej elektrody dla płaskiego wyświetlacza o dużej gęstości.

Znana jest technologia wytwarzania płaskich wyświetlaczy o dużej gęstości i wysokiej jakości obrazu, które są wykonywane w postaci matrycy aktywnej z wyświetlaczem ciekłokrystalicznym. Wyświetlacz z matrycą aktywną zawiera przezroczystą warstwę przewodzącą elektrycznie, osadzoną w postaci mozaiki na wspólnym podłożu, tworzącą elektrodę pikselową i element przełączający wytwarzany oddzielnie dla każdego piksela, sterujący niezależnie każdą elektrodą pikselową. Taką strukturę wytwarza się przy zastosowaniu technologii układów scalonych czyli mikroelektroniki.

Przezroczysta warstwa przewodząca elektrycznie, służąca do wytwarzania elektrody pikselowej, jest wykonana zwykle z warstwy tlenku indowo-cynowego. Przy większej gęstości pikseli wymiary pikseli stają się bardzo małe i zalecane są piksele o powierzchni około 40 mm. Wymiary ekranu powiększyły się znacznie, co spowodowało zwiększenie liczby pikseli. W przypadku wyświetlacza QSXGA jest konieczne wytworzenie około 15 milionów pikseli. Ponadto, nawet jeżeli tylko jeden piksel jest wadliwy, to podłoże staje się produktem wadliwym. Zatem istnieje zapotrzebowanie na technologię wytwarzania wzorów warstwy tlenku indowo-cynowego o większej dokładności.

Znana jest wzmacniana chemiczne warstwa maski wykonywana w technologii mikroelektronicznej, stosowanej do wytwarzania submikroskopowej struktury VLSI o bardzo dużym stopniu scalenia. Maski wzmacniane chemicznie mają dużą rozdzielczość optyczną i dużą czułość na promieniowanie ultrafioletowe. Zwykle maska wzmacniana chemicznie zawiera materiał światłoczuły, na przykład sól oniową, która przy fotolizie wytwarza kwas reagujący z grupą kwasową labilną, zmieniając rozpuszczalność maski. Równocześnie kwas wytwarzany przy fotolizie służy jako katalizator i bierze udział w reakcji wielokrotnie, a zatem zapewnia wysoka światłoczułość maski.

Wzmacniana chemicznie maska jest pożyteczna w przypadku nanoszenia mikrowzorów warstwy tlenku indowo-cynowego przy wytwarzaniu przezroczystej elektrody jako elektrody pikselowej wyświetlacza płaskiego o dużej gęstości. Bardzo skuteczne przy wytwarzaniu drobnych wzorów i eliminowaniu wad punktowych są negatywowe maski wzmacniane chemiczne.

Figura 1 przedstawia sposób wytwarzania przezroczystej elektrody. Najpierw na podłożu 10 wytwarza się polikrystaliczną warstwę 12 tlenku indowo-cynowego znaną metodą, na przykład metodą napylania katodowego zgodnie z fig. 1(a). Wytwarza się zwykle elektrodę przezroczysta o grubości około 400 A do 1500 A. Wzmacniana chemicznie, negatywowa maska 14 jest nakładana bezpośrednio na polikrystaliczną warstwę 12 tlenku indowo-cynowego, aż do osiągnięcia grubości około 1,5 mm do 2,0 mm i część, która ma stanowić piksel, jest naświetlana zgodniezfig.1(b). 5 Następnie warstwa maski 14 jest ewentualnie wygrzewana iwywoływana dla otrzymania wzoru 16 maski zgodnie zfig.1(c).Przy zastosowaniu wzoru 16 maski, warstwa 12 tlenku indowo-cynowego jest trawiona odczynnikiem do trawienia, na przykład mieszaniną wodnego roztworu kwasu azotowego ikwasu chlorowodorowego,wwyniku czego otrzymuje się wzór warstwy 12 tlenku indowo-cynowego.

Po wywołaniu warstwy maski wykonuje się kontrole wizualne podłoża, na przykład kontrolę wad wzoru, kontrolę zanieczyszczeń lub pyłu itd. Kontrole te są ważne dla poprawy wydajności procesu i stabilności. Jednak, jeżeli podłoże zostaje umieszczone w celu kontroli w świetle białym lub świetle zielonym, to zmniejsza się przyleganie wzoru maski do warstwy tlenku indowo-cynowego zgodnie z fig. 1(d) i w następnie wykonywanym etapie trawienia tlenku indowo-cynowego występuje odrywanie się warstwy maski lub pogorszenie rozkładu szerokości linii zgodnie zfig. 1(d). Problem ten przypisuje się faktowi, że w materiale światłoczułym, wytwarzającym kwas, zawartymwwarstwie 16 maski, następuje reakcja fotolizy i wytworzenie dodatkowej ilości kwasu, który powoduje korozję warstwy tlenku indowo-cynowego na granicy między warstwą 12 tlenku indowo-cynowegoiwarstwą 16 maski.Wcelu zapobiegania wytwarzaniu dodatkowej ilości kwasu, wszystkie powyższe czynności kontrolne muszą być wykonywane wświetle żółtym, które nie zawiera składowych widma absorpcyjnego materiału światłoczułego, wytwarzającego kwas, to znaczy nie zawiera długości fal około 380 nm lub mniejszej zgodniezfig.1(d).Wświetle żółtym nie występuje ani odrywanie się warstwy maski ani pogorszenie rozkładu szerokości linii zgodnie zfig. 1(e). Jednak w praktyce jest bardzo trudno wykonać zadowalającą kontrolę w świetle żółtym. Poza tym nie tylko kontrola, lecz również inneetapy, obejmujące przenoszenie przed trawieniem warstwy tlenku indowo-cynowego, wymagają wykonywania wświetle

PL 195 688 B1 żółtym, przy unikaniu światła białego. W celu realizacji tego jest konieczne instalowanie żółtych lamp nie tylko w pomieszczeniu do trawienia, lecz również we wszystkich rodzajach przejść, składach itp.

Znane jest z japońskiego opisu nrH6 (1994) - 132208 rozwiązanie problemu polegającego na tym, że kwas wytwarzany przy naświetlaniu wzmacnianej chemicznie warstwy maski dyfunduje do podłoża przewodzącego elektrycznie podczas wykonywania wzoru przy użyciu wzmacnianej chemicznie warstwy maski, dzięki uprzedniemu nałożeniu cienkiej warstwy izolacyjnej na podłoże przewodzące elektrycznie i nałożenie na nią wzmacnianej chemicznie warstwy maski. Jednak stosowanie dodatkowej warstwy między warstwą, na której ma powstać wzór, a maską prowadzi do zwiększenia liczby etapów, jak również do zmniejszenia wydajności.

Sposób według wynalazku charakteryzuje się tym, że nanosi się amorficzną przezroczystą tlenkową warstwę przewodzącą na podłoże, nakłada się negatywowy, wzmacniany chemicznie materiał światłoczuły bezpośrednio na amorficzną przezroczystą tlenkową warstwę przewodzącą oraz naświetla się i wywołuje się negatywowy, wzmacniany chemicznie materiał światłoczuły dla wytworzenia wzoru negatywowej, wzmocnionej chemicznie fotomaski, a następnie poddaje się obróbce amorficzną przezroczystą tlenkową warstwę przewodzącą przez ten wzór stosowany jako maska.

Korzystnie podczas obróbki amorficznej przezroczystej tlenkowej warstwy przewodzącej usuwa się tę cześć amorficznej przezroczystej tlenkowej warstwy przewodzącej, która nie jest pokryta wzorem.

Korzystnie podczas usuwania amorficznej przezroczystej tlenkowej warstwy przewodzącej doprowadza się tę część amorficznej przezroczystej tlenkowej warstwy przewodzącej, która nie jest pokryta wzorem, do kontaktu z kwasem wybranym z grupy obejmującej kwas szczawiowy, kwas fosforowy i kwas siarkowy.

Korzystnie usuwa się wzór.

Korzystnie nagrzewa się amorficzną przezroczystą tlenkową warstwę przewodzącą dla mikrokrystalizacji tej amorficznej przezroczystej tlenkowej warstwy przewodzącej.

Korzystnie negatywowy, wzmacniany chemicznie materiał światłoczuły zawiera nowolak fenolowy, melaminę hydroksymetylową i fotogenerator kwasu.

Korzystnie kontroluje się wzór przy użyciu światła mającego widmo zawierające widmo absorpcyjne fotogeneratora kwasu.

Korzystnie stosuje się światło mające widmo zawierające długość fali 380 nm lub mniejszą.

Korzystnie jako fotogenerator kwasu stosuje się triazynę.

Korzystnie jako amorficzną przezroczystą tlenkową warstwę przewodzącą stosuje się tlenek indowo-cynowy.

Zaletą wynalazku jest opracowanie sposobu rozwiązującego problem łuszczenia się warstwy maski lub zmniejszenia jej przylegania, które są powodowane przez oddziaływanie światła po wytworzeniu wzoru, a dzięki temu osiągnięcie dużej dokładności nanoszenia mikrowzoru na warstwę tlenku indowo-cynowego. Wynalazek umożliwia wytworzenie płaskiego wyświetlacza o wysokiej jakości obrazu, przy zapewnieniu dużej wydajności, przez zastosowanie scalonej, przezroczystej elektrody o dużej gęstości, wykonanej z warstwy tlenku indowo-cynowego. Przy tym stosuje się kontrolę wizualną wytwarzanego wzoru przezroczystej elektrody w świetle białym lub w świetle zielonym.

Przedmiot wynalazku jest pokazany w przykładzie wykonania na rysunku, na którym fig.1 przedstawia w widoku schematycznym znany sposób nanoszenia wzoru przezroczystej warstwy przewodzącej elektrycznie i fig. 2 - w widoku schematycznym sposób nanoszenia wzoru przezroczystej warstwy przewodzącej elektrycznie według wynalazku.

Figura 2 przedstawia sposób wytwarzania przezroczystej elektrody, to znaczy przezroczystej warstwy przewodzącej elektrycznie ze wzorem.

Figura 2(a) pokazuje, że na podłożu 20 jest osadzana amorficzna warstwa 22 tlenku indowo-cynowego przy zastosowaniu metody napylania katodowego, przy temperaturze podłoża utrzymywanej na wartości około 200°C lub niższej, korzystnie stosunkowo niskiej, bliskiej temperatury pokojowej. Napylanie jest wykonywane na przykład przy zastosowaniu tarczy ze stopu indowo-cynowego zgazem argonowym, zawierającym tlen i parę wodną, jako gazem napylającym.

Figura 2(b) pokazuje, że na amorficzną warstwę 22 tlenku indowo-cynowego jest nanoszony bezpośrednio wzmacniany chemicznie materiał światłoczuły warstwy 24 maski. Korzystne jest, jeżeli stosuje się wzmacniany materiał światłoczuły 24 typu negatywowego. Udoskonalony, wzmacniany chemicznie materiał negatywowy maski zawiera na przykład nowolakową żywicę fenolową, melaminę hydroksymetylową i fotogenerator kwasu. W przypadku tego materiału maski, kwas wytwarzany przez

PL 195 688B1 światło działa jak katalizator, a melamina hydroksymetylowa powoduje usieciowanie żywicy fenolowej czyli jej przemianę w postać nierozpuszczalną. Jako fotogenerator kwasu stosuje się sól oniową, na przykład diazoniową, jodoniową, sulfoniową lub podobne, ester kwasu orto-diazo-naftochinonosulfoniowego lub triazyny. Korzystne jest stosowanie generatora triazynowego ze względu na wysoka czułość. Kwas wytwarzany przy oddziaływaniu światłem jest tutaj kwasem beztlenowym.

Figura 2(c) pokazuje, że warstwa wzmocnionego chemicznie materiału światłoczułego 24 jest wystawiana na działanie energii promieniowania, na przykład promieni ultrafioletowych, promieni głębokiego ultrafioletu, promieni elektronowych lub promieni X, poprzez wzorzec. We wzorcu o wymiarach rzędu kilku mikrometrów jest dogodne zastosowanie promieni ultrafioletowych. Zwykle przy wygrzewaniu po naświetlaniu i wywołaniu warstwy maski po naświetlaniu otrzymuje się maskę ze wzorem. Wytwarza się drobny wzór linii/odstępów po około 2 mm.

Za pomocą dotychczas wykonanych etapów otrzymuje się strukturę z wzorem 26 maski, korzystnie negatywowy wzór 26 maski, naniesiony na amorficzną warstwę 22 tlenku indowo-cynowego. Struktura otrzymana według wynalazku różni się od znanej struktury ze wzorem maski naniesionym na warstwę polikrystalicznego tlenku indowo-cynowego tym, że nawet przy oddziaływaniu na nią światłem białym lub światłem zielonym, zawierającym składowe widma o długości fali około 380 nm lub mniejszej, nie występuje ani łuszczenie się ani zmniejszanie przylegania. Przypisuje się to faktowi, że nawet przy dodatkowym wytwarzaniu kwasu we wzorze 26 maski przy świetle białym lub zbliżonym do białego, kwas może dyfundować i rozpraszać się w amorficznej warstwie 22 tlenku indowo-cynowego, a zatem nie występuje stężenie kwasu dostatecznie duże do spowodowania korozji amorficznej warstwy 22 tlenku indowo-cynowego na granicy między amorficzną warstwą 22 tlenku indowo-cynowego a warstwą 26 maski. Zgodnie z tym struktura otrzymana według wynalazku umożliwia wykonanie kontroli wizualnej w świetle białym lub świetle zielonym bez ujemnego oddziaływania na następne etapy.

Figura 2(d) pokazuje, że na podłożu poddanym kontroli wizualnej po wywołaniu warstwy maski, określonym jako produkt dobry z naniesionym wzorem 26 maski, wytwarza się wzór przez trawienie amorficznej warstwy 22 tlenku indowo-cynowego poprzez wzór 26 służący za maskę. Część amorficznej warstwy 22 tlenku indowo-cynowego, która nie jest pokryta wzorem 26 maski, wprowadza się w kontakt z roztworem trawiącym wcelu rozpuszczenia i usunięcia. Jako roztwór trawiący stosuje się kwas organiczny, na przykład kwas szczawiowy, jak również stosunkowo łagodny kwas nieorganiczny, na przykład kwas fosforowy lub kwas siarkowy. Po utworzeniu wzoru amorficznej warstwy 22 tlenku indowo-cynowego, wzór 26 maski zostaje usunięty znaną metodą zgodnie z fig. 1(e).

Ze względu na to, że odporność chemiczna, zwłaszcza odporność na działanie kwasów, amorficznej warstwy 22 tlenku indowo-cynowego jest mała w porównaniu ze zwykłą warstwą krystalicznego tlenku indowo-cynowego, to amorficzna warstwa 22 tlenku indowo-cynowego może zostać rozpuszczona nawet w stosunkowo łagodnym kwasie. Z drugiej strony jednak, jeżeli amorficzna warstwa 22 tlenku indowo-cynowego zostaje scalona z wyrobem, na przykład płaskim wyświetlaczem lub podobnym, to może nastąpić uszkodzenie w następnych etapach lub podczas eksploatacji. Ponadto amorficzna warstwa tlenku indowo-cynowego ma zwykle dużą rezystywność, około 5 x 10^-3 W-cm, a do zastosowania jako przezroczysta elektroda jest konieczna warstwa omniejszej rezystywności. Zatem, zgodnie zfig.2(f), amorficzna warstwa 28 tlenku indowo-cynowegoznaniesionym wzorem jest nagrzewana dla osiągnięcia temperatury około 200°C lub wyższej, która jest temperaturą krystalizacji tlenku indowocynowego. Korzystne jest, jeżeli warstwa jest wygrzewana wtemperaturze około 250°C wciągu jednej do dwóch godzin. Ta obróbka cieplna powoduje przemianę amorficznej warstwy 28 tlenku indowocynowego w materiał mikrokrystaliczny,wwyniku czego otrzymuje się warstwę 30 krystalicznego tlenku indowo-cynowego, która wykazuje dobrą odporność chemiczną i małą rezystywność.

Ten proces wytwarzania przezroczystej elektrody, to znaczy sposób wykonywania wzoru przezroczystej warstwy przewodzącej elektrycznie, zawierającej tlenek indowo-cynowy, jest pożyteczny przy wytwarzaniu elektrody pikselowej podłoża dla wyświetlacza płaskiego ima zastosowanie wprocesie wytwarzania baterii słonecznych, części elektronicznych, przyrządów pomiarowych, urządzeń telekomunikacyjnych lub podobnych, które wymagają zastosowania przezroczystej warstwy przewodzącej elektrycznie. Jeżeli proces stosuje się przy wytwarzaniu struktury, wktórej przezroczysta warstwa przewodząca jest stosowana jako element grzejny, to można otrzymać mikrogrzejnik umożliwiający regulację temperatury wbardzo ograniczonym zakresie. Jako przezroczystą warstwę przewodzącąelektrycznie stosuje się, zamiast warstwy tlenku indowo-cynowego, przezroczystą warstwę

PL 195 688 B1 przewodząca elektrycznie, zawierającą tlenek, na przykład warstwę tlenku indu, tlenku cyny, warstwę tlenku kadmowo-cynowego lub podobne.

Przykład I

Warstwę tlenku indowo-cynowego o grubości 400 A osadzono na podłożu szklanym, utrzymywanym w temperaturze około 25°C, metodą napylania katodowego. Warstwa tlenku indowo-cynowego była warstwą amorficzną, gdyż nie była nagrzewana do temperatury krystalizacji lub wyższej. Z drugiej strony, dla porównania, na podłożu szklanym wytworzono warstwę tlenku indowo-cynowego ogrubości 400 A w temperaturze około 150°C przez napylanie katodowe i nagrzewano ją w temperaturze około 230° wciągu około dwóch godzin wcelu utworzenia warstwy całkowicie krystalicznego tlenku indowo-cynowego.

Zarówno na amorficzną warstwę tlenku indowo-cynowego, jak i na krystaliczną warstwę tlenku indowo-cynowego naniesiono podobne wzmacniane chemicznie warstwy negatywowe maski ogrubości około 1,5 mm. Stosowane wzmacniane chemicznie maski negatywowe były typu Fuji Orin FEN 300N, Clariant Prototype iTokyo Oka TFN-010. Następnie pokryte maski były naświetlane promieniowaniem ultrafioletowymodługości fali 405 nm, poddawane spiekaniuwtemperaturze około 110°C, anastępnie wywoływane przy zastosowaniu zwykłego wodnego, alkalicznego roztworu wywołującego wcelu otrzymania różnych wzorów maski o szerokości linii/odstępów około 2 nm do 100 nm. W dowolnych kombinacjach podłoży imasek nie stwierdzono ani złuszczania warstwy maski ani wad linii. Ponadto w żadnej zpróbek, na które nie oddziaływano światłem po wywołaniu, nie stwierdzono złuszczania po spłukaniu wodą czy natryskiem.

Próbki były poddawane działaniu światła lampy fluorescencyjnej wciągu około trzydziestu minut. Następnie, podobnie jak poprzednio, próbki zostały spłukane wodą i w przypadku wzorów maski na warstwie amorficznej tlenku indowo-cynowego nie stwierdzono złuszczania wzoru maski przy zastosowaniu dowolnej warstwy maski. Jednak niepożądane złuszczanie wzoru maski wystąpiło na krystalicznej warstwie tlenku indowo-cynowego. Wyniki zamieszczono wtabeli 1. Nawet wprzypadku maski Tokyo Oka,wprzypadku której występująca wada złuszczania była najmniejsza, wśród 67 wzorów stwierdzono 34 punkty złuszczania.

Warstwa amorficzna znaniesionym wzorem była wygrzewana wtemperaturze około 230° wciągu około dwóch godzinwcelu przemiany amorficznej warstwy tlenku indowo-cynowego wmikrokrystaliczny tlenek indowo-cynowy i otrzymano przewodzącą elektrycznie warstwę krystalicznego tlenku indowo-cynowego, mającego rezystywność około 1 x 10^-4 W-cm.

Tabel a 1

Maska/Podłoże	Amorficzna warstwa tlenku indowo-cynowego	Krystaliczna warstwa tlenku indowo-cynowego
Fuji Orin FEN 300 N	Bez złuszczania	40/64 miejsc złuszczania
Clariant Prototype	Bez złuszczania	60/64 miejsc złuszczania
Tokyo Oka TFN-010	Bez złuszczania	34/67 miejsc złuszczania

Przykład II

Podobnie, jak w przypadku przykładu I, próbkę zkażdą maską, osadzoną na amorficznej warstwie tlenku indowo-cynowego, poddano naświetlaniu i spiekaniu PEB, anastępnie wywołano wcelu otrzymania wzoru maski. Otrzymaną próbkę poddawano działaniu światła zielonego, stosowanego do rzeczywistej kontroli wizualnej wciągu około trzydziestu minut. Następnie próbkę spłukano wodą czy natryskiem tak samo, jak w przypadku przykładu I. Nie stwierdzono złuszczania.

Przykład III

Podobnie, jak w przypadku przykładu I, próbkę zkażdą maską, osadzoną na amorficznej warstwie tlenku indowo-cynowego, poddano naświetlaniu i spiekaniu, anastępnie wywołano wcelu otrzymania wzoru maski. Otrzymaną próbkę pozostawiono wzwykłym środowisku wewnętrznym na pół dnia. Następnie próbkę spłukano wodą czy natryskiem tak samo, jak w przypadku przykładu I. Nie stwierdzono złuszczania.

Claims

1. Sposób wytwarzania przezroczystej tlenkowej warstwy przewodzącej, znamienny tym, że nanosi się amorficzna przezroczystą tlenkową warstwę przewodzącą na podłoże, nakłada się negatywowy, wzmacniany chemicznie materiał światłoczuły bezpośrednio na amorficzną przezroczysta tlenkową warstwę przewodzącą oraz naświetla się i wywołuje się negatywowy, wzmacniany chemicznie materiał światłoczuły dla wytworzenia wzoru negatywowej, wzmocnionej chemicznie fotomaski, a następnie poddaje się obróbce amorficzną przezroczystą tlenkową warstwę przewodzącą przez ten wzór stosowany jako maska.

2. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że podczas obróbki amorficznej przezroczystej tlenkowej warstwy przewodzącej usuwa się tę część amorficznej przezroczystej tlenkowej warstwy przewodzącej, która nie jest pokryta wzorem.

3. Sposób według zastrz. 2, znamienny tym, że podczas usuwania amorficznej przezroczystej tlenkowej warstwy przewodzącej doprowadza się tę część amorficznej przezroczystej tlenkowej warstwy przewodzącej, która nie jest pokryta wzorem, do kontaktu z kwasem wybranym z grupy obejmującej kwas szczawiowy, kwas fosforowy i kwas siarkowy.

4. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że usuwa się wzór.

5. Sposób według zastrz. 1 albo 2, albo 3, albo 4, znamienny tym, że nagrzewa się amorficzną przezroczystą tlenkową warstwę przewodzącą dla mikrokrystalizacji tej amorficznej przezroczystej tlenkowej warstwy przewodzącej.

6. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że negatywowy, wzmacniany chemicznie materiał światłoczuły zawiera nowolak fenolowy, melaminę hydroksymetylową i fotogenerator kwasu.

7. Sposób według zastrz. 6, znamienny tym, że kontroluje się wzór przy użyciu światła mającego widmo zawierające widmo absorpcyjne fotogeneratora kwasu.

8. Sposób według zastrz. 7, znamienny tym, że stosuje się światło mające widmo zawierające długość fali 380 nm lub mniejszą.

9. Sposób według zastrz. 6, znamienny tym, że jako fotogenerator kwasu stosuje się triazynę.

10. Sposób według zastrz. 1, znamienny tym, że jako amorficzną przezroczystą tlenkową warstwę przewodzącą stosuje się tlenek indowo-cynowy.