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KR20170127370A - 웨이퍼의 가공 방법 - Google Patents

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KR20170127370A
KR20170127370A KR1020170058101A KR20170058101A KR20170127370A KR 20170127370 A KR20170127370 A KR 20170127370A KR 1020170058101 A KR1020170058101 A KR 1020170058101A KR 20170058101 A KR20170058101 A KR 20170058101A KR 20170127370 A KR20170127370 A KR 20170127370A
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가즈마 세키야
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가부시기가이샤 디스코
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Abstract

[과제] 본 발명은 웨이퍼를 적절하게 분할할 수 있는 생산성이 높은 웨이퍼의 가공 방법을 제공한다.
[해결 수단] 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼(11)에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선(L)을 웨이퍼의 내부에 집광하면서 분할 예정 라인(13)을 따라서 조사하여, 웨이퍼의 내부에 분할 예정 라인을 따르는 개질층(17)을 형성하는 개질층 형성 공정과, 개질층 형성 공정의 전 또는 후에, 웨이퍼의 이면(11b)에 신축성을 갖는 다이싱 테이프(31)를 접착하여, 다이싱 테이프의 외주부를 고리형의 프레임(33)에 장착하는 웨이퍼 지지 공정과, 다이싱 테이프를 확장하는 테이프 확장 공정과, 다이싱 테이프가 확장된 상태로 웨이퍼에 에어(A)를 분무하여, 개질층이 형성된 분할 예정 라인을 따라서 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하고, 디바이스 칩끼리의 간격을 넓히는 에어 분무 공정을 포함한다.

Description

웨이퍼의 가공 방법{WAFER PROCESSING METHOD}
본 발명은, 웨이퍼를 복수의 칩으로 분할하기 위한 웨이퍼의 가공 방법에 관한 것이다.
실리콘이나 SiC, 사파이어 등의 재료로 이루어진 웨이퍼를 복수의 칩으로 분할할 때에는, 예컨대 투과성의 레이저 광선을 집광하여 다광자 흡수를 발생시킴으로써 웨이퍼의 내부를 국소적으로 개질하여 개질층(개질 영역)을 형성한다(예컨대 특허문헌 1, 2 참조).
개질층은 다른 영역에 비교해서 취약하기 때문에, 이후에 작은 힘을 가하는 것만으로, 웨이퍼를 파단하여 복수의 칩으로 분할할 수 있다. 웨이퍼에 힘을 가하는 방법으로는, 예컨대 웨이퍼에 접착한 신축성이 있는 다이싱 테이프(익스팬드 테이프)를 확장하는 방법이나, 웨이퍼의 분할 예정 라인(스트리트)에 대하여 블레이드를 대고 누르는 방법 등이 있다.
특허문헌 1 : 일본 특허 공개 제2005-223284호 공보 특허문헌 2 : 일본 특허 공개 제2006-12902호 공보
그러나, 신축성이 있는 다이싱 테이프를 확장하는 방법에서는, 다이싱 테이프의 확장량이 부족하여 웨이퍼를 적절하게 파단할 수 없는 경우가 있다. 또한, 이 방법은, 큰 힘을 얻기에 적합하지 않기 때문에, 웨이퍼의 종류에 따라서는 전혀 파단할 수 없는 경우도 있었다.
한편, 블레이드를 대고 누르는 방법에 의하면, 웨이퍼를 파단하기에 충분한 힘을 얻을 수 있다. 그러나, 이 방법에서는, 모든 분할 예정 라인에 블레이드를 대고 눌러야 하기 때문에, 생산성의 점에 문제가 있었다.
본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 웨이퍼를 적절하게 분할할 수 있는 생산성이 높은 웨이퍼의 가공 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 일양태에 의하면, 격자형으로 설정되는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 표면측의 복수의 영역에 디바이스가 형성된 웨이퍼를, 상기 분할 예정 라인을 따라서 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 웨이퍼의 가공 방법으로서, 웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 웨이퍼의 내부에 집광하면서 상기 분할 예정 라인을 따라서 조사하여, 웨이퍼의 내부에 상기 분할 예정 라인을 따르는 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정과, 상기 개질층 형성 공정의 전 또는 후에, 웨이퍼의 이면에 신축성을 갖는 다이싱 테이프를 접착하여, 상기 다이싱 테이프의 외주부를 고리형의 프레임에 장착하는 웨이퍼 지지 공정과, 상기 다이싱 테이프를 확장하는 테이프 확장 공정과, 상기 다이싱 테이프가 확장된 상태로 웨이퍼에 에어를 분무하여, 상기 개질층이 형성된 상기 분할 예정 라인을 따라서 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하고, 디바이스 칩끼리의 간격을 넓히는 에어 분무 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공 방법이 제공된다.
본 발명의 일양태에 있어서, 상기 에어 분무 공정에서는, 에어 나이프로 에어를 분무하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 일양태에 있어서, 상기 개질층 형성 공정을 실시하기 전에, 표면에 보호 부재가 접착된 웨이퍼의 이면을 연삭하여, 웨이퍼를 미리 정해진 두께로 가공하는 이면 연삭 공정을 실시해도 좋다.
또한, 본 발명의 일양태에 있어서, 상기 테이프 확장 공정과 동시에 상기 에어 분무 공정을 시작해도 좋다.
본 발명의 일양태에 관한 웨이퍼의 가공 방법에 의하면, 웨이퍼의 이면에 접착된 다이싱 테이프를 확장한 상태로 웨이퍼에 에어를 분무하기 때문에, 다이싱 테이프를 확장함으로써 발생하는 힘과, 에어를 분무함으로써 발생하는 힘을 이용하여 웨이퍼를 적절하게 분할할 수 있다.
또한, 본 발명의 일양태에 관한 웨이퍼의 가공 방법에서는, 다이싱 테이프를 확장한 상태로 웨이퍼에 에어를 분무하기만 하면 되며, 모든 분할 예정 라인에 블레이드 등을 대고 누를 필요가 없기 때문에, 생산성도 높아진다. 이와 같이, 본 발명의 일양태에 의하면, 웨이퍼를 적절하게 분할할 수 있는 생산성이 높은 웨이퍼의 가공 방법을 얻을 수 있다.
또한, 본 발명의 일양태에 관한 웨이퍼의 가공 방법에서는, 분할 예정 라인에 블레이드 등을 대고 누를 필요가 없기 때문에, 웨이퍼를 분할할 때에 디바이스 칩이 파손될 가능성을 낮게 억제할 수 있다.
또한, 본 발명의 일양태에 관한 웨이퍼의 가공 방법에서는, 다이싱 테이프를 확장한 상태로 웨이퍼에 에어를 분무하기 때문에, 웨이퍼가 디바이스 칩으로 분할되면, 디바이스 칩끼리의 간격도 넓어진다. 따라서, 이후에 디바이스 칩끼리 접촉하여 파손될 가능성을 낮게 억제할 수 있다.
도 1은 웨이퍼 등을 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 2는 이면 연삭 공정을 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 3은 이면 연삭 공정을 모식적으로 나타내는 측면도이다.
도 4는 개질층 형성 공정을 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 5는 개질층 형성 공정을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다.
도 6의 (A) 및 도 6의 (B)는, 웨이퍼 지지 공정을 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 7의 (A) 및 도 7의 (B)는, 테이프 확장 공정을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다.
도 8의 (A) 및 도 8의 (B)는, 에어 분무 공정을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다.
도 9의 (A) 및 도 9의 (B)는, 변형예에 관한 웨이퍼 지지 공정을 모식적으로 나타내는 사시도이다.
도 10의 (A) 및 도 10의 (B)는, 변형예에 관한 테이프 확장 공정을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다.
도 11의 (A) 및 도 11의 (B)는, 변형예에 관한 에어 분무 공정을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다.
첨부 도면을 참조하여, 본 발명의 일양태에 관한 실시형태에 관해 설명한다. 본 실시형태에 관한 웨이퍼의 가공 방법은, 이면 연삭 공정(도 2 및 도 3 참조), 개질층 형성 공정(도 4 및 도 5 참조), 웨이퍼 지지 공정(도 6의 (A) 및 도 6의 (B) 참조), 테이프 확장 공정(도 7의 (A) 및 도 7의 (B) 참조) 및 에어 분무 공정(도 8의 (A) 및 도 8의 (B) 참조)을 포함한다.
이면 연삭 공정에서는, 웨이퍼의 이면을 연삭함으로써, 웨이퍼를 소정의 두께로 가공한다. 개질층 형성 공정에서는, 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 조사, 집광하여, 분할 예정 라인을 따르는 개질층을 웨이퍼의 내부에 형성한다. 웨이퍼 지지 공정에서는, 신축성을 갖는 다이싱 테이프를 웨이퍼의 이면에 접착하여, 이 다이싱 테이프의 외주부를 고리형의 프레임에 고정한다.
테이프 확장 공정에서는, 웨이퍼의 이면에 접착한 다이싱 테이프를 확장한다. 에어 분무 공정에서는, 다이싱 테이프를 확장한 상태로 웨이퍼에 에어를 분무한다. 이에 따라, 개질층이 형성된 분할 예정 라인을 따라서 웨이퍼를 디바이스 칩으로 분할하고, 또한, 디바이스 칩끼리의 간격을 넓힐 수 있다. 이하, 본 실시형태에 관한 웨이퍼의 가공 방법에 관해 상세히 설명한다.
도 1은, 본 실시형태에서 가공되는 웨이퍼 등을 모식적으로 나타내는 사시도이다. 도 1에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(피가공물)(11)는, 예컨대 사파이어, SiC 등의 재료로 원반형으로 형성되어 있고, 그 표면(11a)측은, 중앙의 디바이스 영역과, 디바이스 영역을 둘러싸는 외주 잉여 영역으로 나누어져 있다. 디바이스 영역은, 격자형으로 설정된 복수의 분할 예정 라인(스트리트)(13)에 의해 더욱 복수의 영역으로 구획되어 있고, 각 영역에는 LED 등의 디바이스(15)가 형성되어 있다.
또, 본 실시형태에서는, 사파이어, SiC 등의 재료로 이루어진 웨이퍼(11)를 이용하지만, 웨이퍼(11)의 재질, 형상, 구조 등에 제한은 없다. 예컨대, 임의의 반도체, 세라믹, 수지, 금속 등의 재료로 이루어진 웨이퍼(11)를 이용할 수도 있다. 마찬가지로, 분할 예정 라인(13)의 배치나 디바이스(15)의 종류 등에도 제한은 없다.
본 실시형태에서는, 이와 같이 구성된 웨이퍼(11)의 표면(11a)측에, 미리 보호 부재(21)를 접착해 놓는다. 보호 부재(21)는, 예컨대 웨이퍼(11)와 대략 동일한 형태의 테이프(필름), 수지 등의 재료로 이루어진 기판, 웨이퍼(11)와 동종 또는 이종의 웨이퍼 등이며, 그 제1면(21a)측에는, 접착력이 있는 수지 등으로 이루어진 접착층(풀층)이 형성된다.
따라서, 웨이퍼(11)의 표면(11a)측에 보호 부재(21)의 제1면(21a)측을 접촉시킴으로써, 웨이퍼(11)에 보호 부재(21)를 접착할 수 있다. 이와 같이 웨이퍼(11)에 보호 부재(21)를 접착함으로써, 연삭시에 가해지는 하중 등에 의한 디바이스(15)의 파손을 방지할 수 있다.
본 실시형태에 관한 웨이퍼의 가공 방법에서는, 우선, 웨이퍼(11)를 소정의 두께로 가공하기 위해, 웨이퍼(11)의 이면(11b)을 연삭하는 이면 연삭 공정을 실시한다. 도 2는, 이면 연삭 공정을 모식적으로 나타내는 사시도이며, 도 3은, 이면 연삭 공정을 모식적으로 나타내는 측면도이다. 이면 연삭 공정은, 예컨대 도 2 및 도 3에 나타내는 연삭 장치(2)에 의해 실시된다.
연삭 장치(2)는, 웨이퍼(11)를 흡인, 유지하기 위한 척 테이블(4)을 구비하고 있다. 척 테이블(4)은, 모터 등의 회전 구동원(도시되지 않음)에 연결되어 있고, 수직 방향에 대략 평행한 회전축의 둘레에 회전한다. 또한, 척 테이블(4)의 하측에는 테이블 이동 기구(도시되지 않음)가 설치되어 있고, 척 테이블(4)은 이 테이블 이동 기구에 의해 수평 방향으로 이동한다.
척 테이블(4)의 상면의 일부는, 웨이퍼(11)에 접착된 보호 부재(21)의 제2면(21b)측을 흡인, 유지하는 유지면(4a)으로 되어 있다. 이 유지면(4a)에는, 척 테이블(4)의 내부에 형성된 유로(도시되지 않음) 등을 통하여 흡인원(도시되지 않음)의 부압이 작용하여, 보호 부재(21)를 흡인하기 위한 흡인력이 발생한다.
척 테이블(4)의 상측에는 연삭 유닛(6)이 배치되어 있다. 연삭 유닛(6)은, 연삭 유닛 승강 기구(도시되지 않음)에 지지된 스핀들 하우징(도시되지 않음)을 구비한다. 스핀들 하우징에는 스핀들(8)이 수용되어 있고, 스핀들(8)의 하단부에는 원반형의 마운트(10)가 고정되어 있다. 이 마운트(10)의 하면에는, 마운트(10)와 대략 동일한 직경의 연삭 휠(12)이 장착된다.
연삭 휠(12)은, 스테인레스, 알루미늄 등의 금속 재료로 형성된 휠 베이스(14)를 구비하고 있다. 휠 베이스(14)의 하면에는, 복수의 연삭 지석(16)이 고리형으로 배열되어 있다. 스핀들(8)의 상단측(기단측)에는, 모터 등의 회전 구동원(도시되지 않음)이 연결되어 있고, 연삭 휠(12)은, 이 회전 구동원으로부터 전달되는 회전력에 의해, 수직 방향에 대략 평행한 회전축의 둘레에 회전한다.
이면 연삭 공정에서는, 우선, 웨이퍼(11)에 접착된 보호 부재(21)의 제2면(21b)을 척 테이블(4)의 유지면(4a)에 접촉시켜, 흡인원의 부압을 작용시킨다. 이에 따라, 웨이퍼(11)는, 이면(11b)측이 상측으로 노출된 상태로 척 테이블(4)에 흡인, 유지된다.
다음으로, 척 테이블(4)을 연삭 휠(12)의 하측으로 이동시킨다. 그리고, 도 2 및 도 3에 나타낸 바와 같이, 척 테이블(4)과 연삭 휠(12)을 각각 회전시켜, 순수 등의 연삭액을 공급하면서 스핀들 하우징(스핀들(8))을 하강시킨다. 스핀들 하우징의 하강량은, 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 연삭 지석(16)의 하면을 대고 누르는 정도에 따라 조정된다.
이에 따라, 웨이퍼(11)의 이면(11b)측을 연삭할 수 있다. 이 연삭은, 예컨대 웨이퍼(11)의 두께를 측정하면서 수행된다. 웨이퍼(11)가 소정의 두께(대표적으로는, 디바이스 칩의 마무리 두께)까지 얇아지면, 이면 연삭 공정은 종료한다.
이면 연삭 공정의 후에는, 분할 예정 라인(13)을 따르는 개질층을 웨이퍼(11)의 내부에 형성하기 위해, 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 웨이퍼(11)에 조사, 집광하는 개질층 형성 공정을 실시한다. 도 4는, 개질층 형성 공정을 모식적으로 나타내는 사시도이며, 도 5는, 개질층 형성 공정을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다. 개질층 형성 공정은, 예컨대 도 4 및 도 5에 나타내는 레이저 가공 장치(22)에 의해 실시된다.
레이저 가공 장치(22)는, 웨이퍼(11)를 흡인, 유지하는 척 테이블(24)을 구비하고 있다. 척 테이블(24)은, 모터 등의 회전 구동원(도시되지 않음)에 연결되어 있고, 수직 방향에 대략 평행한 회전축의 둘레에 회전한다. 또한, 척 테이블(24)의 하측에는 테이블 이동 기구(도시되지 않음)가 설치되어 있고, 척 테이블(24)은 이 테이블 이동 기구에 의해 수평 방향으로 이동한다.
척 테이블(24)의 상면의 일부는, 웨이퍼(11)에 접착된 보호 부재(21)의 제2면(21b)측을 흡인, 유지하는 유지면(24a)으로 되어 있다. 이 유지면(24a)에는, 척 테이블(24)의 내부에 형성된 유로(도시되지 않음) 등을 통하여 흡인원(도시되지 않음)의 부압이 작용하여, 보호 부재(21)를 흡인하기 위한 흡인력이 발생한다.
척 테이블(24)의 상측에는 레이저 가공 유닛(26)이 배치되어 있다. 레이저 가공 유닛(26)에 인접하는 위치에는, 웨이퍼(11)를 촬상하기 위한 카메라(촬상 유닛)(28)가 설치되어 있다. 레이저 가공 유닛(26)은, 레이저 발진기(도시되지 않음)에 의해 펄스 발진된 레이저 광선(L)을 소정의 위치에 조사, 집광한다. 레이저 발진기는, 웨이퍼(11)에 흡수되기 어려운 파장(투과성을 갖는 파장)의 레이저 광선(L)을 펄스 발진할 수 있도록 구성되어 있다.
개질층 형성 공정에서는, 우선, 웨이퍼(11)에 접착된 보호 부재(21)의 제2면(21b)을 척 테이블(24)의 유지면에 접촉시켜, 흡인원의 부압을 작용시킨다. 이에 따라, 웨이퍼(11)는, 이면(11b)측이 상측으로 노출된 상태로 척 테이블(24)에 흡인, 유지된다.
다음으로, 웨이퍼(11)를 유지한 척 테이블(24)을 이동, 회전시켜, 레이저 가공 유닛(26)을 가공 대상의 분할 예정 라인(13)의 단부에 맞춘다. 그리고, 레이저 가공 유닛(26)으로부터 웨이퍼(11)의 이면(11b)을 향해서 레이저 광선(L)을 조사하면서, 척 테이블(24)을 가공 대상의 분할 예정 라인(13)에 평행한 방향으로 이동시킨다. 즉, 웨이퍼(11)의 이면(11b)측으로부터 분할 예정 라인(13)을 따라서 레이저 광선(L)을 조사한다.
이 때, 레이저 광선(L)의 집광점의 위치를 웨이퍼(11)의 내부에 맞춘다. 이에 따라, 레이저 광선(L)의 집광점 근방을 다광자 흡수로 개질하여, 가공 대상의 분할 예정 라인(13)을 따르는 개질층(개질 영역)(17)을 형성할 수 있다. 척 테이블(24)의 이동, 회전과, 레이저 광선(L)의 조사, 집광을 반복하여, 예컨대 모든 분할 예정 라인(13)을 따라서 개질층(17)이 형성되면, 개질층 형성 공정은 종료한다.
개질층 형성 공정의 후에는, 신축성을 갖는 다이싱 테이프를 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 접착하여, 이 다이싱 테이프의 외주부를 고리형의 프레임에 고정하는 웨이퍼 지지 공정을 실시한다. 도 6의 (A) 및 도 6의 (B)는, 웨이퍼 지지 공정을 모식적으로 나타내는 사시도이다.
웨이퍼 지지 공정에서는, 도 6의 (A)에 나타낸 바와 같이, 척 테이블(24)로부터 제거한 웨이퍼(11)의 이면(11b)에, 신축성을 가지며 웨이퍼(11)보다 직경이 큰 다이싱 테이프(31)를 접착한다. 또한, 다이싱 테이프(31)의 외주부에 고리형의 프레임(33)을 고정한다. 즉, 고리형의 프레임(33)에 다이싱 테이프(31)의 외주부를 장착한다.
또, 프레임(33)을 고정하는 타이밍에 특별한 제한은 없다. 예컨대, 프레임(33)이 고정된 후의 다이싱 테이프(31)를 웨이퍼(11)에 접착해도 좋고, 웨이퍼(11b)에 다이싱 테이프(31)를 접착하고 나서, 이 다이싱 테이프(31)에 프레임(33)을 고정해도 좋다.
이에 따라, 웨이퍼(11)는, 다이싱 테이프(31)를 통해 프레임(33)에 지지된다. 프레임(33)으로 웨이퍼(11)를 지지한 후에는, 도 6의 (B)에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(11)의 표면(11a)에 접착되어 있는 보호 부재(21)를 박리, 제거한다. 보호 부재(21)가 박리, 제거되면, 웨이퍼 지지 공정은 종료한다.
웨이퍼 지지 공정의 후에는, 웨이퍼(11)에 접착한 다이싱 테이프(31)를 확장하기 위한 테이프 확장 공정과, 다이싱 테이프(31)를 확장한 상태로 웨이퍼(11)에 에어를 분무하기 위한 에어 분무 공정을 실시한다. 도 7의 (A) 및 도 7의 (B)는, 테이프 확장 공정을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이며, 도 8의 (A) 및 도 8의 (B)는, 에어 분무 공정을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다.
테이프 확장 공정 및 에어 분무 공정은, 예컨대 도 7의 (A), 도 7의 (B), 도 8의 (A) 및 도 8의 (B)에 나타내는 확장 분할 장치(32)에 의해 실시된다. 확장 분할 장치(32)는, 웨이퍼(11)나 프레임(33) 등을 지지하기 위한 지지 구조(34)와, 다이싱 테이프(31)를 확장하기 위한 원통형의 확장 드럼(36)을 구비하고 있다. 확장 드럼(36)의 내경은 웨이퍼(11)의 직경보다 크고, 확장 드럼(36)의 외경은 프레임(33)의 내경보다 작다.
지지 구조(34)는, 프레임(33)을 지지하기 위한 프레임 지지 테이블(38)을 포함한다. 이 프레임 지지 테이블(38)의 상면은, 프레임(33)을 지지하는 지지면으로 되어 있다. 프레임 지지 테이블(38)의 외주 부분에는, 프레임(33)을 고정하기 위한 복수의 클램프(40)가 설치되어 있다.
지지 구조(34)의 하측에는 승강 기구(42)가 설치되어 있다. 승강 기구(42)는, 하측의 베이스(도시되지 않음)에 고정된 실린더 케이스(44)와, 실린더 케이스(44)에 삽입된 피스톤 로드(46)를 구비하고 있다. 피스톤 로드(46)의 상단부에는 프레임 지지 테이블(38)이 고정되어 있다. 이 승강 기구(42)는, 확장 드럼(36)의 상단에 대략 같은 높이의 기준 위치와, 확장 드럼(36)의 상단보다 하측의 확장 위치의 사이에서, 프레임 지지 테이블(38)의 상면(지지면)이 이동하도록 지지 구조(34)를 승강시킨다.
지지 구조(34) 및 확장 드럼(36)의 상측에는, 도 8의 (A) 등에 나타낸 바와 같이, 하측을 향해 에어(A)를 분사하는 에어 나이프(에어 노즐)(48)가 배치되어 있다. 에어 나이프(48)는, 프레임 지지 테이블(38)의 상면에 대하여 평행한 방향으로 신장되어 있고, 그 신장되는 방향(신장 방향)의 길이는 웨이퍼(11)의 직경보다 크게 되어 있다.
또한, 에어 나이프(48)는, 예컨대 이동 기구(도시되지 않음)에 연결되어 있고, 에어 나이프(48)의 신장 방향에 대하여 수직, 또한 프레임 지지 테이블(38)의 상면에 대하여 평행한 방향으로 이동할 수 있다. 또, 에어 나이프(48) 대신에, 지지 구조(34)나 확장 드럼(36) 등을 이동시킬 수 있도록 구성해도 좋다.
테이프 확장 공정에서는, 우선, 도 7의 (A)에 나타낸 바와 같이, 기준 위치로 이동시킨 프레임 지지 테이블(38)의 상면에 프레임(33)을 얹고, 클램프(40)로 고정한다. 이에 따라, 확장 드럼(36)의 상단은, 웨이퍼(11)와 프레임(33) 사이의 다이싱 테이프(31)에 접촉한다.
다음으로, 승강 기구(42)에 의해 지지 구조(34)를 하강시켜, 도 7의 (B)에 나타낸 바와 같이, 프레임 지지 테이블(38)의 상면을 확장 드럼(36)의 상단보다 하측의 확장 위치로 이동시킨다. 그 결과, 확장 드럼(36)은 프레임 지지 테이블(38)에 대하여 상승하고, 다이싱 테이프(31)는 확장 드럼(36)에 의해 밀려 올라가도록 확장된다.
테이프 확장 공정과 동시에 또는 테이프 확장 공정의 후에, 에어(A)를 분무하기 위한 에어 분무 공정을 실시한다. 에어 분무 공정에서는 우선, 웨이퍼(11)의 분할 예정 라인(13)의 일부가 신장되는 제1 방향에 대하여, 에어 나이프(48)의 신장 방향을 일치시킨다. 이에 따라, 제1 방향으로 신장되는 분할 예정 라인(13)에 에어(A)를 분무할 수 있게 된다. 또, 이 처리는, 테이프 확장 공정에서 프레임(33)을 고정할 때에 행해져도 좋다.
다음으로, 에어 나이프(48)로부터 하측으로 에어(A)를 분사하면서, 에어 나이프(48)의 신장 방향에 대하여 수직, 또한 프레임 지지 테이블(38)의 상면에 대하여 평행한 방향(즉, 웨이퍼(11)의 제1 방향에 수직인 제2 방향)으로, 에어 나이프(48)와, 지지 구조(34) 및 확장 드럼(36)을 상대적으로 이동시킨다. 도 8의 (A)에 나타낸 바와 같이, 에어 나이프(48)가 분할 예정 라인(13)의 상측에 도달하면, 에어 나이프(48)로부터 분무되는 에어(A)에 의해 대상의 분할 예정 라인(13)의 근방에 하측으로 향하는 힘이 작용한다.
웨이퍼(11)에는, 이미 다이싱 테이프(31)를 확장하는 방향의 힘(본 실시형태에서는, 웨이퍼(11)의 직경 방향의 힘)이 작용하고 있다. 따라서, 다이싱 테이프(31)의 확장에 의해 발생한 힘과, 에어(A)를 분무함으로써 발생한 힘의 상승적인 작용에 의해, 웨이퍼(11)는, 개질층(17)이 형성되어 제1 방향으로 신장되는 분할 예정 라인(13)을 따라서 적절하게 파단된다.
여기서는, 에어 나이프(48)로부터 에어(A)를 분사하면서, 이 에어 나이프(48)와, 지지 구조(34) 및 확장 드럼(36)을 상대적으로 이동시키고 있다. 따라서, 도 8의 (B)에 나타낸 바와 같이, 제1 방향으로 신장되는 모든 분할 예정 라인(13)을 따라서 웨이퍼(11)를 파단할 수 있다.
제1 방향으로 신장되는 모든 분할 예정 라인(13)을 따라서 웨이퍼(11)를 파단한 후에는, 예컨대 웨이퍼(11) 등을 회전시켜, 나머지 분할 예정 라인이 신장되는 제2 방향에 대하여, 에어 나이프(48)의 신장 방향을 일치시킨다. 그리고, 에어 나이프(48)로부터 하측으로 에어(A)를 분사하면서, 에어 나이프(48)의 신장 방향에 대하여 수직, 또한 프레임 지지 테이블(38)의 상면에 대하여 평행한 방향(즉, 웨이퍼(11)의 제1 방향)으로, 에어 나이프(48)와, 지지 구조(34) 및 확장 드럼(36)을 상대적으로 이동시킨다.
이에 따라, 제2 방향으로 신장되는 모든 분할 예정 라인(13)을 따라서 웨이퍼(11)를 파단할 수 있다. 모든 분할 예정 라인(13)을 따라서 웨이퍼(11)가 파단되어, 복수의 디바이스 칩으로 분할되면, 에어 분무 공정은 종료한다. 또, 이 에어 분무 공정은, 다이싱 테이프(31)를 확장한 상태로 행해지기 때문에, 웨이퍼(11)가 디바이스 칩으로 분할되면, 디바이스 칩끼리의 간격도 넓어진다. 따라서, 이후에 디바이스 칩끼리 접촉하여 파손될 가능성을 낮게 억제할 수 있다.
이상과 같이, 본 실시형태에 관한 웨이퍼의 가공 방법에 의하면, 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 접착된 다이싱 테이프(31)를 확장한 상태로 웨이퍼(11)에 에어(A)를 분무하기 때문에, 다이싱 테이프(31)를 확장함으로써 발생하는 힘과, 에어(A)를 분무함으로써 발생하는 힘을 이용하여 웨이퍼(11)를 적절하게 분할할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 관한 웨이퍼의 가공 방법에서는, 다이싱 테이프(31)를 확장한 상태로 웨이퍼(11)에 에어(A)를 분무하기만 하면 되며, 모든 분할 예정 라인(13)에 블레이드 등을 대고 누를 필요가 없기 때문에, 생산성도 높아진다. 이와 같이, 본 실시형태에 의하면, 웨이퍼(11)를 적절하게 분할할 수 있는 생산성이 높은 웨이퍼의 가공 방법을 얻을 수 있다.
또한, 본 실시형태에 관한 웨이퍼의 가공 방법에서는, 분할 예정 라인(13)에 블레이드 등을 대고 누를 필요가 없기 때문에, 웨이퍼를 분할할 때에 디바이스 칩이 파손될 가능성을 낮게 억제할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 관한 웨이퍼의 가공 방법에서는, 다이싱 테이프(31)를 확장한 상태로 웨이퍼(11)에 에어(A)를 분무하기 때문에, 웨이퍼(11)가 디바이스 칩으로 분할되면, 디바이스 칩끼리의 간격도 넓어진다. 따라서, 이후에 디바이스 칩끼리 접촉하여 파손될 가능성을 낮게 억제할 수 있다.
또, 본 발명은 상기 실시형태의 기재에 한정되지 않고, 다양하게 변경하여 실시 가능하다. 예컨대, 상기 실시형태에서는, 웨이퍼(11)의 이면(11b)을 연삭하는 이면 연삭 공정을 실시하고 있지만, 이 이면 연삭 공정을 생략할 수도 있다.
또한, 상기 실시형태에서는, 개질층 형성 공정의 후에 웨이퍼 지지 공정을 실시하고 있지만, 개질층 형성 공정의 전에 웨이퍼 지지 공정을 실시해도 좋다. 이 경우, 웨이퍼(11)의 이면(11b)측에 다이싱 테이프(31)를 접착하여, 웨이퍼(11)의 표면(11a)측으로부터 레이저 광선(L)을 조사해도 좋고, 웨이퍼(11)의 표면(11a)측에 다이싱 테이프(31)를 접착하여, 웨이퍼(11)의 이면(11b)측으로부터 레이저 광선(L)을 조사해도 좋다.
또한, 상기 실시형태에서는, 에어 나이프(48)를 이용하여 웨이퍼(11)에 에어를 분무하고 있지만, 에어를 분무하기 위한 수단에 제한은 없다. 예컨대, 에어를 분사할 수 있는 일반적인 노즐 등을 이용해도 좋다.
또한, 상기 실시형태에서는, 에어 나이프(48)와, 지지 구조(34) 및 확장 드럼(36)을 상대적으로 이동시키는 동안에 에어(A)를 계속 분사하고 있지만, 예컨대 카메라(촬상 유닛)(28) 등으로 분할 예정 라인(13)의 위치를 확인한 후에, 이 분할 예정 라인(13)에 맞춰 에어(A)를 분사할 수도 있다.
또한, 상기 실시형태에서는, 웨이퍼(11)에 대하여 에어 나이프(48)로부터의 에어(A)를 직접 분무하고 있지만, 표면(11a)을 보호하는 보호 시트나, 이면(11b)에 접착한 다이싱 테이프(31) 등을 통해, 웨이퍼(11)의 표면(11a)측 또는 이면(11b)측으로부터 에어를 분무할 수도 있다. 이 경우에는, 에어에 혼입된 먼지 등의 이물질이 웨이퍼(11)에 부착되기 어려워진다.
또한, 예컨대 DAF(Die Attach Film) 등의 다이본드용 필름을 접착하고 나서 웨이퍼(11)를 분할할 수도 있다. 도 9의 (A) 및 도 9의 (B)는, 변형예에 관한 웨이퍼 지지 공정을 모식적으로 나타내는 사시도이며, 도 10의 (A) 및 도 10의 (B)는, 변형예에 관한 테이프 확장 공정을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이며, 도 11의 (A) 및 도 11의 (B)는, 변형예에 관한 에어 분무 공정을 모식적으로 나타내는 일부 단면 측면도이다. 또, 이하에서는, 상기 실시형태와 공통 요소에 동일한 부호를 붙이고 상세한 설명을 생략한다.
도 9의 (A)에 나타낸 바와 같이, 변형예에 관한 웨이퍼 지지 공정에서는, 다이본드용 필름(35)을 통해 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 다이싱 테이프(31)를 접착한다. 또한, 다이싱 테이프(31)의 외주부에 고리형의 프레임(33)을 고정한다. 이에 따라, 웨이퍼(11)는, 다이본드용 필름(35) 및 다이싱 테이프(31)를 통해 프레임(33)에 지지된다. 프레임(33)으로 웨이퍼(11)를 지지한 후에는, 도 9의 (B)에 나타낸 바와 같이, 웨이퍼(11)의 표면(11a)에 접착되어 있는 보호 부재(21)를 박리, 제거한다.
변형예에 관한 테이프 확장 공정에서는, 우선, 도 10의 (A)에 나타낸 바와 같이, 기준 위치로 이동시킨 프레임 지지 테이블(38)의 상면에 프레임(33)을 얹고, 클램프(40)로 고정한다. 아울러, 웨이퍼(11)의 하측에 배치한 냉각 유닛(50)으로부터 냉기를 공급하여 다이본드용 필름(35)을 냉각시켜, 그 신축성을 저하시킨다.
다음으로, 승강 기구(42)로 지지 구조(34)를 하강시켜, 도 10의 (B)에 나타낸 바와 같이, 프레임 지지 테이블(38)의 상면을 확장 드럼(36)의 상단보다 하측의 확장 위치로 이동시킨다. 그 결과, 확장 드럼(36)은 프레임 지지 테이블(38)에 대하여 상승하고, 다이싱 테이프(31)는 확장 드럼(36)에 의해 밀려 올라가도록 확장된다. 또, 이 동안에도, 냉각 유닛(50)으로부터의 냉기로 다이본드용 필름(35)을 계속 냉각시킨다.
변형예에 관한 에어 분무 공정에서는 도 11의 (A) 및 도 11의 (B)에 나타낸 바와 같이, 다이본드용 필름(35)을 냉각시킨 상태로, 에어 나이프(48)로부터 분할 예정 라인(13)에 에어(A)를 분무한다. 다이싱 테이프(31)의 확장에 의해 발생한 힘과, 에어(A)를 분무함으로써 발생한 힘의 상승적인 작용에 의해, 웨이퍼(11)는, 분할 예정 라인(13)을 따라서 적절하게 파단된다.
또한, 다이본드용 필름(35)의 신축성은 저하되었기 때문에, 웨이퍼(11)가 파단될 때에 다이본드용 필름(35)도 적절하게 파단된다. 이와 같이, 다이본드용 필름을 접착하고 나서 웨이퍼(11)를 분할하는 경우에도, 본 발명에 관한 웨이퍼의 가공 방법은 유용하다.
기타, 상기 실시형태에 관한 구조, 방법 등은, 본 발명의 목적 범위를 일탈하지 않는 한 적절하게 변경하여 실시할 수 있다.
11 : 웨이퍼(피가공물) 11a : 표면
11b : 이면 13 : 분할 예정 라인(스트리트)
15 : 디바이스 17 : 개질층(개질 영역)
21 : 보호 부재 21a : 제1면
21b : 제2면 31 : 다이싱 테이프
33 : 프레임 35 : 다이본드용 필름
2 : 연삭 장치 4 : 척 테이블
4a : 유지면 6 : 연삭 유닛
8 : 스핀들 10 : 마운트
12 : 연삭 휠 14 : 휠 베이스
16 : 연삭 지석 22 : 레이저 가공 장치
24 : 척 테이블 24a : 유지면
26 : 레이저 가공 유닛 28 : 카메라(촬상 유닛)
32 : 확장 분할 장치 34 : 지지 구조
36 : 확장 드럼 38 : 프레임 지지 테이블
40 : 클램프 42 : 승강 기구
44 : 실린더 케이스 46 : 피스톤 로드
48 : 에어 나이프(에어 노즐) 50 : 냉각 유닛
L : 레이저 광선 A : 에어

Claims (4)

  1. 격자형으로 설정되는 복수의 분할 예정 라인에 의해 구획된 표면측의 복수의 영역에 디바이스가 형성된 웨이퍼를, 상기 분할 예정 라인을 따라서 개개의 디바이스 칩으로 분할하는 웨이퍼의 가공 방법으로서,
    웨이퍼에 대하여 투과성을 갖는 파장의 레이저 광선을 웨이퍼의 내부에 집광하면서 상기 분할 예정 라인을 따라서 조사하여, 웨이퍼의 내부에 상기 분할 예정 라인을 따르는 개질층을 형성하는 개질층 형성 공정과,
    상기 개질층 형성 공정의 전 또는 후에, 웨이퍼의 이면에 신축성을 갖는 다이싱 테이프를 접착하여, 상기 다이싱 테이프의 외주부를 고리형의 프레임에 장착하는 웨이퍼 지지 공정과,
    상기 다이싱 테이프를 확장하는 테이프 확장 공정과,
    상기 다이싱 테이프가 확장된 상태로 웨이퍼에 에어를 분무하여, 상기 개질층이 형성된 상기 분할 예정 라인을 따라서 웨이퍼를 개개의 디바이스 칩으로 분할하고, 디바이스 칩끼리의 간격을 넓히는 에어 분무 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 에어 분무 공정에서는, 에어 나이프로 에어를 분무하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 개질층 형성 공정을 실시하기 전에, 표면에 보호 부재가 접착된 웨이퍼의 이면을 연삭하여, 웨이퍼를 미리 정해진 두께로 가공하는 이면 연삭 공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 테이프 확장 공정과 동시에 상기 에어 분무 공정을 시작하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 가공 방법.
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6887722B2 (ja) * 2016-10-25 2021-06-16 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法及び切削装置
KR102563929B1 (ko) * 2018-03-09 2023-08-04 삼성전자주식회사 반도체 다이들의 개별화 방법 및 반도체 패키지의 제조 방법
JP7154687B2 (ja) * 2018-06-19 2022-10-18 株式会社ディスコ テープ拡張装置
TWI678748B (zh) * 2018-10-18 2019-12-01 大陸商蘇州工業園區雨竹半導體有限公司 將測試樣品自晶圓基材分離方法
JP7221649B2 (ja) * 2018-10-30 2023-02-14 株式会社ディスコ ウエーハの拡張方法およびウエーハの拡張装置
JP7199786B2 (ja) * 2018-11-06 2023-01-06 株式会社ディスコ ウェーハの加工方法

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005223284A (ja) 2004-02-09 2005-08-18 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2006012902A (ja) 2004-06-22 2006-01-12 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
US20080032488A1 (en) * 2006-08-07 2008-02-07 Jiunn-Yi Chu Method of separating semiconductor dies
JP2009272503A (ja) * 2008-05-09 2009-11-19 Disco Abrasive Syst Ltd フィルム状接着剤の破断装置及び破断方法
JP4488590B2 (ja) * 1999-07-28 2010-06-23 株式会社ディスコ 被加工物の分割方法
JP2012174795A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワーク分割装置及びワーク分割方法
KR20120133776A (ko) * 2011-06-01 2012-12-11 도광회 기판의 이물질 제거장치
JP2014063812A (ja) * 2012-09-20 2014-04-10 Disco Abrasive Syst Ltd 加工方法
JP2014063809A (ja) * 2012-09-20 2014-04-10 Disco Abrasive Syst Ltd 加工方法
JP2015002289A (ja) * 2013-06-17 2015-01-05 株式会社ディスコ ウェーハ分割装置
JP2015126088A (ja) * 2013-12-26 2015-07-06 株式会社ディスコ ウェーハの分割方法
JP2015222756A (ja) * 2014-05-22 2015-12-10 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法および分割装置

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6352073B1 (en) 1998-11-12 2002-03-05 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor manufacturing equipment
JP2003017457A (ja) * 2001-07-03 2003-01-17 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板洗浄方法及び装置
JP2007067278A (ja) * 2005-09-01 2007-03-15 Tokyo Seimitsu Co Ltd エキスパンド方法及びエキスパンド装置
JP6425435B2 (ja) * 2014-07-01 2018-11-21 株式会社ディスコ チップ間隔維持装置

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4488590B2 (ja) * 1999-07-28 2010-06-23 株式会社ディスコ 被加工物の分割方法
JP2005223284A (ja) 2004-02-09 2005-08-18 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの分割方法
JP2006012902A (ja) 2004-06-22 2006-01-12 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
US20080032488A1 (en) * 2006-08-07 2008-02-07 Jiunn-Yi Chu Method of separating semiconductor dies
JP2009272503A (ja) * 2008-05-09 2009-11-19 Disco Abrasive Syst Ltd フィルム状接着剤の破断装置及び破断方法
JP2012174795A (ja) * 2011-02-18 2012-09-10 Tokyo Seimitsu Co Ltd ワーク分割装置及びワーク分割方法
KR20120133776A (ko) * 2011-06-01 2012-12-11 도광회 기판의 이물질 제거장치
JP2014063812A (ja) * 2012-09-20 2014-04-10 Disco Abrasive Syst Ltd 加工方法
JP2014063809A (ja) * 2012-09-20 2014-04-10 Disco Abrasive Syst Ltd 加工方法
JP2015002289A (ja) * 2013-06-17 2015-01-05 株式会社ディスコ ウェーハ分割装置
JP2015126088A (ja) * 2013-12-26 2015-07-06 株式会社ディスコ ウェーハの分割方法
JP2015222756A (ja) * 2014-05-22 2015-12-10 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法および分割装置

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