KR890000135A - 초순수제조방법 및 초순수 사용방법 - Google Patents

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내용 없음

Description

초순수제조방법 및 초순수 사용방법

본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음

제1도는 본 발명의 초순수제조장치의 일실시예를 나타낸 개략구성도이고.

제2도는 비교예에 의한 초순수 제조방법에 의하여 얻어진 수질을 나타낸 특성도이고.

제3도는 본 발명의 실시예에 의하여 얻어진 추순수의 수질을 나타낸 특성도이고.

Claims (28)

1. 원수로부터 수증기를 발생시키고, 이 수증기를 기체는 투과시키나 액체는 투과시키지 않는 소수성 다공질막에 투과시킨후 응축시켜 초순수를 제조하는 방법에 있어서, 상기 원수를 비등시켜 그 원수증의 휘발성 성분을 기화시켜 제거한 후 수증기를 발생시키고, 그 수증기를 상기 소수성 다공질막과 접속시키는 것을 특징으로 하는 초순수 제조방법.
2. 원수로부터 수증기를 발생시키고, 이 수증기를 기체는 투과시키나 액체는 투과시키지 않는 소수성 다공질막에 투과시킨후 응축시켜 초순수를 제조하는 방법에 있어서, 상기 원수를 비등시켜 그 원수증의 휘발성 성분을 기화시켜 제거한 후 수증기를 발생시키고, 그 수증기를 상기 소수성 다공질막과 접속시켜 포화증기 또는 불활성가스의 분위기중에 투과시켜 응축하는 것을 특징으로 하는 초순수 제조방법.
3. 원수로부터 수증기를 발생시키고, 이 수증기를 기체는 투과시키나 액체는 투과시키지 않는 소수성 다공질막에 투과시킨후 응축시켜 초순수를 제조하는 방법에 있어서, 상기 원수를 가열하여 비등시켜 휘발성 성분을 기화시켜 제거하는 공정, 그공정을 종료한 원수로부터 수증기를 수증기를 발생시키고, 그 수증기를 상기 소수성 다공질막과 접속시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 초순수 제조방법.
4. 원수로부터 수증기를 발생시키고, 이 수증기를 기체는 투과시키나 액체는 투과시키지 않는 소수성 다공질막에 투과시킨후 응축시켜 초순수를 제조하는 방법에 있어서, 상기 원수를 감압하여 유지하고 비등시켜 휘발성 성분을 기화시켜 제거하는 공정, 그 공정을 종료한 원수로부터 수증기를 수증기를 발생시키고, 그 수증기를 상기 소수성 다공질막과 접속시키는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 초순수 제조방법.
5. 휘발성 성분 및 비휘발성 성분을 포함하는 원수를 비등시켜 휘발성 성분을 기화하여 제거하고, 이어서 원수로부터 수증기를 발생시키고, 그 수증기만을 기체 투과성 또는 액체 불투과성의 소수성 다공질막과 접속시켜 투과시킨 후 응축시키는 것을 특징으로 하는 초순수 제조방법.
6. 휘발성 성분 및 비휘발성 성분을 포함하는 원수를 비등시켜 휘발성 성분을 기화하여 제거하고, 이어서 원수를 가열하여 수증기를 발생시키고, 그 수증기만을 기체 투과성 액체 불투과성의 소수성 다공질막과 접속시켜 포화 증기 또는 불활성 가스의 분위기에 투과시켜 응축하는 것을 특징으로 하는 초순수 제조방법.
7. 휘발성 성분 및 비휘발성 성분을 포함하는 원수를 가열하여 비등시켜 휘발성 성분을 기화하여 제거하고, 이어서 원수를 다시 가열하여 수증기를 발생시키고, 그 수증기만을 기체 투과성 및 액체 불투과성의 소수성 다공질막과 접속시켜 투과시킨후 응축시키는 것을 특징으로 하는 초순수 제조방법.
8. 휘발성 성분 및 비휘발성 성분을 포함하는 원수를 가열하여 비등시켜 휘발성 성분을 기화하여 제거하고, 이어서 원수를 재가열하여 수증기를 발생시키고, 그 수증기만을 기체 투과성 및 액체 불투과성의 소수성 다공질막과 접속시켜 포화증기 또는 불활성 가스의 분위기에 투과시켜 응축시키는 것을 특징으로 하는 초순수 제조방법.
9. 휘발성 성분 및 비휘발성 성분을 포함하는 원수를 가열하여 비등시켜 휘발성 성분을 기화하여 제거하고, 이어서 상기 기화한 휘발성 성분을 포함하는 증기를 가열원으로 하여 원수를 재가열하여 수증기를 발생시키고, 그 수증기만을 기체 투과성 및 액체 불투과성의 소수성 다공질막과 접속시켜 투과시킨 후 응축하는 것을 특징으로 하는 초순수 제조방법.
10. 휘발성 성분 및 비휘발성 성분을 포함하는 원수를 가열하여 비등시켜 휘발성 성분을 기화하여 제거하고, 이어서 상기 기화한 휘발성 성분을 포함하는 증기를 가열원으로서 원수를 재가열하여 수증기를 발생시키고, 그 수증기만을 기체 투과성 또는 액체 불투과성의 소수성 다공질막과 접속시켜 포화증기 또는 불활성 가스 분위기에 투과시켜 응축하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 초순수 제조방법.
11. 휘발성 성분 및 비휘발성 성분을 포함하는 원수의 증기를 투과시키는 소수성 다공질막과 그 막을 투과한 수증기를 응축시키는 냉각수단을 구비하는 막증류탑을 가지는 초순수 제조장치에 있어서, 상기 막증류탑의 전단에 원수를 비등시키는 수단과, 원수의 비등에 의하여 기화한 휘발성 성분을 배출하는 수단을 구비하는 휘발성 성분 제거탑을 설치한 것을 특징으로 하는 초순수 제조장치.
12. 휘발성 성분 및 비휘발성 성분을 포함하는 우너수를 가열하는 수단과, 그 가열열에 의하여 기화한 휘발성 성분의 배출수단을 구비한 휘발설 성분제거탑, 상기 탑에서 처리된 원수를 증발시키는 가열수단과 그 가열에 의하여 발생한 수증기를 투과시키는 소수성 다공질막 및 그 막을 투과한 수증기를 응축시키는 냉각수단을 구비한 것을 특징으로 하는 초순수 제조장치.
13. 휘발성 성분 및 비휘발성 성분을 포함하는 원수의 증기를 투과시키는 소수성 다공질막과 그 막을 투과한 수증기를 응축시키는 냉각수단을 구비하는 막증류탑을 가지는 초순수 제조장치에 있어서, 상기 막증류탑의 전단에 원수를 비등시키는 수단과 원수의 비등에 의하여 기화한 휘발성 성분을 배출하는 수단을 구비하는 휘발성 성분 제거탑을 구비하고 또한 상기 막증류탑내의 수증기를 응축시키는 분위기를 포화증기 또는 불활성 가스로 하는 가스공급수단을 구비한 것을 특징으로 하는 초순수 제조장치.
14. 휘발성 성분 및 비휘발성 성분을 포함하는 원수를 비등시키는 감압수단과 원수의 비등에 의하여 기화한 휘발성 성분의 배출수단을 구비한 휘발성 성분제거탑, 상기 탑에서 처리된 원수를 증발시키는 가열수단과 그 가열에 의하여 발생한 수증기를 투과시키는 소수성 다공질막 및 그 막을 투과한 수증기를 응축시키는 냉각수단을 구비한 막증류탑을 설치한 것을 특징으로 하는 초순수 제조장치.
15. 휘발성 성분 및 비휘발성 성분을 포함하는 원수의 증기를 투과시키는 소수성 다공질막과 그 막을 투과한 수증기를 응축시키는 냉각수단을 구비하는 막증류탑을 가지는 초순수 제조장치에 있어서, 상기 막증류탑의 전단에 원수를 비등시키는 가열수단과, 원수의 비등에 의하여 기화한 휘발성 성분을 배출하는 수단을 구비하는 휘발성 성분 제거탑을 설치하고, 또한 그 휘발성 성분 제거탑에서 배출된 휘발성 성분을 포함하는 증기를 상기 막증류 탑내의 원수와 열교환하는 수단을 구비한 것을 특징으로 하는 초순수 제조장치.
16. 휘발성 성분 및 비휘발성 성분을 포함하는 원수를 비등시켜 비휘발성 성분을 기화하여 제거하는 공정, 이어서 원수를 가열하여 수증기를 발생시켜 그 수증기를 소수성 다공질막을 투과시켜 응축하는 공정에 의하여 상온 이상의 온도로 가열된 초순수를 제조하고, 그 초순수를 사용하여 반도체 집적회로를 세정하는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로의 세정방법.
17. 휘발성 성분 및 비휘발성 성분을 포함하는 원수를 비등시켜 비휘발성 성분을 기화하여 제거하는 공정, 이어서 원수를 가열하여 수증기를 발생시켜 그 수증기를 소수성 다공질막을 투과시켜 응축하는 공정에 의하여 초순수를 제조하고, 그 초순수를 사용하여 의료기구를 세정하는 것을 특징으로 하는 의료기기의 세정방법.
18. 초순수의 사용지점을 외부와 격리하는 클리룸의 밖에서 원수로부터 수증기를 발생시키고, 그 수증기를 기상 상태로 클린룸내에 이송하고, 사용지점 근처에 배치된 소수성 다공질막을 장비한 응축기에서 응축시키는 것을 특징으로 하는 초순수 제조방법.
19. 제18항에 있어서, 원수중의 탄산가스나 유기물을 제거한후, 그 원수로부터 수증기를 발생시키는 것을 특징으로 하는 초순수 제조방법.
20. 소수성 다공질막을 투과한 증기를 응축하여 얻은 물과 반도체 웨이퍼를 접촉시켜 상기 반도체 웨이퍼의 Si면을 산화하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 수증 산화방법.
21. 제20항에 있어서, 상기 물의 온도 및/또는 상기물과 상기 반도체 웨이퍼의 접촉시간을 변화시켜, 산화막 두께를 조절하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 수증 산화방법.
22. 약액을 사용하여 반도체 웨이퍼를 세정하는 제1공정과, 이어서 초순수를 사용하여 상기 반도체 웨이퍼를 세정하는 제2공정과, 계속하여 소수성 다공질막을 통과한 수증기를 응축시켜 얻은 응축수 중에서 상기 반도체 웨이퍼의 표면에 산화막을 형성시키는 제3공정과, 다음에 상기 반도체 웨이퍼를 건조하는 제4공정과, 그 다음 상기 반도체 웨이퍼를 산화하는 제5공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법.
23. 제22항에 있어서, 상기 제2공정의 초순수가 소수성 다공질막을 통과한 수증기를 응축시켜 얻은 응축수인 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법.
24. 제22항에 있어서, 상기 제4공정이 소수성 다공질막을 통과한 수증기를 사용하여 상기 반도체 웨이퍼를 건조하는 것을 특징으로 하는 반도체 제조방법.
25. 기판에 부착되는 오염물을 용매나 초순수로 순차 세정제거하는 것에 있어서, 최종적으로 초순수로 기판을 세정하고, 그 기판을 가열하여 그 표면에 부착하는 물에 열전달시켜 증발시키는 것을 특징으로 하는 기판이 세정 건조방법.
26. 제25항에 있어서, 상기 기판의 온도를 고온측으로 하여 그 부착수의 증발속도를 조정하는 것을 특징으로 하는 기판의 세정 건조방법.
27. 제25항에 있어서, 초순수가 증발에 의한 증류 혹은 막증류에 의하여 생성된 것을 특징으로 하는 기판의 세정 건조방법.
28. 제25항에 있어서, 기판을 먼지가 발생하지 않는 청징 분위기를 유지한 용기내에 수납하고, 그 기판의 온도를 물의 포화온도 또는 용기내의 기압에 대한 온도이고, 초순수중에 용해되는 유기물의 비점 가까이, 혹은 그 이상으로 가열하여, 그 증발 속도를 조절하는 기판의 세정 건조방법.

    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.