JPH10280127A

JPH10280127A - Ｉｔｏ膜の成膜方法及びｉｔｏ電極の形成方法及びこのｉｔｏ電極を備えた液晶素子の製造方法

Info

Publication number: JPH10280127A
Application number: JP8700797A
Authority: JP
Inventors: Michio Yanagi; 道男柳; Hiroyuki Tokunaga; 博之徳永
Original assignee: Canon Inc
Current assignee: Canon Inc
Priority date: 1997-04-04
Filing date: 1997-04-04
Publication date: 1998-10-20

Abstract

(57)【要約】【課題】ＩＴＯ膜の密着性を高めることのできるＩＴ
Ｏ膜の成膜方法及びＩＴＯ電極の形成方法及びこのＩＴ
Ｏ電極を備えた液晶素子の製造方法を提供する。【解決手段】スパッタガス圧を１．３〜２．０Ｐａ、
ターゲット２３，２４，２５一基板２６間を１２０ｍｍ
以下、成膜レートを１５Å／ｓｅｃ以下として透光性基
材２６上にアモルファス成分を含むＩＴＯ膜を成膜する
スパッタ法により、密着性の高いＩＴＯ膜を成膜するよ
うにする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＴＯ膜の成膜方
法及びＩＴＯ電極の形成方法及びこのＩＴＯ電極を備え
た液晶素子の製造方法に関し、特にそのスパッタ工程に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、液晶を用いた画像表示装置など、
透明電極は多くのデバイスに使用されている。ここで、
一般的に使用されている透明電極は、インジウム（Ｉ
ｎ）とすず（Ｓｎ）の酸化物合金（ＩＴＯ）を材料とし
ており、このＩＴＯは一般的にはスパッタ装置により成
膜される。なお、従来からＩＴＯ成膜に関しては多くの
研究がなされているが、その膜質に関して、低抵抗若し
くは高透過率が要求されており、その実現が望まれる。

【０００３】ところで、従来、ＩＴＯ成膜のパターン形
成は一般的なレジストパターンの形成の後、これを耐エ
ッチングマストし、塩酸と硝酸の混合液を用いて不要部
分をエッチングにより除去する方法が採られている。

【０００４】しかしながら、ＩＴＯの抵抗率はシート抵
抗で２０〜５０Ω／□と金属材料に比べて高く、液晶デ
ィスプレイ等の表示装置に使用する場合、さらにＩＴＯ
膜の膜厚を厚くして抵抗を下げようとすることは、実質
的に表示の透過率を下げるため素子構成上難しく、表示
面積の大型化、高精細化に伴う素子パネル内における電
圧波形の遅延が問題となっていた。

【０００５】このような問題点を改善するために、液晶
素子において、例えば特開平６−３４７８１０号公報に
示されるように、ＩＴＯ電極に併設して金属電極を形成
することが行われている。

【０００６】図１０の（ａ）は、このような金属電極が
形成されたガラス基板の一例を示しており、同図におい
て、５１はガラス基板５５に所定のパターンで多数形成
された金属配線、５２はＩＴＯ配線を示している。な
お、図１０の（ｂ）は、ガラス基板５５の一部拡大図を
示しており、同図において、５３はＩＴＯストライプ間
隙を示している。

【０００７】ここで、この金属配線５１は、厚さが１μ
ｍ以上で体積抵抗値が２〜１０×１０^-8Ωｍ程度の低抵
抗な金属によって形成されている。また、この金属配線
５１の間隙には、図１０の（ｃ）に示すようにＵＶ硬化
樹脂５４が埋め込まれており、このＵＶ硬化樹脂５４と
金属配線５１とによって平滑な面が形成され、この平滑
な面上にＩＴＯ配線５２が薄い膜厚で形成されている。

【０００８】一方、このような構成のガラス基板５５に
おいて、ＩＴＯをパターニングする場合、エッチング工
程で金属配線５１に影響を及ぼさないようにＩＴＯと金
属配線５１のエッチングの際における選択性が必要であ
り、現在弱酸であるシュウ酸によりＩＴＯのエッチング
が行われている。

【０００９】ところで、ＩＴＯを弱酸でエッチングする
ためには、エッチング工程の時点でのＩＴＯは結晶成長
させないことが必要であり、そのため成膜時に非晶質で
あるアモルファスＩＴＯが採用されている。また、液晶
素子では、液晶の配向に対してもアルモファスＩＴＯを
経由して得られたＩＴＯ膜（透明電極）が表面平滑性に
優れているため、アモルファス化させている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】ところが、このような
従来のＩＴＯ膜の成膜方法及びＩＴＯ電極の形成方法及
びこのＩＴＯ電極を備えた液晶素子の製造方法におい
て、アモルファス化させたＩＴＯを得るために、スパッ
タ時に基板加熱をしないで成膜する方法が採用されてい
る。しかし、スパッタされた膜材料の粒子は基板に取り
込まれる際に温度が高い方が有利であり、低温でスパッ
タすると基板と膜の密着が悪くなるのが一般的である。

【００１１】この様な要因から、ＩＴＯをウエットエッ
チング法によりパターニングする時、樹脂とＩＴＯの界
面にエッチング液が浸透し、レジストで覆われている部
分もエッチングされてしまうオーバーエッチングが起こ
る可能性があり、生産上大きな問題となり得ることが予
想される。

【００１２】さらに、ＩＴＯを低温成膜した場合、金属
配線上は特に問題がないが、樹脂上に成膜されたＩＴＯ
が剥がれたり、剥がれなくとも密着が悪くなり、それが
原因でＩＴＯのパターニング時にレジスト間隔よりも広
くエッチングされるといったオーバーエッチングが起こ
り基板作製上で問題となっていた。

【００１３】そこで、本発明はこのような従来の問題点
を解決するためになされたものであり、ＩＴＯ膜の密着
性を高めることのできるＩＴＯ膜の成膜方法及びＩＴＯ
電極の形成方法及びこのＩＴＯ電極を備えた液晶素子の
製造方法を提供することを目的とするものである。

【００１４】

【課題を解決するための手段】本発明は、スパッタ法に
より透光性基材にＩＴＯ膜を成膜するＩＴＯ膜の成膜方
法であって、スパッタガス圧を１．３〜２．０Ｐａとし
て前記透光性基材上にアモルファス成分を含むＩＴＯ膜
を成膜することを特徴とするものである。

【００１５】また本発明は、表面に透明樹脂が塗布され
た透光性基材にスパッタ法によりＩＴＯ膜を成膜するＩ
ＴＯ膜の成膜方法であって、スパッタガス圧を１．３〜
２．０Ｐａとして前記透明樹脂上にアモルファス成分を
含むＩＴＯ膜を成膜することを特徴とするものである。

【００１６】また本発明は、前記ＩＴＯ膜成膜時、前記
透光性基材の温度を１００℃以下に設定することを特徴
とするものである。

【００１７】また本発明は、前記ＩＴＯ膜の成膜レート
を１５Å／ｓｅｃ以下とすることを特徴とするものであ
る。

【００１８】また本発明は、前記ＩＴＯ膜成膜時、スパ
ッタ部材と前記透光性基材との距離を１２０ｍｍ以下と
することを特徴とするものである。

【００１９】また本発明は、透光性基板上にＩＴＯ電極
を形成するＩＴＯ電極の形成方法であって、スパッタガ
ス圧を１．３〜２．０Ｐａとすると共に、前記透光性基
材の温度を１００℃以下に設定して該透光性基材上にア
モルファス成分を含むＩＴＯ膜を成膜するスパッタ工程
と、前記スパッタ工程で成膜されたＩＴＯ膜に対してフ
ォトリソグラフィ処理及びエッチング処理を行い、前記
ＩＴＯ電極をパターニング形成する工程と、を有するこ
とを特徴とするものである。

【００２０】また本発明は、透光性基板上にカラーフィ
ルターを形成した後、前記カラーフィルターの上にＩＴ
Ｏ電極を形成するＩＴＯ電極の形成方法であって、前記
透光性基板上にカラーフィルターと、該カラーフィルタ
ーの上に透明樹脂にて保護・平坦化膜を形成する工程
と、スパッタガス圧を１．３〜２．０Ｐａとすると共
に、前記透光性基材の温度を１００℃以下に設定して前
記保護・平坦化膜上にアモルファス成分を含むＩＴＯ膜
を成膜するスパッタ工程と、前記スパッタ工程で成膜さ
れたＩＴＯ膜に対してフォトリソグラフィ処理及びエッ
チング処理を行い、前記ＩＴＯ電極をパターニング形成
する工程と、を有することを特徴とするものである。

【００２１】また本発明は、前記ＩＴＯ膜の成膜レート
を１５Å／ｓｅｃ以下とすることを特徴とするものであ
る。

【００２２】また本発明は、前記ＩＴＯ膜成膜時、スパ
ッタ部材と前記透光性基材との距離を１２０ｍｍ以下と
することを特徴とするものである。

【００２３】また本発明は、透光性基板上に金属電極を
パターン形成した後、前記金属電極上にＩＴＯ電極を形
成するＩＴＯ電極の形成方法であって、前記透光性基板
上に金属電極をパターン形成する工程と、前記金属電極
間に高分子材料を充填して該金属電極を絶縁すると共に
前記金属電極と高分子材料の表面を平坦化する工程と、
スパッタガス圧を１．３〜２．０Ｐａとすると共に、前
記透光性基材の温度を１００℃以下に設定して前記金属
電極及び透光性樹脂の表面にアモルファス成分を含むＩ
ＴＯ膜を成膜するスパッタ工程と、前記スパッタ工程で
成膜されたＩＴＯ膜に対してフォトリソグラフィ処理及
びエッチング処理を行い、前記ＩＴＯ電極をパターニン
グ形成する工程と、を有することを特徴とするものであ
る。

【００２４】また本発明は、透光性基材にＩＴＯ電極を
形成した構成の一対の配線基板間に液晶を挟持する液晶
素子の製造方法であって、スパッタガス圧を１．３〜
２．０Ｐａとすると共に、前記透光性基材の温度を１０
０℃以下に設定して該透光性基材の表面にアモルファス
成分を含むＩＴＯ膜を成膜するスパッタ工程と、前記ス
パッタ工程で成膜されたＩＴＯ膜に対してフォトリソグ
ラフィ処理及びエッチング処理を行い、パターニング形
成された前記ＩＴＯ電極を有する配線基板を形成する工
程と、前記配線基板を対向させると共に、前記液晶を挟
持するよう前記対向する配線基板間に液晶を充填する工
程と、を有することを特徴とするものである。

【００２５】また本発明のように、スパッタガス圧を
１．３〜２．０Ｐａ、ターゲット一基板間を１２０ｍｍ
以下、成膜レートを１５Å／ｓｅｃ以下として透光性基
材上にアモルファス成分を含むＩＴＯ膜を成膜するスパ
ッタ法により、密着性の高いＩＴＯ膜を成膜するように
する。

【００２６】また本発明のように、透光性基材の表面に
保護・平坦化膜等の透明樹脂膜が形成された場合でも、
スパッタガス圧を１．３〜２．０Ｐａ、ターゲット一基
板間を１２０ｍｍ以下、成膜レートを１５Å／ｓｅｃ以
下として透光性基材上にアモルファス成分を含むＩＴＯ
膜を成膜するスパッタ法により、密着性の高いＩＴＯ膜
を成膜するようにする。

【００２７】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を用いて説明する。

【００２８】図１は、本発明の実施の形態に係るＩＴＯ
膜の成膜方法及びＩＴＯ電極の形成方法を採用して形成
された配線基板を備えた液晶素子の構造を示す断面図で
あり、同図において、１は液晶素子、２は配線基板、３
は液晶、４はシール材、５はスペーサである。ここで、
この配線基板２は、透光性基材であるガラス基板６と、
ＩＴＯ電極である透明電極７と、金属電極１０と、高分
子材料である紫外線硬化型樹脂で形成され、金属電極１
０間を絶縁する絶縁層１１とを有したものである。

【００２９】なお、この絶縁層１１は、金属電極１０が
形成されたガラス基板６の表面を平坦化する平坦化層と
しての役割も果たすようになっている。また、配線基板
２には絶縁膜８及び配向膜９が形成されている。

【００３０】一方、図２は、本実施の形態に係るＩＴＯ
膜の成膜方法を採用したスパッタ装置の概略断面を示す
図であり、同図において、２０はインライン方式のスパ
ッタ装置、２１はスパッタ装置１の真空チャンバー、２
３、２４、２５は真空チャンバー２１の内部に配された
スパッタ部材となるターゲットである。また、２６は図
示しない搬送装置により真空チャンバー２の内部を一定
速度でターゲット２３，２４，２５に対向しながら矢印
方向に移動する透光性基材の一例であるガラス基板であ
る。

【００３１】２７は、真空チャンバー２のガス導入口、
２８はガス排気口であり、ガス導入口２７の前にはガス
流量を制御する図示しないシステムが接続され、ガス排
気口２８の先には排気用の図示しないポンプが接続され
ている。また、２９は各ターゲット２３，２４，２５の
下部に設けられ、真空チャンバー２１内のプラズマ発生
源となる永久磁石である。

【００３２】そして、このように構成されたスパッタ装
置２０では、ＩＴＯのスパッタの際には、まずガス導入
口２７からアルゴンガスと酸素ガスを導入した後、プラ
ズマを発生させることによりターゲット２３，２４，２
５からガラス基板２６へ成膜が行われる。なお、この
際、ＩＴＯをアモルファス化するためガラス基板２６の
加熱は行わないようにしてガラス基板２６の温度を１０
０℃以下に設定する。

【００３３】ここで、本実施の形態においては、アルゴ
ン流量２００ＳＣＣＭ、酸素流量２ＳＣＣＭで、スパッ
タ圧力を０．２６Ｐａ〜２．５Ｐａまで条件を振ってＩ
ＴＯ膜を成膜した。なお、このときのターゲット一基板
間距離は１００ｍｍ、成膜レートは８〜１１Å／ｓｅｃ
とした。

【００３４】ところで、このようにＩＴＯ膜を成膜した
ガラス基板２６に対し、図３に示すような高速テープ剥
離試験機３０を用いてテープ剥離試験を行い、テープ剥
離後のＩＴＯ膜の剥がれ状態を確認した。なお、図３に
おいて、３１はガラス基板２６を引っ張ると共に、その
際の引っ張り力を測定するストレインゲージ、３２はガ
ラス基板２６のＩＴＯ形成面に貼りつけられるテープを
示している。

【００３５】図４はＩＴＯ膜の剥がれ状態を示すもので
ある。なお、同図において、密着力（ｋｇ／ｃｍ）は、
引っ張り力をテープ幅で割った値であり、シート抵抗は
２００℃１Ｈのアニール後の値である。

【００３６】そして、同図から明らかなようにアルゴン
圧力の上昇とともにテープ剥離強度は向上し、アルゴン
圧力が１．３Ｐａから剥がれなくなる。一方、ＩＴＯ膜
のシート抵抗を測定した結果、２．０Ｐａを越えると若
干上昇してしまうことがわかった。このことから、ＩＴ
Ｏ膜を剥離させないようにするアルゴンガス圧（スパッ
タガス圧）は、１．３Ｐａから２．０Ｐａが適当な範囲
であることが判明した。

【００３７】次に、表面にカラーフィルターの保護層を
形成する樹脂を塗布したガラス基板２６を用い、ＩＴＯ
の成膜レートと樹脂上の密着力との関係を調べた。な
お、成膜レートの調整は投入電力により変化させた。ま
た、アルゴン圧（スパッタ圧）は１．３Ｐａ、ターゲッ
ト一基板間距離は１００ｍｍとした。

【００３８】図５は、ＩＴＯの成膜レートと樹脂上の密
着力との関係を示すものであり、同図から明らかなよう
に成膜レートが１５Å／ｓｅｃよりも大きくなると剥離
強度は急激に低下する。このことから、成膜レートは１
５Å／ｓｅｃ以下が望ましいことが判明した。一般的に
緻密な膜を作製するに当たり成膜速度はゆるやかなほう
が望ましいが、樹脂上のＩＴ０膜の密着についても同様
であった。

【００３９】次に、ターゲット一基板間距離と、樹脂上
のＩＴＯ膜の密着力の関係を調べた。なお、アルゴンガ
ス圧（スパッタガス圧）は、１．３Ｐａ、成膜レート１
１／ｓｅｃになる様に調整した。この結果、図６に示す
ように密着力はターゲット一基板間距離が１２０ｍｍを
越えると低下することがわかった。従って、ターゲット
一基板間は１２０ｍｍ以下が適当であることが判明し
た。

【００４０】なお、次に本実施の形態に係る比較例とし
て、アルゴンガス圧０．２６Ｐａ、アルゴン／酸素比率
１％、成膜レート１１Å／ｓｅｃ、ターゲット基板間距
離１００ｍｍにてＩＴ０膜を成膜し、このＩＴＯの薄膜
の密着を評価した。なお、試験条件は、剥離スピード４
０ｍ／ｍｉｎ、テープ幅１８ｍｍで行った。

【００４１】本比較例に係るＩＴＯの薄膜の、テープ剥
離強度は０．３８ｋｇ／ｃｍであり、テープ剥離した後
の樹脂上のＩＴＯ膜は剥れてしまった。

【００４２】このように、スパッタガス圧を１．３〜
２．０Ｐａ、ターゲット一基板間を１２０ｍｍ以下、成
膜レートを１５Å／ｓｅｃ以下としてガラス基板２６上
にアモルファス成分を含むＩＴＯ膜を成膜することによ
り、密着性の高いＩＴＯ膜を成膜することができる。

【００４３】ところで、既述したようなスパッタ工程に
よりＩＴＯを成膜した後、次のようなＩＴＯ電極の形成
方法によりＩＴＯ電極を形成する。まず、図７の（ａ）
に示すように、ＩＴＯ膜３９の表面にレジスト４０を塗
布する。次に、マスク４１の隙間４２からＵＶ光を照射
してレジスト４０を硬化させるフォトリソグラフィプロ
セスを施し、この後、エッチングを行う工程により
（ｂ）に示すＩＴＯ電極４３をパターニング形成する。

【００４４】一方、カラーフィルターを備えたガラス基
板２６にＩＴＯ電極を形成する場合は、まず図８に示す
ようにガラス基板２６上に形成されたカラーフィルター
４４の上に、カラーフィルター４４を保護すると共に表
面を平坦化するための保護（平坦化）層４５を形成す
る。次に、この工程の後、既述したＩＴＯ成膜方法に係
るスパッタ工程にてＩＴＯを成膜し、この後、図７に示
すフォトリソグラフィプロセス及びエッチングを行う工
程によりＩＴＯ電極をパターニング形成する。

【００４５】また、金属電極を備えた基板にＩＴＯ電極
を形成する場合は、図９の（ａ）に示すように、まずガ
ラス基板２６上に所定の金属電極１０をパターニング形
成する。次に、この工程の後、（ｂ）に示すように各金
属電極１０間に樹脂を充填して絶縁層１１を形成し、表
面を平坦化する。次に、この工程の後、既述したＩＴＯ
成膜方法に係るスパッタ工程にてＩＴＯを成膜し、この
後、図７に示すフォトリソグラフィプロセス及びエッチ
ングを行う工程によりＩＴＯ電極をパターニング形成す
る。

【００４６】ところで、このように形成されたＩＴＯ電
極（透明電極）を有する配線基板（図７の（ｂ）参照）
を対向させると共に、この配線基板間に液晶を充填する
ことにより図１に示すような液晶素子を得るようにして
いる。

【００４７】なお、本発明の方法で得られるＩＴＯ電極
は、液晶ディスプレー等の非発光タイプ、ＥＬＤやＰＤ
Ｐ等の自発光タイプといった、種々のタイプの表示素子
に適用され得る。そして、いずれのタイプの表示素子に
おいても、光透過率がよく、低抵抗であり、かつ表面平
坦性に優れていることに起因して表示性能が格段に向上
する。

【００４８】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、ス
パッタガス圧を１．３〜２．０Ｐａ、ターゲット一基板
間を１２０ｍｍ以下、成膜レートを１５Å／ｓｅｃ以下
として透光性基材上にアモルファス成分を含むＩＴＯ膜
を成膜することにより、密着性の高いＩＴＯ膜を成膜す
ることができ、ＩＴＯのパターニング時のオーバーエッ
チングを無くすことができる。

【００４９】また、透光性基材の表面に透明樹脂膜が形
成された場合でも、スパッタガス圧を１．３〜２．０Ｐ
ａ、ターゲット一基板間を１２０ｍｍ以下、成膜レート
を１５Å／ｓｅｃ以下として透明樹脂膜上にアモルファ
ス成分を含むＩＴＯ膜を成膜することにより、密着性の
高いＩＴＯ膜を成膜することができ、ＩＴＯのパターニ
ング時のオーバーエッチングを無くすことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態に係るＩＴＯ膜の成膜方法
及びＩＴＯ電極の形成方法を採用して形成された配線基
板を備えた液晶素子の構造を示す断面図。

【図２】本発明の実施の形態に係るＩＴＯ膜の成膜方法
を採用したスパッタ装置の概略断面図。

【図３】ＩＴＯの密着力を評価するのに用いた高速テー
プ剥離試験機の概念図。

【図４】アルゴン圧とＩＴＯの密着力、ＩＴＯのシート
抵抗の関係を示すグラフ。

【図５】ＩＴＯ成膜の成膜レートと樹脂上のＩＴＯの密
着力の関係を示すグラフ。

【図６】ターゲットと基板間距離と樹脂上のＩＴＯの密
着力の関係を示すグラフ。

【図７】本発明の実施の形態に係る第１のＩＴＯ電極の
形成方法を説明する図。

【図８】本発明の実施の形態に係る第２のＩＴＯ電極の
形成方法を説明する図。

【図９】本発明の実施の形態に係る第３のＩＴＯ電極の
形成方法を説明する図。

【図１０】（ａ）はＩＴＯを成膜する従来の基板の全体
図、（ｂ）はその要部拡大図、（ｃ）はその断面図。

【符号の説明】

１液晶素子２配線基板３液晶６，２６ガラス基板７，４３透明電極１０金属電極１１絶縁層２０真空チャンバー３９ＩＴＯ膜４４カラーフィルター４５保護（平坦化）層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】スパッタ法により透光性基材にＩＴＯ膜
を成膜するＩＴＯ膜の成膜方法であって、スパッタガス圧を１．３〜２．０Ｐａとして前記透光性
基材上にアモルファス成分を含むＩＴＯ膜を成膜するこ
とを特徴とするＩＴＯ膜の成膜方法。
【請求項２】表面に透明樹脂が塗布された透光性基材
にスパッタ法によりＩＴＯ膜を成膜するＩＴＯ膜の成膜
方法であって、スパッタガス圧を１．３〜２．０Ｐａとして前記透明樹
脂上にアモルファス成分を含むＩＴＯ膜を成膜すること
を特徴とするＩＴＯ膜の成膜方法。
【請求項３】前記ＩＴＯ膜成膜時、前記透光性基材の
温度を１００℃以下に設定することを特徴とする請求項
１又は２記載のＩＴＯ膜の成膜方法。
【請求項４】前記ＩＴＯ膜の成膜レートを１５Å／ｓ
ｅｃ以下とすることを特徴とする請求項１乃至３のいず
れかに記載のＩＴＯ膜の成膜方法。
【請求項５】前記ＩＴＯ膜成膜時、スパッタ部材と前
記透光性基材との距離を１２０ｍｍ以下とすることを特
徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のＩＴＯ膜の
成膜方法。
【請求項６】透光性基板上にＩＴＯ電極を形成するＩ
ＴＯ電極の形成方法であって、スパッタガス圧を１．３〜２．０Ｐａとすると共に、前
記透光性基材の温度を１００℃以下に設定して該透光性
基材上にアモルファス成分を含むＩＴＯ膜を成膜するス
パッタ工程と、前記スパッタ工程で成膜されたＩＴＯ膜に対してフォト
リソグラフィ処理及びエッチング処理を行い、前記ＩＴ
Ｏ電極をパターニング形成する工程と、を有することを特徴とするＩＴＯ電極の形成方法。
【請求項７】透光性基板上にカラーフィルターを形成
した後、前記カラーフィルターの上にＩＴＯ電極を形成
するＩＴＯ電極の形成方法であって、前記透光性基板上にカラーフィルターと、該カラーフィ
ルターの上に透明樹脂にて保護・平坦化膜を形成する工
程と、スパッタガス圧を１．３〜２．０Ｐａとすると共に、前
記透光性基材の温度を１００℃以下に設定して前記保護
・平坦化膜上にアモルファス成分を含むＩＴＯ膜を成膜
するスパッタ工程と、前記スパッタ工程で成膜されたＩＴＯ膜に対してフォト
リソグラフィ処理及びエッチング処理を行い、前記ＩＴ
Ｏ電極をパターニング形成する工程と、を有することを特徴とするＩＴＯ電極の形成方法。
【請求項８】前記ＩＴＯ膜の成膜レートを１５Å／ｓ
ｅｃ以下とすることを特徴とする請求項６又は７記載の
ＩＴＯ電極の形成方法。
【請求項９】前記ＩＴＯ膜成膜時、スパッタ部材と前
記透光性基材との距離を１２０ｍｍ以下とすることを特
徴とする請求項６乃至８のいずれかに記載のＩＴＯ電極
の形成方法。
【請求項１０】透光性基板上に金属電極をパターン形
成した後、前記金属電極上にＩＴＯ電極を形成するＩＴ
Ｏ電極の形成方法であって、前記透光性基板上に金属電極をパターン形成する工程
と、前記金属電極間に高分子材料を充填して該金属電極を絶
縁すると共に前記金属電極と高分子材料の表面を平坦化
する工程と、スパッタガス圧を１．３〜２．０Ｐａとすると共に、前
記透光性基材の温度を１００℃以下に設定して前記金属
電極及び透光性樹脂の表面にアモルファス成分を含むＩ
ＴＯ膜を成膜するスパッタ工程と、前記スパッタ工程で成膜されたＩＴＯ膜に対してフォト
リソグラフィ処理及びエッチング処理を行い、前記ＩＴ
Ｏ電極をパターニング形成する工程と、を有することを特徴とするＩＴＯ電極の形成方法。
【請求項１１】透光性基材にＩＴＯ電極を形成した構
成の一対の配線基板間に液晶を挟持する液晶素子の製造
方法であって、スパッタガス圧を１．３〜２．０Ｐａとすると共に、前
記透光性基材の温度を１００℃以下に設定して該透光性
基材の表面にアモルファス成分を含むＩＴＯ膜を成膜す
るスパッタ工程と、前記スパッタ工程で成膜されたＩＴＯ膜に対してフォト
リソグラフィ処理及びエッチング処理を行い、パターニ
ング形成された前記ＩＴＯ電極を有する配線基板を形成
する工程と、前記配線基板を対向させると共に、前記液晶を挟持する
よう前記対向する配線基板間に液晶を充填する工程と、を有することを特徴とする液晶素子の製造方法。